JPH07244374A - Water soluble photosensitive resin composition and pattern forming method using the same - Google Patents

Water soluble photosensitive resin composition and pattern forming method using the same

Info

Publication number
JPH07244374A
JPH07244374A JP6022894A JP6022894A JPH07244374A JP H07244374 A JPH07244374 A JP H07244374A JP 6022894 A JP6022894 A JP 6022894A JP 6022894 A JP6022894 A JP 6022894A JP H07244374 A JPH07244374 A JP H07244374A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
water
solution
photosensitive resin
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6022894A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3402735B2 (en
Inventor
Shozo Miyazawa
祥三 宮澤
Shozo Toda
昭三 戸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP06022894A priority Critical patent/JP3402735B2/en
Publication of JPH07244374A publication Critical patent/JPH07244374A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3402735B2 publication Critical patent/JP3402735B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To provide a water soluble photosensitive resin composition particularly excellent in the resistance against an acidic etchant, having high sensitivity, high resolution, excellent preservable stability and excellent adhesibility to a substrate and easily strippable by a concentrated alkaline aq. solution and to provide a forming method using the same, safe with respect to the view point of the countermeasure of environmental protection and capable of forming a photosetting pattern free from the swelling or flowing out of the pattern at the time of developing the pattern and true to a mask pattern. CONSTITUTION:The water soluble photosensitive resin composition is obtained by incorporating casein and a high molecular compound having a structural unit expressed by a formula (in the formula, X represents Na, K or NH4). The photosetting pattern is formed by applying the water soluble photosensitive resin composition on the substrate and after that, allowing the pattern to come into contact with a diluted acid aq. solution after or before exposing and next, developing it with diluted alkali, or the photosetting pattern is formed by applying the water soluble photosensitive resin compound on the substrate and after exposing, developing the pattern with a boric acid aq. solution.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は水溶性感光性樹脂組成物
およびこれを用いたパターン形成方法に係り、特に酸性
エッチング液に対する耐性に優れ、高感度、高解像性で
保存安定性も良好で、かつ基板との密着性に優れ、濃ア
ルカリ水溶液にて容易に剥離可能な水溶性感光性樹脂組
成物、およびこれを用いたパターン形成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a water-soluble photosensitive resin composition and a pattern forming method using the same, and particularly, it has excellent resistance to an acidic etching solution, high sensitivity, high resolution and good storage stability. The present invention also relates to a water-soluble photosensitive resin composition which has excellent adhesion to a substrate and can be easily peeled off with a concentrated alkaline aqueous solution, and a pattern forming method using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】カラーブラウン管用シャドウマスクの製
造においては、基板として低炭素アルミキルド鋼やニッ
ケル36%含有アンバー型合金などの薄板を用い、これ
をまず脱脂、水洗により整面処理後、表面に感光性樹脂
組成物を塗布し、乾燥、成膜させる。次いで、電子ビー
ム通過孔に対応した箇所に目的の画像を有するマスクパ
ターンを上記基板に密着させて露光を行い、現像、硬膜
の工程により所定パターンの耐蝕性皮膜(レジスト膜)
を形成させる。そしてこれを、例えば塩化第二鉄水溶液
等を用いて基板のレジスト膜非形成部分をエッチング
(酸性エッチング)し、多数の電子ビーム透過孔を形成
させた後、レジスト膜を剥離し、シャドウマスクを作成
している。
2. Description of the Related Art In the manufacture of shadow masks for color cathode ray tubes, a thin plate of low carbon aluminum killed steel or amber alloy containing 36% nickel is used as a substrate, which is first degreased and rinsed with water, and then surface-sensitized. The resin composition is applied, dried and formed into a film. Then, a mask pattern having a target image is brought into close contact with the substrate at a position corresponding to the electron beam passage hole, exposed to light, and developed and hardened to form a corrosion-resistant film (resist film) having a predetermined pattern.
To form. Then, using, for example, an aqueous solution of ferric chloride, the portion where the resist film is not formed on the substrate is etched (acid etching) to form a large number of electron beam transmission holes, and then the resist film is peeled off to form a shadow mask. Creating.

【0003】従来、このようなカラーブラウン管用シャ
ドウマスクやICリードフレーム、蛍光表示管用メッシ
ュ等の電子部品の製造においては、エッチングマスクと
してのレジスト膜形成のために、カゼインを主成分とす
る水溶液に感光剤として重クロム酸アンモニウム等の重
クロム酸塩水溶液を加えた水溶性感光性樹脂組成物が用
いられてきた。また硬膜工程においては無水クロム酸水
溶液が用いられてきた。これらはいずれも処理廃液中に
六価クロムを含む。
Conventionally, in the manufacture of electronic parts such as shadow masks for color cathode ray tubes, IC lead frames, meshes for fluorescent display tubes, etc., an aqueous solution containing casein as a main component is used to form a resist film as an etching mask. A water-soluble photosensitive resin composition to which a dichromate aqueous solution such as ammonium dichromate has been added has been used as a photosensitizer. An aqueous solution of chromic anhydride has been used in the hardening process. All of these contain hexavalent chromium in the treatment waste liquid.

【0004】しかしながら、環境保護対策上、六価クロ
ム排水基準は0.5ppm以下に、総クロム量でも2p
pm以下に規制されているため、クロム酸塩、重クロム
酸塩を含む感光性樹脂組成物や硬化剤を用いて電子製造
部品の製造を行おうとすると、その排水処理対策費用だ
けでも膨大なものになり、製造コストの大幅なアップを
余儀なくされるという問題がある。
However, in terms of environmental protection measures, the hexavalent chromium drainage standard is 0.5 ppm or less, and the total chromium amount is 2 p.
Since it is regulated to pm or less, if a photoresin composition containing a chromate or a dichromate or a curing agent is used to manufacture an electronic manufacturing part, the cost of wastewater treatment alone will be enormous. Therefore, there is a problem in that the manufacturing cost must be increased significantly.

【0005】このためクロムを含有しない水溶性感光性
樹脂組成物として、例えば特公昭41−7100号公報
にはカゼインとアジド化合物を含む感光性溶液が、特公
昭44−28725号公報にはポリビニルアルコールと
テトラゾニウム塩類、ジアジド化合物、ジアゾ樹脂等の
感光性成分からなる製版用感光液がそれぞれ開示され、
また特公昭56−20541号、同56−42859
号、同57−6098号公報等にはポリビニルアルコー
ルとジアゾ樹脂を含む水溶性レジスト、およびその硬膜
剤や処理方法等が提案され、特公昭57−23254
号、同57−24905号公報等には硬膜剤が提案され
ているが、いずれもその特性において不足の点が多く、
実用に至っていないというのが現状である。
Therefore, as a water-soluble photosensitive resin composition containing no chromium, for example, a photosensitive solution containing a casein and an azide compound is disclosed in JP-B-41-7100, and a polyvinyl alcohol is disclosed in JP-B-44-28725. And a tetrazonium salt, a diazide compound, a plate-making photosensitive solution comprising a photosensitive component such as a diazo resin, respectively, are disclosed,
Also, Japanese Examined Japanese Patent Publication Nos. 56-20541 and 56-42859.
No. 57-6098 and the like propose a water-soluble resist containing polyvinyl alcohol and a diazo resin, and a film-hardening agent and a treatment method thereof.
No. 57-249905 and the like propose hardeners, but there are many deficiencies in their properties.
The current situation is that it has not been put to practical use.

【0006】さらに、カゼイン−重クロム酸塩系水溶性
感光性樹脂組成物においては、細心の注意を払って取り
扱えば解像性、耐酸性等において優れたパターンが得ら
れるものの、基板メタルとクロム酸塩との反応による
暗反応が起き、感度変化が発生する、該暗反応は温
度、湿度条件に左右され、その結果、感度のバラツキが
生じる、レジスト自体の経時変化が速いのでポットラ
イフが短く、保存安定性に欠ける、上記〜が原因
でレジストの解像力低下、現像性の悪化等が生じること
がある、等の不具合がある。
Further, in the casein-dichromate type water-soluble photosensitive resin composition, a pattern excellent in resolution and acid resistance can be obtained if it is handled with great care, but the substrate metal and chromium A dark reaction occurs due to a reaction with an acid salt, resulting in a change in sensitivity.The dark reaction depends on temperature and humidity conditions. As a result, variations in sensitivity occur. However, there are problems such as lack of storage stability, deterioration of the resolution of the resist, deterioration of developability, and the like due to the above items.

【0007】このような現状から、カゼイン−重クロム
酸塩系水溶性感光性樹脂組成物に代えて、非クロム型の
カゼイン含有水溶性感光性樹脂組成物の開発が望まれて
いた。また、レジストの硬膜剤、硬膜処理方法において
も、クロムを用いないものの開発が要望されていた。
Under these circumstances, it has been desired to develop a non-chromium type casein-containing water-soluble photosensitive resin composition in place of the casein-dichromate type water-soluble photosensitive resin composition. In addition, there has been a demand for development of a resist hardener and a hardener which do not use chromium.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
特にエッチングマスクパターンとしてのレジストとし
て、酸性エッチング液に対する耐性に優れ、高感度、高
解像性で保存安定性も良好で、かつ基板との密着性に優
れ、濃アルカリ水溶液にて容易に剥離可能な水溶性感光
性樹脂組成物、およびこれを用いたパターン形成方法を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and its object is to:
Particularly as a resist as an etching mask pattern, it has excellent resistance to acidic etching solutions, high sensitivity, high resolution, good storage stability, and excellent adhesion to substrates, and can be easily peeled off with a concentrated alkaline aqueous solution. Another object of the present invention is to provide a water-soluble photosensitive resin composition and a pattern forming method using the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者らはかかる課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、カゼインとあ
る特定の構成単位を有する高分子化合物とを含有させる
ことにより上記課題を満足させる水溶性感光性樹脂組成
物が得られるという知見を得、これに基づいて本発明を
完成させるに至った。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have satisfied the above problems by containing casein and a polymer compound having a specific structural unit. The present inventors have found that a water-soluble photosensitive resin composition can be obtained, and based on this, the present invention has been completed.

【0010】また本発明者らは、上記水溶性感光性樹脂
組成物を基板上に塗布した後に、マスクパターンを介し
た露光工程の前、後のいずれかにおいて希酸処理するこ
とによってこれを硬膜化することができ、次いで希アル
カリ水溶液で現像することによって、マスクパターンに
忠実な光硬化パターンを形成することができるという知
見を得、これに基づいて本発明方法を完成させるに至っ
た。
The inventors of the present invention also harden the water-soluble photosensitive resin composition by applying a dilute acid treatment after applying the water-soluble photosensitive resin composition on a substrate, either before or after an exposure step through a mask pattern. It was found that a photo-curing pattern faithful to a mask pattern can be formed by forming a film and then developing with a dilute aqueous alkali solution, and based on this, the method of the present invention was completed.

【0011】さらに本発明者らは、上記水溶性感光性樹
脂組成物を基板上に塗布、露光した後、ホウ酸水溶液で
現像することにより、マスクパターンに忠実な光硬化パ
ターンを形成することができるという知見を得、これに
基づいて本発明方法を完成させるに至った。
Further, the inventors of the present invention can form a photo-curing pattern faithful to the mask pattern by coating the above water-soluble photosensitive resin composition on a substrate, exposing it to light, and developing it with an aqueous solution of boric acid. Based on this finding, it was possible to complete the method of the present invention.

【0012】すなわち本発明は、カゼインと、下記の化
That is, the present invention relates to casein and the following chemical formula 2

【0013】[0013]

【化2】 (式中、XはNa、KまたはNH4 を表す)で表される
構成単位を有する高分子化合物とを含有してなる水溶性
感光性樹脂組成物を提供するものである。
[Chemical 2] The present invention provides a water-soluble photosensitive resin composition containing a polymer compound having a structural unit represented by the formula (wherein X represents Na, K or NH 4 ).

【0014】また本発明は、上記水溶性感光性樹脂組成
物を基板上に塗布し、これを希酸水溶液に接触させた
後、マスクパターンを介して選択的に露光し、次いで希
アルカリ水溶液で現像して未露光部分を除去することに
よって基板上に光硬化パターンを形成するパターン形成
方法を提供するものである。
In the present invention, the above water-soluble photosensitive resin composition is coated on a substrate, brought into contact with a dilute acid aqueous solution, and then selectively exposed through a mask pattern, and then with a dilute alkaline aqueous solution. A pattern forming method for forming a photo-cured pattern on a substrate by developing and removing an unexposed portion.

【0015】また本発明は、上記水溶性感光性樹脂組成
物を基板上に塗布し、これをマスクパターンを介して選
択的に露光した後、希酸水溶液に接触させ、次いで希ア
ルカリ水溶液で現像して未露光部分を除去することによ
って基板上に光硬化パターンを形成するパターン形成方
法を提供するものである。
In the present invention, the above-mentioned water-soluble photosensitive resin composition is applied on a substrate, selectively exposed through a mask pattern, brought into contact with a dilute aqueous acid solution, and then developed with a dilute aqueous alkali solution. Then, a pattern forming method for forming a photo-cured pattern on the substrate by removing the unexposed portion is provided.

【0016】さらに本発明は、上記水溶性感光性樹脂組
成物を基板上に塗布し、これをマスクパターンを介して
選択的に露光した後、ホウ酸水溶液で現像して未露光部
分を除去することによって基板上に光硬化パターンを形
成するパターン形成方法を提供するものである。
Further, in the present invention, the above water-soluble photosensitive resin composition is applied onto a substrate, selectively exposed through a mask pattern, and then developed with an aqueous boric acid solution to remove the unexposed portion. Thus, a pattern forming method for forming a photo-curing pattern on a substrate is provided.

【0017】以下に、本発明の水溶性感光性樹脂組成物
の各構成成分、およびこれを用いたパターン形成方法に
ついて詳述する。
The constituents of the water-soluble photosensitive resin composition of the present invention and the pattern forming method using the constituents will be described in detail below.

【0018】まず、本発明の水溶性感光性樹脂組成物の
必須構成成分であるカゼインとしては、感光性樹脂組成
物に使用し得るものはいずれも用いることができるが、
特に安定性の点で、酸カゼインを硼砂、アミン類、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウムなどのカセイアルカリ等
の有機、無機のアルカリ剤を含む水に溶解したカゼイン
水溶液等が好適に用いられる。これらは、例えば「FR
−15」「FR−16」「FR−17」(以上いずれも
富士薬品工業(株)製)、「G−90L」「G−90
M」「G−90S」「G−90W」「G−90SDN」
(以上いずれも東京応化工業(株)製)等として市販さ
れており、商業的に入手可能である。
First, as the casein which is an essential constituent component of the water-soluble photosensitive resin composition of the present invention, any one which can be used in the photosensitive resin composition can be used.
Particularly, from the viewpoint of stability, an aqueous solution of casein obtained by dissolving acid casein in water containing an organic or inorganic alkaline agent such as borax, amines, caustic alkali such as sodium hydroxide and potassium hydroxide is preferably used. These are, for example, "FR
-15 "," FR-16 "," FR-17 "(all manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd.)," G-90L "," G-90 "
"M""G-90S""G-90W""G-90SDN"
(All of the above are manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and the like, and are commercially available.

【0019】もう一つの必須構成成分である上記化2で
表される構成単位を有する高分子化合物(ホトポリマ
ー)は、例えば、ジアセトンアクリルアミドと他のモノ
マー、好ましくは水溶性モノマーを公知の方法で共重合
させて得られる水溶性ポリマー(ベースポリマー)に、
4−アジドベンズアルデヒド−2−スルホン酸およびそ
の塩類から選ばれる少なくとも1種をアルドール縮合反
応により導入することによって得ることができるが、合
成方法はこれに限定されるものではない。
The polymer compound (photopolymer) having the constitutional unit represented by the above chemical formula 2 which is another essential constituent is, for example, diacetone acrylamide and another monomer, preferably a water-soluble monomer, by a known method. Water-soluble polymer (base polymer) obtained by copolymerization,
It can be obtained by introducing at least one selected from 4-azidobenzaldehyde-2-sulfonic acid and salts thereof by aldol condensation reaction, but the synthetic method is not limited thereto.

【0020】ここで、上記水溶性モノマーとしては、例
えばアクリル酸、メタクリル酸、ジメチルアクリルアミ
ド、ジエチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリ
ン、ジメチルアミノエチルアクリルアミド、N−ビニル
−2−ピロリドン等を挙げることができるが、特にジメ
チルアクリルアミド、アクリロイルモルホリンが好まし
い。また、共重合した後、加水分解反応させることによ
ってアルコール性水酸基を生じる酢酸ビニルも、上記水
溶性モノマーに包含される。これら水溶性モノマーは単
独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合わせて用
いてもよい。
Examples of the above water-soluble monomer include acrylic acid, methacrylic acid, dimethylacrylamide, diethylacrylamide, acryloylmorpholine, dimethylaminoethylacrylamide, N-vinyl-2-pyrrolidone, etc. Dimethylacrylamide and acryloylmorpholine are preferred. In addition, vinyl acetate that produces an alcoholic hydroxyl group by a hydrolysis reaction after copolymerization is also included in the water-soluble monomer. These water-soluble monomers may be used alone or in combination of two or more.

【0021】上記ジアセトンアクリルアミドと水溶性モ
ノマーとの共重合反応割合は、ジアセトンアクリルアミ
ド1モルに対し、水溶性モノマー0.5〜10モルが好
ましく、より好ましくは1.5〜3.0モルである。水
溶性モノマーの割合が10モルを超えると感光性が低下
するおそれがあり、一方、0.5モル未満では溶解性が
悪くなるおそれがあり、好ましくないからである。
The copolymerization reaction ratio of the diacetone acrylamide and the water-soluble monomer is preferably 0.5 to 10 mol, more preferably 1.5 to 3.0 mol, based on 1 mol of diacetone acrylamide. Is. This is because if the proportion of the water-soluble monomer exceeds 10 moles, the photosensitivity may decrease, while if it is less than 0.5 moles, the solubility may deteriorate, which is not preferable.

【0022】このようにして得られる水溶性ポリマー
は、重量平均分子量が15×104 〜100×104
あるのが好ましく、より好ましくは20×104 〜30
×104 である。また、分散度は1〜10、好ましくは
1〜3、さらに好ましくは1〜2である。
The water-soluble polymer thus obtained preferably has a weight average molecular weight of 15 × 10 4 to 100 × 10 4 , and more preferably 20 × 10 4 to 30.
It is × 10 4 . The dispersity is 1 to 10, preferably 1 to 3, and more preferably 1 to 2.

【0023】次に、この水溶性ポリマーに、4−アジド
ベンズアルデヒド−2−スルホン酸およびその塩類から
選ばれる少なくとも1種をアルドール縮合反応により導
入するが、その導入量は感光特性の点から、ジアセトン
アクリルアミド100モル%に対し5〜95モル%、よ
り好ましくは30〜90モル%、特には80〜90モル
%が好ましい。
Next, at least one selected from 4-azidobenzaldehyde-2-sulfonic acid and salts thereof is introduced into this water-soluble polymer by an aldol condensation reaction. 5 to 95 mol%, more preferably 30 to 90 mol%, particularly preferably 80 to 90 mol% relative to 100 mol% of acetone acrylamide.

【0024】このようにして上記化2で表される構成単
位を有する高分子化合物(ホトポリマー)を得ることが
できる。
In this way, a polymer compound (photopolymer) having the constitutional unit represented by the above chemical formula 2 can be obtained.

【0025】なお、水溶性モノマーとして酢酸ビニルを
用いた場合、ジアセトンアクリルアミドと酢酸ビニルと
を共重合し、アルカリにて酢酸基を加水分解することに
よって水酸基含有水溶性ポリマーを合成することができ
る。この水酸基含有水溶性ポリマーは、酸性水溶液中で
アルデヒド類をアセタール化反応により導入することに
よって、耐水性に極めて優れたパターン形成が可能な水
溶性ポリマーとなることから、好適に用いられる。
When vinyl acetate is used as the water-soluble monomer, a hydroxyl group-containing water-soluble polymer can be synthesized by copolymerizing diacetone acrylamide and vinyl acetate and hydrolyzing the acetic acid group with alkali. . This hydroxyl group-containing water-soluble polymer is preferably used because it becomes a water-soluble polymer capable of forming a pattern having extremely excellent water resistance by introducing an aldehyde by an acetalization reaction in an acidic aqueous solution.

【0026】このようなアルデヒド類としては、例えば
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアル
デヒド、n−ブチルアルデヒド、クロトンアルデヒド等
の脂肪族系アルデヒド類;ベンズアルデヒド、ジアルキ
ルベンズアルデヒド、アルキルベンズアルデヒド、シン
ナミックアルデヒド等の芳香族系アルデヒド類;ピリジ
ンアルデヒド等の複素環系アルデヒド類;等が挙げられ
る。これらアルデヒド類には、4−アジドベンズアルデ
ヒド−2−スルホン酸およびその塩類や、ホルミルスチ
リルピリジンおよびその4級化塩等も含まれる。これら
アルデヒド類は、単独で用いてもよく、また2種以上を
組み合わせて用いてもよい。実用上好ましく用いられる
ものはプロピオンアルデヒド、n−ブチルアルデヒド、
クロトンアルデヒド等であり、なかでもn−ブチルアル
デヒドが最も好適に用いられる。
Examples of such aldehydes include aliphatic aldehydes such as formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, n-butyraldehyde and crotonaldehyde; aromatic aldehydes such as benzaldehyde, dialkylbenzaldehyde, alkylbenzaldehyde and cinnamicaldehyde. Aldehydes; heterocyclic aldehydes such as pyridine aldehyde; and the like. These aldehydes also include 4-azidobenzaldehyde-2-sulfonic acid and salts thereof, formylstyrylpyridine and quaternized salts thereof, and the like. These aldehydes may be used alone or in combination of two or more. Practically preferably used are propionaldehyde, n-butyraldehyde,
It is crotonaldehyde and the like, among which n-butyraldehyde is most preferably used.

【0027】このアルデヒド類によるアセタール化反応
は、水溶性ポリマーの全水酸基の15モル%以下をアセ
タール化することが好ましい。15モル%を超えると安
定性に優れた水溶性ポリマーを得るのが難しいからであ
る。なおこの場合、合成される水溶性ポリマーの重合度
としては100〜3,000が好ましく、より好ましく
は500〜2,500である。
In the acetalization reaction with the aldehydes, it is preferable to acetalize 15 mol% or less of all hydroxyl groups of the water-soluble polymer. If it exceeds 15 mol%, it is difficult to obtain a water-soluble polymer having excellent stability. In this case, the degree of polymerization of the water-soluble polymer to be synthesized is preferably 100 to 3,000, more preferably 500 to 2,500.

【0028】上記化2で表される構成単位を有する高分
子化合物(ホトポリマー)は、10mJ/cm2 の光量
で露光した場合、その感度がグレースケール法(Kod
akPhotographic Step Table
t No.2を使用)で13〜18ステップ、より好ま
しくは14〜15ステップが残存することが好ましい。
13ステップ未満では感度が低すぎて実用的ではなく、
一方、18を超えると保存安定性が悪く、取り扱いが難
しい。
The polymer compound (photopolymer) having the structural unit represented by the above chemical formula 2 has a sensitivity in the gray scale method (Kod) when exposed to a light amount of 10 mJ / cm 2.
akPhotographic Step Table
t No. It is preferable that 13 to 18 steps, more preferably 14 to 15 steps remain in (using 2).
If it is less than 13 steps, the sensitivity is too low to be practical,
On the other hand, when it exceeds 18, storage stability is poor and handling is difficult.

【0029】本発明においては、上記必須構成成分の他
に、必要に応じて相容性のあるポリマーや各種添加剤、
例えば着色剤、可塑剤、界面活性剤、基板との密着性を
高めるためのカップリング剤等を適宜、添加、配合させ
ることができる。特に、相容性のあるポリマーとしてポ
リビニルアルコールや変性ポリビニルアルコールを配合
することによってレジストパターンの溶解剥離性を向上
させることができる。これらポリビニルアルコールや変
性ポリビニルアルコールは水溶性を示すものであればよ
く、部分ケン化物でも完全ケン化物でも用いることがで
きる。なお変性ポリビニルアルコールとしては、ジアセ
トンアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、N−ビ
ニル−2−ピロリドン等により変性させたものや側鎖に
シリコーン含有基を付加させたものなど、各種の変性ポ
リビニルアルコールを使用することができる。これらは
単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合わせて
用いてもよい。
In the present invention, in addition to the above-mentioned essential constituents, a compatible polymer and various additives, if necessary,
For example, a colorant, a plasticizer, a surfactant, a coupling agent for increasing the adhesion to the substrate, and the like can be appropriately added and mixed. Particularly, by blending polyvinyl alcohol or modified polyvinyl alcohol as a compatible polymer, the dissolution and peeling property of the resist pattern can be improved. These polyvinyl alcohols and modified polyvinyl alcohols may be water-soluble ones and may be partially saponified or completely saponified. As the modified polyvinyl alcohol, use of various modified polyvinyl alcohols such as those modified with diacetone acrylamide, acryloylmorpholine, N-vinyl-2-pyrrolidone, etc., or those having a silicone-containing group added to the side chain. You can These may be used alone or in combination of two or more.

【0030】本発明の水溶性感光性樹脂組成物は、上記
カゼイン、上記化2で表される構成単位を有する高分子
化合物(ホトポリマー)、および必要に応じて添加成分
を所定量配合することによって得られる。カゼインとホ
トポリマーの配合割合は、カゼイン溶液中のカゼイン固
形分100重量%に対し、ホトポリマー溶液中のホトポ
リマー固形分が4〜40重量%程度の割合で配合させる
のが好ましく、より好ましくは20〜30重量%程度で
ある。ホトポリマー固形分の配合割合が4重量%未満で
は感度が落ち、耐水性も悪くなり、一方、40重量%を
超えると剥離性が低下する。
The water-soluble photosensitive resin composition of the present invention is prepared by blending the casein, the polymer compound (photopolymer) having the constitutional unit represented by the chemical formula 2, and, if necessary, the additive component in a predetermined amount. can get. The compounding ratio of casein and photopolymer is preferably 100 to 40% by weight of casein solids in the casein solution, and 4 to 40% by weight of photopolymer solids in the photopolymer solution is preferably mixed, and more preferably 20 to 30%. It is about% by weight. If the blending ratio of the photopolymer solid content is less than 4% by weight, the sensitivity is lowered and the water resistance is deteriorated, while if it exceeds 40% by weight, the releasability is lowered.

【0031】次に、本発明の水溶性感光性樹脂組成物を
用いて、本発明に係るパターン形成方法について以下に
説明する。
Next, the pattern forming method according to the present invention using the water-soluble photosensitive resin composition of the present invention will be described below.

【0032】本発明のパターン形成方法によれば、上記
水溶性感光性樹脂組成物を基板上に塗布した後、選択的
露光の前あるいは後に、希酸水溶液に接触させた後、希
アルカリ水溶液で現像して未露光部分を除去することに
よって光硬化パターンを形成することができる。ここ
で、希酸水溶液に接触させる方法としては特に限定され
るものではなく、希酸水溶液に浸漬する、希酸水溶液を
吹き付ける、流下する等、任意の方法をとり得る。
According to the pattern forming method of the present invention, after the above water-soluble photosensitive resin composition is applied onto a substrate, it is contacted with a dilute aqueous acid solution before or after selective exposure, and then with a dilute aqueous alkali solution. The photo-cured pattern can be formed by developing and removing the unexposed portion. Here, the method of contacting with the dilute aqueous acid solution is not particularly limited, and any method such as immersing in the dilute aqueous acid solution, spraying the dilute aqueous acid solution, or flowing down can be used.

【0033】上記水溶性樹脂組成物は、例えば固形分5
〜12%程度となるよう、純水、アルカリ水溶液等に希
釈させたものを塗布液として用い、これを基板上に塗布
する。用いられる基板としては、例えば通常シャドウマ
スク製造に用いられる脱炭したアルミキルド鋼、ニッケ
ルを36%含有するニッケル−鉄合金(アンバー材)は
もちろんであるが、その他、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、
アルミニウム、ステンレス鋼、銅合金等の金属基板、お
よびガラス、シリコン基板等が挙げられる。
The above water-soluble resin composition has, for example, a solid content of 5
A solution diluted with pure water, an alkaline aqueous solution, or the like so as to be about 12% is used as a coating solution, and this is coated on a substrate. Examples of the substrate to be used include decarburized aluminum-killed steel and nickel-iron alloy (amber material) containing 36% nickel, which are usually used for shadow mask production, but also copper, zinc, iron, nickel,
Examples include metal substrates such as aluminum, stainless steel, and copper alloys, and glass and silicon substrates.

【0034】そして、この水溶性感光性樹脂組成物塗布
後の基板を、露光前あるいは露光後に、希酸水溶液に接
触させる。露光は、紫外線、また350〜400nm付
近の光を出力するUVランプが好適に用いられ、その光
量は水溶性感光性樹脂組成物の組成に応じて若干異なる
が、100〜1000mJ/cm2 程度が好ましい。
The substrate coated with the water-soluble photosensitive resin composition is contacted with a dilute aqueous acid solution before or after exposure. For the exposure, UV lamps and UV lamps that output light in the vicinity of 350 to 400 nm are preferably used, and the amount of light is slightly different depending on the composition of the water-soluble photosensitive resin composition, but is about 100 to 1000 mJ / cm 2. preferable.

【0035】希酸水溶液に接触させるのは、塗布された
水溶性感光性樹脂組成物(ホトレジスト)を硬膜化する
ためであり、これにより現像時でのパターンの膨潤、流
出によるパターンくずれを防止することができる。その
ためマスクパターンに忠実な光硬化パターンを形成する
ことができる。また、従来のようにクロム酸塩を用いる
ことなく硬膜化処理を行うことができるため、環境保護
面においても人体に害を及ぼすおそれ等がなく安全であ
る。用いられる希酸水溶液としては、酢酸、シュウ酸、
クエン酸、酒石酸、リンゴ酸等の有機酸、リン酸、スル
ファミン酸、塩酸、硫酸、硝酸等の鉱酸等の0.2%程
度の水溶液が例示的に挙げられるが、酸濃度の調整のし
やすさ、基板に対する腐食性が少ないものとして特に酢
酸、シュウ酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸等の有機カ
ルボン酸が好適に用いられる。これら希酸水溶液への接
触は10〜30秒間程度行われ、水洗、乾燥することが
好ましい。
The contact with a dilute aqueous acid solution is for hardening the applied water-soluble photosensitive resin composition (photoresist), and thereby prevents pattern swelling and pattern collapse due to outflow during development. can do. Therefore, it is possible to form a photo-curing pattern that is faithful to the mask pattern. Further, since the film-hardening treatment can be carried out without using chromate as in the prior art, there is no fear of harming the human body in terms of environmental protection and it is safe. The dilute aqueous acid solution used is acetic acid, oxalic acid,
As an example, an approximately 0.2% aqueous solution of an organic acid such as citric acid, tartaric acid or malic acid, or a mineral acid such as phosphoric acid, sulfamic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid or nitric acid may be used. Organic carboxylic acids such as acetic acid, oxalic acid, tartaric acid, citric acid, and malic acid are particularly preferably used because of their ease and low corrosiveness to the substrate. The contact with the dilute aqueous acid solution is carried out for about 10 to 30 seconds, and it is preferable to wash with water and dry.

【0036】次いで現像を行うが、本発明では現像液と
して希アルカリ水溶液を用いる。この現像液としては、
例えばアンモニア、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム、カセイアルカリ、アミン等の無機、有機アルカリ等
の希アルカリ水溶液が好適なものとして挙げられ、なか
でも0.05%アンモニア水溶液、0.1〜1.0%炭
酸水素ナトリウム水溶液、0.2〜0.5%炭酸ナトリ
ウム等が特に好適に用いられる。
Next, development is carried out. In the present invention, a dilute alkaline aqueous solution is used as a developing solution. As this developer,
For example, ammonia, sodium hydrogen carbonate, sodium carbonate, caustic alkali, inorganic alkali such as amine, dilute alkali aqueous solution of organic alkali and the like are mentioned as preferable ones, and among them, 0.05% ammonia aqueous solution, 0.1 to 1.0% Aqueous sodium hydrogen carbonate solution, 0.2 to 0.5% sodium carbonate and the like are particularly preferably used.

【0037】上記パターン形成方法によれば、露光(光
硬化)の前あるいは後において希酸水溶液に接触させる
ことによってレジストの硬膜化がされるため、現像時に
パターンの膨潤、流失等がなく、マスクパターンに忠実
な光硬化パターンを得ることができる。さらに、現像液
として有機溶剤等を用いる必要がないことから、環境保
護対策の観点からも有利である。なお、現像はスプレー
ガン、浸漬法等、任意の方法によって行うことができ
る。
According to the above pattern forming method, the resist is hardened by contacting it with a dilute aqueous acid solution before or after exposure (photocuring), so that the pattern is not swollen or washed away during development. It is possible to obtain a photo-curing pattern that is faithful to the mask pattern. Furthermore, since it is not necessary to use an organic solvent or the like as a developing solution, it is advantageous from the viewpoint of environmental protection measures. The development can be performed by an arbitrary method such as a spray gun or a dipping method.

【0038】また、本発明の他のパターン形成方法によ
れば、上記水溶性感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、
これをマスクパターンを介して選択的に露光した後、ホ
ウ酸水溶液で現像して未露光部分を除去することによっ
て基板上に光硬化パターンを形成することができる。
According to another pattern forming method of the present invention, the water-soluble photosensitive resin composition is applied onto a substrate,
After this is selectively exposed through a mask pattern, it is developed with an aqueous solution of boric acid to remove the unexposed portion, whereby a photo-cured pattern can be formed on the substrate.

【0039】ホウ酸水溶液としては、0.2〜3.0%
ホウ酸水溶液が好適に用いられる。なお基板上への塗
布、露光等は、上記の形成方法の場合と同様の要領にて
行うことができる。
As an aqueous solution of boric acid, 0.2 to 3.0%
A boric acid aqueous solution is preferably used. Note that coating, exposure, etc. on the substrate can be performed in the same manner as in the case of the above forming method.

【0040】このパターン形成方法では、現像時のパタ
ーンの膨潤、流失等がなく、パターンくずれがみられな
い。したがって、上記のような希酸水溶液との接触、あ
るいはその他の方法による硬膜化処理を別途行わなくて
も、マスクパターンに忠実な光硬化パターンを形成する
ことができる。
In this pattern forming method, the pattern is not swollen or washed away at the time of development, and no pattern collapse is observed. Therefore, it is possible to form a photo-curing pattern that is faithful to the mask pattern without contacting with the dilute aqueous acid solution as described above or separately performing film hardening treatment by another method.

【0041】なお、上記ホウ酸水溶液で現像後、希酸水
溶液でリンスする工程を加えることにより、上記パター
ン形成をより効果的に行うことができるので好ましい。
It is preferable to add a step of rinsing with a dilute aqueous acid solution after the development with the aqueous boric acid solution, because the pattern formation can be more effectively performed.

【0042】以上のことから、本発明のパターン形成方
法を用いて、例えばカラーブラウン管用シャドウマス
ク、ICリードフレーム、蛍光表示管用メッシュの製造
などにおいて、この光硬化パターンをエッチングマスク
として用いて基板をエッチングするような場合、マスク
パターンに忠実な加工精度の高いエッチングを行うこと
が可能となる。エッチング液としては塩化第二鉄液や塩
化第二銅液が通常用いられるが、それ以外の金属、例え
ばMg、Ca、Sr、Ba、Zn、Co、Mnおよびア
ンモニウムの塩化物および硝酸塩液等を使用することも
できる(酸性エッチング)。プリント回路などのように
銅箔をエッチングする場合は塩化第二銅液を用いる場合
が多く、リードフレーム、シャドウマスク、蛍光表示管
用メッシュ等のエッチングの場合には塩化第二鉄液を用
いる場合が多い。本発明の水溶性感光性樹脂組成物はこ
のような酸性エッチング液に対する耐性に優れる。
From the above, when the pattern forming method of the present invention is used, for example, in the production of a shadow mask for a color cathode ray tube, an IC lead frame, a mesh for a fluorescent display tube, etc., a substrate is prepared by using this photocurable pattern as an etching mask. In the case of etching, it is possible to perform etching with high processing accuracy that is faithful to the mask pattern. Ferric chloride solution and cupric chloride solution are usually used as the etching solution, but other metals such as chlorides of Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Co, Mn and ammonium, and nitrate solutions are used. It can also be used (acidic etching). When etching copper foil such as in printed circuits, cupric chloride solution is often used, and when etching lead frames, shadow masks, fluorescent display tube meshes, etc., ferric chloride solution may be used. Many. The water-soluble photosensitive resin composition of the present invention has excellent resistance to such an acidic etching solution.

【0043】エッチングが終了するとレジスト膜の剥離
工程に入る。本発明により得られる光硬化パターンは、
濃アルカリ水溶液に易溶であるから、溶解剥離性も良好
であり、剥離したレジストが再付着することがない。さ
らには、例えば40℃以上に加熱した5〜20%の水酸
化ナトリウム水溶液に浸漬すれば溶解剥離がより容易で
あり、上記水溶液にグルコン酸ナトリウムを数%添加す
るとさらに好ましい。
When the etching is completed, the step of removing the resist film is started. The photocurable pattern obtained by the present invention is
Since it is easily soluble in a concentrated alkaline aqueous solution, it has good dissolution and releasability, and the peeled resist does not re-adhere. Furthermore, for example, it can be dissolved and peeled more easily by immersing it in a 5 to 20% sodium hydroxide aqueous solution heated to 40 ° C. or higher, and it is more preferable to add sodium gluconate of several% to the above aqueous solution.

【0044】なお、本発明の水溶性感光性樹脂層は、カ
ゼインを含有していることから、基板との密着性も良好
である。また、共重合させる他のモノマーの選択によっ
て、アセタール化等のポリマーの変性によって基板との
密着性をさらに改善することも可能である。
Since the water-soluble photosensitive resin layer of the present invention contains casein, it has good adhesion to the substrate. Further, by selecting another monomer to be copolymerized, it is possible to further improve the adhesion to the substrate by modifying the polymer such as acetalization.

【0045】[0045]

【実施例】以下に本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれによって限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
The present invention is not limited to this.

【0046】I.水溶性感光性樹脂組成物合成例1 水溶性ポリマー(ベースポリマー)の合成 ジメチルアクリルアミド230g、ジアセトンアクリル
アミド260g、純水6510gをフラスコに仕込み、
これを窒素でバブリングしながら加熱した。
I. Water-Soluble Photosensitive Resin Composition Synthesis Example 1 Synthesis of Water-Soluble Polymer (Base Polymer) 230 g of dimethyl acrylamide, 260 g of diacetone acrylamide, and 6510 g of pure water were charged into a flask,
This was heated while bubbling with nitrogen.

【0047】温度が65℃になったところで窒素の流加
を止め、イソプロピルアルコール(IPA)100gを
注入し、さらに重合開始剤として2,2’−アゾビス
[2−(2’−イミダゾリン−2−イル)プロパン]二
塩基酸(「VA−044」;和光純薬(株)製)40g
を水200gに溶解したものを注入し、還流下、1時間
攪拌した。次いで水冷し、温度70℃にて上澄液を捨
て、純水約2000gを加え、20℃まで冷却した。そ
の後、反応生成物をフラスコ内から取り出し、さらに純
水を加えて希釈し、重量平均分子量が23×104 (D
MF法、ポリスチレン基準)、分散度1.6、粘度13
mPa・s/25℃、濃度12.12%の水溶性ポリマ
ー(ベースポリマー)液約3300gを得た。
When the temperature reached 65 ° C., the feeding of nitrogen was stopped, 100 g of isopropyl alcohol (IPA) was injected, and 2,2'-azobis [2- (2'-imidazoline-2- Il) propane] dibasic acid (“VA-044”; manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 40 g
What was melt | dissolved in 200 g of water was inject | poured, and it stirred under recirculation | reflux for 1 hour. Then, the mixture was cooled with water, the supernatant was discarded at a temperature of 70 ° C., about 2000 g of pure water was added, and the mixture was cooled to 20 ° C. Then, the reaction product was taken out from the flask and further diluted with pure water to give a weight average molecular weight of 23 × 10 4 (D
MF method, polystyrene standard), dispersity 1.6, viscosity 13
About 3300 g of a water-soluble polymer (base polymer) liquid having a mPa · s / 25 ° C. and a concentration of 12.12% was obtained.

【0048】合成例2 ホトポリマーの合成 合成例1で得られたベースポリマー液500gに純水を
加えて希釈し、総865gとした。ここへ4−アジドベ
ンズアルデヒド−2−スルホン酸ナトリウム45gを添
加、攪拌し、溶解した(液温17℃)。ここへ5%水酸
化ナトリウム水溶液6mlを添加し、3日間反応させた
後、希塩酸にて中和し、さらに純水で希釈し、濾過して
濃度9.5%のホトポリマー液を得た。
Synthesis Example 2 Synthesis of Photopolymer 500 g of the base polymer solution obtained in Synthesis Example 1 was diluted by adding pure water to make a total of 865 g. To this, 45 g of sodium 4-azidobenzaldehyde-2-sulfonate was added, stirred and dissolved (liquid temperature 17 ° C.). 6 ml of a 5% aqueous sodium hydroxide solution was added thereto, reacted for 3 days, neutralized with diluted hydrochloric acid, further diluted with pure water, and filtered to obtain a photopolymer solution having a concentration of 9.5%.

【0049】[感度測定]合成例2で得たホトポリマー
液(反応原液)を純水で2倍に希釈し、アルミニウム板
上に塗布、乾燥し、1μmの乾燥被膜を形成した。これ
をグレースケール法にて感度を測定した。すなわち、上
記被膜上にグレースケール(KodakPhotogr
aphic Step Tablet No.2)を密
着させ、超高圧水銀灯にて10mJ/cm2 の露光を行
い、次いで純水のかけ流しによる現像を行った。メチル
バイオレット水溶液で染色後、水洗、乾燥したところ、
15ステップの感度を得た。
[Measurement of Sensitivity] The photopolymer solution (reaction stock solution) obtained in Synthesis Example 2 was diluted twice with pure water, coated on an aluminum plate and dried to form a dry film of 1 μm. The sensitivity of this was measured by the gray scale method. That is, a gray scale (Kodak Photogr
apic Step Tablet No. 2) was brought into close contact, exposed to 10 mJ / cm 2 with an ultrahigh pressure mercury lamp, and then developed by pouring pure water. After dyeing with a methyl violet aqueous solution, washed with water and dried,
A sensitivity of 15 steps was obtained.

【0050】合成例3 水溶性ポリマー(ベースポリ
マー)の合成 アクリロイルモルホリン437g、ジアセトンアクリル
アミド263g、純水6300gをフラスコに仕込み、
これを窒素でバブリングしながら加熱した。
Synthesis Example 3 Water-soluble polymer (base poly
A) Acryloylmorpholine (437 g), diacetone acrylamide (263 g), and pure water (6300 g) were charged into a flask,
This was heated while bubbling with nitrogen.

【0051】温度が65℃になったところで窒素の流加
を止め、IPA100gを注入し、さらに重合開始剤と
して「VA−044」40gを水300gに溶解したも
のを注入した。重合開始剤を注入してから10分経過
後、80℃まで加熱を行い、その温度下において1時間
攪拌した。次いで水冷し、温度70℃にて上澄液を捨
て、純水約3500gを加え、20℃まで冷却した。そ
の後、反応生成物をフラスコ内から取り出し、さらに純
水を加え希釈し、重量平均分子量が21×104 (DM
F法、ポリスチレン基準)、分散度1.75、粘度10
mPa・s/25℃、濃度7.0%の水溶性ポリマー
(ベースポリマー)液6700gを得た。
When the temperature reached 65 ° C., the feeding of nitrogen was stopped, 100 g of IPA was injected, and 40 g of “VA-044” as a polymerization initiator dissolved in 300 g of water was injected. Ten minutes after the polymerization initiator was injected, the mixture was heated to 80 ° C. and stirred at that temperature for 1 hour. Then, the mixture was cooled with water, the supernatant was discarded at a temperature of 70 ° C., about 3500 g of pure water was added, and the mixture was cooled to 20 ° C. Then, the reaction product was taken out from the flask and further diluted with pure water to have a weight average molecular weight of 21 × 10 4 (DM
Method F, polystyrene standard), dispersity 1.75, viscosity 10
6700 g of a water-soluble polymer (base polymer) liquid having a mPa · s / 25 ° C. and a concentration of 7.0% was obtained.

【0052】合成例4 ホトポリマーの合成 合成例3で得られたベースポリマー液1000gに4−
アジドベンンズアルデヒド−2−スルホン酸ナトリウム
33gを添加、攪拌し、溶解した(液温10℃)。ここ
へ5%水酸化ナトリウム水溶液7mlを添加し、2日間
反応させた後、希塩酸にて中和し、さらに純水で希釈
し、濾過して濃度10.0%のホトポリマー液を得た。
Synthesis Example 4 Synthesis of Photopolymer 4-1000 g of the base polymer liquid obtained in Synthesis Example 3
33 g of sodium azidobenzaldehyde-2-sulfonate was added, stirred and dissolved (liquid temperature 10 ° C.). 7 ml of a 5% aqueous sodium hydroxide solution was added thereto, and the mixture was reacted for 2 days, neutralized with dilute hydrochloric acid, further diluted with pure water, and filtered to obtain a photopolymer solution having a concentration of 10.0%.

【0053】[感度測定]合成例2で作成したホトポリ
マー液の感度測定と同様にして、合成例4で得たホトポ
リマー液の感度を測定したところ、16ステップの感度
を得た。
[Sensitivity Measurement] The sensitivity of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 4 was measured in the same manner as the sensitivity measurement of the photopolymer solution prepared in Synthesis Example 2, and 16 steps of sensitivity were obtained.

【0054】合成例5 試料1の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例2で得たホトポリマー液240gを添加し、混
合した。ここへ純水400gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料1)を得た。
Synthesis Example 5 Synthetic casein solution of Sample 1 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 240 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 2 was added and mixed. To this, 400 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 1) having a solid content of about 10%.

【0055】合成例6 試料2の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例2で得たホトポリマー液320gを添加し、混
合した。ここへ純水400gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料2)を得た。
Synthesis Example 6 Synthetic casein solution of Sample 2 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 320 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 2 was added and mixed. To this, 400 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 2) having a solid content of about 10%.

【0056】合成例7 試料3の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例2で得たホトポリマー液380gを添加し、混
合した。ここへ純水390gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料3)を得た。
Synthesis Example 7 Synthetic casein solution of Sample 3 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 380 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 2 was added and mixed. To this, 390 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 3) having a solid content of about 10%.

【0057】合成例8 試料4の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例2で得たホトポリマー液50gを添加し、混合
した。ここへ純水410gを加えて攪拌し、固形分約1
0%の水溶性感光性樹脂組成物(試料4)を得た。
Synthesis Example 8 Synthetic casein solution of Sample 4 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
50 g of the photopolymer solution obtained in the above Synthesis Example 2 was added to and mixed with 1000 g of casein (containing 12.07% by weight of casein). To this, add 410 g of pure water and stir to obtain a solid content of about 1
A 0% water-soluble photosensitive resin composition (Sample 4) was obtained.

【0058】合成例9 試料5の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例2で得たホトポリマー液510gを添加し、混
合した。ここへ純水385gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料5)を得た。
Synthesis Example 9 Synthetic casein solution of Sample 5 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 510 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 2 was added and mixed. To this, 385 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 5) having a solid content of about 10%.

【0059】合成例10 試料6の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例2で得たホトポリマー液13gを添加し、混合
した。ここへ純水410gを加えて攪拌し、固形分約1
0%の水溶性感光性樹脂組成物(試料6)を得た。
Synthesis Example 10 Synthetic casein solution of Sample 6 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 13 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 2 was added and mixed. To this, add 410 g of pure water and stir to obtain a solid content of about 1
A 0% water-soluble photosensitive resin composition (Sample 6) was obtained.

【0060】合成例11 試料7の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例2で得たホトポリマー液630gを添加し、混
合した。ここへ純水380gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料7)を得た。
Synthesis Example 11 Synthetic casein solution of Sample 7 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Manufactured by, and containing 12.07% by weight of casein), 630 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 2 was added and mixed. To this, 380 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 7) having a solid content of about 10%.

【0061】合成例12 試料8の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例4で得たホトポリマー液240gを添加し、混
合した。ここへ純水410gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料8)を得た。
Synthesis Example 12 Synthetic casein solution of Sample 8 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 240 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 4 was added and mixed. To this, 410 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 8) having a solid content of about 10%.

【0062】合成例13 試料9の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例4で得たホトポリマー液300gを添加し、混
合した。ここへ純水410gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料9)を得た。
Synthesis Example 13 Synthetic casein solution of Sample 9 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 300 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 4 was added and mixed. To this, 410 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 9) having a solid content of about 10%.

【0063】合成例14 試料10の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例4で得たホトポリマー液360gを添加し、混
合した。ここへ純水410gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料10)を得た。
Synthesis Example 14 Synthetic casein solution of Sample 10 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 360 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 4 was added and mixed. To this, 410 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 10) having a solid content of about 10%.

【0064】合成例15 試料11の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例4で得たホトポリマー液50gを添加し、混合
した。ここへ純水410gを加えて攪拌し、固形分約1
0%の水溶性感光性樹脂組成物(試料11)を得た。
Synthesis Example 15 Synthetic casein solution of Sample 11 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 50 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 4 was added and mixed. To this, add 410 g of pure water and stir to obtain a solid content of about 1
A 0% water-soluble photosensitive resin composition (Sample 11) was obtained.

【0065】合成例16 試料12の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、上
記合成例4で得たホトポリマー液480gを添加し、混
合した。ここへ純水410gを加えて攪拌し、固形分約
10%の水溶性感光性樹脂組成物(試料12)を得た。
Synthesis Example 16 Synthetic casein solution of Sample 12 ("G-90W"; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
(Produced, containing 12.07% by weight of casein), 480 g of the photopolymer solution obtained in Synthesis Example 4 was added and mixed. To this, 410 g of pure water was added and stirred to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (Sample 12) having a solid content of about 10%.

【0066】比較合成例 比較試料の合成 カゼイン溶液(「G−90W」;東京応化工業(株)
製、カゼイン12.07重量%含有)1000gに、ビ
スアジド(4,4’−ジアジドスチルベン−2,2’−
ジスルホン酸ナトリウム)15gを添加、溶解し、水溶
性感光性樹脂組成物(比較試料)を得た。
Comparative Synthetic Example A synthetic casein solution of a comparative sample (“G-90W”; Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
1000 g of casein (containing 12.07% by weight), bisazide (4,4′-diazidostilbene-2,2′-)
15 g of sodium disulfonate) was added and dissolved to obtain a water-soluble photosensitive resin composition (comparative sample).

【0067】II.パターン形成実施例1、比較例1 (露光後希酸浸漬) シャドウマスク用スチール板(125×125mm)を
基板として用い、脱脂、水洗、乾燥させた後、上記試料
1〜12、比較試料をそれぞれ150rpmにて回転塗
布し、50℃にて10分間乾燥を行い、ホトレジスト層
(膜厚2μm)を形成した。
II. Pattern Forming Example 1, Comparative Example 1 (Post-exposure Dilute Acid Immersion) A steel plate (125 × 125 mm) for a shadow mask was used as a substrate, degreased, washed with water and dried, and then the above Samples 1 to 12 and Comparative Sample, respectively. It was spin-coated at 150 rpm and dried at 50 ° C. for 10 minutes to form a photoresist layer (film thickness 2 μm).

【0068】このホトレジスト層上に所定パターンを有
するネガマスクを密着させ、超高圧水銀灯にて200m
J/cm2 の光量で露光を行った。
A negative mask having a predetermined pattern is brought into close contact with the photoresist layer and exposed to 200 m with an ultrahigh pressure mercury lamp.
Exposure was performed with a light amount of J / cm 2 .

【0069】露光後、下記〜に示す各希酸水溶液の
いずれかに10〜30秒間浸漬した後、水洗いし、50
℃にて10分間熱風乾燥した。
After the exposure, it is immersed in any one of the following dilute acid aqueous solutions shown below for 10 to 30 seconds and then washed with water to obtain 50.
It was dried with hot air at 10 ° C for 10 minutes.

【0070】次いで、(i)0.05%アンモニア水溶
液、または(ii)0.2%炭酸水素ナトリウム水溶液
を用いてスプレー現像を行い、未露光部分を溶解除去し
た。
Then, (i) 0.05% aqueous ammonia solution or (ii) 0.2% aqueous sodium hydrogen carbonate solution was used for spray development to dissolve and remove the unexposed portion.

【0071】希酸水溶液: 0.2%酢酸水溶液 0.2%シュウ酸水溶液 0.2%クエン酸水溶液 0.2%酒石酸水溶液 0.2%リンゴ酸水溶液 0.2%リン酸水溶液 0.2%スルファミン酸水溶液 その結果、試料1〜5、および試料7〜12を用いた場
合、上記〜の希酸水溶液に浸漬処理を行ったものの
うち、−(ii)の組み合わせ処理においてややパタ
ーンの現像残りがみられたものの、他はすべて、上記
(i)、(ii)のいずれの現像時においても、パター
ンの膨潤、流失等がまったくみられず、マスクパターン
に忠実な光硬化パターンを形成することができた。
Dilute acid aqueous solution: 0.2% acetic acid aqueous solution 0.2% oxalic acid aqueous solution 0.2% citric acid aqueous solution 0.2% tartaric acid aqueous solution 0.2% malic acid aqueous solution 0.2% phosphoric acid aqueous solution 0.2 % Sulfamic acid aqueous solution As a result, in the case of using Samples 1 to 5 and Samples 7 to 12, among the samples subjected to the dipping treatment in the above dilute aqueous acid solutions, a slightly undeveloped pattern was left in the combined treatment of-(ii). However, in all other cases, no swelling or washout of the pattern was observed during the development of any of (i) and (ii) above, and a photo-cured pattern faithful to the mask pattern was formed. I was able to.

【0072】試料6を用いた場合、上記(i)、(i
i)のいずれの現像時においても、光硬化部の一部が流
失したものの、ほぼマスクパターンに忠実な光硬化パタ
ーンを形成することができた。
When the sample 6 is used, the above (i), (i
In any of the developments of i), although a part of the photo-cured portion was washed away, a photo-cured pattern that was almost faithful to the mask pattern could be formed.

【0073】一方、比較試料を用いた場合、同様に希酸
水溶液に浸漬処理を行ったが、現像時にパターンは膨潤
し、流れ落ちてしまった。
On the other hand, in the case of using the comparative sample, the dipping treatment was carried out in the same manner in the dilute aqueous acid solution, but the pattern swelled and flowed down during development.

【0074】次に、該シャドウマスク用スチール板上に
形成された、上記試料1〜12を用いて得られた光硬化
パターンに200℃で10分間の加熱(ポストベーク)
を行い、次いで45Be '(ボーメ度)、50℃の塩化
第二鉄溶液からなるエッチング液を用いて15分間スプ
レーエッチングを行い、続いて濃度10%、40℃の水
酸化ナトリウム水溶液に浸漬したところ、試料1〜6お
よび試料8〜12からなる光硬化パターンは基板上より
完全に溶解除去された。また、試料7からなる光硬化パ
ターンは基板上より完全に剥離除去された。その後、各
基板を水洗、乾燥した結果、基板上に残留物はみられ
ず、またエッチング不良に起因する配線パターンの欠陥
はみられなかった。
Next, the photo-cured pattern obtained by using Samples 1 to 12 formed on the shadow mask steel plate was heated at 200 ° C. for 10 minutes (post-baking).
Then, spray etching was performed for 15 minutes using an etching solution composed of a ferric chloride solution of 45Be '(Baume degree) and 50 ° C, and subsequently immersed in an aqueous sodium hydroxide solution of 40% at a concentration of 10%. The photo-curing patterns of Samples 1 to 6 and Samples 8 to 12 were completely dissolved and removed from the substrate. Further, the photo-curing pattern made of Sample 7 was completely peeled off from the substrate. After that, each substrate was washed with water and dried, and as a result, no residue was found on the substrate, and no defect in the wiring pattern due to etching failure was found.

【0075】実施例2、比較例2(露光前希酸浸漬) 実施例1と同様にして、試料1〜12、比較試料を用い
てシャドウマスク用スチール板上にホトレジスト層(膜
厚2μm)を形成した。
Example 2, Comparative Example 2 (Pre-exposure Dilute Acid Immersion) In the same manner as in Example 1, Samples 1 to 12 and Comparative Sample were used to form a photoresist layer (film thickness 2 μm) on a shadow mask steel plate. Formed.

【0076】これを実施例1に示す上記〜の希酸水
溶液のいずれかに10〜30秒間浸漬した後、水洗い
し、50℃で10分間熱風乾燥した。
This was dipped in any one of the above dilute aqueous acid solutions of 1 to 10 shown in Example 1, washed with water, and dried with hot air at 50 ° C. for 10 minutes.

【0077】次いでこのホトレジスト層上に所定パター
ンを有するネガマスクを密着させ、超高圧水銀灯にて2
00mJ/cm2 の光量で露光を行った後、0.2%炭
酸水素ナトリウム水溶液を用いてスプレー現像を行い、
未露光部分を除去した。
Then, a negative mask having a predetermined pattern was adhered to the photoresist layer, and the negative mask was exposed to light with an ultrahigh pressure mercury lamp.
After exposure with a light amount of 00 mJ / cm 2 , spray development is performed using a 0.2% sodium hydrogen carbonate aqueous solution,
The unexposed part was removed.

【0078】その結果、試料1〜5、および試料7〜1
2を用いた場合、上記〜の希酸水溶液浸漬処理を行
ったものいずれも、希アルカリ現像による現像時におい
て、パターンの膨潤、流失等がまったくみられず、マス
クパターンに忠実な光硬化パターンを形成することがで
きた。
As a result, samples 1-5 and samples 7-1
When 2 is used, any of the above dipping treatments with dilute acid aqueous solution does not show swelling or washout of the pattern at the time of development by dilute alkali development, and a photo-curing pattern faithful to the mask pattern is obtained. Could be formed.

【0079】試料6では、上記(i)、(ii)のいず
れの現像時においても、光硬化部の一部流失が確認され
たものの、ほぼマスクパターンに忠実な光硬化パターン
を形成することができた。
In Sample 6, although it was confirmed that the photo-cured part was partially washed away during the development of any of (i) and (ii), a photo-cured pattern that was almost faithful to the mask pattern could be formed. did it.

【0080】一方、比較試料を用いた場合、パターンが
膨潤して基板上から流れ落ちてしまい、パターン形成が
できなかった。
On the other hand, when the comparative sample was used, the pattern swelled and flowed down from the substrate, and the pattern could not be formed.

【0081】次に、該シャドウマスク用スチール板上に
形成された、上記試料1〜12を用いて得られた光硬化
パターンに200℃で10分間の加熱(ポストベーク)
を行い、次いで45Be '(ボーメ度)、50℃の塩化
第二鉄溶液からなるエッチング液を用いて15分間スプ
レーエッチングを行い、続いて濃度10%、40℃の水
酸化ナトリウム水溶液に浸漬したところ、試料1〜6お
よび試料8〜12からなる光硬化パターンは基板上より
完全に溶解除去された。また、試料7からなる光硬化パ
ターンは基板上より完全に剥離除去された。その後、各
基板を水洗、乾燥した結果、基板上に残留物はみられ
ず、またエッチング不良に起因する配線パターンの欠陥
はみられなかった。
Next, the photo-cured pattern obtained by using the above Samples 1 to 12 formed on the steel plate for the shadow mask was heated at 200 ° C. for 10 minutes (post-baking).
Then, spray etching was performed for 15 minutes using an etching solution composed of a ferric chloride solution of 45Be '(Baume degree) and 50 ° C, and subsequently immersed in an aqueous sodium hydroxide solution of 40% at a concentration of 10%. The photo-curing patterns of Samples 1 to 6 and Samples 8 to 12 were completely dissolved and removed from the substrate. Further, the photo-curing pattern made of Sample 7 was completely peeled off from the substrate. After that, each substrate was washed with water and dried, and as a result, no residue was found on the substrate, and no defect in the wiring pattern due to etching failure was found.

【0082】実施例3、比較例3(ホウ酸水溶液現像) 実施例1と同様にして、シャドウマスク用スチール板上
にホトレジスト層(膜厚2μm)を形成後、このホトレ
ジスト層上に所定パターンを有するネガマスクを密着さ
せ、超高圧水銀灯にて200mJ/cm2 の光量で露光
を行った。
Example 3, Comparative Example 3 (Boric Acid Aqueous Solution Development) In the same manner as in Example 1, after forming a photoresist layer (film thickness 2 μm) on a steel plate for a shadow mask, a predetermined pattern was formed on this photoresist layer. The negative mask was held in close contact with the mask and exposed with an ultrahigh pressure mercury lamp at a light amount of 200 mJ / cm 2 .

【0083】この露光後の基板を、1%ホウ酸水溶液を
現像液として30秒間浸漬した後、水洗し、乾燥した。
The exposed substrate was immersed in a 1% aqueous boric acid solution as a developing solution for 30 seconds, washed with water and dried.

【0084】その結果、試料1〜5および試料7〜12
を用いた場合は、パターンの膨潤、流失等がまったくみ
られず、マスクパターンに忠実な光硬化パターンが得ら
れた。
As a result, Samples 1 to 5 and Samples 7 to 12
In the case of using, the pattern swelling, the washout, etc. were not observed at all, and a photo-curing pattern faithful to the mask pattern was obtained.

【0085】試料6を用いた場合、光硬化部の一部が流
失したものの、ほぼマスクパターンに忠実な光硬化パタ
ーンを形成することができた。
When Sample 6 was used, although a part of the photo-cured portion was washed away, a photo-cured pattern that was almost true to the mask pattern could be formed.

【0086】一方、比較試料を用いた場合、現像時にパ
ターンは膨潤し、流れ落ちてしまった。
On the other hand, when the comparative sample was used, the pattern swelled during development and flowed off.

【0087】また、上記1%ホウ酸水溶液での現像、水
洗の後に、希酸水溶液(0.2%酢酸水溶液)中にて1
0秒間リンスし、その後水洗、乾燥して、マスクパター
ンに忠実な加工精度の高い光硬化パターンを形成するこ
とができた。
After development with the 1% aqueous solution of boric acid and washing with water, the product was washed with dilute aqueous acid solution (0.2% aqueous acetic acid solution) to obtain 1
After rinsing for 0 second, followed by washing with water and drying, it was possible to form a photo-cured pattern with high processing accuracy that was faithful to the mask pattern.

【0088】次に、該シャドウマスク用スチール板上に
形成された、上記試料1〜12を用いて得られた光硬化
パターンに200℃で10分間の加熱(ポストベーク)
を行い、次いで45Be '(ボーメ度)、50℃の塩化
第二鉄溶液からなるエッチング液を用いて15分間スプ
レーエッチングを行い、続いて濃度10%、40℃の水
酸化ナトリウム水溶液に浸漬したところ、試料1〜6お
よび試料8〜12からなる光硬化パターンは基板上より
完全に溶解除去された。また、試料7からなる光硬化パ
ターンは基板上より完全に剥離除去された。その後、各
基板を水洗、乾燥した結果、基板上に残留物はみられ
ず、またエッチング不良に起因する配線パターンの欠陥
はみられなかった。
Next, the photo-cured pattern obtained by using the above samples 1 to 12 formed on the steel plate for shadow mask was heated at 200 ° C. for 10 minutes (post-baking).
Then, spray etching was performed for 15 minutes using an etching solution composed of a ferric chloride solution of 45Be '(Baume degree) and 50 ° C, and subsequently immersed in an aqueous sodium hydroxide solution of 40% at a concentration of 10%. The photo-curing patterns of Samples 1 to 6 and Samples 8 to 12 were completely dissolved and removed from the substrate. Further, the photo-curing pattern made of Sample 7 was completely peeled off from the substrate. After that, each substrate was washed with water and dried, and as a result, no residue was found on the substrate, and no defect in the wiring pattern due to etching failure was found.

【0089】[0089]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、耐
エッチング性に優れ、高感度、高解像性で保存安定性も
良好で、かつ基板との密着性に優れ、濃アルカリ水溶液
にて剥離可能な水溶性感光性樹脂組成物が提供され、お
よびこれを用いて、環境保護対策上安全で、しかも現像
時にパターン膨潤や流失等のないマスクパターンに忠実
な光硬化パターンを形成することができるパターン形成
方法が提供されるという効果を奏する。
As described in detail above, according to the present invention, the etching resistance is excellent, the sensitivity is high, the resolution is good, the storage stability is good, and the adhesion to the substrate is excellent. A water-soluble photosensitive resin composition that can be peeled off is provided, and using this, a photo-curing pattern that is safe in terms of environmental protection and that is faithful to a mask pattern without pattern swelling or washout during development is formed. An effect is provided that a pattern forming method that can be performed is provided.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カゼインと、下記の化1 【化1】 (式中、XはNa、KまたはNH4 を表す)で表される
構成単位を有する高分子化合物とを含有してなる、水溶
性感光性樹脂組成物。
1. Casein and the following chemical formula 1 A water-soluble photosensitive resin composition comprising a polymer compound having a structural unit represented by the formula (wherein X represents Na, K or NH 4 ).
【請求項2】 請求項1記載の水溶性感光性樹脂組成物
を基板上に塗布し、これを希酸水溶液に接触させた後、
マスクパターンを介して選択的に露光し、次いで希アル
カリ水溶液で現像して未露光部分を除去することによっ
て基板上に光硬化パターンを形成する、パターン形成方
法。
2. The water-soluble photosensitive resin composition according to claim 1 is applied onto a substrate, which is then brought into contact with a dilute aqueous acid solution,
A pattern forming method comprising forming a photo-cured pattern on a substrate by selectively exposing through a mask pattern and then developing with a dilute alkaline aqueous solution to remove the unexposed portion.
【請求項3】 請求項1記載の水溶性感光性樹脂組成物
を基板上に塗布し、これをマスクパターンを介して選択
的に露光した後、希酸水溶液に接触させ、次いで希アル
カリ水溶液で現像して未露光部分を除去することによっ
て基板上に光硬化パターンを形成する、パターン形成方
法。
3. The water-soluble photosensitive resin composition according to claim 1 is applied onto a substrate, which is selectively exposed through a mask pattern, and then contacted with a dilute acid aqueous solution, and then with a dilute alkaline aqueous solution. A pattern forming method, wherein a photo-cured pattern is formed on a substrate by developing and removing an unexposed portion.
【請求項4】 請求項1記載の水溶性感光性樹脂組成物
を基板上に塗布し、これをマスクパターンを介して選択
的に露光した後、ホウ酸水溶液で現像して未露光部分を
除去することによって基板上に光硬化パターンを形成す
る、パターン形成方法。
4. The water-soluble photosensitive resin composition according to claim 1 is applied onto a substrate, selectively exposed through a mask pattern, and then developed with an aqueous boric acid solution to remove an unexposed portion. A pattern forming method for forming a photo-cured pattern on a substrate by performing the method.
JP06022894A 1994-03-04 1994-03-04 Water-soluble photosensitive resin composition for forming etching mask pattern and pattern forming method using the same Expired - Fee Related JP3402735B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06022894A JP3402735B2 (en) 1994-03-04 1994-03-04 Water-soluble photosensitive resin composition for forming etching mask pattern and pattern forming method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06022894A JP3402735B2 (en) 1994-03-04 1994-03-04 Water-soluble photosensitive resin composition for forming etching mask pattern and pattern forming method using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07244374A true JPH07244374A (en) 1995-09-19
JP3402735B2 JP3402735B2 (en) 2003-05-06

Family

ID=13136110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06022894A Expired - Fee Related JP3402735B2 (en) 1994-03-04 1994-03-04 Water-soluble photosensitive resin composition for forming etching mask pattern and pattern forming method using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3402735B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0909992A1 (en) * 1997-10-20 1999-04-21 Fuji Chemicals Industrial Co., Ltd. Water-soluble photoresist composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0909992A1 (en) * 1997-10-20 1999-04-21 Fuji Chemicals Industrial Co., Ltd. Water-soluble photoresist composition
US5948592A (en) * 1997-10-20 1999-09-07 Fuji Chemicals Industrial Co., Ltd. Water-soluble photoresist composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP3402735B2 (en) 2003-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930010060B1 (en) Manufacturing method of circuit board having solder through hole
US8101333B2 (en) Method for formation of miniaturized pattern and resist substrate treatment solution for use in the method
JPS6239732B2 (en)
JPH0242446A (en) Image forming method
JPH0582935B2 (en)
JP3402735B2 (en) Water-soluble photosensitive resin composition for forming etching mask pattern and pattern forming method using the same
JP3870385B2 (en) Water-soluble photoresist composition
US4179292A (en) Light-sensitive copying composition
JP4178337B2 (en) Method for forming pattern of water-soluble photoresist composition
JPH0834898A (en) Water-soluble photosensitive resin composition
JPH08319307A (en) Resin composition, resist ink composition and its cured material
JPH0968796A (en) Forming method of image hardened by light
CN1310731A (en) Water soluble positive-working photoresist composition
JPS5917730B2 (en) Photosensitive resin composition
JP3620155B2 (en) Water-soluble photosensitive composition
JP3783169B2 (en) Water-soluble photoresist composition
US11860539B2 (en) Polyvinyl acetate based photopolymer
US7635552B2 (en) Photoresist composition with antibacterial agent
JPS5917729B2 (en) Photosensitive resin composition
JP4826003B2 (en) Water-soluble photosensitive polymer and water-soluble photosensitive resin composition
JPS58174942A (en) Formation of photoresist
JP3145181B2 (en) Lithographic printing plate and manufacturing method thereof
JPH01563A (en) correction fluid
JPS60106191A (en) Method of producing printed circuit board
JPH04311775A (en) Positive-type photo-sensitive anionic electrodeposition coating resin composition, electrodeposition bath and electrodeposition method using the same

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees