JPH0765761A - 薄膜形成方法およびイオン注入方法 - Google Patents

薄膜形成方法およびイオン注入方法

Info

Publication number
JPH0765761A
JPH0765761A JP5213789A JP21378993A JPH0765761A JP H0765761 A JPH0765761 A JP H0765761A JP 5213789 A JP5213789 A JP 5213789A JP 21378993 A JP21378993 A JP 21378993A JP H0765761 A JPH0765761 A JP H0765761A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
isotope
ion
thin film
mass number
specific mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5213789A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Miyake
潔 三宅
宏昌 ▲高▼橋
Hiromasa Takahashi
Takeya Ohashi
健也 大橋
Kazumi Fujii
和美 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5213789A priority Critical patent/JPH0765761A/ja
Publication of JPH0765761A publication Critical patent/JPH0765761A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】特定の同位体元素を濃縮した薄膜やイオン注入
層を形成する方法により、物質構造の同定や、機能性薄
膜デバイスや優れた原子力プラント構造材を提供する。 【構成】電磁的質量分離機構を備えた薄膜形成装置を用
いて、特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を形成する
のに際し、該元素の天然同位体存在比とは異なる単体物
質あるいは化合物物質を特定の質量数の同位体元素を発
生させるための原材料として用いることにより、薄膜あ
るいはイオン注入層を形成する。 【効果】金属結晶の原子レベルでの構造決定，原子力プ
ラント構造材料の低放射化や中性子経済の効率向上が図
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特定の質量数の同位体
元素を含む高純度の金属薄膜や半導体薄膜を形成する方
法に係り、特に特定のエネルギーのＸ線や光子ビームを
選択的に反射する金属薄膜を形成したり、特定の原子核
に特徴的な性質を利用する物質を形成するのに好適な薄
膜形成方法・装置およびイオン注入方法・装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電磁的質量分離機構を備えた薄膜
形成装置やイオン注入装置を用いて、特定の質量数の同
位体元素を含む薄膜を形成したり、基板にイオン注入す
るのに際しては、『イオンインプランテーション（ION
IMPLANTATION）』（ダーナリイ（G.DEARNALEY），フリ
ーマン（J.H.FREEMAN），ネルソン（R.S.NELSON），ス
チィーブン（J.STEPHEN）編集；ノースホランドパブリ
ッシングカンパニー（NORTH-HOLLAND PUBLISHING COMPA
NY，１９７３年発行)の４５６頁−４７５頁に記載され
ているように、天然に存在する単体元素や酸化物あるい
は塩化物等の化合物をイオン源材料として用い、それら
の物質をイオン源内に導入しイオン化し、薄膜形成装置
やイオン注入装置に設置された電磁的質量分離機構によ
り特定の質量数の同位体元素からなるイオンのみを選別
する方法が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、イオン源材料として用いる単体元素物質あるいは化
合物物質が、所望の特定の質量数の同位体元素を天然の
同位体存在比でしか含まないため、特定の質量数の同位
体元素の天然の同位体存在比が小さい場合、得られる特
定の質量数の同位体元素の量は極くわずかなものであっ
た。
【０００４】例えば、質量数５７の鉄の天然同位体存在
比は２.１％ で、質量数５６の鉄の天然同位体存在比が
９１.８％ である。したがって、質量数５７の鉄の薄膜
