JPH08124894A - Non-mirror silicon wafer and manufacture thereof - Google Patents
Non-mirror silicon wafer and manufacture thereofInfo
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- JPH08124894A JPH08124894A JP28269894A JP28269894A JPH08124894A JP H08124894 A JPH08124894 A JP H08124894A JP 28269894 A JP28269894 A JP 28269894A JP 28269894 A JP28269894 A JP 28269894A JP H08124894 A JPH08124894 A JP H08124894A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の技術分野】本発明は新規な非ミラー状シリコン
ウェハー、シリコンウェハーの表面処理法および該非ミ
ラー状シリコンウェハーを使用したシリコン光デバイス
に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel non-mirror-like silicon wafer, a surface treatment method for a silicon wafer, and a silicon optical device using the non-mirror-like silicon wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコンウェハーの表面処理（エッチン
グ法）は、半導体、光エレクトロニクスデバイスなどの
分野で各種開発されており、その目的、用途に応じた様
々な技術が使用されている。これらのエッチング方法と
しては、ウェットエッチング法、ドライエッチング法お
よび化学的機械的研磨（ＣＭＰ）などが一般的である
が、広い面全体の深いエッチングに対してはバッチ処理
可能な、ウェットエッチング法が主流として用いられて
いる。一般に、ウェットエッチング法は（Ｉ）フッ酸−
硝酸をエッチャントとして用いる等方性エッチング法
と、（ＩＩ）水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどの
アルカリ溶液やヒドラジンをエッチャントとして用いる
異方性エッチング法とに大別される。前者は主に半導体
基板の加工歪層や欠陥摘出に、後者は主にシリコン光デ
バイスの表面処理に用いられる。2. Description of the Related Art Various surface treatments (etching methods) for silicon wafers have been developed in the fields of semiconductors, optoelectronic devices, etc., and various techniques are used according to the purpose and application. As these etching methods, a wet etching method, a dry etching method and a chemical mechanical polishing (CMP) method are generally used. However, a wet etching method, which is capable of batch processing for deep etching of a wide surface, is available. It is used as the mainstream. Generally, the wet etching method is (I) hydrofluoric acid-
It is roughly classified into an isotropic etching method using nitric acid as an etchant and an anisotropic etching method using (II) an alkaline solution such as potassium hydroxide or sodium hydroxide or hydrazine as an etchant. The former is mainly used for processing strained layers and defects in semiconductor substrates, and the latter is mainly used for surface treatment of silicon optical devices.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このウェットエッチン
グ法をシリコンウェハーまたは各種光デバイスの表面加
工処理に適用する場合、エッチング技術が本来有する加
工歪層および結晶欠陥の除去はもちろん、ウェハー全域
にわたるエッチングの均一性、並びに、超薄型仕上げの
際の再現性、量産性を共に実現することが課題となって
いる。さらに光デバイスに対しては以下の点について、
再現性、生産の簡易性をも含む良好な作業性を満足しつ
つ、あらゆる型のウェハーに適用できることが要望され
ていた。 １）広い面積のウェハー全域に及ぶ均一性の高い、ムラ
のない超薄型ウェハー仕上げ。 ２）光電変換効率の向上を図るため、表面反射の低減、
単位受光面の拡大などの特殊表面仕上げ。 しかしながら、従来の弗酸−硝酸系の酸等方性エッチン
グによる仕上がり面は、ゆるやかなうねりを有する準ミ
ラー状であり、特にエッチング量の多い、深いエッチン
グ加工ではウェハー周辺部よりダレを生じ易く、厚みの
ある大口径ウェハーでの、均一性の高い超薄型ウェハー
仕上げに関しては生産性の点で問題があった。When this wet etching method is applied to the surface processing of a silicon wafer or various optical devices, it is possible to remove not only the processing strain layer and crystal defects inherent in the etching technology but also the etching of the entire wafer. Achieving both uniformity, reproducibility in ultra-thin finishing, and mass productivity is an issue. For optical devices,
It has been desired to be applicable to all types of wafers while satisfying good workability including reproducibility and easiness of production. 1) An ultra-thin wafer finish with high uniformity and high uniformity over a wide area wafer. 2) Reduction of surface reflection in order to improve photoelectric conversion efficiency,
Special surface finish such as enlarging the unit light receiving surface. However, the finished surface of the conventional hydrofluoric acid-nitric acid-type isotropic etching is a quasi-mirror shape having a gentle undulation, and particularly when the etching amount is large and deep etching is performed, sagging is more likely to occur than the wafer peripheral portion. There was a problem in terms of productivity with regard to finishing of an ultra-thin wafer with high uniformity on a thick large-diameter wafer.
【０００４】一方、従来より光エレクトロニクスデバイ
ス用ウェハー表面加工に一般に用いられているアルカリ
溶液やヒドラジンによる異方性エッチング法は、何れの
方法も沸騰状態ないし１００℃近辺の高温での処理加工
が必要であり、設備面ならびに技術面に伴う作業性に問
題を有していた。さらに処理できるシリコンウェハーの
表面結晶方位が（１００）面のものに限定されていた。
本発明はかかる従来の課題を解決し、従来の化学エッチ
ングでは得ることができなかった新規なシリコンウェハ
ーを提供するとともに、その表面処理方法、および処理
液を提供するものである。On the other hand, any of the anisotropic etching methods using an alkaline solution or hydrazine, which have been generally used for the surface processing of wafers for optoelectronic devices, require processing at a boiling state or at a high temperature around 100 ° C. Therefore, there is a problem in workability in terms of equipment and technology. Further, the surface crystallographic orientation of the silicon wafer that can be processed was limited to that of the (100) plane.
The present invention solves such conventional problems, and provides a novel silicon wafer that could not be obtained by conventional chemical etching, a surface treatment method thereof, and a treatment solution.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェハー全面
に均一に平均高さ５μｍ以下の、非鋭尖形曲面状頂部の
突起を有する非ミラー状シリコンウェハーを提供する。
非鋭尖形曲面状頂部の突起とは、突起の高さ方向の中心
線に沿った断面が、交差する直線で画定されず曲線で画
定されることをいう。突起の形状は略錐体形であればよ
い。突起を略錐体と擬した場合の頂角は凸角（２直角よ
り小さい角度）であれば良い。前記突起の平均高さは好
ましくは３μｍ以下であり、最も好ましくは２μｍ以下
である。また、平均高さであり、本発明の効果を奏する
限りにおいて、上記範囲よりも大きな突起が存在しても
良い。上記のシリコンウェハーの模式図を図１および図
２に、顕微鏡写真を図３に示す。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a non-mirror-like silicon wafer having a non-sharp curved top portion with a mean height of 5 μm or less uniformly over the entire surface of the wafer.
The projection of the non-sharp curved top portion means that the cross section along the center line in the height direction of the projection is defined not by intersecting straight lines but by curved lines. The shape of the protrusion may be a substantially cone shape. The apex angle when the protrusion is simulated as a substantially pyramid may be a convex angle (angle smaller than 2 right angles). The average height of the protrusions is preferably 3 μm or less, and most preferably 2 μm or less. Further, it is an average height, and as long as the effect of the present invention is exhibited, a protrusion larger than the above range may be present. A schematic view of the above silicon wafer is shown in FIGS. 1 and 2, and a micrograph is shown in FIG.
