JPH07320314A - Magneto-optical recording medium - Google Patents
Magneto-optical recording mediumInfo
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- JPH07320314A JPH07320314A JP10994394A JP10994394A JPH07320314A JP H07320314 A JPH07320314 A JP H07320314A JP 10994394 A JP10994394 A JP 10994394A JP 10994394 A JP10994394 A JP 10994394A JP H07320314 A JPH07320314 A JP H07320314A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディス
ク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium such as a magneto-optical disk, a magneto-optical tape, a magneto-optical card and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】磁性体からなる垂直磁化膜が情報の記録
層として基板上に設けられた光磁気ディスクでは、以下
の方法で情報の記録・再生が行われる。記録の際には、
まず、強力な外部磁場によって記録層の磁化の方向を一
方向(上向き、または下向き)に揃えて初期化した後、
記録したいエリアにレーザ光を照射し、照射部分の温度
を記録層のキュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以
上の温度まで昇温させる。これにより、その部分の保磁
力をゼロ、または、ほとんどゼロとした上で、初期化時
とは逆向きの外部磁場(バイアス磁場)を印加して磁化
の向きを反転させる。レーザ光の照射を止めると記録層
の温度は常温に戻るので、反転した磁化が固定される。
このようにして、情報が熱磁気的に記録される。2. Description of the Related Art In a magneto-optical disk in which a perpendicularly magnetized film made of a magnetic material is provided on a substrate as an information recording layer, information is recorded / reproduced by the following method. When recording,
First, after a strong external magnetic field aligns the magnetization direction of the recording layer in one direction (upward or downward) and initializes it,
The area to be recorded is irradiated with laser light to raise the temperature of the irradiated portion to a temperature near the Curie point of the recording layer or above, or above the compensation point. As a result, the coercive force at that portion is set to zero or almost zero, and then the direction of magnetization is reversed by applying an external magnetic field (bias magnetic field) in the direction opposite to that at the time of initialization. When the irradiation of the laser beam is stopped, the temperature of the recording layer returns to room temperature, so that the reversed magnetization is fixed.
In this way, information is thermomagnetically recorded.
【0003】再生の際には、直線偏光したレーザ光をデ
ィスクに照射し、その反射光や透過光の偏光面が記録層
の磁化の向きに応じて回転する現象(磁気カー効果、磁
気ファラデー効果)を利用して、光学的な情報の読み出
しが行われる。During reproduction, a linearly polarized laser beam is applied to the disk, and the planes of polarization of the reflected light and the transmitted light rotate according to the direction of magnetization of the recording layer (magnetic Kerr effect, magnetic Faraday effect). ) Is used to read out optical information.
【0004】一方、上記のような光磁気記録方式で情報
の記録が行われる光磁気ディスクは、書き換え可能な大
容量記憶素子としても注目されているが、この場合に、
比較的強度の小さな初期化磁界により初期化を行った
後、記録磁界を印加しながら光強度を変調して情報の書
き換えを行い得る光磁気ディスク、いわゆる光変調オー
バーライト可能な光磁気ディスクとして、記録層を交換
結合二層膜で構成したものが従来提案されている。On the other hand, a magneto-optical disk on which information is recorded by the above-mentioned magneto-optical recording method is also attracting attention as a rewritable large-capacity storage element. In this case,
As a magneto-optical disk capable of rewriting information by modulating the light intensity while applying a recording magnetic field after performing initialization with a relatively small initializing magnetic field, a so-called optical modulation overwritable magneto-optical disk, A recording layer composed of an exchange-coupling bilayer film has been conventionally proposed.
【0005】さらに、特公平5−22303号公報に
は、初期化磁界をより小さくし、かつ、記録ビットの安
定性を向上するために、図7に示すように、第1〜第3
磁性層11・12・13の三層の磁性層を設けて構成し
た光磁気ディスクが開示されている。記録層としての第
1磁性層11、および、記録補助層としての第3磁性層
13は、それぞれ室温から各キュリー点まで垂直磁化を
示す一方、両層11・13間に設けられた中間層として
の第2磁性層12は、室温で面内磁化を示すと共に温度
の上昇に伴って垂直磁化を示す特性を備えている。ま
た、図8に示すように、第3磁性層13は、その室温で
の保磁力HL が第1磁性層11の保磁力HHよりも小さ
く、キュリー点TH は、第1磁性層11のキュリー点T
L よりも高いものが選定されている。なお、図示しては
いないが、第2磁性層12は、そのキュリー点TM が、
第1・第3磁性層11・13の各キュリー点TH ・TL
の間のものが選定されている。Further, in Japanese Patent Publication No. 5-22303, in order to make the initializing magnetic field smaller and improve the stability of the recording bit, as shown in FIG.
There is disclosed a magneto-optical disk configured by providing three magnetic layers 11, 12, and 13. The first magnetic layer 11 as a recording layer and the third magnetic layer 13 as a recording auxiliary layer each exhibit perpendicular magnetization from room temperature to each Curie point, while serving as an intermediate layer provided between both layers 11 and 13. The second magnetic layer 12 has a characteristic that it exhibits in-plane magnetization at room temperature and exhibits perpendicular magnetization as the temperature rises. Further, as shown in FIG. 8, the third magnetic layer 13 is smaller coercive force H L in the room temperature than the coercive force H H of the first magnetic layer 11, the Curie point T H is the first magnetic layer 11 Curie point T
Those higher than L are selected. Although not shown, the Curie point T M of the second magnetic layer 12 is
Curie points T H and T L of the first and third magnetic layers 11 and 13
Those between are selected.
【0006】上記構成の光磁気ディスクにおけるオーバ
ーライトの手順につき簡単に説明すると、図7に示すよ
うに、まず、室温状態で、第1・第3磁性層11・13
の各室温での保磁力HH ・HL の間の大きさの初期化磁
界Hinitが印加される。これにより、第1磁性層11は
それまでの磁化方向のまま保持され、第3磁性層13の
磁化のみが初期化磁界Hinitに沿って一方向に揃えられ
る。なお、同図において、各磁性層11〜13中の矢印
は、各磁性層11〜13における遷移金属副格子磁化の
方向を示している。The procedure of overwriting in the magneto-optical disk having the above construction will be briefly described. As shown in FIG. 7, first, at room temperature, the first and third magnetic layers 11 and 13 are first formed.
An initialization magnetic field H init having a magnitude between the coercive forces H H and H L at each room temperature is applied. As a result, the first magnetic layer 11 is maintained in the same magnetization direction as before, and only the magnetization of the third magnetic layer 13 is aligned in one direction along the initialization magnetic field H init . In the figure, the arrows in the magnetic layers 11 to 13 indicate the directions of transition metal sublattice magnetization in the magnetic layers 11 to 13.
【0007】このとき、第2磁性層12は室温で面内磁
化を示すため、第1磁性層11と第3磁性層13との磁
気的結合力(交換力)を妨げ、これにより、初期化磁界
Hin itの大きさをより小さくして、上記のように第3磁
性層13の磁化方向のみを一方向に揃えることが可能と
なっている。At this time, since the second magnetic layer 12 exhibits in-plane magnetization at room temperature, the magnetic coupling force (exchange force) between the first magnetic layer 11 and the third magnetic layer 13 is hindered, whereby the initialization is performed. By making the magnitude of the magnetic field H in it smaller, it is possible to align only the magnetization direction of the third magnetic layer 13 in one direction as described above.
【0008】次いで、初期化磁界Hinitよりも小さく、
かつ、方向が反対の記録磁界Hw を印加しながら、記録
しようとする情報に応じて高レベルIと低レベルIIに強
度変調されたレーザ光が照射される。Next, smaller than the initializing magnetic field H init ,
At the same time, while applying the recording magnetic field H w in the opposite direction, the laser light intensity-modulated to the high level I and the low level II is irradiated according to the information to be recorded.
【0009】高レベルIのレーザ光が照射されると、照
射部分は、第1・第2磁性層11・12のキュリー点T
L ・TM を超え、第3磁性層13のキュリー点TH 付近
となる温度まで上昇する。これにより、第3磁性層13
の磁化は、記録磁界Hw に沿って反転し、そして、室温
へと降温する過程で、垂直磁化を示す第2磁性層12
に、第3磁性層13の磁化方向が界面に作用する交換力
により転写され、さらに第1磁性層11に転写される。When the laser beam of high level I is irradiated, the irradiated portion is at the Curie point T of the first and second magnetic layers 11 and 12.
The temperature exceeds L · T M and rises to a temperature near the Curie point T H of the third magnetic layer 13. Thereby, the third magnetic layer 13
Magnetization is reversed along the recording magnetic field H w , and in the process of cooling to room temperature, the second magnetic layer 12 showing perpendicular magnetization.
Then, the magnetization direction of the third magnetic layer 13 is transferred by the exchange force acting on the interface, and further transferred to the first magnetic layer 11.
【0010】一方、低レベルIIのレーザ光が照射される
と、照射部分は第1磁性層11のキュリー点TL 付近の
温度までしか昇温せず、このとき、第3磁性層13は、
その保磁力が記録磁界Hw より大きいために、その磁化
方向の反転は生じず、初期化時の磁化方向で保持され
る。そして、室温へと降温する過程で、上記と同様に、
界面に作用する交換力により、第3磁性層13の磁化の
方向が、第2磁性層12を介して第1磁性層11に転写
される。On the other hand, when the low-level II laser beam is irradiated, the irradiated portion is heated only to a temperature near the Curie point T L of the first magnetic layer 11, and at this time, the third magnetic layer 13 is
Since the coercive force is larger than the recording magnetic field H w , the magnetization direction is not inverted, and the magnetization direction is maintained at the initialization. Then, in the process of cooling to room temperature, similar to the above,
Due to the exchange force acting on the interface, the magnetization direction of the third magnetic layer 13 is transferred to the first magnetic layer 11 via the second magnetic layer 12.
【0011】このような手順にて、強度変調されたレー
ザ光に応じた新たな記録情報が、第1磁性層11に書き
込まれる。なお、記録情報の再生は、上記した低レベル
IIよりもさらに小さいレベルに強度設定されたレーザ光
を照射することによって行われる。With this procedure, new recording information corresponding to the intensity-modulated laser light is written in the first magnetic layer 11. It should be noted that the reproduction of the recorded information is at the low level described above.
It is performed by irradiating a laser beam whose intensity is set to a level smaller than II.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
光磁気ディスクは、温度の上昇に伴って面内磁化から垂
直磁化を示す第2磁性層12のキュリー点TM と、第1
・第3磁性層11・13の各キュリー点TH ・TL と
が、TL <TM <TH となる関係を有するように構成さ
れているために、TM をTH に近づけて構成した場合、
円滑な光変調オーバーライトができなくなるという問題
を有している。However, in the above-described magneto-optical disk, the Curie point T M of the second magnetic layer 12 showing in-plane magnetization to perpendicular magnetization as the temperature rises, and the first
Since the Curie points T H and T L of the third magnetic layers 11 and 13 have a relation of T L <T M <T H , T M should be close to T H. If configured,
There is a problem that smooth light modulation overwrite cannot be performed.
