JPH0772806A - Manufacture of x-y matrix assembly for electrophoretic display panel - Google Patents
Manufacture of x-y matrix assembly for electrophoretic display panelInfo
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- JPH0772806A JPH0772806A JP5221288A JP22128893A JPH0772806A JP H0772806 A JPH0772806 A JP H0772806A JP 5221288 A JP5221288 A JP 5221288A JP 22128893 A JP22128893 A JP 22128893A JP H0772806 A JPH0772806 A JP H0772806A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電気泳動表示パネルの
部品であるＸＹマトリックス組立体の製造方法に関す
る。本発明において、ＸＹマトリックス組立体とは、透
明基板上に形成された複数の水平方向（Ｘ方向）の帯状
の陰極と、絶縁層である該陰極に交差する複数の垂直方
向（Ｙ方向）の凸状部材と、該絶縁層上に形成された金
属薄膜電極を含むものをいう。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an XY matrix assembly which is a component of an electrophoretic display panel. In the present invention, the XY matrix assembly includes a plurality of horizontal (X direction) strip-shaped cathodes formed on a transparent substrate and a plurality of vertical directions (Y direction) intersecting the cathodes which are insulating layers. It includes a convex member and a metal thin film electrode formed on the insulating layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電気泳動表示パネルに関しては多数の多
様な特許および論文がある。このような電気泳動表示パ
ネルに関して参考にされるのは、コピーテル社の１９８
７年４月７日発行、米国特許第４，６５５，８９７号明
細書、発明の名称「電気泳動表示パネルおよび関連する
方法」である。BACKGROUND OF THE INVENTION There are many diverse patents and articles relating to electrophoretic display panels. References relating to such an electrophoretic display panel include 198 of Copytel Corporation.
U.S. Pat. No. 4,655,897, issued Apr. 7, 1995, entitled "Electrophoretic Display Panels and Related Methods," entitled Invention.
【０００３】前記米国特許において、透明基板上の複数
の水平方向の帯状の陰極と、絶縁層である該陰極に交差
する複数の垂直方向の凸状部材と、該絶縁層上に形成さ
れた金属薄膜電極を含むＸＹマトリックス組立体(1) 、
前記ＸＹマトリックス組立体から所定の間隔をとって配
置された陽極を有する基板(2) との間に電気泳動分散媒
体を封入し得る室(3) をもった電気泳動表示パネルが提
案されている。In the above-mentioned US Patent, a plurality of horizontal strip-shaped cathodes on a transparent substrate, a plurality of vertical convex members intersecting with the cathodes, which are insulating layers, and a metal formed on the insulating layers. XY matrix assembly including thin film electrodes (1),
There is proposed an electrophoretic display panel having a chamber (3) capable of enclosing an electrophoretic dispersion medium between a substrate (2) having an anode arranged at a predetermined distance from the XY matrix assembly. .
【０００４】前記米国特許には、電気泳動表示パネルを
組み立てる方法については具体的に記載されていない
が、絶縁層である凸状部材にスパッタリングもしくは蒸
着にて金属薄膜電極を形成している。Although the US patent does not specifically describe a method for assembling an electrophoretic display panel, a metal thin film electrode is formed on a convex member which is an insulating layer by sputtering or vapor deposition.
【０００５】上記のとおり、絶縁層上に金属薄膜電極を
形成する際、絶縁層表面に特に物理的もしくは化学的処
理を行うことなく、通常のスパッタリング、もしくは蒸
着法で形成している。As described above, when the metal thin film electrode is formed on the insulating layer, the surface of the insulating layer is formed by the usual sputtering or vapor deposition method without any physical or chemical treatment.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記のうち、蒸着法に
よる金属薄膜電極形成法では十分な付着力を得ることは
できず、またスパッタリングによる金属薄膜電極の形成
法では幾分か改善されるものの十分でなく、絶縁層と金
属薄膜電極の付着力の不足のために、金属薄膜電極の剥
離、クラックが起こり、その結果、断線が生じる。Among the above, the metal thin film electrode forming method by the vapor deposition method cannot obtain a sufficient adhesive force, and the metal thin film electrode forming method by the sputtering has some improvement. Insufficient adhesion between the insulating layer and the metal thin-film electrode causes peeling and cracking of the metal thin-film electrode, resulting in disconnection.
【０００７】本発明の目的は、ＸＹマトリックス組立体
を形成する際に、絶縁層表面をプラズマによる処理を行
うことにより、剥離、クラックの発生を防止して断線の
少ないＸＹマトリックス組立体を製造する方法を提供す
るものである。An object of the present invention is to manufacture an XY matrix assembly with less wire breakage by preventing the generation of peeling and cracks by treating the surface of the insulating layer with plasma when forming the XY matrix assembly. It provides a method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、(1) 複数の水
平方向の帯状の透明の陰極を有する透明基板上に全面に
液状の有機物を塗布し、ベーキングして絶縁層を形成
し、(2) その基板の絶縁層の全面に金属薄膜をスパッタ
リングし、(3) その基板全面にフォトレジストを塗布
し、ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光し、
現像し、ベーキングして、フォトレジスト硬化物の複数
の垂直方向のパターンを形成し、(4) エッチングにより
フォトレジスト硬化物で覆われていない金属薄膜部分を
除去して垂直方向の金属薄膜電極のパターンを形成し、
(5) 陰極上の有機物質および金属薄膜電極上のフォトレ
ジストを除去して、電気泳動表示パネル用のＸＹマトリ
ックス組立体を製造するにあたり、上記(2)の工程にお
いて、基板に電圧を印加し、絶縁層表面をプラズマにさ
らした後連続して又はさらしながらターゲット側に電圧
を印加してプラズマを発生させ、スパッタリングを行う
ことを特徴とするＸＹマトリックス組立体の製造法であ
る。Means for Solving the Problems The present invention includes (1) applying a liquid organic substance on the entire surface of a transparent substrate having a plurality of horizontal strip-shaped transparent cathodes, and baking to form an insulating layer, (2) Sputtering a metal thin film on the entire surface of the insulating layer of the substrate, (3) applying photoresist on the entire surface of the substrate, baking, and then placing a photomask and exposing.
Develop and bake to form multiple vertical patterns of the cured photoresist, and (4) remove the metal thin film portion not covered with the cured photoresist by etching to remove the metal thin film electrode in the vertical direction. Forming a pattern,
(5) In manufacturing the XY matrix assembly for the electrophoretic display panel by removing the organic material on the cathode and the photoresist on the metal thin film electrode, in the step of (2) above, voltage is applied to the substrate. The method for producing an XY matrix assembly is characterized in that after the surface of the insulating layer is exposed to plasma, voltage is applied to the target side to generate plasma by continuously or while exposing the surface, and sputtering is performed.
【０００９】本発明における(1) の工程では、複数の水
平方向の帯状の透明の陰極を有する透明基板上に全面に
液状の有機物を塗布し、ベーキングし絶縁層を形成す
る。透明基板の材料としては、ソーダガラス、ほう珪酸
ガラスなどが使われる。透明陰極の材料としては、ＩＴ
Ｏ（インジウム−スズ酸化物）、酸化スズ、インジウム
マグネシウム酸化物などが使われる。In the step (1) of the present invention, a liquid organic material is applied over the entire surface of a transparent substrate having a plurality of horizontal strip-shaped transparent cathodes and baked to form an insulating layer. As the material of the transparent substrate, soda glass, borosilicate glass, etc. are used. The material of the transparent cathode is IT
O (indium-tin oxide), tin oxide, indium magnesium oxide, etc. are used.
【００１０】透明基板上に複数の水平方向の帯状の透明
陰極を形成する方法は例えば、フォトレジストを塗布
し、露光、現像、ベーキング、ウェットエッチングする
等により行われる。透明陰極上に塗布される液状の有機
物としては、熱硬化性のフォトレジストなどが使用され
る。ベーキングは通常、１２０〜１８０℃、３０〜６０
分行われる。A method for forming a plurality of horizontal strip-shaped transparent cathodes on a transparent substrate is carried out, for example, by applying a photoresist, exposing, developing, baking, wet etching and the like. A thermosetting photoresist or the like is used as the liquid organic substance applied on the transparent cathode. Baking is usually 120 to 180 ° C, 30 to 60
Done in minutes.
【００１１】本発明における(2) の工程では、その基板
の絶縁層の全面に金属薄膜をスパッタリングする。絶縁
層に耐剥離性、耐クラック性の高い金属薄膜電極を形成
する方法として、スパッタリング法を用い、スパッタリ
ング槽内に基板を取り付け、スパッタリング槽内を真空
に排気し、スパッタリングガスを導入する。その後、絶
縁層の取り付けられた基板に電圧を印加し、プラズマを
発生させる。絶縁層表面をプラズマにさらした後、もく
しはプラズマにさらしながら、スパッタリング槽内を大
気開放することなく連続してターゲットに電圧を印加し
プラズマを発生させ、金属薄膜電極形成を行う。In the step (2) of the present invention, a metal thin film is sputtered on the entire surface of the insulating layer of the substrate. As a method for forming a metal thin film electrode having high peeling resistance and crack resistance on an insulating layer, a sputtering method is used, a substrate is attached in a sputtering tank, the inside of the sputtering tank is evacuated to a vacuum, and a sputtering gas is introduced. Then, a voltage is applied to the substrate on which the insulating layer is attached to generate plasma. After exposing the surface of the insulating layer to the plasma, the metal thin film electrode is formed by continuously applying a voltage to the target while exposing the inside of the sputtering tank to the atmosphere while exposing the inside of the sputtering tank to the plasma.
【００１２】スパッタリングに際してはスパッタリング
ガスとしてアルゴン、ネオン、キセノン、もしくはこれ
らのガスと酸素、水素、CF4 、CF3Br 、C2ClF5、CCl4、
C2F4Cl2 などのガスとの混合ガスが用いられ、ガス圧力
は0.1mTorrから50mTorr の範囲で行われる。基板もしく
はターゲットに印加される電圧の形式は直流電圧、高周
波電圧が考えられる。At the time of sputtering, as a sputtering gas, argon, neon, xenon, or these gases and oxygen, hydrogen, CF 4 , CF 3 Br, C 2 ClF 5 , CCl 4 ,
A mixed gas with a gas such as C 2 F 4 Cl 2 is used, and the gas pressure is in the range of 0.1 mTorr to 50 mTorr. The voltage applied to the substrate or target may be DC voltage or high frequency voltage.
【００１３】本発明における(3) の工程では、金属薄膜
電極が形成された基板全面にフォトレジストを塗布し、
前ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光し、現
像し、後ベーキングしてフォトレジスト硬化物の複数の
垂直方向のパターンを形成する。フォトレジストとして
は、一般的にノボラック系のポジ型レジストが使用さ
れ、例えばシプレー社製、商品名シプレーS1400-22、同
シプレーS1400-27が使用される。In the step (3) of the present invention, a photoresist is applied to the entire surface of the substrate on which the metal thin film electrode is formed,
After the pre-baking, a photomask is placed on the substrate for exposure, development is performed, and the post-baking is performed to form a plurality of vertical patterns of the cured photoresist. As the photoresist, a novolac-based positive resist is generally used. For example, Shipley S1400-22 and Shipley S1400-27 manufactured by Shipley Co. are used.
【００１４】前ベーキングは、通常、80〜100 ℃、10〜
40分間行われる。露光量は膜厚に応じて変化させるが、
例えばフォトレジストが1.6 μm の場合は85mJ/cm2であ
る。現像はシプレー社製、商品名シプレーマイクロポジ
ェットデベロッパーコンクを用い、回転させながら20秒
間スプレーすることにより行う。後ベーキングは、通
常、110 〜180 ℃、30〜120 分間行う。The pre-baking is usually carried out at 80 to 100 ° C. and 10 to
40 minutes. The amount of exposure changes depending on the film thickness,
For example, when the photoresist is 1.6 μm, it is 85 mJ / cm 2 . The development is carried out by spraying for 20 seconds while rotating using a Shipley Micropodget Developer Conc, trade name, manufactured by Shipley. The post-baking is usually performed at 110 to 180 ° C for 30 to 120 minutes.
