JPH0766704A - Pulse circuit - Google Patents

Pulse circuit

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JPH0766704A
JPH0766704A JP21364793A JP21364793A JPH0766704A JP H0766704 A JPH0766704 A JP H0766704A JP 21364793 A JP21364793 A JP 21364793A JP 21364793 A JP21364793 A JP 21364793A JP H0766704 A JPH0766704 A JP H0766704A
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Abstract

PURPOSE:To enable this pulse circuit to have sufficiently large discharged current supplying capacity by electrically connecting an output of a circuit capable of generating a low impedance output only for a period of saturated voltage to a reference waveform generating circuit. CONSTITUTION:This pulse circuit is provided with the reference waveform generating circuit 1A for generating a rising/falling waveform and the circuit 1B capable of generating a low impedance output only for the period of saturated voltage and respective outputs are electrically connected. If a load current is suddenly allowed to flow when an output pulse is in a saturate voltage period, i.e., when a transistor(TR) Q5 e.g. is OFF, output voltage continuously falls until the gate voltage of a TR Q3 exceeds ON voltage even in a delay time up to transition from OFF to ON and then the output voltage reaches low output impedance to maximize current supply capacity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】 本発明は、容量性であって、パ
ルス周期毎にインピーダンスの変動を繰り返す負荷を駆
動するパルス回路に関し、特に、印加パルス電圧が飽和
した後に低インピーダンスとなる気体放電素子(プラズ
マディスプレイ)等の駆動回路に適したパルス回路に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse circuit which is capacitive and drives a load in which impedance fluctuations repeat every pulse cycle, and more particularly to a gas discharge element which becomes low impedance after the applied pulse voltage is saturated. The present invention relates to a pulse circuit suitable for a drive circuit such as (plasma display).

【0002】[0002]

【従来の技術】 プラズマディスプレイは、内部に封入
した希ガスの放電現象を利用した表示デバイスである。
プラズマディスプレイパネルの表示セルは、それに印加
する電圧が放電開始電圧以下においては、単純な容量性
負荷として作用するが、一旦放電開始電圧を越えると、
表示セル内の希ガスが放電するため、その瞬間に低イン
ピーダンスの抵抗性負荷に変化する。
2. Description of the Related Art A plasma display is a display device that utilizes the discharge phenomenon of a rare gas enclosed inside.
The display cell of the plasma display panel acts as a simple capacitive load when the voltage applied to it is below the discharge start voltage, but once it exceeds the discharge start voltage,
Since the rare gas in the display cell is discharged, it changes to a low impedance resistive load at that moment.

【0003】このプラズマディスプレイパネルを大別す
ると、DC型とAC型に分けられる。
The plasma display panel is roughly classified into a DC type and an AC type.

【0004】DC型は表示セルに対して、電極がむき出
しになっている為、放電時の電流制限抵抗を付加する手
段が一般的である。
Since the electrodes of the DC type are exposed to the display cell, a means for adding a current limiting resistance at the time of discharging is generally used.

【0005】一方、AC型は電極が誘電体に覆われてい
るので、等価的に表示セルの両端にコンデンサが直列接
続されたものとなる。従って、放電が発生した後、外部
印加電圧を打ち消す電荷が誘電体表面に吸引され、表示
セル内部の実効電圧が低くなり、放電は終了する。その
後、内部電圧と同極性の外部電圧が印加されたとき前述
と同様の放電過程を経て、収束する。この内部電圧を発
生する誘電体表面の電荷を壁電荷と呼ぶが、この壁電荷
が存在する場合、外部印加電圧は放電開始電圧以下でも
放電を繰り返し発生させることができる。この作用をメ
モリー作用と呼び、AC型プラズマディスプレイパネル
の特徴である。
On the other hand, in the AC type, the electrodes are covered with a dielectric, so that the capacitors are equivalently connected in series at both ends of the display cell. Therefore, after the discharge is generated, the electric charge that cancels the externally applied voltage is attracted to the surface of the dielectric, the effective voltage inside the display cell becomes low, and the discharge ends. After that, when an external voltage having the same polarity as the internal voltage is applied, the discharge process similar to that described above is performed and then converges. The charges on the surface of the dielectric material that generate this internal voltage are called wall charges. When this wall charge exists, discharge can be repeatedly generated even if the externally applied voltage is below the discharge start voltage. This action is called a memory action and is a feature of the AC type plasma display panel.