を形成する場合、天然の酸化鉄をイオン源材料として用
いた場合には、質量数５６の鉄の薄膜を形成する場合の
約４４倍の時間を要した。このように天然同位体存在比
が小さい特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を形成し
たり、基板にイオン注入するのに、非常に長い処理時間
を要し、また、電磁的質量分離機構の質量分解能が十分
でない場合には、天然同位体存在比が大きい質量数の同
位体元素が不純物として混入するおそれがあるという欠
点があった。
【０００５】本発明の目的は、前記の欠点をなくし、い
かなる質量数の同位体元素に対しても、該同位体元素を
含む薄膜を形成、あるいは、基板にイオン注入するの
に、不純物として混入がなく短時間で処理する方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、電磁的質量分
離機構を備えた薄膜形成装置を用いて、特定の質量数の
同位体元素を含む薄膜を形成、あるいは、特定の質量数
の同位体元素を基板にイオン注入するのに際し、該元素
の天然同位体存在比とは異なる単体物質あるいは化合物
物質を、または、該特定の質量数の同位体元素で濃縮さ
れた単体物質あるいは化合物物質を、特定の質量数の同
位体元素を発生させるための原材料として用いることを
特徴とする。
【０００７】
【作用】所望の特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を
形成あるいは、基板にイオン注入するのに際し、該元素
の天然同位体存在比とは異なる単体物質あるいは化合物
物質、または、該特定の質量数の同位体元素で濃縮され
た単体物質あるいは化合物物質を、特定の質量数の同位
体元素を発生させるための原材料として用いることによ
り、電磁的質量分離機構に導入する元素のうちで所望の
特定質量数の同位体元素の割合が増加する。
【０００８】その結果、短時間で、所望の特定の質量数
の同位体元素を含む薄膜を形成、あるいは、基板にイオ
ン注入することが可能となる。かつ、所望の特定の質量
数の同位体元素が薄膜形成あるいはイオン注入に大きな
割合で寄与するので不純物元素の混入を抑制し高純度の
処理が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図６を参照し
て説明する。
【００１０】［実施例その１］本発明の方法を質量数５
７の特定の鉄同位体57Ｆｅからなる薄膜をシリコン基板
上に形成するための方法を例にとり示す。図１は本薄膜
形成に使用したイオンビームデポジション装置の構成を
示したものである。
【００１１】本イオンビームデポジション装置は質量数
５７の鉄同位体イオンビームを発生させるためのマイク
ロ波イオン源１，鉄を含んだプラズマ２を作るための放
電維持ガスを供給するガス導入孔３，57Ｆｅイオンビー
ムを発生するために使用した９６％以上57Ｆｅ鉄同位体
からなる酸化鉄（57Ｆｅ2Ｏ3）４，イオンビームを引き
出すための引き出し電極５、および、引き出された全イ
オンビーム６を輸送するためのステンレス製イオンドリ
フトチューブ７，特定の質量数のイオンビーム８（本実
施例の場合は57Ｆｅイオン）を選別するための質量分離
電磁石９，選別された57Ｆｅイオンビーム８以外のイオ
ンビーム１０，選別された57Ｆｅイオンビーム８を減速
するための減速レンズシステム１１，57Ｆｅ薄膜を付着
させるためのシリコン基板１２，高真空に排気されたス
テンレス製成膜室１３，シリコン基板１２に流入するイ
オンビーム電流を測定するための直流電流計１４，形成
した鉄同位体57Ｆｅからなる薄膜１５，照射するイオン
のエネルギーを決定するイオン加速電源１６，イオンビ
ーム引き出し電源１７，絶縁碍子１８，１９より構成し
た。
【００１２】まず、マイクロ波イオン源１内の窒化硼素
を材料として作られた大きさ２０mm×３０mm×５０mmの
放電室内に、平均粒径が１０μｍの粉末状の57Ｆｅ鉄同
位体の酸化物（57Ｆｅ2Ｏ3）４を５００mg挿入した。該
放電室領域には磁場コイル（図示せず）にて磁場強度９
００Gauss の磁場を印加するとともに、該放電室内にガ
ス導入孔３より放電維持ガスとして四塩化炭素(ＣＣ
ｌ4)を毎分０.５cc導入した。
【００１３】その後、発振周波数が２.４５GHz，電力が
３００Ｗのマイクロ波を導波管（図示せず）を通じ該放
電室に導いた。この結果、放電室内に鉄イオンを含んだ
高密度の四塩化炭素(ＣＣｌ4）放電プラズマ２が発生し
た。
【００１４】放電室の片側は導電性を有する材料としそ
こに開孔大きさが２mm×２０mmである開孔部２０を設
け、それと対向して開孔大きさが５mm×５０mmであるイ
オン引き出し電極スリット５を設けた。
【００１５】導電性を有する放電室領域の電位をイオン
加速電源１６により＋５０Ｖとし、イオン引き出し電極
５およびステンレス製イオンドリフトチューブ７の電位
を引き出し電源１７により、放電室領域の電位に対して
−２０ｋＶとし全イオンビーム６を２０ｋｅＶの加速エ
ネルギーで引き出した。このときの全イオンビーム６の
電流値は５ｍＡであった。
【００１６】旋回半径が４０cmの９０度偏向型質量分離
用電磁石９の励磁電流を制御し、引き出した全イオンビ
ーム６の内、質量数５７の特定の鉄同位体57Ｆｅイオン
ビーム８のみを選別し、これ以外のイオンビーム１０は
真空容器の側壁に衝突させて、シリコン基板１２に照射
されないようにした。
【００１７】次に、選別した質量数５７の特定の鉄同位
体57Ｆｅイオンビーム８をイオン減速レンズシステム１
１に導き、運動エネルギーを２０ｋｅＶより５０ｅＶま
で減速した上で、接地電位に置かれたシリコン基板１２
上に１時間照射した。その結果、電流値が９５μＡの鉄
同位体57Ｆｅイオンビーム８を得た。
【００１８】このイオン照射の結果、膜厚が１μｍの鉄
同位体57Ｆｅ薄膜１５を得た。本発明により作成した鉄
同位体57Ｆｅ薄膜の純度を二次イオン質量分析法により
測定すると、図２に示すような二次イオン質量スペクト
ルを得た。
【００１９】図２より、形成した鉄薄膜は極わずかの56
Ｆｅ同位体を不純物として含むものの、54Ｆｅ同位体量
は検出限界以下であり、９９.９９％ 以上の純度を有す
る高純度鉄同位体（57Ｆｅ）薄膜が形成されていること
が判明した。
【００２０】本実施例においては、57Ｆｅイオンを発生
させるために酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）粉末を使用したが、他
の構造の酸化物（Ｆｅ3Ｏ4，ＦｅＯ2など）や鉄の炭化
物 (ＦｅＣなど)，ハロゲン化物(ＦｅＣｌ2，ＦｅＣｌ
3，ＦｅＣｌ2・Ｈ2Ｏなど)，水酸化物（Ｆｅ(ＯＨ)3な
ど），金属窒化物（ＦｅＮ4など），有機金属化合物
（Ｆｅ(ＯＣＨ3)3など），金属合金物質(Ｆｅ−Ｚｒ，
ＦｅＳ2など）でも57Ｆｅを鉄元素の主成分とすれば同
様の効果があり、これらの材料を用いても差し支えな
い。
【００２１】また、本実施例においては、57Ｆｅ元素を
取り上げたが、本発明はこれ以外のいかなる同位体元素
に関しても適用することが出来る。
【００２２】［実施例その２］本発明の方法を質量数６
０のニッケル同位体60Ｎｉを構造材にイオン注入するた
めの方法を例にとり示す。図３は本イオン注入に使用し
たイオン注入装置の構成を示したものである。
【００２３】本イオン注入装置は、実施例その１の場合
と同様に、ニッケル同位体イオンビームを発生させるた
めのマイクロ波イオン源３１，ニッケルを含んだプラズ
マ３２を作るための放電維持ガスを供給するガス導入孔
３３，60Ｎｉイオンビームを発生するために使用した９
５％以上60Ｎｉ同位体からなる酸化ニッケル（60Ｎｉ
Ｏ）３４，イオンビームを引き出すための引き出し電極
３５、および、引き出された全イオンビーム３６を輸送
するためのステンレス製イオンドリフトチューブ３７，
特定の質量数のイオンビーム３８（本実施例の場合は60
Ｎｉイオン）を選別するための質量分離電磁石３９，選
別された60Ｎｉイオンビーム３８以外のイオンビーム４
０，選別された60Ｎｉイオンビームをイオン注入させる
ための炭素鋼ボルトに代表される構造材４１，高真空に
排気されたステンレス製イオン注入室４２，注入イオン
ビーム電流を測定するための直流電流計４３，注入する
イオンのエネルギーを決定するイオン加速電源４４，絶
縁碍子４５より構成した。
【００２４】まず、マイクロ波イオン源３１内の窒化硼
素を材料として作られた大きさ２０mm×３０mm×５０mm
の放電室内に、平均粒径が１０μｍの粉末状の９５％以
上60Ｎｉ同位体からなる酸化ニッケル（60ＮｉＯ）３４
を５００mg挿入した。該放電室領域には磁場コイル（図
示せず）にて磁場強度９００Gauss の磁場を印加すると
ともに、該放電室内にガス導入孔３３より放電維持ガス
として四塩化炭素（ＣＣｌ4）を毎分０.５cc導入した。
【００２５】その後、発振周波数が２.４５GHz，電力が
５００Ｗのマイクロ波を導波管（図示せず）を通じ該放
電室に導いた。この結果、放電室内にニッケルイオンを
含んだ高密度の四塩化炭素(ＣＣｌ4）放電プラズマ３２
が発生した。
【００２６】放電室の片側は導電性を有する材料としそ
こに開孔大きさが２mm×４０mmである開孔部４６を設
け、それと対向して開孔大きさが５mm×７０mmであるイ
オン引き出し電極スリット３５を設けた。
【００２７】導電性を有する放電室領域の電位をイオン
加速電源４４により、イオン引き出し電極３５およびス
テンレス製イオンドリフトチューブ３７の電位に対して
＋１００ｋＶとし、全イオンビーム３６を１００ｋｅＶ
の加速エネルギーで引き出した。このときの全イオンビ
ーム３６の電流値は１５ｍＡであった。
【００２８】旋回半径が４０cmの９０度偏向型質量分離
用電磁石３９の励磁電流を走査しながらイオン注入材４
１に流れる電流を電流計４３により測定したところ、質
量数５８より６５までの範囲において、図４に示すよう
な質量分離スペクトルを得た。ニッケルには質量数５
８，６０，６１，６２，６４の５種類の同位体が天然に
は存在し、それらの天然存在比はそれぞれ６８.２７
％，２６.１０％，１.１３％，３.５９％，０.９１％で
あることが知られている。したがって、天然の酸化ニッ
ケルをもし原材料として使用すれば、質量数５８のイオ
ン（58Ｎｉ）が最も多いはずである。しかし、図４より
分かるように、本発明では質量数６０にニッケル（60Ｎ
ｉ）のイオンが最も多くその電流値は９ｍＡであった。
【００２９】この特定のニッケル同位体60Ｎｉイオンビ
ーム３８のみを選別し、これ以外のイオンビーム４０は
真空容器の側壁に衝突させて、被イオン注入材料である
炭素鋼４１に照射されないようにした。このようにし
て、選別した質量数６０の特定のニッケル同位体60Ｎｉ
イオンビーム３８を運動エネルギーを１００ｋｅＶで、
接地電位に置かれた被イオン注入材料である炭素鋼４１
に１０分間照射するだけで、注入ドーズ量が１０18イオ
ン／cm2 で、イオン注入深さが０.５μｍ のニッケル同
位体60Ｎｉを含む炭素鋼の表面改質層を得た。
【００３０】本実施例においては、60Ｎｉ同位体元素を
取り上げたが、本発明はこれ以外のいかなる同位体元素
に関しても適用することが出来る。
【００３１】［実施例その３］図５は原子力プラントの
概要図で、本発明による構成材料表面での薄膜形成及び
イオン注入法の適用個所を示すことが出来る。図５にお
ける接水構造材料部分に本発明の薄膜形成あるいはイオ
ン注入を適用することにより、中性子効率の制御性を向
上した制御システムと炉内線量率上昇を抑制した炉内構
造材料を提供することが出来る。
【００３２】炉内での高温水の循環は図５に示す沸騰水
型原子力プラントの場合、給水タンク１２１から復水昇
圧ポンプ１１０，給水加熱器１１１，給水ポンプ１１２
を経て炉心に投入された純水が燃料１０３で加熱され水
蒸気となり、高圧タービン１０１，低圧タービン１０２
でエネルギー変換される。この水蒸気を水として再循環
させるため、復水器１０６，復水ポンプ１０７，復水フ
ィルタ１０８，復水脱塩器１０９を介して給水加熱器側
に戻す。これに付随する配管系として原子炉浄化系ポン
プ１１５，原子炉浄化フィルタ１１６やスピルオーバー
ライン１１７，制御棒駆動小ポンプ１１８，ミニマムフ
ローライン１２０がある。
【００３３】本発明の実施例１に示す薄膜形成法にのっ
とり、制御棒駆動装置１０４の構成要素である制御棒部
表面に、電磁的質量分離機構を備えたイオンビームデポ
ジション装置を用いて、10Ｂ（質量数１０の硼素同位
体）層を形成するに際し、Ｂの天然同位体存在比とは異
なる化合物質として質量数１０の硼素同位体を９０％以
上含む酸化硼素（10Ｂ2Ｏ3）を原料として用い、硼素イ
オン発生のための放電気体には四塩化炭素を用い、10Ｂ
の濃縮した薄膜を形成した。
【００３４】10Ｂと11Ｂの天然存在比はそれぞれ約２０
％と８０％であり、中性子吸収断面積はそれぞれ３８３
７バーンと０.００５ バーンである。本実施例では９７
％以上10Ｂから表面が構成された制御棒を作製すること
が出来たので、短時間で中性子吸収効率が大きな制御棒
を作製することが出来たことになる。
【００３５】また、本発明により、10Ｂの量を調整する
ことにより、原子力プラント内の熱中性子を制御する制
御棒の中性子吸収効率を、同表面積の制御棒についての
計算で従来比で２０％から４００％まで任意に調整出来
る制御棒を製作することが出来る。
【００３６】更に、再循環系（１１４）を構成するステ
ンレス鋼配管の内部に付着する放射性物質となる原子炉
反応容器中のＮｉを含有する合金からなる構造材料中の
Ｎｉ量を調整するために、本発明の実施例２に示すイオ
ン注入法にのっとり、電磁的質量分離機構を備えたイオ
ン注入装置を用いて、60Ｎｉイオンを該構造材料に注入
することにより、従来の58Ｎｉを多く含有するステンレ
ス鋼に比較して放射線量の低減された再循環系を提供す
ることが出来た。
【００３７】実施方法は、実施例２に準拠し、原材料と
して60Ｎｉを濃縮した酸化ニッケル（60ＮｉＯ）を用い
る。イオン注入のドーズ量は１０16イオン／cm2 付近と
し、注入面積を増加させるために、図３に示す被イオン
注入構造材４１はビームライン３８に対して、イオン注
入室４２内でビーム照射中に平面的に移動させた。この
操作によりイオン注入面積は５００mm×２０００mm以上
とすることができた。天然の58Ｎｉと60Ｎｉの存在比は
６８％と２６％であり、熱中性子吸収断面積はそれぞれ
４.４バーンと２.６バーンである。熱中性子吸収断面積
が小さな60Ｎｉを注入することにより、ステンレス鋼と
同等の強度と耐食性を備え、かつ放射化しにくい構造材
を得ることができた。
【００３８】このように、本発明による60Ｎｉによる薄
膜形成による表面処理、あるいは60Ｎｉのイオン注入
を、図５に示すプラントの接水部材に適用することによ
り、材料の放射化を低減するのみならず、腐食反応もＮ
ｉの不働態化により低減することができる。
【００３９】［実施例その４］本発明の実施例１と同様
の方法により、シリコン基板上に形成した質量数５７の
鉄同位体57Ｆｅからなる薄膜のメスバウアスペクトルを
図６に示す。
【００４０】メスバウア分光法による構造解析は、質量
数が５７の鉄同位体（57Ｆｅ）に、線源である質量数が
５７のコバルト同位体（57Ｃｏ）を特定周期で振動させ
て、線源から特定のエネルギ−幅を持たせたγ線を放出
させたとき、特定のエネルギ−でγ線が吸収されること
により鉄の核磁気吸収スペクトルを得る手法である。こ
の吸収スペクトルから磁気的構造と結晶構造および磁気
異方性に関する情報が得られる。スペクトルの横軸は線
源の速度で、γ線のエネルギー幅に相当する。図６の測
定結果から、本発明の方法により形成した57Ｆｅ薄膜は
α−Ｆｅであり、面内方向に磁場が配向していることが
吸収スペクトルの強度比からわかる。質量分離せずに形
成した天然同位体比と同じ割合で57Ｆｅ元素を含む鉄薄
膜において上記と同様の構造に関する情報を得るとき、
鉄薄膜中における57Ｆｅの天然同位体存在比が２.１％
と小さいために、その測定に長時間を要し、また、詳細
な情報が得られないことがあった。しかし、本発明の方
法で57Ｆｅ薄膜を形成することにより、短時間でかつ精
度の高いメスバウア分光法による構造解析が可能となっ
た。
【００４１】
【発明の効果】本発明の薄膜形成方法およびイオン注入
方法によれば、特定の同位体元素を濃縮した薄膜やイオ
ン注入層を短時間で作製することが出来るので、金属結
晶の原子レベルでの構造決定や機能性薄膜デバイスの作
製，原子力プラント構造材料の低放射化や中性子経済の
効率向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のイオンビームデポジション装置の構成
図。
【図２】本発明で作製した質量数が５７の鉄薄膜に対す
る二次イオン質量スペクトルを示す図。
【図３】本発明のイオン注入装置の構成図。
【図４】本発明のイオン注入装置におけるニッケルイオ
ンの質量スペクトルを表す図。
【図５】沸騰水型原子力プラントの純水循環に着目した
概要図。
【図６】質量数が５７の鉄薄膜に対して測定したメスバ
ウアスペクトル図。
【符号の説明】
１，３１…マイクロ波イオン源、２，３２…プラズマ、
３，３３…ガス導入孔、４…酸化鉄（57Ｆｅ2Ｏ3）、
５，３５…引き出し電極、６，３６…引き出された全イ
オンビーム、７，３７…ステンレス製イオンドリフトチ
ューブ、８…特定の質量数のイオンビーム（本実施例の
場合は57Ｆｅイオン）、９，３９…質量分離電磁石、１
０…イオンビーム、１１…減速レンズシステム、１２…
シリコン基板、１３…成膜室、１４，４３…直流電流
計、１５…鉄同位体57Ｆｅからなる薄膜、１６，４４…
イオン加速電源、１７…イオンビーム引き出し電源、１
８，１９，４５…絶縁碍子、２０，４６…開孔部、３４
…酸化ニッケル(60ＮｉＯ)、３８…60Ｎｉイオンビー
ム、４０…60Ｎｉイオンビーム以外のイオンビーム、４
１…構造材、４２…ステンレス製イオン注入室、１０１
…高圧タービン、102…低圧タービン、１０３…燃料、
１０４…制御棒駆動装置、１０５…主蒸気バイパス弁、
１０６…復水器、１０７…復水ポンプ、１０８…復水フ
ィルタ、１０９…復水脱塩器、１１０…復水昇圧ポン
プ、１１１…給水加熱器、１１２…給水ポンプ、１１３
…再循環ポンプ、１１４…再循環系、１１５…原子炉浄
化系ポンプ、１１６…原子炉浄化フィルタ、１１７…ス
ピルオーバーライン、１１８…制御棒駆動小ポンプ、１
１９…ボトムタンク、１２０…ポンプミニマムフローラ
イン、１２１…給水タンク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265 (72)発明者 藤井 和美 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電磁的質量分離機構を備えた薄膜形成装置
    を用いて、特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を形成
    するのに際し、該元素の天然同位体存在比とは異なる単
    体物質あるいは化合物物質を特定の質量数の同位体元素
    を発生させるための原材料として用いることを特徴とす
    る薄膜形成方法。
  2. 【請求項２】電磁的質量分離機構を備えた薄膜形成装置
    を用いて、特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を形成
    するのに際し、該特定の質量数の同位体元素で濃縮され
    た単体物質あるいは化合物物質を特定の質量数の同位体
    元素を発生させるための原材料として用いることを特徴
    とする薄膜形成方法。
  3. 【請求項３】イオンビームを加速して引き出した後、電
    磁的質量分離機構により特定の質量数の同位体元素のイ
    オンビームを選別し、その後、該被選別同位体元素イオ
    ンビームを１ｋｅＶ以下まで減速し、基板に照射して該
    被選別同位体元素の薄膜を形成するイオンビームデポジ
    ション薄膜形成法において、該同位体元素の天然同位体
    存在比とは異なる単体物質あるいは化合物物質を特定の
    質量数の同位体元素を発生させるための原材料として用
    いることを特徴とするイオンビームデポジション薄膜形
    成法。
  4. 【請求項４】電磁的質量分離機構を備えたイオン注入装
    置を用いて、特定の質量数の同位体元素を基板にイオン
    注入するのに際し、該元素の天然同位体存在比とは異な
    る単体物質あるいは化合物物質を、特定の質量数の同位
    体元素を発生させるための原材料として用いることを特
    徴とするイオン注入方法。
  5. 【請求項５】電磁的質量分離機構を備えたイオン注入装
    置を用いて、特定の質量数の同位体元素を基板にイオン
    注入するのに際し、該特定の質量数の同位体元素で濃縮
    された単体物質あるいは化合物物質を、特定の質量数の
    同位体元素を発生させるための原材料として用いること
    を特徴とするイオン注入方法。
  6. 【請求項６】電磁的質量分離機構を備えた薄膜形成装置
    を用い、かつ、天然同位体存在比とは異なる単体物質あ
    るいは化合物物質を特定の質量数の同位体元素イオンを
    発生させるための原材料として用いたことを特徴とする
    被薄膜コーティング材。
  7. 【請求項７】電磁的質量分離機構を備えたイオン注入装
    置を用い、かつ、天然同位体存在比とは異なる単体物質
    あるいは化合物物質を特定の質量数の同位体元素イオン
    を発生させるための原材料として用いたことを特徴とす
    る被イオン注入材。
JP5213789A 1993-08-30 1993-08-30 薄膜形成方法およびイオン注入方法 Pending JPH0765761A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5213789A JPH0765761A (ja) 1993-08-30 1993-08-30 薄膜形成方法およびイオン注入方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5213789A JPH0765761A (ja) 1993-08-30 1993-08-30 薄膜形成方法およびイオン注入方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0765761A true JPH0765761A (ja) 1995-03-10

Family

