JPH08114818A - Thin-film transistor type liquid crystal display device - Google Patents

Thin-film transistor type liquid crystal display device

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JPH08114818A
JPH08114818A JP24936294A JP24936294A JPH08114818A JP H08114818 A JPH08114818 A JP H08114818A JP 24936294 A JP24936294 A JP 24936294A JP 24936294 A JP24936294 A JP 24936294A JP H08114818 A JPH08114818 A JP H08114818A
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JP
Japan
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liquid crystal
thin film
crystal display
display device
film transistor
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Application number
JP24936294A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Miyashita
喜好 宮下
Yasutaka Yamagishi
庸恭 山岸
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To obtain a liquid crystal image display of a wide visual field angle and high grade by having a wide visible range of a high contrast ratio having symmetry in prescribed visual angle directions and eliminating a gradation inversion at the prescribed visual angle and voltage. CONSTITUTION: Pixel electrodes 1 or counter electrodes 17 varying in height are formed on at least one of glass substrates 7A, 7B of a pixel electrode substrate (TFT substrate) 1 or counter electrode substrate 2 in the effective display region of the pixel parts of a thin-film transistor type liquid crystal display device, by which liquid crystal domains varying in electro-optical characteristics are generated within the prescribed regions of the pixels. The display images over the entire part of the liquid crystal display device eventually display the average of the visual angle-transmission curve of different kinds of liquid crystal domains generated within the pixels if the device is formed in such a manner and, therefore, the wide visible range of the high contrast ratio having the symmetry in the vertical and lateral visual angle directions is obtd. and the gradation inversion at the prescribed visual angle and voltage does not arise any more.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ(以
下、TFTという)を用いた薄膜トランジスタ型液晶表
示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor type liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT).

【0002】[0002]

【従来の技術】図9は従来の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置におけるTFTのチャネル部の一部断面図を示
す。図9において、TFT基板(1)では、ガラス基板7
A上に画素電極1、第1絶縁膜8、ゲート電極2,5
(TFT部,前段ゲート部)の順に形成され、さらにその
上にゲート酸化膜9、半導体層10、オーミックコンタク
ト層12が順次形成される。そして、その上にドレイン電
極4,6(TFT部,前段ゲート部)、ソース電極3が形
成され、その上に第2絶縁膜11が形成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 9 is a partial sectional view of a channel portion of a TFT in a conventional thin film transistor type liquid crystal display device. In FIG. 9, in the TFT substrate (1), the glass substrate 7
Pixel electrode 1, first insulating film 8, gate electrodes 2, 5 on A
(TFT portion, pre-stage gate portion) are formed in this order, and a gate oxide film 9, a semiconductor layer 10, and an ohmic contact layer 12 are sequentially formed thereon. Then, drain electrodes 4, 6 (TFT portion, pre-stage gate portion) and source electrode 3 are formed thereon, and a second insulating film 11 is formed thereon.

【0003】図10は従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の一部断面図を示す。図10において、TFT基板
(1)と液晶20を挟んで相対する対向電極基板(2)は、ガラ
ス基板7B上(図面上では下方)にブラックマトリクス層
14,カラーフィルタ層15が形成され、その上に保護膜16
が形成されている。そして、その上に対向電極17が形成
されており、TFT基板(1)および対向電極基板(2)の両
方に配向膜18A,18Bが形成され、両電極基板の配向膜
18A,18B間でセル厚dが保たれ、そこに液晶20が注入
される。また、TFT基板(1)と対向電極基板(2)の外面
には偏光板19A,19Bが設けられている。TFT基板
(1)の構成については、前記図9と同様である。
FIG. 10 is a partial sectional view of a conventional thin film transistor type liquid crystal display device. In FIG. 10, the TFT substrate
The counter electrode substrate (2) facing the liquid crystal 20 with (1) is a black matrix layer on the glass substrate 7B (downward in the drawing).
14, the color filter layer 15 is formed, and the protective film 16 is formed thereon.
Are formed. Then, the counter electrode 17 is formed thereon, and the alignment films 18A and 18B are formed on both the TFT substrate (1) and the counter electrode substrate (2).
The cell thickness d is maintained between 18A and 18B, and the liquid crystal 20 is injected therein. Polarizing plates 19A and 19B are provided on the outer surfaces of the TFT substrate (1) and the counter electrode substrate (2). TFT substrate
The configuration of (1) is the same as that of FIG.

【0004】図11は従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置のTFT基板(1)と対向電極基板(2)との間に挟持さ
れる液晶分子の配向規制状態図である。図10に示すTF
T基板(1)の配向膜18Aは、トランジスタ配線または画
素電極1に対し、45度傾斜した方向23a,24a,25a,26a
に表面処理(AR側ラビング)され、対向電極基板(2)上
の配向膜18Bには前記配向膜18Aを配向処理した方向に
対し、90度傾斜させた方向23b,24b,25b,26bに表面処
理(CF側ラビング)されている。ただし、両基板(1),
(2)間の配向方向の組み合わせはネマチック液晶中に微
少量含有される光学活性化合物によって液晶分子のねじ
れ旋回方向が決定されるため、例えば液晶分子が右旋回
ねじれ配向を有するならば、両基板(1),(2)間の配向膜
の配向方向の組み合わせは(23a,23b),(24a,24b)とな
る。
FIG. 11 is an alignment regulation state diagram of liquid crystal molecules sandwiched between a TFT substrate (1) and a counter electrode substrate (2) of a conventional thin film transistor type liquid crystal display device. TF shown in FIG.
The alignment film 18A of the T substrate (1) has a direction 23a, 24a, 25a, 26a inclined by 45 degrees with respect to the transistor wiring or the pixel electrode 1.
The surface of the alignment film 18B on the counter electrode substrate (2) is surface-treated (AR side rubbing), and the surface is formed in a direction 23b, 24b, 25b, 26b inclined by 90 degrees with respect to the direction of the alignment treatment of the alignment film 18A. It has been processed (rubbing on the CF side). However, both boards (1),
The combination of the alignment directions between (2) is because the twisting and turning direction of the liquid crystal molecules is determined by the optically active compound contained in the nematic liquid crystal in a small amount. The combinations of the alignment directions of the alignment films between the substrates (1) and (2) are (23a, 23b) and (24a, 24b).

【0005】一方、液晶分子が左旋回ねじれ配向を有す
るならば、両基板(1),(2)間の配向膜の配向方向の組み
合わせは(25a,25b),(26a,26b)となる。その結果、前
記配向膜18A,18Bの液晶分子配向規制方向と液晶分子
のねじれ旋回方向を組み合わせることにより、液晶表示
セル中で安定なモノドメインが形成されることになる。
On the other hand, if the liquid crystal molecules have a left-handed twist alignment, the combination of the alignment directions of the alignment films between the substrates (1) and (2) is (25a, 25b), (26a, 26b). As a result, a stable monodomain is formed in the liquid crystal display cell by combining the liquid crystal molecule alignment regulating direction of the alignment films 18A and 18B and the twisting and rotating direction of the liquid crystal molecules.

【0006】図12は従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の上下視角方向での入射角に対するコントラスト比
依存特性図である。ただし、液晶表示セルの法線方向の
入射角を0度とし、上方向をプラス、下方向をマイナス
の角度で示している。コントラスト比10対1の範囲の視
角特性は上25度、下60度となり、上下方向に対するコン
トラスト比分布曲線27は非対称な形状となる。ちなみに
左右視角範囲では、左右方向に対するコントラスト比分
布曲線は対称な形状となり、例えばコントラスト比10対
1の範囲の視角特性は右50度、左50度となる。
FIG. 12 is a characteristic diagram showing the contrast ratio dependence of the conventional thin film transistor type liquid crystal display device with respect to the incident angle in the vertical viewing angle direction. However, the incident angle in the normal direction of the liquid crystal display cell is 0 degree, the upward direction is shown as a plus angle, and the downward direction is shown as a minus angle. The viewing angle characteristics in the range of the contrast ratio of 10: 1 are 25 degrees above and 60 degrees below, and the contrast ratio distribution curve 27 in the vertical direction has an asymmetric shape. Incidentally, in the left-right viewing angle range, the contrast ratio distribution curve in the left-right direction has a symmetrical shape, and for example, the viewing angle characteristics in the range of the contrast ratio of 10: 1 are 50 degrees to the right and 50 degrees to the left.

【0007】図13は従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置での上下視角方向に対する8階調表示の透過率依存
特性図(正面方向のときのV−T曲線)を示す。ただし、
液晶表示セルの法線方向の入射角度を0度とし、上方向
をプラス、下方向をマイナスの角度で示している。な
お、ここで透過率T(%)は無印加電圧時を100%として
いる。階調レベル(液晶に印加される電圧レベル)は、図
14に示すように正面方向における印加電圧(V)−透過率
T(%)曲線の印加電圧範囲(0〜5V)の最大透過率(T
8)と最小透過率(T1)間を7等分し、それぞれの透過
率Tに対応する電圧値V(V8〜V1)を用いている。
FIG. 13 shows a transmittance-dependent characteristic diagram (VT curve in the front direction) of 8-gradation display in the vertical viewing angle direction in a conventional thin film transistor type liquid crystal display device. However,
The incident angle in the normal direction of the liquid crystal display cell is 0 degrees, the upper direction is positive and the lower direction is negative. Here, the transmittance T (%) is 100% when no voltage is applied. The gradation level (voltage level applied to the liquid crystal) is
As shown in FIG. 14, the maximum transmittance (T) in the applied voltage range (0 to 5 V) of the applied voltage (V) -transmittance T (%) curve in the front direction is shown.
8) and the minimum transmittance (T1) are divided into seven equal parts, and voltage values V (V8 to V1) corresponding to the respective transmittances T are used.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】例えば、T1は電圧値
V1に相当し、T2は電圧値V2に相当する。また、そ
の他の透過率Tと電圧値Vの相関性も以下同様である。
この特性図から、下視角方向において、例えば印加電圧
値がV1のときは、およそ15度で最も透過率が低く、印
加電圧値がV2のときは、およそ20度で最低透過率を示
すことがわかる。その結果、8階調表示時では、約17度
以内でしか階調間の大小関係が保証されず、それ以上の
下視角範囲では透過率の逆転化、すなわち階調反転現象
が生じてしまい、そのときの画像表示状態は不自然で、
事実上、画像の認識が不可能となる。このような現象は
他の隣り合う印加電圧値の場合でも同様に説明される。
さらに、この階調反転現象が起こらない視角範囲は、よ
り高い階調表示時で一層狭くなることがわかる。ちなみ
に左右視角方向における入射角に対する8階調表示の透
過率依存性は各階調レベルで液晶表示セルの法線方向を
中心に左右対称な透過率曲線を示し、前記下視角方向で
発生するような階調反転現象は約40度で見られる。
For example, T1 corresponds to the voltage value V1 and T2 corresponds to the voltage value V2. The other correlations between the transmittance T and the voltage value V are also the same.
From this characteristic diagram, in the downward viewing angle direction, for example, when the applied voltage value is V1, the transmittance is the lowest at about 15 degrees, and when the applied voltage value is V2, the minimum transmittance is shown at about 20 degrees. Recognize. As a result, when displaying 8 gradations, the magnitude relation between gradations is guaranteed only within about 17 degrees, and in the lower viewing angle range beyond that, the reversal of the transmittance, that is, the gradation reversal phenomenon occurs, The image display state at that time is unnatural,
Virtually no image recognition is possible. Such a phenomenon is similarly explained for other adjacent applied voltage values.
Further, it can be seen that the viewing angle range in which the gradation inversion phenomenon does not occur becomes narrower at the higher gradation display. Incidentally, the transmittance dependence of the 8-gradation display with respect to the incident angle in the left-right viewing angle direction shows a symmetrical transmittance curve at each gradation level about the normal direction of the liquid crystal display cell, and it may occur in the lower viewing angle direction. The gradation inversion phenomenon can be seen at about 40 degrees.

【0009】したがって、従来の薄膜トランジスタ型液
晶表示装置では、上下視角方向では高いコントラスト比
を上下バランス良く維持する視角範囲は狭く、また特に
下,左右方向で所定の電圧,視角において発生する階調
反転現象は防ぐことはできず、角度依存性の問題のない
広視野角化設計の薄膜トランジスタ型液晶表示装置が要
求されていた。
Therefore, in the conventional thin film transistor type liquid crystal display device, the viewing angle range for maintaining a high contrast ratio in a good vertical balance is narrow in the vertical viewing angle direction, and the grayscale inversion that occurs at a predetermined voltage and viewing angle especially in the lower and horizontal directions. The phenomenon cannot be prevented, and there has been a demand for a thin film transistor type liquid crystal display device having a wide viewing angle design and having no problem of angle dependency.

