JPH07336183A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH07336183A JPH07336183A JP12260094A JP12260094A JPH07336183A JP H07336183 A JPH07336183 A JP H07336183A JP 12260094 A JP12260094 A JP 12260094A JP 12260094 A JP12260094 A JP 12260094A JP H07336183 A JPH07336183 A JP H07336183A
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- surface acoustic
- wave device
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＩＤＴが形成された圧電
基板がパッケージ部に収納された弾性表面波装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device in which a piezoelectric substrate having an IDT is housed in a package.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波デバイスは、圧電基板表面を
伝搬する弾性表面波を利用したデバイスであり、その小
型、軽量、高性能である特性を生かし、フィルタや共振
子として移動体通信機器等の多くの機器に使用されてい
る。弾性表面波デバイスでは、ＩＤＴ（インタデジタル
トランスジューサ）が形成された圧電基板の表面を保護
するために、または取扱いを容易とするために、圧電基
板をパッケージ部に収納している。パッケージ部には信
号を入出力するために入出力端子が設けられている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device is a device utilizing surface acoustic waves propagating on the surface of a piezoelectric substrate, and by utilizing the characteristics of its small size, light weight and high performance, it is used as a filter or a resonator in mobile communication equipment. Used in many devices. In a surface acoustic wave device, a piezoelectric substrate is housed in a package in order to protect the surface of the piezoelectric substrate on which an IDT (interdigital transducer) is formed or to facilitate handling. Input / output terminals are provided in the package for inputting / outputting signals.
【０００３】弾性表面波デバイス、特に弾性表面波フィ
ルタにおいては、信号の入出力端子に微少容量のコンデ
ンサを並列に設ける場合がある。微少容量のコンデンサ
を設けることにより、弾性表面波デバイスの特性を向上
させたり、インピーダンスマッチングを行ったりしてい
る。In a surface acoustic wave device, particularly in a surface acoustic wave filter, there is a case where a capacitor having a small capacitance is provided in parallel at a signal input / output terminal. The characteristics of the surface acoustic wave device are improved and impedance matching is performed by providing a capacitor having a small capacity.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
弾性表面波デバイスにコンデンサを設けるには、外部に
設けるしかなく、そのため部品点数が増大すると共に、
実装面積が増大し、装置が大型化するという問題があっ
た。本発明の目的は、実装面積を増大させることなくコ
ンデンサを付加することができる弾性表面波装置を提供
することにある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the past,
The only way to install a capacitor in a surface acoustic wave device is to install it externally, which increases the number of parts and
There is a problem that the mounting area is increased and the device is enlarged. An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device to which a capacitor can be added without increasing the mounting area.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的は、少なくとも
ひとつのＩＤＴが形成された圧電基板を有し、前記圧電
基板がパッケージ部に収納された弾性表面波装置におい
て、前記パッケージ部は、絶縁性基板と、前記絶縁性基
板表面に形成され、前記ＩＤＴの電極にそれぞれ接続さ
れた第１の導電膜及び第２の導電膜と、前記第１の導電
膜の一部と前記第２の導電膜の一部とが前記絶縁性基板
を挟んで対向するコンデンサ部とを有することを特徴と
する弾性表面波装置によって達成される。In the surface acoustic wave device having a piezoelectric substrate on which at least one IDT is formed, and the piezoelectric substrate is housed in a package part, the package part has an insulating property. A substrate, a first conductive film and a second conductive film formed on the surface of the insulating substrate and respectively connected to the electrodes of the IDT, a part of the first conductive film, and the second conductive film And a capacitor portion facing each other with the insulating substrate interposed therebetween, which is achieved by the surface acoustic wave device.
【０００６】[0006]
【作用】本発明によれば、パッケージ部内の絶縁性基板
表面に形成された第１の導電膜の一部と第２の導電膜の
一部とを絶縁性基板を挟んで対向させることによりパッ
ケージ部の一部を利用してコンデンサ部を設けたので、
設置面積を増大させることなく、コンデンサ部を設けて
特性を向上させることができる。According to the present invention, a part of the first conductive film and a part of the second conductive film formed on the surface of the insulative substrate in the package portion are opposed to each other with the insulative substrate sandwiched therebetween. Since the capacitor part was provided using a part of the part,
The characteristics can be improved by providing the capacitor section without increasing the installation area.
【０００７】[0007]
【実施例】本発明の第１の実施例による弾性表面波装置
を図１乃至図５を用いて説明する。図１は本実施例によ
る弾性表面波装置の等価回路を示し、図２及び図３は本
実施例による弾性表面波装置の構造を示し、図４は本実
施例による弾性表面波装置の特性を示し、図５は比較例
の弾性表面波装置の特性を示している。EXAMPLE A surface acoustic wave device according to a first example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 shows an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to this embodiment, FIGS. 2 and 3 show the structure of the surface acoustic wave device according to this embodiment, and FIG. 4 shows the characteristics of the surface acoustic wave device according to this embodiment. 5 shows the characteristics of the surface acoustic wave device of the comparative example.
【０００８】本実施例の弾性表面波装置は、３つのＩＤ
Ｔ１２、１４、１６が形成された圧電基板１０がパッケ
ージ部２０に収納されているという基本構成に加え、パ
ッケージ部２０内部にコンデンサ４８が設けられている
という特徴的構成をしている。３つのＩＤＴ１２、１
４、１６は、中央のＩＤＴ１４を挟む外側のＩＤＴ１
２、１６が並列接続され、中央のＩＤＴ１４の電極間に
コンデンサ４８が挿入されている。The surface acoustic wave device of this embodiment has three IDs.
In addition to the basic configuration in which the piezoelectric substrate 10 on which T12, 14, and 16 are formed is housed in the package unit 20, a characteristic configuration is that a capacitor 48 is provided inside the package unit 20. Three IDTs 12, 1
4, 16 are outer IDTs 1 sandwiching the central IDT 14.
2 and 16 are connected in parallel, and a capacitor 48 is inserted between the electrodes of the central IDT 14.
【０００９】本実施例の弾性表面波装置の具体的構造を
図２及び図３を用いて説明する。図２（ａ）は弾性表面
波装置の蓋を外した状態で上から見た平面図であり、図
２（ｂ）は弾性表面波装置の下から見た底面図であり、
図３（ａ）はＡ−Ａ′線断面図であり、図３（ｂ）はＢ
−Ｂ′線断面図であり、図３（ｃ）はＣ−Ｃ′線断面図
である。A specific structure of the surface acoustic wave device of this embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3. 2A is a plan view of the surface acoustic wave device viewed from above with the lid removed, and FIG. 2B is a bottom view of the surface acoustic wave device viewed from below,
3A is a sectional view taken along the line AA ′, and FIG.
FIG. 3C is a sectional view taken along the line -B ′, and FIG. 3C is a sectional view taken along the line CC ′.
【００１０】まず、パッケージ部２０に収納された圧電
基板１０について説明する。圧電基板１０は４５°Ｙ回
転ＸカットＬｉ2 Ｂ4 Ｏ7 からなり、厚さは４００ｎｍ
で、１２ｍｍ×３ｍｍの大きさの矩形形状をしている。
図２（ａ）に示すように、圧電基板１０上に、規格化膜
厚ｈ／λ＝１．６７％のアルミニウム合金からなる３つ
のＩＤＴ１２、１４、１６が形成されている。ＩＤＴ１
２、１４、１６は、櫛形電極指を互いに組み合わせた形
状をしており、電極指の幅、長さ、間隔、ＩＴの周期、
対数等は所要のフィルタ特性によって決定される。本実
施例では、各ＩＤＴ１２、１４、１６について、それぞ
れ電極指の幅は１２μｍ、その長さは３３０μｍ、間隔
は１２μｍである。その対数は、ＩＤＴ１２は４４対、
ＩＤＴ１４は６６対、ＩＤＴ１６は４４対であり、ＩＤ
Ｔ１２、１４、１６の周期は２４μｍである。First, the piezoelectric substrate 10 housed in the package portion 20 will be described. The piezoelectric substrate 10 is made of 45 ° Y rotation X cut Li 2 B 4 O 7 and has a thickness of 400 nm.
And has a rectangular shape with a size of 12 mm × 3 mm.
As shown in FIG. 2A, three IDTs 12, 14 and 16 made of an aluminum alloy having a normalized film thickness h / λ = 1.67% are formed on the piezoelectric substrate 10. IDT1
Reference numerals 2, 14 and 16 each have a shape in which comb-shaped electrode fingers are combined with each other, and the width, length, interval, IT cycle,
The logarithm, etc. are determined by the required filter characteristics. In this embodiment, the width of each electrode finger is 12 μm, the length thereof is 330 μm, and the interval is 12 μm for each of the IDTs 12, 14, and 16. The logarithm of IDT12 is 44 pairs,
The IDT 14 has 66 pairs, the IDT 16 has 44 pairs, and
The period of T12, 14, 16 is 24 μm.
