JPH08115950A - Inner lead bonder - Google Patents
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- JPH08115950A JPH08115950A JP6250876A JP25087694A JPH08115950A JP H08115950 A JPH08115950 A JP H08115950A JP 6250876 A JP6250876 A JP 6250876A JP 25087694 A JP25087694 A JP 25087694A JP H08115950 A JPH08115950 A JP H08115950A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、インナーリードボンダ
ーに関し、特にテープ・オートメーティッド・ボンディ
ング（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ
（ＴＡＢ））方式のインナーリードボンダーに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inner lead bonder, and more particularly to tape automated bonding (Tape Automated Bonding).
(TAB)) type inner lead bonder.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４及び図５を参照しながら、従来の技
術を説明する。従来のＴＡＢ方式のインナーリードボン
ダーは、ＴＡＢテープ７をボンディングガイド（上クラ
ンパ）１とテープクランパ（下クランパ）によって固定
し、ボンディングステージ４上に載置され、真空吸着等
の方法で固定された半導体装置５の上面に形成された電
極６とベースフィルム８及び配線９によって形成される
ＴＡＢテープ７のインナーリード９ａとを目合わせした
後、４００乃至６００度に加熱されたボンディングツー
ル３によってインナーリード９ａと電極６とを加圧、加
熱して接合している。2. Description of the Related Art A conventional technique will be described with reference to FIGS. In a conventional TAB type inner lead bonder, a TAB tape 7 is fixed by a bonding guide (upper clamper) 1 and a tape clamper (lower clamper), placed on a bonding stage 4, and fixed by a method such as vacuum suction. After aligning the electrodes 6 formed on the upper surface of the semiconductor device 5 with the inner leads 9a of the TAB tape 7 formed by the base film 8 and the wiring 9, the inner leads are heated by the bonding tool 3 heated to 400 to 600 degrees. 9a and the electrode 6 are pressed and heated to bond them.
【０００３】このとき、ボンディングステージ４は、４
００乃至６００度に加熱されたボンディングツール３か
らの熱によって半導体装置５に熱によるストレスが加わ
り電極６が剥がれる等の不良の発生を減少させるため
に、予め１００乃至２００度に加熱保持されている。し
たがって、半導体装置５もボンディングステージ４と同
様に１００乃至２００度に加熱され、温度差により半導
体装置５に加わるストレスを少なくすることができる。At this time, the bonding stage 4 has four
In order to reduce the occurrence of defects such as peeling of the electrode 6 due to thermal stress applied to the semiconductor device 5 due to the heat from the bonding tool 3 heated to 00 to 600 degrees, the semiconductor device 5 is heated and held at 100 to 200 degrees in advance. . Therefore, the semiconductor device 5 is also heated to 100 to 200 degrees similarly to the bonding stage 4, and the stress applied to the semiconductor device 5 due to the temperature difference can be reduced.
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、不良の
発生を防ぐために半導体装置５を予め加熱していること
によって、半導体装置５は熱膨張する。半導体装置５が
熱膨張することによって複数の電極６間のピッチ（間
隔）も所期の値より大きくなる。これに対して、ＴＡＢ
テープ７は何等加熱されていないため膨張収縮すること
はなく、各々のインナーリード９ａの間隔は所期の値か
ら変化しない。したがって、半導体装置５の電極６の間
隔と、インナーリード９ａとの間隔がずれ、ボンディン
グ不良が起こる。However, by heating the semiconductor device 5 in advance in order to prevent the occurrence of defects, the semiconductor device 5 thermally expands. Due to the thermal expansion of the semiconductor device 5, the pitch (spacing) between the plurality of electrodes 6 also becomes larger than a desired value. On the other hand, TAB
Since the tape 7 is not heated at all, it does not expand or contract, and the interval between the inner leads 9a does not change from the expected value. Therefore, the gap between the electrode 6 of the semiconductor device 5 and the gap between the inner lead 9a and the inner lead 9a are deviated, and defective bonding occurs.
【０００４】例えば、シリコンでできている半導体装置
５を２００度に加熱した場合、シリコンの線膨張係数が
約４＊１０-6ｍｍ／度であるため常温２５度の寸法に対
して（２００−２５）＊４＊１０-6＝０．７＊１０-3ｍ
ｍとなり、０．０７％の寸法変化を起こすことになる。
半導体装置５の一辺が１７ｍｍであったとき、半導体装
置５の一辺は１１．９μｍ大きくなる。したがって、イ
ンナーリード９ａの間隔が狭い場合、半導体装置５とＴ
ＡＢテープ７との寸法差が１１．９μｍも生じると接触
不良が起きる。さらに、半導体装置５の集積度が増すと
電極６及びインナーリード９ａの間隔は狭くなり、熱膨
張等による僅かな寸法差によって接触不良が起きる。For example, when the semiconductor device 5 made of silicon is heated to 200 degrees, since the linear expansion coefficient of silicon is about 4 * 10 −6 mm / degree, it is (200 − 25) * 4 * 10 -6 = 0.7 * 10 -3 m
m, which causes a dimensional change of 0.07%.
When the side of the semiconductor device 5 is 17 mm, the side of the semiconductor device 5 is increased by 11.9 μm. Therefore, when the distance between the inner leads 9a is small, the semiconductor device 5 and the T
If the dimensional difference from the AB tape 7 is 11.9 μm, contact failure occurs. Further, as the degree of integration of the semiconductor device 5 increases, the gap between the electrode 6 and the inner lead 9a becomes narrower, and a contact failure occurs due to a slight dimensional difference due to thermal expansion or the like.
【０００５】したがって、本発明の目的は電極とインナ
ーリード９ａとが接触不良を起こさないインナーリード
ボンダーを提供することにある。Therefore, it is an object of the present invention to provide an inner lead bonder in which contact failure between the electrode and the inner lead 9a does not occur.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のインナーリード
ボンダーは、フィルム上にインナーリードが形成された
ＴＡＢテープと、前記ＴＡＢテープを下方から保持する
下クランパと、前記下クランパに対向して設けられＴＡ
Ｂテープを上方から保持する上クランパと、前記下クラ
ンパ及び上クランパの間に前記ＴＡＢテープを搬送する
搬送器と、複数の電極を有する半導体装置を載置し加熱
するステージと、前記半導体装置に前記上クランパ及び
下クランパによって保持された前記ＴＡＢテープの前記
インナーリードを接続するボンディングツールとを有す
るインナーリードボンダーであって、前記ＴＡＢテープ
を加熱する加熱手段をさらに設けたことを特徴とする。An inner lead bonder of the present invention is provided with a TAB tape having inner leads formed on a film, a lower clamper for holding the TAB tape from below, and a lower clamper opposed to the lower clamper. TA
An upper clamper for holding the B tape from above, a transporter for transporting the TAB tape between the lower clamper and the upper clamper, a stage for mounting and heating a semiconductor device having a plurality of electrodes, and a semiconductor device for the semiconductor device. An inner lead bonder having a bonding tool for connecting the inner leads of the TAB tape held by the upper clamper and the lower clamper, further comprising heating means for heating the TAB tape.
【０００７】[0007]
【作用】このように、ＴＡＢテープを加熱する加熱する
手段を設け、ＴＡＢテープを熱膨張させることによっ
て、加熱された半導体装置の熱膨張による電極の間隔の
変化に対応してＴＡＢテープのインナーリードの間隔を
変化させることができ、電極とインナーリードとの接触
不良を防止することができる。As described above, by providing the heating means for heating the TAB tape and thermally expanding the TAB tape, the inner lead of the TAB tape is responded to the change in the electrode interval due to the thermal expansion of the heated semiconductor device. It is possible to change the distance between the electrodes and prevent contact failure between the electrode and the inner lead.
【０００８】[0008]
【実施例】図１及び図２を参照して、本発明の第１の実
施例を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【０００９】図１は本発明の第１の実施例のインナーリ
ードボンダーを示す断面図であり、図２は位置合わせ時
の半導体装置５とベースフィルム８及び配線９によって
構成されるＴＡＢテープ７のインナーリード９ａの上面
図を示している。基本的な構成は従来技術で説明したも
のと同じであるが、ボンディングガイド１とテープクラ
ンパ２とを加熱するためにヒーター１０を設けた点で異
なる。ＴＡＢテープ７はボンディングガイド１とテープ
クランパ２とによって挟まれて保持されるため、ＴＡＢ
テープ７はボンディングガイド１及びテープクランパ２
によって加熱される。従来技術と同様に半導体装置５が
シリコンによって形成され２００度に加熱されている場
合、一辺が１７ｍｍの半導体装置５は１１．９μｍ熱膨
張している。ここで、ＴＡＢテープ７のベースフィルム
８には通常ポリイミドを使用し、ポリイミドの線膨張係
数は１８＊１０-6ｍｍ／度であるため、ＴＡＢテープを
９０度まで昇温することによって、常温を２５度とする
とＴＡＢテープの熱膨張は（９０−２５）＊１８＊１０
-6＝１１．７μｍとなり２００度に加熱された半導体装
置５の熱膨張１１．８μｍとほぼ一致する。したがっ
て、ＴＡＢテープ７のベースフィルム８がポリイミドに
よって形成されているときはＴＡＢテープ７を９０度ま
で昇温すればよいことが解る。なお、第１の実施例では
ヒーター１０を上クランパ１内に形成したものを示した
が、下クランパ２内に形成することも、上クランパ１及
び下クランパ２の両方にヒーターを形成することも必要
に応じて行うことができる。FIG. 1 is a sectional view showing an inner lead bonder according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a TAB tape 7 composed of a semiconductor device 5 and a base film 8 and wiring 9 during alignment. The top view of the inner lead 9a is shown. The basic structure is the same as that described in the related art, except that a heater 10 is provided to heat the bonding guide 1 and the tape clamper 2. Since the TAB tape 7 is held by being sandwiched between the bonding guide 1 and the tape clamper 2,
The tape 7 is a bonding guide 1 and a tape clamper 2.
Heated by. When the semiconductor device 5 is made of silicon and is heated to 200 degrees as in the prior art, the semiconductor device 5 having a side of 17 mm is thermally expanded by 11.9 μm. Here, polyimide is usually used for the base film 8 of the TAB tape 7, and the coefficient of linear expansion of the polyimide is 18 * 10 −6 mm / degree. At 25 degrees, the thermal expansion of the TAB tape is (90-25) * 18 * 10.
-6 = 11.7 μm, which is almost equal to the thermal expansion of 11.8 μm of the semiconductor device 5 heated to 200 degrees. Therefore, it is understood that when the base film 8 of the TAB tape 7 is made of polyimide, the TAB tape 7 may be heated to 90 degrees. Although the heater 10 is formed in the upper clamper 1 in the first embodiment, it may be formed in the lower clamper 2 or in both the upper clamper 1 and the lower clamper 2. It can be done as needed.
【００１０】図３は本発明の第２の実施例のインナーリ
ードボンダーを示す断面図である。第１の実施例と異な
るのはボンディングガイド１とテープクランパ２を加熱
するためにヒーター１０ではなく、エアーもしくはガス
による高温ブローによって加熱するためにブロー装置１
１を設けたものを示している。第２の実施例によれば第
１の実施例のようにヒーター１０をボンディングガイド
１内に形成することなくボンディングガイド１及びテー
プクランパ２とを加熱することができ、従来使用してい
る装置をそのまま使用することができる。すなわち、従
来の装置にブロー装置１１を付加し、ＴＡＢテープ７を
加熱することによって半導体装置５の間隔及びインナー
リード９ａの間隔の熱膨張による変化量を合わせること
ができるなお、図面には示していないがＴＡＢテープ７
をボンディングガイド１及びテープクランパ２に載置す
る前のＴＡＢテープ７を搬送するＴＡＢテープ搬送器に
おいて、予め加熱しておいても同様な効果を得ることが
できる。FIG. 3 is a sectional view showing an inner lead bonder of a second embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is not the heater 10 for heating the bonding guide 1 and the tape clamper 2 but the blowing device 1 for heating by high temperature blowing with air or gas.