【０００６】本発明はさらに、ウェハー全面に平均高さ
１００μｍ以下の略半球もしくは欠球状のマウンドを少
なくとも１０3 個／ｃｍ2 以上有し、該マウンド表面を
含む全面が、さらに平均高さ５μｍ以下の、非鋭尖形曲
面状頂部の突起を有する非ミラー状シリコンウェハーも
提供する。マウンドとは、ウェハーから盛り上がってい
る部分をいい、その平均高さは１００μｍ以下である。
本発明のシリコンウェハーは、かかるマウンドを有する
ウェハーの表面全体に、さらに非鋭尖形曲面状頂部の突
起を有する略円錐形または角錐形の突起を有する。この
突起は前述の突起と同様のものである。該突起の平均高
さは、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは２μｍ以
下である。上記のシリコンウェハーの模式図を図４およ
び図５に、顕微鏡写真を図６−９に示す。[0006] The present invention further comprises a mound of substantially hemispherical or deleted spherical following average height 100μm over the whole surface of the wafer of at least 10 3 / cm 2 or more, the entire surface including the mound surface, 5 [mu] m or less further average height Also provided are non-mirrored silicon wafers having non-sharp curved top projections. The mound refers to a portion that is raised from the wafer and has an average height of 100 μm or less.
The silicon wafer of the present invention further has a substantially conical or pyramidal projection having a non-sharp curved top projection on the entire surface of the wafer having the mound. This protrusion is similar to the above-mentioned protrusion. The average height of the protrusions is preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm or less. Schematic views of the above silicon wafer are shown in FIGS. 4 and 5, and micrographs are shown in FIGS. 6-9.
【０００７】上記の態様の本発明にかかるシリコンウェ
ハーは、特に結晶型シリコン太陽電池への適用により、
高変換効率化に対して表面反射低減としてのテクスチャ
ー構造は複合（二重）テクスチャー構造として作用し、
さらに単位平面あたりの受光面積を大幅に増大させ、た
とえば約４５−８５％程度増大させる。本発明にかかる
シリコンウェハーは、硫酸、硝酸および弗酸の混合物を
エッチャントとする異方性エッチングにより製造するこ
とができる。硫酸、硝酸および弗酸の混合割合は、それ
ぞれ９５％硫酸、７０％硝酸、４９％弗酸として、硫
酸、硝酸、および弗酸の容量比で硫酸３３−９０％、硝
酸５−５０％、弗酸４−４０％であり、硫酸、硝酸、お
よび弗酸の容量比が、１２：２：１、１０：４：１、ま
たは８：８：１である場合に特に好ましい結果が得られ
る。The silicon wafer according to the present invention in the above-mentioned aspect is applied to a crystalline silicon solar cell,
For high conversion efficiency, the texture structure as surface reflection reduction acts as a composite (double) texture structure,
Further, the light receiving area per unit plane is greatly increased, for example, about 45-85%. The silicon wafer according to the present invention can be manufactured by anisotropic etching using a mixture of sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid as an etchant. The mixing ratios of sulfuric acid, nitric acid, and hydrofluoric acid are 95% sulfuric acid, 70% nitric acid, and 49% hydrofluoric acid. Sulfuric acid, nitric acid, and hydrofluoric acid have a volume ratio of 33-90% sulfuric acid, 5-50% nitric acid, and hydrofluoric acid. Particularly favorable results are obtained when the acid is 4-40% and the volume ratio of sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid is 12: 2: 1, 10: 4: 1, or 8: 8: 1.
【０００８】本発明にかかる表面処理方法において、好
ましくはエッチングは６０℃以下で行われる。また、本
発明にかかる表面処理方法および表面処理液において
は、実用的なエッチングレート、エッチングの異方性お
よび均一性を同時に達成するためには、硫酸の混合液全
体に占める割合が容積比で３３−９０％、フッ酸が５−
４０％、硝酸が５−５０％であることが好ましい。実用
上のエッチングレート、薄型加工の際の全面均一性、お
よび異方性エッチング仕上面の清浄度（具体的にはシリ
コン面の緻密さ）を勘案すると、最も好ましくは、硫
酸：硝酸：フッ酸の比率が、１２：２：１または８：
８：１である。なお、上記の容積比は、４９％フッ酸、
７０％硝酸、および９５％硫酸を使用した場合のもので
ある。上記の処理液によりエッチングを行うことによ
り、広面積で均一性の高い、１０μｍ厚程度までの超薄
型のシリコンウェハーや複合テクスチャー表面を有する
ウェハーを低温下で再現性よく、簡単に得ることができ
る。大口径超薄型ウェハーを得るためには、周辺部のダ
レを生じることなくエッチングをすることが必要であ
り、本発明によれば、２インチ径の口径を有し、かつ１
０μｍ程度の厚さを有する画期的な大口径超薄型シリコ
ンウェハーを得ることもできる。以下において本発明を
実施例に基づいてより詳細に説明するが、これら実施例
は本発明の範囲を何等限定するものではない。In the surface treatment method according to the present invention, the etching is preferably performed at 60 ° C. or lower. Further, in the surface treatment method and the surface treatment liquid according to the present invention, in order to simultaneously achieve a practical etching rate, etching anisotropy and uniformity, the proportion of sulfuric acid in the whole mixed solution is a volume ratio. 33-90%, hydrofluoric acid 5-
40% and nitric acid 5 to 50% are preferable. Considering the practical etching rate, the overall uniformity in thin processing, and the cleanliness of the anisotropic etching surface (specifically, the fineness of the silicon surface), the most preferable is sulfuric acid: nitric acid: hydrofluoric acid. Ratio of 12: 2: 1 or 8:
8: 1. The above volume ratio is 49% hydrofluoric acid,
70% nitric acid and 95% sulfuric acid are used. By performing etching with the above-mentioned treatment liquid, it is possible to easily obtain a silicon wafer having a large area and a high uniformity, an ultra-thin silicon wafer having a thickness of about 10 μm or a wafer having a composite texture surface with good reproducibility at low temperature. it can. In order to obtain a large-diameter ultra-thin wafer, it is necessary to perform etching without causing sagging in the peripheral portion, and according to the present invention, the diameter is 2 inches and
It is also possible to obtain an epoch-making large-diameter ultra-thin silicon wafer having a thickness of about 0 μm. Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but these examples do not limit the scope of the present invention in any way.
【０００９】実施例１ フッ酸（４９％濃度、以下同様）と硝酸（７０％濃度、
以下同様）に対して硫酸（９５％濃度、以下同様）を様
々な割合で混合した場合の、混合液組成、エッチング面
状態すなわちエッチングの速さ、均一性（薄型加工にお
ける）、異方性（無反射面）および仕上がり表面（置
換、汚れ）を観察し、×、△、○および◎の４段階で評
価した。また、温度は４０−４５℃とした。結果を表１
に示す。この表は本発明の処理法における硫酸の添加量
による等方性→異方性転換条件を示すものである。フッ
酸および硝酸に硫酸を混合液全体に対して容積比で３３
％付近（サンプルＮｏ．３）からエッチングの異方化特
性（非ミラー化）が加わり始め、同じく容積比４５％以
上（サンプルＮｏ．６）となると実用的処理時間内で異
方性（非ミラー状）エッチング特性が支配的となること
がわかる。Example 1 Hydrofluoric acid (49% concentration, the same below) and nitric acid (70% concentration,
The same applies hereinafter) to sulfuric acid (95% concentration, the same applies below) in various proportions, the composition of the mixed solution, the etching surface condition, that is, the etching speed, the uniformity (in thin processing), the anisotropy ( The non-reflective surface) and the finished surface (displacement, stain) were observed and evaluated in four grades of x, Δ, ◯ and ⊚. The temperature was 40-45 ° C. The results are shown in Table 1.
Shown in This table shows the isotropic → anisotropic conversion condition depending on the addition amount of sulfuric acid in the treatment method of the present invention. Sulfuric acid and nitric acid were mixed with sulfuric acid in a volume ratio of 33 to the whole mixture.
% (Sample No. 3), anisotropic properties of etching (non-mirroring) start to be added, and when the volume ratio is 45% or more (Sample No. 6), anisotropy (non-mirroring) occurs within a practical processing time. It can be seen that the etching characteristics dominate.
