JPH08124102A - Write driver circuit - Google Patents

Write driver circuit

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JPH08124102A
JPH08124102A JP6284490A JP28449094A JPH08124102A JP H08124102 A JPH08124102 A JP H08124102A JP 6284490 A JP6284490 A JP 6284490A JP 28449094 A JP28449094 A JP 28449094A JP H08124102 A JPH08124102 A JP H08124102A
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雄二 曽我
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    • G11B2005/0013Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation

Abstract

PURPOSE: To provide a write driver circuit capable of speedily operating the writing even under a low power source voltage. CONSTITUTION: This circuit is provided with first and second PNP input transistors QP1, QP2 whose bases are supplied with a pair of complementary input signals respectively and first and second NPN output transistors Q1, Q2 in inverted Darlington state. A first resistance elements R1 is provided between the emitter of the PNP transistor and the collector of corresponding NPN output transistor and a second resistance element Ra is provided between the collector common for the first and the second NPN output transistors Q1, Q2 and a power source. Clamping voltages are supplied to collectors of the first and the second PNP transistors QP1, QP2 and third and fourth NPN output transistors Q3, Q4 connected respectively to the first and second NPN output transistors Q1, Q2 in serial and complementarily subjected to switch-controls are provided. Thus, an inductive head is driven by consituting a bridge circuit.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、リード/ライト集積
回路に関するものであり、例えば読み出しヘッドとして
MR(磁気抵抗効果素子)ヘッドを使用し、書き込みヘ
ッドとしてインダクティブヘッドを使用した複合ヘッド
用のものに利用して有効な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a read / write integrated circuit, for example, for a composite head using an MR (magnetoresistive effect element) head as a read head and an inductive head as a write head. It is related to the technology that is effectively used.

【0002】[0002]

【従来の技術】電流制御型の磁気ヘッド用駆動回路の例
としては、1994年アイ・エス・エス・シー・シー、
セッション17/ディスク−ドライブ エレクトロニク
ス/ペーパー(ISSCC "94 SESSION17/DISK-DRIVE ELCTR
ONICS/PAPER)FA17・6、PP.286〜287があ
る。この回路は、図13に示すように、上段の対となる
トランジスタがPNPトランジスタQP1とQP2によ
り構成し、下段の対となるトランジスタをNPNトラン
ジスタQ3とQ4により構成し、入力信号WDのロウレ
ベルによりトランジスタQP1とQ4をオン状態にして
磁気ヘッドLに電流を流し、入力信号WDNのロウレベ
ルによりトランジスタQP2とQ3をオン状態にして磁
気ヘッドLに上記とは逆方向に電流を流すようにする。
2. Description of the Related Art As an example of a drive circuit for a current control type magnetic head, there is an ISC S.C.
Session 17 / Disc-Drive Electronics / Paper (ISSCC "94 SESSION17 / DISK-DRIVE ELCTR
ONICS / PAPER) FA17.6, PP. There are 286 to 287. In this circuit, as shown in FIG. 13, a pair of transistors in the upper stage is composed of PNP transistors QP1 and QP2, and a pair of transistors in the lower stage is composed of NPN transistors Q3 and Q4. QP1 and Q4 are turned on to pass a current through the magnetic head L, and the low level of the input signal WDN turns on the transistors QP2 and Q3 so that a current flows through the magnetic head L in the opposite direction.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記の電流制御型の磁
気ヘッド用駆動回路においては、上段のトランジスタが
PNPトランジスタQP1とQP2を用いているため
に、必要な駆動電流を流すためにNPNトランジスタを
用いた場合に比べて大きなサイズのトランジスタを用い
ることや、ヘッド端子電圧が電源電圧VCC以上には上
げられない。このようにヘッド端子電圧が小さいと、書
き込み電流の切り換え時に磁気ヘッドのインダクタンス
成分に蓄積されたエネルギーを放出させるに時間がかか
り、高速動作が制限される。また、上記電流切り換え時
におけるライト電流の制動を最適化するために設けられ
るダンピング抵抗は、定常時には無駄な電流を流すとと
もに、磁気ヘッドに流れる実質的な書き込み電流を減ら
してしまうという問題がある。
In the current control type magnetic head drive circuit described above, since the upper transistor uses the PNP transistors QP1 and QP2, the NPN transistor is used to pass the necessary drive current. It is impossible to use a transistor having a larger size than that of the case where it is used, and the head terminal voltage cannot be raised above the power supply voltage VCC. When the head terminal voltage is small as described above, it takes time to release the energy stored in the inductance component of the magnetic head when the write current is switched, and the high speed operation is limited. Further, the damping resistor provided for optimizing the braking of the write current at the time of switching the current causes a problem that a useless current flows in a steady state and a substantial write current flowing in the magnetic head is reduced.

【0004】本願発明者等においては、上段の書き込み
トランジスタとして、PNPトランジスタとNPNトラ
ンジスタにより構成されたインバーティッドダーリント
ン回路を利用することを考えた。この場合、上記のよう
な問題の他に、複数のライトドライバが搭載されてなる
リード/ライト用集積回路においては、複数からなる磁
気ディスクに位置データ(サーボデータ)を高速に書き
込むようにするため、全ての磁気ヘッドを同時に動作さ
せて同時に書き込み動作を行うというマルチサーボライ
ト動作を設けることが便利である。しかし、リード/ラ
イト用集積回路に搭載されたライトドライバ回路の数に
対して磁気ディスク面の数が少ないシステムでは、かか
るライトドライバに対応したヘッド端子が開放状態とな
り、上記のようなインバーティッドダーリントン回路を
用いると、大きな書き込み電流が入力側のPNPトラン
ジスタに流れることとなって、その電流許容値を超えて
しまうという問題の生じることが明らかとなった。
The inventors of the present application have considered using an inverted Darlington circuit composed of a PNP transistor and an NPN transistor as the upper write transistor. In this case, in addition to the problems described above, in a read / write integrated circuit in which a plurality of write drivers are mounted, in order to write position data (servo data) on a plurality of magnetic disks at high speed. It is convenient to provide a multi-servo write operation in which all the magnetic heads are operated at the same time to perform the writing operation at the same time. However, in a system in which the number of magnetic disk surfaces is smaller than the number of write driver circuits mounted in the read / write integrated circuit, the head terminals corresponding to such write drivers are opened, and the above-mentioned inverted Darlington is used. It has been clarified that the use of the circuit causes a problem that a large write current flows in the PNP transistor on the input side, which exceeds the current allowable value.

【0005】この発明の目的は、低電源電圧のもとでも
高速書き込み動作が可能なライトドライバ回路を提供す
ることにある。この発明の他の目的は、マルチサーボラ
イト動作が可能にされたライトドライバ回路を提供する
ことにある。この発明の更に他の目的は、高い精度での
書き込み電流の設定を可能としたライトドライバ回路を
提供することにある。この発明の前記ならびにそのほか
の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面
から明らかになるであろう。
An object of the present invention is to provide a write driver circuit capable of high speed write operation even under a low power supply voltage. Another object of the present invention is to provide a write driver circuit capable of multi-servo write operation. Still another object of the present invention is to provide a write driver circuit that enables setting of a write current with high accuracy. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、相補的な一対の入力信号が
それぞれベースに供給された第1と第2のPNP入力ト
ランジスタに対してインバーティッドダーリントン形態
に第1と第2のNPN出力トランジスタを設け、上記対
応するPNP入力トランジスタのエミッタとNPN出力
トランジスタのコレクタとの間にそれぞれ第1の抵抗素
子を設け、上記第1と第2のNPN出力トランジスタの
共通化されたコレクタと電源電圧との間に第2の抵抗素
子を設け、上記第1と第2のPNPトランジスタのコレ
クタにクランプ用電圧を供給し、上記第1と第2のNP
N出力トランジスタとそれぞれ直列形態に接続され相補
的にスイッチ制御される第3と第4のNPN出力トラン
ジスタを設け、上記第1と第3の出力トランジスタの接
続点と上記第2と第4の出力トランジスタの接続点とを
それぞれ第1と第2の出力端子として、それらの間にイ
ンダクティブヘッドを接続する。
The outline of a typical one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the first and second PNP input transistors having a pair of complementary input signals respectively supplied to their bases are provided with the first and second NPN output transistors in the inverted Darlington configuration, and the corresponding PNP input is provided. A first resistance element is provided between the emitter of the transistor and the collector of the NPN output transistor, and a second resistance element is provided between the common collector of the first and second NPN output transistors and the power supply voltage. Is provided, and a clamping voltage is supplied to the collectors of the first and second PNP transistors, and the first and second NPs are provided.
Third and fourth NPN output transistors, which are connected in series with the N output transistor and are switch-controlled in a complementary manner, are provided, and the connection point of the first and third output transistors and the second and fourth outputs are provided. The inductive head is connected between the connection point of the transistor and the first and second output terminals, respectively.

【0007】[0007]

【作用】上記した手段によれば、電流切り換え時の出力
端子間電圧が上記NPNトランジスタのベース,エミッ
タ間の耐圧電圧に対応して電源電圧以上に高く設定でき
るので書き込み電流の高速切り換えが可能となり、マル
チサーボライト動作において開放状態とされた回路で
は、PNPトランジスタのエミッタに設けられた第1の
抵抗素子による電流制限が行われる。
According to the above means, the voltage between the output terminals at the time of current switching can be set higher than the power supply voltage in accordance with the withstand voltage between the base and the emitter of the NPN transistor, so that the write current can be switched at high speed. In the circuit opened in the multi-servo write operation, the current is limited by the first resistance element provided in the emitter of the PNP transistor.

【0008】[0008]

【実施例】図1には、この発明に係るライトドライバ回
路の一実施例の回路図が示されている。同図の各回路素
子は、公知の半導体集積回路の製造技術により、単結晶
シリコンのような1個の半導体基板上において形成され
る。
1 is a circuit diagram of an embodiment of a write driver circuit according to the present invention. Each circuit element in the figure is formed on a single semiconductor substrate such as single crystal silicon by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique.

