JPH07287857A - Optical head, optical semiconductor element and optical information recording and reproducing device - Google Patents

Optical head, optical semiconductor element and optical information recording and reproducing device

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JPH07287857A
JPH07287857A JP6077552A JP7755294A JPH07287857A JP H07287857 A JPH07287857 A JP H07287857A JP 6077552 A JP6077552 A JP 6077552A JP 7755294 A JP7755294 A JP 7755294A JP H07287857 A JPH07287857 A JP H07287857A
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JP
Japan
Prior art keywords
laser
preamplifier
detecting means
optical head
output
Prior art date
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Application number
JP6077552A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideya Seki
秀也 關
Mineo Nishimaki
峰雄 西牧
Takashi Takeda
高司 武田
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP6077552A priority Critical patent/JPH07287857A/en
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Abstract

PURPOSE:To set the cut-off frequency on the upper limit of a band limiting means at lower than the oscillating frequency of a laser noise reduction means by inserting the band limiting means between a detecting means and a preamplifier. CONSTITUTION:The circuit in a detection system is composed of a signal detecting means 25 or a photodiode 38 as a laser output detecting means 26, a low-pass filter (band limiting means) 9 and a preamplifier 13. The photodiode 38 outputs a current proportional to a light quantity by the incidence of a laser beam, the current passes through the low-pass filter 9 and is subjected to current-voltage conversion in the preamplifier 13. Since respective wirings are brought near to each other and induction is coupled, thus, the higher frequencies of the laser noise reduction means 5 are leaked into the input part of the preamplifier 13 and cause the drift of the output. Consequently, by inserting the low-pass filter 9, high frequency leaked into the input part of the preamplifier 13 is removed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光学式記録再生装置の
光ヘッドの構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of an optical head of an optical recording / reproducing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】図26は、従来の一般的な光ヘッドの構
造を示す説明図である。本図において、光ヘッドはレー
ザ光を放射する半導体レーザダイオード57、前記レー
ザ光を平行光に変換するコリメートレンズ56、前記レ
ーザ光の進行方向を変換するプリズム55、前記レーザ
光の進行方向をさらに変換して記録媒体方向に導くはね
上げミラー20、前記レーザ光を収束光に変換して前記
記録媒体上に焦点を結ぶ対物レンズ15、前記記録媒体
からの反射光を受光し前記対物レンズの位置誤差信号や
記録情報信号を取り出す信号検出手段25、前記半導体
レーザダイオードの出射光の一部を受光し出力検出を行
うレーザ出力検出手段26、前記対物レンズ15の位置
を変化せしめ、前記記録媒体上の目的位置に焦点を結ぶ
様に制御するフォーカシングコイル17及びトラッキン
グコイル18及び磁石4、前記対物レンズを弾性的に支
持する支持ばね3及び支柱2より構成される。また、前
記半導体レーザダイオード57はCAN構造を有してお
り、シールドケース7に密着して取付けられている。前
記シールドケース7の内部にはレーザ雑音低減手段5が
収められている。前記レーザ雑音低減手段5は高周波発
振器であり、レーザダイオード駆動電流に高周波電流を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるものである。よって高いレベルの
高周波雑音を放射するが、本光ヘッドの構成では、前記
レーザ雑音低減手段5及び前記半導体レーザダイオード
57は前記シールドケース7及び前記半導体レーザダイ
オード57のCANにより電磁的に密封されており、ま
た光ヘッド内部の他の回路は前記レーザ雑音低減手段5
や前記高周波が流れる線から物理的に遠い位置に配置さ
れていたため、前記高周波雑音が検出系に漏洩したり、
それが原因となって他の問題を誘起するといった現象は
あまりみられなかった。
2. Description of the Related Art FIG. 26 is an explanatory view showing the structure of a conventional general optical head. In the figure, the optical head further includes a semiconductor laser diode 57 that emits laser light, a collimator lens 56 that converts the laser light into parallel light, a prism 55 that converts the traveling direction of the laser light, and a traveling direction of the laser light. A flip-up mirror 20 that converts and guides the laser light to a recording medium, an objective lens 15 that converts the laser light into a convergent light and focuses the light on the recording medium, and a reflected light from the recording medium is received to receive a positional error of the objective lens. A signal detecting means 25 for extracting a signal or a recording information signal, a laser output detecting means 26 for detecting an output by receiving a part of the emitted light of the semiconductor laser diode, and a position of the objective lens 15 are changed, and on the recording medium. Focusing coil 17, tracking coil 18 and magnet 4 for controlling so as to focus on a target position, the objective lens Composed of the support spring 3 and support 2 is elastically supported. Further, the semiconductor laser diode 57 has a CAN structure and is attached in close contact with the shield case 7. A laser noise reduction means 5 is housed inside the shield case 7. The laser noise reduction means 5 is a high-frequency oscillator, which reduces the laser noise by superimposing a high-frequency current on the laser diode drive current to reduce the coherence of the laser light. Therefore, a high level of high frequency noise is radiated, but in the configuration of the present optical head, the laser noise reduction means 5 and the semiconductor laser diode 57 are electromagnetically sealed by the CAN of the shield case 7 and the semiconductor laser diode 57. And other circuits inside the optical head are the laser noise reducing means 5
And because it was placed at a position physically far from the line through which the high frequency flows, the high frequency noise leaks to the detection system,
Phenomena that caused other problems due to it were not so common.

【0003】ところで、近年図27に示す様な、レーザ
光の発光素子と受光素子を一体化し、簡略化及び小型化
を実現した光ヘッドが提案されている。また、図28及
び図29は、図27に示す光ヘッドの構成要素の1つで
あるレンズホルダ1及び光半導体素子22の構成を示す
説明図である。さらに、図30は図27の光ヘッドの内
部回路を模式的に表す説明図である。以下、図に従って
本光ヘッドの構成を説明する。
In recent years, there has been proposed an optical head as shown in FIG. 27 in which a light emitting element and a light receiving element for laser light are integrated to realize simplification and miniaturization. 28 and 29 are explanatory diagrams showing the configurations of the lens holder 1 and the optical semiconductor element 22 which are one of the components of the optical head shown in FIG. Further, FIG. 30 is an explanatory diagram schematically showing the internal circuit of the optical head of FIG. The configuration of the present optical head will be described below with reference to the drawings.

【0004】まず、図27において、光ヘッドは、前記
レンズホルダ1、前記レンズホルダ1を弾性的に支持
し、自由に位置を変化せしめる支持ばね3、前記支持ば
ね3の固定端であって前記レンズホルダ1を間接的に支
持する支柱2、前記レンズホルダ1の周辺に磁界を発生
し、焦点位置制御を行う磁石4、高周波発振器であっ
て、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レー
ザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低
減させるレーザ雑音低減手段5、前記レーザ雑音低減手
段5から発生する高周波を光ヘッド外部に漏洩させるこ
となく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部の回路を接続
する貫通コンデンサ6、前置増幅器13、前記前置増幅
器13を搭載した基板8、前記前置増幅器と前記レンズ
ホルダ1内部を接続する線10、前記レーザ雑音低減手
段5と前記レンズホルダ1内部を接続する線11、前記
レーザ雑音低減手段5と前記貫通コンデンサ6を接続す
る線12、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込み、電気
的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断する
シールドケース7、前記シールドケース7にあけられた
開口部であって前記シールドケース7からレーザ光を取
り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レンズホル
ダ1に導く出射窓16、前記レンズホルダ1内部で発せ
られるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶための対
物レンズ15、前記前置増幅器の出力を光ヘッド外部に
取り出すための出力線14、前記出力線を前記シールド
ケース7から引き出すためのスリット19より構成され
る。また、図には示されていないが、前記レンズホルダ
1の側面にはフォーカシングコイル及びトラッキングコ
イルが取付けられている。前記磁石4及び前記フォーカ
シングコイル及びトラッキングコイル及び前記支持ばね
3の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置に前記レ
ーザ光の焦点が結ばれる様に前記レンズホルダ1の位置
が制御される。
First, in FIG. 27, the optical head comprises the lens holder 1, a support spring 3 that elastically supports the lens holder 1 and freely changes the position thereof, and a fixed end of the support spring 3, A column 2 that indirectly supports the lens holder 1, a magnet 4 that generates a magnetic field around the lens holder 1 to control the focus position, and a high frequency oscillator that superimposes a high frequency wave on a laser diode drive current to generate a laser beam. Laser noise reduction means 5 for reducing laser noise by reducing the coherence of the optical head, a circuit inside the optical head and a circuit outside the optical head without leaking the high frequency generated from the laser noise reduction means 5 to the outside of the optical head. To connect the feedthrough capacitor 6, the preamplifier 13, the substrate 8 on which the preamplifier 13 is mounted, the preamplifier and the inside of the lens holder 1. A line 10, a line 11 connecting the laser noise reducing means 5 and the inside of the lens holder 1, a line 12 connecting the laser noise reducing means 5 and the feedthrough capacitor 6, and the entire optical head is wrapped with a magnetic conductive material to electrically In addition, a shield case 7 for magnetically isolating the outside of the optical head from the inside of the optical head, and an opening formed in the shield case 7 for extracting laser light from the shield case 7 and at the same time reflecting light from a recording medium An exit window 16 leading to the lens holder 1, an objective lens 15 for focusing the laser light emitted inside the lens holder 1 on the recording medium, and an output line for taking out the output of the preamplifier to the outside of the optical head. 14, a slit 19 for drawing out the output line from the shield case 7. Although not shown in the figure, a focusing coil and a tracking coil are attached to the side surface of the lens holder 1. The functions of the magnet 4, the focusing coil, the tracking coil, and the support spring 3 control the position of the lens holder 1 so that the laser beam is focused on a target position on the recording medium.

【0005】図28は、図27における前記レンズホル
ダ1の構造を示す説明図である。また、図29は、図2
7における前記光半導体素子の構成を示す説明図であ
る。前記レンズホルダ1内部には、レーザチップ、光記
録媒体からの反射光を検出する信号検出手段、前記レー
ザチップからのレーザ光の出射光量を監視するレーザ出
力検出手段等を複合した光半導体素子が含まれている。
FIG. 28 is an explanatory view showing the structure of the lens holder 1 shown in FIG. Also, FIG. 29 corresponds to FIG.
7 is an explanatory diagram showing a configuration of the optical semiconductor element in FIG. Inside the lens holder 1, there is provided an optical semiconductor device including a laser chip, a signal detecting means for detecting the reflected light from the optical recording medium, a laser output detecting means for monitoring the emitted light amount of the laser light from the laser chip, and the like. include.

【0006】図27及び図28及び図29において、前
記光半導体素子から発せられたレーザ光は、前述の様に
前記シールドケース7の前記出射窓を通って光ヘッド外
部の記録媒体上に焦点を結び、その反射光は再び前記出
射窓を通って前記レンズホルダ1内部の前記信号検出手
段に入射する。前記信号検出手段の出力は、前記前置増
幅器とレンズホルダ1内部を接続する線10により、前
記前置増幅器13に接続される。前記前置増幅器13
は、前記信号検出手段からの電流出力を電圧に変換する
と共に、必要があればさらに複数の前記信号検出手段の
出力を演算して光ヘッド外部に送り出す。
27, 28 and 29, the laser light emitted from the optical semiconductor element passes through the emission window of the shield case 7 and is focused on the recording medium outside the optical head as described above. As a result, the reflected light again passes through the emission window and is incident on the signal detection means inside the lens holder 1. The output of the signal detecting means is connected to the preamplifier 13 by a line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1. The preamplifier 13
Converts the current output from the signal detecting means into a voltage and, if necessary, further calculates outputs of the plurality of signal detecting means and sends the outputs to the outside of the optical head.

【0007】図30は従来の光ヘッドの回路を示す説明
図である。図27の光ヘッドでは、図に示した様に、前
記信号検出手段25及び前記レーザ出力検出手段26の
出力は、前記前置増幅器13に接続される。ここで、前
置増幅器13と前記信号検出手段25、あるいは前記前
置増幅器13とレーザ出力検出手段26は帯域を制限さ
れる事なく、直接接続されていた。このため、前記信号
検出手段25または前記レーザ出力検出手段26の出力
や、その他の前記光半導体素子と前記前置増幅器13を
接続するライン上の電流に万一高周波雑音が混入した場
合、それらはそのまま前記前置増幅器13に入力されて
しまうという構成を有していた。
FIG. 30 is an explanatory diagram showing a circuit of a conventional optical head. In the optical head of FIG. 27, the outputs of the signal detecting means 25 and the laser output detecting means 26 are connected to the preamplifier 13 as shown in the figure. Here, the preamplifier 13 and the signal detecting means 25, or the preamplifier 13 and the laser output detecting means 26 are directly connected without being limited in band. Therefore, if high frequency noise is mixed in the output of the signal detecting means 25 or the laser output detecting means 26 or other currents on the line connecting the optical semiconductor element and the preamplifier 13, they are generated. The preamplifier 13 is directly input to the preamplifier 13 as it is.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図27の前
記光ヘッド内部において、前記レーザチップにレーザダ
イオード駆動電流を供給する線、前記信号検出手段から
の出力を取り出す線、前記レーザ出力検出手段からの出
力を取り出す線等は互いに近接している。特に、図29
示すような、レーザチップと信号検出手段またはレーザ
出力検出手段を同一基板上に一体化して構成した様な光
半導体素子では、前記レーザチップ及び前記信号検出手
段及び前記レーザ出力検出手段は近接していると同時
に、ウエハ上で絶縁膜を介して各検出手段のコモンに接
している。また、同じくウエハ上での配線の都合から、
レーザダイオード駆動電流を供給する線、前記信号検出
手段からの出力を取り出す線、前記レーザ出力検出手段
からの出力を取り出す線等が絶縁膜を介して互いに交差
する部分が生ずる。このため、前記レーザチップ及び前
記信号検出手段は容量性あるいは誘導性で結合してしま
うことは免れない。一方で、前記レーザ雑音低減手段
は、高周波発振器であり、レーザダイオード駆動電流に
高周波電流を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させる
ことによりレーザ雑音を低減させる働きを有する。その
ため、前記レーザチップ23及び前記レーザチップにレ
ーザダイオード駆動電流を供給する線には、大きなレベ
ルの高周波電流が流れている。
By the way, inside the optical head shown in FIG. 27, a line for supplying a laser diode drive current to the laser chip, a line for taking out an output from the signal detecting means, and a line for outputting the laser output from the laser output detecting means. The lines from which the output of is extracted are close to each other. In particular, FIG.
In an optical semiconductor device such as shown in which the laser chip and the signal detection means or the laser output detection means are integrally formed on the same substrate, the laser chip, the signal detection means and the laser output detection means are close to each other. At the same time, it is in contact with the common of each detecting means through the insulating film on the wafer. Also, because of the wiring on the wafer,
A portion where a line for supplying a laser diode drive current, a line for taking out an output from the signal detecting means, a line for taking out an output from the laser output detecting means, etc. intersect each other through an insulating film. Therefore, it is inevitable that the laser chip and the signal detecting means are capacitively or inductively coupled. On the other hand, the laser noise reduction means is a high-frequency oscillator, and has a function of superimposing a high-frequency current on the laser diode drive current to reduce the coherence of laser light and thereby reduce laser noise. Therefore, a high-level high-frequency current flows through the laser chip 23 and the line that supplies the laser diode drive current to the laser chip.

【0009】その結果、前記レーザチップ23に印加さ
れる高周波が前記信号検出25手段及び前記レーザ出力
検出手段26に漏洩することになる。前記高周波電流
は、前記レーザチップにとってはレーザ雑音低減のため
に有用であるが、信号検出手段やレーザ出力検出手段に
漏洩した場合は雑音源として寄与するため、数々の問題
を引き起こす。
As a result, the high frequency applied to the laser chip 23 leaks to the signal detecting means 25 and the laser output detecting means 26. The high-frequency current is useful for the laser chip to reduce laser noise, but when leaking to the signal detecting means or the laser output detecting means, it contributes as a noise source and causes various problems.

【0010】まず、問題の1つは、レーザ雑音低減手段
を駆動した際に、前記信号検出手段25の前記前置増幅
器13後の出力がドリフトし、光ヘッドの正常な位置制
御ができなくなってしまうことである。
First, one of the problems is that when the laser noise reduction means is driven, the output of the signal detection means 25 after the preamplifier 13 drifts, and normal position control of the optical head cannot be performed. It is to end up.

【0011】図31及び図32は、前記ドリフトが生ず
る様子を説明するための説明図である。前記信号検出手
段の出力をVi、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する
高周波雑音をviとする。通常光ディスク装置では、書
き込み動作時はレーザ雑音は特に問題にならないため、
半導体レーザダイオードは直流電流で定電流駆動され
る。一方、読み出し動作時等では、信号検出に高いS/
N比が求められるため、光ヘッドに搭載されている前記
レーザ雑音低減手段5をONし、前置増幅器13レーザ
ダイオード駆動電流に高周波を重畳する。もし前記高周
波が前記信号検出手段の出力に漏洩したとすると、前記
前置増幅器には、前記Viにviが重畳された電流が入
力される。前記信号検出手段の出力に含まれる雑音成分
が前記信号検出手段の出力に対して充分小さければ、前
記Vi+viは前記前置増幅器の許容入力を越えること
はないので、前記前置増幅器は線形要素となり、波形が
歪むことなく出力される。さらに、一般に光ディスク装
置の信号処理回路においては、情報の読み出しに必要な
帯域のみを通過させる低域通過回路が挿入されている。
前記低域通過回路の帯域幅は前記レーザ雑音低減手段の
発振周波数に対して充分低い。また、そもそも前記前置
増幅器の出力帯域幅は前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数に対し充分に低いため、前記レーザ雑音低減手段の
出力信号に対しては低域通過回路と同様の働きをする。
よって、本来前記レーザ雑音低減手段から発せられる高
周波が漏洩し、前記前置増幅器に入力されることがあっ
ても、前記低域通過回路または前記前置増幅器の帯域限
界により前記高周波は除去され、正常な値の前記信号検
出手段出力を得る事ができる(図28)。この際、当然
ながら前記レーザ雑音低減手段のON/OFFで前記前
置増幅器の出力信号がドリフトすることはない。
31 and 32 are explanatory views for explaining how the drift occurs. The output of the signal detecting means is Vi, and the high frequency noise leaking from the laser noise reducing means is vi. Normally, in an optical disk device, laser noise is not a problem during writing operation,
The semiconductor laser diode is driven by a constant current with a direct current. On the other hand, at the time of read operation, S /
Since the N ratio is required, the laser noise reducing means 5 mounted on the optical head is turned on to superimpose a high frequency on the preamplifier 13 laser diode drive current. If the high frequency leaks to the output of the signal detecting means, the preamplifier receives a current in which vi is superimposed on vi. If the noise component contained in the output of the signal detecting means is sufficiently smaller than the output of the signal detecting means, the Vi + vi does not exceed the allowable input of the preamplifier, and thus the preamplifier becomes a linear element. , The waveform is output without distortion. Further, generally, in a signal processing circuit of an optical disk device, a low-pass circuit that allows only a band necessary for reading information is inserted.
The bandwidth of the low pass circuit is sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. In addition, since the output bandwidth of the preamplifier is sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means, the output signal of the laser noise reduction means functions similarly to the low-pass circuit.
Therefore, even if the high frequency originally emitted from the laser noise reduction means leaks and is input to the preamplifier, the high frequency is removed by the bandpass of the low-pass circuit or the preamplifier, It is possible to obtain a normal value of the signal detecting means output (FIG. 28). At this time, as a matter of course, the output signal of the preamplifier does not drift when the laser noise reduction means is turned on / off.

【0012】しかし、前記高周波信号が前記前置増幅器
の許容入力レベルを越える大きさであったり、前記高周
波信号が前記前置増幅器に漏洩する過程に非線形または
方向性をもった要素が存在すると、高周波信号の波形に
歪みを生じ、直流電位Viに対し非対称性を生ずる。一
般に交流信号が前記低域通過回路を通過すると、その積
分値に相当する直流成分が発生する。交流成分viが直
流電位Viに対して正負対称の波形であれば、前記低域
通過回路を通過しても積分値は正側と負側で相殺される
ため直流成分は発生しないが、正負非対称であれば、相
殺されなかった積分値に相当する直流成分が発生し、前
記Viに重畳されることになる(図29)。これは前記
前置増幅器の出力信号のドリフトとなって現れる。これ
により、従来の光ヘッドでは、レーザ雑音低減手段のO
N/OFFにより光ヘッドの位置誤差信号がドリフトす
るため、光ヘッドの正しい位置制御が困難になるという
問題点を有していた。
However, if the high frequency signal has a magnitude exceeding the allowable input level of the preamplifier, or if there is a non-linear or directional element in the process of the high frequency signal leaking to the preamplifier, The waveform of the high frequency signal is distorted, and asymmetry occurs with respect to the DC potential Vi. Generally, when an AC signal passes through the low-pass circuit, a DC component corresponding to its integrated value is generated. If the AC component vi has a positive / negative symmetrical waveform with respect to the DC potential Vi, the integrated value is canceled by the positive side and the negative side even when passing through the low-pass circuit, so that the DC component does not occur, but the positive / negative asymmetry. If so, a DC component corresponding to the integral value that has not been canceled is generated and superimposed on Vi (FIG. 29). This appears as a drift in the output signal of the preamplifier. As a result, in the conventional optical head, the O of the laser noise reducing means is reduced.
Since the position error signal of the optical head drifts due to N / OFF, there is a problem in that it is difficult to control the correct position of the optical head.

【0013】次に、もう1つの問題は、やはりレーザ雑
音低減手段を駆動した際に、レーザ出力検出手段の前置
増幅器後の出力がドリフトすることである。これは、前
記の位置誤差信号のドリフトと同様の現象によるもので
ある。これにより、従来の光ヘッドでは、レーザ雑音低
減手段のON/OFFによりレーザ出力検出に誤差が生
じ、正確なレーザ出力制御が不可能になるという問題点
を有していた。
Next, another problem is that the output of the laser output detecting means after the preamplifier drifts when the laser noise reducing means is driven. This is due to the same phenomenon as the drift of the position error signal. As a result, the conventional optical head has a problem that an error occurs in the laser output detection due to the ON / OFF of the laser noise reduction means, making it impossible to perform accurate laser output control.

【0014】さらに、もう1つの問題は、やはりレーザ
雑音低減手段を駆動した際に、漏洩した高周波のために
前記前置増幅器の動作が不安定になり、場合によっては
前記前置増幅器の発振を誘起してしまうことである。前
記前置増幅器が発振して不要な周波数の信号が出力に乗
った場合、光ヘッドの位置制御が不安定になるばかり
か、光学式情報記録再生装置においては再生信号の品質
が低下し、情報の読みだしが不可能になったり、誤りを
生じたりするという問題点を有していた。
Furthermore, another problem is that when the laser noise reducing means is driven, the operation of the preamplifier becomes unstable due to the leaked high frequency, and in some cases, the oscillation of the preamplifier may be suppressed. It is to induce. When the preamplifier oscillates and a signal having an unnecessary frequency is output, the position control of the optical head becomes unstable, and the quality of the reproduction signal in the optical information recording / reproducing apparatus deteriorates, and There was a problem that it became impossible to read out or made an error.

【0015】尚、前記の3つの問題にかかる現象は、図
29で示した様な、前記レーザチップ23と、前記信号
検出手段25と、前記レーザ出力検出手段26を一体化
した前記光半導体素子を用いた光ヘッドにおいて特に顕
著にみられるものである。なぜなら、高度に光ヘッドを
小型化することによって前記信号検出手段25や前記レ
ーザ出力検出手段26が前記レーザチップ23及びその
周辺のラインに接近し、そこから高周波が漏洩しやすく
なるからである。しかし同時に、前記光半導体素子を用
いた光ヘッドの最大の利点は、小型で構造が簡略である
点である。よって、本問題点の解決なしには、こうした
小型光ヘッドの実現が不可能になる恐れがある。また、
前記ドリフトの量は、高周波発振器である前記レーザ雑
音低減手段の出力の大小に依存するが、レーザ雑音低減
効果を充分に得るために比較的大きな出力の前記レーザ
雑音低減手段を用いた光ヘッドの場合、前記ドリフト量
は非常に大きなものとなる。よって、本問題点は必ず克
服されなければならない重要な課題である。
The phenomena related to the above-mentioned three problems are the optical semiconductor elements in which the laser chip 23, the signal detecting means 25, and the laser output detecting means 26 are integrated as shown in FIG. This is particularly noticeable in the optical head using the. The reason for this is that by highly miniaturizing the optical head, the signal detecting means 25 and the laser output detecting means 26 come close to the laser chip 23 and the lines around the laser chip 23, and high frequencies easily leak from there. However, at the same time, the greatest advantage of the optical head using the optical semiconductor element is that it is small and has a simple structure. Therefore, it may be impossible to realize such a small-sized optical head without solving this problem. Also,
The amount of the drift depends on the magnitude of the output of the laser noise reducing means which is a high frequency oscillator, but in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the amount of drift of an optical head using the laser noise reducing means is relatively large. In that case, the drift amount becomes very large. Therefore, this problem is an important issue that must be overcome.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明の光ヘッドは、 (1)レーザチップと、光記録媒体からの反射光を検出
する信号検出手段またはレーザチップから出射するレー
ザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段またはその両
方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方の出力を増幅する前置増幅器と、レーザ
ダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可干
渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減させるレ
ーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにおいて、少な
くとも1つの前記検出手段と前置増幅器の間に帯域制限
手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通過
帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数より充分低く設定されていることを特
徴とする。
The optical head according to the present invention comprises: (1) a laser chip, a signal detecting means for detecting the reflected light from the optical recording medium, or a laser for monitoring the light quantity of the laser light emitted from the laser chip. Output detection means or both, a preamplifier for amplifying the output of the signal detection means or the laser output detection means, or both, superimposing a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of laser light. In the light source unit including the laser noise reducing means for reducing the laser noise, the band limiting means is inserted between at least one of the detecting means and the preamplifier, and the upper limit of the pass band of the band limiting means is set. The cutoff frequency is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.

【0017】(2)第1項記載の光ヘッドにおいて、前
記信号検出手段と前記前置増幅器との間に帯域制限手段
が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通過帯域
の上限のカットオフ周波数は、信号帯域より充分高く、
かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする。
(2) In the optical head according to the first aspect, a band limiting means is inserted between the signal detecting means and the preamplifier, and the upper limit cutoff of the pass band of the band limiting means. Frequency is well above the signal band,
Further, it is characterized in that it is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.

【0018】(3)第2項記載の光ヘッドにおいて、前
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
(3) In the optical head according to the second aspect, the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. Characterize.

【0019】(4)第1項記載の光ヘッドにおいて、前
記レーザ出力検出手段と前記前置増幅器との間に帯域制
限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通
過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ出力を
制御する帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手
段の発振周波数より充分低く設定されていることを特徴
とする。
(4) In the optical head described in the item (1), band limiting means is inserted between the laser output detecting means and the preamplifier, and the upper limit of the pass band of the band limiting means is cut. The off frequency is set to be sufficiently higher than the band for controlling the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.

【0020】(5)第4項記載の光ヘッドにおいて、前
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
(5) In the optical head according to the fourth aspect, the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. Characterize.

【0021】(6)第1項記載の光ヘッドにおいて、前
記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段またはそ
の両方に供給されるバイアス電源と前記前置増幅器との
間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制
限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いることを特徴とする。
(6) In the optical head according to the first aspect, a band limiting means is inserted between the preamplifier and a bias power supply supplied to the signal detecting means or the laser output detecting means or both of them. Further, the upper limit cutoff frequency of the pass band of the band limiting means is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means.

【0022】(7)第6項記載の光ヘッドにおいて、前
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
(7) In the optical head according to the sixth aspect, the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. Characterize.

【0023】(8)第1項記載の光ヘッドにおいて、前
記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段またはそ
の両方の接地端子と前記前置増幅器の接地端子との間に
帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手
段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ
雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されている
ことを特徴とする。
(8) In the optical head according to the first aspect, band limiting means is inserted between the ground terminals of the signal detecting means and / or the laser output detecting means or both of them and the ground terminal of the preamplifier. In addition, the upper limit cutoff frequency of the pass band of the band limiting means is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means.

【0024】(9)第8項記載の光ヘッドにおいて、前
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
(9) In the optical head as described in Item 8, the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. Characterize.

【0025】(10)第1項記載の光ヘッドにおいて、
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信号検出
手段または前記レーザ出力検出手段との間に挿入された
コイル部品であることを特徴とする。
(10) In the optical head described in item 1,
The band limiting means is a coil component inserted between the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means.

【0026】(11)第1項記載の光ヘッドにおいて、
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信号検出
手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号線を
覆う様に設置された磁性体ブロックであることを特徴と
する請求項1記載の光ヘッド。
(11) In the optical head described in item 1,
2. The light according to claim 1, wherein the band limiting unit is a magnetic block installed so as to cover a signal line connecting the preamplifier and the signal detecting unit or the laser output detecting unit. head.

【0027】(12)第1項記載の光ヘッドにおいて、
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号検出手
段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号線に塗
布された磁性体であることを特徴とする。
(12) In the optical head described in item 1,
The band limiting means is a magnetic material applied to a signal line connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means.

【0028】(13)第1項記載の光ヘッドにおいて、
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号検出手
段または前記レーザ出力検出手段を接続する基板上の配
線パターンに特定の形状を施し、周波数特性をもたせた
ものであることを特徴とする。
(13) In the optical head described in item 1,
The band limiting means is characterized in that a wiring pattern on a substrate connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means is given a specific shape to have frequency characteristics.

【0029】(14)レーザチップと、光記録媒体から
の反射光を検出する信号検出手段またはレーザチップか
ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
段またはその両方と、前記信号検出手段または前記レー
ザ出力検出手段またはその両方の出力を増幅する前置増
幅器と、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、
レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音
を低減させるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニット
において、前記レーザチップと、前記信号検出手段また
は前記レーザ出力検出手段またはその両方が同一基板上
に構成されており、かつ少なくとも1つの前記各検出手
段と前置増幅器の間に帯域制限手段が挿入されており、
さらに前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ
周波数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定されていて、前記レーザ雑音低減手段から漏
洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小
さいレベルまで低減する特性を有することを特徴とす
る。
(14) A laser chip, signal detection means for detecting reflected light from an optical recording medium, laser output detection means for monitoring the light quantity of laser light emitted from the laser chip, or both, and the signal detection means or A preamplifier that amplifies the output of the laser output detection means or both, and superimposes a high frequency on the laser diode drive current,
In a light source unit including a laser noise reducing unit that reduces laser noise by reducing coherence of laser light, the laser chip and the signal detecting unit, the laser output detecting unit, or both are configured on the same substrate. And a band limiting means is inserted between at least one of each said detecting means and the preamplifier,
Further, the cutoff frequency at the upper limit of the pass band of the band limiting means is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means, and the high frequency leaked from the laser noise reducing means is set at the allowable input level of the preamplifier. It is characterized by having the property of reducing to a smaller level.

【0030】(15)レーザチップと、光記録媒体から
の反射光を検出する信号検出手段と、レーザチップから
出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段
と、前記信号検出手段及び前記レーザ出力検出手段の出
力を増幅する前置増幅器と、レーザダイオード駆動電流
に高周波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させるこ
とによりレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段か
ら成る光源ユニットにおいて、前記レーザチップと、前
記信号検出手段と、前記レーザ出力検出手段が同一シリ
コンウエハ上に構成された光半導体素子を具備し、かつ
前記各検出手段と前置増幅器の間に各1個のコイル部品
が挿入されており、さらに前記コイル部品は、前記レー
ザ雑音低減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の
許容入力レベルより小さいレベルまで低減する特性を有
することを特徴とする。
(15) Laser chip, signal detecting means for detecting reflected light from the optical recording medium, laser output detecting means for monitoring the amount of laser light emitted from the laser chip, the signal detecting means and the laser. A light source unit comprising a preamplifier for amplifying the output of the output detection means, and a laser noise reduction means for reducing laser noise by superimposing a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of the laser light. A laser chip, the signal detecting means, and an optical semiconductor element in which the laser output detecting means is formed on the same silicon wafer are provided, and one coil component is provided between each detecting means and the preamplifier. Further, the coil component is arranged so that the high frequency leaked from the laser noise reducing means is higher than the allowable input level of the preamplifier. And having the property of reduced to small level.

【0031】また、本発明の光半導体素子は、 (16)レーザチップと、光記録媒体からの反射光を検
出する信号検出手段またはレーザチップから出射するレ
ーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段またはその
両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手
段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器と、レー
ザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可
干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減させる
レーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにおいて、前
記レーザチップと、前記信号検出手段または前記レーザ
出力検出手段またはその両方が同一基板上に構成されて
おり、かつ少なくとも1つの前記各検出手段と出力端子
の間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域
制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記
レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定され
ていることを特徴とする。
The optical semiconductor element of the present invention is (16) a laser chip and a signal detecting means for detecting the reflected light from the optical recording medium or a laser output detecting means for monitoring the light quantity of the laser light emitted from the laser chip. Or both, a preamplifier for amplifying the output of the signal detection means or the laser output detection means or both, and a laser by driving a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of the laser light. In a light source unit including laser noise reduction means for reducing noise, the laser chip and the signal detection means or the laser output detection means or both are formed on the same substrate, and at least one of the detection means is provided. Band limiting means is inserted between the output terminal and the output terminal, and the upper limit of the pass band of the band limiting means. The cut-off frequency is set to be sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.

【0032】(17)第16項記載の光半導体素子にお
いて、前記信号検出手段と前記前置増幅器との間に帯域
制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の
通過帯域の上限のカットオフ周波数は、信号帯域より充
分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より
充分低く設定されていることを特徴とする。
(17) In the optical semiconductor device as described in Item 16, band limiting means is inserted between the signal detecting means and the preamplifier, and the upper limit of the pass band of the band limiting means is cut. The off frequency is set to be sufficiently higher than the signal band and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.

【0033】(18)第17項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
(18) In the optical semiconductor device as described in Item 17, the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. Is characterized by.

【0034】(19)第16項記載の光半導体素子にお
いて、前記レーザ出力検出手段と前記前置増幅器との間
に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限
手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レー
ザ出力を制御する帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑
音低減手段の発振周波数より充分低く設定されているこ
とを特徴とする。
(19) In the optical semiconductor device as described in Item 16, band limiting means is inserted between the laser output detecting means and the preamplifier, and the upper limit of the pass band of the band limiting means is set. The cutoff frequency is set to be sufficiently higher than the band for controlling the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.

【0035】(20)第19項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
(20) In the optical semiconductor device as described in Item 19, the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level lower than the allowable input level of the preamplifier. Is characterized by.

【0036】(21)第16項記載の光半導体素子にお
いて、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方に供給されるバイアス電源と前記前置増
幅器との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前
記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする。
(21) In the optical semiconductor element as described in Item 16, band limiting means is inserted between the bias power supply supplied to the signal detecting means and / or the laser output detecting means or both of them and the preamplifier. Further, the upper limit cutoff frequency of the pass band of the band limiting means is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means.

【0037】(22)第21項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
(22) In the optical semiconductor element described in the twenty-first item, the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. Is characterized by.

【0038】(23)第16項記載の光半導体素子にお
いて、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方の接地端子と前記前置増幅器の接地端子
との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯
域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前
記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定さ
れていることを特徴とする。
(23) In the optical semiconductor device as described in Item 16, band limiting means is inserted between the ground terminal of the signal detecting means or the laser output detecting means or both of them and the ground terminal of the preamplifier. Further, the upper limit cutoff frequency of the pass band of the band limiting means is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means.

【0039】(24)第23項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
(24) In the optical semiconductor device as described in Item 23, the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. Is characterized by.

【0040】(25)第16項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信
号検出手段または前記レーザ出力検出手段との間に挿入
されたコイル部品であることを特徴とする。
(25) In the optical semiconductor element as described in Item 16, the band limiting means is a coil component inserted between the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. Is characterized by.

【0041】(26)第16項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信
号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信
号線を覆う様に設置された磁性体ブロックであることを
特徴とする。
(26) In the optical semiconductor device as described in Item 16, the band limiting means is installed so as to cover the signal line connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. It is a magnetic block.

【0042】(27)第16項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号
検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号
線に塗布された磁性体であることを特徴とする。
(27) In the optical semiconductor device as described in Item 16, the band limiting means is a magnetic material applied to a signal line connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. It is characterized by

【0043】(28)第16項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号
検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する基板
上の配線パターンに特定の形状を施し、周波数特性をも
たせたものであることを特徴とする。
(28) In the optical semiconductor device as described in Item 16, the band limiting means has a specific shape in a wiring pattern on a substrate connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. It is characterized by being applied and having frequency characteristics.

【0044】また、本発明の光学式情報記録再生装置
は、 (29)第1項記載の光ヘッドを光源に用いたことを特
徴とする。
The optical information recording / reproducing apparatus of the present invention is characterized in that the optical head described in (29) item 1 is used as a light source.

【0045】(30)第15項記載の光ヘッドを光源に
用いたことを特徴とする。
(30) The optical head described in the item 15 is used as a light source.

【0046】(31)第16項記載の光半導体素子を光
源に用いたことを特徴とする。
(31) An optical semiconductor element as described in item 16 is used as a light source.

【0047】[0047]

【実施例】【Example】

(実施例1)以下に、本発明の実施例を図面に基づいて
説明する。尚、図面上で内容の同じものについは同じ番
号で示してある。以下、図に従って本発明の光ヘッドの
作用を説明する。
(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same numbers are used for the same contents. The operation of the optical head of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0048】図1は、本発明の一実施例に於ける光ヘッ
ドの構造を示す説明図である。光ヘッドは、レンズホル
ダ1、前記レンズホルダ1を弾性的に支持し、自由に位
置を変化せしめる支持ばね3、前記支持ばね3の固定端
であって前記レンズホルダ1を間接的に支持する支柱
2、前記レンズホルダ1の周辺に磁界を発生し、焦点位
置制御を行う磁石4、高周波発振器であって、レーザダ
イオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可干渉
性を低下させることによりレーザ雑音を低減させるレー
ザ雑音低減手段5、前記レーザ雑音低減手段5から発生
する高周波を光ヘッド外部に漏洩させることなく光ヘッ
ド内部の回路と光ヘッド外部の回路を接続する貫通コン
デンサ6、前置増幅器13、ローパスフィルタ9、前記
前置増幅器13及び前記ローパスフィルタ9を搭載した
基板8、前記前置増幅器と前記レンズホルダ1内部を接
続する線10、前記レーザ雑音低減手段5と前記レンズ
ホルダ1内部を接続する線11、前記レーザ雑音低減手
段5と前記貫通コンデンサ6を接続する線12、光ヘッ
ド全体を磁性導電材で包み込み、電気的且つ磁気的に光
ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断するシールドケース
7、前記シールドケース7にあけられた開口部であって
前記シールドケース7からレーザ光を取り出すと同時に
記録媒体からの反射光を前記レンズホルダ1に導く出射
窓16、前記レンズホルダ1内部で発せられるレーザ光
の焦点を前記記録媒体上に結ぶための対物レンズ15、
前記前置増幅器の出力を光ヘッド外部に取り出すための
出力線14、前記出力線を前記シールドケース7から引
き出すためのスリット19より構成される。また、図に
は示されていないが、前記レンズホルダ1の側面にはフ
ォーカシングコイル及びトラッキングコイルが取付けら
れている。前記磁石4及び前記フォーカシングコイル及
びトラッキングコイル及び前記支持ばね3の働きによ
り、前記記録媒体上の目的の位置に前記レーザ光の焦点
が結ばれる様に前記レンズホルダ1の位置が制御され
る。
FIG. 1 is an explanatory view showing the structure of an optical head in one embodiment of the present invention. The optical head includes a lens holder 1, a support spring 3 that elastically supports the lens holder 1 and can freely change its position, and a fixed end of the support spring 3 that supports the lens holder 1 indirectly. 2. A magnet 4 for controlling a focus position by generating a magnetic field around the lens holder 1, a high-frequency oscillator, which is a laser diode driving current superposed with a high frequency to reduce the coherence of laser light. A laser noise reducing means 5 for reducing noise, a feedthrough capacitor 6 for connecting a circuit inside the optical head and a circuit outside the optical head without leaking a high frequency generated from the laser noise reducing means 5 to the outside of the optical head, a preamplifier. 13, low-pass filter 9, substrate 8 on which the preamplifier 13 and the low-pass filter 9 are mounted, the preamplifier and the inside of the lens holder 1. A connecting line 10, a line 11 connecting the laser noise reducing means 5 and the inside of the lens holder 1, a line 12 connecting the laser noise reducing means 5 and the feedthrough capacitor 6, and the entire optical head is wrapped with a magnetic conductive material, A shield case 7 that electrically and magnetically isolates the outside of the optical head from the inside of the optical head, and an opening formed in the shield case 7 for extracting laser light from the shield case 7 and at the same time reflecting light from a recording medium. An exit window 16 for guiding the laser beam to the lens holder 1, an objective lens 15 for focusing a laser beam emitted inside the lens holder 1 on the recording medium,
It is composed of an output line 14 for taking out the output of the preamplifier to the outside of the optical head and a slit 19 for taking out the output line from the shield case 7. Although not shown in the figure, a focusing coil and a tracking coil are attached to the side surface of the lens holder 1. The functions of the magnet 4, the focusing coil, the tracking coil, and the support spring 3 control the position of the lens holder 1 so that the laser beam is focused on a target position on the recording medium.

【0049】後で図2に示す様に、前記レンズホルダ1
内部には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検
出する信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光
の出射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した
光半導体素子が含まれている。前記光半導体素子から発
せられたレーザ光は、前述の様に前記シールドケース7
の前記出射窓を通って光ヘッド外部の記録媒体上に焦点
を結び、その反射光は再び前記出射窓を通って前記レン
ズホルダ1内部の前記信号検出手段に入射する。前記信
号検出手段の出力は、前記前置増幅器とレンズホルダ1
内部を接続する線10により、前記前置増幅器13に接
続される。前記前置増幅器13は、前記信号検出手段か
らの電流出力を電圧に変換すると共に、必要があればさ
らに複数の前記信号検出手段の出力を演算して光ヘッド
外部に送り出す。
As will be shown later in FIG. 2, the lens holder 1
An optical semiconductor element including a laser chip, a signal detecting means for detecting a reflected light from the optical recording medium, a laser output detecting means for monitoring the amount of laser light emitted from the laser chip, and the like is included inside. . The laser light emitted from the optical semiconductor element is applied to the shield case 7 as described above.
The light is focused on the recording medium outside the optical head through the emission window, and the reflected light again enters the signal detection means inside the lens holder 1 through the emission window. The output of the signal detecting means is the preamplifier and the lens holder 1.
It is connected to the preamplifier 13 by a line 10 connecting the inside. The preamplifier 13 converts the current output from the signal detecting means into a voltage and, if necessary, further calculates the outputs of the plurality of signal detecting means and sends it to the outside of the optical head.

【0050】前記前置増幅器13の入力部には本発明に
かかるローパスフィルタ9が取り付けられている。図中
では、前記ローパスフィルタ9は小型のコイル部品を用
いている。ここで、前記ローパスフィルタ9のカットオ
フ周波数は、前記信号検出手段の信号帯域より充分高
く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分
低く設定されている。これにより前記ローパスフィルタ
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数において、信
号帯域に対して10dB以上の減衰率を有する。前記信
号検出手段の出力には、前記レーザ雑音低減手段5から
発生する不要な高周波成分が含まれている。しかし、本
実施例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ロ
ーパスフィルタ9の働きで除去され、前記前置増幅器に
入力されることはない。一方、前記信号検出手段の本来
の出力は、前記ローパスフィルタ9を損失なく通過し、
前記前置増幅器13に達することができるため、前記ロ
ーパスフィルタ9を搭載していなかった従来の光ヘッド
の性能を損なう事はない。この働きにより、レーザ雑音
低減手段をONした場合に前記信号検出手段の前記前置
増幅器出力がドリフトし、光ヘッドの正しい制御が阻害
されるという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。尚、前記ローパスフィルタ9の動作について
は後で詳しく説明する。
The low-pass filter 9 according to the present invention is attached to the input part of the preamplifier 13. In the figure, the low-pass filter 9 uses a small coil component. Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is set sufficiently higher than the signal band of the signal detection means and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. As a result, the low-pass filter has an attenuation rate of 10 dB or more with respect to the signal band at the oscillation frequency of the laser noise reduction means. The output of the signal detecting means includes an unnecessary high frequency component generated from the laser noise reducing means 5. However, in the present embodiment, most of the high frequency components are removed by the action of the low pass filter 9 and are not input to the preamplifier. On the other hand, the original output of the signal detecting means passes through the low pass filter 9 without loss,
Since it can reach the preamplifier 13, it does not impair the performance of the conventional optical head in which the low-pass filter 9 is not mounted. With this function, when the laser noise reduction means is turned on, the output of the preamplifier of the signal detection means drifts, and the problem in the conventional optical head that the correct control of the optical head is disturbed can be improved. it can. The operation of the low pass filter 9 will be described later in detail.

