JPH07321509A - Frequency band variable filter - Google Patents

Frequency band variable filter

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JPH07321509A
JPH07321509A JP12986394A JP12986394A JPH07321509A JP H07321509 A JPH07321509 A JP H07321509A JP 12986394 A JP12986394 A JP 12986394A JP 12986394 A JP12986394 A JP 12986394A JP H07321509 A JPH07321509 A JP H07321509A
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frequency band
variable
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金見 佐々木
Katsumi Tanaka
勝己 田中
Hirotoshi Takahashi
宏寿 高橋
Kazuo Murata
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Abstract

PURPOSE:To improve the power resistance of the frequency band variable filter at a microwave band and to enhance the input/output linearity. CONSTITUTION:Two resonance circuits comprising a capacitor C1 at an input terminal 1 and a distributed constant line Z1 and a capacitor C2 at an output terminal 2 and a distributed constant line Z2 acting like parallel arms are connected by a coupling coil L4, coils L3, L5 are provided in parallel with the series resonance circuits, and a switching diode D1(D2) is provided between a midpoint of the parallel arm from a band stop filter whose attenuation pole is produced at the resonance frequency of each resonance circuit and ground via a band variable capacitor C3(C4). The frequency at the attenuation pole is varied by turning on/off the diodes D1, D2 with a control voltage VCTL applied to anodes of the diodes D1, D2 so as to connect/disconnect the capacitors C3, C4 to/from the distributed constant line.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯無線通信機
の分波器などに用いられるフィルタに関し、特に、通過
域及び阻止域を可変とする周波数帯域可変BEF(帯域
阻止ろ波器)に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a filter used in a duplexer of a microwave band radio communication device, and more particularly to a frequency band variable BEF (band stop filter) having a variable pass band and stop band. It is a thing.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、マイクロ波無線通信機に用いら
れている周波数帯域可変フィルタとして、通過帯域の中
心周波数を可変にすることができる電圧制御ろ波器があ
り、制御電圧によって帯域を可変設定できる。図1は上
記従来の周波数帯域可変フィルタの構成例であり、1は
入力端子、2は出力端子、3,4は制御電圧を与えるバ
イアス端子である。DR1 ,DR2 は誘電体共振器であ
り、C14,C15は可変周波数幅調整用コンデンサ、
1 ,X2 は可変容量ダイオード、R11,R12はバイア
ス電圧供給用抵抗、C11,C12,C13は結合用コンデン
サである。このような構成のバンドパスフィルタの通過
帯域の中心周波数は、可変容量ダイオードX1 ,X2
容量と、コンデンサC14,C15とのそれぞれの合成容
量、および誘電体共振器DR1 ,DR2 の共振周波数に
よって決まり、バイアス端子3,4に印加する電圧を変
化させて可変容量ダイオードX1 ,X2 の容量を変化さ
せることにより中心周波数を可変にすることができる。
2. Description of the Related Art For example, as a frequency band variable filter used in a microwave radio communication device, there is a voltage control filter capable of varying the center frequency of a pass band, and the band is variably set by a control voltage. it can. FIG. 1 shows a configuration example of the above conventional frequency band variable filter. Reference numeral 1 is an input terminal, 2 is an output terminal, and 3 and 4 are bias terminals for applying a control voltage. DR 1 and DR 2 are dielectric resonators, C 14 and C 15 are variable frequency width adjustment capacitors,
X 1 and X 2 are variable capacitance diodes, R 11 and R 12 are bias voltage supply resistors, and C 11 , C 12 and C 13 are coupling capacitors. The center frequency of the pass band of the band-pass filter having such a configuration is obtained by combining the capacitances of the variable capacitance diodes X 1 and X 2 with the capacitors C 14 and C 15 , and the dielectric resonators DR 1 and DR 1 . The center frequency can be made variable by changing the voltage applied to the bias terminals 3 and 4 and changing the capacitance of the variable capacitance diodes X 1 and X 2 depending on the resonance frequency of 2 .

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来回路
における可変容量ダイオードは、耐電力性が低く、ま
た、C−V特性といわれる逆電圧対端子間容量特性がも
つ非線系性のため入出力の直線性が得られないという欠
点がある。このため、可変容量ダイオードを用いたフィ
ルタは、主に取り扱う電力が小さい受信機にしか用いら
れず、送信機に用いられることはなかった。近年、小形
化のために、一つののフィルタで帯域周波数の異なる複
数の特性が得られる周波数帯域可変フィルタの要求が強
く、送信機においても例外ではなく、これを実現する方
法が求められている。
However, the variable-capacitance diode in the above-mentioned conventional circuit has a low power withstanding property and has a non-linearity which is a reverse voltage-terminal capacitance characteristic called CV characteristic. There is a drawback that output linearity cannot be obtained. For this reason, the filter using the variable capacitance diode is mainly used only for a receiver that handles a small amount of power and has not been used for a transmitter. In recent years, for downsizing, there is a strong demand for frequency band variable filters that can obtain multiple characteristics with different band frequencies with one filter, and transmitters are no exception and there is a need for a method to realize this. .