【００１５】本発明における(4) の工程では、エッチン
グによりフォトレジスト硬化物で覆われていない金属薄
膜部分を除去し、垂直方向の金属薄膜電極のパターンを
形成する。エッチングは硫酸セリウム＋硫酸又は硝酸、
硝酸セリウムアンモニウム＋硝酸等の水溶液をエッチン
グ液として用い、これらエッチング液中に浸積するか又
はエッチング液をスプレーすることにより行う。In the step (4) of the present invention, the metal thin film portion which is not covered with the photoresist hardened material is removed by etching to form a vertical metal thin film electrode pattern. Etching is cerium sulfate + sulfuric acid or nitric acid,
An aqueous solution of cerium ammonium nitrate + nitric acid or the like is used as an etching solution, and immersion or spraying of the etching solution is carried out.
【００１６】本発明における(5) の工程では、陰極上の
絶縁層（有機物）および金属薄膜電極上のフォトレジス
トを除去する。これは酸素、酸素を含有する混合ガス等
を用いドライエッチングすることにより行う。In the step (5) of the present invention, the insulating layer (organic substance) on the cathode and the photoresist on the metal thin film electrode are removed. This is performed by dry etching using oxygen, a mixed gas containing oxygen, or the like.
【００１７】以上(1) 〜(5) の工程を順次行うことによ
り電気泳動表示パネルの部品であるＸＹマトリックス組
立体が得られる。By sequentially performing the above steps (1) to (5), an XY matrix assembly which is a component of the electrophoretic display panel can be obtained.
【００１８】ＸＹマトリックス組立体(1) から所定の間
隔をとって配置された陽極を有する基板(2) との間に電
気泳動表示パネルを封入しうる室(3) を設けることよっ
て電気泳動表示パネルが製作される。An electrophoretic display is provided by providing a chamber (3) capable of enclosing the electrophoretic display panel between the XY matrix assembly (1) and a substrate (2) having an anode arranged at a predetermined distance. The panel is manufactured.
【００１９】[0019]
【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明するが、
本発明はこれらの実施例に何ら制限されるものではな
い。実施例で用いたスパッタリング装置は日電アネルバ
社製ＳＰＦ５３０Ｈであり、その断面の略図は図１に示
したとおりである。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
The invention is in no way limited to these examples. The sputtering apparatus used in the examples is SPF530H manufactured by Nichiden Anelva Co., Ltd. The schematic view of the cross section is as shown in FIG.
【００２０】実施例１ (1) 複数の水平方向の帯状の透明陰極（材質、インジウ
ムスズ酸化物）を有する透明基板（材質、ほう酸ガラ
ス）上に全面に液状の有機物（材質、シプレー社製１４
００−２２番）を塗布し、100 ℃、20分間ベーキングし
絶縁層を形成した。Example 1 (1) A liquid organic substance (material, manufactured by Shipley Co., Ltd. 14) on the entire surface of a transparent substrate (material, borate glass) having a plurality of horizontal strip-shaped transparent cathodes (material, indium tin oxide).
No. 00-22) was applied and baked at 100 ° C. for 20 minutes to form an insulating layer.
【００２１】(2) その基板の絶縁層の全面に金属薄膜を
スパッタリングした。すなわち、基板ホルダー２に絶縁
層を形成した基板１０を取り付け、スパッタリング槽３
を密封し、0.1mTorrとなるまで排気系オリフィス６を開
いて排気し、その後、スパッタリング槽内の圧力が0.4m
Torrを維持する様にスパッタリングガスであるアルゴン
ガス導入量および排気量をオリフィス７及び６を調整し
た。次いで、絶縁層を有する基板に1.2kW の高周波電圧
を印加しプラズマを発生させ、絶縁層表面をプラズマに
30秒間さらした。次いで、基板に高周波電圧を印加する
のを止め、連続して電極材であるクロムターゲット１に
直流電圧を印加し、プラズマを発生させ4分間スパッタ
リングを行い電極を形成した。(2) A metal thin film was sputtered on the entire surface of the insulating layer of the substrate. That is, the substrate 10 having the insulating layer formed thereon is attached to the substrate holder 2, and the sputtering tank 3
And exhaust the gas by opening the exhaust system orifice 6 until the pressure reaches 0.1 mTorr, and then the pressure in the sputtering tank is 0.4 m.
The orifices 7 and 6 were adjusted so that the amount of introduced argon gas as a sputtering gas and the amount of discharged gas were adjusted so as to maintain Torr. Next, a high-frequency voltage of 1.2 kW was applied to the substrate with the insulating layer to generate plasma, and the surface of the insulating layer was turned into plasma.
