JPH0794747A - Thin film transistor and fabrication thereof - Google Patents
Thin film transistor and fabrication thereofInfo
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- JPH0794747A JPH0794747A JP23510193A JP23510193A JPH0794747A JP H0794747 A JPH0794747 A JP H0794747A JP 23510193 A JP23510193 A JP 23510193A JP 23510193 A JP23510193 A JP 23510193A JP H0794747 A JPH0794747 A JP H0794747A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶ディスプレ
イに使用される薄膜トランジスタおよびその製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor used in, for example, a liquid crystal display and a method of manufacturing the thin film transistor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種の液晶ディスプレイに使用される
薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する）においては、
透明基板の上に形成されたＴＦＴを保護膜で覆うと共
に、遮光膜で遮光する必要がある。2. Description of the Related Art In a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) used in this type of liquid crystal display,
It is necessary to cover the TFT formed on the transparent substrate with a protective film and shield the light with a light shielding film.
【０００３】ここで、遮光膜は、通常はＴＦＴ側ではな
くカラーフィルター側に配置されている。即ち、ＴＦＴ
が形成された透明基板側でなく、カラーフィルターが配
置され、ＴＦＴ側基板と貼り合わされるカラーフィルタ
ー側基板に配置されている。しかし、この構造だと、遮
光率が低いため、透過光やバックライトの光の回折等に
より、画素電極周辺の表示がコントロールできない部分
を通過する光は黒表示状態の品位を下げ、コントラスト
を低下させる。また、ＴＦＴに入射する光はＴＦＴチャ
ネル内に光励起によるリーク電流を発生させ、表示品位
を低下させる。Here, the light-shielding film is usually arranged not on the TFT side but on the color filter side. That is, TFT
The color filter is arranged not on the transparent substrate side on which the film is formed, but on the color filter side substrate to be bonded to the TFT side substrate. However, with this structure, the light-shielding rate is low, and the light passing through the part where the display around the pixel electrode cannot be controlled due to the diffraction of the transmitted light or the light of the backlight reduces the quality of the black display state and lowers the contrast. Let Further, the light incident on the TFT causes a leak current due to photoexcitation in the TFT channel, which deteriorates the display quality.
【０００４】そのため、開口率の低下を余儀なくされ
る。また、ＴＦＴ側基板とカラーフィルター側基板とを
貼り合わせるときの、位置合わせ精度が厳に要求される
ため、歩留まりの低下を生じる。Therefore, the aperture ratio must be reduced. In addition, since the alignment accuracy when the TFT-side substrate and the color filter-side substrate are attached to each other is strictly required, the yield is reduced.
【０００５】このような現状を考慮して、最近では、遮
光膜をＴＦＴの上に形成することが考えられて来てい
る。その一従来例として、特開平４−７４４７６号公報
に開示された薄膜トランジスタの製造方法がある。この
製造方法を図３により説明する。In consideration of such a current situation, recently, it has been considered to form a light shielding film on a TFT. As a conventional example, there is a method of manufacturing a thin film transistor disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-74476. This manufacturing method will be described with reference to FIG.
【０００６】ガラス基板からなる透明基板８の上に、ゲ
ート電極１、ゲート絶縁膜２、アモルファスシリコン膜
３、Ｎ+型アモルファスシリコン膜４および絵素電極５
を順次積層形成し、これにより透明基板８上にＴＦＴを
作製する。A gate electrode 1, a gate insulating film 2, an amorphous silicon film 3, an N + type amorphous silicon film 4 and a pixel electrode 5 are formed on a transparent substrate 8 made of a glass substrate.
Are sequentially laminated to form a TFT on the transparent substrate 8.
【０００７】続いて、ＴＦＴを覆うようにして、透明基
板８の全面上に保護膜６を塗布し、更に、その上に遮光
膜樹脂（遮光膜）７を塗布する。そして、この遮光膜樹
脂７をマスク代わりに利用して、露光、現像を行ってパ
ターニングにより遮光樹脂膜７に覆われていない領域の
保護膜６を除去する。Subsequently, a protective film 6 is applied on the entire surface of the transparent substrate 8 so as to cover the TFT, and a light-shielding film resin (light-shielding film) 7 is further applied thereon. Then, the light shielding film resin 7 is used as a mask to perform exposure and development, and patterning is performed to remove the protective film 6 in a region not covered with the light shielding resin film 7.
