JPH08104808A - Radiation-sensitive resin composition - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition

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Publication number
JPH08104808A
JPH08104808A JP26322694A JP26322694A JPH08104808A JP H08104808 A JPH08104808 A JP H08104808A JP 26322694 A JP26322694 A JP 26322694A JP 26322694 A JP26322694 A JP 26322694A JP H08104808 A JPH08104808 A JP H08104808A
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JP
Japan
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radiation
polyisoimide
film
weight
dianhydride
Prior art date
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Pending
Application number
JP26322694A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiko Sakurai
明彦 櫻井
Masako Suzuki
雅子 鈴木
Kenji Takeda
研爾 竹田
Hiroharu Ikeda
弘治 池田
Hideetsu Fujiwara
秀悦 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Publication of JPH08104808A publication Critical patent/JPH08104808A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To obtain the subject composition capable of giving pattern-fashioned film improved in film loss problem, good in contrast and excellent in electrical and mechanical properties and thus directly usable as an electrical insulation material because of its being composed of a heat-resistant imide ring-bearing polymer. CONSTITUTION: This radiation-sensitive resin composition comprises (A) a polyisoimide obtained by reaction chiefly between pyromellitic dianhydride and/or 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine mixture composed of diaminodiphenylsulfone, diaminodiphenyl ether and p- phenylenediamine at a molar ratio of (10-90):(10-90):(0-35) and (B) a compound presenting acidity on being irradiated with radiation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、パターン成形後の膜減
り、すなわち、膜厚の減少が少く、コントラストが良好
な感放射線性樹脂組成物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition having a reduced film thickness after pattern formation, that is, a reduced film thickness and a good contrast.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の層間絶縁膜および保護膜に
は、耐熱性および電気特性に優れたポリイミド樹脂が用
いられている。ポリイミド樹脂を用いて層間絶縁膜など
を形成する場合、例えばポリイミド樹脂の前駆体である
ポリアミック酸の溶液を基板の表面上に塗布し、これを
加熱処理することによりポリイミド膜を形成し、次いで
ポリイミド膜表面上に感放射線性膜を設け、放射線の照
射(以下「露光」という。)および現像により所定のパ
ターンを形成した後、下地のポリイミド膜の選択エッチ
ングを行うことにより、所定のパターンを有するポリイ
ミド膜を得る。
2. Description of the Related Art A polyimide resin having excellent heat resistance and electric characteristics is used for an interlayer insulating film and a protective film of a semiconductor device. When forming an interlayer insulating film or the like using a polyimide resin, for example, a solution of polyamic acid that is a precursor of the polyimide resin is applied on the surface of the substrate, and the polyimide film is formed by heat treatment of this, and then the polyimide A radiation-sensitive film is provided on the surface of the film, a predetermined pattern is formed by irradiation with radiation (hereinafter referred to as “exposure”) and development, and then the underlying polyimide film is selectively etched to have a predetermined pattern. Obtain a polyimide film.

【0003】しかし、このようなプロセスは工程が煩雑
である。そこで、感放射線性膜によって形成されるパタ
ーン状膜をそのまま層間絶縁膜などとして用いることが
できる耐熱性感放射線性材料の開発が望まれている。こ
のような材料として、ポリイミドの前駆体を用いた感光
性樹脂が良く知られている。例えばポリイミド前駆体を
用いるものとして、ポリアミック酸にエステル結合やイ
オン結合を介してメタクリロイル基を導入したもの(特
開昭56−38038号公報)が知られている。この場
合、画像形成後に高温処理を行いポリアミック酸を脱水
閉環させてポリイミドのパターンを得るが、この際の脱
水による膜減りが問題となる。
However, such a process has complicated steps. Therefore, it is desired to develop a heat-resistant radiation-sensitive material in which the patterned film formed of the radiation-sensitive film can be used as it is as an interlayer insulating film. As such a material, a photosensitive resin using a polyimide precursor is well known. For example, as a polyimide precursor, a polyamic acid into which a methacryloyl group is introduced through an ester bond or an ionic bond is known (JP-A-56-38038). In this case, a high temperature treatment is performed after image formation to dehydrate and ring the polyamic acid to obtain a polyimide pattern, but the film loss due to dehydration at this time poses a problem.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐熱
性のイミド環を有する高分子から構成される電気的特性
および機械的特性に優れたパターン状膜を形成し得る感
放射線性樹脂組成物を提供することである。本発明の他
の目的は、パターン状膜を形成した後に、イミド環を有
する高分子から構成されるパターン状膜をそのまま絶縁
材料として用いることを可能とする感放射線性樹脂組成
物を提供することである。本発明の更なる他の目的は、
パターン状膜を形成するときに膜減りの問題が改善さ
れ、かつ、コントラストが良好な感放射線性樹脂組成物
を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition capable of forming a patterned film composed of a polymer having a heat-resistant imide ring and having excellent electrical and mechanical properties. It is to provide things. Another object of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition that enables a patterned film composed of a polymer having an imide ring to be directly used as an insulating material after forming the patterned film. Is. Still another object of the present invention is to
It is an object of the present invention to provide a radiation-sensitive resin composition in which the problem of film loss when forming a patterned film is improved and which has good contrast.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的は、(A)ピロ
メリット酸二無水物および3,3’,4,4’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物から選ばれる少なくとも
1種の芳香族テトラカルボン酸二無水物と、ジアミノジ
フェニルスルホン(以下、「DDS」という。)、ジア
ミノジフェニルエーテル(以下、「DDE」という。)
およびP−フェニレンジアミン(以下、「PPD」とい
う。)の3種の芳香族ジアミンのモル比が10〜90:
10〜90:0〜35である芳香族ジアミン混合物とを
主として反応させて得られるポリイソイミド、ならびに
(B)放射線の照射により酸性を呈する化合物(以下、
「酸発生剤」という)、を含有することを特徴とする感
放射線性樹脂組成物、により達成される。
Means for Solving the Problems The above-mentioned object is (A) at least one aromatic tetracarboxylic acid selected from pyromellitic dianhydride and 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride. Carboxylic dianhydride, diaminodiphenyl sulfone (hereinafter referred to as "DDS"), diaminodiphenyl ether (hereinafter referred to as "DDE")
And P-phenylenediamine (hereinafter referred to as “PPD”), the molar ratio of the three aromatic diamines is 10 to 90:
A polyisoimide obtained mainly by reacting with an aromatic diamine mixture of 10 to 90: 0 to 35, and (B) a compound which exhibits acidity upon irradiation with radiation (hereinafter,
“Acid generator”) is contained in the radiation-sensitive resin composition.

