JPH0771756B2 - Laser trimming device - Google Patents

Laser trimming device

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JPH0771756B2
JPH0771756B2 JP1133432A JP13343289A JPH0771756B2 JP H0771756 B2 JPH0771756 B2 JP H0771756B2 JP 1133432 A JP1133432 A JP 1133432A JP 13343289 A JP13343289 A JP 13343289A JP H0771756 B2 JPH0771756 B2 JP H0771756B2
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Japan
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laser
laser light
trimming device
processing
processed
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博司 高原
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Laser Beam Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜の加工・微細配線のトリミングをおこなう
レーザトリミング装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser trimming device for processing thin films and trimming fine wiring.

従来の技術 近年、液晶表示装置に用いるアクティブマトリックスア
レイ・ICメモリなどを冗長構成にし、不良部分を切断あ
るいは加工することにより製造歩留まりを向上させる方
法が用いられつつある。アクティブマトリックスアレイ
は絵素数が百万個以上、ICメモリは4Mバイト以上になる
と冗長構成をとらなければ、製造部留まりはほとんど望
むことができない。前述の冗長部の加工あるいは切断に
はレーザ光を用いることが有効であり、したがって微細
かつ良好に加工できるレーザトリミング装置が求められ
ている。
2. Description of the Related Art In recent years, a method has been used in which an active matrix array / IC memory or the like used in a liquid crystal display device has a redundant configuration and a defective portion is cut or processed to improve a manufacturing yield. If the active matrix array has more than 1 million picture elements and the IC memory has more than 4 Mbytes, the manufacturing department can hardly be expected unless a redundant configuration is taken. It is effective to use laser light for processing or cutting the above-mentioned redundant portion, and therefore, a laser trimming device capable of fine and excellent processing is required.

以下、図面を参照しながら従来のレーザトリミング装置
について説明する。第6図は従来のレーザトリミング装
置の一実施例におけるブロック図である。第6図におい
て601はアクティブマトリックスアレイ基板・ICメモリ
半導体基板などの加工対象物(以後、加工基板と呼
ぶ)、602はXYステージなどの位置決め手段、603はYAG
レーザを発生させるYAGレーザ光発生手段、604は前記YA
Gレーザ発生手段603が発生したレーザ光608を加工基板6
01に集光・照射させるための集光光学系を具備するレー
ザ光学系、605はYAGレーザ光発生手段603のレーザ光の
照射・光照射を制御するための制御手段、606は加工基
板601のトリミング状態をモニタするためのテレビカメ
ラなどのモニタ手段である。
Hereinafter, a conventional laser trimming device will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a block diagram of an embodiment of a conventional laser trimming device. In FIG. 6, 601 is an object to be processed (hereinafter referred to as a processed substrate) such as an active matrix array substrate / IC memory semiconductor substrate, 602 is a positioning means such as an XY stage, and 603 is a YAG.
YAG laser light generating means for generating a laser, 604 is the YA
The laser beam 608 generated by the G laser generation means 603 is processed substrate 6
01 is a laser optical system having a condensing optical system for condensing and irradiating, 605 is a control means for controlling irradiation / light irradiation of laser light of the YAG laser light generating means 603, and 606 is a processing substrate 601. A monitor means such as a television camera for monitoring the trimming state.

次に従来のレーザトリミング装置の動作について説明す
る。まず加工基板601は位置決め手段602上に積載され
る。つぎにモニタ手段606で加工基板601の表面を観察し
ながら、位置決め手段602を用いてレーザ光照射位置に
加工箇所がくるように位置決めをおこなう。位置決めが
完了すると、制御手段605が具備しているスイツチを押
す。すると、YAGレーザ光発生手段603は前記スイッチに
より、内部に具備するQスイッチなどを動作させ、先頭
値電力の大きいパルス状のレーザ光を発生する。前記レ
ーザ光はレーザ光学系604により集光され、高い電力密
度となって加工基板601の照射位置に照射される。
Next, the operation of the conventional laser trimming device will be described. First, the processed substrate 601 is loaded on the positioning means 602. Next, while observing the surface of the processed substrate 601 with the monitor means 606, the positioning means 602 is used to perform positioning so that the processed portion comes to the laser light irradiation position. When the positioning is completed, the switch provided in the control means 605 is pushed. Then, the YAG laser light generation means 603 operates the Q switch and the like provided inside by the switch to generate pulsed laser light having a large leading value power. The laser light is condensed by the laser optical system 604, has a high power density, and is applied to the irradiation position of the processed substrate 601.

発明が解決しようとする課題 以下、従来のレーザトリミング装置の課題を明らかにす
るため図面を用いて説明する。レーザトリミング装置の
用途の1つとして、ICメモリアクティブマトリックスア
レイの不良箇所の切断があげられる。前記切断箇所が金
属薄膜の一層構成である場合は比較的レーザ照射条件の
幅が広く加工が容易である。近年、半導体基板などは高
密度高集積化のために多層構造に構成される。したがっ
て、内部の下層に構成された配線(以下、内部配線と呼
ぶ)を切断したいという要望がある。しかし、内部配線
は周囲を絶縁体あるいは、他の構成体で構成されてい
る。前記周辺部分を損傷しなく、内部配線を切断するレ
ーザ照射条件は非常に狭く良好な切断は困難である。こ
こでは、ガラス基板上に形成されたアクティブマトリッ
クスアレイを例にあげて説明する。第7図(a)はガラ
ス基板204上に構成されたアクティブマトリックスアレ
イの内部配線部の正面図である。第7図(b)は第7図
(a)のAA′線での切断図である。第7図(a)(b)
において201はレーザ光で加工を行う内部配線、204はガ
ラスなどの透明基板、205はSiNxあるいはSiO2などの絶
縁体膜である。なお、第7図(a)(b)において、作
図を容易にするため構成は非常に簡単に描いており、ま
た、膜厚方向に対しては非常に誇張して描いている。た
とえば、ガラス基板の厚みは1mm、内部配線・絶縁体膜
の膜厚は1〜2μmである。
Problems to be Solved by the Invention Hereinafter, in order to clarify problems of a conventional laser trimming device, description will be given with reference to the drawings. One of the uses of the laser trimming device is cutting of defective portions of an IC memory active matrix array. When the cut portion has a single-layered structure of a metal thin film, the range of laser irradiation conditions is relatively wide and processing is easy. 2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor substrates and the like have a multi-layer structure for high density and high integration. Therefore, there is a demand for cutting the wiring formed in the lower layer inside (hereinafter referred to as internal wiring). However, the internal wiring is made of an insulating material or another component around the internal wiring. The laser irradiation conditions for cutting the internal wiring without damaging the peripheral portion are very narrow, and good cutting is difficult. Here, an active matrix array formed on a glass substrate will be described as an example. FIG. 7A is a front view of the internal wiring portion of the active matrix array formed on the glass substrate 204. FIG. 7 (b) is a sectional view taken along the line AA 'in FIG. 7 (a). FIG. 7 (a) (b)
In 201, 201 is an internal wiring processed by laser light, 204 is a transparent substrate such as glass, and 205 is an insulating film such as SiNx or SiO 2 . 7 (a) and 7 (b), the structure is drawn very simply to facilitate drawing, and the film thickness direction is drawn greatly exaggerated. For example, the glass substrate has a thickness of 1 mm, and the internal wiring / insulator film has a thickness of 1 to 2 μm.

以上のことは以下の図面に対しても同様である。また、
同一番号・同一符号を付したものは同一内容あるいは、
同一構成である。
The above also applies to the following drawings. Also,
Items with the same numbers and symbols have the same contents, or
It has the same configuration.

第8図(a)(b)は従来のトリミング装置により内部
配線201を切断する方法を説明するための説明図であ
る。第8図(a)(b)において、801は光学像、802は
レーザ光の軌跡である。レーサ光はレーザ光学系604で
集光され、絶縁体膜205を透過させ、内部配線201を加熱
する。従来のレーザトリミング装置は切断性をよくする
ため、Qスイッチを用いレーザパルスの先頭値電力を極
力大きく、かつレーザ光の照射時間を50nsec以下と短く
設計されていた。そのため、レーザ光により加熱された
内部配線201は急激に膨張蒸発する。第9図(a)
(b)は、加工後の内部配線201の平面図または断面図
である。第9図(a)はレーザパワーが小さかったた
め、内部配線201の両端部分のみが加工され、中央部が
加工されなかった例である。これは、内部配線の中央部
分と両端部分で熱伝導率が異なるために生じる。第9図
(b)は、上層の絶縁体膜205が破壊された例である。
これはレーザパワーが大きすぎるため、内部配線201が
大量に気化し、上層の絶縁体膜205が破壊されたもので
ある。この場合、絶縁体膜205上に他の構成体が構成さ
れた場合は不良品となり、構成されていない場合も内部
配線が大気に触れ、著しく信頼性劣化させる。レーザパ
ワーを小さい状態から大きい状態に変化させることによ
り、第9図(a)の状態から第9図(b)の状態へと変
化する。しかし、第9図(a)から第9図(b)への変
化に対するレーザパワーの可変範囲は非常に小さい。こ
れは、従来のレーザトリミング装置はレーザパルスの先
頭値電力の大きさで加工をおこなっているためである。
前記先頭値電力をバラツキが大きいため制御が困難であ
る。また、従来のレーザ光学系604は集光光学系であ
る。したがって、光学像801内の電力密度は中央部の電
力密度が大きく、周辺部が小さく均一でない。したがっ
て、光学像801の位置ずれにより加工状態が大きく変化
するためである。
FIGS. 8A and 8B are explanatory views for explaining a method of cutting the internal wiring 201 by the conventional trimming device. In FIGS. 8A and 8B, 801 is an optical image and 802 is a locus of laser light. The laser light is condensed by the laser optical system 604, passes through the insulating film 205, and heats the internal wiring 201. In order to improve the cutting property, the conventional laser trimming device is designed to use a Q switch to maximize the head value power of the laser pulse and to shorten the irradiation time of the laser light to 50 nsec or less. Therefore, the internal wiring 201 heated by the laser light expands and evaporates rapidly. Fig. 9 (a)
(B) is a plan view or a sectional view of the internal wiring 201 after processing. FIG. 9A shows an example in which only the both ends of the internal wiring 201 are processed and the central part is not processed because the laser power is small. This occurs because the thermal conductivity differs between the central portion and both end portions of the internal wiring. FIG. 9B shows an example in which the upper insulating film 205 is destroyed.
This is because the internal wiring 201 was vaporized in a large amount because the laser power was too large, and the upper insulating film 205 was destroyed. In this case, if another structure is formed on the insulator film 205, the product becomes a defective product, and even if it is not formed, the internal wiring comes into contact with the atmosphere and the reliability is significantly deteriorated. By changing the laser power from a small state to a large state, the state shown in FIG. 9 (a) is changed to the state shown in FIG. 9 (b). However, the variable range of the laser power with respect to the change from FIG. 9 (a) to FIG. 9 (b) is very small. This is because the conventional laser trimming device performs processing with the magnitude of the head value power of the laser pulse.
It is difficult to control the leading value power because the variation is large. The conventional laser optical system 604 is a condensing optical system. Therefore, the power density in the optical image 801 is large in the central part and small in the peripheral part and is not uniform. Therefore, the processing state greatly changes due to the positional deviation of the optical image 801.

以上のことにより、レーザ照射条件範囲は非常に狭く、
また、絶縁体膜205の膜厚のバラツキなどによりさらに
狭くなる。したがって、ほとんど良好にトリミングを行
うことは困難であった。
From the above, the laser irradiation condition range is very narrow,
Further, the thickness is further narrowed due to variations in the film thickness of the insulator film 205. Therefore, it was difficult to perform trimming almost satisfactorily.

課題を解決するなめの手段 従来の課題を解決するため、本発明のトリミング装置
は、Qスイッチを有し、前記Qスイッチをオンオフさせ
ることによりレーザー光を発生するレーザー光発生手段
と、前記レーザー光発生手段が発生したレーザー光のう
ち所定領域を透過させる第1および第2のスリット手段
と、前記第1および第2のスリットを透過したレーザー
光の第1および第2の光学像を、加工対象物の加工位置
に少なくとも第1および第2の光学像の一部が重なるよ
うに結像させる結像光学系を具備するものである 作用 第1および、第2のレーザ光発生手段の光学像を加工対
象物に結像させる。したがって、均一な電力密度の光学
像を2つ加工位置に重ねあわすことができる。また、個
々に光学像の大きさ位置および、電力密度を調整するこ
とができる。
In order to solve the conventional problems, the trimming device of the present invention has a Q switch, and a laser beam generating unit that generates a laser beam by turning on and off the Q switch; and the laser beam. First and second slit means for transmitting a predetermined region of the laser light generated by the generating means, and first and second optical images of the laser light transmitted through the first and second slits are processed. It is provided with an image forming optical system for forming an image so that at least a part of the first and second optical images overlaps with the processing position of the object. An image is formed on the object to be processed. Therefore, it is possible to superimpose two optical images having a uniform power density on the processing positions. Also, the size position of the optical image and the power density can be adjusted individually.

実施例 以下、図面を参照しながら、本発明の第1の一実施例に
おけるレーザトリミング装置について説明する。第1図
は本発明の第1の実施例におけるレーザトリミング装置
のブロック図である。第1図において、102a,102bは第
1および第2のレーザ光発生手段である。前記レーザ光
発生手段は内部にQスイッチを具備しており、前記Qス
イッチをオン・オフさせることにより、パルス状のレー
ザ光を発生する。レーザ波長としてはYAGレーザの1.06
μmまたは、第2高周波の0.53μmが用いられ、好まし
くは1.06μmが用いられる。これは、波長が長いなど加
工対象物の光吸収率が低下し、みかけ上レーザパワーの
印加制御が容易になるためである。また、レーザパルス
の半値幅は数nm〜1000nmのものが用いられ、好ましくは
20nm〜300nmに設定する。101は第1および第2のレーザ
光発生手段を制御するための制御手段であり、レーザ光
の照射開始の同期制御、照射レーザパルス数などを制御
する。103a,103bは透過手段であり、加工に不用な部分
にレーザ光が照射されるのを防止するスリットを具備
し、レーザ光を矩形の光学像にすることができる。104
a,104bは結像手段であり、結像光学像を具備しており、
スリットを透過した光学像を加工基板に結像させること
ができる。105はモニタ手段であり、加工基板107の表面
の状態を観察することができる。
Embodiment A laser trimming apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a laser trimming device according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 102a and 102b are first and second laser light generating means. The laser light generating means is internally provided with a Q switch, and by turning the Q switch on and off, pulsed laser light is generated. The laser wavelength is 1.06 of YAG laser.
.mu.m or the second high frequency of 0.53 .mu.m is used, preferably 1.06 .mu.m. This is because the light absorptivity of the object to be processed decreases due to a long wavelength and apparently the application control of the laser power becomes easy. Further, the half width of the laser pulse is used a few nm ~ 1000 nm, preferably
Set to 20nm-300nm. Reference numeral 101 is a control means for controlling the first and second laser light generating means, which controls synchronous control of the start of laser light irradiation, the number of irradiation laser pulses, and the like. Reference numerals 103a and 103b denote transmitting means, which are provided with slits for preventing irradiation of the laser light to a portion unnecessary for processing, and can form the laser light into a rectangular optical image. 104
a and 104b are image forming means, which are provided with an image forming optical image,
An optical image transmitted through the slit can be formed on the processed substrate. Reference numeral 105 denotes a monitor unit that can observe the state of the surface of the processed substrate 107.

106は加工基板107の積載手段である。前記積載手段はア
クティブマトリックスアレイ基板などの加工基板などの
スイッチング素子形成面を下方にし、かつ前記素子形成
面などに物体が接触しないように基板の周辺部で保持す
ることができる。また、結像手段などがレーザ光を加工
位置に位置決めする手段を具備しないときは、手動ある
いは、プログラムにより加工位置の位置決めをおこなえ
る位置決め手段を具備させる。前記位置決め手段として
はXYステージなどが用いられる。好ましくは、積載手段
106は制御手段101とデータのやりとりが可能なコントロ
ール手段(図示せず)により自動制御され、次々と加工
箇所の位置決めがおこなえるように制御されることが好
ましい。108はミラー、109はハーフミラーであり、110
・111・112はレーザ光である。なお、ミラー108、ハー
フミラー109などの位置関係は、説明を容易にするため
に示したものであり、これに限定するものではない。
Reference numeral 106 denotes a stacking unit for the processed substrate 107. The loading means can hold a switching element forming surface such as a processed substrate such as an active matrix array substrate downward and hold the switching element forming surface at a peripheral portion of the substrate so that an object does not contact the element forming surface. When the image forming means does not have a means for positioning the laser beam at the processing position, a positioning means for positioning the processing position manually or by a program is provided. An XY stage or the like is used as the positioning means. Preferably loading means
It is preferable that 106 is automatically controlled by a control means (not shown) capable of exchanging data with the control means 101, and is controlled so that the machining points can be positioned one after another. 108 is a mirror, 109 is a half mirror, 110
・ 111 and 112 are laser beams. Note that the positional relationship between the mirror 108, the half mirror 109, etc. is shown for ease of explanation, and is not limited to this.

以下、本発明の第1の実施例のレーザトリミング装置に
ついてその動作を説明する。まず、積載手段106およ
び、モニタ手段105を用いて、加工基板107上に形成され
た位置決めマーク(図示せず)、以後アライメントマー
クと呼ぶ)により、初期位置決めをおこなう、次に積載
手段106を動作させ、最初の加工位置にレーザ光が照射
されるよう位置決めが行われる。位置決めが完了すると
制御手段101は、第1および第2のレーザ光発生手段に
指令をおくり、Qスイッチを制御し、同期させてレーザ
光を照射させる。レーザ光の照射タイミングとしては、
第1および第2のレーザ光の照射時刻の差が10msec以
下、好ましくは1msec以下に制御される。また、必要に
応じて2つのレーザ光の照射時刻をはなすことができ
る。前記レーザ光は平行光にされ、第1および第2透過
手段に導かれる。レーザ光は前記透過手段が具備するス
リットなどにより、加工基板の照射位置で矩形の光学像
にされる。次に透過手段を通過したレーザ光は第1、第
2結像手段により加工基板に結像される。前記レーザ光
は加工基板の同一位置に複数パルス照射され、弱いレー
ザパワーで徐々に加工位置の内部配線のトリミングが行
われる。以上の手続きで一箇所の加工が終了すると、次
の加工箇所の位置決めされ、加工が次々と行われる。
The operation of the laser trimming device according to the first embodiment of the present invention will be described below. First, the stacking means 106 and the monitor means 105 are used to perform initial positioning using a positioning mark (not shown) formed on the processed substrate 107, hereinafter referred to as an alignment mark), and then the stacking means 106 is operated. Then, the positioning is performed so that the laser beam is irradiated to the first processing position. When the positioning is completed, the control means 101 sends a command to the first and second laser light generation means, controls the Q switch, and irradiates the laser light in synchronization. As the irradiation timing of the laser light,
The difference between the irradiation times of the first and second laser beams is controlled to 10 msec or less, preferably 1 msec or less. Further, the irradiation times of the two laser beams can be separated as needed. The laser light is collimated and guided to the first and second transmitting means. The laser light is converted into a rectangular optical image at the irradiation position of the processed substrate by the slit or the like included in the transmitting means. Next, the laser light passing through the transmitting means is imaged on the processed substrate by the first and second imaging means. A plurality of pulses of the laser light are applied to the same position on the processed substrate, and the internal wiring at the processed position is gradually trimmed with weak laser power. When the processing of one location is completed by the above procedure, the next processing location is positioned and the processing is performed one after another.

以下、本発明のレーザトリミング装置による内部配線の
トリミングについて説明する。第2図(a)(b)は本
発明のトリミング装置によるトリミング方法の説明図で
ある。第2図(a)において、201は内部配線、202は第
1レーザ光発生手段102aが照射したレーザ光による光学
像(以下、第1光学像と呼ぶ)、203は第2レーザ光発
生手段102bが照射したレーザ光による光学像(以下、第
2光学像と呼ぶ。)である。また、第2図(b)は第2
図(a)のBB′線での断面図である。第2図(b)にお
いて、204はガラスなどの透明基板、206は第1レーザ光
発生手段102aが照射したレーザ光の軌跡(以後、第1レ
ーザ光軌跡と呼ぶ)、207は第2レーザ光発生手段102b
が照射したレーザ光の軌跡(以後、第2レーザ光軌跡と
呼ぶ)。第2図(a)で明らかなように、第2光学像20
3に重なるように第1光学像202は照射される。たとえば
前記2つの光学像内の電力密度は同一にされる。したが
って2つの光学像が重なった部分は2倍の電力が印加さ
れることになる。なお、それぞれの照射レーザ光の電力
密度は光学系に結像光学系を用いているため、ほぼ均一
になる。
Hereinafter, trimming of internal wiring by the laser trimming device of the present invention will be described. 2 (a) and 2 (b) are explanatory views of the trimming method by the trimming device of the present invention. In FIG. 2A, 201 is an internal wiring, 202 is an optical image (hereinafter referred to as a first optical image) by the laser light emitted by the first laser light generating means 102a, and 203 is a second laser light generating means 102b. Is an optical image (hereinafter, referred to as a second optical image) by the laser light emitted by the laser. Further, FIG. 2 (b) shows the second
It is a sectional view taken along line BB ′ of FIG. In FIG. 2B, reference numeral 204 is a transparent substrate such as glass, 206 is a locus of laser light emitted by the first laser light generation means 102a (hereinafter referred to as a first laser light locus), and 207 is a second laser light. Generating means 102b
The locus of the laser beam emitted by the laser beam (hereinafter referred to as the second laser beam locus). As is apparent from FIG. 2 (a), the second optical image 20
The first optical image 202 is projected so as to overlap 3. For example, the power densities in the two optical images are made the same. Therefore, twice the electric power is applied to the portion where the two optical images overlap. The power density of each irradiation laser beam is substantially uniform because the imaging optical system is used as the optical system.

