JPH08116109A - 有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の製造方法および有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子 - Google Patents
有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の製造方法および有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 スイッチング特性のばらつき、再現性、安定
性等を向上させ、多くの有機薄膜素子に対しても適用で
きる有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の製造方
法を提供する。 【構成】 金属／有機半導体薄膜／金属の構造２，４，
３をもつ素子に対して、ガスの暴露、排気を行ないスイ
ッチング特性を向上させるとともに安定性を増大させ
る。また、有機薄膜スッチング・メモリー複合素子作製
後、素子の表面にフッ素樹脂５の保護膜を設け、これに
より大気中での素子動作が安定に行える優れた有機薄膜
スイッチング・メモリー複合素子を実現する。
性等を向上させ、多くの有機薄膜素子に対しても適用で
きる有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の製造方
法を提供する。 【構成】 金属／有機半導体薄膜／金属の構造２，４，
３をもつ素子に対して、ガスの暴露、排気を行ないスイ
ッチング特性を向上させるとともに安定性を増大させ
る。また、有機薄膜スッチング・メモリー複合素子作製
後、素子の表面にフッ素樹脂５の保護膜を設け、これに
より大気中での素子動作が安定に行える優れた有機薄膜
スイッチング・メモリー複合素子を実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子産業分野その他にお
いて利用される有機薄膜スイッチング・メモリー複合素
子の製造方法および有機薄膜スイッチング・メモリー複
合素子に関するものである。
いて利用される有機薄膜スイッチング・メモリー複合素
子の製造方法および有機薄膜スイッチング・メモリー複
合素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機物を用いた電子デバイスの研
究が盛んになってきており、その成膜技術の方法として
ラングミュアー・ブロジェト（ＬＢ）法、真空蒸着法、
分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法等の技術が知られてい
る。有機物の機能を利用した電子デバイスの多くは有機
分子の低次元性あるいは配向性に基ずき、制御、作製さ
れてきており、より配向性を高めようとする薄膜作製技
術の研究開発が行なわれている。また、有機薄膜スイッ
チング素子作製についても同様で、有機分子の配向性等
を制御し、作製されてきた。
究が盛んになってきており、その成膜技術の方法として
ラングミュアー・ブロジェト（ＬＢ）法、真空蒸着法、
分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法等の技術が知られてい
る。有機物の機能を利用した電子デバイスの多くは有機
分子の低次元性あるいは配向性に基ずき、制御、作製さ
れてきており、より配向性を高めようとする薄膜作製技
術の研究開発が行なわれている。また、有機薄膜スイッ
チング素子作製についても同様で、有機分子の配向性等
を制御し、作製されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
は有機分子の配向性や結晶系などを制御するために高度
な技術が必要となり、再現性、安定性、素子ごとの特性
のばらつき、あるいは均一性等の欠如、また、大気中で
のスイッチング素子動作の不安定性という問題が未解決
である。本発明は上記従来の課題を解決するものであ
り、１対の電極間に有機半導体薄膜を有する素子につい
て、雰囲気処理を施すことにより容易にスイッチング・
メモリー複合素子を製造できる方法を提供し、スイッチ
ング特性の再現性や素子ごとのばらつき、均一性を解決
するものである。また、大気中でスイッチングおよびメ
モリー特性を安定に動作することを目的とする。
は有機分子の配向性や結晶系などを制御するために高度
な技術が必要となり、再現性、安定性、素子ごとの特性
のばらつき、あるいは均一性等の欠如、また、大気中で
のスイッチング素子動作の不安定性という問題が未解決
である。本発明は上記従来の課題を解決するものであ
り、１対の電極間に有機半導体薄膜を有する素子につい
て、雰囲気処理を施すことにより容易にスイッチング・
メモリー複合素子を製造できる方法を提供し、スイッチ
ング特性の再現性や素子ごとのばらつき、均一性を解決
するものである。また、大気中でスイッチングおよびメ
モリー特性を安定に動作することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、一対の電極間に有機半導体を有する素子に対してガ
ス暴露、排気を行なうことにより、従来、スイッチング
が観測されなかつた素子に対してもスイッチング素子を
製造できる。すなわち、有機薄膜素子を大気中でガス吸
着、吸収を行ない（この結果、素子自身の抵抗値が変化
する）、次に真空下に保存することにより吸着あるいは
吸収ガスが部分的に脱離し、スイッチング・メモリー複
合素子が再現性よく製造できる。また、スイッチングお
よびメモリー機能の大気中での安定性をはかるためにス
イッチング・メモリー複合素子の表面にフッ素樹脂の保
護膜を設けた素子構成にした。
に、一対の電極間に有機半導体を有する素子に対してガ
ス暴露、排気を行なうことにより、従来、スイッチング
が観測されなかつた素子に対してもスイッチング素子を
製造できる。すなわち、有機薄膜素子を大気中でガス吸
着、吸収を行ない（この結果、素子自身の抵抗値が変化
する）、次に真空下に保存することにより吸着あるいは
吸収ガスが部分的に脱離し、スイッチング・メモリー複
合素子が再現性よく製造できる。また、スイッチングお
よびメモリー機能の大気中での安定性をはかるためにス
イッチング・メモリー複合素子の表面にフッ素樹脂の保
護膜を設けた素子構成にした。
【０００５】
【作用】上記の雰囲気処理により、従来のスイッチング
素子製造方法、すなわち有機分子の配向制御、結晶系制
御に基ずく高度な素子製造技術を必要とせず素子形成
（金属／有機半導体／金属）後、本発明の雰囲気処理に
より容易にスイッチング・メモリー複合素子を安定的か
つ再現性よく製造できる。また、これまでにスイッチン
グが観測されなかった有機半導体に対しても本発明の雰
囲気処理を行なうことによりスイッチング・メモリー複
合素子の製造が可能となる。更に、スイッチング・メモ
リー複合素子にフッ素樹脂の保護膜を設けた構成にする
ことにより大気中でのスイッチング、メモリー性の素子
動作が安定的に行なえ、素子の用途が拡張することが可
能となる。
素子製造方法、すなわち有機分子の配向制御、結晶系制
御に基ずく高度な素子製造技術を必要とせず素子形成
（金属／有機半導体／金属）後、本発明の雰囲気処理に
より容易にスイッチング・メモリー複合素子を安定的か
つ再現性よく製造できる。また、これまでにスイッチン
グが観測されなかった有機半導体に対しても本発明の雰
囲気処理を行なうことによりスイッチング・メモリー複
合素子の製造が可能となる。更に、スイッチング・メモ
リー複合素子にフッ素樹脂の保護膜を設けた構成にする
ことにより大気中でのスイッチング、メモリー性の素子
動作が安定的に行なえ、素子の用途が拡張することが可
能となる。
【０００６】
（実施例１）以下本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は、この発明の実施例を示す素
子の構成を示す。基板１は石英ガラスであり、この基板
に下部２、上部３電極として１mm幅の金を70-80nm 真空
蒸着法により形成した。このとき下部電極と上部電極は
互いに直交しており、実効面積は１mm2 である。また、
上下の電極間に鉛フタロシアニン（PbPc）薄膜４が１μ
m 蒸着されており、この膜の構造は単斜晶であった。図
３はこの素子に対して本発明の雰囲気処理を施すことに
より得られるスイッチング・メモリー複合素子製造過程
を示している。電流−電圧（I-V ）特性の測定は下部電
極に電圧を印加し、上部電極を接地とした。また、保護
抵抗として10k Ωの抵抗を用いた。
しながら説明する。図１は、この発明の実施例を示す素
子の構成を示す。基板１は石英ガラスであり、この基板
に下部２、上部３電極として１mm幅の金を70-80nm 真空
蒸着法により形成した。このとき下部電極と上部電極は
互いに直交しており、実効面積は１mm2 である。また、
上下の電極間に鉛フタロシアニン（PbPc）薄膜４が１μ
m 蒸着されており、この膜の構造は単斜晶であった。図
３はこの素子に対して本発明の雰囲気処理を施すことに
より得られるスイッチング・メモリー複合素子製造過程
を示している。電流−電圧（I-V ）特性の測定は下部電
極に電圧を印加し、上部電極を接地とした。また、保護
抵抗として10k Ωの抵抗を用いた。
【０００７】図３（ａ）は有機薄膜素子製造直後のI-V
特性を示しており、伝導度は1.7 ×10-8S/cmである。ま
た、I-V 特性は非線形伝導を示しているがスイッチング
は観測されない。続いて、この素子をシリカゲルを入れ
た乾燥空気中で２日間保存し、測定したのが図３（ｂ）
である。図３（ｂ）からもわかるようにI-V 特性は非線
形伝導を示しており、また、電気伝導度は8.3 ×10-8S/
cmと有機薄膜素子製造直後に比べ増加している。さら
に、この素子を真空下（１Pa）で２日間保存した後にI-
V 特性を測定した結果を図３（ｃ）に示す。図３（ｃ）
からも明らかなようにスイッチングが観測されているこ
とがわかる。このスイッチングの特徴は正電圧を印加し
ていくと高抵抗状態（OFF ）から低抵抗状態（ON）に変
化する。また、負電圧を印加するとON状態からOFF 状態
に変化する。更に、ON状態は一定時間保持するメモリー
性も有している。
特性を示しており、伝導度は1.7 ×10-8S/cmである。ま
た、I-V 特性は非線形伝導を示しているがスイッチング
は観測されない。続いて、この素子をシリカゲルを入れ
た乾燥空気中で２日間保存し、測定したのが図３（ｂ）
である。図３（ｂ）からもわかるようにI-V 特性は非線
形伝導を示しており、また、電気伝導度は8.3 ×10-8S/
cmと有機薄膜素子製造直後に比べ増加している。さら
に、この素子を真空下（１Pa）で２日間保存した後にI-
V 特性を測定した結果を図３（ｃ）に示す。図３（ｃ）
からも明らかなようにスイッチングが観測されているこ
とがわかる。このスイッチングの特徴は正電圧を印加し
ていくと高抵抗状態（OFF ）から低抵抗状態（ON）に変
化する。また、負電圧を印加するとON状態からOFF 状態
に変化する。更に、ON状態は一定時間保持するメモリー
性も有している。
【０００８】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
について説明する。この実施例では、鉛フタロシアニン
の蒸着条件を変えて実施例１と異なった結晶系、すなわ
ち三斜晶の鉛フタロシアニン薄膜を金を下部電極とした
石英ガラス基板上に１μｍ作製し、上部電極（金）を蒸
着した後、実施例１と同じ方法により雰囲気処理を行っ
た。結果は実施例１と同様に雰囲気処理を行なう前はI-
V 特性は非線形伝導を示し、スイッチングは観測されな
いが雰囲気処理を施すと印加電圧に依存するスイッチン
グ・メモリー複合素子が製造できた（図４）。
について説明する。この実施例では、鉛フタロシアニン
の蒸着条件を変えて実施例１と異なった結晶系、すなわ
ち三斜晶の鉛フタロシアニン薄膜を金を下部電極とした
石英ガラス基板上に１μｍ作製し、上部電極（金）を蒸
着した後、実施例１と同じ方法により雰囲気処理を行っ
た。結果は実施例１と同様に雰囲気処理を行なう前はI-
V 特性は非線形伝導を示し、スイッチングは観測されな
いが雰囲気処理を施すと印加電圧に依存するスイッチン
グ・メモリー複合素子が製造できた（図４）。
【０００９】（実施例３）次に、本発明の第３の実施例
について説明する。この実施例では、鉛フタロシアニン
蒸着膜の結晶系は基板温度、蒸着速度の条件を変えるこ
とにより容易に変えることができるので、有機半導体に
鉛フタロシアニンの結晶系の異なった積層膜（金属／単
斜晶／三斜晶／金属）を作製し、本発明の雰囲気処理を
行った。有機薄膜素子の作製は実施例１と同様に金を下
部電極とした石英ガラス基板を用い、最初は基板温度を
１００℃で鉛フタロシアニンを1 μｍ蒸着し、すなわ
ち、三斜晶系の鉛フタロシアニン蒸着膜を作製した。次
に、この基板を室温にして鉛フタロシアニンの蒸着を行
ない、三斜晶の蒸着膜の上に単斜晶の薄膜を1 μｍ積層
し、上部電極の金を蒸着した。この結晶系の異なった積
層膜を持つ素子について実施例１と同じ方法により雰囲
気処理を行った。
について説明する。この実施例では、鉛フタロシアニン
蒸着膜の結晶系は基板温度、蒸着速度の条件を変えるこ
とにより容易に変えることができるので、有機半導体に
鉛フタロシアニンの結晶系の異なった積層膜（金属／単
斜晶／三斜晶／金属）を作製し、本発明の雰囲気処理を
行った。有機薄膜素子の作製は実施例１と同様に金を下
部電極とした石英ガラス基板を用い、最初は基板温度を
１００℃で鉛フタロシアニンを1 μｍ蒸着し、すなわ
ち、三斜晶系の鉛フタロシアニン蒸着膜を作製した。次
に、この基板を室温にして鉛フタロシアニンの蒸着を行
ない、三斜晶の蒸着膜の上に単斜晶の薄膜を1 μｍ積層
し、上部電極の金を蒸着した。この結晶系の異なった積
層膜を持つ素子について実施例１と同じ方法により雰囲
気処理を行った。
【００１０】その結果は、実施例１と同様に、雰囲気処
理を行なう前はI-V 特性は非線形伝導を示し、スイッチ
ングは観測されないが、雰囲気処理を施すと印加電圧に
依存するスイッチング・メモリー複合素子が製造できた
（図５）。実施例１、２およびこの実施例３に記したよ
うに、鉛フタロシアニン蒸着膜の結晶系や配向性等に関
係なく本発明はスイッチング・メモリー複合素子の製造
に極めて有効であることは明らかである。
理を行なう前はI-V 特性は非線形伝導を示し、スイッチ
ングは観測されないが、雰囲気処理を施すと印加電圧に
依存するスイッチング・メモリー複合素子が製造できた
（図５）。実施例１、２およびこの実施例３に記したよ
うに、鉛フタロシアニン蒸着膜の結晶系や配向性等に関
係なく本発明はスイッチング・メモリー複合素子の製造
に極めて有効であることは明らかである。
【００１１】（実施例４）次に、本発明の第４の実施例
について説明する。この実施例では、有機半導体に亜鉛
フタロシアニン（ZnPc）を用い、実施例１と同様に真空
蒸着法により金を下部電極とした石英ガラス基板上に0.
5 μｍ蒸着し、次に上部電極（金）を蒸着した後、以
下、実施例１と同じ方法により雰囲気処理を行った。結
果は実施例１と同様に雰囲気処理を行なう前はI-V 特性
は非線形伝導を示し、スイッチングは観測されないが雰
囲気処理を施すと印加電圧に依存するスイッチング・メ
モリー複合素子が製造できた（図６）。本発明において
用いられる材料は、上記の実施例から容易に類推できる
ように、ガスの吸脱着に非常に敏感な有機材料であり、
実施例１、２、３およびこの実施例４で用いられた有機
材料の他にポルフィリン金属錯体、フタロシアニンおよ
びフタロシアニン類縁化合物、例えば、H2Pc、MPc(M=M
g, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Si, Al等) 、更には芳香
族炭化水素（アントラセン、ペリレン等）、電荷移動錯
体（TTF-TCNQ等）などが挙げられる。
について説明する。この実施例では、有機半導体に亜鉛
フタロシアニン（ZnPc）を用い、実施例１と同様に真空
蒸着法により金を下部電極とした石英ガラス基板上に0.
5 μｍ蒸着し、次に上部電極（金）を蒸着した後、以
下、実施例１と同じ方法により雰囲気処理を行った。結
果は実施例１と同様に雰囲気処理を行なう前はI-V 特性
は非線形伝導を示し、スイッチングは観測されないが雰
囲気処理を施すと印加電圧に依存するスイッチング・メ
モリー複合素子が製造できた（図６）。本発明において
用いられる材料は、上記の実施例から容易に類推できる
ように、ガスの吸脱着に非常に敏感な有機材料であり、
実施例１、２、３およびこの実施例４で用いられた有機
材料の他にポルフィリン金属錯体、フタロシアニンおよ
びフタロシアニン類縁化合物、例えば、H2Pc、MPc(M=M
g, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Si, Al等) 、更には芳香
族炭化水素（アントラセン、ペリレン等）、電荷移動錯
体（TTF-TCNQ等）などが挙げられる。
【００１２】（実施例５）次に、本発明の第５の実施例
について説明する。この実施例では、先の各実施例１、
２、３、４で製造されたスイッチング・メモリー複合素
子の表面にフッ素樹脂を約 0.01-0.1mm の厚さで覆った
（図２）。その結果、素子の特性（スイッチング、メモ
リー特性）は製造時と変化せずに大気中での素子動作を
安定にすることが可能となった。
について説明する。この実施例では、先の各実施例１、
２、３、４で製造されたスイッチング・メモリー複合素
子の表面にフッ素樹脂を約 0.01-0.1mm の厚さで覆った
（図２）。その結果、素子の特性（スイッチング、メモ
リー特性）は製造時と変化せずに大気中での素子動作を
安定にすることが可能となった。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、金属／有機半導
体／金属の構造からなる素子に対して雰囲気処理を施す
ことによりスイッチング・メモリー複合素子を容易に再
現性よく製造できる。更に、フッ素樹脂の封止により大
気中での素子動作が安定に行なえる優れたスイッチング
・メモリー複合素子を実現できるものである。
体／金属の構造からなる素子に対して雰囲気処理を施す
ことによりスイッチング・メモリー複合素子を容易に再
現性よく製造できる。更に、フッ素樹脂の封止により大
気中での素子動作が安定に行なえる優れたスイッチング
・メモリー複合素子を実現できるものである。
【図１】本発明において使用される有機薄膜素子の構造
図
図
【図２】フッ素樹脂による保護膜を設けた有機薄膜スイ
ッチング・メモリー複合素子の構造図
ッチング・メモリー複合素子の構造図
【図３】（ａ）本発明の第１の実施例における有機薄膜
（単斜晶のPbPc）素子製造直後の電流−電圧（I-V ）特
性の図 （ｂ）上記有機薄膜素子の乾燥空気中に２日間保存後の
I-V 特性の図 （ｃ）（ｂ）の処理後、さらに真空下で２日間保存後の
I-V 特性の図
（単斜晶のPbPc）素子製造直後の電流−電圧（I-V ）特
性の図 （ｂ）上記有機薄膜素子の乾燥空気中に２日間保存後の
I-V 特性の図 （ｃ）（ｂ）の処理後、さらに真空下で２日間保存後の
I-V 特性の図
【図４】本発明の第２の実施例における三斜晶の鉛フタ
ロシアニン蒸着膜の素子のスイッチング特性の図。
ロシアニン蒸着膜の素子のスイッチング特性の図。
【図５】本発明の第３の実施例における異なった結晶系
の積層構造（単斜晶／三斜晶）を持つ素子のスイッチン
グ特性の図。
の積層構造（単斜晶／三斜晶）を持つ素子のスイッチン
グ特性の図。
【図６】本発明の第４の実施例における亜鉛フタロシア
ニン蒸着膜の素子のスイッチング特性の図。
ニン蒸着膜の素子のスイッチング特性の図。
１ 石英ガラス基板 ２ 下部金電極 ３ 上部金電極 ４ 有機薄膜 ５ フッ素樹脂
フロントページの続き (72)発明者 南 部 太 郎 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 村 上 睦 明 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 金属／有機半導体／金属の構造をもつ素
子に対して、ガスの暴露、排気を行なうことを特徴とす
る有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の製造方
法。 - 【請求項２】 有機半導体がガスに暴露されることによ
り電気伝導度が増加あるいは減少する特性を持つもので
ある請求項１に記載の有機薄膜スイッチング・メモリー
複合素子の製造方法。 - 【請求項３】 有機半導体が種々の有機薄膜の積層膜で
あることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜スイッチ
ング・メモリー複合素子の製造方法。 - 【請求項４】 有機半導体が蒸着法、ＬＢ法により積層
された有機薄膜からなることを特徴とする請求項１、
２、３のいずれかに記載の有機薄膜スイッチング・メモ
リー複合素子の製造方法。 - 【請求項５】 有機半導体がフタロシアニン系薄膜であ
る請求項１記載の有機薄膜スイッチング・メモリー複合
素子の製造方法。 - 【請求項６】 暴露するガスが大気であることを特徴と
する請求項１記載の有機薄膜スイッチング・メモリー複
合素子の製造方法。 - 【請求項７】 排気する方法が真空保存であることを特
徴とする請求項１記載の有機薄膜スイッチング・メモリ
ー複合素子の製造方法。 - 【請求項８】 金属／有機半導体／金属の構造をもつ素
子を一定時間ガスに暴露する段階と、ガスに暴露した後
の前記素子に対して一定時間ガスの抜去操作を行なう段
階とから成る有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子
の製造方法。 - 【請求項９】 素子を一定時間ガスに暴露する段階にお
いて、前記素子は大気中に放置されることを特徴とする
請求項８記載の有機薄膜スイッチング・メモリー複合素
子の製造方法。 - 【請求項１０】 ガスに暴露した後の前記素子に対して
一定時間ガスの抜去操作を行なう段階において、前記素
子は真空中に放置されることを特徴とする請求項８また
は９記載の有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の
製造方法。 - 【請求項１１】 基材の上に、金属／有機半導体／金属
を積層して成る素子構造に対して、この素子構造の最上
層にフッ素樹脂から成る保護膜被覆したことを特徴とす
る有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6249629A JPH08116109A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の製造方法および有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6249629A JPH08116109A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の製造方法および有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08116109A true JPH08116109A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17195875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6249629A Pending JPH08116109A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子の製造方法および有機薄膜スイッチング・メモリー複合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08116109A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1381054A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-01-14 | Pioneer Corporation | Organic memory device |
| US6730930B2 (en) | 2000-08-09 | 2004-05-04 | Infineon Technologies, Ag | Memory element and method for fabricating a memory element |
| CN100454547C (zh) * | 2002-05-31 | 2009-01-21 | 日本先锋公司 | 半导体存储元件及为此的寿命操作开始装置 |
| US7745827B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| US8018755B2 (en) | 2007-09-03 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device, semiconductor device, and electronic device |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP6249629A patent/JPH08116109A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730930B2 (en) | 2000-08-09 | 2004-05-04 | Infineon Technologies, Ag | Memory element and method for fabricating a memory element |
| CN100454547C (zh) * | 2002-05-31 | 2009-01-21 | 日本先锋公司 | 半导体存储元件及为此的寿命操作开始装置 |
| EP1381054A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-01-14 | Pioneer Corporation | Organic memory device |
| US6947321B2 (en) | 2002-07-12 | 2005-09-20 | Pioneer Corporation | Organic thin-film switching memory device and memory device |
| US7745827B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| US8018755B2 (en) | 2007-09-03 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device, semiconductor device, and electronic device |
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