【0006】以下、本発明を詳細に詳述するが、それに
より本発明の目的、構成、利点および効果が明らかとな
ろう。本発明の感放射線性樹脂組成物において、樹脂成
分として用いられるポリイソイミドは、ピロメリット酸
二無水物および3,3’,4,4’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物から選ばれる少なくとも1種の芳香
族テトラカルボン酸二無水物と、DDS、DDEおよび
PPDの3種の芳香族ジアミンのモル比が10〜90:
10〜90:0〜35である芳香族ジアミン混合物とを
主として反応させて得られるポリイソイミドであり、3
種の芳香族ジアミンのモル比は、好ましくは15〜8
5:15〜85:0〜30、さらに好ましくは20〜8
0:20〜80:0〜25である。DDSの割合が90
モル%を超えると得られるポリイソイミドを塗膜として
形成しにくくなり、10モル%未満であると得られるポ
リイソイミドの溶解性が低下する。さらに、DDEの割
合が90モル%を超えたり、あるいはPPDの割合が3
5モル%を超えても得られるポリイソイミドの溶媒への
溶解性が低下する。
The present invention will be described in detail below, which will make clear the objects, configurations, advantages and effects of the present invention. In the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the polyisoimide used as the resin component is at least one selected from pyromellitic dianhydride and 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride. The molar ratio of the aromatic tetracarboxylic dianhydride and the three aromatic diamines of DDS, DDE and PPD is 10 to 90:
A polyisoimide obtained mainly by reacting with an aromatic diamine mixture of 10 to 90: 0 to 35, which is 3
The molar ratio of the aromatic diamines is preferably 15-8.
5:15 to 85: 0 to 30, more preferably 20 to 8
It is 0:20 to 8: 0 to 25. 90% DDS
If it exceeds 10 mol%, it will be difficult to form the obtained polyisoimide as a coating film, and if it is less than 10 mol%, the solubility of the obtained polyisoimide will decrease. Furthermore, the DDE ratio exceeds 90 mol%, or the PPD ratio is 3%.
Even if it exceeds 5 mol%, the solubility of the obtained polyisoimide in the solvent is lowered.

【0007】前記ポリイソイミドの主たる繰り返し構造
は、下記式(1)
The main repeating structure of the polyisoimide is represented by the following formula (1)

【0008】[0008]

【化1】 Embedded image

【0009】(式(1)において、R1はDDS、DD
EまたはPPDの残基であり、R2はピロメリット酸二
無水物または3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物残基であり、R3およびR4は、同一ま
たは異なり、水素原子、メチル基またはエチル基であ
る。)で示される繰り返し構造に含まれている2つのカ
ルボキシル基および/またはアルコキシカルボニル基の
少なくとも1つがアミド結合とともに、イミド基および
イソイミド基のいずれかに変換したものである。ここ
で、これらの繰り返し構造に含有するカルボキシル基、
アルコキシカルボニル基、イミド基およびイソイミド基
の合計量に対して、イミド基およびイソイミド基の合計
量は50〜100モル%であり、かつ、イソイミド基が
50モル%以上、好ましくは70モル%以上である。
(In the formula (1), R 1 is DDS, DD
E or a residue of PPD, R 2 is a pyromellitic dianhydride or 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride residue, and R 3 and R 4 are the same or Differently, it is a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group. At least one of the two carboxyl groups and / or alkoxycarbonyl groups contained in the repeating structure represented by the formula (1) is converted to an imide group or an isoimide group together with an amide bond. Here, a carboxyl group contained in these repeating structures,
With respect to the total amount of the alkoxycarbonyl group, the imide group and the isoimide group, the total amount of the imide group and the isoimide group is 50 to 100 mol%, and the isoimide group is 50 mol% or more, preferably 70 mol% or more. is there.

【0010】前記ポリイソイミドは、下記式(2)The polyisoimide has the following formula (2):

【0011】[0011]

【化2】 Embedded image

【0012】(式(2)において、R1は前記式(1)
のR1と同意である。)で示される3種の芳香族ジアミ
ンの特定割合の混合物と、下記式(3)
(In the formula (2), R 1 is the above formula (1)
It is synonymous with R 1 of. ) A mixture of three aromatic diamines represented by the following formulas in a specific ratio,

【0013】[0013]

【化3】 Embedded image

【0014】(式(3)において、R2は前記式(1)
のR2と同意である。)で示される少なくとも1種の芳
香族テトラカルボン酸二無水物とを場合により、その他
の芳香族テトラカルボン酸二無水物、芳香族ジアミンお
よびオルガノシロキサン骨格を含むジアミンを添加して
適切な溶媒(以下、「重合溶媒」という。)中で反応さ
せて前駆重合体であるポリアミック酸を調製し、引き続
き脱水閉環することにより製造することができる。
(In the formula (3), R 2 is the above formula (1)
It is synonymous with R 2 of. ) And at least one aromatic tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (1) and other aromatic tetracarboxylic dianhydrides, aromatic diamines and diamines containing an organosiloxane skeleton are added, and a suitable solvent ( Hereinafter, it can be produced by reacting in a "polymerization solvent") to prepare a polyamic acid that is a precursor polymer, and then performing dehydration ring closure.