【０００８】また、他の製造方法として、ＴＦＴの保護
膜を塗布、露光、パターニングして形成した後、その上
に、遮光膜樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ工程によ
り遮光膜樹脂をパターニングする方法が知られている。As another manufacturing method, a method of coating, exposing, and patterning a TFT protective film, applying a light-shielding film resin thereon, and patterning the light-shielding film resin by a photolithography process is known. Are known.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平４−７
４４７６号公報に開示された製造方法では、遮光膜樹脂
７の材質によっては、それ自身をレジスト代りにしてエ
ッチング、特にエッチングとしてドライエッチングを採
用する場合は、遮光膜樹脂自身がエッチングされるおそ
れがある。遮光膜樹脂７がエッチングされると、遮光率
が低下するために、表示品位が低下し、ＴＦＴの上に遮
光膜樹脂７を形成した意味が薄れてしまう。However, Japanese Patent Laid-Open No. 4-7
In the manufacturing method disclosed in Japanese Patent No. 4476, depending on the material of the light-shielding film resin 7, the light-shielding film resin 7 itself may be etched instead of the resist, and particularly when dry etching is adopted as the etching, the light-shielding film resin itself may be etched. is there. When the light-shielding film resin 7 is etched, the light-shielding rate is lowered, so that the display quality is lowered and the meaning of forming the light-shielding film resin 7 on the TFT is diminished.
【００１０】また、上記の他の製造方法による場合は、
工程数が多いため、製造効率が低下し、コストアップに
つながるという問題がある。Further, in the case of the above other manufacturing method,
Since the number of steps is large, there is a problem that manufacturing efficiency is lowered and cost is increased.
【００１１】本発明は上記従来技術の問題を解決するも
のであり、その目的は、少ない工程数で製造でき、コス
トダウンが可能になると共に、耐ドライエッチング性を
有するため、遮光膜にダメージを与えるおそれがなく、
歩留りの向上が図れ、更には信頼性の向上が図れる薄膜
トランジスタおよびその製造方法を提供することにあ
る。The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art. The object of the present invention is that the number of steps can be reduced, the cost can be reduced, and the dry etching resistance can be obtained. There is no danger of giving
It is an object of the present invention to provide a thin film transistor capable of improving yield and further improving reliability, and a manufacturing method thereof.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜トランジス
タは、透明基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導
体層および絵素電極がこの順に積層され、かつこれらを
覆うようにして保護膜としての役割をも有する遮光膜が
積層されており、そのことにより上記目的が達成され
る。A thin film transistor according to the present invention comprises a transparent substrate on which a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer and a pixel electrode are laminated in this order, and a thin film transistor as a protective film is formed so as to cover them. The light-shielding film which also has a role is laminated, and thereby the above-mentioned object is achieved.
【００１３】また、本発明の薄膜トランジスタは、透明
基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層および
絵素電極がこの順に積層され、かつこれらを覆うように
して保護膜が積層され、該保護膜の上に遮光膜が積層さ
れており、そのことにより上記目的が達成される。Further, in the thin film transistor of the present invention, a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer and a pixel electrode are laminated in this order on a transparent substrate, and a protective film is laminated so as to cover these, and the protective film is formed. A light-shielding film is laminated on the film, thereby achieving the above object.
【００１４】また、本発明の薄膜トランジスタの製造方
法は、透明基板上に薄膜トランジスタを形成する工程
と、該薄膜トランジスタを覆うようにして、該透明基板
の全面に保護膜としての役割をも有する遮光膜樹脂を積
層する工程と、該遮光膜樹脂の不要部分を除去する工程
とを包含しており、そのことにより上記目的が達成され
る。The method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention comprises a step of forming a thin film transistor on a transparent substrate, and a light shielding film resin which also covers the thin film transistor and also serves as a protective film on the entire surface of the transparent substrate. And a step of removing an unnecessary portion of the light-shielding film resin, which achieves the above object.
【００１５】また、本発明の薄膜トランジスタは、透明
基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、該薄膜ト
ランジスタを覆うようにして、該透明基板の全面に保護
膜を積層する工程と、該保護膜上に遮光膜樹脂を積層す
る工程と、該遮光膜樹脂の上にレジスト膜を塗布し、露
光、現像、パターニングを行った後、エッチングにより
該保護膜および該遮光樹脂膜の不要部分を一度に除去す
る工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。Further, the thin film transistor of the present invention comprises a step of forming a thin film transistor on a transparent substrate, a step of laminating a protective film on the entire surface of the transparent substrate so as to cover the thin film transistor, and light shielding on the protective film. A step of laminating a film resin, and a step of applying a resist film on the light-shielding film resin, performing exposure, development, and patterning, and then removing the unnecessary portion of the protective film and the light-shielding resin film by etching The above object is achieved thereby.
