JPH0729817A - Leveling detector for sequential shift aligner - Google Patents

Leveling detector for sequential shift aligner

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JPH0729817A
JPH0729817A JP5197022A JP19702293A JPH0729817A JP H0729817 A JPH0729817 A JP H0729817A JP 5197022 A JP5197022 A JP 5197022A JP 19702293 A JP19702293 A JP 19702293A JP H0729817 A JPH0729817 A JP H0729817A
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JP
Japan
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leveling
leveling detection
exposed
detection light
size
Prior art date
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Application number
JP5197022A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigehiro Naito
繁博 内藤
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH0729817A publication Critical patent/JPH0729817A/en
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Abstract

PURPOSE:To enhance the leveling detection accuracy in a region to be exposed by providing a diaphragm mechanism for varying the spot size of leveling detection light. CONSTITUTION:A diaphragm constricts a leveling detection light 4 emitted from a light source 3 and collimated through a collimate lens 5. Constriction can be controlled by rotating a movable piece 9a. Consequently, the spot size of the leveling detection light 4 irradiating an exposure region 6 can be varied by the diaphragm 9 depending on the size of a region being exposed by one shot which differs depending on the type of semiconductor chip. This constitution avoids the problem that the detection accuracy is lowered by conducting the leveling detection based on a leveling detection light irradiating a region wider than the region to be exposed actually.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、逐次移動型露光装置の
レベリング検出装置、特にレベリングステージ上に載置
されたウェハに対してレベリング検出光を出射する光源
と、該光源から出射され上記ウェハ上で反射された上記
レベリング検出用光を受光してレベリングを検出するレ
ベリング検出器とを有する逐次移動型露光装置のレベリ
ング検出装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a leveling detection apparatus for a stepwise exposure type exposure apparatus, and more particularly to a light source for emitting leveling detection light to a wafer placed on a leveling stage, and the above-mentioned wafer emitted from the light source. The present invention relates to a leveling detection device for a sequential movement type exposure apparatus, which has a leveling detector that receives the above-described leveling detection light and detects the leveling.

【0002】[0002]

【従来の技術】露光装置として、レチクルに形成された
所望パターンを半導体ウェハの一部分に縮小投影して露
光し、その一部分に対する露光を終えるとパターンの縮
小投影箇所を移動して露光するというようにして露光領
域を逐次移動する逐次移動型の露光装置があり、ステッ
パと称される。そして、そのような逐次移動型の露光装
置は普通レベリング検出装置を備えている。レベリング
検出装置は、露光領域の露光光軸に対する垂直な向きか
らの傾きを検出するためのものであり、そして傾きが検
出された場合その傾きをなくすためにレベリングステー
ジの向きの調整が行われる。
2. Description of the Related Art As an exposure apparatus, a desired pattern formed on a reticle is reduced and projected onto a portion of a semiconductor wafer to be exposed, and when the exposure of that portion is completed, the reduced projection portion of the pattern is moved and exposed. There is a sequential movement type exposure apparatus that sequentially moves the exposure region by using a stepper, which is called a stepper. Further, such a sequential movement type exposure apparatus is usually equipped with a leveling detection device. The leveling detection device is for detecting an inclination of the exposure area from a direction perpendicular to the exposure optical axis, and when the inclination is detected, the orientation of the leveling stage is adjusted to eliminate the inclination.

【0003】このようにレベリング検出装置を設け、露
光領域と露光光軸に対する垂直な向きとの間の傾斜を検
出し、その傾斜をなくすようにするのは、各露光領域毎
に表面の向きが微妙に異なり、その向きの相違を無視し
て一つのチップの全面に対してレベリングステージの向
きを全く変えることなく露光処理を行うとレチクルを通
った像の焦点にボケが生じ、線幅がバラツクというよう
な現象が生じるからである。
As described above, the leveling detection device is provided to detect the inclination between the exposure area and the direction perpendicular to the exposure optical axis, and to eliminate the inclination, the surface orientation is different for each exposure area. If the exposure process is performed without changing the orientation of the leveling stage on the entire surface of one chip, ignoring the difference in orientation, the image of the image passing through the reticle will be blurred and the line width will vary. This is because such a phenomenon occurs.

【0004】図3はレベリング検出装置の従来例の概略
を示す斜視図である。図面において、1はレベリングス
テージで、自動搬送された半導体ウェハ2を支持する。
1aは該レベリングステージ1の固定点であり、1b、
1cはレベリングステージ1の駆動点である。そして、
該駆動点1b、1cは図示しない駆動機構により上下せ
しめられるようになっており、その上下によってレベリ
ングステージ1の図示しない露光光軸に対する向きを変
えることができる。
FIG. 3 is a perspective view showing the outline of a conventional example of a leveling detection device. In the drawing, reference numeral 1 is a leveling stage, which supports a semiconductor wafer 2 which is automatically conveyed.
1a is a fixed point of the leveling stage 1, and 1b,
Reference numeral 1c is a drive point of the leveling stage 1. And
The drive points 1b, 1c are moved up and down by a drive mechanism (not shown), and the orientation of the leveling stage 1 with respect to the exposure optical axis (not shown) can be changed by the up and down movement.

【0005】3はレベリング検出用光4を半導体ウェハ
2の露光領域に向けて発生する光源、5は該レベリング
検出用光4を平行光にするコリメートレンズ、6は半導
体ウェハ2の露光領域、7は半導体ウェハ2の露光領域
6にて反射されたレベリング検出用光4を集光する集光
レンズ、8は該集光レンズ7にて集光されたレベリング
検出用光4を受光してレベリング検出するレベリング検
出器である。該レベリング検出器8は受光面を4つの領
域に分割され、各分割領域における受光量の比からレベ
リングを検出することができるようにされている。
Reference numeral 3 is a light source for generating the leveling detection light 4 toward the exposure area of the semiconductor wafer 2, 5 is a collimating lens for converting the leveling detection light 4 into parallel light, 6 is an exposure area of the semiconductor wafer 2, and 7 is an exposure area. Is a condenser lens for condensing the leveling detection light 4 reflected by the exposure area 6 of the semiconductor wafer 2, and 8 is a leveling detection light for receiving the leveling detection light 4 condensed by the condenser lens 7. It is a leveling detector. The leveling detector 8 has a light receiving surface divided into four regions, and the leveling can be detected from the ratio of the amount of received light in each divided region.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の露光
装置は露光領域の大きさによってレベリング検出用光の
スポットサイズが決められ、そのスポットサイズを変え
ることができなかった。例えば、露光領域が15mm角
の露光装置の場合スポットサイズが15mmφ、露光領
域が20mm角の露光装置の場合スポットサイズが20
mmφというようにである。しかしながら、図4に示す
ように、チップサイズにより1ショットで露光する領域
の実際の広さは微妙に異なり、例えば15mm角用の露
光装置を使用しても1ショットで露光する領域の広さは
15mmよりも小さくなり、その小さくなりようはチッ
プサイズにより異なるのである。
In the conventional exposure apparatus, the spot size of the leveling detection light is determined by the size of the exposure area, and the spot size cannot be changed. For example, in the case of an exposure device having an exposure area of 15 mm square, the spot size is 15 mmφ, and in the case of an exposure device having an exposure area of 20 mm square, the spot size is 20 mm.
mmφ. However, as shown in FIG. 4, the actual size of the area exposed in one shot is slightly different depending on the chip size. For example, even if an exposure device for 15 mm square is used, the size of the area exposed in one shot is small. It becomes smaller than 15 mm, and how small it is depends on the chip size.

【0007】にも拘らず、15mm角用の露光装置の場
合レベリング検出用光のスポットサイズが15mmφに
固定され、実際に露光する領域が15mm角よりも狭い
のにスポットサイズが変化しなかったので、実際に露光
しようとする領域の表面に対して正確に垂直に露光光線
を照射するようにすることはできなかった。つまり、実
際に露光したい領域を中心としてそれより広い範囲に照
射されレベリング検出用光に基づいてレベリング検出を
行っていたので、検出精度を高めることができなかった
のである。しかるに、IC、LSIの高集積化に伴って
配線膜等の微細化が進み、それに伴ってフォトリソグラ
フィに対する高精度化の要求が強くなり、それに応える
にはレベリング検出精度を高めることが不可欠となりつ
つあるのである。
Despite this, in the case of the exposure device for 15 mm square, the spot size of the leveling detection light was fixed at 15 mmφ, and the spot size did not change even though the actual exposure area was narrower than the 15 mm square. However, it was not possible to irradiate the exposure light beam perpendicularly to the surface of the area to be actually exposed. That is, since the leveling detection is performed based on the leveling detection light by irradiating a wider area than the area to be actually exposed, the detection accuracy cannot be increased. However, as ICs and LSIs have become highly integrated, wiring films and the like have become finer, and there has been a strong demand for higher precision in photolithography. To meet such demands, it has become essential to increase the leveling detection precision. There is.

【0008】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、露光すべき領域のレベリング検出精
度を高めることを目的とする。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object thereof is to improve the leveling detection accuracy of an area to be exposed.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の逐次移動型露
光装置のレベリング検出装置は、レベリング検出用光の
スポットサイズを変化させる絞り機構を設けたことを特
徴とする。請求項2の逐次移動型露光装置のレベリング
検出装置は、請求項1のレベリング検出装置において、
絞り機構がスポットの形状を矩形にするようにされ且つ
その矩形の縦横比が可変であることを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a leveling detection device for a stepwise movement type exposure apparatus, wherein a leveling mechanism for changing the spot size of the leveling detection light is provided. A leveling detection device for a sequential movement type exposure apparatus according to claim 2 is the leveling detection device according to claim 1, wherein
It is characterized in that the diaphragm mechanism makes the shape of the spot rectangular and the aspect ratio of the rectangle is variable.

【0010】[0010]

【作用】請求項1の逐次移動型露光装置のレベリング検
出装置によれば、絞り機構によりレベリング検出用光の
スポットサイズを変化させることができるので、露光す
べき領域の大きさに応じてレベリング検出用光のスポッ
トサイズを変えることにより、実際に露光すべき領域よ
りも広い領域に照射されたレベリング検出用光に基づい
てレベリング検出を行って検出精度が低下するという問
題を回避することができる。
According to the leveling detection device of the stepwise movement type exposure apparatus of claim 1, since the spot size of the leveling detection light can be changed by the diaphragm mechanism, the leveling detection can be performed according to the size of the area to be exposed. By changing the spot size of the working light, it is possible to avoid the problem that the leveling detection is performed on the basis of the leveling detection light irradiated on the area wider than the area to be actually exposed and the detection accuracy is lowered.

【0011】請求項2の逐次移動型露光装置のレベリン
グ検出装置によれば、絞り機構によりスポットの形状を
矩形にできるので、スポットの形状を矩形であるところ
の実際に露光すべき領域の形状に一致させることがで
き、しかもそのスポットの縦横比を変えることができる
ので、チップの縦横比に応じて矩形スポットの縦横比を
変えることができる。従って、よりレベリング精度を高
めることができる。
According to the leveling detection device of the stepwise movement type exposure device of the second aspect, since the spot shape can be made rectangular by the diaphragm mechanism, the shape of the spot is rectangular and the area to be actually exposed is formed. Since they can be matched and the aspect ratio of the spots can be changed, the aspect ratio of the rectangular spot can be changed according to the aspect ratio of the chip. Therefore, the leveling accuracy can be further improved.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明逐次移動型露光装置のレベリン
グ検出装置を図示実施例に従って詳細に説明する。図1
(A)、(B)は本発明逐次移動型露光装置のレベリン
グ検出装置の一つの実施例を示すもので、(A)は斜視
図、(B)は絞りの正面図である。本レベリング検出装
置は図3に示したレベリング検出装置とは絞り機構を有
する点で全く相違するが、それ以外の点では共通し、共
通する点については既に説明済みなのでその説明を省略
し、相違する点についてのみ説明する。また、図1の図
3と共通する部分には共通の符号を付した。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A leveling detection device for a sequential movement type exposure apparatus of the present invention will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments. Figure 1
(A) and (B) show one embodiment of a leveling detection device of a sequential movement type exposure apparatus of the present invention, (A) is a perspective view and (B) is a front view of a diaphragm. This leveling detection device is completely different from the leveling detection device shown in FIG. 3 in that it has a diaphragm mechanism, but it is the same in all other respects, and since the common points have already been described, the description thereof will be omitted and the difference will be made. Only the points to be described will be described. Further, the same reference numerals are given to the portions common to FIG. 3 of FIG.

【0013】9は絞りで、光源3から出射されコリメー
トレンズ5により平行光にされたレベリング検出用光4
を絞るものであり、可動片9aを回動することにより絞
りを強めたり弱めたりすることができる。従って、この
絞り9により、露光領域6に照射されるレベリング検出
用光4のスポットサイズを、半導体チップの種類により
大きさの異なるところの1ショットで露光される領域の
その大きさに応じて変えることができる。
A stop 9 is a leveling detection light 4 emitted from the light source 3 and collimated by a collimator lens 5.
The aperture can be strengthened or weakened by rotating the movable piece 9a. Therefore, the spot size of the leveling detection light 4 with which the exposure area 6 is irradiated by the diaphragm 9 is changed according to the size of the area exposed by one shot, which is different in size depending on the type of the semiconductor chip. be able to.

【0014】依って、実際に露光すべき領域よりも広い
領域に照射されたレベリング検出用光に基づいてレベリ
ング検出を行って検出精度が低下するという問題を回避
することができ、延いてはレベリング検出精度を高める
ことができる。
Therefore, it is possible to avoid the problem that the detection accuracy is lowered by performing the leveling detection based on the leveling detection light irradiated on the area wider than the area to be actually exposed, and by extension, the leveling. The detection accuracy can be improved.

【0015】尚、同一品種の半導体チップを大量に生産
する場合もあれば、多品種の半導体チップを生産する場
合もあるので、コンピュータによる自動制御に用いるプ
ログラムによって、スポットサイズを任意の大きさに設
定するモードと、露光すべき領域の大きさが変る毎にそ
れに同期してスポットサイズが露光すべき領域に応じた
大きさになるようにするモードとを作成し、同一品種大
量生産にも多品種少量生産にも対応して安定して高精度
の露光を行うことができるようにすると良い。
Since a large number of semiconductor chips of the same type may be produced or a large number of semiconductor chips of various types may be produced, the spot size can be set to an arbitrary size by a program used for automatic control by a computer. Create a mode to set and a mode to synchronize the spot size each time the size of the area to be exposed changes according to the size of the area to be exposed. It is advisable to be able to perform stable and highly accurate exposure in response to small-volume production of various types.

【0016】また、露光すべき領域の大きさの変化に同
期してスポットサイズが露光すべき領域の大きさと同じ
になるように変化するようにしても良いが、一定のオフ
セットをもって変化するようにしても良いし、また、ス
ポットサイズの大きさの変化の仕方を予め設定してお
き、その設定したとおりにスポットサイズが変化するよ
うにしても良い等、実際の半導体装置の製造にあたって
本発明の適用の仕方には種々の態様が考えられ得る。
Further, the spot size may be changed so as to be the same as the size of the region to be exposed in synchronization with the change in the size of the region to be exposed, but it is changed with a constant offset. Alternatively, the spot size may be changed in advance, and the spot size may be changed according to the setting. Various modes of application can be considered.

【0017】図2は絞りの変形例9bを示す正面図であ
る。この絞り9bはスポットの形状を矩形にし、且つそ
の矩形のスポットの形状の縦横比を可変にしたものであ
る。このように、スポットの形状を矩形にするのは、チ
ップの形状が矩形であり、それを1又は複数含む露光す
べき領域も矩形であるので、その矩形の露光すべき領域
のレベリングを最も的確に検出するのに適したレベリン
グ検出用光のスポットの形状が矩形であるからである。
FIG. 2 is a front view showing a modified example 9b of the diaphragm. The diaphragm 9b has a rectangular spot shape and a variable aspect ratio of the rectangular spot shape. As described above, when the spot shape is rectangular, the chip shape is rectangular, and the area to be exposed including one or more of the spots is also rectangular. Therefore, the leveling of the rectangular area to be exposed is most appropriate. This is because the shape of the spot of the leveling detection light that is suitable for detection is rectangular.

【0018】また、矩形のスポットの縦横比を変えるこ
とができるようにするのは、チップの縦横比が一定では
なく品種により差異があり、それに伴って1ショットで
露光すべき領域の縦横比に差異が生じるので、その差異
に対応できるようにするためである。
Further, the aspect ratio of the rectangular spot can be changed because the aspect ratio of the chip is not constant but varies depending on the product type, and accordingly, the aspect ratio of the area to be exposed in one shot is changed. This is to make it possible to deal with the difference because a difference occurs.

【0019】図2において11a、11aは互いに同期
して中心Oに対して上下方向に離間したり接近したりす
る矩形の遮蔽板、11b、11bは互いに同期して中心
Oと左右方向に離間したり接近したりする矩形の遮蔽板
である。遮蔽板11a、11aの駆動と、11b、11
bの駆動とを別々に行うことによりスポットの形状を矩
形にし且つ縦横比を任意に変えることができる。しかし
て、このような絞り機構を用いることにより、露光領域
の大きさ、縦横比の如何に拘らず高い検出精度でレベリ
ング検出ができる。
In FIG. 2, 11a and 11a are rectangular shield plates which are vertically spaced from and approaching the center O in synchronization with each other, and 11b and 11b are horizontally spaced from the center O in synchronization with each other. It is a rectangular shielding plate that moves in and out. Driving the shield plates 11a, 11a, and 11b, 11
By performing the driving of b separately, the spot shape can be made rectangular and the aspect ratio can be arbitrarily changed. By using such an aperture mechanism, leveling detection can be performed with high detection accuracy regardless of the size of the exposure area and the aspect ratio.

【0020】尚、図1に示したレベリング検出装置にお
いては、絞り9をコリメートレンズ5と露光領域6との
間に設けていたが、必ずしもそのようにすることは不可
欠ではなく、露光領域6と集光レンズ7との間に設ける
ようにしても良いし、また、コリメートレンズ5と光源
3との間に設けるようにしても良いし、集光レンズ7と
レベリング検出器8との間に設けるようにしても良い。
要するに、露光領域6で反射されてレベリング検出器8
に入射されるレベリング検出用光4のスポットサイズ、
スポットの形状を絞り9、9bにより変えることができ
れば絞り9、9bの位置はどこでも良い。また、絞りと
して光が通過する開口の大きさを変えることによって絞
りの強さを変化させるのではなくレベリング検出用光の
軸方向に沿って絞り9、9bを移動することにより絞り
の強さを変化させるようにすることもできる。これは、
絞り9、9bを光源3とコリメートレンズ5との間に、
又は集光レンズ7とレベサング検出器8との間に設ける
ことによって可能である。
Although the diaphragm 9 is provided between the collimator lens 5 and the exposure area 6 in the leveling detection apparatus shown in FIG. 1, it is not always necessary to do so, and the exposure area 6 and It may be provided between the condenser lens 7, the collimator lens 5 and the light source 3, or between the condenser lens 7 and the leveling detector 8. You may do it.
In short, the leveling detector 8 reflected by the exposure area 6
Spot size of the leveling detection light 4 incident on
The positions of the diaphragms 9 and 9b may be anywhere as long as the shape of the spot can be changed by the diaphragms 9 and 9b. Further, instead of changing the size of the aperture through which the light passes as the diaphragm, the strength of the diaphragm is changed by moving the diaphragms 9 and 9b along the axial direction of the leveling detection light. It can be changed. this is,
The diaphragms 9 and 9b are provided between the light source 3 and the collimating lens 5,
Alternatively, it may be provided between the condenser lens 7 and the Levesang detector 8.

【0021】[0021]

【発明の効果】請求項1の逐次移動型露光装置のレベリ
ング検出装置は、レベリング検出用光のスポットサイズ
を変化させる絞り機構を設けたことを特徴とするもので
ある。従って、請求項1のレベリング検出装置によれ
ば、絞り機構によりレベリング検出用光のスポットサイ
ズを変化させることができるので、露光すべき領域の大
きさに応じてレベリング検出用光のスポットサイズを変
えることにより、実際に露光すべき領域よりも広い領域
に照射されたレベリング検出用光に基づいてレベリング
検出を行って検出精度が低下したという従来の問題を解
決することができる。
According to the leveling detection device of the stepwise movement type exposure apparatus of the first aspect of the invention, a diaphragm mechanism for changing the spot size of the leveling detection light is provided. Therefore, according to the leveling detection device of the first aspect, since the spot size of the leveling detection light can be changed by the diaphragm mechanism, the spot size of the leveling detection light is changed according to the size of the area to be exposed. As a result, it is possible to solve the conventional problem that the leveling detection is performed on the basis of the leveling detection light irradiated on a region wider than the region to be actually exposed and the detection accuracy is lowered.