【0051】図2は、図1の実施例に於けるレンズホル
ダ1の構造を示す説明図である。また、図3は、図2に
おける前記レーザユニット12の詳細を示す説明図であ
る。以下に、図2及び図3を用いて、本実施例における
前記レンズホルダ1及び前記光半導体素子22の動作を
説明する。尚、図2は図28と同一のものであり、図3
は図29と同一のものである。
FIG. 2 is an explanatory view showing the structure of the lens holder 1 in the embodiment of FIG. Further, FIG. 3 is an explanatory diagram showing the details of the laser unit 12 in FIG. The operation of the lens holder 1 and the optical semiconductor element 22 in this embodiment will be described below with reference to FIGS. 2 and 3. 2 is the same as FIG. 28, and FIG.
Is the same as FIG. 29.

【0052】前記レンズホルダ1は、光半導体素子2
2、回折手段21、対物レンズ15、はね上げミラー2
0、フォーカシングコイル17、トラッキングコイル1
8より成る。また、前記光半導体素子22は、レーザチ
ップ23、反射面24、記録媒体からの反射光から記録
情報や位置誤差信号を再生する信号検出手段及び前記レ
ーザチップ23からの出射光量を検出するためのレーザ
出力検出手段26を一体化して同一基板上に構成したウ
エハ27、偏光板28、前記レーザチップ23及び前記
ウエハ27を外部回路と接続するためのリード端子29
より成る。前記レーザチップ23より前記ウエハ27の
面と平行な方向に出射されたレーザ光は、前記反射面2
4で90゜進行方向を変えられ、前記ウエハ27の法線
方向に放射される。その後前記レーザ光は、回折手段2
1を通過し、はね上げミラー24によりさらに前記対物
レンズ15の光軸方向に進行方向を変えられる。そし
て、前記対物レンズ15に入射し、記録媒体上に焦点を
結ぶ。
The lens holder 1 includes an optical semiconductor element 2
2, diffractive means 21, objective lens 15, flip-up mirror 2
0, focusing coil 17, tracking coil 1
It consists of eight. Further, the optical semiconductor element 22 is for detecting the amount of light emitted from the laser chip 23, the reflection surface 24, the signal detection means for reproducing the recording information and the position error signal from the reflection light from the recording medium, and the light emission amount from the laser chip 23. A wafer 27, a polarizing plate 28, the laser chip 23, and a lead terminal 29 for connecting an external circuit with the laser output detecting means 26 integrated on the same substrate.
Consists of The laser light emitted from the laser chip 23 in the direction parallel to the surface of the wafer 27 is reflected by the reflection surface 2
The direction of travel is changed by 90 ° at 4 and is emitted in the normal direction of the wafer 27. After that, the laser light is transmitted to the diffraction means 2
After passing 1, the traveling direction can be further changed to the optical axis direction of the objective lens 15 by the flip-up mirror 24. Then, the light enters the objective lens 15 and is focused on the recording medium.

【0053】一方、記録媒体からの反射光は、前記対物
レンズ15を通過後、はね上げミラー20により前記回
折手段21に導かれる。さらに、前記回折手段21の働
きで、前記反射光は前記光半導体素子22内部の前記信
号検出手段25上に非点収差をもって集光される。前記
信号検出手段では、光エネルギーが電流に変換される。
最終的に、必要に応じて前記信号検出手段の出力を電気
的に演算することによって、フォーカスエラー信号及び
トラックエラー信号及び記録情報信号を生成することが
できる。
On the other hand, the reflected light from the recording medium passes through the objective lens 15 and is guided to the diffracting means 21 by the flip-up mirror 20. Further, due to the function of the diffracting means 21, the reflected light is condensed on the signal detecting means 25 inside the optical semiconductor element 22 with astigmatism. In the signal detecting means, light energy is converted into electric current.
Finally, the focus error signal, the track error signal, and the recording information signal can be generated by electrically calculating the output of the signal detecting means as needed.

【0054】また、図には示されていないが、前記光半
導体素子22は、出射方向において透明封止部材で封止
されている。前記レーザチップ23から放射されたレー
ザ光は、前記回折手段21に達する前に前記透明封止部
材を通過しなければならない。その際、レーザ光の一部
がウエハ27上に反射され、前記レーザ出力検出手段2
6 に入射する。前記レーザ出力検出手段に入射する光
量は、前記レーザチップ23から放射される光量に比例
するため、前記レーザ出力検出手段26の出力から前記
レーザチップ23の出射光量をモニタすることができ
る。
Although not shown in the figure, the optical semiconductor element 22 is sealed with a transparent sealing member in the emitting direction. The laser light emitted from the laser chip 23 must pass through the transparent sealing member before reaching the diffracting means 21. At this time, a part of the laser light is reflected on the wafer 27, and the laser output detecting means 2
6 is incident. Since the amount of light incident on the laser output detector is proportional to the amount of light emitted from the laser chip 23, the amount of light emitted from the laser chip 23 can be monitored from the output of the laser output detector 26.

【0055】前記レンズホルダ1の側面には、フォーカ
ス方向に前記レンズホルダ1を動かすためのフォーカシ
ングコイル17及びトラック方向に前記レンズホルダ1
を動かすためのトラッキングコイル18が取り付けてあ
る。前記レンズホルダ1を磁界中に置けば、前記フォー
カシングコイル17及び前記トラッキングコイル18に
駆動電流を流すことにより、前記レンズホルダ1の位置
を変化せしめることができる。即ち、記録媒体より情報
を検出する検出スポットのフォーカス位置制御及びトラ
ック位置制御を行う事ができる。これにより、光ヘッド
は、記録媒体上に常に最適なレーザ光のスポットを形成
し、またある時は前記スポットを記録媒体上の目的位置
に移動する機能を有する。
On the side surface of the lens holder 1, a focusing coil 17 for moving the lens holder 1 in the focus direction and the lens holder 1 in the track direction are provided.
A tracking coil 18 for moving is attached. If the lens holder 1 is placed in a magnetic field, the position of the lens holder 1 can be changed by supplying a driving current to the focusing coil 17 and the tracking coil 18. That is, the focus position control and the track position control of the detection spot for detecting information from the recording medium can be performed. As a result, the optical head has a function of always forming an optimum laser beam spot on the recording medium, and moving the spot to a target position on the recording medium at some time.

【0056】図4は、本実施例にかかる光ヘッドの構成
を示すブロック図である。以下、光ヘッドの電気的な動
作について図に従って説明する。まず、貫通コンデンサ
6を通してレーザダイオード駆動電流30が供給され
る。これは直流電流であるが、さらにレーザ雑音低減手
段5の出力である高周波電流が重畳されて、レーザチッ
プ23に供給される。前記レーザチップ23の光出力
は、大部分が記録媒体上に導かれるが、一部は直接レー
ザ出力検出手段26に入射し、レーザ出力検出信号に変
換される。また、記録媒体からの反射光は、前記信号検
出手段に入射し、やはり電気信号に変換される。
FIG. 4 is a block diagram showing the structure of the optical head according to this embodiment. The electrical operation of the optical head will be described below with reference to the drawings. First, the laser diode drive current 30 is supplied through the feedthrough capacitor 6. Although this is a direct current, a high frequency current output from the laser noise reduction means 5 is further superimposed and supplied to the laser chip 23. Most of the optical output of the laser chip 23 is guided to the recording medium, but part of the optical output directly enters the laser output detection means 26 and is converted into a laser output detection signal. Further, the reflected light from the recording medium enters the signal detecting means and is also converted into an electric signal.

【0057】ところで、前記レーザチップ23には、前
記レーザ雑音低減手段5の働きにより、大きなレベルの
高周波電流が流されている。ここで、光ヘッド内部で
は、前記レーザチップにレーザダイオード駆動電流を供
給する線、前記信号検出手段からの出力を取り出す線、
前記レーザ出力検出手段からの出力を取り出す線等は互
いに近接している。さらに、図3に示すような、レーザ
チップと信号検出手段またはレーザ出力検出手段を同一
基板上に一体化して構成した様な光半導体素子では、前
記レーザチップ及び前記信号検出手段及び前記レーザ出
力検出手段は近接していると同時に、ウエハ上で絶縁膜
を介して各検出手段のコモンに接している。また、同じ
くウエハ上での配線の都合から、レーザダイオード駆動
電流を供給する線、前記信号検出手段からの出力を取り
出す線、前記レーザ出力検出手段からの出力を取り出す
線等が絶縁膜を介して互いに交差する部分が生ずる。こ
のため、前記レーザチップ及び前記信号検出手段は容量
性あるいは誘導性で結合し、前記レーザチップに印加さ
れる高周波が前記信号検出手段に漏洩することは免れな
い。
By the way, a high level high frequency current is passed through the laser chip 23 by the action of the laser noise reduction means 5. Here, inside the optical head, a line for supplying a laser diode drive current to the laser chip, a line for taking out an output from the signal detecting means,
The lines for taking out the output from the laser output detecting means are close to each other. Further, in an optical semiconductor device such as shown in FIG. 3 in which a laser chip and a signal detecting means or a laser output detecting means are integrally formed on the same substrate, the laser chip, the signal detecting means and the laser output detecting means are provided. The means are close to each other and, at the same time, are in contact with the common of each detection means via the insulating film on the wafer. Also, for convenience of wiring on the wafer, a line for supplying a laser diode drive current, a line for taking out an output from the signal detecting means, a line for taking out an output from the laser output detecting means, and the like are provided through an insulating film. Some parts intersect each other. Therefore, it is inevitable that the laser chip and the signal detecting means are capacitively or inductively coupled and the high frequency wave applied to the laser chip leaks to the signal detecting means.

【0058】前記高周波電流は、前記レーザチップにと
ってはレーザ雑音低減のために有用であるが、信号検出
手段やレーザ出力検出手段に漏洩した場合は雑音源とし
て寄与するため、数々の問題を引き起こす。即ち、レー
ザ雑音低減手段をONした場合に光ヘッドの位置誤差信
号がドリフトし、光ヘッドの正しい制御が困難になって
しまうといった現象を招いてしまう。そこで、本実施例
では、ローパスフィルタ9を用いて前記高周波成分を除
去し、前記前置増幅器には前記信号検出手段の本来の出
力のみを入力する構成としている。
The high-frequency current is useful for the laser chip to reduce laser noise, but when it leaks to the signal detecting means and the laser output detecting means, it contributes as a noise source and causes various problems. That is, when the laser noise reduction means is turned on, the position error signal of the optical head drifts, which causes a problem that correct control of the optical head becomes difficult. Therefore, in this embodiment, the high-frequency component is removed by using the low-pass filter 9, and only the original output of the signal detecting means is input to the preamplifier.

【0059】図5は本発明にかかる光ヘッドの電気的回
路を具体的に表す説明図である。また、図6は、前記ロ
ーパスフィルタ9の周波数特性及びその効果を示す説明
図である。尚、本来前記信号検出手段25及び前記ロー
パスフィルタ9及び前記前置増幅器13よりなる一連の
回路は、光ヘッドの受光方式により複数系統存在する。
しかし、ここでは簡略のため、代表して1系統のみ示し
てある。以下、図5及び図6を用いて前記ローパスフィ
ルタ9の動作について詳しく説明する。
FIG. 5 is an explanatory view specifically showing the electrical circuit of the optical head according to the present invention. FIG. 6 is an explanatory diagram showing the frequency characteristics of the low pass filter 9 and its effect. It should be noted that a series of circuits originally composed of the signal detecting means 25, the low-pass filter 9 and the preamplifier 13 exist in a plurality of systems depending on the light receiving system of the optical head.
However, for simplification, only one system is shown here as a representative. Hereinafter, the operation of the low-pass filter 9 will be described in detail with reference to FIGS.

【0060】まず、発光系の回路は、前記レーザ雑音低
減手段5及び前記レーザチップ23より構成される。前
記レーザ雑音低減手段5は、高周波発振器43及びコイ
ル41及びコンデンサ42より成る。前記高周波発振器
43から発生した高周波は、前記コンデンサ42を通過
し、前記レーザチップ23に供給される。レーザダイオ
ード駆動電流33は外部より供給されるが、前記コイル
41及び貫通コンデンサ6の働きにより、前記高周波は
光ヘッド外部には漏洩しないように回路が構成されてい
る。前記レーザチップ23には前記高周波発振器43の
出力と前記レーザダイオード駆動電流33が重畳された
電流が流れることになる。次に、検出系の回路は、前記
信号検出手段25または前記レーザ出力検出手段26で
あるフォトダイオード38、前記ローパスフィルタ9、
前記前置増幅器13より構成される。前記フォトダイオ
ード38はレーザ光の入射により光量に比例した電流を
出力する。前記電流は前記ローパスフィルタ9を通過
し、前記前置増幅器13で電流−電圧変換される。ここ
で問題となるのは、前記レーザチップ23及び前記フォ
トダイオード38が図3で示したように同一ウエハ上に
存在するため、前記レーザチップ23及びその接続線と
前記フォトダイオード38及びその接続線が構造上互い
に容量結合してしまうことである。前記容量を、図中で
は浮遊容量C1(34)、浮遊容量C2(35)として
示してある。また、光ヘッド内部において各線が接近す
るため、誘導性の結合も存在する。その結果、前記レー
ザ雑音低減手段5の高周波が前記前置増幅器13の入力
部に漏洩し、出力のドリフト等の原因となる。本実施例
では、前記ローパスフィルタ9を挿入することにより、
前記前置増幅器13の入力部に漏洩する前記高周波を除
去している。
First, the circuit of the light emission system is composed of the laser noise reduction means 5 and the laser chip 23. The laser noise reduction means 5 comprises a high frequency oscillator 43, a coil 41 and a capacitor 42. The high frequency generated by the high frequency oscillator 43 passes through the capacitor 42 and is supplied to the laser chip 23. Although the laser diode drive current 33 is supplied from the outside, the coil 41 and the feedthrough capacitor 6 serve to form a circuit so that the high frequency does not leak to the outside of the optical head. A current in which the output of the high frequency oscillator 43 and the laser diode drive current 33 are superimposed flows through the laser chip 23. Next, the circuit of the detection system includes a photodiode 38 which is the signal detection means 25 or the laser output detection means 26, the low pass filter 9,
It is composed of the preamplifier 13. The photodiode 38 outputs a current proportional to the amount of light when laser light is incident. The current passes through the low-pass filter 9 and is current-voltage converted by the preamplifier 13. The problem here is that since the laser chip 23 and the photodiode 38 are on the same wafer as shown in FIG. 3, the laser chip 23 and the connecting line thereof and the photodiode 38 and the connecting line thereof are present. Is that they are capacitively coupled to each other due to their structure. The capacitances are shown as a stray capacitance C1 (34) and a stray capacitance C2 (35) in the figure. In addition, since the lines are close to each other inside the optical head, inductive coupling also exists. As a result, the high frequency of the laser noise reduction means 5 leaks to the input part of the preamplifier 13 and causes output drift or the like. In this embodiment, by inserting the low pass filter 9,
The high frequency leaking to the input part of the preamplifier 13 is removed.

【0061】前記ローパスフィルタ9の周波数特性を図
6(a)に示す。前述の通り、前記ローパスフィルタ9
のカットオフ周波数は、前記信号検出手段の信号帯域よ
り充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数
より充分低く設定されている。これにより前記ローパス
フィルタは、前記信号検出手段の出力に含まれる不要な
高周波成分に対しては大きな損失を持ち、前記信号検出
手段25の出力に対しては、ほとんど損失を持たないと
いう特性を有する。この作用により、前記高周波成分の
ほとんどは前記ローパスフィルタ9で除去され、前記前
置増幅器に入力されることはない。一方、前記信号検出
手段の本来の出力は、前記ローパスフィルタ9を損失な
く通過し、前記前置増幅器13に達することができる。
前記ローパスフィルタ9の挿入により、従来の光ヘッド
での問題となっていた、レーザ雑音低減手段を駆動した
場合に前記信号検出手段の前記前置増幅器出力がドリフ
トし、光ヘッドの正しい制御が阻害されるという現象を
改善することができる。
The frequency characteristic of the low-pass filter 9 is shown in FIG. 6 (a). As described above, the low pass filter 9
The cutoff frequency is set to be sufficiently higher than the signal band of the signal detecting means and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means. As a result, the low-pass filter has a characteristic that it has a large loss with respect to an unnecessary high-frequency component included in the output of the signal detecting means and has almost no loss with respect to the output of the signal detecting means 25. . Due to this action, most of the high frequency components are removed by the low pass filter 9 and are not input to the preamplifier. On the other hand, the original output of the signal detecting means can pass through the low pass filter 9 without loss and reach the preamplifier 13.
By inserting the low-pass filter 9, the output of the preamplifier of the signal detecting means drifts when driving the laser noise reducing means, which has been a problem in the conventional optical head, and the correct control of the optical head is impeded. It is possible to improve the phenomenon of being performed.

【0062】この点について、図6(b)及び図6
(c)を用いて詳しく説明する。まず、図6(b)に基
づいて、前記ローパスフィルタを用いない場合について
説明する。前記信号検出手段の出力には、前述の様に高
周波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半導
体素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅10
[μA]の高周波ノイズが含まれているとする(1)。
ここで、正確には図示した高周波ノイズは、入力信号電
流により変調され複雑な波形となるが、簡単のため前記
入力信号電流はii(一定)としている。一方、近年光
ヘッドの低電力化に伴い、前記前置増幅器として単電源
低電圧駆動増幅器がしばしば用いられる。一般に前記増
幅器の許容入力電流範囲は、中点電位に対して負方向は
広いが、正方向では非常に狭い。仮に正方向の許容入力
電流を7[μA]とし、前記許容入力電流を越えると急
峻に波形が歪むとすると、前記信号検出手段の出力は、
前記前置増幅器の初段部において正方向の波形がクリッ
プされた形となる(2)。前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数は、前記前置増幅器後段部あるいはその後の検
出系回路の帯域より充分高いため、最終的には積分され
て直流成分となる。従来の技術の項でも説明した通り、
中点電位に対して正負対称であれば、積分後は正負の成
分が打ち消し合うので、結局直流成分は発生しない。し
かし、図の様な正負非対称波形の場合、正負の成分が打
ち消し合いきれず、積分後にクリップされた面積の時間
平均に相当する直流成分が発生する。その電流値は、前
記の条件では約0.46[μA]となり、前記信号検出
手段の前記前置増幅器出力がドリフトすることになる
(3)。一方で、本実施例における前記信号検出手段の
出力電流の振幅は2[μA]程度であるので、前記ドリ
フト電流は必要な信号電流の23%に達する。その結
果、前記信号検出手段より合成される光ヘッド位置検出
信号が誤った値となり、位置制御に支障をきたす。ま
た、本実施例における前記レーザ出力検出手段の出力電
流は30[μA/mW]程度であり、0.3[mW]出
射時には前記ドリフト電流はその約5%に相当する。こ
れは無視できないレーザ出力の誤差をもたらす。
Regarding this point, FIG. 6B and FIG.
This will be described in detail with reference to (c). First, the case where the low-pass filter is not used will be described with reference to FIG. As described above, the high frequency noise leaks to the output of the signal detecting means. The level varies greatly depending on the structure of the optical semiconductor element, but for example, an amplitude of 10
It is assumed that high-frequency noise of [μA] is included (1).
Here, to be precise, the illustrated high-frequency noise has a complex waveform that is modulated by the input signal current, but the input signal current is ii (constant) for simplicity. On the other hand, in recent years, along with the reduction in power consumption of optical heads, a single power supply low voltage drive amplifier is often used as the preamplifier. Generally, the allowable input current range of the amplifier is wide in the negative direction but very narrow in the positive direction with respect to the midpoint potential. If the allowable input current in the positive direction is 7 [μA] and the waveform is abruptly distorted when the allowable input current is exceeded, the output of the signal detecting means is
The waveform in the positive direction is clipped at the first stage of the preamplifier (2). Since the oscillation frequency of the laser noise reduction means is sufficiently higher than the band of the pre-amplifier rear stage or the detection system circuit thereafter, it is finally integrated into a direct current component. As explained in the section of conventional technology,
If positive and negative symmetry with respect to the midpoint potential, positive and negative components cancel each other out after integration, so that no DC component eventually occurs. However, in the case of the positive / negative asymmetrical waveform as shown in the figure, the positive / negative components cannot cancel each other out, and a DC component corresponding to the time average of the clipped area is generated after integration. The current value is about 0.46 [μA] under the above conditions, and the output of the preamplifier of the signal detecting means will drift (3). On the other hand, since the amplitude of the output current of the signal detecting means in this embodiment is about 2 [μA], the drift current reaches 23% of the required signal current. As a result, the optical head position detection signal synthesized by the signal detecting means has an incorrect value, which hinders position control. In addition, the output current of the laser output detecting means in the present embodiment is about 30 [μA / mW], and the drift current corresponds to about 5% thereof when emitting 0.3 [mW]. This results in a non-negligible laser power error.

【0063】次に、図6(c)に基づいて、前記ローパ
スフィルタを用いた場合について説明する。前記信号検
出手段の出力に、前記と同様に振幅10[μA]の高周
波ノイズが含まれているとする(1)。ここで、前記ロ
ーパスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入力を越
えないレベルまで前記高周波ノイズを減衰させる特性を
有するものを、前記信号検出手段と前記前置増幅器の間
に挿入する。例えば、前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数において、15[dB]の損失を持つフィルタであ
れば、前記高周波ノイズを約1.8[μA]にまで抑え
る事ができる。前記前置増幅器の許容入力電流が同じ7
[μA]とすれば、前記高周波ノイズの波形は歪むこと
はない(2)。即ち、その後検出系の回路で積分されて
も、中点電位に対して正負対称であるので、正負の成分
が打ち消し合い、直流成分は発生しない。以上の様にし
て、適切なローパスフィルタを前記信号検出手段と前記
前置増幅器の間に挿入することにより、前記レーザ雑音
低減手段駆動時の出力ドリフトを防止する事ができる
(3)。
Next, the case of using the low-pass filter will be described with reference to FIG. It is assumed that the output of the signal detecting means includes high-frequency noise having an amplitude of 10 [μA] as described above (1). Here, the low-pass filter having the characteristic of attenuating the high frequency noise to a level not exceeding the allowable input of the preamplifier is inserted between the signal detecting means and the preamplifier. For example, with a filter having a loss of 15 [dB] at the oscillation frequency of the laser noise reduction means, the high frequency noise can be suppressed to about 1.8 [μA]. The allowable input current of the preamplifier is the same 7
If it is [μA], the waveform of the high frequency noise will not be distorted (2). That is, even if integrated in the circuit of the detection system after that, since the positive and negative components are symmetrical with respect to the midpoint potential, the positive and negative components cancel each other out, and the direct current component does not occur. As described above, by inserting an appropriate low-pass filter between the signal detection means and the preamplifier, it is possible to prevent output drift when driving the laser noise reduction means (3).

【0064】図7(a)、(b)、(c)、(d)は具
体的な前記ローパスフィルタ9の実施例を示している。
図7(a)は、単一のコイル部品による1次のフィルタ
であり、簡略かつローコストな前記ローパスフィルタ9
を形成することができる。また、本実施例におけるよう
な小型光ヘッドにおいては、部品スペースをあまり必要
としないことは大きな利点である。図7(b)は、各1
個のコイルとコンデンサから成る2次のフィルタであ
る。この場合、図7(b)の実施例よりさらに減衰比が
大きいフィルタを形成することができる。図7(c)
は、1個のコイルと2個のコンデンサから成る3次のフ
ィルタである。この場合、図7(a)の実施例よりさら
に急峻な特性のフィルタを形成することができる。図7
(d)は、2個のコイルと1個のコンデンサから成る3
次のフィルタである。この場合、図7(c)の実施例と
同等の急峻さを持つ特性のフィルタを形成することがで
きる一方、前記前置増幅器13側からみたインピーダン
スが大きくなるので、アンプノイズの増大を招く恐れが
ない。
FIGS. 7A, 7B, 7C and 7D show concrete examples of the low pass filter 9.
FIG. 7A shows a first-order filter using a single coil component, which is a simple and low-cost low-pass filter 9
Can be formed. Further, in the small-sized optical head as in the present embodiment, it is a great advantage that the component space is not required so much. FIG. 7B shows each 1
It is a secondary filter consisting of individual coils and capacitors. In this case, it is possible to form a filter having a larger attenuation ratio than the embodiment of FIG. Figure 7 (c)
Is a third-order filter consisting of one coil and two capacitors. In this case, it is possible to form a filter having steeper characteristics than the embodiment of FIG. Figure 7
(D) 3 consisting of 2 coils and 1 capacitor
The next filter. In this case, a filter having the same steepness as that of the embodiment of FIG. 7C can be formed, but the impedance seen from the preamplifier 13 side becomes large, which may cause increase in amplifier noise. There is no.

【0065】以上述べた様に、本実施例では前記レーザ
雑音低減手段5からの高周波の漏洩による前記の問題の
発生が防止されるため、前記光半導体素子の特性を生か
した小型で構造が簡略な光ヘッドの実現が可能になる。
また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大
きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いて
も、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従
来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供する
ことが出来る。
As described above, in the present embodiment, since the occurrence of the above-mentioned problem due to the leakage of high frequency from the laser noise reduction means 5 is prevented, the structure is small and the structure is simplified by utilizing the characteristics of the optical semiconductor element. It is possible to realize a simple optical head.
Further, even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the conventional performance is not deteriorated and the drift amount is reduced. It is possible to provide a noise optical head.

【0066】(実施例2)図8は、本発明の一実施例に
於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例の
光ヘッドは、レンズホルダ1、前記レンズホルダ1を弾
性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね3、
前記支持ばね3の固定端であって前記レンズホルダ1を
間接的に支持する支柱2、前記レンズホルダ1の周辺に
磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石4、高周波発振
器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段5、前記レーザ雑
音低減手段5から発生する高周波を光ヘッド外部に漏洩
させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部の回
路を接続する貫通コンデンサ6、前置増幅器13、ロー
パスフィルタ9、前記前置増幅器13及び前記ローパス
フィルタ9を搭載した基板8、前記前置増幅器と前記レ
ンズホルダ1内部を接続する線10、前記レーザ雑音低
減手段5と前記レンズホルダ1内部を接続する線11、
前記レーザ雑音低減手段5と前記貫通コンデンサ6を接
続する線12、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込み、
電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断
するシールドケース7、前記シールドケース7にあけら
れた開口部であって前記シールドケース7からレーザ光
を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レンズ
ホルダ1に導く出射窓16、前記レンズホルダ1内部で
発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶため
の対物レンズ15、前記前置増幅器の出力を光ヘッド外
部に取り出すための出力線14、前記出力線を前記シー
ルドケース7から引き出すためのスリット19より構成
される。また、図には示されていないが、前記レンズホ
ルダ1の側面にはフォーカシングコイル及びトラッキン
グコイルが取付けられている。前記磁石4及び前記フォ
ーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記支持
ばね3の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置に前
記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ1の位
置が制御される。
(Embodiment 2) FIG. 8 is an explanatory view showing the structure of an optical head in one embodiment of the present invention. The optical head of this embodiment includes a lens holder 1, a support spring 3 that elastically supports the lens holder 1 and freely changes its position,
A support 2 that is a fixed end of the support spring 3 and indirectly supports the lens holder 1, a magnet 4 that generates a magnetic field around the lens holder 1 to control the focus position, a high-frequency oscillator, and a laser. Laser noise reducing means 5 for reducing laser noise by superimposing a high frequency on the diode drive current to reduce the coherence of laser light, and without leaking the high frequency generated from the laser noise reducing means 5 to the outside of the optical head. Feedthrough capacitor 6 for connecting a circuit inside the optical head and a circuit outside the optical head, a preamplifier 13, a low-pass filter 9, a substrate 8 on which the preamplifier 13 and the lowpass filter 9 are mounted, the preamplifier and the lens A line 10 connecting the inside of the holder 1, a line 11 connecting the laser noise reduction means 5 and the inside of the lens holder 1,
The wire 12 connecting the laser noise reduction means 5 and the feedthrough capacitor 6 and the entire optical head are wrapped with a magnetic conductive material,
A shield case 7 that electrically and magnetically isolates the outside of the optical head from the inside of the optical head, and an opening formed in the shield case 7 for extracting laser light from the shield case 7 and at the same time reflecting light from a recording medium. To the lens holder 1, an objective window 15 for focusing the laser light emitted in the lens holder 1 on the recording medium, and an output of the preamplifier to the outside of the optical head. The output line 14 and the slit 19 for pulling out the output line from the shield case 7 are formed. Although not shown in the figure, a focusing coil and a tracking coil are attached to the side surface of the lens holder 1. By the functions of the magnet 4, the focusing coil, the tracking coil, and the support spring 3, the position of the lens holder 1 is controlled so that the laser beam is focused on a target position on the recording medium.

【0067】図8には示されていないが、前記レンズホ
ルダ1内部には、レーザチップ、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段、前記レーザチップからのレ
ーザ光の出射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複
合した光半導体素子が含まれている。
Although not shown in FIG. 8, inside the lens holder 1, a laser chip, a signal detecting means for detecting the reflected light from the optical recording medium, and an amount of laser light emitted from the laser chip are monitored. It includes an optical semiconductor element including a combination of laser output detecting means and the like.

【0068】前記光半導体素子から発せられたレーザ光
の一部は、前記光半導体素子内部で反射して前記レーザ
出力検出手段26に入射する。前記レーザ出力検出手段
26の出力は、前記前置増幅器とレンズホルダ1内部を
接続する線10により、前記前置増幅器13に接続され
る。前記前置増幅器13は、前記レーザ出力検出手段2
6からの電流出力を電圧に変換すると共に、必要があれ
ばさらに増幅して光ヘッド外部に送り出す。
A part of the laser light emitted from the optical semiconductor element is reflected inside the optical semiconductor element and enters the laser output detecting means 26. The output of the laser output detecting means 26 is connected to the preamplifier 13 by a line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1. The preamplifier 13 includes the laser output detecting means 2
The current output from 6 is converted into a voltage and, if necessary, further amplified and sent out to the outside of the optical head.

【0069】前記前置増幅器13の入力部には本発明に
かかるローパスフィルタ9が取り付けられている。ここ
で、前記ローパスフィルタ9のカットオフ周波数は、レ
ーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音
低減手段の発振周波数より充分低く設定されている。前
記レーザ出力検出手段26の出力には、前記レーザ雑音
低減手段5から発生する不要な高周波成分が含まれてい
る。しかし、本実施例においては、前記高周波成分のほ
とんどは前記ローパスフィルタ9の働きで除去され、前
記前置増幅器に入力されることはない。一方、前記レー
ザ出力検出手段26の本来の出力は、前記ローパスフィ
ルタ9を損失なく通過し、前記前置増幅器13に達する
ことができるため、前記ローパスフィルタ9を搭載して
いなかった従来の光ヘッドの性能を損なう事はない。
The low-pass filter 9 according to the present invention is attached to the input part of the preamplifier 13. Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is set sufficiently higher than the control band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. The output of the laser output detecting means 26 contains an unnecessary high frequency component generated from the laser noise reducing means 5. However, in the present embodiment, most of the high frequency components are removed by the action of the low pass filter 9 and are not input to the preamplifier. On the other hand, the original output of the laser output detecting means 26 can pass through the low-pass filter 9 without loss and reach the preamplifier 13, so that the conventional optical head not equipped with the low-pass filter 9 is provided. Does not impair the performance of.

【0070】この点について、再び図6(b)及び図6
(c)を用いて説明する。まず、図6(b)に基づい
て、前記ローパスフィルタを用いない場合について説明
する。前記レーザ出力検出手段の出力には、前述の様に
高周波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半
導体素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅10
[μA]の高周波ノイズが含まれているとする(1)。
前記前置増幅器の正方向の許容入力電流を7[μA]と
し、前記許容入力電流を越えると急峻に波形が歪むとす
ると、前記レーザ出力検出手段の出力は、前記前置増幅
器の初段部において正方向の波形がクリップされた形と
なる(2)。前記レーザ雑音低減手段の発振周波数は、
前記前置増幅器後段部あるいはその後の検出系回路の帯
域より充分高いため、最終的には積分されて直流成分と
なる。前述の通り、中点電位に対して正負対称であれ
ば、直流成分は発生しないが、図の様な正負非対称波形
の場合、正負の成分が打ち消し合いきれず、積分後にク
リップされた面積の時間平均に相当する直流成分が発生
する。その電流値は、前記の条件では約0.46[μ
A]となり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器
出力がドリフトすることになる(3)。一方で、本実施
例における前記レーザ出力検出手段の出力電流は30
[μA/mW]程度であり、0.3[mW]出射時には
前記ドリフト電流はその約5%に相当する。これは無視
できないレーザ出力の誤差をもたらす。
Regarding this point, FIG. 6B and FIG.
An explanation will be given using (c). First, the case where the low-pass filter is not used will be described with reference to FIG. As described above, high frequency noise leaks to the output of the laser output detecting means. The level varies greatly depending on the structure of the optical semiconductor element, but for example, an amplitude of 10
It is assumed that high-frequency noise of [μA] is included (1).
If the allowable input current in the positive direction of the preamplifier is 7 [μA] and the waveform is abruptly distorted when the allowable input current is exceeded, the output of the laser output detecting means is at the first stage of the preamplifier. The waveform in the positive direction is clipped (2). The oscillation frequency of the laser noise reduction means is
Since it is sufficiently higher than the band of the detection amplifier circuit after the preamplifier or after the preamplifier, it is finally integrated into a direct current component. As described above, if the positive and negative symmetry with respect to the midpoint potential, no DC component is generated, but in the case of positive and negative asymmetric waveforms as shown in the figure, the positive and negative components cannot cancel each other and the time of the area clipped after integration is A DC component corresponding to the average is generated. The current value is about 0.46 [μ under the above conditions.
A], and the output of the preamplifier of the laser output detecting means drifts (3). On the other hand, the output current of the laser output detecting means in this embodiment is 30.
It is about [μA / mW], and the drift current corresponds to about 5% thereof at the time of emission of 0.3 [mW]. This results in a non-negligible laser power error.

【0071】次に、図6(c)に基づいて、前記ローパ
スフィルタを用いた場合について説明する。前記レーザ
出力検出手段の出力に、前記と同様に振幅10[μA]
の高周波ノイズが含まれているとする(1)。ここで、
前記ローパスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入
力を越えないレベルまで、前記高周波ノイズを減衰させ
る特性を有するものを前記レーザ出力検出手段と前記前
置増幅器の間に挿入する。例えば、前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数において、15[dB]の損失を持つ
フィルタであれば、前記高周波ノイズを約1.8[μ
A]にまで抑える事ができる。前記前置増幅器の許容入
力電流が同じ7[μA]とすれば、前記高周波ノイズの
波形は歪むことはない(2)。即ち、その後検出系の回
路で積分されても、中点電位に対して正負対称であるの
で、正負の成分が打ち消し合い、直流成分は発生しな
い。以上の様にして、適切なローパスフィルタを前記レ
ーザ出力検出手段と前記前置増幅器の間に挿入すること
により、前記レーザ雑音低減手段駆動時の出力ドリフト
を防止する事ができる(3)。
Next, the case of using the low-pass filter will be described with reference to FIG. The output of the laser output detecting means has an amplitude of 10 [μA] as described above.
It is assumed that the high frequency noise of (1) is included. here,
As the low-pass filter, a filter having a characteristic of attenuating the high-frequency noise to a level not exceeding an allowable input of the preamplifier is inserted between the laser output detecting means and the preamplifier. For example, in the case of a filter having a loss of 15 [dB] at the oscillation frequency of the laser noise reduction means, the high frequency noise is reduced to about 1.8 [μ].
A] can be suppressed. If the allowable input current of the preamplifier is the same 7 [μA], the waveform of the high frequency noise will not be distorted (2). That is, even if integrated in the circuit of the detection system after that, since the positive and negative components are symmetrical with respect to the midpoint potential, the positive and negative components cancel each other out, and the direct current component does not occur. As described above, by inserting an appropriate low-pass filter between the laser output detecting means and the preamplifier, it is possible to prevent output drift when driving the laser noise reducing means (3).

【0072】図9は、本実施例にかかる光ヘッドの構成
を示すブロック図である。前記レーザチップ23の光出
力は、大部分が記録媒体上に導かれるが、一部は直接レ
ーザ出力検出手段26に入射し、レーザ出力検出信号に
変換される。本実施例では、前記レーザ出力検出手段2
6と前記前置増幅器13の間にローパスフィルタ9が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段5
から漏洩した前記高周波成分のほとんどが除去され、前
記前置増幅器には前記レーザ出力検出手段26本来の出
力のみが入力される。従来の光ヘッドでの問題となって
いた、レーザ雑音低減手段を駆動した際に前記レーザ出
力検出手段26の前記前置増幅器出力がドリフトし、レ
ーザ出力の正しい制御が阻害されるという現象を改善す
ることができる。
FIG. 9 is a block diagram showing the structure of the optical head according to this embodiment. Most of the optical output of the laser chip 23 is guided to the recording medium, but part of the optical output directly enters the laser output detection means 26 and is converted into a laser output detection signal. In the present embodiment, the laser output detecting means 2
A low pass filter 9 is inserted between 6 and the preamplifier 13. Thereby, the laser noise reduction means 5
Most of the high frequency component leaked from the laser is removed, and only the original output of the laser output detecting means 26 is input to the preamplifier. The phenomenon that the preamplifier output of the laser output detecting means 26 drifts when the laser noise reducing means is driven, which is a problem in the conventional optical head, and the correct control of the laser output is obstructed is improved. can do.

【0073】以上述べた様に、本実施例では前記レーザ
雑音低減手段5からの高周波の漏洩による前記の問題の
発生が防止されるため、前記光半導体素子の特性を生か
した小型で構造が簡略な光ヘッドの実現が可能になる。
また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大
きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いて
も、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従
来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供する
ことが出来る。尚、他の動作及び構成については、図1
の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
As described above, in the present embodiment, since the occurrence of the above problems due to the leakage of the high frequency from the laser noise reducing means 5 is prevented, the structure is small and the structure is simplified by making the best use of the characteristics of the optical semiconductor element. It is possible to realize a simple optical head.
Further, even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the conventional performance is not deteriorated and the drift amount is reduced. It is possible to provide a noise optical head. The other operations and configurations are shown in FIG.
The detailed description will be omitted because it is the same as that of the first embodiment.

【0074】(実施例3)図10は、本発明の一実施例
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ1、前記レンズホルダ1を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
3、前記支持ばね3の固定端であって前記レンズホルダ
1を間接的に支持する支柱2、前記レンズホルダ1の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石4、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段5、前記レー
ザ雑音低減手段5から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ6、前置増幅器13、
ローパスフィルタ9、前記前置増幅器13及び前記ロー
パスフィルタ9を搭載した基板8、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ1内部を接続する線10、前記レーザ雑
音低減手段5と前記レンズホルダ1内部を接続する線1
1、前記レーザ雑音低減手段5と前記貫通コンデンサ6
を接続する線12、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース7、前記シールドケース7にあ
けられた開口部であって前記シールドケース7からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ1に導く出射窓16、前記レンズホルダ1内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ15、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線14、前記出力線を前記
シールドケース7から引き出すためのスリット19より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ1の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石4及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね3の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ1
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ1内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
(Embodiment 3) FIG. 10 is an explanatory view showing the structure of an optical head in one embodiment of the present invention. The optical head of this embodiment includes a lens holder 1, a support spring 3 that elastically supports the lens holder 1 and freely changes its position, and a fixed end of the support spring 3 that indirectly connects the lens holder 1. A supporting column 2, a magnet 4 that generates a magnetic field around the lens holder 1 to control the focus position, and a high-frequency oscillator that superimposes a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of laser light. By doing so, laser noise reducing means 5 for reducing laser noise, and a feedthrough capacitor 6 for connecting a circuit inside the optical head to a circuit outside the optical head without leaking the high frequency generated from the laser noise reducing means 5 to the outside of the optical head. , Preamplifier 13,
Low pass filter 9, substrate 8 on which the preamplifier 13 and the low pass filter 9 are mounted, line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1, laser noise reduction means 5 and the inside of the lens holder 1 are connected Line 1
1. The laser noise reduction means 5 and the feedthrough capacitor 6
A wire 12 that connects the optical head, a shield case 7 that wraps the entire optical head with a magnetic conductive material, and electrically and magnetically shields the outside of the optical head from the inside of the optical head, and an opening formed in the shield case 7. At the same time as taking out the laser light from the shield case 7, an exit window 16 for guiding the reflected light from the recording medium to the lens holder 1, and an objective lens for focusing the laser light emitted inside the lens holder 1 on the recording medium. 15, an output line 14 for taking out the output of the preamplifier to the outside of the optical head, and a slit 19 for taking out the output line from the shield case 7. Although not shown in the figure, a focusing coil and a tracking coil are attached to the side surface of the lens holder 1. By the functions of the magnet 4, the focusing coil, the tracking coil, and the support spring 3, the lens holder 1 is focused so that the laser light is focused on a target position on the recording medium.
The position of is controlled. Further, inside the lens holder 1, an optical semiconductor including a laser chip, a signal detecting means for detecting the reflected light from the optical recording medium, a laser output detecting means for monitoring the amount of laser light emitted from the laser chip, and the like are combined. The element is included.

【0075】前記前置増幅器13の入力部には本発明に
かかるローパスフィルタ9が取り付けられている。ここ
で、前記ローパスフィルタ9のカットオフ周波数は、レ
ーザ出力検出手段26と前記前置増幅器13の間におい
ては、レーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。また、前記信号検出手段25と前記前置増幅器1
3の間においては、信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。前記レーザ出力検出手段26及び前記信号検出手
段25の出力には、前記レーザ雑音低減手段5から漏洩
する不要な高周波成分が含まれている。しかし、本実施
例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパ
スフィルタ9の働きで除去され、前記前置増幅器に入力
されることはない。一方、前記レーザ出力検出手段26
及び前記信号検出手段25の本来の出力は、前記ローパ
スフィルタ9を損失なく通過し、前記前置増幅器13に
達することができるため、前記ローパスフィルタ9を搭
載していなかった従来の光ヘッドの性能を損なう事はな
い。この働きにより、レーザ雑音低減手段をONした際
に、前記レーザ出力検出手段26及び前記信号検出手段
25の前記前置増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ
出力制御及び光ヘッドの位置制御が阻害されるという従
来の光ヘッドでの問題点を改善することができる。
The low-pass filter 9 according to the present invention is attached to the input part of the preamplifier 13. Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is sufficiently higher than the control band of the laser output between the laser output detection means 26 and the preamplifier 13 and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. It is set. Also, the signal detecting means 25 and the preamplifier 1
During period 3, the frequency is set sufficiently higher than the signal band and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. The outputs of the laser output detection means 26 and the signal detection means 25 include unnecessary high frequency components leaking from the laser noise reduction means 5. However, in the present embodiment, most of the high frequency components are removed by the action of the low pass filter 9 and are not input to the preamplifier. On the other hand, the laser output detecting means 26
The original output of the signal detecting means 25 can pass through the low-pass filter 9 without loss and reach the preamplifier 13, so that the performance of the conventional optical head not equipped with the low-pass filter 9 is improved. There is no loss. With this function, when the laser noise reduction means is turned on, the outputs of the preamplifiers of the laser output detection means 26 and the signal detection means 25 drift, and normal laser output control and optical head position control are hindered. It is possible to solve the problem of the conventional optical head.

【0076】この点について、再び図6(b)及び図6
(c)を用いて詳しく説明する。まず、図6(b)に基
づいて、前記ローパスフィルタを用いない場合について
説明する。前記各検出手段の出力には、前述の様に高周
波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半導体
素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅10[μ
A]の高周波ノイズが含まれているとする(1)。一
方、近年光ヘッドの低電力化に伴い、前記前置増幅器と
して単電源低電圧駆動増幅器がしばしば用いられる。一
般に前記増幅器の許容入力電流範囲は、中点電位に対し
て負方向は広いが、正方向では非常に狭い。仮に正方向
の許容入力電流を7[μA]とし、前記許容入力電流を
越えると急峻に波形が歪むとすると、前記各検出手段の
出力は、前記前置増幅器の初段部において正方向の波形
がクリップされた形となる(2)。前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数は、前記前置増幅器後段部あるいはそ
の後の検出系回路の帯域より充分高いため、最終的には
積分されて直流成分となる。従来の技術の項でも説明し
た通り、中点電位に対して正負対称であれば、積分後は
正負の成分が打ち消し合うので、結局直流成分は発生し
ない。しかし、図の様な正負非対称波形の場合、正負の
成分が打ち消し合いきれず、積分後にクリップされた面
積の時間平均に相当する直流成分が発生する。その電流
値は、前記の条件では約0.46[μA]となり、前記
各検出手段の前記前置増幅器出力がドリフトすることに
なる(3)。一方で、本実施例における前記信号検出手
段の出力電流の振幅は2[μA]程度であるので、前記
ドリフト電流は必要な信号電流の23%に達する。その
結果、前記信号検出手段より合成される光ヘッド位置検
出信号が誤った値となり、位置制御に支障をきたす。ま
た、本実施例における前記レーザ出力検出手段の出力電
流は30[μA/mW]程度であり、0.3[mW]出
射時には前記ドリフト電流はその約5%に相当する。こ
れは無視できないレーザ出力の誤差をもたらす。
Regarding this point, FIG. 6B and FIG.
This will be described in detail with reference to (c). First, the case where the low-pass filter is not used will be described with reference to FIG. As described above, high frequency noise leaks to the output of each of the detecting means. The level varies greatly depending on the structure of the optical semiconductor element, but for example, an amplitude of 10 [μ
It is assumed that the high frequency noise [A] is included (1). On the other hand, in recent years, along with the reduction in power consumption of optical heads, a single power supply low voltage drive amplifier is often used as the preamplifier. Generally, the allowable input current range of the amplifier is wide in the negative direction but very narrow in the positive direction with respect to the midpoint potential. If the allowable input current in the positive direction is set to 7 [μA] and the waveform is distorted abruptly when the allowable input current is exceeded, the output of each of the detection means has a waveform in the positive direction at the first stage of the preamplifier. It becomes a clipped shape (2). Since the oscillation frequency of the laser noise reduction means is sufficiently higher than the band of the pre-amplifier rear stage or the detection system circuit thereafter, it is finally integrated into a direct current component. As described in the section of the prior art, if the potential is positive and negative with respect to the midpoint potential, the positive and negative components cancel each other out after the integration, so that the direct current component does not occur. However, in the case of the positive / negative asymmetrical waveform as shown in the figure, the positive / negative components cannot cancel each other out, and a DC component corresponding to the time average of the clipped area is generated after integration. The current value is about 0.46 [μA] under the above conditions, and the output of the preamplifier of each of the detection means will drift (3). On the other hand, since the amplitude of the output current of the signal detecting means in this embodiment is about 2 [μA], the drift current reaches 23% of the required signal current. As a result, the optical head position detection signal synthesized by the signal detecting means has an incorrect value, which hinders position control. In addition, the output current of the laser output detecting means in the present embodiment is about 30 [μA / mW], and the drift current corresponds to about 5% thereof when emitting 0.3 [mW]. This results in a non-negligible laser power error.

【0077】次に、図6(c)に基づいて、前記ローパ
スフィルタを用いた場合について説明する。前記各検出
手段の出力に、前記と同様に振幅10[μA]の高周波
ノイズが含まれているとする(1)。ここで、前記ロー
パスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入力を越え
ないレベルまで、前記高周波ノイズを減衰させる特性を
有するものを前記各検出手段と前記前置増幅器の間に挿
入する。例えば、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数
において、15[dB]の損失を持つフィルタであれ
ば、前記高周波ノイズを約1.8[μA]にまで抑える
事ができる。前記前置増幅器の許容入力電流が同じ7
[μA]とすれば、前記高周波ノイズの波形は歪むこと
はない(2)。即ち、その後検出系の回路で積分されて
も、中点電位に対して正負対称であるので、正負の成分
が打ち消し合い、直流成分は発生しない。以上の様にし
て、適切なローパスフィルタを前記各検出手段と前記前
置増幅器の間に挿入することにより、前記レーザ雑音低
減手段駆動時の出力ドリフトを防止する事ができる
(3)。尚、他の動作及び構成については、図1の実施
例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
Next, the case of using the low-pass filter will be described with reference to FIG. It is assumed that the output of each of the detecting means includes high-frequency noise having an amplitude of 10 [μA] as in the above (1). Here, as the low-pass filter, one having a characteristic of attenuating the high-frequency noise to a level not exceeding an allowable input of the preamplifier is inserted between each of the detecting means and the preamplifier. For example, with a filter having a loss of 15 [dB] at the oscillation frequency of the laser noise reduction means, the high frequency noise can be suppressed to about 1.8 [μA]. The allowable input current of the preamplifier is the same 7
If it is [μA], the waveform of the high frequency noise will not be distorted (2). That is, even if integrated in the circuit of the detection system after that, since the positive and negative components are symmetrical with respect to the midpoint potential, the positive and negative components cancel each other out, and the direct current component does not occur. As described above, by inserting an appropriate low-pass filter between each of the detection means and the preamplifier, it is possible to prevent output drift when driving the laser noise reduction means (3). Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 1, detailed description will be omitted.

【0078】図11は、本実施例にかかる光ヘッドの構
成を示すブロック図である。本実施例では、前記レーザ
出力検出手段26と前記前置増幅器13の間、及び前記
信号検出手段25と前記前置増幅器13の間の両方にロ
ーパスフィルタ9が挿入されている。これにより、前記
レーザ雑音低減手段5から漏洩した前記高周波成分のほ
とんどが除去される。本実施例では、レーザ雑音低減手
段5の駆動時でも正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの
位置制御が可能な、前記光半導体素子の特性を生かした
小型で構造が簡略な光ヘッドの実現できる。また、レー
ザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大きな出力の
前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前記ド
リフト量は非常に小さなものとなるため、従来の性能を
損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供することが出来
る。尚、他の動作及び構成については、図1の実施例と
同様であるので、詳しい説明は省略する。
FIG. 11 is a block diagram showing the structure of the optical head according to this embodiment. In this embodiment, the low-pass filter 9 is inserted both between the laser output detecting means 26 and the preamplifier 13 and between the signal detecting means 25 and the preamplifier 13. As a result, most of the high frequency components leaked from the laser noise reduction means 5 are removed. In the present embodiment, it is possible to realize an optical head that is small in size and has a simple structure, which makes it possible to perform normal laser output control and position control of the optical head even when the laser noise reduction means 5 is driven, making use of the characteristics of the optical semiconductor element. Further, even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the conventional performance is not deteriorated and the drift amount is reduced. It is possible to provide a noise optical head. Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 1, detailed description will be omitted.

【0079】(実施例4)図12は、本発明の一実施例
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ1、前記レンズホルダ1を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
3、前記支持ばね3の固定端であって前記レンズホルダ
1を間接的に支持する支柱2、前記レンズホルダ1の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石4、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段5、前記レー
ザ雑音低減手段5から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ6、前置増幅器13、
ローパスフィルタ9、前記前置増幅器13及び前記ロー
パスフィルタ9を搭載した基板8、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ1内部を接続する線10、前記レーザ雑
音低減手段5と前記レンズホルダ1内部を接続する線1
1、前記レーザ雑音低減手段5と前記貫通コンデンサ6
を接続する線12、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース7、前記シールドケース7にあ
けられた開口部であって前記シールドケース7からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ1に導く出射窓16、前記レンズホルダ1内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ15、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線14、前記出力線を前記
シールドケース7から引き出すためのスリット19より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ1の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石4及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね3の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ1
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ1内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
(Embodiment 4) FIG. 12 is an explanatory view showing the structure of an optical head in one embodiment of the present invention. The optical head of this embodiment includes a lens holder 1, a support spring 3 that elastically supports the lens holder 1 and freely changes its position, and a fixed end of the support spring 3 that indirectly connects the lens holder 1. A supporting column 2, a magnet 4 that generates a magnetic field around the lens holder 1 to control the focus position, and a high-frequency oscillator that superimposes a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of laser light. By doing so, laser noise reducing means 5 for reducing laser noise, and a feedthrough capacitor 6 for connecting a circuit inside the optical head to a circuit outside the optical head without leaking the high frequency generated from the laser noise reducing means 5 to the outside of the optical head. , Preamplifier 13,
Low pass filter 9, substrate 8 on which the preamplifier 13 and the low pass filter 9 are mounted, line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1, laser noise reduction means 5 and the inside of the lens holder 1 are connected Line 1
1. The laser noise reduction means 5 and the feedthrough capacitor 6
A wire 12 that connects the optical head, a shield case 7 that wraps the entire optical head with a magnetic conductive material, and electrically and magnetically shields the outside of the optical head from the inside of the optical head, and an opening formed in the shield case 7. At the same time as taking out the laser light from the shield case 7, an exit window 16 for guiding the reflected light from the recording medium to the lens holder 1, and an objective lens for focusing the laser light emitted inside the lens holder 1 on the recording medium. 15, an output line 14 for taking out the output of the preamplifier to the outside of the optical head, and a slit 19 for taking out the output line from the shield case 7. Although not shown in the figure, a focusing coil and a tracking coil are attached to the side surface of the lens holder 1. By the functions of the magnet 4, the focusing coil, the tracking coil, and the support spring 3, the lens holder 1 is focused so that the laser light is focused on a target position on the recording medium.
The position of is controlled. Further, inside the lens holder 1, an optical semiconductor including a laser chip, a signal detecting means for detecting the reflected light from the optical recording medium, a laser output detecting means for monitoring the amount of laser light emitted from the laser chip, and the like are combined. The element is included.

【0080】前記前置増幅器と前記レンズホルダ1内部
を接続する線10の電源供給ラインと、前記前置増幅器
13の電源端子の間には本発明にかかるローパスフィル
タ9が取り付けられている。ここで、前記ローパスフィ
ルタ9のカットオフ周波数は、前記レーザ雑音低減手段
の発振周波数より充分低く設定されている。前記前置増
幅器と前記レンズホルダ1内部を接続する線10の電源
供給ラインには、前記レーザ雑音低減手段5から漏洩す
る不要な高周波成分が含まれている。しかし、本実施例
においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパス
フィルタ9の働きで除去され、前記前置増幅器の電源端
子に入力されることはない。一方、レンズホルダ内部へ
の電源の供給は、従来通り正常に行われる。この働きに
より、レーザ雑音低減手段を駆動した際に、前記レーザ
出力検出手段26及び前記信号検出手段25の前記前置
増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ出力制御及び光
ヘッドの位置制御が阻害されるという従来の光ヘッドで
の問題点を改善することができる。尚、他の動作及び構
成については、図1の実施例と同様であるので、詳しい
説明は省略する。
A low-pass filter 9 according to the present invention is attached between a power supply line of a line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1 and a power supply terminal of the preamplifier 13. Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. The power supply line of the line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1 contains an unnecessary high frequency component leaked from the laser noise reduction means 5. However, in the present embodiment, most of the high frequency components are removed by the action of the low pass filter 9 and are not input to the power supply terminal of the preamplifier. On the other hand, the power supply to the inside of the lens holder is normally performed as usual. Due to this action, when the laser noise reduction means is driven, the outputs of the preamplifiers of the laser output detection means 26 and the signal detection means 25 drift, and normal laser output control and position control of the optical head are disturbed. It is possible to solve the problem of the conventional optical head. Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 1, detailed description will be omitted.

【0081】図13は、本実施例にかかる光ヘッドの構
成を示す回路図である。本実施例では、前記レーザ出力
検出手段26及び前記信号検出手段25のコモン端子に
供給される電源ラインの途中にローパスフィルタ9が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段5
から前記レーザ出力検出手段26及び前記信号検出手段
25に漏洩した前記高周波成分が除去され、電源ライン
を通して前記前置増幅器13に入力されることはない。
本実施例では、レーザ雑音低減手段5の駆動時でも正常
なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な、前
記光半導体素子の特性を生かした小型で構造が簡略な光
ヘッドの実現できる。また、レーザ雑音低減効果を充分
に得るために比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手
段を光ヘッドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さ
なものとなるため、従来の性能を損なうことなく低雑音
の光ヘッドを提供することが出来る。
FIG. 13 is a circuit diagram showing the structure of the optical head according to this embodiment. In this embodiment, the low-pass filter 9 is inserted in the middle of the power supply line supplied to the common terminals of the laser output detecting means 26 and the signal detecting means 25. Thereby, the laser noise reduction means 5
Therefore, the high frequency component leaked to the laser output detecting means 26 and the signal detecting means 25 is removed and is not input to the preamplifier 13 through the power supply line.
In the present embodiment, it is possible to realize an optical head that is small in size and has a simple structure, which makes it possible to perform normal laser output control and position control of the optical head even when the laser noise reduction means 5 is driven, making use of the characteristics of the optical semiconductor element. Further, even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the conventional performance is not deteriorated and the drift amount is reduced. It is possible to provide a noise optical head.

【0082】(実施例5)図14は、本発明の一実施例
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ1、前記レンズホルダ1を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
3、前記支持ばね3の固定端であって前記レンズホルダ
1を間接的に支持する支柱2、前記レンズホルダ1の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石4、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段5、前記レー
ザ雑音低減手段5から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ6、前置増幅器13、
ローパスフィルタ9、前記前置増幅器13及び前記ロー
パスフィルタ9を搭載した基板8、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ1内部を接続する線10、前記レーザ雑
音低減手段5と前記レンズホルダ1内部を接続する線1
1、前記レーザ雑音低減手段5と前記貫通コンデンサ6
を接続する線12、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース7、前記シールドケース7にあ
けられた開口部であって前記シールドケース7からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ1に導く出射窓16、前記レンズホルダ1内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ15、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線14、前記出力線を前記
シールドケース7から引き出すためのスリット19より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ1の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石4及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね3の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ1
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ1内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
(Embodiment 5) FIG. 14 is an explanatory view showing the structure of an optical head in one embodiment of the present invention. The optical head of this embodiment includes a lens holder 1, a support spring 3 that elastically supports the lens holder 1 and freely changes its position, and a fixed end of the support spring 3 that indirectly connects the lens holder 1. A supporting column 2, a magnet 4 that generates a magnetic field around the lens holder 1 to control the focus position, and a high-frequency oscillator that superimposes a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of laser light. By doing so, laser noise reducing means 5 for reducing laser noise, and a feedthrough capacitor 6 for connecting a circuit inside the optical head to a circuit outside the optical head without leaking the high frequency generated from the laser noise reducing means 5 to the outside of the optical head. , Preamplifier 13,
Low pass filter 9, substrate 8 on which the preamplifier 13 and the low pass filter 9 are mounted, line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1, laser noise reduction means 5 and the inside of the lens holder 1 are connected Line 1
1. The laser noise reduction means 5 and the feedthrough capacitor 6
A wire 12 that connects the optical head, a shield case 7 that wraps the entire optical head with a magnetic conductive material, and electrically and magnetically shields the outside of the optical head from the inside of the optical head, and an opening formed in the shield case 7. At the same time as taking out the laser light from the shield case 7, an exit window 16 for guiding the reflected light from the recording medium to the lens holder 1, and an objective lens for focusing the laser light emitted inside the lens holder 1 on the recording medium. 15, an output line 14 for taking out the output of the preamplifier to the outside of the optical head, and a slit 19 for taking out the output line from the shield case 7. Although not shown in the figure, a focusing coil and a tracking coil are attached to the side surface of the lens holder 1. By the functions of the magnet 4, the focusing coil, the tracking coil, and the support spring 3, the lens holder 1 is focused so that the laser light is focused on a target position on the recording medium.
The position of is controlled. Further, inside the lens holder 1, an optical semiconductor including a laser chip, a signal detecting means for detecting the reflected light from the optical recording medium, a laser output detecting means for monitoring the amount of laser light emitted from the laser chip, and the like are combined. The element is included.

【0083】前記光半導体素子では、1枚のウエハ上全
面にフォトダイオードが形成されており、前記ウエハを
分割して線を引き出すことにより複数の前記信号検出手
段を形成している。そのため、信号検出に関与しない不
要な領域にもフォトダイオードが存在し、これらの領域
で異常電流が発生する。前記異常電流が信号検出に影響
を与えるのを防止するために、通常前記の不要なフォト
ダイオードのアノード端子は、グランドに接続される。
本実施例では、前記グランドラインは前記前置増幅器と
前記レンズホルダ1内部を接続する線10により引き出
される。
In the optical semiconductor element, a photodiode is formed on the entire surface of one wafer, and the plurality of signal detecting means are formed by dividing the wafer and drawing out lines. Therefore, the photodiodes also exist in unnecessary areas that are not involved in signal detection, and an abnormal current occurs in these areas. In order to prevent the abnormal current from affecting the signal detection, the anode terminal of the unnecessary photodiode is usually connected to the ground.
In this embodiment, the ground line is led out by a line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1.

【0084】さて、前記前置増幅器13と前記レンズホ
ルダ1内部を接続する線10のグランドラインと、前記
前置増幅器13の接地端子の間には本発明にかかるロー
パスフィルタ9が取り付けられている。ここで、前記ロ
ーパスフィルタ9のカットオフ周波数は、前記レーザ雑
音低減手段の発振周波数より充分低く設定されている。
前記前置増幅器と前記レンズホルダ1内部を接続する線
10のグランドラインには、前記レーザ雑音低減手段5
から漏洩する不要な高周波成分が含まれている。しか
し、本実施例においては、前記高周波成分のほとんどは
前記ローパスフィルタ9の働きで除去され、前記前置増
幅器の電源端子に入力されることはない。一方、レンズ
ホルダ内部への電源の供給は、従来通り正常に行われ
る。この働きにより、レーザ雑音低減手段を駆動した際
に、前記レーザ出力検出手段26及び前記信号検出手段
25の前記前置増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ
出力制御及び光ヘッドの位置制御が阻害されるという従
来の光ヘッドでの問題点を改善することができる。尚、
他の動作及び構成については、図1の実施例と同様であ
るので、詳しい説明は省略する。
A low-pass filter 9 according to the present invention is attached between the ground line of the line 10 connecting the preamplifier 13 and the inside of the lens holder 1 and the ground terminal of the preamplifier 13. . Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.
The laser noise reduction means 5 is provided on the ground line of the line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1.
It contains unnecessary high-frequency components leaking from. However, in the present embodiment, most of the high frequency components are removed by the action of the low pass filter 9 and are not input to the power supply terminal of the preamplifier. On the other hand, the power supply to the inside of the lens holder is normally performed as usual. Due to this action, when the laser noise reduction means is driven, the outputs of the preamplifiers of the laser output detection means 26 and the signal detection means 25 drift, and normal laser output control and position control of the optical head are disturbed. It is possible to solve the problem of the conventional optical head. still,
Other operations and configurations are the same as those of the embodiment shown in FIG. 1, and detailed description thereof will be omitted.

【0085】図15は、本実施例にかかる光ヘッドの構
成を示す回路図である。本実施例では、前記の不要なフ
ォトダイオードのアノード端子であるグランドラインと
前記前置増幅器13の間に前記ローパスフィルタ9が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段5
から前記レーザ出力検出手段26及び前記信号検出手段
25に漏洩した前記高周波成分が除去され、前記グラン
ドラインを通して前記前置増幅器13に入力されること
はない。本実施例では、前記レーザ雑音低減手段5の駆
動時でも正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御
が可能な、前記光半導体素子の特性を生かした小型で構
造が簡略な光ヘッドの実現できる。また、レーザ雑音低
減効果を充分に得るために比較的大きな出力の前記レー
ザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前記ドリフト量
は非常に小さなものとなるため、従来の性能を損なうこ
となく低雑音の光ヘッドを提供することが出来る。
FIG. 15 is a circuit diagram showing the structure of the optical head according to this embodiment. In this embodiment, the low pass filter 9 is inserted between the ground line which is the anode terminal of the unnecessary photodiode and the preamplifier 13. Thereby, the laser noise reduction means 5
The high frequency component leaked from the laser output detecting means 26 and the signal detecting means 25 to the preamplifier 13 is not inputted through the ground line. In the present embodiment, it is possible to realize a small-sized and simple-structured optical head that makes use of the characteristics of the optical semiconductor element and that can perform normal laser output control and optical head position control even when the laser noise reduction means 5 is driven. .. Further, even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the conventional performance is not deteriorated and the drift amount is reduced. It is possible to provide a noise optical head.

【0086】(実施例6)図16は、本発明の一実施例
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図10の
実施例では、前記基板8上に前記ローパスフィルタ9の
回路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ9
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図16に示す様に、前記
前置増幅器13に入力される各線をフェライトブロック
33に通し、不要な高周波成分を熱に変換して除去して
もよい。本方式によれば、図10の実施例と同様に、レ
ーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力
制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実
現できる。さらに、図10の実施例に比べて、はるかに
簡略かつローコストなフィルタを形成できるため、光ヘ
ッドの製造工数の削減及びコストダウンが可能になる。
尚、他の動作及び構成については、図10の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
(Embodiment 6) FIG. 16 is an explanatory diagram showing the structure of an optical head according to an embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 10, the circuit of the low-pass filter 9 is formed on the substrate 8. However, the low-pass filter 9
May be any low-pass means having a cutoff frequency sufficiently higher than the control band or signal band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. For example, as shown in FIG. 16, each wire input to the preamplifier 13 may be passed through a ferrite block 33 to convert unnecessary high frequency components into heat and remove the heat. According to this method, similarly to the embodiment of FIG. 10, it is possible to realize a compact optical head capable of performing normal laser output control and optical head position control even when the laser noise reduction means is driven. Further, as compared with the embodiment of FIG. 10, a much simpler and lower cost filter can be formed, so that the number of manufacturing steps of the optical head can be reduced and the cost can be reduced.
Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 10, detailed description will be omitted.

【0087】(実施例7)図17は、本発明の他の一実
施例に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図1
0の実施例では、前記基板8上に前記コイル41、前記
コンデンサ42等を用いて前記ローパスフィルタ9の回
路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ9
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図16示す様に、前記前
置増幅器13に入力される各線上に、絶縁膜を介して磁
性体を塗布し、不要な高周波成分を熱に変換して除去し
てもよい。前記磁性体を塗布する場所は、前記前置増幅
器と前記レンズホルダ1内部を接続する線10上でもよ
いし、前記基板8のプリントパターン上でもよい。図1
6は、前記基板8のプリントパターン上に前記磁性体を
塗布した場合を示している。本方式によれば、図10の
実施例と同様に、レーザ雑音低減手段を駆動した際で
も、正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可
能な小型光ヘッドを実現できる。さらに、前記磁性体の
塗布はディッピングあるいは印刷法で容易に行うことが
できるので、少ない工数で前記ローパスフィルタ9を形
成することができる。そのため、やはり小型でローコス
トの光ヘッドの実現を可能にする。尚、他の動作及び構
成については、図10の実施例と同様であるので、詳し
い説明は省略する。
(Embodiment 7) FIG. 17 is an explanatory view showing the structure of an optical head according to another embodiment of the present invention. Figure 1
In the No. 0 embodiment, the circuit of the low-pass filter 9 is formed on the substrate 8 by using the coil 41, the capacitor 42, and the like. However, the low-pass filter 9
May be any low-pass means having a cutoff frequency sufficiently higher than the control band or signal band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. For example, as shown in FIG. 16, a magnetic substance may be applied to each line input to the preamplifier 13 through an insulating film, and unnecessary high frequency components may be converted into heat and removed. The magnetic material may be applied on the line 10 connecting the preamplifier and the inside of the lens holder 1 or on the printed pattern of the substrate 8. Figure 1
6 shows a case where the magnetic material is applied onto the printed pattern of the substrate 8. According to this method, similarly to the embodiment of FIG. 10, it is possible to realize a compact optical head capable of performing normal laser output control and optical head position control even when the laser noise reduction means is driven. Furthermore, since the magnetic substance can be easily applied by dipping or printing, the low-pass filter 9 can be formed with a small number of steps. Therefore, it is also possible to realize a small-sized and low-cost optical head. Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 10, detailed description will be omitted.

【0088】(実施例8)図18は、本発明の他の一実
施例に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図1
0の実施例では、前記基板8上に前記コイル41、前記
コンデンサ42等を用いて前記ローパスフィルタ9の回
路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ9
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図18示す様に、基板8
上の、前記前置増幅器13の入力端子に接続される各配
線パターンを、高いインダクタンスを持つ様な形状と
し、不要な高周波成分を除去してもよい。本方式によれ
ば、工数を特に増やすことなく、簡単な方法でローパス
フィルタ9を形成することができ、図10の実施例と同
様に、レーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレ
ーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型でロ
ーコストな光ヘッドを実現できる。尚、他の動作及び構
成については、図10の実施例と同様であるので、詳し
い説明は省略する。
(Embodiment 8) FIG. 18 is an explanatory view showing the structure of an optical head according to another embodiment of the present invention. Figure 1
In the No. 0 embodiment, the circuit of the low-pass filter 9 is formed on the substrate 8 by using the coil 41, the capacitor 42, and the like. However, the low-pass filter 9
May be any low-pass means having a cutoff frequency sufficiently higher than the control band or signal band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. For example, as shown in FIG.
Each of the above wiring patterns connected to the input terminal of the preamplifier 13 may have a shape having a high inductance to remove unnecessary high frequency components. According to this method, it is possible to form the low-pass filter 9 by a simple method without increasing the number of steps, and as in the embodiment of FIG. 10, a normal laser output is obtained even when the laser noise reduction means is driven. It is possible to realize a small-sized and low-cost optical head capable of controlling and controlling the position of the optical head. Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 10, detailed description will be omitted.

【0089】(実施例9)図19は、本発明の一実施例
に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図1
の実施例では、前置増幅器13の入力部にローパスフィ
ルタ9を搭載していたが、前記ローパスフィルタ9は光
半導体素子の信号検出手段の出力部に搭載されていても
よい。
(Embodiment 9) FIG. 19 is an explanatory view showing the structure of an optical semiconductor element in an embodiment of the present invention. Figure 1
In the embodiment, the low-pass filter 9 is mounted on the input part of the preamplifier 13, but the low-pass filter 9 may be mounted on the output part of the signal detecting means of the optical semiconductor element.

【0090】前記光半導体素子は、レーザチップ23、
反射面24、記録媒体からの反射光から記録情報や位置
誤差信号を再生する信号検出手段及び前記レーザチップ
23からの出射光量を検出するためのレーザ出力検出手
段26を一体化して同一基板上に構成したウエハ27、
偏光板28、前記レーザチップ23及び前記ウエハ27
を外部回路と接続するためのリード端子29より成る。
前記レーザチップ23より前記ウエハ27の面と平行な
方向に出射されたレーザ光は、前記反射面24で90゜
進行方向を変えられ、前記ウエハ27の法線方向に放射
される。一方、記録媒体からの反射光は、前記光半導体
素子22内部の前記信号検出手段25上に集光され、光
エネルギーが電流に変換される。前記信号検出手段の出
力を電気的に演算することによって、フォーカスエラー
信号及びトラックエラー信号及び記録情報信号を生成す
ることができる。
The optical semiconductor element is a laser chip 23,
The reflecting surface 24, the signal detecting means for reproducing the recording information and the position error signal from the reflected light from the recording medium, and the laser output detecting means 26 for detecting the amount of light emitted from the laser chip 23 are integrated on the same substrate. Configured wafer 27,
Polarizing plate 28, laser chip 23 and wafer 27
Is connected to an external circuit by a lead terminal 29.
The laser light emitted from the laser chip 23 in a direction parallel to the surface of the wafer 27 is changed in its traveling direction by 90 ° by the reflection surface 24 and is emitted in the normal direction of the wafer 27. On the other hand, the reflected light from the recording medium is condensed on the signal detecting means 25 inside the optical semiconductor element 22, and the light energy is converted into a current. A focus error signal, a track error signal, and a recording information signal can be generated by electrically calculating the output of the signal detection means.

【0091】また、図には示されていないが、前記光半
導体素子22は、出射方向において透明封止部材で封止
されている。前記レーザチップ23から放射されたレー
ザ光は、前記回折手段21に達する前に前記透明封止部
材を通過しなければならない。その際、レーザ光の一部
がウエハ27上に反射され、前記レーザ出力検出手段2
6 に入射する。前記レーザ出力検出手段に入射する光
量は、前記レーザチップ23から放射される光量に比例
するため、前記レーザ出力検出手段26の出力から前記
レーザチップ23の出射光量をモニタすることができ
る。
Although not shown in the figure, the optical semiconductor element 22 is sealed with a transparent sealing member in the emitting direction. The laser light emitted from the laser chip 23 must pass through the transparent sealing member before reaching the diffracting means 21. At this time, a part of the laser light is reflected on the wafer 27, and the laser output detecting means 2
6 is incident. Since the amount of light incident on the laser output detector is proportional to the amount of light emitted from the laser chip 23, the amount of light emitted from the laser chip 23 can be monitored from the output of the laser output detector 26.

【0092】図19の実施例では、前記光半導体素子の
内部に本発明にかかるローパスフィルタ9が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ9は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ9のカットオフ周波
数は、前記信号検出手段の信号帯域より充分高く、かつ
前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定
されている。前記信号検出手段の出力には、前記レーザ
雑音低減手段5から発生する不要な高周波成分が含まれ
ている。しかし、本実施例においては、前記高周波成分
のほとんどは前記ローパスフィルタ9の働きで除去さ
れ、前記前置増幅器に入力されることはない。特に、本
実施例では光半導体素子の出力端子で既に高周波ノイズ
が除去されているので、そこから先の配線上での2次的
なノイズの輻射が起こる心配がない。また、本実施例の
光半導体素子をハイブリットICとして量産すれば、前
記前置増幅器13の回路構成を簡略にし、かつ部品点数
を削減することができる。一方、前記信号検出手段の本
来の出力は、前記ローパスフィルタ9を損失なく通過
し、前記前置増幅器13に達することができるため、前
記ローパスフィルタ9を搭載していなかった従来の光ヘ
ッドの性能を損なう事はない。
In the embodiment of FIG. 19, the low-pass filter 9 according to the present invention is mounted inside the optical semiconductor element and integrated with the optical semiconductor element. In the figure,
The low-pass filter 9 uses a small coil component. Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is set sufficiently higher than the signal band of the signal detection means and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. The output of the signal detecting means includes an unnecessary high frequency component generated from the laser noise reducing means 5. However, in the present embodiment, most of the high frequency components are removed by the action of the low pass filter 9 and are not input to the preamplifier. In particular, in this embodiment, since the high frequency noise has already been removed at the output terminal of the optical semiconductor element, there is no concern that secondary noise radiation will occur on the wiring beyond it. If the optical semiconductor device of this embodiment is mass-produced as a hybrid IC, the circuit configuration of the preamplifier 13 can be simplified and the number of parts can be reduced. On the other hand, the original output of the signal detecting means can pass through the low-pass filter 9 without loss and reach the preamplifier 13, so that the performance of the conventional optical head not equipped with the low-pass filter 9 is improved. There is no loss.

【0093】本実施例の光半導体素子を光ヘッドに用い
れば、レーザ雑音低減手段をONした場合に前記信号検
出手段の前記前置増幅器出力がドリフトし、光ヘッドの
正しい制御が阻害されるという従来の光ヘッドでの問題
点を改善することができる。
If the optical semiconductor element of this embodiment is used for an optical head, the output of the preamplifier of the signal detecting means will drift when the laser noise reducing means is turned on, and the correct control of the optical head will be hindered. Problems with the conventional optical head can be improved.

【0094】また、前記レーザ雑音低減手段5から漏洩
する高周波が光半導体素子の出力端子以前で低減される
ため、前記前置増幅器13側で対策する必要がなく、光
ヘッドがさらに小型化・簡略化される。一方、光半導体
素子と前記前置増幅器13を接続する配線からの高周波
ノイズの輻射も防止され、電磁波の不要輻射の少ない光
ヘッドが実現可能になる。
Further, since the high frequency leaked from the laser noise reduction means 5 is reduced before the output terminal of the optical semiconductor element, it is not necessary to take any countermeasures on the side of the preamplifier 13, and the optical head can be further downsized and simplified. Be converted. On the other hand, radiation of high-frequency noise from the wiring connecting the optical semiconductor element and the preamplifier 13 is also prevented, and an optical head with less unnecessary radiation of electromagnetic waves can be realized.

【0095】(実施例10)図20は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
19の実施例では、光半導体素子の信号検出手段の出力
部にローパスフィルタを搭載していたが、レーザ出力検
出手段の出力に搭載されていてもよい。
(Embodiment 10) FIG. 20 is an explanatory view showing the structure of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 19, the low-pass filter is mounted on the output section of the signal detecting means of the optical semiconductor element, but it may be mounted on the output of the laser output detecting means.

【0096】図20の実施例では、前記光半導体素子の
内部に本発明にかかるローパスフィルタ9が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ9は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ9のカットオフ周波
数は、レーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。前記レーザ出力検出手段26の出力には、前記レ
ーザ雑音低減手段5から発生する不要な高周波成分が含
まれている。しかし、本実施例においては、前記高周波
成分のほとんどは前記ローパスフィルタ9の働きで除去
され、前記前置増幅器に入力されることはない。特に、
本実施例では光半導体素子の出力端子で既に高周波ノイ
ズが除去されているので、そこから先の配線上での2次
的なノイズの輻射が起こる心配がない。また、本実施例
の光半導体素子をハイブリットICとして量産すれば、
前記前置増幅器13の回路構成を簡略にし、かつ部品点
数を削減することができる。一方、前記信号検出手段の
本来の出力は、前記ローパスフィルタ9を損失なく通過
し、前記前置増幅器13に達することができるため、前
記ローパスフィルタ9を搭載していなかった従来の光ヘ
ッドの性能を損なう事はない。
In the embodiment of FIG. 20, the low-pass filter 9 according to the present invention is mounted inside the optical semiconductor element and integrated with the optical semiconductor element. In the figure,
The low-pass filter 9 uses a small coil component. Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is set sufficiently higher than the control band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. The output of the laser output detecting means 26 contains an unnecessary high frequency component generated from the laser noise reducing means 5. However, in the present embodiment, most of the high frequency components are removed by the action of the low pass filter 9 and are not input to the preamplifier. In particular,
In this embodiment, since the high frequency noise has already been removed at the output terminal of the optical semiconductor element, there is no concern that secondary noise radiation will occur on the wiring beyond that. Further, if the optical semiconductor device of this embodiment is mass-produced as a hybrid IC,
The circuit configuration of the preamplifier 13 can be simplified and the number of parts can be reduced. On the other hand, the original output of the signal detecting means can pass through the low-pass filter 9 without loss and reach the preamplifier 13, so that the performance of the conventional optical head not equipped with the low-pass filter 9 is improved. There is no loss.

【0097】本実施例の光半導体素子を光ヘッドに用い
れば、レーザ雑音低減手段をONした場合に前記レーザ
出力検出手段26の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段5から漏洩する高周波が光半導体素子
の出力端子以前で低減されるため、前記前置増幅器13
側で対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡
略化される。一方、光半導体素子と前記前置増幅器13
を接続する配線からの高周波ノイズの輻射も防止され、
電磁波の不要輻射の少ない光ヘッドが実現可能になる。
尚、他の動作及び構成については、図19の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
If the optical semiconductor element of this embodiment is used for an optical head, the output of the preamplifier of the laser output detecting means 26 will drift when the laser noise reducing means is turned on.
The problem in the conventional optical head that the correct control of the laser output is disturbed can be improved. Further, since the high frequency leaked from the laser noise reduction means 5 is reduced before the output terminal of the optical semiconductor element, the preamplifier 13
It is not necessary to take any countermeasures on the side, and the optical head can be further downsized and simplified. On the other hand, the optical semiconductor device and the preamplifier 13
Radiation of high frequency noise from the wiring that connects the
It becomes possible to realize an optical head with less unnecessary radiation of electromagnetic waves.
Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 19, detailed description will be omitted.

【0098】(実施例11)図21は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
19及び図20の実施例では、光半導体素子の信号検出
手段及びレーザ出力検出手段の出力部にローパスフィル
タを搭載していたが、光半導体素子上の、前記各検出手
段にバイアスを与える電源入力端子に搭載されていても
よい。
(Embodiment 11) FIG. 21 is an explanatory view showing the structure of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In the embodiments of FIGS. 19 and 20, the low-pass filter is mounted on the output parts of the signal detecting means and the laser output detecting means of the optical semiconductor element, but a power supply for applying a bias to each of the detecting means on the optical semiconductor element. It may be mounted on the input terminal.

【0099】図21の実施例では、前記光半導体素子の
内部に本発明にかかるローパスフィルタ9が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ9は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ9のカットオフ周波
数は、前記信号検出手段の帯域及びレーザ出力の制御帯
域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数より充分低く設定されている。前記電源端子の入力
には、前記レーザ雑音低減手段5から発生する不要な高
周波成分が含まれている。これが前記各検出手段の出力
に漏洩する恐れがある。しかし、本実施例においては、
前記高周波成分のほとんどは前記ローパスフィルタ9の
働きで除去され、前記光半導体素子に入力されることは
ない。本実施例の光半導体素子をハイブリットICとし
て量産すれば、前記前置増幅器13の回路構成を簡略に
し、かつ部品点数を削減することができる。一方、前記
バイアス電圧は、前記ローパスフィルタ9を損失なく通
過し、前記各検出手段に達することができるため、前記
ローパスフィルタ9を搭載していなかった従来の光ヘッ
ドの性能を損なう事はない。
In the embodiment of FIG. 21, the low-pass filter 9 according to the present invention is mounted inside the optical semiconductor element and integrated with the optical semiconductor element. In the figure,
The low-pass filter 9 uses a small coil component. Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is set sufficiently higher than the band of the signal detecting means and the control band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means. The input of the power supply terminal contains an unnecessary high frequency component generated from the laser noise reduction means 5. This may leak to the output of each detection means. However, in this embodiment,
Most of the high frequency components are removed by the function of the low pass filter 9 and are not input to the optical semiconductor element. If the optical semiconductor element of this embodiment is mass-produced as a hybrid IC, the circuit configuration of the preamplifier 13 can be simplified and the number of parts can be reduced. On the other hand, the bias voltage can pass through the low-pass filter 9 without loss and reach the respective detection means, so that the performance of the conventional optical head not equipped with the low-pass filter 9 is not impaired.

【0100】本実施例の光半導体素子を光ヘッドに用い
れば、レーザ雑音低減手段をONした場合に前記レーザ
出力検出手段26の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段5から漏洩する高周波が光半導体素子
の入力端子で低減されるため、前記前置増幅器13側で
対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡略化
される。尚、他の動作及び構成については、図19の実
施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
If the optical semiconductor element of this embodiment is used for an optical head, the output of the preamplifier of the laser output detecting means 26 will drift when the laser noise reducing means is turned on.
The problem in the conventional optical head that the correct control of the laser output is disturbed can be improved. Further, since the high frequency leaked from the laser noise reduction means 5 is reduced at the input terminal of the optical semiconductor element, it is not necessary to take any countermeasures on the side of the preamplifier 13, and the optical head can be further downsized and simplified. Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 19, detailed description will be omitted.

【0101】(実施例12)図22は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
19及び図20の実施例では、光半導体素子の信号検出
手段及びレーザ出力検出手段の出力部にローパスフィル
タを搭載していたが、光半導体素子上のグランド端子に
搭載されていてもよい。
(Embodiment 12) FIG. 22 is an explanatory view showing the structure of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In the embodiments of FIGS. 19 and 20, the low-pass filter is mounted on the output parts of the signal detecting means and the laser output detecting means of the optical semiconductor element, but it may be mounted on the ground terminal on the optical semiconductor element.

【0102】図21に示す様な光半導体素子では、通常
ウエハ27上の各検出手段の周囲に形成される不要なフ
ォトダイオードのアノード端子をグランドに接続するた
めの、グランド端子を具備している。この端子に前記レ
ーザ雑音低減手段5で発生する高周波雑音が漏洩した場
合、やはり前置増幅器においてドリフト等の問題が発生
する。図21の実施例では、前記光半導体素子の内部の
グランドラインに本発明にかかるローパスフィルタ9が
取り付けられ、前記光半導体素子に一体化されている。
図中では、前記ローパスフィルタ9は小型のコイル部品
を用いている。ここで、前記ローパスフィルタ9のカッ
トオフ周波数は、前記信号検出手段の帯域及びレーザ出
力の制御帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手
段の発振周波数より充分低く設定されている。前記グラ
ンド端子の入力には、前記レーザ雑音低減手段5から発
生する不要な高周波成分が含まれている。これが前記各
検出手段の出力に漏洩する恐れがある。しかし、本実施
例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパ
スフィルタ9の働きで除去され、前記光半導体素子に入
力されることはない。本実施例の光半導体素子をハイブ
リットICとして量産すれば、前記前置増幅器の回路構
成を簡略にし、かつ部品点数を削減することができる。
一方、前記バイアス電圧は、前記ローパスフィルタ9を
損失なく通過し、前記各検出手段に達することができる
ため、前記ローパスフィルタ9を搭載していなかった従
来の光ヘッドの性能を損なう事はない。
The optical semiconductor element as shown in FIG. 21 is usually provided with a ground terminal for connecting the anode terminal of an unnecessary photodiode formed around each detecting means on the wafer 27 to the ground. . When the high frequency noise generated by the laser noise reduction means 5 leaks to this terminal, a problem such as drift occurs in the preamplifier. In the embodiment of FIG. 21, the low-pass filter 9 according to the present invention is attached to the ground line inside the optical semiconductor element and integrated with the optical semiconductor element.
In the figure, the low-pass filter 9 uses a small coil component. Here, the cutoff frequency of the low-pass filter 9 is set sufficiently higher than the band of the signal detecting means and the control band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means. The input to the ground terminal contains an unnecessary high frequency component generated from the laser noise reduction means 5. This may leak to the output of each detection means. However, in the present embodiment, most of the high frequency components are removed by the action of the low pass filter 9 and are not input to the optical semiconductor element. If the optical semiconductor element of this embodiment is mass-produced as a hybrid IC, the circuit configuration of the preamplifier can be simplified and the number of parts can be reduced.
On the other hand, the bias voltage can pass through the low-pass filter 9 without loss and reach the respective detection means, so that the performance of the conventional optical head not equipped with the low-pass filter 9 is not impaired.

【0103】本実施例の光半導体素子を光ヘッドに用い
れば、レーザ雑音低減手段をONした場合に前記レーザ
出力検出手段26の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段5から漏洩する高周波が光半導体素子
の入力端子で低減されるため、前記前置増幅器13側で
対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡略化
される。尚、他の動作及び構成については、図19の実
施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
If the optical semiconductor device of this embodiment is used for an optical head, the output of the preamplifier of the laser output detecting means 26 will drift when the laser noise reducing means is turned on.
The problem in the conventional optical head that the correct control of the laser output is disturbed can be improved. Further, since the high frequency leaked from the laser noise reduction means 5 is reduced at the input terminal of the optical semiconductor element, it is not necessary to take any countermeasures on the side of the preamplifier 13, and the optical head can be further downsized and simplified. Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 19, detailed description will be omitted.

【0104】(実施例13)図23は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
19及び図20の実施例では、ローパスフィルタとして
小型コイル部品を搭載していた。しかし、前記ローパス
フィルタ9は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯
域または信号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低
減手段の発振周波数より充分低い低域通過手段であれ
ば、いかなるものであっても良い。例えば、図23示す
様に、各検出手段の出力線をフェライトブロックで覆っ
たものでもよい。本実施例によれば、簡単にローパスフ
ィルタ9を形成することができる。また、図19の実施
例よりローコストな光半導体素子を作ることができる。
尚、他の動作及び構成については、図19の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
(Embodiment 13) FIG. 23 is an explanatory view showing the structure of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In the embodiment of FIGS. 19 and 20, a small coil component is mounted as a low pass filter. However, the low-pass filter 9 may be any low-pass means having a cutoff frequency sufficiently higher than the control band or signal band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. good. For example, as shown in FIG. 23, the output line of each detecting means may be covered with a ferrite block. According to this embodiment, the low pass filter 9 can be easily formed. In addition, it is possible to manufacture a low-cost optical semiconductor device as compared with the embodiment shown in FIG.
Since the other operations and configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 19, detailed description will be omitted.

【0105】(実施例14)図24は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。前
記ローパスフィルタ9は、カットオフ周波数がレーザ出
力の制御帯域または信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低い低域通過手
段であれば、いかなるものであっても良い。例えば、前
記光半導体素子の各検出手段の出力線上に、絶縁膜を介
して磁性体を塗布し、不要な高周波成分を熱に変換して
除去してもよい。本実施例によれば、簡単にローパスフ
ィルタ9を形成することができる。また、図19の実施
例よりローコストな光半導体素子を作ることができる。
(Embodiment 14) FIG. 24 is an explanatory view showing the structure of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. The low-pass filter 9 may be any low-pass means having a cutoff frequency sufficiently higher than the control band or signal band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. For example, a magnetic material may be applied to the output line of each detection means of the optical semiconductor element via an insulating film, and unnecessary high frequency components may be converted into heat and removed. According to this embodiment, the low pass filter 9 can be easily formed. In addition, it is possible to manufacture a low-cost optical semiconductor device as compared with the embodiment shown in FIG.

【0106】本方式によれば、図19の実施例と同様の
効果が得られる他、前記磁性体の塗布はディッピングあ
るいは印刷法で容易に行うことができるので、少ない工
数で前記ローパスフィルタ9を形成することができる。
そのため、やはり小型でローコストの光ヘッドの実現を
可能にする。尚、他の動作及び構成については、図19
の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
According to this method, the same effect as that of the embodiment of FIG. 19 can be obtained, and since the magnetic material can be easily applied by dipping or printing, the low-pass filter 9 can be formed with a small number of steps. Can be formed.
Therefore, it is also possible to realize a small-sized and low-cost optical head. Incidentally, regarding other operations and configurations, FIG.
The detailed description will be omitted because it is the same as that of the first embodiment.

【0107】(実施例15)図25は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。前
記ローパスフィルタ9は、カットオフ周波数がレーザ出
力の制御帯域または信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低い低域通過手
段であれば、いかなるものであっても良い。例えば、図
25示す様に、ウエハ27上の、前記各検出手段の入力
端子に接続される各配線パターンを、高いインダクタン
スを持つ様な形状とし、不要な高周波成分を除去しても
よい。本方式によれば、工数を特に増やすことなく、簡
単な方法でローパスフィルタ9を形成することができ、
図19の実施例と同様に、小型でローコストな光ヘッド
を実現できる。尚、他の動作及び構成については、図1
9の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
(Embodiment 15) FIG. 25 is an explanatory view showing the structure of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. The low-pass filter 9 may be any low-pass means having a cutoff frequency sufficiently higher than the control band or signal band of the laser output and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means. For example, as shown in FIG. 25, each wiring pattern on the wafer 27 connected to the input terminal of each of the detecting means may be formed to have a high inductance to remove unnecessary high frequency components. According to this method, the low-pass filter 9 can be formed by a simple method without increasing the number of steps.
Similar to the embodiment of FIG. 19, a compact and low-cost optical head can be realized. The other operations and configurations are shown in FIG.
Since it is the same as the ninth embodiment, detailed description is omitted.

【0108】(実施例16)光ディスク装置では、レー
ザダイオードから出射したレーザ光が光ディスク及び光
ヘッド内部の光学系で反射され、再び前記レーザダイオ
ードに入射することによって各信号出力に雑音を生ずる
という現象が問題となる。本発明の光ヘッドを用いて光
ディスク装置を構成した場合、レーザ雑音低減手段の働
きにより前記雑音の発生が防止され、かつ前記レーザ雑
音低減手段からの高周波雑音はローパスフィルタの働き
で信号検出系に漏洩しないので、フォーカシングサー
ボ、トラッキングサーボが安定になり、読みだし信号の
品質も向上する。その結果、読み取りエラーも減少し、
より完成度の高い光ディスク装置を供給することができ
る。また、本発明の光ヘッドでは、前置増幅器に入力さ
れる高周波雑音が低減されるので、光ヘッドと光ディス
ク装置を接続する接続線からの雑音の放射も少ない。よ
って本発明の光ヘッドを用いれば、不要放射雑音の少な
い光ディスク装置を提供することが可能となる。
(Embodiment 16) In the optical disk device, the laser light emitted from the laser diode is reflected by the optical system inside the optical disk and the optical head, and enters the laser diode again to cause noise in each signal output. Is a problem. When an optical disk device is constructed by using the optical head of the present invention, the generation of the noise is prevented by the function of the laser noise reducing means, and the high frequency noise from the laser noise reducing means is applied to the signal detection system by the function of the low pass filter. Since it does not leak, the focusing servo and tracking servo are stable, and the quality of the read signal is also improved. As a result, reading errors are reduced,
It is possible to supply an optical disc device having a higher degree of perfection. Further, in the optical head of the present invention, the high frequency noise input to the preamplifier is reduced, so that the noise emission from the connection line connecting the optical head and the optical disk device is small. Therefore, by using the optical head of the present invention, it becomes possible to provide an optical disc device with less unnecessary radiation noise.

【0109】[0109]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、次に
示す様な効果がもたらされる。
As described above, according to the present invention, the following effects are brought about.

【0110】(1)本発明においては、前置増幅器と前
記信号検出手段の間には本発明にかかる帯域制限手段が
取り付けられている。さらに、前記帯域制限手段のカッ
トオフ周波数を、前記信号検出手段の信号帯域より充分
高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高
周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下まで減
衰させたことにより、前記前置増幅器で前記高周波雑音
の波形が歪むことはない。そのため、レーザ雑音低減手
段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が不安定にな
ったり、前記信号検出手段の前記前置増幅器出力がドリ
フトしたりして、光ヘッドの正しい位置制御が阻害され
たりするという問題点を改善することができる。また、
レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大きな出
力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前
記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従来の性
能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供することが
出来る。
(1) In the present invention, the band limiting means according to the present invention is attached between the preamplifier and the signal detecting means. Further, the cutoff frequency of the band limiting means is set sufficiently higher than the signal band of the signal detecting means and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means, and high frequency noise leaking from the laser noise reducing means is set to the above. By attenuating the preamplifier to the allowable input level or less, the preamplifier does not distort the waveform of the high frequency noise. Therefore, when the laser noise reducing means is driven, the operation of the preamplifier becomes unstable, or the output of the preamplifier of the signal detecting means drifts, which hinders correct position control of the optical head. It is possible to improve the problem that Also,
Even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the low noise can be obtained without impairing the conventional performance. An optical head can be provided.

【0111】(2)また、本発明の光ヘッドでは、前記
前置増幅器とレーザ出力検出手段との間に帯域制限手段
が設られいる。さらに、前記帯域制限手段のカットオフ
周波数を、前記レーザ出力検出手段の信号帯域より充分
高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高
周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下まで減
衰させたことにより、前記前置増幅器で前記高周波雑音
の波形が歪むことはない。その結果、レーザ雑音低減手
段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が不安定にな
ったり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出力
がドリフトしたりして、レーザ出力の正しい制御が阻害
されるという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るため
に比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッ
ドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとな
るため、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッド
を提供することが出来る。
(2) Further, in the optical head of the present invention, the band limiting means is provided between the preamplifier and the laser output detecting means. Further, the cut-off frequency of the band limiting means is set sufficiently higher than the signal band of the laser output detecting means and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means to prevent high frequency noise leaking from the laser noise reducing means. By attenuating the preamplifier to the allowable input level or less, the waveform of the high frequency noise is not distorted in the preamplifier. As a result, when the laser noise reduction means is driven, the operation of the preamplifier becomes unstable, or the output of the preamplifier of the laser output detection means drifts, which hinders correct control of the laser output. It is possible to improve the problem of the conventional optical head. Further, even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the conventional performance is not deteriorated and the drift amount is reduced. It is possible to provide a noise optical head.

【0112】(3)また、本発明の光ヘッドでは、前記
各検出手段のコモン端子と前記前置増幅器の電源端子と
の間に帯域制限手段が設られている。さらに、前記帯域
制限手段のカットオフ周波数を、前記各検出手段の信号
帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振
周波数より充分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベ
ル以下まで減衰させたことにより、前記前置増幅器で前
記高周波雑音の波形が歪むことはない。そのため、レー
ザ雑音低減手段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作
が不安定になったり、前記信号検出手段の前記前置増幅
器出力がドリフトし、光ヘッドの正しい位置制御が阻害
されたり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出
力がドリフトし、レーザ出力の正しい制御が阻害された
りするという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るため
に比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッ
ドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとな
るため、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッド
を提供することが出来る。
(3) Further, in the optical head of the present invention, the band limiting means is provided between the common terminal of each detecting means and the power supply terminal of the preamplifier. Further, the cutoff frequency of the band limiting means is set sufficiently higher than the signal band of each of the detecting means and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means, and the high frequency noise leaking from the laser noise reducing means is set to the above. By attenuating the preamplifier to the allowable input level or less, the preamplifier does not distort the waveform of the high frequency noise. Therefore, when the laser noise reduction means is driven, the operation of the preamplifier becomes unstable, the output of the preamplifier of the signal detection means drifts, and the correct position control of the optical head is disturbed. It is possible to solve the problem in the conventional optical head that the output of the preamplifier of the laser output detecting means drifts and the correct control of the laser output is hindered. Further, even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the conventional performance is not deteriorated and the drift amount is reduced. It is possible to provide a noise optical head.

【0113】(4)また、本発明の光ヘッドでは、前記
各検出手段の接地端子と前記前置増幅器の接地端子との
間に帯域制限手段が設られている。さらに、前記帯域制
限手段のカットオフ周波数を、前記各検出手段の信号帯
域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数より充分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から
漏洩する高周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル
以下まで減衰させたことにより、前記前置増幅器で前記
高周波雑音の波形が歪むことはない。そのため、レーザ
雑音低減手段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が
不安定になったり、前記信号検出手段の前記前置増幅器
出力がドリフトし、光ヘッドの正しい位置制御が阻害さ
れたり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出力
がドリフトし、レーザ出力の正しい制御が阻害されると
いう従来の光ヘッドでの問題点を改善することができ
る。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較
的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用
いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるた
め、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提
供することが出来る。
(4) Further, in the optical head of the present invention, band limiting means is provided between the ground terminal of each of the detecting means and the ground terminal of the preamplifier. Further, the cutoff frequency of the band limiting means is set sufficiently higher than the signal band of each of the detecting means and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means, and the high frequency noise leaking from the laser noise reducing means is set to the above. By attenuating the preamplifier to the allowable input level or less, the preamplifier does not distort the waveform of the high frequency noise. Therefore, when the laser noise reduction means is driven, the operation of the preamplifier becomes unstable, the output of the preamplifier of the signal detection means drifts, and the correct position control of the optical head is disturbed. It is possible to solve the problem in the conventional optical head that the output of the preamplifier of the laser output detecting means drifts and the correct control of the laser output is disturbed. Further, even if the laser noise reducing means having a relatively large output is used for the optical head in order to sufficiently obtain the laser noise reducing effect, the drift amount becomes very small, so that the conventional performance is not deteriorated and the drift amount is reduced. It is possible to provide a noise optical head.

【0114】(5)前記前置増幅器の入力端子のうち、
前記各検出手段に接続される端子以外の端子に帯域制限
手段を設け、レーザ雑音低減手段から漏洩する高周波雑
音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下に低減した場
合、前記帯域制限手段を挿入した入力端子に関わる出力
は、やはり前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高周波
の影響を回避する事ができる。例えば、光ヘッド内に温
度検出手段を設置し、前記前置増幅器を用いて増幅して
出力する場合、前記温度検出手段と前記前置増幅器の間
に前記帯域制限手段を挿入すれば、前記レーザ雑音低減
手段駆動時に温度検出信号がドリフトし、誤った検出を
行ったりすることはない。また、光ヘッド内にレンズホ
ルダ位置検出手段を設置し、前記前置増幅器を用いて増
幅して出力する場合、前記レンズホルダ位置検出手段と
前記前置増幅器の間に前記帯域制限手段を挿入すれば、
前記レーザ雑音低減手段駆動時にレンズホルダ位置検出
信号がドリフトし、誤った検出を行ったりすることはな
い。
(5) Of the input terminals of the preamplifier,
Band limiting means is provided at terminals other than the terminals connected to the detecting means, and when the high frequency noise leaking from the laser noise reducing means is reduced to the allowable input level of the preamplifier or less, the band limiting means is inserted. The output related to the input terminal can also avoid the influence of the high frequency leaked from the laser noise reduction means. For example, when the temperature detecting means is installed in the optical head and the preamplifier is used for amplification and output, if the band limiting means is inserted between the temperature detecting means and the preamplifier, The temperature detection signal will not drift when the noise reduction means is driven, and erroneous detection will not occur. When the lens holder position detecting means is installed in the optical head and the preamplifier is used for amplification and output, the band limiting means is inserted between the lens holder position detecting means and the preamplifier. If
There is no chance that the lens holder position detection signal will drift when the laser noise reduction means is driven, resulting in erroneous detection.

【0115】(6)前記帯域制限手段を一般に入手可能
なコイル部品を用いて実現した場合、簡単にローパスフ
ィルタを形成され、大きなコストアップなしに不要な高
周波雑音を除去する事ができる。即ち、レーザ雑音低減
手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御及び光ヘ
ッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実現できる。
(6) When the band limiting means is realized by using commonly available coil parts, a low-pass filter can be easily formed, and unnecessary high frequency noise can be removed without a large increase in cost. That is, it is possible to realize a small optical head capable of performing normal laser output control and optical head position control even when the laser noise reduction means is driven.

【0116】(7)前記前置増幅器に入力される各線を
磁性体ブロックに通し、簡易的な帯域制限手段を形成し
た場合、同様に、不要な高周波雑音を除去することがで
き、レーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレー
ザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッ
ドを実現できる。さらに、はるかに簡略かつローコスト
な帯域制限手段を形成できるため、光ヘッドの製造工数
の削減及びコストダウンが可能になる。
(7) When a simple band limiting means is formed by passing each wire input to the preamplifier through a magnetic block, similarly, unnecessary high frequency noise can be removed and laser noise can be reduced. Even when the means is driven, it is possible to realize a compact optical head capable of performing normal laser output control and optical head position control. Furthermore, since a much simpler and lower cost band limiting means can be formed, it is possible to reduce the number of manufacturing steps of the optical head and reduce the cost.

【0117】(8)前記前置増幅器に入力される各線上
に、絶縁膜を介して磁性体を塗布することにより帯域制
限手段を形成した場合、簡単な構成で不要な高周波成分
を熱に変換して除去する事ができるので、やはりレーザ
雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御
及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実現で
きる。さらに、少ない工数で前記帯域制限手段を形成す
ることができるため、一層小型でローコストの光ヘッド
の実現が可能になる。
(8) When band limiting means is formed by coating a magnetic material on each line input to the preamplifier through an insulating film, unnecessary high frequency components are converted into heat with a simple structure. Therefore, it is possible to realize a small optical head capable of performing normal laser output control and optical head position control even when the laser noise reduction means is driven. Further, since the band limiting means can be formed with a small number of steps, it is possible to realize an even smaller and low cost optical head.

【0118】(9)前記前置増幅器に入力される各線
を、高いインピーダンスを有する様な形状や配線パター
ンにすることにより、簡易的にインダクタを形成して帯
域制限手段とした場合、簡単な構成で不要な高周波成分
を除去する事ができるので、同様にレーザ雑音低減手段
を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御及び光ヘッド
の位置制御が可能な小型光ヘッドを実現できる。さらに
この場合、工数を増やすことなく前記前置増幅器の基板
設計と同時に前記帯域制限手段を形成することができる
ため、一層小型でローコストの光ヘッドの実現が可能に
なる。
(9) When each inductor input to the preamplifier is formed into a shape or a wiring pattern having a high impedance to simply form an inductor and serve as a band limiting means, a simple structure is obtained. Since unnecessary high frequency components can be removed by the above, a small optical head capable of performing normal laser output control and optical head position control even when the laser noise reduction means is driven can be realized. Further, in this case, since the band limiting means can be formed at the same time as the substrate design of the preamplifier without increasing the number of steps, it is possible to realize a smaller and low cost optical head.

【0119】(10)ローパスフィルタを光半導体素子
の信号検出手段の出力部に搭載し、信号検出手段の出力
に含まれる前記レーザ雑音低減手段5から発生する不要
な高周波成分を除去することにより、やはり前置増幅器
でのノイズによるドリフト等の問題を解消することがで
きると共に、前記信号検出手段と前記前置増幅器の配線
上での2次的なノイズの輻射を防止することができる。
また、本実施例の光半導体素子をハイブリットICとし
て量産すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィル
タを持つ必要がないので、前記前置増幅器13の回路構
成を簡略にし、かつ部品点数を削減することができる。
(10) By mounting a low-pass filter on the output section of the signal detecting means of the optical semiconductor element and removing unnecessary high frequency components generated from the laser noise reducing means 5 included in the output of the signal detecting means, Again, it is possible to solve the problem such as drift due to noise in the preamplifier, and prevent secondary noise radiation on the wiring of the signal detecting means and the preamplifier.
Further, if the optical semiconductor device of this embodiment is mass-produced as a hybrid IC, it is not necessary to have the low-pass filter on the side of the preamplifier, so the circuit configuration of the preamplifier 13 is simplified and the number of parts is reduced. can do.

【0120】(11)同様に、ローパスフィルタを光半
導体素子のレーザ出力検出手段の出力部に搭載し、レー
ザ出力検出手段の出力に含まれる前記レーザ雑音低減手
段5から発生する不要な高周波成分を除去することによ
り、やはり前置増幅器でのノイズによるドリフト等の問
題を解消することができると共に、レーザ出力検出手段
と前記前置増幅器の配線上での2次的なノイズの輻射を
防止することができる。また、本実施例の光半導体素子
をハイブリットICとして量産すれば、前記前置増幅器
側に前記ローパスフィルタを持つ必要がないので、前記
前置増幅器13の回路構成を簡略にし、かつ部品点数を
削減することができる。
(11) Similarly, a low-pass filter is mounted on the output section of the laser output detecting means of the optical semiconductor element to eliminate unnecessary high frequency components generated from the laser noise reducing means 5 included in the output of the laser output detecting means. By removing it, it is possible to solve the problem such as drift due to noise in the preamplifier, and prevent secondary noise radiation on the wiring of the laser output detecting means and the preamplifier. You can Further, if the optical semiconductor device of this embodiment is mass-produced as a hybrid IC, it is not necessary to have the low-pass filter on the side of the preamplifier, so the circuit configuration of the preamplifier 13 is simplified and the number of parts is reduced. can do.

【0121】(12)同様に、ローパスフィルタを光半
導体素子のグランド端子に挿入し、各検出手段の出力に
含まれる前記レーザ雑音低減手段5から発生する不要な
高周波成分がグランドラインを通して前置増幅器に入り
込むの防止することにより、やはり前置増幅器でのノイ
ズによるドリフト等の問題を解消することができると共
に、レーザ出力検出手段と前記前置増幅器の配線上での
2次的なノイズの輻射を防止することができる。また、
本実施例の光半導体素子をハイブリットICとして量産
すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィルタを持
つ必要がないので、前記前置増幅器13の回路構成を簡
略にし、かつ部品点数を削減することができる。
(12) Similarly, a low-pass filter is inserted in the ground terminal of the optical semiconductor element, and unnecessary high-frequency components generated from the laser noise reduction means 5 included in the output of each detection means pass through the ground line and the preamplifier. By preventing the entry, it is possible to solve the problem such as drift due to noise in the preamplifier, and also to prevent the secondary radiation of noise on the wiring of the laser output detecting means and the preamplifier. Can be prevented. Also,
If the optical semiconductor device of this embodiment is mass-produced as a hybrid IC, it is not necessary to have the low-pass filter on the side of the preamplifier, so that the circuit configuration of the preamplifier 13 can be simplified and the number of parts can be reduced. You can

【0122】(13)同様に、ローパスフィルタを光半
導体素子のバイアス電源端子に挿入し、各検出手段の出
力に含まれる前記レーザ雑音低減手段5から発生する不
要な高周波成分が電源ラインを通して前置増幅器に入り
込むの防止することにより、やはり前置増幅器でのノイ
ズによるドリフト等の問題を解消することができると共
に、レーザ出力検出手段と前記前置増幅器の配線上での
2次的なノイズの輻射を防止することができる。また、
本実施例の光半導体素子をハイブリットICとして量産
すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィルタを持
つ必要がないので、前記前置増幅器13の回路構成を簡
略にし、かつ部品点数を削減することができる。
(13) Similarly, a low-pass filter is inserted in the bias power supply terminal of the optical semiconductor element, and unnecessary high frequency components generated from the laser noise reduction means 5 included in the output of each detection means are pre-passed through the power supply line. By preventing the noise from entering the amplifier, it is possible to solve the problem such as drift due to noise in the preamplifier, and at the same time, secondary radiation of noise on the wiring between the laser output detecting means and the preamplifier. Can be prevented. Also,
If the optical semiconductor device of this embodiment is mass-produced as a hybrid IC, it is not necessary to have the low-pass filter on the side of the preamplifier, so that the circuit configuration of the preamplifier 13 can be simplified and the number of parts can be reduced. You can

【0123】(14)前記光半導体素子の出力部に搭載
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線をフ
ェライトブロックで覆うことにより実現してもよく、そ
の場合小型コイル部品を用いるより量産性に優れ、同じ
高周波ノイズ除去効果を持ちながらローコストな光半導
体素子を作ることができる。
(14) The low-pass filter mounted on the output section of the optical semiconductor element may be realized by covering the output line of each detection means with a ferrite block, in which case mass productivity is better than using a small coil component. It is possible to fabricate a low-cost optical semiconductor device which is excellent in high frequency noise removal effect.

【0124】(15)前記光半導体素子の出力部に搭載
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線に磁
性体を塗布することにより実現してもよく、その場合小
型コイル部品やフェライトブロックを用いるよりさらに
構成が簡略化され、軽量化される。また量産性にも優れ
るため、同じ高周波ノイズ除去効果を持ちながらローコ
ストな光半導体素子を作ることができる。
(15) The low-pass filter mounted on the output section of the optical semiconductor element may be realized by applying a magnetic material to the output line of each detecting means. In that case, a small coil component or a ferrite block may be used. The structure is further simplified and the weight is reduced as compared with the case of using. Further, since it is excellent in mass productivity, it is possible to manufacture a low-cost optical semiconductor element while having the same high frequency noise removing effect.

【0125】(16)前記光半導体素子の出力部に搭載
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線に特
定の引き回し形状を施し、等価的にインダクタを形成す
ることにより実現してもよく、その場合とくに工程を増
やすことなくウエハの製造工程で前記ローパスフィルタ
を作る事ができるため、さらに構成が簡略化され、軽量
化される。また量産性にも優れるため、同じ高周波ノイ
ズ除去効果を持ちながらローコストな光半導体素子を作
ることができる。
(16) The low-pass filter mounted on the output section of the optical semiconductor element may be realized by forming an equivalent inductor by giving a specific routing shape to the output line of each detecting means, In this case, since the low-pass filter can be manufactured in the wafer manufacturing process without increasing the number of processes, the structure is further simplified and the weight is reduced. Further, since it is excellent in mass productivity, it is possible to manufacture a low-cost optical semiconductor element while having the same high frequency noise removing effect.

