JPH0766249A - Wafer testing device with probe contact state controller - Google Patents
Wafer testing device with probe contact state controllerInfo
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- JPH0766249A JPH0766249A JP20744993A JP20744993A JPH0766249A JP H0766249 A JPH0766249 A JP H0766249A JP 20744993 A JP20744993 A JP 20744993A JP 20744993 A JP20744993 A JP 20744993A JP H0766249 A JPH0766249 A JP H0766249A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハのプローブテ
ストに際し、各プローブの先端とそれに対応するウェー
ハのチップ上のパッドとの接触が、試験装置へのプロー
ブカードの取付状態を調整することによって、最も効率
良くテストが実行できるように、自動的に制御する機能
を備えたプローブ接触状態制御機能付きウェーハ試験装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe test of a wafer, in which the tip of each probe and the corresponding pad on the chip of the wafer adjust the mounting condition of the probe card to the test equipment. The present invention relates to a wafer test apparatus with a probe contact state control function having a function of automatically controlling so that a test can be executed most efficiently.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3は従来のウェーハ試験装置を示す概
略側断面図で、図4は従来のウェーハ試験装置によるプ
ローブテストのフローチャートである。図3で、1はウ
ェーハを載置して指示通り正確に移動可能なウェーハス
テージ、2はウェーハ、3はプローブカード、4はプロ
ーブカードを取付ける固定プレート、5はコンタクト
(プローブ接触状態)通電検出部、6はウェーハプロー
バ、7はメモリテスタ(試験装置)、8は全プローブの
接触状態(コンタクト)を表示する表示パネルである。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a schematic side sectional view showing a conventional wafer test apparatus, and FIG. 4 is a flow chart of a probe test by the conventional wafer test apparatus. In FIG. 3, 1 is a wafer stage on which a wafer can be moved accurately as instructed, 2 is a wafer, 3 is a probe card, 4 is a fixed plate on which a probe card is mounted, and 5 is a contact (probe contact state) energization detection. Reference numeral 6 is a wafer prober, 7 is a memory tester (testing device), and 8 is a display panel for displaying the contact state (contact) of all probes.
【0003】ウェーハプローバ6の固定プレート4に試
験対象品種のためのプローブカード3を取り付ける。図
4に示すように、ウェーハ2を載せたウェーハステージ
1を少しずつ上昇させると、通電検出部5を介して、全
プローブの接触状態(どのプローブが通電中すなわち接
触しているか、どのプローブが接触していないか)が表
示パネル8に表示され、試験作業者に知らされる。作業
者は表示パネルを見て、各プローブの接触状態を記憶し
ながら、全プローブが接触状態になるまでに必要なウェ
ーハ(ステージ)の上昇量が、規格以内であるか否かを
判断する。ステージ上昇量が規格以内であった場合、す
なわち正常な場合には、ウェーハステージ1はウェーハ
2の位置を横に移動させて次のチップをプローブテスト
位置に置く動作を行い、正常にプローブテストが行える
限り、試験装置は上記諸動作を繰り返して、ウェーハ2
内の全チップに対し、順次、プローブテストを行う。ス
テージ上昇量を規格より大きくしないと、全プローブが
接触状態にならない場合、すなわち異常な場合には、プ
ローブカード3を交換したり、または固定プレート4の
調整を行う。A probe card 3 for a test target product is attached to a fixed plate 4 of a wafer prober 6. As shown in FIG. 4, when the wafer stage 1 on which the wafer 2 is placed is raised little by little, the contact state of all the probes (which probe is being energized, that is, which probe is in contact, through the energization detector 5). (Whether it is not in contact) is displayed on the display panel 8 to inform the test operator. The operator looks at the display panel and, while memorizing the contact state of each probe, determines whether or not the amount of rise of the wafer (stage) required until all the probes come into contact is within the standard. When the amount of stage rise is within the standard, that is, when it is normal, the wafer stage 1 moves the position of the wafer 2 laterally and puts the next chip at the probe test position, and the probe test is performed normally. As much as possible, the test equipment repeats the above-mentioned operations to
A probe test is sequentially performed on all the chips inside. If all the probes do not come into contact with each other unless the stage rise amount is larger than the standard, that is, if there is an abnormality, the probe card 3 is replaced or the fixed plate 4 is adjusted.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の試験装置で
は、ウェーハのプローブテストを実行中に、例えばプロ
ーブの状態が変化した場合、ウェーハのチップ上のパッ
ドに全てのプローブを安定して接触させることが出来な
くなり、ウェーハとプローブの電気的接触不良が発生し
て、プローブテスト続行不能になるという問題が生ず
る。In the above-mentioned conventional test apparatus, all probes are stably brought into contact with the pads on the chip of the wafer when, for example, the state of the probe changes during the probe test of the wafer. This makes it impossible to continue the probe test due to poor electrical contact between the wafer and the probe.