【００１６】[0016]
【作用】上記の第１の薄膜トランジスタの製造方法にお
いては、遮光膜が保護膜の役割をも有するので、保護膜
の形成工程が不要になる。従って、工程数の削減が図れ
る。In the first method of manufacturing a thin film transistor, the light-shielding film also serves as a protective film, so that the step of forming the protective film is unnecessary. Therefore, the number of steps can be reduced.
【００１７】また、上記の第２の薄膜トランジスタの製
造方法においては、透明基板の全面に形成された保護膜
および遮光膜の不要部分を一度のエッチング工程で除去
できるので、保護膜用のフォトリソグラフィ工程を省略
できる。即ち、この方法によれば、工程数の削減が図れ
る。Further, in the above-mentioned second method of manufacturing a thin film transistor, since unnecessary portions of the protective film and the light shielding film formed on the entire surface of the transparent substrate can be removed by one etching step, a photolithography step for the protective film. Can be omitted. That is, according to this method, the number of steps can be reduced.
【００１８】加えて、保護膜および遮光膜の不要部分を
除去するにあたって、ＴＦＴ上の遮光膜をレジストで覆
うので、遮光膜にダメージを与えるおそれがない。In addition, since the light-shielding film on the TFT is covered with the resist when removing unnecessary portions of the protective film and the light-shielding film, there is no risk of damaging the light-shielding film.
【００１９】このような方法によって製造された薄膜ト
ランジスタは、いずれも遮光層がＴＦＴの上に形成され
ているので、カラーフィルター側基板とＴＦＴ側基板と
の貼り合わせ精度の条件を緩和できる。従って、製造効
率の向上に寄与できる。また、開口率を向上できる。更
には、開口部である絵素部と遮光部である絵素部以外の
領域との区分けを明瞭に行うことができるので、表示コ
ントラストを向上できる。In each of the thin film transistors manufactured by such a method, since the light shielding layer is formed on the TFT, the condition of the bonding precision between the color filter side substrate and the TFT side substrate can be relaxed. Therefore, it can contribute to the improvement of manufacturing efficiency. In addition, the aperture ratio can be improved. Further, since the picture element portion which is the opening portion and the area other than the picture element portion which is the light shielding portion can be clearly distinguished, the display contrast can be improved.
【００２０】[0020]
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】（実施例１）図１は本発明の薄膜トランジ
スタの実施例１を示す。この薄膜トランジスタは、ガラ
ス基板からなる透明基板８上に、ゲート電極１、ゲート
絶縁膜２、アモルファスシリコン膜３、Ｎ+型アモルフ
ァスシリコン膜４および絵素電極５を順次積層形成した
構造になっている。そして、ＴＦＴ上には、保護膜６が
積層され、その上に遮光膜樹脂７が積層されている。即
ち、このＴＦＴは遮光層をＴＦＴ上に形成した構造にな
っている。Example 1 FIG. 1 shows Example 1 of the thin film transistor of the present invention. This thin film transistor has a structure in which a gate electrode 1, a gate insulating film 2, an amorphous silicon film 3, an N + type amorphous silicon film 4 and a pixel electrode 5 are sequentially laminated on a transparent substrate 8 made of a glass substrate. . The protective film 6 is laminated on the TFT, and the light shielding film resin 7 is laminated thereon. That is, this TFT has a structure in which a light shielding layer is formed on the TFT.
【００２２】このような構造のＴＦＴによれば、遮光層
がＴＦＴの上に形成されているので、カラーフィルター
側基板とＴＦＴ側基板との貼り合わせ精度の条件を緩和
できる。また、開口率を向上できる。更には、開口部で
ある絵素部と遮光部である絵素部以外の領域との区分け
を明瞭に行うことができるので、表示コントラストを向
上できる。According to the TFT having such a structure, since the light-shielding layer is formed on the TFT, it is possible to relax the condition of the bonding accuracy between the color filter side substrate and the TFT side substrate. In addition, the aperture ratio can be improved. Further, since the picture element portion which is the opening portion and the area other than the picture element portion which is the light shielding portion can be clearly distinguished, the display contrast can be improved.