【0013】つまり、再生時に直線偏光したレーザ光を
照射した場合のカー回転角等がより大きくなるようにし
て再生信号特性を向上するためには、第1磁性層11と
してそのキュリー点TL の高いものを選定することが有
効である。このとき、上記の関係を満足するような第2
磁性層12を選定すると、そのキュリー点TM が第3磁
性層13のキュリー点TH に近づいたものとなる。実
際、上記公報記載の光磁気ディスクでは、例えば第3磁
性層13のキュリー点TH =180℃に対し、第2磁性
層12のキュリー点TM =170℃とした構成が例示さ
れている(特公平5−22303号公報第9欄第42行
〜第10欄第12行参照)。That is, in order to improve the reproduction signal characteristics by increasing the Kerr rotation angle and the like when the linearly polarized laser light is irradiated during reproduction, the Curie point T L of the first magnetic layer 11 is set so as to improve the reproduction signal characteristics. It is effective to select the higher one. At this time, the second that satisfies the above relationship
When the magnetic layer 12 is selected, its Curie point T M becomes closer to the Curie point T H of the third magnetic layer 13. In fact, in the magneto-optical disk described in the above publication, for example, the Curie point T H = 180 ° C. of the third magnetic layer 13 and the Curie point T M = 170 ° C. of the second magnetic layer 12 are exemplified ( Japanese Patent Publication No. 5-22303, column 9, line 42 to column 10, line 12).
【0014】このようにTH とTM とが互いに接近して
いる構成では、TH 付近となる温度まで上昇させようと
して前記高レベルIのレーザ光を照射したときに、例え
ば雰囲気温度の変化等に応じた昇温温度のばらつきによ
り、第2磁性層12のキュリー点TM 以下の温度状態
で、第3磁性層13の磁化を記録磁界Hw に沿って反転
させることが必要な状態となる。このとき、第2磁性層
12は垂直磁化を示すので、この第2磁性層12からの
交換力が第3磁性層13に作用し、このため、第3磁性
層13における保磁力のみを見込んで設定した記録磁界
Hw では、第3磁性層13の磁化方向の反転が確実には
生じないおそれがある。この結果、上記したように、光
変調オーバーライトが円滑には行われないものとなって
しまう。In such a structure in which T H and T M are close to each other, for example, when the laser beam of the high level I is irradiated in an attempt to raise the temperature to the vicinity of T H , the ambient temperature changes, for example. Due to the variation in the temperature rise according to the above, it is necessary to reverse the magnetization of the third magnetic layer 13 along the recording magnetic field H w in the temperature state below the Curie point T M of the second magnetic layer 12. Become. At this time, since the second magnetic layer 12 exhibits perpendicular magnetization, the exchange force from the second magnetic layer 12 acts on the third magnetic layer 13, and therefore only the coercive force in the third magnetic layer 13 is expected. With the set recording magnetic field H w , the magnetization direction of the third magnetic layer 13 may not be reliably inverted. As a result, as described above, the light modulation overwrite is not smoothly performed.
【0015】本発明は、上記した従来の問題点に鑑みな
されたものであり、その目的は、光変調オーバーライト
をより円滑に行うことが可能であり、また、再生信号特
性を向上することが可能な光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to be able to perform light modulation overwrite more smoothly and to improve reproduction signal characteristics. It is to provide a possible magneto-optical recording medium.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光磁気記録媒体は、室温からキュリー点
まで垂直磁化を示す記録層と、室温からキュリー点まで
垂直磁化を示すと共に室温での保磁力が記録層よりも小
さく、また、キュリー点が記録層よりも高い記録補助層
との間に、室温側で面内磁化を示すと共に、記録補助層
よりも記録層の方が保磁力の小さい温度領域で垂直磁化
を示す特性を備え、かつ、記録層よりも低いキュリー点
を有する中間層が設けられていることを特徴としてい
る。In order to achieve the above object, the magneto-optical recording medium of the present invention has a recording layer exhibiting perpendicular magnetization from room temperature to the Curie point and a perpendicular magnetization from room temperature to the Curie point. The coercive force at room temperature is smaller than that of the recording layer, and between the recording auxiliary layer having a higher Curie point than that of the recording layer, in-plane magnetization is exhibited at the room temperature side, and the recording layer is better than the recording auxiliary layer. It is characterized in that an intermediate layer having a characteristic of exhibiting perpendicular magnetization in a temperature region having a small coercive force and having a Curie point lower than that of the recording layer is provided.
【0017】[0017]
【作用】上記構成の光磁気記録媒体においては、従来同
様の手順にて、光変調オーバーライトを行うことができ
る。すなわち、まず室温状態で、記録層と記録補助層と
の各保磁力の間の大きさの初期化磁界を印加し、記録補
助層の磁化方向のみを初期化磁界の方向に揃える。この
とき、室温側で面内磁化を示す中間層が間に設けられて
いるので、記録層と記録補助層との交換力による結合が
妨げられ、より小さな初期化磁界で上記の初期化を行わ
せることができる。In the magneto-optical recording medium having the above structure, the optical modulation overwrite can be performed by the same procedure as the conventional one. That is, first, at room temperature, an initialization magnetic field having a magnitude between the coercive forces of the recording layer and the recording auxiliary layer is applied, and only the magnetization direction of the recording auxiliary layer is aligned with the direction of the initialization magnetic field. At this time, since the intermediate layer exhibiting in-plane magnetization at the room temperature side is provided therebetween, the coupling due to the exchange force between the recording layer and the recording auxiliary layer is prevented, and the above initialization is performed with a smaller initialization magnetic field. Can be made.
【0018】次いで、記録磁界を印加しながら、強度変
調されたレーザ光を照射する。高レベルのレーザ光が照
射され、照射部が記録層のキュリー点を超えて記録補助
層近傍の温度まで昇温すると、この記録補助層の磁化方
向は記録磁界の方向に沿って反転する。その後、室温へ
と降温する過程における記録補助層よりも記録層の方が
保磁力の小さい温度領域で中間層が垂直磁化を示すの
で、この温度領域で、この中間層を介して、記録補助層
の磁化方向が界面に作用する交換力により記録層に転写
される。Next, while applying a recording magnetic field, the intensity-modulated laser beam is irradiated. When the irradiation portion is irradiated with high-level laser light and the temperature of the irradiated portion exceeds the Curie point of the recording layer to a temperature near the recording auxiliary layer, the magnetization direction of the recording auxiliary layer is reversed along the direction of the recording magnetic field. After that, since the intermediate layer exhibits perpendicular magnetization in a temperature region where the coercive force of the recording layer is smaller than that of the recording auxiliary layer in the process of lowering the temperature to room temperature, the recording auxiliary layer passes through this intermediate layer in this temperature region. Is transferred to the recording layer by the exchange force acting on the interface.
【0019】一方、低レベルのレーザ光が照射され、照
射部が記録層のキュリー点近傍の温度に昇温する場合に
は、記録補助層の磁化方向は初期化時の方向で維持され
ると共に、記録層の保磁力が低下するので、このとき
も、降温の過程で、上記同様に、記録補助層の磁化方向
が中間層を介して記録層に転写されることになる。この
ように、強度変調されたレーザ光に応じて記録層に新た
な情報の書き込みが行われる。On the other hand, when the irradiation portion is heated to a temperature near the Curie point of the recording layer by being irradiated with a low level laser beam, the magnetization direction of the recording auxiliary layer is maintained in the direction at the initialization. Since the coercive force of the recording layer is lowered, the magnetization direction of the recording auxiliary layer is also transferred to the recording layer via the intermediate layer in the process of lowering the temperature in this case as well. In this way, new information is written in the recording layer according to the intensity-modulated laser light.
【0020】そして、上記では、キュリー点が記録層よ
りも低いので、高レベルのレーザ光照射時の昇温温度に
ばらつきが生じる場合でも、中間層と記録補助層との交
換力による結合が生じることはなく、これにより、光変
調オーバーライトを安定して行わせることが可能にな
る。Further, in the above, since the Curie point is lower than that of the recording layer, even when the temperature rise during high-level laser beam irradiation varies, the coupling between the intermediate layer and the recording auxiliary layer due to the exchange force occurs. This makes it possible to stably perform the light modulation overwrite.
【0021】しかも、この場合には、中間層のキュリー
点を従来のように記録層と記録補助層との間に設定する
構成ではないので、記録層を、そのキュリー点が従来よ
りも高いもので構成することが可能となり、これによっ
て、再生時におけるレーザ光照射時のカー回転角等がよ
り大きくなるようにすることができるので、再生信号特
性の向上を図ることができる。Moreover, in this case, since the Curie point of the intermediate layer is not set between the recording layer and the recording auxiliary layer as in the conventional case, the Curie point of the recording layer is higher than that of the conventional case. It is possible to increase the Kerr rotation angle at the time of laser light irradiation at the time of reproduction and the like, thereby improving the reproduction signal characteristic.
【0022】[0022]
〔実施例1〕本発明の具体的な実施例について図1ない
し図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。[Embodiment 1] The following description will explain a specific embodiment of the present invention with reference to FIGS.
【0023】本実施例における光磁気記録媒体としての
光磁気ディスクは、図2に示すように、透光性の基板1
上に、誘電体層2と、記録層としての第1磁性層3と、
中間層としての第2磁性層4と、記録補助層としての第
3磁性層5と、保護層6と、オーバーコート層7とを順
次積層して構成されている。As shown in FIG. 2, a magneto-optical disk as a magneto-optical recording medium in this embodiment has a transparent substrate 1 as shown in FIG.
A dielectric layer 2, a first magnetic layer 3 as a recording layer, and
The second magnetic layer 4 as an intermediate layer, the third magnetic layer 5 as a recording auxiliary layer, the protective layer 6, and the overcoat layer 7 are sequentially laminated.
【0024】基板1は、例えば外径86mm、内径15
mm、厚さ1.2mmの円盤状のガラス板からなってお
り、この基板1の片側の面(図において下側の面)に
は、図示してはいないが、光ビーム案内用の凹凸状のガ
イドトラックが反応性イオンエッチング法により形成さ
れている。トラックピッチは1.6μm、グルーブ(凹
部)の幅は0.8μm、ランド(凸部)の幅は0.8μmで
ある。この基板1のガイドトラック形成面上に、膜厚8
0nmのAlNからなる透光性を有する誘電体層2が、反
応性スパッタリングにより形成されている。The substrate 1 has, for example, an outer diameter of 86 mm and an inner diameter of 15
mm, and a 1.2 mm-thick disk-shaped glass plate. One surface of the substrate 1 (the lower surface in the figure) is not shown in the figure, but is uneven for guiding a light beam. Of the guide track is formed by the reactive ion etching method. The track pitch is 1.6 μm, the width of the groove (recess) is 0.8 μm, and the width of the land (convex) is 0.8 μm. A film thickness of 8 is formed on the guide track forming surface of the substrate 1.
The transparent dielectric layer 2 made of 0 nm AlN is formed by reactive sputtering.
【0025】誘電体層2上の第1磁性層3は、希土類金
属−遷移金属合金であるDyFeCoからなっており、Dy、F
e、Coターゲットの同時スパッタリングによって膜厚5
0nmで形成されている。その組成はDy0.21(Fe0.81Co
0.19)0.79で、遷移金属リッチであり、図1に示すよう
に、後述する第3磁性層5よりも低いキュリー点T
C1(=180℃)と、室温で高い保磁力HC1(=120
0kA/m)とを有しており、室温からTC1まで垂直磁
化を示す特性を備えている。The first magnetic layer 3 on the dielectric layer 2 is composed of DyFeCo which is a rare earth metal-transition metal alloy.
Co-sputtering of e and Co targets gives a film thickness of 5
It is formed with 0 nm. Its composition is Dy 0.21 (Fe 0.81 Co
0.19 ) 0.79 , which is rich in transition metals and, as shown in FIG. 1, has a Curie point T lower than that of the third magnetic layer 5 described later.
C1 (= 180 ° C) and high coercive force at room temperature H C1 (= 120
0 kA / m), and has the characteristic of exhibiting perpendicular magnetization from room temperature to T C1 .