【００１１】次に、圧電基板１０を収納するパッケージ
部２０について説明する。パッケージ部２０は、図３
（ａ）、（ｂ）に示すように、アルミナセラミックスか
らなる２層の絶縁性基板２２、２４と、シームリング２
６と、蓋２８とから構成されている。下層の絶縁性基板
２２上に、中央がくりぬかれた矩形リング状の絶縁性基
板２４が積層されている。圧電基板１０は絶縁性基板２
２上に載置される。絶縁性基板２４上には、その外形に
沿ってシームリング２６が形成されている。絶縁性基板
２４上にはシームリング２６を介して金属製の蓋２８が
固着されている。Next, the package section 20 for accommodating the piezoelectric substrate 10 will be described. The package unit 20 is shown in FIG.
As shown in (a) and (b), two layers of insulating substrates 22 and 24 made of alumina ceramics and a seam ring 2 are used.
6 and a lid 28. On the lower insulating substrate 22, a rectangular ring-shaped insulating substrate 24 having a hollowed center is laminated. The piezoelectric substrate 10 is an insulating substrate 2
2 is placed on. A seam ring 26 is formed on the insulating substrate 24 along the outer shape thereof. A lid 28 made of metal is fixed on the insulating substrate 24 via a seam ring 26.
【００１２】本実施例の弾性表面波装置は、絶縁性基板
２２、２４表面に形成された電極膜の形状に特徴があ
る。絶縁性基板２２、２４表面に形成された電極膜は、
電気的に３つの電極膜３０、３２、３４に分離されてい
る。接地用の電極膜３０は、最も広い面積を占有してい
る。電極膜３０は、図２（ｂ）に示すように、絶縁性基
板２２の底面のほとんどを占め、図３（ｂ）及び（ｃ）
に示すように、絶縁性基板２２、２４の側面を通り、絶
縁性基板２４の上面まで延在している。接地用の電極膜
３０は、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板２４上面
の右上部と左下部に存在している。The surface acoustic wave device of this embodiment is characterized by the shape of the electrode film formed on the surfaces of the insulating substrates 22 and 24. The electrode films formed on the surfaces of the insulating substrates 22 and 24 are
It is electrically separated into three electrode films 30, 32, 34. The electrode film 30 for grounding occupies the largest area. As shown in FIG. 2B, the electrode film 30 occupies most of the bottom surface of the insulating substrate 22, and the electrode film 30 shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, it extends through the side surfaces of the insulating substrates 22 and 24 to the upper surface of the insulating substrate 24. As shown in FIG. 2A, the grounding electrode film 30 exists on the upper right portion and the lower left portion of the upper surface of the insulating substrate 24.
【００１３】入力用の電極膜３２は、中央のＩＤＴ１４
の一方の電極に接続される。入力用の電極膜３２は、絶
縁性基板２４の上面から、絶縁性基板２２、２４の側面
を通り、絶縁性基板２２の下面まで延在している。更
に、入力用の電極膜３２は、絶縁性基板２２と絶縁性基
板２４の間にも形成され、絶縁性基板２２の下面の接地
用の電極膜３０と対向する領域まで延在している。絶縁
性基板２２は誘電体であるので、入力用の導電膜３２が
接地用の導電膜３０と重なり合う領域では、誘電体であ
る絶縁性基板２２を導電膜３０と導電膜３２とで挟む平
行平板型コンデンサの構造となる。すなわち、図３
（ａ）及び（ｃ）に示すように、パッケージ部２０内に
実質的にコンデンサ４８が内蔵される。The input electrode film 32 is the central IDT 14
Connected to one electrode. The input electrode film 32 extends from the upper surface of the insulating substrate 24 through the side surfaces of the insulating substrates 22 and 24 to the lower surface of the insulating substrate 22. Further, the input electrode film 32 is also formed between the insulating substrate 22 and the insulating substrate 24, and extends to the region on the lower surface of the insulating substrate 22 facing the ground electrode film 30. Since the insulating substrate 22 is a dielectric, in a region where the input conductive film 32 overlaps the grounding conductive film 30, the parallel plate sandwiching the dielectric insulating substrate 22 between the conductive film 30 and the conductive film 32 is used. It becomes the structure of the type capacitor. That is, FIG.
