JPH0759673B2 - M-phenylenediamine compound and electrophotographic photoreceptor using the same - Google Patents

M-phenylenediamine compound and electrophotographic photoreceptor using the same

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JPH0759673B2
JPH0759673B2 JP2116135A JP11613590A JPH0759673B2 JP H0759673 B2 JPH0759673 B2 JP H0759673B2 JP 2116135 A JP2116135 A JP 2116135A JP 11613590 A JP11613590 A JP 11613590A JP H0759673 B2 JPH0759673 B2 JP H0759673B2
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phenylenediamine
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tolyl
charge transport
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栄一 宮本
圭介 住田
忠雄 木村
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三田工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、電子写真感光体における電荷輸送材料とし
て好適なm−フェニレンジアミン系化合物及びそれを用
いた電子写真感光体に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an m-phenylenediamine compound suitable as a charge transport material in an electrophotographic photoreceptor and an electrophotographic photoreceptor using the same.

[従来の技術] 近年、複写機などの画像形成装置における電子写真感光
体として、加工性に優れ、製造コストの面で有利である
とともに、機能設計の自由度が大きい有機感光体が使用
されている。
[Prior Art] In recent years, as an electrophotographic photoreceptor in an image forming apparatus such as a copying machine, an organic photoreceptor having excellent processability and advantageous in terms of manufacturing cost and having a large degree of freedom in functional design has been used. There is.

また、電子写真感光体を用いて複写画像と形成する場合
には、カールソンプロセスが広く利用されている。カー
ルソンプロセスは、コロナ放電により感光体を均一に帯
電させる帯電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光
し、原稿像に対応した静電潜像を形成する露光工程と、
静電潜像をトナーを含有する現像剤で現像し、トナー像
を形成する現像工程と、トナー像を紙などの基材に転写
する転写工程と、基材に転写されたトナー像を定着させ
る定着工程と、転写工程の後、感光体上に残留するトナ
ーを除去するクリーニング工程とを含んでいる。このカ
ールソンプロセスにおいて高品質の画像を形成するに
は、電子写真感光体が帯電特性及び感光特性に優れてい
ること及び、露光後の残留電位が低いことが要求され
る。
The Carlson process is widely used to form a copied image using an electrophotographic photoreceptor. The Carlson process includes a charging step of uniformly charging a photoconductor by corona discharge, an exposure step of exposing a document image on the charged photoconductor to form an electrostatic latent image corresponding to the document image,
Developing the electrostatic latent image with a developer containing toner to form a toner image, transferring the toner image to a substrate such as paper, and fixing the toner image transferred to the substrate It includes a fixing step and a cleaning step of removing the toner remaining on the photoconductor after the transfer step. In order to form a high-quality image in the Carlson process, the electrophotographic photosensitive member is required to have excellent charging characteristics and photosensitive characteristics and to have a low residual potential after exposure.

これらの特性を達成するための手段の一つとして適正な
電荷輸送材料の選択がある。そして上記電荷輸送材料と
してポリビニルカルゾール、オキサジアゾール系化合
物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物など多く
の化合物が提案されている。
One of the means for achieving these properties is the selection of an appropriate charge transport material. Many compounds such as polyvinyl carzol, oxadiazole compounds, pyrazoline compounds, and hydrazone compounds have been proposed as the charge transport material.

[発明が解決しようとする課題] しかし、上記電荷輸送材料は、電荷輸送能を示すドリフ
ト移動度が比較的小さい。また、ドリフト移動度の電界
強度依存性が大きいために、低電界の電荷の移動が少な
く、残留電位がぬけにくくいという問題点がある。さら
に紫外光線の照射により劣化しやすいなどの問題点があ
る。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the charge transport material described above has a relatively low drift mobility indicating a charge transport capability. Further, since the drift mobility has a large dependency on the electric field strength, there is a problem that the movement of charges in a low electric field is small and the residual potential is hard to pass through. Further, there is a problem that it is easily deteriorated by irradiation with ultraviolet rays.

このような問題点に対して、ドリフト移動度の電界依存
性が小さく、樹脂との相溶性のよいm−フェニレンジア
ミン系化合物としてN,N,N′,N′−テトラフェニル−1,3
−フェニレンジアミンが提案されている(特願昭62−30
1703号)。このm−フェニレンジアミン系化合物は紫外
光などに対する耐光性も良好で、実際の複写機で使用し
た場合にも安定な特性を示す。しかし、複写機が故障し
た場合などにおいて、長時間の光暴露や高温下での光暴
露が発生した場合、回復が不可能なダメージを被るとい
う問題点がある。
In view of these problems, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-1,3 as an m-phenylenediamine compound having a small electric field dependence of drift mobility and good compatibility with a resin.
-Phenylenediamine has been proposed (Japanese Patent Application No. 62-30).
No. 1703). This m-phenylenediamine compound has good light resistance to ultraviolet light and the like, and exhibits stable characteristics even when used in an actual copying machine. However, there is a problem in that when the copying machine is broken down or the light is exposed to light for a long time or at a high temperature, it is irreparably damaged.

この発明は上記の問題点を解決するものであり、より耐
光性を有し光安定性に優れたm−フェニレンジアミン系
化合物とそれを用いた電子写真感光体を提供することを
目的とする。
The present invention solves the above problems, and an object of the present invention is to provide an m-phenylenediamine compound having more light resistance and excellent photostability, and an electrophotographic photoreceptor using the same.

[課題を解決するための手段及び作用] 一般に光劣化による感光体特性の低下の原因は、電荷輸
送材料に対してトラップとなる不純物が感光体中に生成
することにある。m−フェニレンジアミン系化合物の場
合、このような光劣化反応として中心ベンゼン環と他の
フェニル基との間で起こる閉環反応が考えられる。この
反応はフェニレンジアミン系化合物の分子の電子密度が
中心ベンゼン環に偏っているために起こりやすいと考え
られる。特に中心ベンゼン環の5の位置は立体的配置か
らも光励起時に酸素などの酸化物質からの攻撃を受けや
すい分子構造となっており、この部分から電子が引き抜
かれるため閉環反応が起こると考えられる。そこで、こ
の部分を置換基で置換して保護することにより反応性を
抑制し、安定性を向上することが可能であると考え、種
々の実験の結果、この位置を電子吸引性の置換基で置換
した場合、他の置換基で置換した場合よりも光安定性を
より効果的に改善できることを見出した。
[Means and Actions for Solving the Problems] Generally, the cause of deterioration of the characteristics of the photoconductor due to photodegradation is that impurities serving as traps for the charge transport material are generated in the photoconductor. In the case of an m-phenylenediamine compound, such a photodegradation reaction is considered to be a ring-closing reaction that occurs between the central benzene ring and another phenyl group. It is considered that this reaction is likely to occur because the electron density of the molecule of the phenylenediamine compound is biased to the central benzene ring. In particular, the 5th position of the central benzene ring has a molecular structure that is easily attacked by an oxidizing substance such as oxygen during photoexcitation due to its steric configuration, and it is considered that a ring-closing reaction occurs because an electron is withdrawn from this part. Therefore, it is thought that it is possible to suppress the reactivity and improve the stability by substituting and protecting this part with a substituent.As a result of various experiments, this position was replaced with an electron-withdrawing substituent. It was found that when substituted, photostability can be improved more effectively than when substituted with other substituents.