【0010】本発明は、このような上下および左右の視
角方向において、対称な高コントラスト比を達成し、特
定視角方向における階調反転または異常な高遮光現象を
防止することで、階調表示の広視野角化および高表示品
質を実現することができる薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の提供を目的とするものである。
The present invention achieves a symmetrical high contrast ratio in the vertical and horizontal viewing angle directions, and prevents grayscale inversion or abnormal high light-shielding phenomenon in the specific viewing angle direction. An object of the present invention is to provide a thin film transistor type liquid crystal display device capable of realizing a wide viewing angle and high display quality.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、請求項1記載の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置は、マトリクス状に配置されたゲート電極とソ
ース電極の交差部に薄膜トランジスタを形成するととも
に前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された状
態に画素電極を形成した画素電極基板と、共通の対向電
極が形成され液晶を挟んで前記画素電極基板に対向する
ように配置された対向電極基板とを備え、かつ画素単位
の有効表示領域において、前記画素電極基板もしくは対
向電極基板の少なくとも一方が異なる高さを有する画素
電極もしくは対向電極を形成したことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a thin film transistor type liquid crystal display device according to claim 1, wherein thin film transistors are provided at intersections of gate electrodes and source electrodes arranged in a matrix. A pixel electrode substrate on which a pixel electrode is formed and connected to the drain electrode of the thin film transistor, and a counter electrode substrate on which a common counter electrode is formed and which is arranged so as to face the pixel electrode substrate with a liquid crystal interposed therebetween. And in at least one of the pixel electrode substrate and the counter electrode substrate, the pixel electrode or the counter electrode having a different height is formed in the effective display area of each pixel.

【0012】請求項2記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項1記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、導電性薄膜が、前記画素電極上に設けら
れ、導電性薄膜を所定の膜厚および面積に調整されてな
る。
A thin film transistor type liquid crystal display device according to a second aspect is the thin film transistor type liquid crystal display device according to the first aspect, wherein a conductive thin film is provided on the pixel electrode, and the conductive thin film has a predetermined thickness and area. It will be adjusted to.

【0013】請求項3記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項1記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、導電性薄膜が、前記対向電極上に設けら
れ、導電性薄膜を所定の膜厚および面積に調整されてな
る。
A thin film transistor type liquid crystal display device according to a third aspect is the thin film transistor type liquid crystal display device according to the first aspect, wherein a conductive thin film is provided on the counter electrode, and the conductive thin film has a predetermined thickness and area. It will be adjusted to.

【0014】請求項4記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項2,3記載の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置において、導電性薄膜の膜厚および面積の少な
くとも一方が隣接した2つの画素どうしで異なる。
A thin film transistor type liquid crystal display device according to a fourth aspect is the thin film transistor type liquid crystal display device according to the second and third aspects, in which at least one of the film thickness and the area of the conductive thin film is different between two adjacent pixels.

【0015】請求項5記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項1記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、導電性薄膜が、前記画素電極上の所定領
域に設けられ、かつ前記所定領域以外の領域の前記対向
電極上に形成されてなる。
A thin film transistor type liquid crystal display device according to a fifth aspect is the thin film transistor type liquid crystal display device according to the first aspect, in which the conductive thin film is provided in a predetermined region on the pixel electrode and in a region other than the predetermined region. Is formed on the counter electrode.

【0016】請求項6記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項1記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、導電性薄膜が、前記画素電極もしくは対
向電極の少なくとも一方に形成され、かつ導電性薄膜が
0.1μm以上の膜厚で形成されてなる。
A thin film transistor type liquid crystal display device according to a sixth aspect is the thin film transistor type liquid crystal display device according to the first aspect, wherein a conductive thin film is formed on at least one of the pixel electrode or the counter electrode, and the conductive thin film is formed.
It is formed with a film thickness of 0.1 μm or more.

【0017】[0017]

【作用】請求項1記載の構成によれば、画素部の有効表
示領域において、画素電極基板もしくは対向電極基板の
少なくとも一方が異なる高さを有する画素電極もしくは
対向電極を形成されるようにしたので、画素内所定領域
に電気光学特性を異ならせる分割された液晶分子配列領
域が形成され、薄膜トランジスタ型液晶表示装置の視野
角特性はそれぞれの分割された液晶分子配列領域の電気
光学特性を平均化したものとなり、所定の視角方向で対
称性のある高コントラスト比視認範囲が得られ、特定の
視角,電圧での階調反転現象が回避される。
According to the structure of claim 1, in the effective display area of the pixel portion, at least one of the pixel electrode substrate and the counter electrode substrate is formed with pixel electrodes or counter electrodes having different heights. , Divided liquid crystal molecule array regions having different electro-optical characteristics are formed in a predetermined area in the pixel, and viewing angle characteristics of the thin film transistor type liquid crystal display device are obtained by averaging the electro-optical characteristics of the respective divided liquid crystal molecule array areas. As a result, a high-contrast ratio visual range having symmetry in a predetermined viewing angle direction can be obtained, and the gradation inversion phenomenon at a specific viewing angle and voltage can be avoided.

【0018】請求項2記載の構成によれば、導電性薄膜
が、画素電極上に設けられ、所定の膜厚および面積に調
整されてなるようにしたので、薄膜トランジスタ型液晶
表示装置の視野角特性は、それぞれの分割された液晶分
子配列領域の電気光学特性を平均化したものとなり、所
定の視角方向で対称性のある高コントラスト比視認範囲
が得られ、特定の視角,電圧での階調反転現象が回避さ
れる。
According to the second aspect of the invention, since the conductive thin film is provided on the pixel electrode and adjusted to have a predetermined film thickness and area, the viewing angle characteristic of the thin film transistor type liquid crystal display device is obtained. Is an average of the electro-optical characteristics of each divided liquid crystal molecule array region, and a high contrast ratio visual range with symmetry in a predetermined viewing angle direction is obtained, and gradation inversion at a specific viewing angle and voltage is achieved. The phenomenon is avoided.

【0019】請求項3記載の構成によれば、導電性薄膜
が、対向電極上に設けられ、所定の膜厚および面積に調
整されてなるようにしたので、薄膜トランジスタ型液晶
表示装置の視野角特性は、それぞれの分割された液晶分
子配列領域の電気光学特性を平均化したものとなり、所
定の視角方向で対称性のある高コントラスト比視認範囲
が得られ、特定の視角,電圧での階調反転現象が回避さ
れる。
According to the third aspect of the invention, since the conductive thin film is provided on the counter electrode and adjusted to have a predetermined film thickness and area, the viewing angle characteristics of the thin film transistor type liquid crystal display device. Is an average of the electro-optical characteristics of each divided liquid crystal molecule array region, and a high contrast ratio visual range with symmetry in a predetermined viewing angle direction is obtained, and gradation inversion at a specific viewing angle and voltage is achieved. The phenomenon is avoided.

【0020】請求項4記載の構成によれば、導電性薄膜
の膜厚および面積の少なくとも一方が隣接した2つの画
素どうしで異なるようにしたので、請求項2,3と同様
の作用を奏する。
According to the fourth aspect of the invention, at least one of the film thickness and the area of the conductive thin film is different between the two adjacent pixels, so that the same operation as the second and third aspects is achieved.