As shown in (a) and (c), the capacitor 48 is substantially built in the package section 20.
【００１４】コンデンサ４８の容量Ｃは、絶縁性基板２
２の誘電率と、その厚さと、導電膜３０と導電膜３２が
重なり合う面積とにより決定される。絶縁性基板２２
が、誘電率９．８のアルミナにより形成され、絶縁性基
板２２の厚さが０．５ｍｍであり、重なりあう面積が
４．０ｍｍ2 であると、コンデンサ４８の容量Ｃは約
０．７ｐＦとなる。The capacitance C of the capacitor 48 is the insulating substrate 2
It is determined by the dielectric constant of 2, the thickness thereof, and the area where the conductive film 30 and the conductive film 32 overlap. Insulating substrate 22
However, when the insulating substrate 22 is formed of alumina having a dielectric constant of 9.8, the thickness of the insulating substrate 22 is 0.5 mm, and the overlapping area is 4.0 mm 2 , the capacitance C of the capacitor 48 is about 0.7 pF. Become.
【００１５】出力用の電極膜３４は、両側のＩＤＴ１２
及び１６の一方の電極に接続される。出力用の導電膜３
４は、絶縁性基板２４の上面から、絶縁性基板２２、２
４の側面を通り、絶縁性基板２２の下面まで延在してい
る。中央のＩＤＴ１４には、その電極に接続された電極
パッド１４ａ、１４ｂが設けられている。両側のＩＤＴ
１２、１６の電極は並列接続され、その電極に接続され
た電極パッド１２ａ、１２ｂが設けられている。The output electrode film 34 is provided on both sides of the IDT 12.
And 16 of the electrodes. Conductive film for output 3
Reference numeral 4 denotes insulating substrates 22 and 2 from the upper surface of the insulating substrate 24.
4 to the lower surface of the insulating substrate 22. The central IDT 14 is provided with electrode pads 14a and 14b connected to its electrodes. IDT on both sides
The electrodes 12 and 16 are connected in parallel, and electrode pads 12a and 12b connected to the electrodes are provided.
【００１６】中央のＩＤＴ１４の電極パッド１４ａと接
地用の導電膜３０はボンディングワイヤ３６により接続
され、電極パッド１４ｂと入力用の導電膜３２はボンデ
ィングワイヤ３８により接続されている。両側のＩＤＴ
１２、１６の電極パッド１２ａと出力用の導電膜３４は
ボンディングワイヤ４０により接続され、電極パッド１
２ｂと接地用の導電膜３０はボンディングワイヤ４２に
より接続されている。The electrode pad 14a of the central IDT 14 and the conductive film 30 for grounding are connected by a bonding wire 36, and the electrode pad 14b and the conductive film 32 for inputting are connected by a bonding wire 38. IDT on both sides
The electrode pads 12a of the electrodes 12 and 16 and the conductive film 34 for output are connected to each other by a bonding wire 40.
2b and the conductive film 30 for grounding are connected by a bonding wire 42.
【００１７】図４に、約０．７ｐＦのコンデンサ４８が
内蔵された本実施例の弾性表面波装置の挿入損失と群遅
延時間の周波数特性を示し、図５に、コンデンサ４８が
内蔵されていない比較例の弾性表面波装置の挿入損失と
群遅延時間の周波数特性を示す。図４及び図５のグラフ
からわかるように、本実施例の弾性表面波装置では比較
例の弾性表面波装置よりもリップルが低減している。FIG. 4 shows the frequency characteristics of the insertion loss and the group delay time of the surface acoustic wave device of this embodiment having the built-in capacitor 48 of about 0.7 pF, and FIG. 5 does not have the built-in capacitor 48. 7 shows frequency characteristics of insertion loss and group delay time of a surface acoustic wave device of a comparative example. As can be seen from the graphs of FIGS. 4 and 5, the surface acoustic wave device of this example has a smaller ripple than the surface acoustic wave device of the comparative example.
【００１８】このように本実施例によれば、所望の容量
値のコンデンサをパッケージ部内に内蔵することがで
き、部品点数や実装面積を増大させることなく、特性を
向上させることができる。また、本実施例のように入力
側のＩＤＴの構成と出力側のＩＤＴの構成とが異なるた
め、入出力の整合条件が異なる場合には、整合条件が同
一になるような容量値のコンデンサを内蔵するようにす
れば、入出力の整合条件が同一である双方向性の弾性表
面波装置を実現することができる。As described above, according to this embodiment, a capacitor having a desired capacitance value can be built in the package portion, and the characteristics can be improved without increasing the number of parts or the mounting area. Further, since the configuration of the input side IDT and the configuration of the output side IDT are different as in the present embodiment, when the input / output matching conditions are different, a capacitor having a capacitance value such that the matching conditions are the same is used. If built-in, a bidirectional surface acoustic wave device having the same input / output matching condition can be realized.
【００１９】また、本実施例の弾性表面波装置によれ
ば、パッケージ部２０の絶縁性基板２２の底面に露出し
ている接地用の導電膜３０、入力用の導電膜３２、出力
用の導電膜３４を、回路基板の配線上に直接接続するこ
とにより、弾性表面波装置を表面実装技術により実装す
ることができ、更に装置全体の小型化を実現できると共
に効率的な実装を行うことができる。Further, according to the surface acoustic wave device of this embodiment, the conductive film 30 for grounding, the conductive film 32 for input, and the conductive film for output which are exposed on the bottom surface of the insulating substrate 22 of the package portion 20. By directly connecting the film 34 on the wiring of the circuit board, the surface acoustic wave device can be mounted by the surface mounting technique, and further, the miniaturization of the entire device can be realized and the efficient mounting can be performed. .
【００２０】本発明の第２の実施例による弾性表面波装
置を図６乃至図８を用いて説明する。図６は本実施例に
よる弾性表面波装置の等価回路を示し、図７及び図８は
本実施例による弾性表面波装置の構造を示している。本
実施例の弾性表面波装置は、図６に示すように、２つの
ＩＤＴ５２、５４が形成された圧電基板５０がパッケー
ジ部６０に収納されているという基本構成に加え、コン
デンサ８８が内蔵されているという特徴的構成をしてい
る。入力側のＩＤＴ５２の電極間にコンデンサ８８が挿
入され、出力側のＩＤＴ５４の電極の一方は接地されて
いる。A surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 8. FIG. 6 shows an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to this embodiment, and FIGS. 7 and 8 show the structure of the surface acoustic wave device according to this embodiment. As shown in FIG. 6, the surface acoustic wave device of this embodiment has a basic structure in which a piezoelectric substrate 50 having two IDTs 52 and 54 formed therein is housed in a package portion 60, and a capacitor 88 is incorporated therein. It has a characteristic structure that it exists. The capacitor 88 is inserted between the electrodes of the input side IDT 52, and one of the electrodes of the output side IDT 54 is grounded.
【００２１】本実施例の弾性表面波装置の具体的構造を
図７及び図８を用いて説明する。図７（ａ）は弾性表面
波装置の蓋を外した状態で上から見た平面図であり、図
７（ｂ）は弾性表面波装置の下から見た底面図であり、
図８（ａ）はＤ−Ｄ′線断面図であり、図８（ｂ）はＥ
−Ｅ′線断面図であり、図８（ｃ）はＦ−Ｆ′線断面図
であり、図８（ｄ）はＧ−Ｇ′線断面図である。A specific structure of the surface acoustic wave device of this embodiment will be described with reference to FIGS. 7 and 8. FIG. 7A is a plan view of the surface acoustic wave device seen from above with the lid removed, and FIG. 7B is a bottom view of the surface acoustic wave device seen from below.
8A is a sectional view taken along the line D-D ', and FIG.
8C is a sectional view taken along the line -E ', FIG. 8C is a sectional view taken along the line FF', and FIG. 8D is a sectional view taken along the line GG '.
【００２２】まず、パッケージ部６０に収納された圧電
基板５０は、第１の実施例と同様にＩＤＴ５２、５４が
形成されている。次に、圧電基板５０を収納するパッケ
ージ部６０について説明する。パッケージ部６０は、図
８に示すように、アルミナセラミックスからなる２層の
絶縁性基板６２、６４と、シームリング６６と、蓋６８
とから構成されている。First, in the piezoelectric substrate 50 housed in the package portion 60, IDTs 52 and 54 are formed as in the first embodiment. Next, the package unit 60 that houses the piezoelectric substrate 50 will be described. As shown in FIG. 8, the package portion 60 includes two layers of insulating substrates 62 and 64 made of alumina ceramics, a seam ring 66, and a lid 68.
It consists of and.
【００２３】下層の絶縁性基板６２上に矩形リング状の
絶縁性基板６４が積層され、圧電基板５０は絶縁性基板
６２上に載置される。絶縁性基板６４上には、その外形
に沿ってシームリング６６が形成され、シームリング６
６を介して金属製の蓋６８が固着されている。本実施例
の弾性表面波装置は、絶縁性基板６２、６４表面に形成
された電極膜の形状に特徴がある。A rectangular ring-shaped insulating substrate 64 is laminated on the lower insulating substrate 62, and the piezoelectric substrate 50 is placed on the insulating substrate 62. A seam ring 66 is formed on the insulating substrate 64 along the outer shape of the seam ring 6.
A lid 68 made of metal is fixedly attached via 6. The surface acoustic wave device of this embodiment is characterized by the shape of the electrode film formed on the surfaces of the insulating substrates 62 and 64.
【００２４】絶縁性基板６２、６４表面に形成された電
極膜は、電気的に４つの電極膜７０、７２、７４、７６
に分離されている。接地用の電極膜７０は、最も広い面
積を占有している。電極膜７０は、図７（ｂ）に示すよ
うに、絶縁性基板６２の底面のほとんどを占め、図８
（ｂ）及び（ｃ）に示すように、絶縁性基板６２、６４
の側面を通り、絶縁性基板６４の上面まで延在してい
る。接地用の電極膜７０は、図７（ａ）に示すように、
絶縁性基板６４上面の右上部に存在している。The electrode films formed on the surfaces of the insulating substrates 62 and 64 are electrically four electrode films 70, 72, 74 and 76.
Is separated into. The ground electrode film 70 occupies the largest area. The electrode film 70 occupies most of the bottom surface of the insulating substrate 62, as shown in FIG.
As shown in (b) and (c), insulating substrates 62, 64
To the upper surface of the insulating substrate 64. The electrode film 70 for grounding is, as shown in FIG.
It exists in the upper right portion of the upper surface of the insulating substrate 64.
【００２５】入力用の一方の電極膜７２は、図７（ａ）
に示すように、ＩＤＴ５２の一方の電極に接続される。
入力用の電極膜７２は、図８（ｄ）に示すように、絶縁
性基板６４の上面から、絶縁性基板６２、６４の側面を
通り、絶縁性基板６２の下面まで延在している。入力用
の他方の電極膜７４は、図７（ａ）に示すように、ＩＤ
Ｔ５２の他方の電極に接続される。入力用の電極膜７４
は、図８（ｂ）に示すように、絶縁性基板６４の上面か
ら、絶縁性基板６２、６４の側面を通り、絶縁性基板６
２の下面まで延在している。One electrode film 72 for input is shown in FIG.
As shown in, it is connected to one electrode of the IDT 52.
As shown in FIG. 8D, the input electrode film 72 extends from the upper surface of the insulating substrate 64 through the side surfaces of the insulating substrates 62 and 64 to the lower surface of the insulating substrate 62. The other electrode film 74 for input is, as shown in FIG.
It is connected to the other electrode of T52. Input electrode film 74
As shown in FIG. 8B, the insulating substrate 6 passes from the upper surface of the insulating substrate 64 to the side surfaces of the insulating substrates 62 and 64, and
2 extends to the lower surface.
【００２６】図８（ａ）に示すように、入力用の一方の
電極膜７２は、絶縁性基板６４上であって、入力用の一
方の電極膜７４方向に延在している。入力用の他方の電
極膜７４は、絶縁性基板６２と絶縁性基板６４の間にも
形成され、入力用の他方の電極膜７２方向に延在し、入
力用の一方の電極膜７２と重なり合っている。絶縁性基
板６２は誘電体であるので、入力用の導電膜７２と導電
膜７４とが重なり合う領域では、誘電体である絶縁性基
板６２を導電膜７２と導電膜７４とで挟む平行平板型コ
ンデンサの構造となる。すなわち、図８（ａ）及び
（ｃ）に示すように、パッケージ部６０内に実質的にコ
ンデンサ８８が内蔵される。As shown in FIG. 8A, the one electrode film 72 for input extends on the insulating substrate 64 in the direction of the one electrode film 74 for input. The other input electrode film 74 is also formed between the insulating substrate 62 and the insulating substrate 64, extends in the direction of the other input electrode film 72, and overlaps with the one input electrode film 72. ing. Since the insulating substrate 62 is a dielectric, a parallel plate capacitor in which the insulating substrate 62, which is a dielectric, is sandwiched between the conductive film 72 and the conductive film 74 in a region where the conductive film 72 for input and the conductive film 74 overlap each other. It becomes the structure of. That is, as shown in FIGS. 8A and 8C, the capacitor 88 is substantially built in the package unit 60.