【0015】なお、上記反応において添加するその他の
芳香族テトラカルボン酸二無水物の使用量は、ピロメリ
ット酸二無水物および3,3’,4,4’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物の使用量の25モル%以下で
あり、その他の芳香族ジアミンおよびオルガノシロキサ
ン骨格を含むジアミンの使用量は、DDS、DDEおよ
びPPDの使用量の25モル%以下である。ここで、そ
の他の芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例え
ば2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタリンテトラカル
ボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタリ
ンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)スルホン二無水物等が挙げられる。その
他の芳香族ジアミンとしては、m−フェニレンジアミ
ン、o−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフ
ェニルメタン、4,4’−ジ(4”−アミノフェノキ
シ)ジフェニルスルホン、3,3’−ジメチルベンジジ
ン等を挙げることができる。また、オルガノシロキサン
骨格を含むジアミンとしては、下記式(4)および
(5)
The amount of the other aromatic tetracarboxylic dianhydride added in the above reaction is the same as that of pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride. The amount used is 25 mol% or less, and the amount of the other aromatic diamine and diamine containing an organosiloxane skeleton used is 25 mol% or less of the amount used of DDS, DDE and PPD. Here, other aromatic tetracarboxylic dianhydrides include, for example, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride. Anhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride An anhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride and the like can be mentioned. Other aromatic diamines include m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-di (4 "-aminophenoxy) diphenyl sulfone, 3,3'-dimethylbenzidine and the like. Examples of the diamine containing an organosiloxane skeleton include the following formulas (4) and (5).

【0016】[0016]

【化4】 [Chemical 4]

【0017】(式(4)において、R5およびR6は、同
一または異なり、炭素数1〜6のアルキレン基または炭
素数6〜12のアリーレン基であり、R7〜R10は同一
または異なり、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数
6〜12のアリール基であり、jは各々1〜10の整数
である。)
(In the formula (4), R 5 and R 6 are the same or different and are an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, and R 7 to R 10 are the same or different. , An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and j is an integer of 1 to 10 respectively.)

【0018】[0018]

【化5】 Embedded image

【0019】(式(5)において、R11およびR12は、
同一または異なり、式(4)のR5およびR6の場合と同
意であり、R13〜R16は、同一または異なり、式(4)
のR7〜R10の場合と同意であり、kは1〜10の整数
である。)で示されるものを挙げることができる。
(In the formula (5), R 11 and R 12 are
Identical or different, and is synonymous with the case of R 5 and R 6 in formula (4), wherein R 13 to R 16 are the same or different and are represented by formula (4)
Of R 7 to R 10 , and k is an integer of 1 to 10. ) Can be mentioned.

【0020】前記ポリアミック酸を合成するに際して
は、芳香族テトラカルボン酸二無水物1モルに対して、
全芳香族ジアミンおよびオルガノシロキサン骨格を含む
ジアミンは、好ましくは0.8〜1.2モル用いられる。
また、重合溶媒の使用量は、種々の条件に応じて適宜設
定しうるが、反応原料の合計重量が、全溶液重量に対
し、通常、1〜50重量%、好ましくは2〜30重量%
となる量である。なお、反応温度は、通常、80℃以
下、好ましくは0〜60℃であり、反応時間は、通常、
1〜200時間である。
When synthesizing the polyamic acid, 1 mol of the aromatic tetracarboxylic dianhydride is used.
The wholly aromatic diamine and the diamine containing an organosiloxane skeleton are preferably used in an amount of 0.8 to 1.2 mol.
The amount of the polymerization solvent used may be appropriately set according to various conditions, but the total weight of the reaction raw materials is usually 1 to 50% by weight, preferably 2 to 30% by weight, based on the total weight of the solution.
Is the amount. The reaction temperature is usually 80 ° C. or lower, preferably 0 to 60 ° C., and the reaction time is usually
1 to 200 hours.

【0021】前記重合溶媒としては、反応原料に対して
不活性であり、かつこれらを溶解せしめるものが用いら
れ得る。好ましく用いられる重合溶媒は、例えばジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン(以下、「NMP」という。)の如きアミド系
溶媒;ピリジン、ピコリン、ルチジン、キノリン、イソ
キノリンの如き複素環系溶媒;フェノール、クレゾール
の如きフェノール系溶媒;またはジメチルスルホキシド
の如き非プロトン系極性溶媒である。また、上記重合溶
媒に対しては、ベンゼン、トルエン、キシレンの如き芳
香族炭化水素;ジオキサンの如きエーテル等の溶剤を混
合して用いることもできる。
As the above-mentioned polymerization solvent, those which are inactive to the reaction raw materials and can dissolve them can be used. Polymerization solvents preferably used include amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone (hereinafter referred to as "NMP"); heterocyclic solvents such as pyridine, picoline, lutidine, quinoline and isoquinoline; phenol. , A phenolic solvent such as cresol; or an aprotic polar solvent such as dimethyl sulfoxide. Further, a solvent such as an aromatic hydrocarbon such as benzene, toluene or xylene; an ether such as dioxane may be mixed with the above-mentioned polymerization solvent.

