JPH07263780A - エキシマレーザー装置 - Google Patents
エキシマレーザー装置Info
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- JPH07263780A JPH07263780A JP7631794A JP7631794A JPH07263780A JP H07263780 A JPH07263780 A JP H07263780A JP 7631794 A JP7631794 A JP 7631794A JP 7631794 A JP7631794 A JP 7631794A JP H07263780 A JPH07263780 A JP H07263780A
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- excimer
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- excimer laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力レーザービームの繰返し周波数を高く
得ることが可能であるとともに、注入用レーザー装置の
小型化およびエキシマレーザー装置の小型化を可能とし
て、装置コストおよびランニングコストの低減を図った
インジェクションシーディング方式によるエキシマレー
ザー装置を提供すること。 【構成】 インジェクションシーディング方式のエキ
シマレーザー装置であって、シードレーザーとして、そ
の出力ビームの繰返し周波数を高くすることができるよ
うにした連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザーあるいは
半導体レーザーなどの固体レーザー２２を用いたことを
特徴とする。
得ることが可能であるとともに、注入用レーザー装置の
小型化およびエキシマレーザー装置の小型化を可能とし
て、装置コストおよびランニングコストの低減を図った
インジェクションシーディング方式によるエキシマレー
ザー装置を提供すること。 【構成】 インジェクションシーディング方式のエキ
シマレーザー装置であって、シードレーザーとして、そ
の出力ビームの繰返し周波数を高くすることができるよ
うにした連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザーあるいは
半導体レーザーなどの固体レーザー２２を用いたことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインジェクションシーデ
ィング方式のエキシマレーザー装置にかかるもので、と
くに繰返し周波数（出力ビームの発振パルスの毎秒あた
りの回数）を高くするとともに小型化を可能としたエキ
シマレーザー装置に関するものである。
ィング方式のエキシマレーザー装置にかかるもので、と
くに繰返し周波数（出力ビームの発振パルスの毎秒あた
りの回数）を高くするとともに小型化を可能としたエキ
シマレーザー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、レーザーの発振スペクトル幅を
狭くする（狭帯域化）には、エタロン、プリズムあるい
はグレーティングなどによる波長選択素子を用いる手
法、あるいはその注入光として他のレーザー装置を用い
る、いわゆるインジェクションシード方式を採用する手
法などがある。たとえば、特開昭６３−５４７８６号、
特開平１−３０２８８８号、特開平５−１０２５８４
号、特開平５−２１８５５５号などがある。上記波長選
択素子を用いる手法では、レーザー出力が９０％も低下
することから、所望の出力を得ようとする場合にはレー
ザー装置の大型化は避けられない。上記インジェクショ
ンシード方式を採用したエキシマレーザー装置につい
て、以下概説する。
狭くする（狭帯域化）には、エタロン、プリズムあるい
はグレーティングなどによる波長選択素子を用いる手
法、あるいはその注入光として他のレーザー装置を用い
る、いわゆるインジェクションシード方式を採用する手
法などがある。たとえば、特開昭６３−５４７８６号、
特開平１−３０２８８８号、特開平５−１０２５８４
号、特開平５−２１８５５５号などがある。上記波長選
択素子を用いる手法では、レーザー出力が９０％も低下
することから、所望の出力を得ようとする場合にはレー
ザー装置の大型化は避けられない。上記インジェクショ
ンシード方式を採用したエキシマレーザー装置につい
て、以下概説する。
【０００３】図１０に示すエキシマレーザー装置１にお
いては、小型のエキシマレーザー２をシードレーザーと
して用いて、その出力ビームをシード光としてエキシマ
レーザー３に注入（インジェクション）するものであ
る。
いては、小型のエキシマレーザー２をシードレーザーと
して用いて、その出力ビームをシード光としてエキシマ
レーザー３に注入（インジェクション）するものであ
る。
【０００４】こうしたエキシマレーザー装置１では、二
台のエキシマレーザー２、３を使用するため、エキシマ
レーザー装置１全体が複雑かつ大型化し、ランニングコ
ストが高いとともに、小型のエキシマレーザー２自体の
高品質化が困難であるためエキシマレーザー装置１全体
としても高品質化が困難であるという問題がある。
台のエキシマレーザー２、３を使用するため、エキシマ
レーザー装置１全体が複雑かつ大型化し、ランニングコ
ストが高いとともに、小型のエキシマレーザー２自体の
高品質化が困難であるためエキシマレーザー装置１全体
としても高品質化が困難であるという問題がある。
【０００５】図１１に示すステッパー（逐次移動式露光
装置）用エキシマレーザー４においては、インジェクシ
ョンシード方式を採用せず、たとえば出力が７０〜８０
Ｗ（ワット）の大型のエキシマレーザー５を採用し、エ
タロン、プリズムあるいはグレーティングなどによる狭
帯域化機器６を通してリソグラフ被加工物７に、出力６
Ｗおよびスペクトル幅（狭帯域化幅）が１ｐｍ（ピコメ
ートル）以下の出力ビームを当てるようにしている。
装置）用エキシマレーザー４においては、インジェクシ
ョンシード方式を採用せず、たとえば出力が７０〜８０
Ｗ（ワット）の大型のエキシマレーザー５を採用し、エ
タロン、プリズムあるいはグレーティングなどによる狭
帯域化機器６を通してリソグラフ被加工物７に、出力６
Ｗおよびスペクトル幅（狭帯域化幅）が１ｐｍ（ピコメ
ートル）以下の出力ビームを当てるようにしている。
【０００６】こうしたステッパー用エキシマレーザー４
では、狭帯域化機器６により出力が９０％も低下するこ
とから、その狭帯域化要求が１ｐｍから、０．６ｐｍな
いし０．７ｐｍと厳しくなるにつれて、狭帯域化後に出
力６Ｗを得るための大型のエキシマレーザー５がさらに
大型化し、設置スペース、装置コストおよびランニング
コストの増大などにより、実際の使用に耐えることが困
難となるという問題がある。
では、狭帯域化機器６により出力が９０％も低下するこ
とから、その狭帯域化要求が１ｐｍから、０．６ｐｍな
いし０．７ｐｍと厳しくなるにつれて、狭帯域化後に出
力６Ｗを得るための大型のエキシマレーザー５がさらに
大型化し、設置スペース、装置コストおよびランニング
コストの増大などにより、実際の使用に耐えることが困
難となるという問題がある。
【０００７】図１２に示すエキシマレーザー装置８にお
いては、アルゴンレーザー９と、チタン・サファイアレ
ーザー１０と、エキシマレーザー１１とを有し、チタン
・サファイアレーザー１０を励起するためのレーザーと
してアルゴンレーザー９を用いるとともに、チタン・サ
ファイアレーザー１０の出力ビームをエキシマレーザー
１１へのシード光としている。なお、チタン・サファイ
アレーザー１０は、チタン・サファイア（Ｔｉ3+：Ａｌ
2Ｏ3）をレーザー媒質とするものである。
いては、アルゴンレーザー９と、チタン・サファイアレ
ーザー１０と、エキシマレーザー１１とを有し、チタン
・サファイアレーザー１０を励起するためのレーザーと
してアルゴンレーザー９を用いるとともに、チタン・サ
ファイアレーザー１０の出力ビームをエキシマレーザー
１１へのシード光としている。なお、チタン・サファイ
アレーザー１０は、チタン・サファイア（Ｔｉ3+：Ａｌ
2Ｏ3）をレーザー媒質とするものである。
【０００８】こうしたエキシマレーザー装置８では、安
定ではあるが装置が大型化するというアルゴンレーザー
９の欠点をそのまま受け継ぐことになり、全体の小型化
は困難であるという問題がある。
定ではあるが装置が大型化するというアルゴンレーザー
９の欠点をそのまま受け継ぐことになり、全体の小型化
は困難であるという問題がある。
【０００９】なお、前記特開平１−３０２８８８号によ
るレーザー出力装置では、レーザー媒質としてアレクサ
ンドライトを採用するとともに、励起光としてパルス放
電による、たとえばフラッシュランプを用いており、エ
キシマレーザーとしての繰返し周波数（発振パルス数）
は２００Ｈｚ（ヘルツ）以下であり、これ以上の繰返し
周波数が必要な場合にはこれを採用することができない
という問題がある。さらに、パルス放電によるフラッシ
ュランプにＱスイッチを用いた場合には上記繰返し周波
数２０Ｈｚが限界で、こうした事情は、レーザー媒質と
してチタン・サファイアを用いた場合でも同様である。
さらにまた、装置全体としても大型化することは否めな
い。
るレーザー出力装置では、レーザー媒質としてアレクサ
ンドライトを採用するとともに、励起光としてパルス放
電による、たとえばフラッシュランプを用いており、エ
キシマレーザーとしての繰返し周波数（発振パルス数）
は２００Ｈｚ（ヘルツ）以下であり、これ以上の繰返し
周波数が必要な場合にはこれを採用することができない
という問題がある。さらに、パルス放電によるフラッシ
ュランプにＱスイッチを用いた場合には上記繰返し周波
数２０Ｈｚが限界で、こうした事情は、レーザー媒質と
してチタン・サファイアを用いた場合でも同様である。
さらにまた、装置全体としても大型化することは否めな
い。
【００１０】要するに、従来のインジェクションシード
方式のエキシマレーザー装置においては、繰返し周波数
を上げる手段には限界があり、スペクトル幅を細くする
（狭帯域化する）とともに、装置を小型化する要請に応
えることが困難であるという問題がある。
方式のエキシマレーザー装置においては、繰返し周波数
を上げる手段には限界があり、スペクトル幅を細くする
（狭帯域化する）とともに、装置を小型化する要請に応
えることが困難であるという問題がある。
【００１１】とくに半導体製造工程におけるステッパー
（逐次移動式露光装置）を用いたリソグラフ加工処理に
おいては、より高密度の素子を製造するために、より細
いスペクトル幅のレーザー光が要求されているが、スペ
クトル幅を狭くすると干渉性が強くなってスペックルが
発生するため、このスペックルを防止するためにランダ
ムフェーズプレート（図示せず）を使用することにより
平準化が行われるが、これを効率的に行うためには、繰
返し周波数が高い（具体的には１〜２ＫＨｚ）発振レー
ザー光を必要とするが、従来のエキシマレーザー装置に
おいては、装置を大型化することなく、繰返し周波数を
高くすることが事実上困難であるという問題がある。
（逐次移動式露光装置）を用いたリソグラフ加工処理に
おいては、より高密度の素子を製造するために、より細
いスペクトル幅のレーザー光が要求されているが、スペ
クトル幅を狭くすると干渉性が強くなってスペックルが
発生するため、このスペックルを防止するためにランダ
ムフェーズプレート（図示せず）を使用することにより
平準化が行われるが、これを効率的に行うためには、繰
返し周波数が高い（具体的には１〜２ＫＨｚ）発振レー
ザー光を必要とするが、従来のエキシマレーザー装置に
おいては、装置を大型化することなく、繰返し周波数を
高くすることが事実上困難であるという問題がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
諸問題にかんがみなされたもので、出力ロスの大きなエ
タロン、プリズムあるいはグレーティング等の狭帯域化
機器を用いずに、直接出力ビームの狭帯域化が可能で、
出力ロスを抑えることができるインジェクションシーデ
ィング方式によるエキシマレーザー装置を提供すること
を課題とする。
諸問題にかんがみなされたもので、出力ロスの大きなエ
タロン、プリズムあるいはグレーティング等の狭帯域化
機器を用いずに、直接出力ビームの狭帯域化が可能で、
出力ロスを抑えることができるインジェクションシーデ
ィング方式によるエキシマレーザー装置を提供すること
を課題とする。
【００１３】さらに本発明は、エキシマレーザーからの
出力ビームの高品質化、つまりビームモード、広がり
角、およびスペクトル幅を改善可能なエキシマレーザー
装置を提供することを課題とする。
出力ビームの高品質化、つまりビームモード、広がり
角、およびスペクトル幅を改善可能なエキシマレーザー
装置を提供することを課題とする。
【００１４】また本発明は、出力レーザービームの繰返
し周波数を高く得ることが可能であるとともに、注入用
レーザー装置の小型化、およびエキシマレーザー装置の
小型化を可能として、装置コストおよびランニングコス
トの低減を図ったエキシマレーザー装置を提供すること
を課題とする。
し周波数を高く得ることが可能であるとともに、注入用
レーザー装置の小型化、およびエキシマレーザー装置の
小型化を可能として、装置コストおよびランニングコス
トの低減を図ったエキシマレーザー装置を提供すること
を課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、エキ
シマレーザーのシードレーザー（注入用レーザー）とし
て固体レーザーを採用するとともに、この固体レーザー
自体の繰返し周波数を高くすること、および装置全体を
小型化した上で、繰り返し周波数を上げるためには、固
体レーザーをシードレーザーとするとともに、連続波Ｑ
スイッチ式のＹＡＧレーザーあるいは半導体レーザーな
どを用いることに着目したもので、シードレーザーとし
ての第１のレーザーと、この第１のレーザーからの出力
ビームをシード光として注入する第２のレーザーとして
のエキシマレーザーと、を有するインジェクションシー
ディング方式のエキシマレーザー装置であって、上記シ
ードレーザーとして、その出力ビームの繰返し周波数を
高くすることができるようにした固体レーザーを用いた
ことを特徴とするエキシマレーザー装置である。
シマレーザーのシードレーザー（注入用レーザー）とし
て固体レーザーを採用するとともに、この固体レーザー
自体の繰返し周波数を高くすること、および装置全体を
小型化した上で、繰り返し周波数を上げるためには、固
体レーザーをシードレーザーとするとともに、連続波Ｑ
スイッチ式のＹＡＧレーザーあるいは半導体レーザーな
どを用いることに着目したもので、シードレーザーとし
ての第１のレーザーと、この第１のレーザーからの出力
ビームをシード光として注入する第２のレーザーとして
のエキシマレーザーと、を有するインジェクションシー
ディング方式のエキシマレーザー装置であって、上記シ
ードレーザーとして、その出力ビームの繰返し周波数を
高くすることができるようにした固体レーザーを用いた
ことを特徴とするエキシマレーザー装置である。
【００１６】上記固体レーザーは、これを連続波Ｑスイ
ッチ式のＹＡＧレーザーあるいは半導体レーザーとし、
あるいは上記シードレーザーは、これを多段式に設ける
ことができる。
ッチ式のＹＡＧレーザーあるいは半導体レーザーとし、
あるいは上記シードレーザーは、これを多段式に設ける
ことができる。
【００１７】上記固体レーザーの励起手段として、半導
体レーザーを用ることができる。
体レーザーを用ることができる。
【００１８】上記シードレーザーと上記エキシマレーザ
ーとの間に波長選択素子を設けることができる。
ーとの間に波長選択素子を設けることができる。
【００１９】上記シードレーザーは、第１の固体レーザ
ーとしての連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザーと、こ
の連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザーの出力ビームの
波長を１／２とする第１の波長選択素子と、この第１の
波長選択素子の出力ビームにより励起される第２の固体
レーザーとしてのチタン・サファイアレーザーと、この
チタン・サファイアレーザーの出力ビームの波長を１／
３とする第２の波長選択素子と、を有し、この第２の波
長選択素子の出力ビームにより上記エキシマレーザーを
注入同期することができる。
ーとしての連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザーと、こ
の連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザーの出力ビームの
波長を１／２とする第１の波長選択素子と、この第１の
波長選択素子の出力ビームにより励起される第２の固体
レーザーとしてのチタン・サファイアレーザーと、この
チタン・サファイアレーザーの出力ビームの波長を１／
３とする第２の波長選択素子と、を有し、この第２の波
長選択素子の出力ビームにより上記エキシマレーザーを
注入同期することができる。
【００２０】上記シードレーザーは、第１の固体レーザ
ーとしての半導体レーザーと、この半導体レーザーの出
力ビームにより励起される第２の固体レーザーとしての
ＹＡＧレーザーと、このＹＡＧレーザーの出力ビームの
波長を１／２とする第１の波長選択素子と、この第１の
波長選択素子の出力ビームにより励起される第３の固体
レーザーとしてのチタン・サファイアレーザーと、を有
し、このチタン・サファイアレーザーの出力ビームによ
り上記エキシマレーザーを注入同期することができる。
なお、上記チタン・サファイアレーザーの出力ビームの
波長を１／３とする第２の波長選択素子を設け、この第
２の波長選択素子の出力ビームにより上記エキシマレー
ザーを注入同期することができる。
ーとしての半導体レーザーと、この半導体レーザーの出
力ビームにより励起される第２の固体レーザーとしての
ＹＡＧレーザーと、このＹＡＧレーザーの出力ビームの
波長を１／２とする第１の波長選択素子と、この第１の
波長選択素子の出力ビームにより励起される第３の固体
レーザーとしてのチタン・サファイアレーザーと、を有
し、このチタン・サファイアレーザーの出力ビームによ
り上記エキシマレーザーを注入同期することができる。
なお、上記チタン・サファイアレーザーの出力ビームの
波長を１／３とする第２の波長選択素子を設け、この第
２の波長選択素子の出力ビームにより上記エキシマレー
ザーを注入同期することができる。
【００２１】上記シードレーザーは、第１の固体レーザ
ーとしての半導体レーザーと、この半導体レーザーの出
力ビームにより励起される第２の固体レーザーとしての
チタン・サファイアレーザーと、このチタン・サファイ
アレーザーの出力ビームの波長を１／３とする波長選択
素子と、を有し、この波長選択素子の出力ビームにより
上記エキシマレーザーを注入同期することができる。
ーとしての半導体レーザーと、この半導体レーザーの出
力ビームにより励起される第２の固体レーザーとしての
チタン・サファイアレーザーと、このチタン・サファイ
アレーザーの出力ビームの波長を１／３とする波長選択
素子と、を有し、この波長選択素子の出力ビームにより
上記エキシマレーザーを注入同期することができる。
【００２２】上記シードレーザーは、第１の固体レーザ
ーとしての半導体レーザーと、この半導体レーザーの出
力ビームにより励起される第２の固体レーザーとしての
リチウム・ＳＡＦレーザーと、このリチウム・ＳＡＦレ
ーザーの出力ビームの波長を１／３とする波長選択素子
と、を有し、この波長選択素子の出力ビームにより上記
エキシマレーザーを注入同期することができる。
ーとしての半導体レーザーと、この半導体レーザーの出
力ビームにより励起される第２の固体レーザーとしての
リチウム・ＳＡＦレーザーと、このリチウム・ＳＡＦレ
ーザーの出力ビームの波長を１／３とする波長選択素子
と、を有し、この波長選択素子の出力ビームにより上記
エキシマレーザーを注入同期することができる。
【００２３】上記シードレーザーは、半導体レーザー
と、この半導体レーザーの出力ビームの波長を１／２と
する波長選択素子と、を有し、この波長選択素子の出力
ビームにより上記エキシマレーザーを注入同期すること
ができる。
と、この半導体レーザーの出力ビームの波長を１／２と
する波長選択素子と、を有し、この波長選択素子の出力
ビームにより上記エキシマレーザーを注入同期すること
ができる。
【００２４】
【作用】本発明によるエキシマレーザー装置において
は、繰返し周波数を高くすることが可能な固体レーザー
をシードレーザーとして採用することとしたので、出力
ロスの大きなエタロン、プリズム、グレーティングなど
の狭帯域化機器を用いずに、エキシマレーザーに繰返し
周波数が高いシード光を直接注入可能であって、直接出
力ビームの狭帯域化が可能となり、全体を大型化するこ
となく繰返し周波数の高い、狭帯域化を実現した出力ビ
ームを得ることができる。
は、繰返し周波数を高くすることが可能な固体レーザー
をシードレーザーとして採用することとしたので、出力
ロスの大きなエタロン、プリズム、グレーティングなど
の狭帯域化機器を用いずに、エキシマレーザーに繰返し
周波数が高いシード光を直接注入可能であって、直接出
力ビームの狭帯域化が可能となり、全体を大型化するこ
となく繰返し周波数の高い、狭帯域化を実現した出力ビ
ームを得ることができる。
【００２５】したがって、装置全体を小型化し、スペク
トル幅の狭い出力ビームを得て、ステッパーなどの要請
に応えることができるエキシマレーザー装置とすること
ができるとともに、装置コストおよびランニングコスト
を大幅に低減することができる。
トル幅の狭い出力ビームを得て、ステッパーなどの要請
に応えることができるエキシマレーザー装置とすること
ができるとともに、装置コストおよびランニングコスト
を大幅に低減することができる。
【００２６】
【実施例】つぎに本発明によるエキシマレーザー装置２
０の基本構成を図１ないし図３にもとづき説明する。た
だし、以下の説明において図１０ないし図１２と同様の
部分には同一符号を付し、その詳述はこれを省略する。
０の基本構成を図１ないし図３にもとづき説明する。た
だし、以下の説明において図１０ないし図１２と同様の
部分には同一符号を付し、その詳述はこれを省略する。
【００２７】図１は、エキシマレーザー装置２０の概略
平面図、図２は、同、概略正面図、図３は、同、概略右
側面図であって、エキシマレーザー装置２０は、エキシ
マレーザー２１と、シードレーザーとしてのシード用固
体レーザー２２と、シード用方向変換ミラー２３とを有
する。
平面図、図２は、同、概略正面図、図３は、同、概略右
側面図であって、エキシマレーザー装置２０は、エキシ
マレーザー２１と、シードレーザーとしてのシード用固
体レーザー２２と、シード用方向変換ミラー２３とを有
する。
【００２８】エキシマレーザー２１は、レーザーベッセ
ル２４と、フロントミラー（ハーフミラー）２５および
リアミラー（全反射ミラー）２６からなる光共振器２７
とを有する。
ル２４と、フロントミラー（ハーフミラー）２５および
リアミラー（全反射ミラー）２６からなる光共振器２７
とを有する。
【００２９】シード用固体レーザー２２から出力したシ
ード光は、シード用方向変換ミラー２３において９０度
方向を変換して、フロントミラー２５の中央に形成した
注入用透孔２５Ａからエキシマレーザー２１に注入され
る。
ード光は、シード用方向変換ミラー２３において９０度
方向を変換して、フロントミラー２５の中央に形成した
注入用透孔２５Ａからエキシマレーザー２１に注入され
る。
【００３０】つぎに図４ないし図９にもとづきシード用
固体レーザー２２の具体的構成を述べ、本発明の各実施
例について以下説明する。図４は、本発明の第１の実施
例によるエキシマレーザー装置３０の概略説明図であっ
て、前記シード用固体レーザー２２が、連続波（連続発
振）Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザー３１と、ＳＨＧ非線
形結晶３２と、前記チタン・サファイアレーザー１０
と、ＴＨＧ非線形結晶（３ω）３３とを有する。
固体レーザー２２の具体的構成を述べ、本発明の各実施
例について以下説明する。図４は、本発明の第１の実施
例によるエキシマレーザー装置３０の概略説明図であっ
て、前記シード用固体レーザー２２が、連続波（連続発
振）Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザー３１と、ＳＨＧ非線
形結晶３２と、前記チタン・サファイアレーザー１０
と、ＴＨＧ非線形結晶（３ω）３３とを有する。
【００３１】連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザー３１
は、連続光を供給するフラッシュランプ（図示せず）を
Ｑスイッチによりパルス状とした光を励起光としたＹＡ
Ｇ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ
ーであって、繰返し周波数を高く得ることができる。
は、連続光を供給するフラッシュランプ（図示せず）を
Ｑスイッチによりパルス状とした光を励起光としたＹＡ
Ｇ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ
ーであって、繰返し周波数を高く得ることができる。
【００３２】この連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザー
３１の出力ビームをＳＨＧ（セカンドハーモニックジェ
ネレーション）非線形結晶３２により２倍高調波（２倍
の振動数）とし、つまり波長λを半分の５３２ｎｍ（ナ
ノメートル）（グリーン光）としてチタン・サファイア
レーザー１０に供給する。すなわち、連続波Ｑスイッチ
式のＹＡＧレーザー３１はチタン・サファイアレーザー
１０の励起用固体レーザーとして用いられる。なお、Ｓ
ＨＧ非線形結晶３２としては、ＬＢＯ（ＬｉＢ3Ｏ5）あ
るいはＢＢＯ（β−ＢａＢ2Ｏ4）などが用いられる。
３１の出力ビームをＳＨＧ（セカンドハーモニックジェ
ネレーション）非線形結晶３２により２倍高調波（２倍
の振動数）とし、つまり波長λを半分の５３２ｎｍ（ナ
ノメートル）（グリーン光）としてチタン・サファイア
レーザー１０に供給する。すなわち、連続波Ｑスイッチ
式のＹＡＧレーザー３１はチタン・サファイアレーザー
１０の励起用固体レーザーとして用いられる。なお、Ｓ
ＨＧ非線形結晶３２としては、ＬＢＯ（ＬｉＢ3Ｏ5）あ
るいはＢＢＯ（β−ＢａＢ2Ｏ4）などが用いられる。
【００３３】このチタン・サファイアレーザー１０は、
波長λが７００〜１０００ｎｍ、狭帯域化幅（スペクト
ル幅）△νが０．６〜１．０ｐｍのビームを出力する。
波長λが７００〜１０００ｎｍ、狭帯域化幅（スペクト
ル幅）△νが０．６〜１．０ｐｍのビームを出力する。
【００３４】ＴＨＧ（サードハーモニックジェネレーシ
ョン）非線形結晶３３は、チタン・サファイアレーザー
１０の出力ビームの波長を３分の１とし、たとえば２４
９ｎｍとして、同じ狭帯域化幅△νが０．６〜１．０ｐ
ｍの注入ビームをエキシマレーザー２１に供給する。な
お、ＴＨＧ非線形結晶３３としては、ＳＨＧ非線形結晶
３２とは使用する結晶軸の角度を変えてＢＢＯ（β−Ｂ
ａＢ2Ｏ4）などが用いられる。
ョン）非線形結晶３３は、チタン・サファイアレーザー
１０の出力ビームの波長を３分の１とし、たとえば２４
９ｎｍとして、同じ狭帯域化幅△νが０．６〜１．０ｐ
ｍの注入ビームをエキシマレーザー２１に供給する。な
お、ＴＨＧ非線形結晶３３としては、ＳＨＧ非線形結晶
３２とは使用する結晶軸の角度を変えてＢＢＯ（β−Ｂ
ａＢ2Ｏ4）などが用いられる。
【００３５】かくしてエキシマレーザー２１の出力ビー
ムは、狭帯域化幅△νがたとえば１．０ｐｍで、波長λ
が２４９ｎｍの高品質のビームとすることができる。
ムは、狭帯域化幅△νがたとえば１．０ｐｍで、波長λ
が２４９ｎｍの高品質のビームとすることができる。
【００３６】図５は、本発明の第２の実施例によるエキ
シマレーザー装置４０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、半導体レーザー４１と、ＹＡ
Ｇレーザー４２と、ＳＨＧ非線形結晶３２と、チタン・
サファイアレーザー１０と、ＴＨＧ非線形結晶３３とを
有する。
シマレーザー装置４０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、半導体レーザー４１と、ＹＡ
Ｇレーザー４２と、ＳＨＧ非線形結晶３２と、チタン・
サファイアレーザー１０と、ＴＨＧ非線形結晶３３とを
有する。
【００３７】半導体レーザー４１は、連続光を供給する
前記フラッシュランプのかわりにＹＡＧレーザー４２の
励起光を供給するもので、発振制御手段４３においてそ
の発振用電流の変調度を調整することにより任意の高い
繰返し周波数を得ることができる。
前記フラッシュランプのかわりにＹＡＧレーザー４２の
励起光を供給するもので、発振制御手段４３においてそ
の発振用電流の変調度を調整することにより任意の高い
繰返し周波数を得ることができる。
【００３８】この半導体レーザー４１の出力ビームをＳ
ＨＧ非線形結晶３２により２倍高調波（２倍の振動数）
とし、チタン・サファイアレーザー１０およびＴＨＧ非
線形結晶３３による処理は図４のエキシマレーザー装置
３０の場合と同様である。
ＨＧ非線形結晶３２により２倍高調波（２倍の振動数）
とし、チタン・サファイアレーザー１０およびＴＨＧ非
線形結晶３３による処理は図４のエキシマレーザー装置
３０の場合と同様である。
【００３９】こうしたエキシマレーザー装置４０におい
ては、ＹＡＧレーザー４２の励起手段として半導体レー
ザー４１を用いたので、さらに小型化が可能であるとと
もに、半導体レーザー４１の出力ビームの繰返し周波数
を高くすることができるなど、発振制御操作が比較的容
易である。
ては、ＹＡＧレーザー４２の励起手段として半導体レー
ザー４１を用いたので、さらに小型化が可能であるとと
もに、半導体レーザー４１の出力ビームの繰返し周波数
を高くすることができるなど、発振制御操作が比較的容
易である。
【００４０】図６は、本発明の第３の実施例によるエキ
シマレーザー装置５０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、半導体レーザー５１と、チタ
ン・サファイアレーザー１０と、ＴＨＧ非線形結晶３３
とを有する。
シマレーザー装置５０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、半導体レーザー５１と、チタ
ン・サファイアレーザー１０と、ＴＨＧ非線形結晶３３
とを有する。
【００４１】半導体レーザー５１は、所望の出力パワー
であってグリーン光（波長λがたとえば５３２ｎｍ）を
出力ビームとし、この出力ビームによりチタン・サファ
イアレーザー１０を励起させるものである。
であってグリーン光（波長λがたとえば５３２ｎｍ）を
出力ビームとし、この出力ビームによりチタン・サファ
イアレーザー１０を励起させるものである。
【００４２】チタン・サファイアレーザー１０およびＴ
ＨＧ非線形結晶３３による処理は図４のエキシマレーザ
ー装置３０の場合と同様である。
ＨＧ非線形結晶３３による処理は図４のエキシマレーザ
ー装置３０の場合と同様である。
【００４３】こうしたエキシマレーザー装置５０におい
ては、チタン・サファイアレーザー１０の励起手段とし
て、グリーン光を出力可能な半導体レーザー５１を用い
たので、さらに小型化が可能である。
ては、チタン・サファイアレーザー１０の励起手段とし
て、グリーン光を出力可能な半導体レーザー５１を用い
たので、さらに小型化が可能である。
【００４４】図７は、本発明の第４の実施例によるエキ
シマレーザー装置６０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、半導体レーザー６１と、リチ
ウム・ＳＡＦレーザー６２と、ＴＨＧ非線形結晶３３と
を有する。
シマレーザー装置６０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、半導体レーザー６１と、リチ
ウム・ＳＡＦレーザー６２と、ＴＨＧ非線形結晶３３と
を有する。
【００４５】半導体レーザー６１は最も一般的な半導体
レーザー（ＩｎＧａＡｓ半導体レーザー）であって、た
とえば出力３Ｗの赤色光（波長λがたとえば６７９ｎ
ｍ）を出力し、その出力ビームによりリチウム・ＳＡＦ
レーザー６２を励起し、このリチウム・ＳＡＦレーザー
６２は、チタン・サファイアレーザー１０と同様に、波
長λが７００〜１０００ｎｍ、狭帯域化幅△νが０．６
〜１．０ｐｍのビームを出力する。なお、リチウム・Ｓ
ＡＦレーザー６２は、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ（Ｃｒ3+：Ｌｉ
ＳｒＡｌＦ6）をレーザー媒質とするものである。
レーザー（ＩｎＧａＡｓ半導体レーザー）であって、た
とえば出力３Ｗの赤色光（波長λがたとえば６７９ｎ
ｍ）を出力し、その出力ビームによりリチウム・ＳＡＦ
レーザー６２を励起し、このリチウム・ＳＡＦレーザー
６２は、チタン・サファイアレーザー１０と同様に、波
長λが７００〜１０００ｎｍ、狭帯域化幅△νが０．６
〜１．０ｐｍのビームを出力する。なお、リチウム・Ｓ
ＡＦレーザー６２は、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ（Ｃｒ3+：Ｌｉ
ＳｒＡｌＦ6）をレーザー媒質とするものである。
【００４６】ＴＨＧ非線形結晶３３による処理は図４の
エキシマレーザー装置３０の場合と同様である。
エキシマレーザー装置３０の場合と同様である。
【００４７】こうしたエキシマレーザー装置６０におい
ては、リチウム・ＳＡＦレーザー６２の励起手段とし
て、最も一般的な赤色光を出力可能な半導体レーザー６
１を用いたので、コストの低減が比較的容易である。
ては、リチウム・ＳＡＦレーザー６２の励起手段とし
て、最も一般的な赤色光を出力可能な半導体レーザー６
１を用いたので、コストの低減が比較的容易である。
【００４８】図８は、本発明の第５の実施例によるエキ
シマレーザー装置７０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、半導体レーザー７１と、ＳＨ
Ｇ非線形結晶３２とを有する。
シマレーザー装置７０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、半導体レーザー７１と、ＳＨ
Ｇ非線形結晶３２とを有する。
【００４９】半導体レーザー７１は、狭帯域化幅△νが
０．６〜１．０ｐｍの青色光（波長λがたとえば４９８
ｎｍ）を出力し、その出力ビームの波長をＳＨＧ非線形
結晶３２によって半分とし、エキシマレーザー２１に注
入する。
０．６〜１．０ｐｍの青色光（波長λがたとえば４９８
ｎｍ）を出力し、その出力ビームの波長をＳＨＧ非線形
結晶３２によって半分とし、エキシマレーザー２１に注
入する。
【００５０】こうしたエキシマレーザー装置７０におい
ては、青色光を出力可能な半導体レーザー６１を用いた
ので、小型化およびコストの低減がさらに容易である。
ては、青色光を出力可能な半導体レーザー６１を用いた
ので、小型化およびコストの低減がさらに容易である。
【００５１】図９は、本発明の第６の実施例によるエキ
シマレーザー装置８０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、図７の半導体レーザー６１
と、ＹＡＧレーザー４２と、ＳＨＧ非線形結晶３２と、
チタン・サファイアレーザー１０と、ＴＨＧ非線形結晶
３３とを有し、基本的な構成は図５のエキシマレーザー
装置４０と同様である。
シマレーザー装置８０の概略説明図であって、前記シー
ド用固体レーザー２２が、図７の半導体レーザー６１
と、ＹＡＧレーザー４２と、ＳＨＧ非線形結晶３２と、
チタン・サファイアレーザー１０と、ＴＨＧ非線形結晶
３３とを有し、基本的な構成は図５のエキシマレーザー
装置４０と同様である。
【００５２】半導体レーザー６１は、たとえば出力３Ｗ
の赤色光（波長λがたとえば６７０ｎｍ）を出力し、そ
の出力ビームによりＹＡＧレーザー４２を励起する。こ
のＹＡＧレーザー４２、ＳＨＧ非線形結晶３２およびチ
タン・サファイアレーザー１０以降の処理は図５のエキ
シマレーザー装置４０と同様である。
の赤色光（波長λがたとえば６７０ｎｍ）を出力し、そ
の出力ビームによりＹＡＧレーザー４２を励起する。こ
のＹＡＧレーザー４２、ＳＨＧ非線形結晶３２およびチ
タン・サファイアレーザー１０以降の処理は図５のエキ
シマレーザー装置４０と同様である。
【００５３】このエキシマレーザー装置８０は、これを
ステッパー用光源として用いた場合の例であって、シー
ド用固体レーザー２２のチタン・サファイアレーザー１
０の出力ビームをＴＨＧ非線形結晶３３により３倍高調
波とし、エキシマレーザー２１に波長λが２４８ｎｍの
出力ビームを注入する。
ステッパー用光源として用いた場合の例であって、シー
ド用固体レーザー２２のチタン・サファイアレーザー１
０の出力ビームをＴＨＧ非線形結晶３３により３倍高調
波とし、エキシマレーザー２１に波長λが２４８ｎｍの
出力ビームを注入する。
【００５４】この出力ビームは、高ビームモードであっ
て、広がり角が０．１ｍｒａｄ（ミリラジアン）、スペ
クトル幅△νが０．６〜１．０ｐｍで、エキシマレーザ
ー２１からの出力ビームも同様である。また、チタン・
サファイアレーザー１０の３倍高調波の出力ビームの出
力エネルギーは数μＪ（マイクロジュール）、エキシマ
レーザー２１の出力パワーは６Ｗ、チタン・サファイア
レーザー１０およびエキシマレーザー２１の繰返し周波
数はともに１ＫＨｚ以上である。
て、広がり角が０．１ｍｒａｄ（ミリラジアン）、スペ
クトル幅△νが０．６〜１．０ｐｍで、エキシマレーザ
ー２１からの出力ビームも同様である。また、チタン・
サファイアレーザー１０の３倍高調波の出力ビームの出
力エネルギーは数μＪ（マイクロジュール）、エキシマ
レーザー２１の出力パワーは６Ｗ、チタン・サファイア
レーザー１０およびエキシマレーザー２１の繰返し周波
数はともに１ＫＨｚ以上である。
【００５５】なお本発明によるエキシマレーザー装置
は、上述のようにこれをステッパー用光源として用いる
ことができるとともに、その他、小型かつ高品質のエキ
シマレーザー光を必要とする液晶アニーリングその他の
あらゆる分野に応用可能である。
は、上述のようにこれをステッパー用光源として用いる
ことができるとともに、その他、小型かつ高品質のエキ
シマレーザー光を必要とする液晶アニーリングその他の
あらゆる分野に応用可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、シードレ
ーザーをエキシマレーザーではなく固体レーザーとした
ので、高品質のシードビームを得て、シードレーザーを
小型化して装置コストおよびランニングコストを大幅に
低減することができるとともに、たとえばステッパー用
エキシマレーザーに適用する場合に、従来方式では不可
能であった狭帯域化域が０．６〜１ｐｍとなった場合で
あっても光源としてのエキシマレーザーを小型化し、か
つ高繰返し周波数としてコヒーレンス処理に対応し、装
置コストおよびランニングコストを大幅に低減すること
ができる。
ーザーをエキシマレーザーではなく固体レーザーとした
ので、高品質のシードビームを得て、シードレーザーを
小型化して装置コストおよびランニングコストを大幅に
低減することができるとともに、たとえばステッパー用
エキシマレーザーに適用する場合に、従来方式では不可
能であった狭帯域化域が０．６〜１ｐｍとなった場合で
あっても光源としてのエキシマレーザーを小型化し、か
つ高繰返し周波数としてコヒーレンス処理に対応し、装
置コストおよびランニングコストを大幅に低減すること
ができる。
【００５７】
【図１】本発明によるエキシマレーザー装置２０の基本
構成を示す概略平面図である。
構成を示す概略平面図である。
【図２】同、概略正面図である。
【図３】同、概略右側面図である。
【図４】本発明の第１の実施例によるエキシマレーザー
装置３０の概略説明図である。
装置３０の概略説明図である。
【図５】本発明の第２の実施例によるエキシマレーザー
装置４０の概略説明図である。
装置４０の概略説明図である。
【図６】本発明の第３の実施例によるエキシマレーザー
装置５０の概略説明図である。
装置５０の概略説明図である。
【図７】本発明の第４の実施例によるエキシマレーザー
装置６０の概略説明図である。
装置６０の概略説明図である。
【図８】本発明の第５の実施例によるエキシマレーザー
装置７０の概略説明図である。
装置７０の概略説明図である。
【図９】本発明の第６の実施例によるエキシマレーザー
装置８０の概略説明図である。
装置８０の概略説明図である。
【図１０】従来のエキシマレーザー装置１の概略説明図
である。
である。
【図１１】従来のステッパー用エキシマレーザー４の概
略説明図である。
略説明図である。
【図１２】従来のエキシマレーザー装置８の概略説明図
である。
である。
１ エキシマレーザー装置 ２ 小型のエキシマレーザー ３ エキシマレーザー ４ ステッパー（逐次移動式露光装置）用エキシマレー
ザー ５ 大型のエキシマレーザー ６ エタロン、プリズムあるいはグレーティングなどに
よる狭帯域化機器 ７ リソグラフ被加工物 ８ エキシマレーザー装置 ９ アルゴンレーザー １０ チタン・サファイアレーザー １１ エキシマレーザー ２０ エキシマレーザー装置 ２１ エキシマレーザー ２２ シード用固体レーザー ２３ シード用方向変換ミラー ２４ レーザーベッセル ２５ フロントミラー（ハーフミラー） ２５Ａ フロントミラー（ハーフミラー）２５の注入用
透孔 ２６ リアミラー（全反射ミラー） ２７ 光共振器 ３０ エキシマレーザー装置 ３１ 連続波（連続発振）Ｑスイッチ式のＹＡＧ（イッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザー ３２ ＳＨＧ（セカンドハーモニックジェネレーショ
ン）非線形結晶 ３３ ＴＨＧ（サードハーモニックジェネレーション）
非線形結晶（３ω） ４０ エキシマレーザー装置 ４１ 半導体レーザー ４２ ＹＡＧレーザー ４３ 半導体レーザー４１の発振制御手段 ５０ エキシマレーザー装置 ５１ 半導体レーザー ６０ エキシマレーザー装置 ６１ 半導体レーザー ６２ リチウム・ＳＡＦレーザー ７０ エキシマレーザー装置 ７１ 半導体レーザー ８０ エキシマレーザー装置
ザー ５ 大型のエキシマレーザー ６ エタロン、プリズムあるいはグレーティングなどに
よる狭帯域化機器 ７ リソグラフ被加工物 ８ エキシマレーザー装置 ９ アルゴンレーザー １０ チタン・サファイアレーザー １１ エキシマレーザー ２０ エキシマレーザー装置 ２１ エキシマレーザー ２２ シード用固体レーザー ２３ シード用方向変換ミラー ２４ レーザーベッセル ２５ フロントミラー（ハーフミラー） ２５Ａ フロントミラー（ハーフミラー）２５の注入用
透孔 ２６ リアミラー（全反射ミラー） ２７ 光共振器 ３０ エキシマレーザー装置 ３１ 連続波（連続発振）Ｑスイッチ式のＹＡＧ（イッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザー ３２ ＳＨＧ（セカンドハーモニックジェネレーショ
ン）非線形結晶 ３３ ＴＨＧ（サードハーモニックジェネレーション）
非線形結晶（３ω） ４０ エキシマレーザー装置 ４１ 半導体レーザー ４２ ＹＡＧレーザー ４３ 半導体レーザー４１の発振制御手段 ５０ エキシマレーザー装置 ５１ 半導体レーザー ６０ エキシマレーザー装置 ６１ 半導体レーザー ６２ リチウム・ＳＡＦレーザー ７０ エキシマレーザー装置 ７１ 半導体レーザー ８０ エキシマレーザー装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/16 3/225
Claims (12)
- 【請求項１】 シードレーザーとしての第１のレーザ
ーと、 この第１のレーザーからの出力ビームをシード光として
注入する第２のレーザーとしてのエキシマレーザーと、
を有するインジェクションシーディング方式のエキシマ
レーザー装置であって、 前記シードレーザーとして、その出力ビームの繰返し周
波数を高くすることができるようにした固体レーザーを
用いたことを特徴とするエキシマレーザー装置。 - 【請求項２】 前記固体レーザーは、これを連続波Ｑ
スイッチ式のＹＡＧレーザーとしたことを特徴とする請
求項１記載のエキシマレーザー装置。 - 【請求項３】 前記固体レーザーは、これを半導体レ
ーザーとしたことを特徴とする請求項１記載のエキシマ
レーザー装置。 - 【請求項４】 前記シードレーザーは、これを多段式
に設けたことを特徴とする請求項１記載のエキシマレー
ザー装置。 - 【請求項５】 前記固体レーザーの励起手段として、
半導体レーザーを用いたことを特徴とする請求項１記載
のエキシマレーザー装置。 - 【請求項６】 前記シードレーザーと前記エキシマレ
ーザーとの間に波長選択素子を設けたことを特徴とする
請求項１記載のエキシマレーザー装置。 - 【請求項７】 前記シードレーザーは、 第１の固体レーザーとしての連続波Ｑスイッチ式のＹＡ
Ｇレーザーと、 この連続波Ｑスイッチ式のＹＡＧレーザーの出力ビーム
の波長を１／２とする第１の波長選択素子と、 この第１の波長選択素子の出力ビームにより励起される
第２の固体レーザーとしてのチタン・サファイアレーザ
ーと、 このチタン・サファイアレーザーの出力ビームの波長を
１／３とする第２の波長選択素子と、を有し、 この第２の波長選択素子の出力ビームにより前記エキシ
マレーザーを注入同期することを特徴とする請求項１記
載のエキシマレーザー装置。 - 【請求項８】 前記シードレーザーは、 第１の固体レーザーとしての半導体レーザーと、 この半導体レーザーの出力ビームにより励起される第２
の固体レーザーとしてのＹＡＧレーザーと、 このＹＡＧレーザーの出力ビームの波長を１／２とする
第１の波長選択素子と、 この第１の波長選択素子の出力ビームにより励起される
第３の固体レーザーとしてのチタン・サファイアレーザ
ーと、を有し、 このチタン・サファイアレーザーの出力ビームにより前
記エキシマレーザーを注入同期することを特徴とする請
求項１記載のエキシマレーザー装置。 - 【請求項９】 前記チタン・サファイアレーザーの出
力ビームの波長を１／３とする第２の波長選択素子を設
け、 この第２の波長選択素子の出力ビームにより前記エキシ
マレーザーを注入同期することを特徴とする請求項８記
載のエキシマレーザー装置。 - 【請求項１０】 前記シードレーザーは、 第１の固体レーザーとしての半導体レーザーと、 この半導体レーザーの出力ビームにより励起される第２
の固体レーザーとしてのチタン・サファイアレーザー
と、 このチタン・サファイアレーザーの出力ビームの波長を
１／３とする波長選択素子と、を有し、 この波長選択素子の出力ビームにより前記エキシマレー
ザーを注入同期することを特徴とする請求項１記載のエ
キシマレーザー装置。 - 【請求項１１】 前記シードレーザーは、 第１の固体レーザーとしての半導体レーザーと、 この半導体レーザーの出力ビームにより励起される第２
の固体レーザーとしてのリチウム・ＳＡＦレーザーと、 このリチウム・ＳＡＦレーザーの出力ビームの波長を１
／３とする波長選択素子と、を有し、 この波長選択素子の出力ビームにより前記エキシマレー
ザーを注入同期することを特徴とする請求項１記載のエ
キシマレーザー装置。 - 【請求項１２】 前記シードレーザーは、 半導体レーザーと、 この半導体レーザーの出力ビームの波長を１／２とする
波長選択素子と、を有し、 この波長選択素子の出力ビームにより前記エキシマレー
ザーを注入同期することを特徴とする請求項１記載のエ
キシマレーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7631794A JPH07263780A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | エキシマレーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7631794A JPH07263780A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | エキシマレーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263780A true JPH07263780A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13602000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7631794A Pending JPH07263780A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | エキシマレーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263780A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004048020A (ja) * | 1996-04-25 | 2004-02-12 | Imra America Inc | ストレッチされた超短パルスの増幅装置、光学増幅装置およびその運転方法 |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP7631794A patent/JPH07263780A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004048020A (ja) * | 1996-04-25 | 2004-02-12 | Imra America Inc | ストレッチされた超短パルスの増幅装置、光学増幅装置およびその運転方法 |
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