【0026】上記の第1磁性層3上に設けられている前
記第2磁性層4も、希土類金属−遷移金属合金であるDy
FeCoからなっており、Dy、Fe、Coターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚50nmで形成されている。その
組成はDy0.29(Fe0.80Co0.20)0.71で、希土類金属リッチ
であり、キュリー点TC2は第1磁性層3のキュリー点T
C1よりも低く、140℃である。また、室温での保磁力
HC2はほぼゼロである(ここで言う保磁力とは、基板1
に垂直方向の保磁力のことである)。室温では面内磁化
となる特性を示し、温度の上昇に伴って、約100℃で
垂直磁化となる特性を備えている。なお、図1では、こ
の面内磁化となる範囲を破線で示している。垂直磁化と
なる範囲は、実線で示すように、第3磁性層5よりも第
1磁性層1の方が保磁力の小さい温度領域となってい
る。The second magnetic layer 4 provided on the first magnetic layer 3 is also a rare earth metal-transition metal alloy Dy.
It is made of FeCo and has a film thickness of 50 nm formed by simultaneous sputtering of Dy, Fe, and Co targets. Its composition is Dy 0.29 (Fe 0.80 Co 0.20 ) 0.71 and it is rich in rare earth metals, and the Curie point T C2 is the Curie point T of the first magnetic layer 3.
It is lower than C1 and 140 ℃. Further, the coercive force H C2 at room temperature is almost zero (coercive force here means the substrate 1
Is the coercive force in the vertical direction. It exhibits in-plane magnetization at room temperature, and has perpendicular magnetization at about 100 ° C. as the temperature rises. In addition, in FIG. 1, the range of this in-plane magnetization is shown by a broken line. As shown by the solid line, the range of perpendicular magnetization is a temperature region where the coercive force of the first magnetic layer 1 is smaller than that of the third magnetic layer 5.
【0027】第2磁性層4上の前記第3磁性層5は、希
土類金属−遷移金属合金であるGdDyFeCoからなり、Gd、
Dy、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより膜厚
50nmで形成されている。その組成は(Gd0.40Dy0.60)
0.27(Fe0.70Co0.30)0.73で、希土類金属リッチである。
キュリー点TC3は、第1磁性層3のキュリー点TC1より
も高く、250℃である。また、補償温度TCOMP3 は2
00℃であり、室温での保磁力HC3は、第1磁性層3の
保磁力HC1よりも小さく、64kA/mである。この第
3磁性層は、室温からTC3まで垂直磁化を示す特性を備
えている。The third magnetic layer 5 on the second magnetic layer 4 is made of GdDyFeCo which is a rare earth metal-transition metal alloy, and Gd,
It is formed with a film thickness of 50 nm by simultaneous sputtering of Dy, Fe, and Co targets. Its composition is (Gd 0.40 Dy 0.60 ).
0.27 (Fe 0.70 Co 0.30 ) 0.73 , which is rich in rare earth metals.
The Curie point T C3 is higher than the Curie point T C1 of the first magnetic layer 3 and is 250 ° C. The compensation temperature T COMP3 is 2
The coercive force H C3 at 00 ° C. at room temperature is 64 kA / m, which is smaller than the coercive force H C1 of the first magnetic layer 3. This third magnetic layer has the property of exhibiting perpendicular magnetization from room temperature to T C3 .
【0028】上記第3磁性層5上に、AlNからなる前記
保護層6が膜厚80nmで形成されている。さらにこの
保護層6上に、アクリレート系紫外線硬化樹脂をコーテ
ィングし、紫外線照射により硬化させることによって前
記オーバーコート層7が形成されて、図2に示す断面構
造の光磁気ディスクが構成されている。The protective layer 6 made of AlN is formed on the third magnetic layer 5 to have a film thickness of 80 nm. Further, the protective layer 6 is coated with an acrylate-based ultraviolet curable resin and cured by irradiation with ultraviolet rays to form the overcoat layer 7 to form a magneto-optical disk having a sectional structure shown in FIG.
【0029】なお、第1〜第3磁性層3〜5の各成膜時
のスパッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa
以下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300Wで
ある。また、誘電体層2および保護層6の各成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以
下、N2ガス圧3.0×10-1Pa、放電電力800Wであ
る。The sputtering conditions for forming the first to third magnetic layers 3 to 5 are as follows: ultimate vacuum of 2.0 × 10 -4 Pa.
Hereafter, Ar gas pressure is 6.5 × 10 −1 Pa and discharge power is 300 W. Moreover, the sputtering conditions at the time of forming each of the dielectric layer 2 and the protective layer 6 are as follows: ultimate vacuum of 2.0 × 10 −4 Pa or less, N 2 gas pressure of 3.0 × 10 −1 Pa, and discharge power of 800 W. is there.
【0030】上記構成の光磁気ディスクを用いて情報の
記録を行う場合、図3に示すように、まず、例えば図の
ように上向きの初期化磁界Hinitが印加され、初期化が
行われる。その後、初期化磁界Hinitと同一方向で、か
つ、Hinitより充分に小さな記録磁界Hw を印加しなが
ら、図4に示すように、高レベルIと低レベルIIに強度
変調されたレーザ光を照射することによって、情報の記
録が行われる。When information is recorded using the magneto-optical disk having the above-described structure, as shown in FIG. 3, first, for example, an upward initialization magnetic field H init is applied as shown in the figure to perform initialization. After that, while applying a recording magnetic field H w in the same direction as the initializing magnetic field H init and sufficiently smaller than H init , as shown in FIG. 4, laser light intensity-modulated into a high level I and a low level II is obtained. Information is recorded by irradiating with.
【0031】このような情報記録時の各磁性層3〜5の
磁化状態の変化について、図5を参照して説明する。同
図において横軸は温度を示し、この温度が室温状態で初
期化磁界Hinitが印加されたときと、記録磁界Hw を印
加しながら高レベルIおよび低レベルIIのレーザ光が各
々照射されて温度上昇を生じたときの各磁性層3〜5の
各磁化状態の変化を示している。なお、各磁性層3〜5
はそれぞれ希土類遷移金属合金からなっており、この場
合、トータル磁化と、希土類金属副格子磁化および遷移
金属副格子磁化とのいずれかで、各磁性層3〜5の磁化
方向を示すことが可能であるが、図中、各磁性層3〜5
の矢印は、それぞれ遷移金属副格子磁化の向きを示して
いる。The change in the magnetization state of each of the magnetic layers 3 to 5 at the time of recording information will be described with reference to FIG. In the figure, the horizontal axis represents temperature. When the initialization magnetic field H init is applied at room temperature, and when the recording magnetic field H w is applied, the high-level I and low-level II laser beams are emitted. 9 shows changes in the magnetization states of the magnetic layers 3 to 5 when the temperature rises due to the increase in temperature. In addition, each magnetic layer 3-5
Are made of rare earth-transition metal alloys. In this case, the magnetization directions of the magnetic layers 3 to 5 can be indicated by either the total magnetization, the rare earth metal sublattice magnetization, or the transition metal sublattice magnetization. However, in the figure, each magnetic layer 3-5
The arrows indicate the directions of transition metal sublattice magnetization.
【0032】まず、室温状態で前記の初期化磁界Hinit
が印加されると、各磁性層3〜5の磁化方向は、図中S
1とS2との二つの安定な状態のいずれかとなる。ここ
で、初期化磁界Hinitは、第1磁性層3と第3磁性層5
との各室温での保磁力HC1(=1200kA/m)・H
C3(=64kA/m)の間の値、例えば80kA/mに
設定されている。このため、この初期化によって、第3
磁性層5の磁化だけが、初期化磁界Hinitに沿って一方
向に揃えられる。すなわち、初期化磁界Hinitが例えば
図のように上向きに印加され、第3磁性層5におけるト
ータル磁化が初期化磁界Hinitの方向に向くと、この第
3磁性層5は希土類金属リッチであるので、その遷移金
属副格子磁化の方向が、初期化磁界Hinitの方向とは逆
に下向きに揃えられる。First, the above-mentioned initialization magnetic field H init at room temperature.
Is applied, the magnetization directions of the magnetic layers 3 to 5 are S in the figure.
One of two stable states, 1 and S2. Here, the initializing magnetic field H init is equal to the first magnetic layer 3 and the third magnetic layer 5.
And coercive force H C1 (= 1200 kA / m) ・ H at each room temperature
It is set to a value between C3 (= 64 kA / m), for example, 80 kA / m. Therefore, by this initialization, the third
Only the magnetization of the magnetic layer 5 is aligned in one direction along the initialization magnetic field H init . That is, when the initializing magnetic field H init is applied upward as shown in the figure and the total magnetization in the third magnetic layer 5 is directed in the direction of the initializing magnetic field H init , the third magnetic layer 5 is rich in rare earth metal. Therefore, the direction of the transition metal sublattice magnetization is aligned downward, which is opposite to the direction of the initializing magnetic field H init .
【0033】このとき、第1磁性層3の保磁力HC1はH
initよりも充分に大きく、また、第2磁性層4は室温で
面内磁化を示すため、第3磁性層5の磁化の向きが第2
磁性層4を通して第1磁性層3に転写されることはな
く、第1磁性層3の磁化の反転は生じない。したがっ
て、この第1磁性層3の磁化方向は、それまでの記録状
態に応じた向きで維持され、この向きに応じて、上記し
たS1とS2とのいずれかの状態となる。At this time, the coercive force H C1 of the first magnetic layer 3 is H
It is sufficiently larger than init , and since the second magnetic layer 4 exhibits in-plane magnetization at room temperature, the magnetization direction of the third magnetic layer 5 is the second direction.
It is not transferred to the first magnetic layer 3 through the magnetic layer 4, and the reversal of the magnetization of the first magnetic layer 3 does not occur. Therefore, the magnetization direction of the first magnetic layer 3 is maintained in the direction corresponding to the recording state up to that point, and depending on this direction, the state is either S1 or S2.
【0034】なお、このような初期化は、記録再生装置
に永久磁石を組み込んでこの磁石により初期化磁界H
initを印加する構成では、光磁気ディスクの回転駆動中
に常時行われることになる。また、例えば電磁石で初期
化磁界Hinitを印加するようにした装置では、記録時に
のみ行われるように構成される。For such initialization, a permanent magnet is incorporated in the recording / reproducing apparatus, and the initialization magnetic field H is generated by this magnet.
With the configuration in which init is applied, it is always performed during rotational driving of the magneto-optical disk. Further, for example, an apparatus in which the initialization magnetic field Hinit is applied by an electromagnet is configured to be performed only during recording.
【0035】上記のように初期化を行った後、前記した
ように、記録磁界Hw (例えば16kA/m)を印加し
ながら、新たに記録しようとする情報に応じて、高レベ
ルIと低レベルIIに強度変調されたレーザ光が照射され
る。After the initialization as described above, as described above, while applying the recording magnetic field H w (for example, 16 kA / m), the high level I and the low level I are set according to the information to be newly recorded. The intensity-modulated laser light is emitted to level II.
【0036】高レベルIのレーザ光は、これが照射され
た領域を、第1・第2磁性層3・4の各キュリー点Tc1
・Tc2を超え、さらに、第3磁性層5のキュリー点Tc3
(=250℃)付近、またはそれ以上の高温まで昇温さ
せるようなレーザパワーに設定されている。一方、低レ
ベルIIのレーザ光は、その照射領域を、第2磁性層4の
キュリー点Tc2を超え、第1磁性層3のキュリー点Tc1
(=180℃)近傍まで昇温させるようなレーザパワー
に設定されている。The high-level I laser beam irradiates the area irradiated with the laser beam at each Curie point Tc 1 of the first and second magnetic layers 3 and 4.
・ Tc 2 is exceeded, and further, the Curie point of the third magnetic layer 5 is T c3
The laser power is set so as to raise the temperature to (= 250 ° C.) or higher. On the other hand, the laser beam of low level II is the irradiation area, beyond the Curie point Tc 2 of the second magnetic layer 4, the Curie point of the first magnetic layer 3 Tc 1
The laser power is set so as to raise the temperature to the vicinity of (= 180 ° C.).
【0037】したがって、まず、高レベルIのレーザ光
が照射され、その照射領域が上記のように昇温する過程
で、前記の状態S1・S2は、図中S3およびS4を経
て、S5の状態となる。すなわち、S3は、昇温の過程
で第2磁性層4が一旦垂直磁化を示すことにより、この
第2磁性層4を介して第1磁性層4に第3磁性層5から
の磁気的結合力(交換力)が作用し、これにより、第1
磁性層3の磁化方向が第3磁性層5の方向に一致した状
態を示している。このS3の状態を一旦経由して、第1
・第2磁性層3・4は、各キュリー点Tc1・Tc2を超え
るまで温度が上昇することにより、S4およびS5に示
すように、それぞれ磁化がゼロになる。Therefore, first, in the process of irradiating the laser beam of the high level I and raising the temperature of the irradiation area as described above, the above-mentioned states S1 and S2 go through S3 and S4 in the figure and the state of S5. Becomes That is, S3 is a magnetic coupling force from the third magnetic layer 5 to the first magnetic layer 4 via the second magnetic layer 4 because the second magnetic layer 4 once exhibits perpendicular magnetization during the temperature rising process. (Exchange force) acts, which causes the first
The state in which the magnetization direction of the magnetic layer 3 matches the direction of the third magnetic layer 5 is shown. Once the state of S3 is passed, the first
The magnetizations of the second magnetic layers 3 and 4 become zero as shown in S4 and S5 as the temperature rises until they exceed the Curie points Tc 1 and Tc 2 .
【0038】一方、第3磁性層5の磁化は、昇温の過程
でのS3の状態では、前記初期化により強制的に揃えら
れた磁化方向を維持したまま、キュリー点Tc3付近まで
温度上昇を生じた段階で、その保磁力が低下し、これに
よって、S4からS5への変化状態で示すように、この
ときに印加されている記録磁界Hw により、この記録磁
界Hw に沿う方向に反転する。On the other hand, the magnetization of the third magnetic layer 5 rises to a temperature near the Curie point T c3 in the state of S3 during the temperature rising process while maintaining the magnetization direction forcibly aligned by the initialization. The coercive force decreases at the stage of occurrence of the magnetic field, which causes the recording magnetic field H w applied at this time to move in the direction along the recording magnetic field H w as shown by the change state from S4 to S5. Invert.
【0039】なお、上記のような温度上昇に伴い、第3
磁性層5は、S3からS4に移行する過程で、その補償
温度Tcomp3 (=200℃)を超える。この時点で、第
3磁性層5における希土類金属と遷移金属との各副格子
磁化の大小関係が逆転する。このため、S4およびS5
の状態では、第3磁性層5の遷移金属副格子磁化の方向
は、室温状態のときとは逆に、トータル磁化の方向と一
致するものとなっている。したがって、図のように、前
記初期化磁界Hinitと同方向の記録磁界Hw によって、
第3磁性層5の遷移金属副格子磁化の方向が、S4から
S5に示すように反転する。It should be noted that as the temperature rises as described above, the third
The magnetic layer 5 exceeds its compensation temperature T comp3 (= 200 ° C.) in the process of transition from S3 to S4. At this point, the magnitude relation of the sublattice magnetizations of the rare earth metal and the transition metal in the third magnetic layer 5 is reversed. Therefore, S4 and S5
In the state (3), the direction of the transition metal sublattice magnetization of the third magnetic layer 5 coincides with the direction of total magnetization, which is the reverse of the room temperature state. Therefore, as shown in the figure, by the recording magnetic field H w in the same direction as the initialization magnetic field H init ,
The direction of the transition metal sublattice magnetization of the third magnetic layer 5 is reversed as shown from S4 to S5.
【0040】また、このような反転が生じる際、第1・
第2磁性層3・4はそれぞれキュリー点を超えているた
め、これら磁性層3・4からの交換力が第3磁性層5に
は作用せず、これによって、第3磁性層5に反転を生じ
させるための記録磁界Hw をより小さくして行うことが
可能となる。When such a reversal occurs, the first
Since the second magnetic layers 3 and 4 each exceed the Curie point, the exchange forces from these magnetic layers 3 and 4 do not act on the third magnetic layer 5, and as a result, the inversion of the third magnetic layer 5 occurs. The recording magnetic field H w to be generated can be made smaller.
【0041】上記のように、第3磁性層5の磁化方向が
記録磁界Hw に沿って反転した後、光磁気ディスクの回
転によってレーザ光の照射部が移行すると、上記のレー
ザ光照射部の温度は室温へと降温する。この冷却の過程
で、第2磁性層4は垂直磁化になり、このとき、その磁
化方向は、第3磁性層5との界面に作用する交換力によ
って、S6に示すように、第3磁性層5の磁化の向きに
揃う。さらに、第1磁性層3と第2磁性層4との界面に
作用する交換力によって、第1磁性層3の磁化方向も、
第2磁性層4の磁化方向に沿うものとなる。As described above, after the magnetization direction of the third magnetic layer 5 is reversed along the recording magnetic field H w, when the laser light irradiation section moves due to the rotation of the magneto-optical disk, the laser light irradiation section of the above-mentioned laser light irradiation section moves. The temperature drops to room temperature. During this cooling process, the second magnetic layer 4 becomes perpendicularly magnetized, and at this time, the magnetization direction is changed to the third magnetic layer by the exchange force acting on the interface with the third magnetic layer 5, as shown in S6. Aligned with the magnetization direction of 5. Furthermore, due to the exchange force acting on the interface between the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4, the magnetization direction of the first magnetic layer 3 also changes.
It follows the magnetization direction of the second magnetic layer 4.
【0042】その後、室温まで冷却されると、S7に示
すように、第2磁性層4は面内磁化に移行し、第1磁性
層3と第3磁性層5の間には交換力は作用しなくなる。
この状態では、光磁気ディスクが回転して室温で初期化
磁界Hinitが印加されても、保磁力が大きい第1磁性層
3の磁化方向は変化せず、保磁力が小さい第3磁性層5
の磁化方向のみが、前記同様に反転し、状態S7は状態
S2に移行する。こうして、第1磁性層3の磁化方向は
初期化磁界の方向とは逆の方向となり、これによって、
高レベルIに変調されたレーザ光に応じた新たな記録情
報が第1磁性層3に書き込まれたことになる。After that, when cooled to room temperature, the second magnetic layer 4 shifts to in-plane magnetization as shown in S7, and an exchange force acts between the first magnetic layer 3 and the third magnetic layer 5. Will not do.
In this state, even if the magneto-optical disk rotates and the initialization magnetic field H init is applied at room temperature, the magnetization direction of the first magnetic layer 3 having a large coercive force does not change, and the third magnetic layer 5 having a small coercive force.
Only the magnetization direction of is reversed as described above, and the state S7 shifts to the state S2. Thus, the magnetization direction of the first magnetic layer 3 is opposite to the direction of the initializing magnetic field, which causes
This means that new recording information corresponding to the laser beam modulated to the high level I is written in the first magnetic layer 3.
【0043】次に、前記した初期化後、記録磁界Hw を
印加しながら低レベルIIのレーザ光が照射されたときの
各磁性層3〜5の各磁化状態の変化について説明する。Next, a description will be given of changes in the magnetization states of the magnetic layers 3 to 5 when the low-level II laser beam is applied while applying the recording magnetic field H w after the above initialization.
【0044】このとき、上記のレーザ光照射部は、第2
磁性層4のキュリー点Tc2を超え、第1磁性層3のキュ
リー点Tc1付近の温度まで昇温する。この温度は、第3
磁性層5の補償温度Tcomp3 よりも低く、また、この温
度状態での第3磁性層5の保磁力は記録磁界HW よりも
大きいため、第3磁性層5の磁化の向きは、記録磁界H
W によって反転することはない。その後、室温へと降温
する過程で、第2磁性層4が垂直磁化を示すようにな
り、このとき、S3に示すように、第1磁性層3の磁化
方向は、前記と同様に、第2磁性層4を介して第3磁性
層5の磁化方向に沿うものとなる。つまり、初期化後の
状態S1、S2は、いずれも状態S3となる。At this time, the above laser light irradiation section is
Exceeds the Curie point Tc 2 of the magnetic layer 4, the temperature is raised to a temperature near the Curie point T c1 of the first magnetic layer 3. This temperature is the third
It is lower than the compensation temperature T comp3 of the magnetic layer 5, and the coercive force of the third magnetic layer 5 in this temperature state is larger than the recording magnetic field H W. Therefore, the direction of magnetization of the third magnetic layer 5 is H
Not reversed by W. After that, in the process of cooling to room temperature, the second magnetic layer 4 starts to exhibit perpendicular magnetization, and at this time, as shown in S3, the magnetization direction of the first magnetic layer 3 is the same as the second direction. It is along the magnetization direction of the third magnetic layer 5 via the magnetic layer 4. That is, both the states S1 and S2 after the initialization become the state S3.
【0045】その後、さらに室温まで降温すると、第2
磁性層4は面内磁化に移行し、第1磁性層3と第3磁性
層5との間に交換力は作用しなくなり、状態S3は状態
S1に移行する。こうして、第1磁性層3の磁化方向は
初期化磁界に沿う方向となり、これによって、低レベル
IIに変調されたレーザ光に応じた新たな記録情報が第1
磁性層3に書き込まれたことになる。After that, when the temperature is further lowered to room temperature, the second
The magnetic layer 4 shifts to in-plane magnetization, the exchange force does not act between the first magnetic layer 3 and the third magnetic layer 5, and the state S3 shifts to the state S1. In this way, the magnetization direction of the first magnetic layer 3 becomes a direction along the initializing magnetic field, which causes the low level
New recording information according to the laser beam modulated to II is the first
This means that the magnetic layer 3 has been written.
【0046】なお、上記のように第1磁性層3に記録さ
れた情報は、図4に示すように、記録時よりもさらに低
いレベルIII のレーザ光を照射し、その反射光における
偏光面の回転を検出することにより再生される。The information recorded on the first magnetic layer 3 as described above is irradiated with laser light of level III, which is lower than that at the time of recording, as shown in FIG. Reproduced by detecting rotation.
【0047】このような再生動作特性についての測定結
果について、さらに、具体的な数値例を挙げて以下に説
明する。まず、初期化磁界Hinit=80kA/m、記録
磁界Hw =16kA/m、高レベルIのレーザパワー
(PH )=8mW、低レベルIIのレーザパワー(PL )
=4mW、記録ビット長=0.78μmに設定して記録を
行った。この結果、消し残りのない光変調オーバーライ
トを行うことができた。そして、レベルIII の再生レー
ザパワー(PR )=1mWに設定して再生を行ったとこ
ろ、信号対雑音比(C/N)=47dBが得られた。The measurement results of such reproducing operation characteristics will be described below by further giving concrete numerical examples. First, an initializing magnetic field H init = 80 kA / m, a recording magnetic field H w = 16 kA / m, a high level I laser power (P H ) = 8 mW, and a low level II laser power (P L ).
= 4 mW, recording bit length = 0.78 μm and recording was performed. As a result, it was possible to perform light modulation overwriting without erasure. Then, when the reproduction laser power (P R ) of level III was set to 1 mW and reproduction was performed, a signal-to-noise ratio (C / N) = 47 dB was obtained.