【0006】ところで、AC型プラズマディスプレイパ
ネルにおいて、メモリー作用を引き出すべく、充分な壁
電荷を生成するためには、放電時に外部印加電圧の電圧
降下をできるだけ抑えられる低インピーダンス出力の駆
動回路が必要である。
In the AC type plasma display panel, a drive circuit having a low impedance output capable of suppressing the voltage drop of the externally applied voltage as much as possible is necessary in order to generate sufficient wall charges to bring out the memory effect. is there.

【0007】従来、この駆動回路を実現するために、図
5に示すようなCMOS型回路が用いられてきた。この
回路では、FET Q19及びQ20が交互にON,O
FFを繰り返すことでパルス波形を出力する。FET
Q19,Q20はオン抵抗が小さく、最大ドレイン電流
の大きなものを採用するが、それが1素子のみでは不充
分な場合、複数のFETを並列に接続して、より低いイ
ンピーダンス出力にする手段も取られていた。
Conventionally, in order to realize this drive circuit, a CMOS type circuit as shown in FIG. 5 has been used. In this circuit, FETs Q19 and Q20 are alternately turned on and off.
A pulse waveform is output by repeating FF. FET
Q19 and Q20 have low on-resistance and large maximum drain current, but if one element is not enough, multiple FETs should be connected in parallel to obtain lower impedance output. It was being done.

【0008】また、図6は従来技術における他の回路例
のトーテムポール型回路である。この回路は、Q22及
びQ23が交互にON,OFFを繰り返すことでパルス
波形を出力する。Q21は電流増幅用のPNPトランジ
スタ、Q22,Q23は出力用のNPNトランジスタで
ある。Q22,Q23にはコレクタ・エミッタ間飽和電
圧が小さく、最大コレクタ電流の大きなバイポーラトラ
ンジスタが選定されてきた。
FIG. 6 shows a totem pole type circuit as another circuit example in the prior art. This circuit outputs a pulse waveform by alternately turning on and off Q22 and Q23. Q21 is a PNP transistor for current amplification, and Q22 and Q23 are NPN transistors for output. A bipolar transistor having a small collector-emitter saturation voltage and a large maximum collector current has been selected for Q22 and Q23.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】 これらの駆動回路に
おいてスイッチングに用いられる個別の素子としては、
それぞれの技術的進歩により、前述の要求を満たすもの
が得られるようになり、低インピーダンス出力とスイッ
チングスピードの速い駆動回路が達成されてきた。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention As individual elements used for switching in these drive circuits,
With each technological advancement, the one satisfying the above-mentioned requirements has been obtained, and a driving circuit having a low impedance output and a high switching speed has been achieved.

【0010】このような特性の駆動回路が得られたこと
により、放電時の特性が非常に良好なものとなった。と
ころが、出力パルスの急峻な立ち上がり及び立ち下がり
が、出力ラインのインダクタンスにより、表示セルの両
端における過大なオーバーシュートや、リンギングを引
き起こし、安定した印加電圧が得られなくなると同時
に、より高い周波数成分の存在によりラインノイズや放
射ノイズが多く発生し、誤動作を引き起こしやすくなっ
てしまった。
By obtaining the drive circuit having such characteristics, the characteristics at the time of discharging became very good. However, the steep rise and fall of the output pulse causes excessive overshoot and ringing at both ends of the display cell due to the inductance of the output line, and it becomes impossible to obtain a stable applied voltage. Due to its existence, a lot of line noise and radiated noise were generated, and it became easy to cause a malfunction.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】 本発明のパルス回路
は、パルスの立ち上がり及び立ち下がり時にスイッチン
グする第一の回路と、パルスの立ち上がり及び立ち下が
り期間が終了した後であって、出力がハイレベルまたは
ローレベルに飽和している期間だけにオン状態となる第
二の回路とからなり、第一の回路の出力端と第二の回路
の出力端を電気的に接続したことを特徴とする。
Means for Solving the Problems A pulse circuit of the present invention includes a first circuit that switches at the rising and falling edges of a pulse, and a high level output after the rising and falling periods of the pulse are completed. Alternatively, it is characterized by comprising a second circuit which is turned on only during a period of being saturated to a low level, and electrically connecting the output end of the first circuit and the output end of the second circuit.