【0021】請求項5記載の構成によれば、導電性薄膜
が、画素電極上の所定領域に設けられ、かつ前記所定領
域以外の領域の対向電極上に同時に形成されてなるよう
にしたので、薄膜トランジスタ型液晶表示装置の視野角
特性はそれぞれの分割された液晶分子配列領域の電気光
学特性を平均化したものとなり、所定の視角方向で対称
性のある高コントラスト比視認範囲が得られ、特定の視
角,電圧での階調反転現象が回避される。
According to the structure of claim 5, the conductive thin film is provided in a predetermined region on the pixel electrode, and is simultaneously formed on the counter electrode in a region other than the predetermined region. The viewing angle characteristics of the thin film transistor type liquid crystal display device are obtained by averaging the electro-optical characteristics of the respective divided liquid crystal molecule alignment regions, and a high contrast ratio visual range having symmetry in a predetermined viewing angle direction can be obtained, The gradation inversion phenomenon at the viewing angle and the voltage is avoided.

【0022】請求項6記載の構成によれば、0.1μm以上
の導電性薄膜が画素電極もしくは対向電極の少なくとも
一方に形成されているので、請求項2,3と同様の作用
を有する。
According to the structure of claim 6, since the conductive thin film having a thickness of 0.1 μm or more is formed on at least one of the pixel electrode and the counter electrode, it has the same effect as in claims 2 and 3.

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明の各実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】図1は本発明の第1の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置のTFT基板(1)の平面
図、図2は図1の一画素部の断面図である。図1におい
て、TFT基板(1)の構成は、ソース電極3とドレイン
電極4との間にゲート電極2と半導体層10が形成され、
画素電極1上に導電性薄膜13がパターニングされ、ドレ
イン電極4から画素電極1に画像信号が書き込まれる。
なお、図中、6は後述する前段ゲート部のドレイン電
極、21,22はそれぞれTFT部,前段ゲート部のコンタ
クトウィンドウである。
FIG. 1 is a plan view of a TFT substrate (1) of a thin film transistor type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of one pixel portion of FIG. In FIG. 1, the TFT substrate (1) has a structure in which a gate electrode 2 and a semiconductor layer 10 are formed between a source electrode 3 and a drain electrode 4,
The conductive thin film 13 is patterned on the pixel electrode 1, and an image signal is written from the drain electrode 4 to the pixel electrode 1.
In the figure, 6 is a drain electrode of a pre-stage gate section, which will be described later, and 21 and 22 are contact windows of the TFT section and the pre-stage gate section, respectively.

【0025】また図2において、TFT基板(1)のTF
T部の構成は、ガラス基板7A上に画素電極1と第1絶
縁膜8が形成された後、その上にゲート電極2,5(T
FT部,前段ゲート部)、ドレイン電極4,6(TFT
部,前段ゲート部)、ソース電極3とゲート電極2,5
の間のショートを防ぐためのゲート酸化膜9が形成され
ている。さらに、ゲート酸化膜9の上に、半導体層10,
オーミックコンタクト層12、その上にソース電極3、ド
レイン電極4,6が形成されている。そして、その上に
第2絶縁膜11が形成されている。さらに画素電極1上に
導電性薄膜13が形成されている。そして、TFT基板
(1)の表面に配向膜18Aが形成される。
Further, in FIG. 2, the TF of the TFT substrate (1) is
The structure of the T portion is such that after the pixel electrode 1 and the first insulating film 8 are formed on the glass substrate 7A, the gate electrodes 2, 5 (T
FT section, front gate section), drain electrodes 4, 6 (TFT)
Part, pre-stage gate part), source electrode 3 and gate electrodes 2, 5
A gate oxide film 9 is formed to prevent a short circuit between them. Further, on the gate oxide film 9, the semiconductor layer 10,
The ohmic contact layer 12 and the source electrode 3 and the drain electrodes 4 and 6 are formed thereon. Then, the second insulating film 11 is formed thereon. Further, a conductive thin film 13 is formed on the pixel electrode 1. And TFT substrate
An alignment film 18A is formed on the surface of (1).

【0026】一方、対向電極基板(2)の膜構成は、前記
図10で説明した従来の膜構成と同様であり、TFT基板
(1)と対向電極基板(2)との間にスペーサ(図示せず)を介
することで両基板間距離を保ちながら液晶20が挟持され
ている。そして、両電極基板(1),(2)の外面には偏光板
19A,19Bが設けられている。
On the other hand, the film structure of the counter electrode substrate (2) is the same as the conventional film structure described in FIG.
A liquid crystal 20 is sandwiched while maintaining a distance between both substrates by interposing a spacer (not shown) between (1) and the counter electrode substrate (2). A polarizing plate is provided on the outer surface of both electrode substrates (1) and (2).
19A and 19B are provided.

【0027】なお、本第1実施例および後述する第2,
第3実施例で、前記画素電極1もしくは対向電極17の少
なくとも一方に形成される導電性薄膜13は0.1μm以上の
膜厚である。
The first embodiment and the second and later described later
In the third embodiment, the conductive thin film 13 formed on at least one of the pixel electrode 1 and the counter electrode 17 has a film thickness of 0.1 μm or more.

【0028】図3は図1および図2に示す薄膜トランジ
スタ型液晶表示装置のTFT基板(1)と対向電極基板(2)
との間に挟持される液晶分子の配向規制状態図である。
TFT基板(1)上の配向膜18Aは、TFT配線または画
素電極1に対し、45度傾斜した方向28a,29a,30a,31a
に表面処理(AR側ラビング)され、対向電極基板(2)上
の配向膜18Bには前記配向膜18Aを配向処理した方向に
対し、90度傾斜させた方向28b,29b,30b,31bに表面処
理(CF側ラビング)されている。上記に示す両電極基板
(1),(2)の配向膜(18A,18B)表面の配向処理方法は、
前記図11で説明した従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の配向膜表面の配向処理方法と同様である。
FIG. 3 shows a TFT substrate (1) and a counter electrode substrate (2) of the thin film transistor type liquid crystal display device shown in FIGS. 1 and 2.
FIG. 6 is a diagram showing an alignment regulation state of liquid crystal molecules sandwiched between and.
The alignment film 18A on the TFT substrate (1) has a direction 28a, 29a, 30a, 31a inclined 45 degrees with respect to the TFT wiring or the pixel electrode 1.
The surface of the alignment film 18B on the counter electrode substrate (2) is surface-treated (AR side rubbing), and the surface is formed in a direction 28b, 29b, 30b, 31b inclined by 90 degrees with respect to the direction of the alignment film 18A. It has been processed (rubbing on the CF side). Both electrode substrate shown above
The alignment treatment method of the alignment film (18A, 18B) surface of (1), (2) is
This is the same as the method of aligning the alignment film surface of the conventional thin film transistor type liquid crystal display device described in FIG.

