JPH07254810A - Structure for high frequency circuit - Google Patents

Structure for high frequency circuit

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JPH07254810A
JPH07254810A JP6042926A JP4292694A JPH07254810A JP H07254810 A JPH07254810 A JP H07254810A JP 6042926 A JP6042926 A JP 6042926A JP 4292694 A JP4292694 A JP 4292694A JP H07254810 A JPH07254810 A JP H07254810A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric substrate
case
conductor case
high frequency
microstrip line
Prior art date
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Pending
Application number
JP6042926A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Otani
昌弘 大谷
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH07254810A publication Critical patent/JPH07254810A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain the structure for the high frequency circuit in which adjustment and manufacture are facilitated by using a fixing means such as a thread so as to fix in common a lower conductor case, a dielectric board and an upper conductor case. CONSTITUTION:A dielectric board 12 is arranged on the surface of a lower conductor case 11. A microstrip line 13 used to send a high frequency signal is formed to the surface of the dielectric board 12. A conductive area 21 is formed between the microstrip lines 13. Lots of throughholes 22 are formed to the conductive area 21 at an interval less than a half wavelength with respect to a frequency of a high frequency signal sent through the microstrip lines 13. The throughholes 22 are used connect electrically the conductive area 21 formed to the surface of the dielectric board 12 and a ground conductor on the rear side. The upper conductor case 15 is arranged on the dielectric board 12. The lower conductor case 11, the dielectric board 12 and the upper conductor case 15 are tightened at four corners by using a fixing means such as a screw 16.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高周波スイッチや分配
器などを構成する高周波回路構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency circuit structure which constitutes a high frequency switch, a distributor and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の高周波回路構造について、一部を
切り欠いて示す図4の透視図を参照して説明する。図4
は高周波スイッチの例を示し、41は金属ケースであ
る。また、ケース41の例えば周辺は壁42構造になっ
ている。そして、壁42で囲まれたケース41内部の平
坦部分に誘電体基板43が固定され、また、誘電体基板
43上にマイクロストリップライン44が形成される。
ケース41の上部は蓋45で覆われ、ケース41と蓋4
5はネジ46で固定される。また、ケース41の壁にコ
ネクタ47bが形成されている。
2. Description of the Related Art A conventional high frequency circuit structure will be described with reference to the perspective view of FIG. Figure 4
Shows an example of a high frequency switch, and 41 is a metal case. Further, for example, the periphery of the case 41 has a wall 42 structure. Then, the dielectric substrate 43 is fixed to a flat portion inside the case 41 surrounded by the wall 42, and the microstrip line 44 is formed on the dielectric substrate 43.
The top of the case 41 is covered with a lid 45, and the case 41 and the lid 4 are covered.
5 is fixed with a screw 46. A connector 47b is formed on the wall of the case 41.

【0003】図5は、図4の高周波スイッチから蓋45
を取り除いて上から見た図であり、図4と同一部分には
同一の符号を付してある。ケース41の周辺部分、そし
て、周辺の1か所から中央に向かう部分に壁42が形成
されている。壁42で囲まれたケース41の平坦部分に
合わせてコの字状の誘電体基板43が配置されている。
また、ケース42の一方の側に1つの入力コネクタ47
aが、そして他方の側に2つの出力コネクタ47b、4
7cが形成されている。
FIG. 5 shows the high-frequency switch shown in FIG.
It is the figure which looked at from above and removed, and the same code | symbol is attached | subjected to the same part as FIG. A wall 42 is formed in the peripheral portion of the case 41 and in a portion extending from one peripheral portion toward the center. A U-shaped dielectric substrate 43 is arranged in conformity with the flat portion of the case 41 surrounded by the wall 42.
Further, one input connector 47 is provided on one side of the case 42.
a and two output connectors 47b, 4 on the other side
7c is formed.