しかして、この発明のm−フェニレンジアミン系化合物
は、 下記の一般式[I]: (式中、R1、R2,R3,R4は同一または異なって、アルキル
基、アルコキシル基、ハロゲン原子、アミノ基またはN
−置換アミノ基を示し、l,m,o,pは同一または異なっ
て、0〜5の整数を示し、R5は電子吸引性基を示す)で
表されるm−フェニレンジアミン系化合物である。
The m-phenylenediamine compound of the present invention has the following general formula [I]: (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different and are an alkyl group, an alkoxyl group, a halogen atom, an amino group or N
A substituted amino group, l, m, o and p are the same or different and each represents an integer of 0 to 5 and R 5 represents an electron-withdrawing group). .

前記m−フェニレンジアミン系化合物は中心ベンゼン環
の5の位置が置換基で保護されたことにより、酸化物質
などからの攻撃を受けにくくなり、光劣化反応が抑制さ
れて光に対する安定性が向上する。しかも、この中心ベ
ンゼン環の5の位置が電子吸引性基で置換されることに
より中心ベンゼン環に偏っていた電子分布が均一化され
るため、他の置換基で置換したとき以上に光に対する安
定性が向上する。このことは、分子軌道法計算により求
めた基底状態における電子密度分布の変化からも推測さ
れることである。
Since the m-phenylenediamine compound is protected by the substituent at the 5-position of the central benzene ring, it is less likely to be attacked by an oxidizing substance and the like, and the photodegradation reaction is suppressed, and the stability to light is improved. . Moreover, since the position 5 of the central benzene ring is substituted with an electron-withdrawing group, the electron distribution biased to the central benzene ring is made uniform, so that it is more stable to light than when substituted with other substituents. The property is improved. This can be inferred from the change in the electron density distribution in the ground state obtained by the molecular orbital method calculation.

また、上記m−フェニレンジアミン系化合物を含有する
感光体は、長時間の光暴露や高温下での光暴露に対し
て、従来の感光体よりザメージを被ることが少なく、光
安定性に優れている。
Further, the photoconductor containing the m-phenylenediamine-based compound is less likely to suffer zammage than the conventional photoconductor when exposed to light for a long time or under high temperature, and is excellent in light stability. There is.

[発明の好適態様] 前記一般式[I]で表されるこの発明のm−フェニレン
ジアミン系化合物において、R1,R2,R3,R4のうちアルキ
ル基としては、メチル基,エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル等の炭素数1〜6の低級アル
キル基が例示される。
[Preferred Embodiment of the Invention] In the m-phenylenediamine compound of the present invention represented by the general formula [I], the alkyl group of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is a methyl group or an ethyl group. And lower alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group and hexyl.

アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、ペンチルオキシ基、ヘ
キシルオキシ基などのアルキル部分の炭素数が1〜6の
低級アルコキシ基が例示される。
Examples of the alkoxyl group include lower alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms in the alkyl moiety such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a pentyloxy group and a hexyloxy group.

なお、上記R1,R2,R3,R4は同一であってもよく、互いに
異なっていてもよい。
The R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different from each other.

また、R5で示される電子吸引性基としては、ハロゲン原
子、ニトロ基、スルホ基、シアノ基、アルデヒド基、
基:−COR6(式中、R6は水素原子、アルキル基またはア
ミノ基である)、カルボキシル基、エステル化されたカ
ルボキシル基があげられる。
The electron withdrawing group represented by R 5 includes a halogen atom, a nitro group, a sulfo group, a cyano group, an aldehyde group,
Group: —COR 6 (in the formula, R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group or an amino group), a carboxyl group, and an esterified carboxyl group.

一般式[I]で表されるm−フェニレンジアミン系化合
物としては、具体的には次のような化合物が例示され
る。
Specific examples of the m-phenylenediamine compound represented by the general formula [I] include the following compounds.

本発明の上記一般式[I]で表される化合物は、種々の
方法で合成することが可能であり、例えば、以下に示す
一連の反応式[A]あるいは反応式[B]により合成す
ることができる。
The compound represented by the above general formula [I] of the present invention can be synthesized by various methods. For example, the compound can be synthesized by a series of reaction formula [A] or reaction formula [B] shown below. You can

[式中、RnおよびRsは、同一または異なって、アルキル
基、アルコキシル基、ハロゲン原子、アミノ基またはN
−置換アミノ基を示す。] すなわち、上記反応式[A]においては、上記式(1)
で表されるレソルシノール誘導体と上記式(2)で表さ
れるアニリン誘導体をヨウ素とともに窒素気流下で還流
して反応させて、上記式(3)で表されるフェニレンジ
アミン系化合物を得る。次いで、上記式(3)の化合物
と上記式(4)で表わされるヨードベンゼン誘導体とを
炭酸カリウム、銅粉とともに溶剤に加え還流反応させる
ことにより上記一般式[I]において、R1とR3、R2とR4
がそれぞれ同じである本発明の化合物が得られる。な
お、上述のように、一般式[I]で表される化合物にお
ける置換基(電子吸引性基)R5は、例えば、レソルシノ
ールに予め導入しておくことが可能であり、R2,R4はア
ニリンに予め導入し、さらに、置換基R1,R3はヨードベ
ンゼンに予め導入しておくことができる。
[Wherein R n and R s are the same or different and are an alkyl group, an alkoxyl group, a halogen atom, an amino group or N
-Indicates a substituted amino group. That is, in the above reaction formula [A], the above formula (1)
The resorcinol derivative represented by and the aniline derivative represented by the above formula (2) are reacted with iodine under reflux in a nitrogen stream to obtain a phenylenediamine compound represented by the above formula (3). Then, the compound of the above formula (3) and the iodobenzene derivative represented by the above formula (4) are added to a solvent together with potassium carbonate and copper powder, and the mixture is refluxed to give R 1 and R 3 in the above formula [I]. , R 2 and R 4
To obtain the compounds of the present invention. In addition, as described above, the substituent (electron-withdrawing group) R 5 in the compound represented by the general formula [I] can be introduced into resorcinol in advance, and R 2 and R 4 can be introduced. Can be previously introduced into aniline, and the substituents R 1 and R 3 can be previously introduced into iodobenzene.