【００２７】出力用の電極膜７６は、出力用のＩＤＴ５
４の一方の電極に接続される。出力用の導電膜７６は、
絶縁性基板６４の上面から、絶縁性基板６２、６４の側
面を通り、絶縁性基板６２の下面まで延在している。入
力用のＩＤＴ５２の電極パッド５２ａと入力用の導電膜
７２はボンディングワイヤ７８により接続され、電極パ
ッド５２ｂと入力用の導電膜７４はボンディングワイヤ
８０により接続されている。出力用のＩＤＴ５４の電極
パッド５４ａと出力用の導電膜７６はボンディングワイ
ヤ８２により接続され、電極パッド５４ｂと接地用の導
電膜７０はボンディングワイヤ８４により接続されてい
る。The output electrode film 76 is formed of the output IDT 5
4 is connected to one electrode. The conductive film 76 for output is
It extends from the upper surface of the insulating substrate 64 through the side surfaces of the insulating substrates 62 and 64 to the lower surface of the insulating substrate 62. The electrode pad 52a of the input IDT 52 and the conductive film 72 for input are connected by a bonding wire 78, and the electrode pad 52b and the conductive film 74 for input are connected by a bonding wire 80. The electrode pad 54a of the output IDT 54 and the conductive film 76 for output are connected by a bonding wire 82, and the electrode pad 54b and the conductive film 70 for grounding are connected by a bonding wire 84.
【００２８】このように本実施例によれば、所望の容量
値のコンデンサをパッケージ部内に内蔵することがで
き、部品点数や実装面積を増大させることなく、特性を
向上させることができる。本実施例の弾性表面波装置に
よれば、パッケージ部６０の絶縁性基板６２の底面に露
出している接地用の導電膜７０、入力用の導電膜７２、
７４、出力用の導電膜７６を、回路基板の配線上に直接
接続することにより、弾性表面波装置を表面実装技術に
より実装することができ、更に装置全体の小型化を実現
できると共に効率的な実装を行うことができる。As described above, according to this embodiment, a capacitor having a desired capacitance value can be built in the package portion, and the characteristics can be improved without increasing the number of parts or the mounting area. According to the surface acoustic wave device of this embodiment, the grounding conductive film 70, the input conductive film 72, which are exposed on the bottom surface of the insulating substrate 62 of the package portion 60,
The surface acoustic wave device can be mounted by the surface mounting technology by directly connecting the output conductive film 74 and the conductive film 76 for output on the wiring of the circuit board, and further, the size reduction of the entire device can be realized and the efficiency is improved. Can be implemented.
【００２９】本発明は上記実施例に限らず種々の変形が
可能である。例えば、上記実施例では、パッケージ部が
２層の絶縁性基板により構成されていたが、３層以上の
絶縁性基板により構成される弾性表面波装置にも、単層
の絶縁性基板により構成される弾性表面波装置にも本発
明を適用することができる。また、同一のＩＤＴの電極
間にコンデンサ部を接続しているが、異なったＩＤＴ間
にコンデンサ部を接続するようにしてもよい。The present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, the package part is composed of the two-layer insulating substrate, but the surface acoustic wave device composed of three or more layers of the insulating substrate is also composed of the single-layer insulating substrate. The present invention can be applied to a surface acoustic wave device. Further, although the capacitor section is connected between the electrodes of the same IDT, the capacitor section may be connected between different IDTs.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、パッケー
ジ部内の絶縁性基板表面に形成された第１の導電膜の一
部と第２の導電膜の一部とを絶縁性基板を挟んで対向さ
せることによりパッケージ部の一部を利用してコンデン
サ部を設けたので、設置面積を増大させることなく、コ
ンデンサ部を設けて特性を向上させることができる。As described above, according to the present invention, a part of the first conductive film and a part of the second conductive film formed on the surface of the insulating substrate in the package part sandwich the insulating substrate. Since the capacitor portion is provided by utilizing a part of the package portion by facing each other, it is possible to improve the characteristics by providing the capacitor portion without increasing the installation area.
