JPH08111376A - マスク合わせ方法 - Google Patents
マスク合わせ方法Info
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- JPH08111376A JPH08111376A JP6270719A JP27071994A JPH08111376A JP H08111376 A JPH08111376 A JP H08111376A JP 6270719 A JP6270719 A JP 6270719A JP 27071994 A JP27071994 A JP 27071994A JP H08111376 A JPH08111376 A JP H08111376A
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- Japan
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- mask
- pattern
- buried diffusion
- infrared light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 埋込み拡散層が形成されたエピタキシャルウ
エーハについて、パターンシフトを管理しなくても最適
な位置にマスクパターンを転写することができるマスク
合わせ方法を提供する。 【構成】 選択的に形成した埋込み拡散層２１上にエピ
タキシャル層１９を成長させた後に、エピタキシャル層
１９の表面にマスクパターンを転写するためのマスク合
わせ方法において、半導体基板２０とエピタキシャル層
１９の不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満
のエピタキシャルウエーハ１７に形成された埋込み拡散
層２１に赤外光を照射して、不純物濃度が１×１０17ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の埋込み拡散層２１から反射する
赤外光より埋込み拡散層２１の位置を検出し、検出され
た埋込み拡散層２１のパターンとマスク１２のパターン
とを位置合わせする。
エーハについて、パターンシフトを管理しなくても最適
な位置にマスクパターンを転写することができるマスク
合わせ方法を提供する。 【構成】 選択的に形成した埋込み拡散層２１上にエピ
タキシャル層１９を成長させた後に、エピタキシャル層
１９の表面にマスクパターンを転写するためのマスク合
わせ方法において、半導体基板２０とエピタキシャル層
１９の不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満
のエピタキシャルウエーハ１７に形成された埋込み拡散
層２１に赤外光を照射して、不純物濃度が１×１０17ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の埋込み拡散層２１から反射する
赤外光より埋込み拡散層２１の位置を検出し、検出され
た埋込み拡散層２１のパターンとマスク１２のパターン
とを位置合わせする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスク合わせ方法に関
する。さらに詳しくは、埋込み拡散層上に成長したエピ
タキシャル層の表面にマスクパターンを転写するために
位置合わせを行う方法に関する。
する。さらに詳しくは、埋込み拡散層上に成長したエピ
タキシャル層の表面にマスクパターンを転写するために
位置合わせを行う方法に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】半導体素子の製造工程においては、
半導体基板上にデバイスの設計パターンを焼き付けるい
わゆるフォトリソグラフィー工程が複数回行われる。例
えば、半導体基板に形成された拡散層の上にエピタキシ
ャル層を成長させて埋込み拡散層を形成し、さらに新た
なパターンを形成するために、エピタキシャル層の表面
でマスクパターンとの位置合わせ（以下「マスク合わ
せ」と言う。）をして露光・焼き付けを行う。
半導体基板上にデバイスの設計パターンを焼き付けるい
わゆるフォトリソグラフィー工程が複数回行われる。例
えば、半導体基板に形成された拡散層の上にエピタキシ
ャル層を成長させて埋込み拡散層を形成し、さらに新た
なパターンを形成するために、エピタキシャル層の表面
でマスクパターンとの位置合わせ（以下「マスク合わ
せ」と言う。）をして露光・焼き付けを行う。
【０００３】図３は、従来のマスク合わせ方法の一例を
示す。図において、露光光源３０は、分割ミラー３１及
びマスク３２を介してステージ３４上に載置されたエピ
タキシャルウエーハ３５を露光するための光源である。
そして、光学顕微鏡３３により、マスク３２のパターン
とエピタキシャルウエーハ３５の表面に形成される埋込
み拡散層３６領域の段差とを、光学顕微鏡３３により同
時にモニターしながらステージ３４を移動制御して位置
合わせを行う。
示す。図において、露光光源３０は、分割ミラー３１及
びマスク３２を介してステージ３４上に載置されたエピ
タキシャルウエーハ３５を露光するための光源である。
そして、光学顕微鏡３３により、マスク３２のパターン
とエピタキシャルウエーハ３５の表面に形成される埋込
み拡散層３６領域の段差とを、光学顕微鏡３３により同
時にモニターしながらステージ３４を移動制御して位置
合わせを行う。
【０００４】しかし、エピタキシャルウエーハ３５の表
面に形成される埋込み拡散層３６領域の段差は、基板の
面方位やエピタキシャル層の成長速度並びに成長温度等
の条件に応じて縮小したりシフトしたりして変形し、場
合によっては消失してしまう。
面に形成される埋込み拡散層３６領域の段差は、基板の
面方位やエピタキシャル層の成長速度並びに成長温度等
の条件に応じて縮小したりシフトしたりして変形し、場
合によっては消失してしまう。
【０００５】特に、図４に示すように、エピタキシャル
層３８の表面に形成される段差３９が埋込み拡散層３６
の位置に対して水平方向にシフトして形成されている際
に、段差３９を基準にしてマスク合わせを行うと、前記
のシフト、いわゆるパターンシフトのために合わせ誤差
が生じ、素子分離不良等の特性不良を引き起こす場合が
ある。よって、段差３９を基準にしてマスク合わせをす
るには、パターンシフトを厳密に管理しておく必要があ
る。そして、マスク合わせを行う際には、このパターン
シフトをオフセット量として予め考慮に入れて位置合わ
せを行う必要がある。
層３８の表面に形成される段差３９が埋込み拡散層３６
の位置に対して水平方向にシフトして形成されている際
に、段差３９を基準にしてマスク合わせを行うと、前記
のシフト、いわゆるパターンシフトのために合わせ誤差
が生じ、素子分離不良等の特性不良を引き起こす場合が
ある。よって、段差３９を基準にしてマスク合わせをす
るには、パターンシフトを厳密に管理しておく必要があ
る。そして、マスク合わせを行う際には、このパターン
シフトをオフセット量として予め考慮に入れて位置合わ
せを行う必要がある。
【０００６】通常、パターンシフトは、水平方向のシフ
ト量ｘをエピタキシャル層３８の厚さｚで割った値ｘ／
ｚとして把握される。パターンシフトを測定する方法と
しては、例えばアングルポリッシュ法がある。これは、
例えば図５（ａ）に示すように、基板４１に拡散層４２
を形成し、その上にエピタキシャル層４３を成長させた
エピタキシャルウエーハの測定部分をチップ４０に切り
出し、１１°程度に角度研磨後にステインエッチングを
し、チップ４０の上面方向から写真を撮り（図５
（ｂ））、埋込み拡散層４２の左右の境界部とエピタキ
シャル層４３の表面に形成される段差４４の左右の境界
部とのシフト量（Ｌ、Ｒ）を写真上で求め、このシフト
量及びエピタキシャル層の厚さからパターンシフトを求
めるものである。この場合、パターンシフトは以下の式
により求められる。
ト量ｘをエピタキシャル層３８の厚さｚで割った値ｘ／
ｚとして把握される。パターンシフトを測定する方法と
しては、例えばアングルポリッシュ法がある。これは、
例えば図５（ａ）に示すように、基板４１に拡散層４２
を形成し、その上にエピタキシャル層４３を成長させた
エピタキシャルウエーハの測定部分をチップ４０に切り
出し、１１°程度に角度研磨後にステインエッチングを
し、チップ４０の上面方向から写真を撮り（図５
（ｂ））、埋込み拡散層４２の左右の境界部とエピタキ
シャル層４３の表面に形成される段差４４の左右の境界
部とのシフト量（Ｌ、Ｒ）を写真上で求め、このシフト
量及びエピタキシャル層の厚さからパターンシフトを求
めるものである。この場合、パターンシフトは以下の式
により求められる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のマスク合わせ方
法では、上記のようにパターンシフトを厳しく管理する
必要があり、パターンシフトの測定のために製品の一部
をモニターとして用いて破壊試験をする必要があった。
また、上記方法では工数がかかり、測定精度も悪かっ
た。さらに、エピタキシャル成長を通常より低温で行っ
た場合、エピタキシャル層表面の段差が消失することが
あり、この場合にはマスク合わせ自体が不可能となる。
法では、上記のようにパターンシフトを厳しく管理する
必要があり、パターンシフトの測定のために製品の一部
をモニターとして用いて破壊試験をする必要があった。
また、上記方法では工数がかかり、測定精度も悪かっ
た。さらに、エピタキシャル成長を通常より低温で行っ
た場合、エピタキシャル層表面の段差が消失することが
あり、この場合にはマスク合わせ自体が不可能となる。
【０００８】そこで本発明は、埋込み拡散層が形成され
たエピタキシャルウエーハについて、パターンシフトを