【0022】本発明に用いるポリイソイミドは、かくし
て得られるポリアミック酸を脱水剤により一部分のカル
ボキシル基および/またはアルコキシカルボニル基をア
ミド結合とともに閉環せしめてイソイミド化またはイソ
イミド化とイミド化とをすることにより得ることができ
る。ここで、イソイミド化またはイソイミド化とイミド
化とは、ポリアミック酸を含む重合溶媒をそのままで、
あるいはさらに重合溶媒で希釈して、ポリアミック酸の
濃度が、通常、5〜10重量%となるようにして行う。
また、イソイミド化またはイソイミド化とイミド化とを
行うために用いることのできる好ましい脱水剤として、
無水酢酸、無水トリフルオロ酢酸の如き酸無水物;ホス
ゲン、塩化チオニル、塩化トシルの如き塩化物;三塩化
リン、亜リン酸トリフェニル、ジエチルリン酸シアニド
の如きリン化合物;N,N−ジシクロヘキシルカルボジ
イミドの如きN,N−2置換カルボジイミド等を挙げる
ことができる。これらのうち、特に無水トリフルオロ酢
酸が好ましい。これらの脱水剤は、使用する芳香族テト
ラカルボン酸二無水物および芳香族ジアミンの種類によ
り適宜選択して用いる。なお、これらの脱水剤は、ポリ
アミック酸100重量部に対して10〜600重量部用
いることが好ましい。
The polyisoimide used in the present invention is obtained by subjecting the polyamic acid thus obtained to a ring closure together with an amide bond of a partial carboxyl group and / or alkoxycarbonyl group with a dehydrating agent for isoimidation or isoimidation and imidization. be able to. Here, isoimidization or isoimidization and imidization are the polymerization solvent containing polyamic acid as it is,
Alternatively, it is further diluted with a polymerization solvent so that the concentration of the polyamic acid is usually 5 to 10% by weight.
Further, as a preferable dehydrating agent that can be used for performing isoimidization or isoimidization and imidization,
Acid anhydrides such as acetic anhydride and trifluoroacetic anhydride; chlorides such as phosgene, thionyl chloride and tosyl chloride; phosphorus compounds such as phosphorus trichloride, triphenyl phosphite and diethyl phosphoric acid cyanide; N, N-dicyclohexylcarbodiimide And N, N-2 substituted carbodiimides and the like. Of these, trifluoroacetic anhydride is particularly preferable. These dehydrating agents are appropriately selected and used according to the types of aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine used. In addition, it is preferable to use 10 to 600 parts by weight of these dehydrating agents with respect to 100 parts by weight of polyamic acid.

【0023】さらにまた、脱水閉環の進行を容易にする
ために、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブ
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミンの如き三級脂
肪族アミン;N,N−ジメチルアニリン、1,8−ビス
(N,N−ジメチルアミノ)ナフタレンの如き芳香族ア
ミン;ピリジン、ルチジン、キノリン、イソキノリン、
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセンの如き
複素環式化合物等を促進剤として、例えばポリアミック
酸100重量部に対して10〜400重量部を前記脱水
剤と併用して用いることができる。
Furthermore, in order to facilitate the progress of the dehydration ring closure, a tertiary aliphatic amine such as trimethylamine, triethylamine, tributylamine, diisopropylethylamine; N, N-dimethylaniline, 1,8-bis (N, N) An aromatic amine such as -dimethylamino) naphthalene; pyridine, lutidine, quinoline, isoquinoline,
It is preferable to use a heterocyclic compound such as 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene as an accelerator in an amount of 10 to 400 parts by weight in combination with 100 parts by weight of polyamic acid in combination with the dehydrating agent. it can.

【0024】脱水閉環せしめることによるイソイミド化
またはイソイミド化とイミド化とは、前記脱水剤および
必要に応じて前記促進剤をポリアミック酸と混合し反応
させることにより実施される。この反応は0〜200℃
の温度において行うのが好ましく、さらに好ましくは0
〜150℃の温度である。
The isoimidization or isoimidation and imidization by dehydration ring closure are carried out by mixing the dehydrating agent and, if necessary, the promoter with a polyamic acid and reacting them. This reaction is 0 ~ 200 ℃
At a temperature of 0, more preferably 0
The temperature is ˜150 ° C.

【0025】得られるポリイソイミド中のカルボキシル
基、アルコキシカルボニル基、イミド基およびイソイミ
ド基の量は、これらの基の量と使用する芳香族ジアミ
ン、芳香族テトラカルボン酸二無水物、脱水剤、促進
剤、反応温度、反応時間等の反応条件との関係を予め実
験的に求め、この知見に基づいて所定の範囲とすること
ができる。
The amount of the carboxyl group, the alkoxycarbonyl group, the imide group and the isoimide group in the obtained polyisoimide depends on the amount of these groups and the aromatic diamine, aromatic tetracarboxylic dianhydride, dehydrating agent and accelerator used. The relationship with the reaction conditions such as the reaction temperature and the reaction time can be experimentally obtained in advance and can be set within a predetermined range based on this knowledge.

【0026】かくして得られたポリイソイミド溶液から
0〜150℃の温度で、常圧ないし減圧下に溶剤の除去
を行うことにより、目的とするポリイソイミドを得るこ
とができる。また充分に脱水、乾燥させた大過剰のメタ
ノール、エタノールの如きアルコール系溶媒;ジエチル
エーテル、ジイソプロピルエーテルの如きエーテル系溶
媒;メチルエチルケトン、イソブチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン(以下、「MIBK」という。)の如き
ケトン系溶媒等の貧溶媒中にこのポリイソイミド溶液を
注いで再沈操作によってもポリイソイミドを得ることが
できる。
The target polyisoimide can be obtained by removing the solvent from the polyisoimide solution thus obtained at a temperature of 0 to 150 ° C. under normal pressure or reduced pressure. In addition, a sufficiently dehydrated and dried alcohol solvent such as a large excess of methanol or ethanol; an ether solvent such as diethyl ether or diisopropyl ether; methyl ethyl ketone, isobutyl ketone or methyl isobutyl ketone (hereinafter referred to as "MIBK"). The polyisoimide can also be obtained by pouring the polyisoimide solution into a poor solvent such as a ketone solvent and reprecipitating the solution.

