JPH08133771A - Glass substrate for liquid crystal display element and its production - Google Patents

Glass substrate for liquid crystal display element and its production

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JPH08133771A
JPH08133771A JP27773994A JP27773994A JPH08133771A JP H08133771 A JPH08133771 A JP H08133771A JP 27773994 A JP27773994 A JP 27773994A JP 27773994 A JP27773994 A JP 27773994A JP H08133771 A JPH08133771 A JP H08133771A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal display
glass
glass substrate
display element
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JP27773994A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiya Ito
俊哉 伊藤
Isamu Yamaguchi
勇 山口
Chihiro Sakai
千尋 酒井
Kenzou Sono
健三 曽野
Koichiro Kiyohara
康一郎 清原
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NIPPON ITA GLASS FINE KK
NIPPON ITA GLASS TECHNO RES KK
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
NIPPON ITA GLASS FINE KK
NIPPON ITA GLASS TECHNO RES KK
Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To reduce the heat shrinkage of an inexpensive soda lime glass capable of easily obtaining large surface area and to use for a low temp. liquid crystal display element forming process using this glass as a base material by annealing a specific float glass. CONSTITUTION: The glass substrate for liquid crystal display element having <=10ppm shrinkage is obtained by annealing and heating at 400 deg.C for 1hr the SiO2 -R2 O-CaO-MgO-Al2 O3 based float glass composed of a composition of 70-30wt.% SiO2 (hereafger %), 13-15% R2 O (R is alkali metal), 7-12% CaO, 1.0-4.5% MgO, 1.0-2.3% Al2 O3 , 0.05-0.5% Fe2 O3 and balance inevitable impurities under the time and temp. surrounded by (1) (1hr, 510 deg.C), (2) (1hr, 490 deg.C), (3) (6hr, 400 deg.C), (4) (12hr, 400 deg.C), (5) (12hr, 470 deg.C) and (6) (6hr, 510 deg.C) in a coordinate system with time (hr) as the axis of abscissa and temp. ( deg.C) as the axis of ordinate as shown by Figure.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子用ガラス
基板及びその製造方法に関する。詳しくは、液晶表示素
子形成過程における熱収縮量の小さい液晶表示素子用ガ
ラス基板及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass substrate for a liquid crystal display device and a method for manufacturing the glass substrate. More specifically, the present invention relates to a glass substrate for a liquid crystal display element, which has a small amount of heat shrinkage in the process of forming the liquid crystal display element, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在用いられている液晶表示素子用ガラ
ス基板は、以下の二種類に大別できる。
2. Description of the Related Art Glass substrates for liquid crystal display devices currently in use can be roughly classified into the following two types.

【0003】(a) 無アルカリガラス(米コーニング
社#7059など)を素材とし、熱処理、研磨などの処
理を経たガラス基板。
(A) A glass substrate which is made of a non-alkali glass (such as Corning Inc. # 7059) and has been heat-treated and polished.

【0004】(b) 低アルカリガラス、ソーダライム
ガラスなどのアルカリ成分を含んだガラスを素材とし、
研磨、アルカリ溶出防止コーティングなどの処理を経た
ガラス基板。
(B) A glass containing an alkali component such as low alkali glass or soda lime glass is used as a material,
A glass substrate that has undergone treatments such as polishing and alkali elution prevention coating.

【0005】製造工程に半導体素子形成工程を含み集積
度が高いアクティブマトリクス駆動のTFT(薄膜トラ
ンジスタ回路)方式あるいはMIM(ダイオード回路)
方式の液晶表示素子については、現在のところ(a)の
無アルカリガラス基板が用いられている。また比較的集
積度が低く安価な液晶表示素子である単純マトリクス駆
動のTNタイプ,STNタイプには(b)のソーダライ
ムガラス基板なども用いられている。
A TFT (thin film transistor circuit) method or MIM (diode circuit) of active matrix driving, which includes a semiconductor element forming step in the manufacturing process and has a high degree of integration.
For the liquid crystal display element of the type, the non-alkali glass substrate of (a) is currently used. Further, the simple matrix drive TN type and STN type, which are liquid crystal display elements having a relatively low degree of integration and being inexpensive, also use the soda lime glass substrate of (b).

【0006】なお、安価で大面積化が容易であるソーダ
ライムガラスを液晶表示素子基板に用いようとする場合
には、ガラス中のアルカリ溶出が問題になる。
When soda lime glass, which is inexpensive and easy to increase in area, is used for a liquid crystal display element substrate, alkali elution in the glass becomes a problem.

【0007】即ち、ガラス基板上に形成される成膜物質
や液晶材料にとってガラス中のアルカリ金属元素(N
a,Kなど)は素子特性劣化の原因となる。そこで、ソ
ーダライムガラスを液晶表示素子基板用に用いる場合
は、ガラス表面にSiO2 などの溶出防止コーティング
層(パッシベーション層)を設ける。現在では、ディッ
プコート法など液相成膜過程によるコーティングが一般
的に行われている。
That is, for a film forming material or a liquid crystal material formed on a glass substrate, an alkali metal element (N
(a, K, etc.) causes deterioration of element characteristics. Therefore, when soda lime glass is used for a liquid crystal display element substrate, an elution preventing coating layer (passivation layer) such as SiO 2 is provided on the glass surface. At present, coating is generally performed by a liquid phase film forming process such as a dip coating method.

【0008】また、この液晶表示素子用ガラス基板は、
液晶表示素子形成プロセスにおける熱収縮が小さいこと
が、特にプロセス温度が高い場合及び液晶表示素子の集
積度が高い場合に必要となる。
Further, the glass substrate for liquid crystal display device is
Small heat shrinkage in the liquid crystal display element formation process is required especially when the process temperature is high and the degree of integration of the liquid crystal display element is high.