【0009】この実施例のライトドライバ回路における
ライトアンプ51は、一方の上段側回路としてPNPト
ランジスタQP1とNPNトランジスタQ1からなるイ
ンバーティッドダーリントン回路41が用いられる。つ
まり、PNPトランジスタQP1のベースに一方の入力
信号WD1が供給され、このトランジスタQP1のコレ
クタ出力がNPNトランジスタQ1のベースに供給され
る。他方の上段側回路も上記同様な構成にされたPNP
トランジスタQP2とNPNトランジスタQ2からなる
インバーティッドダーリントン回路42が用いられる。
上記PNPトランジスタQP2のベースには、上記入力
信号WD1に対して反転された入力信号WD1Nが供給
される。つまり、入力信号WD1とWD1Nとは相補的
な入力信号とされる。
The write amplifier 51 in the write driver circuit of this embodiment uses an inverted Darlington circuit 41 composed of a PNP transistor QP1 and an NPN transistor Q1 as one upper side circuit. That is, one input signal WD1 is supplied to the base of the PNP transistor QP1, and the collector output of this transistor QP1 is supplied to the base of the NPN transistor Q1. The upper side circuit on the other side has the same configuration as the above PNP.
An inverted Darlington circuit 42 including a transistor QP2 and an NPN transistor Q2 is used.
An input signal WD1N, which is the inverse of the input signal WD1, is supplied to the base of the PNP transistor QP2. That is, the input signals WD1 and WD1N are complementary input signals.

【0010】この実施例では、マルチサーボライト動作
において開放状態とされた回路において、PNPトラン
ジスタQP1又はQP2に大きな書き込み電流が流れて
しまうのを防ぐために、トランジスタQP1とQP2の
エミッタにそれぞれエミッタ抵抗R1とR2が設けられ
る。上記NPNトランジスタQ1とQ2のコレクタと上
記エミッタ抵抗R1とR2には、抵抗Raを介して電源
電圧VCCが供給される。
In this embodiment, in the circuit which is opened in the multi-servo write operation, in order to prevent a large write current from flowing in the PNP transistor QP1 or QP2, the emitter resistance R1 is respectively applied to the emitters of the transistors QP1 and QP2. And R2 are provided. The power supply voltage VCC is supplied to the collectors of the NPN transistors Q1 and Q2 and the emitter resistors R1 and R2 via a resistor Ra.

【0011】上記トランジスタQ1のエミッタには、そ
れと相補的にスイッチ制御される下段側のNPNトラン
ジスタQ3が設けられる。同様に上記トランジスタQ2
のエミッタには、それと相補的にスイッチ制御される下
段側のNPNトランジスタQ4が設けられる。これらの
トランジスタQ1〜Q4は、ブリッジ回路を構成し、ト
ランジスタQ3のベースに入力信号WD2が供給され、
トランジスタQ4のベースには入力信号WD2Nが供給
される。
The emitter of the transistor Q1 is provided with a lower side NPN transistor Q3 which is switch-controlled complementarily thereto. Similarly, the transistor Q2
The emitter of is provided with a lower NPN transistor Q4 whose switch is complementarily controlled. These transistors Q1 to Q4 form a bridge circuit, and the input signal WD2 is supplied to the base of the transistor Q3.
The input signal WD2N is supplied to the base of the transistor Q4.

【0012】例えば、入力信号WD1とWD2がロウレ
ベルで、それと相補の関係にある他方の入力信号WD1
NとWD2Nがハイレベルのときには、上記PNPトラ
ンジスタQP1がオン状態となってNPNトランジスタ
Q1にベース電流を流すので、このトランジスタQ1も
オン状態となる。このとき、入力信号WD2Nのハイレ
ベルによりNPNトランジスタQ4がオン状態となっ
て、同図に示すように出力端子Xから出力端子Yに向か
って書き込み電流Iwを流す。上記インバーティッドダ
ーリントン回路41は、電流源となっており、上記入力
信号WD1の電圧と抵抗Raによって上記書き込み電流
Iwの電流値が決定される。
For example, the input signals WD1 and WD2 are at a low level, and the other input signal WD1 having a complementary relationship with it.
When N and WD2N are at the high level, the PNP transistor QP1 is turned on and a base current is passed through the NPN transistor Q1, so that the transistor Q1 is also turned on. At this time, the NPN transistor Q4 is turned on by the high level of the input signal WD2N, and the write current Iw flows from the output terminal X to the output terminal Y as shown in FIG. The inverted Darlington circuit 41 serves as a current source, and the current value of the write current Iw is determined by the voltage of the input signal WD1 and the resistance Ra.

【0013】上記のような書き込み電流Iwを流してい
るときには、PNPトランジスタQP1には、バイアス
電流ISW1とNPNトランジスタQ1のベース電流と
が流れるようにされる。これらの合成電流の電流値は小
さく設定されており、それに応じてPNPトランジスタ
QP1の素子面積は小さく形成される。また、エミッタ
抵抗R1には上記のような小さな電流しか流れないか
ら、そこでの電圧降下は小さく、入力信号WD1に対応
した電圧は、殆どが抵抗Raに印加されるようにされ
る。これにより、通常の動作状態では、入力信号WD1
の電圧と抵抗Raにより書き込み電流Iwの電流値が決
定されている。
When the write current Iw as described above is flowing, the bias current ISW1 and the base current of the NPN transistor Q1 flow in the PNP transistor QP1. The current value of these combined currents is set small, and accordingly, the element area of the PNP transistor QP1 is formed small. Since only a small current as described above flows through the emitter resistor R1, the voltage drop there is small, and most of the voltage corresponding to the input signal WD1 is applied to the resistor Ra. As a result, in the normal operating state, the input signal WD1
The current value of the write current Iw is determined by the voltage and the resistance Ra.

【0014】上記とは逆に、入力信号WD1とWD2が
ハイレベルで、それと相補の関係にある他方の入力信号
WD1NとWD2Nがロウレベルとなったときには、上
記PNPトランジスタQP2がオン状態となってNPN
トランジスタQ2にベース電流を流すので、このトラン
ジスタQ2もオン状態となる。このとき、入力信号WD
2NのハイレベルによりNPNトランジスタQ3がオン
状態となって、同図にとは逆方向に出力端子Yから出力
端子Xに向かって書き込み電流Iwを流す。上記同様に
インバーティッドダーリントン回路42は、電流源とな
って入力信号WD2の電圧と抵抗Raによって上記逆方
向の書き込み電流Iwの電流値も同様に決定される。
Contrary to the above, when the input signals WD1 and WD2 are at high level and the other input signals WD1N and WD2N which are complementary to each other are at low level, the PNP transistor QP2 is turned on and the NPN transistor QP2 is turned on.
Since the base current flows through the transistor Q2, this transistor Q2 is also turned on. At this time, the input signal WD
The NPN transistor Q3 is turned on by the high level of 2N, and the write current Iw flows from the output terminal Y to the output terminal X in the opposite direction to that shown in FIG. Similarly to the above, the inverted Darlington circuit 42 functions as a current source, and the current value of the write current Iw in the reverse direction is similarly determined by the voltage of the input signal WD2 and the resistance Ra.

【0015】特に制限されないが、この実施例では、上
記バイアス電流ISW1とISW2は、それぞれに対応
した入力信号WD1とWD1Nに対応してそれぞれ流れ
るようにされる。つまり、上記PNPトランジスタQP
1やQP2の動作速度自体は、遅いのでベース引き抜き
用のバイアス回路31が設けられる。入力信号WD1が
ロウレベルのときには、それを受けるトランジスタQP
3により電流が流れて電流ミラー形態のNPNトランジ
スタQ5とQ6からなるバイアス回路31により上記電
流ISW1を流すようにされ、トランジスタQP1とQ
1からなるインバーティッドダーリントン回路が高速に
オン状態になるようにしている。このことは、他方のバ
イアス回路32においても同様である。
Although not particularly limited, in this embodiment, the bias currents ISW1 and ISW2 are made to flow corresponding to the corresponding input signals WD1 and WD1N, respectively. That is, the PNP transistor QP
Since the operating speed of 1 and QP2 is slow, a bias circuit 31 for pulling out the base is provided. When the input signal WD1 is low level, a transistor QP for receiving it
The current ISW1 is caused to flow by the bias circuit 31 composed of the current mirror type NPN transistors Q5 and Q6.
The inverted Darlington circuit consisting of 1 is turned on at high speed. This also applies to the other bias circuit 32.

【0016】図4には、この発明に係るライトドライバ
回路が搭載されたリード/ライト用集積回路の一実施例
の概略構成図が示されている。特に制限されないが、リ
ード/ライト用集積回路61には、8個の磁気ヘッドL
に対応したライトドライバ回路#0〜#7が搭載され
る。しかしながら、それがシステムに組み込まれたとき
には、全ての回路が使用されるとは限らない。例えば、
磁気ディスク81が3枚搭載されるシスシテムでは、1
枚当たり上面と下面に2個ずつの合計6個のライトドラ
イバ#0〜#5が使用されるから、2つのライトドライ
バ#6と#7の出力端子91がハイインピーダンス状態
になることになる。
FIG. 4 is a schematic block diagram of an embodiment of a read / write integrated circuit equipped with a write driver circuit according to the present invention. Although not particularly limited, the read / write integrated circuit 61 includes eight magnetic heads L.
The write driver circuits # 0 to # 7 corresponding to are mounted. However, not all circuits are used when it is incorporated into the system. For example,
In a system with three magnetic disks 81, one
Since a total of six write drivers # 0 to # 5, two on each of the upper surface and the lower surface, are used, the output terminals 91 of the two write drivers # 6 and # 7 are in a high impedance state.

【0017】このような複数からなるライトドハイバ回
路を含むリード/ライト集積回路が用いられた磁気ディ
スクス装置においては、少なくとも出荷前に位置データ
(サーボデータ)を全ディスクに書き込み動作が行われ
る。このとき、ディスク1枚ずつサーボデータを書き込
みと時間がかかるって効率が悪いので、全ての磁気ヘッ
ドを同時に動作させてサーボデータを一度に書き込むと
いうマルチサーボライト機能を設けることが便利であ
る。
In a magnetic disk drive using a read / write integrated circuit including a plurality of write hiber circuits, at least position data (servo data) is written on all disks before shipment. At this time, since it takes time to write the servo data for each disk one by one and the efficiency is low, it is convenient to provide a multi-servo write function of simultaneously operating all the magnetic heads to write the servo data at one time.

【0018】図2には、上記使用されないライトドライ
バ回路の回路図が示されている。つまり、出力端子Xと
Yには、負荷としての磁気ヘッドLが接続されない。そ
して、上記のようなマルチサーボライト機能が設けらて
いると、上記磁気ヘッドLが接続されないライトドライ
バ回路においても他の磁気ヘッドLが接続されているラ
イトドライバ回路と同様に書き込み電流が流れるように
される。
FIG. 2 is a circuit diagram of the unused write driver circuit. That is, the magnetic head L as a load is not connected to the output terminals X and Y. When the multi-servo write function as described above is provided, a write current flows in the write driver circuit to which the magnetic head L is not connected, as in the write driver circuit to which another magnetic head L is connected. To be

【0019】上記のように磁気ヘッドが接続されない状
態では、入力信号WD1がロウレベルとなってPNPト
ランジスタQP1がオン状態となり、それに応じてトラ
ンジスタQ1がオン状態とっても、トランジスタQ1の
エミッタがハイインピーダンス状態であるら、全ての書
き込み電流IwがPNPトランジスタQP1に流れるこ
とになる。上記のように磁気ヘッドLが接続された回路
では、PNPトランジスタQP1は、トランジスタQ1
のベース電流と上記バイアス電流ISW1しか流さない
ので小さなサイズにより形成されている。したがって、
通常の書き込み電流がそのままトランジスタQP1に流
れたのでは許容電流値を超えて破壊してしまう。
In the state where the magnetic head is not connected as described above, the input signal WD1 goes low and the PNP transistor QP1 is turned on. Accordingly, even if the transistor Q1 is turned on, the emitter of the transistor Q1 is in a high impedance state. If so, all the write current Iw will flow through the PNP transistor QP1. In the circuit to which the magnetic head L is connected as described above, the PNP transistor QP1 is the transistor Q1.
Since only the base current and the bias current ISW1 are passed, it is formed with a small size. Therefore,
If the normal write current flows through the transistor QP1 as it is, it exceeds the allowable current value and is destroyed.

【0020】この実施例では、このような素子破壊を防
止するために、PNPトランジスタQP1のエミッタに
抵抗R1が接続されている。上記のように出力端子がハ
イインピーダンス状態のときには、書き込み電流が入力
側のPNPトランジスタに流れることなり、入力電圧W
D1に対して、抵抗R1とRaが直列に挿入される。つ
まり、このときに流れる電流Iw’は、通常の書き込み
電流IwのRa/(R1+Ra)のように小さくされ
て、上記のような素子破壊を防止することができる。
In this embodiment, the resistor R1 is connected to the emitter of the PNP transistor QP1 in order to prevent such element destruction. As described above, when the output terminal is in the high impedance state, the write current flows in the PNP transistor on the input side, and the input voltage W
Resistors R1 and Ra are inserted in series with respect to D1. That is, the current Iw ′ flowing at this time is made small like Ra / (R1 + Ra) of the normal write current Iw, and the element breakdown as described above can be prevented.

【0021】図3には、この発明に係るライトドライバ
回路の他の一実施例の回路図が示されている。この実施
例では、素子数低減のために抵抗R1とR2とが共通化
される。つまり、PNPトランジスタQP1とQP2の
エミッタを共通化し、共通化された抵抗R1を接続する
ようにする。この実施例では、上記インバーティンドダ
ーリントン回路41と42とは、その相補的な入力信号
WD1とWD1Nに応じて一方がオン状態のときには必
ず他方がオフ状態となる。これにより、上記のように抵
抗R1とR2を1つの抵抗R1又はR2に置き替えるよ
うにすることができる。
FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the write driver circuit according to the present invention. In this embodiment, the resistors R1 and R2 are shared to reduce the number of elements. That is, the emitters of the PNP transistors QP1 and QP2 are made common and the common resistor R1 is connected. In this embodiment, one of the inverted Darlington circuits 41 and 42 is always in the off state when the other is in the on state according to the complementary input signals WD1 and WD1N. This makes it possible to replace the resistors R1 and R2 with one resistor R1 or R2 as described above.

【0022】図1又は図3の実施例において、上記イン
バーテッドダーリントン回路41と42には、次のよう
な理由により電圧クランプ回路21と22がそれぞれ設
けられる。すなわち、入力信号WD1とWD2がロウレ
ベルで、入力信号WD1NとWD2Nがハイレベルのと
きには、図1に示すように出力端子Xから出力端子Yに
向かって書き込み電流Iwが流れている。この状態か
ら、入力信号WD1とWD2がハイレベルに、入力信号
WD1NとWD2Nがロウレベルに切り替わると、PN
PトランジスタQP1とNPNトランジスタQ1及びQ
4がオフ状態となり、PNPトランジスタQP2とNP
NトランジスタQ2とQ3がオン状態になり、書き込み
電流Iwは上記とは逆方向に流れるように切り換えられ
る。
In the embodiment of FIG. 1 or 3, the inverted Darlington circuits 41 and 42 are provided with voltage clamp circuits 21 and 22, respectively, for the following reason. That is, when the input signals WD1 and WD2 are low level and the input signals WD1N and WD2N are high level, the write current Iw flows from the output terminal X to the output terminal Y as shown in FIG. When the input signals WD1 and WD2 are switched to the high level and the input signals WD1N and WD2N are switched to the low level from this state, PN
P transistor QP1 and NPN transistor Q1 and Q
4 is turned off, and PNP transistors QP2 and NP
The N transistors Q2 and Q3 are turned on, and the write current Iw is switched so as to flow in the opposite direction.

【0023】書き込み電流Iwが高速に反転するとき、
ヘッド端子間X,YにはL・dIw/dtの逆起電圧が
発生する。出力端子Xの電圧は、トランジスタQ3のオ
ン状態により、回路の接地電位0V+トランジスタQ3
のコレクタ,エミッタ間電圧VCE(約0.4V)程度に
なる。出力端子Yの電圧は、上記出力端子Xの電圧を基
準にして上昇し、NPNトランジスタQ2はオン状態に
なっているので、そのベース電位も対応して上昇する。
このとき、PNPトランジスタQP2が飽和してしまう
のを防ぐために電圧クランプ回路22が設けられてい
る。
When the write current Iw is inverted at high speed,
A counter electromotive voltage of L · dIw / dt is generated between the head terminals X and Y. The voltage at the output terminal X is 0V + the transistor Q3 depending on the ON state of the transistor Q3.
The collector-emitter voltage VCE becomes about 0.4V. The voltage of the output terminal Y rises with reference to the voltage of the output terminal X, and since the NPN transistor Q2 is in the ON state, its base potential also rises correspondingly.
At this time, the voltage clamp circuit 22 is provided to prevent the PNP transistor QP2 from being saturated.

【0024】つまり、上記PNPトランジスタQ2のコ
レクタ(トランジスタQ2のベース)電位は、クランプ
電圧VCP+VBEQP6 で固定させられる。出力端子Yの
電圧は、トランジスタQ2のベースが上記のように電圧
クランプさせられてもさらに上昇できる。このトランジ
スタQ2のエミッタが接続された出力端子Yの電圧は、
トランジスタQ2のベース,エミッタ間逆耐圧が許す限
りに上昇させることができる。
That is, the collector potential of the PNP transistor Q2 (base of the transistor Q2) is fixed at the clamp voltage VCP + VBEQP6. The voltage at the output terminal Y can be further increased even if the base of the transistor Q2 is voltage clamped as described above. The voltage of the output terminal Y to which the emitter of the transistor Q2 is connected is
The reverse withstand voltage between the base and the emitter of the transistor Q2 can be increased as much as the reverse withstand voltage allows.

【0025】図7の電圧波形図に示すように、電源電圧
VCCより高い電圧まで逆起電圧を高くすることがで
き、その電圧レベルと時間との積によりインダクタンス
成分に蓄積されたエネルギーの放出が行われる。この実
施例のように電源電圧VCC以上の高い電圧まで上昇さ
せることにより、その分短い時間内にインダクタンス成
分に蓄積されたエネルギーの放出ができ、逆方向への書
き込み電流の切り換えを高速に行うようにすることがで
きる。なお、図7においては、後半の部分が上記のよう
な出力端子Yの電圧VYが示されている。
As shown in the voltage waveform diagram of FIG. 7, the back electromotive force can be increased to a voltage higher than the power supply voltage VCC, and the product of the voltage level and time releases the energy stored in the inductance component. Done. By raising the voltage to a voltage higher than the power supply voltage VCC as in this embodiment, the energy stored in the inductance component can be released within a shorter time, and the write current can be switched in the opposite direction at high speed. Can be Note that, in FIG. 7, the latter half shows the voltage VY of the output terminal Y as described above.

【0026】通常の製造プロセスでは、上記トランジス
タQ2のベース,エミッタ間耐圧を8〜9Vにできる。
そして、電源電圧VCCとして5Vのような低い電圧の
ときでも、磁気ヘッドの両端電圧VX−VYを約10V
以上に高くできるから、5Vのような低電源電圧のとき
でも、12Vのような高い電圧を用いる場合と同様に高
速に電流切り換えが可能になる。したがって、トランジ
スタQ1及びQ2のベース,エミッタ間電圧をより高耐
圧化すれば、それに対応して上記書き込み電流の実質的
な切り換えを高速にすることができるようになる。
In a normal manufacturing process, the breakdown voltage between the base and emitter of the transistor Q2 can be set to 8-9V.
Even when the power supply voltage VCC is as low as 5V, the voltage VX-VY across the magnetic head is approximately 10V.
Since it can be made higher than the above, even when the power source voltage is as low as 5V, current switching can be performed at high speed as in the case of using a high voltage as 12V. Therefore, if the withstand voltage of the base and emitter of the transistors Q1 and Q2 is made higher, the write current can be substantially switched correspondingly at high speed.

