JPH0757683A - Ion implantation device - Google Patents
Ion implantation deviceInfo
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- JPH0757683A JPH0757683A JP22377593A JP22377593A JPH0757683A JP H0757683 A JPH0757683 A JP H0757683A JP 22377593 A JP22377593 A JP 22377593A JP 22377593 A JP22377593 A JP 22377593A JP H0757683 A JPH0757683 A JP H0757683A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造工程においてシリコンウエハ等の試料に各種のイオン
を注入するためのイオン注入装置に係り、特にビーム電
流の測定機構に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus for implanting various ions into a sample such as a silicon wafer in a semiconductor device manufacturing process, and more particularly to a beam current measuring mechanism.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程においてシリコン
ウエハ等にＡｓ+ 、Ｐ+ 、Ｂ+ 等のイオンを注入するた
めにイオン注入装置が使用されている。まず、この種の
イオン注入装置の従来例を図４及び図５を参照して説明
する。2. Description of the Related Art An ion implanter is used for implanting As + , P + , B + and other ions into a silicon wafer or the like in a semiconductor device manufacturing process. First, a conventional example of this type of ion implantation apparatus will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
【０００３】装置全体の概略構成を示す図４において、
イオン源１で生成されたイオンが一定のエネルギーで引
出し電極２により引き出され、分析電磁石３により質量
に応じて分離されて所要のイオンが取り出される。スリ
ット４により完全に分離された所望のイオンが加速管５
により所定の最終エネルギーまで加速される。イオンビ
ームは四極レンズ６により試料室チャンバー９内のウエ
ハ１０の表面で所定の径となるように収束され、走査電
極７及び８によりＸＹ方向に走査される。これによりイ
オンがウエハ１０の全面に一様に注入される。In FIG. 4, which shows a schematic configuration of the entire apparatus,
Ions generated in the ion source 1 are extracted with a constant energy by the extraction electrode 2, and separated by the analysis electromagnet 3 according to the mass to extract the required ions. Desired ions completely separated by the slit 4 are accelerated tubes 5
Is accelerated to a predetermined final energy by. The ion beam is converged by the quadrupole lens 6 so as to have a predetermined diameter on the surface of the wafer 10 in the sample chamber 9, and is scanned in the XY directions by the scanning electrodes 7 and 8. As a result, the ions are uniformly implanted on the entire surface of the wafer 10.
【０００４】上記装置の試料室チャンバー内を示す図５
において、プラテン１１上に保持されたウエハ１０にイ
オンビーム１２が照射される。ウエハ１０に注入された
イオンの量に応じてウエハ１０に電流が流れる。このビ
ーム電流をプラテン１１を介してビーム電流測定部１３
によりモニターしながら、イオン注入を行う。FIG. 5 showing the inside of the sample chamber of the above apparatus.
At, the wafer 10 held on the platen 11 is irradiated with the ion beam 12. A current flows through the wafer 10 according to the amount of ions implanted in the wafer 10. The beam current is measured by the beam current measuring unit 13 via the platen 11.
Ion implantation is performed while monitoring by.
【０００５】このイオン注入に先立って予め所定のビー
ム電流値を設定するために、プラテン１１の前方にフラ
グファラデー１４が設けられている。イオンビーム１２
をウエハ１０に照射する前にフラグファラデー１４に一
旦照射し、ビーム電流測定部１３によりビーム電流を測
定する。なお、フラグファラデー１４は実際のウエハ１
０へのイオン注入時には一点鎖線で示すように横倒され
る。A flag Faraday 14 is provided in front of the platen 11 in order to set a predetermined beam current value prior to the ion implantation. Ion beam 12
Before irradiating the wafer 10 on the wafer 10, the flag Faraday 14 is once irradiated, and the beam current measuring unit 13 measures the beam current. The flag Faraday 14 is the actual wafer 1.
At the time of ion implantation to 0, it is laid over sideways as shown by the chain line.
