JPH07249775A - Field effect transistor - Google Patents
Field effect transistorInfo
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- JPH07249775A JPH07249775A JP6039712A JP3971294A JPH07249775A JP H07249775 A JPH07249775 A JP H07249775A JP 6039712 A JP6039712 A JP 6039712A JP 3971294 A JP3971294 A JP 3971294A JP H07249775 A JPH07249775 A JP H07249775A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はπ−共役系重合体を半導
体層に用いた電界効果型トランジスタに関し、詳しく
は、半導体層が、大きな双極子モーメントを持つ置換基
を含むπ−共役系重合体を主な成分とすることを特徴と
したオン・オフ比が大きい電界効果型トランジスタに関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field effect transistor using a π-conjugated polymer in a semiconductor layer, and more specifically, the semiconductor layer contains a π-conjugated polymer containing a substituent having a large dipole moment. The present invention relates to a field-effect transistor having a large on / off ratio, which is characterized by including coalescence as a main component.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ポリチオフェン、オリゴチオフェン、ポ
リチエニレンビニレン等のπ−共役系重合体は半導体的
性質を示し、シリコンやガリウム砒素等の無機系の材料
にない可撓性を持っている。また、π−共役系重合体は
置換基の導入により有機溶剤に可溶なものも合成可能で
あり、スピンコート法、ディッピング法（浸漬法）など
簡便な方法で薄膜を形成することもできる。このような
ことから、これまでにπ−共役系重合体を使った整流素
子や、電界効果型トランジスタが試作されている。2. Description of the Related Art π-Conjugated polymers such as polythiophene, oligothiophene, and polythienylene vinylene show semiconducting properties, and have flexibility not possessed by inorganic materials such as silicon and gallium arsenide. Further, the π-conjugated polymer can be synthesized by introducing a substituent and can be synthesized in an organic solvent, and a thin film can be formed by a simple method such as a spin coating method or a dipping method (immersion method). Under such circumstances, rectifiers and field-effect transistors using a π-conjugated polymer have been experimentally manufactured so far.
【０００３】π−共役系重合体を電界効果型トランジス
タの半導体層として用いた従来例としては、電解重合に
よりπ−共役系重合体薄膜を形成するもの（例として特
開昭６２−０８５４６７号公報）、π−共役系重合体の
溶液あるいはπ−共役系重合体前駆体の溶液を塗布する
もの（例として特開平５−１１００６９号公報）等があ
る。これら従来のπ−共役系重合体電界効果型トランジ
スタの素子構造の一例を図３に示す。A conventional example in which a π-conjugated polymer is used as a semiconductor layer of a field effect transistor is one in which a π-conjugated polymer thin film is formed by electrolytic polymerization (for example, JP-A-62-085467). ), A solution of a π-conjugated polymer or a solution of a π-conjugated polymer precursor (for example, JP-A-5-110069). An example of the element structure of these conventional π-conjugated polymer field effect transistors is shown in FIG.
【０００４】π−共役系重合体を用いた電界効果型トラ
ンジスタを、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ
の画素駆動素子に応用するという検討がなされている。
この場合、オン・オフ比が高いこと、つまりオフ電流
（ゲート電圧が０Ｖの時にソース、ドレイン間に流れる
電流）が小さいこと、及びオン電流（ゲート電極に電圧
を印加した時にソース、ドレイン間に流れる電流）が大
きいことが、コントラスト向上や応答高速化にあたって
要求される。Studies have been made to apply a field effect transistor using a π-conjugated polymer to a pixel driving element of an active matrix liquid crystal display.
In this case, the on / off ratio is high, that is, the off current (current flowing between the source and the drain when the gate voltage is 0 V) is small, and the on current (when the voltage is applied to the gate electrode is between the source and the drain). A large current) is required to improve contrast and speed up response.
【０００５】従来のπ−共役系重合体電界効果型トラン
ジスタは、オン電流が低くオン・オフ比も小さかった。
オン電流の向上とオン・オフ比の向上のために、これま
でに種々の工夫が試みられてきた。The conventional π-conjugated polymer field effect transistor has a low on-current and a small on-off ratio.
To improve the on-current and the on / off ratio, various attempts have been made so far.
【０００６】特開平５−１１００６９号公報では、半導
体層に新材料を適用することによって、π−共役系重合
体を電界効果型トランジスタの半導体層として用いた例
としてはかなり高い１×１０-1cm2 ／Ｖ・ｓという電界
効果移動度の値が得られており、アモルファスシリコン
式薄膜トランジスタ並の充分なオン電流が得られる。し
かしこの例では、オフ電流（ゲート電圧が０Ｖの時にソ
ース、ドレイン間に流れる電流）も他より増加してしま
っており、オン・オフ比の向上にはつながっていない。In Japanese Patent Laid-Open No. 5-110069, by applying a new material to the semiconductor layer, a considerably high 1 × 10 -1 is obtained as an example in which a π-conjugated polymer is used as a semiconductor layer of a field effect transistor. A field effect mobility value of cm 2 / V · s is obtained, and a sufficient on-current comparable to that of an amorphous silicon thin film transistor can be obtained. However, in this example, the off current (the current flowing between the source and the drain when the gate voltage is 0 V) is also higher than the others, which does not lead to the improvement of the on / off ratio.
【０００７】オン・オフ比を向上させることを優先する
ため、特にオフ電流を低減させることによってオン・オ
フ比５桁を実現したπ−共役系重合体電界効果型トラン
ジスタの例がある（アプライド・フィジクス・レター、
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）、
６２巻、１７９４頁、１９９３年）。しかしこの場合、
電界効果移動度は２×１０-4cm2 ／Ｖ・ｓにとどまって
おり、オン電流が大きくとれない。このように、オフ電
流の低減とオン電流の向上を同時に行うことが、従来困
難であった。In order to give priority to improving the on / off ratio, there is an example of a π-conjugated polymer field effect transistor that realizes an on / off ratio of 5 digits by reducing the off current (Applied. Physics Letter,
(Applied Physics Letter),
62, 1794, 1993). But in this case
The field effect mobility is only 2 × 10 −4 cm 2 / V · s, and the on-current cannot be large. As described above, it has been difficult to reduce the off current and improve the on current at the same time.
【０００８】現在広く普及している、シリコン系材料に
代表される無機半導体を用いた電界効果トランジスタ、
あるいは上に述べた従来のπ−共役系重合体電界効果型
トランジスタの動作原理は、次に述べるような機構によ
っている。すなわち、ゲート電極に電圧を印加すること
によって、ゲート電極からの電界効果によって半導体層
中の絶縁層との界面付近に伝導チャネルが形成され、ソ
ース・ドレイン間に電圧を印加すると伝導チャネルを経
由して電流が流れるという機構である。一方、界面付近
に伝導チャネルが形成されていなくても、ソース・ドレ
イン間に電圧を印加すれば、半導体層が完全な絶縁体で
ない限り、半導体層／ゲート絶縁膜界面付近以外の領域
（バルク）も経由してわずかながらソース・ドレイン間
に電流が流れる。これがオフ電流の原因である。半導体
層全体に対してドーピングを施したり、キャリア移動度
を向上させて、半導体層全体の導電率をあげると、オン
電流も増加するがバルクを流れるオフ電流も増加する。
そのため、従来、導電率の低い材料を半導体層に用いな
ければならなかった。A field effect transistor using an inorganic semiconductor typified by a silicon material, which is widely used at present.
Alternatively, the operation principle of the conventional π-conjugated polymer field effect transistor described above is based on the mechanism described below. That is, when a voltage is applied to the gate electrode, a conduction channel is formed near the interface with the insulating layer in the semiconductor layer due to the electric field effect from the gate electrode, and when a voltage is applied between the source and drain, the conduction channel passes through. It is a mechanism that electric current flows. On the other hand, even if the conduction channel is not formed near the interface, if a voltage is applied between the source and drain, unless the semiconductor layer is a perfect insulator, a region other than the vicinity of the semiconductor layer / gate insulating film interface (bulk) A small amount of current also flows between the source and drain via. This is the cause of the off current. When the conductivity of the entire semiconductor layer is increased by doping the entire semiconductor layer or improving the carrier mobility, the on-current also increases, but the off-current flowing through the bulk also increases.
Therefore, conventionally, a material having low conductivity has to be used for the semiconductor layer.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来、π−共役系重合体を半導体層に用いた電界効果型ト
ランジスタは、オン電流の向上と、オフ電流の低減を同
時に行うことが困難であった。As described above, conventionally, a field effect transistor using a π-conjugated polymer in a semiconductor layer can simultaneously improve the on-current and reduce the off-current. It was difficult.
【００１０】本発明はこの問題を解決するためになされ
たもので、オン・オフ比が大きい電界効果型トランジス
タを提供することを目的とする。The present invention has been made to solve this problem, and an object thereof is to provide a field effect transistor having a large on / off ratio.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、双極子モ
ーメントの大きな置換基を持つπ−共役系重合体の薄膜
を電界効果型トランジスタの半導体層に用いることによ
り、ソース・ドレイン間の電気伝導度をゲート電圧によ
って大きく変化させることができることを見いだし、本
発明に至った。The inventors of the present invention have used a thin film of a π-conjugated polymer having a substituent having a large dipole moment as a semiconductor layer of a field-effect transistor, whereby The inventors have found that the electric conductivity can be greatly changed by the gate voltage, and have completed the present invention.
【００１２】すなわち本発明における電界効果型トラン
ジスタは、半導体層が、−ＣＨＯ、−ＣＯＣＨ3 、−Ｎ
Ｏ2 、−ＣＮのいずれかの置換基を含むπ−共役系重合
体を主な成分とすることを特徴としている。That is, in the field-effect transistor of the present invention, the semiconductor layers are --CHO, --COCH 3 , --N.
A main component is a π-conjugated polymer containing a substituent of either O 2 or —CN.
【００１３】ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と
しては、導電性材料であれば特に限定されず、白金、
金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン
鉛、タンタル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグ
ネシウム、およびこれらの合金や、インジウム・錫酸化
物等の導電性金属酸化物、あるいはドーピング等で導電
率を向上させた無機および有機半導体、例えばシリコン
単結晶、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ゲルマ
ニウム、グラファイト、ポリアセチレン、ポリパラフェ
ニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリ
ン、ポリチエニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニ
レン等が挙げられる。ソース電極、ドレイン電極は、上
に挙げた中でも半導体層との接触面において電気抵抗が
少ないものが好ましい。The gate electrode, the source electrode and the drain electrode are not particularly limited as long as they are conductive materials, and platinum,
Gold, silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony lead, tantalum, indium, aluminum, zinc, magnesium, and alloys thereof, conductive metal oxides such as indium tin oxide, or doping, etc. Inorganic and organic semiconductors having improved conductivity, such as silicon single crystal, polysilicon, amorphous silicon, germanium, graphite, polyacetylene, polyparaphenylene, polythiophene, polypyrrole, polyaniline, polythienylenevinylene, polyparaphenylenevinylene, etc. To be Among the source electrodes and the drain electrodes, those having a small electric resistance at the contact surface with the semiconductor layer are preferable among the above.
【００１４】絶縁膜としては、特に材料は限定しない
が、誘電率が高く、導電率が低いものが好ましい。例と
しては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウ
ム、酸化チタン、酸化タンタル、ポリエチレン、ポリイ
ミド等が挙げられる。The material of the insulating film is not particularly limited, but one having a high dielectric constant and a low conductivity is preferable. Examples include silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, polyethylene, polyimide and the like.
【００１５】半導体層の主な成分とするπ−共役系重合
体としては、−ＣＨＯ、−ＣＯＣＨ3 、−ＮＯ2 、−Ｃ
Ｎのいずれかの置換基を含むものであれば特に限定しな
い。例としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニレ
ン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポ
リチエニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン、
ポリピリダジン、ポリナフチレン、ポリアズレン、ポリ
イソチアナフテン等に、−ＣＨＯ、−ＣＯＣＨ3 、−Ｎ
Ｏ2 、−ＣＮのいずれかの置換基を導入したものや、上
記の化合物のオリゴマー形態のもの等が挙げられるが、
特に複素五員環式π−共役系重合体のように、モノマー
単位が交互に逆向きに結合しているものが好ましい。な
ぜなら、このような材料は、ゲート電圧により外部電界
をかけたときに重合体が捻れの力を受けるからである。
例としては、ポリチオフェン、オリゴチオフェン、ポリ
ピロール、オリゴピロールなどに、置換基として−ＣＨ
Ｏ、−ＣＯＣＨ3 、−ＮＯ2 、−ＣＮのいずれかが導入
されたものが挙げられる。Examples of the π- conjugated polymer whose main component of the semiconductor layer, -CHO, -COCH 3, -NO 2 , -C
There is no particular limitation as long as it contains any substituent of N. Examples include polyacetylene, polyparaphenylene, polythiophene, polypyrrole, polyaniline, polythienylenevinylene, polyparaphenylenevinylene,
Poly pyridazine, Porinafuchiren, polyazulene, the polyisothianaphthene, etc., -CHO, -COCH 3, -N
Examples thereof include those in which any one of O 2 and —CN has been introduced, and oligomers of the above compounds.
Particularly preferred is a polymer in which monomer units are alternately bonded in opposite directions, such as a hetero five-membered cyclic π-conjugated polymer. This is because such materials undergo a twisting force on the polymer when an external electric field is applied by the gate voltage.
Examples include polythiophene, oligothiophene, polypyrrole, oligopyrrole, and the like, with -CH as the substituent.
O, -COCH 3, -NO 2, include those any of -CN was introduced.
【００１６】本発明に用いるπ−共役系重合体におい
て、−ＣＨＯ、−ＣＯＣＨ3 、−ＮＯ2 、−ＣＮのいず
れかの置換基の導入位置や導入数は特に限定しない。す
なわち、π−共役骨格、あるいはπ−共役骨格に結合し
た他の置換基の任意の位置に−ＣＨＯ、−ＣＯＣＨ3 、
−ＮＯ2 、−ＣＮのいずれかが１つ以上結合していれば
よいが、ゲート電圧により外部電界をかけたときに重合
体が捻れの力を受けやすい位置に導入されていることが
望ましい。In the π-conjugated polymer used in the present invention, the introduction position and the number of introduction of any substituent of —CHO, —COCH 3 , —NO 2 and —CN are not particularly limited. That, .pi.-conjugated backbone -CHO or .pi. at any position other substituents attached to the conjugated backbone,, -COCH 3,
It suffices that at least one of —NO 2 and —CN is bound, but it is desirable that the polymer is introduced at a position where it is susceptible to a twisting force when an external electric field is applied by the gate voltage.
【００１７】上記のπ−共役系重合体の重合度は特に限
定されないが、重合度が小さいとガラス転移温度が低く
なり、耐熱性が悪くなるのでできるだけ高い方が望まし
い。The degree of polymerization of the above π-conjugated polymer is not particularly limited, but if the degree of polymerization is small, the glass transition temperature becomes low and the heat resistance deteriorates.
【００１８】本発明においては、ゲート電極に電圧を印
加しない状態で、ソース・ドレイン電極間が適当な電気
伝導度を持つことが好ましいため、半導体層のπ−共役
系重合体に対し適度なドーピングを施し、適当な導電率
を示すようにすることが好ましい。In the present invention, it is preferable that the source and drain electrodes have an appropriate electric conductivity in the state where no voltage is applied to the gate electrode. Therefore, the π-conjugated polymer of the semiconductor layer is appropriately doped. Is preferably applied so as to exhibit an appropriate conductivity.
【００１９】半導体層としては前記のπ−共役系重合体
を主な成分としていればどのような構成でもよく、例え
ば高分子バインダー中に前記化合物を分散させる、ある
いは前記化合物を側鎖に持つ高分子といった構成でもよ
い。The semiconductor layer may have any structure as long as it contains the above-mentioned π-conjugated polymer as a main component. For example, the compound may be dispersed in a polymer binder, or a polymer having the compound as a side chain may be used. A structure such as a molecule may be used.
【００２０】半導体層の作製法は特に限定しないが、例
としては、電解重合法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＬＢ（ラン
グミュア−ブロジェット）法、スピンキャスト法、ディ
ッピング法、滴下法、凸版あるいは凹版印刷法、インク
ジェット法などが挙げられる。The method for producing the semiconductor layer is not particularly limited, but examples thereof include electrolytic polymerization method, vapor deposition method, CVD method, LB (Langmuir-Blodgett) method, spin casting method, dipping method, dropping method, letterpress or intaglio. A printing method, an inkjet method and the like can be mentioned.
【００２１】本発明における電界効果型トランジスタの
構造は薄膜型に限定されるものではなく、円筒型など立
体型でもよい。The structure of the field effect transistor in the present invention is not limited to the thin film type, and may be a three-dimensional type such as a cylindrical type.
【００２２】[0022]
【作用】本発明の電界効果型トランジスタの動作原理を
以下に説明する。The operation principle of the field effect transistor of the present invention will be described below.
【００２３】π−共役系重合体は、主鎖骨格に折れ曲が
りや捻れがあると、そこでπ−共役が分断されることか
ら、コンフォメーション（構成原子の位置関係）が電気
的性質に与える影響が大きいことが知られている。In the π-conjugated polymer, when the main chain skeleton has a bend or a twist, the π-conjugation is broken at the skeleton, so that the conformation (positional relationship of constituent atoms) has an influence on the electrical properties. It is known to be great.
【００２４】ゲート電極に電圧を印加しないときは図１
（ａ）にて示したように、高分子鎖のπ電子共役によ
り、横方向電界（ソース・ドレイン電圧により発生）を
かけてチャネルにキャリアを流すことができる。ゲート
電極に電圧を印加すると、図１（ｂ）において示しいた
ようにゲート電極面と垂直な方向に電界が発生し、双極
子モーメントを持つ置換基に力が加わる。すると高分子
鎖のコンフォメーションが変わり、π電子共役がくずれ
る。π電子共役がくずれると高分子の導電率が著しく低
下するので、ソース・ドレイン電極間に電流が流れなく
なる。When no voltage is applied to the gate electrode, FIG.
As shown in (a), by the π-electron conjugation of the polymer chains, a lateral electric field (generated by the source / drain voltage) can be applied to cause carriers to flow in the channel. When a voltage is applied to the gate electrode, an electric field is generated in a direction perpendicular to the gate electrode surface as shown in FIG. 1B, and a force is applied to the substituent having a dipole moment. Then, the conformation of the polymer chain changes and the π-electron conjugation is broken. When the π-electron conjugation is broken, the conductivity of the polymer is significantly reduced, so that no current flows between the source and drain electrodes.
【００２５】以上のようにして、ゲート電圧によってソ
ース・ドレイン間の電気伝導度を従来よりも大きく変化
させられるので、高いオン・オフ比の動作が可能とな
る。As described above, since the electric conductivity between the source and the drain can be changed by the gate voltage to a greater extent than in the conventional case, an operation with a high on / off ratio becomes possible.
【００２６】[0026]
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明は実施例に限
られるものではない。EXAMPLES Examples will be shown below, but the present invention is not limited to the examples.
【００２７】（実施例１）図２に本実施例におけるπ−
共役系重合体電界効果型トランジスタの構造を示す。ま
ず、無アルカリガラス基板９上にクロムを蒸着し、ゲー
ト電極１０とした。次にプラズマＣＶＤ法により、ゲー
ト絶縁膜１１として５０００オングストロームの窒化シ
リコン膜を堆積させた後、クロム、金の順に蒸着を行
い、通常の光リソグラフィー技術でソース電極１２、ド
レイン電極１３を形成した。続いて、通常のマスク法お
よび真空蒸着法により、ポリ［３−（シアノエチル）チ
オフェン］からなる半導体層１４を形成した。さらに、
テトラフルオロほう酸ニトロソニウムの１０-3ｍｏｌ／
ｌのニトロメタン溶液に基板ごと浸漬することにより、
ドーピングを行った。ドーピング後は減圧乾燥を行い、
不要な残留溶媒を除去した。(Embodiment 1) FIG. 2 shows π-in this embodiment.
1 shows the structure of a conjugated polymer field effect transistor. First, chromium was vapor-deposited on the alkali-free glass substrate 9 to form the gate electrode 10. Next, a 5000 Å silicon nitride film was deposited as the gate insulating film 11 by the plasma CVD method, and then chromium and gold were vapor-deposited in this order, and the source electrode 12 and the drain electrode 13 were formed by a normal photolithography technique. Subsequently, the semiconductor layer 14 made of poly [3- (cyanoethyl) thiophene] was formed by the usual mask method and vacuum vapor deposition method. further,
Nitrosonium tetrafluoroborate 10 -3 mol /
By immersing the whole substrate in 1 nitromethane solution,
Doped. After doping, dry under reduced pressure,
Unnecessary residual solvent was removed.
【００２８】以上の手順でチャネル長２０μm 、チャネ
ル幅２mm、半導体層の厚さ約１μmのπ−共役系重合体
電界効果型トランジスタを得た。このトランジスタはオ
ン・オフ比が約６桁であった。By the above procedure, a π-conjugated polymer field effect transistor having a channel length of 20 μm, a channel width of 2 mm and a semiconductor layer thickness of about 1 μm was obtained. The on / off ratio of this transistor was about 6 digits.
【００２９】（実施例２）実施例１のポリ［３−（シア
ノエチル）チオフェン］を、ポリ（３−ニトロチオフェ
ン）に変更した以外は実施例１に準じてπ−共役系重合
体電界効果型トランジスタを完成させた。このトランジ
スタはオン・オフ比が約４桁であった。Example 2 A π-conjugated polymer electric field effect type was prepared in the same manner as in Example 1 except that poly [3- (cyanoethyl) thiophene] of Example 1 was changed to poly (3-nitrothiophene). Completed the transistor. The on / off ratio of this transistor was about four digits.
【００３０】（実施例３）実施例１における半導体層の
形成とドーピング過程において、π−共役系重合体材料
としてポリ［ｏ−（シアノエチル）アニリン］を用い、
これを蒸着した後、塩化水素を含む雰囲気中にさらすこ
とによりドーピングを行った以外は実施例１に準じてπ
−共役系重合体電界効果型トランジスタを完成させた。
このトランジスタはオン・オフ比が約５桁であった。Example 3 In the process of forming and doping the semiconductor layer in Example 1, poly [o- (cyanoethyl) aniline] was used as the π-conjugated polymer material,
After vapor-depositing this, according to Example 1 except that the doping was performed by exposing to an atmosphere containing hydrogen chloride.
-Completed a conjugated polymer field effect transistor.
The on / off ratio of this transistor was about five digits.
【００３１】（実施例４）π−共役系重合体およびドー
パントとして、パラトルエンスルホン酸をドーパントと
したポリ［ｏ−（シアノエチル）アニリン］を用い、こ
の化合物の２ｗｔ％キシレン溶液に、基板を浸漬してか
らゆっくり引き上げることにより半導体層を形成した以
外は実施例１に準じてπ−共役系重合体電界効果型トラ
ンジスタを完成させた。このトランジスタはオン・オフ
比が約６桁であった。Example 4 A [pi-conjugated polymer and poly [o- (cyanoethyl) aniline] with para-toluenesulfonic acid as a dopant were used as the dopant, and the substrate was dipped in a 2 wt% xylene solution of this compound. Then, a π-conjugated polymer field effect transistor was completed according to Example 1 except that the semiconductor layer was formed by slowly pulling up. The on / off ratio of this transistor was about 6 digits.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上に述べたように本発明によれば、オ
ン・オフ比が大きいπ−共役系重合体電界効果型トラン
ジスタが得られる。As described above, according to the present invention, a π-conjugated polymer field effect transistor having a large on / off ratio can be obtained.
【図１】本発明の電界効果型トランジスタのチャネル部
分の一部を模式的に示した図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a part of a channel portion of a field effect transistor of the present invention.
【図２】本発明の一実施例を示す電界効果型トランジス
タの断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a field effect transistor showing an embodiment of the present invention.
【図３】従来のπ−共役系重合体電界効果型トランジス
タの一例の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an example of a conventional π-conjugated polymer field effect transistor.
１ 基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 半導体層 ５ π−共役系主鎖部分 ６ 双極子置換基 ７ 半導体層中の高分子鎖 ８ ゲート電圧に応じた電界 ９，１５ 基板 １０，２０ ゲート電極 １１，１９ ゲート絶縁膜 １２，１７ ソース電極 １３，１８ ドレイン電極 １４，１６ 半導体層 1 Substrate 2 Gate Electrode 3 Gate Insulating Film 4 Semiconductor Layer 5 π-Conjugate System Main Chain Part 6 Dipole Substituent 7 Polymer Chain in Semiconductor Layer 8 Electric Field According to Gate Voltage 9,15 Substrate 10,20 Gate Electrode 11 , 19 Gate insulating film 12, 17 Source electrode 13, 18 Drain electrode 14, 16 Semiconductor layer
Claims (2)
タにおいて、前記半導体層が、−ＣＨＯ、−ＣＯＣ
Ｈ3 、−ＮＯ2 、−ＣＮのいずれかの置換基を含むπ−
共役系重合体を主な成分とすることを特徴とする電界効
果型トランジスタ。1. A field-effect transistor including a semiconductor layer, wherein the semiconductor layer is --CHO or --COC.
Π-containing any one of H 3 , -NO 2 , and -CN substituents
A field-effect transistor comprising a conjugated polymer as a main component.
ものである請求項１記載の電界効果型トランジスタ。2. The field effect transistor according to claim 1, wherein the π-conjugated polymer has a five-membered heterocyclic ring.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6039712A JP2725591B2 (en) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | Field-effect transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6039712A JP2725591B2 (en) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | Field-effect transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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