【0004】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決し、耐電力性を向上させ、入出力直線性に優れた周
波数帯域可変フィルタを提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to provide a frequency band variable filter having improved power durability and excellent input / output linearity.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
した周波数帯域可変フィルタは、第1の実施例と第2の
実施例を包含するものであり、入力端子側の第1のコン
デンサと第1の分布定数線路からなる第1の直列共振回
路と、出力端子側の第2のコンデンサと第2の分布定数
線路からなる第2の直列共振回路とがそれぞれ並列アー
ムとして結合用コイルで接続され、前記第1及び第2の
直列共振回路と並列に第3及び第4のコイルがそれぞれ
接続され、前記第1の直列共振回路の共振周波数と前記
第2の直列共振回路の共振周波数とが相異なる減衰極と
なって阻止域を形成するローパス形フィルタにおいて、
前記第1及び第2のコンデンサと前記第1及び第2の分
布定数線路との接続点に一端が接続された帯域可変用の
第3のコンデンサ及び第4のコンデンサと、該第3のコ
ンデンサ及び第4のコンデンサの他端と接地間に接続さ
れた第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素
子とを備え、外部から該第1のスイッチング素子及び第
2のスイッチング素子に制御電圧を与えて前記他端と接
地間をオン/オフすることにより前記阻止域を変えるよ
うに構成したことを特徴とするものである。
A variable frequency band filter according to claim 1 of the present invention includes the first embodiment and the second embodiment, and a first capacitor on the input terminal side. And a first series resonant circuit composed of the first distributed constant line and a second capacitor on the output terminal side and a second series resonant circuit composed of the second distributed constant line are parallel arms serving as a coupling coil. Third and fourth coils connected in parallel with the first and second series resonance circuits, respectively, and having a resonance frequency of the first series resonance circuit and a resonance frequency of the second series resonance circuit. In a low-pass filter in which the different attenuation poles form a stopband,
Band-tuning third and fourth capacitors having one end connected to a connection point between the first and second capacitors and the first and second distributed constant lines, and the third capacitor and A first switching element and a second switching element connected between the other end of the fourth capacitor and the ground, and a control voltage is applied to the first switching element and the second switching element from the outside, The blocking area is changed by turning on / off between the other end and the ground.

【0006】本発明の請求項2に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第1の実施例を示すものであり、前記第
1の分布定数線路及び第2の分布定数線路は、誘電体同
軸共振器であることを特徴とするものである。
A frequency band variable filter according to a second aspect of the present invention is a first embodiment, wherein the first distributed constant line and the second distributed constant line are dielectric coaxial resonators. It is characterized by being.

【0007】本発明の請求項3に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第1の実施例を示すものであり、前記第
1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子はス
イッチングダイオードであることを特徴とするものであ
る。
A variable frequency band filter according to a third aspect of the present invention is a filter according to the first embodiment, wherein the first switching element and the second switching element are switching diodes. To do.

【0008】本発明の請求項4に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第2の実施例を示すものであり、前記第
1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子はガ
リウム砒素FETであることを特徴とするものである。
A variable frequency band filter according to a fourth aspect of the present invention shows a second embodiment, wherein the first switching element and the second switching element are gallium arsenide FETs. It is what

【0009】本発明の請求項5に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第3の実施例を示すものであり、請求項
1記載の第1のダイオード及び第2のダイオードは、そ
れぞれ2つのダイオードで構成され、該2つのアノード
同志が接続され、カソードは前記第3のコンデンサ及び
第4のコンデンサの他端と接地とにそれぞれ接続され、
前記アノード同志の接続点に前記制御電圧が与えられる
ように構成されたことを特徴とする のである。
A variable frequency band filter according to a fifth aspect of the present invention shows a third embodiment, and the first diode and the second diode according to the first aspect are two diodes each. The two anodes are connected to each other, and the cathodes are connected to the other ends of the third capacitor and the fourth capacitor and the ground, respectively.
The control voltage is applied to the connection point between the anodes.

【0010】本発明の請求項6に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第4の実施例、及び第4の実施例と第2
の実施例とを組み合わせたものを包含するものであり、
入力端子側の第1のコンデンサと第1の分布定数線路か
らなる第1の直列共振回路と、出力端子側の第2のコン
デンサと第2の分布定数線路からなる第2の直列共振回
路とがそれぞれ並列アームとして結合用コイルで接続さ
れ、前記第1及び第2の直列共振回路と並列に第3及び
第4のコイルがそれぞれ接続され、前記第1の直列共振
回路の共振周波数と前記第2の直列共振回路の共振周波
数とが相異なる減衰極となって阻止域を形成するローパ
ス形フィルタにおいて、前記第1及び第2のコンデンサ
と前記第1及び第2の分布定数線路との接続点に一端が
接続された帯域可変用の第3のコンデンサと第5のコン
デンサ、及び第4のコンデンサと第6のコンデンサと、
該第3と第5のコンデンサの他端、及び第4と第6のコ
ンデンサの他端と接地間にそれぞれ接続された第1と第
3のスイッチング素子、及び第2と第4のスイッチング
素子とを備え、外部から該第1と第3のスイッチング素
子、及び第2と第4のスイッチング素子に制御電圧を与
えて前記他端と接地間をオン/オフすることにより前記
阻止域を変えるように構成したことを特徴とするもので
ある。
The frequency band variable filter according to claim 6 of the present invention is the fourth embodiment, and the fourth embodiment and the second embodiment.
Which includes a combination of the examples of
A first series resonant circuit composed of a first capacitor on the input terminal side and a first distributed constant line, and a second series resonant circuit composed of a second capacitor on the output terminal side and a second distributed constant line are provided. Each of the parallel arms is connected by a coupling coil, the third and fourth coils are respectively connected in parallel with the first and second series resonant circuits, and the resonance frequency of the first series resonant circuit and the second In a low-pass filter in which the resonance frequencies of the series resonance circuits become different attenuation poles to form a stop band, at the connection point between the first and second capacitors and the first and second distributed constant lines. A band-variable third capacitor and a fifth capacitor, one end of which is connected, and a fourth capacitor and a sixth capacitor,
First and third switching elements, and second and fourth switching elements respectively connected between the other ends of the third and fifth capacitors and the other ends of the fourth and sixth capacitors and ground And changing the stop band by externally applying a control voltage to the first and third switching elements and the second and fourth switching elements to turn on / off between the other end and ground. It is characterized by being configured.

【0011】本発明の請求項7に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第4の実施例を示すものであり、請求項
6記載の第1と第3のスイッチング素子、及び第2と第
4のスイッチング素子はスイッチングダイオードである
とを特徴とするものである。
A variable frequency band filter according to a seventh aspect of the present invention represents a fourth embodiment, and the first and third switching elements, and the second and fourth switching elements according to the sixth aspect. The switching element is characterized by being a switching diode.

【0012】本発明の請求項8に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第4の実施例と第2の実施例とを組み合
わせたものをであり、請求項6記載の第1と第3のスイ
ッチング素子、及び第2と第4のスイッチング素子はガ
リウム砒素FETであることを特徴とするものである。
The variable frequency band filter according to claim 8 of the present invention is a combination of the fourth embodiment and the second embodiment, and the first and third switching according to the sixth embodiment. The element and the second and fourth switching elements are gallium arsenide FETs.

【0013】本発明の請求項9に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第5の実施例、及び第5の実施例と第2
の実施例とを組み合わせたものを包含するものであり、
入力端子側の第1のコンデンサと第1の分布定数線路か
らなる第1の直列共振回路と、出力端子側の第2のコン
デンサと第2の分布定数線路からなる第2の直列共振回
路とがそれぞれ並列アームとして結合用コンデンサで接
続され、前記第1及び第2の直列共振回路と並列に第3
及び第4のコンデンサがそれぞれ接続され、前記第1の
直列共振回路の共振周波数と前記第2の直列共振回路の
共振周波数とが相異なる減衰極となって阻止域を形成す
るハイパス形フィルタにおいて、前記第1及び第2のコ
ンデンサと前記第1及び第2の分布定数線路との接続点
に一端が接続された帯域可変用の第5のコンデンサ及び
第6のコンデンサと、該第5のコンデンサ及び第6のコ
ンデンサの他端と接地間に接続された第1のスイッチン
グ素子及び第2のスイッチング素子とを備え、外部から
該第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子
に制御電圧を与えて前記他端と接地間をオン/オフする
ことにより前記阻止域を変えるように構成したことを特
徴とするものである。
The variable frequency band filter according to claim 9 of the present invention is the fifth embodiment, and the fifth embodiment and the second embodiment.
Which includes a combination of the examples of
A first series resonant circuit composed of a first capacitor on the input terminal side and a first distributed constant line, and a second series resonant circuit composed of a second capacitor on the output terminal side and a second distributed constant line are provided. Each of them is connected as a parallel arm by a coupling capacitor, and is connected in parallel with the first and second series resonance circuits to a third arm.
And a fourth capacitor are respectively connected, and a resonance frequency of the first series resonant circuit and a resonance frequency of the second series resonant circuit serve as different attenuation poles to form a stop band, A fifth capacitor and a sixth capacitor for variable bandwidth, one ends of which are connected to a connection point between the first and second capacitors and the first and second distributed constant lines, and the fifth capacitor and A first switching element and a second switching element connected between the other end of the sixth capacitor and the ground, and applying a control voltage to the first switching element and the second switching element from the outside, The blocking area is changed by turning on / off between the other end and the ground.

【0014】本発明の請求項10に記載した周波数帯域
可変フィルタは、第4の実施例を示すものであり、請求
項9記載の第1の分布定数線路及び第2の分布定数線路
は、誘電体同軸共振器であることを特徴とするものであ
る。
A variable frequency band filter according to a tenth aspect of the present invention represents a fourth embodiment, and the first distributed constant line and the second distributed constant line according to the ninth aspect are dielectric capacitors. It is a body coaxial resonator.

【0015】本発明の請求項11に記載した周波数帯域
可変フィルタは、第4の実施例を示すものであり、請求
項9記載の第1のスイッチング素子及び第2のスイッチ
ング素子はスイッチングダイオードであることを特徴と
するものである。
The frequency band variable filter according to claim 11 of the present invention shows a fourth embodiment, and the first switching element and the second switching element according to claim 9 are switching diodes. It is characterized by that.

【0016】本発明の請求項12に記載した周波数帯域
可変フィルタは、第4の実施例、及び第4の実施例と第
2の実施例とを組み合わせたものを包含するものであ
り、請求項9記載の第1のスイッチング素子及び第2の
スイッチング素子はガリウム砒素FETであることを特
徴とするものである。
A frequency band variable filter according to a twelfth aspect of the present invention includes the fourth embodiment and a combination of the fourth embodiment and the second embodiment. The first switching element and the second switching element described in 9 are gallium arsenide FETs.

【0017】本発明の請求項13に記載した周波数帯域
可変フィルタは、第4の実施例と第3の実施例とを組み
合わせたものであり、請求項9記載の第1のダイオード
及び第2のダイオードは、それぞれ2つのダイオードで
構成され、該2つのアノード同志が接続され、カソード
は前記第5のコンデンサ及び第6のコンデンサの他端と
接地とにそれぞれ接続され、前記アノード同志の接続点
に前記制御電圧が与えられるように構成されたことを特
徴とするものである。
A frequency band variable filter according to a thirteenth aspect of the present invention is a combination of the fourth and third embodiments, and the first diode and the second diode according to the ninth aspect. Each of the diodes is composed of two diodes, the two anodes are connected to each other, and the cathodes are connected to the other ends of the fifth capacitor and the sixth capacitor and the ground, respectively, and to the connection point of the anodes. It is characterized in that the control voltage is applied.

【0018】[0018]

【実施例】本発明の構成及び作用について述べる。図2
は本発明の第1の実施例を示す構成図である。その減衰
特性は図3(A)のようにローパス形ノッチフィルタ特
性となる。Z1 ,Z2 は特性インピーダンスを有する分
布定数線路である。高誘電体材料により構成された同軸
共振器でもよい。C1 ,C2 は阻止域減衰量の大きさを
決める結合コンデンサである。C3,C4 は2つの減衰
極周波数をそれぞれ変更するためのコンデンサであり、
分布定数線路Z1 ,Z2 による誘導性リアクタンスを変
える働きをする。D1 ,D2はスイッチングダイオード
である。バイアス端子に印加する制御電圧VCTL として
正の電圧を与えると、抵抗R1 ,R2 により電流が制限
されるが、ダイオードD1 ,D2 はオン状態となる。こ
れにより、コンデンサC3 ,C4 はダイオードD1 ,D
2 を経て接地され、2つの減衰極周波数は共に低くな
る。また、制御電圧VCTL として負の電圧を与えると、
ダイオードD1 ,D2 はオフ状態になり、コンデンサC
3 ,C4 は開放状態となり、2つの減衰極周波数は共に
高くなる。このとき、ダイオードD1 ,D2 は小さな静
電容量をもち、コンデンサC3 ,C4 による周波数可変
効果が十分できないときがある。そのときは、この容量
によるリアクタンスを打ち消すような値の誘導性リアク
タンス値をもつインダクタンス値になるようにチョーク
コイルL1 ,L2 を設定すればよい。以上のように、本
実施例では、1つのフィルタにより、2つの相異なる周
波数帯域特性を得ることができる。
EXAMPLE The configuration and operation of the present invention will be described. Figure 2
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention. The attenuation characteristic is a low-pass type notch filter characteristic as shown in FIG. Z 1 and Z 2 are distributed constant lines having characteristic impedance. A coaxial resonator made of a high dielectric material may be used. C 1 and C 2 are coupling capacitors that determine the amount of stopband attenuation. C 3 and C 4 are capacitors for changing the two attenuation pole frequencies,
The distributed constant lines Z 1 and Z 2 function to change the inductive reactance. D 1 and D 2 are switching diodes. When a positive voltage is applied as the control voltage V CTL applied to the bias terminal, the current is limited by the resistors R 1 and R 2, but the diodes D 1 and D 2 are turned on. As a result, the capacitors C 3 and C 4 are connected to the diodes D 1 and D 4.
After two grounded, two attenuation pole frequency is both low. If a negative voltage is applied as the control voltage V CTL ,
The diodes D 1 and D 2 are turned off, and the capacitor C
3 and C 4 are in an open state, and the two attenuation pole frequencies are both high. At this time, the diodes D 1 and D 2 have a small capacitance, and the frequency varying effect of the capacitors C 3 and C 4 may not be sufficient. In that case, the choke coils L 1 and L 2 may be set so that the inductance value has an inductive reactance value that cancels the reactance due to this capacitance. As described above, in this embodiment, two different frequency band characteristics can be obtained with one filter.

【0019】本実施例においては、そのフィルタの最大
入力電力は、ダイオードD1 ,D2がオンの時は、ダイ
オードの直列抵抗による発熱で決まり、ダイオード
1 ,D2 がオフの時は、ダイオードの両端に印加され
る高周波電圧によってダイオードがオン状態にならない
ような制御電圧VCTL が設定される。この値はダイオー
ドの逆バイアス電圧によって決定される。上記本発明の
構成によれば、図1の従来回路のように、可変容量ダイ
オードのC−V特性の非線系性によって制約を受けない
ため、本発明は比較にならないほどの大きな電力を取り
扱うことができる。
In this embodiment, the maximum input power of the filter is determined by the heat generated by the series resistance of the diodes when the diodes D 1 and D 2 are on, and the maximum input power when the diodes D 1 and D 2 are off. The control voltage V CTL is set so that the diode is not turned on by the high frequency voltage applied across the diode. This value is determined by the reverse bias voltage of the diode. According to the configuration of the present invention described above, unlike the conventional circuit of FIG. 1, the present invention handles a large amount of power that cannot be compared because it is not restricted by the non-linearity of the CV characteristic of the variable capacitance diode. be able to.

【0020】図4は本発明の第2の実施例を示す構成図
である。この例は、図2の第1の実施例のスイッチ素子
としてFETQ1 ,Q2 を使った例である。FET
1 ,Q2 はダイオードのようにオンの時に電流を必要
としないため、低消費電力化に優れている。現在、Ga
As(ガリウム砒素)FETを用いると、1GHzでオ
ンの時の抵抗値が0.6Ω、オフのときの容量が1.1
pFであり、高周波スイッチングダイオードと同様の性
能のものを容易に入手することができる。低消費電力が
要求される携帯電話などの端末機へのフィルタとして有
用である。
FIG. 4 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. This example is an example in which FETs Q 1 and Q 2 are used as the switching elements of the first embodiment of FIG. FET
Unlike the diodes, Q 1 and Q 2 do not require a current when they are turned on, and thus are excellent in low power consumption. Currently Ga
When an As (gallium arsenide) FET is used, the resistance value is 0.6Ω when turned on at 1 GHz, and the capacitance when turned off is 1.1.
pF, which has the same performance as the high frequency switching diode, can be easily obtained. It is useful as a filter for terminals such as mobile phones that require low power consumption.

【0021】図5は、本発明の第3の実施例を示す構成
図であり、図2の第1の実施例を発展させ、さらに耐電
力性を向上させた回路である。図2の例では、入力電力
印加の直線性は、ダイオードの消費電力が小さいため、
オフの時の逆バイアス電圧値で決定されることがほとん
どである。これをさらに向上させるためには、制御電圧
CTL を高く設定すればよいわけであるが、小形の装置
ではむやみに高電圧を作ることができない。そこで、ダ
イオードD1 〜D4 を図5の第3の実施例のように接続
すると、同じVCTL で2倍のVCTL が与えられているの
と同様の効果がある。実際に本実施例を作る場合は、ダ
イオードD1 ,D2 が図のように接続されている3端子
SMD(面実装形)パッケージのダイオードが市販され
ているので容易に実現することができる。
FIG. 5 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention, which is a circuit obtained by developing the first embodiment of FIG. 2 and further improving the power resistance. In the example of FIG. 2, the linearity of the input power application is that the power consumption of the diode is small,
In most cases, it is determined by the reverse bias voltage value when it is off. To further improve this, the control voltage V CTL may be set high, but a small device cannot unnecessarily produce a high voltage. Therefore, connecting the diodes D 1 to D 4 as in the third embodiment of FIG. 5, the same effect as double V CTL same V CTL are given. In the case where this embodiment is actually manufactured, a diode of a three-terminal SMD (surface mount type) package in which the diodes D 1 and D 2 are connected as shown in the figure is commercially available, and therefore it can be easily realized.

【0022】図6は、本発明の第4の実施例を示す構成
図であり、図2の第1の実施例を発展させ、その可変帯
域の種類を2から4にした回路である。制御電圧
CTL1,VCTL2のオン/オフの組合せで、1つのフィル
タで4つの周波数帯域を可変設定できるフィルタを実現
することができる。
FIG. 6 is a block diagram showing a fourth embodiment of the present invention, which is a circuit in which the type of the variable band is changed from 2 to 4 by developing the first embodiment of FIG. A filter that can variably set four frequency bands with one filter can be realized by a combination of ON / OFF of the control voltages V CTL1 and V CTL2 .

【0023】図7は、この第4の実施例の特性例図であ
り、(A)は伝送特性例、(B)は反射特性例を示す。
分布定数線路Z1 ,Z2 としては、比誘電率が90の同
軸共振器を用い、コンデンサの容量値はそれぞれ,C3
=0.45pF、C7 =0.8pF、C4 =0.45p
F、C8 =0.85pF、C1 ,C2 =2.5pFで構
成され、ダイオードD1 〜D4は、帯域切換用スイッチ
ングダイオード(オン抵抗=0.5Ω,オフ容量=1p
F)を用いた。本例において、ダイオードが全てオンの
時ダイオードの順方向電流2mAにおいて、+35dB
m入力においても飽和することがなかった。また、ダイ
オードが全てオフの時は、逆バイアス電圧−20Vにお
いて、入力が+32dBmで飽和が始まった。さらに、
図5のようなダイオード接続にしたときは、同じ逆バイ
アス値で、入力が+40dBmで飽和が始まり、図5の
回路でも効用が確認された。
FIG. 7 is a characteristic example diagram of the fourth embodiment, (A) shows a transmission characteristic example, and (B) shows a reflection characteristic example.
Coaxial resonators having a relative permittivity of 90 are used as the distributed constant lines Z 1 and Z 2 , and the capacitance values of the capacitors are C 3 and
= 0.45pF, C 7 = 0.8pF, C 4 = 0.45p
F, C 8 = 0.85 pF, C 1 and C 2 = 2.5 pF, and the diodes D 1 to D 4 are band switching switching diodes (ON resistance = 0.5Ω, OFF capacitance = 1 p).
F) was used. In this example, when all the diodes are on, +35 dB at the diode forward current of 2 mA.
There was no saturation even at m inputs. When all the diodes were off, saturation started at +32 dBm at the input at a reverse bias voltage of -20V. further,
When the diode connection as shown in FIG. 5 was made, with the same reverse bias value, the saturation started at the input of +40 dBm, and the utility was confirmed in the circuit of FIG.

【0024】図8は、本発明の第5の実施例を示す構成
図であり、図3(B)に示すようなハイパスノッチ形フ
ィルタの特性を実現した例である。C22では、2つの直
列共振回路を接続する結合コンデンサであり、コンデン
サC21,C23は、第2の直列共振回路のコンデンサ
1 ,C3 ,分布定数線路Z1 、及び第2の共振回路の
コンデンサC2 ,C4 ,分布定数線路Z2 により、誘導
性リアクタンスとなる通過域で反共振させるようにその
値が選択される。作用は図2の第1の実施例と同様であ
り、図4〜図6に対応する変形も同様である。
FIG. 8 is a block diagram showing a fifth embodiment of the present invention, which is an example in which the characteristics of the high-pass notch filter as shown in FIG. 3B are realized. C 22 is a coupling capacitor that connects two series resonance circuits, and the capacitors C 21 and C 23 are the capacitors C 1 and C 3 of the second series resonance circuit, the distributed constant line Z 1 , and the second resonance circuit. The values are selected by the capacitors C 2 and C 4 and the distributed constant line Z 2 of the circuit so as to cause antiresonance in the pass band that is inductive reactance. The operation is the same as that of the first embodiment of FIG. 2, and the modifications corresponding to FIGS. 4 to 6 are also the same.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明を実施することにより、次の効果
が得られる。 (1)従来例で得られない耐電力性に優れた可変フィル
タが実現できる。 (2)このため、高電力を扱う送信機用のフィルタとし
て利用可能となった。
The following effects can be obtained by implementing the present invention. (1) It is possible to realize a variable filter having excellent power resistance that cannot be obtained in the conventional example. (2) Therefore, it can be used as a filter for a transmitter that handles high power.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来の回路構成例図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a conventional circuit configuration example.

【図2】本発明の第1の実施例を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の対象とするフィルタ特性説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a filter characteristic which is a target of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施例を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4の実施例を示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図7】図6の特性例図である。7 is a characteristic example diagram of FIG.

【図8】本発明の第5の実施例を示す構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力端子 2 出力端子 3,4 バイアス端子 C1 ,C2 共振用コンデンサ C3 ,C4 ,C7 ,C8 帯域可変用コンデンサ C5 ,C6 ,C9 ,C10 コンデンサ L1 ,L2 ,L3 ,L5 ,L6 ,L7 コイル L4 結合用コイル Z1 ,Z2 分布定数線路 D1 ,D2 ,D3 ,D4 スイッチングダイオード VCTL 制御電圧 R1 ,R2 ,R3 ,R4 制御電圧供給用抵抗 Q1 ,Q2 FET C22 結合コンデンサ C21,C23 コンデンサ DR1 ,DR2 誘電体共振器 X1 ,X2 可変容量ダイオード C14,C15 周波数幅調整用コンデンサ C11,C12,C13 結合用コンデンサ1 Input Terminal 2 Output Terminal 3 and 4 Bias Terminals C 1 and C 2 Resonance Capacitors C 3 , C 4 , C 7 and C 8 Bandwidth Capacitors C 5 , C 6 , C 9 and C 10 Capacitors L 1 and L 2, L 3, L 5, L 6, L 7 coil L 4 coupling coil Z 1, Z 2 distributed constant lines D 1, D 2, D 3 , D 4 switching diode V CTL control voltage R 1, R 2, R 3, R 4 control voltage supply resistor Q 1, Q 2 FET C 22 coupling capacitor C 21, C 23 capacitor DR 1, DR 2 dielectric resonator X 1, X 2 variable capacitance diodes C 14, C 15 frequency width Adjustment capacitor C 11 , C 12 , C 13 coupling capacitor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 和雄 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Kazuo Murata 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Inside Kokusai Electric Co., Ltd.