【０００６】正電荷を持つイオンビーム１２の大部分
は、フラグファラデー１４（ウエハ１０）に衝突するこ
とによりフラグファラデー１４（プラテン１１）に電荷
を与え、ビーム電流測定部１３によりビーム電流として
測定される。ところが、一部のイオンビーム１２は、フ
ラグファラデー１４（ウエハ１０）で反射し散乱してし
まう。この二次電子等の反射ビームを捕集し、ビーム電
流測定部１３により正確なビーム電流を測定するため、
フラグファラデー１４（プラテン１１）を囲むようにフ
ァラデーカップ１５が設けられている。Most of the ion beam 12 having a positive charge collides with the flag Faraday 14 (wafer 10) to give an electric charge to the flag Faraday 14 (platen 11), and the beam current measuring unit 13 measures the beam current. It However, a part of the ion beam 12 is reflected and scattered by the flag Faraday 14 (wafer 10). In order to collect the reflected beam such as the secondary electron and measure the accurate beam current by the beam current measuring unit 13,
A Faraday cup 15 is provided so as to surround the flag Faraday 14 (platen 11).
【０００７】また、ファラデーカップ１５の開口部から
の二次電子等の捕捉漏れを防ぐために、その開口部の前
方にサプレッサー電極１６が配置され、ビーム電流の測
定精度を上げている。さらに、ファラデーカップ１５の
前方にマスク１７が設けられ、イオンビーム１２の入射
角を一定値に制限して測定精度を上げている。Further, in order to prevent trapping and leakage of secondary electrons and the like from the opening of the Faraday cup 15, a suppressor electrode 16 is arranged in front of the opening to improve the measurement accuracy of the beam current. Further, a mask 17 is provided in front of the Faraday cup 15 to limit the incident angle of the ion beam 12 to a constant value to improve the measurement accuracy.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、この
種のイオン注入装置においては、ウエハ１０へのイオン
注入に先立って予めビーム電流値を設定するために、フ
ラグファラデー１４によってビーム電流を測定する。し
かしながら従来は、図５に示すように、フラグファラデ
ー１４が、ウエハ１０を保持するプラテン１１よりもイ
オン源に近い位置に設置されていた。As described above, in the ion implantation apparatus of this type, the beam current is measured by the flag Faraday 14 in order to set the beam current value in advance before the ion implantation into the wafer 10. To do. However, conventionally, as shown in FIG. 5, the flag Faraday 14 has been installed at a position closer to the ion source than the platen 11 holding the wafer 10.
【０００９】このため、イオン源からのフラグファラデ
ー１４とプラテン１１との距離が違うことによって、距
離差によるイオンビーム１２の途中損失が生じる。これ
により、予めフラグファラデー１４により測定したビー
ム電流値と、これに基づいて実際にウエハ１０にイオン
を注入するときのプラテン１１でのビーム電流値とが異
なってしまい、この結果、ウエハ１０へのイオン注入量
を高精度に制御することができないという問題があっ
た。Therefore, since the distance between the flag Faraday 14 and the platen 11 from the ion source is different, an intermediate loss of the ion beam 12 occurs due to the difference in distance. As a result, the beam current value measured in advance by the flag Faraday 14 and the beam current value at the platen 11 at the time of actually implanting ions into the wafer 10 on the basis of the beam current value are different from each other. There is a problem that the amount of ion implantation cannot be controlled with high precision.
【００１０】そこで本発明は、予めフラグファラデーに
より測定するビーム電流値と実際のイオン注入時のプラ
テンでのビーム電流測定値とがほぼ同一になるイオン注
入装置を提供することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide an ion implantation apparatus in which the beam current value measured in advance by the flag Faraday and the beam current measurement value at the platen during actual ion implantation are substantially the same.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、イオン源からのイオンビームを試料に照
射してイオンを試料に注入するイオン注入装置におい
て、前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測定する
ためのフラグファラデーを、前記試料を保持するための
プラテンとほぼ同一の位置に設置したものである。In order to achieve the above object, the present invention provides an ion implantation apparatus for irradiating a sample with an ion beam from an ion source to implant ions into the sample. The flag Faraday for measuring the beam current was previously installed at substantially the same position as the platen for holding the sample.
