JPH07294962A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は第1の基板に第1の電極
と第2の電極とを有し、第1の電極と第2の電極の重な
り合う領域の第1の電極と第2の電極との間に非線形抵
抗層として、第1の電極の陽極酸化膜、酸化シリコン
膜、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化タンタル
膜、あるいは酸化アルミ膜を有する金属−絶縁膜−金属
(MIM)構造からなる非線形抵抗素子を有する液晶表
示装置の構成と、この構成を形成するための製造方法と
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention has a first substrate having a first electrode and a second electrode, and a first electrode and a second electrode in an overlapping region of the first electrode and the second electrode. A metal-insulating film-metal (MIM) having an anodic oxide film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon carbide film, a tantalum oxide film, or an aluminum oxide film of the first electrode as a nonlinear resistance layer between the electrode and the electrode. The present invention relates to a structure of a liquid crystal display device having a nonlinear resistance element having a structure and a manufacturing method for forming the structure.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年液晶パネルを用いた表示装置は、大
容量化の一途をたどっているが、単純マトリクス構成の
表示装置にマルチプレクス駆動を用いる方式は、高時分
割化するに従ってコントラストの低下あるいは、応答速
度の低下が生じ、200本程度の走査線を有する場合で
は、充分なコントラストを得ることが難しくなる。2. Description of the Related Art In recent years, a display device using a liquid crystal panel has been steadily increasing in capacity. However, in a system using a multiplex drive for a display device having a simple matrix structure, the contrast is lowered as the time division is increased. Alternatively, the response speed decreases, and it becomes difficult to obtain a sufficient contrast when there are about 200 scanning lines.
【0003】そこで、このような欠点を除去するため
に、個々の画素にスイッチング素子を設けるアクティブ
マトリクス液晶表示パネルが採用されている。Therefore, in order to eliminate such a defect, an active matrix liquid crystal display panel in which a switching element is provided in each pixel is adopted.
【0004】このアクティブマトリクス液晶表示パネル
には、大別すると薄膜トランジスタを用いる三端子系
と、非線形抵抗素子を用いる二端子系とがあるが、構造
や製造方法が簡単な点で、二端子系が優れている。This active matrix liquid crystal display panel is roughly classified into a three-terminal system using a thin film transistor and a two-terminal system using a non-linear resistance element, but the two-terminal system is simple in structure and manufacturing method. Are better.
【0005】この二端子系には、ダイオード型や、バリ
スタ型や、MIM型などが開発されているが、MIM型
はとくに構造が簡単で、そのうえ製造工程が短いという
特徴を備えている。For the two-terminal system, a diode type, a varistor type, a MIM type and the like have been developed. The MIM type is characterized by its simple structure and short manufacturing process.
【0006】図6は非線形抵抗素子を用いた液晶表示装
置の構成を示す平面図である。さらに図7は、図6の液
晶表示装置を示す平面図におけるA−A線での断面を示
す断面図である。以下図6と図7とを交互に用いて説明
する。FIG. 6 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device using a non-linear resistance element. Further, FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cross section taken along line AA in the plan view showing the liquid crystal display device of FIG. Hereinafter, description will be made by alternately using FIG. 6 and FIG. 7.
【0007】第1の基板31上には、第1の電極32を
形成し、この第1の電極32上に、非線形抵抗層33を
形成する。さらに第2の電極34を非線形抵抗層33上
にオーバーラップするように形成して、非線形抵抗素子
30を形成している。この第2の電極34の一部は、表
示電極35を兼ねている。A first electrode 32 is formed on the first substrate 31, and a nonlinear resistance layer 33 is formed on the first electrode 32. Further, the second electrode 34 is formed so as to overlap the non-linear resistance layer 33 to form the non-linear resistance element 30. A part of the second electrode 34 also serves as the display electrode 35.
【0008】第2の基板36上には、第1の基板31に
形成するそれぞれの表示電極35の隙間からの光の漏れ
を防止するために、斜線61によって示すブラックマト
リクス37を形成している。A black matrix 37 indicated by diagonal lines 61 is formed on the second substrate 36 in order to prevent light from leaking from the gaps between the display electrodes 35 formed on the first substrate 31. .
【0009】さらに、第2の基板36には、表示電極3
5と対向するように、対向電極39をブラックマトリク
ス37と接触して短絡しないように絶縁膜38を介し
て、形成している。Further, the display electrode 3 is formed on the second substrate 36.
5, the counter electrode 39 is formed via the insulating film 38 so as not to come into contact with the black matrix 37 and short-circuit.
【0010】第1の基板31上に設ける第1の電極32
は、非線形抵抗素子30を形成するために張り出してい
る領域を形成し、この張り出し領域が第2の電極34と
オーバーラップして非線形抵抗素子30を形成してい
る。A first electrode 32 provided on a first substrate 31
Forms a region that is extended to form the nonlinear resistance element 30, and this extended region overlaps the second electrode 34 to form the nonlinear resistance element 30.
【0011】またさらに図6の平面図に示すように、第
1の電極32と表示電極35とは、一定の間隙を有して
いる。Further, as shown in the plan view of FIG. 6, the first electrode 32 and the display electrode 35 have a constant gap.
【0012】表示電極35は、対向電極39と重なり合
うように配置することにより、液晶表示パネルの画素部
となる。The display electrode 35 becomes a pixel portion of the liquid crystal display panel by arranging the display electrode 35 so as to overlap the counter electrode 39.
【0013】ブラックマトリスク37は、表示電極35
の形成領域にまで、はみ出すように形成し、表示電極3
5の周辺部の領域からの光りの漏れを防止する役割を持
っている。The black matrix 37 is a display electrode 35.
The display electrode 3 is formed so as to extend to the formation region of
It also has the role of preventing the leakage of light from the peripheral region of 5.
【0014】表示電極35上のブラックマトリクス37
の形成されていない領域の液晶の透過率変化により、液
晶表示装置は所定の表示を行う。Black matrix 37 on display electrode 35
The liquid crystal display device performs a predetermined display according to the change in the transmittance of the liquid crystal in the region where the pixel is not formed.
【0015】さらに第1の基板31と第2の基板36と
は、液晶41の分子を規則的に並べるための処理層とし
て、それぞれ配向膜40を形成する。Further, the first substrate 31 and the second substrate 36 are each provided with an alignment film 40 as a processing layer for regularly arranging the molecules of the liquid crystal 41.
【0016】さらにそのうえスペーサー42によって、
第1の基板31と第2の基板36とを所定の間隔をもっ
て対向させ、第1の基板31と第2の基板36との間に
は、液晶41を封入する。Furthermore, by means of the spacer 42,
The first substrate 31 and the second substrate 36 are opposed to each other with a predetermined gap, and the liquid crystal 41 is sealed between the first substrate 31 and the second substrate 36.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】ところで、非線形抵抗
素子には、印加電圧の極性により、非対称な変化を示す
ものがある。この非対称特性を有する非線形抵抗素子の
特性例を、図面を用いて説明する。By the way, some non-linear resistance elements exhibit an asymmetrical change depending on the polarity of the applied voltage. A characteristic example of the non-linear resistance element having this asymmetrical characteristic will be described with reference to the drawings.
【0018】図8は、第1の電極としてタンタル(T
a)、非線形抵抗層として酸化タンタル(Ta2 O
5 )、第2の電極として透明導電膜であるITO(酸化
インジウムスズ)を用いた非線形抵抗素子の電圧−電流
特性を示すグラフである。In FIG. 8, tantalum (T
a), tantalum oxide (Ta 2 O) as a nonlinear resistance layer
5 ) is a graph showing voltage-current characteristics of a non-linear resistance element using ITO (indium tin oxide) which is a transparent conductive film as the second electrode.
【0019】図8のグラフにおいて、曲線Lは非線形抵
抗素子の初期の特性を示す。これに対して曲線Mは、非
線形抵抗素子を駆動した後の特性を示している。In the graph of FIG. 8, the curve L shows the initial characteristics of the nonlinear resistance element. On the other hand, the curve M shows the characteristic after driving the nonlinear resistance element.
【0020】非線形抵抗素子の第1の電極に正の電圧を
印加するときは、駆動後の特性を示す曲線Mは、初期特
性を示す曲線Lより、同一電圧にて非線形抵抗素子に流
すことができる電流値は、大きく低下している。When a positive voltage is applied to the first electrode of the non-linear resistance element, the curve M showing the characteristics after driving can flow through the non-linear resistance element at the same voltage than the curve L showing the initial characteristics. The current value that can be generated is greatly reduced.
【0021】また、非線形抵抗素子の第1の電極に負の
電圧を印加するときには、駆動後の特性を示す曲線M
は、初期特性を示す曲線Lと、同一電圧にて非線形抵抗
素子に流すことができる電流値は、ほとんど差がない。When a negative voltage is applied to the first electrode of the non-linear resistance element, a curve M showing the characteristics after driving is applied.
Shows almost no difference between the curve L showing the initial characteristics and the current value that can be passed through the non-linear resistance element at the same voltage.
【0022】ここで、第1の電極(Ta)に正の電圧を
印加するときの初期特性を示す曲線Lと、駆動した後の
特性を示す曲線Mとの差分をPで示し、同じように、第
1の電極(Ta)に負の電圧を印加するときの初期特性
を示す曲線Lと駆動した後の特性を示す曲線Mとの差分
をQで示す。この差分P,Qは、図8のグラフから明ら
かなように、第1の電極に負電圧を印加したときの差分
Qよりも、第1の電極に正の電圧を印加したとき差分P
のほうがきわめて大きい。Here, the difference between the curve L showing the initial characteristics when a positive voltage is applied to the first electrode (Ta) and the curve M showing the characteristics after driving is indicated by P, and similarly. , Q indicates the difference between the curve L showing the initial characteristics when a negative voltage is applied to the first electrode (Ta) and the curve M showing the characteristics after driving. As is clear from the graph of FIG. 8, the differences P and Q are larger than the difference Q when a negative voltage is applied to the first electrode, and the difference P when a positive voltage is applied to the first electrode.
Is much larger.
【0023】さらに図9に、図8のグラフを用いて説明
した差分PとQの駆動時間による変化を示す。Further, FIG. 9 shows changes in the differences P and Q explained with reference to the graph of FIG. 8 according to the driving time.
【0024】曲線Rは、第1の電極に正の電圧を印加し
たときの差分Pの駆動時間による変化を示しており、駆
動時間により、電流値の変化量は急激に増加する。The curve R shows the change in the difference P with the driving time when a positive voltage is applied to the first electrode, and the amount of change in the current value sharply increases with the driving time.
【0025】これに対して曲線Sは、第1の電極に負の
電圧を印加したときの差分Qの駆動時間による変化を示
しており、駆動時間が増加しても、電流値はほとんど変
化が発生していない。On the other hand, the curve S shows the change of the difference Q with the driving time when a negative voltage is applied to the first electrode, and the current value hardly changes even if the driving time increases. It has not occurred.
【0026】この様子は、曲線Rと曲線Sとの差分Uに
より示すことができ、差分Uは駆動時間により急激に増
加する。This state can be shown by the difference U between the curve R and the curve S, and the difference U rapidly increases with the driving time.
【0027】この差分Uは、駆動時間のほかに、非線形
抵抗素子に流す電流量や、非線形抵抗素子の駆動する環
境や、非線形抵抗素子の履歴により変化する。This difference U changes depending on the amount of current flowing through the non-linear resistance element, the environment in which the non-linear resistance element is driven, and the history of the non-linear resistance element, in addition to the driving time.
【0028】そのため、差分Uの変化を補償すること
は、きわめて難しい。Therefore, it is extremely difficult to compensate for the change in the difference U.
【0029】この差分Uが発生することによって、液晶
画素に加わる電圧は、非線形抵抗素子の第1の電極に正
の電圧を印加するときと、負の電圧を印加するときでは
異なる。このため、フリッカによる画像のチラツキ現象
や、液晶中のイオンの偏りによる残像現象である画像の
焼き付き現象が生じ、液晶表示装置の表示品質が著しく
低下するという問題点が発生する。When the difference U is generated, the voltage applied to the liquid crystal pixel is different when a positive voltage is applied to the first electrode of the non-linear resistance element and when a negative voltage is applied. As a result, the image flickering phenomenon due to flicker and the image sticking phenomenon, which is the afterimage phenomenon due to the bias of the ions in the liquid crystal, occur, and the display quality of the liquid crystal display device is significantly degraded.
【0030】本発明の目的は、上記の非線形抵抗素子の
極性による非対称な特性変化を抑えて、液晶への直流印
加を減らし、液晶の品質の低下をなくし、フリッカ現象
および画像焼き付き現象を防止し、良好な画像品質を有
する液晶表示装置の構造と、この構造を形成するための
製造方法とを提供することである。The object of the present invention is to suppress the asymmetrical characteristic change due to the polarity of the above-mentioned nonlinear resistance element, reduce the direct current application to the liquid crystal, eliminate the deterioration of the quality of the liquid crystal, and prevent the flicker phenomenon and the image sticking phenomenon. To provide a structure of a liquid crystal display device having good image quality and a manufacturing method for forming the structure.
【0031】[0031]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置の構造と、この構造を形成す
るための製造方法とは下記記載の手段を採用する。In order to achieve the above object, the structure of the liquid crystal display device of the present invention and the manufacturing method for forming this structure adopt the following means.
【0032】本発明の液晶表示装置は、第1の基板と第
2の基板とを備え、この第1の基板は第1の電極と非線
形抵抗層と第2の電極とからなる非線形抵抗素子と表示
電極とを有し、第2の基板は開口部を有するブラックマ
トリクスと、ブラックマトリクス上の対向電極と、開口
部に対向した位置で対向電極上に設ける透明突起とを有
し、開口部と非線形抵抗素子とは対向する位置に設け
て、非線形抵抗素子に光を照射することを特徴とする。The liquid crystal display device of the present invention comprises a first substrate and a second substrate, and the first substrate is a non-linear resistance element including a first electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode. The second substrate has a display electrode and a black matrix having an opening, a counter electrode on the black matrix, and a transparent protrusion provided on the counter electrode at a position facing the opening, and the second substrate has an opening. It is characterized in that it is provided at a position facing the non-linear resistance element, and the non-linear resistance element is irradiated with light.
【0033】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1
の基板は全面に第1の電極材料を形成し、フォトエッチ
ングによりパタ−ニングし、第1の電極を形成する工程
と、第1の電極の表面に非線形抵抗層を形成する工程
と、全面に第2の電極材料を形成しフォトエッチングに
よりパタ−ニングし第2の電極を形成し、第1の電極と
非線形抵抗層と第2の電極からなる非線形抵抗素子と同
時に表示電極を形成する工程とを有し、第2の基板は印
刷法を用いて開口部を有するブラックマトリクスを形成
する工程と、全面に対向電極材料を形成し、フォトエッ
チングにより対向電極を形成する工程と、全面に透明突
起材料を形成しフォトエッチングにより開口部に対応す
る位置に透明突起を形成する工程とを有し、第1の基板
と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基板と第2の
基板との間に液晶を封入することを特徴とする。The method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is the first
Of the substrate, the step of forming the first electrode material on the entire surface and patterning by photoetching to form the first electrode, the step of forming the non-linear resistance layer on the surface of the first electrode, A step of forming a second electrode material and patterning it by photo-etching to form a second electrode, and simultaneously forming a display electrode at the same time as a non-linear resistance element composed of the first electrode, the non-linear resistance layer and the second electrode; The second substrate has a step of forming a black matrix having openings using a printing method, a step of forming a counter electrode material on the entire surface and forming the counter electrode by photoetching, and a transparent protrusion on the entire surface. A step of forming a material and forming a transparent protrusion at a position corresponding to the opening by photoetching, stacking the first substrate and the second substrate, and further forming a transparent substrate between the first substrate and the second substrate. Liquid crystal in between Characterized in that it enter.
【0034】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1
の基板は全面に第1の電極材料を形成し、フォトエッチ
ングによりパタ−ニングし、第1の電極を形成する工程
と、第1の電極表面に非線形抵抗層を形成する工程と、
全面に第2の電極材料を形成しフォトエッチングにより
パタ−ニングし第2の電極を形成し、第1の電極と非線
形抵抗層と第2の電極からなる非線形抵抗素子を形成す
る工程と、全面に表示電極材料を形成し、フォトエッチ
ングにより表示電極を形成する工程とを有し、第2の基
板は印刷法を用いて開口部を有するブラックマトリクス
を形成する工程と、全面に対向電極材料を形成し、フォ
トエッチングにより対向電極を形成する工程と、全面に
透明突起材料を形成しフォトエッチングにより開口部に
対応する位置に透明突起を形成する工程とを有し、第1
の基板と第2の基板とを重ね合わせ、さらに第1の基板
と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る。The method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is the first
A step of forming a first electrode material on the entire surface of the substrate and patterning by photoetching to form a first electrode; and a step of forming a non-linear resistance layer on the surface of the first electrode.
A step of forming a second electrode material on the entire surface and performing patterning by photoetching to form a second electrode, and forming a nonlinear resistance element composed of the first electrode, the nonlinear resistance layer and the second electrode; A step of forming a display electrode material on the second substrate and forming a display electrode by photo-etching, and a step of forming a black matrix having an opening using a printing method on the second substrate, and forming a counter electrode material on the entire surface. Forming a counter electrode by photoetching and forming a transparent protrusion material on the entire surface and forming a transparent protrusion at a position corresponding to the opening by photoetching.
The substrate and the second substrate are overlapped with each other, and liquid crystal is sealed between the first substrate and the second substrate.
【0035】[0035]
【作用】ブラックマトリクスに開口部を設け、この開口
部を介して非線形抵抗素子に光照射する。このことによ
り、第1の電極に正の電圧を印加するときの、駆動時間
による電流値の変化量が少なくなる。The black matrix is provided with an opening, and the nonlinear resistance element is irradiated with light through this opening. This reduces the amount of change in the current value due to the driving time when applying a positive voltage to the first electrode.
【0036】したがって、第1の電極に負の電圧を印加
するときの、駆動時間による電流値との差分もきわめて
小さくできる。このため、液晶へ非対称な電圧が印加さ
れなくなり、フリッカ現象や、あるいは残像現象である
画面焼き付き現象を抑えることができる。Therefore, the difference from the current value due to the driving time when a negative voltage is applied to the first electrode can be made extremely small. For this reason, an asymmetric voltage is not applied to the liquid crystal, and it is possible to suppress a flicker phenomenon or a screen burn-in phenomenon which is an afterimage phenomenon.
【0037】さらにまた、偏光板の偏光軸を90゜に配
置する、いわゆるノ−マリ−白モ−ドでは、ブラックマ
トリクスの開口部に対応する位置に、透明突起を設け
る。Furthermore, in a so-called normally white mode in which the polarization axis of the polarizing plate is arranged at 90 °, a transparent protrusion is provided at a position corresponding to the opening of the black matrix.
【0038】このことで、透明突起と非線形抵抗素子間
のセルギャップが、対向電極と表示電極間のセルギャッ
プより小さくなる。このため、透明突起と非線形抵抗素
子との間の透過率は非常に少なくなる。As a result, the cell gap between the transparent protrusion and the non-linear resistance element becomes smaller than the cell gap between the counter electrode and the display electrode. Therefore, the transmittance between the transparent protrusion and the non-linear resistance element is very small.
【0039】ブラックマトリクスの開口部から液晶表示
装置外部への光漏れが少ないため、コントラストの高い
表示品質が得られる。Since there is little light leakage from the openings of the black matrix to the outside of the liquid crystal display device, display quality with high contrast can be obtained.
【0040】[0040]
【実施例】以下に本発明の実施例における液晶表示装置
の構成とその製造方法とを図面に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention and its manufacturing method will be described below with reference to the drawings.
【0041】まず本発明の第1の実施例を説明する。図
2は、本発明の実施例における液晶表示装置の構造を示
す平面図である。図1は、図2の平面図に示す液晶表示
装置のB−B線における断面を示す断面図である。以
下、図1と図2とを交互に用いて本発明の液晶表示装置
の構成を説明する。First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a plan view showing the structure of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view showing a section taken along line BB of the liquid crystal display device shown in the plan view of FIG. Hereinafter, the configuration of the liquid crystal display device of the present invention will be described by alternately using FIG. 1 and FIG.
【0042】第1の基板1上には、タンタル(Ta)か
らなる第1の電極2を設け、さらにこの第1の電極2上
には、第1の電極2を陽極酸化処理して形成する酸化タ
ンタル(Ta2 O5 )からなる非線形抵抗層3を設け
る。A first electrode 2 made of tantalum (Ta) is provided on the first substrate 1, and the first electrode 2 is formed on the first electrode 2 by anodizing. A nonlinear resistance layer 3 made of tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) is provided.
【0043】さらに非線形抵抗層3上に透明導電膜とし
てITO(酸化インジウムスズ)からなる第2の電極4
を設ける。Further, a second electrode 4 made of ITO (indium tin oxide) is formed as a transparent conductive film on the nonlinear resistance layer 3.
To provide.
【0044】この第1の電極2と非線形抵抗層3と第2
の電極4とによって、MIM構造の非線形抵抗素子14
を形成している。The first electrode 2, the non-linear resistance layer 3 and the second
And the electrode 4 of the non-linear resistance element 14 of the MIM structure.
Is formed.
【0045】なお図2の平面図に示すように、第2の電
極4の一部領域は、表示電極5を兼ねている。As shown in the plan view of FIG. 2, a partial region of the second electrode 4 also serves as the display electrode 5.
【0046】第2の基板6上には、第1の基板1に形成
するそれぞれの表示電極5の隙間からの光の漏れを防止
するために、斜線61によって示す、ブラックマトリク
ス7を、不透明な絶縁物質を用いて形成する。なお図2
の平面図に示すように、表示電極5と対向する領域には
ブラックマトリクス7は、形成しない。On the second substrate 6, in order to prevent light from leaking through the gaps between the respective display electrodes 5 formed on the first substrate 1, the black matrix 7 indicated by the diagonal lines 61 is opaque. It is formed using an insulating material. Figure 2
The black matrix 7 is not formed in the region facing the display electrode 5 as shown in FIG.
【0047】このブラックマトリクス7には、非線形抵
抗素子14に光を照射するための開口部13を、非線形
抵抗素子14に対応する位置に形成する。In this black matrix 7, an opening 13 for irradiating the nonlinear resistance element 14 with light is formed at a position corresponding to the nonlinear resistance element 14.
【0048】さらに第2の基板6には、表示電極5と対
向するように、ITO膜からなる対向電極9を設ける。Further, a counter electrode 9 made of an ITO film is provided on the second substrate 6 so as to face the display electrode 5.
【0049】対向電極9の上で、ブラックマトリクスの
開口部13の位置に、透明な絶縁物質を用いて、透明突
起15を形成する。A transparent protrusion 15 is formed on the counter electrode 9 at the position of the opening 13 of the black matrix using a transparent insulating material.
【0050】この透明突起15の高さ寸法は、表示電極
5と対向電極9との間隔寸法より、多少小さくすること
で、透明突起15と非線形抵抗素子14のとセルギャッ
プ寸法は非常に小さくなっている。By making the height dimension of the transparent protrusion 15 slightly smaller than the distance dimension between the display electrode 5 and the counter electrode 9, the cell gap dimension between the transparent protrusion 15 and the non-linear resistance element 14 becomes very small. ing.
【0051】透明突起15の幅寸法は、ブラックマトリ
クス7の開口部13より多少大きくして、フォトリソ工
程の位置精度や、エッチング工程での透明突起のテ−パ
−化に対処している。The width dimension of the transparent protrusion 15 is made slightly larger than the opening 13 of the black matrix 7 to cope with the positional accuracy of the photolithography process and the taper of the transparent protrusion in the etching process.
【0052】表示電極5は、対向電極9と重なり合うよ
うに配置することにより、液晶表示パネルの画素部とな
る。By disposing the display electrode 5 so as to overlap the counter electrode 9, it becomes a pixel portion of the liquid crystal display panel.
【0053】ブラックマトリスク7は、表示電極5を形
成している領域にまで、はみ出すように形成しており、
表示電極5の周辺部の領域からの光りの漏れを防止する
役割を持っている。The black matrix 7 is formed so as to extend to the region where the display electrode 5 is formed.
It has a role of preventing leakage of light from the peripheral region of the display electrode 5.
【0054】表示電極5上のブラックマトリクス7が形
成されていない領域の液晶の透過率変化により、液晶表
示装置は所定の表示を行う。The liquid crystal display device performs a predetermined display by changing the transmittance of the liquid crystal in the region where the black matrix 7 is not formed on the display electrode 5.
【0055】さらに第1の基板1と第2の基板6とは、
液晶11の分子を規則的に並べるための処理層として、
それぞれ配向膜10を形成する。さらにそのうえスペー
サー12によって、第1の基板1と第2の基板6とを所
定の間隔をもって対向させ、第1の基板1と第2の基板
6との間には、液晶11を封入している。Further, the first substrate 1 and the second substrate 6 are
As a treatment layer for regularly arranging the molecules of the liquid crystal 11,
The alignment film 10 is formed in each case. Furthermore, a spacer 12 makes the first substrate 1 and the second substrate 6 face each other with a predetermined gap, and a liquid crystal 11 is sealed between the first substrate 1 and the second substrate 6. .
【0056】また、第1の基板1と第2の基板6の外側
には、偏光板16を、その偏光軸を交差するように配置
し、電圧無印加状態では白を示す、ノ−マリ−白モ−ド
になっている。Further, a polarizing plate 16 is arranged outside the first substrate 1 and the second substrate 6 so as to intersect the polarization axes thereof, and shows a white state when no voltage is applied. It is in white mode.
【0057】つぎに、本発明の実施例における液晶表示
装置の構成による、光照射効果の作用について説明す
る。Next, the function of the light irradiation effect by the constitution of the liquid crystal display device in the embodiment of the present invention will be explained.
【0058】液晶表示装置は自己発光しないために、外
部からの光として表示用照明部が必要になる。Since the liquid crystal display device does not emit light by itself, a display illumination unit is required as light from the outside.
【0059】そのため、たとえば三波長蛍光管と反射板
と拡散板とからなる表示用照明部側に、ブラックマトリ
クス7を形成する第2の基板6を配置する。Therefore, for example, the second substrate 6 forming the black matrix 7 is arranged on the side of the display illumination section composed of the three-wavelength fluorescent tube, the reflection plate and the diffusion plate.
【0060】このことにより、ブラックマトリクス7の
開口部13より、透明突起15を介して、表示用照明部
を用いて、容易に非線形抵抗素子14に光を照射するこ
とができる。This makes it possible to easily irradiate the nonlinear resistance element 14 with light from the opening 13 of the black matrix 7 through the transparent projection 15 and using the display illumination section.
【0061】透明突起15を設ける本発明の実施例を用
いたときの非線形抵抗素子の駆動による素子特性(電流
−電圧特性)の変化の様子を、図3のグラフと図4のグ
ラフとを用いて説明する。Using the graph of FIG. 3 and the graph of FIG. 4, how the element characteristics (current-voltage characteristics) are changed by driving the non-linear resistance element when the embodiment of the present invention in which the transparent protrusion 15 is provided is used. Explain.
【0062】図3は、図8のグラフに示す非線形抵抗素
子の第1の電極(Ta)に正の電圧を印加するときの初
期特性を示す曲線Lと、駆動した後の特性を示す曲線M
との差分を示すPの光量による依存性を示す曲線Dと、
第1の電極(Ta)に負の電圧を印加するときの初期特
性を示す曲線Lと駆動した後の特性を示す曲線Mとの差
分を示すQの光量による依存性を示す曲線Eとを示すグ
ラフである。FIG. 3 is a curve L showing the initial characteristics when a positive voltage is applied to the first electrode (Ta) of the nonlinear resistance element shown in the graph of FIG. 8, and a curve M showing the characteristics after driving.
A curve D showing the dependence of P on the light amount, which shows the difference between
3 shows a curve E showing a difference between a curve L showing an initial characteristic when a negative voltage is applied to the first electrode (Ta) and a curve M showing a characteristic after driving, and a curve E showing a dependence of Q on the light amount. It is a graph.
【0063】図3のグラフから明らかなように、第1の
電極に正電圧を印加した状態を示す曲線Dは、非線形抵
抗素子に照射する光量が1000ルクスより大きくなる
に従い、急激に減少している。As is apparent from the graph of FIG. 3, the curve D showing the state in which a positive voltage is applied to the first electrode sharply decreases as the amount of light applied to the nonlinear resistance element becomes larger than 1000 lux. There is.
【0064】これに対して第1の電極に負の電圧を印加
した状態を示す曲線Eは、光量の増加により、徐々に減
少するが、曲線Dに比較して、光量5000ルクス程度
までは、その変化量はきわめて小さい。On the other hand, the curve E showing the state in which a negative voltage is applied to the first electrode gradually decreases as the light quantity increases, but compared with the curve D, the light quantity up to about 5000 lux, The amount of change is extremely small.
【0065】曲線Dと曲線Eとの差分Fが大きいときに
は、第1の電極へ印加する電圧の極性により液晶に非対
称な電圧が印加されることになり、フリッカ現象、ある
いは残像現象である画像焼き付き現象が生じる。When the difference F between the curve D and the curve E is large, an asymmetric voltage is applied to the liquid crystal due to the polarity of the voltage applied to the first electrode, which causes image sticking which is a flicker phenomenon or an afterimage phenomenon. The phenomenon occurs.
【0066】さらに図3のグラフから明らかなように、
5000ルクス以上の光量を非線形抵抗素子に照射する
ことにより、第1の電極に印加する電圧の極性による非
対称な変化量、すなわち差分Fをきわめて小さくするこ
とができる。Further, as is clear from the graph of FIG.
By irradiating the nonlinear resistance element with a light amount of 5000 lux or more, the amount of asymmetric change due to the polarity of the voltage applied to the first electrode, that is, the difference F can be made extremely small.
【0067】そのため、光量5000ルクスの光りを非
線形抵抗素子に照射しながら、液晶表示装置を駆動する
ことにより、非線形抵抗素子の非対称な特性変化を、き
わめて小さくすることができる。Therefore, by driving the liquid crystal display device while irradiating the nonlinear resistance element with the light of 5000 lux, the asymmetrical characteristic change of the nonlinear resistance element can be made extremely small.
【0068】図4は、本発明の実施例の非線形抵抗素子
に光量5000ルクスの光を照射しながら駆動を行った
ときの駆動時間(t)と、電流の変化量(P,Q)との
関係を示すグラフである。FIG. 4 shows the driving time (t) and the amount of change in current (P, Q) when the nonlinear resistance element of the embodiment of the present invention is driven while irradiating it with a light amount of 5000 lux. It is a graph which shows a relationship.
【0069】図4のグラフに示す曲線Wは、第1の電極
(Ta)に正の電圧を印加するときの初期特性と、駆動
した後の特性との差分を示す電流の変化量Pの駆動時間
による依存性を示す曲線である。これに対して曲線X
は、第1の電極(Ta)に負の電圧を印加するときの初
期特性と、駆動した後の特性との差分を示す電流の変化
量Qの駆動時間による依存性を示す曲線である。The curve W shown in the graph of FIG. 4 indicates the driving amount P of the current which indicates the difference between the initial characteristics when a positive voltage is applied to the first electrode (Ta) and the characteristics after driving. It is a curve showing time dependence. On the other hand, curve X
Is a curve showing the dependence of the amount of change in current Q on the driving time, which shows the difference between the initial characteristics when a negative voltage is applied to the first electrode (Ta) and the characteristics after driving.
【0070】図4のグラフに示すように、第1の電極に
正の電圧を印加した状態を示す曲線Wは、駆動時間によ
り僅かに増加するにとどまっており、さらに第1の電極
に負の電圧を印加した状態を示す曲線Xは、駆動時間の
増加により、その変化量はきわめて小さな変化となって
いる。As shown in the graph of FIG. 4, the curve W showing the state in which a positive voltage is applied to the first electrode only slightly increases with the driving time, and the negative voltage is further applied to the first electrode. The change amount of the curve X showing the state in which the voltage is applied is extremely small as the driving time is increased.
【0071】またさらに、曲線Wと曲線Xとの差分T
も、駆動時間の増加があっても小さくなっている。Furthermore, the difference T between the curve W and the curve X
However, even if the driving time is increased, it is reduced.
【0072】この結果、液晶への直流電圧印加を減少さ
せることができ、液晶の品質の低下をなくし、フリッカ
現象、および画像の焼き付き現象を防止することが可能
となる。したがって、良好な画像品質を有する液晶表示
装置が得られる。As a result, it is possible to reduce the direct current voltage applied to the liquid crystal, eliminate the deterioration of the quality of the liquid crystal, and prevent the flicker phenomenon and the image sticking phenomenon. Therefore, a liquid crystal display device having good image quality can be obtained.
【0073】つぎに、透明突起15による、ブラックマ
トリクス7の開口部13からの光漏れを抑える作用につ
いて説明する。Next, the function of suppressing light leakage from the opening 13 of the black matrix 7 by the transparent protrusion 15 will be described.
【0074】図5は、本発明の実施例で使用した液晶パ
ネルの、電圧無印加時のセルギャップと透過率の関係を
示したものである。FIG. 5 shows the relationship between the cell gap and the transmittance of the liquid crystal panel used in the examples of the present invention when no voltage is applied.
【0075】液晶の複屈折異方性Δn=0.125、セ
ルギャップdは4μmであるので、Δnd=500nm
になっている。セルギャップdが小さくなるに従い、透
過率が低下してゆく。Since the birefringence anisotropy of the liquid crystal is Δn = 0.125 and the cell gap d is 4 μm, Δnd = 500 nm.
It has become. The transmittance decreases as the cell gap d decreases.
【0076】図5のグラフに示すように、セルギャップ
の寸法が0.7μm以下であれば、透過率は10%に減
少し、セルギャップの寸法が0.4μm以下であれば、
透過率は3%にまで低下する。As shown in the graph of FIG. 5, when the cell gap size is 0.7 μm or less, the transmittance is reduced to 10%, and when the cell gap size is 0.4 μm or less,
The transmittance drops to 3%.
【0077】図1において、表示電極5と対向電極9と
のセルギャップは、4μmであるため透過率は高い。こ
れに対して、厚さ3.6μmの透明突起15を設けた箇
所のセルギャップは0.4μmとなり、透過率は3%に
なる。In FIG. 1, since the cell gap between the display electrode 5 and the counter electrode 9 is 4 μm, the transmittance is high. On the other hand, the cell gap where the transparent protrusion 15 having a thickness of 3.6 μm is provided is 0.4 μm, and the transmittance is 3%.
【0078】さらに、実際に駆動して、画面表示する際
には、第1の電極2より液晶11に電圧が印加されるの
で、開口部13からの漏れ光は、1%以下におさえられ
る。Further, when the liquid crystal 11 is actually driven to display a screen, a voltage is applied to the liquid crystal 11 from the first electrode 2, so that the leakage light from the opening 13 is suppressed to 1% or less.