【図１】本発明の第１の実施例による弾性表面波装置の
等価回路である。FIG. 1 is an equivalent circuit of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例による弾性表面波装置の
構造を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施例による弾性表面波装置の
構造を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施例による弾性表面波装置の
特性を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing characteristics of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
【図５】比較例による弾性表面波装置の特性を示すグラ
フである。FIG. 5 is a graph showing characteristics of a surface acoustic wave device according to a comparative example.
【図６】本発明の第２の実施例による弾性表面波装置の
等価回路である。FIG. 6 is an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第２の実施例による弾性表面波装置の
構造を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第２の実施例による弾性表面波装置の
構造を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
１０…圧電基板 １２、１４、１６…ＩＤＴ １２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂ…電極パッド ２０…パッケージ部 ２２、２４…絶縁性基板 ２６…シームリング ２８…蓋 ３０…接地用の電極膜 ３２…入力用の電極膜 ３４…出力用の電極膜 ３６、３８、４０。４２…ボンディングワイヤ ４８…コンデンサ ５０…圧電基板 ５２、５４…ＩＤＴ ５２ａ、５２ｂ、５４ａ、５４ｂ…電極パッド ６０…パッケージ部 ６２、６４…絶縁性基板 ６６…シームリング ６８…蓋 ７０…接地用の電極膜 ７２、７４…入力用の電極膜 ７６…出力用の電極膜 ７８、８０、８２、８４…ボンディングワイヤ ８８…コンデンサ 10 ... Piezoelectric substrate 12, 14, 16 ... IDT 12a, 12b, 14a, 14b ... Electrode pad 20 ... Package part 22, 24 ... Insulating substrate 26 ... Seam ring 28 ... Lid 30 ... Ground electrode film 32 ... Input Electrode film 34 ... Output electrode film 36, 38, 40. 42 ... Bonding wire 48 ... Capacitor 50 ... Piezoelectric substrate 52, 54 ... IDT 52a, 52b, 54a, 54b ... Electrode pad 60 ... Package part 62, 64 ... Insulating substrate 66 ... Seam ring 68 ... Lid 70 ... Grounding electrode film 72, 74 ... Input electrode film 76 ... Output electrode film 78, 80, 82, 84 ... Bonding wire 88 ... Capacitor
Claims (1)
圧電基板を有し、前記圧電基板がパッケージ部に収納さ
れた弾性表面波装置において、 前記パッケージ部は、 絶縁性基板と、 前記絶縁性基板表面に形成され、前記ＩＤＴの電極にそ
れぞれ接続された第１の導電膜及び第２の導電膜と、 前記第１の導電膜の一部と前記第２の導電膜の一部とが
前記絶縁性基板を挟んで対向するコンデンサ部とを有す
ることを特徴とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave device comprising a piezoelectric substrate having at least one IDT formed therein, the piezoelectric substrate being housed in a package part, wherein the package part is an insulating substrate and a surface of the insulating substrate. A first conductive film and a second conductive film, which are respectively connected to the electrodes of the IDT, and a part of the first conductive film and a part of the second conductive film have the insulating property. A surface acoustic wave device, comprising: a capacitor portion facing each other with a substrate interposed therebetween.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12260094A JPH07336183A (en) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12260094A JPH07336183A (en) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07336183A true JPH07336183A (en) | 1995-12-22 |
Family
ID=14839950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12260094A Pending JPH07336183A (en) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07336183A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0793340A2 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Saw filter encapsulated in a ceramic package with capacitance incorporated therein |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP12260094A patent/JPH07336183A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0793340A2 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Saw filter encapsulated in a ceramic package with capacitance incorporated therein |
| EP0793340A3 (en) * | 1996-02-28 | 1998-05-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Saw filter encapsulated in a ceramic package with capacitance incorporated therein |
| US5949305A (en) * | 1996-02-28 | 1999-09-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Saw filter encapsulated in a ceramic package with capacitance incorporated therein |
| EP1653613A1 (en) * | 1996-02-28 | 2006-05-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Saw filter encapsulated in a ceramic package with capacitance incorporated therein |
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