【0012】[0012]

【作用】 気体放電においては、電圧を印加しても、あ
る一定の時間を経過しないと放電が発生しないという放
電遅れ現象が存在する。この時間は、印加電圧とその印
加直前における壁電荷量、空間電荷量により変動し、ま
た、封入ガスの種類によっても変化する。しかしなが
ら、いずれの条件においても、最小の放電遅れ時間が存
在し、例えば、He−Xeの混合ガスでは、その電圧が
メモリー領域での駆動において、約0.5μsの実験値
が得られている。
In the gas discharge, there is a discharge delay phenomenon that the discharge does not occur until a certain period of time elapses even if a voltage is applied. This time varies depending on the applied voltage, the wall charge amount and the space charge amount immediately before the application, and also changes depending on the type of the enclosed gas. However, under any of the conditions, there is a minimum discharge delay time, and for example, in the case of He-Xe mixed gas, an experimental value of about 0.5 μs was obtained when the voltage was driven in the memory region.

【0013】従って、パルス電圧の立ち上がり時間、及
び、立ち下がり時間をこの放電遅れ時間以下の範囲で比
較的大きくしておけば、放電特性にほとんど影響せずに
パルス立ち上がりにおけるリンギングやオーバーシュー
トの高周波成分の低減を図ることができる。
Therefore, if the rise time and the fall time of the pulse voltage are set to be relatively large within the range of the discharge delay time or less, the high frequency of ringing and overshoot at the pulse rise has almost no effect on the discharge characteristic. The components can be reduced.

【0014】そこで、立ち上がり・立ち下がりを作り出
す基本波形発生回路と、パルスの立ち下がり、または、
立ち上がりが終了し、飽和電圧の間だけに低インピーダ
ンス出力となる回路を備え、それぞれの出力を電気的に
接続することにより、適度な立ち上がり・立ち下がり時
間と充分な放電電流供給能力を持たせることが可能にな
った。
Therefore, a basic waveform generating circuit for producing rising and falling edges and a falling edge of a pulse, or
A circuit that provides a low impedance output only during the saturation voltage after the rise is completed and each output is electrically connected to provide a suitable rise / fall time and sufficient discharge current supply capability. Became possible.

【0015】[0015]

【実施例】 次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図1は本発明の第一の実施例を示す回路
図である。1Aと1Bの2種類の回路部分からなり、1
Aはソースホロワ型出力、1BはCMOS型出力の回路
である。
EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. It consists of two types of circuit parts, 1A and 1B.
A is a source follower type output, and 1B is a CMOS type output circuit.

【0016】図1の入力端子IN1〜4及び出力端子O
UT1の電圧波形を図4に示す。図4において、電圧波
形4A〜4Dはそれぞれ入力端子IN1〜IN4に印加
する電圧波形に対応し、4Eは出力端子OUT1の出力
波形である。
The input terminals IN1 to IN4 and the output terminal O of FIG.
The voltage waveform of UT1 is shown in FIG. In FIG. 4, voltage waveforms 4A to 4D correspond to voltage waveforms applied to the input terminals IN1 to IN4, respectively, and 4E is an output waveform of the output terminal OUT1.

【0017】この駆動の一周期はaからdの期間に分類
される。期間aではQ1,Q3がONで、その他のFE
TはOFFであるので、出力は0V電位からVs電位ま
で立ち上がる。このときの立ち上がり時間は、抵抗R
2,R3,R4及びそれにかかる寄生容量(Q1,Q2
の出力容量及び配線の浮遊容量等の総和)により決定さ
れる時定数に依存する。従って、負荷がプラズマディス
プレイパネルの場合、立ち上がり時間がその放電遅れ時
間以下になるように、前述の時定数、特に、R2,R
3,R4を適度に設定しておく。Q3はソースホロワ型
における立ち上がり時の電流バッファであり、回路の出
力インピーダンスを比較的低く保ち、負荷容量による立
ち上がり時間の変動を低く抑える。
One cycle of this driving is classified into a period from a to d. During period a, Q1 and Q3 are ON, and other FE
Since T is OFF, the output rises from 0V potential to Vs potential. The rising time at this time is the resistance R
2, R3, R4 and parasitic capacitances (Q1, Q2
Output capacitance and wiring stray capacitance, etc.). Therefore, when the load is a plasma display panel, the above-mentioned time constants, especially R2 and R
Set R3 and R4 appropriately. Q3 is a current buffer at the time of rising in the source follower type, which keeps the output impedance of the circuit relatively low and suppresses the fluctuation of the rising time due to the load capacitance.