【0004】そして、入力コネクタ47aに接続してマ
イクロストリップライン44が形成され、このマイクロ
ストリップライン44は途中で2方向に分岐している。
分岐したマイクロストリップライン44はそれぞれ出力
コネクタ47b、47cに接続されている。また、48
は、マイクロストリップライン44に実装される電気部
品、例えばPINダイオードである。
A microstrip line 44 is formed so as to be connected to the input connector 47a, and the microstrip line 44 branches in two directions on the way.
The branched microstrip lines 44 are connected to output connectors 47b and 47c, respectively. Also, 48
Is an electric component mounted on the microstrip line 44, for example, a PIN diode.

【0005】図6は、マイクロストリップライン44が
形成された誘電体基板43を、ケース41から取り出し
て示した図で、図4や図5と同一部分には同一符号を付
してある。図6で示されるように、マイクロストリップ
ライン44の分岐点の近くにはいくつかの電気部品4
8、例えばPINダイオードが実装される。
FIG. 6 is a view showing the dielectric substrate 43 on which the microstrip line 44 is formed, taken out from the case 41. The same parts as those in FIGS. 4 and 5 are designated by the same reference numerals. As shown in FIG. 6, some electrical components 4 are provided near the branch point of the microstrip line 44.
8, for example a PIN diode is implemented.

【0006】上記した高周波スイッチでは、電気部品4
8例えばPINダイオードに印加するバイアス電圧を制
御し、入力コネクタ47aから入力される信号を、いず
れか一方の出力コネクタ47b、47cに出力させ、あ
るいは、いずれの出力コネクタ47b、47cからも信
号を出力しないようにしている。
In the high frequency switch described above, the electric component 4
8 For example, the bias voltage applied to the PIN diode is controlled so that the signal input from the input connector 47a is output to one of the output connectors 47b and 47c, or the signal is output from any of the output connectors 47b and 47c. I try not to.

【0007】ところで、従来の高周波回路構造では、例
えば、分岐したマイクロストリップライン44間での電
気的な結合を防止し、あるいは、ケース41外への電波
の漏洩を防止するために、ケース41の周辺、あるいは
分岐したマイクロストリップライン44間に壁42が形
成される。
By the way, in the conventional high frequency circuit structure, for example, in order to prevent electrical coupling between the branched microstrip lines 44, or to prevent leakage of radio waves to the outside of the case 41, A wall 42 is formed at the periphery or between the branched microstrip lines 44.

【0008】ところでケース41の壁42は誘電体基板
43面より高くなっている。このため、ケース41に誘
電体基板43を組み込んだ後に、電気部品48を実装す
るような場合あるいは回路パターンを調整する場合な
ど、ケース41の壁42が作業の障害になる。したがっ
て、誘電体基板43をケース41から取り外して作業し
なければならず煩雑である。
The wall 42 of the case 41 is higher than the surface of the dielectric substrate 43. Therefore, the wall 42 of the case 41 becomes an obstacle to the work when the electric component 48 is mounted after the dielectric substrate 43 is incorporated in the case 41 or when the circuit pattern is adjusted. Therefore, the dielectric substrate 43 has to be removed from the case 41 for work, which is complicated.

