JPH07268244A - 金属用表面処理剤及び金属の表面処理方法 - Google Patents
金属用表面処理剤及び金属の表面処理方法Info
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- JPH07268244A JPH07268244A JP8392394A JP8392394A JPH07268244A JP H07268244 A JPH07268244 A JP H07268244A JP 8392394 A JP8392394 A JP 8392394A JP 8392394 A JP8392394 A JP 8392394A JP H07268244 A JPH07268244 A JP H07268244A
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- metal substrate
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 金属基材の表面をポリマーで被覆するに先立
ち、上記金属基材と反応する基と上記ポリマーのモノマ
ーとグラフト重合反応する基とを有する芳香族チオール
又はその誘導体、好ましくはチオフェン環もしくはピロ
ール環を有する芳香族チオール誘導体又は下記式（１）
もしくは（２）で表されるフェニルチオール誘導体から
なる金属用表面処理剤で上記金属基材を表面処理する。 【化１】 （式中、ＲはＨ又はＣＨ3、ｍは０〜５である。） 【効果】 本発明によれば、金属基材との密着性に優れ
ると共に、均質性、接着性、耐食性などに優れたポリマ
ー膜を金属基材上に形成することができる。
ち、上記金属基材と反応する基と上記ポリマーのモノマ
ーとグラフト重合反応する基とを有する芳香族チオール
又はその誘導体、好ましくはチオフェン環もしくはピロ
ール環を有する芳香族チオール誘導体又は下記式（１）
もしくは（２）で表されるフェニルチオール誘導体から
なる金属用表面処理剤で上記金属基材を表面処理する。 【化１】 （式中、ＲはＨ又はＣＨ3、ｍは０〜５である。） 【効果】 本発明によれば、金属基材との密着性に優れ
ると共に、均質性、接着性、耐食性などに優れたポリマ
ー膜を金属基材上に形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属用表面処理剤及び金
属の表面処理方法に関し、特に金属基材表面においてモ
ノマーを重合してポリマー膜を形成する際の前処理、金
属の防錆、接着、塗装のための前処理として好適な金属
用表面処理剤及び金属の表面処理方法に関する。
属の表面処理方法に関し、特に金属基材表面においてモ
ノマーを重合してポリマー膜を形成する際の前処理、金
属の防錆、接着、塗装のための前処理として好適な金属
用表面処理剤及び金属の表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、金属基材上でモノマーを重合して
ポリマー膜を形成する場合、金属基材表面を単に機械的
に研磨した後に重合反応を行ったり、或いはシランカッ
プリング剤やキレート剤のようなプライマーを金属基材
上に塗布した後、上記モノマーをグラフト重合反応させ
る方法などが採用されている。
ポリマー膜を形成する場合、金属基材表面を単に機械的
に研磨した後に重合反応を行ったり、或いはシランカッ
プリング剤やキレート剤のようなプライマーを金属基材
上に塗布した後、上記モノマーをグラフト重合反応させ
る方法などが採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来法では金属基材とこの基材上に堆積するポリマー膜と
の密着性が十分ではなく、その結果、重合反応法として
電気化学的方法を用いた場合、入力パワーの伝達効率が
低くなるため、グラフト重合反応の効率が低くなってし
まう。また、金属基材上に堆積したポリマー膜の分子鎖
が短いため、共役二重結合も短い構造のものとなり、こ
のため上記ポリマー膜は耐食性などの物性が劣るものと
なってしまう。
来法では金属基材とこの基材上に堆積するポリマー膜と
の密着性が十分ではなく、その結果、重合反応法として