【0027】図5には、この発明に係るライトドライバ
回路の他の一実施例の回路図が示されている。この実施
例では、図1や図3の実施例におけるバイアス回路21
と23が、抵抗RSW1とRSW2にそれぞれ置き替え
られる。つまり、これらの抵抗RSW1やRSW2にか
かる電圧に対して、その抵抗値を大きく設定することに
より、実質的に定電流化されたバイアス電流ISW1、
ISW2を流すようにすることができるものである。な
お、必要なら前記図1又は図3の実施例のようなバイア
ス回路21,22と上記高抵抗RSW1,RSW2とを
組み合わせてバイアス電流ISW1,ISW2とをそれ
ぞれ形成するようにしてもよい。
FIG. 5 is a circuit diagram of another embodiment of the write driver circuit according to the present invention. In this embodiment, the bias circuit 21 in the embodiment of FIGS.
And 23 are replaced by resistors RSW1 and RSW2, respectively. That is, by setting the resistance value to be large with respect to the voltage applied to the resistors RSW1 and RSW2, the bias current ISW1 which is substantially constant current,
The ISW2 can be made to flow. If necessary, the bias currents ISW1 and ISW2 may be respectively formed by combining the bias circuits 21 and 22 and the high resistances RSW1 and RSW2 as in the embodiment of FIG. 1 or FIG.

【0028】図8には、この発明に係るライトドライバ
回路の他の一実施例の回路図が示されている。この実施
例では、出力端子XとYにそれぞれダンピング抵抗RD
1とRD2が設けられる。この実施例では、効率的に書
き込み電流を得るために、上記ダンピング抵抗RD1と
RD2は、従来のように電源電圧VCCとの間に設ける
ものではなく、一方向性素子としてのダイオードDD
1、DD2と直列形態に接続され、かつ、出力端子X,
Yとそれぞれの入力信号WD1,WD1Nに対応して変
化させられる電圧源VD1,VD2との間に設けられ
る。
FIG. 8 shows a circuit diagram of another embodiment of the write driver circuit according to the present invention. In this embodiment, a damping resistor RD is provided at each of the output terminals X and Y.
1 and RD2 are provided. In this embodiment, in order to efficiently obtain the write current, the damping resistors RD1 and RD2 are not provided between the power supply voltage VCC as in the conventional case, but a diode DD as a unidirectional element.
1, DD2 connected in series with the output terminal X,
It is provided between Y and the voltage sources VD1 and VD2 that are changed corresponding to the respective input signals WD1 and WD1N.

【0029】書き込み電流Iwは、磁気ヘッドのインダ
クタンス成分、抵抗成分及び寄生容量とにより2次イン
ディシャル応答になる。それを制動して図6に示した波
形図のように最適化させるために上記のダンピング抵抗
RD1とRD2が設けられる。従来のように、ダンピン
グ抵抗RD1とRD2とを各出力端子X,Yと電源電圧
VCCとの間に設けたのでは、ロウレベル側の出力端子
に設けられたダンピング抵抗に無効電流が流れることに
なる。この無効電流は、上記のように出力端子のロウレ
ベルが約0.4V程度であるので、(VCC−0.4)
/RD1のような無視できない大きさである。
The write current Iw becomes a secondary indicial response due to the inductance component, resistance component and parasitic capacitance of the magnetic head. The damping resistors RD1 and RD2 are provided in order to brake it and optimize it as shown in the waveform diagram of FIG. If the damping resistors RD1 and RD2 are provided between the output terminals X and Y and the power supply voltage VCC as in the conventional case, a reactive current flows in the damping resistor provided at the low-level side output terminal. . This reactive current has a low level of about 0.4 V at the output terminal as described above, so (VCC-0.4)
It is a size that cannot be ignored like / RD1.

【0030】この実施例では、ダンピング抵抗RD1と
RD2を従来のような固定的な電源電圧VCCに接続す
るのではなく、入力信号WD1,WD1Nに応じて変化
する電圧源VD1,VD2との間に設けるようにするも
のである。例えば、入力信号WD1とWD2がロウレベ
ルで、入力信号WD1NとWD2Nがハイレベルときに
は、上記電圧VD1がハイレベルで、VD2がロウレベ
ルにされる。このように出力端子Xから出力端子Yに向
かって書き込み電流を流すときには、ロウレベル側の出
力端子Yに対応した電圧VD2が出力端子Yとほぼ同じ
ロウレベルになっているのでそこには無効電流が流れな
くできる。
In this embodiment, instead of connecting the damping resistors RD1 and RD2 to the fixed power supply voltage VCC as in the conventional case, the damping resistors RD1 and RD2 are connected between the voltage sources VD1 and VD2 which change according to the input signals WD1 and WD1N. It should be provided. For example, when the input signals WD1 and WD2 are low level and the input signals WD1N and WD2N are high level, the voltage VD1 is high level and VD2 is low level. In this way, when the write current is passed from the output terminal X to the output terminal Y, the voltage VD2 corresponding to the output terminal Y on the low level side is at the same low level as that of the output terminal Y, so a reactive current flows there. I can do it.

【0031】この実施例では、ダイオードDD1,DD
2が直列に挿入されているので、ダンピング抵抗RD
1,RD2に電流を流したくないときには、電圧VD1
とVD2をロウレベルにすればよい。このような電圧V
D1,VD2のロウレベルにより上記のダイオードDD
1,DD2がオフ状態となり、出力端子X,Yからダン
ピング抵抗RD1,RD2を切り離すことができる。
In this embodiment, the diodes DD1 and DD are
Since 2 is inserted in series, damping resistance RD
1 and RD2, when the current is not desired to flow, the voltage VD1
And VD2 may be set to low level. Such voltage V
Depending on the low level of D1 and VD2, the above diode DD
1 and DD2 are turned off, and the damping resistors RD1 and RD2 can be disconnected from the output terminals X and Y.

【0032】図9には、この発明に係るライトドライバ
回路の一実施例の具体的回路図が示されている。この実
施例では、上記ダンピンク抵抗RD1,RD2が接続さ
れる電圧源VD1とVD2の具体的な回路が示されてい
る。前記のバイアス回路を駆動するPNPトランジスタ
QP3とQP4のコレクタに、NPN型のエミッタフォ
ロワトランジスタQ9とQ10が設けられ、これらのト
ランジスタQ9とQ110のエミッタに前記ダンピング
抵抗RD1とRD2が接続される。
FIG. 9 shows a specific circuit diagram of an embodiment of the write driver circuit according to the present invention. In this embodiment, a concrete circuit of the voltage sources VD1 and VD2 to which the damper resistors RD1 and RD2 are connected is shown. NPN emitter follower transistors Q9 and Q10 are provided at the collectors of the PNP transistors QP3 and QP4 that drive the bias circuit, and the damping resistors RD1 and RD2 are connected to the emitters of these transistors Q9 and Q110.

【0033】上記のように、入力信号WD1とWD2が
ロウレベルで、入力信号WD1NとWD2Nがハイレベ
ルときには、上記トランジスタQP3がオン状態とな
り、直列ダイオードD1〜D3により形成された3VF
(VGは順方向電圧)の電圧が、ハイレベルの電圧VD
1としてダイピング抵抗RD1に供給される。これに対
して、入力信号WD1Nのハイレベルによりトランジス
タQP4がオフ状態にされるので、トランジスタQ10
はオフ状態となりダンピング抵抗RD2に対しては電流
が流れなくされる。つまり、前記のように出力端子Yの
ロウレベルに対応したロウレベルの電位にしないでも、
上記のように電流経路を遮断しても同様な効果を得るこ
とができる。
As described above, when the input signals WD1 and WD2 are at the low level and the input signals WD1N and WD2N are at the high level, the transistor QP3 is turned on and the 3VF formed by the series diodes D1 to D3.
(VG is a forward voltage) is a high level voltage VD
1 is supplied to the dipping resistor RD1. On the other hand, since the transistor QP4 is turned off by the high level of the input signal WD1N, the transistor Q10
Turns off and no current flows through the damping resistor RD2. That is, even if the low-level potential corresponding to the low level of the output terminal Y is not set as described above,
Even if the current path is cut off as described above, the same effect can be obtained.

【0034】この実施例では、上記下段側の出力トラン
ジスタQ3とQ4のベースに供給される入力信号WD2
とWD2Nを形成する回路も示されている。入力信号W
D1とWD1Nは、PNPトランジスタQP7とQP8
のベースに供給される。これらのトランジスタQP7と
QP8のエミッタには、それぞれエミッタ抵抗R7とR
8が設けられ、コレクタと回路の接地電位との間には負
荷抵抗が設けられる。同図おてい、上記出力トランジス
タQ3とQ4のベースとエミッタ間に挿入されている抵
抗が、上記トランジスタQP7とQP8のコレクタ負荷
抵抗である。
In this embodiment, the input signal WD2 supplied to the bases of the lower output transistors Q3 and Q4.
The circuit forming WD2N and WD2N is also shown. Input signal W
D1 and WD1N are PNP transistors QP7 and QP8.
Supplied to the base of. The emitters of these transistors QP7 and QP8 have emitter resistors R7 and R, respectively.
8 is provided, and a load resistance is provided between the collector and the ground potential of the circuit. In the figure, the resistance inserted between the base and emitter of the output transistors Q3 and Q4 is the collector load resistance of the transistors QP7 and QP8.

【0035】トランジスタQ3のベースに供給される電
圧WD2は、入力信号WD1Nがベースに供給されたP
NPトランジスタQP8により反転させられて、上記入
力信号WD1と同相で変化する入力信号とされる。ま
た、トランジスタQ5のベースに供給される電圧WD2
Nは、入力信号WD1がベースに供給されたPNPトラ
ンジスタQP7により反転させられて、上記入力信号W
D1Nと同相で変化する入力信号とされる。また、バイ
アス回路は、前記のような電流ミラー回路と、高抵抗R
SW1とRSW2に対応した抵抗R5とR6とにより構
成される。
The voltage WD2 supplied to the base of the transistor Q3 is P when the input signal WD1N is supplied to the base.
The input signal is inverted by the NP transistor QP8 and changes in phase with the input signal WD1. In addition, the voltage WD2 supplied to the base of the transistor Q5
N is inverted by the PNP transistor QP7 whose input signal WD1 is supplied to the base, and the input signal W
It is an input signal that changes in phase with D1N. Further, the bias circuit includes a current mirror circuit as described above and a high resistance R.
It is composed of resistors R5 and R6 corresponding to SW1 and RSW2.

