JPH07302949A - Wavelength stabilizing device - Google Patents
Wavelength stabilizing deviceInfo
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- JPH07302949A JPH07302949A JP9323194A JP9323194A JPH07302949A JP H07302949 A JPH07302949 A JP H07302949A JP 9323194 A JP9323194 A JP 9323194A JP 9323194 A JP9323194 A JP 9323194A JP H07302949 A JPH07302949 A JP H07302949A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ光源から
射出されるレーザ光の波長を安定化させる、波長安定化
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wavelength stabilizing device for stabilizing the wavelength of laser light emitted from a semiconductor laser light source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体レーザ（以下、単にＬ
Ｄと称する）の発振波長は、僅かな温度変化によって大
きく変動することが知られている。このため、従来か
ら、図２に示すような、ＬＤの温度を安定化することに
より、発振波長を安定させる波長安定化装置が知られて
いる。以下、従来の波長安定化装置について説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor laser (hereinafter simply referred to as L
It is known that the oscillation wavelength of (D) is largely changed by a slight temperature change. Therefore, conventionally, there is known a wavelength stabilization device as shown in FIG. 2 that stabilizes the oscillation wavelength by stabilizing the temperature of the LD. Hereinafter, a conventional wavelength stabilizing device will be described.
【０００３】ペルチェ素子６が設けられたＬＤ４を保持
するＬＤ保持体２は、取付ねじ１４によって取付部１６
に固定されている。ＬＤ４の温度は、ペルチェ素子６に
駆動電流が供給されることによって所定温度に維持され
る。この場合、ＬＤ４の近傍には、ＬＤ４の温度を検知
する温度センサ８が設けられており、このＬＤ温度セン
サ８から出力された温度検知信号に基づいて温度制御部
１２がペルチェ素子６の駆動電流を制御し、これによっ
てＬＤ４を所定温度に維持するように構成されている。
なお、ペルチェ素子６には、ペルチェ素子に発生する熱
を放出する放熱用のフィン１０が取付けられている。ま
た、ＬＤ保持体２は、通常、熱伝導率の低い材料、例え
ば、高分子材料等からなり、周囲の環境温度の変化が伝
わりにくくなるように考慮されている。The LD holding body 2 for holding the LD 4 provided with the Peltier element 6 is attached to the mounting portion 16 by the mounting screw 14.
It is fixed to. The temperature of the LD 4 is maintained at a predetermined temperature by supplying a driving current to the Peltier device 6. In this case, a temperature sensor 8 for detecting the temperature of the LD 4 is provided in the vicinity of the LD 4, and the temperature control unit 12 controls the driving current of the Peltier element 6 based on the temperature detection signal output from the LD temperature sensor 8. Is controlled to maintain the LD 4 at a predetermined temperature.
It should be noted that the Peltier element 6 is provided with a heat radiating fin 10 for radiating heat generated in the Peltier element. Further, the LD holder 2 is usually made of a material having a low thermal conductivity, for example, a polymer material or the like, and it is considered that the change in the ambient environmental temperature is hard to be transmitted.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示すように、ＬＤ温度センサ８は、その測定点をＬＤ４
の発光点に一致させることができず、かつ、ＬＤ保持体
２に接触しているために、ＬＤ保持体２の周囲の環境温
度が変化した場合には、以下のような問題が発生してし
まう。However, as shown in FIG. 2, the LD temperature sensor 8 has its measuring point LD4.
However, if the ambient temperature around the LD holder 2 changes, the following problems occur. I will end up.
【０００５】図３は、温度制御に際して、ＬＤ温度セン
サ８の位置を基準として、熱抵抗値と温度との関係を示
したグラフである。上記したように、ＬＤ温度センサ８
は、その設置点がＬＤ４の発光点に一致せず、かつ、Ｌ
Ｄ保持体２に接触しているために、これらの間には、あ
る程度の熱抵抗が存在する。また、ＬＤ４は、環境温度
が変化した場合に、取付部１６あるいは取付ねじ１４等
を介して、その熱変化が伝達されるので、環境温度の影
響を受ける位置（グラフの環境温度の位置）とＬＤ温度
センサ８との間にも所定の熱抵抗が存在する。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the thermal resistance value and the temperature with reference to the position of the LD temperature sensor 8 during temperature control. As described above, the LD temperature sensor 8
, Its installation point does not match the emission point of LD4, and L
Since it is in contact with the D-holding body 2, there is some thermal resistance between them. Further, in the LD 4, when the environmental temperature changes, the thermal change is transmitted via the mounting portion 16 or the mounting screw 14 or the like, so that the LD 4 has a position affected by the environmental temperature (a position of the environmental temperature in the graph). A predetermined thermal resistance also exists between the LD temperature sensor 8 and the LD temperature sensor 8.
【０００６】今、図３に示すように、ＬＤ温度センサ８
の温度（ＴA ）は、設定温度（ＴA0）に温度安定化され
ており、そのときのＬＤ４の温度（ＴL ）及び環境温度
（ＴB ）は、図中実線上にあるものと仮定する。この状
態で、環境温度（ＴB ）が上記実線で示される温度より
も低い状態となった場合を考える。この状態で温度制御
を行うと、ＬＤ温度センサ８は、設定温度（ＴA0）に保
持されるが、図中点線で示すように、ＬＤ４は温度（Ｔ
L ）よりもΔＴL だけ上った温度に安定化されてしま
う。すなわち、ＬＤ温度センサ８の設定温度を一定に維
持するように制御しても、ＬＤ温度センサ８とＬＤ４と
の間には、熱抵抗が存在するため、ＬＤ４は所定の温度
に制御されず、ＬＤ４から射出されるレーザ光の発振波
長が安定しないという問題が生じる。本発明は、環境温
度の変化によるＬＤの温度変化を少なくしてＬＤの発振
波長を安定化させることが可能な波長安定化装置を提供
することを目的とする。Now, as shown in FIG. 3, the LD temperature sensor 8
Temperature (T A ) is stabilized at the set temperature (T A0 ), and the temperature of LD 4 ( TL ) and the ambient temperature (T B ) at that time are assumed to be on the solid line in the figure. To do. Consider a case where the environment temperature (T B ) is lower than the temperature indicated by the solid line in this state. When the temperature control is performed in this state, the LD temperature sensor 8 is held at the set temperature (T A0 ), but the LD 4 is kept at the temperature (T
It will be stabilized at a temperature that is ΔT L higher than L ). That is, even if the LD temperature sensor 8 is controlled so as to be maintained at a constant temperature, the thermal resistance exists between the LD temperature sensor 8 and the LD 4, so that the LD 4 is not controlled to a predetermined temperature. There is a problem that the oscillation wavelength of the laser light emitted from the LD 4 is not stable. An object of the present invention is to provide a wavelength stabilization device capable of stabilizing the oscillation wavelength of the LD by reducing the temperature change of the LD due to the change of the environmental temperature.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の波長安定化装置は、半導体レーザと、この
半導体レーザを保持する半導体レーザ保持部材と、半導
体レーザのレーザ光を射出しない側に配置され、温度セ
ンサを具備した温度センサホルダと、この温度センサホ
ルダと半導体レーザとの間に両者を密着させるように介
在された密着層と、前記温度センサホルダに接触し、前
記温度センサからの検知信号に基づいて前記半導体レー
ザを加熱または冷却させる加熱冷却手段と、を備えたこ
とを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, the wavelength stabilizing device of the present invention does not emit a semiconductor laser, a semiconductor laser holding member for holding the semiconductor laser, and laser light of the semiconductor laser. A temperature sensor holder disposed on the side of the temperature sensor, an adhesion layer interposed between the temperature sensor holder and the semiconductor laser so as to bring them into close contact with each other, and the temperature sensor holder in contact with the temperature sensor holder. And a heating / cooling means for heating or cooling the semiconductor laser based on a detection signal from.