電気化学的方法を用いた場合、入力パワーの伝達効率が
低くなるため、グラフト重合反応の効率が低くなってし
まう。また、金属基材上に堆積したポリマー膜の分子鎖
が短いため、共役二重結合も短い構造のものとなり、こ
のため上記ポリマー膜は耐食性などの物性が劣るものと
なってしまう。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
金属基材との密着性に優れると共に、均質性、接着性、
耐食性などに優れたポリマー膜を金属基材上に形成する
ために予め金属を表面処理することに用いる金属用表面
処理剤及び金属の表面処理方法を提供することを目的と
する。
金属基材との密着性に優れると共に、均質性、接着性、
耐食性などに優れたポリマー膜を金属基材上に形成する
ために予め金属を表面処理することに用いる金属用表面
処理剤及び金属の表面処理方法を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、金属基材の
表面をポリマーで被覆するに先立ち、上記金属基材と反
応する基と上記ポリマーのモノマーとグラフト重合反応
する基とを有する芳香族チオール又はその誘導体、好ま
しくはチオフェン環もしくはピロール環を有する芳香族
チオール誘導体又は下記式（１）もしくは（２）で表さ
れるフェニルチオール誘導体で上記金属基材を表面処理
した場合、このような前処理を施さない金属基材上に直
接ポリマー膜を堆積した場合と比較してポリマー膜の分
子鎖を長くすることができ、このため共役二重結合が成
長しやすくなるので、分子構造的により特性の優れたポ
リマー膜を得ることができ、このようなミクロな分子構
造レベルでのポリマー膜の優位性は、膜の均質性、接着
性、耐食性などのようなマクロ的な実用上の特性に反映
されることを見い出した。また、上記表面処理方法で表
面処理することにより、金属基材上にポリアニリン膜を
堆積することが可能となり、この場合、金属基材上に吸
着した芳香族チオール又はその誘導体はそのベンゼン環
に容易に−ＮＨ2を導入することができ、この−ＮＨ2と
アニリンとがグラフト重合することにより、ポリアニリ
ンの膜を金属基材上に堆積することができ、この膜は良
好な導電膜となるばかりではなく、耐食性に優れた保護
膜ともなり得ることを知見し、本発明をなすに至った。
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、金属基材の
表面をポリマーで被覆するに先立ち、上記金属基材と反
応する基と上記ポリマーのモノマーとグラフト重合反応
する基とを有する芳香族チオール又はその誘導体、好ま
しくはチオフェン環もしくはピロール環を有する芳香族
チオール誘導体又は下記式（１）もしくは（２）で表さ
れるフェニルチオール誘導体で上記金属基材を表面処理
した場合、このような前処理を施さない金属基材上に直
接ポリマー膜を堆積した場合と比較してポリマー膜の分
子鎖を長くすることができ、このため共役二重結合が成
長しやすくなるので、分子構造的により特性の優れたポ
リマー膜を得ることができ、このようなミクロな分子構
造レベルでのポリマー膜の優位性は、膜の均質性、接着
性、耐食性などのようなマクロ的な実用上の特性に反映
されることを見い出した。また、上記表面処理方法で表
面処理することにより、金属基材上にポリアニリン膜を
堆積することが可能となり、この場合、金属基材上に吸
着した芳香族チオール又はその誘導体はそのベンゼン環
に容易に−ＮＨ2を導入することができ、この−ＮＨ2と
アニリンとがグラフト重合することにより、ポリアニリ
ンの膜を金属基材上に堆積することができ、この膜は良
好な導電膜となるばかりではなく、耐食性に優れた保護
膜ともなり得ることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００６】
【化２】 （式中、ＲはＨ又はＣＨ3、ｍは０〜５である。）
【０００７】以下、本発明を更に詳しく説明すると、本
発明の金属用表面処理剤は、金属基材と反応する基と上
記ポリマーのモノマーとグラフト重合反応する基とを有
する芳香族チオール又はその誘導体からなるものであ
る。
発明の金属用表面処理剤は、金属基材と反応する基と上
記ポリマーのモノマーとグラフト重合反応する基とを有
する芳香族チオール又はその誘導体からなるものであ
る。
【０００８】ここで、上記２種の基を分子内に有する芳
香族チオール又はその誘導体としては、チオフェン環も
しくはピロール環を有する誘導体及び下記式（１）、
（２）で表されるフェニルチオール誘導体が挙げられ、
この中では下記式（１）及び（２）のフェニルチオール
誘導体を用いることが好ましい。
香族チオール又はその誘導体としては、チオフェン環も
しくはピロール環を有する誘導体及び下記式（１）、
（２）で表されるフェニルチオール誘導体が挙げられ、
この中では下記式（１）及び（２）のフェニルチオール
誘導体を用いることが好ましい。
【０００９】
【化３】
【００１０】式中、ＲはＨ又はＣＨ3であり、ｍは０〜
５であるが、特に０〜３であることが好ましい。
５であるが、特に０〜３であることが好ましい。
【００１１】また、金属基材の表面をポリマーで被覆す
るに先立ち、上記芳香族チオール又はその誘導体で表面
処理することができる金属としては、Ａｌ，Ｔｉ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｃｒ及びこれらの
金属の合金などが挙げられる。これらの金属はその表面
が酸化されていてもされていなくてもよく、金属表面が
酸化されている場合は、上記芳香族チオール又はその誘
導体は薄い層に吸着され、また、金属表面が酸化されて
いない場合は、上記芳香族チオール又はその誘導体は金
属表面に直接吸着される。
るに先立ち、上記芳香族チオール又はその誘導体で表面
処理することができる金属としては、Ａｌ，Ｔｉ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｃｒ及びこれらの
金属の合金などが挙げられる。これらの金属はその表面
が酸化されていてもされていなくてもよく、金属表面が
酸化されている場合は、上記芳香族チオール又はその誘
導体は薄い層に吸着され、また、金属表面が酸化されて
いない場合は、上記芳香族チオール又はその誘導体は金
属表面に直接吸着される。
【００１２】上記芳香族チオール又はその誘導体で金属
基材を表面処理するには、金属基材を液体状態の芳香族
チオール又はその誘導体中に浸漬し、これらの分子を金
属基材表面に吸着させることにより行われる。この場
合、上記浸漬は室温程度の液温で０．５〜６０分間の条
件で行うことが好ましい。また、金属表面に直接反応さ
せたいときには、浸漬前又は浸漬中に金属表面を機械的
に研磨すればよい。
基材を表面処理するには、金属基材を液体状態の芳香族
チオール又はその誘導体中に浸漬し、これらの分子を金
属基材表面に吸着させることにより行われる。この場
合、上記浸漬は室温程度の液温で０．５〜６０分間の条
件で行うことが好ましい。また、金属表面に直接反応さ
せたいときには、浸漬前又は浸漬中に金属表面を機械的
に研磨すればよい。
【００１３】このようにして前処理が施された金属基材
上に導電性ポリマー膜をはじめとするポリマー膜を形成
する場合、通常の電気化学的方法又は化学的方法で所望
のポリマー膜を堆積することができる。この堆積は通常
の条件で行うことができ、電気化学的方法を用いる場
合、例えばＬｉＣｌＯ4−ＣＨ3ＣＮ溶液中で重合を行う
ことができ、また、化学的な方法を用いる場合、ＣＨ3
ＣＮ又はＣＨＣｌ2中でＦｅＣｌ3（酸化剤）を併用して
重合を行うことができる。
上に導電性ポリマー膜をはじめとするポリマー膜を形成
する場合、通常の電気化学的方法又は化学的方法で所望
のポリマー膜を堆積することができる。この堆積は通常
の条件で行うことができ、電気化学的方法を用いる場
合、例えばＬｉＣｌＯ4−ＣＨ3ＣＮ溶液中で重合を行う
ことができ、また、化学的な方法を用いる場合、ＣＨ3
ＣＮ又はＣＨＣｌ2中でＦｅＣｌ3（酸化剤）を併用して
重合を行うことができる。
【００１４】この場合、ポリマー膜を形成するためのモ
ノマーとしてはチオフェン、ビチオフェン、ターチオフ
ェン等を用いることができる。また、金属基材上にポリ
アニリン膜を形成する場合はモノマーとしてはアニリン
を用いることができる。
ノマーとしてはチオフェン、ビチオフェン、ターチオフ
ェン等を用いることができる。また、金属基材上にポリ
アニリン膜を形成する場合はモノマーとしてはアニリン
を用いることができる。
【００１５】このような本発明の金属の表面処理方法は
金属基材に下記の処理を施す際に適用することができ
る。 １．防舷材、ゴムを用いた防振材、ゴムを用いた免振材
等の金属部分の防錆処理のための前処理。 ２．金属とゴムとの接着（金属表面に存在する−ＳＨ基
とゴム中のＳとの加硫接着）の前処理。 ３．金属と合成樹脂、金属と有機半導体、無機半導体と
有機半導体などの接合界面形成のための前処理。 ４．金属基材表面に導電性ポリマー膜を形成する際の導
電性カップリング剤。
金属基材に下記の処理を施す際に適用することができ
る。 １．防舷材、ゴムを用いた防振材、ゴムを用いた免振材
等の金属部分の防錆処理のための前処理。 ２．金属とゴムとの接着（金属表面に存在する−ＳＨ基
とゴム中のＳとの加硫接着）の前処理。 ３．金属と合成樹脂、金属と有機半導体、無機半導体と
有機半導体などの接合界面形成のための前処理。 ４．金属基材表面に導電性ポリマー膜を形成する際の導
電性カップリング剤。
【００１６】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００１７】〔実施例１〜６、比較例１〕まず、表面が
酸化されているアルミニウム基材（１００ｍｍ×１０ｍ
ｍ×１ｍｍ）をチオフェノール（温度２５℃）中に１０
分間浸漬し、アルミニウム基材表面にチオフェノールを
吸着させた。次いで、電気化学的方法を用い、ＬｉＣｌ
Ｏ4−ＣＨ3ＣＮ溶液中においてチオフェンをアルミニウ
ム基材上でグラフト重合させ、アルミニウム基材上にポ
リチオフェン膜（膜厚８０ｎｍ）を形成した（実施例
１）。
酸化されているアルミニウム基材（１００ｍｍ×１０ｍ
ｍ×１ｍｍ）をチオフェノール（温度２５℃）中に１０
分間浸漬し、アルミニウム基材表面にチオフェノールを
吸着させた。次いで、電気化学的方法を用い、ＬｉＣｌ
Ｏ4−ＣＨ3ＣＮ溶液中においてチオフェンをアルミニウ
ム基材上でグラフト重合させ、アルミニウム基材上にポ
リチオフェン膜（膜厚８０ｎｍ）を形成した（実施例
１）。
【００１８】アルミニウム基材として表面が酸化されて
いないものを用い、芳香族チオール又はその誘導体（前
処理剤）としてキシレンジチオールを用いた以外は実施
例１と同様にして同様の厚さのポリチオフェン膜を形成
した（実施例２〜４）。
いないものを用い、芳香族チオール又はその誘導体（前
処理剤）としてキシレンジチオールを用いた以外は実施
例１と同様にして同様の厚さのポリチオフェン膜を形成
した（実施例２〜４）。
【００１９】また、表面が酸化されているアルミニウム
基材を用いた以外は実施例２〜４と同様にして同様の厚
さのポリチオフェン膜を形成した（実施例５，６）。
基材を用いた以外は実施例２〜４と同様にして同様の厚
さのポリチオフェン膜を形成した（実施例５，６）。
【００２０】更に、比較のために、表面が酸化されたア
ルミニウム基板上に直接上記と同様の電気化学的方法で
ポリチオフェン膜（膜厚８０ｎｍ）を形成した（比較例
１）。
ルミニウム基板上に直接上記と同様の電気化学的方法で
ポリチオフェン膜（膜厚８０ｎｍ）を形成した（比較例
１）。
【００２１】〔実施例７〜１１、比較例２〕金属基材と
して、上記アルミニウム基材と同様のサイズで、表面が
酸化されていないチタン基材及び表面が酸化されている
チタン基材を用い、前処理剤としてチオクレゾールを用
いた以外は実施例１と同様にしてポリチオフェン膜（厚
さ４０ｎｍ）をチタン基材上に形成した（実施例７，
８）。
して、上記アルミニウム基材と同様のサイズで、表面が
酸化されていないチタン基材及び表面が酸化されている
チタン基材を用い、前処理剤としてチオクレゾールを用
いた以外は実施例１と同様にしてポリチオフェン膜（厚
さ４０ｎｍ）をチタン基材上に形成した（実施例７，
８）。
【００２２】また、表面が酸化されていないチタン基材
を用い、前処理剤としてキシレンジチオールを用いた以
外は実施例１と同様にしてポリチオフェン膜（厚さ４０
ｎｍ）をチタン基材上に形成した（実施例９〜１１）。
を用い、前処理剤としてキシレンジチオールを用いた以
外は実施例１と同様にしてポリチオフェン膜（厚さ４０
ｎｍ）をチタン基材上に形成した（実施例９〜１１）。
【００２３】更に、比較のために、表面が酸化されたチ
タン基板上に直接実施例１と同様の電気化学的方法でポ
リチオフェン膜（膜厚４０ｎｍ）を形成した（比較例
２）。
タン基板上に直接実施例１と同様の電気化学的方法でポ
リチオフェン膜（膜厚４０ｎｍ）を形成した（比較例
２）。
【００２４】〔実施例１２〜１４、比較例３〕金属基材
として、上記アルミニウム基材と同様のサイズで、表面
が酸化されていない銀基材を用い、実施例１と同様にし
てキシレンジチオールを銀基材表面に吸着させた。次い
で、ＦｅＣｌ3（酸化剤）を併用したＣＨ3ＣＮ中におい
て、化学的方法によってチオフェンを銀基材上でグラフ
ト重合させ、銀基材上にポリチオフェン膜（厚さ１００
ｎｍ）を形成した（実施例１２〜１４）。
として、上記アルミニウム基材と同様のサイズで、表面
が酸化されていない銀基材を用い、実施例１と同様にし
てキシレンジチオールを銀基材表面に吸着させた。次い
で、ＦｅＣｌ3（酸化剤）を併用したＣＨ3ＣＮ中におい
て、化学的方法によってチオフェンを銀基材上でグラフ
ト重合させ、銀基材上にポリチオフェン膜（厚さ１００
ｎｍ）を形成した（実施例１２〜１４）。
【００２５】また、比較のために上記と同様の銀基材の
上に直接ポリチオフェン膜（厚さ１００ｎｍ）を形成し
た（比較例３）。
上に直接ポリチオフェン膜（厚さ１００ｎｍ）を形成し
た（比較例３）。
【００２６】〔実施例１５〜２２、比較例４〕金属基材
として、上記アルミニウム基材と同様のサイズで、表面
が酸化されていないプラチナ基材を用い、前処理剤とし
てチオフェノールを用いた以外は実施例１と同様にして
ポリチオフェン膜（厚さ２０ｎｍ）を形成した（実施例
１５）。
として、上記アルミニウム基材と同様のサイズで、表面
が酸化されていないプラチナ基材を用い、前処理剤とし
てチオフェノールを用いた以外は実施例１と同様にして
ポリチオフェン膜（厚さ２０ｎｍ）を形成した（実施例
１５）。
【００２７】また、前処理剤としてチオクレゾール（実
施例１６〜１８）、チオキシレン（実施例１９）、キシ
レンジチオール（実施例２０〜２２）を用いた以外は実
施例１５と同様にしてポリチオフェン膜（厚さ２０ｎ
ｍ）を形成した。
施例１６〜１８）、チオキシレン（実施例１９）、キシ
レンジチオール（実施例２０〜２２）を用いた以外は実
施例１５と同様にしてポリチオフェン膜（厚さ２０ｎ
ｍ）を形成した。
【００２８】更に、比較のために、表面が酸化されたプ
ラチナ基板上に直接実施例１と同様の電気化学的方法で
ポリチオフェン膜（膜厚２０ｎｍ）を形成した（比較例
４）。
ラチナ基板上に直接実施例１と同様の電気化学的方法で
ポリチオフェン膜（膜厚２０ｎｍ）を形成した（比較例
４）。
【００２９】次に、上記で得られたポリチオフェン膜に
ついて下記の方法で試験を行い、ポリチオフェン膜の各
種特性を比較した。結果を表１，２に示す。分子構造の評価 紫外光−可視光スペクトルのピークシフト（Δλ）と吸
収強度の相対変位（ΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄ）、及びドーピン
グピークポテンシャル（ΔＥｏｘ）を比較した。Δλ及
びΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄの値が大きい程ポリマー鎖が長いこ
とを意味し、また、ΔＥｏｘは共役系の長さを表し、Δ
Ｅｏｘの値が小さい程良好である。
ついて下記の方法で試験を行い、ポリチオフェン膜の各
種特性を比較した。結果を表１，２に示す。分子構造の評価 紫外光−可視光スペクトルのピークシフト（Δλ）と吸
収強度の相対変位（ΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄ）、及びドーピン
グピークポテンシャル（ΔＥｏｘ）を比較した。Δλ及
びΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄの値が大きい程ポリマー鎖が長いこ
とを意味し、また、ΔＥｏｘは共役系の長さを表し、Δ
Ｅｏｘの値が小さい程良好である。
【００３０】なお、Δλ、ΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄ、ΔＥｏｘ
は下記式により求めた。 Δλ＝λ（ｐ）−λ（ｒｅｆ） ΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄ＝（Ｏ．Ｄ（ｐ）−Ｏ．Ｄ（ｒｅ
ｆ））／Ｏ．Ｄ（ｒｅｆ） ΔＥｏｘ＝Ｅｏｘ（ｐ）−Ｅｏｘ（ｒｅｆ） （式中、λは波長、Ｏ．Ｄは吸収強度、Ｅｏｘはドーピ
ングポテンシャル、ｐは前処理を行ったサンプルにおけ
る測定値、ｒｅｆは前処理を行わないサンプルにおける
測定値を示す。）
は下記式により求めた。 Δλ＝λ（ｐ）−λ（ｒｅｆ） ΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄ＝（Ｏ．Ｄ（ｐ）−Ｏ．Ｄ（ｒｅ
ｆ））／Ｏ．Ｄ（ｒｅｆ） ΔＥｏｘ＝Ｅｏｘ（ｐ）−Ｅｏｘ（ｒｅｆ） （式中、λは波長、Ｏ．Ｄは吸収強度、Ｅｏｘはドーピ
ングポテンシャル、ｐは前処理を行ったサンプルにおけ
る測定値、ｒｅｆは前処理を行わないサンプルにおける
測定値を示す。）
【００３１】均質性 光学顕微鏡で観察し、下記基準に従って判定した。 ＋＋＋＋：極めて良い ＋＋＋ ：非常に良い ＋＋ ：良い ＋ ：比較的良い ０ ：普通接着性 ＣＨ2Ｃｌ2中で超音波をかけ、次いでスコッチテープ
（商品名）を用いて剥離試験を行い、上記と同様の基準
に従って判定した。耐食性 金属基材がアルミニウム及びチタンの場合は１％ＨＦ、
銀の場合は１０％ＨＮＯ3を酸化剤として用い、各溶液
に２４時間浸漬した後、目視判定し、上記と同様の基準
に従って判定した。
（商品名）を用いて剥離試験を行い、上記と同様の基準
に従って判定した。耐食性 金属基材がアルミニウム及びチタンの場合は１％ＨＦ、
銀の場合は１０％ＨＮＯ3を酸化剤として用い、各溶液
に２４時間浸漬した後、目視判定し、上記と同様の基準
に従って判定した。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】表１，２の結果から、金属基板としてアル
ミニウムを用いた場合、チオフェノールによる前処理を
施した後にポリチオフェン膜を形成したサンプル（実施
例１）はΔλ、ΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄ、ΔＥｏｘの値からも
明らかなように、金属基板上に堆積したポリチオフェン
膜の分子構造が好ましいものとなっていると共に、膜の
均質性、接着性、耐食性等の実用特性も優れていること
がわかる。また、前処理剤としてキシレンジチオールを
用いたサンプル（実施例２〜６）においては、ｏ−キシ
レンジチオールを用いたとき（実施例２）に、分子構造
の改善効果が優れた実用特性をもたらすことがわかる。
ミニウムを用いた場合、チオフェノールによる前処理を
施した後にポリチオフェン膜を形成したサンプル（実施
例１）はΔλ、ΔＯ．Ｄ／Ｏ．Ｄ、ΔＥｏｘの値からも
明らかなように、金属基板上に堆積したポリチオフェン
膜の分子構造が好ましいものとなっていると共に、膜の
均質性、接着性、耐食性等の実用特性も優れていること
がわかる。また、前処理剤としてキシレンジチオールを
用いたサンプル（実施例２〜６）においては、ｏ−キシ
レンジチオールを用いたとき（実施例２）に、分子構造
の改善効果が優れた実用特性をもたらすことがわかる。
【００３５】金属基板としてチタンを用いた場合ｍ−チ
オクレゾールやｏ−キシレンジチオールで前処理したサ
ンプル（実施例７、実施例９）においては、分子構造の
改善効果及び実用特性が共に優れていることがわかる。
オクレゾールやｏ−キシレンジチオールで前処理したサ
ンプル（実施例７、実施例９）においては、分子構造の
改善効果及び実用特性が共に優れていることがわかる。
【００３６】金属基板として銀を用いた場合、前処理を
施さないサンプル（比較例３）は重合率が低く、重合物
中にしばしば白い酸化物が認められ、ポリチオフェン膜
は非常に短い共役オリゴマーを含み、接着性を示さな
い。一方、キシレンジチオールで前処理したサンプル
（実施例１２〜１４）においては、長い共役鎖を有する
ポリチオフェン膜が形成され、従って、接着性、耐食性
などの実用特性も優れていることがわかる。
施さないサンプル（比較例３）は重合率が低く、重合物
中にしばしば白い酸化物が認められ、ポリチオフェン膜
は非常に短い共役オリゴマーを含み、接着性を示さな
い。一方、キシレンジチオールで前処理したサンプル
（実施例１２〜１４）においては、長い共役鎖を有する
ポリチオフェン膜が形成され、従って、接着性、耐食性
などの実用特性も優れていることがわかる。
【００３７】金属基板としてプラチナを用いた場合、実
施例１５〜２２のいずれもの前処理によっても分子構造
の改善効果が大きいが、特にキシレンジチオールを前処
理剤として用いたサンプル（実施例２０〜２２）におい
て、特にその効果が大きいことがわかる。
施例１５〜２２のいずれもの前処理によっても分子構造
の改善効果が大きいが、特にキシレンジチオールを前処
理剤として用いたサンプル（実施例２０〜２２）におい
て、特にその効果が大きいことがわかる。
【００３８】また、図１に実施例１（アルミニウム基
板、チオフェノール使用）及び比較例１における上記波
長（λ）と吸収強度（Ｏ．Ｄ）との関係をそれぞれ曲線
Ａ及びＢで示し、図２に実施例９（チタン基板、ｏ−キ
シレンジチオール使用）、実施例１０（チタン基板、ｍ
−キシレンジチオール使用）及び比較例２における波長
と吸収強度との関係をそれぞれ曲線Ｃ、Ｄ及びＥで示
し、図３に実施例１３（銀基板、ｏ−キシレンジチオー
ル使用）及び比較例３における波長と吸収強度との関係
をそれぞれ曲線Ｆ及びＧで示し、図４に実施例２１（プ
ラチナ基板、ｏ−キシレンジチオール使用）及び比較例
４における波長と吸収強度との関係をそれぞれ曲線Ｈ及
びＩで示す。
板、チオフェノール使用）及び比較例１における上記波
長（λ）と吸収強度（Ｏ．Ｄ）との関係をそれぞれ曲線
Ａ及びＢで示し、図２に実施例９（チタン基板、ｏ−キ
シレンジチオール使用）、実施例１０（チタン基板、ｍ
−キシレンジチオール使用）及び比較例２における波長
と吸収強度との関係をそれぞれ曲線Ｃ、Ｄ及びＥで示
し、図３に実施例１３（銀基板、ｏ−キシレンジチオー
ル使用）及び比較例３における波長と吸収強度との関係
をそれぞれ曲線Ｆ及びＧで示し、図４に実施例２１（プ
ラチナ基板、ｏ−キシレンジチオール使用）及び比較例
４における波長と吸収強度との関係をそれぞれ曲線Ｈ及
びＩで示す。
【００３９】図１〜４から、実施例においてはΔλとΔ
Ｏ．Ｄ／Ｏ．Ｄの増加がみられ、堆積ポリマーの共役チ
ェーンの鎖長が大きくなり、しかも膜の成長も促進され
たことがわかり、このようなミクロの構造特性の向上が
マクロな特性である膜の均質性、耐久性などにつながっ
ていることがわかる。
Ｏ．Ｄ／Ｏ．Ｄの増加がみられ、堆積ポリマーの共役チ
ェーンの鎖長が大きくなり、しかも膜の成長も促進され
たことがわかり、このようなミクロの構造特性の向上が
マクロな特性である膜の均質性、耐久性などにつながっ
ていることがわかる。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、金属基材との密着性に
優れると共に、均質性、接着性、耐食性などに優れたポ
リマー膜を金属基材上に形成することができる。
優れると共に、均質性、接着性、耐食性などに優れたポ
リマー膜を金属基材上に形成することができる。
【図１】本発明の実施例１及び比較例１における波長と
吸収強度との関係を示すグラフである。
吸収強度との関係を示すグラフである。
【図２】本発明の実施例９、実施例１０及び比較例２に
おける波長と吸収強度との関係を示すグラフである。
おける波長と吸収強度との関係を示すグラフである。
【図３】本発明の実施例１３及び比較例３における波長
と吸収強度との関係を示すグラフである。
と吸収強度との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例２１及び比較例４における波長
と吸収強度との関係を示すグラフである。
と吸収強度との関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｆ 15/00 8414−4Ｋ Ｃ２５Ｄ 9/02 (72)発明者 エー・フィリペ フランス国イアイス ルー エンリー−ド ナン２ ラボラトリー・デス・マテリオク ス・モレクレス シー．エヌ．アール．エ ス．内 (72)発明者 秋山 節夫 神奈川県相模原市宮下本町２の28の５ (72)発明者 小川 雅男 埼玉県川越市神明町42−27 (72)発明者 大福 英治 東京都昭島市松原町３−10−26−1105 (72)発明者 内藤 壽夫 神奈川県川崎市宮前区馬絹969−１
Claims (3)
- 【請求項１】 金属基材と反応する基と該金属基材を被
覆するポリマーのモノマーとグラフト重合反応する基と
を有する芳香族チオール又はその誘導体からなる金属用
表面処理剤。 - 【請求項２】 上記芳香族チオール誘導体がチオフェン
環もしくはピロール環を有する芳香族チオール誘導体又
は下記式（１）もしくは（２）で表されるフェニルチオ
ール誘導体である請求項１記載の金属表面処理剤。 【化１】 （式中、ＲはＨ又はＣＨ3、ｍは０〜５である。） - 【請求項３】 金属基材の表面をポリマーで被覆するに
先立ち、請求項１又は２の金属用表面処理剤で上記金属
基材を表面処理することを特徴とする金属の表面処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8392394A JPH07268244A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 金属用表面処理剤及び金属の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8392394A JPH07268244A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 金属用表面処理剤及び金属の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268244A true JPH07268244A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13816130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8392394A Pending JPH07268244A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 金属用表面処理剤及び金属の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07268244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130074312A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | GM Global Technology Operations LLC | Method of joining magnesium |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP8392394A patent/JPH07268244A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130074312A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | GM Global Technology Operations LLC | Method of joining magnesium |
| US8966734B2 (en) * | 2011-09-23 | 2015-03-03 | GM Global Technology Operations LLC | Method of joining magnesium |
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