【0048】なお、本実施例のような中間層4が設けら
れていない従来の交換結合二層膜を有する光磁気ディス
クでは、初期化磁界Hinitを240kA/mにすること
が必要であった。したがって、この場合には、より大き
な初期化磁界の発生装置が必要であり、装置全体の小型
化や省電力化を充分には図れないものとなっている。In the magneto-optical disk having the conventional exchange-coupling bilayer film in which the intermediate layer 4 is not provided as in this embodiment, it is necessary to set the initialization magnetic field H init to 240 kA / m. . Therefore, in this case, a device for generating a larger initializing magnetic field is required, and it is impossible to sufficiently reduce the size and power consumption of the entire device.
【0049】また、この従来の光磁気ディスクでは、記
録時の高レベルIのレーザパワーPH として10mW以
上に設定した上で、記録磁界Hw を16〜40kA/m
とすることが必要であったのに対し、本実施例では、上
記のように、PH =8mWの設定で、記録磁界Hw 16
〜40kA/mの条件下で光変調オーバーライトが可能
であった。すなわち、本実施例では、高レベルIのレー
ザ光の照射により高温状態となったとき、第1・第2磁
性層3・4はそれぞれキュリー点を超えているため、記
録磁界Hw による第3磁性層5の磁化の反転は、第1・
第2磁性層3・4からの交換力が作用しない状態で生じ
るものとなる。In this conventional magneto-optical disk, the recording power H w is set to 16 to 40 kA / m after setting the high level I laser power P H at the time of recording to 10 mW or more.
In as it was necessary to hand, in the present embodiment, as described above, setting of P H = 8 mW, recording magnetic field H w 16
Light modulation overwrite was possible under the condition of -40 kA / m. That is, in this embodiment, when the high temperature state is brought about by the irradiation of the laser beam of the high level I, the first and second magnetic layers 3 and 4 each exceed the Curie point, so that the third magnetic field H w causes the third The magnetization reversal of the magnetic layer 5 is
It occurs in a state where the exchange force from the second magnetic layers 3 and 4 does not act.
【0050】このため、記録磁界Hw としては、第1・
第2磁性層3・4からの交換力を考慮することなく、第
3磁性層5における高レベルIのレーザ光照射時の高温
状態での保磁力よりも大きければ、高レベルIのレーザ
パワーをより小さく設定しても、或いは、記録磁界Hw
の大きさをより小さくしても、第3磁性層5における上
記のような磁化の反転を確実に生じさせることができる
ものとなっている。Therefore, as the recording magnetic field H w , the first
Without considering the exchange force from the second magnetic layers 3 and 4, if the coercive force of the third magnetic layer 5 is higher than the coercive force in the high temperature state at the time of high-level I laser beam irradiation, the high-level I laser power is Even if it is set smaller, or the recording magnetic field H w
It is possible to reliably cause the reversal of the magnetization in the third magnetic layer 5 as described above, even if the size of is smaller.
【0051】なお、上記した光磁気ディスク(以下、サ
ンプル#1と称する)における第1〜第3磁性層3〜5
の組成や膜厚はこれらに限定されるものではなく、種々
異ならせて構成することが可能である。以下には、この
ように組成等を異ならせて作製した27種の光磁気ディ
スク(以下、サンプル#2〜#28と称する)につい
て、表1〜表4にサンプル#1とは相違する磁性層の組
成と磁気特性を、また、表4に、サンプル#2〜#28
における再生動作特性の測定結果をそれぞれ示す。な
お、これらの表1〜4には、サンプル#1についての前
述の説明の中から、それぞれ該当事項を選んで再掲して
いる。The first to third magnetic layers 3 to 5 in the above-described magneto-optical disk (hereinafter referred to as sample # 1).
The composition and the film thickness of are not limited to these, and can be variously configured. In the following, regarding 27 types of magneto-optical disks (hereinafter, referred to as samples # 2 to # 28) manufactured with different compositions, magnetic layers different from sample # 1 in Tables 1 to 4 are shown below. The composition and magnetic properties of Samples # 2 to # 28 are also shown in Table 4.
The measurement results of the reproducing operation characteristics in are shown. In addition, in Tables 1 to 4, the corresponding items are selected and reprinted from the above description of the sample # 1.
【0052】サンプル#2〜#8は、サンプル#1に対
し、第2磁性層4の組成が異なるのみで、他の構成はサ
ンプル#1と同一である。それらの第2磁性層4の組成
および磁気特性は表1に示す通りである。これらサンプ
ル#2〜#8における第2磁性層4は、サンプル#1と
同様に、いずれも希土類金属リッチであり、また、室温
での保磁力HC2はほぼゼロである。Samples # 2 to # 8 differ from sample # 1 only in the composition of the second magnetic layer 4, and the other structures are the same as sample # 1. The composition and magnetic properties of those second magnetic layers 4 are as shown in Table 1. The second magnetic layer 4 in each of the samples # 2 to # 8 is rich in rare earth metal as in the sample # 1, and the coercive force H C2 at room temperature is almost zero.
【0053】[0053]
【表1】 [Table 1]
【0054】サンプル#9〜#13は、サンプル#1に
対し、第1磁性層3の組成が異なるのみであり、それら
の第1磁性層3の組成および磁気特性は表2に示す通り
である。これらサンプル#9〜#13の第1磁性層3
は、サンプル#1と同様に、いずれも室温からキュリー
点TC1まで垂直磁化を示し、また、サンプル#9および
#12・#13は、サンプル#1と同様に遷移金属リッ
チ、サンプル#10および#11は補償組成である。Samples # 9 to # 13 differ from Sample # 1 only in the composition of the first magnetic layer 3, and the composition and magnetic characteristics of the first magnetic layer 3 are as shown in Table 2. . The first magnetic layer 3 of these samples # 9 to # 13
Shows perpendicular magnetization from room temperature to the Curie point T C1 as in sample # 1, and samples # 9 and # 12 · # 13 are transition metal rich, sample # 10 and # 10 as in sample # 1. # 11 is a compensation composition.
【0055】[0055]
【表2】 [Table 2]
【0056】サンプル#14〜#27は、サンプル#1
に対し、第3磁性層5の組成が異なるのみであり、それ
らの第3磁性層5の組成および磁気特性は表3に示す通
りである。これらサンプル#14〜#27の第3磁性層
5は、サンプル#1と同様に、いずれも希土類金属リッ
チであり、室温からキュリー点TC3まで垂直磁化を示
す。Samples # 14 to # 27 are samples # 1
On the other hand, only the composition of the third magnetic layer 5 is different, and the composition and magnetic characteristics of those third magnetic layers 5 are as shown in Table 3. Like Sample # 1, the third magnetic layer 5 of Samples # 14 to # 27 is rich in rare earth metals and exhibits perpendicular magnetization from room temperature to the Curie point T C3 .
【0057】[0057]
【表3】 [Table 3]
【0058】サンプル#28は、サンプル#1での第2
磁性層4の膜厚が50nmであるのに対し、これが30
nmである点のみが異なっている。Sample # 28 is the second sample in sample # 1.
While the thickness of the magnetic layer 4 is 50 nm, this is 30
The only difference is in nm.
【0059】[0059]
【表4】 [Table 4]
【0060】表4に示すように、サンプル#2〜#28
のいずれに対しても、同表中に示す記録条件の下で、消
し残りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音
比(C/N)=47dBが得られた。As shown in Table 4, samples # 2 to # 28
In each case, under the recording conditions shown in the same table, optical modulation overwriting with no erasure remained, and a signal-to-noise ratio (C / N) = 47 dB was obtained.
【0061】なお、サンプル#13では、C/N=48
dBが得られた。これは、前記表2に示すように、第1
磁性層3のキュリー点を高くしたことによって、例えば
サンプル#1等よりも記録再生特性が向上したものであ
る。In sample # 13, C / N = 48
dB was obtained. This is as shown in Table 2 above.
By increasing the Curie point of the magnetic layer 3, the recording / reproducing characteristics are improved as compared with, for example, Sample # 1.
【0062】一方、第2磁性層4の膜厚をサンプル#1
よりも薄くしたサンプル#28では、同表中に示す記録
条件の下で消し残りのない光変調オーバーライトを行え
ると共に、さらに、記録パルスのデューティーを40%
にしても充分に記録を行うことが可能であった。サンプ
ル#1の記録パルスのデューティーが60%であったこ
とを考慮すると、サンプル#1よりも記録感度の向上し
た光磁気ディスクを得ることができた。On the other hand, the film thickness of the second magnetic layer 4 was changed to Sample # 1.
Sample # 28, which is thinner than the above sample, can perform optical modulation overwrite without erasure under the recording conditions shown in the table, and further, the duty of the recording pulse is 40%.
However, it was possible to record sufficiently. Considering that the duty of the recording pulse of the sample # 1 was 60%, it was possible to obtain a magneto-optical disk having a recording sensitivity higher than that of the sample # 1.
【0063】〔実施例2〕本発明の他の実施例について
図6に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、前記の実施例の図面に示したものと同一
の機能を有する部分には同一の符号を付記し、その説明
を省略する。[Embodiment 2] Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In addition,
For convenience of explanation, parts having the same functions as those shown in the drawings of the above-described embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0064】本実施例に係る光磁気記録媒体としての光
磁気ディスクは、図6に示すように、誘電体層2と第1
磁性層3との間に、さらに第4磁性層8を設けた点で前
記実施例と異なっている。As shown in FIG. 6, a magneto-optical disk as a magneto-optical recording medium according to this embodiment has a dielectric layer 2 and a first layer.
This embodiment is different from the above embodiment in that a fourth magnetic layer 8 is further provided between the magnetic layer 3 and the magnetic layer 3.
【0065】上記の第4磁性層8は、希土類金属−遷移
金属合金であるGdFeCoからなっており、Gd、Fe、Coター
ゲットの同時スパッタリングにより膜厚30nmで形成
されている。その組成はGd0.25(Fe0.80Co0.20)0.75で、
希土類金属リッチであり、補償点なしで、キュリー点
(TC4)は第1磁性層3のキュリー点TC1よりも高く、
300℃である。また、室温での保磁力(HC4)はほぼ
ゼロであり、室温で面内磁化を示し、約100℃で垂直
磁化を示す特性を有している。The fourth magnetic layer 8 is composed of GdFeCo, which is a rare earth metal-transition metal alloy, and is formed to have a film thickness of 30 nm by simultaneous sputtering of Gd, Fe and Co targets. Its composition is Gd 0.25 (Fe 0.80 Co 0.20 ) 0.75 ,
It is rich in rare earth metals and has no Curie point (T C4 ), which is higher than the Curie point T C1 of the first magnetic layer 3,
It is 300 ° C. Further, the coercive force (H C4 ) at room temperature is almost zero, and it has the characteristics of showing in-plane magnetization at room temperature and perpendicular magnetization at about 100 ° C.
【0066】上記の第4磁性層8を備えた光磁気ディス
ク(以下、サンプル#29と称する)に対し、表5に示
す記録条件の下で、消し残りのない光変調オーバーライ
トができた。なお、同表には、比較のため、前記サンプ
ル#1での記録条件も再掲している。Under the recording conditions shown in Table 5, the optical modulation overwrite without erasure could be performed on the magneto-optical disk having the fourth magnetic layer 8 (hereinafter referred to as sample # 29). For comparison, the same table also shows the recording conditions for Sample # 1.
【0067】[0067]
【表5】 [Table 5]
【0068】サンプル#1でのC/N(信号対雑音比)
が47dBであるのに対し、本実施例でのC/Nは49
dBであり、信号品質が向上した。これは、TC4>TC1
に設定したので、カー回転角が大きくなったためと考え
られる。C / N (Signal to Noise Ratio) for sample # 1
Is 47 dB, the C / N in this embodiment is 49
It was dB, and the signal quality was improved. This is T C4 > T C1
Since it was set to, it is thought that the car rotation angle became large.