【0005】本発明は、上記従来のような問題が発生し
ないように、試験装置自体で、プローブカード取付状態
(傾き、高さ)の調整を自動的に行うことが可能で、プ
ローブテストを効率良く実行できるようにした、プロー
ブ接触状態制御機能付きウェーハ試験装置を提供するこ
とを課題とする。According to the present invention, the test apparatus itself can automatically adjust the mounting state (inclination, height) of the probe card so that the above-mentioned problems do not occur, and the probe test can be performed efficiently. An object of the present invention is to provide a wafer test apparatus with a probe contact state control function that can be executed well.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明においては、多数のプローブの先端を、それぞ
れ、それに対応するウェーハのチップ上の接続用パッド
又は検査用に特設したチップ内部のパッドに接触させ
て、各パッド毎に所期の電圧が検出されるか否かを検査
するウェーハのプローブテストのために、試験装置のプ
ローブカードの取付部に、取付位置の傾きと高さの調整
機構を設置すると共に、ウェーハ上の新しいチップのプ
ローブテストに先立って、毎回、まずウェーハの位置を
上昇させ、上昇に伴って、プローブの先端が、それに対
応するパッドに接触するのを検出し、全てのプローブの
先端が対応するパッドに接触したことが確認されたとき
のウェーハの上昇量が所定値以下ならば、そのまま、其
のチップに対するプローブテストを行い、もし全プロー
ブの先端が接触状態になったときのウェーハの上昇量が
上記所定値を超えていれば、ウェーハの上昇量と、上昇
に応じて検出されたプローブ先端とパッドが接触した部
位や接触個所増加の状況から、全プローブの先端が接触
状態になったときのウェーハ上昇量を最小に抑制するよ
うな、プローブカード取付位置の傾きと高さを算出し、
この算出結果を上記調整機構へ送って補正したプローブ
カード取付状態でプローブテストを再度行う、の諸動作
を自動的に実行する制御機能を設けることにした。In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, the tips of a large number of probes are connected to the corresponding connection pads on the chip of the wafer or inside the chip specially prepared for inspection. In order to test the wafer by contacting the pads and inspecting whether or not the desired voltage is detected for each pad, in the mounting part of the probe card of the test equipment, the inclination and height of the mounting position In addition to installing the adjustment mechanism, each time prior to the probe test of a new chip on the wafer, the position of the wafer is first raised, and as the rise is detected, the tip of the probe detects contact with the corresponding pad. , If the amount of rise of the wafer when it is confirmed that the tips of all the probes have contacted the corresponding pads, if the wafer rise amount is less than the specified value, If the wafer rise amount exceeds the above specified value when the tips of all the probes are in contact with each other, the wafer rise amount and the probe tips detected according to the rise and the pads contact each other. From the increased number of parts and contact points, calculate the inclination and height of the probe card mounting position so as to minimize the amount of wafer rise when the tips of all probes are in contact,
It is decided to provide a control function for automatically executing various operations of sending the calculation result to the adjusting mechanism and performing the probe test again with the corrected probe card attached.
【0007】[0007]
【作用】各プローブの先端には、周囲よりも多少長いも
の短いものなどのバラツキがある。従って、ウェーハを
上昇させて行くとき、早期にチップのパッドに接触する
もの、かなり上昇してからやっと接触するものとばらつ
く。しかし、バラツキがあまり大きくなれば、種々の問
題、例えば一旦接触状態になったプローブの先端が押し
付けられ過ぎてパッドから外部にはみ出して再度非接触
状態になるとか、場合によっては折れるとか、が発生す
るから、全プローブが接触状態になるまでのウェーハの
上昇量に最大限界値を設ける必要が生じる。上記のよう
な手段をとれば、全プローブが接触状態になるまでのウ
ェーハの上昇量を所定値以下に抑制することができる。
例えば、従来の装置で、少なくとも、固定プレートの調
整でプローブテストを続行できるような場合に対して
は、本発明装置の自動制御機能により、作業者はプロー
ブカード取付状態の手動調整に煩わされることなく、迅
速に試験を行うことができる。プローブの先端が1本だ
け(他のプローブの先端は何れも折れないのに)折れて
非常に短くなってしまったような時は、本発明の試験装
置でも、プローブカードを、プローブ先端の位置があま
りばらついていない別のプローブカードと交換しなけれ
ばならないが、このような特殊な場合には、同一チップ
に対して何度もウェーハステージが上昇、下降を繰り返
すので、作業者には直ぐ判る。従って効率良くプローブ
テストを行うことができる。[Function] The tip of each probe has variations such as slightly longer or shorter than the surroundings. Therefore, when the wafer is raised, there are variations in those that come into contact with the pads of the chip early and those that come into contact with the pads after being raised considerably. However, if the variation becomes too large, various problems may occur, for example, the tip of the probe once in contact may be pushed too far and protrude from the pad to the outside to become non-contact again, or in some cases, break. Therefore, it becomes necessary to set a maximum limit value for the amount of rise of the wafer until all the probes come into contact with each other. By taking the above means, the amount of rise of the wafer until all the probes come into contact with each other can be suppressed to a predetermined value or less.