【０００８】[0008]
【作用】本発明の波長安定化装置によれば、半導体レー
ザ保持部材に保持された半導体レーザの、レーザ光を射
出しない側には、温度センサを具備した温度センサホル
ダが密着層を介在させて配されている。この温度センサ
によって検出される温度が設定温度となるように、加熱
冷却手段であるペルチェ素子に制御電流が供給され、半
導体レーザは設定温度となるように制御される。温度セ
ンサホルダと密着層は、半導体レーザに対して熱的に近
付いた状態、すなわち、熱抵抗が非常に低い状態で構成
されており、半導体レーザと温度センサとの間には温度
差がほとんど生じない。According to the wavelength stabilizing device of the present invention, the temperature sensor holder having the temperature sensor has the adhesion layer interposed on the side of the semiconductor laser held by the semiconductor laser holding member from which laser light is not emitted. It is distributed. A control current is supplied to the Peltier element, which is the heating / cooling means, so that the temperature detected by the temperature sensor reaches the set temperature, and the semiconductor laser is controlled to reach the set temperature. The temperature sensor holder and the adhesion layer are configured to be in thermal proximity to the semiconductor laser, that is, in a state where the thermal resistance is extremely low, and there is almost no temperature difference between the semiconductor laser and the temperature sensor. Absent.
【０００９】また、請求項２に記載された発明によれ
ば、温度センサとしてサーミスタを用いると、リード線
部分が温度変化を感知するため、このリード線部分も温
度センサホルダ内に内蔵することにより正確な温度制御
を行う。Further, according to the second aspect of the present invention, when the thermistor is used as the temperature sensor, the lead wire portion senses a temperature change. Therefore, the lead wire portion is also incorporated in the temperature sensor holder. Perform accurate temperature control.
【００１０】また、請求項３に記載された発明によれ
ば、加熱冷却手段として、孔開きペルチェを用い、波長
制御のためのリード線をこの孔を介して半導体レーザに
接続して高度な波長制御を行う。According to the third aspect of the present invention, a holed Peltier is used as the heating / cooling means, and a lead wire for wavelength control is connected to the semiconductor laser through this hole to achieve a high wavelength. Take control.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明に係る波長安定化装置の一実施
例を図１を参照して説明する。ＬＤ２０は、ＬＤ保持体
２２に保持されており、ここから射出されたレーザ光
は、ＬＤ保持体２２内に設けられた光アイソレータ２
３，コリメータレンズ２４を介して、後述するハーフミ
ラー８０に向けられる。ＬＤ２０には、レーザ光を射出
しない側にＬＤ温度センサ２８が熱的に近付いた状態で
配置されている。具体的には、このＬＤ温度センサ２８
は、熱伝導率が非常に大きい（熱抵抗が小さい）材質、
例えば、アルミ、銅、金等によって構成された温度セン
サホルダ２７に埋設されており、この温度センサホルダ
２７の一端面は、ＬＤ２０の端面と面接触によって密着
され、これらの間には、電気的に両者を絶縁し、接触熱
抵抗が小さい材質、例えば、シリコングリス等のゲル状
部材が密着層２９として介在されている。なお、この密
着層２９は、熱伝導率が高い接着剤を用いても良い。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the wavelength stabilizing device according to the present invention will be described below with reference to FIG. The LD 20 is held by an LD holder 22, and the laser light emitted from the LD 20 is an optical isolator 2 provided in the LD holder 22.
3, It is directed to the half mirror 80 mentioned later via the collimator lens 24. The LD 20 is provided with an LD temperature sensor 28 in a thermally approaching state on the side from which laser light is not emitted. Specifically, this LD temperature sensor 28
Is a material with extremely high thermal conductivity (low thermal resistance),
For example, it is embedded in a temperature sensor holder 27 made of aluminum, copper, gold or the like, and one end surface of this temperature sensor holder 27 is brought into close contact with the end surface of the LD 20 by surface contact, and an electrical connection is made between them. Further, a material having a small contact heat resistance, for example, a gel-like member such as silicon grease is interposed as an adhesion layer 29 to insulate the both. The adhesive layer 29 may be made of an adhesive having high thermal conductivity.