【0029】本発明の第1実施例における配向膜表面の
配向規制方向と液晶分子のねじれ旋回方向の組み合わせ
は、液晶分子が右旋回ねじれ配向性を有するならば、両
電極基板(1),(2)間の配向膜の配向方向の組み合わせは
(28a,28b),(29a,29b)とする。一方、液晶分子が左旋
回ねじれ配向性を有するならば、両電極基板(1),(2)間
の配向膜の配向方向の組み合わせは(30a,30b),(31a,
31b)とする。
In the first embodiment of the present invention, the combination of the orientation control direction on the surface of the orientation film and the twist rotation direction of the liquid crystal molecules is such that if the liquid crystal molecules have a right rotation twist orientation, both electrode substrates (1), The combination of the alignment directions of the alignment film between (2) is
(28a, 28b) and (29a, 29b). On the other hand, if the liquid crystal molecules have left-handed twist alignment, the combination of the alignment directions of the alignment films between the electrode substrates (1) and (2) is (30a, 30b), (31a,
31b).

【0030】図4は図1および図2に示す薄膜トランジ
スタ型液晶表示装置の一画素部の液晶配向断面図であ
る。TFT基板(1)上の画素電極1と対向電極基板(2)上
の対向電極17との間に電圧を印加させると、液晶表示セ
ル中の液晶分子は印加電圧に追随する形で立ち上がる。
そのとき、画素電極1上の導電性薄膜13を形成させてい
る位置の液晶の等電位面が導電性薄膜13のない位置の等
電位面に対して歪んだ突起形状をとり、一方、TFT部
(左側)および前段ゲート部(右側)付近の画素電極上の液
晶の等電位面は通常の等電位面に対し、第2絶縁膜11の
効果によってポテンシャルは小さくなる。その結果、液
晶分子は、導電性薄膜13のエッジ界面および画素電極1
のエッジ界面上の等電位面に対し垂直方向に配向し、か
つ液晶の弾性的な歪みにより、上下左右方向に連続的に
拡散しようとする。そのため、液晶分子は導電性薄膜13
の中央付近の法線方向に対し、左右対称な液晶配向性を
保持することになる。
FIG. 4 is a cross-sectional view of liquid crystal alignment in one pixel portion of the thin film transistor type liquid crystal display device shown in FIGS. When a voltage is applied between the pixel electrode 1 on the TFT substrate (1) and the counter electrode 17 on the counter electrode substrate (2), the liquid crystal molecules in the liquid crystal display cell rise up following the applied voltage.
At that time, the equipotential surface of the liquid crystal at the position where the conductive thin film 13 is formed on the pixel electrode 1 takes a distorted projection shape with respect to the equipotential surface at the position where the conductive thin film 13 is not formed, while the TFT portion
The potential of the equipotential surface of the liquid crystal on the pixel electrode near the (left side) and the front gate portion (right side) is smaller than that of the normal equipotential surface due to the effect of the second insulating film 11. As a result, the liquid crystal molecules can be separated from the edge interface of the conductive thin film 13 and the pixel electrode 1.
It is oriented in the direction perpendicular to the equipotential surface on the edge interface, and due to elastic distortion of the liquid crystal, it tends to diffuse continuously in the vertical and horizontal directions. Therefore, the liquid crystal molecules are conductive thin film 13
The liquid crystal alignment property which is left-right symmetric with respect to the normal direction near the center of is maintained.

【0031】一方、隣接する画素間で導電性薄膜13の面
積もしくは膜厚を異ならせるパターン配置、例えば膜厚
でいえば、厚い導電性薄膜13と薄い導電性薄膜13とをゲ
ートライン上の画素列について交互に配置するパターン
構成、またソースライン上の画素列についても、厚い導
電性薄膜13と薄い導電性薄膜13とを交互に配置するパタ
ーン構成を形成させても液晶分子は一画素中で配向対称
性を失わないが、隣接画素間で微妙に異なった配向形態
を持たせることができる。その結果、隣接する画素間で
異なった電気光学特性が生じることになる。なお、導電
性薄膜13の面積を隣接画素間で異ならせる方法において
も同様なパターン配置をとることができ、そのときの液
晶挙動および配向形態は上記に示したものと同様の傾向
を示す。
On the other hand, a pattern arrangement in which the area or the film thickness of the conductive thin film 13 is different between adjacent pixels, for example, in terms of film thickness, the thick conductive thin film 13 and the thin conductive thin film 13 are arranged on the pixel on the gate line. Even if a pattern configuration in which the thick conductive thin film 13 and the thin conductive thin film 13 are alternately arranged is formed for the pixel configuration on the source line, the liquid crystal molecules in one pixel Although the alignment symmetry is not lost, adjacent pixels can have slightly different alignment forms. As a result, different electro-optical characteristics occur between adjacent pixels. A similar pattern arrangement can also be adopted in a method in which the area of the conductive thin film 13 is made different between adjacent pixels, and the liquid crystal behavior and alignment form at that time show the same tendency as that shown above.

【0032】図5は本発明の第2の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置の一画素部の断面図であ
る。対向電極基板(2)の構成は、ガラス基板7B上(図面
上では下方)にTFT基板(1)のゲート電極2,5、ソー
ス電極3、TFT基板(1)の配線からの光漏れを防ぐた
めにブラックマトリクス層14が形成され、その上にカラ
ーフィルタ層15,保護膜16が形成されている。そして、
その上に対向電極17が形成されている。さらに、この対
向電極17上に導電性薄膜13が形成されている。そして、
配向膜18Bが形成される。
FIG. 5 is a sectional view of one pixel portion of the thin film transistor type liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. The structure of the counter electrode substrate (2) prevents light leakage from the gate electrodes 2 and 5, the source electrode 3, and the wiring of the TFT substrate (1) on the glass substrate 7B (downward in the drawing). For this purpose, a black matrix layer 14 is formed, and a color filter layer 15 and a protective film 16 are formed thereon. And
The counter electrode 17 is formed thereon. Further, the conductive thin film 13 is formed on the counter electrode 17. And
The alignment film 18B is formed.

【0033】一方、TFT基板(1)の膜構成は前記図10
で説明した従来の膜構成と同様である。
On the other hand, the film structure of the TFT substrate (1) is shown in FIG.
This is the same as the conventional film structure described in.

