JPH07262767A - Synchronous dram - Google Patents

Synchronous dram

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JPH07262767A
JPH07262767A JP6047030A JP4703094A JPH07262767A JP H07262767 A JPH07262767 A JP H07262767A JP 6047030 A JP6047030 A JP 6047030A JP 4703094 A JP4703094 A JP 4703094A JP H07262767 A JPH07262767 A JP H07262767A
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JP
Japan
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bank
output
data
clock
banks
Prior art date
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Pending
Application number
JP6047030A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Yanagisawa
誠 柳沢
Hirohiko Mochizuki
裕彦 望月
Tomoharu Oka
智治 岡
Yukinori Kodama
幸徳 児玉
Takaaki Suzuki
考章 鈴木
Yoshihiro Takemae
義博 竹前
Masao Taguchi
眞男 田口
Atsushi Hatakeyama
淳 畠山
Junji Ogawa
淳二 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP6047030A priority Critical patent/JPH07262767A/en
Publication of JPH07262767A publication Critical patent/JPH07262767A/en
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Abstract

PURPOSE:To increase the speed of continuous reading of data from different banks and to attain high-speed reading from an arbitrary address in an SDRAM performing the operation in synchronization with a clock supplied from the outside. CONSTITUTION:When data are continuously read from different banks 51-54 and each of the banks 51-54 is selected as the reading object, the number of clocks CLK subtracted by one from the number of banks, i.e., three clocks CLK are made not to be supplied after that. Data D4-D4 from the banks 51-54 are multiply out putted by shifting by one clock of the clocks CLK, the data D1-D4 outputted multiplexed, by are selected by means of an output data selecting circuit 7 and outputted to the outside.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、外部から供給されるク
ロック信号(以下、単にクロックという)に同期して動
作を行うシンクロナスDRAM(Synchronous DRA
M[DynamicRandom Access Memory].以下、SD
RAMという)に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a synchronous DRAM (Synchronous DRA) which operates in synchronization with a clock signal (hereinafter referred to simply as a clock) supplied from the outside.
M [DynamicRandom Access Memory]. Below, SD
RAM).

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、SDRAMは、独立して活性状
態、非活性状態を制御することができるバンク(BAN
K)と称される複数のメモリセルアレイ領域を備えて構
成され、バンクの選択は、アクティブ命令とともに、バ
ンク・アドレスを与えることにより行われる。
2. Description of the Related Art Generally, an SDRAM is a bank (BAN) whose active state and inactive state can be independently controlled.
K), a plurality of memory cell array regions are provided, and banks are selected by giving a bank address together with an active instruction.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】現在、SDRAMで
は、クロックの最高周波数は、100MHz前後とされ
ているが、従来のSDRAMにおいては、パイプライン
方式が採用されており、1つのパイプの長さがクロック
周波数の上限を決めてしまうため、任意のアドレスから
の読出しの現在以上の高速化は困難とされていた。
Currently, in SDRAMs, the maximum clock frequency is around 100 MHz, but in conventional SDRAMs, a pipeline system is adopted, and the length of one pipe is Since the upper limit of the clock frequency is determined, it has been difficult to increase the speed of reading from an arbitrary address more than it is now.

【0004】本発明は、かかる点に鑑み、パイプライン
方式を採用せず、異なるバンクからの連続した読出しの
高速化を図り、任意のアドレスからの読出しの高速化を
図ることができるようにしたSDRAMを提供すること
を目的とする。
In view of the above point, the present invention does not adopt a pipeline system, but makes it possible to speed up continuous reading from different banks and to speed up reading from an arbitrary address. It is an object to provide an SDRAM.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】図1は本発明のSDRA
Mの要部の原理を示す回路図であり、本発明のSDRA
Mは、バンク11〜1n(バンク13〜1n-1は図示を省略
している)と、クロック供給回路21〜2n(クロック供
給回路23〜2n-1は図示を省略している)と、出力デー
タ選択回路3とを備えて構成される。なお、nは2の累
乗数である。
FIG. 1 shows the SDRA of the present invention.
It is a circuit diagram showing the principle of the main part of M, SDRA of the present invention
M denotes banks 1 1 to 1 n (banks 1 3 to 1 n-1 are not shown) and clock supply circuits 2 1 to 2 n (clock supply circuits 2 3 to 2 n-1 are not shown). Omitted) and an output data selection circuit 3. Note that n is a power of 2.

