JPH07273286A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH07273286A
JPH07273286A JP8092694A JP8092694A JPH07273286A JP H07273286 A JPH07273286 A JP H07273286A JP 8092694 A JP8092694 A JP 8092694A JP 8092694 A JP8092694 A JP 8092694A JP H07273286 A JPH07273286 A JP H07273286A
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JP
Japan
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vdd
circuit
power supply
supply voltage
integrated circuit
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JP8092694A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoru Kamiya
了 神谷
Takashi Norimatsu
隆司 乗松
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Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor integrated circuit which is operated at a low voltage without lowering a power supply voltage supplied from the outside and whose power consumption is lowered. CONSTITUTION:Two circuit blocks 11, 12 which constitute an integrated circuit are constituted so as to be operatable at a power supply voltage which is lower than a power-supply voltage VDD supplied from the outside, and they are stacked longitudinally between a VDD line 14 and a GND line 15. The first circuit block 1 is operated within a voltage range of (1/2) VDD to VDD, and the second circuit block 12 is operated within a voltage range of 0 to (1/2) VDD. In order to match the circuit blocks 11, 12 with an external circuit within a signal voltage range of 0 to VDD, an input/output circuit block 12 which is operated at the power supply voltage VDD and which has a level conversion function is installed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路に係
り、特に低電圧動作により消費電力低減を図った半導体
集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a semiconductor integrated circuit whose power consumption is reduced by low voltage operation.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の半導体集積回路の素子の微細化、
高集積化はめざましいものがある。素子が小型化すれ
ば、耐圧や信頼性の点から素子の動作電圧を低くし、動
作電流を小さくすることが必要になる。素子の動作可能
電圧、動作可能電流を低減すれば、使用電源電圧を下げ
て集積回路の消費電力を低減することができる。
2. Description of the Related Art Miniaturization of elements of semiconductor integrated circuits in recent years,
High integration is remarkable. If the element is downsized, it is necessary to lower the operating voltage and the operating current of the element in terms of breakdown voltage and reliability. If the operable voltage and the operable current of the element are reduced, the power supply voltage used can be lowered and the power consumption of the integrated circuit can be reduced.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、ある集積回路
の動作可能電圧が下がっても、これが使用されるシステ
ム内の使用電源電圧は通常決まっており、しかも他の回
路要素との間で信号レベルを合わせる必要があるため、
その集積回路の電源電圧を単独で下げることはできな
い。この発明は、外部からの供給電源電圧を下げること
なく低電圧動作を行わせて低消費電力化を可能とした半
導体集積回路を提供するとを目的としている。
However, even if the operable voltage of a certain integrated circuit is lowered, the power supply voltage used in the system in which it is used is usually fixed, and the signal level with other circuit elements is low. Because it is necessary to match
The power supply voltage of the integrated circuit cannot be lowered by itself. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of low power consumption by performing low voltage operation without lowering the power supply voltage supplied from the outside.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路は、集積される回路のうち少なくとも第1、第2
の二つの回路ブロックが外部から供給される電源電圧V
DDより低い電源電圧で動作可能に構成されて電源線と接
地線の間に縦積みされ、これら第1、第2の回路ブロッ
クに電源電圧VDDを所定の比率で分割した内部電源電圧
が供給されるようにしたことを特徴としている。この発
明はまた、外部から電源電圧VDDが供給される半導体集
積回路であって、集積される回路が、m<Nとして、m
・VDD/Nの電源電圧で動作する第1の回路ブロック
と、(N−m)・VDD/Nの電源電圧で動作する第2の
回路ブロックを含み、電源電圧VDDがm・VDD/Nと
(N−m)・VDD/Nとに分割されてそれぞれ第1、第
2の回路ブロックに供給されるようにしたことを特徴と
している。この発明において好ましくは、第1、第2の
回路ブロックの接続ノードに出力端子が接続されて、接
続ノードの電位変動を抑制する方向に電流供給または排
出を行う電流バッファが設けられる。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention includes at least first and second integrated circuits.
Power supply voltage V supplied from the outside to the two circuit blocks
It is configured to be operable at a power supply voltage lower than DD and is vertically stacked between a power supply line and a ground line, and an internal power supply voltage obtained by dividing the power supply voltage VDD at a predetermined ratio is supplied to these first and second circuit blocks. It is characterized by doing so. The present invention is also a semiconductor integrated circuit to which a power supply voltage VDD is supplied from the outside, wherein the integrated circuit has m <N and m
-A first circuit block that operates at a power supply voltage of VDD / N and a second circuit block that operates at a power supply voltage of (Nm) -VDD / N are included, and the power supply voltage VDD is m-VDD / N. It is characterized in that it is divided into (N−m) · VDD / N and supplied to the first and second circuit blocks respectively. In the present invention, preferably, an output terminal is connected to a connection node of the first and second circuit blocks, and a current buffer is provided for supplying or discharging a current in a direction of suppressing a potential fluctuation of the connection node.

【0005】[0005]

【作用】この発明によれば、集積回路をいくつかの回路
ブロックに分けて電源電圧の範囲内に縦積みにすること
で、外部から供給される電源電圧を下げることなく実質
的に各回路ブロックの動作電圧を下げることができる。
これにより集積回路の消費電力低減が図られる。また回
路ブロックの接続ノードの電位変動を抑制するように電
流バッファを設けることによって、各回路ブロックが分
担する電圧の安定化、従って各回路ブロックの動作の安
定化を図ることができる。
According to the present invention, the integrated circuit is divided into several circuit blocks and stacked vertically within the range of the power supply voltage, so that the power supply voltage supplied from the outside is not lowered and each circuit block is substantially The operating voltage of can be lowered.
As a result, the power consumption of the integrated circuit can be reduced. Further, by providing the current buffer so as to suppress the potential fluctuation of the connection node of the circuit block, it is possible to stabilize the voltage shared by each circuit block, and thus the operation of each circuit block.

【0006】[0006]

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。図1は、この発明の一実施例に係る半導体集
積回路のブロック構成を示す。内部回路は複数の回路ブ
ロックに分けられており、外部からの電源電圧VDDが供
給される電源(VDD)線14と接地(GND)線15の
間に、第1の回路ブロック11と第2の回路ブロック1
2が直列に縦積みされている。第1の回路ブロック11
を流れた電流は全て第2の回路ブロック12に流れるか
ら、定常動作状態でこれらの回路ブロック11,12の
等価インピーダンスがほぼ等しいとすれば、これらの回
路ブロック11、12間の接続ノード16はほぼ、(1
/2)VDDに保たれる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a block configuration of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. The internal circuit is divided into a plurality of circuit blocks, and a first circuit block 11 and a second circuit block 11 are provided between a power supply (VDD) line 14 and a ground (GND) line 15 to which a power supply voltage VDD from the outside is supplied. Circuit block 1
2 are stacked vertically in series. First circuit block 11
Since all the currents flowing through the second circuit block 12 flow in the second circuit block 12, assuming that the equivalent impedances of these circuit blocks 11 and 12 are substantially equal in the steady operation state, the connection node 16 between these circuit blocks 11 and 12 is Almost (1
/ 2) It is kept at VDD.

【0007】従って、第1の回路ブロック11は電圧範
囲(1/2)VDD〜VDDで動作し、第2の回路ブロック
12は電圧範囲0〜(1/2)VDDで動作する。この様
に二つの回路ブロック11、12は異なる電圧範囲で動
作するため、これらを外部回路と整合させる必要があ
る。このため、電源電圧VDDで動作する入出力回路ブロ
ック13が設けられている。入出力回路ブロック13
は、第1、第2の回路ブロック11,12の上述した信
号電圧レベルを0〜VDDの信号電圧レベルに変換するレ
ベル変換機能を有するものとする。
Therefore, the first circuit block 11 operates in the voltage range (1/2) VDD to VDD, and the second circuit block 12 operates in the voltage range 0 to (1/2) VDD. Since the two circuit blocks 11 and 12 operate in different voltage ranges in this way, it is necessary to match them with an external circuit. Therefore, the input / output circuit block 13 that operates at the power supply voltage VDD is provided. I / O circuit block 13
Has a level conversion function for converting the above-mentioned signal voltage levels of the first and second circuit blocks 11 and 12 into signal voltage levels of 0 to VDD.

【0008】この実施例による集積回路の消費電力低減
の効果を、図2(a)(b)を参照して説明する。図2
(a)が通常の集積回路構成で回路面積Sであり、これ
が図2(b)に示すように回路面積S/2ずつの二つの
回路ブロックに分けられたとする。いまこの集積回路
が、クロック周波数Fで動作する論理回路であり、電源
供給部から見た回路インピーダンスが回路面積に反比例
するため、図2(a)の状態での回路の消費電力W1
は、比例定数kを用いて、下記数1で表される。
The effect of reducing the power consumption of the integrated circuit according to this embodiment will be described with reference to FIGS. Figure 2
It is assumed that (a) is a normal integrated circuit configuration and has a circuit area S, which is divided into two circuit blocks each having a circuit area S / 2 as shown in FIG. 2 (b). Since this integrated circuit is a logic circuit that operates at the clock frequency F and the circuit impedance seen from the power supply unit is inversely proportional to the circuit area, the power consumption W1 of the circuit in the state of FIG.
Is expressed by the following equation 1 using a proportional constant k.

【0009】[0009]

【数1】W1=kFVDD2[Equation 1] W1 = kFVDD 2 S

【0010】これに対して、図2(b)の状態では全回
路の消費電力W2は、下記数2で表される。
On the other hand, in the state of FIG. 2 (b), the power consumption W2 of all circuits is expressed by the following equation 2.

【0011】[0011]

【数2】W2=2×kF(VDD/2)2 (S/2)=k
FVDD2 S/4
[Expression 2] W2 = 2 × kF (VDD / 2) 2 (S / 2) = k
FVDD 2 S / 4

【0012】以上のように回路を二つのブロックに分割
して電源電圧範囲に縦積みすると、通常の集積回路構成
に比べて消費電力は1/4に低減できる。
By dividing the circuit into two blocks and stacking them vertically in the power supply voltage range as described above, the power consumption can be reduced to 1/4 as compared with the usual integrated circuit configuration.

【0013】上の実施例では二つの回路ブロックに分割
したが、3個以上の回路ブロックに分割することもでき
る。一般に、電源電圧をn等分するように回路ブロック
をn分割すれば、消費電力は1/n2 になる。このこと
を具体的に図3(a)(b)を参照して説明すれば、次
の通りである。図3(a)は通常の集積回路構成であ
り、平均消費電流をIとする。図3(b)に示すように
n個の回路ブロックに分割して縦積みすると、各回路ブ
ロックの面積が1/nになり且つこれらが直列になるか
ら、VDD端子からみたインピーダンスは図3(a)の場
合の1/n2 、従って平均消費電流はI/n2 になる。
そうすると図3(b)の状態での全消費電力は、下記数
3になる。
In the above embodiment, the circuit block is divided into two circuit blocks, but it may be divided into three or more circuit blocks. Generally, if the circuit block is divided into n so that the power supply voltage is equally divided into n, the power consumption becomes 1 / n 2 . This will be specifically described with reference to FIGS. 3A and 3B as follows. FIG. 3A shows a normal integrated circuit configuration, and the average current consumption is I. When the circuit blocks are divided into n circuit blocks and vertically stacked as shown in FIG. 3B, the area of each circuit block becomes 1 / n and these are in series. Therefore, the impedance viewed from the VDD terminal is shown in FIG. 1 / n 2 in the case of a), and thus the average current consumption is I / n 2 .
Then, the total power consumption in the state of FIG.

【0014】[0014]

【数3】 W=n×(VDD/n)・(I/n2 )=VDD・I/n2 [Expression 3] W = n × (VDD / n) · (I / n 2 ) = VDD · I / n 2

【0015】なおこの発明において、縦積みされる回路
ブロックによって電源電圧が等分割されることは必ずし
も必要ではない。例えば図1の実施例において、第1の
回路ブロック11を流れた電流が全て第2の回路ブロッ
ク12を流れるとしても、それらの平均回路インピーダ
ンスが異なれば、分割点である接続ノード16の電圧は
(1/2)VDDからずれた値になる。またこの電圧の分
割比は整数比でなくてもよい。一般に、m<Nとして、
m・VDD/Nの電源電圧で動作する第1の回路ブロック
と、(N−m)・VDD/Nの電源電圧で動作する第2の
回路ブロックと分割して縦積みして、これらに対して電
源電圧VDDが、m・VDD/Nと(N−m)・VDD/Nに
分割されてそれぞれ供給されるようにすればよい。
In the present invention, it is not always necessary that the power supply voltage is equally divided by the vertically stacked circuit blocks. For example, in the embodiment of FIG. 1, even if all the currents flowing through the first circuit block 11 flow through the second circuit block 12, if the average circuit impedances thereof are different, the voltage of the connection node 16 as the dividing point is (1/2) The value deviates from VDD. Further, the division ratio of this voltage may not be an integer ratio. Generally, for m <N,
A first circuit block that operates at a power supply voltage of m · VDD / N and a second circuit block that operates at a power supply voltage of (N−m) · VDD / N are divided and vertically stacked. The power supply voltage VDD may be divided into mVDD / N and (N−m) VDD / N to be supplied.

【0016】上述した電圧の分割比を安定に保つこと
は、回路動作の安定化にとって重要である。図4は、そ
のような電圧分割比安定化の手段を付加した実施例であ
る。図4(a)に示すように、抵抗R1,R2による分
圧回路と電流バッファ17が設けられ、電流バッファ1
7の出力端子が第1、第2の回路ブロック11,12の
接続ノード16に接続されている。電流バッファ17
は、接続ノード16が電位変動した場合に、その電位変
動を抑制するように電流供給または排出を行うものであ
る。図4(b)はより具体化した実施例で、抵抗R1,
R2の間にダイオードD1,D2を介在させ、これらの
ダイオードD1,D2によりベース・エミッタ間電圧が
規定されるNPNトランジスタQ1とPNPトランジス
タQ2の直列回路がVDD−GND間に設けられる。
Maintaining a stable voltage division ratio is important for stabilizing circuit operation. FIG. 4 shows an embodiment in which such means for stabilizing the voltage division ratio is added. As shown in FIG. 4A, a voltage divider circuit including resistors R1 and R2 and a current buffer 17 are provided.
The output terminal 7 is connected to the connection node 16 of the first and second circuit blocks 11 and 12. Current buffer 17
When the connection node 16 changes in potential, current is supplied or discharged so as to suppress the change in potential. FIG. 4B shows a more specific embodiment, in which the resistance R1,
A series circuit of NPN transistor Q1 and PNP transistor Q2 in which a diode D1 and D2 are interposed between R2 and a base-emitter voltage is defined by these diodes D1 and D2 is provided between VDD and GND.

【0017】この実施例による電圧分割比安定化の動作
を、図4(b)を参照して説明すれば、次の通りであ
る。トランジスタQ1,Q2には、接続ノード16の電
位が規定の電位例えば(1/2)VDDにあるときに、等
しい電流が流れるように条件を設定しておく。このと
き、トランジスタQ1,Q2側の電流とは無関係に、回
路ブロック11を流れた電流は全て回路ブロック12に
流れ、これらの回路ブロック11、12の電流は等しく
保たれる。接続ノード16の電位が下がると、NPNト
ランジスタQ1がより深くオンする方向、PNPトラン
ジスタQ2がオフの方向にバイアスされる。これによ
り、トランジスタQ1の電流は一部回路ブロック12に
供給されて、接続ノード16の電位低下が抑制される。
接続ノード16の電位が定常状態より上昇した場合は、
トランジスタQ1,Q2のバイアス関係は上と逆にな
り、よりオンが深くなるトランジスタQ2を介して第1
の回路ブロック11の電流の一部が排出される。これに
より、接続ノード16の電位上昇が抑制される。
The operation of stabilizing the voltage division ratio according to this embodiment will be described below with reference to FIG. 4 (b). Conditions are set in the transistors Q1 and Q2 so that equal currents flow when the potential of the connection node 16 is a prescribed potential, for example, (1/2) VDD. At this time, regardless of the currents on the transistors Q1 and Q2 side, all the currents flowing through the circuit block 11 flow into the circuit block 12, and the currents in these circuit blocks 11 and 12 are kept equal. When the potential of the connection node 16 decreases, the NPN transistor Q1 is biased in a deeper ON direction and the PNP transistor Q2 is biased in an OFF direction. As a result, the current of the transistor Q1 is partially supplied to the circuit block 12 and the potential drop of the connection node 16 is suppressed.
When the potential of the connection node 16 rises above the steady state,
The bias relationship between the transistors Q1 and Q2 is opposite to the above, and the first transistor is turned on via the transistor Q2 whose ON is deeper.
Part of the current of the circuit block 11 is discharged. As a result, the potential rise of the connection node 16 is suppressed.

【0018】なお電圧分割比安定化のための電流バッフ
ア17とは別に、第1の回路ブロック11と第2の回路
ブロック12とが必要とする消費電流が異なる場合に、
その差分を供給または排出するバイパス経路を持たせる
ことも有効である。第1、第2の回路ブロック11、1
2が縦積みされていて、他に電流供給あるいは排出経路
がなければ、前述のようにこれらには必然的に同じ電流
が流れる。これに対して、第2の回路ブロック12の必
要とする電流が第1の回路ブロック11のそれより大き
い場合には、第1の回路ブロック11側に電流バイパス
を設ける。逆に第1の回路ブロック11の必要とする電
流が大きい場合には、第2の回路ブロック12側に電流
バイパスを設ける。以上により、縦積みされる回路ブロ
ックの電流を異ならせることができる。
In addition to the current buffer 17 for stabilizing the voltage division ratio, when the consumption currents required by the first circuit block 11 and the second circuit block 12 are different,
It is also effective to have a bypass path for supplying or discharging the difference. First and second circuit blocks 11, 1
If the two are stacked vertically and there is no other current supply or discharge path, the same current necessarily flows through them as described above. On the other hand, when the current required by the second circuit block 12 is larger than that of the first circuit block 11, a current bypass is provided on the first circuit block 11 side. Conversely, when the current required by the first circuit block 11 is large, a current bypass is provided on the second circuit block 12 side. As described above, the current of the vertically stacked circuit blocks can be made different.

【0019】図5は、1チップ内の複数の回路領域A,
B,C,Dにおいて、それぞれ異なる電圧分割比をもっ
て回路ブロックを縦積みした実施例を示している。図6
は、図5の回路領域A,B,C,Dのチップ内のレイア
ウト例である。
FIG. 5 shows a plurality of circuit areas A in one chip.
In B, C and D, there are shown embodiments in which circuit blocks are vertically stacked with different voltage division ratios. Figure 6
5 is an example of a layout in the chip of the circuit areas A, B, C and D of FIG.

【0020】以上の実施例では、縦積みされる回路ブロ
ック間では信号の授受がないものとして説明した。しか
し通常は、集積回路を複数の回路ブロックに分割したと
き、それらの間で相互に信号の授受が必要になる。この
発明では複数の回路ブロックが互いに異なる電圧範囲で
動作するから、これらの回路ブロックが信号授受を行う
ためには集積回路内部でのレベル合わせが必要である。
In the above-described embodiments, the description has been made on the assumption that signals are not exchanged between the vertically stacked circuit blocks. However, normally, when an integrated circuit is divided into a plurality of circuit blocks, it is necessary to exchange signals between them. In the present invention, a plurality of circuit blocks operate in different voltage ranges, so that level adjustment within the integrated circuit is necessary for these circuit blocks to exchange signals.

【0021】図7は、そのような信号のレベル合わせを
考慮した実施例である。内部回路の主要部が第1の回路
ブロック21と第2の回路ブロック22に分割されて、
これらが電源電圧VDDの範囲に縦積みされることは、先
の実施例と同様である。入力端子INに供給される信号
は、例えば0〜VDDの論理振幅をもつものとし、これが
電源電圧VDDで動作する入力回路24において、(1/
2)VDD〜VDDの論理振幅の信号に変換されて第1の回
路ブロック21に供給される。第1の回路ブロック21
の出力信号は、レベルシフト回路23により0〜(1/
2)VDDの論理振幅信号に変換されて第2の回路ブロッ
ク22に供給される。そして第2の回路ブロック22の
出力は、電源電圧VDDで動作する出力回路25において
0〜VDDの論理振幅の信号に変換されて、出力端子OU
Tから出力される。これにより、内部回路が異なる電圧
領域で動作する回路ブロックに分割されている場合の内
部回路内での整合と、外部回路との整合がとれることに
なる。
FIG. 7 shows an embodiment in consideration of such signal level matching. The main part of the internal circuit is divided into a first circuit block 21 and a second circuit block 22,
As in the previous embodiment, these are vertically stacked in the range of the power supply voltage VDD. The signal supplied to the input terminal IN is assumed to have a logical amplitude of 0 to VDD, for example, and the input circuit 24 operating at the power supply voltage VDD supplies (1 /
2) Converted to a signal having a logical amplitude of VDD to VDD and supplied to the first circuit block 21. First circuit block 21
Output signal of 0 to (1 /
2) Converted to a VDD logical amplitude signal and supplied to the second circuit block 22. The output of the second circuit block 22 is converted into a signal having a logical amplitude of 0 to VDD in the output circuit 25 operating at the power supply voltage VDD, and the output terminal OU
It is output from T. As a result, when the internal circuit is divided into circuit blocks that operate in different voltage regions, matching in the internal circuit and matching with the external circuit can be achieved.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、集
積回路の内部回路を複数ブロックに分割して電源電圧範
囲内に縦積みにすることにより、外部電源電圧を下げる
ことなく、外部回路との整合性を保持して効果的に集積
回路の低消費電力化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, the internal circuit of the integrated circuit is divided into a plurality of blocks and stacked vertically within the power supply voltage range, so that the external circuit can be operated without lowering the external power supply voltage. It is possible to effectively reduce the power consumption of the integrated circuit while maintaining the consistency with.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の一実施例に係る集積回路の構成を
示す。
FIG. 1 shows a configuration of an integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】 同実施例の効果を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining an effect of the same embodiment.

【図3】 n分割したときの効果を説明するための図で
ある。
FIG. 3 is a diagram for explaining an effect when dividing into n.

【図4】 分割比安定化手段を付加した実施例の構成を
示す。
FIG. 4 shows a configuration of an embodiment in which a division ratio stabilizing means is added.

【図5】 分割比の異なる複数の回路ブロックを混在さ
せた実施例の構成を示す。
FIG. 5 shows a configuration of an embodiment in which a plurality of circuit blocks having different division ratios are mixed.

【図6】 図5の実施例のチップレイアウト例を示す。FIG. 6 shows a chip layout example of the embodiment of FIG.

【図7】 内部レベル整合を考慮した実施例の構成を示
す。
FIG. 7 shows a configuration of an embodiment considering internal level matching.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…第1の回路ブロック、12…第2の回路ブロッ
ク、13…入出力回路ブロック、14…電源(VDD)
線、15…接地(GND)線、16…接続ノード。
11 ... 1st circuit block, 12 ... 2nd circuit block, 13 ... I / O circuit block, 14 ... Power supply (VDD)
Line, 15 ... Ground (GND) line, 16 ... Connection node.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集積される回路のうち少なくとも第1、
第2の二つの回路ブロックが外部から供給される電源電
圧VDDより低い電源電圧で動作可能に構成されて電源線
と接地線の間に縦積みされ、これらの第1、第2の回路
ブロックに電源電圧VDDを所定の比率で分割した内部電
源電圧が供給されるようにしたことを特徴とする半導体
集積回路。
1. At least a first of the integrated circuits,
The second two circuit blocks are configured to be operable at a power supply voltage lower than the power supply voltage VDD supplied from the outside and vertically stacked between the power supply line and the ground line. A semiconductor integrated circuit characterized in that an internal power supply voltage obtained by dividing the power supply voltage VDD at a predetermined ratio is supplied.
【請求項2】 外部から電源電圧VDDが供給される半導
体集積回路であって、集積される回路が、m<Nとし
て、m・VDD/Nの電源電圧で動作する第1の回路ブロ
ックと、(N−m)・VDD/Nの電源電圧で動作する第
2の回路ブロックを含み、電源電圧VDDがm・VDD/N
と(N−m)・VDD/Nに分割されてそれぞれ第1、
第2の回路ブロックに供給されるようにしたことを特徴
とする半導体集積回路。
2. A semiconductor integrated circuit to which a power supply voltage VDD is supplied from the outside, wherein the integrated circuit has a first circuit block operating at a power supply voltage of m · VDD / N, where m <N. (N−m) · VDD / N including the second circuit block operating at the power supply voltage, the power supply voltage VDD is m · VDD / N
And (N−m) · VDD / N divided into the first,
A semiconductor integrated circuit characterized by being supplied to a second circuit block.
【請求項3】 第1、第2の回路ブロックの接続ノード
に出力端子が接続されて、接続ノードの電位変動を抑制
する方向に電流供給または排出を行う電流バッファを有
することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体
集積回路。
3. An output terminal is connected to a connection node of the first and second circuit blocks, and the current buffer has a current buffer for supplying or discharging a current in a direction of suppressing a potential variation of the connection node. Item 3. The semiconductor integrated circuit according to item 1 or 2.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006203169A (en) * 2004-11-29 2006-08-03 Marvell World Trade Ltd Low voltage logic circuit operation using higher voltage supply levels
US9025408B2 (en) 2013-06-11 2015-05-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

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