JPH07221228A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH07221228A
JPH07221228A JP1301294A JP1301294A JPH07221228A JP H07221228 A JPH07221228 A JP H07221228A JP 1301294 A JP1301294 A JP 1301294A JP 1301294 A JP1301294 A JP 1301294A JP H07221228 A JPH07221228 A JP H07221228A
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JP
Japan
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circuit device
fin
integrated circuit
semiconductor integrated
heat
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Application number
JP1301294A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomohiro Shiraishi
智宏 白石
Masayuki Shirai
優之 白井
Takashi Miwa
孝志 三輪
Minoru Kubosono
実 窪薗
Hiroshi Kuroda
宏 黒田
Akihiro Hida
昭博 飛田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor integrated circuit device wherein a heat radiation fin to be laid is miniaturized and the mounting density on a board can be increased in a semiconductor integrated circuit device mounting a semiconductor chip of large heat generation. CONSTITUTION:The circuit device comprises outer electrodes 1 transmitting a signal to the outside, bonding wires 3 connecting the outer electrodes 1 with a semiconductor chip 2 through inner wirings, a radiation fin 5 dissipating the heat from the semiconductor chip 2 toward the outside via a heat dissipating plate 4, and adhesive agent 7 fixing the radiation fin 5 to a semiconductor integrated circuit device main body 6. Pin fins 8 as protruding type heat dissipating parts are formed in the radiation fin 5. The sectional form of the pin fin 8 in the horizontal direction is square. The pin fins 8 are so arranged that the corner parts 8a of the squares 8a face the wind flow direction 9. Hence the heat dissipating surfaces in the vertical direction of the pin fins 8 are arranged obliquely to the wind flow direction 9.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造技術におけ
る半導体集積回路装置に関し、特に発熱量の大きな半導
体チップを搭載する半導体集積回路装置に設置される放
熱フィンの形状に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device in a semiconductor manufacturing technique, and more particularly to the shape of a radiation fin installed in a semiconductor integrated circuit device mounted with a semiconductor chip that generates a large amount of heat.

【0002】[0002]

【従来の技術】発熱量の大きな半導体素子である半導体
チップを搭載する半導体集積回路装置においては、その
放熱効果を向上させるために放熱フィンが設置されてお
り、前記放熱フィンは、セラミックやモールド樹脂など
からなる前記半導体集積回路装置の本体部に取り付けら
れた熱拡散板を介して、ねじなどによって固定されてい
る場合が多い。
2. Description of the Related Art In a semiconductor integrated circuit device having a semiconductor chip, which is a semiconductor element that generates a large amount of heat, a heat radiation fin is installed to improve its heat radiation effect. The heat radiation fin is made of ceramic or molded resin. In many cases, it is fixed by screws or the like via a heat diffusion plate attached to the main body of the semiconductor integrated circuit device.

【0003】さらに、前記放熱フィンには突起状の放熱
部であるピンフィンが設けられており、前記ピンフィン
の放熱面積を増やすことによって、より放熱効果を高め
ている。
Further, the heat radiation fin is provided with a pin fin which is a projecting heat radiation portion, and the heat radiation effect is further enhanced by increasing the heat radiation area of the pin fin.

【0004】ここで、前記ピンフィンが設けられた放熱
フィンにおいては、該ピンフィンの放熱面は、半導体集
積回路装置に対して水平もしくは垂直に設けられてい
る。
Here, in the heat dissipation fin provided with the pin fin, the heat dissipation surface of the pin fin is provided horizontally or vertically to the semiconductor integrated circuit device.

【0005】なお、実装基板上において、前記半導体集
積回路装置などの被実装部品を冷やす冷却ファンは、前
記実装基板に対して(被実装部品である半導体集積回路
装置に対して)、水平もしくは垂直に風が当たるように
取り付けられている。
The cooling fan for cooling the mounted components such as the semiconductor integrated circuit device on the mounting substrate is horizontal or vertical to the mounting substrate (to the semiconductor integrated circuit device which is the mounted component). It is attached so that the wind hits.