ID=16645085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5213789A Pending JPH0765761A (ja) 1993-08-30 1993-08-30 薄膜形成方法およびイオン注入方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0765761A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002255518A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Japan Atom Energy Res Inst イオン注入法による同位元素選択的原子内包フラーレンの製造方法
WO2005024848A3 (en) * 2003-09-08 2005-06-23 Canon Kk Optical thin film and mirror using the same
JP2013521596A (ja) * 2010-02-26 2013-06-10 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド イオン注入システム中のイオン源の寿命および性能を向上させる方法および装置
US9111860B2 (en) 2009-10-27 2015-08-18 Entegris, Inc. Ion implantation system and method
US9685304B2 (en) 2009-10-27 2017-06-20 Entegris, Inc. Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
US11062906B2 (en) 2013-08-16 2021-07-13 Entegris, Inc. Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002255518A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Japan Atom Energy Res Inst イオン注入法による同位元素選択的原子内包フラーレンの製造方法
WO2005024848A3 (en) * 2003-09-08 2005-06-23 Canon Kk Optical thin film and mirror using the same
US7286637B2 (en) 2003-09-08 2007-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Optical thin film and mirror using the same
US9111860B2 (en) 2009-10-27 2015-08-18 Entegris, Inc. Ion implantation system and method
US9685304B2 (en) 2009-10-27 2017-06-20 Entegris, Inc. Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
JP2013521596A (ja) * 2010-02-26 2013-06-10 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド イオン注入システム中のイオン源の寿命および性能を向上させる方法および装置
US9754786B2 (en) 2010-02-26 2017-09-05 Entegris, Inc. Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system
KR20180039189A (ko) * 2010-02-26 2018-04-17 엔테그리스, 아이엔씨. 이온 주입에 사용하기 위한 패키지된 가스 혼합물
KR20190000376A (ko) * 2010-02-26 2019-01-02 엔테그리스, 아이엔씨. 이온 주입 시스템용 가스 공급 장치
US11062906B2 (en) 2013-08-16 2021-07-13 Entegris, Inc. Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0326824B1 (de) Teilchenquelle für eine reaktive Ionenstrahlätz- oder Plasmadepositionsanlage
US3790787A (en) Method and device for producing by charge-transfer a beam of neutral particles or of ions having multiple charges