【0079】したがって、透明突起15を設けることに
より、ブラックマトリクス7の開口部13を大きくで
き、非線形抵抗素子14に効率良く光り照射が可能にな
る。しかも、開口部13からの光漏れが無くなるので、
コントラストを低下させる心配も無い。Therefore, by providing the transparent protrusions 15, the openings 13 of the black matrix 7 can be enlarged, and the nonlinear resistance element 14 can be efficiently illuminated with light. Moreover, since light leakage from the opening 13 is eliminated,
There is no need to worry about reducing the contrast.
【0080】つぎに、本発明における第1の実施例の液
晶表示装置の製造方法について、図1を用いて説明す
る。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0081】第1の基板1には、アルカリ金属の含有率
の少ないガラスが良く、本発明の実施例においては、日
本電気ガラス製の商品名OA2で、厚さ1.1mmのも
のを使用する。The first substrate 1 is preferably made of glass having a low alkali metal content, and in the embodiment of the present invention, the product name OA2 made by Nippon Electric Glass Co., Ltd. having a thickness of 1.1 mm is used. .
【0082】つぎに、第1の基板1の全面に第1の電極
2の材料として厚さ0.1〜0.3μmのタンタル膜を
スパッタリング法や真空蒸着法により形成する。Next, a tantalum film having a thickness of 0.1 to 0.3 μm is formed as a material of the first electrode 2 on the entire surface of the first substrate 1 by a sputtering method or a vacuum evaporation method.
【0083】その後、第1の電極2材料上にフォトレジ
ストを回転塗布法により全面に形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the first electrode 2 material by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0084】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて第1の電極2材料を、
六フッ化イオウ(SF6 )とヘリウムと酸素の混合ガス
をエッチングガスとして用いるドライエッチングによ
り、第1の電極2材料であるタンタル膜をパタ−ンニン
グし、第1の電極2を形成する。第1の電極2の配線領
域の線幅寸法は20μmで、非線形素子領域の線幅寸法
は3μmとする。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the first electrode 2 material is
By dry etching using sulfur hexafluoride (SF 6) and helium and mixed gas of oxygen as the etching gas, a tantalum film serving as the first electrode 2 material pattern - and N'ningu, to form a first electrode 2. The line width dimension of the wiring region of the first electrode 2 is 20 μm, and the line width dimension of the nonlinear element region is 3 μm.
【0085】つぎに、クエン酸やほう酸アンモニウムな
どの陽極酸化槽に第1の基板1を浸漬して、30V〜5
0Vの直流電圧を印加する、陽極酸化処理により0.0
5〜0.1μmの膜厚を有する酸化タンタル(Ta2 O
5 )からなる非線形抵抗層3を形成する。Next, the first substrate 1 is immersed in an anodizing bath of citric acid, ammonium borate or the like, and the voltage of 30V to 5V is applied.
Applying a DC voltage of 0V, anodizing process
Tantalum oxide (Ta 2 O having a film thickness of 5 to 0.1 μm)
The non-linear resistance layer 3 consisting of 5 ) is formed.
【0086】さらに、第2の電極4の材料と表示電極5
の材料として、全面に透明導電膜であるITOをスパッ
タリング法や真空蒸着法により、0.1〜0.3μmの
厚さに形成する。Further, the material of the second electrode 4 and the display electrode 5
As a material for the above, ITO, which is a transparent conductive film, is formed on the entire surface by a sputtering method or a vacuum deposition method to a thickness of 0.1 to 0.3 μm.
【0087】その後、ITO膜上にフォトレジストを回
転塗布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用
いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォトレジス
トをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the ITO film by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0088】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて第2の電極4材料と表
示電極5材料であうITOを、塩化第2鉄と塩酸の混合
溶液を用いてエッチングを行い、第2の電極4と表示電
極5とを形成する。本発明の実施例では、第2の電極4
の線幅寸法は3μmとする。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the ITO, which is the material for the second electrode 4 and the material for the display electrode 5, is etched with a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid to form a second photoresist. The electrode 4 and the display electrode 5 are formed. In the embodiment of the present invention, the second electrode 4
The line width dimension of is 3 μm.
【0089】つぎに、第2の基板6の製造方法について
説明する。第2の基板6も、第1の基板1と同一のガラ
ス基板を用いる。まず、印刷法を用いて黒色顔料を分散
した有機樹脂を形成し、温度150〜250℃で熱処理
を行い黒色顔料を分散した有機樹脂を硬化させ、厚さ1
〜2μmの開口部13を有するブラックマトリクス7を
形成する。Next, a method of manufacturing the second substrate 6 will be described. The second substrate 6 also uses the same glass substrate as the first substrate 1. First, an organic resin in which a black pigment is dispersed is formed by using a printing method, and a heat treatment is performed at a temperature of 150 to 250 ° C. to cure the organic resin in which the black pigment is dispersed to obtain a thickness of 1
A black matrix 7 having an opening 13 of ˜2 μm is formed.
【0090】本発明の実施例では、開口部13の大きさ
は、非線形抵抗素子14の大きさが3μm角であり、第
1の基板1と第2の基板6との重ね合わせ位置精度がプ
ラスマイナス4μmあるので、11μm角とする。In the embodiment of the present invention, the size of the opening 13 is such that the size of the non-linear resistance element 14 is 3 μm square, and the overlay position accuracy of the first substrate 1 and the second substrate 6 is positive. Since it is minus 4 μm, it is 11 μm square.
【0091】つぎに、対向電極9の材料として、厚さ
0.2〜0.4μmのITOを低温スパッタリング法に
より形成する。Next, as the material of the counter electrode 9, ITO having a thickness of 0.2 to 0.4 μm is formed by the low temperature sputtering method.
【0092】その後、対向電極9材料上の全面にフォト
レジストを回転塗布法によって形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the material of the counter electrode 9 by a spin coating method, an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask, and the photoresist is patterned.
【0093】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて対向電極9材料を、塩
化第2鉄と塩酸の混合溶液を用いてエッチングを行い、
対向電極9を形成する。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the material of the counter electrode 9 is etched using a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid,
The counter electrode 9 is formed.
【0094】その後、対向電極9の上に、回転塗布法を
用いて、透明突起15材料として、透明なアクリル系の
感光性有機絶縁膜を形成する。その後、温度80〜10
0℃の熱処理を行い、アクリル系の感光性有機絶縁膜を
乾燥させる。After that, a transparent acrylic photosensitive organic insulating film is formed as the material of the transparent protrusion 15 on the counter electrode 9 by the spin coating method. Then, the temperature is 80 to 10.
A heat treatment is performed at 0 ° C. to dry the acrylic photosensitive organic insulating film.
【0095】つぎに透明突起15に対応するパターンを
形成したフォトマスクを用いて露光処理を行う。その
後、水酸化ナトリウム溶液を用いるエッチング処理によ
り、透明突起15の形成領域以外の有機絶縁膜を除去す
る。Next, an exposure process is performed using a photomask having a pattern corresponding to the transparent protrusions 15. Then, the organic insulating film other than the region where the transparent protrusions 15 are formed is removed by etching using a sodium hydroxide solution.
【0096】その後、温度150〜250℃で熱処理を
行って硬化させ、厚さ寸法が3.6μmで、幅寸法が1
5μm角の大きさの透明突起15を形成する。Then, heat treatment is performed at a temperature of 150 to 250 ° C. to cure the film, and the thickness dimension is 3.6 μm and the width dimension is 1.
The transparent protrusion 15 having a size of 5 μm square is formed.
【0097】その後、第1の基板1と第2の基板6との
両基板に配向膜10を印刷法で形成する。After that, the alignment film 10 is formed on both the first substrate 1 and the second substrate 6 by the printing method.
【0098】その後、配向膜10のラビング処理を行
う。そして、スペ−サ−12を第1の基板1と第2の基
板6との間に形成する。After that, the alignment film 10 is rubbed. Then, the spacer 12 is formed between the first substrate 1 and the second substrate 6.
【0099】その後、エポキシ系の接着材を用いて第1
の基板1と第2の基板6とを所定の間隔で張り合わせ
る。After that, a first epoxy-based adhesive is used.
Substrate 1 and second substrate 6 are attached to each other at a predetermined interval.
【0100】そしてさらに、第1の基板1と第2の基板
6との間に液晶11を注入し、第1の基板1と第2の基
板6との外側に偏光板16を、その偏光軸が90゜に交
差するように張り付けて、液晶表示装置を完成する。Further, the liquid crystal 11 is injected between the first substrate 1 and the second substrate 6, and the polarizing plate 16 is provided outside the first substrate 1 and the second substrate 6, and the polarization axis thereof. The liquid crystal display device is completed by adhering so as to intersect at 90 °.
【0101】本発明の実施例では、液晶11としては、
フッソ系でΔn=0.125の材料を用い、セルギャッ
プは4μmにする。In the embodiment of the present invention, the liquid crystal 11 is
A fluorine-based material with Δn = 0.125 is used, and the cell gap is 4 μm.
【0102】したがって、透明突起15の部分の液晶層
厚は0.4μmとなり、開口部13からの光漏れはほと
んどなくなる。Therefore, the thickness of the liquid crystal layer at the transparent protrusion 15 is 0.4 μm, and light leakage from the opening 13 is almost eliminated.
【0103】図1を用いて説明した以上の製造工程によ
り形成する5型のMIM方式の白黒液晶表示装置は、光
照射効果により表示品質の低下や焼き付き現象がほとん
どなく、かつブラックマトリクスの開口部からの光漏れ
によるコントラス低下の無い高画質を有する液晶表示装
置が得られる。The 5-inch MIM type black-and-white liquid crystal display device formed by the above-described manufacturing process described with reference to FIG. It is possible to obtain a liquid crystal display device having high image quality in which contrast is not deteriorated due to light leakage from the liquid crystal display device.
【0104】以上説明した本発明の実施例の第1の基板
1の製造方法においては、第2の電極4と表示電極5
は、同一材料を用いる例で説明した。In the method of manufacturing the first substrate 1 according to the embodiment of the present invention described above, the second electrode 4 and the display electrode 5 are used.
In the above description, the same material is used.
【0105】しかしながら、第2の電極4と表示電極5
とを異なる材料で構成してもよい。このときの構成とそ
の製造方法を図11に示す。However, the second electrode 4 and the display electrode 5
And may be made of different materials. The structure at this time and the manufacturing method thereof are shown in FIG.
【0106】図11に示すように、まず全面に第2の電
極4の材料として、厚さ0.05〜0.2μmのクロム
膜をスパッタリング法を用いて形成し、フォトエッチン
グ処理により幅3μmの第2の電極を形成する。As shown in FIG. 11, first, a chromium film having a thickness of 0.05 to 0.2 μm is formed on the entire surface as a material of the second electrode 4 by a sputtering method, and a width of 3 μm is formed by a photoetching process. A second electrode is formed.
【0107】その後、全面に表示電極5材料である0.
1〜0.3μmの膜厚のITO膜をスパッタリング法を
用いて形成し、その後、フォトエッチング処理によりI
TO膜をパターニングして、表示電極5を形成すること
も可能である。After that, the entire surface of the display electrode 5 made of 0.
An ITO film having a film thickness of 1 to 0.3 μm is formed by a sputtering method, and then I is formed by a photoetching process.
It is also possible to form the display electrode 5 by patterning the TO film.
【0108】さらに本発明の実施例では、図10の平面
図と図11の断面図に示すように、非線形抵抗素子14
に対向する領域の対向電極9を削除するように構成して
もよい。Furthermore, in the embodiment of the present invention, as shown in the plan view of FIG. 10 and the sectional view of FIG.
Alternatively, the counter electrode 9 in the area opposed to may be deleted.
【0109】図10と図11に示すように、透明突起1
5の周辺領域の対向電極9を除去している。すなわち開
口部13を有するブラックマトリクス7上に一部領域を
削除する対向電極9を形成している。As shown in FIGS. 10 and 11, the transparent protrusion 1
The counter electrode 9 in the peripheral region of 5 is removed. That is, the counter electrode 9 for removing a partial region is formed on the black matrix 7 having the opening 13.
【0110】この図10と図11に示すような形状で対
向電極9を形成することによって、透明突起15をブラ
ックマトリクス7の開口部13と第2の基板6との上に
形成することができる。By forming the counter electrode 9 in the shape shown in FIGS. 10 and 11, the transparent protrusion 15 can be formed on the opening 13 of the black matrix 7 and the second substrate 6. .
【0111】この結果、透明突起15の第2の基板6へ
の密着性を改善することができという効果を有し、密着
性の点から好ましい。As a result, there is an effect that the adhesion of the transparent protrusion 15 to the second substrate 6 can be improved, which is preferable from the viewpoint of adhesion.
【0112】本発明の実施例では、第2の基板6のブラ
ックマトリクス7の上に、染色法や顔料分散法や印刷法
を用いてカラーフィルターを形成することで、カラー液
晶表示装置を提供することもできる。In the embodiment of the present invention, a color liquid crystal display device is provided by forming a color filter on the black matrix 7 of the second substrate 6 by a dyeing method, a pigment dispersion method or a printing method. You can also
【0113】本発明の実施例では、好ましくは、第1の
基板1の第2の電極4と表示電極5との上に、スパッタ
リング法を用いて、厚さ0.1〜0.5μmの二酸化シ
リコン(SiO2 )からなるパッシベーション膜を形成
してもよい。In the embodiment of the present invention, preferably, the second electrode 4 and the display electrode 5 of the first substrate 1 are deposited on the second electrode 4 and the display electrode 5 by sputtering to have a thickness of 0.1 to 0.5 μm. A passivation film made of silicon (SiO 2 ) may be formed.
【0114】このパッシベーション膜を形成することに
よって、非線形抵抗素子14と液晶11の相互作用を取
り除くことが可能となり、焼き付き現象をさらに一層改
善することができる。By forming this passivation film, the interaction between the nonlinear resistance element 14 and the liquid crystal 11 can be removed, and the burn-in phenomenon can be further improved.
【0115】またさらに、透明突起15の材料として
は、感光性有機絶縁膜を用いた例で説明したが、透明材
料であれば、一般的な有機絶縁膜や無機絶縁膜を用いる
こともできる。Further, as the material of the transparent protrusions 15, the example in which the photosensitive organic insulating film is used has been described, but a general organic insulating film or an inorganic insulating film can be used as long as it is a transparent material.
【0116】この透明突起15の材料として有機絶縁膜
や無機絶縁膜を用いるときの製造方法は、被膜形成工程
と、フォトレジスト形成工程と、このフォトレジストの
露光現像のフォトリソグラフィ工程と、フォトレジスト
をエッチングマスクに用いるエッチング工程とで形成す
る。A manufacturing method using an organic insulating film or an inorganic insulating film as the material of the transparent protrusions 15 is as follows: a film forming step, a photoresist forming step, a photolithography step of exposing and developing the photoresist, and a photoresist. Is used as an etching mask.
【0117】つぎに、本発明の液晶表示装置における第
2の実施例を説明する。図12は、本発明の第2の実施
例の構成を示す断面図で、図2の平面図に示す液晶表示
装置のB−B線における断面を示している。以下、図1
2と図2とを交互に用いて本発明の液晶表示装置の構成
を説明する。Next, a second embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described. FIG. 12 is a cross-sectional view showing the configuration of the second embodiment of the present invention, showing a cross section taken along line BB of the liquid crystal display device shown in the plan view of FIG. Below, Figure 1
The configuration of the liquid crystal display device of the present invention will be described by alternately using 2 and FIG.
【0118】第1の基板1上には、タンタル(Ta)か
らなる第1の電極2を設け、さらにこの第1の電極2上
には、第1の電極2を陽極酸化処理して形成する酸化タ
ンタル(Ta2 O5 )からなる非線形抵抗層3を設け、
さらに非線形抵抗層3上に透明導電膜としてITO(酸
化インジウムスズ)からなる第2の電極4を設ける。A first electrode 2 made of tantalum (Ta) is provided on the first substrate 1, and the first electrode 2 is formed on the first electrode 2 by anodizing. A non-linear resistance layer 3 made of tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) is provided,
Further, a second electrode 4 made of ITO (indium tin oxide) is provided as a transparent conductive film on the nonlinear resistance layer 3.
【0119】この第1の電極2と非線形抵抗層3と第2
の電極4とによって、MIM構造の非線形抵抗素子14
を形成している。さらに、第2の電極4と同一材料であ
る、ITO膜より表示電極5を形成する。The first electrode 2, the non-linear resistance layer 3 and the second
And the electrode 4 of the non-linear resistance element 14 of the MIM structure.
Is formed. Further, the display electrode 5 is formed from the ITO film, which is the same material as the second electrode 4.
【0120】第2の基板6上には、第1の基板1に形成
するそれぞれの表示電極5の隙間からの光の漏れを防止
するために、クロム膜を用いたブラックマトリクス7
を、厚さ0.1〜0.2μmで形成する。On the second substrate 6, a black matrix 7 using a chromium film is formed in order to prevent light from leaking through the gaps between the display electrodes 5 formed on the first substrate 1.
Is formed with a thickness of 0.1 to 0.2 μm.
【0121】このブラックマトリクス7には、非線形抵
抗素子14に光を照射するための開口部13を形成す
る。In this black matrix 7, an opening 13 for irradiating the nonlinear resistance element 14 with light is formed.
【0122】さらにブラックマトリクス7の上に、絶縁
膜8を介して、表示電極5と対向するように、ITO膜
からなる対向電極9を設ける。Further, a counter electrode 9 made of an ITO film is provided on the black matrix 7 so as to face the display electrode 5 via the insulating film 8.
【0123】対向電極9の上で、しかもブラックマトリ
クスの開口部13の位置に対応する領域に、透明な絶縁
物質からなる透明突起15を形成する。A transparent protrusion 15 made of a transparent insulating material is formed on the counter electrode 9 and in a region corresponding to the position of the opening 13 of the black matrix.
【0124】この透明突起15の高さ寸法は、表示電極
5と対向電極9の間隔寸法より、多少小さくする。この
ことにより、透明突起15と非線形抵抗素子14のとセ
ルギャップは非常に小さくなっている。The height of the transparent protrusion 15 is made slightly smaller than the distance between the display electrode 5 and the counter electrode 9. As a result, the cell gap between the transparent protrusion 15 and the nonlinear resistance element 14 is extremely small.
【0125】透明突起15の幅寸法は、ブラックマトリ
クス7の開口部13寸法より多少大きくする。これは、
フォトリソ工程による透明突起15の位置精度や、エッ
チング工程での透明突起15のテ−パ−化に対処するた
めである。The width of the transparent protrusion 15 is made slightly larger than the size of the opening 13 of the black matrix 7. this is,
This is to cope with the positional accuracy of the transparent protrusions 15 in the photolithography process and the taper of the transparent protrusions 15 in the etching process.
【0126】さらに第1の基板1と第2の基板6とは、
液晶11の分子を規則的に並べるための処理層として、
それぞれ配向膜10を形成する。Further, the first substrate 1 and the second substrate 6 are
As a treatment layer for regularly arranging the molecules of the liquid crystal 11,
The alignment film 10 is formed in each case.
【0127】さらにそのうえスペーサー12によって、
第1の基板1と第2の基板6とを所定の間隔をもって対
向させ、第1の基板1と第2の基板6との間には、液晶
11を封入している。Furthermore, with the spacer 12,
The first substrate 1 and the second substrate 6 are opposed to each other with a predetermined gap, and a liquid crystal 11 is sealed between the first substrate 1 and the second substrate 6.
【0128】また、第1の基板1と第2の基板6の外側
には、偏光板16を、その偏光軸が交差するように配置
し、電圧無印加状態では白を示す、ノ−マリ−白モ−ド
になっている。A polarizing plate 16 is arranged outside the first substrate 1 and the second substrate 6 so that their polarization axes intersect with each other, and shows normally white when no voltage is applied. It is in white mode.
【0129】この図12に示す構成により、非線形抵抗
素子14には、ブラックマトリクス7の開口部13か
ら、絶縁膜8と透明突起15とを介して効率良く光照射
することができる。この結果、フリッカ現象や焼き付き
現象を防止することができる。With the structure shown in FIG. 12, the nonlinear resistance element 14 can be efficiently irradiated with light from the opening 13 of the black matrix 7 through the insulating film 8 and the transparent protrusion 15. As a result, the flicker phenomenon and the burn-in phenomenon can be prevented.
【0130】さらにまた、透明突起15と非線形抵抗素
子14とのセルギャップ寸法は、非常に小さくなる。こ
のために、開口部13からの光漏れが無くなるので、コ
ントラストの高い高品質な表示画像を有する液晶表示装
置が得られる。Furthermore, the cell gap size between the transparent protrusion 15 and the non-linear resistance element 14 becomes very small. For this reason, light leakage from the opening 13 is eliminated, so that a liquid crystal display device having a high-quality display image with high contrast can be obtained.
【0131】つぎに、本発明における実施例2の液晶表
示装置の製造方法について、図12を用いて説明する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0132】第1の基板1としては、アルカリ金属の含
有率の少ないガラス材料を用いることが好ましく、本発
明の実施例では、日本電気ガラス製の商品名OA2で、
厚さ1.1mmのものを使用する。As the first substrate 1, it is preferable to use a glass material having a low content of alkali metal. In the embodiment of the present invention, a trade name OA2 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.
Use a 1.1 mm thick one.
【0133】つぎに、第1の基板1の全面に第1の電極
2の材料として厚さ0.1〜0.3μmのタンタル膜を
スパッタリング法や真空蒸着法により形成する。Next, a tantalum film having a thickness of 0.1 to 0.3 μm is formed as a material for the first electrode 2 on the entire surface of the first substrate 1 by a sputtering method or a vacuum evaporation method.
【0134】その後、第1の電極2材料上にフォトレジ
ストを回転塗布法により全面に形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the first electrode 2 material by a spin coating method, an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask, and the photoresist is patterned.
【0135】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて第1の電極2材料を、
六フッ化イオウ(SF6 )とヘリウムと酸素の混合ガス
をエッチングガスとして用いるドライエッチングによ
り、第1の電極2材料であるタンタル膜をパタ−ンニン
グし、第1の電極2を形成する。第1の電極2の配線領
域の線幅は20μmで、非線形素子領域の線幅は3μm
とする。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the first electrode 2 material is
By dry etching using sulfur hexafluoride (SF 6) and helium and mixed gas of oxygen as the etching gas, a tantalum film serving as the first electrode 2 material pattern - and N'ningu, to form a first electrode 2. The line width of the wiring region of the first electrode 2 is 20 μm, and the line width of the nonlinear element region is 3 μm.
And
【0136】つぎに、クエン酸やほう酸アンモニウムな
どの陽極酸化槽に第1の基板1を浸漬して、30V〜5
0Vの直流電圧を印加する、陽極酸化処理により0.0
5〜0.1μmの膜厚を有する酸化タンタル(Ta2 O
5 )からなる非線形抵抗層3を形成する。Next, the first substrate 1 is immersed in an anodic oxidation tank of citric acid, ammonium borate, or the like, and the voltage of 30V to 5V is applied.
Applying a DC voltage of 0V, anodizing process
Tantalum oxide (Ta 2 O having a film thickness of 5 to 0.1 μm)
The non-linear resistance layer 3 consisting of 5 ) is formed.
【0137】さらに、第2の電極4の材料と表示電極5
の材料として、全面に透明導電膜であるITOをスパッ
タリング法や真空蒸着法により、0.1〜0.3μmの
厚さに形成する。Further, the material of the second electrode 4 and the display electrode 5
As a material for the above, ITO, which is a transparent conductive film, is formed on the entire surface by a sputtering method or a vacuum deposition method to a thickness of 0.1 to 0.3 μm.
【0138】その後、ITO膜上の全面にフォトレジス
トを回転塗布法により形成し、所定のフォトマスクを用
いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォトレジス
トをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the ITO film by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0139】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて第2の電極4材料と表
示電極5材料であるITO膜を、塩化第2鉄と塩酸の混
合溶液を用いてエッチングを行い、第2の電極4と表示
電極5を形成する。本発明の実施例では、第2の電極4
の線幅寸法は3μmとする。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the ITO film, which is the material for the second electrode 4 and the material for the display electrode 5, is etched by using a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid. The second electrode 4 and the display electrode 5 are formed. In the embodiment of the present invention, the second electrode 4
The line width dimension of is 3 μm.
【0140】つぎに、第2の基板6の製造方法について
説明する。第2の基板6も、第1の基板1と同一のガラ
ス基板を用いる。そして、その第2の基板6の全面にブ
ラックマトリクス7材料として、厚さ0.1〜0.2μ
mのクロム膜をスパッタリング法や真空蒸着法で形成す
る。Next, a method of manufacturing the second substrate 6 will be described. The second substrate 6 also uses the same glass substrate as the first substrate 1. Then, as a material of the black matrix 7, a thickness of 0.1 to 0.2 μm is formed on the entire surface of the second substrate 6.
A chromium film of m is formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method.
【0141】その後、ブラックマトリクス7材料上にフ
ォトレジストを回転塗布法により全面に形成し、所定の
フォトマスクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、
このフォトレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the black matrix 7 material by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask.
This photoresist is patterned.
【0142】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクとして用いて、ウェットエッチ
ングにて開口部13を有するブラックマトリクス7を形
成する。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the black matrix 7 having the openings 13 is formed by wet etching.
【0143】この実施例では、硝酸セリウムアンモニウ
ムと過塩素酸との混合溶液を用いてクロム膜をエッチン
グして、開口部13を有するブラックマトリクス7を形
成する。In this embodiment, the chromium film is etched using a mixed solution of cerium ammonium nitrate and perchloric acid to form the black matrix 7 having the openings 13.
【0144】ブラックマトリクス7に形成する開口部1
3の大きさは、非線形抵抗素子14の大きさが3μm角
であり、第1の基板1と第2の基板6の重ね合わせ位置
精度がプラスマイナス4μmであるので、11μm角と
する。Opening 1 formed in the black matrix 7
The size of 3 is 11 μm square because the size of the non-linear resistance element 14 is 3 μm square and the overlay position accuracy of the first substrate 1 and the second substrate 6 is plus or minus 4 μm.
【0145】つぎにブラックマトリクス7の上に、絶縁
膜8の材料として、回転塗布法を用いて、アクリル系の
有機材料を形成する。Next, an acrylic organic material is formed as a material for the insulating film 8 on the black matrix 7 by a spin coating method.
【0146】その後、温度150〜250℃の熱処理を
行い、アクリル系の有機材料を硬化させて、厚さ2〜5
μmの絶縁膜8を形成する。Thereafter, a heat treatment is performed at a temperature of 150 to 250 ° C. to cure the acrylic organic material to a thickness of 2 to 5
An insulating film 8 of μm is formed.
【0147】つぎに、対向電極9の材料として、厚さ
0.2〜0.4μmのITOを低温スパッタリング法に
より全面に形成する。Next, as the material of the counter electrode 9, ITO having a thickness of 0.2 to 0.4 μm is formed on the entire surface by the low temperature sputtering method.
【0148】その後、対向電極9材料上の全面にフォト
レジストを回転塗布法によって形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the material of the counter electrode 9 by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0149】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて対向電極9材料を、塩
化第2鉄と塩酸の混合溶液を用いてウェットエッチング
を行い、対向電極9を形成する。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the material of the counter electrode 9 is wet-etched using a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid to form the counter electrode 9.
【0150】つぎに対向電極9の上に、回転塗布法を用
いて、透明突起15材料として、透明なアクリル系の感
光性有機絶縁膜を形成する。Next, a transparent acrylic photosensitive organic insulating film is formed as the material of the transparent protrusion 15 on the counter electrode 9 by the spin coating method.
【0151】このアクリル系の感光性有機絶縁膜を形成
後、80〜100℃の温度の熱処理を行い乾燥させる。After the acrylic photosensitive organic insulating film is formed, it is heat-treated at a temperature of 80 to 100 ° C. and dried.
【0152】つぎに透明突起15に対応するパターンを
形成したフォトマスクを用いて露光処理を行う。その
後、水酸化ナトリウム溶液を用いるエッチングにより透
明突起15形成領域以外のアクリル系の感光性有機絶縁
膜を除去する。Next, an exposure process is performed using a photomask having a pattern corresponding to the transparent protrusions 15. After that, the acrylic photosensitive organic insulating film other than the region where the transparent protrusions 15 are formed is removed by etching using a sodium hydroxide solution.
【0153】その後、温度150〜250℃で熱処理を
行い、透明突起15の硬化処理を行い、厚さ寸法が3.
6μmで、平面形状が15μm角を有する透明突起15
を形成する。Thereafter, heat treatment is performed at a temperature of 150 to 250 ° C. to cure the transparent protrusions 15, and the thickness dimension is set to 3.
Transparent protrusion 15 having a 6 μm square shape with a 15 μm square shape
To form.
【0154】その後、第1の基板1と第2の基板6との
両基板に配向膜10を印刷法で形成する。After that, the alignment film 10 is formed on both the first substrate 1 and the second substrate 6 by the printing method.
【0155】その後、配向膜10のラビング処理を行
う。そして、スペ−サ−12を第1の基板1と第2の基
板6との間に形成する。After that, rubbing treatment of the alignment film 10 is performed. Then, the spacer 12 is formed between the first substrate 1 and the second substrate 6.
【0156】その後、エポキシ系の接着材を用いて第1
の基板1と第2の基板6とを所定の間隔で張り合わせ
る。After that, a first epoxy-based adhesive is used.
Substrate 1 and second substrate 6 are attached to each other at a predetermined interval.
【0157】そしてさらに、第1の基板1と第2の基板
6との間に液晶11を注入し、第1の基板1と第2の基
板6との外側に偏光板16を、その偏光軸が90゜に交
差するように張り付けて、液晶表示装置が完成する。Further, the liquid crystal 11 is injected between the first substrate 1 and the second substrate 6, and the polarizing plate 16 is provided outside the first substrate 1 and the second substrate 6 and the polarization axis thereof. The liquid crystal display device is completed by sticking so as to intersect at 90 °.
【0158】本発明の第2の実施例では、液晶11は、
フッソ系でΔn=0.125の材料を用い、セルギャッ
寸法プは4μmとする。In the second embodiment of the present invention, the liquid crystal 11 is
A fluorine-based material with Δn = 0.125 is used, and the cell gap size is 4 μm.
【0159】したがって、透明突起15の部分の液晶層
厚は0.4μmとなり、開口部13からの光漏れはほと
んどなくなる。Therefore, the thickness of the liquid crystal layer at the transparent protrusion 15 is 0.4 μm, and the light leakage from the opening 13 is almost eliminated.
【0160】この図12を用いて説明した製造方法によ
り形成した5型のMIM方式白黒液晶表示装置において
は、光照射効果により表示品質の低下や焼き付き現象が
ほとんどなく、かつブラックマトリクス7の開口部13
からの光漏れによるコントラス低下の無い高画質を有す
る液晶表示装置が得られる。In the 5 type MIM type black and white liquid crystal display device formed by the manufacturing method described with reference to FIG. Thirteen
It is possible to obtain a liquid crystal display device having high image quality in which contrast is not deteriorated due to light leakage from the liquid crystal display device.
【0161】なお本発明の第2の実施例の第1の基板1
の製造方法において、第2の電極4と表示電極5は、同
一材料を用いて形成する例で説明したが、下記記載のよ
うに異なる材料で形成してもよい。The first substrate 1 of the second embodiment of the present invention
In the manufacturing method of 1., the second electrode 4 and the display electrode 5 are described as an example of being formed of the same material, but they may be formed of different materials as described below.
【0162】まず全面に第2の電極4の材料として、厚
さ0.05〜0.2μmのクロム膜をスパッタリング法
を用いて形成する。First, as a material for the second electrode 4, a chromium film having a thickness of 0.05 to 0.2 μm is formed on the entire surface by a sputtering method.
【0163】その後、図12を用いて説明した方法と同
じ処理工程によるフォトエッチングにより、幅寸法が3
μmの第2の電極4を形成する。After that, the width dimension is reduced to 3 by photoetching in the same processing step as the method described with reference to FIG.
A second electrode 4 of μm is formed.
【0164】その後、全面に表示電極5材料である厚さ
0.1〜0.3μmのITO薄膜をスパッタリング法を
用いて形成する。After that, an ITO thin film having a thickness of 0.1 to 0.3 μm, which is a material of the display electrode 5, is formed on the entire surface by a sputtering method.
【0165】その後、表示電極5材料上の全面ににフォ
トレジストを回転塗布法により形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the material of the display electrode 5 by a spin coating method, an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask, and the photoresist is patterned.
【0166】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて表示電極5材料を、塩
化第2鉄と塩酸の混合溶液を用いてウェットエッチング
を行い、表示電極5を形成する。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the display electrode 5 material is wet-etched using a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid to form the display electrode 5.
【0167】またさらに、本発明の第2の実施例におい
ても、図10の平面図に示すように対向電極9を、非線
形抵抗素子14に対向する領域を削除するような形状で
形成してもよい。Further, also in the second embodiment of the present invention, as shown in the plan view of FIG. 10, the counter electrode 9 may be formed in such a shape that the region facing the non-linear resistance element 14 is deleted. Good.
【0168】このように非線形抵抗素子14に対向する
領域の対向電極9を一部削除することにより、透明突起
15をブラックマトリクス7の開口部13上に位置する
絶縁膜8上に形成することができる。この結果、透明突
起15の第2の基板6への密着性を改善することができ
る。By partially removing the counter electrode 9 in the region facing the non-linear resistance element 14 in this manner, the transparent protrusion 15 can be formed on the insulating film 8 located on the opening 13 of the black matrix 7. it can. As a result, the adhesion of the transparent protrusion 15 to the second substrate 6 can be improved.
【0169】本発明の第2の実施例では、第2の基板6
のブラックマトリクス7の上に、染色法や顔料分散法や
印刷法を用いてカラーフィルターを形成し、そのカラー
フィルター上に絶縁膜8を形成することで、カラー液晶
表示装置を提供できる。In the second embodiment of the present invention, the second substrate 6
A color liquid crystal display device can be provided by forming a color filter on the black matrix 7 using a dyeing method, a pigment dispersion method, or a printing method, and forming an insulating film 8 on the color filter.
【0170】本発明の第2の実施例では、好ましくは、
第1の基板1の第2の電極4と表示電極5との上に、ス
パッタリング法を用いて、厚さ0.1〜0.5μmの二
酸化シリコン(SiO2 )からなるパッシベーション膜
を形成してもよい。In the second embodiment of the present invention, preferably,
A passivation film made of silicon dioxide (SiO 2 ) having a thickness of 0.1 to 0.5 μm is formed on the second electrode 4 and the display electrode 5 of the first substrate 1 by a sputtering method. Good.
【0171】このパッシベーション膜を形成することに
よって、非線形抵抗素子14と液晶11との相互作用を
取り除くことが可能となり、焼き付き現象をさらに一層
改善することができる。By forming this passivation film, the interaction between the non-linear resistance element 14 and the liquid crystal 11 can be removed, and the burn-in phenomenon can be further improved.
【0172】またさらに、透明突起15の材料として
は、感光性有機絶縁膜を用いた例で説明したが、透明材
料であれば、一般的な有機絶縁膜や無機絶縁膜を用いる
こともできる。Further, as the material of the transparent protrusions 15, the example in which the photosensitive organic insulating film is used has been described, but a general organic insulating film or an inorganic insulating film can be used as long as it is a transparent material.
【0173】この透明突起15の材料として有機絶縁膜
や無機絶縁膜を用いるときの製造方法は、被膜形成工程
と、フォトレジスト形成工程と、このフォトレジストの
露光現像のフォトリソグラフィ工程と、フォトレジスト
をエッチングマスクに用いるエッチング工程とで形成す
る。When an organic insulating film or an inorganic insulating film is used as a material for the transparent protrusions 15, a film forming step, a photoresist forming step, a photolithography step for exposing and developing the photoresist, and a photoresist are used. Is used as an etching mask.
【0174】つぎに、本発明の液晶表示装置における第
3の実施例を説明する。図13は、本発明の第3の実施
例の構成を示す断面図で、図10の平面図に示す液晶表
示装置のB−B線における断面を示している。以下、図
13と図10とを交互に用いて本発明の液晶表示装置の
構成を説明する。Next, a third embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described. FIG. 13 is a cross-sectional view showing the configuration of the third embodiment of the present invention, showing a cross section taken along line BB of the liquid crystal display device shown in the plan view of FIG. Hereinafter, the configuration of the liquid crystal display device of the present invention will be described by alternately using FIG. 13 and FIG.
【0175】第1の基板1上には、タンタル(Ta)か
らなる第1の電極2を設け、さらにこの第1の電極2上
には、第1の電極2を陽極酸化処理して形成する酸化タ
ンタル(Ta2 O5 )からなる非線形抵抗層3を設け、
さらに非線形抵抗層3上に透明導電膜としてITO(酸
化インジウムスズ)からなる第2の電極4を設ける。A first electrode 2 made of tantalum (Ta) is provided on the first substrate 1, and the first electrode 2 is formed on the first electrode 2 by anodizing. A non-linear resistance layer 3 made of tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) is provided,
Further, a second electrode 4 made of ITO (indium tin oxide) is provided as a transparent conductive film on the nonlinear resistance layer 3.
【0176】この第1の電極2と非線形抵抗層3と第2
の電極4とによって、MIM構造の非線形抵抗素子14
を形成している。さらに、第2の電極4と同一材料であ
る、ITOで表示電極5を形成する。The first electrode 2, the non-linear resistance layer 3 and the second
And the electrode 4 of the non-linear resistance element 14 of the MIM structure.
Is formed. Further, the display electrode 5 is formed of ITO, which is the same material as the second electrode 4.
【0177】第2の基板6上には、第1の基板1に形成
するそれぞれの表示電極5の隙間からの光の漏れを防止
するために、クロム膜を用いるブラックマトリクス7
を、厚さ0.1〜0.2μmに形成する。On the second substrate 6, a black matrix 7 using a chrome film in order to prevent light leakage from the gaps between the display electrodes 5 formed on the first substrate 1.
To a thickness of 0.1 to 0.2 μm.
【0178】このブラックマトリクス7には、非線形抵
抗素子14に光を照射するための開口部13を形成す
る。In this black matrix 7, an opening 13 for irradiating the nonlinear resistance element 14 with light is formed.
【0179】さらにブラックマトリクス7の表示領域の
上に、カラ−フィルタ−17、18を設ける。Further, color filters 17 and 18 are provided on the display area of the black matrix 7.
【0180】そして、ブラックマトリクス7の開口部1
3上には、カラ−フィルタ−17、18と同一の材料で
ある感光性有機材料を用いて透明突起15を形成する。Then, the opening 1 of the black matrix 7
The transparent protrusions 15 are formed on the surface 3 using a photosensitive organic material which is the same material as the color filters 17 and 18.
【0181】さらに絶縁膜8を介して、表示電極5と対
向するように、ITO膜からなる対向電極9を設ける。Further, a counter electrode 9 made of an ITO film is provided so as to face the display electrode 5 via the insulating film 8.
【0182】なお図10に示すように、非線形抵抗素子
14と向き合うの対向電極9の領域は削除して、ショ−
トを防いでいる。As shown in FIG. 10, the area of the counter electrode 9 facing the non-linear resistance element 14 is deleted and the
To prevent
【0183】この透明突起15の高さ寸法は、表示電極
5と対向電極9の間隔寸法より、多少小さくする。この
ことで、透明突起15と非線形抵抗素子14との間のセ
ルギャップ寸法は、非常に小さくなっている。The height of the transparent protrusion 15 is made slightly smaller than the distance between the display electrode 5 and the counter electrode 9. As a result, the cell gap size between the transparent protrusion 15 and the nonlinear resistance element 14 is extremely small.
【0184】透明突起15の幅寸法は、ブラックマトリ
クス7の開口部13の大きさより多少大きくして、フォ
トリソグラフィ工程における位置精度や、エッチング工
程での透明突起のテ−パ−化に対処している。The width of the transparent protrusion 15 is made slightly larger than the size of the opening 13 of the black matrix 7 in order to cope with positional accuracy in the photolithography process and taper of the transparent protrusion in the etching process. There is.
【0185】さらに第1の基板1と第2の基板6とは、
液晶11の分子を規則的に並べるための処理層として、
それぞれ配向膜10を形成する。Further, the first substrate 1 and the second substrate 6 are
As a treatment layer for regularly arranging the molecules of the liquid crystal 11,
The alignment film 10 is formed in each case.
【0186】さらにそのうえスペーサー12によって、
第1の基板1と第2の基板6とを所定の間隔をもって対
向させ、第1の基板1と第2の基板6との間には、液晶
11を封入している。Furthermore, with the spacer 12,
The first substrate 1 and the second substrate 6 are opposed to each other with a predetermined gap, and a liquid crystal 11 is sealed between the first substrate 1 and the second substrate 6.
【0187】また、第1の基板1と第2の基板6の外側
には、偏光板16を、その偏光軸が交差するように配置
し、電圧無印加状態では白を示す、ノ−マリ−白モ−ド
になっている。Further, a polarizing plate 16 is arranged outside the first substrate 1 and the second substrate 6 so that their polarization axes intersect with each other, and normally shows white when no voltage is applied. It is in white mode.
【0188】この図13に示す構成により、非線形抵抗
素子14には、ブラックマトリクス7の開口部13か
ら、透明突起15と絶縁膜8とを介して効率良く光照射
することができる。この結果、フリッカ現象や焼き付き
現象を防止することができる。With the structure shown in FIG. 13, the nonlinear resistance element 14 can be efficiently irradiated with light from the opening 13 of the black matrix 7 through the transparent protrusion 15 and the insulating film 8. As a result, the flicker phenomenon and the burn-in phenomenon can be prevented.
【0189】さらにまた、透明突起15と非線形抵抗素
子14とのセルギャップ寸法は、非常に小さくなる。こ
のために、開口部13からの光漏れが無くなるので、コ
ントラストの高い高品質な表示画像を有する液晶表示装
置を得ることが可能となる。Furthermore, the cell gap size between the transparent protrusion 15 and the non-linear resistance element 14 becomes very small. For this reason, light leakage from the opening 13 is eliminated, so that it is possible to obtain a liquid crystal display device having a high-quality display image with high contrast.
【0190】つぎに、本発明における実施例3の液晶表
示装置の製造方法について、図13を用いて説明する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0191】第1の基板1には、アルカリ金属の含有率
の少ないガラス材料が良く、本発明の第3の実施例で
は、日本電気ガラス製の商品名OA2で、厚さ1.1m
mのものを使用する。The first substrate 1 is preferably made of a glass material having a low content of alkali metal. In the third embodiment of the present invention, the trade name is OA2 made by Nippon Electric Glass and the thickness is 1.1 m.
Use m.
【0192】つぎに、第1の基板1の全面に第1の電極
2の材料として厚さ0.1〜0.3μmのタンタル膜を
スパッタリング法や真空蒸着法により形成する。Next, a tantalum film having a thickness of 0.1 to 0.3 μm is formed as a material for the first electrode 2 on the entire surface of the first substrate 1 by a sputtering method or a vacuum evaporation method.
【0193】その後、第1の電極2であるタンタル膜上
の全面に回転塗布法によりフォトレジストを形成し、所
定のフォトマスクを用いて露光処理と現像処理とを行
い、フォトレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the tantalum film which is the first electrode 2 by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0194】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて第1の電極2材料を、
六フッ化イオウ(SF6 )とヘリウムと酸素の混合ガス
をエッチングガスとして用いるドライエッチングによ
り、第1の電極2材料であるタンタル膜をパタ−ンニン
グし、第1の電極2を形成する。第1の電極2の配線領
域の線幅は20μmで、非線形素子領域の線幅は3μm
とする。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the first electrode 2 material is
By dry etching using sulfur hexafluoride (SF 6) and helium and mixed gas of oxygen as the etching gas, a tantalum film serving as the first electrode 2 material pattern - and N'ningu, to form a first electrode 2. The line width of the wiring region of the first electrode 2 is 20 μm, and the line width of the nonlinear element region is 3 μm.
And
【0195】つぎに、クエン酸やほう酸アンモニウムな
どの陽極酸化槽に第1の基板1を浸漬して、30V〜5
0Vの直流電圧を印加する、陽極酸化処理により0.0
5〜0.1μmの膜厚を有する酸化タンタル(Ta2 O
5 )からなる非線形抵抗層3を形成する。Next, the first substrate 1 is dipped in an anodic oxidation bath of citric acid, ammonium borate or the like to obtain a voltage of 30V to 5V.
Applying a DC voltage of 0V, anodizing process
Tantalum oxide (Ta 2 O having a film thickness of 5 to 0.1 μm)
The non-linear resistance layer 3 consisting of 5 ) is formed.
【0196】さらに、第2の電極4の材料と表示電極の
材料として、全面に透明導電膜であるITOをスパッタ
リング法や真空蒸着法により厚さ0.1〜0.3μmの
厚さに形成する。Further, as a material for the second electrode 4 and a material for the display electrode, ITO, which is a transparent conductive film, is formed on the entire surface by sputtering or vacuum evaporation to a thickness of 0.1 to 0.3 μm. .
【0197】その後、第2の電極4材料上にフォトレジ
ストを回転塗布法により全面に形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the second electrode 4 material by the spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0198】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて第2の電極4材料を、
塩化第2鉄と塩酸の混合溶液を用いてエッチングを行
い、第2の電極4と表示電極5を形成する。本発明の実
施例では、第2の電極4の線幅寸法は3μmとする。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the second electrode 4 material is
Etching is performed using a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid to form the second electrode 4 and the display electrode 5. In the embodiment of the present invention, the line width dimension of the second electrode 4 is 3 μm.
【0199】つぎに、第2の基板6の製造方法について
説明する。第2の基板6も、第1の基板1と同一のガラ
ス基板を用い、その第2の基板6上の全面にブラックマ
トリクス7材料として、厚さ0.1〜0.2μmのクロ
ム薄膜をスパッタリング法や真空蒸着法で形成する。Next, a method of manufacturing the second substrate 6 will be described. As the second substrate 6, the same glass substrate as the first substrate 1 is used, and a chromium thin film having a thickness of 0.1 to 0.2 μm is sputtered on the entire surface of the second substrate 6 as a black matrix 7 material. Method or vacuum deposition method.
【0200】その後、ブラックマトリクス7材材料上に
フォトレジストを回転塗布法により全面に形成し、所定
のフォトマスクを用いて露光処理と、現像処理とを行
い、このフォトレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the black matrix 7 material by spin coating, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0201】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクとして用いて、ウェットエッチ
ングにて開口部13を有するブラックマトリクス7を形
成する。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the black matrix 7 having the openings 13 is formed by wet etching.
【0202】この実施例では、硝酸セリウムアンモニウ
ムと過塩素酸との混合溶液を用いてクロム膜をエッチン
グして、開口部13を有するブラックマトリクス7を形
成する。In this example, the chromium film is etched using a mixed solution of cerium ammonium nitrate and perchloric acid to form the black matrix 7 having the openings 13.
【0203】ブラックマトリクス7の開口部13の大き
さは、非線形抵抗素子14の大きさが3μm角であり、
第1の基板1と第2の基板6の重ね合わせ位置精度がプ
ラスマイナス4μmであるので、11μm角とする。Regarding the size of the opening 13 of the black matrix 7, the size of the non-linear resistance element 14 is 3 μm square,
Since the overlay position accuracy of the first substrate 1 and the second substrate 6 is plus or minus 4 μm, it is 11 μm square.
【0204】その後、全面に回転塗布法を用いて、ゼラ
チンやカゼインなどからなるカラーフィルター材料とし
て、感光性有機材料を形成する。After that, a photosensitive organic material is formed on the entire surface by a spin coating method as a color filter material made of gelatin, casein or the like.
【0205】その後、乾燥処理を行い、さらにカラーフ
ィルターに対応するパターンを形成したフォトマスクを
用いて露光処理と現像処理のフォトリソグラフィとエッ
チング処理をおこない感光性有機材料をパターニングす
る。After that, a drying process is performed, and a photomask having a pattern corresponding to the color filter is used to perform photolithography and etching processes of an exposure process and a development process to pattern the photosensitive organic material.
【0206】さらに、第2の基板6を染色槽に含侵して
染色し、固着槽に含侵して固着することにより、厚さ1
μmの緑色のカラ−フィルタ−17を形成する。この工
程を3回繰り返し、青色のカラ−フィルタ−18と赤色
のカラ−フィルタ−(図示せず)とを形成する。Further, the second substrate 6 is impregnated in the dyeing tank to be dyed, and the second substrate 6 is impregnated in the fixing tank to fix the second substrate 6 to a thickness of 1 mm.
A green color filter 17 of μm is formed. This process is repeated three times to form a blue color filter-18 and a red color filter (not shown).
【0207】さらに、全面に回転塗布法を用いて、透明
突起15材料として、ゼラチンやカゼインなどの感光性
有機材料をカラ−フィルタ−17、18より厚い膜厚で
形成する。Further, a photosensitive organic material such as gelatin or casein is formed as the material of the transparent protrusion 15 in a film thickness thicker than that of the color filters 17 and 18 by spin coating on the entire surface.
【0208】つぎに、乾燥処理を行った後、透明突起1
5に対応するパターンを形成したフォトマスクを用いる
フォトリソグラフィとエッチング処理により厚さ4.6
μmの透明突起15を形成する。なお、この透明突起1
5への染色工程は行う必要はない。Next, after the drying process, the transparent protrusion 1
Thickness 4.6 by photolithography and etching using a photomask on which a pattern corresponding to 5 is formed.
A transparent protrusion 15 of μm is formed. In addition, this transparent protrusion 1
It is not necessary to carry out the dyeing process to 5.
【0209】その後、カラ−フィルタ−17、18と透
明突起15の上に、絶縁膜8の材料として、回転塗布法
を用いて、アクリル系の有機材料を形成する。After that, an acrylic organic material is formed as a material of the insulating film 8 on the color filters 17 and 18 and the transparent protrusion 15 by using a spin coating method.
【0210】その後、温度150〜200℃の熱処理を
行い、アクリル系の有機材料を硬化させて、厚さ2〜5
μmの絶縁膜8を形成する。Thereafter, a heat treatment is performed at a temperature of 150 to 200 ° C. to cure the acrylic organic material to a thickness of 2 to 5
An insulating film 8 of μm is formed.
【0211】つぎに、対向電極9の材料として、厚さ
0.2〜0.4μmのITOを低温スパッタリング法に
より形成する。Next, as the material of the counter electrode 9, ITO having a thickness of 0.2 to 0.4 μm is formed by the low temperature sputtering method.
【0212】そして、対向電極9と非線形抵抗素子14
とのショ−トを防ぐために、図10に示す形状に、フォ
トエッチングによりITOをパターニングして対向電極
9を形成する。Then, the counter electrode 9 and the nonlinear resistance element 14
In order to prevent such short-circuiting, ITO is patterned by photoetching in the shape shown in FIG. 10 to form the counter electrode 9.
【0213】その後、第1の基板1と第2の基板6との
両基板に配向膜10を印刷法で形成する。After that, the alignment film 10 is formed on both the first substrate 1 and the second substrate 6 by the printing method.
【0214】その後、配向膜10のラビング処理を行
う。そして、スペ−サ−12を第1の基板1と第2の基
板6との間に形成する。After that, rubbing treatment of the alignment film 10 is performed. Then, the spacer 12 is formed between the first substrate 1 and the second substrate 6.
【0215】その後、エポキシ系の接着材を用いて第1
の基板1と第2の基板6とを所定の間隔で張り合わせ
る。After that, a first epoxy-based adhesive is used.
Substrate 1 and second substrate 6 are attached to each other at a predetermined interval.
【0216】そしてさらに、第1の基板1と第2の基板
6との間に液晶11を注入し、第1の基板1と第2の基
板6との外側に偏光板16を、その偏光軸が90゜に交
差するように張り付けて、液晶表示装置が完成する。Further, the liquid crystal 11 is injected between the first substrate 1 and the second substrate 6, the polarizing plate 16 is provided outside the first substrate 1 and the second substrate 6, and the polarization axis thereof is set. The liquid crystal display device is completed by sticking so as to intersect at 90 °.
【0217】本発明の第3の実施例では、液晶11は、
フッソ系でΔn=0.125の材料を用い、セルギャッ
プは4μmにする。In the third embodiment of the present invention, the liquid crystal 11 is
A fluorine-based material with Δn = 0.125 is used, and the cell gap is 4 μm.
【0218】したがって、厚さ4.6μmの透明突起1
5と厚さ1.0μmのカラ−フィルタ−17との段差は
3.6μmとなる。これに対して、液晶11の厚さは
0.4μmとなり、開口部13からの光漏れはほとんど
なくなる。Therefore, the transparent protrusion 1 having a thickness of 4.6 μm
5 and the color filter 17 having a thickness of 1.0 μm has a step difference of 3.6 μm. On the other hand, the thickness of the liquid crystal 11 is 0.4 μm, and light leakage from the opening 13 is almost eliminated.
【0219】この図13を用いて説明した製造方法によ
り形成した5型のMIM方式白黒液晶表示装置において
は、光照射効果により表示品質の低下や焼き付き現象が
ほとんどなく、かつ、ブラックマトリクスの開口部から
の光漏れによるコントラス低下の無い高画質を有する液
晶表示装置が得られる。In the 5 type MIM type black and white liquid crystal display device formed by the manufacturing method described with reference to FIG. 13, there is almost no deterioration in display quality or burn-in phenomenon due to the light irradiation effect, and there is no black matrix opening. It is possible to obtain a liquid crystal display device having high image quality in which contrast is not deteriorated due to light leakage from the liquid crystal display device.
【0220】なお本発明の第3の実施例の第1の基板1
の製造方法において、第2の電極4と表示電極5は、同
一材料を用いて形成する例で説明したが、下記記載のよ
うに両者は異なる材料で形成してもよい。The first substrate 1 of the third embodiment of the present invention
In the manufacturing method of 1., the second electrode 4 and the display electrode 5 have been described as an example of being formed using the same material, but they may be formed of different materials as described below.
【0221】まず全面に第2の電極4の材料として、厚
さ0.05〜0.2μmのクロム膜をスパッタリング法
を用いて形成する。First, as a material for the second electrode 4, a chromium film having a thickness of 0.05 to 0.2 μm is formed by sputtering on the entire surface.
【0222】その後、図13を用いて説明した方法と同
じ処理工程によるフォトエッチングにより、幅寸法が3
μmの第2の電極4を形成する。Then, the width dimension is reduced to 3 by photoetching in the same processing step as the method described with reference to FIG.
A second electrode 4 of μm is formed.
【0223】その後、全面に表示電極5材料である厚さ
0.1〜0.3μmのITO膜をスパッタリング法を用
いて形成する。After that, an ITO film having a thickness of 0.1 to 0.3 μm, which is a material of the display electrode 5, is formed on the entire surface by sputtering.
【0224】その後、表示電極5材料上の全面にフォト
レジストを回転塗布法によって形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the material of the display electrode 5 by a spin coating method, an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask, and the photoresist is patterned.
【0225】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて表示電極5材料を、塩
化第2鉄と塩酸の混合溶液を用いてエッチングを行い、
表示電極5を形成する。After that, the display electrode 5 material is etched by using the patterned photoresist as an etching mask and a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid.
The display electrode 5 is formed.
【0226】本発明の第3の実施例では、好ましくは、
第1の基板1の第2の電極4と表示電極5との上に、ス
パッタリング法を用いて、厚さ0.1〜0.5μmの二
酸化シリコン(SiO2 )からなるパッシベーション膜
を形成してもよい。In the third embodiment of the present invention, preferably,
A passivation film made of silicon dioxide (SiO 2 ) having a thickness of 0.1 to 0.5 μm is formed on the second electrode 4 and the display electrode 5 of the first substrate 1 by a sputtering method. Good.
【0227】このパッシベーション膜を形成することに
よって、非線形抵抗素子14と液晶11の相互作用を取
り除くことが可能となり、焼き付き現象をさらに一層改
善することができる。By forming this passivation film, the interaction between the non-linear resistance element 14 and the liquid crystal 11 can be removed, and the burn-in phenomenon can be further improved.
【0228】またさらに、透明突起15の材料として、
カラ−フィルタ−材料と同一のゼラチンなどの感光性有
機絶縁膜を用いた例で説明したが、透明材料であれば、
アクリル系の感光性有機絶縁膜や、一般の有機絶縁膜や
無機絶縁膜を用いることも可能である。Further, as the material of the transparent protrusion 15,
The example using the same photosensitive organic insulating film such as gelatin as the color filter material has been described, but if it is a transparent material,
It is also possible to use an acrylic photosensitive organic insulating film, a general organic insulating film, or an inorganic insulating film.
【0229】透明突起15の材料として、前述のアクリ
ル系の感光性有機絶縁膜や、有機絶縁膜や無機絶縁膜を
用いときは、フォトリソグラフィとエッチング工程によ
り、透明突起15を形成する。When the above-mentioned acrylic photosensitive organic insulating film, organic insulating film or inorganic insulating film is used as the material of the transparent protrusion 15, the transparent protrusion 15 is formed by photolithography and etching process.
【0230】つぎに、本発明の液晶表示装置における第
4の実施例を説明する。図14は、本発明の第4の実施
例の構成を示す断面図で、図2の平面図に示す液晶表示
装置のB−B線における断面を示している。以下、図1
4と図2とを交互に用いて本発明の液晶表示装置の構成
を説明する。Next, a fourth embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described. FIG. 14 is a cross-sectional view showing the configuration of the fourth embodiment of the present invention, and shows a cross section taken along line BB of the liquid crystal display device shown in the plan view of FIG. Below, Figure 1
4 and FIG. 2 are alternately used to describe the configuration of the liquid crystal display device of the present invention.
【0231】第1の基板1上には、タンタル(Ta)か
らなる第1の電極2を設け、さらにこの第1の電極2上
には、第1の電極2を陽極酸化処理して形成する酸化タ
ンタル(Ta2 O5 )からなる非線形抵抗層3を設け、
さらに非線形抵抗層3上に透明導電膜としてITO(酸
化インジウムスズ)からなる第2の電極4を設ける。A first electrode 2 made of tantalum (Ta) is provided on the first substrate 1, and the first electrode 2 is formed on the first electrode 2 by anodizing. A non-linear resistance layer 3 made of tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) is provided,
Further, a second electrode 4 made of ITO (indium tin oxide) is provided as a transparent conductive film on the nonlinear resistance layer 3.
【0232】この第1の電極2と非線形抵抗層3と第2
の電極4とによって、MIM構造の非線形抵抗素子14
を形成している。さらに、第2の電極4と同一材料で、
表示電極5を形成する。This first electrode 2, the non-linear resistance layer 3 and the second
And the electrode 4 of the non-linear resistance element 14 of the MIM structure.
Is formed. Furthermore, with the same material as the second electrode 4,
The display electrode 5 is formed.
【0233】非線形抵抗素子14の上の領域に、透明な
感光性有機絶縁膜で透明突起15を形成している。In the region above the non-linear resistance element 14, the transparent protrusion 15 is formed of a transparent photosensitive organic insulating film.
【0234】この透明突起15の高さ寸法は、表示電極
5と対向電極9の間隔寸法より、多少小さくする。この
ことで、透明突起15と対向電極9とのセルギャップ寸
法は非常に小さくなっている。The height of the transparent protrusion 15 is made slightly smaller than the distance between the display electrode 5 and the counter electrode 9. As a result, the cell gap size between the transparent protrusion 15 and the counter electrode 9 is extremely small.
【0235】透明突起15の幅寸法は、ブラックマトリ
クス7の開口部13より多少大きくして、フォトリソ工
程における位置精度や、第1の基板1と第2の基板6と
の重ね合わせ精度に対処している。The width dimension of the transparent protrusion 15 is made slightly larger than the opening 13 of the black matrix 7 to cope with the positional accuracy in the photolithography process and the overlay accuracy of the first substrate 1 and the second substrate 6. ing.
【0236】さらに第2の基板6上には、第1の基板1
に形成するそれぞれの表示電極5の隙間からの光の漏れ
を防止するために、クロム膜を用いるブラックマトリク
ス7を、厚さ0.1〜0.2μmに形成する。Furthermore, on the second substrate 6, the first substrate 1
In order to prevent light from leaking from the gaps between the respective display electrodes 5 formed in the above, the black matrix 7 using a chromium film is formed to a thickness of 0.1 to 0.2 μm.
【0237】このブラックマトリクス7には、非線形抵
抗素子14に光を照射するための開口部13を形成す
る。さらにブラックマトリクス7の表示部上に、カラ−
フィルタ−17、18を設ける。In this black matrix 7, an opening 13 for irradiating the nonlinear resistance element 14 with light is formed. Further, on the display part of the black matrix 7, a color is displayed.
Filters 17 and 18 are provided.
【0238】さらに絶縁膜8を介して、表示電極5と対
向するように、ITO膜からなる対向電極9を設ける。Further, a counter electrode 9 made of an ITO film is provided so as to face the display electrode 5 via the insulating film 8.
【0239】さらに第1の基板1と第2の基板6とは、
液晶11の分子を規則的に並べるための処理層として、
それぞれ配向膜10を形成する。Further, the first substrate 1 and the second substrate 6 are
As a treatment layer for regularly arranging the molecules of the liquid crystal 11,
The alignment film 10 is formed in each case.
【0240】さらにそのうえスペーサー12により、第
1の基板1と第2の基板6とを所定の間隔をもって対向
させる。そして、第1の基板1と第2の基板6との間に
は、液晶11を封入している。Furthermore, the spacer 12 makes the first substrate 1 and the second substrate 6 face each other with a predetermined gap. Liquid crystal 11 is sealed between the first substrate 1 and the second substrate 6.
【0241】さらにまた、第1の基板1と第2の基板6
の外側には、偏光板16を、その偏光軸が交差するよう
に配置し、電圧無印加状態では白を示す、ノ−マリ−白
モ−ドになっている。Furthermore, the first substrate 1 and the second substrate 6
A polarizing plate 16 is arranged outside the substrate in such a manner that the polarization axes thereof intersect with each other, and is in a normally-white mode in which white is shown when no voltage is applied.
【0242】この図14に示す構成により、非線形抵抗
素子14には、ブラックマトリクス7の開口部13か
ら、絶縁膜8と透明突起15を介して効率良く光照射す
ることができる。この結果、フリッカ現象や焼き付き現
象を防止することができる。With the structure shown in FIG. 14, the nonlinear resistance element 14 can be efficiently irradiated with light from the opening 13 of the black matrix 7 through the insulating film 8 and the transparent protrusion 15. As a result, the flicker phenomenon and the burn-in phenomenon can be prevented.
【0243】ここで、透明突起15と非線形抵抗素子1
4とのセルギャップ寸法は、非常に小さくなる。このた
めに、開口部13からの光漏れが無くなるので、コント
ラストの高い高品質な表示画像を有する液晶表示装置が
得られる。Here, the transparent protrusion 15 and the nonlinear resistance element 1
The cell gap size with 4 is very small. For this reason, light leakage from the opening 13 is eliminated, so that a liquid crystal display device having a high-quality display image with high contrast can be obtained.
【0244】つぎに、本発明における実施例4の液晶表
示装置の製造方法について、図14を用いて説明する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0245】第1の基板1には、アルカリ金属の含有率
の少ないガラス材料が良く、本発明の第4の実施例で
は、日本電気ガラス製の商品名OA2で、厚さ1.1m
mのものを使用する。The first substrate 1 is preferably made of a glass material having a low alkali metal content. In the fourth embodiment of the present invention, Nippon Electric Glass's trade name is OA2 and the thickness is 1.1 m.
Use m.
【0246】つぎに、第1の基板1の全面に第1の電極
2の材料として厚さ0.1〜0.3μmのタンタル膜を
スパッタリング法や真空蒸着法により形成する。Next, a tantalum film having a thickness of 0.1 to 0.3 μm is formed as a material for the first electrode 2 on the entire surface of the first substrate 1 by a sputtering method or a vacuum evaporation method.
【0247】その後、タンタル膜上の全面にフォトレジ
ストを回転塗布法によって形成し、所定のパターンを形
成したフォトマスクを用いて露光処理と現像処理とを行
い、フォトレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the tantalum film by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a photomask having a predetermined pattern to pattern the photoresist.
【0248】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて第1の電極2材料を、
六フッ化イオウ(SF6 )とヘリウムと酸素の混合ガス
をエッチングガスとして用いるドライエッチングによ
り、第1の電極2材料であるタンタル薄膜をパタ−ンニ
ングし、第1の電極2を形成する。第1の電極2の配線
領域の線幅は20μmで、非線形素子領域の線幅は3μ
mにする。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the first electrode 2 material is
The tantalum thin film, which is the material of the first electrode 2, is patterned by dry etching using a mixed gas of sulfur hexafluoride (SF 6 ) and helium and oxygen as an etching gas to form the first electrode 2. The line width of the wiring region of the first electrode 2 is 20 μm, and the line width of the nonlinear element region is 3 μm.
to m.
【0249】つぎに、クエン酸やほう酸アンモニウムな
どの陽極酸化槽に第1の基板1を浸漬して、30V〜5
0Vの直流電圧を印加する、陽極酸化処理により0.0
5〜0.1μmの膜厚を有する酸化タンタル(Ta2 O
5 )からなる非線形抵抗層3を形成する。Next, the first substrate 1 is dipped in an anodic oxidation bath of citric acid, ammonium borate or the like, and the voltage of 30 V to 5 V is applied.
Applying a DC voltage of 0V, anodizing process
Tantalum oxide (Ta 2 O having a film thickness of 5 to 0.1 μm)
The non-linear resistance layer 3 consisting of 5 ) is formed.
【0250】さらに、第2の電極4の材料と表示電極の
材料として、全面に透明導電膜であるITOをスパッタ
リング法や真空蒸着法により厚さ0.1〜0.3μmの
厚さに形成する。Further, as a material for the second electrode 4 and a material for the display electrode, ITO, which is a transparent conductive film, is formed on the entire surface by a sputtering method or a vacuum evaporation method to a thickness of 0.1 to 0.3 μm. .
【0251】その後、第2の電極4材料上にフォトレジ
ストを回転塗布法により全面に形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the material of the second electrode 4 by the spin coating method, an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask, and the photoresist is patterned.
【0252】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて第2の電極4材料を、
塩化第2鉄と塩酸の混合溶液を用いてエッチングを行
い、第2の電極4と表示電極5を形成する。本発明の実
施例では、第2の電極4の線幅寸法は3μmとする。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the second electrode 4 material is
Etching is performed using a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid to form the second electrode 4 and the display electrode 5. In the embodiment of the present invention, the line width dimension of the second electrode 4 is 3 μm.
【0253】つぎに全面に、回転塗布法を用いて、透明
突起15材料として、透明なアクリル系の感光性有機絶
縁膜を形成する。Then, a transparent acrylic photosensitive organic insulating film is formed as the material of the transparent protrusions 15 on the entire surface by spin coating.
【0254】その後、温度80〜100℃で熱処理を行
い感光性有機絶縁膜を乾燥させ、透明突起15に対応す
るパターンを有するフォトマスクを用いて露光処理を行
う。その後、水酸化ナトリウム溶液を用いるエッチング
で透明突起15以外の領域の有機絶縁膜を除去する。Then, heat treatment is performed at a temperature of 80 to 100 ° C. to dry the photosensitive organic insulating film, and an exposure process is performed using a photomask having a pattern corresponding to the transparent protrusions 15. After that, the organic insulating film in the region other than the transparent protrusions 15 is removed by etching using a sodium hydroxide solution.
【0255】その後、温度150〜250℃の熱処理に
より透明突起15の熱硬化を行い、厚さ寸法が3.6μ
mで、幅が15μm角の寸法を有する透明突起15を非
線形抵抗素子14上に形成する。Then, the transparent protrusions 15 are thermally cured by heat treatment at a temperature of 150 to 250 ° C., and the thickness dimension is 3.6 μm.
A transparent protrusion 15 having a size of m and a width of 15 μm square is formed on the nonlinear resistance element 14.
【0256】つぎに、第2の基板6の製造方法について
説明する。第2の基板6も、第1の基板1と同一のガラ
ス基板を用い、その全面に、ブラックマトリクス7の材
料として厚さ0.1〜0.2μmのクロム膜をスパッタ
リング法や真空蒸着法で形成する。Next, a method of manufacturing the second substrate 6 will be described. The second substrate 6 is also the same glass substrate as the first substrate 1, and a chromium film having a thickness of 0.1 to 0.2 μm as a material of the black matrix 7 is formed on the entire surface by a sputtering method or a vacuum evaporation method. Form.
【0257】その後、クロム膜上にフォトレジストを回
転塗布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用
いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォトレジス
トをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the chromium film by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0258】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いてクロム膜を、硝酸セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸の混合溶液を用いてクロム
膜をエッチングし、開口部13を有するブラックマトリ
クス7を形成する。Thereafter, the patterned photoresist is used as an etching mask to etch the chromium film, and the mixed solution of cerium ammonium nitrate and perchloric acid is used to etch the chromium film to form a black matrix 7 having openings 13. .
【0259】ブラックマトリクス7の開口部13の大き
さは、非線形抵抗素子14の大きさが3μm角であり、
第1の基板1と第2の基板6の重ね合わせ位置精度がプ
ラスマイナス4μmであるので、11μm角とする。With respect to the size of the opening 13 of the black matrix 7, the size of the nonlinear resistance element 14 is 3 μm square,
Since the overlay position accuracy of the first substrate 1 and the second substrate 6 is plus or minus 4 μm, it is 11 μm square.
【0260】つぎにカラーフィルター材料として、全面
に回転塗布法を用いて、ゼラチンやカゼインなどの感光
性有機材料を形成する。Next, as a color filter material, a photosensitive organic material such as gelatin or casein is formed on the entire surface by a spin coating method.
【0261】その後、乾燥処理を行い、さらにフォトエ
ッチング処理を行い、ゼラチンやカゼインからなる感光
性有機材料をパターニングする。Thereafter, a drying process is performed, and a photoetching process is further performed to pattern the photosensitive organic material made of gelatin or casein.
【0262】その後、第2の基板6を染色槽に含侵して
染色し、固着槽に含侵して固着することにより、厚さ1
μmの緑色のカラ−フィルタ−17を形成する。この工
程を3回繰り返し、青色のカラ−フィルタ−18と赤色
のカラ−フィルタ−(図示せず)を形成する。After that, the second substrate 6 is impregnated in the dyeing tank to be dyed, and the second substrate 6 is impregnated in the fixing tank to fix the second substrate 6 to a thickness of 1 mm.
A green color filter 17 of μm is formed. This process is repeated three times to form a blue color filter 18 and a red color filter (not shown).
【0263】さらにカラ−フィルタ−17、18上に、
絶縁膜8の材料として、回転塗布法を用いて、アクリル
系の有機材料を形成する。その後、温度150〜200
℃の熱処理を行い、アクリル系の有機材料を硬化させ
て、厚さ2〜5μmの絶縁膜8を形成する。Furthermore, on the color filters 17 and 18,
As the material of the insulating film 8, an acrylic organic material is formed by using a spin coating method. Then, the temperature is 150 ~ 200
A heat treatment is carried out at a temperature of ℃ to cure the acrylic organic material to form the insulating film 8 having a thickness of 2 to 5 μm.
【0264】つぎに、対向電極9の材料として、厚さ
0.2〜0.4μmのITOを低温スパッタリングによ
り形する。Next, as a material for the counter electrode 9, ITO having a thickness of 0.2 to 0.4 μm is formed by low temperature sputtering.
【0265】その後、対向電極9材料上にフォトレジス
トを回転塗布法によって全面に形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the material of the counter electrode 9 by a spin coating method, and an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask to pattern the photoresist.
【0266】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて対向電極9材料を、塩
化第2鉄と塩酸の混合溶液を用いてエッチングを行い、
対向電極9を形成する。Then, using the patterned photoresist as an etching mask, the material of the counter electrode 9 is etched using a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid,
The counter electrode 9 is formed.
【0267】その後、第1の基板1と第2の基板6との
両基板に配向膜10を印刷法で形成する。After that, the alignment film 10 is formed on both the first substrate 1 and the second substrate 6 by the printing method.
【0268】その後、配向膜10のラビング処理を行
う。そして、スペ−サ−12を第1の基板1と第2の基
板6との間に形成する。After that, rubbing treatment of the alignment film 10 is performed. Then, the spacer 12 is formed between the first substrate 1 and the second substrate 6.
【0269】その後、エポキシ系の接着材を用いて第1
の基板1と第2の基板6とを所定の間隔で張り合わせ
る。After that, a first epoxy resin is used.
Substrate 1 and second substrate 6 are attached to each other at a predetermined interval.
【0270】そしてさらに、第1の基板1と第2の基板
6との間に液晶11を注入し、第1の基板1と第2の基
板6との外側に偏光板16を、その偏光軸が90゜に交
差するように張り付けて、液晶表示装置が完成する。Further, the liquid crystal 11 is injected between the first substrate 1 and the second substrate 6, and the polarizing plate 16 is provided outside the first substrate 1 and the second substrate 6, and the polarization axis thereof is provided. The liquid crystal display device is completed by sticking so as to intersect at 90 °.
【0271】本発明の第4の実施例では、液晶11は、
フッソ系でΔn=0.125の材料を用い、セルギャッ
プは4μmにする。In the fourth embodiment of the present invention, the liquid crystal 11 is
A fluorine-based material with Δn = 0.125 is used, and the cell gap is 4 μm.
【0272】したがって、厚さ4.6μmの透明突起1
5と厚さ1.0μmのカラ−フィルタ−17との段差は
3.6μmとなる。これに対して、液晶11の厚さは
0.4μmとなり、開口部13からの光漏れはほとんど
なくなる。Therefore, the transparent protrusion 1 having a thickness of 4.6 μm
5 and the color filter 17 having a thickness of 1.0 μm has a step difference of 3.6 μm. On the other hand, the thickness of the liquid crystal 11 is 0.4 μm, and light leakage from the opening 13 is almost eliminated.
【0273】この図14を用いて説明した製造方法によ
り形成した5型のMIM方式白黒液晶表示装置において
は、光照射効果により表示品質の低下や焼き付き現象が
ほとんどなく、かつブラックマトリクスの開口部からの
光漏れによるコントラス低下の無い高画質を有する液晶
表示装置が得られる。In the 5 type MIM type black and white liquid crystal display device formed by the manufacturing method described with reference to FIG. 14, there is almost no deterioration of display quality or burn-in phenomenon due to the light irradiation effect, and the opening from the black matrix It is possible to obtain a liquid crystal display device having high image quality in which the contrast is not deteriorated due to the light leakage.
【0274】なお本発明の第4の実施例の第1の基板1
の製造方法において、第2の電極4と表示電極5は、同
一材料を用いて形成する例で説明したが、下記記載のよ
うに異なる材料で形成してもよい。The first substrate 1 of the fourth embodiment of the present invention
In the manufacturing method of 1., the second electrode 4 and the display electrode 5 are described as an example of being formed of the same material, but they may be formed of different materials as described below.
【0275】まず全面に第2の電極4の材料として、厚
さ0.05〜0.2μmのクロム膜をスパッタリング法
を用いて形成する。First, as a material for the second electrode 4, a chromium film having a thickness of 0.05 to 0.2 μm is formed on the entire surface by a sputtering method.
【0276】その後、図14を用いて説明した方法と同
じ処理工程によるフォトエッチングにより、幅寸法が3
μmの第2の電極4を形成する。Thereafter, the width dimension is reduced to 3 by photoetching by the same processing step as the method described with reference to FIG.
A second electrode 4 of μm is formed.
【0277】その後、全面に表示電極5材料である厚さ
0.1〜0.3μmのITO膜をスパッタリング法を用
いて形成する。After that, an ITO film having a thickness of 0.1 to 0.3 μm, which is a material of the display electrode 5, is formed on the entire surface by a sputtering method.
【0278】その後、表示電極5材料上の全面にフォト
レジストを回転塗布法によって形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、このフォ
トレジストをパターニングする。After that, a photoresist is formed on the entire surface of the material of the display electrode 5 by a spin coating method, an exposure process and a development process are performed using a predetermined photomask, and the photoresist is patterned.
【0279】その後、このパターニングしたフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて表示電極5材料を、塩
化第2鉄と塩酸の混合溶液を用いてウェットエッチング
を行い、表示電極5を形成する。After that, the display electrode 5 material is wet-etched using the patterned photoresist as an etching mask and a mixed solution of ferric chloride and hydrochloric acid to form the display electrode 5.
【0280】本発明の第4の実施例では、好ましくは、
第1の基板1の第2の電極4と表示電極5との上に、ス
パッタリング法を用いて、厚さ0.1〜0.5μmの二
酸化シリコン(SiO2 )からなるパッシベーション膜
を形成してもよい。In the fourth embodiment of the present invention, preferably,
A passivation film made of silicon dioxide (SiO 2 ) having a thickness of 0.1 to 0.5 μm is formed on the second electrode 4 and the display electrode 5 of the first substrate 1 by a sputtering method. Good.
【0281】このパッシベーション膜を形成することに
よって、非線形抵抗素子14と液晶11の相互作用を取
り除くことが可能となり、焼き付き現象をさらに一層改
善することができる。By forming this passivation film, the interaction between the non-linear resistance element 14 and the liquid crystal 11 can be removed, and the burn-in phenomenon can be further improved.
【0282】またさらに、透明突起15の材料として、
カラ−フィルタ−材料と同一のゼラチンなどの感光性有
機絶縁膜を用いた例で説明したが、透明材料であれば、
アクリル系の感光性有機絶縁膜や、一般の有機絶縁膜や
無機絶縁膜を用いることも可能である。Furthermore, as the material of the transparent protrusion 15,
The example using the same photosensitive organic insulating film such as gelatin as the color filter material has been described, but if it is a transparent material,
It is also possible to use an acrylic photosensitive organic insulating film, a general organic insulating film, or an inorganic insulating film.
【0283】透明突起15の材料として、前述のアクリ
ル系の感光性有機絶縁膜や、有機絶縁膜や無機絶縁膜を
用いときは、フォトリソグラフィとエッチング工程によ
り、透明突起15を形成する。When the above-mentioned acrylic photosensitive organic insulating film, organic insulating film or inorganic insulating film is used as the material of the transparent protrusion 15, the transparent protrusion 15 is formed by photolithography and etching process.
【0284】またさらに、本発明の第4の実施例では、
第2の基板6の構成として、ブラックマトリクス7上に
カラ−フィルタ−17、18を設け、絶縁膜8を介して
対向電極9を形成した例で説明したが、耐熱性の良好な
印刷方法によるカラ−フィルタ−を用いることで、絶縁
膜8の形成を省略し、カラ−フィルタ−17、18上に
直接対向電極9を形成することも可能である。Furthermore, in the fourth embodiment of the present invention,
As the configuration of the second substrate 6, an example in which the color filters 17 and 18 are provided on the black matrix 7 and the counter electrode 9 is formed via the insulating film 8 has been described. However, the printing method with good heat resistance is used. By using the color filter, it is possible to omit the formation of the insulating film 8 and directly form the counter electrode 9 on the color filters 17 and 18.
【0285】さらに以上説明した第1から第4の実施例
において、非線形抵抗層3としては陽極酸化処理により
形成する例で説明したが、スパッタリング法や真空蒸着
法の物理気相成長法や、化学気相成長法により形成する
絶縁膜も、非線形抵抗層3として適用可能である。In the first to fourth embodiments described above, the non-linear resistance layer 3 is formed by the anodic oxidation process, but the physical vapor deposition method such as the sputtering method or the vacuum vapor deposition method or the chemical method is used. An insulating film formed by a vapor phase growth method can also be applied as the nonlinear resistance layer 3.
【0286】[0286]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
液晶表示装置の構成と製造方法とを用いることにより、
非線形抵抗素子の極性による非対称な変化を抑え、液晶
への直流電圧印加を減らし、液晶の品質の低下をなく
し、フリッカ現象や、残像現象である画像焼き付き現象
を防止することができる。As is clear from the above description, by using the structure and manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention,
It is possible to suppress an asymmetrical change due to the polarity of the non-linear resistance element, reduce the application of a DC voltage to the liquid crystal, eliminate the deterioration of the quality of the liquid crystal, and prevent the flicker phenomenon and the image sticking phenomenon which is an afterimage phenomenon.
【0287】さらに、ブラックマトリクスの開口部から
の光漏れが発生しないため、コントラストの高い表示品
質を有する液晶表示装置を得ることができる。Further, since light does not leak from the opening of the black matrix, a liquid crystal display device having a high contrast display quality can be obtained.
【図1】本発明の第1の実施例における液晶表示装置の
構成とその製造方法とを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施例における液晶表示装置の構成と
その製造方法とを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention.
【図3】液晶表示装置の非線形抵抗素子の初期特性およ
び駆動後の特性の電流値と非線形抵抗素子に照射する光
量との関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a relationship between a current value of an initial characteristic of a non-linear resistance element of a liquid crystal display device and a characteristic after driving and a light amount applied to the non-linear resistance element.
【図4】本発明の実施例における液晶表示装置の非線形
抵抗素子に光りを照射したときの非線形抵抗素子特性と
駆動時間との関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a relationship between a non-linear resistance element characteristic and a driving time when light is irradiated to the non-linear resistance element of the liquid crystal display device in the example of the present invention.
【図5】本発明の実施例における透明突起の作用を説明
するための、セルギャップと透過率の関係を示すグラフ
である。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the cell gap and the transmittance for explaining the function of the transparent protrusions in the example of the present invention.
【図6】従来例における液晶表示装置を示す平面図であ
る。FIG. 6 is a plan view showing a liquid crystal display device in a conventional example.
【図7】従来例における液晶表示装置を示す断面図であ
る。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device in a conventional example.
【図8】液晶表示装置の非線形抵抗素子における電圧−
電流特性を示すグラフである。FIG. 8 shows a voltage in a non-linear resistance element of a liquid crystal display device.
It is a graph which shows a current characteristic.
【図9】液晶表示装置の非線形抵抗素子に光の照射を行
わないときの非線形抵抗素子特性と駆動時間との関係を
示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing a relationship between a characteristic of a non-linear resistance element and a driving time when light is not applied to the non-linear resistance element of a liquid crystal display device.
【図10】本発明の実施例における液晶表示装置の構成
とその製造方法とを示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第1の実施例における液晶表示装置
の構成とその製造方法とを示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal display device and the method for manufacturing the same according to the first embodiment of the present invention.
【図12】本発明の第2の実施例における液晶表示装置
の構成とその製造方法とを示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a structure of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to a second embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第3の実施例における液晶表示装置
の構成とその製造方法とを示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a configuration of a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same in a third embodiment of the present invention.
【図14】本発明の第4の実施例における液晶表示装置
の構成とその製造方法とを示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a structure of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof in a fourth embodiment of the present invention.
1 第1の基板 2 第1の電極 3 非線形抵抗層 4 第2の電極 5 表示電極 6 第2の基板 7 ブラックマトリクス 8 絶縁膜 13 開口部 15 透明突起 16 偏光板 1 First Substrate 2 First Electrode 3 Nonlinear Resistance Layer 4 Second Electrode 5 Display Electrode 6 Second Substrate 7 Black Matrix 8 Insulating Film 13 Opening 15 Transparent Protrusion 16 Polarizing Plate
Claims (21)
からなる非線形抵抗素子と表示電極とを有し、 第2の基板は開口部を有するブラックマトリクスと、ブ
ラックマトリクス上の対向電極と、開口部に対向した位
置で対向電極上に設ける透明突起とを有し、 開口部と非線形抵抗素子とは対向する位置に設けて、非
線形抵抗素子に光を照射することを特徴とする液晶表示
装置。1. A first substrate and a second substrate, wherein the first substrate has a non-linear resistance element composed of a first electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode, and a display electrode, The second substrate has a black matrix having an opening, a counter electrode on the black matrix, and a transparent protrusion provided on the counter electrode at a position facing the opening, and the opening and the nonlinear resistance element face each other. A liquid crystal display device, which is provided at a position to irradiate light to a non-linear resistance element.
からなる非線形抵抗素子と表示電極とを有し、 第2の基板は開口部を有するブラックマトリクスと、ブ
ラックマトリクス上の対向電極と、開口部に対向した位
置でブラックマトリクス上に設ける透明突起とを有し、 開口部と非線形抵抗素子とは対向する位置に設けて、非
線形抵抗素子に光を照射することを特徴とする液晶表示
装置。2. A first substrate and a second substrate are provided, wherein the first substrate has a non-linear resistance element including a first electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode, and a display electrode, The second substrate has a black matrix having an opening, a counter electrode on the black matrix, and a transparent protrusion provided on the black matrix at a position facing the opening, and the opening faces the nonlinear resistance element. A liquid crystal display device, which is provided at a position to irradiate light to a non-linear resistance element.
成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1の
電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵抗
層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成しフ
ォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形成
し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる非
線形抵抗素子と同時に表示電極を形成する工程とを有
し、 第2の基板は印刷法を用いて開口部を有するブラックマ
トリクスを形成する工程と、全面に対向電極材料を形成
し、フォトエッチングにより対向電極を形成する工程
と、全面に透明突起材料を形成しフォトエッチングによ
り開口部に対応する位置に透明突起を形成する工程とを
有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。3. A step of forming a first electrode material on the entire surface of a first substrate and patterning it by photoetching to form a first electrode, and a nonlinear resistance layer on the surface of the first electrode. The step of forming and forming a second electrode material on the entire surface and patterning by photoetching to form a second electrode, and at the same time as the nonlinear resistance element including the first electrode, the nonlinear resistance layer and the second electrode, A step of forming a display electrode, a step of forming a black matrix having openings in the second substrate using a printing method, and forming a counter electrode material on the entire surface and forming a counter electrode by photoetching. And a step of forming a transparent protrusion material on the entire surface and forming a transparent protrusion at a position corresponding to the opening by photoetching. The first substrate and the second substrate are superposed, and the first substrate is further formed. And the second Method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized by sealing the liquid crystal between the plates.
成し、フォトエッチングによってパタ−ニングし、第1
の電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵
抗層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成し
フォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形
成し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる
非線形抵抗素子を形成する工程と、全面に表示電極材料
を形成し、フォトエッチングにより表示電極を形成する
工程とを有し、 第2の基板は印刷法を用いて開口部を有するブラックマ
トリクスを形成する工程と、全面に対向電極材料を形成
し、フォトエッチングにより対向電極を形成する工程
と、全面に透明突起材料を形成しフォトエッチングによ
り開口部に対応する位置に透明突起を形成する工程とを
有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。4. The first electrode material is formed on the entire surface of the first substrate and patterned by photoetching to form a first electrode material.
The step of forming the second electrode material, the step of forming the non-linear resistance layer on the surface of the first electrode, and the step of forming the second electrode material on the entire surface and patterning by photo-etching to form the second electrode. A second substrate including a step of forming a non-linear resistance element composed of one electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode; and a step of forming a display electrode material on the entire surface and forming the display electrode by photoetching. Is a step of forming a black matrix having an opening by using a printing method, a step of forming a counter electrode material on the entire surface and forming a counter electrode by photoetching, and a step of forming a transparent protrusion material on the entire surface and opening by photoetching. A step of forming a transparent protrusion at a position corresponding to the portion, stacking the first substrate and the second substrate, and further enclosing the liquid crystal between the first substrate and the second substrate. Characteristic Method of manufacturing a liquid crystal display device which.