For example, in the conventional device, at least in the case where the probe test can be continued by adjusting the fixed plate, the operator is troubled with the manual adjustment of the probe card mounting state due to the automatic control function of the device of the present invention. Without it, the test can be done quickly. When only one tip of the probe is broken (even if none of the tips of the other probes are broken) and becomes very short, the probe card is used to position the probe tip even in the test apparatus of the present invention. Must be replaced with another probe card that does not vary much, but in such a special case, the wafer stage repeatedly moves up and down with respect to the same chip, so the operator can tell immediately. . Therefore, the probe test can be efficiently performed.
【0008】[0008]
【実施例】本発明装置によって半導体メモリのウェーハ
のプローブテストを行う場合を例にして説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A case where a probe test of a semiconductor memory wafer is performed by the apparatus of the present invention will be described as an example.
【0009】半導体メモリのプローブテストは、ウェー
ハを、規格に定められた高温状態または低温状態にして
行う場合が多い。このように、ウェーハの温度は一般に
周囲の温度とはかなり異なる検査温度に設定されている
ため、プローブテストが開始されると、熱放射とプロー
ブからの熱伝導によって、プローブカードの温度は局部
的な上昇、下降を繰り返す。このような事情で、プロー
ブカードの高さや傾きの変動が生じ、プローブの先端
と、それに対応するウェーハのチップ上のパッドとの間
で、電気的接触不良が発生する可能性が高い。本発明に
よる試験装置では、上記のような場合でも、効率良くプ
ローブテストを実行することができる。In many cases, a probe test of a semiconductor memory is carried out by placing a wafer in a high temperature state or a low temperature state defined by a standard. Thus, the temperature of the wafer is typically set to an inspection temperature that is significantly different from the ambient temperature, so that when the probe test is initiated, the temperature of the probe card is localized due to heat radiation and heat conduction from the probe. Repeated rising and falling. Under such circumstances, the height and inclination of the probe card may fluctuate, and there is a high possibility that electrical contact failure will occur between the tip of the probe and the corresponding pad on the chip of the wafer. The test apparatus according to the present invention can efficiently execute the probe test even in the above case.
【0010】これから説明する本発明の実施例では、上
記従来例で用いたのと同様な、プローブ先端とパッドと
の接触を、その間が通電状態ならば接触中、通電状態で
なければ非接触と認める方法で、両者の接触状態を検出
することにした。接触状態の検出方法には、上記通電検
出法のほかに、画像情報から判断する方法やプローブ先
端に加わっている圧力値から判断する方法などもある。In the embodiment of the present invention described below, the contact between the probe tip and the pad, which is similar to that used in the above-mentioned conventional example, is determined to be contact when the current is in the energized state and non-contact when the current is not energized. We decided to detect the state of contact between the two by the accepted method. In addition to the above-mentioned energization detection method, there are methods of detecting the contact state, such as a method of judging from the image information and a method of judging from the pressure value applied to the tip of the probe.
【0011】図1(a)は本発明実施例のウェーハプロ
ーバ6の固定プレート4に、プローブカード取付け位置
の傾き高さ調整機構9を取付けた状態の上面図で、図1
(b)は実施例全体の概略側断面図である。図中、9は
上記のようにプローブカード取付け位置の傾き高さ調整
機構、10は本発明にかかる自動制御機能のためのコン
トローラ、11は接触状態(コンタクト)検出機能で、
その他の符号は図3の場合と同様である。プローブカー
ド取付け位置の傾き高さ調整機構9は、3個の調整用突
出部A、B、Cを有し、これらの突出部の突出状態を変
化させて任意に調整を行う。FIG. 1A is a top view showing a state in which a tilt height adjusting mechanism 9 at a probe card mounting position is attached to a fixed plate 4 of a wafer prober 6 according to an embodiment of the present invention.