【0027】上記により得られたポリイソイミドの溶液
粘度は、EL型回転粘度計を用いて、NMP中、10重
量%の濃度で25℃で測定したときに、通常、0.5〜
200ポアズであり、好ましくは1〜100ポアズであ
り、さらに好ましくは2〜20ポアズである。なお、得
られたポリイソイミドは、有機溶剤に対する溶解性に優
れており、NMP、N,N−ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒にポリイ
ソイミドの濃度が10重量%以上になる程度で可溶であ
る。
The solution viscosity of the polyisoimide obtained as described above is usually 0.5 to 5 when measured at a concentration of 10% by weight in NMP at 25 ° C. using an EL type rotational viscometer.
It is 200 poise, preferably 1 to 100 poise, and more preferably 2 to 20 poise. The obtained polyisoimide has excellent solubility in an organic solvent, and can be used in an aprotic polar solvent such as NMP, N, N-dimethylacetamide, or dimethylsulfoxide at a polyisoimide concentration of 10% by weight or more. It is melted.

【0028】本発明の感放射線性樹脂組成物は、前述し
たポリイソイミドと共に酸発生剤を含む。酸発生剤とし
ては、下記式(Q−1)〜式(Q−18)で示されるキ
ノンジアジド化合物を挙げることができる。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention contains an acid generator together with the above-mentioned polyisoimide. Examples of the acid generator include quinonediazide compounds represented by the following formulas (Q-1) to (Q-18).

【0029】[0029]

【化6】 [Chemical 6]

【0030】[0030]

【化7】 [Chemical 7]

【0031】(式(Q−1)〜(Q−18)において、
Xは水素原子あるいは下記式(6)〜式(8)
(In formulas (Q-1) to (Q-18),
X is a hydrogen atom or the following formulas (6) to (8)

【0032】[0032]

【化8】 Embedded image

【0033】で示されるキノンジアジド骨格を含む基の
いずれかを示す。但し、式(Q−1)〜式(Q−18)
で示される化合物において、少なくとも1個のXは前記
式(6)〜(8)で示されるキノンジアジド骨格を含む
基のいずれかである。また、式(Q−7)において、Y
は下記式
Represents any of the groups having a quinonediazide skeleton represented by However, formula (Q-1) to formula (Q-18)
In the compound represented by, at least one X is any of the groups having a quinonediazide skeleton represented by the formulas (6) to (8). Further, in the formula (Q-7), Y
Is the following formula

【0034】[0034]

【化9】 [Chemical 9]

【0035】で示される2価の基のいずれかである。) このような酸発生剤としては、前記式(Q−1)〜式
(Q−18)において、Xが前記式(8)であるものが
好ましい。これらの酸発生剤は、露光後の熱処理後の膜
減りをより小さく抑え、かつコントラストをより良好に
維持する観点から、前記ポリイソイミド100重量部に
対し5〜50重量部、特には5〜30重量部配合するこ
とが好ましい。また、これらの酸発生剤は単独であるい
は2種以上併用して用いることができる。また酸発生剤
に放射線のエネルギーを吸収してそのエネルギーを酸発
生剤に伝達し、それにより酸の発生量を増加させる作用
を示す増感剤を組み合わせることができる。
It is one of the divalent groups represented by: As such an acid generator, those in which X is the above formula (8) in the formulas (Q-1) to (Q-18) are preferable. These acid generators are used in an amount of 5 to 50 parts by weight, and particularly 5 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyisoimide, from the viewpoint of further suppressing film loss after heat treatment after exposure and maintaining a better contrast. It is preferable to mix them in parts. These acid generators can be used alone or in combination of two or more. Further, it is possible to combine a sensitizer having an action of absorbing the energy of radiation into the acid generator and transmitting the energy to the acid generator, thereby increasing the amount of acid generated.

【0036】次に、本発明の感放射線性樹脂組成物を用
いてパターン状膜を形成する方法を以下に説明する。ま
ず、ポリイソイミド、酸発生剤および溶剤からなる溶液
(以下、単に「感光液」という。)が調製される。この
感光液はポリイソイミドを製造する際に用いられた重合
溶媒をそのまま含むことができる。ここで、前記溶剤と
しては、前記重合溶媒に加えて、クロロホルム、ジクロ
ロメタン、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエ
タン、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,2−トリク
ロロエタン、1,1,1,2−テトラクロロエタン、1,
1,2,2−テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、
ヘキサクロロエタン、1,1−ジクロロエチレン、1,2
−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロ
ロエチレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、
m−ジクロロベンゼン、P−ジクロロベンゼン、1,2,
4−トリクロロベンゼンの如きハロゲン系溶剤;アニソ
ール、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチル
エーテルノの如きエーテル系溶剤;エトキシプロピオン
酸エチル、乳酸エチル、酢酸イソアミル、酢酸エチルの
如きエステル系溶剤等を挙げることができる。これらの
溶剤は単独であるいは併用して用いることができる。
Next, a method for forming a patterned film using the radiation-sensitive resin composition of the present invention will be described below. First, a solution (hereinafter, simply referred to as “photosensitive solution”) including polyisoimide, an acid generator and a solvent is prepared. This photosensitive solution may contain the polymerization solvent used for producing the polyisoimide as it is. Here, the solvent includes, in addition to the polymerization solvent, chloroform, dichloromethane, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethane, 1,1,1-trichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, 1,1. , 1,2-tetrachloroethane, 1,
1,2,2-tetrachloroethane, pentachloroethane,
Hexachloroethane, 1,1-dichloroethylene, 1,2
-Dichloroethylene, trichloroethylene, tetrachloroethylene, chlorobenzene, o-dichlorobenzene,
m-dichlorobenzene, P-dichlorobenzene, 1,2,
Halogen-based solvents such as 4-trichlorobenzene; ether-based solvents such as anisole, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl etherno; ethyl ethoxypropionate, ethyl lactate, isoamyl acetate, ethyl acetate Examples thereof include ester solvents and the like. These solvents can be used alone or in combination.