【００１０】[0010]
【表１】 [Table 1]
【００１１】実施例２ ３インチウェハー（直径７．６ｃｍ）、厚さ３８０±５
μｍ、Ｐ−ＴＹＰＥで表面結晶方位のみ異なるウェハー
（１１１）、（１００）を、硫酸：硝酸：弗酸＝１２：
２：１で、温度を３０±３℃とし、ウェハー面方位によ
るエッチング量を確認した結果を図１０に示す。なお、
（１１１）面の比抵抗は２−２４Ωｃｍ、（１００）面
の比抵抗は０．０１−０．１Ωｃｍであった。アルカリ
溶液等による従来の異方性エッチングと比較すると（１
１１）、（１００）各面でのエッチング量に大幅な差は
生じないが、このわずかな差で異方性エッチングが進行
することが、本発明で得られる（１１１）、（１００）
いずれのウェハーに対しても、ウェハー全域に均一性の
高い、数μｍ以下の微細な突起を有する非ミラー状ウェ
ハーが得られる要因であると考えられる。Example 2 3-inch wafer (diameter 7.6 cm), thickness 380 ± 5
μm, wafers (111) and (100) having different surface crystal orientations in P-TYPE were treated with sulfuric acid: nitric acid: hydrofluoric acid = 12:
FIG. 10 shows the results of confirming the etching amount according to the wafer plane orientation at a temperature of 30 ± 3 ° C. at 2: 1. In addition,
The specific resistance of the (111) plane was 2-24 Ωcm, and the specific resistance of the (100) plane was 0.01-0.1 Ωcm. Compared with conventional anisotropic etching using alkaline solution, etc. (1
Although there is no significant difference in the amount of etching on each of (11) and (100), it is obtained in the present invention that anisotropic etching proceeds with this slight difference (111) and (100).
It is considered that this is a factor that can obtain a non-mirror-like wafer having fine protrusions of several μm or less with high uniformity over the entire area of any wafer.
【００１２】実施例３ ３インチウェハー（直径７．６ｃｍ）、厚さ３８０±５
μｍ、Ｐ−ＴＹＰＥ、（１１１）面ウェハー（比抵抗
２−２４Ωｃｍ）を用い、各種温度に対するエッチング
量変化を調べた。エッチャントは、弗酸（４９％）：硝
酸（７０％）：硫酸（９５％）＝１：２：１２の混合液
を使用した。結果を図１１に示す。測定値は、ウェハー
の中央における値で、エッチング量はウェハー厚さの減
少値すなわち両面エッチング深さの合計値である。２０
±３℃では１μｍ／分、３０±３℃では３μｍ／分、４
０±３℃では６μｍ／分、５０±３℃では１０μｍ／
分、６０±３℃では１６μｍ／分であった。比較的低い
エッチング速度の要求される超薄型仕上げほど、常温近
辺が望まれ、具体的には５０℃以下、好ましくは４０℃
以下の温度が好適である。Example 3 3-inch wafer (diameter 7.6 cm), thickness 380 ± 5
μm, P-TYPE, (111) surface wafer (resistivity
2-24 Ωcm) was used to examine changes in the etching amount with respect to various temperatures. As the etchant, a mixed solution of hydrofluoric acid (49%): nitric acid (70%): sulfuric acid (95%) = 1: 2: 12 was used. The results are shown in Fig. 11. The measured value is the value at the center of the wafer, and the etching amount is the reduction value of the wafer thickness, that is, the total value of the double-sided etching depth. 20
1μm / min at ± 3 ° C, 3μm / min at 30 ± 3 ° C, 4
6 μm / min at 0 ± 3 ° C, 10 μm / min at 50 ± 3 ° C
Min, 60 μm / min at 60 ± 3 ° C. As the ultra-thin finish requires a relatively low etching rate, the temperature around room temperature is desired, specifically, 50 ° C or less, preferably 40 ° C.
The following temperatures are suitable.
