JPH07221009A - Alignment method - Google Patents

Alignment method

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JPH07221009A
JPH07221009A JP6029047A JP2904794A JPH07221009A JP H07221009 A JPH07221009 A JP H07221009A JP 6029047 A JP6029047 A JP 6029047A JP 2904794 A JP2904794 A JP 2904794A JP H07221009 A JPH07221009 A JP H07221009A
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JP
Japan
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mark
processing
alignment
substrate
semiconductor wafer
Prior art date
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Withdrawn
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JP6029047A
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Japanese (ja)
Inventor
Makoto Takagi
誠 高木
Makoto Hoshina
誠 保志名
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Priority to JP6029047A priority Critical patent/JPH07221009A/en
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the probability wherein the manual alignment of a substrate is performed or the processing of the substrate is given up, by setting a plurality of processing references, and by searching the position of a mark based on a second processing reference when the position of the mark can not be found based on a first processing reference. CONSTITUTION:First, an aligning mark present on a semiconductor wafer is sensed, and the position of the mark is searched based on one of a plurality of processing references (S1). Subsequently, whether the position of the mark has been found or not is decided (S2). When the answer for the step 2 is No, i.e. when the position of the mark of a third layer can not be found, the processing reference thereof is altered, and based on the processing reference after this alteration, the position of the mark is sensed (S4). In this manner, as processing data, a plurality of processing references are set, and when the position of a mark can not be found based on a first processing reference, the position of the mark is searched based on a second processing reference, and further, when the position of the mark can not be found based on the second processing reference, the position of the mark is searched based on a third processing reference.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は位置合わせ方法に関
し、特に縮小投影露光装置や検査装置等で実施される半
導体ウエハやガラス基板等の基板の位置合わせ方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positioning method, and more particularly to a method for positioning a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate which is carried out by a reduction projection exposure apparatus, an inspection apparatus or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は半導体製造工程における従来の位
置合わせ方法を説明するためのフローチャートである。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a flow chart for explaining a conventional alignment method in a semiconductor manufacturing process.

【0003】まず、半導体ウエハ上の位置合わせ用のマ
ークを検出し、その検出信号を所定の処理データに基づ
いて処理してマークの位置を求める(ステップ21)。
例えば縮小投影露光装置等の場合では、第1、第2、第
3及び第4層等の各層にそれぞれ位置合わせ用のマーク
が施され、マークを照明光で照らし、CCDカメラから
映像信号を得、その映像信号を画像処理してマークの位
置を求める。例えば第4層を露光するための位置合わせ
では第3層のマークだけを用いる。
First, a positioning mark on a semiconductor wafer is detected, and the detection signal is processed based on predetermined processing data to obtain the position of the mark (step 21).
For example, in the case of a reduction projection exposure apparatus or the like, each layer such as the first, second, third, and fourth layers is provided with a positioning mark, and the mark is illuminated with illumination light to obtain a video signal from a CCD camera. Then, the video signal is subjected to image processing to obtain the position of the mark. For example, in the alignment for exposing the fourth layer, only the mark of the third layer is used.

【0004】次に、検出信号を処理した結果、マークの
位置が求められたか否かを判断する(ステップ22)。
例えば、第4層を露光するための位置合わせでは第3層
のマークの位置が求められたか判断する。
Next, it is judged whether or not the position of the mark has been obtained as a result of processing the detection signal (step 22).
For example, in the alignment for exposing the fourth layer, it is determined whether the position of the mark of the third layer has been obtained.

【0005】この答が肯定(Yes)、すなわち第4層
を露光するための位置合わせで第3層のマークの位置が
求められたとき、半導体ウエハの加工(ステップ23)
へと進み、プログラムを終了する。
If the answer to this question is affirmative (Yes), that is, when the position of the mark on the third layer is determined by the alignment for exposing the fourth layer, the semiconductor wafer is processed (step 23).
Go to and end the program.