【0034】本発明の第2の実施例における配向膜表面
の配向規制方向と液晶分子のねじれ旋回方向の組み合わ
せも、前記第1の実施例で説明した図3と同様である。
The combination of the alignment regulating direction on the alignment film surface and the twisting and rotating direction of the liquid crystal molecules in the second embodiment of the present invention is also the same as that in FIG. 3 described in the first embodiment.

【0035】また、本発明の第2の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置で隣接する画素間で導電性
薄膜13の面積もしくは膜厚を異ならせるパターン配置構
成でも、液晶表示セル中の液晶分子の配向性は図4で説
明した前記第1の実施例の場合と同様な傾向を示すこと
になる。
Further, in the thin film transistor type liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, even in the pattern arrangement configuration in which the area or the film thickness of the conductive thin film 13 is different between the adjacent pixels, the liquid crystal molecules in the liquid crystal display cell are The orientation shows the same tendency as in the case of the first embodiment described with reference to FIG.

【0036】図6は本発明の第3の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置の一画素部の断面図であ
る。図6に示すように、導電性薄膜13がTFT基板(1)
の画素電極1上の所定の位置に形成され、同時に対向電
極基板(2)の対向電極17上に導電性薄膜13を、TFT基
板(1)の画素電極1上に形成された導電性薄膜13以外の
領域にパターニング形成させるものである。また、両電
極基板(1),(2)に形成させる導電性薄膜13は、それぞれ
所定の膜厚および面積にパターン構築することも可能で
ある。その結果、両電極基板(1),(2)の対向する導電性
薄膜13のエッジ付近の液晶分子は同じ配向規制方向を持
つことになり、より一層強固に同配向方向に制御された
安定した液晶ドメインを形成させることができる。
FIG. 6 is a sectional view of a pixel portion of a thin film transistor type liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the conductive thin film 13 has a TFT substrate (1).
Of the conductive thin film 13 formed on the pixel electrode 1 of the TFT substrate (1) at the same time as the conductive thin film 13 on the counter electrode 17 of the counter electrode substrate (2). The patterning is formed in a region other than the above. Further, the conductive thin film 13 formed on both electrode substrates (1) and (2) can be patterned to have a predetermined film thickness and area. As a result, the liquid crystal molecules in the vicinity of the edges of the conductive thin films 13 facing each other on both electrode substrates (1) and (2) have the same orientation control direction, and the liquid crystal molecules are more strongly and stably controlled in the same orientation direction. Liquid crystal domains can be formed.

【0037】図7は本発明の第1の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置の上下視角方向の入射角に
対するコントラスト比依存特性図である。ただし、液晶
表示セルの法線方向の入射角を0度とし、上方向をプラ
ス、下方向をマイナスの角度で示している。上下方向の
視角−コントラスト分布曲線27は、前記図12で説明した
従来例のような上下方向で非対称ではなく、対称なコン
トラスト曲線となり、かつ所定の視角範囲で、より高い
コントラスト比を得ることができる。また、本発明の第
2,第3の実施例における薄膜トランジスタ型液晶表示
装置でも上記に示した本発明の第1の実施例と同様な視
角−コントラスト分布特性図を得ることができる。
FIG. 7 is a contrast ratio dependence characteristic diagram with respect to an incident angle in the vertical viewing angle direction of the thin film transistor type liquid crystal display device in the first embodiment of the present invention. However, the incident angle in the normal direction of the liquid crystal display cell is 0 degree, the upward direction is shown as a plus angle, and the downward direction is shown as a minus angle. The vertical viewing angle-contrast distribution curve 27 is not symmetrical in the vertical direction as in the conventional example described in FIG. 12, but is a symmetrical contrast curve, and a higher contrast ratio can be obtained in a predetermined viewing angle range. it can. Also, with the thin film transistor type liquid crystal display device in the second and third embodiments of the present invention, the same viewing angle-contrast distribution characteristic diagram as in the first embodiment of the present invention can be obtained.

【0038】図8は本発明の第1の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置での上下視角方向に対する
8階調表示の透過率依存特性図を示す。ただし、液晶表
示セルの法線方向の入射角を0度とし、上方向をプラ
ス、下方向をマイナスの角度で示している。各印加電圧
値は前記図14に示した方法と同様な方法で求めた。この
図8に示す特性図から、各階調レベルにおいて対称な透
過率曲線が上下の視角方向で描かれ、いずれの視角−透
過率曲線も隣り合う曲線間で交差することはない。その
結果、従来、観察されたような特定の視角・印加電圧で
発生する階調反転現象の出現は回避されることになる。
ちなみに、左右の視角方向においても略同様な傾向を示
す。また、本発明の第2および第3の実施例における階
調反転視角方向の印加電圧をパラメータとしたときの視
角−透過率特性図も上記したような本発明の第1の実施
例と同様な傾向を示す。
FIG. 8 is a transmissivity-dependent characteristic diagram of 8-gradation display in the vertical viewing angle direction in the thin film transistor type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. However, the incident angle in the normal direction of the liquid crystal display cell is 0 degree, the upward direction is shown as a plus angle, and the downward direction is shown as a minus angle. Each applied voltage value was determined by a method similar to the method shown in FIG. From the characteristic diagram shown in FIG. 8, symmetrical transmittance curves are drawn in the upper and lower viewing angle directions at each gradation level, and no viewing angle-transmittance curves intersect between adjacent curves. As a result, it is possible to avoid the appearance of the gradation inversion phenomenon which has been conventionally observed at a specific viewing angle and applied voltage.
By the way, the same tendency is exhibited in the left and right viewing angle directions. Also, the viewing angle-transmittance characteristic diagrams when the applied voltage in the gradation reversal viewing angle direction in the second and third embodiments of the present invention are used as parameters are similar to those of the first embodiment of the present invention as described above. Show a trend.