【0009】TN,STNタイプの液晶表示素子ではプ
ロセス温度と集積度が比較的低かったためこれまでは特
に熱収縮に対する対策が必要とされていなかったが、T
FTタイプ用の無アルカリガラス基板では、液晶表示素
子形成プロセスにおける熱収縮量が5p.p.m.前後以下の
ものが用いられている。
Since the process temperature and the degree of integration of the TN and STN type liquid crystal display elements are relatively low, no measures against heat shrinkage have been required so far.
As the FT type non-alkali glass substrate, one having a heat shrinkage amount of about 5 p.pm or less in the liquid crystal display element forming process is used.

【0010】このようなガラス基板に対し、単純マトリ
クス駆動の液晶表示素子ではITOなどの透明導電膜を
成膜し、パターニングによって透明電極を形成する。ア
クティブマトリクス駆動の液晶表示素子では、ITOな
どの透明導電膜を形成し、さらに金属・半導体を成膜お
よびパターン形成して駆動回路部分を形成する。
On such a glass substrate, a transparent conductive film such as ITO is formed in a liquid crystal display device of simple matrix drive, and a transparent electrode is formed by patterning. In an active matrix drive liquid crystal display element, a transparent conductive film such as ITO is formed, and then a metal / semiconductor is formed and patterned to form a drive circuit portion.

【0011】カラータイプ液晶では基板上にカラーフィ
ルターを設けたうえにITOなどの透明導電膜電極を設
けた基板を、駆動回路側の反対の基板に用いる。モノク
ロタイプの液晶表示素子では、駆動回路側でない素子は
透明導電膜電極のみからなる。
In the case of a color type liquid crystal, a substrate provided with a transparent conductive film electrode such as ITO on a substrate provided with a color filter is used as a substrate opposite to the drive circuit side. In the monochrome type liquid crystal display element, the element that is not on the drive circuit side is composed only of the transparent conductive film electrode.

【0012】カラーフィルターを形成する場合、上記の
ようなガラス基板表面にCr金属薄膜がスパッタ成膜さ
れたものが一般に用いられている。Cr金属薄膜はパタ
ーニング/エッチングされてブラックマトリクス形成に
使われる。
In the case of forming a color filter, it is generally used that a Cr metal thin film is sputter-deposited on the surface of the glass substrate as described above. The Cr metal thin film is patterned / etched and used for forming a black matrix.

【0013】透明導電膜としては、酸化スズが添加され
た酸化インジウム(ITO)薄膜や酸化スズ薄膜などが
スパッタ法やCVD法で成膜されている。
As the transparent conductive film, an indium oxide (ITO) thin film or tin oxide thin film to which tin oxide is added is formed by a sputtering method or a CVD method.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】ソーダライムガラス
は、安価で大面積化が容易であるが、液晶表示素子製造
プロセスにおけるプロセス温度が高いと大きな熱収縮を
示すことから、プロセス温度が高く且つ液晶表示素子集
積度が高い場合には採用に不向きであった。
Soda lime glass is inexpensive and can easily be made to have a large area. However, since soda lime glass shows a large heat shrinkage when the process temperature in the liquid crystal display element manufacturing process is high, the soda lime glass has a high process temperature and liquid crystal. It was not suitable for use when the degree of display element integration was high.

【0015】このガラス基板の熱収縮は以下の理由で問
題になる。
The heat shrinkage of the glass substrate becomes a problem for the following reason.

【0016】液晶表示素子のパターン基板作製工程には
200℃〜500℃の高温プロセスが含まれる。すなわ
ち、カラーフィルター及び平坦化膜の焼成(180℃〜
200℃)、透明導電膜の成膜(350℃〜450
℃)、液晶配向膜の焼成(300℃)などの工程におい
て高温環境を通過するため、基板ガラスが収縮する。そ
のため、以下の不都合を生じる。
The process for producing the patterned substrate of the liquid crystal display device includes a high temperature process of 200 ° C. to 500 ° C. That is, firing of the color filter and the flattening film (180 ° C-
200 ° C.), formation of transparent conductive film (350 ° C. to 450 ° C.)
(° C.) and baking of the liquid crystal alignment film (300 ° C.), the substrate glass contracts because it passes through a high temperature environment. Therefore, the following inconvenience occurs.

【0017】第1に、設計したパターンを実現したマス
ターマスクと、実際に製品として流動するガラスの間
で、該ガラス基板の熱収縮によるパターンそのものの寸
法ばらつきが生じることがある。
First, between the master mask that realizes the designed pattern and the glass that actually flows as a product, dimensional variation of the pattern itself may occur due to thermal contraction of the glass substrate.

【0018】第2に、R/G/B各カラーフィルターや
半導体アクティブ素子の形成工程ではパターニングと焼
成(アニール)を順次繰り返す必要がある。その際、ガ
ラス基板の熱収縮は基板寸法変化の原因になり、これら
の工程においてパターンずれが生じる原因になる。
Secondly, it is necessary to sequentially repeat patterning and firing (annealing) in the process of forming the R / G / B color filters and the semiconductor active element. At that time, the heat shrinkage of the glass substrate causes a change in the substrate dimension, which causes a pattern shift in these steps.

【0019】第3に、2枚のガラス基板を貼り合わせて
セルを作製する際に2枚のパターン基板間でパターン寸
法に違いが生じる原因になる。
Thirdly, when two glass substrates are attached to each other to form a cell, a difference occurs in pattern dimensions between the two pattern substrates.

【0020】これらは特に集積度が高いTFT、MIM
タイプで顕著な問題になる。
These are particularly highly integrated TFTs and MIMs.
Type becomes a noticeable issue.

【0021】現在TFTタイプ用途のガラス基板に用い
られている無アルカリガラスは、元来歪点温度(600
℃〜640℃)が高いことに加えて、再アニールによっ
て熱収縮量が5p.p.m.程度に抑えられている。一方、一
般のソーダライムガラス基板は歪点温度が505℃〜5
10℃と低い(すなわち熱収縮量が大きくなる傾向があ
る)上に、これまでのところ適切なアニール処理が行わ
れていないことから、液晶セル製造方法において熱収縮
量が大きくなっている。なお歪点温度などの熱的性質が
異なるため、無アルカリガラス基板でのアニール条件を
ソーダライムガラスにそのまま適用することは不可能で
ある。
Alkali-free glass currently used as a glass substrate for TFT type originally has a strain point temperature (600
In addition to the high temperature (° C to 640 ° C), the amount of thermal shrinkage is suppressed to about 5 p.pm by reannealing. On the other hand, a general soda lime glass substrate has a strain point temperature of 505 ° C to 5 ° C.
The heat shrinkage is large in the liquid crystal cell manufacturing method because it is as low as 10 ° C. (that is, the heat shrinkage tends to be large) and the appropriate annealing treatment has not been performed so far. Since the thermal properties such as the strain point temperature are different, it is impossible to apply the annealing conditions for a non-alkali glass substrate to soda lime glass as it is.