Exposed for 30 seconds. Then, the application of the high frequency voltage to the substrate was stopped, and the direct current voltage was continuously applied to the chromium target 1 as the electrode material to generate plasma and perform sputtering for 4 minutes to form an electrode.
【００２２】(3) その基板全面にフォトレジスト（材質
シプレー社製商品名Ｓ1400-27)を塗布し、150 ℃、60分
間ベーキングした後、フォトマスクをのせて露光（露光
量85mJ/cm2) し、現像液（シプレー社製商品名マイクロ
ポジェットデベロッパーコンク）を使って現像して、フ
ォトレジスト硬化物の複数の垂直方向のパターンを形成
した。(3) A photoresist (product name: S1400-27 manufactured by Shipley Co., Ltd.) is coated on the entire surface of the substrate, baked at 150 ° C. for 60 minutes, and then exposed by placing a photomask (exposure amount: 85 mJ / cm 2 ). Then, development was performed using a developing solution (trade name: Micropodget Developer Conc, manufactured by Shipley Co., Ltd.) to form a plurality of vertical patterns of the cured photoresist.
【００２３】(4) エッチング液として硝酸セリウムアン
モニウム＋硝酸を用い、圧力2 kg/cm2でスプレーする方
法でエッチングによりフォトレジスト硬化物で覆われて
いない金属薄膜部分を除去し、垂直方向の金属薄膜電極
のパターンを形成した。 (5) 陰極上の有機物および金属薄膜電極のフォトレジス
トを酸素ガスを用いたドライエッチングの方法で除去
し、ＸＹマトリックス組立体を得た。(4) Using cerium ammonium nitrate + nitric acid as an etching solution, a metal thin film portion not covered with the photoresist hardened material is removed by etching by a method of spraying at a pressure of 2 kg / cm 2 , and the metal in the vertical direction is removed. A pattern of thin film electrodes was formed. (5) The organic matter on the cathode and the photoresist of the metal thin film electrode were removed by a dry etching method using oxygen gas to obtain an XY matrix assembly.
【００２４】実施例２ (2) の工程を下記のように変えた以外は、実施例１と同
様に行い、ＸＹマトリックス組立体を製造した。基板ホ
ルダー２に絶縁層を形成させた基板１０を取り付け、ス
パッタリング槽３を密封し、0.1mTorrとなるまで排気系
オリフィス６を開けて排気し、その後、スパッタリング
槽内の圧力が0.4mTorrを維持するようにスパッタリング
ガスであるアルゴンガス導入量および排気量をオリフィ
ス７及び６を調整した。次いで、絶縁層を有する基板に
1.2kW の高周波電圧を印加しプラズマを発生させ、絶縁
層表面をプラズマに30秒間さらした。次いで、基板に高
周波電圧を印加しながら、同時に電極材であるクロムタ
ーゲット１に直流電圧を印加し、プラズマを発生させ 6
分間スパッタリングを行い電極を形成した。Example 2 An XY matrix assembly was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the step of (2) was changed as follows. The substrate 10 on which the insulating layer is formed is attached to the substrate holder 2, the sputtering tank 3 is sealed, the exhaust system orifice 6 is opened to exhaust until the pressure reaches 0.1 mTorr, and then the pressure in the sputtering tank is maintained at 0.4 mTorr. As described above, the orifices 7 and 6 were adjusted in terms of the introduction amount and the exhaust amount of the argon gas as the sputtering gas. Then on the substrate with the insulating layer
A high frequency voltage of 1.2 kW was applied to generate plasma, and the surface of the insulating layer was exposed to the plasma for 30 seconds. Next, while applying a high frequency voltage to the substrate, a DC voltage is simultaneously applied to the chromium target 1, which is an electrode material, to generate plasma.
The electrodes were formed by performing sputtering for a minute.
【００２５】上記実施例１、および２で作製した電極部
を持つＸＹマトリックス組立体は従来にみられた電極部
の絶縁層からの剥離、またはクラックが大幅に減少し、
高歩留りで電気泳動表示パネルを作製できた。In the XY matrix assembly having the electrode parts produced in the above Examples 1 and 2, the peeling or cracking of the electrode part from the insulating layer, which has been conventionally observed, is greatly reduced.