【0036】図10には、この発明に係るライトドライ
バ回路の一実施例の具体的回路図が示されている。この
実施例では、書き込み電流Iw及びバイアス電流ISW
1,ISW2を設定する具体的回路が示されている。こ
の実施例では、実質的な電流ミラー回路によって上記の
電流IwとISWとが決められる。つまり、上記インバ
ーティッドダーリントン回路を構成するトランジスタQ
P1,Q1及びQP2とQ2と同様な構成にされたPN
PトランジスタQP1’とQ1’及びQP2’とQ2’
に設けられる抵抗として、上記抵抗Raに対して10倍
の抵抗値を持つようにされた抵抗10×Raと、上記抵
抗R1,R2の10倍の抵抗値を持つようにされた抵抗
10×R1,10×R2をそれぞれ接続する。
FIG. 10 shows a concrete circuit diagram of an embodiment of the write driver circuit according to the present invention. In this embodiment, the write current Iw and the bias current ISW are
1, a specific circuit for setting ISW2 is shown. In this embodiment, the currents Iw and ISW are determined by a substantial current mirror circuit. That is, the transistor Q forming the inverted Darlington circuit
P1, Q1 and PN configured similar to QP2 and Q2
P-transistors QP1 'and Q1' and QP2 'and Q2'
As a resistance provided to the resistor Ra, a resistance 10 × Ra having a resistance value 10 times that of the resistance Ra and a resistance 10 × R1 having a resistance value 10 times that of the resistances R1 and R2 are provided. , 10 × R2 are connected respectively.

【0037】上記トランジスタQ1’とQ2’のコレク
タには、書き込み電流Iwの1/10に設定された定電
流源IN1の定電流を相補の入力データDとDNに対応
して相補的に流すようにし、上記トランジスタQP1’
とQP2’のコレクタには、バイアス電流ISWの1/
10に設定された定電流源IP1の定電流を相補の入力
データDとDNに対応して相補的に流すようにする。上
記の定電流Iw/10が流れるトランジスタQP1’
(又はQP2’)と、書き込み電流を形成するインバー
ティッドダーリントン回路のPNPトランジスタQP1
(QP2)のベースが共通にされており、そのエミッタ
側に設けられた抵抗R1とRaの抵抗比が上記のように
10対1に設定されているから、トランジスタQ1又は
Q2のエミッタから出力される書き込み電流Iwは、上
記定電流源IN1の10倍の電流に高精度に設定され
る。
In the collectors of the transistors Q1 'and Q2', the constant current of the constant current source IN1 set to 1/10 of the write current Iw is supplied in a complementary manner corresponding to the complementary input data D and DN. And the transistor QP1 '
And 1 of the bias current ISW to the collectors of QP2 '
The constant current of the constant current source IP1 set to 10 is supplied in a complementary manner corresponding to the complementary input data D and DN. Transistor QP1 'through which the constant current Iw / 10 flows
(Or QP2 ') and the PNP transistor QP1 of the inverted Darlington circuit that forms the write current.
Since the base of (QP2) is made common and the resistance ratio of the resistors R1 and Ra provided on the emitter side is set to 10: 1 as described above, it is output from the emitter of the transistor Q1 or Q2. The write current Iw is set to 10 times the current of the constant current source IN1 with high accuracy.

【0038】つまり、半導体集積回路では製造プロセス
に影響されずにトランジスタQP1とQP1’及びQ1
とQ1’との相対的な特性を高精度に合わせ込むことが
できること、及び上記抵抗値の比も高精度に形成できる
から上記書き込み電流Iw及びバイアス電流ISWを高
精度に設定することができる。トランジスタQP9とQ
P10は、上記ベースが共通にされた合計4個ものPN
Pトランジスタのベース電流をそれぞれ吸収し、上記の
電流比がこれらのベース電流に影響されないようにする
ためのものである。これにより、電源電圧の変動等に影
響されないで安定した書き込み動作を行わせることがで
きる。
That is, in the semiconductor integrated circuit, the transistors QP1, QP1 'and Q1 are not affected by the manufacturing process.
And Q1 ′ can be matched with high accuracy, and the ratio of the resistance values can be formed with high accuracy, so that the write current Iw and the bias current ISW can be set with high accuracy. Transistors QP9 and Q
P10 is a total of four PNs that share the above base.
This is for absorbing the base currents of the P-transistors so that the above current ratio is not affected by these base currents. As a result, a stable write operation can be performed without being affected by fluctuations in the power supply voltage.

【0039】図11には、この発明に係るライトドライ
バ回路における動作電流設定部の一実施例の具体的回路
図が示されている。この実施例では、書き込み電流源に
より、基準となる定電流が形成される。書き込み電流源
は、トランジスタQのベース,エミッタ間等を利用して
形成された定電圧を、外部端子を介して接続された外付
抵抗Rext に印加して所望の基準定電流Iwcを形成す
る。このような外付抵抗Rext を用いた場合には、上記
定電圧のプロセスバラツキを補償するとともに、それが
搭載される磁気ディスク装置に対応して任意の書き込み
電流の設定が可能になる。
FIG. 11 shows a concrete circuit diagram of an embodiment of the operating current setting section in the write driver circuit according to the present invention. In this embodiment, the write current source forms a reference constant current. The write current source applies a constant voltage formed using the base and emitter of the transistor Q to an external resistor Rext connected via an external terminal to form a desired reference constant current Iwc. When such an external resistor Rext is used, it is possible to compensate for the process variation of the constant voltage and set an arbitrary write current corresponding to the magnetic disk device in which it is mounted.

【0040】この基準定電流Iwcは、PNPトランジス
タQP11とQP12からなる電流ミラー回路により押
し出し電流に変換され、NPNトランジスタQ11に流
すようにされる。そして、このトランジスタQ11と電
流ミラー形態にされたトランジスタQ13とQ14によ
り、上記定電流IP1とIP2が形成される。つまり、
トランジスタQ11、Q12及びQ13を同じエミッタ
サイズとしたときには、そのエミッタに設けられたエミ
ッタ抵抗の抵抗比を所望の比に設定することにより、上
記基準電流Iwcに対して高い精度比により設定された電
流IP1とIN1を得ることができる。トランジスタQ
12は、上記のような電流ミラー形態にされたトランジ
スタQ11、Q13及びQ14のベース電流の供給源と
して動作して上記電流比を高精度に設定する。
This reference constant current Iwc is converted into a pushing current by a current mirror circuit composed of PNP transistors QP11 and QP12, and is made to flow to the NPN transistor Q11. The constant currents IP1 and IP2 are formed by the transistor Q11 and the transistors Q13 and Q14 in the current mirror form. That is,
When the transistors Q11, Q12, and Q13 have the same emitter size, by setting the resistance ratio of the emitter resistors provided in the emitters to a desired ratio, the current set with a high accuracy ratio with respect to the reference current Iwc is set. IP1 and IN1 can be obtained. Transistor Q
Reference numeral 12 operates as a supply source of the base currents of the transistors Q11, Q13 and Q14 in the current mirror form as described above, and sets the current ratio with high accuracy.

【0041】この実施例では、上記のような定電流をI
wcを利用して、安定したクランプ電圧VCPを形成す
る。すなわち、上記PNPトランジスタQP12のコレ
クタにダイオードD7とD8を直列に接続し、トランジ
スタQ11とQ12のベース,エミッタ間電圧、及びダ
イオードD7とD8の順方向電圧とで約2VF+2VBE
からなるようなクランプ電圧VCPを形成するものであ
る。
In this embodiment, the constant current as described above is I
A stable clamp voltage VCP is formed using wc. That is, the diodes D7 and D8 are connected in series to the collector of the PNP transistor QP12, and the base-emitter voltage of the transistors Q11 and Q12 and the forward voltage of the diodes D7 and D8 are about 2VF + 2VBE.
To form the clamp voltage VCP.

【0042】上記の定電流IP1とIN1は、電流スイ
ッチ回路を構成する差動トランジスタQ15,Q16と
Q17,Q18のエミッタに供給される。これらの差動
トランジスタQ14,Q17とQ15,Q18のベース
には、相補の書き込みデータDとDNが供給される。つ
まり、トランジスタQ14とQ15は、前記図10の実
施例の定電流源IP1とIN1に対応し、トランジスタ
Q16とQ18は定電流源IP1とIN1に対応してい
る。
The above constant currents IP1 and IN1 are supplied to the emitters of the differential transistors Q15, Q16 and Q17, Q18 which form the current switch circuit. Complementary write data D and DN are supplied to the bases of these differential transistors Q14, Q17 and Q15, Q18. That is, the transistors Q14 and Q15 correspond to the constant current sources IP1 and IN1 of the embodiment shown in FIG. 10, and the transistors Q16 and Q18 correspond to the constant current sources IP1 and IN1.

【0043】上記のような入力データDとDNによりス
イッチされる定電流IP1とIN1を、ライトドライバ
の上段側回路を構成するインバーティッドダーリントン
回路と類似の回路(QP1’、Q1及び抵抗10×R
a、10×R1)と(QP2’、Q2及び抵抗10×R
a、10×R2)に流して、上記トランジスタQP1’
とQP2’のベースから入力信号WD1とWD1Nが形
成されて、同図ではブラックボックスで示された前記の
ようなのライトドライバ回路に供給される。また、上記
クランプ用電圧VCPも、上記ライトドライバ回路に含
まれる電圧クランプ回路21と22に供給される。
The constant currents IP1 and IN1 switched by the input data D and DN as described above are supplied to circuits similar to the inverted Darlington circuit (QP1 ', Q1 and resistor 10 × R) constituting the upper side circuit of the write driver.
a, 10 × R1) and (QP2 ′, Q2 and resistance 10 × R
a, 10 × R2), and the transistor QP1 ′
Input signals WD1 and WD1N are formed from the bases of QP2 'and QP2', and are supplied to the above-described write driver circuit indicated by a black box in FIG. The clamp voltage VCP is also supplied to the voltage clamp circuits 21 and 22 included in the write driver circuit.

