JPH0786500B2 - Electrode parts for sample dropping of ion sensor - Google Patents
Electrode parts for sample dropping of ion sensorInfo
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- JPH0786500B2 JPH0786500B2 JP63110440A JP11044088A JPH0786500B2 JP H0786500 B2 JPH0786500 B2 JP H0786500B2 JP 63110440 A JP63110440 A JP 63110440A JP 11044088 A JP11044088 A JP 11044088A JP H0786500 B2 JPH0786500 B2 JP H0786500B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、イオン感応膜を改善したイオンセンサの検体
滴下用電極部品に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sample dropping electrode part of an ion sensor having an improved ion-sensitive film.
検体中のイオン濃度を測定するために、イオン感応性電
界効果型トランジスタ（以下ISFETと称する）を用いた
イオンセンサが使われており、検出するイオンの特異性
に優れていることが知られている。An ion sensor that uses an ion-sensitive field-effect transistor (hereinafter referred to as ISFET) is used to measure the ion concentration in a sample, and it is known to have excellent specificity of the detected ion. There is.
このISFETには、電界効果型トランジスタ（FET）のゲー
ト絶縁膜上にイオン感応膜を設けたものが使用されてい
るが、イオン感応膜とFETを同一半導体基板上で分離し
た構造の分離ゲート式ISFETも知られている。This ISFET uses an ion-sensitive film on the gate insulating film of a field effect transistor (FET), but it is a separated gate type with a structure in which the ion-sensitive film and the FET are separated on the same semiconductor substrate. ISFET is also known.
これらのISFETのイオン感応膜としては、無機系材料、
例えば窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化インジ
ウム膜からなる水素イオン感応膜が知られている。一
方、有機系材料からなるイオン感応膜も用いられてお
り、これには高分子膜中にイオノフォアと呼ばれる、イ
オンを選択的に取り込む活性物質を担持させたものが用
いられている。イオノフォアとしてバリノマイシンを用
いるとカリウムイオン感応膜、ビス−（12−クラウン−
４）を用いるとナトリウムイオン感応膜がそれぞれでき
る。As the ion sensitive film of these ISFETs, inorganic materials,
For example, a hydrogen ion sensitive film including a silicon nitride film, an aluminum oxide film, and an indium oxide film is known. On the other hand, an ion-sensitive film made of an organic material is also used, in which a polymer film having an active substance called an ionophore that selectively takes in ions is used. Using valinomycin as an ionophore, potassium ion sensitive membrane, bis- (12-crown-
By using 4), a sodium ion sensitive membrane can be formed.
この高分子膜としては、可塑剤を含んだポリ塩化ビニル
が用いられている。Polyvinyl chloride containing a plasticizer is used as the polymer film.
しかしながら、ポリ塩化ビニルフィルムは、塗布される
電極面に対する密着性が劣り、イオン感応膜を安定動作
させるために必要なこととされている。その製造直後か
ら検出しようとするイオン水溶液中に浸漬保存すること
により、イオン感応膜の剥離が生じたり、塗布面との界
面に小泡ができたりすることがあり、これらがイオンセ
ンサとしての特性を劣化させる原因となるという問題が
ある。However, the polyvinyl chloride film is inferior in adhesion to the electrode surface to which it is applied, and is required for stable operation of the ion sensitive film. Immersion and storage in the aqueous ionic solution to be detected immediately after its production may cause the ion-sensitive film to peel off or cause small bubbles to form at the interface with the coating surface. There is a problem that it causes deterioration of.
特に、分離ゲート式ISFET構造のイオンセンサは、FETの
ゲート電極を延長し、FET本体から離れたところに検体
と接触する部分を設け、検体の水分等がFETの性能に影
響を及ぼさないようにしており、この延長部分のゲート
電極用リード片は例えば銀のメッキにより形成されるの
で、その表面には凹凸が多く、ポリ塩化ビニルフィルム
の密着性が良くないという問題点を有する。In particular, in the ion sensor with a separated gate type ISFET structure, the gate electrode of the FET is extended and a part that comes into contact with the sample is provided away from the FET body so that moisture of the sample does not affect the performance of the FET. However, since the lead portion for the gate electrode of this extended portion is formed by, for example, silver plating, there are many irregularities on the surface, and there is a problem that the adhesion of the polyvinyl chloride film is not good.