また、上記反応式[B]に示すように、式(5)のフェ
ニレンジアミン誘導体と式(6)のヨードベンゼン誘導
体を炭酸カリウム、銅粉とともに溶剤中で還流して反応
させることによって一般式[I]においてR1〜R4がすべ
て同一置換基である本発明の化合物を合成することがで
きる。
Further, as shown in the above reaction formula [B], the phenylenediamine derivative of the formula (5) and the iodobenzene derivative of the formula (6) are reacted with potassium carbonate and copper powder by refluxing in a solvent to react with the general formula [ In I], compounds of the present invention in which R 1 to R 4 are all the same substituent can be synthesized.

また、上記反応式[A]または[B]で得られる化合物
以外の本発明化合物、例えばR1〜R4が全て異なる置換基
である化合物等を合成するには、上記反応式[A]また
は[B]における出発原料のモル比を適宜調製して、段
階的に置換基R1〜R4を有する各フェニル基を導入する方
法があげられる。また、置換基を有しないフェニル基を
導入した後、置換基R1〜R4さらにR5を順次導入するよう
にしてもよい。
Further, in order to synthesize the compound of the present invention other than the compound obtained by the above reaction formula [A] or [B], for example, a compound in which R 1 to R 4 are all different substituents, the above reaction formula [A] or There is a method in which the molar ratio of the starting materials in [B] is appropriately adjusted and each phenyl group having the substituents R 1 to R 4 is introduced stepwise. Further, after introducing a phenyl group having no substituent, the substituents R 1 to R 4 and R 5 may be introduced successively.

前記一般式[I]で表される本発明の化合物は、公知の
他の電荷輸送材料と組み合わせて使用することができ
る。この場合の電荷輸送材料としては、公知の種々の電
子吸引性化合物、電子供与性化合物を用いることができ
る。
The compound of the present invention represented by the general formula [I] can be used in combination with other known charge transport materials. As the charge transport material in this case, various known electron-withdrawing compounds and electron-donating compounds can be used.

上記電子吸引性化合物としては、例えば、2,6−ジメチ
ル−2′,6′−ジtert−ジブチルジフェノキノン等のジ
フェノキノン誘導体、マロノニトリル、チオピラン系化
合物、テトラシアノエチレン、2,4,8−トリニトロチオ
キサントン、3,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノ
ン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニト
ロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアント
ラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無
水マレイン酸等が例示される。
Examples of the electron-withdrawing compound include diphenoquinone derivatives such as 2,6-dimethyl-2 ′, 6′-ditert-dibutyldiphenoquinone, malononitrile, thiopyran-based compounds, tetracyanoethylene, 2,4,8- Examples include trinitrothioxanthone, 3,4,5,7-tetranitro-9-fluorenone, dinitrobenzene, dinitroanthracene, dinitroacridine, nitroanthraquinone, dinitroanthraquinone, succinic anhydride, maleic anhydride and dibromomaleic anhydride. .

また、電子供与性化合物としては、2,5−ジ(4−メチ
ルアミノフェニル)、1,3,4−オキサジアゾール、等の
オキサジアゾール化合物、9−(4−ジエチルアミノス
チリル)アントラセン等のスチリル化合物、ポリビニル
カルバゾール等のカルバゾール化合物、1−フェニル−
3−(p−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリン等のピ
ラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルアミ
ン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合
物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、
チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラ
ゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式
化合物、縮合多環式化合物が例示される。
Examples of the electron-donating compound include oxadiazole compounds such as 2,5-di (4-methylaminophenyl) and 1,3,4-oxadiazole, and 9- (4-diethylaminostyryl) anthracene. Styryl compounds, carbazole compounds such as polyvinylcarbazole, 1-phenyl-
Pyrazoline compounds such as 3- (p-dimethylaminophenyl) pyrazoline, hydrazone compounds, triphenylamine compounds, indole compounds, oxazole compounds, isoxazole compounds, thiazole compounds,
Examples thereof include nitrogen-containing cyclic compounds such as thiadiazole compounds, imidazole compounds, pyrazole compounds, and triazole compounds, and condensed polycyclic compounds.

これらの電荷輸送材料は、1種または2種以上混合して
用いられる。なお、ポリビニルカルバゾール等成膜性を
有する電荷輸送材料を用いる場合には、結合剤樹脂は必
ずしも必要ではない。
These charge transport materials are used alone or in combination of two or more. Note that the binder resin is not always necessary when using a charge transporting material having film-forming properties such as polyvinylcarbazole.

上記一般式[I]で表される化合物は、いわゆる単層型
及び積層型の電子写真感光体のいずれにも適用すること
ができる。
The compound represented by the general formula [I] can be applied to both so-called single-layer type and multi-layer type electrophotographic photoreceptors.

単層型電子写真感光体とするには、電荷輸送材料である
前記一般式[I]で表される化合物と電荷発生材料と結
合剤樹脂等とを含有する感光層を導電性基材上に形成す
ればよい。
In order to obtain a single-layer type electrophotographic photoreceptor, a photosensitive layer containing a compound represented by the above general formula [I] which is a charge transport material, a charge generating material, a binder resin and the like is provided on a conductive substrate. It may be formed.

また、積層型の電子写真感光体とするには、導電性基材
上に、蒸着または、塗布等の手段により電荷発生材料を
含有する電荷発生層を形成し、この電荷発生層上に、前
記一般式[I]で表される化合物と結合材樹脂とを含有
する電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆
に、導電性基材上に上記と同様の電荷輸送層を形成し、
次いで蒸着または塗布などの手段により電荷発生材料を
含有する電荷発生層を形成してもよい。さらに、電荷発
生層を電荷発生材料と電荷輸送材料とを結合剤樹脂中に
分散して塗布することにより形成してもよい。
Further, in order to obtain a laminated type electrophotographic photoreceptor, a charge generation layer containing a charge generation material is formed on a conductive substrate by means such as vapor deposition or coating, and the above-mentioned charge generation layer is formed on the charge generation layer. The charge transport layer containing the compound represented by the general formula [I] and the binder resin may be formed. On the contrary to the above, a charge transport layer similar to the above is formed on the conductive substrate,
Then, a charge generating layer containing a charge generating material may be formed by means such as vapor deposition or coating. Further, the charge generation layer may be formed by dispersing a charge generation material and a charge transport material in a binder resin and coating the resin.

上記電荷発生材料としては、例えば、セレン、セレン−
テルル、アモルファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系
顔料、ジスアゾ系顔料、アンサンスロン系顔料、フタロ
シアニン系顔料、インジゴ系顔料、トリフェニルメタン
系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン
系顔料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔料、ピロー
ル系顔料等が例示され、所望の領域に吸収波長域を有す
るように、一種または2種以上を混合して用いられる。
Examples of the charge generation material include selenium and selenium-
Tellurium, amorphous silicon, pyrylium salts, azo pigments, disazo pigments, ansanthuron pigments, phthalocyanine pigments, indigo pigments, triphenylmethane pigments, slene pigments, toluidine pigments, pyrazoline pigments, perylene pigments. Examples thereof include quinacridone pigments and pyrrole pigments, and one kind or a mixture of two or more kinds is used so as to have an absorption wavelength range in a desired range.

また、上記感光層、電荷発生層及び電荷輸送層における
結合剤樹脂としては、種々の寿を使用することができ
る。例えば、スチレン系重合体、スチレン−ブタジエン
共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−マレイン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレ
ン−アクリル系共重合体、ポリエチレン、エチレン酢酸
ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリエステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリ
ウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリス
ルホン、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビ
ニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂等の熱可塑性樹
脂や、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性
樹脂、及びエポキシアクリレート、ウレタン−アクリレ
ート等の光硬化性樹脂等種々の重合体が例示される。こ
れらの結合剤樹脂は1種でまたは2種以上混合して用い
られる。
Further, various binder resins may be used as the binder resin in the photosensitive layer, the charge generation layer and the charge transport layer. For example, styrene-based polymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-maleic acid copolymer, acrylic polymer, styrene-acrylic copolymer, polyethylene, ethylene vinyl acetate copolymer , Chlorinated polyethylene, polyvinyl chloride, polypropylene, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyester, alkyd resin, polyamide, polyurethane, polycarbonate, polyarylate, polysulfone, diallyl phthalate resin, ketone resin, polyvinyl butyral resin, polyether resin And other thermoplastic resins, silicone resins, epoxy resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, other crosslinkable thermosetting resins, and photocurable resins such as epoxy acrylate and urethane-acrylate. Polymers are exemplified. These binder resins may be used alone or in combination of two or more.

また、塗布手法により電荷発生層及び電荷輸送層を形成
する場合には溶剤が使用される。この溶剤としては、種
々の有機溶剤を使用することが可能であり、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のア
ルコール類、n−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン
等の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタ
ン、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水
素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメ
チルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の種々の溶剤が例示され、これらを1
種または2種以上混合して用いることができる。
A solvent is used when the charge generation layer and the charge transport layer are formed by a coating method. As this solvent, various organic solvents can be used, and alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol and butanol, aliphatic hydrocarbons such as n-hexane, octane and cyclohexane, benzene, toluene and xylene. Etc.Aromatic hydrocarbons such as, dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene, ethers such as dimethyl ether, diethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. , Various solvents such as ethyl acetate, esters such as methyl acetate, dimethylformaldehyde, dimethylformamide, dimethylsulfoxide, etc. are exemplified.
One kind or a mixture of two or more kinds can be used.

また、上記電荷発生層を感度をよくするために、例え
ば、ターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレ
ン等の公知の増感剤を上記電荷発生材料と共に用いても
よい。さらには、電荷輸送材料や電荷発生材料の分散
性、染工性等をよくするために界面活性剤、レベリング
剤等を使用してもよい。
Further, in order to improve the sensitivity of the charge generation layer, known sensitizers such as terphenyl, halonaphthoquinones and acenaphthylene may be used together with the charge generation material. Further, a surfactant, a leveling agent, etc. may be used to improve the dispersibility of the charge transport material or the charge generating material, the dyeing property and the like.

上記導電性基材としては、導電性を有する種々の材料を
使用することができ、例えば、アルミニウム、銅、ス
ズ、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、
カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウ
ム、ステンレス銅、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸
着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化ア
ルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆された
ガラス等が例示される。上記導電性基材はシート状、ド
ラム状のいずれでもよく、基材自体が導電性を有するか
あるいは基材の表面が導電性を有していればよい。この
基材としては、使用に際し、十分な機械的強度を有する
ものが好ましい。
As the conductive substrate, various materials having conductivity can be used, for example, aluminum, copper, tin, platinum, gold, silver, vanadium, molybdenum, chromium,
Examples include cadmium, titanium, nickel, palladium, indium, stainless copper, brass, and other simple metals, plastic materials in which the above metals are vapor-deposited or laminated, aluminum iodide, tin oxide, glass coated with indium oxide, or the like. It The conductive base material may be in the form of a sheet or a drum, and the base material itself may be conductive, or the surface of the base material may be conductive. As the base material, a base material having sufficient mechanical strength when used is preferable.

上記電荷輸送材料としてのこの発明の化合物と結合樹脂
は、電荷の輸送を阻害しない範囲及び結晶化しない範囲
で種々の割合で使用することが可能であるが、結合剤樹
脂100重量部に対して、前記一般式[I]で表される化
合物125重量部ないし200重量部を使用することが好まし
い。
The compound and the binder resin of the present invention as the charge transport material can be used in various ratios within the range that does not inhibit the charge transport and the range that does not crystallize, but with respect to 100 parts by weight of the binder resin. It is preferable to use 125 parts by weight to 200 parts by weight of the compound represented by the general formula [I].

また、一般式[I]で表される化合物を含有する電荷輸
送層は、2〜100μm、特に5〜30μm程度の層厚に形
成することが好ましい。
The charge transport layer containing the compound represented by the general formula [I] is preferably formed to have a layer thickness of 2 to 100 μm, particularly 5 to 30 μm.

上記電荷発生材料を結合剤樹脂と共に用いる場合、電荷
発生材料と結合剤樹脂とは種々の割合で使用することが
できるが、電荷発生材料10重量部に対して、結合剤樹脂
1〜150重量部の割合で用いることが望ましい。
When the charge generating material is used together with a binder resin, the charge generating material and the binder resin can be used in various ratios, but the binder resin is 1 to 150 parts by weight with respect to 10 parts by weight of the charge generating material. It is desirable to use it in the ratio of.

また、上記電荷発生材料を含有する電荷発生層は、その
膜厚を任意に選択することができるが、0.01〜20μm、
特に0.1〜10μm程度に形成することが望ましい。
The thickness of the charge generation layer containing the above charge generation material can be arbitrarily selected, but 0.01 to 20 μm,
In particular, it is desirable to form it to a thickness of about 0.1 to 10 μm.

また、一般式[I]で表される化合物及び電荷発生材料
を単一層中に存在させた単層型感光層は、その膜厚を任
意に選択することができるが、2〜100μm、特に5〜3
0μm程度の層厚にすることが好ましい。
In addition, the film thickness of the single-layer type photosensitive layer in which the compound represented by the general formula [I] and the charge generation material are present in a single layer can be arbitrarily selected, but is 2 to 100 μm, and particularly 5 ~ 3
The layer thickness is preferably about 0 μm.

また、単層型電子写真用感光体にあっては、上記基材と
感光層との間に、また、積層型電子写真用感光体にあっ
ては、上記基材と電荷発生層との間や基材と電荷輸送層
との間及び電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の
特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよ
く、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよ
い。
Further, in the case of a single-layer type electrophotographic photoreceptor, between the base material and the photosensitive layer, and in the case of a laminated type electrophotographic photoreceptor, between the base material and the charge generation layer. A barrier layer may be formed between the base material and the charge transport layer and between the charge generation layer and the charge transport layer to the extent that the characteristics of the photoreceptor are not impaired. A layer may be formed.

上記電荷発生層及び電荷輸送層を、塗布の方法により形
成する場合には、電荷発生材料等と結合剤樹脂などを公
知の方法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライ
タ、ペイントシェーカーあるいは超音波分散器等を用い
て分散混合して調製し、これを公知の手段により塗布、
乾燥すればよい。なお、上述のように、電荷発生層は上
記電荷発生材料を蒸着することにより形成してもい。
When the charge generation layer and the charge transport layer are formed by a coating method, the charge generation material and the binder resin are known methods, for example, roll mill, ball mill, attritor, paint shaker or ultrasonic disperser. Prepared by dispersing and mixing using a known means.
Just dry. Note that, as described above, the charge generation layer may be formed by depositing the above charge generation material.

以下、実施例により本厚名を詳細に説明する。Hereinafter, the thickness will be described in detail with reference to examples.

[実施例] (1) 電荷輸送材料の合成例 第1の合成例 (N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−クロ
ロ−1,3−フェニレンジアミンの合成) 5−クロロ−1,3−フェニレンジアミン3.6g、ヨードト
ルエン21.8g、炭酸カリウム6.9gおよび銅粉末2gをニト
ロベンゼン100mlに加え24時間還流反応させた。
Examples (1) Synthesis Example of Charge Transport Material First Synthesis Example (Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-chloro-1,3-phenylenediamine) 5 3.6 g of -chloro-1,3-phenylenediamine, 21.8 g of iodotoluene, 6.9 g of potassium carbonate and 2 g of copper powder were added to 100 ml of nitrobenzene and the mixture was refluxed for 24 hours.

反応後、水蒸気蒸留によりニトロベンゼン、ヨードトル
エンを除去し、残渣を水洗し、メタノールで洗浄した。
次に、残渣をベンゼン900ml中に加え、水溶物を濾別
し、活性アルミナカラムクロマト展開液(ベンゼン−ヘ
キサン1:1)で1stフラクションをとった。さらにこのフ
ラクションを、ベンゼン−ヘキセン1:2を展開液として
活性アルミナカラムクロマトで分離し、1stフラクショ
ンをとった。溶媒を留去し、その一部をアセトニトリル
に常温で溶解させ、生じた結晶を種として、アセトニト
リルから結晶させることにより、標記の化合物N,N,N′,
N′−テトラキス(3−トリル)−5−クロロ−1,3−フ
ェニレンジアミン(本発明の化合物1)を得た。この化
合物の融点は112〜113℃であった。
After the reaction, nitrobenzene and iodotoluene were removed by steam distillation, and the residue was washed with water and methanol.
Next, the residue was added to 900 ml of benzene, the water-soluble matter was filtered off, and the 1st fraction was taken with an activated alumina column chromatography developing solution (benzene-hexane 1: 1). Further, this fraction was separated by activated alumina column chromatography using benzene-hexene 1: 2 as a developing solution to obtain a 1st fraction. The solvent was distilled off, a part of it was dissolved in acetonitrile at room temperature, and the resulting crystal was used as a seed to crystallize from acetonitrile to give the title compound N, N, N ′,
N'-Tetrakis (3-tolyl) -5-chloro-1,3-phenylenediamine (Compound 1 of the invention) was obtained. The melting point of this compound was 112 to 113 ° C.

第2の合成例 (N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−ニト
ロ−1,3−フェニレンジアミンの合成) 5−ニトロレソルシノール(5−ニトロ−1,3−ベンゼ
ンジオール)13.6g、m−トルイジン22.6gとヨウ素0.5g
の存在下、窒素気流中で3日間還流して反応させた。反
応後、室温まで冷却し、生じた固体をメタノール500ml
で洗浄し、N,N′−ビス(3−トリル)−5−ニトロ−
1,3−フェニレンジアミンを得た。次いで、このN,N′−
ビス(3−トリル)−5−ニトロ−1,3−フェニレンジ
アミン16.7g、ヨードトルエン21.8g、炭酸カリウム9.7g
および銅粉末2gをニトロベンゼン100mlに加え24時間還
流させ反応させた。反応後、水蒸気蒸留によりニトロベ
ンゼン、ヨードトルエンを除去し、残渣を水洗し、メタ
ノールで洗浄した。次いで、残渣をベンゼン900ml中に
加え、水溶物を濾別し、活性アルミナカラムクロマト展
開液(ベンゼン−ヘキサン1:1)で1stフラクションをと
った。さらにこのフラクションを、ベンゼン−ヘキサン
1:2を展開液として活性アルミナカラムクロマトで分離
し、1stフラクションをとった。溶媒を留去し、その一
部をアセトニトリルに常温で溶解させ、生じた結晶を種
として、アセトニトリルから結晶させることにより、標
記の化合物N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−
5−ニトロ−1,3−フェニレンジアミン(本発明化合物
2)を得た。この化合物の融点は119〜120℃であった。
Second Synthesis Example (Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-nitro-1,3-phenylenediamine) 5-Nitroresorcinol (5-nitro-1,3- Benzenediol) 13.6g, m-toluidine 22.6g and iodine 0.5g
In the presence of, the reaction was carried out by refluxing in a nitrogen stream for 3 days. After the reaction, the mixture was cooled to room temperature and the resulting solid was added to 500 ml of methanol.
Washed with N, N'-bis (3-tolyl) -5-nitro-
1,3-Phenylenediamine was obtained. Then, this N, N'-
Bis (3-tolyl) -5-nitro-1,3-phenylenediamine 16.7 g, iodotoluene 21.8 g, potassium carbonate 9.7 g
Then, 2 g of copper powder was added to 100 ml of nitrobenzene, and the mixture was refluxed for 24 hours for reaction. After the reaction, nitrobenzene and iodotoluene were removed by steam distillation, and the residue was washed with water and methanol. Then, the residue was added to 900 ml of benzene, the water-soluble matter was filtered off, and the 1st fraction was taken with an activated alumina column chromatography developing solution (benzene-hexane 1: 1). Further, this fraction was added to benzene-hexane.
It was separated by activated alumina column chromatography using 1: 2 as a developing solution, and the 1st fraction was taken. The solvent was distilled off, a part of it was dissolved in acetonitrile at room temperature, and the resulting crystal was used as a seed to crystallize from acetonitrile to give the title compound N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl). −
5-Nitro-1,3-phenylenediamine (Compound 2 of the invention) was obtained. The melting point of this compound was 119 to 120 ° C.

第3の合成例 (N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−スル
ホ−1,3−フェニレンジアミンの合成) 上記第2の合成例の5−ニトロレソルシノールの代わり
に5−スルホレソルシノール(3,5−ジヒドロキシベン
ゼンスルホン酸)16.8gを用いて上記第2の合成例と同
様にして、N,N′−ビス(3−トリル)−5−スルホ−
1,3−フェニレンジアミンを得た。このN,N′−ビス(3
−トリル)−5−スルホ−1,3−フェニレンジアミン9.3
g、ヨードトルエン10.9g、炭酸カリウム5gおよび銅粉末
1.2gをニトロベンゼン50mlに加え24時間還流反応させ
た。以下、第2の合成例と同様にして標記の化合物N,N,
N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−スルホ−1,3
−フェニレンジアミン(本発明化合物3)を得た。この
化合物の融点は133〜134℃であった。
Third Synthesis Example (Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-sulfo-1,3-phenylenediamine) Instead of 5-nitroresorcinol of the second synthesis example 16.8 g of 5-sulforesorcinol (3,5-dihydroxybenzenesulfonic acid) was used in the same manner as in the above-mentioned second synthesis example to prepare N, N'-bis (3-tolyl) -5-sulfo-
1,3-Phenylenediamine was obtained. This N, N'-bis (3
-Tolyl) -5-sulfo-1,3-phenylenediamine 9.3
g, iodotoluene 10.9g, potassium carbonate 5g and copper powder
1.2 g was added to nitrobenzene 50 ml, and the mixture was refluxed for 24 hours. Hereinafter, in the same manner as in the second synthesis example, the title compound N, N,
N ', N'-tetrakis (3-tolyl) -5-sulfo-1,3
-Phenylenediamine (Compound 3 of the invention) was obtained. The melting point of this compound was 133-134 ° C.

第4の合成例 (N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−シア
ノ−1,3−フェニレンジアミンの合成) 上記第2の合成例の5−ニトロレソルシノールの代わり
に5−シアノレソルシノール(3,5−ジヒドロキシベゾ
ニトリル)11.9gを用いて上記第2の合成例と同様にし
て、N,N′−ビス(3−トリル)−5−シアノ−1,3−フ
ェニレンジアミンを得た。このN,N′−ビス(3−トリ
ル)−5−シアノ−1,3−フェニレンジアミン7.8g、ヨ
ードトルエン10.9g、炭酸カリウム5gおよび銅粉末1.2g
をニトロベンゼン50mlに加え、24時間還流して反応させ
た。以下、第2の合成例と同様にして標記の化合物N,N,
N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−シアノ−1,3
−フェニレンジアミン(本発明化合物4)を得た。この
化合物の融点は118〜119℃であった。
Fourth Synthesis Example (Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-cyano-1,3-phenylenediamine) Instead of 5-nitroresorcinol of the second synthesis example In the same manner as in the second synthesis example above, 11.9 g of 5-cyanoresorcinol (3,5-dihydroxybezonitrile) was used as N, N′-bis (3-tolyl) -5-cyano-1, 3-Phenylenediamine was obtained. This N, N'-bis (3-tolyl) -5-cyano-1,3-phenylenediamine 7.8 g, iodotoluene 10.9 g, potassium carbonate 5 g and copper powder 1.2 g
Was added to 50 ml of nitrobenzene and refluxed for 24 hours for reaction. Hereinafter, in the same manner as in the second synthesis example, the title compound N, N,
N ', N'-tetrakis (3-tolyl) -5-cyano-1,3
-Phenylenediamine (Compound 4 of the invention) was obtained. The melting point of this compound was 118 to 119 ° C.

第5の合成例 (N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−ホル
ミル−1,3−フェニレンジアミンの合成) 上記第2の合成例の5−ニトロレソルシノールの代わり
に5−ホルミルレソルシノール(3,5−ジヒドロキシベ
ンズアルデヒド)12.1gを用いて上記第2の合成例と同
様にして、N,N′−ビス(3−トリル)−5−ホルミル
−1,3−フェニレンジアミンを得た。
Fifth Synthesis Example (Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-formyl-1,3-phenylenediamine) Instead of 5-nitroresorcinol of the second synthesis example 5-formylresorcinol (3,5-dihydroxybenzaldehyde) 12.1 g was used in the same manner as in the above second synthesis example to prepare N, N'-bis (3-tolyl) -5-formyl-1,3- Obtained phenylenediamine.

このN,N′−ビス(4−トリル)−5−ホルミル−1,3−
フェニレンジアミン7.9g、ヨードトルエン10.9g、炭酸
カリウム5gおよび銅粉末1.2gをニトロベンゼン50mlに加
え24時間還流して反応させた。以下、第2の合成例と同
様にして標記の化合物N,N,N′,N′−テトラキス(3−
トリル)−5−ホルミル−1,3−フェニレンジアミン
(本発明化合物5)を得た。この化合物の融点は120〜1
21℃であった。
This N, N'-bis (4-tolyl) -5-formyl-1,3-
7.9 g of phenylenediamine, 10.9 g of iodotoluene, 5 g of potassium carbonate and 1.2 g of copper powder were added to 50 ml of nitrobenzene and refluxed for 24 hours for reaction. Thereafter, the title compound N, N, N ', N'-tetrakis (3-
Tolyl) -5-formyl-1,3-phenylenediamine (inventive compound 5) was obtained. The melting point of this compound is 120-1
It was 21 ° C.

第6の合成例 (N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−アセ
チル−1,3−フェニレンジアミンの合成) 上記第2の合成例の5−ニトロレソルシノールの代わり
に5−アセチルレソルシノール(3,5−ジヒドロキシア
セトフェノン)13.4gを用いて上記第2の合成例と同様
にして、N,N′−ビス(3−トリル)−5−アセチル−
1,3−フェニレンジアミンを得た。このN,N′−ビス(3
−トリル)−5−アセチル−1,3−フェニレンジアミン
8.3g、ヨードトルエン10.9g、炭酸カリウム5gおよび銅
粉末1.2gをニトロベンゼン50mlを加え、24時間還流して
反応させた。気合、第2の合成例と同様にして標記の化
合物N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−ア
セチル−1,3−フェニレンジアミン(本発明化合物6)
を得た。この化合物の融点は122〜123℃であった。
Sixth Synthesis Example (Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-acetyl-1,3-phenylenediamine) Instead of 5-nitroresorcinol of the second synthesis example 13.4 g of 5-acetylresorcinol (3,5-dihydroxyacetophenone) was used in the same manner as in the above-mentioned second synthesis example, and N, N'-bis (3-tolyl) -5-acetyl-
1,3-Phenylenediamine was obtained. This N, N'-bis (3
-Tolyl) -5-acetyl-1,3-phenylenediamine
8.3 g, iodotoluene 10.9 g, potassium carbonate 5 g and copper powder 1.2 g were added to nitrobenzene 50 ml, and the mixture was refluxed for 24 hours for reaction. In the same manner as in the second synthesis example, the title compound N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-acetyl-1,3-phenylenediamine (the present compound 6)
Got The melting point of this compound was 122 to 123 ° C.

第7の合成例 (N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−カル
ボキシ−1,3−フェニレンジアミンの合成) 上記第2,の合成例の5−ニトロレソルシノールの代わり
に5−カルボキシレソルシノール(3,5−ジヒドロキシ
ベンゼンカルボン酸)13.6gを用いて上記第2の合成例
と同様にして、N,N′−ビス(3−トリル)−5−カル
ボキシ−1,3−フェニレンジアミンを得た。このN,N′−
ビス(3−トリル)−5−カルボキシ−1,3−フェニレ
ンジアミン8.3g、ヨードトルエン10.9g、炭酸カリウム5
g及び銅粉末1.2gをニトロベンゼン50mlに加え、24時間
還流して反応させた。以下、第2の合成例と同様にして
標記の化合物N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)
−5−カルボキシ−1,3−フェニレンジアミン(本発明
化合物7)を得た。
Seventh Synthesis Example (Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-carboxy-1,3-phenylenediamine) Of the above-mentioned second synthesis example, 5-nitroresorcinol Instead of 13.6 g of 5-carboxyresorcinol (3,5-dihydroxybenzenecarboxylic acid), N, N'-bis (3-tolyl) -5-carboxy-1 was prepared in the same manner as in the second synthesis example above. , 3-Phenylenediamine was obtained. This N, N′−
Bis (3-tolyl) -5-carboxy-1,3-phenylenediamine 8.3 g, iodotoluene 10.9 g, potassium carbonate 5
g and 1.2 g of copper powder were added to 50 ml of nitrobenzene and reacted for 24 hours under reflux. Thereafter, the title compound N, N, N ', N'-tetrakis (3-tolyl) is obtained in the same manner as in the second synthesis example.
-5-carboxy-1,3-phenylenediamine (inventive compound 7) was obtained.

この化合物の融点は143〜144℃であった。The melting point of this compound was 143-144 ° C.

第8の合成 (N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−エト
キシカルボニル−1,3−フェニレンジアミの合成) 上記第2の合成例の5−ニトロレソルシノールの代わり
に3,5−ジヒドロキシ−安息香酸エチル16.0gを用いて上
記第2の合成例と同様にして、N,N′−ビス(3−トリ
ル)−5−エトキシカルボニル−1,3−フェニレンジア
ミンを得た。このN,N′−ビス(3−トリル)−5−エ
トキシカルボニル−1,3−フェニレンジアミン9.0g、ヨ
ードトルエン10.9g、炭酸カリウム5gおよび銅粉末1.2g
をニトロベンゼン50mlに加え、24時間還流して反応させ
た。以下、第2の合成例と同様にして標記の化合物N,N,
N′,N′−テトラキス(3−トリル)−5−エトキシカ
ルボニル−1,3−フェニレンジアミ(本発明化合物8)
を得た。
Eighth Synthesis (Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis (3-tolyl) -5-ethoxycarbonyl-1,3-phenylenediami) Of the 5-nitroresorcinol of the second synthesis example, N, N'-bis (3-tolyl) -5-ethoxycarbonyl-1,3-phenylenediamine was obtained in the same manner as in the above second synthetic example by using 16.0 g of ethyl 3,5-dihydroxy-benzoate instead. Got This N, N'-bis (3-tolyl) -5-ethoxycarbonyl-1,3-phenylenediamine 9.0 g, iodotoluene 10.9 g, potassium carbonate 5 g and copper powder 1.2 g
Was added to 50 ml of nitrobenzene and refluxed for 24 hours for reaction. Hereinafter, in the same manner as in the second synthesis example, the title compound N, N,
N ', N'-tetrakis (3-tolyl) -5-ethoxycarbonyl-1,3-phenylenediami (the present compound 8)
Got

この化合物の融点は136〜137℃であった。The melting point of this compound was 136-137 ° C.

(2) 電子写真感光体の調製 単層型電子写真感光体の調製 電荷発生材料としてN,N′−ジ(3,5−ジメチルフェニ
ル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド8
重量部、電荷輸送材料として上記合成例1〜8で合成し
た本発明化合物100重量部、結合剤樹脂としてポリ−
(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネー
ト(三菱瓦斯化学社製、ポリカーボネートZ200)100重
量部及び所定量のテトラヒドロフランを合わせて、超音
波分散器にて混合分散し、単層型感光層用塗布液を調製
した。この塗布液を外径78mm×長さ340mmのアルミニウ
ム素管上に塗布した後、暗所に100℃で30分間加熱乾燥
させて、厚み24μmの単層型感光層を有するドラム型の
電子写真感光体を作成した。
(2) Preparation of Electrophotographic Photoreceptor Preparation of Single-Layer Electrophotographic Photoreceptor N, N′-di (3,5-dimethylphenyl) perylene-3,4,9,10-tetracarboxydiimide 8 as charge generating material
Parts by weight, 100 parts by weight of the compound of the present invention synthesized in Synthesis Examples 1 to 8 as a charge transport material, and poly- as a binder resin.
100 parts by weight of (4,4'-cyclohexylidenediphenyl) carbonate (polycarbonate Z200, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) and a predetermined amount of tetrahydrofuran are mixed and dispersed in an ultrasonic disperser to prepare a single-layer type photosensitive layer. A coating liquid was prepared. This coating solution is applied on an aluminum tube with an outer diameter of 78 mm and a length of 340 mm, and then dried by heating at 100 ° C for 30 minutes in the dark, and a drum-type electrophotographic photoconductor having a single-layer type photosensitive layer with a thickness of 24 μm. Created the body.

積層型電子写真感光体の調製 結合剤樹脂としてポリビニルブチラール(積水化学社
製、商品名エスレックBL1)100重量部と、電荷発生材料
としてオクソチタニルフタロシアニン100重量部と、所
定量のテトラヒドロフランとをボールミルに仕込み、24
時間攪拌混合して電荷発生層用塗布液を調製し、この調
製液をアルミニウムドラムに浸漬法によって塗布し、11
0℃で30分間加熱乾燥して硬化させることにより膜厚0.5
μmの電荷発生層を形成した。
Preparation of Laminated Electrophotographic Photoreceptor 100 parts by weight of polyvinyl butyral (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., trade name Eslec BL1) as a binder resin, 100 parts by weight of oxotitanyl phthalocyanine as a charge generating material, and a predetermined amount of tetrahydrofuran in a ball mill. Preparation, 24
The mixture was stirred and mixed for a period of time to prepare a coating solution for the charge generation layer, which was coated on an aluminum drum by a dipping method.
A film thickness of 0.5 is obtained by heating and drying at 0 ° C for 30 minutes and curing.
A charge generation layer of μm was formed.

それから、結合剤樹脂としてポリカーボネート樹脂(三
菱瓦斯化学社製、商品名ユーピロン)100重量部と、電
荷輸送層として上記上記合成例1〜8で合成した各化合
物100重量部と、所定量のトルエンとをホモミキサで攪
拌混合して電荷輸送層用塗布液を調製した。この塗布液
を上記電荷発生層の表面に浸漬法により塗布し、120℃
で30分間熱風乾燥することにより膜厚約20μmの電荷輸
送層を形成して、積層型電子写真感光体を作成した。
Then, 100 parts by weight of a polycarbonate resin (trade name, Iupilon, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) as a binder resin, 100 parts by weight of each compound synthesized in the above Synthesis Examples 1 to 8 as a charge transport layer, and a predetermined amount of toluene. Was stirred and mixed with a homomixer to prepare a charge transport layer coating solution. This coating solution is applied to the surface of the charge generation layer by a dipping method, and the temperature is 120 °
The film was dried with hot air for 30 minutes to form a charge transport layer having a thickness of about 20 μm to prepare a laminated electrophotographic photoreceptor.

比較例 電荷輸送材料として(N,N,N′,N′−テトラキス(3−
トリル)−1,3−フェニレンジアミン100重量部を用いる
以外は上記調製例と同様にして単層型及び積層型の電子
写真感光体を作成した。
Comparative Example (N, N, N ', N'-tetrakis (3-
Single-layer type and multi-layer type electrophotographic photoconductors were prepared in the same manner as in the above Preparation Example except that 100 parts by weight of (tril) -1,3-phenylenediamine was used.

(3) 電子写真感光体の評価 単層型電子感光体 (初期表面電位VSPの測定) 上記各単層型電子写真感光体を、静電複写試験装置(ジ
ェンテック社製、ジェンテックシンシア30M)に装填
し、その表面を正に帯電させて各感光体の表面電位VSP
(V)を測定した。
(3) Evaluation of electrophotographic photoconductor Single layer type electrophotoconductor (measurement of initial surface potential V SP ) Each of the above single layer type electrophotographic photoconductors was subjected to an electrostatic copying tester (Gentec Cynthia 30M manufactured by Gentec). ), The surface is positively charged, and the surface potential V SP of each photoconductor is
(V) was measured.

(半減露光量、残留電位測定) 上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験
装置の露光光源であるハロゲンランプ(露光強度0.92mW
/cm2)を用いて露光させ、表面電位VSPが1/2となるまで
の時間を求めて、半減露光量E1/2(μJ/cm2)を算出し
た。
(Measurement of half-dose exposure amount and residual potential) Each of the electrophotographic photoconductors in the above charged state was measured by a halogen lamp (exposure intensity 0.92 mW
/ cm 2 ), the half-exposure amount E 1/2 (μJ / cm 2 ) was calculated by determining the time until the surface potential V SP became 1/2.

また、上記露光開始後0.15秒を経過した後の表面電位を
残留電位Vrp(V)とした。
Further, the surface potential after 0.15 seconds has elapsed from the start of the exposure is defined as the residual potential V rp (V).

積層型電子写真感光体 露光光源として分光器にXeランプ光を通して得た単色光
(λ=780nm、露光強度=10μW/cm2、露光時間=1秒)
を用いて各積層型電子写真感光体を露光し、露光後0.5
秒経過した後の表面電位を残留電位Vrpとして測定す
る。その他については上記単層型電子写真感光体の場合
と同様の測定を行った。
Laminated electrophotographic photoreceptor Monochromatic light obtained by passing Xe lamp light through a spectroscope as an exposure light source (λ = 780 nm, exposure intensity = 10 μW / cm 2 , exposure time = 1 second)
Each laminated electrophotographic photosensitive member is exposed using
The surface potential after a lapse of seconds is measured as the residual potential V rp . Others were measured in the same manner as in the case of the single-layer type electrophotographic photosensitive member.

上記実施例及び比較例で得られた電子写真感光体の帯電
特性及び感光特性の測定結果を表1及び表2に示す。
Tables 1 and 2 show the measurement results of the charging characteristics and the photosensitive characteristics of the electrophotographic photosensitive members obtained in the above Examples and Comparative Examples.

表1及び表2において、「露光前」は、光照射前の初期
特性、「露光後」は白色螢光灯を用いて、400ルックス
の紫外線を含む白色光を40分間照射した後の特性を示
す。
In Tables 1 and 2, “Before exposure” is the initial characteristic before light irradiation, and “After exposure” is the characteristic after irradiation with white light containing 400 lux of ultraviolet light for 40 minutes using a white fluorescent lamp. Show.

上記表1及び2に示すように、本願発明の電荷輸送材料
用化合物を用いた感光体はいずれも、初期表面電位
VSP、半減露光量E1/2、残留電位VRPともに露光前後の
値の変動が比較例より小さく光に対する安定正に優れて
いることが判る。
As shown in Tables 1 and 2 above, all the photoreceptors using the compound for charge transport material of the present invention have an initial surface potential of
It can be seen that the values of V SP , the half exposure amount E 1/2 , and the residual potential V RP before and after the exposure are smaller than those in the comparative example, and are excellent in stability against light.

[発明の効果] 以上のように、この発明の電荷輸送材料用化合物は中心
ベンゼン環の5の位置を電子吸引性基で置換して保護し
ているため、光安定性に優れており、かつ該電荷輸送材
料を用いることにより、光安定性に優れた電子写真感光
体を得ることができる。
[Effects of the Invention] As described above, the compound for a charge transport material of the present invention is excellent in photostability because it is protected by substituting the position 5 of the central benzene ring with an electron-withdrawing group. By using the charge transport material, an electrophotographic photoreceptor having excellent light stability can be obtained.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−219838(JP,A) 特開 平1−277840(JP,A) 特開 平2−93654(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A 1-219838 (JP, A) JP-A 1-277840 (JP, A) JP-A 2-93654 (JP, A)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記の一般式[I]: (式中、R1、R2,R3,R4は同一または異なって、アルキル
基、アルコキシル基、ハロゲン原子、アミノ基またはN
−置換アミノ基を示し、l,m,o,pは同一または異なっ
て、0〜5の整数を示し、R5は電子吸引性基を示す)で
表されるm−フェニレンジアミン系化合物。
1. The following general formula [I]: (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different and are an alkyl group, an alkoxyl group, a halogen atom, an amino group or N
A substituted amino group, l, m, o and p are the same or different and each represents an integer of 0 to 5 , and R 5 represents an electron-withdrawing group).
【請求項2】導電性基材上に、請求項1記載のm−フェ
ニレンジアミン系化合物を含む感光層を設けたことを特
徴とする電子写真感光体。
2. An electrophotographic photoreceptor comprising a conductive layer and a photosensitive layer containing the m-phenylenediamine compound according to claim 1 provided on the conductive substrate.
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