【００２３】次に、実施例１のＴＦＴの製造方法につい
て説明する。まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基
板からなる透明基板８の表面に、Ａｌ、Ｍｏ等の金属か
らなるゲート電極１をパターニングする。Next, a method of manufacturing the TFT of Example 1 will be described. First, as shown in FIG. 1A, a gate electrode 1 made of a metal such as Al or Mo is patterned on the surface of a transparent substrate 8 made of a glass substrate.
【００２４】続いて、ゲート電極１を覆うようにして、
透明基板８の全面にＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなるゲー
ト絶縁膜２を積層する。次に、ゲート絶縁膜２の上にア
モルファスシリコン膜３をパターニングし、その上に、
Ｎ+型アモルファスシリコン膜４をアイランド状にパタ
ーニングする。そして、一端部がＮ+型アモルファスシ
リコン膜４の端部に重畳するようにして、ＩＴＯからな
る透明導電膜をパターニングして絵素電極５を形成す
る。このようにしてＴＦＴが作製される。Then, so as to cover the gate electrode 1,
The gate insulating film 2 made of SiNx, SiOx or the like is laminated on the entire surface of the transparent substrate 8. Next, the amorphous silicon film 3 is patterned on the gate insulating film 2 and then,
The N + type amorphous silicon film 4 is patterned into an island shape. Then, the transparent conductive film made of ITO is patterned so that one end portion overlaps the end portion of the N + type amorphous silicon film 4 to form the pixel electrode 5. In this way, the TFT is manufactured.
【００２５】次に、このようにしてＴＦＴが作製された
透明基板８の全面に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなり、
透明又は半透明のＴＦＴ保護膜６を積層する。続いて、
保護膜６の上に黒色染色基材、ブラックレジスト等の有
機物からなる遮光膜樹脂７を積層する。Next, on the entire surface of the transparent substrate 8 on which the TFT is manufactured in this way, SiNx, SiOx, etc. are formed,
A transparent or semitransparent TFT protective film 6 is laminated. continue,
On the protective film 6, a light-shielding film resin 7 made of an organic material such as a black dyeing base material and a black resist is laminated.
【００２６】続いて、遮光膜樹脂７の上に感光性のレジ
スト膜９を塗布し、露光、現像、パターニングをした
後、エッチングにより、一度の工程で保護膜６および遮
光膜樹脂７の不要部分を除去する（図１（Ｂ）参照）。
これにより、遮光膜７がその上に形成されたＴＦＴを得
ることができる。Subsequently, a photosensitive resist film 9 is applied onto the light-shielding film resin 7, exposed, developed and patterned, and then etched to remove unnecessary portions of the protective film 6 and the light-shielding film resin 7 in one step. Are removed (see FIG. 1B).
As a result, a TFT having the light shielding film 7 formed thereon can be obtained.
【００２７】このような本発明方法によれば、一度のエ
ッチング工程で、保護膜６および遮光膜樹脂７の不要部
分を取り除くことができるので、保護膜６の上にレジス
ト膜を塗布して、フォトリソグラフィ工程により保護膜
６をパターニングする工程が不要になる。従って、工程
数を削減でき、製造効率の向上が図れる。According to the method of the present invention as described above, unnecessary portions of the protective film 6 and the light shielding film resin 7 can be removed by a single etching step. Therefore, a resist film is applied on the protective film 6, The step of patterning the protective film 6 by the photolithography step becomes unnecessary. Therefore, the number of steps can be reduced and manufacturing efficiency can be improved.
【００２８】また、遮光膜樹脂７は、レジスト膜９で覆
われているので、エッチングによるダメージを受けるこ
とがない。従って、歩留りの向上が図れる。また、信頼
性の向上が図れる。Further, since the light shielding film resin 7 is covered with the resist film 9, it is not damaged by etching. Therefore, the yield can be improved. In addition, reliability can be improved.
【００２９】（実施例２）図２は本発明の薄膜トランジ
スタの実施例２を示す。この薄膜トランジスタは、ガラ
ス基板からなる透明基板８上に、ゲート電極１、ゲート
絶縁膜２、アモルファスシリコン膜３、Ｎ+型アモルフ
ァスシリコン膜４および絵素電極５を順次積層形成した
構造になっている。そして、ＴＦＴ上には、遮光膜樹脂
７が積層されている。即ち、このＴＦＴも遮光層をＴＦ
Ｔ上に形成した構造になっている。それ故、上記実施例
１の薄膜トランジスタ同様の効果を奏する。Example 2 FIG. 2 shows Example 2 of the thin film transistor of the present invention. This thin film transistor has a structure in which a gate electrode 1, a gate insulating film 2, an amorphous silicon film 3, an N + type amorphous silicon film 4 and a pixel electrode 5 are sequentially laminated on a transparent substrate 8 made of a glass substrate. . Then, the light shielding film resin 7 is laminated on the TFT. That is, this TFT also has a light shielding layer of TF.