本発明は、上記課題を解決するために、ソース電極用配
線リード片、ドレイン電極用配線リード片、ゲート電極
用配線リード片、該ゲート電極用配線リード片を延長し
て形成しかつイオン感応膜を設けた分離ゲート電極用配
線リード片及び該ゲート電極用配線リード片に相対する
比較電極用配線リード片を基板に有し、上記イオン感応
膜を設けた分離ゲート電極用配線リード片及び比較電極
用配線リード片の周囲に絶縁材からなる堤体を設けて検
体液滴下窓部を形成し、上記ソース電極用配線リード
片、ドレイン電極用配線リード片及びゲート電極用配線
リード片に接続しかつ固定した電界効果型半導体を有す
るイオンセンサにおいて、上記検体液滴下窓部を有する
上記イオン感応膜を設けた分離ゲート電極用配線リード
片及び比較電極用配線リード片の部分をその他の構成体
であるイオンセンサ本体から分割して独立させ、該イオ
ンセンサ本体に接続して使用する検体滴下用電極部品で
あって、上記イオン感応膜に水酸基及び／又はカルボキ
シル基を有するビニル系高分子を含有させたイオンセン
サの検体滴下用電極部品を提供するものである。In order to solve the above problems, the present invention provides a source electrode wiring lead piece, a drain electrode wiring lead piece, a gate electrode wiring lead piece, an extension of the gate electrode wiring lead piece, and an ion-sensitive film. The wiring lead piece for the separation gate electrode and the wiring lead piece for the comparison electrode facing the wiring lead piece for the gate electrode provided on the substrate, and the wiring lead piece for the separation gate electrode and the comparison electrode provided with the ion sensitive film. A barrier body made of an insulating material is provided around the wiring lead piece for forming a sample droplet lower window portion, and the wiring lead piece for source electrode, the wiring lead piece for drain electrode and the wiring lead piece for gate electrode are connected and In an ion sensor having a fixed field-effect semiconductor, a wiring lead piece for a separation gate electrode and a reference electrode arrangement having the ion sensitive film having the lower window portion of the specimen droplet are provided. An electrode component for dropping a specimen, which is used by connecting a lead piece portion to an ion sensor main body which is another component separately and connecting the ion sensor main body, wherein the ion sensitive film has a hydroxyl group and / or a carboxyl group. A sample dropping electrode component of an ion sensor containing a vinyl polymer having a group is provided.
本発明において使用される水酸基及び／又はカルボキシ
ル基を有するビニル系高分子は、後述の実施例に示した
もののほかに、水酸基とカルボキシル基の両方を含むも
のでも良く、また、これらを別々に含む高分子の混合物
でも良く、また、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体、その他水酸基、カルボキシル基以外の基
を有するモノマーを共重合したビニル系高分子を併用す
ることもできる。The vinyl polymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group used in the present invention may be one containing both a hydroxyl group and a carboxyl group, in addition to those shown in the examples described later, and may also contain these separately. A mixture of polymers may be used, and polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, and a vinyl-based polymer obtained by copolymerizing a monomer having a group other than a hydroxyl group and a carboxyl group may be used together.
本発明に係わる水酸基及び／又はカルボキシル基を有す
るビニル系高分子としては、塩化ビニル−酢酸ビニル−
ビニルアルコールの共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
の部分ケン化物、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸
（又は無水マレイン酸）等の不飽和カルボン酸を共重合
させたもの等が挙げられる。これらのビニル系高分子に
は、さらに他のモノマーも共重合させることができる。The vinyl polymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group according to the present invention includes vinyl chloride-vinyl acetate-
Examples thereof include copolymers of vinyl alcohol, partially saponified products of vinyl chloride-vinyl acetate, and copolymers of unsaturated carboxylic acids such as vinyl chloride-vinyl acetate-maleic acid (or maleic anhydride). Other monomers can also be copolymerized with these vinyl polymers.