【００１３】実施例４ 厚さ２７５±３μｍ、直径４０ｍｍのＮ−ＴＹＰＥシリ
コンウェハー（１１１）面（＃２０００仕上げ）に対
し、エッチャントとしてフッ酸（４９％）：硝酸（７０
％）：硫酸（９５％）＝１：２：１２の混合液を使用し
て５０〜５５℃においてディップエッチングを実施し、
１５分間で仕上げ厚さ３０μｍの非ミラー状ウェハーと
した。図１２は積算エッチング時間に対するウェハー厚
さを示す。数値はウェハーの中央部の厚さであり、（）
内の４つの連続する数値は夫々上下左右の周辺部エッジ
から１〜２ｍｍの部分の厚さである。結果から明らかな
とおり、ウェハーの周辺部にダレによる厚さむらの発生
はなく、全面において極めて均一な異方性（非ミラー
状）エッチングが行われている。すなわち、エッチャン
ト組成による異方性が十分に発現していることが確認さ
れた。Example 4 For an N-TYPE silicon wafer (111) surface (# 2000 finish) having a thickness of 275 ± 3 μm and a diameter of 40 mm, hydrofluoric acid (49%): nitric acid (70) was used as an etchant.
%): Sulfuric acid (95%) = 1: 2: 12, and dip etching is performed at 50 to 55 ° C.
A non-mirror-like wafer having a finished thickness of 30 μm was formed in 15 minutes. FIG. 12 shows the wafer thickness against integrated etching time. The numerical value is the thickness of the central part of the wafer.
The four consecutive numerical values in the figure are the thicknesses of the portions 1 to 2 mm from the upper, lower, left and right peripheral edges, respectively. As is clear from the results, there is no uneven thickness due to sagging in the peripheral portion of the wafer, and extremely uniform anisotropic (non-mirror-like) etching is performed on the entire surface. That is, it was confirmed that the anisotropy due to the etchant composition was sufficiently exhibited.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本発明により得られる非ミラー状ウェハ
ーは、ウェハーは全面にわたり極めて均一性が高い広面
積の超薄型ウェハーである。また複合（二重）テクスチ
ャー構造を有するウェハーは、光デバイスに応用した場
合、光表面反射防止や単位ウェハー面での受光面の大幅
な拡大などが達成され、光電変換効率の向上が図られ
る。さらに本発明のエッチング方法によれば、本発明に
かかる非ミラー状ウェハーが複雑な工程や設備を要せず
に簡単な処理で、ウェハー表面結晶方位によらず、（１
１１）、（１００）いずれにおいても有効な異方性エッ
チングを常温下において可能とした。INDUSTRIAL APPLICABILITY The non-mirror-like wafer obtained according to the present invention is an ultra-thin wafer having a large area and having extremely high uniformity over the entire surface. In addition, when a wafer having a composite (double) texture structure is applied to an optical device, it prevents light surface reflection and achieves a large expansion of the light receiving surface on the unit wafer surface, thereby improving photoelectric conversion efficiency. Further, according to the etching method of the present invention, the non-mirror-like wafer according to the present invention can be simply processed without complicated steps and facilities, and regardless of the wafer surface crystal orientation (1
In both 11) and (100), effective anisotropic etching was possible at room temperature.
【図１】本発明にかかるシリコンウェハー表面の模式図
である。FIG. 1 is a schematic view of a surface of a silicon wafer according to the present invention.
【図２】図１で４角で囲んだ部分の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a portion surrounded by a square in FIG.
【図３】本発明にかかるシリコンウェハー表面の結晶構
造の顕微鏡写真である。FIG. 3 is a micrograph of a crystal structure of a surface of a silicon wafer according to the present invention.
【図４】本発明にかかるシリコンウェハー表面の模式図
である。FIG. 4 is a schematic view of the surface of a silicon wafer according to the present invention.
【図５】図４で４角で囲んだ部分の拡大図である。5 is an enlarged view of a portion surrounded by a square in FIG.
【図６】本発明にかかるシリコンウェハー表面の結晶構
造の顕微鏡写真である。FIG. 6 is a micrograph of a crystal structure of a surface of a silicon wafer according to the present invention.