【0069】また、記録ビット長が短くなると、サンプ
ル#1ではC/Nが急激に低下したが、サンプル#29
ではC/Nがあまり低下しなかった。これは、第4磁性
層8が室温で面内磁化を示し、レベルIII の再生レーザ
パワーのレーザ光を照射すると垂直磁化を示すようにな
るので、短い記録ビットであっても、隣接記録ビットか
らの影響を受けずに再生できたためである。When the recording bit length was shortened, the C / N ratio of sample # 1 dropped sharply.
C / N did not decrease so much. This is because the fourth magnetic layer 8 exhibits in-plane magnetization at room temperature, and exhibits perpendicular magnetization when irradiated with a laser beam having a level III reproducing laser power. This is because it could be played back without being affected by.
【0070】すなわち、第4磁性層8に再生用のレーザ
光が照射されると、照射された部位の温度分布はほぼガ
ウス分布になる。このとき、スポット径よりも小さい中
心近傍領域の昇温温度が、第4磁性層8における垂直磁
化を示す温度を超えるようにレーザ光の強度を設定し
た。このとき、第4磁性層8における上記中心近傍領域
のみの磁化が、面内磁化から垂直磁化に移行する。この
垂直磁化に移行した部分の第4磁性層8および第1磁性
層3の二層間の交換力により、第4磁性層8の磁化の向
きが第1磁性層3の磁化の向きに従う。That is, when the fourth magnetic layer 8 is irradiated with the reproducing laser beam, the temperature distribution of the irradiated portion becomes almost Gaussian. At this time, the intensity of the laser beam was set so that the temperature rising temperature in the central region smaller than the spot diameter exceeded the temperature indicating the perpendicular magnetization in the fourth magnetic layer 8. At this time, the magnetization of only the region near the center of the fourth magnetic layer 8 shifts from in-plane magnetization to perpendicular magnetization. The direction of the magnetization of the fourth magnetic layer 8 follows the direction of the magnetization of the first magnetic layer 3 due to the exchange force between the two layers of the fourth magnetic layer 8 and the first magnetic layer 3 in the part where the perpendicular magnetization is transferred.
【0071】これにより、レーザ光照射部位の中心近傍
のみが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射
光に基づいて情報が再生される。As a result, only the vicinity of the center of the laser light irradiation portion exhibits the polar Kerr effect, and information is reproduced based on the reflected light from the portion.
【0072】レーザ光照射部が移動して次の記録ビット
を再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂直
磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果を示さな
くなる。このことは、第1磁性層3に記録された磁化が
第4磁性層8の面内磁化によりマスクされて読み出され
ないということを意味している。これにより、雑音の原
因となり、再生の分解能を低下させる隣接ビットからの
信号混入がなくなる。こうして、レーザ光のスポット径
よりも小さな領域のみを再生に関与させる読み出しを行
えるので、従来より小さな記録ビットの再生が行え、記
録密度を向上し得るものとなっている。When the laser beam irradiator moves to reproduce the next recorded bit, the temperature of the previous reproducing portion decreases and the perpendicular magnetization changes to the in-plane magnetization, so that the polar Kerr effect is not exhibited. This means that the magnetization recorded in the first magnetic layer 3 is masked by the in-plane magnetization of the fourth magnetic layer 8 and cannot be read. This eliminates signal mixing from adjacent bits, which causes noise and reduces reproduction resolution. In this way, since reading can be performed in which only a region smaller than the spot diameter of the laser beam is involved in reproduction, it is possible to reproduce a recording bit smaller than before and improve the recording density.
【0073】以上の説明のように、上記各実施例の光磁
気ディスクにおいては、初期化後に記録磁界HW を印加
しながら、高レベルIと低レベルIIとに強度変調された
レーザ光を照射することにより、重ね書きによる情報の
書き換え、すなわち、光変調オーバーライトを行うこと
が可能である。As described above, in the magneto-optical disk of each of the above embodiments, while the recording magnetic field H W is applied after the initialization, the high-level I and low-level II intensity-modulated laser light is irradiated. By doing so, it is possible to rewrite information by overwriting, that is, perform light modulation overwriting.
【0074】しかも、上記では、第1磁性層3と第3磁
性層5との間に設けられている第2磁性層4が、室温で
ほぼ面内磁化を示すと共に、第1・第3磁性層3・5よ
りもキュリー点の低いもので構成されているので、初期
化磁界Hinitを低減することが可能であると共に、さら
に、記録時のレーザ光のパワーの低減、或いは、記録磁
界HW の低減が可能である。また、第3磁性層5と第1
・第2磁性層3・4の磁気的結合が確実に抑制されるの
で、高レベルIのレーザ光照射時の昇温温度がばらつい
たとしても、安定した光変調オーバーライトを行うこと
が可能となっている。Moreover, in the above, the second magnetic layer 4 provided between the first magnetic layer 3 and the third magnetic layer 5 exhibits substantially in-plane magnetization at room temperature, and the first and third magnetic layers are formed. Since the Curie point is lower than that of the layers 3.5, the initialization magnetic field H init can be reduced, and further, the power of the laser beam at the time of recording or the recording magnetic field H can be reduced. W can be reduced. In addition, the third magnetic layer 5 and the first
Since the magnetic coupling between the second magnetic layers 3 and 4 is surely suppressed, it is possible to perform stable light modulation overwrite even if the temperature rise during irradiation of the high-level I laser beam varies. Has become.
【0075】さらに、上記各実施例では、第3磁性層5
が室温とキュリー点Tc3の間に補償温度Tcomp3 を有す
るので、初期化磁界Hinitと記録磁界HW とを互いに同
一方向に設定することができる。このため、例えば両磁
界の発生部を互いに近接させて装置内に設けたり、或い
は両発生部による磁界の組合わせで初期化磁界Hinitと
記録磁界HW とを設定すること等が可能になるので、装
置の小型化や省電力化を図ることができる。Furthermore, in each of the above embodiments, the third magnetic layer 5 is used.
Has a compensation temperature T comp3 between room temperature and the Curie point T c3 , the initialization magnetic field H init and the recording magnetic field H W can be set in the same direction. Therefore, for example, it is possible to provide the two magnetic field generating units in the vicinity of each other in the apparatus, or to set the initialization magnetic field H init and the recording magnetic field H W by a combination of the magnetic fields generated by the two magnetic field generating units. Therefore, it is possible to reduce the size of the device and save power.
【0076】なお、上記各実施例は本発明を限定するも
のではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可能であ
る。例えば第1〜第4磁性層3〜5・8の材料や組成
は、上記の各実施例に挙げたもの以外のものとすること
が可能である。例えば、第1〜第3磁性層3〜5の材料
として、Gd、Tb、Dy、Ho、Ndから選ばれた少なくとも1
種の希土類金属と、Fe、Coから選ばれた少なくとも1種
の遷移金属からなる合金を使用しても、同様の効果が得
られる。The above embodiments are not intended to limit the present invention, and various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, the materials and compositions of the first to fourth magnetic layers 3 to 5 and 8 can be other than those listed in the above embodiments. For example, as the material of the first to third magnetic layers 3 to 5, at least one selected from Gd, Tb, Dy, Ho and Nd
The same effect can be obtained by using an alloy composed of one kind of rare earth metal and at least one kind of transition metal selected from Fe and Co.
【0077】また、上記の材料に、さらに、Cr、V、N
b、Mn、Be、Ni、Ti、Pt、Rh、Cuのうち、少なくとも1
種類の元素を添加すると、第1〜第3磁性層3〜5自体
の耐環境性が向上する。すなわち、水分や酸素侵入によ
る第1・第3磁性層3・5の酸化による特性の劣化が少
なくなり、長期信頼性に優れた光磁気ディスクとして提
供することができる。In addition to the above materials, Cr, V, N
At least 1 of b, Mn, Be, Ni, Ti, Pt, Rh, Cu
Addition of a kind of element improves the environment resistance of the first to third magnetic layers 3 to 5 themselves. That is, the deterioration of the characteristics due to the oxidation of the first and third magnetic layers 3 and 5 due to the invasion of water and oxygen is reduced, and the magneto-optical disk having excellent long-term reliability can be provided.
【0078】なお、第1磁性層3のキュリー点TC1が1
00℃未満の場合、C/Nがディジタル記録再生で最低
限必要とされている45dBを下まわる。また、キュリ
ー点TC1が250℃を超える場合、記録感度が悪くな
る。このため、第1磁性層3のキュリー点TC1は100
〜250℃が適当である。さらに、第1磁性層3の室温
での保磁力HC1が400kA/m未満の場合、初期化磁
界Hinitにより一部が初期化される恐れがある。このた
め、第1磁性層3の室温での保磁力HC1は400kA/
m以上が適当である。The Curie point T C1 of the first magnetic layer 3 is 1
When the temperature is lower than 00 ° C., the C / N is lower than 45 dB which is the minimum required for digital recording / reproducing. If the Curie point T C1 exceeds 250 ° C., the recording sensitivity will be poor. Therefore, the Curie point T C1 of the first magnetic layer 3 is 100.
A temperature of ~ 250 ° C is suitable. Further, when the coercive force H C1 of the first magnetic layer 3 at room temperature is less than 400 kA / m, there is a possibility that the initialization magnetic field H init partially initializes the magnetic field. Therefore, the coercive force H C1 of the first magnetic layer 3 at room temperature is 400 kA /
m or more is suitable.
【0079】一方、第2磁性層4の垂直磁化を示す温度
が80℃未満の場合、室温と、レベルIII の再生レーザ
パワーPR のレーザ光が照射されたときの温度との間の
温度で、第3磁性層5から第2磁性層4への磁化の転
写、第2磁性層4から第1磁性層3への磁化の転写を生
じるおそれがある。この場合、初期化磁界Hinitにより
第3磁性層5だけでなく第1磁性層3も初期化される結
果となるので、第1磁性層3に記録された情報が保持さ
れなくなる。このため、第2磁性層4の垂直磁化を示す
温度は80℃以上が適当である。On the other hand, when the temperature indicating the perpendicular magnetization of the second magnetic layer 4 is less than 80 ° C., the temperature is between room temperature and the temperature when the laser beam of the level III reproducing laser power P R is irradiated. The transfer of magnetization from the third magnetic layer 5 to the second magnetic layer 4 and the transfer of magnetization from the second magnetic layer 4 to the first magnetic layer 3 may occur. In this case, not only the third magnetic layer 5 but also the first magnetic layer 3 is initialized by the initializing magnetic field H init, so that the information recorded in the first magnetic layer 3 is not retained. Therefore, it is appropriate that the temperature at which the second magnetic layer 4 exhibits perpendicular magnetization is 80 ° C. or higher.
【0080】また、第3磁性層5のキュリー点TC3が1
50℃未満の場合、低レベルIIのレーザパワーPL と再
生レーザパワーPR との差が小さくなるので、うまく光
変調オーバーライトが行われない。一方、キュリー点T
C3が400℃を超える場合には記録感度が悪くなる。こ
のため、第3磁性層5のキュリー点TC3は150〜40
0℃が適当である。The Curie point T C3 of the third magnetic layer 5 is 1
If the temperature is lower than 50 ° C., the difference between the low-level II laser power P L and the reproduction laser power P R becomes small, so that the optical modulation overwrite is not properly performed. On the other hand, Curie point T
If C3 exceeds 400 ° C, the recording sensitivity becomes poor. Therefore, the Curie point T C3 of the third magnetic layer 5 is 150 to 40.
