JPH07283611A - Dielectric resonator device - Google Patents

Dielectric resonator device

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JPH07283611A
JPH07283611A JP7310994A JP7310994A JPH07283611A JP H07283611 A JPH07283611 A JP H07283611A JP 7310994 A JP7310994 A JP 7310994A JP 7310994 A JP7310994 A JP 7310994A JP H07283611 A JPH07283611 A JP H07283611A
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JP
Japan
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dielectric resonator
dielectric
substrate
conductor
resonators
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Application number
JP7310994A
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Japanese (ja)
Inventor
Sukeyuki Atokawa
祐之 後川
Shinichi Kenzaki
真一 剱崎
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH07283611A publication Critical patent/JPH07283611A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide the small-sized dielectric resonator device where the production cost is reduced without increasing the number of parts and the characteristic is easily set or adjusted. CONSTITUTION:Plural dielectric resonators R1, R2, and R3 are joined on a substrate 20 and are coupled through auxiliary conductors 22 to 24 consisting of inductance elements or capacitance elements provided on the substrate 20, and a part of auxiliary conductors provided on the substrate 20 is used as a signal input/output conductor for surface mounting to a circuit board or the like. Thus, a shielding metallic case and an attaching bracket are unnecessary, and the dielectric resonator which has a low production cost and is small- sized and has resonators having various numbers of stages is easily produced without requiring a mold only for each of resonators different by the number of stages. Further, resonance frequencies of resonators and degrees of coupling between resonators are set or adjusted independently of one another in this dielectric resonator device.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、複数の誘電体共振器
で構成した誘電体共振器装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric resonator device composed of a plurality of dielectric resonators.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、複数の誘電体共振器を組み合
わせて1つの誘電体共振器装置を構成したものとして、
複数の誘電体同軸共振器の内導体形成孔に結合端子を挿
入し、これとは別に誘電体基板に各種導体を設けて結合
容量を形成し、これらの複数の誘電体同軸共振器と結合
用基板を1つの金属ケース内に配置するとともに、各誘
電体同軸共振器の内導体形成孔に挿入した結合端子を結
合基板の各導体に半田付けして構成したものがある。ま
た、個別の誘電体共振器を用いるのではなく、直方体形
状の誘電体ブロックの内部に複数の内導体を設け、外面
に外導体とともに信号入出力導体を形成して、複数段の
共振器から成る誘電体同軸共振器を構成したものもあ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, one dielectric resonator device has been constructed by combining a plurality of dielectric resonators.
Coupling terminals are inserted into the inner conductor forming holes of multiple dielectric coaxial resonators, and other various conductors are provided on the dielectric substrate to form a coupling capacitance, which is used for coupling with these multiple dielectric coaxial resonators. There is a configuration in which a board is arranged in one metal case, and a coupling terminal inserted into an inner conductor forming hole of each dielectric coaxial resonator is soldered to each conductor of the coupling board. Also, instead of using individual dielectric resonators, multiple inner conductors are provided inside a rectangular parallelepiped dielectric block, and signal input / output conductors are formed on the outer surface together with the outer conductors. There is also a structure in which a dielectric coaxial resonator is formed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前者の誘電体共振器装
置では部品点数が非常に多くて全体に大型であり、また
組み立て工数が多いため製造コストも嵩むといった欠点
がある。後者の誘電体共振器装置ではシールド用の金属
ケースや回路基板に実装する際の取り付けブラケットも
不要であり表面実装が容易であるが、共振器の数の異な
るものを得ようとすれば、それぞれの金型を用意する必
要があった。そのため、多種類の特性の異なる誘電体共
振器装置を製造する場合には、多数の金型を必要とし、
製造コストが嵩む問題があった。また、各金型の寸法お
よび形状によって共振器間の距離などが決定されるた
め、それぞれの共振器間の結合度の設定が容易ではな
く、しかも各共振器間の結合度の設定または調整と各共
振器の共振周波数の設定または調整が、その構造上相互
に関連しており、一方が変わると他方も変わり、双方を
独立して設定または調整するのが容易ではなかった。
The former dielectric resonator device has a drawback in that the number of parts is very large and the size is large as a whole, and the number of assembling steps is large, so that the manufacturing cost is high. The latter dielectric resonator device does not require a metal case for shielding or a mounting bracket for mounting on a circuit board, and surface mounting is easy, but if you want to obtain different numbers of resonators, It was necessary to prepare the mold. Therefore, a large number of molds are required when manufacturing various types of dielectric resonator devices having different characteristics,
There is a problem that the manufacturing cost increases. Moreover, since the distance between resonators is determined by the size and shape of each mold, it is not easy to set the degree of coupling between the resonators, and moreover, it is necessary to set or adjust the degree of coupling between the resonators. The setting or adjustment of the resonance frequency of each resonator is interrelated in its structure, and when one is changed, the other is changed, and it is not easy to set or adjust both independently.

【0004】この発明の目的は、このような従来の問題
を解消するものであり、部品点数を増大させず、製造コ
ストを下げ、小型で且つ特性の設定または調整が容易な
誘電体共振器装置を提供することにある。
An object of the present invention is to solve such a conventional problem, to reduce the manufacturing cost without increasing the number of parts, to make the dielectric resonator device small in size and easy to set or adjust the characteristics. To provide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る誘電体共振器装置は、複数の誘電体共振器を基板上に
配置した誘電体共振器装置であって、各誘電体共振器
は、内部に内導体を有し、互いに対向する第1面と第2
面およびこの第1面と第2面間に延びる側面に外導体を
有し、且つその一側面にのみ前記内導体との間で静電容
量を形成する結合用導体を有して成り、前記基板は、各
誘電体共振器の前記結合用導体に導通して誘電体共振器
間を結合させ、一部を外部に対する信号入出力導体とし
て用いる複数の補助導体を有して成り、隣接する誘電体
共振器の側面同士を近接させた状態でこれらの複数の誘
電体共振器を前記基板上に接合したことを特徴とする。
A dielectric resonator device according to a first aspect of the present invention is a dielectric resonator device in which a plurality of dielectric resonators are arranged on a substrate, and each dielectric resonator device. Has an inner conductor inside and has a first surface and a second surface facing each other.
An outer conductor on a surface and a side surface extending between the first surface and the second surface, and a coupling conductor forming an electrostatic capacitance with the inner conductor only on one side surface of the outer conductor; The substrate has a plurality of auxiliary conductors that are electrically connected to the coupling conductors of the respective dielectric resonators to couple the dielectric resonators to each other and use a part of the auxiliary conductors as signal input / output conductors to the outside. It is characterized in that the plurality of dielectric resonators are bonded on the substrate in a state where the side surfaces of the body resonator are close to each other.

【0006】請求項2に係る誘電体共振器装置は、請求
項1記載のものにおいて、前記基板を多層配線基板から
構成し、その多層配線基板の内層に前記補助導体を設け
たことを特徴とする。
A dielectric resonator device according to a second aspect of the present invention is the dielectric resonator device according to the first aspect, wherein the substrate is a multilayer wiring substrate, and the auxiliary conductor is provided in an inner layer of the multilayer wiring substrate. To do.

【0007】請求項3に係る誘電体共振器装置は、請求
項1または2記載のものにおいて、前記補助導体をイン
ダクタンス素子またはキャパシタンス素子として形成し
たことを特徴とする。
A dielectric resonator device according to a third aspect is the dielectric resonator device according to the first or second aspect, wherein the auxiliary conductor is formed as an inductance element or a capacitance element.

【0008】請求項4に係る誘電体共振器装置は、請求
項1、2または3記載のものにおいて、前記結合用導体
を各誘電体共振器毎に複数個設けるとともに、同一の誘
電体共振器における各結合用導体の面積を異ならせたこ
とを特徴とする。
A dielectric resonator device according to a fourth aspect is the dielectric resonator device according to the first, second or third aspect, wherein a plurality of the coupling conductors are provided for each dielectric resonator and the same dielectric resonator is provided. The area of each coupling conductor in is different.

【0009】[0009]

【作用】この発明の請求項1に係る誘電体共振器装置で
は、複数の誘電体共振器が基板上に配置されることによ
って1つの誘電体共振器装置を構成する。各誘電体共振
器の内部には内導体が形成され、互いに対向する第1面
と第2面およびこの第1面と第2面間に延びる側面に外
導体が形成され、且つその1側面にのみ内導体との間で
静電容量を形成する結合用導体が形成されている。一方
の基板には複数の補助導体が形成されていて、隣接する
誘電体共振器の側面同士が近接する状態で複数の誘電体
共振器が基板上に接合された状態で、基板に設けた補助
導体は各誘電体共振器の結合用導体に導通して、誘電体
共振器間を結合させるとともに、その一部は外部に対す
る信号入出力導体として作用する。このように各誘電体
共振器は個別に構成されるため、各段の共振器の共振器
周波数と共振器間の結合度をそれぞれ独立して個別に容
易に設定または調整することができる。しかも誘電体共
振器装置自体をそのまま実装基板に表面実装することが
できるため、従来のようなシールド用金属ケースや取り
付けブラケットも不要となる。
In the dielectric resonator device according to the first aspect of the present invention, one dielectric resonator device is constituted by disposing a plurality of dielectric resonators on the substrate. An inner conductor is formed inside each dielectric resonator, and an outer conductor is formed on a first surface and a second surface facing each other and on a side surface extending between the first surface and the second surface, and on one side surface thereof. A coupling conductor that forms a capacitance with the inner conductor is formed. A plurality of auxiliary conductors are formed on one of the substrates, and the auxiliary conductors provided on the substrate with the plurality of dielectric resonators bonded to each other with the side surfaces of the adjacent dielectric resonators close to each other. The conductors are electrically connected to the coupling conductors of the respective dielectric resonators to couple the dielectric resonators to each other, and a part of them functions as a signal input / output conductor for the outside. As described above, since each dielectric resonator is individually configured, the resonator frequency of each stage resonator and the coupling degree between the resonators can be set or adjusted individually and independently. Moreover, since the dielectric resonator device itself can be surface-mounted on the mounting substrate as it is, a shielding metal case and a mounting bracket as in the prior art are not necessary.

【0010】請求項2に係る誘電体共振器装置では、多
層配線基板の内層に前記補助導体が設けられているた
め、基板上に複数の誘電体共振器が接合された状態で、
各誘電体共振器の結合用導体間が多層配線基板の内層を
介して接続(結合)される。そのため、複数の誘電体共
振器が対向する基板表面に設けられている他の導体の影
響を受けずに、各誘電体共振器の結合用導体間が接続
(結合)される。
In the dielectric resonator device according to a second aspect of the present invention, since the auxiliary conductor is provided in the inner layer of the multilayer wiring board, a plurality of dielectric resonators are bonded on the board,
The coupling conductors of each dielectric resonator are connected (coupled) via the inner layer of the multilayer wiring board. Therefore, the coupling conductors of the respective dielectric resonators are connected (coupled) without being affected by other conductors provided on the surface of the substrate where the plurality of dielectric resonators face each other.

【0011】請求項3に係る誘電体共振器装置では、前
記補助導体はインダクタンス素子またはキャパシタンス
素子として作用し、誘電体共振器間がインダクタンス素
子またはキャパシタンス素子を介して結合される。これ
により例えば有極の帯域通過フィルタが構成される。
In the dielectric resonator device according to the third aspect of the present invention, the auxiliary conductor acts as an inductance element or a capacitance element, and the dielectric resonators are coupled via the inductance element or the capacitance element. Thereby, for example, a polarized band pass filter is constructed.

【0012】請求項4に係る誘電体共振器装置では、各
誘電体共振器における結合用導体の面積に応じて結合用
導体と内導体間の静電容量が定まるため、結合用導体の
面積によって、その結合用導体が形成された誘電体共振
器と他の誘電体共振器間の結合容量の設定または調整を
行うことができる。
In the dielectric resonator device according to the fourth aspect, the capacitance between the coupling conductor and the inner conductor is determined according to the area of the coupling conductor in each dielectric resonator. It is possible to set or adjust the coupling capacitance between the dielectric resonator in which the coupling conductor is formed and another dielectric resonator.

【0013】[0013]

【実施例】第1の実施例である誘電体共振器装置の構成
を図1〜図7に示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The construction of the dielectric resonator device of the first embodiment is shown in FIGS.

【0014】図1は誘電体共振器装置の外観斜視図であ
る。図1においてR1,R2,R3はそれぞれ個別の誘
電体共振器、20はこれらの誘電体共振器を接合する基
板である。
FIG. 1 is an external perspective view of a dielectric resonator device. In FIG. 1, R1, R2, and R3 are individual dielectric resonators, and 20 is a substrate for joining these dielectric resonators.

【0015】図2は図1に示した3つの誘電体共振器の
構造を示す代表する1つの誘電体共振器の外観斜視図で
ある。このように各誘電体共振器は角柱状の誘電体の内
部に軸方向に内導体形成孔2を設け、誘電体の外面に外
導体6を形成して成る。
FIG. 2 is an external perspective view of one representative dielectric resonator showing the structure of the three dielectric resonators shown in FIG. As described above, each dielectric resonator is formed by forming the inner conductor forming hole 2 in the axial direction inside the prismatic dielectric and forming the outer conductor 6 on the outer surface of the dielectric.

【0016】図3は図2に示した誘電体共振器の構造を
示す平面図である。図3において(S1),(S6),
(S5),(S4)は図2に示した1つの誘電体共振器
の各面S1,S6,S5,S4からそれぞれ見た平面図
である。このように誘電体の第1面S1とこれに対向す
る第2面S2および第1面S1と第2面S2間に延びる
四側面S3,S4,S5,S6にそれぞれ外導体を形成
し、誘電体の内部には内周面に内導体を形成した内導体
形成孔2を設けている。また一側面S5には外導体6か
ら絶縁状態で結合用導体7,8を形成している。
FIG. 3 is a plan view showing the structure of the dielectric resonator shown in FIG. In FIG. 3, (S1), (S6),
(S5) and (S4) are plan views seen from the respective surfaces S1, S6, S5, S4 of the one dielectric resonator shown in FIG. In this way, the outer conductor is formed on the first surface S1 of the dielectric and the second surface S2 facing the first surface S4 and the four side surfaces S3, S4, S5, S6 extending between the first surface S1 and the second surface S2, An inner conductor forming hole 2 having an inner conductor formed on the inner peripheral surface is provided inside the body. Further, on one side surface S5, coupling conductors 7 and 8 are formed in an insulated state from the outer conductor 6.

【0017】図4は基板の平面図であり、(A)は誘電
体共振器の接合面、(B)は基板の左側面、(C)は基
板の底面、(D)は基板の右側面をそれぞれ示す。基板
20の上下面および端面のほぼ全面にはアース導体21
を形成していて、上面に補助導体24,25を、また上
面から端面を介して下面にかけて補助導体22,23を
それぞれアース導体21から絶縁状態で形成している。
この4つの補助導体22,23,24,25は3つの誘
電体共振器の各結合用導体と電気的に接続する。このう
ち特に補助導体22,23は回路基板などに対する信号
入出力導体としても用いる。
FIG. 4 is a plan view of the substrate. (A) is a junction surface of the dielectric resonator, (B) is a left side surface of the substrate, (C) is a bottom surface of the substrate, and (D) is a right side surface of the substrate. Are shown respectively. A ground conductor 21 is provided on the upper and lower surfaces of the substrate 20 and almost the entire end surface.
Are formed, and auxiliary conductors 24 and 25 are formed on the upper surface, and auxiliary conductors 22 and 23 are formed in an insulated state from the ground conductor 21 from the upper surface to the lower surface through the end surface.
The four auxiliary conductors 22, 23, 24 and 25 are electrically connected to the coupling conductors of the three dielectric resonators. Of these, the auxiliary conductors 22 and 23 are also used as signal input / output conductors for a circuit board or the like.

【0018】図5は図1に示した誘電体共振器装置のY
1−Y1部分の断面図である。このように誘電体1の中
心には内導体形成孔2を設けていて、その内面に内導体
非形成部5により分離した内導体3,4を形成し、内導
体3,4間にストレー容量Csを形成している。この例
では、内導体3は誘電体の第2面S2を短絡面、内導体
非形成部5を開放端とするλ/4長共振導体として作用
する。
FIG. 5 shows Y of the dielectric resonator device shown in FIG.
It is a sectional view of a 1-Y1 portion. In this way, the inner conductor forming hole 2 is provided at the center of the dielectric 1, and the inner conductors 3 and 4 separated by the inner conductor non-forming portion 5 are formed on the inner surface thereof, and the stray capacitance is provided between the inner conductors 3 and 4. It forms Cs. In this example, the inner conductor 3 acts as a λ / 4 long resonance conductor having the second surface S2 of the dielectric as a short-circuit surface and the inner conductor non-forming portion 5 as an open end.

【0019】図6は図1に示した誘電体共振器装置のY
2−Y2部分の断面図である。このように各誘電体共振
器の内導体3の開放端付近と結合用導体7,8間にそれ
ぞれ静電容量が生じる。また、誘電体共振器R1の結合
用導体7,8は基板側の補助導体22,24に導通さ
せ、誘電体共振器R2の結合用導体7,8は基板側の補
助導体24,25に導通させ、誘電体共振器R3の結合
用導体7,8は基板側の補助導体25,23に導通させ
ている。基板20としてはセラミック基板やガラス・エ
ポキシ基板などを用いるが、セラミック基板に対して誘
電体共振器を接合する場合は、無機系の導電性ペースト
を塗布して乾燥硬化後、焼き付ければよく、ガラス・エ
ポキシ基板に対して誘電体共振器を接合する場合には、
高温半田ペースト(クリーム半田)を用いて両者を接合
し、その後加熱することにより半田溶融接合を行えばよ
い。
FIG. 6 shows Y of the dielectric resonator device shown in FIG.
It is a sectional view of a 2-Y2 portion. In this way, electrostatic capacitance is generated between the vicinity of the open end of the inner conductor 3 of each dielectric resonator and the coupling conductors 7 and 8. The coupling conductors 7 and 8 of the dielectric resonator R1 are electrically connected to the auxiliary conductors 22 and 24 on the substrate side, and the coupling conductors 7 and 8 of the dielectric resonator R2 are electrically connected to the auxiliary conductors 24 and 25 on the substrate side. Then, the coupling conductors 7 and 8 of the dielectric resonator R3 are electrically connected to the auxiliary conductors 25 and 23 on the substrate side. A ceramic substrate, a glass / epoxy substrate, or the like is used as the substrate 20, but when the dielectric resonator is bonded to the ceramic substrate, an inorganic conductive paste may be applied, dried and cured, and then baked. When bonding a dielectric resonator to a glass / epoxy substrate,
The two may be joined together by using a high-temperature solder paste (cream solder) and then heated to perform the solder fusion joining.

【0020】図7は図1および図6に示した誘電体共振
器装置の等価回路図である。ここでCsは各誘電体共振
器の内導体3−4間に生じるストレー容量である。また
Ce,C12,C21,C23,C32,Ceは図6に
示した各内導体と結合用導体間に生じる静電容量であ
る。このようにして3つの誘電体共振器を結合して成る
3段の帯域通過フィルタとして作用する誘電体共振器装
置を得る。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the dielectric resonator device shown in FIGS. 1 and 6. Here, Cs is a stray capacitance generated between the inner conductors 3-4 of each dielectric resonator. Further, Ce, C12, C21, C23, C32, and Ce are capacitances generated between the inner conductors shown in FIG. 6 and the coupling conductors. In this way, a dielectric resonator device that functions as a three-stage bandpass filter formed by coupling three dielectric resonators is obtained.

【0021】次に第2の実施例である誘電体共振器装置
の構成を図8〜図12に示す。
Next, the structure of the dielectric resonator device of the second embodiment is shown in FIGS.

【0022】図8は誘電体共振器装置の外観斜視図であ
る。図8においてR1,R2,R3はそれぞれ個別の誘
電体共振器、20はこれらの誘電体共振器を接合する基
板である。
FIG. 8 is an external perspective view of the dielectric resonator device. In FIG. 8, R1, R2, and R3 are individual dielectric resonators, and 20 is a substrate for bonding these dielectric resonators.

【0023】図9は図8に示した3つの誘電体共振器の
構造を示す代表する1つの誘電体共振器の外観斜視図で
ある。このように各誘電体共振器は角柱状の誘電体の内
部に軸方向に内導体形成孔2を設け、誘電体の外面に外
導体6を形成して成る。
FIG. 9 is an external perspective view of one representative dielectric resonator showing the structure of the three dielectric resonators shown in FIG. As described above, each dielectric resonator is formed by forming the inner conductor forming hole 2 in the axial direction inside the prismatic dielectric and forming the outer conductor 6 on the outer surface of the dielectric.

【0024】図10は図9に示した誘電体共振器の構造
を示す平面図である。図10において(S1),(S
6),(S5),(S4)は図9に示した1つの誘電体
共振器の各面S1,S6,S5,S4からそれぞれ見た
平面図である。このように誘電体の第1面S1とこれに
対向する第2面S2および第1面S1と第2面S2間に
延びる四側面S3,S4,S5,S6にそれぞれ外導体
を形成し、誘電体の内部には内周面に内導体を形成した
内導体形成孔2を設けている。また一側面S5には外導
体6から絶縁状態で結合用導体7,8を形成している。
第1の実施例として図3に示した例と異なり、この第2
の実施例では側面S5において結合用導体7,8の周囲
に外導体が取り囲むように形成し、側面S6およびS4
には全面に外導体を形成している。
FIG. 10 is a plan view showing the structure of the dielectric resonator shown in FIG. In FIG. 10, (S1), (S
6), (S5), and (S4) are plan views seen from respective surfaces S1, S6, S5, and S4 of the one dielectric resonator shown in FIG. In this way, the outer conductor is formed on the first surface S1 of the dielectric and the second surface S2 facing the first surface S4 and the four side surfaces S3, S4, S5, S6 extending between the first surface S1 and the second surface S2, An inner conductor forming hole 2 having an inner conductor formed on the inner peripheral surface is provided inside the body. Further, on one side surface S5, coupling conductors 7 and 8 are formed in an insulated state from the outer conductor 6.
Unlike the example shown in FIG. 3 as the first embodiment, this second embodiment
In this embodiment, the outer conductor is formed so as to surround the coupling conductors 7 and 8 on the side surface S5, and the side surfaces S6 and S4 are formed.
An outer conductor is formed on the entire surface.

【0025】図11は基板の平面図であり、(A)は誘
電体共振器の接合面、(B)は基板の左側面、(C)は
基板の底面、(D)は基板の右側面をそれぞれ示す。基
板20の上下面および端面のほぼ全面にはアース導体2
1を形成していて、上面に補助導体24,25,26,
27,28,29を、また端面から下面にかけて補助導
体22,23をそれぞれアース導体21から絶縁状態で
形成している。この6つの補助導体24,25,26,
27,28,29は3つの誘電体共振器の各結合用導体
と電気的に接続する。補助導体22,23は回路基板な
どに対する信号入出力導体として用いる。
FIG. 11 is a plan view of the substrate. (A) is the junction surface of the dielectric resonator, (B) is the left side of the substrate, (C) is the bottom of the substrate, and (D) is the right side of the substrate. Are shown respectively. The ground conductor 2 is provided on almost the entire upper and lower surfaces and the end surface of the substrate 20.
1 is formed on the upper surface of the auxiliary conductors 24, 25, 26,
27, 28 and 29, and auxiliary conductors 22 and 23 are formed in an insulated state from the ground conductor 21 from the end face to the lower face. These six auxiliary conductors 24, 25, 26,
27, 28 and 29 are electrically connected to the respective coupling conductors of the three dielectric resonators. The auxiliary conductors 22 and 23 are used as signal input / output conductors for a circuit board or the like.

【0026】図12は図8に示した誘電体共振器装置の
Y−Y部分の断面図である。このように各誘電体共振器
の内導体3の開放端付近と結合用導体7,8間にそれぞ
れ静電容量が生じる。一方、基板20は多層配線基板で
あり、その上層に補助導体24,25,26,27,2
8,29などを形成し、内層に補助導体30,31,3
2,33を形成し、さらに下層に補助導体22,23お
よびアース導体21を形成している。図に示すように上
層の補助導体24,29はビアホールを介して内層の補
助導体30,33に接続している。また上層の補助導体
25,26はそれぞれビアホールを介して中層の補助導
体31に接続し、同様に補助導体27,28はそれぞれ
ビアホールを介して中層の補助導体32に接続してい
る。この多層配線基板20は、例えばセラミックグリー
ンシートへ所定パターンの導電ペーストを印刷して積層
後に焼成することにより構成する。
FIG. 12 is a sectional view of the YY portion of the dielectric resonator device shown in FIG. In this way, electrostatic capacitance is generated between the vicinity of the open end of the inner conductor 3 of each dielectric resonator and the coupling conductors 7 and 8. On the other hand, the substrate 20 is a multi-layer wiring substrate, and the auxiliary conductors 24, 25, 26, 27, 2 are formed on the upper layer thereof.
8, 29, etc. are formed, and auxiliary conductors 30, 31, 3 are formed on the inner layer.
2 and 33 are formed, and auxiliary conductors 22 and 23 and a ground conductor 21 are further formed in the lower layer. As shown in the figure, the upper layer auxiliary conductors 24 and 29 are connected to the inner layer auxiliary conductors 30 and 33 through via holes. The upper layer auxiliary conductors 25 and 26 are connected to the middle layer auxiliary conductor 31 via via holes, and similarly, the auxiliary conductors 27 and 28 are connected to the middle layer auxiliary conductor 32 via via holes, respectively. The multilayer wiring board 20 is formed by, for example, printing a conductive paste having a predetermined pattern on a ceramic green sheet, stacking the layers, and baking the layers.

【0027】図12に示すように、3つの誘電体共振器
R1,R2,R3を基板20上に接合することによっ
て、誘電体共振器R1の結合用導体7,8は基板側の補
助導体24,25に導通し、誘電体共振器R2の結合用
導体7,8は基板側の補助導体26,27に導通し、誘
電体共振器R3の結合用導体7,8は基板側の補助導体
28,29に導通する。このように構成したことによ
り、各誘電体共振器の結合用導体の形成面において、そ
の結合用導体の周囲に外導体が存在する場合であって
も、基板20の中層に設けた補助導体を介して、隣接す
る誘電体共振器間が容量結合する。これにより、図7と
同様の等価回路図で示される誘電体共振器装置を得る。
As shown in FIG. 12, by joining three dielectric resonators R1, R2, R3 on the substrate 20, the coupling conductors 7, 8 of the dielectric resonator R1 are the auxiliary conductors 24 on the substrate side. , 25, the coupling conductors 7, 8 of the dielectric resonator R2 are conducted to the substrate side auxiliary conductors 26, 27, and the coupling conductors 7, 8 of the dielectric resonator R3 are substrate side auxiliary conductor 28. , 29. With this configuration, the auxiliary conductor provided in the middle layer of the substrate 20 can be provided even if the outer conductor is present around the coupling conductor on the surface where the coupling conductor of each dielectric resonator is formed. Via, the adjacent dielectric resonators are capacitively coupled. As a result, the dielectric resonator device shown in the equivalent circuit diagram similar to FIG. 7 is obtained.

【0028】次に、第3の実施例である誘電体共振器装
置の構成を図13〜図15に示す。
Next, the construction of the dielectric resonator device of the third embodiment is shown in FIGS.

【0029】図13は第2の実施例において示した図1
2に対応する誘電体共振器装置の断面図である。第2の
実施例で示した誘電体共振器装置と異なる点は、基板2
0の構造である。即ちこの第3の実施例では、基板20
の内層に補助導体31,32を形成するとともに、両補
助導体に対向する位置の他の内層に補助導体34を形成
している。この構造により、補助導体31−34間およ
び32−34間にそれぞれ静電容量を形成している。
FIG. 13 shows FIG. 1 shown in the second embodiment.
It is sectional drawing of the dielectric resonator device corresponding to 2. The difference from the dielectric resonator device shown in the second embodiment is that the substrate 2
It has a structure of 0. That is, in this third embodiment, the substrate 20
Auxiliary conductors 31 and 32 are formed on the inner layer of the above, and an auxiliary conductor 34 is formed on the other inner layer at a position facing both auxiliary conductors. With this structure, electrostatic capacitances are formed between the auxiliary conductors 31-34 and 32-34.

【0030】図14は図13に示した誘電体共振器装置
の等価回路図である。図14においてCsは各誘電体共
振器の共振導体として作用する内導体の先端に生じるス
トレー容量である。またCe,C12,C21,C2
3,C32,Ceは図13に示した各内導体と結合用導
体間に生じる静電容量、C122は補助導体31−34
間に生じる静電容量、C233は補助導体32−34間
に生じる静電容量である。このようにして、3つの誘電
体共振器を静電容量を介して順次結合させるとともに、
1段目と3段目を静電容量C122およびC233を介
して結合させたことにより、通過帯域の低域側に減衰極
が生じる。
FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of the dielectric resonator device shown in FIG. In FIG. 14, Cs is the stray capacitance generated at the tip of the inner conductor that acts as the resonance conductor of each dielectric resonator. Also Ce, C12, C21, C2
3, C32, Ce are capacitances generated between the inner conductors and the coupling conductor shown in FIG. 13, and C122 is an auxiliary conductor 31-34.
An electrostatic capacitance generated between the two is C233 is an electrostatic capacitance generated between the auxiliary conductors 32-34. In this way, the three dielectric resonators are sequentially coupled via the capacitance, and
By coupling the first and third stages through the electrostatic capacitances C122 and C233, an attenuation pole is generated on the low frequency side of the pass band.

【0031】図15はその周波数対減衰量の特性を示
す。このようにして通過帯域の低域側を急峻に減衰させ
る帯域通過フィルタとして作用する誘電体共振器装置を
得る。
FIG. 15 shows the characteristic of the frequency-attenuation amount. In this way, a dielectric resonator device that acts as a bandpass filter that sharply attenuates the low-pass side of the passband is obtained.

【0032】なお、第3の実施例では、キャパシタンス
素子として作用する補助導体を基板の内層に設けた例を
示したが、キャパシタンス素子として作用する補助導体
を基板の上層に設け、各誘電体共振器にはキャパシタン
ス素子として作用する補助導体部分に対向する領域を除
いて外導体を形成するようにしてもよい。
In the third embodiment, the example in which the auxiliary conductor acting as a capacitance element is provided in the inner layer of the substrate has been shown. However, the auxiliary conductor acting as a capacitance element is provided in the upper layer of the substrate and each dielectric resonance An outer conductor may be formed in the container except for a region facing the auxiliary conductor portion acting as a capacitance element.

【0033】次に、第4の実施例である誘電体共振器装
置の構成を図16〜図19に示す。
Next, the construction of the dielectric resonator device of the fourth embodiment is shown in FIGS.

【0034】図16は第2の実施例において示した図1
2に対応する誘電体共振器装置の断面図である。第2の
実施例で示した誘電体共振器装置と異なる点は、基板2
0の構造である。即ちこの第4の実施例では、基板20
の内層に補助導体31,32を形成するとともに、両補
助導体間にインダクタンス素子として作用する補助導体
35を形成している。
FIG. 16 shows FIG. 1 shown in the second embodiment.
It is sectional drawing of the dielectric resonator device corresponding to 2. The difference from the dielectric resonator device shown in the second embodiment is that the substrate 2
It has a structure of 0. That is, in the fourth embodiment, the substrate 20
Auxiliary conductors 31 and 32 are formed on the inner layer of, and an auxiliary conductor 35 acting as an inductance element is formed between both auxiliary conductors.

【0035】図17は基板20の内層における補助導体
の形状を示す平面図である。このように補助導体31−
32間にインダクタンス素子とし作用する補助導体35
を形成する。
FIG. 17 is a plan view showing the shape of the auxiliary conductor in the inner layer of the substrate 20. In this way, the auxiliary conductor 31-
Auxiliary conductor 35 acting as an inductance element between 32
To form.

【0036】図18はこの第4の実施例に係る誘電体共
振器装置の等価回路図である。図18においてLは上記
補助導体35によるインダクタンス素子である。その他
の構成は図14に示したものと同様である。このように
して、3つの誘電体共振器を静電容量を介して順次結合
させるとともに、1段目と3段目をインダクタンス素子
Lを介して結合させたことにより、通過帯域の高域側に
減衰極が生じる。
FIG. 18 is an equivalent circuit diagram of the dielectric resonator device according to the fourth embodiment. In FIG. 18, L is an inductance element formed by the auxiliary conductor 35. Other configurations are the same as those shown in FIG. In this way, the three dielectric resonators are sequentially coupled via the electrostatic capacitance and the first and third stages are coupled via the inductance element L, so that the high frequency side of the pass band is obtained. A damping pole is created.

【0037】図19はその周波数対減衰量の特性を示
す。このようにして通過帯域の高域側を急峻に減衰させ
る帯域通過フィルタとして作用する誘電体共振器装置を
得る。
FIG. 19 shows the characteristic of the frequency versus the amount of attenuation. In this way, a dielectric resonator device that acts as a bandpass filter that sharply attenuates the high band side of the passband is obtained.

【0038】なお、第4の実施例では、インダクタンス
素子として作用する補助導体を基板の内層に設けた例を
示したが、インダクタンス素子として作用する補助導体
を基板の上層に設け、各誘電体共振器にはインダクタン
ス素子として作用する補助導体部分に対向する領域を除
いて外導体を形成するようにしてもよい。
In the fourth embodiment, the example in which the auxiliary conductor acting as an inductance element is provided in the inner layer of the substrate is shown. However, the auxiliary conductor acting as an inductance element is provided in the upper layer of the substrate, and each dielectric resonance An outer conductor may be formed in the container except for a region facing the auxiliary conductor portion acting as an inductance element.

【0039】次に第5の実施例である誘電体共振器装置
の構成を図20〜図21に示す。
The structure of the dielectric resonator device of the fifth embodiment is shown in FIGS.

【0040】図20は第2の実施例として示した図10
に対応する誘電体共振器の各面の平面図である。図10
に示した例と異なる点は、補助導体7,8を誘電体共振
器の配列方向に配置するのではなく、内導体の軸方向に
配置していることである。
FIG. 20 shows the second embodiment shown in FIG.
3 is a plan view of each surface of a dielectric resonator corresponding to FIG. Figure 10
The difference from the example shown in FIG. 3 is that the auxiliary conductors 7 and 8 are arranged not in the arrangement direction of the dielectric resonator but in the axial direction of the inner conductor.

【0041】図21は第2の実施例として図11に示し
た図に対応する基板の各面の平面図である。このように
誘電体共振器側の結合用導体の位置に応じて、基板側の
補助導体24,25,26,27,28,29の位置を
それぞれ定め、基板20の内層において補助導体30,
31,32,33を設け、補助導体30により補助導体
25−22間を接続し、補助導体31により補助導体2
4−27間を接続し、補助導体32により補助導体26
−29間を接続し、さらに補助導体33により補助導体
28−23間をそれぞれ接続している。このように構成
することによって、隣接する誘電体共振器間が容量結合
し、図7と同様の等価回路図で示される誘電体共振器装
置を得る。
FIG. 21 is a plan view of each surface of the substrate corresponding to the drawing shown in FIG. 11 as the second embodiment. In this way, the positions of the auxiliary conductors 24, 25, 26, 27, 28, 29 on the substrate side are respectively determined according to the positions of the coupling conductors on the dielectric resonator side, and the auxiliary conductors 30,
31, 32, and 33 are provided, the auxiliary conductor 30 connects between the auxiliary conductors 25-22, and the auxiliary conductor 31 connects the auxiliary conductor 2
4-27 are connected, and the auxiliary conductor 26 is connected by the auxiliary conductor 32.
-29 is connected, and auxiliary conductor 33 further connects auxiliary conductors 28-23. With this configuration, the adjacent dielectric resonators are capacitively coupled, and the dielectric resonator device shown in the equivalent circuit diagram similar to FIG. 7 is obtained.

【0042】次に、第6の実施例である誘電体共振器装
置の構成を図22に示す。図22は第1の実施例として
示した図3に対応する誘電体共振器の各面の平面図であ
る。このように補助導体7,8の面積が異なるように予
め設定することによって、または補助導体7,8の面積
が異なるように切削加工により調整することによって、
各補助導体7,8と内導体間の静電容量の値を設定し調
整することができる。次に、第7の実施例である誘電体
共振器装置の構成を図23〜図25に示す。図23は誘
電体共振器装置全体の平面図であり、この誘電体共振器
装置はアンテナ共用器として用いる。図中R1,R2,
R3,R4はそれぞれ個別の誘電体共振器、20はこれ
らの誘電体共振器を接合する基板である。誘電体共振器
R1,R2は角柱状誘電体の内部に軸方向に内導体形成
孔を設け、その内導体形成孔に内導体と導通する端子T
を挿入している。誘電体共振器R3,R4は図2および
図3に示したと同様に構成している。43,44,4
5,46,47はそれぞれ基板20の図における上面に
設けた補助導体であり、補助電極43,44上に個別部
品としてのコンデンサC1,C2を接合し、補助電極4
3,44間に個別部品としてのインダクタL2を接合
し、補助電極44,45間に個別部品としてのインダク
タL1を接合している。また、誘電体共振器R1,R2
は基板20上面のアース導体21に接合するとともに、
端子TをコンデンサC1,C2にそれぞれ接続してい
る。誘電体共振器R3,R4は基板20上面のアース導
体21に接合するとともに、結合用導体7,8を補助導
体45,46,47にそれぞれ接続している。
Next, FIG. 22 shows the structure of the dielectric resonator device of the sixth embodiment. FIG. 22 is a plan view of each surface of the dielectric resonator corresponding to FIG. 3 shown as the first embodiment. In this way, by presetting the areas of the auxiliary conductors 7 and 8 to be different, or by adjusting the areas of the auxiliary conductors 7 and 8 to be different by cutting,
The value of the capacitance between each auxiliary conductor 7, 8 and the inner conductor can be set and adjusted. Next, FIGS. 23 to 25 show the structure of the dielectric resonator device according to the seventh embodiment. FIG. 23 is a plan view of the entire dielectric resonator device, and this dielectric resonator device is used as an antenna duplexer. R1, R2 in the figure
R3 and R4 are individual dielectric resonators, and 20 is a substrate for joining these dielectric resonators. In the dielectric resonators R1 and R2, an inner conductor forming hole is provided in the axial direction inside a prismatic dielectric body, and a terminal T that conducts to the inner conductor is formed in the inner conductor forming hole.
Have been inserted. The dielectric resonators R3 and R4 have the same structure as that shown in FIGS. 43,44,4
Reference numerals 5, 46, and 47 are auxiliary conductors provided on the upper surface of the substrate 20 in the figure, and capacitors C1 and C2 as individual components are bonded onto the auxiliary electrodes 43 and 44, respectively.
An inductor L2 as an individual component is joined between 3 and 44, and an inductor L1 as an individual component is joined between the auxiliary electrodes 44 and 45. In addition, the dielectric resonators R1 and R2
Is connected to the ground conductor 21 on the upper surface of the substrate 20, and
The terminal T is connected to the capacitors C1 and C2, respectively. The dielectric resonators R3 and R4 are joined to the ground conductor 21 on the upper surface of the substrate 20 and the coupling conductors 7 and 8 are connected to the auxiliary conductors 45, 46 and 47, respectively.

【0043】図24は基板20の各面の平面図であり、
(A)は誘電体共振器の接合面、(B)は正面、(C)
は左側面、(D)は底面、(E)は右側面をそれぞれ示
す。このように基板の端面を介して底面にかけて、補助
導体43,45,47から信号入出力導体41,40,
42をそれぞれ引き出している。
FIG. 24 is a plan view of each surface of the substrate 20,
(A) is a junction surface of a dielectric resonator, (B) is a front surface, (C)
Shows a left side surface, (D) shows a bottom surface, and (E) shows a right side surface. In this way, the auxiliary conductors 43, 45, 47 are connected to the signal input / output conductors 41, 40, from the end face of the substrate to the bottom face.
42 are pulled out respectively.

【0044】図25は図23に示した誘電体共振器装置
の等価回路図である。ここで、C1,C2は図23中の
コンデンサC1,C2であるが、C3,C4,C5は図
23に示した補助導体45,44,43と基板の底面側
のアース導体21間に生じる静電容量である。また、C
6,C7,C8,C9は誘電体共振器R3,R4の結合
用導体7,8とその内導体間に生じる静電容量である。
このようにして、誘電体共振器R1,R2を用いた2段
の共振器は帯域阻止フィルタとして作用し、誘電体共振
器R3,R4を用いた2段の共振器は帯域通過フィルタ
として作用し、この装置全体は信号入出力導体41,4
2,40をそれぞれTX端子,RX端子,ANT端子と
するアンテナ共用器として作用する。
FIG. 25 is an equivalent circuit diagram of the dielectric resonator device shown in FIG. Here, C1 and C2 are capacitors C1 and C2 in FIG. 23, but C3, C4 and C5 are static electricity generated between the auxiliary conductors 45, 44 and 43 shown in FIG. 23 and the ground conductor 21 on the bottom surface side of the substrate. It is the electric capacity. Also, C
6, C7, C8 and C9 are capacitances generated between the coupling conductors 7 and 8 of the dielectric resonators R3 and R4 and their inner conductors.
Thus, the two-stage resonator using the dielectric resonators R1 and R2 acts as a band stop filter, and the two-stage resonator using the dielectric resonators R3 and R4 acts as a band pass filter. , The entire device includes signal input / output conductors 41, 4
2 and 40 function as an antenna duplexer having a TX terminal, an RX terminal, and an ANT terminal, respectively.

【0045】図23〜図25に示した第7の実施例では
受信側の帯域通過フィルタとして2つの誘電体共振器R
3,R4を用いたが、この部分を1つの誘電体共振器を
用いて1段の帯域通過フィルタとしてもよい。
In the seventh embodiment shown in FIGS. 23 to 25, two dielectric resonators R are used as a band pass filter on the receiving side.
Although 3 and R4 are used, this portion may be used as a one-stage band pass filter by using one dielectric resonator.

【0046】なお、上述した各実施例では各誘電体共振
器として、誘電体共振器ブロックの第2面S2を短絡面
とするλ/4長の共振器を用いた例を示したが、誘電体
の第1面と第2面の両方に開放端を有するλ/2長の共
振器を構成したもの、または誘電体の第1面と第2面の
両方を短絡面としてλ/2長の共振器を構成したものを
用いてもよい。また、上述した各実施例では誘電体の第
1面と第2面の両面に外導体を形成した例を示したが、
誘電体の第1面と第2面の何れか一方または両方を外導
体の形成しない開放面とした誘電体共振器を用いること
もできる。さらに、各実施例では誘電体の第1面と第2
面間に延びる貫通孔を内導体形成孔としたが、内導体形
成孔は必ずしも貫通している必要はなく、誘電体内に設
けた空隙内に内導体を設ければよい。
In each of the above-described embodiments, an example in which a λ / 4-length resonator having the second surface S2 of the dielectric resonator block as the short-circuit surface is used as each dielectric resonator is shown. A resonator having a λ / 2 length having open ends on both the first surface and the second surface of the body, or a λ / 2 length having both the first surface and the second surface of the dielectric as a short-circuit surface. You may use what comprised the resonator. Further, in each of the above-described embodiments, the example in which the outer conductor is formed on both the first surface and the second surface of the dielectric has been shown.
It is also possible to use a dielectric resonator in which one or both of the first surface and the second surface of the dielectric body is an open surface on which the outer conductor is not formed. Further, in each embodiment, the first surface and the second surface of the dielectric are
Although the through hole extending between the surfaces is defined as the inner conductor forming hole, the inner conductor forming hole does not necessarily have to penetrate, and the inner conductor may be provided in the void provided in the dielectric body.

【0047】[0047]

【発明の効果】この発明によれば、従来のシールド用金
属ケースや取り付けブラケットが不要であり、製造コス
トが安く、小型で且つ種々の段数の共振器を持つ誘電体
共振器装置を、それぞれの段数の共振器に専用の金型を
必要とせずに容易に製造することができ、さらに、各共
振器の共振周波数と共振器間の結合度とを互いに独立し
て設定または調整できる誘電体共振器装置が得られる。
According to the present invention, there is no need for a conventional shielding metal case or a mounting bracket, the manufacturing cost is low, the dielectric resonator device is small in size, and has various stages of resonators. Dielectric resonance that can be easily manufactured without requiring a dedicated die for the number of resonators, and that the resonance frequency of each resonator and the degree of coupling between the resonators can be set or adjusted independently of each other. Equipment is obtained.

【0048】特に請求項2に係る誘電体共振器装置で
は、複数の誘電体共振器が対向する基板表面に設けられ
ている他の導体の影響を受けないため、基板上に導体パ
ターンを形成する際の自由度が増す。また、結合用導体
を形成する側面に隣接する他の側面には全面に外導体を
形成することができるため、誘電体共振器の外導体パタ
ーンの形成が容易となる。
Particularly, in the dielectric resonator device according to the second aspect, since the plurality of dielectric resonators are not affected by the other conductors provided on the opposing substrate surfaces, the conductor pattern is formed on the substrate. The degree of freedom increases. Further, since the outer conductor can be formed on the entire other side surface adjacent to the side surface forming the coupling conductor, the outer conductor pattern of the dielectric resonator can be easily formed.

【0049】また請求項3に係る誘電体共振器装置で
は、別個の個別部品を付加することなく、例えば通過帯
域の低域または高域に減衰極を有する帯域通過フィルタ
として作用する誘電体共振器装置が容易に得られる。
Further, in the dielectric resonator device according to the third aspect of the present invention, the dielectric resonator functioning as a bandpass filter having an attenuation pole in the low band or high band of the pass band without adding a separate individual component. The device is easy to obtain.

【0050】さらに請求項4に係る誘電体共振器装置で
は、結合用導体の面積によって、その結合用導体が形成
された誘電体共振器と他の誘電体共振器間の結合容量の
設定または調整を行うことができ、所望の特性を有する
誘電体共振器装置が容易に得られる。
Further, in the dielectric resonator device according to the fourth aspect, the coupling capacitance between the dielectric resonator in which the coupling conductor is formed and another dielectric resonator is set or adjusted depending on the area of the coupling conductor. And a dielectric resonator device having desired characteristics can be easily obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の実施例に係る誘電体共振器装置の外観斜
視図である。
FIG. 1 is an external perspective view of a dielectric resonator device according to a first embodiment.

【図2】図1に示す誘電体共振器装置の一部を構成する
1つ誘電体共振器の外観斜視図である。
FIG. 2 is an external perspective view of one dielectric resonator forming a part of the dielectric resonator device shown in FIG.

【図3】図2に示す誘電体共振器の各面の平面図であ
る。
FIG. 3 is a plan view of each surface of the dielectric resonator shown in FIG.

【図4】図1に示す誘電体共振器装置の一部を構成する
基板の各面の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of each surface of a substrate forming a part of the dielectric resonator device shown in FIG.

【図5】図1におけるY1−Y1部分の断面図である。5 is a cross-sectional view of a Y1-Y1 portion in FIG.

【図6】図1におけるY2−Y2部分の断面図である。6 is a cross-sectional view of a Y2-Y2 portion in FIG.

【図7】第1の実施例に係る誘電体共振器装置の等価回
路図である。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the dielectric resonator device according to the first embodiment.

【図8】第2の実施例に係る誘電体共振器装置の外観斜
視図である。
FIG. 8 is an external perspective view of a dielectric resonator device according to a second embodiment.

【図9】図8に示す誘電体共振器装置の一部を構成する
1つ誘電体共振器の外観斜視図である。
9 is an external perspective view of one dielectric resonator forming a part of the dielectric resonator device shown in FIG. 8. FIG.

【図10】図9に示す誘電体共振器の各面の平面図であ
る。
FIG. 10 is a plan view of each surface of the dielectric resonator shown in FIG.

【図11】図8に示す誘電体共振器装置の一部を構成す
る基板の各面の平面図である。
FIG. 11 is a plan view of each surface of a substrate forming a part of the dielectric resonator device shown in FIG.

【図12】図8におけるY−Y部分の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line YY in FIG.

【図13】第3の実施例に係る誘電体共振器装置の断面
図である。
FIG. 13 is a sectional view of a dielectric resonator device according to a third embodiment.

【図14】第3の実施例に係る誘電体共振器装置の等価
回路図である。
FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of a dielectric resonator device according to a third embodiment.

【図15】第3の実施例に係る誘電体共振器装置の特性
図である。
FIG. 15 is a characteristic diagram of a dielectric resonator device according to a third embodiment.

【図16】第4の実施例に係る誘電体共振器装置の断面
図である。
FIG. 16 is a sectional view of a dielectric resonator device according to a fourth embodiment.

【図17】第4の実施例に係る誘電体共振器装置の基板
の内層における補助導体の形状を示す平面図である。
FIG. 17 is a plan view showing the shape of an auxiliary conductor in the inner layer of the substrate of the dielectric resonator device according to the fourth example.

【図18】第4の実施例に係る誘電体共振器装置の等価
回路図である。
FIG. 18 is an equivalent circuit diagram of a dielectric resonator device according to a fourth embodiment.

【図19】第4の実施例に係る誘電体共振器装置の特性
図である。
FIG. 19 is a characteristic diagram of the dielectric resonator device according to the fourth example.

【図20】第5の実施例に係る誘電体共振器装置におけ
る誘電体共振器の各面の平面図である。
FIG. 20 is a plan view of each surface of a dielectric resonator in a dielectric resonator device according to a fifth example.

【図21】第5の実施例に係る誘電体共振器装置の基板
の各面の平面図である。
FIG. 21 is a plan view of each surface of the substrate of the dielectric resonator device according to the fifth example.

【図22】第6の実施例に係る誘電体共振器装置の一部
を構成する1つ誘電体共振器の各面の平面図である。
FIG. 22 is a plan view of each surface of one dielectric resonator that constitutes a part of the dielectric resonator device according to the sixth embodiment.

【図23】第7の実施例に係る誘電体共振器装置の平面
図である。
FIG. 23 is a plan view of a dielectric resonator device according to a seventh embodiment.

【図24】第7の実施例に係る誘電体共振器装置の基板
の各面の平面図である。
FIG. 24 is a plan view of each surface of the substrate of the dielectric resonator device according to the seventh example.

【図25】第7の実施例に係る誘電体共振器装置の等価
回路図である。
FIG. 25 is an equivalent circuit diagram of a dielectric resonator device according to a seventh embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

R1,R2,R3−誘電体共振器 1−誘電体 2−内導体形成孔 3,4−内導体 5−内導体非形成部 6−外導体 7,8−結合用導体 20−基板 21−アース導体 22〜35−補助導体 22,23−(信号入出力導体) R1, R2, R3-dielectric resonator 1-dielectric 2-inner conductor forming hole 3,4-inner conductor 5-inner conductor non-forming part 6-outer conductor 7,8-coupling conductor 20-substrate 21-ground Conductors 22 to 35-auxiliary conductors 22 and 23- (signal input / output conductors)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01P 7/04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01P 7/04

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の誘電体共振器を基板上に配置した
誘電体共振器装置であって、 各誘電体共振器は、内部に内導体を有し、互いに対向す
る第1面と第2面およびこの第1面と第2面間に延びる
側面に外導体を有し、且つその一側面にのみ前記内導体
との間で静電容量を形成する結合用導体を有して成り、 前記基板は、各誘電体共振器の前記結合用導体に導通し
て誘電体共振器間を結合させ、一部を外部に対する信号
入出力導体として用いる複数の補助導体を有して成り、 隣接する誘電体共振器の側面同士を近接させた状態でこ
れらの複数の誘電体共振器を前記基板上に接合したこと
を特徴とする誘電体共振器装置。
1. A dielectric resonator device in which a plurality of dielectric resonators are arranged on a substrate, wherein each dielectric resonator has an inner conductor inside, and a first surface and a second surface facing each other. An outer conductor on the surface and a side surface extending between the first surface and the second surface, and a coupling conductor forming a capacitance between the inner conductor and the outer conductor only on one side surface thereof, The substrate has a plurality of auxiliary conductors that are electrically connected to the coupling conductors of the respective dielectric resonators to couple the dielectric resonators and use some of them as signal input / output conductors to the outside. A dielectric resonator device characterized in that a plurality of these dielectric resonators are bonded onto the substrate in a state where side surfaces of the body resonators are close to each other.
【請求項2】 前記基板は多層配線基板から成り、該多
層配線基板の内層に前記補助導体を設けたことを特徴と
する請求項1記載の誘電体共振器装置。
2. The dielectric resonator device according to claim 1, wherein the substrate is a multilayer wiring substrate, and the auxiliary conductor is provided in an inner layer of the multilayer wiring substrate.
【請求項3】 前記補助導体をインダクタンス素子また
はキャパシタンス素子として形成したことを特徴とする
請求項1または2記載の誘電体共振器装置。
3. The dielectric resonator device according to claim 1, wherein the auxiliary conductor is formed as an inductance element or a capacitance element.
【請求項4】 前記結合用導体を各誘電体共振器毎に複
数個設けるとともに、同一の誘電体共振器における各結
合用導体の面積を異ならせたことを特徴とする請求項
1、2または3記載の誘電体共振器装置。
4. The plurality of coupling conductors are provided for each dielectric resonator, and the area of each coupling conductor in the same dielectric resonator is different. 3. The dielectric resonator device according to item 3.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09186503A (en) * 1995-12-21 1997-07-15 Samsung Electro Mech Co Ltd Ceramic dielectric filter
EP1643584B1 (en) * 2004-09-30 2009-09-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Balanced filter device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09186503A (en) * 1995-12-21 1997-07-15 Samsung Electro Mech Co Ltd Ceramic dielectric filter
EP1643584B1 (en) * 2004-09-30 2009-09-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Balanced filter device
US7868718B2 (en) 2004-09-30 2011-01-11 Taiyo Yuden, Co., Ltd. Balanced filter device

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