また、第2図(b)のようにレーザ光は基板204を透過
させて内部配線201を加熱する。第3図(a)は加工基
板の内部配線の加工を終了したときの平面図である。第
3図(b)は第3図(a)のCC′線での断面図である。
加工箇所の内部配線は良好に除去されている。除去され
た構成物質は絶縁体膜205との界面などに凝縮されバル
ク状になり固化する。本発明のレーザトリミング装置に
よれば、第9図(a)に示すように、内部配線の中央部
分の切断されにくい部分に、第2光学像203を照射する
ことができる。そのため、良好に切断できる。また、2
つの光学像を用いて必要な部分に必要なレーザパワーを
照射することができるため、第9図(b)に示すように
上層の絶縁体膜205を破壊することがない。
Further, as shown in FIG. 2B, the laser light is transmitted through the substrate 204 to heat the internal wiring 201. FIG. 3A is a plan view when the processing of the internal wiring of the processed substrate is completed. FIG. 3 (b) is a sectional view taken along the line CC 'of FIG. 3 (a).
The internal wiring at the processed portion is well removed. The removed constituents are condensed at the interface with the insulator film 205 or the like to become bulk and solidify. According to the laser trimming device of the present invention, as shown in FIG. 9 (a), the second optical image 203 can be irradiated to the central portion of the internal wiring which is difficult to cut. Therefore, it can be cut well. Also, 2
Since it is possible to irradiate a required portion with a required laser power by using one optical image, the upper insulating film 205 is not destroyed as shown in FIG. 9B.

以下図面を参照しながら、本発明の第2の実施例のレー
ザトリミング装置について説明する。第4図は本発明の
第2の実施例のレーザトリミング装置のブロック図であ
る。第4図において401aおよび401bは第1および第2の
減光手段である。前記減光手段はレーザパワーを減光
し、照射されるレーザパルスごとに所定のレーザパワー
に調整することができる。たとえばレーザ光発生手段が
1kHzで発振し、1kHzの間隔でレーザパルスを照射すると
き、1msec以内に所定値にレーザパワーを減光すること
ができる。前記減光手段としては、電気的に透過量を変
化させるAOアッテネータなどとよばれるものなどがあ
る。前述のようにレーザパルスごとにレーザパワーを調
整するのは、最初の1パルス目な加工箇所の加工面が鏡
面状態でレーザ光の吸収がよくないが、次のレーザパル
スでは最初のレーザパルスにより前記箇所が加工され、
レーザ光の吸収率が向上しているため、弱いレーザパワ
ーで加工が可能となっている。したがって、2パルス目
以後のレーザパワーを小さくすることにより、平均的に
加工箇所に同一レーザパワーが印加されることにより、
良好な切断がおこなえる。制御手段101はレーザパルス
ごとに第1および、第2の減光手段を制御し、レーザパ
ワーの制御をおこなう。なお、他の箇所は第一の本発明
のレーザトリミング装置と同様である。
A laser trimming device according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a block diagram of a laser trimming device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, 401a and 401b are first and second dimming means. The dimming unit dims the laser power and can adjust to a predetermined laser power for each laser pulse to be emitted. For example, laser light generation means
When oscillating at 1 kHz and irradiating laser pulses at 1 kHz intervals, the laser power can be reduced to a predetermined value within 1 msec. Examples of the dimming means include what is called an AO attenuator that electrically changes the amount of transmission. As described above, adjusting the laser power for each laser pulse is because the processing surface at the first pulse processing point is a mirror surface and the absorption of laser light is not good, but at the next laser pulse the first laser pulse is used. The part is processed,
Since the absorption rate of laser light is improved, it is possible to process with a weak laser power. Therefore, by reducing the laser power from the second pulse onward, the same laser power is applied to the processed portion on average,
Good cutting is possible. The control means 101 controls the first and second dimming means for each laser pulse to control the laser power. The other parts are the same as those of the laser trimming device of the first aspect of the present invention.

以下、本発明の第2の実施例のレーザトリミング装置の
動作について説明する。まず積載手段106およびモニタ
手段105を用いて、加工基板107上に形成されたアライメ
ントマーク(図示せず)により、初期位置決めをおこな
う。次に積載手段10を動作させ、最初の加工位置にレー
ザ光が照射されるように位置決めがおこなわれる。位置
決めが完了すると、制御手段101は第1および第2レー
ザ光発生手段102a、102bに対して、レーザ光照射指令を
おくる。レーザ光発生手段102a、102bは前記指令に基づ
いてレーザ光を照射する。
The operation of the laser trimming device according to the second embodiment of the present invention will be described below. First, using the stacking means 106 and the monitor means 105, initial positioning is performed by an alignment mark (not shown) formed on the processed substrate 107. Next, the stacking means 10 is operated to perform positioning so that the laser beam is emitted to the first processing position. When the positioning is completed, the control means 101 sends a laser light irradiation command to the first and second laser light generation means 102a and 102b. The laser light generation means 102a and 102b irradiate the laser light based on the command.

前記レーザ光は各レーザパルスごとに減光手段401a,402
bにより所定値に減光される。通常減光手段401a,401bは
1箇所に照射するレーザパルスのレーザパワーを徐々に
小さくするように制御されるが、加工箇所の切断性に問
題がない場合、一定の減光値に制御される場合もある。
一箇所の加工が終了すると、記憶手段(図示せず)より
次の加工位置データで読みだされ、積載手段106の移動
をおこなって、同様に次の加工箇所の加工がおこなわれ
る。
The laser light is dimming means 401a, 402 for each laser pulse.
It is dimmed to a predetermined value by b. Normally, the dimming means 401a and 401b are controlled to gradually reduce the laser power of the laser pulse applied to one location, but if there is no problem in the cutting property of the processing location, they are controlled to a constant dimming value. In some cases.
When the processing at one location is completed, the next processing location data is read from the storage means (not shown) with the next processing position data, and the next processing location is processed in the same manner.

以上のように、発明の第2の実施例のレーザトリミング
装置では、レーザパルスごとのレーザパワーを制御でき
るため、レーザパルスごとに加工箇所へのレーザ吸収率
をほぼ一定にすることができる。以上のことにより、良
好な加工または切断が可能である。
As described above, in the laser trimming apparatus according to the second embodiment of the invention, the laser power for each laser pulse can be controlled, so that the laser absorptance at the processed portion can be made substantially constant for each laser pulse. Due to the above, good processing or cutting is possible.

なお、本発明のレーザトリミング装置において、第1お
よび第2の結像手段を具備するとしたが、これに限定す
るものではなく、第5図(a)に示すように結像手段50
1を配置してもよい。
Although the laser trimming device of the present invention is provided with the first and second image forming means, the present invention is not limited to this, and the image forming means 50 as shown in FIG.
1 may be placed.

また、第5図(b)に示すように、第1および第2のレ
ーザ光発生手段を設けることなく、1つのレーザ光発生
手段が発生するレーザ光をレーザ光110と111に分割し、
それぞれのレーザ光を第1および第2減光手段に入射さ
せてもよいことは明らかである。
Further, as shown in FIG. 5 (b), the laser light generated by one laser light generating means is divided into laser light 110 and 111 without providing the first and second laser light generating means,
It is obvious that each laser beam may be incident on the first and second dimming means.

また、結像手段とミラーなどとの位置関係は何ら本発明
の装置を限定するものではない。また、本発明の第2の
実施例において、減光手段と透過手段および、結像手段
の位置関係はこれに限定するものではない。たとえば、
減光手段は透過手段の後段に挿入しても、また、結像手
段の後段に挿入してもよい。
Further, the positional relationship between the image forming means and the mirror does not limit the apparatus of the present invention. Further, in the second embodiment of the present invention, the positional relationship among the dimming means, the transmitting means, and the image forming means is not limited to this. For example,
The dimming unit may be inserted after the transmitting unit or after the image forming unit.

また、第5図(b)のように1つのレーザ光発生手段が
発生するレーザ光を2つに分割し、2つの光学像を重ね
あわさるようにしてもよいことは明らかである。以上の
ように、本発明はレーザ光の発生装置の台数を規定する
ものではなく、レーザ光発生手段のレーザ光の光学像を
複数重ねあわせるように構成するものである。
Further, as shown in FIG. 5 (b), it is obvious that the laser light generated by one laser light generating means may be divided into two and the two optical images may be overlapped. As described above, the present invention does not specify the number of laser light generators, but is configured to superimpose a plurality of laser light optical images of the laser light generating means.

発明の効果 本発明のレーザトリミング装置では加工位置に2つの光
学像を重ねあわすことができる。したがって、切断残り
の生じやすい切断位置に2つの光学像を重ねあわすこと
により前記箇所に照射する電力密度が大きくなり、切れ
残りが発生することがなくなる。また、結像光学系を用
いているために、光学像内の電力密度を均一にすること
ができる。したがって、内部配線を周辺および上層膜を
破壊することなく良好に切断することができる。
EFFECTS OF THE INVENTION In the laser trimming device of the present invention, two optical images can be superposed on the processing position. Therefore, by overlapping the two optical images at the cutting position where the cutting residue is likely to occur, the power density applied to the above-mentioned location becomes large, and the cutting residue does not occur. Moreover, since the image forming optical system is used, the power density in the optical image can be made uniform. Therefore, the internal wiring can be satisfactorily cut without destroying the periphery and the upper layer film.