【0006】したがって、結果的に前記ピンフィンはそ
の放熱面が、前記冷却ファンから送られてくる風に対し
て直角に当たるように設けられている。
Therefore, as a result, the heat dissipation surface of the pin fin is provided so as to hit the wind sent from the cooling fan at a right angle.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、前記ピンフィンの放熱面が前記冷却ファ
ンからの送風に対して直角に衝突する角度に設けられて
いるため、前記送風が前記放熱面に衝突して跳ね返され
ることが多く、したがって、該ピンフィンの風下側で
は、各ピンフィンの表面が放熱に対して有効に作用しに
くく、放熱が効果的に行われていないことが問題とされ
ている。
However, in the above-mentioned technique, since the heat dissipating surface of the pin fin is provided at an angle at which the heat dissipating surface of the pin fin collides with the air blown from the cooling fan at a right angle, the air blown by the air vent In many cases, the surface of each pin fin does not effectively act on the heat radiation on the leeward side of the pin fin, and it is considered that heat radiation is not performed effectively. .

【0008】さらに、半導体チップの高集積化や大型化
に伴って発熱量も増加する傾向にあるため、それを十分
に冷却する放熱性を備えた放熱フィンを設置しようとす
る場合、前記ピンフィンが設けられた放熱フィンにおい
ては、その放熱が効果的に行われていないことから、該
放熱フィンの外形が大きくなり、実装基板上における実
装密度が低くなるという問題が発生している。
Further, since the amount of heat generated tends to increase with the increase in the integration and size of the semiconductor chip, when the radiation fin having the heat radiation property for cooling it is installed, the pin fin is In the provided heat radiation fins, the heat is not effectively radiated, so that there is a problem that the outer diameter of the heat radiation fins becomes large and the mounting density on the mounting substrate becomes low.

【0009】そこで、本発明の目的は、発熱量の大きな
半導体チップ(半導体素子)を搭載する半導体集積回路
装置においても、設置される放熱フィンを小形化し、実
装基板上の実装密度を高めることのできる半導体集積回
路装置を提供することにある。
Therefore, it is an object of the present invention to reduce the size of the radiation fins installed in a semiconductor integrated circuit device mounting a semiconductor chip (semiconductor element) that generates a large amount of heat to increase the mounting density on the mounting board. An object is to provide a semiconductor integrated circuit device that can be used.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.

【0012】すなわち、突起状の放熱部であるピンフィ
ンを備えた放熱フィンが設置される半導体集積回路装置
であって、前記ピンフィンの垂直方向の放熱面が風向き
方向に対して斜めに設けられるものである。
That is, in a semiconductor integrated circuit device in which a heat radiation fin having a pin fin which is a projecting heat radiation portion is installed, the heat radiation surface in the vertical direction of the pin fin is provided obliquely to the wind direction. is there.

【0013】また、前記ピンフィンは、その水平方向の
断面が多角形であり、前記多角形の角部を風向き方向に
向けた状態で設けられるものである。
The pin fin has a polygonal horizontal cross section, and is provided with the corners of the polygon oriented in the wind direction.

【0014】さらに、前記ピンフィンは角柱である。Further, the pin fin is a prism.

【0015】また、平板状の放熱部である平板フィンを
備えた放熱フィンが設置される半導体集積回路装置であ
って、前記平板フィンの垂直方向の放熱面が風向き方向
に対して斜めに設けられるものである。
Further, in the semiconductor integrated circuit device in which a heat radiation fin having a flat plate fin which is a heat radiation portion is installed, the vertical heat radiation surface of the flat fin is provided obliquely to the wind direction. It is a thing.