【0018】期間bではQ1,Q3,Q5がONで、Q
2,Q4,Q6はOFFである。Q1は期間aに引き続
きON状態を保っているが、Q5にそのON抵抗のでき
るだけ小さな素子を選択しておけば、出力インピーダン
スはQ5に依存する。
In period b, Q1, Q3 and Q5 are ON, and Q
2, Q4 and Q6 are OFF. Q1 continues to be in the ON state during the period a, but the output impedance depends on Q5 if the element having the smallest ON resistance is selected for Q5.

【0019】出力パルスが飽和電圧Vsにある期間bで
は、突然に負荷電流が流れるような場合、ソースホロワ
回路のみ動作、すなわち、ここでもし仮にQ5がOFF
であるとすれば、Q3のゲート電圧がON電圧以上にな
るまでは出力電圧が降下し、しかも、OFFからONに
遷移するまでの遅延時間においてもその出力電圧は降下
し続け、その後に、低出力インピーダンスとなって電流
供給能力が最大になる。
In the period b in which the output pulse is at the saturation voltage Vs, when the load current suddenly flows, only the source follower circuit operates, that is, if Q5 is OFF here.
Then, the output voltage drops until the gate voltage of Q3 becomes equal to or higher than the ON voltage, and further, the output voltage continues to drop even in the delay time from the transition from OFF to ON, and then the low voltage The output impedance becomes the maximum current supply capacity.

【0020】従って、AC型プラズマディスプレイパネ
ルのように、電圧印加後、突然放電電流が流れ出し、非
常に短い時間でそれが収束する負荷の場合、ソースホロ
ワ型では放電期間中、常に低出力インピーダンスに保つ
のは困難である。しかしながら、本実施例においては、
CMOS型回路1BのQ5がON状態を保ち続けるの
で、急峻な負荷電流の変化にもその最大の駆動能力で常
に対応ができる。
Therefore, in the case of a load in which a discharge current suddenly flows out after application of a voltage and converges in a very short time as in the AC type plasma display panel, the source follower type always maintains a low output impedance during the discharge period. Is difficult. However, in this embodiment,
Since the Q5 of the CMOS type circuit 1B continues to be kept in the ON state, it is possible to always cope with a sharp change in the load current with its maximum driving ability.

【0021】期間cは、Q2,Q4がONで、その他の
FETはOFFで状態となり、出力端子OUT1の電圧
がVsから0電位に立ち下がる期間である。立ち下がり
時間は、立ち上がり時間と同様に、抵抗R2,R3,R
4及びそれにかかる全寄生容量(Q1,Q2の寄生容量
及び配線の浮遊容量等の総和)により決定される時定数
に依存する。Q4はソースホロワ型における立ち下がり
時の電流バッファであり、回路の出力インピーダンスを
比較的低く保つ働きをする。
The period c is a period in which Q2 and Q4 are ON and the other FETs are OFF and the voltage of the output terminal OUT1 falls from Vs to 0 potential. The fall time is the same as the rise time, and the resistors R2, R3, R
4 and the total parasitic capacitance (total of the parasitic capacitances of Q1 and Q2, the stray capacitance of the wiring, etc.) 4 and the parasitic capacitance. Q4 is a current buffer at the time of falling in the source follower type, and functions to keep the output impedance of the circuit relatively low.

【0022】期間dは、Q2,Q4,Q6がONで、Q
1,Q3,Q5はOFFである。Q4は期間cに引き続
きON状態を保っているが、Q6にそのON抵抗のでき
るだけ小さな素子を選択しておけば、出力インピーダン
スはQ6に依存する。その動作機構は期間bと同様であ
る。
During the period d, Q2, Q4 and Q6 are ON and Q
1, Q3 and Q5 are OFF. Q4 continues to be in the ON state for the period c, but the output impedance depends on Q6 if the element having the smallest ON resistance is selected for Q6. The operation mechanism is similar to that of the period b.

【0023】また、期間b及び期間cにおいて、より低
出力インピーダンス化を図るために、Q5及びQ6を複
数のFETの並列接続とする事も有効である。
Further, in the period b and the period c, it is effective to connect Q5 and Q6 in parallel with a plurality of FETs in order to achieve a lower output impedance.

【0024】図2は、本発明の第二の実施例を示す回路
図である。2Aと2Bの2種類の回路部分からなり、2
Aはエミッタホロワ型出力、2Bはトーテムポール型出
力の回路である。 入力端子IN5〜8及び出力端子O
UT2の電圧波形は第一の実施例と同様に図4で示され
る。図4において、4A〜4Dはそれぞれ入力端子IN
5〜IN8に印加する電圧波形に対応し、4Eは出力端
子OUT2の出力波形である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. It consists of two types of circuit parts, 2A and 2B.
A is an emitter follower type output, and 2B is a totem pole type output circuit. Input terminals IN5-8 and output terminal O
The voltage waveform of UT2 is shown in FIG. 4 as in the first embodiment. In FIG. 4, 4A to 4D are input terminals IN, respectively.
Corresponding to the voltage waveform applied to 5 to IN8, 4E is the output waveform of the output terminal OUT2.

【0025】期間aではQ7,Q9がONで、その他の
トランジスタはOFFであるので、出力は0V電位から
Vs電位まで立ち上がる。このときの立ち上がり時間
は、抵抗R7,R8,R9及びそれにかかる寄生容量
(Q7,Q8の出力容量及び配線の浮遊容量等の総和)
により決定される時定数に依存する。Q9はエミッタホ
ロワ型における立ち上がり時の電流バッファであり、回
路の出力インピーダンスを比較的低く保ち、負荷容量に
よる立ち上がり時間の変動を低く抑える。
Since Q7 and Q9 are ON and the other transistors are OFF during the period a, the output rises from 0V potential to Vs potential. The rise time at this time is the resistance R7, R8, R9 and the parasitic capacitance (total of the output capacitance of Q7 and Q8 and the stray capacitance of the wiring) related thereto.
Depends on the time constant determined by Q9 is a current buffer at the time of rising in the emitter follower type, which keeps the output impedance of the circuit relatively low and suppresses the fluctuation of the rising time due to the load capacitance.

【0026】期間bではQ7,Q9,Q11,Q12,
Q13がONで、Q8,Q10,Q14はOFFであ
る。Q9は期間aに引き続きON状態を保っているが、
Q12にコレクタ・エミッタ間飽和電圧が小さく、最大
コレクタ電流の大きな素子を選択しておけば、出力イン
ピーダンスはQ12に依存する。
In period b, Q7, Q9, Q11, Q12,
Q13 is ON and Q8, Q10, Q14 are OFF. Q9 remains ON for the period a,
If an element with a small collector-emitter saturation voltage and a large maximum collector current is selected for Q12, the output impedance will depend on Q12.

【0027】出力パルスが飽和電圧Vsにある期間bに
では、突然に負荷電流が流れるような場合、エミッタホ
ロワ型回路のみ動作、すなわち、ここでもし仮にQ12
がOFFであるとすれば、Q9がOFFからONに遷移
するまでの遅延時間において、その出力電圧は降下し続
け、その後に、低出力インピーダンスとなって電流供給
能力が最大になる。
In the period b in which the output pulse is at the saturation voltage Vs, if the load current suddenly flows, only the emitter follower type circuit operates, that is, if Q12 is used.
Is OFF, the output voltage thereof continues to drop in the delay time until the transition of Q9 from OFF to ON, and then the output voltage becomes low and the current supply capability becomes maximum.

【0028】しかしながら、本実施例においては、トー
テムポール型回路2BのQ12がON状態を保ち続ける
ので、急峻な負荷電流の変化にもその最大の駆動能力で
対応ができる。
However, in this embodiment, since the Q12 of the totem pole type circuit 2B continues to be in the ON state, it is possible to cope with a sharp change in the load current with its maximum drive capacity.