【図７】本発明にかかるシリコンウェハー表面の結晶構
造の顕微鏡写真である。FIG. 7 is a micrograph of a crystal structure of a surface of a silicon wafer according to the present invention.
【図８】本発明にかかるシリコンウェハー表面の結晶構
造の顕微鏡写真である。FIG. 8 is a micrograph of a crystal structure of a surface of a silicon wafer according to the present invention.
【図９】本発明にかかるシリコンウェハー表面の結晶構
造の顕微鏡写真である。FIG. 9 is a micrograph of a crystal structure of a surface of a silicon wafer according to the present invention.
【図１０】実施例２の結果を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the results of Example 2.
【図１１】実施例３の結果を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the results of Example 3.
【図１２】実施例４の結果を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing the results of Example 4.
Claims (6)
下の、非鋭尖形曲面状頂部の突起を有する非ミラー状シ
リコンウェハー。1. A non-mirror-like silicon wafer having an average height of 5 μm or less and a projection having a non-sharp curved top portion evenly over the entire surface of the wafer.
の略半球もしくは欠球状のマウンドを少なくとも１０3
個／ｃｍ2 以上有し、該マウンド表面を含む全表面に、
さらに平均高さ５μｍ以下の、非鋭尖形曲面状頂部の突
起を有する非ミラー状シリコンウェハー。2. A substantially hemispherical or missing spherical mound having an average height of 100 μm or less is at least 10 3 on the entire surface of the wafer.
The number of particles / cm 2 or more, and on all surfaces including the mound surface,
Further, a non-mirror-like silicon wafer having an average height of 5 μm or less and a non-sharp curved top portion.
ハーを使用して製造されるシリコン光エレクトロニクス
デバイス。3. A silicon optoelectronic device manufactured using the silicon wafer according to claim 1.
ャントとする異方性エッチング方法。4. An anisotropic etching method using a mixture of sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid as an etchant.
％硫酸、７０％硝酸、４９％弗酸として、硫酸、硝酸、
および弗酸の容量比が硫酸３３−９０％、硝酸５−５０
％、弗酸４−４０％である請求項４記載のエッチング方
法。5. Sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid are each 95
% Sulfuric acid, 70% nitric acid, 49% hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid,
And the volume ratio of hydrofluoric acid is sulfuric acid 33-90%, nitric acid 5-50
%, Hydrofluoric acid 4-40%, The etching method according to claim 4.
％硫酸、７０％硝酸、４９％弗酸として、硫酸、硝酸、
および弗酸の容量比が、１２：２：１、１０：４：１、
または８：８：１である請求項４記載のエッチング方
法。6. Sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid are each 95
% Sulfuric acid, 70% nitric acid, 49% hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid,
And the volume ratio of hydrofluoric acid is 12: 2: 1, 10: 4: 1,
Alternatively, the etching method is 8: 8: 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28269894A JP2880415B2 (en) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | Non-mirror silicon wafer and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28269894A JP2880415B2 (en) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | Non-mirror silicon wafer and method of manufacturing the same |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH08124894A true JPH08124894A (en) | 1996-05-17 |
| JP2880415B2 JP2880415B2 (en) | 1999-04-12 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28269894A Expired - Fee Related JP2880415B2 (en) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | Non-mirror silicon wafer and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2880415B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534336B1 (en) | 1999-05-21 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method of photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device produced by the method |
| JP2005150171A (en) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | M Fsi Kk | Etchant, roughening treating method for silicon-wafer substrate surface and etching equipment |
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1994
- 1994-10-21 JP JP28269894A patent/JP2880415B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534336B1 (en) | 1999-05-21 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method of photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device produced by the method |
| JP2005150171A (en) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | M Fsi Kk | Etchant, roughening treating method for silicon-wafer substrate surface and etching equipment |
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|---|---|
| JP2880415B2 (en) | 1999-04-12 |
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