また、本発明で使用されるビニル系高分子には可塑剤等
の添加剤も併用することができ、例えば可塑剤としては
ビニル樹脂用の可塑剤として使用されているものが用い
られる。Further, the vinyl polymer used in the present invention may be used in combination with an additive such as a plasticizer. For example, as the plasticizer, those used as plasticizers for vinyl resins are used.
また、上記ビニル系高分子を含有する担体に担持させる
活性物質としては、例えばバリノマイシンを用いると、
カリウムイオンを検出することができるが、下記の活性
物質を用いれば検体中からそれぞれに特有な右側のイオ
ンを検出できる。As the active substance to be carried on the carrier containing the vinyl polymer, for example, if valinomycin is used,
Potassium ions can be detected, but the following active substances can be used to detect the ion on the right side, which is peculiar to each, from the sample.
bis−12−crown−４ ナトリウムイオン トリドデシルアミン クロールイオン ノナクチン アンモニウムイオン また、本発明に係わるイオン感応膜は、ゲート電極を延
長してFET本体より分離しかつ比較電極用配線リード片
を同一基板上に組み込んだ分離ゲート型FET構造のイオ
ンセンサ（実願昭62−155625号明細書（実開平１−6165
5号公報）に記載されたもの）、また、FET等と組み合わ
せて使用する別体の検体液に接触する電極用配線リード
片部分のみを分離した感応膜センサープレート（実願昭
63−7103号明細書（実開平１−112453号公報）に記載さ
れたもの）等固体電極配線リード片上に感応膜を形成す
るいずれのものにも使用できる。bis-12-crown-4 sodium ion tridodecylamine chlorion ion nonactin ammonium ion Further, the ion sensitive film according to the present invention has a gate electrode extended to be separated from the FET body and a reference electrode wiring lead piece on the same substrate. Ion sensor with separated gate type FET structure incorporated in (Japanese Utility Model Application No. 62-155625)
No. 5)), or a sensitive membrane sensor plate in which only the electrode wiring lead piece portion that comes into contact with a separate sample liquid used in combination with a FET or the like is separated (Practical application Sho.
No. 63-7103 (described in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 1-112453), etc. can be used for forming a sensitive film on a lead piece of a solid electrode wiring.
また、ソース電極用配線リード片、ドレイン電極用配線
リード片、分離ゲート電極用配線リード片等のイオン感
応膜が形成される配線リード片の材料としては、銀、白
金・パラジウム、金、白金、クロム、銅等の金属、Ir
O2、SnO2等の酸化物導電体を使用しても良く、これらは
メッキ、蒸着、あるいはペーストにして塗布し、焼付け
るようにしても良い。Further, as the material of the wiring lead piece on which the ion-sensitive film is formed, such as the source electrode wiring lead piece, the drain electrode wiring lead piece, the separation gate electrode wiring lead piece, silver, platinum / palladium, gold, platinum, Metals such as chrome and copper, Ir
An oxide conductor such as O 2 or SnO 2 may be used, and these may be plated, vapor-deposited, or applied as a paste and baked.
また、上記の配線リード片を形成する基板には、ガラス
板、樹脂板、セラミック板も使用できる。Further, a glass plate, a resin plate, or a ceramic plate can be used as the substrate for forming the wiring lead piece.
ビニル系高分子に水酸基、カルボキシル基を導入するこ
とにより、特に金属等に対する親和性が増大するものと
考えられる。It is considered that the introduction of a hydroxyl group or a carboxyl group into the vinyl-based polymer increases the affinity for metals and the like.
次に本発明の実施例を第４図に基づいて説明するが、そ
の前に第１図及び第２図に基づく参考例によりイオン感
応膜の分離ゲート電極用配線リード片に対する密着性を
説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4. Before that, the adhesion of the ion sensitive film to the wiring lead piece for the separation gate electrode will be described with reference to FIGS. 1 and 2. .