【0029】期間cは、Q8,Q10がONで、その他
のトランジスタはOFF状態であり、出力端子OUT2
の電圧がVsから0電位に立ち下がる期間である。立ち
下がり時間は、立ち上がり時間と同様に、抵抗R7,R
8,R9及びそれにかかる全寄生容量(Q7,Q8の寄
生容量及び配線の浮遊容量等の総和)により決定される
時定数に依存する。Q10はエミッタホロワ型における
立ち下がり時の電流バッファであり、回路の出力インピ
ーダンスを比較的低く保つ働きをする。
During the period c, Q8 and Q10 are ON, the other transistors are OFF, and the output terminal OUT2
Is a period in which the voltage of V falls from Vs to 0 potential. The fall time is the same as the rise time.
8, R9 and the total parasitic capacitance (total of parasitic capacitances of Q7 and Q8, stray capacitance of wiring, etc.) depending on them and R9. Q10 is a current buffer at the time of falling in the emitter follower type, and functions to keep the output impedance of the circuit relatively low.

【0030】期間dは、Q8,Q10,Q14がON
で、その他のトランジスタはOFFである。Q10は期
間cに引き続きON状態を保っているが、Q14に素子
を選択しておけば、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が小
さく、最大コレクタ電流の大きな素子を選択しておけ
ば、出力インピーダンスはQ14に依存する。
During period d, Q8, Q10 and Q14 are ON
Therefore, the other transistors are off. Q10 continues to be in the ON state during the period c, but if an element is selected for Q14, the collector-emitter saturation voltage is small, and if the element with a large maximum collector current is selected, the output impedance will be Q14. Depends on.

【0031】その動作機構は期間bと同様である。The operating mechanism is similar to that of the period b.

【0032】また、図3のように、基本波形を作り出す
回路において、負荷容量に応じて適度な立ち上がり及び
立ち下がり時間を持つように、その出力ラインに抵抗R
19,R20を挿入したCMOS型回路3Aと低インピ
ーダンス出力のCMOS型回路3Bとの組み合わせであ
っても良い。
Further, as shown in FIG. 3, in a circuit for generating a basic waveform, a resistor R is provided in its output line so as to have appropriate rise and fall times according to the load capacitance.
A combination of the CMOS type circuit 3A in which 19 and R20 are inserted and the low impedance output type CMOS type circuit 3B may be used.

【0033】入力端子IN9〜12及び出力端子OUT
3の電圧波形は第一の実施例と同様に図4で示される。
図4において、4A〜4Dはそれぞれ入力端子IN9〜
IN12に印加する電圧波形に対応し、4Eは出力端子
OUT3の出力波形である。
Input terminals IN9 to IN12 and output terminal OUT
The voltage waveform of No. 3 is shown in FIG. 4 as in the first embodiment.
In FIG. 4, 4A-4D are input terminals IN9-
Corresponding to the voltage waveform applied to IN12, 4E is the output waveform of the output terminal OUT3.

【0034】[0034]

【発明の効果】 以上説明したように、図1のソースホ
ロワ部1A、または図2のエミッタホロワ部2Aのよう
に、パルスの立ち上がり時間、立ち下がり時間を決定
し、基本波形を作り出す回路と、図1のCMOS部1
B、または図2のトーテムポール部2Bのように、パル
スの電圧飽和期間において低インピーダンスとなる回路
とを合成することによって、適度な立ち上がり時間及び
立ち下がり時間を得つつ、電圧飽和期間での急峻な負荷
電流変化への充分な対応が可能になった。
As described above, as in the source follower unit 1A of FIG. 1 or the emitter follower unit 2A of FIG. 2, a circuit that determines the rise time and fall time of a pulse and creates a basic waveform, and FIG. CMOS part 1
B or a circuit having a low impedance in the voltage saturation period of the pulse like the totem pole section 2B in FIG. 2 to obtain an appropriate rise time and fall time and to obtain a steep slope in the voltage saturation period. It has become possible to cope with various changes in load current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一の実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第三の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図4】図1及び図2の回路における各部の波形を示す
タイミング図である。
FIG. 4 is a timing chart showing waveforms of various parts in the circuits of FIGS. 1 and 2.

【図5】従来技術のCMOS型パルス回路を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing a conventional CMOS type pulse circuit.