【0006】前記ステップ22の答が否定(No)、す
なわち後述する半導体ウエハの製造工程のばらつき等に
起因して第3層のマークの位置が求められないとき、手
動で位置合わせを行うことができるか否か判断する(ス
テップ24)。この答が肯定(Yes)、すなわち手動
で位置合わせを行うことができるとき(肉眼でマークの
位置を認識できるとき)、オペレータがマークの位置を
指示し(ステップ25)、半導体ウエハの加工へと進む
(ステップ23)。これに対し、ステップ4の答が否定
(Yes)、すなわち手動で位置合わせを行うことがで
きないとき(肉眼でマークの位置を認識できないと
き)、ステップ26へ進み、半導体ウエハの加工を断念
(廃棄等)し、プログラムを終了する。
When the answer to step 22 is negative (No), that is, when the position of the mark on the third layer cannot be obtained due to variations in the semiconductor wafer manufacturing process, which will be described later, etc., manual alignment can be performed. It is determined whether or not it is possible (step 24). When the answer is affirmative (Yes), that is, when the alignment can be performed manually (when the position of the mark can be recognized with the naked eye), the operator indicates the position of the mark (step 25), and the semiconductor wafer is processed. Proceed (step 23). On the other hand, when the answer to step 4 is negative (Yes), that is, when the alignment cannot be performed manually (when the position of the mark cannot be recognized with the naked eye), the process proceeds to step 26, and processing of the semiconductor wafer is abandoned (discarded). Etc.) and terminate the program.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、半導体
ウエハの製造工程のばらつき、具体的には例えば位置合
わせ用のマークがかすれたり、薄くなったりしてマーク
の検出信号のレベルが小さく、マークの位置が求められ
ない場合には、オペレータがモニタでマーク位置を見付
けて手動で位置合わせを行うか、又は半導体ウエハの加
工を断念せざるを得ず、オペレータの負担が大きく、処
理効率も悪かった。
As described above, the level of the mark detection signal is low due to variations in the manufacturing process of the semiconductor wafer, specifically, for example, the alignment marks are faint or thin. If the position of the mark cannot be obtained, the operator must find the mark position on the monitor and perform the position adjustment manually or abandon the processing of the semiconductor wafer, which imposes a heavy burden on the operator and increases the processing efficiency. It was bad.

【0008】この発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、その課題はオペレータの負担を軽減させ、且
つ基板の処理効率をよくすることができる位置合わせ方
法を提供することである。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a positioning method capable of reducing the burden on the operator and improving the processing efficiency of the substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め請求項1記載の発明の位置合わせ方法は、基板上のマ
ークを検出し、該検出結果を所定の処理データに基づい
て処理することによって前記マークの位置を求め、該マ
ークの位置に基づいて前記基板を位置合わせする位置合
わせ方法において、前記処理データとして異なる処理基
準を複数設定し、前記複数の処理基準のうちの1つに基
づく第1の前記処理によって前記マークの位置を求め
(S1)、前記第1の処理によって前記マークの位置が
求められなかった場合、前記処理基準を変更して第2の
前記処理を行う(S2)。
In order to solve the above-mentioned problems, a positioning method according to the invention of claim 1 detects a mark on a substrate and processes the detection result based on predetermined processing data. In the alignment method for obtaining the position of the mark and aligning the substrate based on the position of the mark, a plurality of different processing standards are set as the processing data, and based on one of the plurality of processing standards. The position of the mark is obtained by the first process (S1), and when the position of the mark is not obtained by the first process, the process reference is changed to perform the second process (S2). .

【0010】また、請求項2記載の発明の位置合わせ方
法は、基板上のマークを検出し、該検出結果を所定の処
理データに基づいて処理することによって前記マークの
位置を求め、該マークの位置に基づいて前記基板を位置
合わせする位置合わせ方法において、前記マークは前記
基板上に複数種類配置されるとともに、前記処理データ
として前記検出するマークの種類を複数設定し、前記複
数の処理基準のうちの1つに基づく第1の前記処理によ
って前記マークの位置を求め、前記第1の処理によって
前記マークの位置が求められなかった場合、前記処理基
準を変更して第2の前記処理を行う。
According to the second aspect of the alignment method of the present invention, the mark on the substrate is detected, and the position of the mark is obtained by processing the detection result based on predetermined processing data. In the alignment method for aligning the substrate based on the position, a plurality of types of the marks are arranged on the substrate, and a plurality of types of the mark to be detected are set as the process data, If the position of the mark is obtained by the first processing based on one of them, and if the position of the mark is not obtained by the first processing, the processing reference is changed to perform the second processing. .

【0011】更に、請求項3記載の発明の位置合わせ方
法は、前記複数種類のマークのそれぞれは、前記基板上
に前記マークを形成する複数の工程のそれぞれにおいて
形成される。
Further, in the alignment method according to the invention of claim 3, each of the plurality of types of marks is formed in each of a plurality of steps of forming the marks on the substrate.

【0012】[0012]

【作用】前述のように処理データとして処理基準を複数
設定し、その複数の処理基準のうちの第1の処理基準で
マークの位置が求められなかったときは、第2の処理基
準でマークの位置を求めるようにしたので、処理基準を
n個設定した場合には、手動で位置合わせをしたり、基
板の処理を断念する確率が、n乗分の1に減少する。
As described above, when a plurality of processing standards are set as the processing data and the position of the mark is not obtained by the first processing standard among the plurality of processing standards, the mark processing is performed by the second processing standard. Since the position is determined, when n processing standards are set, the probability of manually performing alignment or abandoning the processing of the substrate is reduced to 1 / n.

【0013】[0013]

【実施例】以下この発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図2はこの発明の一実施例に係る位置合わ
せ方法を実施するための半導体製造装置の構成図であ
る。半導体ウエハ(基板)6はXYステージ5上に載置
され、半導体ウエハ6の上方には対物レンズ4及びダイ
クロイックミラー3が配置されている。レーザ光源1か
ら出射されたレーザ光L1 は、光量調整部2で所定の光
量に調整され、ダイクロイックミラー3及び対物レンズ
4を介して半導体ウエハ6に照射される。
FIG. 2 is a block diagram of a semiconductor manufacturing apparatus for carrying out a positioning method according to an embodiment of the present invention. A semiconductor wafer (substrate) 6 is placed on an XY stage 5, and an objective lens 4 and a dichroic mirror 3 are arranged above the semiconductor wafer 6. The laser light L1 emitted from the laser light source 1 is adjusted to a predetermined light quantity by the light quantity adjusting unit 2, and is irradiated onto the semiconductor wafer 6 via the dichroic mirror 3 and the objective lens 4.

【0015】ダイクロイックミラー3の上方にはハーフ
ミラー8が配置され、照明光源7からの照明光L2 は、
ハーフミラー8、ダイクロイックミラー3及び対物レン
ズ4を介して半導体ウエハ6に照射される。
A half mirror 8 is arranged above the dichroic mirror 3, and the illumination light L2 from the illumination light source 7 is
The semiconductor wafer 6 is irradiated through the half mirror 8, the dichroic mirror 3 and the objective lens 4.

【0016】ハーフミラー8の上方にはCCDカメラ9
が配置され、CCDカメラ9にはテレビモニタ13に接
続されている。半導体ウエハ6の表面で反射した反射光
L3はCCDカメラ9に入射し、半導体ウエハ6上のマ
ーク(図示せず)の画像がテレビモニタ13に表示され
る。テレビモニタ13には、マークの画像信号を処理す
る画像処理装置12が接続されている。
Above the half mirror 8 is a CCD camera 9
Are arranged, and the CCD camera 9 is connected to the television monitor 13. The reflected light L3 reflected on the surface of the semiconductor wafer 6 is incident on the CCD camera 9, and an image of a mark (not shown) on the semiconductor wafer 6 is displayed on the television monitor 13. An image processing device 12 that processes the image signal of the mark is connected to the television monitor 13.

【0017】前記レーザ光源1、光量調整部2、XYス
テージ5、CCDカメラ9及び画像処理装置12は、制
御部10にそれぞれ接続されている。画像処理装置12
の処理結果は制御部10に送出される。制御部10は、
画像処理装置12からの画像処理データに基づいて、X
Yステージ5を移動させ、レーザ光L1 が適性光量にな
るように光量調整部2を制御して半導体ウエハ6をレー
ザ加工する。制御部10には、半導体ウエハ6を位置合
わせするための条件として検出すべき位置合わせ用のマ
ークの種類や位置、信号処理の条件(アルゴリズム,ス
ライスレベル等)等が予め登録されており、その条件に
基づいて位置合わせ処理を実行する。また、制御部10
には手動で位置合わせ操作するための操作パネル11が
接続されている。
The laser light source 1, the light quantity adjusting unit 2, the XY stage 5, the CCD camera 9 and the image processing device 12 are connected to a control unit 10, respectively. Image processing device 12
The processing result of is sent to the control unit 10. The control unit 10
Based on the image processing data from the image processing device 12, X
The Y stage 5 is moved, and the light quantity adjusting unit 2 is controlled so that the laser light L1 has an appropriate light quantity, and the semiconductor wafer 6 is laser processed. The control unit 10 is preregistered with the types and positions of alignment marks to be detected as conditions for aligning the semiconductor wafer 6 and the signal processing conditions (algorithm, slice level, etc.). Alignment processing is executed based on the conditions. In addition, the control unit 10
An operation panel 11 for manual alignment operation is connected to the.

【0018】図1は制御部で実行される位置合わせ処理
のプログラムフローチャートである。
FIG. 1 is a program flow chart of the alignment process executed by the control unit.

【0019】まず、半導体ウエハ6上の位置合わせ用の
マークを検出し、その検出信号を所定の処理データとし
ての複数の処理基準のうちの1つ(第1の処理基準)に
基づいて処理してマークの位置を求める(ステップ
1)。例えば露光装置の場合では、第1、第2、第3及
び第4層等の各層にそれぞれ位置合わせ用のマークがず
らして施され、各マークを照明光7にて照らし、CCD
カメラ9より映像信号を得、その映像信号を画像処理し
て各マークの位置を求める。例えば第4層の露光のため
の位置合わせでは第3層のマークを用いる。
First, an alignment mark on the semiconductor wafer 6 is detected, and the detection signal is processed based on one of a plurality of processing standards (first processing standard) as predetermined processing data. To find the position of the mark (step 1). For example, in the case of an exposure apparatus, alignment marks are provided on the respective layers such as the first, second, third, and fourth layers in a shifted manner, and each mark is illuminated with illumination light 7
A video signal is obtained from the camera 9, and the video signal is subjected to image processing to obtain the position of each mark. For example, the alignment for the exposure of the fourth layer uses the mark of the third layer.

【0020】次に、映像信号を処理した結果、マークの
位置が求められたか否かを判断する(ステップ2)。例
えば、第4層の露光のための位置合わせでは第3層のマ
ークの位置が求められたか判断する。
Next, it is judged whether or not the position of the mark has been obtained as a result of processing the video signal (step 2). For example, it is determined whether or not the position of the mark of the third layer is obtained in the alignment for the exposure of the fourth layer.

【0021】この答が肯定(Yes)、すなわち第4層
の露光のための位置合わせで第3層のマークの位置が求
められたとき、半導体ウエハ6の加工(ステップ3)へ
と進み、プログラムを終了する。
When this answer is affirmative (Yes), that is, when the position of the mark of the third layer is obtained by the alignment for the exposure of the fourth layer, the process proceeds to the processing (step 3) of the semiconductor wafer 6, and the program To finish.

【0022】前記ステップ2の答が否定(No)、すな
わち半導体ウエハ6の製造工程のばらつき等に起因して
第3層のマークの位置が求められないとき、処理データ
としての処理基準を変更し、この変更後の処理基準(第
2の処理基準)に基づいてマークの位置を検出する(ス
テップ4)。すなわち、例えば第4層の露光のための位
置合わせで第2層のマークを用いる。
When the answer to step 2 is negative (No), that is, when the position of the mark on the third layer cannot be obtained due to variations in the manufacturing process of the semiconductor wafer 6, the processing standard as processing data is changed. The position of the mark is detected based on the changed processing standard (second processing standard) (step 4). That is, for example, the mark of the second layer is used for alignment for the exposure of the fourth layer.

【0023】その後、検出信号を処理した結果、マーク
の位置が求められたか否かを判断する(ステップ5)。
After that, as a result of processing the detection signal, it is judged whether or not the position of the mark is obtained (step 5).

【0024】この答が肯定(Yes)、すなわち第4層
の露光のための位置合わせで第2層のマークの位置が求
められたとき、半導体ウエハ6の加工(ステップ3)へ
と進み、プログラムを終了する。
When this answer is affirmative (Yes), that is, when the position of the mark of the second layer is obtained by the alignment for the exposure of the fourth layer, the process proceeds to the processing of the semiconductor wafer 6 (step 3) and the program is performed. To finish.

【0025】前記ステップ5の答が否定(No)、すな
わち半導体ウエハ6の製造工程のばらつき等に起因して
第2層のマークの位置が求められないとき、処理データ
としての処理基準を再度変更し、この変更後の処理基準
(第3の処理基準)に基づいてマークの位置を検出する
(ステップ6)。すなわち、例えば第4層の露光のため
の位置合わせで第1層のマークを用いる。
When the answer to step 5 is negative (No), that is, when the position of the mark on the second layer cannot be obtained due to variations in the manufacturing process of the semiconductor wafer 6, the processing standard as the processing data is changed again. Then, the position of the mark is detected based on this changed processing standard (third processing standard) (step 6). That is, for example, the mark of the first layer is used for alignment for the exposure of the fourth layer.

【0026】その後、検出信号を処理した結果、マーク
の位置が求められたか否かを判断する(ステップ7)。
Then, it is judged whether or not the position of the mark is obtained as a result of processing the detection signal (step 7).

【0027】この答が肯定(Yes)、すなわち第4層
の位置合わせで第1層のマークの位置が求められたと
き、半導体ウエハ6の加工(ステップ3)へと進み、プ
ログラムを終了する。
When this answer is affirmative (Yes), that is, when the position of the mark of the first layer is obtained by the alignment of the fourth layer, the process proceeds to the processing of the semiconductor wafer 6 (step 3) and the program ends.

【0028】前記ステップ7の答が否定(No)、すな
わち半導体ウエハ6の製造工程のばらつき等に起因して
第1層のマークの位置が求められないとき、手動で位置
合わせを行うことができるか否か判断する(ステップ
8)。この答が肯定(Yes)、すなわち手動で位置合
わせを行うことができるとき(肉眼でマークの位置を認
識できるとき)、例えばその旨のメッセージがテレビモ
ニタ13に表示されると同時に警報が発せられ、オペレ
ータはマークの位置を指示し(ステップ9)、半導体ウ
エハの加工(ステップ6)へと進む。これに対し、ステ
ップ7の答が否定(No)、すなわち手動で位置合わせ
を行うことができないとき(肉眼でマークの位置を認識
できないとき)、ステップ10へ進み、半導体ウエハの
加工を断念(廃棄等)し、プログラムを終了する。
When the answer to step 7 is negative (No), that is, when the position of the mark on the first layer cannot be obtained due to variations in the manufacturing process of the semiconductor wafer 6, the alignment can be performed manually. It is determined whether or not (step 8). When this answer is affirmative (Yes), that is, when the position can be manually adjusted (when the position of the mark can be recognized with the naked eye), for example, a message to that effect is displayed on the television monitor 13 and an alarm is issued at the same time. The operator designates the position of the mark (step 9), and proceeds to the processing of the semiconductor wafer (step 6). On the other hand, when the answer to step 7 is negative (No), that is, when the alignment cannot be performed manually (when the position of the mark cannot be recognized with the naked eye), the process proceeds to step 10 and the semiconductor wafer is abandoned (discarded). Etc.) and terminate the program.

【0029】以上のようにこの実施例では処理データと
して処理基準を3個設定し、その複数の処理基準のうち
の第1の処理基準でマークの位置が求められなかったと
きは、第2の処理基準でマークの位置を求め、第2の処
理基準でマークの位置が求められなかったときは、第3
の処理基準でマークの位置を求める、というようにした
ので、手動で位置合わせをしたり、半導体ウエハ6の処
理を断念する確率が3乗分の1に減少する。例えば仮に
1個の処理基準では位置合わせ処理できない半導体ウエ
ハ6の発生する確率が1/10であったとすると、この
実施例では確率が(1/10)3 =1/1000にな
る。したがって、製造工程のばらつきが生じたときのオ
ペレータの負担が軽減され、且つ半導体ウエハ6の製造
効率がよくなり、更には歩留まりもよくなる。
As described above, in this embodiment, three processing standards are set as the processing data, and when the position of the mark is not obtained by the first processing standard of the plurality of processing standards, the second processing standard is set. If the mark position is obtained according to the processing standard and the mark position is not obtained according to the second processing standard, the third position is determined.
Since the position of the mark is obtained based on the processing standard of No. 3, the probability of manually aligning or abandoning the processing of the semiconductor wafer 6 is reduced to 1/3. For example, if the probability of occurrence of the semiconductor wafer 6 that cannot be subjected to the alignment processing with one processing reference is 1/10, the probability is (1/10) 3 = 1/1000 in this embodiment. Therefore, the burden on the operator when variations in the manufacturing process occur is reduced, the manufacturing efficiency of the semiconductor wafer 6 is improved, and the yield is also improved.

【0030】この実施例では、処理基準を3個設定した
場合について述べたが、2個でもよいし、4個以上でも
よい。
In this embodiment, the case where three processing standards are set has been described, but the number may be two, or four or more.

【0031】また、処理基準としてはマークの種類、座
標位置、信号処理のアルゴリズムなどがある。
Further, as the processing standard, there are a mark type, a coordinate position, a signal processing algorithm and the like.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したようにこの発明の位置合わ
せ方法によれば、手動で位置合わせをしたり、基板の処
理を断念する確率が、大幅に減少するので、オペレータ
の負担が軽減され、且つ基板の処理効率をよくすること
ができ、ひいては基板の歩留まりもよくなる。
As described above, according to the alignment method of the present invention, the probability of manually performing the alignment or giving up the processing of the substrate is greatly reduced, so that the operator's burden is reduced. In addition, the processing efficiency of the substrate can be improved, which in turn improves the yield of the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は制御部で実行される位置合わせ処理のプ
ログラムフローチャートである。
FIG. 1 is a program flowchart of a positioning process executed by a control unit.

【図2】図2はこの発明の一実施例に係る位置合わせ方
法を実施するための半導体製造装置の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus for carrying out a positioning method according to an embodiment of the present invention.

【図3】図3は半導体製造工程における従来の位置合わ
せ方法を説明するためのフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart for explaining a conventional alignment method in a semiconductor manufacturing process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ光源 6 半導体ウエハ 9 CCDカメラ 10 制御部 12 画像処理装置 1 Laser Light Source 6 Semiconductor Wafer 9 CCD Camera 10 Control Unit 12 Image Processing Device

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上のマークを検出し、該検出結果を
所定の処理データに基づいて処理することによって前記
マークの位置を求め、該マークの位置に基づいて前記基
板を位置合わせする位置合わせ方法において、 前記処理データとして異なる処理基準を複数設定し、 前記複数の処理基準のうちの1つに基づく第1の前記処
理によって前記マークの位置を求め、 前記第1の処理によって前記マークの位置が求められな
かった場合、前記処理基準を変更して第2の前記処理を
行うことを特徴とする位置合わせ方法。
1. A positioning method for detecting a mark on a substrate, processing the detection result based on predetermined processing data to obtain the position of the mark, and positioning the substrate based on the position of the mark. In the method, a plurality of different processing standards are set as the processing data, the position of the mark is obtained by the first processing based on one of the plurality of processing standards, and the position of the mark is obtained by the first processing. Is not obtained, the processing method is changed to perform the second processing described above.
【請求項2】 基板上のマークを検出し、該検出結果を
所定の処理データに基づいて処理することによって前記
マークの位置を求め、該マークの位置に基づいて前記基
板を位置合わせする位置合わせ方法において、 前記マークは前記基板上に複数種類配置されるととも
に、前記処理データとして前記検出するマークの種類を
複数設定し、 前記複数の処理基準のうちの1つに基づく第1の前記処
理によって前記マークの位置を求め、 前記第1の処理によって前記マークの位置が求められな
かった場合、前記処理基準を変更して第2の前記処理を
行うことを特徴とする位置合わせ方法。
2. A positioning method for detecting a mark on a substrate, processing the detection result based on predetermined processing data to obtain the position of the mark, and positioning the substrate based on the position of the mark. In the method, a plurality of types of the marks are arranged on the substrate, a plurality of types of the marks to be detected are set as the processing data, and the first processing based on one of the plurality of processing standards is performed. A positioning method, wherein the position of the mark is obtained, and when the position of the mark is not obtained by the first process, the process reference is changed to perform the second process.
【請求項3】 前記複数種類のマークのそれぞれは、前
記基板上に前記マークを形成する複数の工程のそれぞれ
において形成されるものであることを特徴とする請求項
2に記載の位置合わせ方法。
3. The alignment method according to claim 2, wherein each of the plurality of types of marks is formed in each of a plurality of steps of forming the mark on the substrate.
JP6029047A 1994-02-01 1994-02-01 Alignment method Withdrawn JPH07221009A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
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