【００１２】また、本発明は、イオン源からのイオンビ
ームを試料に照射してイオンを試料に注入するイオン注
入装置において、前記試料を保持するためのプラテンを
イオンビームの照射位置と非照射位置との間で移動自在
に構成し、前記プラテンを前記照射位置から前記非照射
位置へ移動させたときに、このプラテンに代わって前記
照射位置へ移動してイオンビームを遮蔽するためのマス
クを設け、前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測
定するためのフラグファラデーを前記マスクの部分に配
置したものである。Further, according to the present invention, in an ion implantation apparatus for irradiating a sample with an ion beam from an ion source to implant ions into the sample, a platen for holding the sample is provided with an ion beam irradiation position and a non-irradiation position. And a mask for shielding the ion beam by moving to the irradiation position instead of the platen when the platen is moved from the irradiation position to the non-irradiation position. A flag Faraday for measuring the beam current before ion implantation into the sample is arranged in the mask portion.
【００１３】[0013]
【作用】上記のように構成された本発明によれば、フラ
グファラデーがプラテンとほぼ同一の位置に設置されて
いるので、試料へのイオン注入前に予めフラグファラデ
ーにより測定するビーム電流値と、試料への実際のイオ
ン注入時にプラテンにより測定するビーム電流値とがほ
ぼ同一となる。これにより、予め設定したビーム電流値
に基づいて試料へのイオン注入量を高精度に制御するこ
とができる。According to the present invention configured as described above, since the flag Faraday is installed at substantially the same position as the platen, the beam current value measured by the flag Faraday before ion implantation into the sample, The beam current value measured by the platen during the actual ion implantation into the sample is almost the same. As a result, the amount of ion implantation into the sample can be controlled with high accuracy based on the preset beam current value.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明によるイオン注入装置の実施例
について図１〜図３を参照して説明する。なお、装置全
体の概略構成は図４で説明した従来例と実質的に同等で
よく、また、試料室チャンバー内において図５で説明し
た従来例と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付
してその説明を省略する。Embodiments of the ion implantation apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Note that the schematic configuration of the entire apparatus may be substantially the same as that of the conventional example described in FIG. 4, and the same reference numerals are given to substantially the same components in the sample chamber chamber as those of the conventional example described in FIG. Is attached and its description is omitted.
【００１５】まず、図１及び図２は第１実施例を示し、
図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれウエハへのイオン注入
時及びフラグファラデーによるビーム電流測定時におけ
る試料室チャンバーの概略断面図、図２はプラテン及び
マスク部分の概略斜視図である。First, FIGS. 1 and 2 show a first embodiment,
1A and 1B are schematic cross-sectional views of the sample chamber chamber at the time of ion implantation into the wafer and at the time of measuring the beam current by the flag Faraday, and FIG. 2 is a schematic perspective view of the platen and the mask portion.
【００１６】試料室チャンバー９内のファラデーカップ
１５の後端に、プラテン２１とマスク２２とが配置され
ている。これらプラテン２１とマスク２２とは、それら
の一側部において適宜な取付部材２３を介して直角状に
連設されている。この取付部材２３には回転軸２３ａが
設けられており、プラテン２１とマスク２２とは、駆動
機構（図示せず）により回転軸２３ａを中心として矢印
ａ及びｂ方向へ一体的に回動自在に構成されている。そ
して、プラテン２１上にウエハ１０が保持され、マスク
２２上にフラグファラデー２４が配置されている。A platen 21 and a mask 22 are arranged at the rear end of the Faraday cup 15 in the sample chamber 9. The platen 21 and the mask 22 are connected in a right-angled manner on one side of the platen 21 via an appropriate mounting member 23. The attachment member 23 is provided with a rotary shaft 23a, and the platen 21 and the mask 22 are integrally rotatable in a direction of arrows a and b around the rotary shaft 23a by a drive mechanism (not shown). It is configured. The wafer 10 is held on the platen 21, and the flag Faraday 24 is arranged on the mask 22.