(B) is a schematic side sectional view of the entire embodiment. In the figure, 9 is the tilt height adjusting mechanism of the probe card mounting position as described above, 10 is the controller for the automatic control function according to the present invention, 11 is the contact state (contact) detection function,
Other reference numerals are the same as those in FIG. The tilt height adjusting mechanism 9 at the probe card mounting position has three adjusting protrusions A, B, and C, and changes the protruding state of these protrusions to perform arbitrary adjustment.
【0012】図2は本発明実施例によりプローブテスト
を行うときのフローチャートである。まず固定プレート
4に試験対象半導体メモリの品種に適合するプローブカ
ードを傾き高さ調整機構9を介して取付ける。ウェーハ
2を載せたウェーハステージ1を上昇させ、上昇期間中
コントローラ10は、コンタクト検出機能11から全プ
ローブのコンタクトに関する情報を受け入れて内蔵する
メモリに収納し、上記情報を調べてプローブのバラツキ
が規格内か否かの判定を行う。規格内ならばプローブテ
ストを行ったのち、次のチップがテスト位置に来るまで
ウェーハステージ1を横に移動させ、上記諸動作を繰り
返し行う。途中で異常が検出されなければ、全チップに
対してプローブテストが終了するまで上記動作を繰り返
す。コントローラ10は、もし、プローブ先端のバラツ
キが大きく規格外と判定(すなわち異常を検出)すれ
ば、一旦ウェーハステージ1を下降させ、ウェーハ2に
対するプローブカード3の取付位置を調整して、全プロ
ーブ先端がチップ上の対応するパッドに接触する際のバ
ラツキが極力小さくなるように傾きと高さを補正するた
めの量を算定し、これを補正信号としてプローブカード
取付け位置の傾き高さ調整機構9に送って上記3個の調
整用突出部A、B、Cの突出量を調整してから、再度ウ
ェーハステージ1の上昇から上記諸動作を繰り返し行わ
せる。FIG. 2 is a flow chart when performing a probe test according to the embodiment of the present invention. First, a probe card suitable for the type of semiconductor memory to be tested is attached to the fixed plate 4 through the tilt height adjusting mechanism 9. The wafer stage 1 on which the wafer 2 is placed is raised, and during the ascending period, the controller 10 receives the information regarding the contacts of all the probes from the contact detection function 11 and stores the information in the built-in memory. It is determined whether it is inside. If it is within the standard, after performing a probe test, the wafer stage 1 is moved laterally until the next chip comes to the test position, and the above-mentioned operations are repeated. If no abnormality is detected on the way, the above operation is repeated until the probe test is completed for all the chips. If the controller 10 determines that the probe tips have a large variation and is out of the standard (that is, an abnormality is detected), the controller 10 once lowers the wafer stage 1 and adjusts the mounting position of the probe card 3 on the wafer 2 so that all the probe tips are attached. Calculates the amount for correcting the inclination and height so that the variation when the pad contacts the corresponding pad on the chip becomes as small as possible, and the calculated amount is used as a correction signal in the inclination height adjusting mechanism 9 of the probe card mounting position. After being sent, the protrusion amounts of the three adjusting protrusions A, B, and C are adjusted, and then the above-described operations are repeated from the rising of the wafer stage 1.
【0013】[0013]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェーハ試験装置でウェーハのプローブテストを行う際
に、従来のように作業者が、プローブの接触状態を目視
により監視し、プローブ接触状態を記憶してプローブ先
端のバラツキの合否判定などを行う必要がなくなり、し
かも、作業者は煩雑なプローブカード取付状態の調整作
業にも煩わされなくなり、きわめて効率的に、かつ、プ
ローブ先端が確実にウェーハに接触した状態で、ウェー
ハのプローブテストを行えるようになる。As described above, according to the present invention, when performing a probe test on a wafer in a wafer testing apparatus, an operator visually monitors the contact state of the probe as in the conventional case, and detects the probe contact state. It is no longer necessary to memorize the information to determine whether the probe tip varies or not, and the operator does not have to worry about the troublesome adjustment work of the probe card mounting state, so that the probe tip is very efficient and reliable. The probe test of the wafer can be performed while it is in contact with the wafer.
【図1】図1(a)は本発明実施例の固定プレートにプ
ローブカード取付け位置の調整機構を取付けた状態の上
面図、図1(b)は実施例全体の概略側断面図である。FIG. 1 (a) is a top view of a state in which a probe card attachment position adjusting mechanism is attached to a fixing plate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is a schematic side sectional view of the entire embodiment.
【図2】本発明実施例によりプローブテストを行うとき
のフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart when performing a probe test according to an embodiment of the present invention.