まず、第１図に示すようにガラス基板１上に蒸着により
形成したソース電極用配線リード片２、トレイン電極用
配線リード片３及びゲート電極用配線リード片４にFET5
をハンダ付けにより固定する。ゲート電極用配線リード
片を延長してその端部に分離ゲート電極用配線リード片
4aを形成しておき、その周囲にエポキシ樹脂等の絶縁材
からなる堤体６を形成して検体液滴下窓部７を形成す
る。さらに上記検体液滴下窓部７に臨ませられた分離ゲ
ート電極用配線リード片4aに下記参考例、比較例で得ら
れる塗液を塗布・乾燥してイオン感応膜８を形成する。
なお、９は耐水性の絶縁膜である。First, as shown in FIG. 1, the FET 5 is formed on the source electrode wiring lead piece 2, the train electrode wiring lead piece 3 and the gate electrode wiring lead piece 4 which are formed on the glass substrate 1 by vapor deposition.
Is fixed by soldering. Wiring lead piece for gate electrode is extended and separated at its end
4a is formed in advance, and a dam body 6 made of an insulating material such as epoxy resin is formed around it to form a sample droplet lower window portion 7. Further, the coating liquids obtained in the following reference examples and comparative examples are applied and dried on the wiring lead pieces 4a for the separation gate electrode facing the sample droplet lower window portion 7 to form the ion sensitive film 8.
In addition, 9 is a water resistant insulating film.
このにようにして得られたものは別の比較電極と組みあ
わされてイオンセンサとして使用することができる。こ
れは、上記したゲート電極を延長してFET本体より分離
しかつ比較電極用配線リード片を同一基板上に組み込ん
だ分離ゲート型FET構造のイオンセンサから比較電極用
配線リード片を除き、比較電極を別体に構成した完全分
離ゲード型FET構造のイオンセンサである。The thus obtained product can be combined with another reference electrode and used as an ion sensor. This is because the above-mentioned gate electrode is extended and separated from the FET body, and the reference electrode wiring lead piece is removed from the ion sensor of the separated gate type FET structure in which the reference electrode wiring lead piece is incorporated on the same substrate. This is an ion sensor with a fully-isolated gate type FET structure that is configured separately.
参考例１ 塩化ビニル：酢酸ビニル：ビニルアルコールの重量組成
比が91:3:6、平均重合度が420である高分子粉末0.2g、
ジオクチルアジペート0.15ml、バリノマイシン2.5mgを3
mlのテトラヒドロフランに溶解した溶液を第１図に示す
分離ゲート電極用配線リード片4a上に10μ滴下し、自
然乾燥により成膜化し、イオン感応膜８としてカリウム
イオン感応膜を形成した。この膜厚は約80μｍであっ
た。Reference Example 1 0.2 g of polymer powder having a vinyl chloride: vinyl acetate: vinyl alcohol weight composition ratio of 91: 3: 6 and an average degree of polymerization of 420,
Dioctyl adipate 0.15 ml, valinomycin 2.5 mg 3
10 μl of a solution dissolved in tetrahydrofuran (ml) was dropped on the wiring lead piece 4a for the separation gate electrode shown in FIG. 1, and a film was formed by natural drying to form a potassium ion sensitive film as the ion sensitive film 8. This film thickness was about 80 μm.
このようにして得られたものを第３図に示されるソース
ホロワー回路10により、KCl飽和Ag/AgCl比較電極11を用
い、カリウムイオン感応膜表面における電位を測定し、
溶液のカリウムイオン濃度を変化させた時の電位変化に
よりカリウムイオン感応膜の感度を求めた。The thus obtained product was measured by a source follower circuit 10 shown in FIG. 3 using a KCl-saturated Ag / AgCl reference electrode 11 to measure the potential on the surface of a potassium ion-sensitive film.
The sensitivity of the potassium ion sensitive membrane was determined by the change in the potential when the potassium ion concentration of the solution was changed.