【００１７】図１（ａ）に示すように、プラテン２１が
矢印ａ方向へ回動されてイオンビーム１２の照射位置に
移動されると、マスク２２は矢印ａ方向へ回動されて非
照射位置へ移動される。また、図１（ｂ）に示すよう
に、プラテン２１が矢印ｂ方向へ回動されて非照射位置
に移動されると、マスク２２は矢印ｂ方向へ回動されて
照射位置に移動される。従って、プラテン２１が照射位
置から非照射位置へ移動されると、このプラテン２１に
代わってマスク２２が照射位置へ移動されてイオンビー
ム１２を遮蔽することになり、このマスク２２にフラグ
ファラデー２４が配置されているので、フラグファラデ
ー２４がプラテン２１と同一の位置に設置されることに
なる。As shown in FIG. 1A, when the platen 21 is rotated in the direction of the arrow a and moved to the irradiation position of the ion beam 12, the mask 22 is rotated in the direction of the arrow a and is in the non-irradiation position. Moved to. Further, as shown in FIG. 1B, when the platen 21 is rotated in the direction of arrow b and moved to the non-irradiation position, the mask 22 is rotated in the direction of arrow b and moved to the irradiation position. Therefore, when the platen 21 is moved from the irradiation position to the non-irradiation position, the mask 22 is moved to the irradiation position instead of the platen 21 to shield the ion beam 12, and the flag Faraday 24 is attached to the mask 22. Since it is arranged, the flag Faraday 24 is installed at the same position as the platen 21.
【００１８】上記のように構成されたイオン注入装置に
よれば、まず、図１（ｂ）に示すように、プラテン２１
を横倒させてマスク２２を起立させた状態で、マスク２
２に配置されたフラグファラデー２４にイオンビーム１
２を照射し、このフラグファラデー２４によってビーム
電流を測定して、注入条件となるビーム電流を設定す
る。According to the ion implanter configured as described above, first, as shown in FIG.
With the mask 22 standing upright and the mask 2
Ion beam 1 on the flag Faraday 24 placed in 2
2 is irradiated, the beam current is measured by this flag Faraday 24, and the beam current which is the implantation condition is set.
【００１９】その後、図１（ａ）に示すように、ウエハ
１０が装着されたプラテン２１を起立させてマスク２２
を横倒させた状態で、上記の設定に基づいてウエハ１０
にイオンビーム１２を照射し、プラテン２１でのビーム
電流をモニターしながら、ウエハ１０にイオンを注入す
る。Thereafter, as shown in FIG. 1A, the platen 21 on which the wafer 10 is mounted is erected to raise the mask 22.
With the wafer lying down, the wafer 10 is set based on the above settings.
The wafer 10 is irradiated with the ion beam 12, and ions are implanted into the wafer 10 while monitoring the beam current at the platen 21.
【００２０】このように、フラグファラデー２４とプラ
テン２１とが同一の位置に設置されるので、イオン源か
らのフラグファラデー２４とプラテン２１との距離が同
一になり、距離差によるイオンビーム１２の途中損失が
なくなる。これにより、ウエハ１０へのイオン注入前に
予めフラグファラデー２４により測定したビーム電流値
と、実際にウエハ１０にイオンを注入するときのプラテ
ン２１でのビーム電流値とが同一になる。従って、フラ
グファラデー２４での測定によって設定したビーム電流
値に基づいてウエハ１０へのイオン注入量を高精度に制
御することができる。As described above, since the flag Faraday 24 and the platen 21 are installed at the same position, the distance between the flag Faraday 24 and the platen 21 from the ion source is the same, and the ion beam 12 is in the middle due to the difference in distance. There is no loss. As a result, the beam current value measured by the flag Faraday 24 before the ion implantation into the wafer 10 becomes the same as the beam current value at the platen 21 when the ions are actually implanted into the wafer 10. Therefore, the amount of ion implantation into the wafer 10 can be controlled with high accuracy based on the beam current value set by the measurement with the flag Faraday 24.
【００２１】また、ファラデーカップ１５に対するフラ
グファラデー２４とプラテン２１との位置も同一になる
ので、ファラデーカップ１５による二次電子等の捕捉も
同一条件で行うことができる。Further, since the flag Faraday 24 and the platen 21 are located at the same position with respect to the Faraday cup 15, the Faraday cup 15 can also capture the secondary electrons and the like under the same conditions.