【0126】(17)レーザチップと前記信号検出手段
あるいは前記レーザ出力検出手段を複合した光半導体素
子を用いて光ヘッドを構成した場合、小型で構造が簡略
な光ヘッドの実現が可能になる事が最大の利点である。
しかし一方で、前記光半導体素子では前記レーザ雑音低
減手段から前記各検出手段への高周波雑音の漏洩が起こ
りやすい。本発明の構成を用いることにより、前記光半
導体素子の特性を生かした、小型で簡略、またローコス
トな光ヘッドを作る事ができる。
(17) When an optical head is constructed by using an optical semiconductor element in which a laser chip and the signal detecting means or the laser output detecting means are combined, a compact and simple optical head can be realized. Is the biggest advantage.
However, on the other hand, in the optical semiconductor element, high-frequency noise easily leaks from the laser noise reduction means to the detection means. By using the configuration of the present invention, it is possible to manufacture an optical head that is small in size, simple, and low in cost, making the most of the characteristics of the optical semiconductor element.

【0127】(18)特にレーザチップと前記信号検出
手段あるいは前記レーザ出力検出手段を複合した光半導
体素子を用いると共に、前置増幅器及びレーザ雑音低減
手段を近接させて配置して小型光ヘッドを構成した場
合、さらに高周波雑音が漏洩しやすくなる。本発明の構
成を用いることにより、前記レーザ雑音低減手段から前
記各検出手段への高周波雑音の漏洩が防止されるので、
超小型の光ヘッドを作る事が可能になる。
(18) In particular, an optical semiconductor element in which a laser chip and the signal detecting means or the laser output detecting means are combined is used, and the preamplifier and the laser noise reducing means are arranged in close proximity to each other to form a small optical head. In that case, high frequency noise is more likely to leak. By using the configuration of the present invention, since the leakage of high frequency noise from the laser noise reduction means to each of the detection means is prevented,
It becomes possible to make an ultra-small optical head.

【0128】(19)本発明にかかる光ヘッドを用いて
光学式情報記録再生装置を構成した場合、発振出力が大
きなレーザ雑音低減手段を搭載できるため、レーザ雑音
低減効果を充分に生かした、低雑音の信号検出が可能で
あり、安定した光ヘッドの制御と、高品位な情報の読み
取りが可能になる。その結果、動作が安定で誤り確率が
低い高性能な光学式情報記録再生装置を実現することが
できる。
(19) When an optical information recording / reproducing apparatus is constructed by using the optical head according to the present invention, a laser noise reducing means having a large oscillation output can be mounted, so that the laser noise reducing effect can be fully utilized and low Noise signal detection is possible, stable optical head control, and high-quality information reading become possible. As a result, it is possible to realize a high-performance optical information recording / reproducing apparatus which is stable in operation and has a low error probability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光ヘッドの一実施例の構造を示す説明
図。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the structure of an embodiment of an optical head of the present invention.

【図2】図1の光ヘッドにおけるレンズホルダの構造示
す説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the structure of a lens holder in the optical head of FIG.

【図3】図1の光ヘッドにおける光半導体素子の詳細を
示す説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing details of an optical semiconductor element in the optical head of FIG.

【図4】図1の光ヘッドの電気的回路を示すブロック
図。
FIG. 4 is a block diagram showing an electrical circuit of the optical head of FIG.

【図5】図1の光ヘッドの電気的回路を示す説明図。5 is an explanatory diagram showing an electric circuit of the optical head of FIG. 1. FIG.

【図6】本発明の光ヘッドにおける帯域制限手段の特性
及び作用を示す説明図。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing characteristics and actions of a band limiting unit in the optical head of the present invention.

【図7】図1の光ヘッドにおける帯域制限手段の他の実
施例を示す説明図。
7 is an explanatory view showing another embodiment of the band limiting means in the optical head of FIG.

【図8】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示す
説明図。
FIG. 8 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical head of the present invention.

【図9】図8の光ヘッドの電気的回路を示すブロック
図。
9 is a block diagram showing an electric circuit of the optical head of FIG.

【図10】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
FIG. 10 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical head of the present invention.

【図11】図10の光ヘッドの電気的回路を示すブロッ
ク図。
11 is a block diagram showing an electric circuit of the optical head shown in FIG.

【図12】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
FIG. 12 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical head of the present invention.

【図13】図12光ヘッドの電気的回路を示す説明図。FIG. 13 is an explanatory diagram showing an electrical circuit of the optical head of FIG. 12;

【図14】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
FIG. 14 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical head of the present invention.

【図15】図14の光ヘッドの電気的回路を示す説明
図。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing an electrical circuit of the optical head of FIG.

【図16】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
FIG. 16 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical head of the present invention.

【図17】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
FIG. 17 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical head of the present invention.

【図18】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
FIG. 18 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical head of the present invention.

【図19】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
FIG. 19 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical semiconductor element of the present invention.

【図20】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
FIG. 20 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical semiconductor element of the present invention.

【図21】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
FIG. 21 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical semiconductor element of the present invention.

【図22】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
FIG. 22 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical semiconductor element of the present invention.

【図23】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
FIG. 23 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical semiconductor element of the present invention.

【図24】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
FIG. 24 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical semiconductor element of the present invention.

【図25】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
FIG. 25 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the optical semiconductor element of the present invention.

【図26】従来の光ヘッドの構造の一例を示す説明図。FIG. 26 is an explanatory diagram showing an example of a structure of a conventional optical head.

【図27】従来の光ヘッドの構造の一例を示す説明図。FIG. 27 is an explanatory diagram showing an example of a structure of a conventional optical head.

【図28】図27ヘッドにおけるレンズホルダの構造示
す説明図。
FIG. 28 is an explanatory view showing the structure of a lens holder in the head shown in FIG. 27.

【図29】図27ヘッドにおける光半導体素子の詳細を
示す説明図。
FIG. 29 is an explanatory view showing details of an optical semiconductor element in the head shown in FIG. 27.

【図30】従来の光ヘッドの電気的回路を示すブロック
図。
FIG. 30 is a block diagram showing an electrical circuit of a conventional optical head.

【図31】従来の光ヘッドの問題点を説明するための説
明図。
FIG. 31 is an explanatory diagram for explaining a problem of the conventional optical head.

【図32】従来の光ヘッドの問題点を説明するための説
明図。
FIG. 32 is an explanatory diagram for explaining a problem of the conventional optical head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レンズホルダ 2 支柱 3 支持ばね 4 磁石 5 レーザ雑音低減手段 6 貫通コンデンサ 7 シールドケース 8 基板 9 帯域制限手段(ローパスフィルタ) 10 前記前置増幅器と前記レンズホルダ内部を接続す
る線 11 前記レーザ雑音低減手段と前記レンズホルダ内部
を接続する線 12 前記レーザ雑音低減手段と前記貫通コンデンサを
接続する線 13 前置増幅器 14 出力線 15 対物レンズ 16 出射窓 17 フォーカシングコイル 18 トラッキングコイル 19 スリット 20 はね上げミラー 21 回折手段 22 光半導体素子 23 レーザチップ 24 反射面 25 信号検出手段 26 レーザ出力検出手段 27 ウエハ 28 偏光板 29 リード端子 30 レーザダイオード駆動電流 31 信号出力 32 レーザ出力検出信号 33 フェライトブロック 34 浮遊容量C1 35 浮遊容量C2 36 前置増幅器出力 37 フォトダイオード コモン端子 38 フォトダイオード 39 レーザ雑音低減手段電源端子 40 前置増幅器電源端子 41 コイル 42 コンデンサ 43 高周波発振器 44 レーザ雑音低減手段出力 45 遮断周波数fc 46 レーザ雑音低減手段周波数f0 47 線形素子 48 非線形素子 49 直流成分入力 50 交流成分入力 51 レーザチップグランド 52 前置増幅器グランド 53 ダミーフォトダイオード 54 フェライトペースト 55 プリズム 56 コリメートレンズ 57 半導体レーザダイオード
1 Lens Holder 2 Support 3 Support Spring 4 Magnet 5 Laser Noise Reducing Means 6 Penetrating Capacitor 7 Shield Case 8 Substrate 9 Band Limiting Means (Low Pass Filter) 10 Line Connecting the Preamplifier to the Inside of the Lens Holder 11 Laser Noise Reduction A line connecting the means and the inside of the lens holder 12 A line connecting the laser noise reducing means and the feedthrough capacitor 13 Preamplifier 14 Output line 15 Objective lens 16 Outgoing window 17 Focusing coil 18 Tracking coil 19 Slit 20 Flipping mirror 21 Diffraction Means 22 Optical semiconductor element 23 Laser chip 24 Reflecting surface 25 Signal detecting means 26 Laser output detecting means 27 Wafer 28 Polarizing plate 29 Lead terminal 30 Laser diode drive current 31 Signal output 32 Laser output detecting signal 33 Ferrai Block 34 Stray capacitance C1 35 Stray capacitance C2 36 Preamplifier output 37 Photodiode common terminal 38 Photodiode 39 Laser noise reduction means power supply terminal 40 Preamplifier power supply terminal 41 Coil 42 Capacitor 43 High frequency oscillator 44 Laser noise reduction means output 45 Cutoff Frequency fc 46 Laser noise reduction means Frequency f0 47 Linear element 48 Non-linear element 49 DC component input 50 AC component input 51 Laser chip ground 52 Preamplifier ground 53 Dummy photodiode 54 Ferrite paste 55 Prism 56 Collimating lens 57 Semiconductor laser diode

Claims (31)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】レーザチップと、光記録媒体からの反射光
を検出する信号検出手段またはレーザチップから出射す
るレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段または
その両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検
出手段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器と、
レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光
の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減さ
せるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにおい
て、少なくとも1つの前記検出手段と前置増幅器の間に
帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手
段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ
雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されている
ことを特徴とする光ヘッド。
1. A laser chip, signal detection means for detecting reflected light from an optical recording medium, laser output detection means for monitoring the amount of laser light emitted from the laser chip, or both; the signal detection means or the above. A preamplifier that amplifies the output of the laser output detection means or both,
In a light source unit comprising laser noise reducing means for reducing laser noise by superimposing a high frequency on a laser diode drive current to reduce coherence of laser light, a band is provided between at least one of the detecting means and a preamplifier. An optical head characterized in that a limiting means is inserted, and an upper limit cutoff frequency of a pass band of the band limiting means is set sufficiently lower than an oscillation frequency of the laser noise reducing means.
【請求項2】前記信号検出手段と前記前置増幅器との間
に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限
手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、信号帯域
より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波
数より充分低く設定されていることを特徴とする請求項
1記載の光ヘッド。
2. Band limiting means is inserted between the signal detecting means and the preamplifier, and the upper limit cutoff frequency of the pass band of the band limiting means is sufficiently higher than the signal band, and The optical head according to claim 1, wherein the oscillation frequency is set to be sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.
【請求項3】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減
手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レ
ベルより小さいレベルまで低減する特性を有することを
特徴とする請求項2記載の光ヘッド。
3. The optical head according to claim 2, wherein the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. .
【請求項4】前記レーザ出力検出手段と前記前置増幅器
との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯
域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前
記レーザ出力を制御する帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いることを特徴とする請求項1記載の光ヘッド。
4. A band limiting means is inserted between the laser output detecting means and the preamplifier, and a cutoff frequency at an upper limit of a pass band of the band limiting means controls the laser output. 2. The optical head according to claim 1, wherein the optical head is set to be sufficiently higher than the band and sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.
【請求項5】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減
手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レ
ベルより小さいレベルまで低減する特性を有することを
特徴とする請求項4記載の光ヘッド。
5. The optical head according to claim 4, wherein the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. .
【請求項6】前記信号検出手段または前記レーザ出力検
出手段またはその両方に供給されるバイアス電源と前記
前置増幅器との間に帯域制限手段が挿入されており、さ
らに前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周
波数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分
低く設定されていることを特徴とする請求項1記載の光
ヘッド。
6. A band limiting means is inserted between a bias power supply supplied to the signal detecting means, the laser output detecting means, or both, and the preamplifier, and a pass band of the band limiting means. 2. The optical head according to claim 1, wherein the upper limit cutoff frequency is set to be sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.
【請求項7】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減
手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レ
ベルより小さいレベルまで低減する特性を有することを
特徴とする請求項6記載の光ヘッド。
7. The optical head according to claim 6, wherein the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. .
【請求項8】前記信号検出手段または前記レーザ出力検
出手段またはその両方の接地端子と前記前置増幅器の接
地端子との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに
前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする請求項1記載の光ヘッ
ド。
8. A band limiting means is inserted between a ground terminal of the signal detecting means or the laser output detecting means or both of them and a ground terminal of the preamplifier, and a pass band of the band limiting means. 2. The optical head according to claim 1, wherein the upper limit cutoff frequency is set to be sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.
【請求項9】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減
手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レ
ベルより小さいレベルまで低減する特性を有することを
特徴とする請求項8記載の光ヘッド。
9. The optical head according to claim 8, wherein the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. .
【請求項10】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器
と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段と
の間に挿入されたコイル部品であることを特徴とする請
求項1記載の光ヘッド。
10. The optical head according to claim 1, wherein the band limiting means is a coil component inserted between the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. .
【請求項11】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器
と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を
接続する信号線を覆う様に設置された磁性体ブロックで
あることを特徴とする請求項1記載の光ヘッド。
11. The band limiting means is a magnetic block installed so as to cover a signal line connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. The optical head according to item 1.
【請求項12】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と
前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続
する信号線に塗布された磁性体であることを特徴とする
請求項1記載の光ヘッド。
12. The light according to claim 1, wherein the band limiting means is a magnetic material applied to a signal line connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. head.
【請求項13】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と
前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続
する基板上の配線パターンに特定の形状を施し、周波数
特性をもたせたものであることを特徴とする請求項1記
載の光ヘッド。
13. The band limiting means includes a wiring pattern on a substrate for connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means to a specific shape so as to have frequency characteristics. The optical head according to claim 1, wherein:
【請求項14】レーザチップと、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段またはレーザチップから出射
するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段また
はその両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力
検出手段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器
と、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レー
ザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低
減させるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにお
いて、前記レーザチップと、前記信号検出手段または前
記レーザ出力検出手段またはその両方が同一基板上に構
成されており、かつ少なくとも1つの前記各検出手段と
前置増幅器の間に帯域制限手段が挿入されており、さら
に前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波
数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低
く設定されていて、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする光ヘ
ッド。
14. A laser chip, a signal detecting means for detecting a reflected light from an optical recording medium, a laser output detecting means for monitoring a light quantity of a laser beam emitted from the laser chip, or both, the signal detecting means or the above. A light source including a preamplifier that amplifies the output of the laser output detection means or both, and a laser noise reduction means that reduces the laser noise by superimposing a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of the laser light. In the unit, the laser chip and the signal detection means or the laser output detection means or both are configured on the same substrate, and a band limiting means is provided between at least one of the detection means and the preamplifier. In addition, the cutoff frequency at the upper limit of the pass band of the band limiting means is Have been low enough set than the oscillation frequency of the reduction means, the optical head is characterized by having the property of reducing the high frequency which leaks from the laser noise reduction means to the lower level than the allowable input level of the preamplifier.
【請求項15】レーザチップと、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段と、レーザチップから出射す
るレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段と、前
記信号検出手段及び前記レーザ出力検出手段の出力を増
幅する前置増幅器と、レーザダイオード駆動電流に高周
波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによ
りレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段から成る
光源ユニットにおいて、前記レーザチップと、前記信号
検出手段と、前記レーザ出力検出手段が同一シリコンウ
エハ上に構成された光半導体素子を具備し、かつ前記各
検出手段と前置増幅器の間に各1個のコイル部品が挿入
されており、さらに前記コイル部品は、前記レーザ雑音
低減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入
力レベルより小さいレベルまで低減する特性を有するこ
とを特徴とする光ヘッド。
15. A laser chip, a signal detecting means for detecting reflected light from an optical recording medium, a laser output detecting means for monitoring a light quantity of laser light emitted from the laser chip, the signal detecting means and the laser output. In the light source unit comprising a preamplifier for amplifying the output of the detection means and a laser noise reduction means for reducing the laser noise by superimposing a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of the laser light, A chip, the signal detection means, and the laser output detection means each include an optical semiconductor element formed on the same silicon wafer, and one coil component is inserted between each detection means and the preamplifier. Further, the coil component is configured so that the high frequency leaked from the laser noise reduction means is smaller than the allowable input level of the preamplifier. An optical head, characterized in that it has the property of reducing to the level.
【請求項16】レーザチップと、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段またはレーザチップから出射
するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段また
はその両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力
検出手段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器
と、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レー
ザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低
減させるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにお
いて、前記レーザチップと、前記信号検出手段または前
記レーザ出力検出手段またはその両方が同一基板上に構
成されており、かつ少なくとも1つの前記各検出手段と
出力端子の間に帯域制限手段が挿入されており、さらに
前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする光半導体素子。
16. A laser chip, a signal detecting means for detecting a reflected light from an optical recording medium, a laser output detecting means for monitoring a light quantity of a laser beam emitted from a laser chip, or both, the signal detecting means or the above. A light source including a preamplifier that amplifies the output of the laser output detection means or both, and a laser noise reduction means that reduces the laser noise by superimposing a high frequency on the laser diode drive current to reduce the coherence of the laser light. In the unit, the laser chip and the signal detection means or the laser output detection means or both are configured on the same substrate, and a band limiting means is inserted between at least one of the detection means and an output terminal. Further, the cutoff frequency at the upper limit of the pass band of the band limiting means is the laser noise. The optical semiconductor element characterized in that it is low enough set than the oscillation frequency of the attenuation means.
【請求項17】前記信号検出手段と前記前置増幅器との
間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制
限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、信号帯
域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数より充分低く設定されていることを特徴とする請求
項16記載の光半導体素子。
17. A band limiting means is inserted between the signal detecting means and the preamplifier, and an upper limit cutoff frequency of a pass band of the band limiting means is sufficiently higher than a signal band, and 17. The optical semiconductor device according to claim 16, wherein the oscillation frequency of the laser noise reduction means is set sufficiently lower.
【請求項18】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低
減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力
レベルより小さいレベルまで低減する特性を有すること
を特徴とする請求項17記載の光半導体素子。
18. The optical semiconductor according to claim 17, wherein said band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from said laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of said preamplifier. element.
【請求項19】前記レーザ出力検出手段と前記前置増幅
器との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記
帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、
前記レーザ出力を制御する帯域より充分高く、かつ前記
レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定され
ていることを特徴とする請求項16記載の光半導体素
子。
19. A band limiting means is inserted between the laser output detecting means and the preamplifier, and an upper limit cutoff frequency of a pass band of the band limiting means is:
The optical semiconductor element according to claim 16, wherein the optical semiconductor element is set to be sufficiently higher than a band for controlling the laser output and sufficiently lower than an oscillation frequency of the laser noise reduction means.
【請求項20】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低
減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力
レベルより小さいレベルまで低減する特性を有すること
を特徴とする請求項19記載の光半導体素子。
20. The optical semiconductor according to claim 19, wherein the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level lower than the allowable input level of the preamplifier. element.
【請求項21】前記信号検出手段または前記レーザ出力
検出手段またはその両方に供給されるバイアス電源と前
記前置増幅器との間に帯域制限手段が挿入されており、
さらに前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ
周波数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定されていることを特徴とする請求項16記載
の光半導体素子。
21. Band limiting means is inserted between a bias power supply supplied to the signal detecting means, the laser output detecting means, or both, and the preamplifier.
17. The optical semiconductor device according to claim 16, wherein the upper limit cutoff frequency of the pass band of the band limiting means is set sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reducing means.
【請求項22】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低
減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力
レベルより小さいレベルまで低減する特性を有すること
を特徴とする請求項21記載の光半導体素子。
22. The optical semiconductor according to claim 21, wherein the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level lower than the allowable input level of the preamplifier. element.
【請求項23】前記信号検出手段または前記レーザ出力
検出手段またはその両方の接地端子と前記前置増幅器の
接地端子との間に帯域制限手段が挿入されており、さら
に前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波
数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低
く設定されていることを特徴とする請求項16記載の光
半導体素子。
23. Band limiting means is inserted between the ground terminal of the signal detecting means and / or the laser output detecting means or both and the ground terminal of the preamplifier, and the pass band of the band limiting means is further provided. 17. The optical semiconductor device according to claim 16, wherein the cutoff frequency of the upper limit of is set to be sufficiently lower than the oscillation frequency of the laser noise reduction means.
【請求項24】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低
減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力
レベルより小さいレベルまで低減する特性を有すること
を特徴とする請求項23記載の光半導体素子。
24. The optical semiconductor according to claim 23, wherein the band limiting means has a characteristic of reducing the high frequency leaked from the laser noise reducing means to a level smaller than the allowable input level of the preamplifier. element.
【請求項25】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器
と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段と
の間に挿入されたコイル部品であることを特徴とする請
求項16記載の光半導体素子。
25. An optical semiconductor according to claim 16, wherein said band limiting means is a coil component inserted between said preamplifier and said signal detecting means or said laser output detecting means. element.
【請求項26】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器
と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を
接続する信号線を覆う様に設置された磁性体ブロックで
あることを特徴とする請求項16記載の光半導体素子。
26. The band limiting means is a magnetic block installed so as to cover a signal line connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. Item 17. The optical semiconductor device according to item 16.
【請求項27】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と
前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続
する信号線に塗布された磁性体であることを特徴とする
請求項16記載の光半導体素子。
27. The light according to claim 16, wherein the band limiting means is a magnetic substance applied to a signal line connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means. Semiconductor device.
【請求項28】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と
前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続
する基板上の配線パターンに特定の形状を施し、周波数
特性をもたせたものであることを特徴とする請求項16
記載の光半導体素子。
28. The band limiting means is characterized in that a wiring pattern on a substrate connecting the preamplifier and the signal detecting means or the laser output detecting means is given a specific shape to have frequency characteristics. 17. The method according to claim 16,
The optical semiconductor device described.
【請求項29】請求項1記載の光ヘッドを光源に用いた
ことを特徴とする光学式情報記録再生装置。
29. An optical information recording / reproducing apparatus, wherein the optical head according to claim 1 is used as a light source.
【請求項30】請求項15記載の光ヘッドを光源に用い
たことを特徴とする光学式情報記録再生装置。
30. An optical information recording / reproducing apparatus, wherein the optical head according to claim 15 is used as a light source.
【請求項31】請求項16記載の光半導体素子を光源に
用いたことを特徴とする光学式情報記録再生装置。
31. An optical information recording / reproducing apparatus, wherein the optical semiconductor element according to claim 16 is used as a light source.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11296899A (en) * 1998-04-09 1999-10-29 Pioneer Electron Corp Pickup
US6731585B2 (en) 2000-03-03 2004-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical pick-up head with semiconductor laser
WO2006008879A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Optical package module, and optical communication module having the package module

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