【0022】請求項2の逐次移動型露光装置のレベリン
グ検出装置は、絞り機構がスポットの形状を矩形にする
ようにされ且つその矩形の縦横比を可変にすることので
きるものであることを特徴とするものである。従って、
請求項2のレベリング検出装置によれば、絞り機構によ
りスポットの形状を矩形にできるので、スポットの形状
を矩形であるところの実際に露光すべき領域の形状に一
致させることができ、しかもそのスポットの縦横比を変
えることができるので、チップの縦横比に応じてスポッ
トの縦横比を変えることができる。従って、よりレベリ
ング精度を高めることができる。
According to another aspect of the leveling detection device of the stepwise movement type exposure apparatus, the diaphragm mechanism makes the shape of the spot rectangular, and the aspect ratio of the rectangular can be made variable. It is what Therefore,
According to the leveling detection device of the second aspect, since the shape of the spot can be made rectangular by the diaphragm mechanism, the shape of the spot can be made to coincide with the shape of the region to be actually exposed in the rectangular shape, and the spot can be formed. Since the aspect ratio of can be changed, the aspect ratio of the spot can be changed according to the aspect ratio of the chip. Therefore, the leveling accuracy can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)、(B)は本発明逐次移動型露光装置の
レベリング検出装置の一つの実施例を示すもので、
(A)は斜視図、(B)は絞りの正面図である。
1 (A) and 1 (B) show one embodiment of a leveling detection device of a sequential movement type exposure apparatus of the present invention.
(A) is a perspective view and (B) is a front view of the diaphragm.

【図2】絞りの変形例を示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing a modified example of a diaphragm.

【図3】従来例の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a conventional example.

【図4】発明が解決しようとする問題点を示すスポット
サイズの説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a spot size showing a problem to be solved by the invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レベリングステージ 2 ウェハ 3 光源 4 レベリング検出用光 6 露光領域 8 レベリング検出器 9、9b 絞り 1 Leveling Stage 2 Wafer 3 Light Source 4 Leveling Detection Light 6 Exposure Area 8 Leveling Detector 9, 9b Aperture

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レベリングステージ上に載置されたウェ
ハに対してレベリング検出光を出射する光源と、該光源
から出射され上記ウェハ上で反射された上記レベリング
検出用光を受光してレベリングを検出するレベリング検
出器とを有する逐次移動型露光装置のレベリング検出装
置において、 上記レベリング検出器により受光される上記レベリング
検出用光のスポットサイズを変化させる絞り機構を設け
たことを特徴とする逐次移動型露光装置のレベリング検
出装置
1. A leveling detection is performed by receiving a light source for emitting leveling detection light to a wafer mounted on a leveling stage, and receiving the leveling detection light emitted from the light source and reflected on the wafer. In a leveling detection device of a stepwise movement type exposure apparatus having a leveling detector, a stepping mechanism for changing the spot size of the leveling detection light received by the leveling detector is provided. Leveling detector for exposure equipment
【請求項2】 絞り機構がスポットの形状を矩形にする
ようにされ且つその矩形の縦横比が可変であることを特
徴とする請求項1記載の逐次移動型露光装置のレベリン
グ検出装置
2. The leveling detection device for a sequential movement type exposure apparatus according to claim 1, wherein the diaphragm mechanism has a rectangular spot shape and the aspect ratio of the rectangle is variable.
JP5197022A 1993-07-14 1993-07-14 Leveling detector for sequential shift aligner Pending JPH0729817A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100274605B1 (en) * 1997-12-05 2000-12-15 윤종용 Chip leveling apparatus of stepper for wafer exposure

Cited By (1)

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KR100274605B1 (en) * 1997-12-05 2000-12-15 윤종용 Chip leveling apparatus of stepper for wafer exposure

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