この感度を上記作製直後と、作製後イオン感応膜を10mM
のKCl中に浸漬保存して７日経過した後、さらに同様に1
4日経過した後に求めた結果をそれぞれ表に示す。This sensitivity was measured immediately after the above-mentioned production, and after the production, the ion-sensitive membrane was adjusted to 10 mM.
After soaking in KCl for 7 days and then 1
The results obtained after 4 days are shown in the table.
また、カリウムイオン感応膜の分離ゲート電極用配線リ
ード片4aとの間に小泡が発生するかどうかを目視により
調べた結果、７日後のみならず14日後のものにも小泡は
見られなかった。Moreover, as a result of visually inspecting whether or not small bubbles were generated between the potassium ion-sensitive film and the wiring lead piece 4a for the separation gate electrode, no small bubbles were observed not only after 7 days but also after 14 days. It was
参考例２ 参考例１において使用した高分子の代わりに、塩化ビニ
ル：酢酸ビニル：マレイン酸の重量組成比が86:13:1、
平均重合度が420である高分子粉末を用いた以外は参考
例１と同様にしてカリウムイオン感応膜を形成したもの
を作製し、これを用いて参考例１と同様に測定した結果
を表１に示す。なお、小泡の発生を参考例１と同様に調
べたところ、小泡は７日後のもののみならず、14日後の
ものにも見られなかった。Reference Example 2 Instead of the polymer used in Reference Example 1, the weight composition ratio of vinyl chloride: vinyl acetate: maleic acid was 86: 13: 1,
A potassium ion-sensitive film was formed in the same manner as in Reference Example 1 except that a polymer powder having an average degree of polymerization of 420 was used, and the results were measured in the same manner as in Reference Example 1 using Table 1. Shown in. When the generation of small bubbles was examined in the same manner as in Reference Example 1, no small bubbles were observed not only after 7 days but also after 14 days.
比較例 参考例１において使用した高分子の代わりに、アルドリ
ッチ社製塩化ビニル樹脂0.2gを用いた以外は参考例１と
同様にしてカリウムイオン感応膜を形成したものを作製
し、これについても参考例１と同様に測定した結果を表
に示す。また、小泡の発生を参考例１と同様に調べたと
ころ、７日後、14日後のものに小泡が見られた。Comparative Example A potassium ion-sensitive film was prepared in the same manner as in Reference Example 1, except that 0.2 g of vinyl chloride resin manufactured by Aldrich was used in place of the polymer used in Reference Example 1, and this was also referred to. The results of the same measurements as in Example 1 are shown in the table. When the generation of small bubbles was examined in the same manner as in Reference Example 1, small bubbles were observed after 7 days and 14 days.
なお、括弧内は作製日の感度に対する％である。 The values in parentheses are% of the sensitivity on the date of preparation.
以上の結果から、参考例のイオン感応膜は分離ゲート電
極用配線リード片に良く密着しているが、比較例のもの
はその密着力が弱いことがわかる。From the above results, it can be seen that the ion-sensitive film of the reference example adheres well to the wiring lead piece for the separation gate electrode, but the adhesion force of the comparative example is weak.
実施例１ 第４図（イ）に示すように、第１図と同様にガラス基板
１上にソース電極用配線リード片２、ドレイン電極用配
線リード片３、ゲート電極用配線リード片４を形成し、
さらに比較電極用配線リード片12を形成し、前３者の配
線リード片には第１図と同様にFET5を取りつけ、イオン
センサ本体13を作成する。Example 1 As shown in FIG. 4 (a), source electrode wiring lead pieces 2, drain electrode wiring lead pieces 3, and gate electrode wiring lead pieces 4 were formed on a glass substrate 1 as in FIG. Then
Further, a wiring lead piece 12 for the comparison electrode is formed, and the FET 5 is attached to the wiring lead pieces of the former three as in FIG. 1 to form the ion sensor main body 13.