【0022】なお、最近では、これまでアニールが必要
とされていたTN,STNタイプ用のガラス基板におい
ても、高精細化に伴なうパターンの細線化カラーフィル
ター焼成(180℃〜200℃)における20p.p.m.程
度の熱収縮が問題にされるなど、液晶表示素子用ガラス
基板全般で収縮量の小さいガラス基板への要求が生じて
いる。
Incidentally, even in the glass substrates for TN and STN types, which have been required to be annealed up to now, in the fine line color filter firing (180 ° C. to 200 ° C.) of the pattern accompanying the high definition. There has been a demand for a glass substrate having a small shrinkage amount for all glass substrates for liquid crystal display devices, such as a problem of heat shrinkage of about 20 p.pm.

【0023】本発明は、安価で大面積化が容易なソーダ
ライムガラスの熱収縮量を低減し、それを素材として4
00℃以下の液晶表示素子形成プロセスに使用可能な液
晶表示素子用ガラス基板及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
The present invention reduces the amount of heat shrinkage of soda lime glass which is inexpensive and easy to increase in area, and uses it as a material.
An object of the present invention is to provide a glass substrate for a liquid crystal display element that can be used in a liquid crystal display element forming process at a temperature of 00 ° C. or less, and a method for manufacturing the glass substrate.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】請求項1の液晶表示素子
用ガラス基板は、SiO2 70〜73重量%、R2
(R:アルカリ金属元素)13〜15重量%、CaO
7〜12重量%、MgO1.0〜4.5重量%、Al2
3 1.0〜2.3重量%、Fe23 0.05〜0.
50重量%および不可避な不純物の組成からなるSiO
2 −R2 O−CaO−MgO−Al23 系フロートガ
ラスをアニールして得られた、400℃で1Hrの加熱
処理による収縮量が10p.p.m.以下であることを特徴と
するものである。
A glass substrate for a liquid crystal display device according to claim 1 comprises 70 to 73% by weight of SiO 2 , and R 2 O.
(R: alkali metal element) 13 to 15% by weight, CaO
7-12 wt%, MgO 1.0-4.5 wt%, Al 2
O 3 1.0 to 2.3 wt%, Fe 2 O 3 0.05~0.
SiO having a composition of 50% by weight and inevitable impurities
It is characterized in that the shrinkage amount by heat treatment at 400 ° C. for 1 Hr obtained by annealing 2- R 2 O—CaO—MgO—Al 2 O 3 type float glass is 10 p.pm or less. .

【0025】請求項2の液晶表示素子用ガラス基板の製
造方法は、請求項1において、横軸を時間(Hr)と
し、縦軸を温度(℃)とした座標系において、次の座標
〜 ( 1Hr,510℃) ( 1Hr,490℃) ( 6Hr,420℃) (12Hr,400℃) (12Hr,470℃) ( 6Hr,510℃) によって囲まれる時間及び温度の範囲内にて請求項1の
フロートガラスを加熱処理した後、冷却することを特徴
とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a glass substrate for a liquid crystal display device according to the first aspect, in which the horizontal axis represents time (Hr) and the vertical axis represents temperature (° C.), the following coordinates 1 Hr, 510 ° C.) (1 Hr, 490 ° C.) (6 Hr, 420 ° C.) (12 Hr, 400 ° C.) (12 Hr, 470 ° C.) (6 Hr, 510 ° C.) This is characterized in that the float glass is heat-treated and then cooled.

【0026】なお、第1図はこの座標〜を示す座標
系である。
Incidentally, FIG. 1 is a coordinate system showing these coordinates.

【0027】請求項3の液晶表示素子用ガラス基板の製
造方法は、請求項2において、前記冷却を行うに際し、
350℃よりも高い温度領域における冷却速度を、35
0℃よりも低い温度領域における冷却速度よりも小さく
することを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display element, wherein the cooling is performed in the second aspect.
The cooling rate in the temperature range higher than 350 ° C. is 35
It is characterized in that the cooling rate is lower than the cooling rate in the temperature region lower than 0 ° C.

【0028】請求項4の液晶表示素子用ガラス基板の製
造方法は、請求項2又は3において、前記加熱処理を行
うに際し、加熱処理時間内の前半における加熱温度を加
熱処理時間内の後半における加熱温度よりも高くするこ
とを特徴とするものである。
A method for manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display device according to a fourth aspect is the method for producing a glass substrate for a liquid crystal display element according to the second or third aspect, in which the heating temperature in the first half of the heat treatment time is changed to the heating temperature in the second half of the heat treatment time. It is characterized in that the temperature is higher than the temperature.

【0029】本発明では、上記組成のソーダライム系フ
ロートガラスを適切な条件によって熱処理して熱収縮量
の小さいガラスとし、さらに研磨処理及びSiO2 膜な
どのアルカリ溶出防止膜形成を施すことにより、液晶表
示素子形成過程および液晶セル形成過程での熱収縮量が
小さい液晶表示素子用ガラス基板とする。
In the present invention, the soda lime type float glass having the above composition is heat-treated under appropriate conditions to obtain a glass having a small heat shrinkage, and further subjected to polishing treatment and formation of an alkali elution preventive film such as a SiO 2 film, The glass substrate for a liquid crystal display element has a small amount of heat shrinkage during the liquid crystal display element forming step and the liquid crystal cell forming step.

【0030】具体的には以下の(1)から(3)のプロ
セスを順次行う。なおその後にブラックマトリックス用
金属薄膜や、液晶駆動電極用透明導電膜の成膜を行う。
Specifically, the following processes (1) to (3) are sequentially performed. After that, a metal thin film for the black matrix and a transparent conductive film for the liquid crystal driving electrode are formed.

【0031】(1) ソーダライム系フロートガラスの
加熱処理を行う。ここでソーダライムガラスの保持方法
は保持具を用いそれぞれのガラス基板間に間隔を開けて
昇降温時間を短くする方法でも良いし、またすりガラス
やセラミックス板などの適当なスペーサーを介して互い
に密着させながら積み重ねて炉内容積あたり処理枚数を
多くする方法でも良い。
(1) A soda lime type float glass is heat-treated. Here, the method of holding the soda-lime glass may be a method of shortening the temperature rising / falling time by opening a space between the respective glass substrates using a holder, or by adhering them to each other via an appropriate spacer such as frosted glass or a ceramic plate. However, a method of stacking and increasing the number of processed sheets per furnace volume may be used.

【0032】加熱処理条件は、前記座標〜によって
囲まれる範囲である。この処理条件下にガラス基板を保
持し、その後連続的またはステップ的な温度曲線に従っ
て室温まで冷却する。この処理により、400℃×1時
間相当の加熱に対する熱収縮量を、10p.p.m.以下にす
ることができる。なお、保持後の冷却過程の中に、一回
または複数回の一定温度保持過程を含んでもよい。ま
た、350℃以下の温度域においては急冷しても熱収縮
量への影響は非常に小さく、実用上問題ない。
The heat treatment condition is a range surrounded by the above coordinates. The glass substrate is held under these processing conditions and then cooled to room temperature according to a continuous or stepwise temperature curve. By this treatment, the amount of heat shrinkage for heating at 400 ° C. × 1 hour can be reduced to 10 p.pm or less. The cooling process after the holding may include one or a plurality of constant temperature holding processes. Further, in the temperature range of 350 ° C. or less, even if it is rapidly cooled, the influence on the amount of heat shrinkage is very small, and there is no practical problem.

【0033】この加熱処理条件について以下にその根拠
を説明する。
The grounds for this heat treatment condition will be described below.

【0034】まず加熱処理温度について、TFTタイプ
液晶表示素子のパターン基板作製プロセスにおいてガラ
ス基板が置かれる環境温度が最高400℃〜500℃で
あるため再アニールの最高温度は400℃以上必要であ
ること、また一般的なソーダライムガラスの歪点温度
(約510℃)を超える高温ではガラス基板の変形が無
視できないことから、400℃以上510℃以下での保
持温度範囲にあることが必要となる。
First, regarding the heat treatment temperature, the maximum temperature for re-annealing must be 400 ° C. or higher because the environmental temperature in which the glass substrate is placed is 400 ° C. to 500 ° C. in the process of manufacturing the pattern substrate of the TFT type liquid crystal display element. Further, since the deformation of the glass substrate cannot be ignored at a high temperature exceeding the strain point temperature (about 510 ° C.) of general soda lime glass, it is necessary to be in the holding temperature range of 400 ° C. or higher and 510 ° C. or lower.

【0035】加熱処理に要する時間に関しては、長時間
保持するほど熱収縮の低減効果は高まるが、工業的な工
程として考えると12時間以下であることが好ましく、
さらに短い時間で処理が終了すればより好ましい。必要
な処理時間は高温であるほど短くなり、上記のような条
件になる。
Regarding the time required for the heat treatment, the longer it is held, the more the effect of reducing the heat shrinkage is enhanced, but it is preferably 12 hours or less when considered as an industrial process,
It is more preferable that the treatment is completed in a shorter time. The higher the temperature, the shorter the required treatment time, and the above conditions are met.

【0036】なお、好ましい加熱処理条件は450〜4
70℃で4〜6Hrである。
The preferable heat treatment conditions are 450 to 4
It is 4 to 6 hours at 70 ° C.

【0037】即ち、実際の製造においては、ソーダライ
ムガラス基板表面への異物融着、型残り、反りが顕著に
なるため保持温度の上限は470℃であることがより好
ましい。ただし、ガラス基板を積み重ねて表面が炉内雰
囲気に接しない形式で再アニールを行う方法をとる場
合、炉内粉塵に起因する異物による障害は生じないの
で、この場合には470℃を超える温度でも問題ない。
That is, in actual production, the fusion temperature of the foreign matter on the surface of the soda-lime glass substrate, the remaining of the mold, and the warp become remarkable, so that the upper limit of the holding temperature is more preferably 470 ° C. However, when the method of performing re-annealing in a manner that the glass substrates are stacked and the surface does not come into contact with the atmosphere in the furnace, there is no obstacle due to foreign matter due to dust in the furnace, and in this case, even at a temperature exceeding 470 ° C. no problem.

【0038】(2) 液晶表示素子用ガラス基板では表
面平坦化のために研磨を行うことが多い。加熱処理によ
る熱収縮低減の効果は、研磨する前に実施しても研磨の
後に実施しても変わらないが、実際の生産工程を考慮す
ると研磨前に実施する方が工程中でのキズ発生を抑制す
る観点から好ましい。
(2) In many cases, the glass substrate for liquid crystal display device is polished to flatten the surface. The effect of reducing heat shrinkage by heat treatment does not change whether it is carried out before polishing or after polishing, but considering the actual production process, it is better to carry out before polishing to avoid scratches during the process. It is preferable from the viewpoint of suppressing.

【0039】上記目的のためには研磨代は最大10μm
で充分であり、実用上は5μmあるいはそれ以下の研磨
代でも問題ない。
For the above purpose, the polishing allowance is 10 μm at maximum.
Is sufficient, and practically no problem even with a polishing stock removal of 5 μm or less.

【0040】研磨後の表面粗さは小さいほど好ましい
が、液晶表示素子用基板としては表面粗さが20mmあ
たり0.05μm以下であることが好ましい。
The surface roughness after polishing is preferably as small as possible, but the surface roughness of the substrate for liquid crystal display device is preferably 0.05 μm or less per 20 mm.