0 ° C is suitable.
【0081】また、第3磁性層5の室温での保磁力HC3
が240kA/mを超える場合、初期化磁界Hinitの発
生装置が大型になり、好ましくない。このため、第3磁
性層5の室温での保磁力HC3は240kA/m以下が適
当である。Further, the coercive force H C3 of the third magnetic layer 5 at room temperature is
Of more than 240 kA / m is not preferable because the initializing magnetic field H init generator becomes large. Therefore, the coercive force H C3 of the third magnetic layer 5 at room temperature is suitably 240 kA / m or less.
【0082】一方、第1〜第3磁性層3〜5の膜厚は、
第1〜第3磁性層3〜5の材料や組成との兼ね合いで決
まるものである。第1磁性層3の膜厚は、20nm以
上、より好ましくは30nm以上であり、あまり厚すぎ
ると第3磁性層5の情報が転写されなくなるので、10
0nm以下が好適である。第2磁性層4の膜厚は、5n
m以上、より好ましくは10〜50nmであり、あまり
厚すぎると第3磁性層5の情報が転写されなくなるの
で、100nm以下が好適である。第3磁性層5の膜厚
は、20nm以上、より好ましくは30〜100nmで
あり、あまり厚すぎると記録感度が悪くなるので、20
0nm以下が好適である。On the other hand, the film thickness of the first to third magnetic layers 3 to 5 is
It is determined in consideration of the materials and compositions of the first to third magnetic layers 3 to 5. The film thickness of the first magnetic layer 3 is 20 nm or more, more preferably 30 nm or more. If the thickness is too thick, the information in the third magnetic layer 5 will not be transferred.
It is preferably 0 nm or less. The thickness of the second magnetic layer 4 is 5n
m or more, more preferably 10 to 50 nm, and if it is too thick, information of the third magnetic layer 5 will not be transferred, so 100 nm or less is preferable. The thickness of the third magnetic layer 5 is 20 nm or more, more preferably 30 to 100 nm, and if it is too thick, the recording sensitivity deteriorates.
It is preferably 0 nm or less.
【0083】また、上記の各実施例においては、基板1
として通常の板ガラスを用いたが、これ以外にも、化学
強化されたガラス、これらのガラス基板上に紫外線硬化
型樹脂層を形成した、いわゆる2P層付きガラス基板、
ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート
(PMMA)、アモルファスポリオレフィン(AP
O)、ポリスチレン(PS)、ポリ塩化ビフェニール
(PVC)、エポキシ等の基板1を使用することが可能
である。In each of the above embodiments, the substrate 1
Although a normal plate glass was used as the above, other than this, chemically strengthened glass, a so-called 2P layer-attached glass substrate having an ultraviolet curable resin layer formed on these glass substrates,
Polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), amorphous polyolefin (AP
It is possible to use a substrate 1 made of O), polystyrene (PS), polychlorinated biphenyl (PVC), epoxy, or the like.
【0084】一方、透明誘電体層2としてのAlNの膜厚
は、上記各実施例における80nmに限定されるもので
はない。この透明誘電体層2の膜厚は、光磁気ディスク
を再生する際、第1磁性層3あるいは第4磁性層8から
の極カー回転角を光の干渉効果を利用して増大させる、
いわゆるカー効果エンハンスメントを考慮して決定され
る。再生時のC/Nをできるだけ大きくさせるには、極
カー回転角を大きくさせることが必要であり、このた
め、透明誘電体層2の膜厚は、極カー回転角が最も大き
くなるように設定される。On the other hand, the film thickness of AlN as the transparent dielectric layer 2 is not limited to 80 nm in the above embodiments. The thickness of the transparent dielectric layer 2 increases the polar Kerr rotation angle from the first magnetic layer 3 or the fourth magnetic layer 8 by utilizing the light interference effect when reproducing the magneto-optical disk.
It is determined in consideration of so-called car effect enhancement. In order to maximize the C / N during reproduction, it is necessary to increase the polar Kerr rotation angle. Therefore, the film thickness of the transparent dielectric layer 2 is set so that the polar Kerr rotation angle is the largest. To be done.
【0085】この極カー回転角は、再生光の波長、透明
誘電体層2の屈折率により変化する。上記各実施例の場
合のAlNの屈折率は2.0であるので、再生光の波長が7
80nmの場合、透明誘電体層2のAlNの膜厚を30〜
120nm程度にすると、カー効果エンハンスメントの
効果が大きくなる。尚、好ましくは、透明誘電体層2の
AlNの膜厚は、70〜100nmであり、この範囲であ
れば極カー回転角がほぼ最大になる。This polar Kerr rotation angle changes depending on the wavelength of the reproducing light and the refractive index of the transparent dielectric layer 2. Since the refractive index of AlN in each of the above examples is 2.0, the wavelength of the reproduction light is 7
When the thickness is 80 nm, the AlN film thickness of the transparent dielectric layer 2 is 30 to
When it is about 120 nm, the effect of Kerr effect enhancement becomes large. In addition, preferably, the transparent dielectric layer 2
The film thickness of AlN is 70 to 100 nm, and in this range, the polar Kerr rotation angle becomes almost maximum.
【0086】また、再生光の波長が400nmの場合、
上記透明誘電体層2の膜厚を半分(=400/780)
にすれば良い。さらに、材料の違い、あるいは、製法に
より透明誘電体層2の屈折率が上記とは異なる場合、屈
折率と膜厚を乗じた値(光路長)が同じになるように、
透明誘電体層2の膜厚を設定すれば良い。When the wavelength of the reproduction light is 400 nm,
Half the film thickness of the transparent dielectric layer 2 (= 400/780)
You can do it. Further, when the refractive index of the transparent dielectric layer 2 is different from the above due to the difference in material or the manufacturing method, the value obtained by multiplying the refractive index and the film thickness (optical path length) becomes the same,
The thickness of the transparent dielectric layer 2 may be set.
【0087】なお、透明誘電体層2の屈折率は大きいほ
ど、その膜厚は少なくて済む。また、屈折率が大きいほ
ど、極カー回転角のエンハンス効果も大きくなる。AlN
は、スパッタ時のスパッタガスであるArとN2の比率、ガ
ス圧力等を変えることにより、その屈折率が変わるが、
おおむね、1.8〜2.1程度と屈折率が比較的大きな材料
であり、透明誘電体層2の材料として好適である。The larger the refractive index of the transparent dielectric layer 2, the smaller the film thickness. Also, the greater the refractive index, the greater the enhancement effect of the polar Kerr rotation angle. AlN
Changes its refractive index by changing the ratio of Ar to N 2 which is the sputtering gas during sputtering, the gas pressure, etc.
It is a material having a relatively large refractive index of about 1.8 to 2.1 and is suitable as a material for the transparent dielectric layer 2.
【0088】また、透明誘電体層2は、上記のカー効果
エンハンスメントだけでなく、保護層6と共に、第1〜
第3磁性層3〜5、あるいは、第1〜第4磁性層3〜5
・8の希土類金属−遷移金属合金磁性層の酸化を防止す
る役割がある。In addition to the Kerr effect enhancement described above, the transparent dielectric layer 2 is used together with the protective layer 6 in the first to the first layers.
Third magnetic layers 3-5 or first to fourth magnetic layers 3-5
It has a role of preventing the rare earth metal-transition metal alloy magnetic layer of 8 from being oxidized.
【0089】希土類金属−遷移金属合金からなる磁性膜
は非常に酸化されやすく、特に、希土類金属が酸化され
やすい。このため外部からの酸素、水分侵入を極力防止
しなければ、酸化によりその特性が著しく劣化してしま
う。The magnetic film made of a rare earth metal-transition metal alloy is very easily oxidized, and particularly the rare earth metal is easily oxidized. For this reason, if the invasion of oxygen and moisture from the outside is not prevented as much as possible, the characteristics will be significantly deteriorated by oxidation.
【0090】そのため、前記各実施例では、第1〜第3
磁性層3〜5、あるいは、第1〜第4磁性層3〜5・8
の両側をAlNで挟み込む形の構成を採っている。AlN
は、その成分に酸素を含まない窒化膜であり、非常に耐
湿性に優れた材料である。さらに、AlNは、Alターゲッ
トを用いて、N2ガス、もしくはArとN2との混合ガスを導
入して反応性DC(直流電流)スパッタリングを行うこ
とが可能であり、RF(高周波)スパッタに比べて成膜
速度が大きい点でも有利である。Therefore, in each of the above embodiments, the first to third
Magnetic layers 3-5, or first to fourth magnetic layers 3-5.
Both sides of the are sandwiched by AlN. AlN
Is a nitride film that does not contain oxygen as its component, and is a material with extremely excellent moisture resistance. Furthermore, AlN can perform reactive DC (direct current) sputtering by introducing N 2 gas or a mixed gas of Ar and N 2 by using an Al target, and RF (high frequency) sputtering can be performed. Compared with this, it is also advantageous in that the film forming rate is high.
【0091】AlN以外の透明誘電体層2の材料として、
SiN、AlSiN、AlTaN、SiAlON、TiN、TiON、B
N、ZnS、TiO2、BaTiO3、SrTiO3等が好適である。この
うち、特に、SiN、AlSiN、AlTaN、TiN、BN、ZnS
は、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供することができる。As a material for the transparent dielectric layer 2 other than AlN,
SiN, AlSiN, AlTaN, SiAlON, TiN, TiON, B
N, ZnS, TiO 2 , BaTiO 3 , SrTiO 3 and the like are suitable. Of these, especially SiN, AlSiN, AlTaN, TiN, BN, ZnS
Can provide a magneto-optical disk which does not contain oxygen as its component and has excellent moisture resistance.
【0092】一方、保護層6のAlNの膜厚は、上記各実
施例では80nmとしたが、これに限定されるものでは
ない。保護層6の膜厚の範囲としては、1〜200nm
が好適である。On the other hand, the film thickness of AlN of the protective layer 6 was set to 80 nm in each of the above-mentioned embodiments, but it is not limited to this. The thickness range of the protective layer 6 is 1 to 200 nm.
Is preferred.
【0093】上記各実施例においては、第1〜第3磁性
層3〜5、あるいは、第1〜第4磁性層3〜5・8を合
わせた膜厚は100nm以上であり、この膜厚になると
光ピックアップから入射した光はほとんど磁性層を透過
しない。したがって、保護層6の膜厚に特に制限はな
く、磁性層の酸化を長期にわたって防止するに必要な膜
厚であれば良い。酸化防止能力が低い材料であれば膜厚
を厚く、高ければ薄くすれば良い。In each of the above embodiments, the total thickness of the first to third magnetic layers 3 to 5 or the first to fourth magnetic layers 3 to 5.8 is 100 nm or more. In this case, the light incident from the optical pickup hardly passes through the magnetic layer. Therefore, the thickness of the protective layer 6 is not particularly limited as long as it is necessary to prevent oxidation of the magnetic layer for a long period of time. If the material has a low antioxidation ability, the film thickness may be increased, and if it is high, the film thickness may be decreased.