KR20040068198A (ko) 방사성 이온
Sera et al. The Takizawa PIXE facility combined with a baby cyclotron for positron nuclear medicine
Gillen et al. Negative cesium sputter ion source for generating cluster primary ion beams for secondary ion mass spectrometry analysis
Panov et al. Interaction of fully stripped, hydrogenlike and heliumlike C, N, O, Ne and Ar Ions with H and He atoms and H2 molecules
JPH0765761A (ja) 薄膜形成方法およびイオン注入方法
US7501640B2 (en) Low energy electron cooling system and method for increasing the phase space intensity and overall intensity of low energy ion beams
US20150380119A1 (en) Method and apparatus for synthesizing radioactive technetium-99m-containing substance
US20110079108A1 (en) Method and apparatus for isolating the radioisotope molybdenum-99
Dubois Virtual levels in the vanadium isotopes from proton bombardment of the titanium isotopes
WO2011040898A1 (en) Method and apparatus for isolating the radioisotope molybdenum-99
Petrovskaya et al. Surface deactivation of the nuclear power plants constructions by a new plasma method
WO2021021344A1 (en) Low emission implantation mask and substrate assembly
Zyabkin et al. eMIL: Advanced emission Mössbauer spectrometer for measurements in versatile conditions
Ott et al. Reduction of the impurity concentration of an intense hydrogen ion beam
Poncet et al. Study of the X-ray emission induced by 4 to 30 MeV protons or alpha particles, with a view to analytical application
Voronin et al. Development of the Intense Neutron Generator SNEG-13
Dembinski et al. High‐current ion beam from a moving plasma
Cole A high-current Hall accelerator
Petrovskaya et al. Beta-active Microlayer Selective Deposition on the Tantalum Plate by Ion-Plasma Technology
Homeyer Production and use of heavy ion beams of HMI accelerators for solid state application
Petrovskaya et al. Estimation of the Irradiated Graphite Surface Nanolayer Thickness Enriched by 14 С Isotope
SU1721486A1 (ru) Способ приготовлени массбауэровских источников гамма-квантов
Komar et al. Photodisintegration of Be9