【0044】図12には、この発明に係るライトドライ
バ回路が搭載されるリード/ライト集積回路とその外部
回路の一実施例のブロック図が示されている。この発明
に係るリード/ライト集積回路ICは、複数ヘッド回路
から構成される。すなわち、図12に示されたMRヘッ
ド1とそのリードプリアンプ2の他に、例えば7個のM
Rヘッドとそのリードプリアンプが設けられ、これら合
計8個分の回路に対して1つのポストアンプ出力回路8
が共通に設けられる。同図のリードプリアンプ2は、レ
ベルシフト3も含むものである。
FIG. 12 is a block diagram showing an embodiment of a read / write integrated circuit in which the write driver circuit according to the present invention is mounted and its external circuit. The read / write integrated circuit IC according to the present invention comprises a plurality of head circuits. That is, in addition to the MR head 1 and its read preamplifier 2 shown in FIG.
An R head and its read preamplifier are provided, and one postamplifier output circuit 8 is provided for each of these eight circuits.
Are provided in common. The read preamplifier 2 in the figure also includes a level shift 3.

【0045】上記ポストアンプ出力回路8の一対の出力
信号は、DC出力オフセットをカットするよう比較的大
きな容量値を持つキャパシタを介してAGC(自動利得
制御)アンプ11に供給される。このAGCアンプ11
の出力信号は、波形整形回路12により波形整形され、
パルス化回路13によりパルス信号として磁気ディスス
ク制御回路等の上位回路に伝えられる。
A pair of output signals of the post-amplifier output circuit 8 is supplied to an AGC (automatic gain control) amplifier 11 via a capacitor having a relatively large capacitance value so as to cut a DC output offset. This AGC amplifier 11
The output signal of is waveform-shaped by the waveform shaping circuit 12,
The pulse converting circuit 13 transmits the pulse signal to a higher-order circuit such as a magnetic disk control circuit.

【0046】磁気ディスク装置の大記憶容量化のため
に、上記リード/ライト集積回路ICは、複数個搭載さ
れ、ポストアンプ出力回路8は、他のリード/ライト集
積回路のポストアンプ出力回路と出力端子が共通に接続
される。選択されたリード/ライト集積回路の出力信号
のみが前記キャパシタを通してAGCアンプに伝えられ
るようにするために、ポストアンプ出力回路8は、3状
態出力機能を持つようにされる。言い換えるならば、非
選択状態に置かれるリード/ライト集積回路ICのポス
トアンプ出力回路8は、その出力がハイインピーダンス
状態にされる。
In order to increase the storage capacity of the magnetic disk device, a plurality of the read / write integrated circuit ICs are mounted, and the postamplifier output circuit 8 outputs the postamplifier output circuit of another read / write integrated circuit. The terminals are commonly connected. The post-amplifier output circuit 8 has a tri-state output function so that only the output signal of the selected read / write integrated circuit is transmitted to the AGC amplifier through the capacitor. In other words, the output of the postamplifier output circuit 8 of the read / write integrated circuit IC placed in the non-selected state is set to the high impedance state.

【0047】リード/ライト集積回路に含まれる書き込
み系回路は、分周回路6とライトドライバ回路7から構
成される。複数からなるライトドライバ7の入力に分周
回路6の出力が共通に伝えられ、選択信号により選択さ
れた磁気ヘッドに対応したものライトドライバ7が動作
状態となって磁気ヘッド5を駆動する。分周回路6は、
その電流源を非ライト時に微小電流化しパワーの低減を
図り、ライト時にのみ通常電流を流すようにされる。す
なわち、非ライト時には微小電流が分周回路6に供給さ
れている。ライト時には通常動作電流が分周回路6に供
給される。9は、異常検出回路であり、MRヘッド2や
磁気ヘッド5の断線や短絡等の異常を検出する。モード
切り換え回路は、書き込みモード、読み出しモードの切
り換えを行う。
The write system circuit included in the read / write integrated circuit comprises a frequency dividing circuit 6 and a write driver circuit 7. The output of the frequency dividing circuit 6 is commonly transmitted to the input of a plurality of write drivers 7, and the write driver 7 corresponding to the magnetic head selected by the selection signal is activated to drive the magnetic head 5. The frequency dividing circuit 6 is
The current source is made into a small current when not writing to reduce power, and a normal current is made to flow only when writing. That is, a minute current is supplied to the frequency dividing circuit 6 when not writing. At the time of writing, the normal operating current is supplied to the frequency dividing circuit 6. An abnormality detection circuit 9 detects an abnormality such as disconnection or short circuit of the MR head 2 or the magnetic head 5. The mode switching circuit switches between the write mode and the read mode.

【0048】上記の実施例から得られる作用効果は、下
記の通りである。すなわち、 (1) 相補的な一対の入力信号がそれぞれベースに供
給された第1と第2のPNP入力トランジスタに対して
インバーティッドダーリントン形態に第1と第2のNP
N出力トランジスタを設け、上記対応するPNP入力ト
ランジスタのエミッタとNPN出力トランジスタのコレ
クタとの間にそれぞれ第1の抵抗素子を設け、上記第1
と第2のNPN出力トランジスタの共通化されたコレク
タと電源電圧との間に第2の抵抗素子を設け、上記第1
と第2のPNPトランジスタのコレクタにクランプ用電
圧を供給し、上記第1と第2のNPN出力トランジスタ
とそれぞれ直列形態に接続され相補的にスイッチ制御さ
れる第3と第4のNPN出力トランジスタを設け、上記
第1と第3の出力トランジスタの接続点と上記第2と第
4の出力トランジスタの接続点とをそれぞれ第1と第2
の出力端子として、それらの間にインダクティブヘッド
を接続することにより、電流切り換え時の出力端子間電
圧が上記NPNトランジスタのベース,エミッタ間の耐
圧電圧に対応して電源電圧以上に高く設定できるので書
き込み電流の高速切り換えが可能となり、マルチサーボ
ライト動作において開放状態とされた回路では、PNP
トランジスタのエミッタに設けられた第1の抵抗素子に
よる電流制限が行われるという効果が得られる。
The functions and effects obtained from the above-mentioned embodiment are as follows. (1) First and second NPs in inverted Darlington form with respect to the first and second PNP input transistors whose complementary pair of input signals are respectively supplied to the bases.
An N output transistor is provided, and a first resistance element is provided between the emitter of the corresponding PNP input transistor and the collector of the NPN output transistor.
And a second resistance element between the common collector of the second NPN output transistor and the power supply voltage,
Clamping voltage is supplied to the collectors of the first and second PNP transistors, and third and fourth NPN output transistors connected in series with the first and second NPN output transistors and complementarily switch-controlled. And a connection point between the first and third output transistors and a connection point between the second and fourth output transistors, respectively.
By connecting an inductive head between them as an output terminal of, the voltage between the output terminals at the time of current switching can be set higher than the power supply voltage corresponding to the withstand voltage between the base and emitter of the NPN transistor. High-speed switching of the current is possible, and in the circuit that is opened in the multi-servo write operation, the PNP
The effect that the current is limited by the first resistance element provided in the emitter of the transistor is obtained.

【0049】(2) 上記(1)の電流制限動作によ
り、小さなサイズの第1と第2のPNPトランジスタを
用い、複数のライトドライバを一斉に動作状態にしてマ
ルチサーボライト機能を持たせることができるという効
果が得られる。
(2) By the current limiting operation of the above (1), it is possible to use the first and second PNP transistors having a small size and simultaneously operate a plurality of write drivers to have a multi-servo write function. The effect of being able to be obtained is obtained.

【0050】(3) 上記第1と第2の出力端子とそれ
ぞれに対応した入力信号に対応して変化する電圧を形成
する第1と第2の電源源との間には、ダンピング抵抗素
子と上記電源端子から出力端子に向かって電流を流すよ
うな一方向性素子とを直列に接続することより、定常的
にダイピング抵抗に無効電流が流れなくすることができ
るという効果が得られる。
(3) A damping resistance element is provided between the first and second output terminals and the first and second power sources that form a voltage that changes corresponding to the input signals corresponding to the first and second output terminals. By connecting in series with a unidirectional element that allows a current to flow from the power supply terminal to the output terminal, it is possible to obtain an effect that a reactive current can be prevented from constantly flowing through the dipping resistor.

【0051】(4) 相補的な一対の入力信号を受ける
PNP型入力トランジスタと、そのコレクタ出力がベー
スに供給されたNPNトランジスタからなるインバーテ
ィッドダーリントン回路及び上記PNPトランジスタの
コレクタに設けられて定電圧を形成する直列形態のダイ
オードかなる電圧源回路により、ダンピング抵抗素子に
供給する電圧を形成し、上記直列形態のダイオードを通
した電流を電流ミラー回路に供給してその出力電流を第
1と第2のNPNトランジスタのベース電流引き抜き用
のバイアス電流として利用することにより、上記ダンピ
ング抵抗による無効電流を減らすとともに電流切り換え
動作を高速にすることができるという効果が得られる。
(4) An inverted Darlington circuit composed of a PNP type input transistor which receives a pair of complementary input signals and an NPN transistor whose collector output is supplied to the base, and a constant voltage provided in the collector of the PNP transistor. A voltage source circuit formed of a diode in series to form a voltage to be supplied to the damping resistance element, and the current passing through the diode in series is supplied to the current mirror circuit to output its output current to the first and second By using it as the bias current for extracting the base current of the NPN transistor No. 2, the effect that the reactive current due to the damping resistance can be reduced and the current switching operation can be speeded up can be obtained.