【0016】[0016]

【作用】前記した手段によれば、放熱フィンの突起状の
放熱部であるピンフィンが、その垂直方向の放熱面が風
向き方向に対して斜めに設けられることにより、あるい
は、前記ピンフィンの水平方向の断面が多角形であり、
前記多角形の角部を風向き方向に向けた状態で前記ピン
フィンが設けられることにより、前記角部に衝突した風
が風下側に流れるため、風下側のピンフィンに対しても
風を当てることができる。
According to the above-mentioned means, the pin fin which is the projecting heat dissipation portion of the heat dissipation fin is provided with the vertical heat dissipation surface being inclined with respect to the wind direction, or in the horizontal direction of the pin fin. The cross section is polygonal,
By providing the pin fins with the corners of the polygon oriented in the wind direction, the wind that collides with the corners flows to the leeward side, so the wind can be applied to the leeward pin fins. .

【0017】その結果、前記放熱フィン上のピンフィン
の風の当たる面積が増えることから、放熱性を高めるこ
とが可能となる。
As a result, the area of the fins on the heat radiation fins, which is exposed to the wind, increases, so that the heat radiation performance can be improved.

【0018】さらに、放熱性を高められることから、従
来の放熱フィンと比べて同じ放熱量を得ようとする場合
には、本発明による半導体集積回路装置の放熱フィンは
小形化することが可能となり、その結果、実装基板上に
おける実装密度を高めることができる。
Further, since the heat dissipation is improved, the heat dissipation fin of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention can be downsized in order to obtain the same heat dissipation amount as compared with the conventional heat dissipation fin. As a result, the mounting density on the mounting board can be increased.

【0019】また、放熱フィンが平板状の放熱部である
平板フィンを備える場合、前記平板フィンの垂直方向の
放熱面が風向き方向に対して(半導体集積回路装置の外
形形状に対して)斜めに設けられることから、前記風向
き方向に対して平行に平板フィンを設ける場合と比べ
て、前記平板フィンの数を増やすことができ、さらに、
長い距離を有する平板フィンを設けることができる。
Further, when the heat radiation fin is provided with a flat plate fin which is a flat plate heat radiation portion, the vertical heat radiation surface of the flat fin is inclined with respect to the wind direction (with respect to the outer shape of the semiconductor integrated circuit device). Since it is provided, the number of the flat plate fins can be increased as compared with the case where the flat plate fins are provided parallel to the wind direction, and further,
Plate fins with long distances can be provided.

【0020】その結果、該平板フィンにおける放熱面積
を増やすことが可能となる。
As a result, it is possible to increase the heat radiation area of the flat plate fin.

【0021】したがって、放熱性を高めることができ、
前記ピンフィンの場合と同様に、放熱フィンの小形化と
実装基板上における被実装部品の実装密度を高めること
ができる。
Therefore, heat dissipation can be improved,
As in the case of the pin fins, the heat radiation fins can be downsized and the mounting density of the mounted components on the mounting board can be increased.

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0023】(実施例1)図1は本発明の一実施例であ
る半導体集積回路装置の構造の一例を示す図であり、
(a)はその平面図、また、(b)はその断面図であ
る。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram showing an example of the structure of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.
(A) is the top view, (b) is the sectional view.

【0024】図1(a),(b)を用いて、本実施例1の
半導体集積回路装置の構成について説明すると、外部に
信号を伝達する外部電極1と、前記外部電極1と半導体
素子である半導体チップ2とを内部配線(図示せず)を
介して接続するボンディングワイヤ3と、半導体チップ
2から発せられる熱を熱拡散板4を介して外部に放す放
熱フィン5と、前記放熱フィン5を半導体集積回路装置
本体6に固定する高熱伝導性の接着剤7とからなり、前
記放熱フィン5には突起状の放熱部であるピンフィン8
が設けられている。
The structure of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1A and 1B. The external electrode 1 for transmitting a signal to the outside, the external electrode 1 and the semiconductor element are used. A bonding wire 3 for connecting a certain semiconductor chip 2 via internal wiring (not shown), a radiation fin 5 for radiating heat generated from the semiconductor chip 2 to the outside through a heat diffusion plate 4, and the radiation fin 5 And a heat-adhesive 7 for fixing the semiconductor integrated circuit device main body 6 to the semiconductor integrated circuit device main body 6.
Is provided.

【0025】ここで、本実施例1によるピンフィン8の
水平方向の断面形状は多角形の場合であり、前記多角形
が四角形の場合を説明する。
Here, the horizontal cross-sectional shape of the pin fin 8 according to the first embodiment is a polygon, and the case where the polygon is a quadrangle will be described.

【0026】すなわち、本実施例1は前記ピンフィン8
が四角柱の場合を説明するものである。
That is, in the first embodiment, the pin fin 8 is used.
Is a square prism.

【0027】なお、前記ピンフィン8は、その断面形状
である四角形の角部8aを図示しない冷却ファンなどに
よって送られてくる風の風向き方向9に向けた状態で設
けられている。
The pin fins 8 are provided such that the rectangular corners 8a having a cross-sectional shape are oriented in the wind direction 9 of the wind sent by a cooling fan or the like (not shown).

【0028】したがって、前記ピンフィン8における垂
直方向の放熱面8bは、前記風向き方向9に対して斜め
に設置されている。
Therefore, the vertical heat radiation surface 8b of the pin fin 8 is installed obliquely to the wind direction 9.

【0029】また、前記放熱フィン5は熱伝導性の高い
アルミニウムなどを用いて押し出し加工によって形成さ
れるものであり、高熱伝導性の接着剤7によって半導体
集積回路装置本体6に固定されている。
The heat radiation fin 5 is formed by extruding aluminum or the like having a high thermal conductivity, and is fixed to the semiconductor integrated circuit device body 6 by an adhesive 7 having a high thermal conductivity.

【0030】次に、図1(a),(b)を用いて、本実施
例1の半導体集積回路装置の作用について説明すると、
前記放熱フィン5の突起状の放熱部であるピンフィン8
が、該ピンフィン8の水平方向の断面の四角形の角部8
aを風向き方向9に向けた状態で設けられている。つま
り、前記ピンフィン8における垂直方向の放熱面8bが
風向き方向9に対して斜めに設けられているため、前記
角部8a付近に衝突した風が、跳ね返らずに前記放熱面
8bに沿うように通り抜け、前記ピンフィン8の風下側
に流れていく。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b).
A pin fin 8 which is a protruding heat dissipation portion of the heat dissipation fin 5.
Is the square corner 8 of the horizontal section of the pin fin 8.
It is provided in a state where a is directed in the wind direction 9. That is, since the vertical heat radiating surface 8b of the pin fin 8 is provided obliquely to the wind direction 9, the wind colliding near the corner 8a does not bounce and follows the heat radiating surface 8b. It passes through and flows to the leeward side of the pin fin 8.

【0031】その結果、風下側のピンフィン8に対して
も前記風を十分に当てることが可能になる。
As a result, it becomes possible to sufficiently apply the wind to the pin fins 8 on the leeward side.

【0032】したがって、放熱フィン5上のピンフィン
8の風の当たる面積(放熱面積)が増えることから、放
熱性を高めることが可能になる。
Therefore, since the area of the pin fins 8 on the radiating fins 5 exposed to the wind (heat radiating area) is increased, it is possible to improve the heat radiating property.

【0033】また、放熱性を高められることから、従来
の半導体集積回路装置において得られていた放熱量と同
じ放熱量を得ようとする場合には、本実施例1による半
導体集積回路装置の放熱フィン5を小形化することが可
能となり、その結果、図示しない実装基板上における被
実装部品(半導体集積回路装置など)の実装密度を高め
ることができる。
Further, since it is possible to improve the heat radiation property, when it is desired to obtain the same heat radiation amount as that obtained in the conventional semiconductor integrated circuit device, the heat radiation of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment is performed. The fin 5 can be miniaturized, and as a result, the mounting density of the mounted components (semiconductor integrated circuit device or the like) on the mounting substrate (not shown) can be increased.

【0034】(実施例2)図2は本発明の他の実施例で
ある半導体集積回路装置の構造の一例を示す図であり、
(a)はその平面図、また、(b)はその断面図であ
る。
(Embodiment 2) FIG. 2 is a diagram showing an example of the structure of a semiconductor integrated circuit device according to another embodiment of the present invention.
(A) is the top view, (b) is the sectional view.

【0035】図2(a),(b)を用いて、本実施例2の
半導体集積回路装置の構成について説明すると、外部に
信号を伝達する外部電極1と、前記外部電極1と半導体
素子である半導体チップ2とを内部配線(図示せず)を
介して接続するボンディングワイヤ3と、半導体チップ
2から発せられる熱を熱拡散板4を介して外部に放す放
熱フィン5と、前記放熱フィン5を半導体集積回路装置
本体6に固定する高熱伝導性の接着剤7とからなり、前
記放熱フィン5には平板状の放熱部である平板フィン1
0が設けられている。
The structure of the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 2A and 2B. The external electrode 1 for transmitting a signal to the outside, the external electrode 1 and the semiconductor element are used. A bonding wire 3 for connecting a certain semiconductor chip 2 via internal wiring (not shown), a radiation fin 5 for radiating heat generated from the semiconductor chip 2 to the outside through a heat diffusion plate 4, and the radiation fin 5 Of the heat-dissipating fins 5, which is a flat plate-shaped heat dissipation portion.
0 is provided.

【0036】ここで、本実施例2による平板フィン10
は、前記平板フィン10の垂直方向の放熱面10bが図
示しない冷却ファンなどによって送られてくる風の風向
き方向9に対して斜めに設けられている。
The flat plate fin 10 according to the second embodiment will now be described.
The heat radiation surface 10b in the vertical direction of the flat plate fin 10 is provided obliquely to the wind direction 9 of the wind sent by a cooling fan or the like (not shown).

【0037】なお、隣合った平板フィン10の間は風を
通す溝10cである。
Between the adjacent flat plate fins 10 is a groove 10c for passing air.

【0038】また、前記放熱フィン5は熱伝導性の高い
アルミニウムなどを用いて押し出し加工によって形成さ
れるものであり、高熱伝導性の接着剤7によって半導体
集積回路装置本体6に固定されている。
The radiating fins 5 are formed by extruding aluminum or the like having a high thermal conductivity, and are fixed to the semiconductor integrated circuit device body 6 with an adhesive 7 having a high thermal conductivity.

【0039】次に、図2(a),(b)を用いて、本実施
例2の半導体集積回路装置の作用について説明すると、
前記放熱フィン5に設けられた平板状の放熱部である平
板フィン10の垂直方向の放熱面10bが前記風向き方
向9に対して(半導体集積回路装置本体6の外形形状に
対して)斜めに設けられることから、風向き方向9に対
して平行に平板フィン10を設ける場合と比べて、平板
フィン10の数を増やすことができ、さらに、長い距離
を有する平板フィン10も設けることができる。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b).
A vertical heat radiating surface 10b of a flat plate fin 10 which is a flat plate heat radiating portion provided on the heat radiating fin 5 is provided obliquely to the wind direction 9 (with respect to the outer shape of the semiconductor integrated circuit device body 6). Therefore, as compared with the case where the flat plate fins 10 are provided in parallel to the wind direction 9, the number of the flat plate fins 10 can be increased, and the flat plate fins 10 having a long distance can also be provided.

【0040】また、図示しない冷却ファンなどによって
風向き方向9から送られてくる風は、平板フィン10の
垂直方向の放熱面10bに接触しながら溝10cを通っ
て再び外部へ抜けていく。
Further, the wind sent from the wind direction 9 by a cooling fan or the like (not shown) comes out to the outside again through the groove 10c while contacting the heat radiation surface 10b in the vertical direction of the flat plate fin 10.

【0041】その結果、従来の半導体集積回路装置より
も平板フィン10における放熱面10bや溝10cから
なる放熱面積を増やすことが可能となる。
As a result, it is possible to increase the heat radiation area formed by the heat radiation surface 10b and the groove 10c in the flat plate fin 10 as compared with the conventional semiconductor integrated circuit device.

【0042】したがって、放熱性を高められることか
ら、実施例1で説明したピンフィン8(図1(a)また
は(b)参照)の場合と同様に、放熱フィン5の小形化
と実装基板上における被実装部品(半導体集積回路装置
など)の実装密度を高めることができる。
Therefore, since the heat dissipation can be improved, the heat dissipation fin 5 can be downsized and mounted on the mounting substrate as in the case of the pin fin 8 (see FIG. 1A or 1B) described in the first embodiment. The mounting density of mounted components (semiconductor integrated circuit device, etc.) can be increased.

【0043】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0044】例えば、実施例1において説明したピンフ
ィンは四角柱のものであったが、その水平方向の断面形
状はひし形や三角形などの多角形であっても、また、扇
形などであってもよい。
For example, the pin fin described in the first embodiment is a quadrangular prism, but its horizontal cross-sectional shape may be a polygon such as a rhombus or a triangle, or a fan. .

【0045】さらに、前記ピンフィンは角柱以外の切頭
三角錐や切頭四角錐などの切頭角錐であってもよい。
Further, the pin fins may be truncated pyramids such as truncated triangular pyramids and truncated quadrangular pyramids other than prisms.

【0046】また、実施例1および実施例2において説
明した放熱フィンは、アルミニウムからなるものであっ
たが、熱伝導性の良い素材であればアルミニウム以外の
ものを使用してもよい。
Although the radiating fins described in the first and second embodiments are made of aluminum, any material other than aluminum may be used as long as it has a good thermal conductivity.

【0047】[0047]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0048】(1).放熱フィンが設置される半導体集
積回路装置において、前記放熱フィンに設けられるピン
フィンの垂直方向の放熱面が風向き方向に対して斜めに
設けられることにより、あるいは、前記ピンフィンの水
平方向の断面における角部を風向き方向に向けた状態で
設けられることにより、風下側のピンフィンに対しても
風を十分に当てることが可能になる。
(1). In a semiconductor integrated circuit device in which a heat radiation fin is installed, a vertical heat radiation surface of a pin fin provided in the heat radiation fin is provided obliquely to a wind direction, or a corner portion in a horizontal cross section of the pin fin. Is provided in the wind direction, it is possible to sufficiently apply the wind to the pin fins on the leeward side.

【0049】その結果、前記放熱フィン上のピンフィン
の風の当たる面積(放熱面積)が増えることから、放熱
性を高めることが可能になる。
As a result, the area of the pin fins on the radiating fins exposed to the wind (heat radiating area) increases, so that the heat radiating property can be improved.

【0050】(2).放熱フィンが設置される半導体集
積回路装置において、前記放熱フィンに設けられる平板
フィンの垂直方向の放熱面が風向き方向に対して(半導
体集積回路装置の外形形状に対して)斜めに設けられる
ことにより、前記風向き方向に対して平行に平板フィン
を設ける場合と比べて、前記平板フィンの数を増やすこ
とができ、さらに、長い距離を有する平板フィンを設け
ることができる。
(2). In the semiconductor integrated circuit device in which the heat radiation fins are installed, the flat fins provided on the heat radiation fins are provided with the heat radiation surface in the vertical direction oblique to the wind direction (with respect to the outer shape of the semiconductor integrated circuit device). The number of the plate fins can be increased as compared with the case where the plate fins are provided in parallel to the wind direction, and further, the plate fins having a long distance can be provided.

【0051】その結果、該平板フィンにおける放熱面積
を増やすことができるため、放熱性を高めることが可能
になる。
As a result, it is possible to increase the heat radiation area of the flat plate fins, so that it is possible to enhance the heat radiation performance.

【0052】(3).前記(1)および(2)より、放
熱性を高めることが可能になるため、従来の放熱フィン
と比べて同じ放熱量を得ようとする場合には、本発明に
よる半導体集積回路装置の放熱フィンは小形化すること
が可能となる。
(3). Since it is possible to improve the heat dissipation property from the above (1) and (2), when it is desired to obtain the same amount of heat dissipation as the conventional heat dissipation fin, the heat dissipation fin of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention. Can be miniaturized.