【００２２】次に、図３は第２実施例におけるプラテン
及びマスク部分の概略斜視図であり、プラテン２１とマ
スク２２とが適宜の取付部材２３を介して同一の平面上
に連設され、プラテン２１上にウエハ１０が保持され、
マスク２２上にフラグファラデー２４が配置されてい
る。Next, FIG. 3 is a schematic perspective view of the platen and the mask portion in the second embodiment, in which the platen 21 and the mask 22 are continuously arranged on the same plane via an appropriate mounting member 23, The wafer 10 is held on 21
A flag Faraday 24 is arranged on the mask 22.
【００２３】この第２実施例においては、プラテン２１
とマスク２２とが、同一面内において一体的に直線移動
（矢印ｃ及びｄ方向）または回転移動（矢印ｅ及びｆ方
向）される。これによって、フラグファラデー２４とプ
ラテン２１とがイオンビーム１２に対して同一の位置に
設置される。In this second embodiment, the platen 21
And the mask 22 are integrally linearly moved (arrows c and d directions) or rotationally moved (arrows e and f directions) in the same plane. As a result, the flag Faraday 24 and the platen 21 are installed at the same position with respect to the ion beam 12.
【００２４】なお、上述した第１及び第２実施例のよう
に、プラテン２１とマスク２２とが一体的に移動される
構成は、両者の入れ代えを極めて確実かつ迅速に行うこ
とができる上に、その構造も極めて簡単になる。また、
第１実施例においては、直角状に連設されたプラテン２
１とマスク２２とが回動されるので、試料室チャンバー
９の横幅が増加することはなく、しかも、後方からプラ
テン２１に対するウエハ１０の着脱を容易に行うことが
できる。また、第２実施例においては、同一平面上に連
設されたプラテン２１とマスク２２とが移動されるの
で、試料室チャンバー９の奥行きを最小限に抑えること
ができる。The construction in which the platen 21 and the mask 22 are integrally moved as in the first and second embodiments described above makes it possible to replace the both in an extremely reliable and quick manner. , Its structure is also extremely simple. Also,
In the first embodiment, the platens 2 that are continuously arranged at right angles
Since 1 and the mask 22 are rotated, the lateral width of the sample chamber 9 does not increase, and the wafer 10 can be easily attached to and detached from the platen 21 from the rear side. Further, in the second embodiment, since the platen 21 and the mask 22 that are continuously provided on the same plane are moved, the depth of the sample chamber 9 can be minimized.
【００２５】以上、本発明の実施例に付き説明したが、
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。The embodiment of the present invention has been described above.
The present invention is not limited to the above embodiments, and various effective modifications and applications are possible based on the technical idea of the present invention.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フラグファラデーをプラテンとほぼ同一の位置に設置す
ることによって、試料へのイオン注入前に予めフラグフ
ァラデーによる測定に基づいて設定したビーム電流値
と、試料への実際のイオン注入時にプラテンによりモニ
ターするビーム電流の測定値とを、常に正確に一致させ
ることができる。これにより、イオン注入を極めて高精
度に制御することができ、極めて再現性のよいドーピン
グを行うことができる。As described above, according to the present invention,
By installing the flag Faraday almost at the same position as the platen, the beam current value set in advance based on the measurement by the flag Faraday before ion implantation into the sample and the beam monitored by the platen during the actual ion implantation into the sample The measured current value can always be exactly matched. Thereby, the ion implantation can be controlled with extremely high accuracy, and the doping with extremely high reproducibility can be performed.
【図１】本発明によるイオン注入装置の第１実施例にお
いて（ａ）はウエハへのイオン注入時（ｂ）はフラグフ
ァラデーによるビーム電流測定時における試料室チャン
バーの概略断面図である。FIG. 1A is a schematic sectional view of a sample chamber in a first embodiment of an ion implantation apparatus according to the present invention, in which (a) is an ion implantation to a wafer and (b) is a beam current measurement by a flag Faraday.
【図２】上記第１実施例におけるプラテン及びマスク部
分の概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view of a platen and a mask portion in the first embodiment.