【0052】(5) 上記第1と第2のPNPトランジ
スタ、第1と第2のNPNトランジスタ及び第1と第2
の抵抗素子と実質的に同じ構成にされた第1’と第2’
のPNPトランジスタ及びNPNトランジスタと第
1’、第2’の抵抗素子からなり、かかる第1’、第
2’の抵抗素子のそれぞれの抵抗値を上記第1と第2の
抵抗素子に対して所望の大きな比を持つように設定し、
上記第1’のPNPトランジスタ及びNPNトランジス
タと第2’のPNPトランジスタとNPNトランジスタ
には相補的な入力信号を受ける差動の電流切り替え回路
により第1と第2の定電流を切り替えて供給することに
より、高精度に設定された書き込み電流及びバイアス電
流を得ることができるという効果が得られる。
(5) The first and second PNP transistors, the first and second NPN transistors, and the first and second PNP transistors
1'and 2'having substantially the same configuration as the resistance element of FIG.
Of PNP transistor and NPN transistor and 1'and 2'resistive elements, and the respective resistance values of the 1'and 2'resistive elements are desired for the first and second resistive elements. Set to have a large ratio of
The first and second constant currents are switched and supplied by a differential current switching circuit that receives complementary input signals to the first 'PNP transistor and NPN transistor and the second' PNP transistor and NPN transistor. Thus, it is possible to obtain the effect that the write current and the bias current set with high accuracy can be obtained.

【0053】(6) 上記第1と第2の定電流源を、外
付抵抗により設定された基準電流に基づいて電流ミラー
回路により所定の電流比となるように形成することによ
り、任意の書き込み電流及びバイアス電流を高精度に形
成することができるという効果が得られる。
(6) Arbitrary writing is performed by forming the first and second constant current sources so as to have a predetermined current ratio by a current mirror circuit based on a reference current set by an external resistor. The effect that the current and the bias current can be formed with high precision can be obtained.

【0054】以上本発明者よりなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。例えば、図1
1の実施例において、電流切り換えを行う差動トランジ
スタQ15〜Q18により、一方の回路にしか定電流I
P1とIN1が流れないから、抵抗10×Raと10×
R1を共通化して用いるようにしてもよい。つまり、図
3の実施例と同様な回路にすることにより素子数を減ら
すようにしてもよい。リード/ライト集積回路に接続さ
れるヘッドの数は必要に応じて任意に設定できる。この
発明は、ライトドライバ回路として広く利用できる。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention of the present application is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. For example, FIG.
In the first embodiment, the constant current I is applied to only one circuit by the differential transistors Q15 to Q18 for switching the current.
Since P1 and IN1 do not flow, resistors 10xRa and 10x
R1 may be commonly used. That is, the number of elements may be reduced by using a circuit similar to that of the embodiment of FIG. The number of heads connected to the read / write integrated circuit can be arbitrarily set as required. The present invention can be widely used as a write driver circuit.

【0055】[0055]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、相補的な一対の入力信号が
それぞれベースに供給された第1と第2のPNP入力ト
ランジスタに対してインバーティッドダーリントン形態
に第1と第2のNPN出力トランジスタを設け、上記対
応するPNP入力トランジスタのエミッタとNPN出力
トランジスタのコレクタとの間にそれぞれ第1の抵抗素
子を設け、上記第1と第2のNPN出力トランジスタの
共通化されたコレクタと電源電圧との間に第2の抵抗素
子を設け、上記第1と第2のPNPトランジスタのコレ
クタにクランプ用電圧を供給し、上記第1と第2のNP
N出力トランジスタとそれぞれ直列形態に接続され相補
的にスイッチ制御される第3と第4のNPN出力トラン
ジスタを設け、上記第1と第3の出力トランジスタの接
続点と上記第2と第4の出力トランジスタの接続点とを
それぞれ第1と第2の出力端子として、それらの間にイ
ンダクティブヘッドを接続することにより、電流切り換
え時の出力端子間電圧が上記NPNトランジスタのベー
ス,エミッタ間の耐圧電圧に対応して電源電圧以上に高
く設定できるので書き込み電流の高速切り換えが可能と
なり、マルチサーボライト動作において開放状態とされ
た回路では、PNPトランジスタのエミッタに設けられ
た第1の抵抗素子による電流制限ができる。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the first and second PNP input transistors having a pair of complementary input signals respectively supplied to their bases are provided with the first and second NPN output transistors in the inverted Darlington configuration, and the corresponding PNP input is provided. A first resistance element is provided between the emitter of the transistor and the collector of the NPN output transistor, and a second resistance element is provided between the common collector of the first and second NPN output transistors and the power supply voltage. Is provided, and a clamping voltage is supplied to the collectors of the first and second PNP transistors, and the first and second NPs are provided.
Third and fourth NPN output transistors, which are connected in series with the N output transistor and are switch-controlled in a complementary manner, are provided, and the connection point of the first and third output transistors and the second and fourth outputs are provided. By connecting the transistor connection point to the first and second output terminals, respectively, and connecting the inductive head between them, the voltage between the output terminals at the time of current switching becomes the withstand voltage between the base and emitter of the NPN transistor. Correspondingly, since it can be set higher than the power supply voltage, the write current can be switched at high speed, and in the circuit opened in the multi-servo write operation, the current is limited by the first resistance element provided in the emitter of the PNP transistor. it can.

【0056】上記の電流制限動作により、小さなサイズ
の第1と第2のPNPトランジスタを用い、複数のライ
トドライバを一斉に動作状態にしてマルチサーボライト
機能を持たせることができる。
By the above current limiting operation, a plurality of write drivers can be simultaneously operated by using the small-sized first and second PNP transistors to provide a multi-servo writing function.

【0057】上記第1と第2の出力端子とそれぞれに対
応した入力信号に対応して変化する電圧を形成する第1
と第2の電源源との間には、ダンピング抵抗素子と上記
電源端子から出力端子に向かって電流を流すような一方
向性素子とを直列に接続することより、定常的にダイピ
ング抵抗に無効電流が流れなくすることができる。
The first and second output terminals and the first voltage forming variable voltage corresponding to the input signals respectively corresponding to the first and second output terminals
Between the second power source and the second power source, a damping resistance element and a unidirectional element that allows a current to flow from the power source terminal to the output terminal are connected in series, so that the dipping resistance is constantly disabled. The electric current can be stopped.

【0058】相補的な一対の入力信号を受けるPNP型
入力トランジスタと、そのコレクタ出力がベースに供給
されたNPNトランジスタからなるインバーティッドダ
ーリントン回路及び上記PNPトランジスタのコレクタ
に設けられて定電圧を形成する直列形態のダイオードか
なる電圧源回路により、ダンピング抵抗素子に供給する
電圧を形成し、上記直列形態のダイオードを通した電流
を電流ミラー回路に供給してその出力電流を第1と第2
のNPNトランジスタのベース電流引き抜き用のバイア
ス電流として利用することにより、上記ダンピング抵抗
による無効電流を減らすとともに電流切り換え動作を高
速にすることができる。
An inverted Darlington circuit composed of a PNP type input transistor for receiving a pair of complementary input signals, an NPN transistor whose collector output is supplied to the base, and a collector of the PNP transistor are provided to form a constant voltage. A voltage source circuit including a diode in series forms a voltage to be supplied to the damping resistance element, and the current passing through the diode in series is supplied to the current mirror circuit to output the output currents of the first and second diodes.
By using it as the bias current for extracting the base current of the NPN transistor, it is possible to reduce the reactive current due to the damping resistor and to speed up the current switching operation.

【0059】上記第1と第2のPNPトランジスタ、第
1と第2のNPNトランジスタ及び第1と第2の抵抗素
子と実質的に同じ構成にされた第1’と第2’のPNP
トランジスタ及びNPNトランジスタと第1’、第2’
の抵抗素子からなり、かかる第1’、第2’の抵抗素子
のそれぞれの抵抗値を上記第1と第2の抵抗素子に対し
て所望の大きな比を持つように設定し、上記第1’のP
NPトランジスタ及びNPNトランジスタと第2’のP
NPトランジスタとNPNトランジスタには相補的な入
力信号を受ける差動の電流切り替え回路により第1と第
2の定電流を切り替えて供給することにより、高精度に
設定された書き込み電流及びバイアス電流を得ることが
できる。
The first and second PNP transistors, the first and second NPN transistors, and the first 'and second' PNPs having substantially the same structure as the first and second resistance elements.
Transistor and NPN transistor and first ', second'
The resistance value of each of the first 'and second' resistance elements is set so as to have a desired large ratio with respect to the first and second resistance elements. Of P
NP transistor and NPN transistor and second P '
A differential current switching circuit that receives complementary input signals switches the first and second constant currents to the NP transistor and the NPN transistor, and supplies them by switching to supply the write current and bias current set with high accuracy. be able to.

【0060】上記第1と第2の定電流源を、外付抵抗に
より設定された基準電流に基づいて電流ミラー回路によ
り所定の電流比となるように形成することにより、任意
の書き込み電流及びバイアス電流を高精度に形成するこ
とができる。
By forming the first and second constant current sources so as to have a predetermined current ratio by a current mirror circuit based on a reference current set by an external resistor, an arbitrary write current and bias can be obtained. The current can be formed with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明に係るライトドライバ回路の一実施例
を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a write driver circuit according to the present invention.

【図2】この発明に係るライトドライバ回路における使
用されない状態での回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a write driver circuit according to the present invention in an unused state.

【図3】この発明に係るライトドライバ回路の他の一実
施例を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the write driver circuit according to the present invention.

【図4】この発明に係るライトドライバ回路が搭載され
たリード/ライト用集積回路の一実施例を示す概略構成
図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a read / write integrated circuit equipped with a write driver circuit according to the present invention.

【図5】この発明に係るライトドライバ回路の他の一実
施例を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing another embodiment of the write driver circuit according to the present invention.

【図6】この発明に係るライトドライバ回路の動作の一
例を説明するための電流波形図である。
FIG. 6 is a current waveform diagram for explaining an example of the operation of the write driver circuit according to the present invention.

【図7】この発明に係るライトドライバ回路の動作の一
例を説明するための電圧波形図である。
FIG. 7 is a voltage waveform diagram for explaining an example of the operation of the write driver circuit according to the present invention.

【図8】この発明に係るライトドライバ回路の他の一実
施例を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing another embodiment of the write driver circuit according to the present invention.