【0037】感光液の固形分濃度は、1〜70重量%、
特には3〜50重量%となるように調製されるのが好適
である。この感光液を、ガラス基板、シリコンウエハ
ー、銅張り積層板などの支持基板上に回転塗布、浸漬、
噴霧等の手段で塗布し、例えば50〜110℃で乾燥し
て塗膜とする。塗膜の膜厚は、塗布手段、感光液の固形
分濃度、粘度等により1〜200μmの範囲で調節する
ことができるが、3〜50μmとなるように塗布するの
が適切である。次いで、塗布した塗膜を乾燥した後にパ
ターンマスクを通して露光し、露光後、好ましくは10
0〜200℃で1〜10分間程度、後加熱を行う。露光
の際の放射線としては、紫外線、可視光線、電子線、X
線、遠紫外線等を用いることができる。その後、露光部
分を現像液で溶解除去することによりポジ型のパターン
状膜が得られる。
The solid concentration of the photosensitive liquid is 1 to 70% by weight,
In particular, it is preferable that the amount is adjusted to 3 to 50% by weight. This photosensitive solution is spin-coated on a supporting substrate such as a glass substrate, a silicon wafer, and a copper-clad laminated plate, immersed,
It is applied by means such as spraying and dried at 50 to 110 ° C. to form a coating film. The thickness of the coating film can be adjusted in the range of 1 to 200 μm depending on the application means, the solid content concentration of the photosensitive solution, the viscosity, etc., but it is suitable to apply it to 3 to 50 μm. Then, the applied coating film is dried and then exposed through a pattern mask, and after exposure, preferably 10
Post-heating is performed at 0 to 200 ° C. for about 1 to 10 minutes. Radiation for exposure includes ultraviolet rays, visible rays, electron beams, X
Lines, deep ultraviolet rays, etc. can be used. Then, the exposed portion is dissolved and removed with a developing solution to obtain a positive type patterned film.

【0038】前記現像液としては、ポリイソイミドを調
製するのに用いた重合溶媒を包含して、感光液を調製す
る際に用いられる、既に述べた溶剤を挙げることができ
る。これらの重合溶媒を包含する溶剤は単独であるいは
2種以上併用して現像液として用いることができる。さ
らにこれらの重合溶媒を包含する溶剤とポリイソイミド
の貧溶媒(例えばメタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、ベンゼン、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、トルエン、
キシレン、メチルセロソルブ、水等)との混合溶液も現
像液として用いることができる。
Examples of the developing solution include the above-mentioned solvents which are used when preparing a photosensitive solution including the polymerization solvent used for preparing polyisoimide. Solvents including these polymerization solvents can be used alone or in combination of two or more as a developing solution. Furthermore, solvents including these polymerization solvents and poor solvents for polyisoimide (for example, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, toluene,
A mixed solution with xylene, methyl cellosolve, water, etc.) can also be used as the developer.

【0039】また、モノエタノールアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸ナトリウム等の塩基性化合物の水溶液、あるいは
これらの水溶液と前記溶剤との混合溶液も現像液として
用いることができる。ここで、塩基性化合物の水溶液の
濃度は、通常、0.1〜20重量%、好ましくは0.5〜
10重量%である。上記貧溶媒あるいは塩基性化合物の
水溶液を前記溶剤と混合する場合の使用量は、前記溶剤
100重量部に対して90重量部以下である。
Further, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate,
An aqueous solution of a basic compound such as sodium phosphate, or a mixed solution of these aqueous solutions and the above solvent can also be used as the developing solution. Here, the concentration of the aqueous solution of the basic compound is usually 0.1 to 20% by weight, preferably 0.5 to
It is 10% by weight. When the poor solvent or the aqueous solution of the basic compound is mixed with the solvent, the amount used is 90 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the solvent.

【0040】なお、後加熱の条件および現像液の種類を
適宜選択することにより本発明の感放射線性樹脂組成物
を用いたネガ型のパターン状膜を得ることもできる。
A negative patterned film using the radiation-sensitive resin composition of the present invention can be obtained by appropriately selecting the post-heating conditions and the type of developing solution.

【0041】現像により形成されたパターン状膜は、リ
ンス液によりリンスされ、現像液が除去される。リンス
液としては、現像液と混和性のよい溶媒、例えばメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水等から
適宜選択して用いられる。これらは単独でまたは2種以
上を併用することができる。このようにして得られるパ
ターン状膜は、更に150〜450℃の加熱処理によ
り、残存するイソイミド環がイミド環へと転位し、かつ
アミック酸単位がイミド環へ変化することによって耐熱
性を有するパターン状膜となる。
The patterned film formed by development is rinsed with a rinse liquid to remove the developer. As the rinse liquid, a solvent that is miscible with the developer, for example, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene, toluene, xylene, methyl cellosolve, water or the like is appropriately selected and used. These can be used alone or in combination of two or more. The patterned film thus obtained is a pattern having heat resistance due to rearrangement of the remaining isoimide ring into an imide ring and further conversion of the amic acid unit into an imide ring by heat treatment at 150 to 450 ° C. It becomes a film.