【図３】本発明によるイオン注入装置の第２実施例にお
けるプラテン及びマスク部分の概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view of a platen and a mask portion in a second embodiment of the ion implantation apparatus according to the present invention.
【図４】従来のイオン注入装置における全体の概略構成
図である。FIG. 4 is an overall schematic configuration diagram of a conventional ion implantation apparatus.
【図５】上記従来のイオン注入装置における試料室チャ
ンバーの概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a sample chamber in the conventional ion implanter.
１ イオン源 ９ 試料室チャンバー １０ ウエハ １２ イオンビーム １３ ビーム電流測定部 １５ ファラデーカップ ２１ プラテン ２２ マスク ２３ 取付部材 ２３ａ 回転軸 ２４ フラグファラデー 1 Ion Source 9 Sample Chamber Chamber 10 Wafer 12 Ion Beam 13 Beam Current Measurement Unit 15 Faraday Cup 21 Platen 22 Mask 23 Mounting Member 23a Rotation Axis 24 Flag Faraday
Claims (4)
射してイオンを試料に注入するイオン注入装置におい
て、 前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測定するため
のフラグファラデーを、前記試料を保持するためのプラ
テンとほぼ同一の位置に設置したことを特徴とするイオ
ン注入装置。1. An ion implanter for irradiating a sample with an ion beam from an ion source to inject ions into the sample, comprising: a flag Faraday for measuring a beam current before the ion implantation into the sample; An ion implanter characterized by being installed at substantially the same position as the platen for holding.
射してイオンを試料に注入するイオン注入装置におい
て、 前記試料を保持するためのプラテンをイオンビームの照
射位置と非照射位置との間で移動自在に構成し、前記プ
ラテンを前記照射位置から前記非照射位置へ移動させた
ときに、このプラテンに代わって前記照射位置へ移動し
てイオンビームを遮蔽するためのマスクを設け、前記試
料へのイオン注入前にビーム電流を測定するためのフラ
グファラデーを前記マスクの部分に配置したことを特徴
とするイオン注入装置。2. An ion implanter for irradiating a sample with an ion beam from an ion source to inject ions into the sample, wherein a platen for holding the sample is provided between an ion beam irradiation position and a non-irradiation position. When the platen is configured to be movable, and when the platen is moved from the irradiation position to the non-irradiation position, a mask for shielding the ion beam by moving to the irradiation position instead of the platen is provided, and 2. An ion implantation apparatus, wherein a flag Faraday for measuring a beam current before the ion implantation is placed in the mask portion.
グファラデーを配置するマスクとがほぼ直角状に連設さ
れ、この連設部分を中心として前記プラテンと前記マス
クとが一体的に回動されて入れ代わるように構成したこ
とを特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。3. A platen for holding the sample and a mask for arranging the flag Faraday are continuously provided at a substantially right angle, and the platen and the mask are integrally rotated around the continuous portion. The ion implanter according to claim 2, wherein the ion implanter is configured to be replaced.
グファラデーを配置するマスクとがほぼ同一面上に連設
され、この同一面内において前記プラテンと前記マスク
とが一体的に移動されて入れ代わるように構成したこと
を特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。4. A platen for holding the sample and a mask for arranging the flag Faraday are continuously provided on substantially the same plane, and the platen and the mask are integrally moved and interchanged in the same plane. The ion implantation apparatus according to claim 2, wherein the ion implantation apparatus is configured as described above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22377593A JPH0757683A (en) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | Ion implantation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22377593A JPH0757683A (en) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | Ion implantation device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757683A true JPH0757683A (en) | 1995-03-03 |
Family
ID=16803521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22377593A Withdrawn JPH0757683A (en) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | Ion implantation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0757683A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485387B1 (en) * | 2002-11-26 | 2005-04-27 | 삼성전자주식회사 | Method for monitoring an ion implanter and ion implanter having a shadow jig for performing the same |
| CN108966676A (en) * | 2017-03-17 | 2018-12-07 | 应用材料公司 | In method, mask process equipment and the vacuum system of vacuum system processing mask set |
-
1993
- 1993-08-17 JP JP22377593A patent/JPH0757683A/en not_active Withdrawn
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