An electrophoretic display panel could be manufactured with high yield.
【００２６】比較例 上記実施例で作製した絶縁層と金属薄膜電極の付着力を
従来法で作製したものと比較した結果を表１に示す。こ
こで、従来法とは、絶縁層を形成した後、特に絶縁層の
処理を行わず作製する方法である。比較はテープテスト
により行い、絶縁層と金属薄膜電極間が剥離したサンプ
ルの数により評価した。テープは住友スリーエム社製ク
リアーテープを使用した。Comparative Example Table 1 shows the results of comparison of the adhesive force between the insulating layer prepared in the above-mentioned example and the metal thin film electrode with those prepared by the conventional method. Here, the conventional method is a method in which after the insulating layer is formed, the insulating layer is not particularly processed. The comparison was performed by a tape test, and the number of samples in which the insulating layer and the metal thin film electrode were peeled off was evaluated. As the tape, a clear tape manufactured by Sumitomo 3M Ltd. was used.
【００２７】 [0027]
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によって、ＸＹマトリックス組立
体を有する電気泳動表示パネルの製造における絶縁層上
への金属薄膜電極の形成を高歩留りで行うことが可能と
なった。According to the present invention, it becomes possible to form a metal thin film electrode on an insulating layer with high yield in the manufacture of an electrophoretic display panel having an XY matrix assembly.
【図１】スパッタリング装置の断面図（略図）である。FIG. 1 is a cross-sectional view (schematic diagram) of a sputtering apparatus.
１ ターゲット ２ 基板ホルダー ３ スパッタリング槽 ４ 高周波又は直流電源 ５ 真空ポンプ ６ 排気系オリフィス ７ スパッタリングガス導入系オリフィス ８ スパッタリングガスボンベ ９ 高周波又は直流電源 １０ 基板 1 Target 2 Substrate Holder 3 Sputtering Tank 4 High Frequency or DC Power Supply 5 Vacuum Pump 6 Exhaust System Orifice 7 Sputtering Gas Introduction System Orifice 8 Sputtering Gas Cylinder 9 High Frequency or DC Power Supply 10 Substrate
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年２月３日[Submission date] February 3, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２０[Correction target item name] 0020
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２０】実施例１ （１）複数の水平方向の帯状の透明陰極（材質、インジ
ウムスズ酸化物）を有する透明基板（材質、ほう酸ガラ
ス）上に全面に液状の有機物（材質、シプレー社製１４
００−２２番）を塗布し、１００℃、２０分間ベーキン
グし、フォトマスクを通して露光し、現像を行ない、端
子部に存在する不必要な絶縁層の有機物をとり除いた。
その後、１８０℃、９０分間ベーキングして絶縁層を形
成した。Example 1 (1) On a transparent substrate (material, borate glass) having a plurality of horizontal strip-shaped transparent cathodes (material, indium tin oxide), a liquid organic material (material, manufactured by Shipley Co., Ltd. 14
No. 00-22) was applied, baked at 100 ° C. for 20 minutes, exposed through a photomask, and developed to remove unnecessary organic material of the insulating layer existing in the terminal portion.
After that, baking was performed at 180 ° C. for 90 minutes to form an insulating layer.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２２[Name of item to be corrected] 0022
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２２】（３）その基板全面にフォトレジスト（材
質シプレー社製商品名Ｓ１４００−２７）を塗布し、１
００℃、２０分間ベーキングした後、フォトマスクをの
せて露光（露光量８５ｍＪ／ｃｍ２）し、現像液（シプ
レー社製商品名マイクロポジェットデベロッパーコン
ク）を使って現像して、フォトレジスト硬化物の複数の
垂直方向のパターンを形成した。(3) A photoresist (product name S1400-27 manufactured by Shipley Co., Ltd.) is coated on the entire surface of the substrate, and 1
After baking at 00 ° C. for 20 minutes, a photomask is placed on the substrate for exposure (exposure amount: 85 mJ / cm 2 ) and development using a developer (trade name: Micropojet Developer Conc, manufactured by Shipley Co., Ltd.) to obtain a cured photoresist. Formed a plurality of vertical patterns.