【0041】ただしTNモノクロタイプなど液晶の旋光
性を利用するタイプでは、表面粗さは20mmあたり
0.10μm以下であれば実用上問題ない。
However, in the type utilizing the optical rotatory power of the liquid crystal such as the TN monochrome type, if the surface roughness is 0.10 μm or less per 20 mm, there is no practical problem.

【0042】(3) 研磨後にアルカリ溶出防止コーテ
ィングを行う。SiO2 ,Ta25などの金属酸化物
薄膜や、Si34 、SiO2 −B23 などのパッシ
ベーション膜を膜厚20nm以上1000nm以下、よ
り好ましくは30nm以上1000nm以下の膜厚範囲
で加熱処理され、研磨処理されたソーダライムガラス表
面に設けることが必要である。
(3) An alkali elution preventing coating is applied after polishing. A film thickness of a metal oxide thin film such as SiO 2 or Ta 2 O 5 or a passivation film such as Si 3 N 4 or SiO 2 —B 2 O 3 is 20 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 30 nm or more and 1000 nm or less. It is necessary to provide it on the surface of soda-lime glass which has been heat-treated and polished.

【0043】好ましいコーティング膜について、以下に
その根拠を説明する。
The basis of the preferable coating film will be described below.

【0044】コーティング膜の構造についてはアルカリ
金属元素の拡散を抑えるためにクラック、ピンホールな
どの欠陥密度が充分低いことが必要である。また液晶表
示素子基板は表面平坦性が必要であること、多結晶薄膜
では一般に粒界が基板表面と薄膜表面をつなぐ拡散経路
になりやすいことから、非晶質構造の薄膜を用いること
が好ましい。
Regarding the structure of the coating film, it is necessary that the density of defects such as cracks and pinholes is sufficiently low in order to suppress the diffusion of alkali metal elements. Further, it is preferable to use a thin film having an amorphous structure because the liquid crystal display element substrate needs to have a flat surface, and in a polycrystalline thin film, a grain boundary is generally likely to serve as a diffusion path connecting the substrate surface and the thin film surface.

【0045】さらに光の透過性、屈折率、化学的安定
性、熱的安定性、ガラスや透明導電膜との密着性を考慮
すると、好ましい膜物質としては、SiO2 、Ta2
5 、Si34 、SiO2 −B23 などが挙げられ
る。
Further, in consideration of light transmittance, refractive index, chemical stability, thermal stability, and adhesion to glass or transparent conductive film, preferred film materials are SiO 2 and Ta 2 O.
5, Si 3 N 4, etc. SiO 2 -B 2 O 3 and the like.

【0046】コーティング方法に関しては、クラックや
ピンホールなどの欠陥が生じにくい方法であれば良く、
真空成膜法(蒸着法、スパッタ法、CVD法など)でも
良いし、湿式成膜法(液相析出法、ディッピング法、ゾ
ルゲル法など)でも良い。
Regarding the coating method, any method may be used as long as it does not easily cause defects such as cracks and pinholes.
A vacuum film forming method (evaporation method, sputtering method, CVD method, etc.) or a wet film forming method (liquid phase deposition method, dipping method, sol-gel method, etc.) may be used.

【0047】生産性を考慮すると、両面成膜が容易な湿
式法(液相析出法、ディッピング法)がより好ましいと
考えられる。
From the viewpoint of productivity, it is considered that the wet method (liquid phase deposition method, dipping method), which facilitates film formation on both sides, is more preferable.

【0048】膜厚は20nm以上1000nm以下が好
ましく、さらに好ましい範囲は30nm以上1000n
m以下である。膜厚が20nmより小さいとコーティン
グ膜が不連続になるなど欠陥密度が大きくなり、また1
000nmより大きいとコーティング膜の内部応力や異
常成長に起因するクラックなどの欠陥発生が顕著にな
る。膜厚が30nm以上1000nm以下であればさら
に欠陥の発生確率が小さく、より好ましい。
The film thickness is preferably 20 nm to 1000 nm, more preferably 30 nm to 1000 n.
m or less. If the film thickness is less than 20 nm, the defect density becomes large due to the discontinuity of the coating film.
If it is larger than 000 nm, defects such as cracks due to internal stress of the coating film and abnormal growth become remarkable. A film thickness of 30 nm or more and 1000 nm or less is more preferable because the probability of occurrence of defects is further reduced.

【0049】以上の方法によって製造された熱収縮量の
小さいガラス基板について、カラー液晶用途であれば金
属Cr薄膜などのブラックマトリクス層とカラーフィル
ター層を形成し、その後酸化スズ、酸化インジウムなど
の透明導電膜を形成して液晶表示素子用ガラス基板とす
る。モノクロ液晶では透明導電膜成膜のみである。
For a glass substrate having a small heat shrinkage manufactured by the above method, for a color liquid crystal application, a black matrix layer such as a metal Cr thin film and a color filter layer are formed, and then a transparent film such as tin oxide or indium oxide is formed. A conductive film is formed to be a glass substrate for liquid crystal display element. In monochrome liquid crystal, only a transparent conductive film is formed.

【0050】Cr薄膜や透明導電膜の成膜には蒸着、ス
パッタなどの公知の真空成膜法が利用でき、またカラー
フィルター形成も公知の材料、方法を適用できる。
A known vacuum film forming method such as vapor deposition or sputtering can be used for forming the Cr thin film or the transparent conductive film, and a known material or method can be applied for forming the color filter.

【0051】以下にスパッタ成膜の場合について述べ
る。Cr薄膜形成には、マグネトロンスパッタなどの装
置を用いる。一般的には、1×10-6Torr以下まで
排気した真空槽内に純度99.99%以上のアルゴンを
導入し、真空槽内のアルゴン圧力を1×10-3Torr
〜1×10-2Torrにしてグロー放電を生じさせ、ス
パッタ成膜を行う。
The case of sputtering film formation will be described below. An apparatus such as magnetron sputtering is used for forming the Cr thin film. Generally, argon having a purity of 99.99% or more is introduced into a vacuum chamber evacuated to 1 × 10 −6 Torr or less, and the argon pressure in the vacuum chamber is set to 1 × 10 −3 Torr.
Glow discharge is generated at ˜1 × 10 −2 Torr, and sputtering film formation is performed.