次に、第４図（ロ）に示すように、別の基板１′に上記
ゲート電極用配線リード片４、比較電極用配線リード片
12をそれぞれ延長した位置に分離ゲート電極用配線リー
ド片4a、分離比較電極用配線リード片12′を上記配線リ
ード片の場合と同様にそれぞれ形成し、これらの配線リ
ード片の周囲に第１図の検体液滴下窓部７と同様な検体
液滴下窓部７′を形成し、さらにこの検体液滴下窓部
７′に臨ませた分離ゲート電極用配線リード片4aに上記
参考例１又は２のイオン感応膜８を形成し、検体液滴下
用電極部14を作成する。Next, as shown in FIG. 4B, the wiring lead piece 4 for the gate electrode and the wiring lead piece for the comparison electrode are formed on another substrate 1 '.
The wiring lead pieces 4a for the separation gate electrode and the wiring lead pieces 12 'for the separation comparison electrode are respectively formed at the positions where 12 is extended in the same manner as in the case of the above wiring lead pieces, and the wiring lead pieces 4a and 1b are formed around these wiring lead pieces. The sample droplet lower window portion 7'which is similar to the sample droplet lower window portion 7'is formed, and the separation gate electrode wiring lead piece 4a exposed to the sample droplet lower window portion 7'is used in the above-mentioned Reference Example 1 or 2. The ion-sensitive film 8 is formed, and the sample droplet lower electrode portion 14 is formed.
次に第４図（ハ）に示すように、検体滴下用電極部品14
をイオンセンサ本体13に重ね、分離ゲート電極用配線リ
ード片とゲート電極用配線リード片、比較電極用配線リ
ード片と分離比較電極用配線リード片を導電性接着剤15
により接合する。その後第１図の場合と同様に絶縁膜を
設けるが、図示省略する。Next, as shown in FIG. 4C, the sample dropping electrode component 14
On the ion sensor main body 13 and the conductive adhesive 15 is applied to the wiring lead piece for the separated gate electrode and the wiring lead piece for the gate electrode, the wiring lead piece for the comparison electrode and the wiring lead piece for the separated comparison electrode.
To join. After that, an insulating film is provided as in the case of FIG. 1, but the illustration is omitted.
〔発明の効果〕」 本発明は、以上説明したように、イオン感応膜に水酸基
及び／又はカルボキシル基を有するビニル系高分子を含
有させたので、分離ゲート型FET構造のもので、分離ゲ
ート電極用配線リード片や比較電極用配線リード片が金
属材料から構成され、これにイオン感応膜が形成されて
いるようなものでも、イオンセンサを安定動作させるた
めに検出しようとするイオンを含んだ溶液にそのイオン
感応膜を浸漬することによってはそのイオン感応膜の剥
離を生じることがなく、イオンセンサの特性を長く損な
わないように維持できる。[Advantages of the Invention] As described above, the present invention has a separation gate type FET structure and a separation gate electrode because the ion-sensitive film contains a vinyl polymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group. Even if the wiring lead piece for the reference electrode and the wiring lead piece for the reference electrode are made of a metal material and an ion sensitive film is formed on it, the solution containing the ions to be detected for the stable operation of the ion sensor By immersing the ion-sensitive film in, the ion-sensitive film is not peeled off, and the characteristics of the ion sensor can be maintained for a long time.
そして比較電極用配線リード片と分離ゲート電極用配線
リード片を基板上に設け、これらの電極を臨ませる検体
液滴下窓部を設けたので、その窓部に検体の１滴を滴下
するだけでよく、検体液が微量で良いというメリットを
活かしたイオンセンサを提供することができる。Then, the wiring lead piece for the reference electrode and the wiring lead piece for the separation gate electrode are provided on the substrate, and the lower window portion of the sample droplet facing these electrodes is provided. Therefore, it is only necessary to drop one droplet of the sample on the window portion. Well, it is possible to provide an ion sensor that takes advantage of the advantage that a small amount of sample liquid is required.
また、FETを構成する高価な基板とはことなる安価な基
板に分離ゲート電極用ゲート片及び比較電極用リード片
を設けるので、コストを低減できる。Further, the cost can be reduced because the gate piece for the separation gate electrode and the lead piece for the comparison electrode are provided on an inexpensive substrate which is different from the expensive substrate which constitutes the FET.