からなる非線形抵抗素子と表示電極とを有し、 第2の基板は開口部を有するブラックマトリクスと、ブ
ラックマトリクス上の絶縁膜を介して設ける対向電極
と、開口部に対向した位置で対向電極上に設ける透明突
起とを有し、 開口部と非線形抵抗素子とは対向する位置に設けて、非
線形抵抗素子に光を照射することを特徴とする液晶表示
装置。5. A first substrate and a second substrate are provided, wherein the first substrate has a non-linear resistance element including a first electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode, and a display electrode, The second substrate has a black matrix having an opening, a counter electrode provided via an insulating film on the black matrix, and a transparent protrusion provided on the counter electrode at a position facing the opening. A liquid crystal display device, characterized in that it is provided at a position facing a resistance element and irradiates light to a non-linear resistance element.
からなる非線形抵抗素子と表示電極とを有し、 第2の基板は開口部を有するブラックマトリクスと、ブ
ラックマトリクス上の絶縁膜を介して設ける対向電極
と、開口部に対向した位置で絶縁膜上に設ける透明突起
とを有し、 開口部と非線形抵抗素子とは対向する位置に設けて、非
線形抵抗素子に光を照射することを特徴とする液晶表示
装置。6. A first substrate and a second substrate are provided, the first substrate having a non-linear resistance element including a first electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode, and a display electrode, The second substrate has a black matrix having an opening, a counter electrode provided through the insulating film on the black matrix, and a transparent protrusion provided on the insulating film at a position facing the opening. A liquid crystal display device, characterized in that it is provided at a position facing a resistance element and irradiates light to a non-linear resistance element.
成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1の
電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵抗
層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成しフ
ォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形成
し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる非
線形抵抗素子と同時に表示電極を形成する工程とを有
し、 第2の基板は全面にブラックマトリクス材料を形成し、
フォトエッチングにより開口部を有するブラックマトリ
クスを形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程
と、全面に対向電極材料を形成し、フォトエッチングに
より対向電極を形成する工程と、全面に透明突起材料を
形成しフォトエッチングにより開口部に対応する位置に
透明突起を形成する工程とを有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。7. A step of forming a first electrode material on the entire surface of a first substrate and patterning by photoetching to form a first electrode, and a non-linear resistance layer on the surface of the first electrode. The step of forming and forming a second electrode material on the entire surface and patterning by photoetching to form a second electrode, and at the same time as the nonlinear resistance element including the first electrode, the nonlinear resistance layer and the second electrode, Forming a display electrode, and forming a black matrix material on the entire surface of the second substrate,
A step of forming a black matrix having openings by photoetching, a step of forming an insulating film over the entire surface, a step of forming a counter electrode material over the entire surface, and a step of forming a counter electrode by photoetching, and a transparent protrusion material over the entire surface. And forming a transparent protrusion at a position corresponding to the opening by photoetching, the first substrate and the second substrate are overlapped, and a space between the first substrate and the second substrate is further formed. A method for manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that a liquid crystal is sealed in.
成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1の
電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵抗
層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成しフ
ォトエッチングによってパタ−ニングし第2の電極を形
成し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる
非線形抵抗素子を形成する工程と、全面に表示電極材料
を形成し、フォトエッチングにより表示電極を形成する
工程とを有し、 第2の基板は全面にブラックマトリクス材料を形成し、
フォトエッチングにより開口部を有するブラックマトリ
クスを形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程
と、全面に対向電極材料を形成し、フォトエッチングに
より対向電極を形成する工程と、全面に透明突起材料を
形成しフォトエッチングにより開口部に対応する位置に
透明突起を形成する工程とを有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。8. A step of forming a first electrode material on the entire surface of a first substrate and performing patterning by photoetching to form a first electrode, and a step of forming a nonlinear resistance layer on the surface of the first electrode. Forming step and forming a second electrode material on the entire surface and patterning by photoetching to form a second electrode, and forming a non-linear resistance element composed of the first electrode, the non-linear resistance layer and the second electrode. And a step of forming a display electrode material on the entire surface and forming a display electrode by photoetching, and forming a black matrix material on the entire surface of the second substrate,
A step of forming a black matrix having openings by photoetching, a step of forming an insulating film over the entire surface, a step of forming a counter electrode material over the entire surface, and a step of forming a counter electrode by photoetching, and a transparent protrusion material over the entire surface. And forming a transparent protrusion at a position corresponding to the opening by photoetching, the first substrate and the second substrate are overlapped, and a space between the first substrate and the second substrate is further formed. A method for manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that a liquid crystal is sealed in.
からなる非線形抵抗素子と表示電極とを有し、 第2の基板は開口部を有するブラックマトリクスと、開
口部に対向した位置でブラックマトリクス上に設ける透
明突起と、ブラックマトリクス上の絶縁膜を介して設け
る対向電極とを有し、 開口部と非線形抵抗素子とは対向する位置に設けて、非
線形抵抗素子に光を照射することを特徴とする液晶表示
装置。9. A first substrate and a second substrate, wherein the first substrate has a non-linear resistance element including a first electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode, and a display electrode, The second substrate has a black matrix having an opening, a transparent protrusion provided on the black matrix at a position facing the opening, and a counter electrode provided via an insulating film on the black matrix, A liquid crystal display device, characterized in that it is provided at a position facing a resistance element and irradiates light to a non-linear resistance element.
形成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1
の電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵
抗層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成し
フォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形
成し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる
非線形抵抗素子と同時に表示電極を形成する工程とを有
し、 第2の基板は全面にブラックマトリクス材料を形成し、
フォトエッチングにより開口部を有するブラックマトリ
クスを形成する工程と、全面に透明突起材料を形成しフ
ォトエッチングにより開口部に対応する位置に透明突起
を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程と、全
面に対向電極材料を形成し、フォトエッチングにより対
向電極を形成する工程とを有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。10. The first electrode material is formed on the entire surface of the first substrate and patterned by photoetching to form a first electrode material.
The step of forming the second electrode material, the step of forming the non-linear resistance layer on the surface of the first electrode, and the step of forming the second electrode material on the entire surface and patterning by photo-etching to form the second electrode. A step of forming a display electrode at the same time as a non-linear resistance element composed of one electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode, and forming a black matrix material on the entire surface of the second substrate,
A step of forming a black matrix having an opening by photoetching, a step of forming a transparent protrusion material on the entire surface and forming a transparent protrusion at a position corresponding to the opening by photoetching, and a step of forming an insulating film on the entire surface. A step of forming a counter electrode material on the entire surface and forming a counter electrode by photoetching, stacking the first substrate and the second substrate, and further forming a space between the first substrate and the second substrate. A method for manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that a liquid crystal is sealed in.
形成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1
の電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵
抗層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成し
フォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形
成し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる
非線形抵抗素子を形成する工程と、全面に表示電極材料
を形成し、フォトエッチングにより表示電極を形成する
工程とを有し、 第2の基板は全面にブラックマトリクス材料を形成し、
フォトエッチングにより開口部を有するブラックマトリ
クスを形成する工程と、全面に透明突起材料を形成しフ
ォトエッチングにより開口部に対応する位置に透明突起
を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程と、全
面に対向電極材料を形成し、フォトエッチングにより対
向電極を形成する工程とを有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。11. A first electrode material is formed on the entire surface of a first substrate and patterned by photoetching to form a first electrode material.
The step of forming the second electrode material, the step of forming the non-linear resistance layer on the surface of the first electrode, and the step of forming the second electrode material on the entire surface and patterning by photo-etching to form the second electrode. A second substrate including a step of forming a non-linear resistance element composed of one electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode; and a step of forming a display electrode material on the entire surface and forming the display electrode by photoetching. Forms a black matrix material on the entire surface,
A step of forming a black matrix having an opening by photoetching, a step of forming a transparent protrusion material on the entire surface and forming a transparent protrusion at a position corresponding to the opening by photoetching, and a step of forming an insulating film on the entire surface. A step of forming a counter electrode material on the entire surface and forming a counter electrode by photoetching, stacking the first substrate and the second substrate, and further forming a space between the first substrate and the second substrate. A method for manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that a liquid crystal is sealed in.
からなる非線形抵抗素子と表示電極と、非線形抵抗素子
上に設けた透明突起とを有し、 第2の基板は開口部を有するブラックマトリクスと、ブ
ラックマトリクス上の対向電極とを有し、 開口部と非線形抵抗素子とは対向する位置に設けて、非
線形抵抗素子に光を照射することを特徴とする液晶表示
装置。12. A nonlinear resistance element comprising a first substrate and a second substrate, the first substrate including a first electrode, a nonlinear resistance layer and a second electrode, a display electrode, and a nonlinear resistance element. The second substrate has a transparent projection provided above, the second substrate has a black matrix having an opening, and a counter electrode on the black matrix. The opening is provided at a position facing the nonlinear resistance element, A liquid crystal display device characterized in that a nonlinear resistance element is irradiated with light.
形成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1
の電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵
抗層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成し
フォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形
成し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる
非線形抵抗素子と同時に表示電極を形成する工程と、全
面に透明突起材料を形成しフォトエッチングにより非線
形素子に対応する位置に透明突起を形成する工程とを有
し、 第2の基板は印刷法を用いて開口部を有するブラックマ
トリクスを形成する工程と、全面に対向電極材料を形成
し、フォトエッチングにより対向電極を形成する工程と
を有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。13. A first electrode material is formed on the entire surface of the first substrate and patterned by photoetching to form a first electrode material.
The step of forming the second electrode material, the step of forming the non-linear resistance layer on the surface of the first electrode, and the step of forming the second electrode material on the entire surface and patterning by photo-etching to form the second electrode. A step of forming a display electrode at the same time as a non-linear resistance element composed of one electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode, and forming a transparent projection material on the entire surface and forming a transparent projection at a position corresponding to the non-linear element by photoetching. The second substrate includes a step of forming a black matrix having openings using a printing method, and a step of forming a counter electrode material on the entire surface and forming a counter electrode by photoetching. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: stacking a first substrate and a second substrate, and further enclosing a liquid crystal between the first substrate and the second substrate.
形成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1
の電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵
抗層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成し
フォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形
成し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる
非線形抵抗素子を形成する工程と、全面に表示電極材料
を形成し、フォトエッチングにより表示電極を形成する
工程と、全面に透明突起材料を形成しフォトエッチング
により非線形素子に対応する位置に透明突起を形成する
工程とを有し、 第2の基板は印刷法を用いて開口部を有するブラックマ
トリクスを形成する工程と、全面に対向電極材料を形成
し、フォトエッチングにより対向電極を形成する工程と
を有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。14. A first electrode material is formed on the entire surface of the first substrate and patterned by photoetching to form a first electrode material.
The step of forming the second electrode material, the step of forming the non-linear resistance layer on the surface of the first electrode, and the step of forming the second electrode material on the entire surface and patterning by photo-etching to form the second electrode. A step of forming a non-linear resistance element composed of one electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode; a step of forming a display electrode material on the entire surface and forming a display electrode by photo-etching; and a transparent projection material formed on the whole surface. And forming a transparent protrusion at a position corresponding to the non-linear element by photoetching, and forming a black matrix having an opening using a printing method on the second substrate, and forming a counter electrode material on the entire surface. Forming and forming a counter electrode by photoetching, superposing the first substrate and the second substrate, and further enclosing a liquid crystal between the first substrate and the second substrate. Method of manufacturing a liquid crystal display device according to symptoms.
からなる非線形抵抗素子と表示電極と、非線形抵抗素子
上に設けた透明突起とを有し、 第2の基板は開口部を有するブラックマトリクスと、ブ
ラックマトリクス上の絶縁膜を介して設ける対向電極と
を有し、 開口部と非線形抵抗素子とは対向する位置に設けて、非
線形抵抗素子に光を照射することを特徴とする液晶表示
装置。15. A nonlinear resistance element comprising a first substrate and a second substrate, the first substrate comprising a first electrode, a nonlinear resistance layer and a second electrode, a display electrode, and a nonlinear resistance element. The second substrate has a transparent protrusion provided thereon, and the second substrate has a black matrix having an opening, and a counter electrode provided through an insulating film on the black matrix. The opening and the nonlinear resistance element face each other. A liquid crystal display device, characterized in that it is provided at a position to irradiate light to a non-linear resistance element.
形成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1
の電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵
抗層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成し
フォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形
成し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる
非線形抵抗素子と同時に表示電極を形成する工程と、全
面に透明突起材料を形成しフォトエッチングにより非線
形素子に対応する位置に透明突起を形成する工程とを有
し、 第2の基板は全面にブラックマトリクス材料を形成し、
フォトエッチングにより開口部を有するブラックマトリ
クスを形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程
と、全面に対向電極材料を形成し、フォトエッチングに
より対向電極を形成する工程とを有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。16. The first electrode material is formed on the entire surface of the first substrate and patterned by photoetching to form a first electrode material.
The step of forming the second electrode material, the step of forming the non-linear resistance layer on the surface of the first electrode, and the step of forming the second electrode material on the entire surface and patterning by photo-etching to form the second electrode. A step of forming a display electrode at the same time as a non-linear resistance element composed of one electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode, and forming a transparent projection material on the entire surface and forming a transparent projection at a position corresponding to the non-linear element by photoetching. And forming a black matrix material on the entire surface of the second substrate,
The method includes a step of forming a black matrix having openings by photoetching, a step of forming an insulating film on the entire surface, and a step of forming a counter electrode material on the entire surface and forming a counter electrode by photoetching. 2. The method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: stacking the substrate and the second substrate, and further enclosing a liquid crystal between the first substrate and the second substrate.
形成し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、第1
の電極を形成する工程と、第1の電極の表面に非線形抵
抗層を形成する工程と、全面に第2の電極材料を形成し
フォトエッチングによりパタ−ニングし第2の電極を形
成し、第1の電極と非線形抵抗層と第2の電極からなる
非線形抵抗素子を形成する工程と、全面に表示電極材料
を形成し、フォトエッチングにより表示電極を形成する
工程と、全面に透明突起材料を形成しフォトエッチング
により非線形素子に対応する位置に透明突起を形成する
工程とを有し、 第2の基板は全面にブラックマトリクス材料を形成し、
フォトエッチングにより開口部を有するブラックマトリ
クスを形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程
と、全面に対向電極材料を形成し、フォトエッチングに
より対向電極を形成する工程とを有し、 第1の基板と第2の基板を重ね合わせ、さらに第1の基
板と第2の基板との間に液晶を封入することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。17. A first electrode material is formed on the entire surface of the first substrate and patterned by photoetching to form a first electrode material.
The step of forming the second electrode material, the step of forming the non-linear resistance layer on the surface of the first electrode, and the step of forming the second electrode material on the entire surface and patterning by photo-etching to form the second electrode. A step of forming a non-linear resistance element composed of one electrode, a non-linear resistance layer and a second electrode; a step of forming a display electrode material on the entire surface and forming a display electrode by photo-etching; and a transparent projection material formed on the whole surface. Forming a transparent protrusion at a position corresponding to the non-linear element by photoetching, and forming a black matrix material on the entire surface of the second substrate,
The method includes a step of forming a black matrix having openings by photoetching, a step of forming an insulating film on the entire surface, and a step of forming a counter electrode material on the entire surface and forming a counter electrode by photoetching. 2. The method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: stacking the substrate and the second substrate, and further enclosing a liquid crystal between the first substrate and the second substrate.
カラ−フィルタ−を有することを特徴とする請求項1、
請求項2、請求項5、請求項6、請求項9、請求項1
2、請求項15に記載の液晶表示装置。18. The color filter is provided on the black matrix of the second substrate,
Claim 2, Claim 5, Claim 6, Claim 9, Claim 1
2. The liquid crystal display device according to claim 15.
成する工程の後、ブラックマトリクス上にカラ−フィル
タ−を形成する工程を有することを特徴とする請求項
3、請求項4、請求項7、請求項8、請求項10、請求
項11、請求項13、請求項14、請求項16、あるい
は請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。19. The method according to claim 3, further comprising the step of forming a color filter on the black matrix after the step of forming the black matrix of the second substrate. A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 8, claim 10, claim 11, claim 13, claim 14, claim 16, or claim 17.
ッシベーション膜を有することを特徴とする請求項1、
請求項2、請求項5、請求項6、請求項9、請求項1
2、あるいは請求項15に記載の液晶表示装置。20. A passivation film is provided on the non-linear resistance element of the first substrate.
Claim 2, Claim 5, Claim 6, Claim 9, Claim 1
The liquid crystal display device according to claim 2 or claim 15.
後、パッシベーション膜を形成する工程を有することを
特徴とする請求項3、請求項4、請求項7、請求項8、
請求項10、請求項11、請求項13、請求項14、請
求項16、あるいは請求項17に記載の液晶表示装置の
製造方法。21. The method according to claim 3, further comprising the step of forming a passivation film after the step of forming the display electrode of the first substrate.
A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 10, claim 11, claim 13, claim 14, claim 16, or claim 17.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8614794A JPH07294962A (en) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | Liquid crystal display device and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8614794A JPH07294962A (en) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | Liquid crystal display device and its production |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07294962A true JPH07294962A (en) | 1995-11-10 |
Family
ID=13878631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8614794A Pending JPH07294962A (en) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | Liquid crystal display device and its production |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07294962A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100880216B1 (en) * | 2002-06-28 | 2009-01-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Multi domain Liquid Crystal Display Device |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP8614794A patent/JPH07294962A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100880216B1 (en) * | 2002-06-28 | 2009-01-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Multi domain Liquid Crystal Display Device |
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