【0094】保護層6は、透明誘導体層2とともに、そ
の熱伝導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及
ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要な
レーザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光は、そのほとんどが、透明誘導体層
2を通過し、吸収膜である第1〜第3磁性層3〜5、あ
るいは、第1〜第4磁性層3〜5・8に吸収されて熱に
変わる。このとき、第1〜第3磁性層3〜5、あるい
は、第1〜第4磁性層3〜5・8の熱が透明誘導体層
2、保護層6に熱伝導により移動する。したがって、透
明誘導体層2、保護層6の熱伝導率および熱容量(比
熱) が記録感度に影響を及ぼす。The thermal conductivity of the protective layer 6 affects the recording sensitivity characteristics of the magneto-optical disk together with the transparent dielectric layer 2. The recording sensitivity characteristic means how much laser power is required for recording or erasing. Most of the light incident on the magneto-optical disk passes through the transparent dielectric layer 2 and is the absorption film of the first to third magnetic layers 3 to 5 or the first to fourth magnetic layers 3 to 5. It is absorbed by 8 and turns into heat. At this time, the heat of the first to third magnetic layers 3 to 5 or the first to fourth magnetic layers 3 to 5.8 is transferred to the transparent dielectric layer 2 and the protective layer 6 by heat conduction. Therefore, the thermal conductivity and heat capacity (specific heat) of the transparent dielectric layer 2 and the protective layer 6 affect the recording sensitivity.
【0095】このことは、光磁気ディスクの記録感度を
保護層6の膜厚で、ある程度制御できるということを意
味し、例えば、記録感度を上げる( 低いレーザパワーで
記録消去を行える) 目的であれば保護層6の膜厚を薄く
すれば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため、記録感
度はある程度高い方が有利であり、保護層6の膜厚は薄
い方が良い。This means that the recording sensitivity of the magneto-optical disk can be controlled to some extent by the film thickness of the protective layer 6, and for the purpose of, for example, increasing the recording sensitivity (recording and erasing can be performed with low laser power). For example, the thickness of the protective layer 6 may be reduced. Usually, in order to prolong the life of the laser, it is advantageous that the recording sensitivity is high to some extent, and the protective layer 6 is preferably thin.
【0096】AlNはこの意味でも好適で、耐湿性に優れ
るので、保護層6として用いた場合、膜厚を薄くするこ
とができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供するこ
とができる。AlN is also suitable in this sense and has excellent moisture resistance. Therefore, when it is used as the protective layer 6, the film thickness can be reduced and a magneto-optical disk having high recording sensitivity can be provided.
【0097】上記各実施例では、保護層6を透明誘導体
層2と同じAlNとすることで、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供でき、かつ保護層6と透明誘導体層2とを
同じ材料で形成することで、生産性も向上する。In each of the above embodiments, the protective layer 6 is made of the same AlN as the transparent dielectric layer 2 to provide a magneto-optical disk having excellent moisture resistance, and the protective layer 6 and the transparent dielectric layer 2 are made of the same material. By forming with, the productivity is also improved.
【0098】また、保護層6の材料としては、AlN以外
に、前述の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘導体
層2の材料として用いられるSiN、AlSiN、AlTaN、Si
AlON、TiN、TiON、BN、ZnS、TiO2、BaTiO3、Sr
TiO3が好適である。このうち特に、SiN、AlSiN、AlTa
N、TiN、BN、ZnSは、その成分に酸素を含まず、耐
湿性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。In addition to AlN, the protective layer 6 may be made of SiN, AlSiN, AlTaN, Si, which is used as the material of the transparent dielectric layer 2 in consideration of the above-mentioned objects and effects.
AlON, TiN, TiON, BN, ZnS, TiO 2 , BaTiO 3 , Sr
TiO 3 is preferred. Among them, especially SiN, AlSiN, AlTa
N, TiN, BN, and ZnS do not contain oxygen as a component, and can provide a magneto-optical disk having excellent moisture resistance.
【0099】なお、前記各実施例で例示した光磁気ディ
スクは、一般には片面タイプと呼ばれる。透明誘電体層
2、第1〜第3磁性層3〜5(あるいは、第1〜第4磁
性層3〜5・8)、保護層6の薄膜部分を総じて記録媒
体層と称することにすると、片面タイプの光磁気ディス
クは、基板1、記録媒体層、オーバーコート層7の構造
となる。これに対して、基板1の上に記録媒体層を形成
したものを二枚、記録媒体層が対向するように接着層で
接着した光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれてい
る。The magneto-optical disk exemplified in each of the above embodiments is generally called a single-sided type. When the transparent dielectric layer 2, the first to third magnetic layers 3 to 5 (or the first to fourth magnetic layers 3 to 5 · 8), and the thin film portion of the protective layer 6 are collectively referred to as a recording medium layer, The single-sided type magneto-optical disk has a structure of a substrate 1, a recording medium layer, and an overcoat layer 7. On the other hand, a magneto-optical disc in which two recording medium layers are formed on the substrate 1 and adhered by an adhesive layer so that the recording medium layers face each other is called a double-sided type.
【0100】この場合の接着層の材料は、ポリウレタン
アクリレート系接着剤が特に良い。この接着剤は、紫外
線、熱及び嫌気性の3タイプの硬化機能が組み合わされ
たものであり、紫外線が透過しない記録媒体層の影にな
る部分の硬化が、熱および嫌気性硬化機能により硬化さ
れるという利点を持っており、極めて高い耐湿性を有
し、長期安定性に極めて優れた両面タイプの光磁気ディ
スクを提供することができる。In this case, the material of the adhesive layer is particularly preferably a polyurethane acrylate adhesive. This adhesive is a combination of three types of curing functions of ultraviolet rays, heat and anaerobic, and the curing of the portion of the recording medium layer where ultraviolet rays do not pass is cured by the heat and anaerobic curing functions. It is possible to provide a double-sided type magneto-optical disk which has an advantage that it has extremely high humidity resistance and is extremely excellent in long-term stability.
【0101】なお、片面タイプは、両面タイプと比べて
素子の厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求され
る記録再生装置に有利である。両面タイプは、両面再生
が可能なため、例えば大容量を要求される記録再生装置
に有利である。Since the single-sided type requires only half the thickness of the element as compared with the double-sided type, it is advantageous for a recording / reproducing apparatus that requires miniaturization, for example. Since the double-sided type is capable of double-sided reproduction, it is advantageous for a recording / reproducing apparatus that requires a large capacity, for example.
【0102】[0102]
【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気記録媒体
は、室温からキュリー点まで垂直磁化を示す記録層と、
室温からキュリー点まで垂直磁化を示すと共に室温での
保磁力が記録層よりも小さく、また、キュリー点が記録
層よりも高い記録補助層との間に、室温側で面内磁化を
示すと共に、記録補助層よりも記録層の方が保磁力の小
さい温度領域で垂直磁化を示す特性を備え、かつ、記録
層よりも低いキュリー点を有する中間層が設けられてい
る構成である。As described above, the magneto-optical recording medium of the present invention comprises a recording layer exhibiting perpendicular magnetization from room temperature to the Curie point,
It exhibits perpendicular magnetization from room temperature to the Curie point, has a coercive force at room temperature smaller than that of the recording layer, and has an in-plane magnetization on the room temperature side between the auxiliary recording layer and the Curie point higher than that of the recording layer. The recording layer has a characteristic that it exhibits perpendicular magnetization in a temperature region where the coercive force is smaller than that of the recording auxiliary layer, and an intermediate layer having a Curie point lower than that of the recording layer is provided.
【0103】これにより、従来同様に、初期化を行った
後、記録磁界を印加しながら、高レベルと低レベルとに
強度変調されたレーザ光を照射することにより、記録層
に新たな情報の書き込みを行うことができる。このと
き、中間層のキュリー点が記録層や記録補助層のキュリ
ー点よりも低いので、高レベルのレーザ光照射時の昇温
温度にばらつきが生じる場合でも、中間層と記録補助層
との交換力による結合が確実に抑制され、これにより、
光変調オーバーライトを安定して行わせることが可能に
なる。As a result, as in the conventional case, after initialization is performed, while applying the recording magnetic field, the recording layer is irradiated with the laser light intensity-modulated to the high level and the low level, whereby new information is recorded on the recording layer. Can write. At this time, since the Curie point of the intermediate layer is lower than the Curie points of the recording layer and the recording auxiliary layer, even if the temperature rise during high-level laser beam irradiation varies, the intermediate layer and the recording auxiliary layer should be exchanged. The binding due to force is reliably suppressed, which allows
It is possible to stably perform the light modulation overwrite.
【0104】また、中間層のキュリー点を記録層と記録
補助層との間に設定する必要がないため、記録層を、そ
のキュリー点が従来よりも高いもので構成することが可
能ともなり、これにより、再生時におけるレーザ光照射
時のカー回転角等がより大きくなるようにすることがで
きるので、再生信号特性を向上することができるという
効果を奏する。Since it is not necessary to set the Curie point of the intermediate layer between the recording layer and the recording auxiliary layer, it is possible to configure the recording layer with a Curie point higher than that of the conventional one. As a result, the Kerr rotation angle at the time of laser light irradiation at the time of reproduction can be made larger, so that there is an effect that the reproduction signal characteristics can be improved.
【図1】本発明の一実施例での光磁気記録媒体における
第1〜第3磁性層の保磁力の温度依存性を示すグラフで
ある。FIG. 1 is a graph showing temperature dependence of coercive forces of first to third magnetic layers in a magneto-optical recording medium according to an example of the present invention.
【図2】上記光磁気記録媒体の概略の構成を示す断面模
式図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of the magneto-optical recording medium.
【図3】上記光磁気記録媒体における記録プロセスを示
す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a recording process in the magneto-optical recording medium.
【図4】上記光磁気記録媒体に照射されるレーザ光の強
度を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing the intensity of laser light with which the magneto-optical recording medium is irradiated.
【図5】上記光磁気記録媒体での記録動作時の磁化状態
の変化を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing changes in a magnetization state during a recording operation on the magneto-optical recording medium.
【図6】本発明の他の実施例における光磁気記録媒体の
概略の構成を示す断面模式図である。FIG. 6 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of a magneto-optical recording medium in another example of the present invention.
【図7】従来の光磁気記録媒体の構成および記録プロセ
スを示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a configuration and a recording process of a conventional magneto-optical recording medium.
【図8】図8の光磁気記録媒体における各磁性層の保磁
力の温度依存性を示すグラフである。8 is a graph showing the temperature dependence of the coercive force of each magnetic layer in the magneto-optical recording medium of FIG.
1 基板 2 誘電体層 3 第1磁性層(記録層) 4 第2磁性層(中間層) 5 第3磁性層(記録補助層) 6 保護層 7 オーバーコート層 8 第4磁性層 1 Substrate 2 Dielectric Layer 3 First Magnetic Layer (Recording Layer) 4 Second Magnetic Layer (Intermediate Layer) 5 Third Magnetic Layer (Recording Auxiliary Layer) 6 Protective Layer 7 Overcoat Layer 8 Fourth Magnetic Layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広兼 順司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Junji Hirokane 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Corporation (72) Inventor Akira Takahashi 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Osaka Incorporated (72) Inventor Kenji Ota 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Prefecture
Claims (1)
録層と、室温からキュリー点まで垂直磁化を示すと共に
室温での保磁力が記録層よりも小さく、また、キュリー
点が記録層よりも高い記録補助層との間に、室温側で面
内磁化を示すと共に、記録補助層よりも記録層の方が保
磁力の小さい温度領域で垂直磁化を示す特性を備え、か
つ、記録層よりも低いキュリー点を有する中間層が設け
られていることを特徴とする光磁気記録媒体。1. A recording layer exhibiting perpendicular magnetization from room temperature to the Curie point, a perpendicular magnetization from room temperature to the Curie point, a coercive force at room temperature smaller than that of the recording layer, and a Curie point higher than that of the recording layer. Between the recording auxiliary layer and the recording auxiliary layer, in-plane magnetization is exhibited at the room temperature side, and the recording layer has a characteristic that it exhibits perpendicular magnetization in a temperature region where the coercive force is smaller than that of the recording auxiliary layer, and is lower than the recording layer. A magneto-optical recording medium comprising an intermediate layer having a Curie point.
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