【0039】したがって、本発明の第1,第2,第3の
実施例における薄膜トランジスタ型液晶表示装置は、上
下および左右の視角方向で対称性のある広い高コントラ
スト比視認範囲を示し、従来例で見られたような特定の
電圧,視角で発生する階調反転現象は発生せず、任意の
電圧値でも、どの視角方向から見ても自然な画像が得ら
れることになる。
Therefore, the thin film transistor type liquid crystal display devices in the first, second and third embodiments of the present invention show a wide high contrast ratio visual range having symmetry in the vertical and horizontal viewing angle directions. The gradation inversion phenomenon that occurs at a specific voltage and viewing angle does not occur, and a natural image can be obtained at any voltage value when viewed from any viewing angle direction.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項1
記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置によれば、画素
単位の有効表示領域において、画素電極基板もしくは対
向電極基板の少なくとも一方が異なる高さを有する画素
電極もしくは対向電極を形成されるようにしたので、画
素内所定領域に電気光学特性を異ならせる分割された液
晶分子配列領域が形成され、薄膜トランジスタ型液晶表
示装置の電気光学特性はそれぞれの分割された液晶分子
配列領域の電気光学特性を平均化したものとなり、所定
の視角方向で対称性のある高コントラスト比視認範囲が
得られ、特定の視角,電圧での階調反転現象が回避さ
れ、視角依存性,電圧依存性のない自然な画像表示を実
現でき、階調表示の広視野角化および高表示品質を実現
することができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention.
According to the thin film transistor type liquid crystal display device described, in the effective display area of each pixel, at least one of the pixel electrode substrate and the counter electrode substrate is formed with a pixel electrode or a counter electrode having a different height. Divided liquid crystal molecule alignment regions having different electro-optical properties are formed in predetermined regions, and the electro-optical properties of the thin film transistor liquid crystal display device are the averaged electro-optical properties of the divided liquid crystal molecule alignment regions. , A high contrast ratio visual range with symmetry in a predetermined viewing angle direction can be obtained, gradation reversal phenomenon at a specific viewing angle and voltage can be avoided, and a natural image display without viewing angle dependency or voltage dependency can be realized. It is possible to realize a wide viewing angle in gradation display and high display quality.

【0041】請求項2記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜が、画素電極上に設けら
れ、所定の膜厚および面積に調整されてなるようにした
ので、薄膜トランジスタ型液晶表示装置の電気光学特性
は、それぞれの分割された液晶分子配列領域の光学特性
を平均化したものとなり、所定の視角方向で対称性のあ
る広い高コントラスト比視認範囲が得られ、特定の視
角,電圧での階調反転現象が回避され、視角依存性,電
圧依存性のない自然な画像表示を実現でき、階調表示の
広視野角化および高表示品質を実現することができる。
According to the thin film transistor type liquid crystal display device of the second aspect, since the conductive thin film is provided on the pixel electrode and is adjusted to have a predetermined film thickness and area, the thin film transistor type liquid crystal display device. The electro-optical characteristics of are obtained by averaging the optical characteristics of each divided liquid crystal molecule array area, and a wide high-contrast ratio visual range with symmetry in a predetermined viewing angle direction is obtained, and at a specific viewing angle and voltage. It is possible to avoid the gradation reversal phenomenon, and to realize a natural image display that does not depend on the viewing angle and the voltage, and realize a wide viewing angle of gradation display and high display quality.

【0042】請求項3記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜が、対向電極上に設けら
れ、所定の膜厚および面積に調整されてなるようにした
ので、薄膜トランジスタ型液晶表示装置の電気光学特性
は、それぞれの分割された液晶分子配列領域の光学特性
を平均化したものとなり、所定の視角方向で対称性のあ
る広い高コントラスト比視認範囲が得られ、特定の視
角,電圧での階調反転現象が回避され、視角依存性,電
圧依存性のない自然な画像表示を実現でき、階調表示の
広視野角化および高表示品質を実現することができる。
According to the thin film transistor type liquid crystal display device of the third aspect, the conductive thin film is provided on the counter electrode and is adjusted to have a predetermined film thickness and area. Therefore, the thin film transistor type liquid crystal display device. The electro-optical characteristics of are obtained by averaging the optical characteristics of each divided liquid crystal molecule array area, and a wide high-contrast ratio visual range with symmetry in a predetermined viewing angle direction is obtained, and at a specific viewing angle and voltage. It is possible to avoid the gradation reversal phenomenon, and to realize a natural image display that does not depend on the viewing angle and the voltage, and realize a wide viewing angle of gradation display and high display quality.

【0043】請求項4記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜の膜厚および面積の少なく
とも一方が隣接した2つの画素どうしで異なるようにし
たので、請求項2,3と同様の効果を奏する。
According to the thin-film transistor type liquid crystal display device of the fourth aspect, at least one of the film thickness and the area of the conductive thin film is made different between two adjacent pixels. Produce an effect.

【0044】請求項5記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜が、画素電極上の所定領域
に設けられ、この所定領域以外の領域の対向電極上に同
時に形成されているので、薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の電気光学特性はそれぞれの分割された液晶分子配
列領域の光学特性を平均化したものとなり、所定の視角
方向で対称性のある広い高コントラスト比視認範囲が得
られ、特定の視角,電圧での階調反転現象が回避され、
視角依存性,電圧依存性のない自然な画像表示を実現で
き、階調表示の広視野角化および高表示品質を実現する
ことができる。
According to the thin film transistor type liquid crystal display device of the fifth aspect, the conductive thin film is provided in a predetermined region on the pixel electrode and is simultaneously formed on the counter electrode in a region other than the predetermined region. The electro-optical characteristics of the thin film transistor type liquid crystal display device are obtained by averaging the optical characteristics of the respective divided liquid crystal molecule alignment regions, and a wide high contrast ratio visual range having symmetry in a predetermined viewing angle direction can be obtained, Gradient inversion phenomenon at viewing angle and voltage is avoided,
It is possible to realize a natural image display that does not depend on the viewing angle and the voltage, and realize a wide viewing angle of gradation display and high display quality.

【0045】請求項6記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜が画素電極もしくは対向電
極の少なくとも一方に形成され、かつ導電性薄膜が0.1
μm以上の膜厚で形成されてなるようにしたので、請求
項2,3と同様の効果を奏する。
According to the thin film transistor type liquid crystal display device of the sixth aspect, the conductive thin film is formed on at least one of the pixel electrode and the counter electrode, and the conductive thin film is 0.1 or less.
Since it is formed to have a film thickness of not less than μm, the same effects as those of the second and third aspects can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置のTFT基板の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a TFT substrate of a thin film transistor type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の一画
素部の断面図である。
2 is a cross-sectional view of one pixel portion of the thin film transistor type liquid crystal display device of FIG.

【図3】図1および図2に示す薄膜トランジスタ型液晶
表示装置のTFT基板と対向電極基板との間に挟持され
る液晶分子の配向規制状態図である。
FIG. 3 is an alignment regulation state diagram of liquid crystal molecules sandwiched between a TFT substrate and a counter electrode substrate of the thin film transistor type liquid crystal display device shown in FIGS. 1 and 2.

【図4】図1および図2に示す薄膜トランジスタ型液晶
表示装置の一画素部の液晶配向断面図である。
4 is a liquid crystal alignment cross-sectional view of one pixel portion of the thin film transistor type liquid crystal display device shown in FIGS. 1 and 2. FIG.

【図5】本発明の第2の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置の一画素部の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a pixel portion of a thin film transistor type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置の一画素部の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of a pixel portion of a thin film transistor type liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置の上下視角方向の入射角に対するコン
トラスト比依存特性図である。
FIG. 7 is a contrast ratio dependence characteristic diagram with respect to an incident angle in a vertical viewing angle direction of the thin film transistor type liquid crystal display device according to the first example of the present invention.

【図8】本発明の第1の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置の上下視角方向の入射角に対する8階
調表示の透過率依存特性図である。
FIG. 8 is a transmittance-dependent characteristic diagram of 8-gradation display with respect to an incident angle in a vertical viewing angle direction of the thin film transistor type liquid crystal display device according to the first example of the present invention.

【図9】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置におけ
る薄膜トランジスタのチャネル部の一部断面図である。
FIG. 9 is a partial cross-sectional view of a channel portion of a thin film transistor in a conventional thin film transistor type liquid crystal display device.

【図10】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の一
部断面図である。
FIG. 10 is a partial cross-sectional view of a conventional thin film transistor type liquid crystal display device.

【図11】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置のT
FT基板と対向電極基板との間に挟持される液晶分子の
配向規制状態図である。
FIG. 11 shows T of a conventional thin film transistor type liquid crystal display device.
It is an alignment control state figure of the liquid crystal molecule pinched between the FT board and the counter electrode board.

【図12】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の上
下視角方向での入射角に対するコントラスト比依存特性
図である。
FIG. 12 is a contrast ratio dependence characteristic diagram with respect to an incident angle in a vertical viewing angle direction of a conventional thin film transistor type liquid crystal display device.

【図13】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置での
上下視角方向に対する8階調表示の透過率依存特性図で
ある。
FIG. 13 is a transmittance-dependent characteristic diagram of 8-gradation display in the vertical viewing angle direction in the conventional thin film transistor type liquid crystal display device.

【図14】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置での
正面視角方向に対する印加電圧−透過率特性図である。
FIG. 14 is an applied voltage-transmittance characteristic diagram in a front view angle direction in a conventional thin film transistor type liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…画素電極、 2…ゲート電極(TFT部)、 3…ソ
ース電極、 4…ドレイン電極(TFT部)、 5…ゲー
ト電極(前段ゲート部)、 6…ドレイン電極(前段ゲー
ト部)、 7A,7B…ガラス基板、 8…第1絶縁
膜、 9…ゲート酸化膜、 10…半導体層、 11…第2
絶縁膜、 12…オーミックコンタクト層、13…導電性薄
膜、 14…ブラックマトリクス層、 15…カラーフィル
タ層、 16…保護膜、 17…対向電極、 18A,18B…
配向膜、 19A,19B…偏光板、20…液晶、 21…コン
タクトウィンドウ(TFT部)、 22…コンタクトウィン
ドウ(前段ゲート部)。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pixel electrode, 2 ... Gate electrode (TFT part), 3 ... Source electrode, 4 ... Drain electrode (TFT part), 5 ... Gate electrode (Pre-stage gate part), 6 ... Drain electrode (Pre-stage gate part), 7A, 7B ... Glass substrate, 8 ... First insulating film, 9 ... Gate oxide film, 10 ... Semiconductor layer, 11 ... Second
Insulating film, 12 ... Ohmic contact layer, 13 ... Conductive thin film, 14 ... Black matrix layer, 15 ... Color filter layer, 16 ... Protective film, 17 ... Counter electrode, 18A, 18B ...
Alignment film, 19A, 19B ... Polarizing plate, 20 ... Liquid crystal, 21 ... Contact window (TFT part), 22 ... Contact window (previous gate part).

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マトリクス状に配置されたゲート電極と
ソース電極の交差部に薄膜トランジスタを形成するとと
もに前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された
状態に画素電極を形成した画素電極基板と、共通の対向
電極が形成され液晶を挟んで前記画素電極基板に対向す
るように配置された対向電極基板とを備え、かつ画素単
位の有効表示領域において、前記画素電極基板もしくは
対向電極基板の少なくとも一方が異なる高さを有する画
素電極もしくは対向電極を形成したことを特徴とする薄
膜トランジスタ型液晶表示装置。
1. A pixel electrode substrate in which a thin film transistor is formed at an intersection of a gate electrode and a source electrode arranged in a matrix and a pixel electrode is formed in a state of being connected to a drain electrode of the thin film transistor, and a common counter electrode. And a counter electrode substrate disposed so as to face the pixel electrode substrate with a liquid crystal sandwiched therebetween, and at least one of the pixel electrode substrate and the counter electrode substrate has a different height in an effective display region of a pixel unit. A thin film transistor type liquid crystal display device characterized in that a pixel electrode or a counter electrode having is formed.
【請求項2】 導電性薄膜が、前記画素電極上に設けら
れ、導電性薄膜を所定の膜厚および面積に調整されてな
ることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ型
液晶表示装置。
2. The thin film transistor type liquid crystal display device according to claim 1, wherein a conductive thin film is provided on the pixel electrode, and the conductive thin film is adjusted to have a predetermined film thickness and area.
【請求項3】 導電性薄膜が、前記対向電極上に設けら
れ、導電性薄膜を所定の膜厚および面積に調整されてな
ることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ型
液晶表示装置。
3. The thin film transistor type liquid crystal display device according to claim 1, wherein a conductive thin film is provided on the counter electrode, and the conductive thin film is adjusted to have a predetermined thickness and area.
【請求項4】 導電性薄膜の膜厚および面積の少なくと
も一方が隣接した2つの画素どうしで異なることを特徴
とする請求項2または3記載の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置。
4. The thin film transistor type liquid crystal display device according to claim 2, wherein at least one of the film thickness and the area of the conductive thin film is different between two adjacent pixels.
【請求項5】 導電性薄膜が、前記画素電極上の所定領
域に設けられ、かつ前記所定領域以外の領域の前記対向
電極上に形成されてなることを特徴とする請求項1記載
の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。
5. The thin film transistor type according to claim 1, wherein the conductive thin film is provided in a predetermined region on the pixel electrode and is formed on the counter electrode in a region other than the predetermined region. Liquid crystal display device.
【請求項6】 導電性薄膜が、前記画素電極もしくは対
向電極の少なくとも一方に形成され、かつ導電性薄膜が
0.1μm以上の膜厚で形成されてなることを特徴とする請
求項1記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。
6. A conductive thin film is formed on at least one of the pixel electrode and the counter electrode, and the conductive thin film is formed.
2. The thin film transistor type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the thin film transistor type liquid crystal display device is formed with a film thickness of 0.1 μm or more.
JP24936294A 1994-10-14 1994-10-14 Thin-film transistor type liquid crystal display device Pending JPH08114818A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6115093A (en) * 1997-03-31 2000-09-05 Nec Corporation Liquid crystal display device having at least two micro areas of liquid crystal layer capable of being built up from a center of each pixel

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