管理しなくても最適な位置にマスクパターンを転写する
ことができるマスク合わせ方法を提供することを目的と
する。
たエピタキシャルウエーハについて、パターンシフトを
管理しなくても最適な位置にマスクパターンを転写する
ことができるマスク合わせ方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、選択的に形成
した埋込み拡散層上にエピタキシャル層を成長させた後
に、該エピタキシャル層の表面にマスクパターンを転写
するためのマスク合わせ方法において、半導体基板とエ
ピタキシャル層の不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3未満のエピタキシャルウエーハに形成された埋込
み拡散層に赤外光を照射して、不純物濃度が１×１０17
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の埋込み拡散層から反射する赤
外光より該埋込み拡散層の位置を検出し、該検出された
前記埋込み拡散層のパターンと前記マスクのパターンと
を位置合わせするようにした。前記赤外光は、遠赤外な
いし超遠赤外の領域を含む赤外光であることが好まし
い。
した埋込み拡散層上にエピタキシャル層を成長させた後
に、該エピタキシャル層の表面にマスクパターンを転写
するためのマスク合わせ方法において、半導体基板とエ
ピタキシャル層の不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3未満のエピタキシャルウエーハに形成された埋込
み拡散層に赤外光を照射して、不純物濃度が１×１０17
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の埋込み拡散層から反射する赤
外光より該埋込み拡散層の位置を検出し、該検出された
前記埋込み拡散層のパターンと前記マスクのパターンと
を位置合わせするようにした。前記赤外光は、遠赤外な
いし超遠赤外の領域を含む赤外光であることが好まし
い。
【００１０】前記赤外光による前記埋込み拡散層の検出
は、例えば微小に絞った赤外光を前記エピタキシャルウ
エーハ上に走査し、走査された赤外光のエピタキシャル
ウエーハからの反射強度を計測し、該反射強度を積算し
て前記埋込み拡散層のパターンデータとする。前記赤外
光の反射強度は、例えばフーリエ変換型赤外分光光度計
（ＦＴ−ＩＲ）を用いて計測する。
は、例えば微小に絞った赤外光を前記エピタキシャルウ
エーハ上に走査し、走査された赤外光のエピタキシャル
ウエーハからの反射強度を計測し、該反射強度を積算し
て前記埋込み拡散層のパターンデータとする。前記赤外
光の反射強度は、例えばフーリエ変換型赤外分光光度計
（ＦＴ−ＩＲ）を用いて計測する。
【００１１】具体的には、例えば前記埋込み拡散層のパ
ターンデータを画像処理した埋込み拡散層パターン像と
マスクパターン像とをＣＲＴ上で確認しながら位置合わ
せを行う。
ターンデータを画像処理した埋込み拡散層パターン像と
マスクパターン像とをＣＲＴ上で確認しながら位置合わ
せを行う。
【００１２】あるいは、前記マスクパターンを数値処理
データに変換し、該マスクパターン数値処理データと前
記埋込み拡散層パターンデータとを直接比較する数値デ
ータ比較処理を行い、該数値データ比較処理の結果に基
づいて前記エピタキシャルウエーハの前記マスクに対す
る相対位置を計数制御するようにしてもよい。
データに変換し、該マスクパターン数値処理データと前
記埋込み拡散層パターンデータとを直接比較する数値デ
ータ比較処理を行い、該数値データ比較処理の結果に基
づいて前記エピタキシャルウエーハの前記マスクに対す
る相対位置を計数制御するようにしてもよい。
【００１３】
【作用】本発明においては、埋込み拡散層とマスクパタ
ーンとのマスク合わせにおいて、従来のようにエピタキ
シャル層の表面上の段差とマスクパターンとを位置合わ
せするのではなく、赤外光により直接埋込み拡散層の位
置を検出してこれとマスクパターンとを位置合わせする
ので、破壊試験を伴うパターンシフトの測定等のパター
ンシフトの管理が不要となる。
ーンとのマスク合わせにおいて、従来のようにエピタキ
シャル層の表面上の段差とマスクパターンとを位置合わ
せするのではなく、赤外光により直接埋込み拡散層の位
置を検出してこれとマスクパターンとを位置合わせする
ので、破壊試験を伴うパターンシフトの測定等のパター
ンシフトの管理が不要となる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施例においてエピタ
キシャルウエーハをマスク合わせする方法の一例を示す
説明図である。図において、露光光源１０は、分割ミラ
ー１１、１４及びマスク１２を介してステージ１８上に
載置されたエピタキシャルウエーハ１７を露光するため
の光源である。光学顕微鏡１３は、マスク１２のパター
ンをモニターし、その画像データをＣＲＴ１６に送出す
る。フーリエ変換型赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）１５
は、内部の赤外光源より赤外光を分割ミラー１４を介し
てエピタキシャルウエーハ１７に照射し、その反射光を
分割ミラー１４を介して検出し、インターフェログラム
のサイドバースト強度によりエピタキシャルウエーハ１
７に形成された埋込み拡散層２１の画像を処理してその
画像データをＣＲＴ１６に送出する。ＣＲＴ１６は、光
学顕微鏡１３からのマスクパターン画像とＦＴ−ＩＲ１
５からの埋込み拡散層２１の画像とを同時に映し出し、
位置合わせに供する。
キシャルウエーハをマスク合わせする方法の一例を示す
説明図である。図において、露光光源１０は、分割ミラ
ー１１、１４及びマスク１２を介してステージ１８上に
載置されたエピタキシャルウエーハ１７を露光するため
の光源である。光学顕微鏡１３は、マスク１２のパター
ンをモニターし、その画像データをＣＲＴ１６に送出す
る。フーリエ変換型赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）１５
は、内部の赤外光源より赤外光を分割ミラー１４を介し
てエピタキシャルウエーハ１７に照射し、その反射光を
分割ミラー１４を介して検出し、インターフェログラム
のサイドバースト強度によりエピタキシャルウエーハ１
７に形成された埋込み拡散層２１の画像を処理してその
画像データをＣＲＴ１６に送出する。ＣＲＴ１６は、光
学顕微鏡１３からのマスクパターン画像とＦＴ−ＩＲ１
５からの埋込み拡散層２１の画像とを同時に映し出し、
位置合わせに供する。
【００１６】ＦＴ−ＩＲ１５による埋込み拡散層２１の
検出方法をさらに具体的に説明する。図２（ａ）はエピ
タキシャルウエーハ１７の部分断面を拡大して示し、図
２（ｂ）はＦＴ−ＩＲ１５内の赤外光源から赤外光をエ
ピタキシャルウエーハ１７に照射して得られる反射赤外
光の強度を示す。すなわち、エピタキシャルウエーハ１
７は図２（ａ）に示すように、ボロンが１×１０15ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でドープされた半導体基板２０
に、不純物濃度１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のアンチ
モンが拡散された埋込み拡散層２１が形成され、さらに
その上にリンが２×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度で
ドープされたエピタキシャル層１９が形成されている。
検出方法をさらに具体的に説明する。図２（ａ）はエピ
タキシャルウエーハ１７の部分断面を拡大して示し、図
２（ｂ）はＦＴ−ＩＲ１５内の赤外光源から赤外光をエ
ピタキシャルウエーハ１７に照射して得られる反射赤外
光の強度を示す。すなわち、エピタキシャルウエーハ１
７は図２（ａ）に示すように、ボロンが１×１０15ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でドープされた半導体基板２０
に、不純物濃度１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のアンチ
モンが拡散された埋込み拡散層２１が形成され、さらに
その上にリンが２×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度で
ドープされたエピタキシャル層１９が形成されている。
【００１７】ＦＴ−ＩＲ１５のインターフェログラムに
おけるサイドバースト強度は、埋込み拡散層２１からの
反射赤外光の強度を示す。すなわち、遠赤外ないし超遠
赤外の領域を含む赤外光をエピタキシャルウエーハ１７
上に走査すると、不純物濃度の高い埋込み拡散層２１で
は強い赤外反射が生じ、不純物濃度が１×１０17ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3未満の領域では反射が弱く、ほとんど透過
してしまうので、図２（ｂ）に示すように、埋込み拡散
層２１に対応する反射赤外光の強度が高くなる。従っ
て、ＦＴ−ＩＲ１５の内部の赤外光源から微小径に絞っ
た赤外光を不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
未満のエピタキシャルウエーハ１７上に走査し、走査さ
れた赤外光のエピタキシャルウエーハ１７からの反射赤
外光の強度を計測し、反射赤外光パターンを積算して画
像処理して画像データをＣＲＴ１６に送ることにより、
不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の埋込
み拡散層２１のパターンをＣＲＴ１６上で確認すること
ができる。
おけるサイドバースト強度は、埋込み拡散層２１からの
反射赤外光の強度を示す。すなわち、遠赤外ないし超遠
赤外の領域を含む赤外光をエピタキシャルウエーハ１７
上に走査すると、不純物濃度の高い埋込み拡散層２１で
は強い赤外反射が生じ、不純物濃度が１×１０17ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3未満の領域では反射が弱く、ほとんど透過
してしまうので、図２（ｂ）に示すように、埋込み拡散
層２１に対応する反射赤外光の強度が高くなる。従っ
て、ＦＴ−ＩＲ１５の内部の赤外光源から微小径に絞っ
た赤外光を不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
未満のエピタキシャルウエーハ１７上に走査し、走査さ
れた赤外光のエピタキシャルウエーハ１７からの反射赤
外光の強度を計測し、反射赤外光パターンを積算して画
像処理して画像データをＣＲＴ１６に送ることにより、
不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の埋込
み拡散層２１のパターンをＣＲＴ１６上で確認すること
ができる。
【００１８】ＣＲＴ１６において、光学顕微鏡１３から
のマスクパターン画像とＦＴ−ＩＲ１５からの埋込み拡
散層２１のパターンとを同時に映し出し、両者をＣＲＴ
１６上で確認しながらステージ１８を移動することによ
り位置合わせすることができる。従って、パターンシフ
トを考慮することなく正確なマスク合わせが可能とな
る。
のマスクパターン画像とＦＴ−ＩＲ１５からの埋込み拡
散層２１のパターンとを同時に映し出し、両者をＣＲＴ
１６上で確認しながらステージ１８を移動することによ
り位置合わせすることができる。従って、パターンシフ
トを考慮することなく正確なマスク合わせが可能とな
る。
【００１９】なお、上記のようにＣＲＴ１６上で確認し
ながら位置合わせをするようにしてもよいが、検知され
た埋込み拡散層２１の位置のデータとマスクパターンの
データとを直接比較する数値情報処理を行い、その結果
に基づいてステージ１８を計数制御するようにしてもよ
い。
ながら位置合わせをするようにしてもよいが、検知され
た埋込み拡散層２１の位置のデータとマスクパターンの
データとを直接比較する数値情報処理を行い、その結果
に基づいてステージ１８を計数制御するようにしてもよ
い。
【００２０】ところで、エピタキシャル成長を通常より
低温で行った場合には、エピタキシャル層表面の段差が
消失することがあるが、上述のように本マスク合わせ方
法では段差パターンをマスク合わせに用いないので、段
差が消失した場合でも支障が無い。従って、エピタキシ
ャル成長をさらに低温で行うことができるので、オート
ドーピング及び外方拡散の低減も図ることができる。
低温で行った場合には、エピタキシャル層表面の段差が
消失することがあるが、上述のように本マスク合わせ方
法では段差パターンをマスク合わせに用いないので、段
差が消失した場合でも支障が無い。従って、エピタキシ
ャル成長をさらに低温で行うことができるので、オート
ドーピング及び外方拡散の低減も図ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、埋込み拡散
層が形成されたエピタキシャルウエーハについて、パタ
ーンシフトを管理しなくても最適な位置にマスクパター
ンを転写することができる。
層が形成されたエピタキシャルウエーハについて、パタ
ーンシフトを管理しなくても最適な位置にマスクパター
ンを転写することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例においてマスク合わせを行う
方法を示す説明図である。
方法を示す説明図である。
【図２】（ａ）は本発明の一実施例においてマスク合わ
せを行う埋込み拡散層２１が形成されたエピタキシャル
ウエーハ１７の部分断面図であり、（ｂ）はその反射赤
外光の強度を示すグラフである。
せを行う埋込み拡散層２１が形成されたエピタキシャル
ウエーハ１７の部分断面図であり、（ｂ）はその反射赤
外光の強度を示すグラフである。
【図３】従来のマスク合わせ方法を説明する説明図であ
る。
る。
【図４】パターンシフトが発生したエピタキシャルウエ
ーハ３５の部分断面図である。
ーハ３５の部分断面図である。
【図５】パターンシフトの測定方法を説明する説明図で
ある。
ある。
１０ 露光光源 １１，１２，１４ 分割ミラー １３ 光学顕微鏡 １５ 赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ） １６ ＣＲＴ １７ エピタキシャルウエーハ １８ ステージ １９ エピタキシャル層 ２０ 半導体基板 ２１ 埋込み拡散層 ２２ 段差
Claims (6)
- 【請求項１】 選択的に形成した埋込み拡散層上にエピ
タキシャル層を成長させた後に、該エピタキシャル層の
表面にマスクパターンを転写するためのマスク合わせ方
法において、半導体基板とエピタキシャル層の不純物濃
度が１×１０ 17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満のエピタキシャ
ルウエーハに形成された埋込み拡散層に赤外光を照射し
て、不純物濃度が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の
埋込み拡散層から反射する赤外光より該埋込み拡散層の
位置を検出し、該検出された前記埋込み拡散層のパター
ンと前記マスクパターンとを位置合わせすることを特徴
とするマスク合わせ方法。 - 【請求項２】 前記赤外光は、遠赤外ないし超遠赤外の
領域を含む赤外光であることを特徴とする請求項１記載
のマスク合わせ方法。 - 【請求項３】 前記赤外光による前記埋込み拡散層の検
出は、微小に絞った赤外光を前記エピタキシャルウエー
ハ上に走査し、走査された赤外光のエピタキシャルウエ
ーハからの反射強度を計測し、該反射強度を積算して前
記埋込み拡散層のパターンデータとすることを特徴とす
る請求項１記載のマスク合わせ方法。 - 【請求項４】 前記赤外光の反射強度は、フーリエ変換
型赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）を用いて計測すること
を特徴とする請求項３記載のマスク合わせ方法。 - 【請求項５】 前記埋込み拡散層のパターンデータを画
像処理した埋込み拡散層パターン像とマスクパターン像
とをＣＲＴ上で確認しながら位置合わせを行うことを特
徴とする請求項３記載のマスク合わせ方法。 - 【請求項６】 前記マスクパターンを数値処理データに
変換し、該マスクパターン数値処理データと前記埋込み
拡散層パターンデータとを直接比較する数値データ比較
処理を行い、該数値データ比較処理の結果に基づいて前
記エピタキシャルウエーハの前記マスクに対する相対位
置を計数制御することを特徴とする請求項３記載のマス
ク合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6270719A JPH08111376A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | マスク合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6270719A JPH08111376A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | マスク合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111376A true JPH08111376A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17490012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6270719A Pending JPH08111376A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | マスク合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403322B1 (ko) * | 1996-06-24 | 2004-05-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 및 그에 사용되는 노광장치 |
| KR101363494B1 (ko) * | 2012-02-21 | 2014-02-17 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 태양전지의 제조방법, 태양전지제조용 마스크 및 태양전지 제조시스템 |
-
1994
- 1994-10-07 JP JP6270719A patent/JPH08111376A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403322B1 (ko) * | 1996-06-24 | 2004-05-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 및 그에 사용되는 노광장치 |
| KR101363494B1 (ko) * | 2012-02-21 | 2014-02-17 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 태양전지의 제조방법, 태양전지제조용 마스크 및 태양전지 제조시스템 |
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