1 is provided. According to the second embodiment, it is possible to heat the bonding guide 1 and the tape clamper 2 without forming the heater 10 in the bonding guide 1 as in the first embodiment. It can be used as it is. That is, by adding the blower 11 to the conventional device and heating the TAB tape 7, it is possible to match the amount of change in the distance between the semiconductor device 5 and the distance between the inner leads 9a due to thermal expansion. Not a TAB tape 7
In a TAB tape transporter that transports the TAB tape 7 before being placed on the bonding guide 1 and the tape clamper 2, the same effect can be obtained even if it is heated in advance.
【００１１】さらに、第１及び第２の実施例では半導体
装置がシリコン、ＴＡＢテープがポリイミドで形成され
たものについて示したが、半導体装置の熱膨張率とＴＡ
Ｂテープの熱膨張率とを予め計測し、半導体装置の熱膨
張に対応してＴＡＢテープに加える熱を調整することに
よって種々の材質の半導体装置及びＴＡＢテープに対応
させることができることは言うまでもない。In the first and second embodiments, the semiconductor device is made of silicon and the TAB tape is made of polyimide. However, the coefficient of thermal expansion of the semiconductor device and TA
It goes without saying that the thermal expansion coefficient of the B tape can be measured in advance, and the heat applied to the TAB tape can be adjusted according to the thermal expansion of the semiconductor device, so that the semiconductor device and the TAB tape of various materials can be used.
【００１２】[0012]
【発明の効果】このように、半導体装置が加熱され膨張
することによって生じる電極の間隔の変化に対して、Ｔ
ＡＢテープを熱膨張率に応じて加熱する手段を設けるこ
とによってＴＡＢテープのインナーリードの間隔を電極
の間隔の変化に追従させ電極とＴＡＢテープのインナー
リードとの間隔のずれによる接触不良を防止することが
でき、歩留まりを向上させることができる。As described above, when the semiconductor device is heated and expanded, the T
By providing a means for heating the AB tape according to the coefficient of thermal expansion, the gap between the inner leads of the TAB tape is made to follow the change in the gap between the electrodes, and contact failure due to the gap between the electrodes and the inner leads of the TAB tape is prevented. Therefore, the yield can be improved.
【図１】本発明の第１の実施例のインナーリードボンダ
ーの断面図FIG. 1 is a sectional view of an inner lead bonder according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例の半導体装置の上面図FIG. 2 is a top view of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施例のインナーリードボンダ
ーの断面図FIG. 3 is a sectional view of an inner lead bonder according to a second embodiment of the present invention.
【図４】従来のインナーリードボンダーの断面図FIG. 4 is a sectional view of a conventional inner lead bonder.
【図５】従来の半導体装置の上面図FIG. 5 is a top view of a conventional semiconductor device.
１ ボンディングガイド（上クランパ） ２ テープクランパ（下クランパ） ３ ボンディングツール ４ ボンディングステージ ７ ＴＡＢテープ ９ａ インナーリード １０ ヒーター １１ ブロー装置 1 Bonding guide (upper clamper) 2 Tape clamper (lower clamper) 3 Bonding tool 4 Bonding stage 7 TAB tape 9a Inner lead 10 Heater 11 Blow device
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成７年２月１０日[Submission date] February 10, 1995
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】（ａ）本発明の第１の実施例のインナーリード
バンダーの断面図 （ｂ）本発明の第１の実施例の半導体装置の上面図FIG. 1A is a sectional view of an inner lead bander according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a top view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例のインナーリードボンダ
ーの断面図FIG. 2 is a sectional view of an inner lead bonder according to a second embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）従来のインナーリードボンダーの断面図 （ｂ）従来の半導体装置の上面図FIG. 3A is a sectional view of a conventional inner lead bonder. FIG. 3B is a top view of a conventional semiconductor device.
Claims (8)
ＴＡＢテープと、前記ＴＡＢテープを下方から保持する
下クランパと、前記下クランパに対向して設けられＴＡ
Ｂテープを上方から保持する上クランパと、前記下クラ
ンパ及び上クランパの間に前記ＴＡＢテープを搬送する
搬送器と、複数の電極を有する半導体装置を載置し加熱
するステージと、前記半導体装置に前記上クランパ及び
下クランパによって保持された前記ＴＡＢテープの前記
インナーリードを接続するボンディングツールとを有す
るインナーリードボンダーであって、前記ＴＡＢテープ
を加熱する加熱手段をさらに設けたことを特徴とするイ
ンナーリードボンダー。1. A TAB tape having inner leads formed on a film, a lower clamper for holding the TAB tape from below, and a TA provided to face the lower clamper.
An upper clamper for holding the B tape from above, a transporter for transporting the TAB tape between the lower clamper and the upper clamper, a stage for mounting and heating a semiconductor device having a plurality of electrodes, and a semiconductor device for the semiconductor device. An inner lead bonder having a bonding tool for connecting the inner leads of the TAB tape held by the upper clamper and the lower clamper, further comprising heating means for heating the TAB tape. Lead bonder.
ことによって前記ＴＡＢテープを加熱することを特徴と
する請求項１記載のインナーリードボンダー。2. The inner lead bonder according to claim 1, wherein the heating means heats the TAB tape by heating the upper clamper.
ことによって前記ＴＡＢテープを加熱することを特徴と
する請求項１記載のインナーリードボンダー。3. The inner lead bonder according to claim 1, wherein the heating means heats the TAB tape by heating the lower clamper.
ンパを加熱することによって前記ＴＡＢテープを加熱す
ることを特徴とする請求項１記載のインナーリードボン
ダー。4. The inner lead bonder according to claim 1, wherein the heating means heats the TAB tape by heating the upper clamper and the lower clamper.
クランパ内に設けられたヒータであることを特徴とする
請求項２及び３記載のインナーリードボンダー。5. The inner lead bonder according to claim 2, wherein the heating means is a heater provided in the upper clamper or the lower clamper.
ンパ内に設けられたヒータであることを特徴とする請求
項４記載のインナーリードボンダー。6. The inner lead bonder according to claim 4, wherein the heating means is a heater provided in the upper clamper and the lower clamper.
ンパによって保持された前記ＴＡＢテープを熱風によっ
て加熱することを特徴とする請求項１記載のインナーリ
ードボンダー。7. The inner lead bonder according to claim 1, wherein the heating means heats the TAB tape held by the upper clamper and the lower clamper with hot air.
送器によって搬送されている間に前記ＴＡＢテープを加
熱することを特徴とする請求項１記載のインナーリード
ボンダー。8. The inner lead bonder according to claim 1, wherein the heating means heats the TAB tape while the TAB tape is being conveyed by the conveyor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6250876A JPH08115950A (en) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | Inner lead bonder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6250876A JPH08115950A (en) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | Inner lead bonder |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115950A true JPH08115950A (en) | 1996-05-07 |
Family
ID=17214333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6250876A Pending JPH08115950A (en) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | Inner lead bonder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08115950A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605523B2 (en) | 2000-03-10 | 2003-08-12 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01144643A (en) * | 1987-12-01 | 1989-06-06 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH05190605A (en) * | 1992-01-09 | 1993-07-30 | Nec Kansai Ltd | Assembling device and method for tab type semiconductor device |
| JPH05243334A (en) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electromagnetic induction heating carrying apparatus |
-
1994
- 1994-10-17 JP JP6250876A patent/JPH08115950A/en active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961217 |