【0042】[0042]

【実施例】以下、実施例により本発明をより詳細に説明
するが、本発明はこれらの実施例により制限されるもの
ではない。なお、実施例中の%は重量基準である。実施例1 4,4’−DDE12ミリモルおよび3,3’−DDS
4ミリモルをフラスコに入れ、濃度が10重量%となる
ようにNMPを加えた。これを攪拌し、4,4’−DD
Eおよび3,3’−DDSを溶解させた後、攪拌下、
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物16ミリモルを加えて65℃で7時間反応させ、ポ
リアミック酸溶液を得た。該ポリアミック酸溶液にNM
Pをポリアミック酸の濃度が5重量%となるように加え
た後、氷冷下で激しく攪拌しながらトリフルオロ酢酸無
水物の50重量%NMP溶液16.6mlを滴下した。
滴下後、15℃で3時間攪拌し、反応を終了させた。反
応混合物を脱水処理した5倍容量のMIBK中に攪拌し
ながら加え、30分間攪拌を続け黄色の粉末状沈澱物を
得た。得られた粉末状沈澱物を濾過し、脱水処理したM
IBKで2度洗浄し、黄色粉末をろ過し、50℃で20
時間真空乾燥し、粉末状のポリマーを得た。得られたポ
リイソイミドのカルボキシル基およびアルコキシカルボ
ニル基、ならびにイミド基およびイソイミド基を赤外分
光光度計により定量した。定量結果を表1に示す。次
に、得られたポリイソイミド2.0gをNMP14.0
gに溶解し、さらに酸発生剤として2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステル(以下、「Q−10−1」
と略す。)0.4g(ポリイソイミド100重量部に対
して20重量部に相当する量)を加え、均一な感光液と
した。この感光液をシリコンウェハー上にスピンコート
し、90℃で乾燥して膜厚10.0μmの塗膜を得た。
この時の膜厚を初期膜厚という。この塗膜に、パターン
マスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を400mJ/
cm2照射した。その後、100℃で5分間加熱した
後、1.7重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で現像を行った。現像後、水でリンスを行い、
乾燥したところ、鮮明なポジ型のパターン状膜が得られ
た。次いで、このパターン状膜を窒素雰囲気下300
℃、5分間熱処理を行った。熱処理後の膜厚を測定した
ところ、膜厚は7.9μmであり、残存膜厚率(初期膜
厚に対する熱処理後の膜厚の割合)は79%であった。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples. In the examples,% is based on weight. Example 1 12 mmol 4,4'-DDE and 3,3'-DDS
4 mmol was placed in a flask, and NMP was added so that the concentration became 10% by weight. Stir this, 4,4'-DD
After dissolving E and 3,3′-DDS, with stirring,
16 mmol of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride was added and reacted at 65 ° C. for 7 hours to obtain a polyamic acid solution. NM in the polyamic acid solution
After P was added so that the concentration of polyamic acid was 5% by weight, 16.6 ml of a 50% by weight NMP solution of trifluoroacetic anhydride was added dropwise with vigorous stirring under ice cooling.
After the dropping, the reaction was terminated by stirring at 15 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was added to 5 times the volume of dehydrated MIBK with stirring, and stirring was continued for 30 minutes to obtain a yellow powdery precipitate. The powdery precipitate obtained was filtered and dehydrated.
Wash twice with IBK, filter the yellow powder and wash at 50 ° C for 20
After vacuum drying for a period of time, a powdery polymer was obtained. The carboxyl group and alkoxycarbonyl group of the obtained polyisoimide, and the imide group and the isoimide group were quantified by an infrared spectrophotometer. The quantification results are shown in Table 1. Next, 2.0 g of the obtained polyisoimide was added to NMP14.0.
2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester (hereinafter referred to as "Q-10-1") as an acid generator.
Abbreviated. ) 0.4 g (corresponding to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of polyisoimide) was added to obtain a uniform photosensitive solution. This photosensitive solution was spin-coated on a silicon wafer and dried at 90 ° C. to obtain a coating film having a film thickness of 10.0 μm.
The film thickness at this time is called the initial film thickness. Ultraviolet rays from a high-pressure mercury lamp is applied to this coating film through a pattern mask at 400 mJ /
cm 2 was irradiated. Then, after heating at 100 ° C. for 5 minutes, development was performed with a 1.7 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. After development, rinse with water,
When dried, a clear positive type patterned film was obtained. Then, the patterned film is subjected to 300 nm in a nitrogen atmosphere.
Heat treatment was performed at 5 ° C. for 5 minutes. When the film thickness after the heat treatment was measured, the film thickness was 7.9 μm, and the residual film thickness ratio (ratio of the film thickness after the heat treatment to the initial film thickness) was 79%.

【0043】実施例2〜7 表1に示される芳香族テトラカルボン酸二無水物および
芳香族ジアミンを出発原料とした以外は、実施例1と同
様にしてポリイソイミドの合成を行った。得られたポリ
イソイミドのカルボキシル基およびアルコキシカルボキ
ル基、ならびにイミド基およびイソイミド基を赤外分光
光度計により定量し、結果を表1に示した。次いで、実
施例1と同様にして表2に示した酸発生剤(ポリイソイ
ミド100重量部に対して20重量部に相当する量)を
加え、均一な感光液を調製し、シリコーンウェハー上に
スピンコートし乾燥、露光、加熱および現像を行い、さ
らに加熱処理を行い、ポジ型のパターン状膜を得た。
Examples 2 to 7 Polyisoimides were synthesized in the same manner as in Example 1 except that the aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine shown in Table 1 were used as starting materials. The carboxyl group and alkoxycarboxyl group, and the imide group and the isoimide group of the obtained polyisoimide were quantified by an infrared spectrophotometer, and the results are shown in Table 1. Then, in the same manner as in Example 1, the acid generator shown in Table 2 (corresponding to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of polyisoimide) was added to prepare a uniform photosensitive solution, which was spin-coated on a silicone wafer. Then, drying, exposure, heating and development were performed, and further heat treatment was performed to obtain a positive type patterned film.

【0044】比較例1〜6 表1に示される芳香族テトラカルボン酸二無水物および
芳香族ジアミンを出発原料として用いた以外は、実施例
1と同様にしてポリイソイミドの合成を行った。得られ
たポリイソイミドのカルボキシル基およびアルコキシカ
ルボニル基、ならびにイミド基およびイソイミド基を赤
外分光光度計により定量し、結果を表1に示した。次い
で、表3に記載した酸発生剤(ポリイソイミド100重
量部に対して20重量部に相当する量)を加えて、また
は加えずに実施例1と同様に乾燥、露光、加熱および現
像を行うことを試みた。その結果、比較例1、3、4お
よび6においては、ポリイソイミドがNMPに溶解しな
かったために塗膜を形成することができなかった。ま
た、比較例2および5においては、溶液の粘度が低すぎ
るために、塗膜を形成するのが困難であり、パターン状
膜を得られなかった。
Comparative Examples 1 to 6 Polyisoimides were synthesized in the same manner as in Example 1 except that the aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine shown in Table 1 were used as starting materials. The carboxyl group and alkoxycarbonyl group of the obtained polyisoimide, and the imide group and the isoimide group were quantified by an infrared spectrophotometer, and the results are shown in Table 1. Then, drying, exposure, heating and development are carried out in the same manner as in Example 1 with or without addition of the acid generator shown in Table 3 (amount corresponding to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of polyisoimide). Tried. As a result, in Comparative Examples 1, 3, 4 and 6, the coating film could not be formed because the polyisoimide was not dissolved in NMP. Further, in Comparative Examples 2 and 5, it was difficult to form a coating film because the viscosity of the solution was too low, and a patterned film could not be obtained.

【0045】比較例7 脱水剤であるトリフルオロ酢酸無水物の50重量%NM
P溶液の滴下量を4.5mlに代えた以外は実施例7と
同様にしてポリイソイミドを合成し、表3に記載した酸
発生剤(ポリイソイミド100重量部に対して20重量
部に相当する量)を加えて、実施例1と同様にして乾
燥、露光、加熱および現像を行うことを試みた。その結
果、現像中に未露光部分までもが溶解し、パターン状膜
は得られなかった。
Comparative Example 7 50% by weight NM of trifluoroacetic anhydride as a dehydrating agent
A polyisoimide was synthesized in the same manner as in Example 7 except that the dropping amount of the P solution was changed to 4.5 ml, and the acid generator described in Table 3 (amount corresponding to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of polyisoimide). In the same manner as in Example 1, an attempt was made to carry out drying, exposure, heating and development. As a result, even the unexposed portion was dissolved during development, and a patterned film could not be obtained.

【0046】表1〜3に用いられている略号は以下のと
おりである。芳香族テトラカルボン酸二無水物 BTDA;3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 PMDA;ピロメリット酸二無水物芳香族ジアミン DDE;ジアミノジフェニルエーテル DDS;ジアミノジフェニルスルホン PPD;P−フェニレンジアミン酸発生剤 Q−10−1;2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェ
ノンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル Q−11−1;2,3,4,4’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル Q−18−1;1,1−ジ(4−ヒドロキシフェニル)
−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−
メチル}エチルフェニル]エタンの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル
The abbreviations used in Tables 1 to 3 are as follows. Aromatic tetracarboxylic dianhydride BTDA; 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride PMDA; Pyromellitic dianhydride Aromatic diamine DDE; Diaminodiphenyl ether DDS; Diaminodiphenylsulfone PPD; P -Phenylenediamine acid generator Q-10-1; 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of 2,3,4-trihydroxybenzophenone Q-11-1; 2,3,4,4'-tetra 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of hydroxybenzophenone Q-18-1; 1,1-di (4-hydroxyphenyl)
-1- [4- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of methyl} ethylphenyl] ethane

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物から形成
されるパターン状膜は耐熱性のイミド環を有する高分子
から構成されているので、電気的特性および機械的特性
に優れ、そのまま絶縁材料として用いることができる。
しかも上記パターン状膜を形成する際、膜減りの問題が
著しく改善され、かつコントラストが良好である。
Since the patterned film formed from the radiation-sensitive resin composition of the present invention is composed of a polymer having a heat-resistant imide ring, it has excellent electrical properties and mechanical properties and can be directly insulated. It can be used as a material.
Moreover, when forming the patterned film, the problem of film loss is remarkably improved and the contrast is good.

【表1】 [Table 1]

【表2】 [Table 2]

【表3】 [Table 3]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 (72)発明者 池田 弘治 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 (72)発明者 藤原 秀悦 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication location H01L 21/027 (72) Inventor Koji Ikeda 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Japan Formed Inside Rubber Co., Ltd. (72) Hideetsu Fujiwara 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Inside Synthetic Rubber Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)ピロメリット酸二無水物および
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物から選ばれる少なくとも1種の芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物と、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミ
ノジフェニルエーテルおよびP−フェニレンジアミンの
3種の芳香族ジアミンのモル比が10〜90:10〜9
0:0〜35である芳香族ジアミン混合物とを主として
反応させて得られるポリイソイミド、ならびに(B)放
射線の照射により酸性を呈する化合物、を含有すること
を特徴とする感放射線性樹脂組成物。
1. (A) At least one aromatic tetracarboxylic dianhydride selected from pyromellitic dianhydride and 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and diamino. The molar ratio of the three aromatic diamines of diphenyl sulfone, diaminodiphenyl ether and P-phenylenediamine is 10-90: 10-9.
A radiation-sensitive resin composition comprising a polyisoimide obtained mainly by reacting with an aromatic diamine mixture of 0: 0 to 35, and (B) a compound which exhibits acidity upon irradiation with radiation.
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WO1998034159A1 (en) * 1997-01-30 1998-08-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, method for producing pattern therefrom, electronic devices produced by using the same, and method for production thereof
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