また、第2の実施例では減光手段を具備し、レーザパル
スごとにレーザパワーを制御することができる。したが
って、加工位置構成状態、またレーザパルス照射毎にレ
ーザパワーの吸収率を考慮して加工することができる。
したがって、第1の実施例に比較してさらに最適な加工
・切断をおこなうことができる。
Further, in the second embodiment, a dimming means is provided and the laser power can be controlled for each laser pulse. Therefore, it is possible to perform processing in consideration of the processing position configuration state and the absorption rate of the laser power for each laser pulse irradiation.
Therefore, it is possible to perform more optimal processing / cutting as compared with the first embodiment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例におけるレーザトリミン
グ装置のブロック図、第2図(a)(b)は本発明のレ
ーザトリミング装置によるトリミング方法を説明するた
めの説明図、第3図(a)(b)、第9図(a)(b)
はトリミングが終了した加工対象物の平面図および断面
図、第4図は本発明の第2の実施例におけるレーザトリ
ミング装置のブロック図、第5図(a)(b)は本発明
のレーザトリミング装置の他の実施例のブロック図、第
6図は従来のレーザトリミング装置のブロック図、第7
図(a)(b)加工対象物の平面図および断面図、第8
図(a)(b)は従来のトリミング装置によるトリミン
グ方法を説明するための説明図である。 101,605……制御手段、102a,102b……レーザ光発生手
段、103a,103b……透過手段、105,606……モニタ手段、
106……積載手段、107,607……加工対象物、108……ミ
ラー、109,607……ハーフミラー、110,111,112,608……
レーザ光、201……配線、202……第1光学像、203……
第2光学像、204……基板、205……絶縁体膜、206……
第1レーザ光軌跡、207……第2レーザ光軌跡、401a,40
1b……減光手段、501……結像手段、502……レーザ光発
生手段、602……位置決め手段、603……YAGレーザ光発
生手段、604……レーザ光学系、801……光学像、802…
…レーザ光軌跡。
FIG. 1 is a block diagram of a laser trimming device according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 2 (a) and 2 (b) are explanatory diagrams for explaining a trimming method by the laser trimming device of the present invention, and FIG. (A) (b), FIG. 9 (a) (b)
Is a plan view and a cross-sectional view of an object to be trimmed, FIG. 4 is a block diagram of a laser trimming device according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 5A and 5B are laser trimming of the present invention. FIG. 6 is a block diagram of another embodiment of the device, FIG. 6 is a block diagram of a conventional laser trimming device, and FIG.
FIGS. 8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view of an object to be processed,
(A) and (b) are explanatory views for explaining a trimming method by a conventional trimming device. 101,605 ... Control means, 102a, 102b ... Laser light generating means, 103a, 103b ... Transmission means, 105,606 ... Monitoring means,
106 …… Loading means, 107,607 …… Processing object, 108 …… Mirror, 109,607 …… Half mirror, 110,111,112,608 ……
Laser light, 201 ... Wiring, 202 ... First optical image, 203 ...
Second optical image, 204 ... Substrate, 205 ... Insulator film, 206 ...
First laser beam locus, 207 ... Second laser beam locus, 401a, 40
1b ... dimming means, 501 ... imaging means, 502 ... laser light generation means, 602 ... positioning means, 603 ... YAG laser light generation means, 604 ... laser optical system, 801 ... optical image, 802 ...
… Laser light trajectory.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】Qスイッチを有し、かつ前記Qスイッチを
オンオフさせることによりレーザ光を発生させるレーザ
光発生手段と、前記レーザ光発生手段が発生したレーザ
光のうち所定領域を透過させる第1および第2のスリッ
ト手段と、前記第1および第2のスリットを透過したレ
ーザ光の第1および第2の光学像を、加工対象物の加工
位置に少なくとも第1および第2の光学像の一部が重な
るように結像させる結像手段を具備することを特徴とす
るレーザトリミング装置。
1. A laser beam generator having a Q switch and generating a laser beam by turning the Q switch on and off, and a first region for transmitting a predetermined region of the laser beam generated by the laser beam generator. And the second slit means and the first and second optical images of the laser light transmitted through the first and second slits, and at least one of the first and second optical images at the processing position of the processing object. A laser trimming device comprising an image forming means for forming an image so that the parts overlap each other.
【請求項2】第1と第2の光学像のレーザパワーのうち
少なくとも一方をレーザパルスごとに可変できる減光手
段を具備することを特徴とする請求項1記載のレーザト
リミング装置。
2. The laser trimming device according to claim 1, further comprising a dimming unit capable of varying at least one of the laser powers of the first and second optical images for each laser pulse.
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