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２３[Name of item to be corrected] 0023
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２３】（４）エッチング液として硝酸セリウムア
ンモニウム＋硝酸を用い、圧力２ｋｇ／ｃｍ２でスプレ
ーする方法でエッチングによりフォトレジスト硬化物で
覆われていない金属薄膜部分を除去し、垂直方向の金属
薄膜電極のパターンを形成した。 （５）陰極上の有機物および金属薄膜電極上のフォトレ
ジストを酸素ガスを用いたドライエッチングの方法で除
去し、ＸＹマトリックス組立体を得た。(4) Using cerium ammonium nitrate + nitric acid as an etching solution, the metal thin film portion not covered with the hardened photoresist is removed by etching by a method of spraying at a pressure of 2 kg / cm 2 , and the metal thin film in the vertical direction is removed. A pattern of electrodes was formed. (5) The organic substance on the cathode and the photoresist on the metal thin film electrode were removed by a dry etching method using oxygen gas to obtain an XY matrix assembly.
Claims (1)
を有する透明基板上に全面に液状の有機物を塗布し、ベ
ーキングして絶縁層を形成し、(2) その基板の絶縁層の
全面に金属薄膜をスパッタリングし、(3) その基板全面
にフォトレジストを塗布し、ベーキングした後、フォト
マスクをのせて露光し、現像し、ベーキングして、フォ
トレジスト硬化物の複数の垂直方向のパターンを形成
し、(4) エッチングによりフォトレジスト硬化物で覆わ
れていない金属薄膜部分を除去して垂直方向の金属薄膜
電極のパターンを形成し、(5) 陰極上の絶縁層および金
属薄膜電極上のフォトレジストを除去して、電気泳動表
示パネル用のＸＹマトリックス組立体を製造するにあた
り、上記(2)の工程において、基板に電圧を印加し、絶
縁層表面をプラズマにさらした後連続して又はさらしな
がらターゲット側に電圧を印加してプラズマを発生さ
せ、スパッタリングを行うことを特徴とするＸＹマトリ
ックス組立体の製造法。1. A liquid organic material is applied over the entire surface of a transparent substrate having a plurality of horizontal strip-shaped transparent cathodes and baked to form an insulating layer, and (2) the insulating layer of the substrate. (3) Apply photoresist to the entire surface of the substrate, apply photoresist to the entire surface of the substrate, bake it, expose it with a photomask, develop, and bake it, Pattern is formed, and (4) the metal thin film portion not covered with the hardened photoresist is removed by etching to form the pattern of the metal thin film electrode in the vertical direction, and (5) the insulating layer on the cathode and the metal thin film. In manufacturing the XY matrix assembly for an electrophoretic display panel by removing the photoresist on the electrodes, in the step (2) above, a voltage was applied to the substrate and the surface of the insulating layer was exposed to plasma. While continuously or exposed by applying a voltage to a target side to generate plasma, preparation of XY matrix assembly and performing sputtering.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221288A JPH0772806A (en) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | Manufacture of x-y matrix assembly for electrophoretic display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221288A JPH0772806A (en) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | Manufacture of x-y matrix assembly for electrophoretic display panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772806A true JPH0772806A (en) | 1995-03-17 |
Family
ID=16764439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5221288A Pending JPH0772806A (en) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | Manufacture of x-y matrix assembly for electrophoretic display panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772806A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041461A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tsurumi Soda Co., Ltd. | Etching liquid for conductive polymer and method for patterning conductive polymer |
| JP2008115362A (en) * | 2006-09-29 | 2008-05-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | Etching liquid for conductive polymer and method for patterning conductive polymer |
| WO2009122923A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 鶴見曹達株式会社 | Etching method and substrate having conductive polymer |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP5221288A patent/JPH0772806A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041461A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tsurumi Soda Co., Ltd. | Etching liquid for conductive polymer and method for patterning conductive polymer |
| JP2008115362A (en) * | 2006-09-29 | 2008-05-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | Etching liquid for conductive polymer and method for patterning conductive polymer |
| WO2009122923A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 鶴見曹達株式会社 | Etching method and substrate having conductive polymer |
| JP2009242699A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | Etching method and substrate with electroconductive polymer |
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