【図3】従来のウェーハ試験装置の概略側断面図であ
る。FIG. 3 is a schematic side sectional view of a conventional wafer test apparatus.
【図4】従来のウェーハ試験装置によりプローブテスト
を行うときのフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart when a probe test is performed by a conventional wafer test apparatus.
1…ウェーハステージ、 2…ウェーハ、 3…プロー
ブカード、 4…固定プレート、 5…コンタクト通電
検出部、 6…ウェーハプローバ、 7…メモリ試験装
置、 8…コンタクト表示部、 9…傾き高さ調整機
構、 10…コントローラ、 11…コンタクト検出機
能。1 ... Wafer stage, 2 ... Wafer, 3 ... Probe card, 4 ... Fixed plate, 5 ... Contact current detection unit, 6 ... Wafer prober, 7 ... Memory test device, 8 ... Contact display unit, 9 ... Tilt height adjustment mechanism , 10 ... Controller, 11 ... Contact detection function.
Claims (1)
に対応するウェーハのチップ上の接続用パッド又は検査
用に特設したチップ内部のパッドに接触させて、各パッ
ド毎に所期の電圧が検出されるか否かを検査するウェー
ハのプローブテストのために、試験装置のプローブカー
ドの取付部に、取付位置の傾きと高さの調整機構を設置
すると共に、ウェーハ上の新しいチップのプローブテス
トに先立って、毎回、まずウェーハの位置を上昇させ、
上昇に伴って、プローブの先端が、それに対応するパッ
ドに接触するのを検出し、全てのプローブの先端が対応
するパッドに接触したことが確認されたときのウェーハ
の上昇量が所定値以下ならば、そのまま、其のチップに
対するプローブテストを行い、もし全プローブの先端が
接触状態になったときのウェーハの上昇量が上記所定値
を超えていれば、ウェーハの上昇量と、上昇に応じて検
出されたプローブ先端とパッドが接触した部位や接触個
所増加の状況から、全プローブの先端が接触状態になっ
たときのウェーハ上昇量を最小に抑制するような、プロ
ーブカード取付位置の傾きと高さを算出し、この算出結
果を上記調整機構へ送って補正したプローブカード取付
状態でプローブテストを再度行う、の諸動作を自動的に
実行する制御機能を設けたことを特徴とするプローブ接
触状態制御機能付きウェーハ試験装置。1. The desired voltage is detected for each pad by bringing the tips of a large number of probes into contact with a corresponding connection pad on a chip of a wafer or a pad inside a chip specially prepared for inspection. In order to perform a probe test of the wafer to inspect whether or not it is tested, a mechanism for adjusting the inclination and height of the mounting position is installed at the mounting part of the probe card of the test equipment, and a probe test of a new chip on the wafer is performed. Prior to each time, first raise the position of the wafer,
If the tip of the probe detects that the tip of the probe is in contact with the corresponding pad as it rises, and it is confirmed that the tips of all the probes are in contact with the corresponding pad, the amount of rise of the wafer is below a predetermined value. For example, if that is the case, perform a probe test for that chip, and if the amount of rise of the wafer when the tips of all the probes are in contact with each other exceeds the above specified value, the amount of rise of the wafer and Due to the detected contact area between the probe tip and the pad and the number of contact points, the tilt and height of the probe card mounting position should be minimized to minimize the wafer rise amount when all probe tips are in contact. Control function that automatically performs various operations such as calculating the height and sending the calculation result to the adjustment mechanism to perform the probe test again with the corrected probe card installed. Probe contact state control function wafer testing apparatus, characterized in that provided.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20744993A JPH0766249A (en) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Wafer testing device with probe contact state controller |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20744993A JPH0766249A (en) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Wafer testing device with probe contact state controller |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0766249A true JPH0766249A (en) | 1995-03-10 |
Family
ID=16539961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20744993A Pending JPH0766249A (en) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | Wafer testing device with probe contact state controller |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0766249A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7075319B2 (en) | 2002-08-09 | 2006-07-11 | Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha | Probe card having a coil spring interposed between a support member and a contactor unit |
US7119560B2 (en) | 2003-08-21 | 2006-10-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Probe apparatus |
JP2007329225A (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Prober, and parallelism adjusting method |
CN111293048A (en) * | 2018-12-07 | 2020-06-16 | 紫光同芯微电子有限公司 | Wafer test system and method thereof |
-
1993
- 1993-08-23 JP JP20744993A patent/JPH0766249A/en active Pending
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US7307435B2 (en) | 2002-08-09 | 2007-12-11 | Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha | Probe card |
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JP2007329225A (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Prober, and parallelism adjusting method |
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