【0053】(4).前記(3)より、前記放熱フィン
を小形化することができるため、実装基板上における被
実装部品(半導体集積回路装置など)の実装密度を高め
ることが可能になる。
(4). From the above (3), since the heat radiation fin can be downsized, the mounting density of the mounted components (semiconductor integrated circuit device, etc.) on the mounting substrate can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
構造の一例を示す図であり、(a)はその平面図、ま
た、(b)はその断面図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a structure of a semiconductor integrated circuit device which is an embodiment of the present invention, in which (a) is a plan view thereof and (b) is a sectional view thereof.

【図2】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す図であり、(a)はその平面図、ま
た、(b)はその断面図である。
2A and 2B are diagrams showing an example of the structure of a semiconductor integrated circuit device which is another embodiment of the present invention, in which FIG. 2A is a plan view thereof and FIG. 2B is a sectional view thereof.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 外部電極 2 半導体チップ(半導体素子) 3 ボンディングワイヤ 4 熱拡散板 5 放熱フィン 6 半導体集積回路装置本体 7 接着剤 8 ピンフィン(突起状の放熱部) 8a 角部 8b,10b 放熱面 9 風向き方向 10 平板フィン(平板状の放熱部) 10c 溝 1 External Electrode 2 Semiconductor Chip (Semiconductor Element) 3 Bonding Wire 4 Thermal Diffusion Plate 5 Heat Dissipation Fin 6 Semiconductor Integrated Circuit Device Main Body 7 Adhesive 8 Pin Fin (Protruding Heat Dissipation Part) 8a Corner 8b, 10b Heat Dissipation Surface 9 Wind Direction 10 Flat plate fin (flat plate heat dissipation part) 10c groove

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 窪薗 実 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 黒田 宏 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 飛田 昭博 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Minoru Kubozono 2326 Imai, Ome, Tokyo, Hitachi Device Development Center (72) Inventor Hiroshi Kuroda 2326 Imai, Ome, Tokyo Hitachi, Ltd. Device Development Center (72) Inventor Akihiro Tobita 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Inside Hitachi, Ltd. Device Development Center

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 突起状の放熱部であるピンフィンを備え
た放熱フィンが設置される半導体集積回路装置であっ
て、前記ピンフィンの垂直方向の放熱面が風向き方向に
対して斜めに設けられていることを特徴とする半導体集
積回路装置。
1. A semiconductor integrated circuit device having a heat radiation fin provided with a pin fin which is a projecting heat radiation portion, wherein a vertical heat radiation surface of the pin fin is provided obliquely to a wind direction. A semiconductor integrated circuit device characterized by the above.
【請求項2】 前記ピンフィンは該ピンフィンの水平方
向の断面が多角形であり、前記多角形の角部を風向き方
向に向けた状態で設けられていることを特徴とする請求
項1記載の半導体集積回路装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the pin fin has a polygonal horizontal cross section, and is provided with the corners of the polygon oriented in the wind direction. Integrated circuit device.
【請求項3】 前記ピンフィンが角柱であることを特徴
とする請求項2記載の半導体集積回路装置。
3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, wherein the pin fin is a prism.
【請求項4】 平板状の放熱部である平板フィンを備え
た放熱フィンが設置される半導体集積回路装置であっ
て、前記平板フィンの垂直方向の放熱面が風向き方向に
対して斜めに設けられていることを特徴とする半導体集
積回路装置。
4. A semiconductor integrated circuit device in which a heat radiation fin having a flat plate fin, which is a flat heat radiation portion, is installed, wherein a vertical heat radiation surface of the flat fin is provided obliquely to a wind direction. And a semiconductor integrated circuit device.
JP1301294A 1994-02-04 1994-02-04 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH07221228A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013120897A (en) * 2011-12-08 2013-06-17 Showa Denko Kk Heat sink

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