【図9】この発明に係るライトドライバ回路の一実施例
を示す具体的回路図である。
FIG. 9 is a specific circuit diagram showing an embodiment of a write driver circuit according to the present invention.

【図10】この発明に係るライトドライバ回路の他の一
実施例を示す具体的回路図である。
FIG. 10 is a specific circuit diagram showing another embodiment of the write driver circuit according to the present invention.

【図11】この発明に係るライトドライバ回路における
動作電流設定部の一実施例を示す具体的回路図である。
FIG. 11 is a specific circuit diagram showing an embodiment of the operating current setting section in the write driver circuit according to the present invention.

【図12】この発明に係るリード/ライト集積回路の一
実施例を示す要部ブロック図である。
FIG. 12 is a principal block diagram showing an embodiment of a read / write integrated circuit according to the present invention.

【図13】従来のライトドライバ回路の一例を示す回路
図である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing an example of a conventional write driver circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21,22…電圧クランプ回路、31,32…バイアス
回路、41,42…インバーティッドダーリントン回
路、51…ライトアンプ、61…リード/ライト集積回
路、81…磁気ディスク、91…オープン出力、QP1
〜QP12…PNPトランジスタ、Q1〜Q16…NP
Nトランジスタ、Ra,R1〜R8…抵抗、L…磁気ヘ
ッド、D1〜8…ダイオード、1…MRヘッド、2…リ
ードアンプ(センスアンプ)、3…レベルシフト、4…
タイミング調整回路、5…書き込み用ヘッド(インダク
ティブヘッド)、6…分周回路、7…ライトドライバ、
8…ポストアンプ出力回路、9…異常検出回路、10…
モード切換回路、11…AGCアンプ、12…波形整形
回路、13…パルス化回路、14…ライト補正回路、1
5…上位装置。
21, 22 ... Voltage clamp circuit, 31, 32 ... Bias circuit, 41, 42 ... Inverted Darlington circuit, 51 ... Write amplifier, 61 ... Read / write integrated circuit, 81 ... Magnetic disk, 91 ... Open output, QP1
... QP12 ... PNP transistor, Q1-Q16 ... NP
N transistor, Ra, R1 to R8 ... Resistor, L ... Magnetic head, D1-8 ... Diode, 1 ... MR head, 2 ... Read amplifier (sense amplifier), 3 ... Level shift, 4 ...
Timing adjusting circuit, 5 ... Writing head (inductive head), 6 ... Dividing circuit, 7 ... Write driver,
8 ... Post-amplifier output circuit, 9 ... Abnormality detection circuit, 10 ...
Mode switching circuit, 11 ... AGC amplifier, 12 ... Waveform shaping circuit, 13 ... Pulsing circuit, 14 ... Write correction circuit, 1
5 ... Upper device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑中 紀明 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 吉永 眞樹 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 長屋 裕士 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 廣瀬 豪 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 曽我 雄二 神奈川県秦野市堀山下1番地 日立コンピ ュータエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 加地 忠雄 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Noriaki Hatanaka 2880 Kozu, Odawara-shi, Kanagawa Hitachi Storage Systems Division (72) Inventor Masaki Yoshinaga 2326 Imai, Ome, Tokyo Hitachi Device Development Co., Ltd. In the center (72) Inventor Hiroshi Nagaya 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Inside Hitachi Device Development Center (72) Inventor Go Hirose 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Inside Hitachi Device Development Center (72) Invention Yuji Soga 1 Horiyamashita, Hinoyama, Hadano, Kanagawa Prefecture, Hitachi Computer Engineering Co., Ltd. (72) Tadao Kaji, 2326, Imai, Ome, Tokyo, Hitachi Device Development Center, Hitachi Ltd.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 相補的な一対の入力信号がそれぞれベー
スに供給された第1と第2のPNP入力トランジスタ
と、上記第1と第2のPNP入力トランジスタのコレク
タがそれぞれベースに供給された第1と第2のNPN出
力トランジスタと、上記第1と第2PNP入力トランジ
スタのそれぞれエミッタと第1と第2のNPN出力トラ
ンジスタのそれぞれコレクタとの間に設けられた第1の
抵抗素子と、上記第1と第2のNPN出力トランジスタ
の共通化されたコレクタと電源電圧との間に設けられた
第2の抵抗素子と、上記第1と第2のNPN出力トラン
ジスタとそれぞれ直列形態に接続され、対応する上記入
力信号の反転信号により相補的にスイッチ制御される第
3と第4のNPN出力トランジスタと、上記第1と第3
の出力トランジスタの接続点と上記第2と第4の出力ト
ランジスタの接続点とをそれぞれ第1と第2の出力端子
として、それらの間にインダクティブヘッドを接続して
なることを特徴とするライトドライバ回路。
1. A first and second PNP input transistor having complementary base signals supplied to respective bases thereof, and a collector of said first and second PNP input transistors having respective bases supplied thereto. First and second NPN output transistors, first resistive elements provided between the emitters of the first and second PNP input transistors and the collectors of the first and second NPN output transistors, respectively, and The second resistance element provided between the common collectors of the first and second NPN output transistors and the power supply voltage, and the first and second NPN output transistors are connected in series, respectively. Third and fourth NPN output transistors which are switch-controlled in a complementary manner by the inverted signal of the input signal, and the first and third
And a connection point of the second and fourth output transistors as a first output terminal and a second output terminal, respectively, and an inductive head is connected between them. circuit.
【請求項2】 上記第1と第2のPNP入力トランジス
タのコレクタには、かかるPNP入力トランジスタが飽
和しないような電圧にクランプさせる電圧クランプ回路
が設けられるものであることを特徴とする請求項1のラ
イトドライバ回路。
2. The collector of the first and second PNP input transistors is provided with a voltage clamp circuit for clamping to a voltage such that the PNP input transistor is not saturated. Write driver circuit.
【請求項3】 上記第1と第2の出力端子とそれぞれに
対応した入力信号に対応して変化する電圧を形成する第
1と第2の電源源との間には、ダンピング抵抗素子と上
記電源端子から出力端子に向かって電流を流すような一
方向性素子とが直列に設けられるものであることを特徴
とする請求項1又は請求項2のライトドライバ回路。
3. A damping resistance element and the above-mentioned damping resistance element are provided between the first and second output terminals and the first and second power supply sources that form a voltage that changes corresponding to input signals respectively corresponding to the first and second output terminals. The write driver circuit according to claim 1 or 2, wherein a unidirectional element that allows a current to flow from the power supply terminal to the output terminal is provided in series.
【請求項4】 上記入力信号を受けるPNP型入力トラ
ンジスタと、そのコレクタ出力がベースに供給されたN
PNトランジスタからなるインバーティッドダーリント
ン回路及び上記PNPトランジスタのコレクタに設けら
れて定電圧を形成する直列形態のダイオードからなる電
圧源回路により、上記NPNトランジスタのエミッタか
らダンピング抵抗素子に供給する電圧を形成するととも
に、上記直列形態のダイオードを通した電流が電流ミラ
ー回路に供給され、かかる電流ミラー回路の出力電流が
第1と第2のNPNトランジスタのベース電流引き抜き
用のバイアス電流として利用されるものであることを特
徴とする請求項3のライトドライバ回路。
4. A PNP type input transistor which receives the input signal, and an N whose collector output is supplied to the base.
An inverted Darlington circuit composed of a PN transistor and a voltage source circuit composed of a diode in series provided in the collector of the PNP transistor to form a constant voltage form a voltage supplied from the emitter of the NPN transistor to the damping resistance element. At the same time, the current that has passed through the series-shaped diode is supplied to the current mirror circuit, and the output current of the current mirror circuit is used as the bias current for extracting the base currents of the first and second NPN transistors. 4. The write driver circuit according to claim 3, wherein.
【請求項5】 上記相補的な一対の入力信号は、上記第
1と第2のPNPトランジスタ、第1と第2のNPNト
ランジスタ及び第1と第2の抵抗素子と実質的に同じ構
成にされた第1’と第2’のPNPトランジスタ及びN
PNトランジスタと第1’、第2’の抵抗素子からな
り、かかる第1’、第2’の抵抗素子のそれぞれの抵抗
値は、上記第1と第2の抵抗素子に対して所望の大きな
比を持つように設定され、上記第1’のPNPトランジ
スタ及びNPNトランジスタと第2’のPNPトランジ
スタとNPNトランジスタには相補的な入力信号を受け
る差動の電流切り替え回路により第1と第2の定電流が
切り替えられて供給されることにより形成されるもので
あることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項3又
は請求項4のライトドライバ回路。
5. The pair of complementary input signals have substantially the same configuration as the first and second PNP transistors, the first and second NPN transistors, and the first and second resistance elements. First 'and second' PNP transistors and N
It is composed of a PN transistor and first 'and second' resistive elements, and the respective resistance values of the first 'and second' resistive elements have a desired large ratio with respect to the first and second resistive elements. And the first and second constant PNP transistors and NPN transistors and the second 'PNP transistor and NPN transistor are set by the differential current switching circuit for receiving complementary input signals. 5. The write driver circuit according to claim 1, wherein the write driver circuit is formed by switching and supplying an electric current.
【請求項6】 上記第1と第2の定電流源は、外付抵抗
により設定された基準電流が電流ミラー回路により所定
の電流比に設定されて形成されるものであることを特徴
とする請求項5のライトドライバ回路。
6. The first and second constant current sources are formed by setting a reference current set by an external resistor to a predetermined current ratio by a current mirror circuit. The write driver circuit according to claim 5.
【請求項7】 上記ライトドライバ回路は、MRヘッド
からの信号を受けるリードアンプと対を成して複数回路
が1つの半導体集積回路装置により形成され、全てのラ
イトドライバ回路が一斉に動作状態にされる書き込みモ
ードを持つものであることを特徴とする請求項1、請求
項2、請求項4又は請求項6のライトドライバ回路。
7. The write driver circuit is paired with a read amplifier which receives a signal from an MR head, and a plurality of circuits are formed by one semiconductor integrated circuit device, and all the write driver circuits are simultaneously activated. 7. The write driver circuit according to claim 1, claim 2, claim 4, or claim 6, which has a write mode.
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