It has a structure formed on T. Therefore, the same effect as the thin film transistor of the first embodiment is obtained.
【００３０】次に、実施例２のＴＦＴの製造方法につい
て説明する。透明基板８の上にＴＦＴを作製するまでの
工程は、実施例１と同一であるので、以下にその後の工
程のみを説明する。Next, a method of manufacturing the TFT of Example 2 will be described. The steps until the TFT is formed on the transparent substrate 8 are the same as in Example 1, so only the subsequent steps will be described below.
【００３１】透明基板８上にＴＦＴが形成されると、図
２（Ａ）に示すように、ＴＦＴを覆うようにして、透明
基板８の全面に、例えば、エチルエトキシプロピオネー
ト等の保護膜を兼ねる遮光膜樹脂７を積層する。続い
て、遮光膜樹脂７を露光、現像して不要な部分を取り除
き、図２（Ｂ）に示すように、遮光層が上に形成された
構造のＴＦＴを得る。When the TFT is formed on the transparent substrate 8, as shown in FIG. 2A, a protective film such as ethyl ethoxypropionate is formed on the entire surface of the transparent substrate 8 so as to cover the TFT. The light-shielding film resin 7 which also serves as a laminate is laminated. Subsequently, the light-shielding film resin 7 is exposed and developed to remove unnecessary portions to obtain a TFT having a structure with a light-shielding layer formed thereon as shown in FIG.
【００３２】なお、遮光膜樹脂７として非感光性のもの
を用いる場合は、遮光膜樹脂７の上に感光性のレジスト
膜を塗布し、露光、現像によりパターニングした後、エ
ッチングにより余分の遮光膜樹脂７を取り除くことによ
り、図２（Ｂ）に示すＴＦＴを得ることができる。When a non-photosensitive resin is used as the light-shielding film resin 7, a photosensitive resist film is applied onto the light-shielding film resin 7, patterned by exposure and development, and then an excess light-shielding film is formed by etching. By removing the resin 7, the TFT shown in FIG. 2B can be obtained.
【００３３】いずれの製造方法による場合も、遮光膜樹
脂７が保護膜を兼ねるので、保護膜を形成する工程が不
要になる。従って、工程数を削減でき、製造効率の向上
が図れる。また、遮光膜樹脂７が感光性の場合はエッチ
ングを行わず、遮光膜樹脂７が非感光性の場合はこれを
レジスト膜で覆ってエッチングを行うので、エッチング
によるダメージが遮光膜樹脂７に及ぶことがない。従っ
て、歩留りの向上が図れる。また、信頼性を向上でき
る。In any of the manufacturing methods, since the light-shielding film resin 7 also serves as a protective film, the step of forming the protective film becomes unnecessary. Therefore, the number of steps can be reduced and manufacturing efficiency can be improved. Further, when the light-shielding film resin 7 is photosensitive, etching is not performed, and when the light-shielding film resin 7 is non-photosensitive, it is covered with a resist film for etching, so that the light-shielding film resin 7 is damaged by the etching. Never. Therefore, the yield can be improved. In addition, reliability can be improved.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上の本発明によれば、ＴＦＴの上に遮
光層を形成するので、まず、第１に、遮光率を高めるこ
とができる。従って、開口率が大きくなり、同一輝度で
あれば、他の構造のＴＦＴに比べてバックライトの消費
電力を低減することが可能になる。また、開口部である
絵素部と遮光部である絵素部以外の領域との区分けを明
瞭に行うことができるので、表示コントラストを向上で
きる。更には、ディスプレイに応用する場合は、ＴＦＴ
側基板とカラーフィルター側基板との貼り合わせ条件が
緩和されるので、歩留まりの向上が図れる。従って、デ
ィスプレイのコストダウンに大いに寄与できる。As described above, according to the present invention, since the light shielding layer is formed on the TFT, firstly, the light shielding rate can be increased. Therefore, when the aperture ratio is large and the brightness is the same, it is possible to reduce the power consumption of the backlight as compared with a TFT having another structure. Further, since it is possible to clearly distinguish between the picture element portion which is the opening portion and the area other than the picture element portion which is the light shielding portion, the display contrast can be improved. Furthermore, when applied to a display, TFT
Since the bonding conditions for the side substrate and the color filter side substrate are relaxed, the yield can be improved. Therefore, it can greatly contribute to the cost reduction of the display.