第１図は完全分離ゲートFET型イオンセンサの主要部を
示す平面図、第２図はそのII−II断面図、第３図はこの
イオンセンサを使用した測定回路図、第４図（イ）〜
（ハ）は本発明の一実施例の製造工程を示す概略説明図
である。 図中、1,1′は基板、２はソース電極用配線リード片、
３はドレイン電極用配線リード片、４はゲート電極用配
線リード片、4aは分離ゲート電極用配線リード片、５は
FET、7,7′は検体液滴下窓部、８はイオン感応膜、11、
12は比較電極用配線リード片、12′は分離比較電極用配
線リード片、13はイオンセンサ本体、14は検体滴下用電
極部品である。FIG. 1 is a plan view showing the main part of a complete separation gate FET type ion sensor, FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II, FIG. 3 is a measurement circuit diagram using this ion sensor, and FIG. 4 (a). ~
(C) is a schematic explanatory drawing which shows the manufacturing process of one Example of this invention. In the figure, 1, 1'is a substrate, 2 is a wiring lead piece for a source electrode,
3 is a drain electrode wiring lead piece, 4 is a gate electrode wiring lead piece, 4a is a separated gate electrode wiring lead piece, and 5 is
FETs, 7 and 7'are window portions below the sample droplet, 8 is an ion sensitive film, 11,
Reference numeral 12 is a wiring lead piece for a reference electrode, 12 'is a wiring lead piece for a separate reference electrode, 13 is an ion sensor body, and 14 is an electrode part for dropping a sample.
Claims (1)
用配線リード片、ゲート電極用配線リード片、該ゲート
電極用配線リード片を延長して形成しかつイオン感応膜
を設けた分離ゲート電極用配線リード片及び該ゲート電
極用配線リード片に相対する比較電極用配線リード片を
基板に有し、上記イオン感応膜を設けた分離ゲート電極
用配線リード片及び比較電極用配線リード片の周囲に絶
縁材からなる堤体を設けて検体液滴下窓部を形成し、上
記ソース電極用配線リード片、ドレイン電極用配線リー
ド片及びゲート電極用配線リード片に接続しかつ固定し
た電界効果型半導体を有するイオンセンサにおいて、上
記検体液滴下窓部を有する上記イオン感応膜を設けた分
離ゲート電極用配線リード片及び比較電極用配線リード
片の部分をその他の構成体であるイオンセンサ本体から
分割して独立させ、該イオンセンサ本体に接続して使用
する検体滴下用電極部品であって、上記イオン感応膜に
水酸基及び／又はカルボキシル基を有するビニル系高分
子を含有させたイオンセンサの検体滴下用電極部品。1. A source electrode wiring lead piece, a drain electrode wiring lead piece, a gate electrode wiring lead piece, and a separated gate electrode formed by extending the gate electrode wiring lead piece and provided with an ion-sensitive film. A wiring lead piece and a wiring lead piece for a reference electrode facing the wiring lead piece for a gate electrode are provided on a substrate, and the wiring lead piece for a separated gate electrode and the wiring lead piece for a comparison electrode are provided around the ion sensitive film. A field effect type semiconductor is provided, in which a dam body made of an insulating material is provided to form a lower window portion of a sample droplet, which is connected to and fixed to the source electrode wiring lead piece, the drain electrode wiring lead piece, and the gate electrode wiring lead piece. In the ion sensor having the above, other parts of the wiring lead piece for the separation gate electrode and the wiring lead piece for the comparison electrode provided with the ion sensitive film having the lower window portion of the sample droplet are An electrode component for dropping a sample, which is used by connecting to the ion sensor main body by dividing it from the ion sensor main body which is a constituent, and is a vinyl polymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group in the ion sensitive film. An electrode component for dropping a sample of an ion sensor containing a.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110440A JPH0786500B2 (en) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | Electrode parts for sample dropping of ion sensor |
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