【0052】ブラックマトリクス用途の金属膜は光の透
過率が小さいことが必要で、一般にオプティカルデンシ
ティー(光学密度、透過率をTとし−log10Tで定義
される)が2〜4(透過率Tが1%〜0.01%)程度
になるように膜厚を定める。これは上記のような成膜条
件ではCr膜厚75nm〜150nmに相当し、Cr膜
厚100nmでオプティカルデンシティーが2程度、C
r膜厚140nmで4程度になる。なお金属膜中の酸素
不純物の存在は、オプティカルデンシティーが低下する
原因になる。
A metal film used for a black matrix needs to have a low light transmittance, and generally has an optical density (optical density, defined as T as -log 10 T where T is the transmittance) of 2 to 4 (transmittance). The film thickness is determined so that T is about 1% to 0.01%. This corresponds to a Cr film thickness of 75 nm to 150 nm under the above-described film forming conditions, a Cr film thickness of 100 nm and an optical density of about 2,
r becomes about 4 at a film thickness of 140 nm. The presence of oxygen impurities in the metal film causes a decrease in optical density.

【0053】ITOなどの透明導電膜をスパッタ成膜す
る場合、Cr成膜と同様に真空槽内をアルゴン雰囲気に
した後に酸素を同時に導入して酸素分圧が0.1%〜5
%になるように酸素流量を調節する。薄膜の結晶性、膜
中の不純物量などによりITO膜の比抵抗は異なるが、
液晶表示素子の駆動電極用途には、常温での面抵抗が5
Ω〜15Ω程度(低いことが望ましい)になるように膜
厚が調節される。
When a transparent conductive film such as ITO is formed by sputtering, the oxygen partial pressure is 0.1% to 5 by introducing oxygen at the same time after making the vacuum chamber an argon atmosphere in the same manner as the Cr film formation.
Adjust the oxygen flow rate so that it becomes%. Although the specific resistance of the ITO film varies depending on the crystallinity of the thin film and the amount of impurities in the film,
For driving electrodes of liquid crystal display devices, the surface resistance at room temperature is 5
The film thickness is adjusted so as to be about Ω to 15Ω (preferably low).

【0054】ブラックマトリクス膜、透明導電膜ともに
ピンホールなどの欠陥がないことが必要であり、画素大
きさなどによって異なるが一般に20μm〜30μm以
上のピンホールがパネル面積中に全くないことが必要と
される。
It is necessary that both the black matrix film and the transparent conductive film have no defects such as pinholes, and it is generally necessary that there are no pinholes of 20 μm to 30 μm or more in the panel area, depending on the pixel size and the like. To be done.

【0055】[0055]

【作用】フロートガラス製造方法で製造されたガラス基
板が熱収縮する理由は以下の通りである。
The reason why the glass substrate manufactured by the float glass manufacturing method undergoes heat shrinkage is as follows.

【0056】溶融凝固プロセスで作製されたガラスは、
その冷却速度に依存した非平衡な構造をとる。(それが
ガラス内で不均一な分布を有する場合は残留応力の原因
となる)。
The glass produced by the melt-solidification process is
It has a non-equilibrium structure depending on its cooling rate. (If it has a non-uniform distribution in the glass it causes residual stress).

【0057】そのガラスについて冷却後に再加熱を行う
と、その温度でより安定な微視的構造にむけての構造変
化を生じるため、巨視的なガラス寸法が変化する。
When the glass is reheated after cooling, the structure changes toward a more stable microscopic structure at that temperature, so that the glass size changes macroscopically.

【0058】一般の工業的板ガラス製造工程では冷却速
度が大きく、それによって得られた板ガラスを再加熱す
るとその寸法は一般に収縮する。
In a general industrial flat glass manufacturing process, the cooling rate is high, and when the flat glass thus obtained is reheated, its size generally shrinks.

【0059】本発明ではソーダライムガラスを適切な加
熱処理により後のプロセス温度での安定な微視的構造に
近づけておく。これにより、液晶表示素子製造工程にお
けるガラス基板の熱収縮量が低減される。
In the present invention, soda lime glass is brought to a stable microscopic structure at a subsequent process temperature by appropriate heat treatment. This reduces the amount of heat shrinkage of the glass substrate in the liquid crystal display element manufacturing process.

【0060】[0060]

【実施例】以下、実施例及び比較例について説明する。
なお、これらの実施例及び比較例の加熱処理時間と温度
との座標を第1図に記入する。
EXAMPLES Examples and comparative examples will be described below.
The coordinates of the heat treatment time and the temperature in these examples and comparative examples are shown in FIG.

【0061】実施例1 試料片の作成及び加熱処理 SiO2 =72.4,Al23 =1.4,Fe23
=0.1,CaO=8.0,MgO=4.1,Na2
=13.1,K2 O=0.7,SO3 =0.3なる組成
の厚み1.1mmのソーダライムガラスを180mm×
60mmに切断し、表1に示す温度及び時間条件並びに
第2図に示す昇降温パターンで加熱処理を行った。次い
で、ダイアモンドペンを用いて外形長辺に垂直に140
mm間隔の平行線(寸法変化測定用の線)を引いた後、
この平行線と垂直方向に切断して180mm×30mm
の試験片2個を作製した。
Example 1 Preparation of Sample Piece and Heat Treatment SiO 2 = 72.4, Al 2 O 3 = 1.4, Fe 2 O 3
= 0.1, CaO = 8.0, MgO = 4.1, Na 2 O
= 13.1, K 2 O = 0.7, SO 3 = 0.3 180 mm × 1.1 mm thick soda lime glass
It was cut into 60 mm and heat-treated under the temperature and time conditions shown in Table 1 and the temperature rising / falling pattern shown in FIG. Then, using a diamond pen,
After drawing parallel lines (lines for measuring dimensional change) at mm intervals,
180mm × 30mm by cutting in the direction perpendicular to this parallel line
2 test pieces were prepared.