【0006】ここに、クロック供給回路21〜2nは、そ
れぞれ、バンク11〜1nに対応して設けられたものであ
り、外部から供給されるクロックCLKを、対応するバ
ンク11〜1nに供給するものである。
[0006] Here, the clock supply circuit 2 1 to 2 n, respectively, which are provided corresponding to the bank 1 1 to 1 n, the clock CLK supplied externally, corresponding banks 1 1 - 1 n .

【0007】但し、これらクロック供給回路21〜2
nは、対応するバンク11〜1nが読出しの対象として選
択された場合には、その後に供給されるクロックCLK
のうち、n−1個のクロックCLKを、対応するバンク
1〜1nに供給しないようにされたものである。
However, these clock supply circuits 2 1 to 2
n is the clock CLK that is supplied after that when the corresponding bank 1 1 to 1 n is selected for reading.
Among them, n-1 clocks CLK are not supplied to the corresponding banks 1 1 to 1 n .

【0008】また、出力データ選択回路3は、バンク1
1〜1nから出力されるデータD1〜Dnのうち、外部に
出力すべきデータDQを選択するものである。
Further, the output data selection circuit 3 is provided in the bank 1
The data DQ to be output to the outside is selected from the data D1 to Dn output from 1 to 1 n .

【0009】この出力データ選択回路3は、たとえば、
リード命令とともに入力されるバンク・アドレスをnク
ロック分遅延させてデコードした信号によって選択動作
を制御される。
The output data selection circuit 3 is, for example,
The selection operation is controlled by a signal obtained by delaying the bank address input with the read instruction by n clocks and decoding the delayed bank address.

【0010】[0010]

【作用】本発明においては、対応するバンク11〜1n
読出しの対象として選択された場合には、その後に供給
されるクロックCLKのうち、n−1個のクロックCL
Kを、対応するバンク11〜1nに供給しないようにされ
たクロック供給回路21〜2nが設けられている。
In the present invention, when the corresponding banks 1 1 to 1 n are selected for reading, of the clocks CLK supplied thereafter, n-1 clocks CL.
Clock supply circuits 2 1 to 2 n are provided so as not to supply K to the corresponding banks 1 1 to 1 n .

【0011】この結果、異なるバンク11〜1nから連続
してデータD1〜Dnを読出す場合には、バンク11
nからのデータD1〜Dnの読出しをクロックCLK
の1クロック分ずつずらして多重的に行うことができ
る。
[0011] As a result, in the case of reading the data D1~Dn continuously from different banks 1 1 ~1 n, the bank 1 1 -
Clock CLK for reading data D1 to Dn from 1 n
Can be performed multiple times by shifting by 1 clock each.

【0012】そして、本発明においては、バンク11
nから出力されるデータD1〜Dnのうち、外部に出
力すべきデータDQを選択する出力データ選択回路3が
設けられているので、バンク11〜1nから多重的に出力
されるデータD1〜Dnを選択して外部に出力すること
ができる。
In the present invention, the banks 1 1 ...
Since the output data selection circuit 3 that selects the data DQ to be output to the outside among the data D1 to Dn output from 1 n is provided, the data D1 that is multiply output from the banks 1 1 to 1 n. ~ Dn can be selected and output to the outside.

【0013】[0013]

【実施例】以下、図2〜図9を参照して、本発明の一実
施例について、本発明を、4個のバンクを有し、かつ、
バースト長(1回のリード命令で読出すデータの長さ)
を1に設定されたSDRAMに適用した場合を例にして
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS.
Burst length (length of data read by one read command)
The description will be made by taking as an example the case where the above is applied to the SDRAM set to 1.

【0014】図2は本発明の一実施例の要部を示す回路
図であり、図中、51〜54はバンク、61〜64は外部か
ら供給されるクロックCLKをバンク・クロックBCL
K1〜BCLK4としてバンク51〜54に供給するクロ
ック供給回路である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an essential part of an embodiment of the present invention. In the figure, 5 1 to 5 4 are banks, and 6 1 to 6 4 are clocks CLK supplied from the outside as bank clocks. BCL
The clock supply circuit supplies K1 to BCLK4 to the banks 5 1 to 5 4 .

【0015】また、7はバンク51〜54から出力される
データD1〜D4のうち、外部に出力すべきデータDQ
を選択する出力データ選択回路、8は出力データ選択回
路8の選択動作を制御する出力データ選択制御回路であ
る。
Further, 7 is the data DQ to be output to the outside of the data D1 to D4 output from the banks 5 1 to 5 4.
Is an output data selection circuit and 8 is an output data selection control circuit for controlling the selection operation of the output data selection circuit 8.

【0016】ここに、クロック供給回路61〜64は、同
一の回路構成とされており、たとえば、クロック供給回
路61は、図3に示すように構成されている。
The clock supply circuits 6 1 to 6 4 have the same circuit configuration. For example, the clock supply circuit 6 1 is configured as shown in FIG.

【0017】図中、10はクロックCLKが入力される
クロック入力端、11〜13はNAND回路、14〜1
6はインバータ、17は3進カウンタ、CACCL1は
バンク51に対するリード命令が入力された場合に所定
の制御回路(図示せず)から出力されるHレベルからな
る内部リード命令信号、インバータ15から出力される
CLK−DISはクロック・ディセーブル信号である。
In the figure, 10 is a clock input terminal to which a clock CLK is input, 11 to 13 are NAND circuits, and 14 to 1
Reference numeral 6 is an inverter, 17 is a ternary counter, CACCL 1 is an internal read command signal of H level output from a predetermined control circuit (not shown) when a read command for the bank 5 1 is input, and output from the inverter 15. CLK-DIS is a clock disable signal.

【0018】ここに、3進カウンタ17は、内部リード
命令CACCL1がHレベルにされると、リセットさ
れ、その出力をHレベルとし、以降、クロックCLKの
個数をカウントし、3個目のクロックCLKをカウント
すると、その出力をLレベルに復帰するものである。
Here, the ternary counter 17 is reset when the internal read command CACCL1 is set to H level, and its output is set to H level. Thereafter, the number of clocks CLK is counted, and the third clock CLK is counted. Is counted, the output is returned to the L level.

【0019】図4は、このクロック供給回路61の動作
を説明するための波形図であり、図4AはクロックCL
K、図4Bは内部リード命令信号CACCL1、図4C
は3進カウンタ17の出力、図4Dはクロック・ディセ
ーブル信号CLK−DIS、図4Eはブロック・クロッ
クBCLK1を示している。
FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of the clock supply circuit 6 1. FIG. 4A shows the clock CL.
K, FIG. 4B shows an internal read command signal CACCL1, FIG. 4C
Shows the output of the ternary counter 17, FIG. 4D shows the clock disable signal CLK-DIS, and FIG. 4E shows the block clock BCLK1.

【0020】即ち、このクロック供給回路61において
は、バンク51がリード対象として選択されない場合に
は、3進カウンタ17の出力=Lレベル、内部リード命
令信号CACCL1=Lレベルとされており、クロック
・ディセーブル信号CLK−DIS=Hレベルとされて
いる。
That is, in the clock supply circuit 6 1 , when the bank 5 1 is not selected as a read target, the output of the ternary counter 17 is L level and the internal read command signal CACCL1 is L level. The clock disable signal CLK-DIS = H level.

【0021】この結果、この場合には、クロック入力端
10に供給されるクロックCLKがNAND回路11及
びインバータ14を介してバンク・クロックBCLK1
としてバンク51に供給される。
As a result, in this case, the clock CLK supplied to the clock input terminal 10 is transferred through the NAND circuit 11 and the inverter 14 to the bank clock BCLK1.
Is supplied to the bank 5 1 .

【0022】これに対して、バンク51を選択するリー
ド命令が入力された場合には、これに対応して、内部リ
ード命令信号CACCL1=Hレベルとされ、3進カウ
ンタ17がリセットされ、その出力=Hレベルとされ、
クロックCLKからカウントを開始すると共に、クロ
ック・ディセーブル信号CLK−DIS=Lレベルとさ
れ、NAND回路11の出力=Hレベルに固定され、ク
ロック入力端10に供給されるクロックCLKの通過が
遮断される。
On the other hand, when a read command for selecting the bank 5 1 is input, the internal read command signal CACCL1 = H level is set correspondingly, and the ternary counter 17 is reset. Output = H level,
The counting is started from the clock CLK, the clock disable signal CLK-DIS is set to L level, the output of the NAND circuit 11 is fixed to H level, and the passage of the clock CLK supplied to the clock input terminal 10 is blocked. It

【0023】その後、3進カウンタ17が3個目のクロ
ックCLKをカウントすると、3進カウンタ17は、
その出力=Lレベルとし、クロック・デセーブル信号C
LK−DIS=Hレベルとされ、クロック入力端10に
供給されるクロックCLKがNAND回路11及びイン
バータ14を介してバンク・クロックBCLK1として
バンク51に供給される。
After that, when the ternary counter 17 counts the third clock CLK, the ternary counter 17
The output is set to the L level, and the clock disable signal C
LK-DIS = H level, and the clock CLK supplied to the clock input terminal 10 is supplied to the bank 5 1 as the bank clock BCLK1 via the NAND circuit 11 and the inverter 14.

【0024】即ち、このクロック供給回路61は、バン
ク51を選択するリード命令が入力された場合には、そ
の後に供給される3個のクロックCLKの通過を遮断す
るというものである。
That is, the clock supply circuit 6 1 cuts off the passage of three clocks CLK supplied subsequently when a read command for selecting the bank 5 1 is input.

【0025】また、出力データ選択回路7は図5に示す
ように構成されている。図中、19〜22はバンク51
〜54から出力されるデータD1〜D4が入力されるデ
ータ入力端、23〜26は出力データ選択制御回路8か
ら供給される出力データ選択制御信号SL1〜SL4が
入力される出力データ選択制御信号入力端である。
The output data selection circuit 7 is constructed as shown in FIG. In the figure, 19 to 22 are banks 5 1
5 4 data input terminal to which data D1~D4 is input that is output from, 23 to 26 output data selection control signal is the output data selection control signal SL1~SL4 supplied from the output data selection control circuit 8 is input It is the input end.

【0026】また、27〜30はデータ入力端19〜2
2に入力されるデータD1〜D4の通過を制御する伝送
ゲート回路であり、31〜34はエンハンスメント形の
pMOSトランジスタ、35〜38はエンハンスメント
形のnMOSトランジスタである。
27-30 are data input terminals 19-2.
2 is a transmission gate circuit for controlling the passage of data D1 to D4 input to 2; 31 to 34 are enhancement type pMOS transistors; and 35 to 38 are enhancement type nMOS transistors.

【0027】また、39〜42は出力データ選択制御信
号SL1〜SL4を反転するインバータ、43は伝送ゲ
ート回路27〜30により選択されたデータをラッチす
るラッチ回路であり、44、45はインバータ、46は
データ出力端である。
Further, 39 to 42 are inverters for inverting the output data selection control signals SL1 to SL4, 43 is a latch circuit for latching the data selected by the transmission gate circuits 27 to 30, 44 and 45 are inverters, and 46. Is the data output terminal.

【0028】ここに、出力データ選択制御信号SL1=
Hレベル、出力データ選択制御信号SL2〜SL4=L
レベルとされる場合には、伝送ゲート回路27=ON、
伝送ゲート回路28〜30=OFFとされ、データD1
が選択される。
Here, the output data selection control signal SL1 =
H level, output data selection control signals SL2 to SL4 = L
When the level is set, the transmission gate circuit 27 = ON,
The transmission gate circuits 28 to 30 are turned off, and the data D1
Is selected.

【0029】また、出力データ選択制御信号SL2=H
レベル、出力データ選択制御信号SL1、SL3、SL
4=Lレベルとされる場合には、伝送ゲート回路28=
ON、伝送ゲート回路27、29、30=OFFとさ
れ、データD2が選択される。
Further, the output data selection control signal SL2 = H
Level, output data selection control signals SL1, SL3, SL
4 = transmission gate circuit 28 = L level
It is turned on and the transmission gate circuits 27, 29, 30 are turned off, and the data D2 is selected.

【0030】また、出力データ選択制御信号SL3=H
レベル、出力データ選択制御信号SL1、SL2、SL
4=Lレベルとされる場合には、伝送ゲート回路29=
ON、伝送ゲート回路27、28、30=OFFとさ
れ、データD3が選択される。
The output data selection control signal SL3 = H
Level, output data selection control signals SL1, SL2, SL
4 = Transmission gate circuit 29 = L level
It is turned on and the transmission gate circuits 27, 28, 30 are turned off, and the data D3 is selected.

【0031】また、出力データ選択制御信号SL4=H
レベル、出力データ選択制御信号SL1〜SL3=Lレ
ベルとされる場合には、伝送ゲート回路30=ON、伝
送ゲート回路27〜29=OFFとされ、データD4が
選択される。
Further, the output data selection control signal SL4 = H
When the level and output data selection control signals SL1 to SL3 are set to L level, the transmission gate circuit 30 = ON, the transmission gate circuits 27 to 29 = OFF, and the data D4 is selected.

【0032】また、出力データ選択制御回路8は図6に
示すように構成されている。図中、BS0、BS1はバ
ンク・アドレス、47はバンク・アドレスBS0、BS
1を4クロック分遅延する遅延回路であり、48〜55
はDフリップフロップ回路(DFF)である。
The output data selection control circuit 8 is constructed as shown in FIG. In the figure, BS0 and BS1 are bank addresses, 47 is bank addresses BS0 and BS
It is a delay circuit that delays 1 by 4 clocks.
Is a D flip-flop circuit (DFF).

【0033】また、56、57はインバータ、58はバ
ンク・アドレス・デコーダであり、59〜62はNOR
回路である。
Reference numerals 56 and 57 are inverters, 58 is a bank address decoder, and 59 to 62 are NOR.
Circuit.

【0034】なお、Dフリップフロップ回路48〜55
は、図7に示すように構成されている。図中、64、6
5は伝送ゲート回路であり、66、67はエンハンスメ
ント形のpMOSトランジスタ、68、69はエンハン
スメント形のnMOSトランジスタである。
The D flip-flop circuits 48 to 55 are provided.
Are configured as shown in FIG. 64, 6 in the figure
Reference numeral 5 is a transmission gate circuit, 66 and 67 are enhancement type pMOS transistors, and 68 and 69 are enhancement type nMOS transistors.

【0035】また、70〜72はインバータであり、イ
ンバータ72において、73、74はエンハンスメント
形のpMOSトランジスタ、75、76はエンハンスメ
ント形のnMOSトランジスタである。また、77はラ
ッチ回路であり、78、79はインバータである。
Reference numerals 70 to 72 are inverters. In the inverter 72, 73 and 74 are enhancement type pMOS transistors, and 75 and 76 are enhancement type nMOS transistors. Reference numeral 77 is a latch circuit, and 78 and 79 are inverters.

【0036】ここに、Dフリップフロップ回路48、5
2に入力されるバンク・アドレスBS0、BS1は4ク
ロック分遅延してDフリップフロップ回路51、55か
ら出力される。
Here, the D flip-flop circuits 48, 5
The bank addresses BS0 and BS1 input to 2 are delayed by 4 clocks and output from the D flip-flop circuits 51 and 55.

【0037】この場合において、バンク・アドレスBS
0=Lレベル、バンク・アドレスBS1=Lレベルの場
合、出力データ選択制御信号SL1=Hレベル、出力デ
ータ選択制御信号SL2〜SL4=Lレベルとなり、出
力データ選択回路7において、データD1が選択され
る。
In this case, the bank address BS
When 0 = L level and bank address BS1 = L level, the output data selection control signal SL1 = H level, the output data selection control signals SL2 to SL4 = L level, and the output data selection circuit 7 selects the data D1. It

【0038】また、バンク・アドレスBS0=Hレベ
ル、バンク・アドレスBS1=Hレベルの場合、出力デ
ータ選択制御信号SL2=Hレベル、出力データ選択制
御信号SL1、SL3、SL4=Lレベルとなり、出力
データ選択回路7において、データD2が選択される。
When bank address BS0 = H level and bank address BS1 = H level, output data selection control signal SL2 = H level, output data selection control signals SL1, SL3, SL4 = L level, and output data The data D2 is selected in the selection circuit 7.

【0039】また、バンク・アドレスBS0=Hレベ
ル、バンク・アドレスBS1=Lレベルの場合、出力デ
ータ選択制御信号SL3=Hレベル、出力データ選択制
御信号SL1、SL2、SL4=Lレベルとなり、出力
データ選択回路7において、データD3が選択される。
When the bank address BS0 = H level and the bank address BS1 = L level, the output data selection control signal SL3 = H level, the output data selection control signals SL1, SL2, SL4 = L level, and the output data The data D3 is selected in the selection circuit 7.

【0040】また、バンク・アドレスBS0=Lレベ
ル、バンク・アドレスBS1=Hレベルの場合、出力デ
ータ選択制御信号SL4=Hレベル、出力データ選択制
御信号SL1〜SL3=Lレベルとなり、出力データ選
択回路7において、データD4が選択される。
When the bank address BS0 = L level and the bank address BS1 = H level, the output data selection control signal SL4 = H level, the output data selection control signals SL1 to SL3 = L level, and the output data selection circuit. At 7, the data D4 is selected.

【0041】図8及び図9は、本実施例におけるリード
動作の一例を説明するためのタイムチャートであり、バ
ンク51→バンク52→バンク53→バンク54→バンク5
1→バンク52→バンク53→バンク54の順に連続してデ
ータの読出しを行う場合の動作波形を示している。
FIGS. 8 and 9 are time charts for explaining an example of the read operation in this embodiment. Bank 5 1 → bank 5 2 → bank 5 3 → bank 5 4 → bank 5
The operation waveforms are shown when data is continuously read in the order of 1 → bank 5 2 → bank 5 3 → bank 5 4 .

【0042】ここに、図8A、図9AはクロックCL
K、図8B、図9Bはバンク51から出力されるデータ
D1、図8C、図9Cはバンク52から出力されるデー
タD2、図8D、図9Dはバンク53から出力されるデ
ータD3、図8E、図9Eはバンク54から出力される
データD4、図8F、図9Fは出力データ選択制御信号
SL1〜SL4の状態、図8G、図9Gは出力データ選
択回路7から出力されるデータDQを示している。
8A and 9A show clock CL.
K, FIGS. 8B and 9B are data D1 output from the bank 5 1 , FIGS. 8C and 9C are data D2 output from the bank 5 2 , and FIGS. 8D and 9D are data D3 output from the bank 5 3 . Figure 8E, FIG. 9E data D4, FIG. 8F output from bank 5 4, FIG. 9F state of the output data selection control signal SL1 to SL4, Figure 8G, FIG. 9G data DQ outputted from the output data selection circuit 7 Is shown.

【0043】即ち、このような連続した読出しを行う場
合には、まず、時刻T1で、バンク51を活性化させる
アクティブ命令(ACTV1)を与え、バンク51を活
性化させ、次に、時刻T3で、バンク52を活性化させ
るアクティブ命令(ACTV2)を与え、バンク52
活性化させる。
[0043] That is, when performing such a continuous readout, first, at time T1, an active command for activating a bank 5 1 gave (ACTV1), activates the bank 5 1, then the time in T3, the active command for activating a bank 5 2 gave (ACTV2), activates the bank 5 2.

【0044】次に、時刻T5で、バンク53を活性化さ
せるアクティブ命令(ACTV3)を与え、バンク53
を活性化させ、時刻T7で、バンク54を活性化させる
アクティブ命令(ACTV4)を与え、バンク54を活
性化させる。
Next, at time T5, an active command (ACTV3) for activating the bank 5 3 is given, and the bank 5 3 is activated.
The activated, at time T7, an active command for activating a bank 5 4 gave (ACTV4), activate the bank 5 4.

【0045】次に、時刻T8で、リード命令(RD1)
とバンク51のアドレスとコラムアドレスとを与え、バ
ンク51からのリード動作を開始させ、次に、時刻T9
で、リード命令(RD2)とバンク52のアドレスとコ
ラムアドレスとを与え、バンク52からのリード動作を
開始させる。
Next, at time T8, a read instruction (RD1)
And the address of the bank 5 1 and the column address are given to start the read operation from the bank 5 1 , and then the time T9
Then, the read instruction (RD2), the address of the bank 5 2 and the column address are given to start the read operation from the bank 5 2 .

【0046】次に、時刻T10で、リード命令(RD
3)とバンク53のアドレスとコラムアドレスとを与
え、バンク53からのリード動作を開始させ、次に、時
刻T11で、リード命令(RD4)とバンク54のアド
レスとコラムアドレスとを与え、バンク54からのリー
ド動作を開始させる。
Next, at time T10, a read command (RD
3) and gives an address and a column address of the bank 5 3, to start the read operation from the bank 5 3, then, at time T11, giving the address of the read command (RD4) and the bank 5 4 and a column address , to start the read operation from the bank 5 4.

【0047】次に、時刻T12で、リード命令(RD
1)とバンク51のアドレスとコラムアドレスとを与
え、バンク51からのリード動作を引き続き行わさせ、
次に、時刻T13で、リード命令(RD2)とバンク5
2のアドレスとコラムアドレスとを与え、バンク52から
のリード動作を引き続き行わさせる。
Next, at time T12, a read command (RD
1) and the address of the bank 5 1 and the column address are given, and the read operation from the bank 5 1 is continued.
Next, at time T13, the read instruction (RD2) and bank 5
Given a second address and a column address, causing continue to perform the read operation from the bank 5 2.

【0048】次に、時刻T14で、リード命令(RD
3)とバンク53のアドレスとコラムアドレスとを与
え、バンク53からのリード動作を引き続き行わさせ、
次に、時刻T15で、リード命令(RD4)とバンク5
4のアドレスとコラムアドレスとを与え、バンク54から
のリード動作を引き続き行わさせる。
Next, at time T14, a read command (RD
3), the address of the bank 5 3 and the column address are given, and the read operation from the bank 5 3 is continued,
Next, at time T15, the read instruction (RD4) and bank 5
The address of 4 and the column address are given, and the read operation from the bank 5 4 is continued.

【0049】この結果、時刻T11の直後にバンク51
からのデータD1の出力が開始され、次に、時刻T12
の直後にバンク52からのデータD2の出力が開始さ
れ、次に、時刻T13の直後にバンク53からのデータ
D3の出力が開始され、次に、時刻T14の直後にバン
ク54からのデータD4の出力が開始される。
As a result, immediately after time T11, the bank 5 1
The output of the data D1 from the
The output of the data D2 from the bank 5 2 is started immediately after, the output of the data D3 from the bank 5 3 is started immediately after the time T13, and then the output of the data D2 from the bank 5 4 is started immediately after the time T14. The output of the data D4 is started.

【0050】更に、続いて、時刻T15の直後にバンク
1からのデータD1の出力が開始され、次に、時刻T
16の直後にバンク52からのデータD2の出力が開始
され、次に、時刻T17の直後にバンク53からのデー
タD3の出力が開始され、次に、時刻T18の直後にバ
ンク54からのデータD4の出力が開始される。
Further, immediately after the time T15, the output of the data D1 from the bank 5 1 is started, and then the time T15.
Output of the data D2 from the bank 5 2 is started immediately after 16 and then output of the data D3 from the bank 5 3 is started immediately after the time T17 and then from the bank 5 4 immediately after the time T18. The output of the data D4 is started.

【0051】ここに、出力データ選択制御信号SL1〜
SL4の状態は、図8F、図9Fに示すようになるの
で、出力データ選択回路7から出力されるデータDQ
は、図8G、図9Gに示すようになる。
Here, the output data selection control signals SL1 to SL1.
Since the state of SL4 is as shown in FIGS. 8F and 9F, the data DQ output from the output data selection circuit 7
Becomes as shown in FIGS. 8G and 9G.

【0052】このように、本実施例においては、異なる
バンク51〜54から連続してデータを読出す場合、バン
ク51〜54のそれぞれに対して、読出しの対象として選
択された場合には、その後、バンクの数から1を減じた
数のクロックCLK、即ち、3個のクロックCLKを供
給しないようにし、バンク51〜54からのデータD1〜
D4の出力をクロックCLKの1クロック分ずつずらし
て多重的に行い、これら多重的に出力されるデータD1
〜D4を出力データ選択回路7で選択して外部に出力す
るようにしている。
[0052] Thus, in the present embodiment, when reading data continuously from different banks 5 1 to 5 4, if for each of the banks 5 1 to 5 4, are selected for reading After that, the number of clocks CLK obtained by subtracting 1 from the number of banks, that is, three clocks CLK is not supplied, and the data D1 to D1 from the banks 5 1 to 5 4 are not supplied.
The output of D4 is multiplexed by shifting by one clock of the clock CLK, and the data D1 output in multiplex
.About.D4 are selected by the output data selection circuit 7 and output to the outside.

【0053】したがって、本実施例によれば、異なるバ
ンク51〜54からの連続した読出しの高速化を図り、任
意のアドレスからの読出しの高速化を図ることができ
る。
Therefore, according to this embodiment, continuous reading from different banks 5 1 to 5 4 can be speeded up, and reading from any address can be speeded up.

【0054】なお、上述の実施例においては、バースト
長が1の場合を例にして説明したが、本発明は、バース
ト長を2以上に設定された場合においても適用すること
ができるものである。
In the above embodiments, the case where the burst length is 1 has been described as an example, but the present invention can be applied even when the burst length is set to 2 or more. .

【0055】[0055]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、異なる
バンクから連続してデータを読出す場合、バンクのそれ
ぞれに対して、読出しの対象として選択された場合に
は、その後、外部から供給されるクロックのうち、バン
ク数から1を減じた数のクロックを供給しないように
し、異なるバンクからのデータの読出しを外部から供給
されるクロックの1クロック分ずつずらして多重的に行
い、これら多重的に出力されるデータを選択して外部に
出力するように構成されているので、異なるバンクから
の連続した読出しの高速化を図り、任意のアドレスから
の読出しの高速化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, when data is continuously read from different banks, if each of the banks is selected as a read target, then it is externally read. Of the clocks supplied, the number of banks minus 1 is not supplied, and the data from different banks are read out in a multiplex manner by shifting the clocks supplied from the outside by one clock each. Since it is configured to select the data to be output multiplex and to output it to the outside, it is possible to speed up continuous reading from different banks and speed up reading from an arbitrary address. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のSDRAMの要部の原理を示す回路図
である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a principle of a main part of an SDRAM of the present invention.

【図2】本発明の一実施例の要部を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a main part of an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例が設けているクロック供給回
路を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a clock supply circuit provided in an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例が設けているクロック供給回
路の動作を説明するための波形図である。
FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of the clock supply circuit provided in the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例が設けている出力データ選択
回路を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an output data selection circuit provided in an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例が設けている出力データ選択
制御回路を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an output data selection control circuit provided in an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例が設けている出力データ選択
制御回路を構成するDフリップフロップ回路を示す回路
図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a D flip-flop circuit which constitutes an output data selection control circuit provided in an embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例におけるリード動作の一例を
説明するためのタイムチャートである。
FIG. 8 is a time chart for explaining an example of a read operation in the embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施例におけるリード動作の一例を
説明するためのタイムチャートである。
FIG. 9 is a time chart for explaining an example of the read operation in the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(図1) 11、12、1n バンク 21、22、2n クロック供給回路 3 出力データ選択回路(Fig. 1) 1 1 , 1 2 , 1 n bank 2 1 , 2 2 , 2 n clock supply circuit 3 Output data selection circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 児玉 幸徳 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 鈴木 考章 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 竹前 義博 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 田口 眞男 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 畠山 淳 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 小川 淳二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Yukinori Kodama, 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor, Kensho Suzuki, 1015, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor Yoshihiro Takemae 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor Masao Taguchi 1015, Kamedotachu, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor Jun Hatakeyama 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor Junji Ogawa, 1015, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1、第2・・・第nのバンク(但し、n
は2の累乗数)と、これら第1、第2・・・第nのバン
クのそれぞれに対応して設けられ、外部から供給される
クロック信号を対応するバンクに供給し、対応するバン
クがリードの対象として選択された場合には、その後に
供給されるクロック信号のうち、n−1個のクロック信
号を、対応するバンクに供給しないようにされた複数の
クロック供給回路と、前記第1、第2・・・第nのバン
クから出力されるデータのうち、外部に出力すべきデー
タを選択する出力データ選択回路とを備えて構成されて
いることを特徴とするシンクロナスDRAM。
1. A first bank, a second bank, ...
Is a power of 2) and is provided corresponding to each of the first, second, ..., Nth banks, supplies an externally supplied clock signal to the corresponding bank, and the corresponding bank reads. Of the clock signals to be supplied after that, a plurality of clock supply circuits configured not to supply n−1 clock signals to the corresponding bank; A synchronous DRAM comprising: an output data selection circuit that selects data to be output to the outside from data output from the second ... nth bank.
【請求項2】前記複数のクロック供給回路は、それぞ
れ、前記クロック信号をカウントするカウンタを有し、
対応するバンクに対するリード命令が入力された場合
に、これに対応して出力される内部リード命令信号と、
前記カウンタの出力とを利用して、前記クロック信号
の、対応するバンクへの供給を制御するように構成され
ていることを特徴とする請求項1記載のシンクロナスD
RAM。
2. The clock supply circuits each have a counter for counting the clock signals,
When a read instruction for the corresponding bank is input, an internal read instruction signal output corresponding to this,
2. The synchronous D according to claim 1, wherein the output of the counter is used to control the supply of the clock signal to the corresponding bank.
RAM.
【請求項3】前記出力データ選択回路は、リード命令と
ともに入力されるバンク・アドレスをnクロック分遅延
させてデコードした信号により選択動作を制御されるよ
うに構成されていることを特徴とする請求項1又は2記
載のシンクロナスDRAM。
3. The output data selection circuit is configured to control a selection operation by a signal obtained by delaying a bank address input with a read instruction by n clocks and decoding the bank address. A synchronous DRAM according to item 1 or 2.
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