【００１２】温度センサホルダ２７の他面には、中央部
に孔２６ａが形成された孔開きペルチェ２６が固定され
ている。すなわち、ＬＤ２０は、熱伝導率が非常に大き
い温度センサホルダ２７を介して孔開きペルチェ２６に
熱的に接続されており、温度センサホルダ２７内に埋設
されたＬＤ温度センサ２８から出力された温度検知信号
に基づいて、温度制御部３２が孔開きペルチェ２６の駆
動電流を制御し、ＬＤ２０を設定温度に維持する。この
孔開きペルチェ２６は、加熱冷却素子であり、片面が加
熱側の場合、他方は冷却面となる。このように孔開きペ
ルチェ２６にはある程度の熱が蓄積するため、放熱用の
フィン３０が取付けられている。On the other surface of the temperature sensor holder 27, a perforated Peltier 26 having a hole 26a formed in the center is fixed. That is, the LD 20 is thermally connected to the perforated Peltier 26 via the temperature sensor holder 27 having a very high thermal conductivity, and the temperature output from the LD temperature sensor 28 embedded in the temperature sensor holder 27. Based on the detection signal, the temperature control unit 32 controls the drive current of the perforated Peltier 26 to maintain the LD 20 at the set temperature. This perforated Peltier 26 is a heating and cooling element, and when one side is a heating side, the other side is a cooling surface. Since a certain amount of heat is accumulated in the perforated Peltier 26 as described above, the fins 30 for heat dissipation are attached.
【００１３】この放熱用のフィン３０は、その構成から
環境温度の影響を受けやすくなっている。通常、放熱用
のフィン３０は、ＬＤ保持体２２に熱的に接続された状
態にあるため、ＬＤ２０は、放熱用のフィン３０からの
熱の影響を受けやすい。このため、放熱用のフィン３０
は、所定間隔をおいて配され熱伝導率の小さい材質、例
えば樹脂で構成されたスペーサ３９によってＬＤ保持体
２２に固定されている。このように、熱伝導率の低いス
ペーサ３９を介して放熱用のフィン３０を固定したた
め、ＬＤ２０に、放熱用のフィン３０からの温度変化の
影響が伝わりにくくなる。同様に、ＬＤ保持体２２につ
いても、熱伝導率の低い材料、例えば高分子材料によっ
て構成されており、環境温度等の変化による温度変化を
ＬＤ２０に伝えないように構成されている。The heat dissipating fins 30 are easily affected by the environmental temperature due to the structure thereof. Usually, the fins 30 for heat dissipation are in a state of being thermally connected to the LD holder 22, so that the LD 20 is easily affected by heat from the fins 30 for heat dissipation. Therefore, the fin 30 for heat dissipation
Are fixed to the LD holding body 22 by spacers 39 which are arranged at a predetermined interval and have a low thermal conductivity, such as a resin 39. In this way, since the fins 30 for heat dissipation are fixed via the spacers 39 having low thermal conductivity, the influence of temperature change from the fins 30 for heat dissipation is less likely to be transmitted to the LD 20. Similarly, the LD holder 22 is also made of a material having a low thermal conductivity, for example, a polymer material, and is configured not to transmit a temperature change due to a change in environmental temperature to the LD 20.
【００１４】このように、ＬＤ温度センサ２８は、熱伝
導率が非常に高い手段によってＬＤ２０に接続されてい
るため、図３で示したＬＤ温度センサ及びＬＤ間の距離
（熱抵抗）が非常に小さくなり、点線で示すように環境
温度が変化しても、ＬＤの温度変化（ΔＴL ）を少なく
することができ、ＬＤ２０の発振波長を安定化すること
が可能になる。また、このように、ＬＤ温度センサを熱
伝導率が非常に高い温度センサホルダ２７に埋設し、こ
の温度センサホルダ２７をＬＤ２０に密着させただけで
あるため、装置全体を大型化すること無く、簡単な構成
で発振波長を安定させることができる。さらに、温度セ
ンサとして、サーミスタを用いた場合、サーミスタは、
感温部だけでなく、リード線部分も温度変化を感知する
ことが実験により明かになっている。従って、リード線
も温度センサホルダ２７内に固定すれば、さらにＬＤ２
０の発振波長を安定化することが可能になる。As described above, since the LD temperature sensor 28 is connected to the LD 20 by means having a very high thermal conductivity, the distance (thermal resistance) between the LD temperature sensor and the LD shown in FIG. 3 is very large. Even if the ambient temperature changes as shown by the dotted line, the temperature change (ΔT L ) of the LD can be reduced and the oscillation wavelength of the LD 20 can be stabilized. In addition, since the LD temperature sensor is only embedded in the temperature sensor holder 27 having a very high thermal conductivity and the temperature sensor holder 27 is closely attached to the LD 20 as described above, the entire apparatus is not increased in size. The oscillation wavelength can be stabilized with a simple configuration. Furthermore, when a thermistor is used as the temperature sensor, the thermistor is
Experiments have revealed that not only the temperature sensing part but also the lead wire part senses temperature changes. Therefore, if the lead wire is also fixed in the temperature sensor holder 27, the LD2
It is possible to stabilize the oscillation wavelength of 0.