【図6】従来技術のトーテムポール型パルス回路を示す
図である。
FIG. 6 is a diagram showing a prior art totem pole type pulse circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q1〜Q6,Q15〜Q20 FET Q7〜Q14,Q21〜Q23 バイポーラトランジス
タ R1〜R26 抵抗 C1〜C12 コンデンサ ZD1〜ZD5 ツェナーダイオード 1A 本発明の第一の実施例におけるソースホロワ型回
路部 1B 本発明の第一の実施例におけるCMOS型回路部 OUT1 本発明の第一の実施例における出力端子 2A 本発明の第二の実施例におけるエミッタホロワ型
回路部 2B 本発明の第二の実施例におけるトーテムポール型
回路部 OUT2 本発明の第二の実施例における出力端子 3A 本発明の第三の実施例における第一のCMOS型
回路部 3B 本発明の第三の実施例における第二のCMOS型
回路部 OUT3 本発明の第三の実施例における出力端子 4A,4B,4C,4D 本発明の第一〜三の実施例に
おける入力波形 4E 本発明の第一〜三の実施例における出力波形 OUT4 従来技術のCMOS型パルス回路における出
力端子 OUT5 従来技術のトーテムポール型パルス回路にお
ける出力端子
Q1 to Q6, Q15 to Q20 FETs Q7 to Q14, Q21 to Q23 Bipolar transistors R1 to R26 Resistors C1 to C12 Capacitors ZD1 to ZD5 Zener diodes 1A Source follower type circuit section 1B in the first embodiment of the present invention First of the present invention CMOS type circuit part OUT1 in the embodiment of the present invention 2A Output terminal in the first embodiment of the present invention 2A Emitter-follower type circuit part 2B in the second embodiment of the present invention Totem pole type circuit part OUT2 in the second embodiment of the present invention Output terminal 3A in the second embodiment of the present invention 3A First CMOS type circuit portion 3B in the third embodiment of the present invention 3B Second CMOS type circuit portion OUT3 in the third embodiment of the present invention Output Terminals in Third Embodiment 4A, 4B, 4C, 4D First to Third Embodiments of the Present Invention Output terminals of the definitive input waveform 4E first to third output waveforms in the embodiment of OUT4 conventional output of the CMOS-type pulse circuit technology terminal OUT5 prior art totem pole type pulse circuit of the present invention

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パルスの立ち上がり及び立ち下がり時に
スイッチングする第一の回路と、パルスの立ち上がり及
び立ち下がり期間が終了した後であって、出力がハイレ
ベルまたはローレベルに飽和している期間だけにオン状
態となる第二の回路とを有し、該第一の回路の出力端と
該第二の回路の出力端とが電気的に接続されていること
を特徴とするパルス回路。
1. A first circuit that switches at the rising and falling edges of a pulse, and only after the rising and falling periods of the pulse are completed and only when the output is saturated at a high level or a low level. A second circuit that is turned on, and an output end of the first circuit and an output end of the second circuit are electrically connected.
【請求項2】 第一の回路が、規定の時定数を持ったパ
ルスを発生するスイッチング回路、または、該スイッチ
ング回路の出力にソースホロワ回路若しくはエミッタホ
ロワ回路のうちの一方が接続されたものであることを特
徴とする請求項1に記載のパルス回路。
2. The first circuit is a switching circuit that generates a pulse having a specified time constant, or one of a source follower circuit and an emitter follower circuit connected to the output of the switching circuit. The pulse circuit according to claim 1, wherein:
【請求項3】 第二の回路が、CMOS型回路またはト
ーテムポール型回路のうちの一方であることを特徴とす
る請求項2に記載のパルス回路。
3. The pulse circuit according to claim 2, wherein the second circuit is one of a CMOS type circuit and a totem pole type circuit.
【請求項4】 プラズマディスプレイパネルを駆動する
パルス回路であって、駆動パルスの立ち上がり及び立ち
下がり時にスイッチングする第一の回路と、駆動パルス
の立ち上がり及び立ち下がり期間が終了した後であり、
出力がハイレベルまたはローレベルに飽和している期間
であって、前記プラズマディスプレイパネルの気体放電
遅れ期間内にてオン状態となる第二の回路とを有し、該
第一の回路の出力端と該第二の回路の出力端が電気的に
接続されていることを特徴とするパルス回路。
4. A pulse circuit for driving a plasma display panel, comprising: a first circuit for switching at the rising and falling edges of the driving pulse; and after the rising and falling periods of the driving pulse have ended,
A second circuit which is turned on within a gas discharge delay period of the plasma display panel in a period in which the output is saturated to a high level or a low level, and an output terminal of the first circuit. And an output terminal of the second circuit are electrically connected to each other.
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JP2003228320A (en) * 2002-02-05 2003-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma display device

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