【0009】また、マイクロストリップライン44間の
電気的な結合を防止する場合、例えばケース41の中央
部などに壁が形成される。その結果、ケース41の平坦
部分の形状が複雑になる。このような場合、誘電体基板
43の外形をケース41の平坦部分に合わせる必要があ
り、誘電体基板43が凹凸のある複雑な形状になる。こ
のため、誘電体基板43の加工が難しく、また、誘電体
基板43の加工の際などに誘電体基板43が割れたり、
反ったりすることがある。
In order to prevent electrical coupling between the microstrip lines 44, a wall is formed, for example, in the central portion of the case 41. As a result, the shape of the flat part of the case 41 becomes complicated. In such a case, it is necessary to match the outer shape of the dielectric substrate 43 with the flat portion of the case 41, and the dielectric substrate 43 has a complicated shape with irregularities. Therefore, it is difficult to process the dielectric substrate 43, and the dielectric substrate 43 is cracked when the dielectric substrate 43 is processed.
It may warp.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した欠
点を解決するもので、調整や製造が容易な高周波回路構
造を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned drawbacks and to provide a high frequency circuit structure which can be easily adjusted and manufactured.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の高周波回路構造
は、下部導体ケース上に配置される誘電体基板と、この
誘電体基板面に形成されるマイクロストリップライン
と、このマイクロストリップラインが形成された前記誘
電体基板面に形成される導電領域と、前記マイクロスト
リップラインを伝送する信号の1/2波長に満たない間
隔で、前記導電領域に形成される複数のスルーホール
と、このスルーホール部分に接触する面を有し、前記誘
電体基板上に配置される上部導体ケースと、前記下部導
体ケースおよび前記誘電体基板、前記上部導体ケースを
一体に固定する固定手段とを具備している。
In the high frequency circuit structure of the present invention, a dielectric substrate arranged on a lower conductor case, a microstrip line formed on the surface of the dielectric substrate, and a microstrip line are formed. A conductive region formed on the surface of the dielectric substrate, a plurality of through holes formed in the conductive region at intervals less than 1/2 wavelength of a signal transmitted through the microstrip line, and the through holes. An upper conductor case, which has a surface that comes into contact with a portion and is disposed on the dielectric substrate, and a fixing unit that integrally fixes the lower conductor case, the dielectric substrate, and the upper conductor case. .

【0012】[0012]

【作用】上記の構成によれば、マイクロストリップライ
ンが形成される誘電体基板を、下部導体ケースと上部導
体ケースに挟み、そして、これら下部導体ケース、誘電
体基板、上部導体ケースを、ネジなどの固定手段を用い
て例えば共通に固定している。したがって、マイクロス
トリップラインなど高周波回路を調整する場合は、上部
導体ケースを取り外すことによって誘電体基板面を遮る
ものがなくなり作業が容易に行える。
According to the above construction, the dielectric substrate on which the microstrip line is formed is sandwiched between the lower conductor case and the upper conductor case, and the lower conductor case, the dielectric substrate and the upper conductor case are screwed or the like. For example, the common fixing means is used. Therefore, when adjusting a high-frequency circuit such as a microstrip line, by removing the upper conductor case, there is no obstruction on the surface of the dielectric substrate, and the work can be easily performed.

【0013】なお、誘電体基板を、下部導体ケースと上
部導体ケース間に挟む構造であるため、上下の導体ケー
スと誘電体基板とで疑似導波管が形成される。この場
合、疑似導波管を通して信号が伝送する恐れがある。し
かし、疑似導波管を形成する誘電体基板部分に、マイク
ロストリップラインを伝送する信号の1/2波長に満た
ない間隔で複数のスルーホールが形成されている。この
スルーホールが、マイクロストリップラインを伝送する
信号の周波数に対しカットオフとなるように作用し、疑
似導波管部分の信号の伝送を防止する。このため、マイ
クロストリップライン間の電気的な結合や、ケース外部
への信号の漏洩は防止できる。
Since the dielectric substrate is sandwiched between the lower conductor case and the upper conductor case, a pseudo waveguide is formed by the upper and lower conductor cases and the dielectric substrate. In this case, the signal may be transmitted through the pseudo waveguide. However, a plurality of through holes are formed in the dielectric substrate portion forming the pseudo waveguide at intervals less than 1/2 wavelength of the signal transmitted through the microstrip line. The through hole acts so as to be cut off with respect to the frequency of the signal transmitted through the microstrip line, and prevents the signal transmission in the pseudo waveguide portion. Therefore, electrical coupling between the microstrip lines and leakage of signals to the outside of the case can be prevented.

【0014】また、ケースの中央部などに壁が必要でな
くなるので誘電体基板の形状を矩形など単純な形状にで
き、製造が容易になる。
Further, since no wall is required in the central portion of the case, the dielectric substrate can be formed in a simple shape such as a rectangle, which facilitates manufacturing.

【0015】[0015]

【実施例】本発明の実施例について、一部を切り欠いて
示す図1の透視図を参照して説明する。図1は例えば高
周波スイッチで、11は高周波スイッチを構成する下部
導体ケースである。下部導体ケース11の表面は平坦に
形成され、その平坦な表面に誘電体基板12が配置され
る。誘電体基板12は下部導体ケース11の面と同じ形
状で、その表面には高周波信号を伝送するマイクロスト
リップライン13が形成される。なお、マイクロストリ
ップライン13の1つの端部は出力コネクタ14bに接
続されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described with reference to the perspective view of FIG. FIG. 1 shows, for example, a high frequency switch, and 11 is a lower conductor case forming the high frequency switch. The surface of the lower conductor case 11 is formed flat, and the dielectric substrate 12 is arranged on the flat surface. The dielectric substrate 12 has the same shape as the surface of the lower conductor case 11, and a microstrip line 13 for transmitting a high frequency signal is formed on the surface thereof. Note that one end of the microstrip line 13 is connected to the output connector 14b.

【0016】また、誘電体基板12上に上部導体ケース
15が配置され、下部導体ケース11と上部導体ケース
15間に誘電体基板12が挟まれる構造になっている。
この状態で、下部導体ケース11や誘電体基板12、上
部導体ケース15が4つの隅でネジ16などの固定手段
で共締めされる。
The upper conductor case 15 is arranged on the dielectric substrate 12, and the dielectric substrate 12 is sandwiched between the lower conductor case 11 and the upper conductor case 15.
In this state, the lower conductor case 11, the dielectric substrate 12, and the upper conductor case 15 are fastened together with fixing means such as screws 16 at the four corners.

【0017】図2は、図1の高周波スイッチから誘電体
基板12部分を取り出して示した図で、マイクロストリ
ップライン13の入力端INは1本のマイクロストリッ
プラインで構成され、途中で2方向に分岐しそれぞれ出
力端OUTに接続されている。また、誘電体基板12面
には、その周辺部や分岐したマイクロストリップライン
13間に導電領域21が形成されている。そして、導電
領域21には、マイクロストリップライン13を伝送す
る高周波信号の周波数の1/2波長に満たない間隔で多
数のスルーホール22が形成される。これらスルーホー
ル22は、誘電体基板12の表面に形成された導電領域
21と裏面の接地導体(図示せず)とを電気的に接続し
ている。
FIG. 2 is a diagram showing a portion of the dielectric substrate 12 taken out from the high frequency switch shown in FIG. 1. The input end IN of the microstrip line 13 is composed of one microstrip line, and in two directions in the middle. They are branched and connected to the output terminal OUT. Further, on the surface of the dielectric substrate 12, a conductive region 21 is formed in the peripheral portion and between the branched microstrip lines 13. A large number of through holes 22 are formed in the conductive region 21 at intervals less than 1/2 wavelength of the frequency of the high frequency signal transmitted through the microstrip line 13. These through holes 22 electrically connect the conductive region 21 formed on the front surface of the dielectric substrate 12 and the ground conductor (not shown) on the back surface.

【0018】図3は、図1の上部導体ケース15を示
し、図1の場合とは上下が逆になっている。上部導体ケ
ース15は、下部導体ケース11との間に誘電体基板1
2を挟んだ場合に、マイクロストリップライン13(図
1)と向かい合う部分は空間15aで、また、導電領域
21と向かい合う部分は壁15bになっている。また、
上部導体ケース15の壁15b部分には、入力コネクタ
や出力コネクタを取り付ける溝31が形成されている。
FIG. 3 shows the upper conductor case 15 of FIG. 1, which is upside down from the case of FIG. The upper conductor case 15 and the lower conductor case 11 are disposed between the dielectric substrate 1 and the upper conductor case 15.
When the two are sandwiched, a portion facing the microstrip line 13 (FIG. 1) is a space 15a, and a portion facing the conductive region 21 is a wall 15b. Also,
A groove 31 for mounting an input connector or an output connector is formed in the wall 15b portion of the upper conductor case 15.

【0019】上記した上部導体ケース15を誘電体基板
12上に配置すると、図1で示すように上部導体ケース
15の壁15b構造の面が、導電領域21に形成された
スルーホール22と接する。このとき、誘電体基板12
の導電領域21と上部導体ケース15は互いに機械的
に、そして電気的に接触する。また、誘電体基板12の
導電領域21はスルーホール22で裏面の接地導体(図
示せず)と接続され、さらに下部導体ケース11と電気
的に接続される。
When the above-described upper conductor case 15 is arranged on the dielectric substrate 12, the surface of the wall 15b structure of the upper conductor case 15 contacts the through hole 22 formed in the conductive region 21, as shown in FIG. At this time, the dielectric substrate 12
The conductive area 21 and the upper conductive case 15 are in mechanical and electrical contact with each other. Further, the conductive region 21 of the dielectric substrate 12 is connected to the ground conductor (not shown) on the back surface through the through hole 22, and is further electrically connected to the lower conductor case 11.

【0020】したがって、誘電体基板12表面の導電領
域21は上部導体ケース15の壁と接触し、また裏面の
接地導体は下部導体ケース11と接触する。このため、
上部導体ケース15と下部導体ケース11間に誘電体基
板12が挟まれ、この部分に疑似導波管が形成される。
しかし、誘電体基板12の導電領域21には、マイクロ
ストリップライン13を伝送する高周波信号の1/2波
長に満たない間隔で複数のスルーホール22が形成され
ている。このため、疑似導波管はマイクロストリップラ
イン13で伝送する高周波信号に対しカットオフとなり
高周波信号は伝送できない。したがって、疑似導波管を
通して分岐したマイクロストリップライン13同士で電
気的な結合が生じたり、また、外部に信号が漏洩するよ
うなことはない。
Therefore, the conductive region 21 on the surface of the dielectric substrate 12 contacts the wall of the upper conductor case 15, and the ground conductor on the back surface contacts the lower conductor case 11. For this reason,
The dielectric substrate 12 is sandwiched between the upper conductor case 15 and the lower conductor case 11, and a pseudo waveguide is formed in this portion.
However, a plurality of through holes 22 are formed in the conductive region 21 of the dielectric substrate 12 at intervals less than 1/2 wavelength of the high frequency signal transmitted through the microstrip line 13. Therefore, the pseudo waveguide is cut off from the high frequency signal transmitted by the microstrip line 13 and cannot transmit the high frequency signal. Therefore, electrical coupling does not occur between the microstrip lines 13 branched through the pseudo waveguide, and no signal leaks to the outside.

【0021】なお、スルーホール22の間隔を、マイク
ロストリップライン13を伝送する高周波信号周波数の
1/2波長より狭くすればするほど、マイクロストリッ
プライン13間の電気的結合や電波の漏洩を少なくで
き、特性のよい高周波回路を構成できる。
As the distance between the through holes 22 is made narrower than half the wavelength of the high frequency signal transmitted through the microstrip line 13, electrical coupling between the microstrip lines 13 and leakage of radio waves can be reduced. A high-frequency circuit with good characteristics can be constructed.

【0022】上記した実施例によれば、マイクロストリ
ップライン間の電気的結合を防止する場合でも、両者の
中間に壁を設ける必要がない。したがって誘電体基板の
形状を下部導体ケースに合わせて凹凸のない単純な形状
にできる。このため、誘電体基板12の加工が容易にな
り、また製造の際などに割れたり反ったりすることもな
くなる。
According to the above-mentioned embodiment, it is not necessary to provide a wall between the microstrip lines even when the electrical coupling between the microstrip lines is prevented. Therefore, the shape of the dielectric substrate can be adjusted to the lower conductor case to have a simple shape without unevenness. For this reason, the dielectric substrate 12 is easily processed, and is not cracked or warped during manufacturing.

【0023】また、誘電体基板に形成された回路パター
ンを修正する場合なども、上部導体ケースを取りはずせ
ば、誘電体基板面を遮るものがなくなり調整作業を容易
に行える。
Also, when the circuit pattern formed on the dielectric substrate is to be corrected, the upper conductor case can be removed so that there is no obstruction on the surface of the dielectric substrate and the adjustment work can be performed easily.

【0024】また、誘電体基板を、上部導体ケースや下
部導体ケースとネジなどで共通に固定すれば、下部導体
ケースと誘電体基板を別に固定する作業が不要になり、
組み立てに要する時間も少なくなる。
Further, if the dielectric substrate is commonly fixed to the upper conductor case or the lower conductor case with screws, the work of separately fixing the lower conductor case and the dielectric substrate becomes unnecessary,
It also takes less time to assemble.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明によれば、製造や調整が容易な高
周波回路構造を実現できる。
According to the present invention, a high frequency circuit structure which can be easily manufactured and adjusted can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す透視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例を説明する斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例を説明する斜視図である。FIG. 3 is a perspective view illustrating an embodiment of the present invention.

【図4】従来例を示す透視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional example.

【図5】従来例をを説明する斜視図である。FIG. 5 is a perspective view illustrating a conventional example.

【図6】従来例をを説明する斜視図である。FIG. 6 is a perspective view illustrating a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…下部導体ケース 12…誘電体基板 13…マイクロストリップライン 15…上部導体ケース 16…ネジ 21…導電領域 22…スルーホール 11 ... Lower conductor case 12 ... Dielectric substrate 13 ... Microstrip line 15 ... Upper conductor case 16 ... Screw 21 ... Conductive region 22 ... Through hole

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下部導体ケース上に配置される誘電体基
板と、この誘電体基板面に形成されるマイクロストリッ
プラインと、このマイクロストリップラインが形成され
た前記誘電体基板面に形成される導電領域と、前記マイ
クロストリップラインを伝送する信号の1/2波長に満
たない間隔で、前記導電領域に形成される複数のスルー
ホールと、このスルーホール部分に接触する面を有し、
前記誘電体基板上に配置される上部導体ケースと、前記
下部導体ケースおよび前記誘電体基板、前記上部導体ケ
ースを一体に固定する固定手段とを具備した高周波回路
構造。
1. A dielectric substrate arranged on a lower conductor case, a microstrip line formed on the surface of the dielectric substrate, and a conductive layer formed on the surface of the dielectric substrate on which the microstrip line is formed. An area, a plurality of through holes formed in the conductive area at intervals less than 1/2 wavelength of a signal transmitted through the microstrip line, and a surface in contact with the through hole portion,
A high frequency circuit structure comprising: an upper conductor case arranged on the dielectric substrate; and fixing means for integrally fixing the lower conductor case, the dielectric substrate, and the upper conductor case.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008182736A (en) * 2003-03-18 2008-08-07 Murata Mfg Co Ltd Chip-type resonance component
JP2010028306A (en) * 2008-07-16 2010-02-04 Mitsubishi Electric Corp Transmission line and system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59188978A (en) * 1983-04-11 1984-10-26 Hitachi Ltd Manufacture of schottky gate type field effect transistor
JPH05259713A (en) * 1992-03-10 1993-10-08 Mitsubishi Electric Corp Coaxial microstrip line converter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59188978A (en) * 1983-04-11 1984-10-26 Hitachi Ltd Manufacture of schottky gate type field effect transistor
JPH05259713A (en) * 1992-03-10 1993-10-08 Mitsubishi Electric Corp Coaxial microstrip line converter

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008182736A (en) * 2003-03-18 2008-08-07 Murata Mfg Co Ltd Chip-type resonance component
JP4720835B2 (en) * 2003-03-18 2011-07-13 株式会社村田製作所 Chip-type resonant component
JP2010028306A (en) * 2008-07-16 2010-02-04 Mitsubishi Electric Corp Transmission line and system

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