【００１５】上述したＬＤ２０から射出されたレーザ光
は、その光路の途中に配されたハーフミラー８０によっ
て分割され、一方がそのレーザ光を用いるユニットに向
けられ、他方がエタロン保持体４２に保持された波長弁
別器であるエタロン４４に入射するように向けられる。
このエタロン４４は、周期的なスペクトル特性を有す
る。従って、光検出器６０を配して、エタロン４４の透
過光量をモニタして波長制御手段９０を介してＬＤ２０
への注入電流の制御を行い、エタロン４４の目標モード
に安定化すれば、さらに波長変動を生じないレーザ光を
射出することが可能となる。この場合、前記孔開きペル
チェ２６は、回転対象である中央部分に孔２６ａを有し
ており、この孔２６ａを介してリード線をＬＤ２０に接
続したため、高度な制御を行うことが可能になる。The laser light emitted from the LD 20 described above is split by a half mirror 80 disposed in the middle of the optical path, one of which is directed to a unit using the laser light and the other is held by an etalon holder 42. And is directed to enter the etalon 44, which is a wavelength discriminator.
The etalon 44 has a periodic spectral characteristic. Therefore, the photodetector 60 is arranged to monitor the amount of transmitted light of the etalon 44, and the LD 20 is passed through the wavelength control means 90.
If the injection current is controlled to stabilize the target mode of the etalon 44, it becomes possible to emit laser light that does not cause further wavelength fluctuation. In this case, the perforated Peltier 26 has a hole 26a in the central portion which is the object of rotation, and since the lead wire is connected to the LD 20 through this hole 26a, it is possible to perform advanced control.
【００１６】前記エタロン４４は、環境温度の変化によ
って屈折率及び熱膨張が変化し、周期的なスペクトル特
性が変化するため、温度を安定化させないと、正確なモ
ニタができず、ＬＤ２０の発振波長が変動する。このた
め、エタロン４４についても放熱用のフィン５０が取付
けられた孔開きペルチェ４６が設けられ、エタロン４４
の温度を一定に維持するように構成されている。エタロ
ン４４には、その温度を検知するエタロン温度センサ４
８が固定されており、このエタロン温度センサ４８から
出力された温度検知信号は、温度制御部５２に入力さ
れ、この検知信号に基づいて温度制御部５２は、孔開き
ペルチェ４６への駆動電流を制御しエタロン４４の温度
を所定の温度に維持させる。エタロン温度センサ４８
は、エタロン４４に直接固定されているため、エタロン
４４の正確な温度の検出が可能になる。この場合、エタ
ロン温度センサ４８にサーミスタを用いる場合は、前記
同様、リード線もエタロンの外周に直接固定しておくの
が好ましい。In the etalon 44, since the refractive index and the thermal expansion change due to the change of the environmental temperature, and the periodic spectral characteristic changes, the temperature cannot be stabilized, so that the etalon 44 cannot be accurately monitored and the oscillation wavelength of the LD 20. Fluctuates. Therefore, the etalon 44 is also provided with the perforated Peltier 46 to which the fins 50 for heat dissipation are attached.
Is configured to maintain a constant temperature. The etalon 44 has an etalon temperature sensor 4 for detecting its temperature.
8 is fixed, the temperature detection signal output from the etalon temperature sensor 48 is input to the temperature control unit 52, and the temperature control unit 52 supplies the drive current to the perforated Peltier 46 based on the detection signal. The temperature of the etalon 44 is controlled and maintained at a predetermined temperature. Etalon temperature sensor 48
Is directly fixed to the etalon 44, so that the accurate temperature of the etalon 44 can be detected. In this case, when a thermistor is used for the etalon temperature sensor 48, it is preferable to fix the lead wire directly to the outer circumference of the etalon, as described above.
【００１７】また、エタロン保持体４２は、熱伝導率の
低い材料、例えば高分子材料によって構成されており、
環境温度等の変化による温度変化をエタロン４４に伝え
ないように構成されている。さらに、放熱用のフィン５
０についても、前記同様、所定間隔をおいて配される熱
伝導率の小さい材質、例えば樹脂で構成されたスペーサ
５９によって、エタロン保持体４２に固定している。こ
のように、熱伝導率の低いスペーサ５９を介して放熱用
のフィン５０を固定したため、エタロン４４に環境温度
変化の影響が伝わりにくくなる。また、前述した光検出
器６０は、装置全体の小型化が図れるように、放熱用の
フィン５０内に固定しておくのが好ましい。The etalon holder 42 is made of a material having a low thermal conductivity, for example, a polymer material,
The etalon 44 is configured not to transmit a temperature change due to a change in environmental temperature or the like. Furthermore, the fins 5 for heat dissipation
As for 0, similarly to the above, it is fixed to the etalon holding body 42 by a spacer 59 made of a material having a small thermal conductivity, such as a resin, which is arranged at a predetermined interval. In this way, since the fins 50 for heat dissipation are fixed via the spacers 59 having a low thermal conductivity, the influence of the environmental temperature change is less likely to be transmitted to the etalon 44. Further, it is preferable that the photodetector 60 described above is fixed in the fin 50 for heat radiation so that the entire device can be downsized.
【００１８】このように、レーザ光の波長を弁別するエ
タロン４４にエタロン温度センサ４８を直接固定して、
エタロン４４とエタロン温度センサ４８との間の熱抵抗
を小さくし、また、放熱用のフィン５０を熱伝導率の小
さい材質である樹脂で構成されたスペーサ５９によって
エタロン保持部材４２に固定して両者の間の熱抵抗を大
きくしたため、エタロン４４は、正確な温度制御が行わ
れる。この結果、エタロン４４のスペクトル特性が安定
し、ＬＤ２０への注入電流の制御が正確に行える。すな
わち、ＬＤ２０の発振波長をより安定化することができ
る。As described above, the etalon temperature sensor 48 is directly fixed to the etalon 44 for discriminating the wavelength of the laser beam,
The heat resistance between the etalon 44 and the etalon temperature sensor 48 is reduced, and the fins 50 for heat radiation are fixed to the etalon holding member 42 by a spacer 59 made of a resin having a low thermal conductivity. Since the thermal resistance between the etalon 44 and the etalon 44 is increased, accurate temperature control is performed on the etalon 44. As a result, the spectral characteristics of the etalon 44 are stabilized, and the injection current to the LD 20 can be accurately controlled. That is, the oscillation wavelength of the LD 20 can be further stabilized.
【００１９】以上、本発明に係る波長安定化装置の好ま
しい実施例について説明したが、本発明は上述した実施
例に限らず、種々変形することが可能である。本発明
は、温度センサとＬＤ（エタロン）とを熱的に近付ける
ことを特徴としており、その実際の両者の距離に関係は
ない。また、前述した実施例の材質以外に好ましい材質
があれば利用することができる。The preferred embodiment of the wavelength stabilizing device according to the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. The present invention is characterized in that the temperature sensor and the LD (etalon) are thermally brought close to each other, and is not related to the actual distance between the two. Further, if there is a preferable material other than the materials of the above-mentioned embodiments, it can be used.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の波長安定
化装置によれば、装置を大型化することなく、簡単な構
造で、環境温度が変化してもＬＤから射出されるレーザ
光の発振波長を安定化することが可能となる。As described above, according to the wavelength stabilizing device of the present invention, the laser light emitted from the LD can be emitted even if the ambient temperature changes, with a simple structure without increasing the size of the device. It is possible to stabilize the oscillation wavelength.