【００３５】第２に、遮光膜樹脂にダメージを与えるお
それがなく、この点からも表示品位の向上が図られる。Secondly, there is no possibility of damaging the light-shielding film resin, and the display quality can be improved from this point as well.
【００３６】第３に、工程数を削減でき、製造効率の向
上が図れるので、上記効果を享受できる薄膜トランジス
タを安価に製造できる。Third, since the number of steps can be reduced and the manufacturing efficiency can be improved, a thin film transistor which can enjoy the above effects can be manufactured at low cost.
【図１】実施例１の薄膜トランジスタの製造方法を示す
断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a thin film transistor of Example 1.
【図２】実施例２の薄膜トランジスタの製造方法を示す
断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the thin film transistor of Example 2.
【図３】従来の薄膜トランジスタの製造方法を説明する
ための断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing a thin film transistor.
１ ゲート電極 ２ ゲート絶縁膜 ３ アモルファスシリコン膜 ４ Ｎ+型アモルファスシリコン膜 ５ 絵素電極 ６ 保護膜 ７ 遮光膜樹脂 ８ 透明基板 ９ レジスト膜1 Gate Electrode 2 Gate Insulating Film 3 Amorphous Silicon Film 4 N + Type Amorphous Silicon Film 5 Pixel Electrode 6 Protective Film 7 Light-Shielding Resin 8 Transparent Substrate 9 Resist Film
Claims (4)
膜、半導体層および絵素電極がこの順に積層され、かつ
これらを覆うようにして保護膜としての役割をも有する
遮光膜が積層されている薄膜トランジスタ。1. A gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, and a pixel electrode are laminated in this order on a transparent substrate, and a light-shielding film which also covers these components and also functions as a protective film is laminated. Thin film transistor.
膜、半導体層および絵素電極がこの順に積層され、かつ
これらを覆うようにして保護膜が積層され、該保護膜の
上に遮光膜が積層されている薄膜トランジスタ。2. A gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer and a pixel electrode are laminated in this order on a transparent substrate, and a protective film is laminated so as to cover them, and a light shielding film is formed on the protective film. A thin film transistor in which is laminated.
る工程と、 該薄膜トランジスタを覆うようにして、該透明基板の全
面に保護膜としての役割をも有する遮光膜樹脂を積層す
る工程と、 該遮光膜樹脂の不要部分を除去する工程とを包含する薄
膜トランジスタの製造方法。3. A step of forming a thin film transistor on a transparent substrate, a step of laminating a light shielding film resin which also functions as a protective film on the entire surface of the transparent substrate so as to cover the thin film transistor, and the light shielding film. A method of manufacturing a thin film transistor, comprising the step of removing an unnecessary portion of resin.
る工程と、 該薄膜トランジスタを覆うようにして、該透明基板の全
面に保護膜を積層する工程と、 該保護膜上に遮光膜樹脂を積層する工程と、 該遮光膜樹脂の上にレジスト膜を塗布し、露光、現像、
パターニングを行った後、エッチングにより該保護膜お
よび該遮光樹脂膜の不要部分を一度に除去する工程とを
包含する薄膜トランジスタの製造方法。4. A step of forming a thin film transistor on a transparent substrate, a step of laminating a protective film on the entire surface of the transparent substrate so as to cover the thin film transistor, and a step of laminating a light shielding film resin on the protective film. And applying a resist film on the light-shielding film resin, exposing, developing,
A method of manufacturing a thin film transistor, which comprises the step of removing unnecessary portions of the protective film and the light-shielding resin film at once by etching after patterning.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23510193A JPH0794747A (en) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | Thin film transistor and fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23510193A JPH0794747A (en) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | Thin film transistor and fabrication thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794747A true JPH0794747A (en) | 1995-04-07 |
Family
ID=16981077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23510193A Withdrawn JPH0794747A (en) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | Thin film transistor and fabrication thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794747A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969643B2 (en) | 1995-12-29 | 2005-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
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1993
- 1993-09-21 JP JP23510193A patent/JPH0794747A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969643B2 (en) | 1995-12-29 | 2005-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US7623193B2 (en) | 1995-12-29 | 2009-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US8023057B2 (en) | 1995-12-29 | 2011-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
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