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力端子側の第1のコンデンサと第1の
分布定数線路からなる第1の直列共振回路と、出力端子
側の第2のコンデンサと第2の分布定数線路からなる第
2の直列共振回路とがそれぞれ並列アームとして結合用
コイルで接続され、前記第1及び第2の直列共振回路と
並列に第3及び第4のコイルがそれぞれ接続され、前記
第1の直列共振回路の共振周波数と前記第2の直列共振
回路の共振周波数とが相異なる減衰極となって阻止域を
形成するローパス形フィルタにおいて、 前記第1及び第2のコンデンサと前記第1及び第2の分
布定数線路との接続点に一端が接続された帯域可変用の
第3のコンデンサ及び第4のコンデンサと、 該第3のコンデンサ及び第4のコンデンサの他端と接地
間に接続された第1のスイッチング素子及び第2のスイ
ッチング素子とを備え、 外部から該第1のスイッチング素子及び第2のスイッチ
ング素子に制御電圧を与えて前記他端と接地間をオン/
オフすることにより前記阻止域を変えるように構成した
ことを特徴とする周波数帯域可変フィルタ。
1. A first series resonance circuit comprising a first capacitor on the input terminal side and a first distributed constant line, and a second series resonant circuit comprising a second capacitor on the output terminal side and a second distributed constant line. A series resonance circuit is connected as a parallel arm by a coupling coil, and third and fourth coils are connected in parallel to the first and second series resonance circuits, respectively, and resonance of the first series resonance circuit is performed. A low-pass filter in which a frequency and a resonance frequency of the second series resonant circuit serve as different attenuation poles to form a stop band, wherein the first and second capacitors and the first and second distributed constant lines are provided. A third capacitor and a fourth capacitor for variable bandwidth, one end of which is connected to a connection point with the first switching element, which is connected between the other end of the third capacitor and the fourth capacitor and ground. as well as And a second switching element, given the other end and between the ground control voltage from the outside to the first switching element and second switching element ON /
A frequency band variable filter characterized in that the stop band is changed by turning it off.
【請求項2】 前記第1の分布定数線路及び第2の分布
定数線路は、誘電体同軸共振器であることを特徴とする
請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
2. The variable frequency band filter according to claim 1, wherein the first distributed constant line and the second distributed constant line are dielectric coaxial resonators.
【請求項3】 前記第1のスイッチング素子及び第2の
スイッチング素子はスイッチングダイオードであること
を特徴とする請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
3. The frequency band variable filter according to claim 1, wherein the first switching element and the second switching element are switching diodes.
【請求項4】 前記第1のスイッチング素子及び第2の
スイッチング素子はガリウム砒素FETであることを特
徴とする請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
4. The frequency band variable filter according to claim 1, wherein the first switching element and the second switching element are gallium arsenide FETs.
【請求項5】 請求項1記載の第1のダイオード及び第
2のダイオードは、それぞれ2つのダイオードで構成さ
れ、該2つのアノード同志が接続され、カソードは前記
第3のコンデンサ及び第4のコンデンサの他端と接地と
にそれぞれ接続され、前記アノード同志の接続点に前記
制御電圧が与えられるように構成されたことを特徴とす
る請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
5. The first diode and the second diode according to claim 1, each of which is composed of two diodes, the two anodes are connected to each other, and the cathodes are the third capacitor and the fourth capacitor. 2. The frequency band variable filter according to claim 1, wherein the control voltage is applied to the other end of the anode and the ground, and the control voltage is applied to the connection point of the anodes.
【請求項6】 入力端子側の第1のコンデンサと第1の
分布定数線路からなる第1の直列共振回路と、出力端子
側の第2のコンデンサと第2の分布定数線路からなる第
2の直列共振回路とがそれぞれ並列アームとして結合用
コイルで接続され、前記第1及び第2の直列共振回路と
並列に第3及び第4のコイルがそれぞれ接続され、前記
第1の直列共振回路の共振周波数と前記第2の直列共振
回路の共振周波数とが相異なる減衰極となって阻止域を
形成するローパス形フィルタにおいて、 前記第1及び第2のコンデンサと前記第1及び第2の分
布定数線路との接続点に一端が接続された帯域可変用の
第3のコンデンサと第5のコンデンサ、及び第4のコン
デンサと第6のコンデンサと、 該第3と第5のコンデンサの他端、及び第4と第6のコ
ンデンサの他端と接地間にそれぞれ接続された第1と第
3のスイッチング素子、及び第2と第4のスイッチング
素子とを備え、 外部から該第1と第3のスイッチング素子、及び第2と
第4のスイッチング素子に制御電圧を与えて前記他端と
接地間をオン/オフすることにより前記阻止域を変える
ように構成したことを特徴とする周波数帯域可変フィル
タ。
6. A first series resonance circuit composed of a first capacitor on the input terminal side and a first distributed constant line, and a second series resonant circuit composed of a second capacitor on the output terminal side and a second distributed constant line. A series resonance circuit is connected as a parallel arm by a coupling coil, and third and fourth coils are connected in parallel to the first and second series resonance circuits, respectively, and resonance of the first series resonance circuit is performed. A low-pass filter in which a frequency and a resonance frequency of the second series resonant circuit serve as different attenuation poles to form a stop band, wherein the first and second capacitors and the first and second distributed constant lines are provided. A third capacitor and a fifth capacitor for variable bandwidth, one end of which is connected to a connection point with, a fourth capacitor and a sixth capacitor, the other ends of the third and fifth capacitors, and 4th and 6th con The first and third switching elements and the second and fourth switching elements respectively connected between the other end of the sensor and the ground, and the first and third switching elements and the second and third switching elements from the outside. A variable frequency band filter configured to change the stop band by applying a control voltage to the fourth switching element to turn on / off between the other end and the ground.
【請求項7】 請求項6記載の第1と第3のスイッチン
グ素子、及び第2と第4のスイッチング素子はスイッチ
ングダイオードであることを特徴とする請求項6記載の
周波数帯域可変フィルタ。
7. The frequency band variable filter according to claim 6, wherein the first and third switching elements and the second and fourth switching elements according to claim 6 are switching diodes.
【請求項8】 請求項6記載の第1と第3のスイッチン
グ素子、及び第2と第4のスイッチング素子はガリウム
砒素FETであることを特徴とする請求項6記載の周波
数帯域可変フィルタ。
8. The variable frequency band filter according to claim 6, wherein the first and third switching elements and the second and fourth switching elements according to claim 6 are gallium arsenide FETs.
【請求項9】 入力端子側の第1のコンデンサと第1の
分布定数線路からなる第1の直列共振回路と、出力端子
側の第2のコンデンサと第2の分布定数線路からなる第
2の直列共振回路とがそれぞれ並列アームとして結合用
コンデンサで接続され、前記第1及び第2の直列共振回
路と並列に第3及び第4のコンデンサがそれぞれ接続さ
れ、前記第1の直列共振回路の共振周波数と前記第2の
直列共振回路の共振周波数とが相異なる減衰極となって
阻止域を形成するハイパス形フィルタにおいて、 前記第1及び第2のコンデンサと前記第1及び第2の分
布定数線路との接続点に一端が接続された帯域可変用の
第5のコンデンサ及び第6のコンデンサと、 該第5のコンデンサ及び第6のコンデンサの他端と接地
間に接続された第1のスイッチング素子及び第2のスイ
ッチング素子とを備え、 外部から該第1のスイッチング素子及び第2のスイッチ
ング素子に制御電圧を与えて前記他端と接地間をオン/
オフすることにより前記阻止域を変えるように構成した
ことを特徴とする周波数帯域可変フィルタ。
9. A first series resonance circuit comprising a first capacitor on the input terminal side and a first distributed constant line, and a second series resonant circuit comprising a second capacitor on the output terminal side and a second distributed constant line. A series resonance circuit is connected as a parallel arm by a coupling capacitor, a third and a fourth capacitor are connected in parallel with the first and second series resonance circuits, respectively, and resonance of the first series resonance circuit is achieved. A high-pass filter in which a frequency and a resonance frequency of the second series resonance circuit are different attenuation poles to form a stop band, wherein the first and second capacitors and the first and second distributed constant lines are provided. A band-changing fifth capacitor and a sixth capacitor, one end of which is connected to a connection point with the second switching device, and a first switching device which is connected between the other ends of the fifth capacitor and the sixth capacitor and the ground. And a child and a second switching element, given the other end and between the ground control voltage from the outside to the first switching element and second switching element ON /
A frequency band variable filter characterized in that the stop band is changed by turning it off.
【請求項10】 請求項9記載の第1の分布定数線路及
び第2の分布定数線路は、誘電体同軸共振器であること
を特徴とする請求項9記載の周波数帯域可変フィルタ。
10. The frequency band variable filter according to claim 9, wherein the first distributed constant line and the second distributed constant line according to claim 9 are dielectric coaxial resonators.
【請求項11】 請求項9記載の第1のスイッチング素
子及び第2のスイッチング素子はスイッチングダイオー
ドであることを特徴とする請求項9記載の周波数帯域可
変フィルタ。
11. The variable frequency band filter according to claim 9, wherein the first switching element and the second switching element according to claim 9 are switching diodes.
【請求項12】 請求項9記載の第1のスイッチング素
子及び第2のスイッチング素子はガリウム砒素FETで
あることを特徴とする請求項9記載の周波数帯域可変フ
ィルタ。
12. The variable frequency band filter according to claim 9, wherein the first switching element and the second switching element according to claim 9 are gallium arsenide FETs.
【請求項13】 請求項9記載の第1のダイオード及び
第2のダイオードは、それぞれ2つのダイオードで構成
され、該2つのアノード同志が接続され、カソードは前
記第5のコンデンサ及び第6のコンデンサの他端と接地
とにそれぞれ接続され、前記アノード同志の接続点に前
記制御電圧が与えられるように構成されたことを特徴と
する請求項9記載の周波数帯域可変フィルタ。
13. The first diode and the second diode according to claim 9, each of which is composed of two diodes, the two anodes are connected to each other, and the cathodes are the fifth capacitor and the sixth capacitor. 10. The frequency band variable filter according to claim 9, wherein the control voltage is applied to the other end of the anode and the ground, and the control voltage is applied to the connection point of the anodes.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0881700A1 (en) * 1997-05-30 1998-12-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric filter, dielectric duplexer and communication apparatus
US6288620B1 (en) 1998-06-02 2001-09-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna-duplexer and communication apparatus
US6307448B1 (en) 1998-08-05 2001-10-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Frequency-variable-type filter, antenna duplexer, and communication apparatus
KR100367858B1 (en) * 1999-06-02 2003-01-10 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Duplexer and communication apparatus
US6590475B2 (en) 2000-04-19 2003-07-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter, antenna duplexer, and communication apparatus incorporating the same
JP2004222290A (en) * 2003-01-13 2004-08-05 Thomson Licensing Sa Tunable and switchable bandpass filter, and receiver for modulated high frequency signal
KR100497074B1 (en) * 2001-05-30 2005-06-23 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Frequency-variable resonant circuit, frequency-variable filter, antenna duplexer, and communication apparatus
JP2008536402A (en) * 2005-04-08 2008-09-04 クゥアルコム・インコーポレイテッド Tunable duplexer with common node notch filter
WO2008108150A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable frequency band removing filter
US7583168B2 (en) 2004-10-27 2009-09-01 Ntt Docomo, Inc. Resonator
JP2015073310A (en) * 2007-06-27 2015-04-16 レゾナント インコーポレイテッド Low-loss tunable radio frequency filter
CN108288958A (en) * 2017-01-10 2018-07-17 株式会社村田制作所 low-pass filter

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027204A (en) * 1983-07-23 1985-02-12 Murata Mfg Co Ltd Oscillation circuit device
JPS6390901A (en) * 1986-10-06 1988-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Voltage control filter
JPH0216802A (en) * 1988-07-04 1990-01-19 Murata Mfg Co Ltd Band elimination filter
JPH0334723A (en) * 1989-06-30 1991-02-14 Nec Corp Gate array type semiconductor integrated circuit device
JPH04148562A (en) * 1990-10-12 1992-05-21 Kawasaki Steel Corp Integrated circuit
JPH04249401A (en) * 1991-02-05 1992-09-04 Tdk Corp High frequency filter
US5227748A (en) * 1990-08-16 1993-07-13 Technophone Limited Filter with electrically adjustable attenuation characteristic
JP3115420U (en) * 2005-08-03 2005-11-04 弘一 後藤 Segment type grinding wheel for vertical surface grinding

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027204A (en) * 1983-07-23 1985-02-12 Murata Mfg Co Ltd Oscillation circuit device
JPS6390901A (en) * 1986-10-06 1988-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Voltage control filter
JPH0216802A (en) * 1988-07-04 1990-01-19 Murata Mfg Co Ltd Band elimination filter
JPH0334723A (en) * 1989-06-30 1991-02-14 Nec Corp Gate array type semiconductor integrated circuit device
US5227748A (en) * 1990-08-16 1993-07-13 Technophone Limited Filter with electrically adjustable attenuation characteristic
JPH06343002A (en) * 1990-08-16 1994-12-13 Nokia Mobil Phones Uk Ltd Tunable band-pass filter
JPH04148562A (en) * 1990-10-12 1992-05-21 Kawasaki Steel Corp Integrated circuit
JPH04249401A (en) * 1991-02-05 1992-09-04 Tdk Corp High frequency filter
JP3115420U (en) * 2005-08-03 2005-11-04 弘一 後藤 Segment type grinding wheel for vertical surface grinding

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1324420A1 (en) * 1997-05-30 2003-07-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric filter, dielectric duplexer and communication apparatus
US6111482A (en) * 1997-05-30 2000-08-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric variable-frequency filter having a variable capacitance connected to a resonator
EP0881700A1 (en) * 1997-05-30 1998-12-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric filter, dielectric duplexer and communication apparatus
US6288620B1 (en) 1998-06-02 2001-09-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna-duplexer and communication apparatus
US6307448B1 (en) 1998-08-05 2001-10-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Frequency-variable-type filter, antenna duplexer, and communication apparatus
KR100327532B1 (en) * 1998-08-05 2002-03-14 무라타 야스타카 Frequency-variable filter, duplexer and communication apparatus
KR100367858B1 (en) * 1999-06-02 2003-01-10 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Duplexer and communication apparatus
US6590475B2 (en) 2000-04-19 2003-07-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter, antenna duplexer, and communication apparatus incorporating the same
KR100497074B1 (en) * 2001-05-30 2005-06-23 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Frequency-variable resonant circuit, frequency-variable filter, antenna duplexer, and communication apparatus
US6963258B2 (en) 2001-05-30 2005-11-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable-frequency resonator circuit, variable-frequency filter, shared-antenna device, and communication device
JP2004222290A (en) * 2003-01-13 2004-08-05 Thomson Licensing Sa Tunable and switchable bandpass filter, and receiver for modulated high frequency signal
JP4504029B2 (en) * 2003-01-13 2010-07-14 トムソン ライセンシング Tunable and switchable bandpass filter and receiver for modulated high frequency signal
US7583168B2 (en) 2004-10-27 2009-09-01 Ntt Docomo, Inc. Resonator
JP2008536402A (en) * 2005-04-08 2008-09-04 クゥアルコム・インコーポレイテッド Tunable duplexer with common node notch filter
US9647627B2 (en) 2006-11-17 2017-05-09 Resonant Inc. Low-loss tunable radio frequency filter
US9647628B2 (en) 2006-11-17 2017-05-09 Resonant Inc. Low-loss tunable radio frequency filter
US9787283B2 (en) 2006-11-17 2017-10-10 Resonant Inc. Low-loss tunable radio frequency filter
US7911294B2 (en) 2007-03-02 2011-03-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable-frequency band-elimination filter
WO2008108150A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable frequency band removing filter
JP2015073310A (en) * 2007-06-27 2015-04-16 レゾナント インコーポレイテッド Low-loss tunable radio frequency filter
CN108288958A (en) * 2017-01-10 2018-07-17 株式会社村田制作所 low-pass filter
US10044084B2 (en) 2017-01-10 2018-08-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Low pass filter
US10297892B2 (en) 2017-01-10 2019-05-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Low pass filter
CN108288958B (en) * 2017-01-10 2021-09-07 株式会社村田制作所 Low-pass filter

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