【0062】 熱収縮の測定 一方の試験片を電気炉により400℃×1時間の加熱処
理を施した後、室温まで冷却した。該一方の試験片と他
方の試験片との平行線のずれ長さを測定し、ずれ長さを
該他方の試料の平行線間隔で除算し、ずれ量(単位p.p.
m.)を求めた。結果を表1に示す。
Measurement of Heat Shrink One of the test pieces was heat-treated in an electric furnace at 400 ° C. for 1 hour and then cooled to room temperature. The shift length of the parallel line between the one test piece and the other test piece is measured, and the shift length is divided by the parallel line interval of the other sample, and the shift amount (unit: pp
m.). The results are shown in Table 1.

【0063】比較例1 加熱処理条件(加熱温度及び保持時間)を表1の通りと
した他は実施例1と同様にして試験を行い、熱収縮量を
測定した。結果を表1に併せて示す。
Comparative Example 1 A test was conducted in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment conditions (heating temperature and holding time) were as shown in Table 1, and the amount of heat shrinkage was measured. The results are shown in Table 1.

【0064】[0064]

【表1】 [Table 1]

【0065】実施例2 試験片作成時の昇降温パターンを第3図(a),(b)
及び第4図(a),(b)の通りとした他は実施例1と
同様の方法で熱収縮量を測定した。表2の条件で熱処理
を行った。
Example 2 FIG. 3 (a) and FIG. 3 (b) show the temperature rising / falling pattern when the test piece is prepared.
And, the heat shrinkage amount was measured in the same manner as in Example 1 except that it was as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). The heat treatment was performed under the conditions shown in Table 2.

【0066】結果を表2に示す。表2の通り、本実施例
2によると、実施例1よりも短時間でより熱収縮が小さ
い基板を得ることができた。
The results are shown in Table 2. As shown in Table 2, according to the present Example 2, it was possible to obtain a substrate having a smaller thermal contraction in a shorter time than that of Example 1.

【0067】[0067]

【表2】 [Table 2]

【0068】実施例3,比較例2 実施例1と同一組成の厚み1.1mm、寸法300mm
×300mmのソーダライムガラス基板を、純水超音波
洗浄および温純水乾燥装置により洗浄および乾燥させ
た。その後、ガラス基板を間隔をあけて一枚づつ保持す
る形の保持具(カセット)に入れて用い加熱処理を行っ
た。加熱処理条件を表3に示す。
Example 3, Comparative Example 2 The same composition as in Example 1 with a thickness of 1.1 mm and dimensions of 300 mm.
A × 300 mm soda lime glass substrate was washed and dried with pure water ultrasonic cleaning and a warm pure water drying device. Then, the glass substrate was placed in a holder (cassette) having a shape to hold one by one and heat treatment was performed. Table 3 shows the heat treatment conditions.

【0069】次に基板表面を研磨した。研磨後に測定し
た表面粗さは20mmあたり0.5μm以下にした。
Next, the surface of the substrate was polished. The surface roughness measured after polishing was 0.5 μm or less per 20 mm.

【0070】研磨・洗浄後に、液相成膜によってSiO
2 膜を基板表面に形成した。成膜は特開平4−2544
05号公報に記載のSiO2 過飽和なH2 SiF6 水溶
液に浸漬して緻密なSiO2 膜を形成する液相成膜法を
用い、膜厚50nmの非晶質SiO2 パッシベーション
膜を形成した。
After polishing and cleaning, SiO 2 was formed by liquid phase film formation.
Two films were formed on the surface of the substrate. The film is formed by JP-A-4-2544.
An amorphous SiO 2 passivation film having a film thickness of 50 nm was formed by using a liquid phase film formation method described in JP-A No. 05-2005, in which a dense SiO 2 film was formed by immersing in a SiO 2 supersaturated H 2 SiF 6 aqueous solution.

【0071】特開平4−254405号公報の実施例2
として記載されている熱水浸漬によるNa溶出試験に準
じ、100℃の純水に試料を24時間浸漬する方法でア
ルカリ溶出量を評価した。純水中のNa濃度から計算さ
れた溶出Na量は、0.41μg/cm2 であった。な
おパッシベーション膜を形成しないソーダライムガラス
では溶出Na量は9.5μg/cm2 であり、パッシベ
ーション膜形成によりアルカリ溶出が液晶表示素子基板
に使用可能な程度に抑えられることを確認した。
Example 2 of JP-A-4-254405
The alkali elution amount was evaluated by a method of immersing the sample in pure water at 100 ° C. for 24 hours according to the Na elution test by immersion in hot water described as. The amount of eluted Na calculated from the Na concentration in pure water was 0.41 μg / cm 2 . It should be noted that the amount of eluted Na was 9.5 μg / cm 2 in the soda lime glass on which the passivation film was not formed, and it was confirmed that the elution of alkali was suppressed to the extent that it could be used for the liquid crystal display element substrate by forming the passivation film.

【0072】以上の手順で試作した液晶表示素子用ガラ
ス基板について、実施例1の方法で熱収縮量を測定し
た。その結果を表3に併せて示す。表3の通り、研磨、
パッシベーション膜形成を行ってもほぼ同等の熱収縮量
の基板が得られることが分る。
The heat shrinkage of the glass substrate for liquid crystal display device manufactured by the above procedure was measured by the method of Example 1. The results are also shown in Table 3. As shown in Table 3, polishing,
It can be seen that even if the passivation film is formed, a substrate having substantially the same amount of heat shrinkage can be obtained.

【0073】比較例3 実施例3の手順中、加熱処理を省いて液晶表示用ガラス
基板を作製し、実施例3と同様に熱収縮量の評価を行っ
た。この熱収縮量は、表3にも示す通り、59.4p.p.
m.ときわめて大きなものであった。
Comparative Example 3 A glass substrate for liquid crystal display was produced by omitting the heat treatment in the procedure of Example 3, and the thermal shrinkage was evaluated in the same manner as in Example 3. As shown in Table 3, this heat shrinkage amount is 59.4 p.p.
It was a very big one, m.

【0074】以上の実施例及び比較例から明らかな通
り、本発明方法の加熱処理により、熱収縮量が著しく低
減されたガラス基板が作製される。
As is clear from the above Examples and Comparative Examples, the heat treatment of the method of the present invention produces a glass substrate having a significantly reduced amount of heat shrinkage.

【0075】[0075]

【表3】 [Table 3]

【0076】[0076]

【発明の効果】本発明によれば、安価で大面積化容易な
ソーダライムガラスを素材として、かつ熱収縮量のきわ
めて小さい液晶表示素子用ガラス基板を作製することが
できる。
According to the present invention, it is possible to manufacture a glass substrate for a liquid crystal display element, which is made of soda lime glass which is inexpensive and whose area can be easily increased, and which has a very small amount of heat shrinkage.

【0077】これにより、高価な無アルカリガラスを用
いずにパターン精度の優れた液晶表示素子の製造が可能
になる。
As a result, it becomes possible to manufacture a liquid crystal display device having excellent pattern accuracy without using expensive alkali-free glass.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】加熱処理条件を示す座標系である。FIG. 1 is a coordinate system showing heat treatment conditions.

【図2】加熱処理の昇降温パターン図である。FIG. 2 is a heating / cooling pattern diagram of the heat treatment.

【図3】加熱処理の昇降温パターン図である。FIG. 3 is a temperature raising / lowering pattern diagram of heat treatment.

【図4】加熱処理の昇降温パターン図である。FIG. 4 is a temperature raising / lowering pattern diagram of the heat treatment.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 勇 兵庫県伊丹市鴻池字街道下1番 日本板硝 子テクノリサーチ株式会社内 (72)発明者 酒井 千尋 兵庫県伊丹市鴻池字街道下1番 日本板硝 子テクノリサーチ株式会社内 (72)発明者 曽野 健三 大阪府大阪市中央区道修町3丁目5番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 清原 康一郎 神奈川県相模原市西橋本5丁目8番1号 日本板硝子ファイン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Isamu Yamaguchi 1st under Konoike character highway in Itami City, Hyogo Prefecture Within Nippon Sheet Glass Techno Research Co., Ltd. (72) 1st person under Chino Sakai Koiike character road in Itami City, Hyogo Prefecture Nippon Sheet Glass Techno Research Co., Ltd. (72) Inventor Kenzo Sono 3-5-11 Doshomachi, Chuo-ku, Osaka City, Osaka Prefecture Japan Sheet Glass Co., Ltd. (72) Inventor Koichiro Kiyohara Nishichome, Sagamihara City, Kanagawa Prefecture 8-1 No. 1 Nippon Sheet Glass Fine Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 SiO2 70〜73重量%、R2
(R:アルカリ金属元素)13〜15重量%、CaO
7〜12重量%、MgO 1.0〜4.5重量%、Al
23 1.0〜2.3重量%、Fe23 0.05〜
0.50重量%および不可避な不純物の組成からなるS
iO2 −R2 O−CaO−MgO−Al23 系フロー
トガラスをアニールして得られた、400℃で1Hrの
加熱処理による収縮量が10p.p.m.以下の液晶表示素子
用ガラス基板。
1. 70 to 73% by weight of SiO 2 , R 2 O
(R: alkali metal element) 13 to 15% by weight, CaO
7-12 wt%, MgO 1.0-4.5 wt%, Al
2 O 3 1.0 to 2.3 wt%, Fe 2 O 3 0.05~
S consisting of 0.50% by weight and inevitable impurities
A glass substrate for a liquid crystal display device, which is obtained by annealing an iO 2 —R 2 O—CaO—MgO—Al 2 O 3 based float glass and has a shrinkage amount of 10 p.pm or less due to a heat treatment at 400 ° C. for 1 hr.
【請求項2】 請求項1の液晶表示素子用ガラス基板の
製造方法であって、横軸を時間(Hr)とし、縦軸を温
度(℃)とした座標系において、次の座標〜 ( 1Hr,510℃) ( 1Hr,490℃) ( 6Hr,400℃) (12Hr,400℃) (12Hr,470℃) ( 6Hr,510℃) によって囲まれる時間及び温度の範囲内にて請求項1の
フロートガラスを加熱処理した後、冷却することを特徴
とする液晶表示素子用ガラス基板の製造方法。
2. The method of manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein in the coordinate system in which the horizontal axis represents time (Hr) and the vertical axis represents temperature (° C.), the following coordinates ~ (1Hr , 510 ° C.) (1 Hr, 490 ° C.) (6 Hr, 400 ° C.) (12 Hr, 400 ° C.) (12 Hr, 470 ° C.) (6 Hr, 510 ° C.) The float of claim 1 within a time and temperature range. A method for manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display element, which comprises heating glass and then cooling it.
【請求項3】 請求項2において、前記冷却を行うに際
し、350℃よりも高い温度領域における冷却速度を、
350℃よりも低い温度領域における冷却速度よりも小
さくすることを特徴とする液晶表示素子用ガラス基板の
製造方法。
3. The cooling rate in a temperature range higher than 350 ° C. when performing the cooling according to claim 2,
A method for manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display element, which is characterized in that the cooling rate is made lower than a cooling rate in a temperature region lower than 350 ° C.
【請求項4】 請求項2又は3において、前記加熱処理
を行うに際し、加熱処理時間内の前半における加熱温度
を加熱処理時間内の後半における加熱温度よりも高くす
ることを特徴とする液晶表示素子用ガラス基板の製造方
法。
4. The liquid crystal display element according to claim 2, wherein when the heat treatment is performed, the heating temperature in the first half of the heat treatment time is higher than the heating temperature in the second half of the heat treatment time. Of manufacturing glass substrate for automobile.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6313052B1 (en) * 1998-02-27 2001-11-06 Asahi Glass Company Ltd. Glass for a substrate
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