【図１】本発明の波長安定化装置の一実施例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a wavelength stabilization device of the present invention.
【図２】従来の波長安定化装置の構成を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a conventional wavelength stabilization device.
【図３】温度制御に際して、ＬＤ温度センサの位置を基
準として、熱抵抗値と温度との関係を示すグラフ。FIG. 3 is a graph showing a relationship between a thermal resistance value and temperature with reference to the position of the LD temperature sensor during temperature control.
２４…半導体レーザ、２２…半導体レーザ保持部材、２
６，４６…孔開きペルチェ、２７…温度センサホルダ、
２８，４８…温度センサ、２９…密着層、３０，５０…
放熱用のフィン、３９，５９…スペーサ、４２…エタロ
ン保持部材、４４…エタロン。24 ... Semiconductor laser, 22 ... Semiconductor laser holding member, 2
6,46 ... Perforated Peltier, 27 ... Temperature sensor holder,
28, 48 ... Temperature sensor, 29 ... Adhesive layer, 30, 50 ...
Fins for heat dissipation, 39, 59 ... Spacers, 42 ... Etalon holding member, 44 ... Etalon.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 洋久 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hirohisa Fujimoto 2-43-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo Inside Olympus Optical Co., Ltd.
Claims (3)
れ、温度センサを具備した温度センサホルダと、 この温度センサホルダと半導体レーザとの間に両者を密
着させるように介在された密着層と、 前記温度センサホルダに接触し、前記温度センサからの
検知信号に基づいて前記半導体レーザを加熱または冷却
させる加熱冷却手段と、 を有することを特徴とする波長安定化装置。1. A semiconductor laser, a semiconductor laser holding member for holding the semiconductor laser, a temperature sensor holder provided on a side of the semiconductor laser that does not emit laser light and provided with a temperature sensor, and the temperature sensor holder. An adhesion layer interposed between the semiconductor laser and the semiconductor laser so as to bring them into close contact with each other, and heating and cooling means for contacting the temperature sensor holder and heating or cooling the semiconductor laser based on a detection signal from the temperature sensor, A wavelength stabilizing device comprising:
のサーミスタの感温度部と共にサーミスタリード線を、
前記温度センサホルダに内蔵したことを特徴とする請求
項１に記載の波長安定化装置。2. A thermistor is used as the temperature sensor, and the thermistor lead wire is provided together with the temperature sensitive portion of the thermistor.
The wavelength stabilization device according to claim 1, wherein the wavelength stabilization device is built in the temperature sensor holder.
あることを特徴とする請求項１または２に記載の波長安
定化装置。3. The wavelength stabilizing device according to claim 1, wherein the heating / cooling means is a Peltier with a hole.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323194A JPH07302949A (en) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | Wavelength stabilizing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323194A JPH07302949A (en) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | Wavelength stabilizing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302949A true JPH07302949A (en) | 1995-11-14 |
Family
ID=14076776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9323194A Pending JPH07302949A (en) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | Wavelength stabilizing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302949A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296877A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Olympus Corp | Semiconductor laser device |
| JP2007194671A (en) * | 2007-04-23 | 2007-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Wavelength locker |
| US7599415B2 (en) | 2007-02-06 | 2009-10-06 | Seiko Epson Corporation | Light source device, lighting device, monitor device, and projector |
| JP2015022129A (en) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 富士通コンポーネント株式会社 | Optical module |
| WO2023097497A1 (en) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 华为技术有限公司 | Light source module, detection device and terminal device |
-
1994
- 1994-05-02 JP JP9323194A patent/JPH07302949A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296877A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Olympus Corp | Semiconductor laser device |
| US7599415B2 (en) | 2007-02-06 | 2009-10-06 | Seiko Epson Corporation | Light source device, lighting device, monitor device, and projector |
| JP2007194671A (en) * | 2007-04-23 | 2007-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Wavelength locker |
| JP2015022129A (en) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 富士通コンポーネント株式会社 | Optical module |
| WO2023097497A1 (en) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 华为技术有限公司 | Light source module, detection device and terminal device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040608 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |