JPH07211649A - Method for supplying high frequency power to vacuum unit - Google Patents
Method for supplying high frequency power to vacuum unitInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス、薄膜
半導体、光センサなどの薄膜を成膜あるいはエッチング
する装置等の真空装置への高周波電力供給方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for supplying high-frequency power to a vacuum device such as a device for forming or etching a thin film such as a semiconductor device, a thin film semiconductor, or an optical sensor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の装置を図４により説明する。真空
装置１内にヒータ６を有する基板ホルダー４が設けられ
る。基板ホルダー４の面に対向して、平板ボックス型で
対向面側に複数の孔を有する高周波電極３が設けられ
る。高周波電極３の裏側中央部には外部から導入パイプ
９がつながれている。導入パイプ９は真空容器１を貫通
しフランジを持つ取付管１０内に絶縁材を介して通され
ている。そのフランジに高周波電極３の裏面に隙間をあ
けてシールド板２が取付けられている。2. Description of the Related Art A conventional device will be described with reference to FIG. A substrate holder 4 having a heater 6 is provided in the vacuum device 1. Opposed to the surface of the substrate holder 4, a high frequency electrode 3 of a flat plate type having a plurality of holes on the opposed surface side is provided. An introduction pipe 9 is connected to the center of the back side of the high-frequency electrode 3 from the outside. The introduction pipe 9 penetrates the vacuum container 1 and is passed through an insulating material in a mounting pipe 10 having a flange. The shield plate 2 is attached to the flange on the back surface of the high-frequency electrode 3 with a gap.
【０００３】導入パイプ９は反応ガス供給源および高周
波電源につながれている。図中７は基板である。The introduction pipe 9 is connected to a reaction gas supply source and a high frequency power source. In the figure, 7 is a substrate.
【０００４】以上において、平板ボックス型の高周波電
極３に導入パイプ９から高周波電力の供給が行われる。
これと同時に導入パイプ９の内部はガス導入パイプとな
り、反応ガスが供給される。そして高周波電極３でプラ
ズマ化され、反応して基板７上に化学気相成長する。こ
のとき高周波電極３本体から導入パイプ９まで、その外
部をアースシールド板２によって覆い、導入パイプ９の
回り及び高周波電極３の裏面にプラズマが発生しないよ
うになっている。In the above, high frequency power is supplied to the flat box type high frequency electrode 3 from the introduction pipe 9.
At the same time, the inside of the introduction pipe 9 becomes a gas introduction pipe, and the reaction gas is supplied. Then, the high-frequency electrode 3 is turned into plasma, reacts, and undergoes chemical vapor deposition on the substrate 7. At this time, from the main body of the high-frequency electrode 3 to the introduction pipe 9, the outside thereof is covered with the ground shield plate 2 so that plasma is not generated around the introduction pipe 9 and on the back surface of the high-frequency electrode 3.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
高周波の供給用導入パイプが高周波電極の支持、高周波
電力の供給及び反応ガスの供給の三つの働きを兼ねてい
るために、その構造が非常に複雑になっている。特に高
周波給電のためのアースシールド板は絶縁用碍子の１mm
以下のギャップの中に入れて、絶縁を保持させるが、こ
の状態が少しでも変化するとプラズマ放電の安定的な発
生が困難となる脆さがあり問題点となっていた。SUMMARY OF THE INVENTION In the above conventional method,
Since the introduction pipe for supplying high frequency has three functions of supporting the high frequency electrode, supplying high frequency power and supplying reaction gas, its structure is very complicated. Especially, the ground shield plate for high frequency power supply is 1mm of the insulator
Although the insulation is maintained by putting it in the following gap, if this state changes even a little, there is brittleness that makes stable generation of plasma discharge difficult, which is a problem.
【０００６】また、従来の方法では、装置を大面積化す
ればするほど、大変な重量物となるので、装置のメイン
テナンスはかなりの肉体的負担となっていた。Further, in the conventional method, the larger the area of the device, the heavier the weight becomes, so that the maintenance of the device becomes a considerable physical burden.
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべき課
題としてなされたものである。The present invention has been made to solve the above problems.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため次の手段を講ずる。 （１）真空容器内に設置された、高周波電極と、同電極
の放電によって薄膜を成長させるための基板と、同基板
を加熱するヒータと、真空容器内にガスを供給するガス
供給ボックスとを有する真空装置において、高周波電源
からマッチングボックスを介して供給される高周波電力
を、同軸ケーブルを用いて誘導結合型の上記高周波電極
に供給する真空装置への高周波電力給電方法。 （２）上記１記載の真空装置において、真空容器への反
応ガスの供給を、高周波電力の供給とは独立に行う真空
装置への高周波電力給電方法。The present invention takes the following means in order to solve the above problems. (1) A high-frequency electrode installed in a vacuum container, a substrate for growing a thin film by discharging the electrode, a heater for heating the substrate, and a gas supply box for supplying gas into the vacuum container. A high-frequency power supply method for a vacuum apparatus having a high-frequency power supplied from a high-frequency power supply via a matching box to the inductively-coupled high-frequency electrode using a coaxial cable. (2) In the vacuum apparatus according to the above-mentioned 1, a method for supplying high-frequency power to the vacuum apparatus, wherein the reaction gas is supplied to the vacuum container independently of the high-frequency power supply.
【０００９】[0009]
（１）上記発明１において、誘導結合型の高周波電極に
同軸ケーブルを介して高周波電力が供給される。そして
高周波電極でプラズマが発生される。(1) In the above invention 1, high frequency power is supplied to the inductively coupled high frequency electrode via a coaxial cable. Then, plasma is generated at the high frequency electrode.
【００１０】高周波電力は同軸ケーブルを通るために外
部への漏れがなく効率よく高周波電極に供給される。 （２）上記発明２において、反応ガスはガス供給ボック
スに専用の配管を通して供給される。Since the high frequency power passes through the coaxial cable, it does not leak to the outside and is efficiently supplied to the high frequency electrode. (2) In the above invention 2, the reaction gas is supplied to the gas supply box through a dedicated pipe.
【００１１】従って、同軸ケーブルと専用の配管は別系
統となり、構成が簡単になるとともに、調整や操作も容
易となる。Therefore, the coaxial cable and the dedicated pipe are provided as separate systems, which simplifies the configuration and facilitates adjustment and operation.
【００１２】[0012]
【実施例】本発明の一実施例を図１〜図３により説明す
る。図１にて、真空ポンプ５につながれた真空容器１内
にヒータを有する基板ホルダー１１が設けられる。基板
ホルダー１１の面に対向して、図３に示すような平面型
でラダ状の誘導結合型の高周波電極２０が設けられる。
その裏面側に前面に複数の孔を持つガス供給ボックス１
９が、基板ホルダー１１に対向して設けられる。ボック
ス１９の裏側中央部はガス供給源に配管３０でつながれ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, a substrate holder 11 having a heater is provided in a vacuum container 1 connected to a vacuum pump 5. A planar type, ladder-shaped, inductively coupled high-frequency electrode 20 as shown in FIG. 3 is provided facing the surface of the substrate holder 11.
Gas supply box 1 with multiple holes on the front side on the back side
9 is provided facing the substrate holder 11. A central portion on the back side of the box 19 is connected to a gas supply source by a pipe 30.
【００１３】真空容器１には２カ所にフランジ２３が設
けられ、フランジ内に高周波コネクター１８が取付けら
れている。各コネクター１８の真空容器１内側には真空
用同軸ケーブル１２の一端がつながれる。他端の心線は
高周波電極２０の端につながれる（図３参照）。The vacuum container 1 is provided with flanges 23 at two locations, and a high frequency connector 18 is installed in the flange. One end of the vacuum coaxial cable 12 is connected to the inside of the vacuum container 1 of each connector 18. The core wire at the other end is connected to the end of the high frequency electrode 20 (see FIG. 3).
【００１４】各コネクター１８の外側には同軸ケーブル
１７、１７ａの１端がつながれる。同軸ケーブル１７ａ
の他端はマッチングボックス１３の出力コネクター１５
につながれる。また同軸ケーブル１７の他端の心線はマ
ッチングボックス１３のシャーシー２２にアースされ
る。さらにマッチングボックス１３と１３、５６ＭＨｚ
の高周波電源１６間は同軸ケーブル１４でつながれる。
図中、２４ＥC は真空容器１のチャンバーアース、２５
ＥB はマッチングボックスのシャーシーアース、２６Ｅ
は電源アースである。One end of the coaxial cables 17 and 17a is connected to the outside of each connector 18. Coaxial cable 17a
The other end of the output connector 15 of the matching box 13
Connected to. The other end of the coaxial cable 17 is grounded to the chassis 22 of the matching box 13. Matching boxes 13 and 13, 56MHz
The high frequency power supplies 16 are connected by the coaxial cable 14.
In the figure, 24E C is the chamber ground of the vacuum container 1, 25
E B is the matching box chassis ground, 26E
Is the power ground.
【００１５】以上の電気回路を図２に示す。The above electric circuit is shown in FIG.
【００１６】以上において、１３、５６ＭＨｚの高周波
電源１６から出力された高周波電力はマッチングボック
ス１３により、インピーダンスマッチングされ同軸ケー
ブル（ロード）１７ａを通じて出力される。この同軸ケ
ーブル１７ａのシールドはマッチングボックス１３端側
を、同ボックス１３のシャーシーアース２５ＥB に、真
空容器１端側は同容器１本体のチャンバーアース（真空
容器）２４ＥC に接地されており、これによって外部空
間への電波の漏れが防止されている。In the above, the high frequency power output from the high frequency power supply 16 of 13,56 MHz is impedance-matched by the matching box 13 and output through the coaxial cable (load) 17a. The shield of this coaxial cable 17a is grounded at the end of the matching box 13 to the chassis ground 25E B of the box 13, and at the end of the vacuum container 1 to the chamber ground (vacuum container) 24E C of the main body of the container 1, This prevents electric waves from leaking to the external space.
【００１７】真空容器１内では絶縁性、耐久性のよい真
空用同軸ケーブル１２を用いているが、このシールドは
真空導入用高周波用コネクター１８部でチャンバーアー
ス（真空容器）２４ＥC に接地されている。この真空用
同軸ケーブル１２によって、真空容器１内でのケーブル
１２からの電波の漏れを無くし、且つシースシールドの
役目も果たしているので、ケーブル１２での無駄な放電
がない。A vacuum coaxial cable 12 having good insulation and durability is used in the vacuum container 1. This shield is grounded to a chamber ground (vacuum container) 24E C at a high-frequency connector 18 for vacuum introduction. There is. The vacuum coaxial cable 12 eliminates radio wave leakage from the cable 12 in the vacuum container 1 and also serves as a sheath shield, so that there is no wasteful discharge in the cable 12.
【００１８】同様に、アース側の接続についても真空容
器１内では、真空用同軸ケーブル１２を用い、シールド
はチャンバーアース（真空容器）２４ＥC に接地してい
る。また、同真空容器１外部では同軸ケーブル（アー
ス）１７を用いてシャーシーアース２５ＥB に接続して
いるが、アース線ではあっても高周波では分布定数を有
しているため、この同軸ケーブル１７によって電波の漏
洩を防いでいる。Similarly, for the connection on the ground side, the vacuum coaxial cable 12 is used in the vacuum container 1, and the shield is grounded to the chamber ground (vacuum container) 24E C. Further, outside the vacuum container 1, a coaxial cable (earth) 17 is used to connect to the chassis earth 25E B. However, even though it is an earth wire, it has a distributed constant at high frequencies. Prevents the leakage of radio waves.
【００１９】そしてこの場合、同軸のシールドはチャン
バーアース（真空容器）２４ＥC に接地することで、漏
れを無くすことが出来る。アース同志の結線について
は、シャーシーアース２５ＥB を真空容器１本体アース
２４ＥC に充分に接続し、真空容器１のアース２４ＥC
は電源アース２６Ｅに接続する。In this case, the coaxial shield is grounded to the chamber earth (vacuum container) 24E C to prevent leakage. Regarding the grounding connection, connect the chassis ground 25E B to the vacuum container 1 main body ground 24E C sufficiently, and connect the vacuum container 1 ground 24E C.
Is connected to the power supply ground 26E.
【００２０】以上のように外部への漏れがなく、真空用
同軸ケーブルのアースシールドは絶縁の質が良いため、
長時間、長期間に亘り安定したプラズマを発生させるこ
とが出来る。また、ロスが少ないので効率良くプラズマ
を発生でき、大電力の供給も可能である。As described above, since there is no leakage to the outside and the ground shield of the vacuum coaxial cable has good insulation quality,
It is possible to generate stable plasma over a long period of time. Further, since the loss is small, plasma can be efficiently generated, and a large amount of power can be supplied.
【００２１】このようにして、１．０Torr程度の真空容
器１内に高周波電力約３００Ｗ程度を供給し、誘導結合
型の電極２０部にプラズマを発生させる。そして、ヒー
タで加熱した基板ホルダー１１上の基板７の温度を３５
０〜４００℃に維持し、ガス供給ボックス１９より反応
ガスとしてのＳｉＨ、ＮＨ3 、Ｎ2 を適当流量流すと、
基板７上に上質のＳｉＮX 薄膜が成膜できる。In this way, high frequency power of about 300 W is supplied into the vacuum container 1 of about 1.0 Torr to generate plasma in the inductively coupled electrode 20. Then, the temperature of the substrate 7 on the substrate holder 11 heated by the heater is set to 35
Maintaining 0 to 400 ° C., and flowing SiH, NH 3 , and N 2 as reaction gases from the gas supply box 19 at appropriate flow rates,
A high-quality SiN x thin film can be formed on the substrate 7.
【００２２】このように、本実施例は高周波電力の外部
への漏れがない。また、真空用同軸ケーブル１２のアー
スシールドは絶縁の質が良いため、長時間、長期間に亘
り安定したプラズマを発生させることが出来る。さら
に、ロスが少ないので効率良くプラズマを発生でき、大
電力の供給も可能である。このように、単純な構造であ
りながら、信頼性が高く、再現性、耐久性のある優れた
プラズマを発生することが出来る。As described above, in this embodiment, there is no leakage of high frequency power to the outside. Further, since the earth shield of the vacuum coaxial cable 12 has good insulation quality, stable plasma can be generated for a long time and a long time. Furthermore, since the loss is small, plasma can be efficiently generated and a large amount of power can be supplied. As described above, it is possible to generate an excellent plasma with high reliability, reproducibility, and durability even though it has a simple structure.
【００２３】上記のように高周波電力の供給方法とし
て、同軸ケーブルを使用し、高周波電極として誘導結合
型の電極２０を採用することにより軽量化されるので、
支持するためのパイプのような部材は必要でない。また
従来のようにガス供給ボックス１９との兼用を考えるこ
ともなくなり、真空容器１への反応ガス供給は、配管３
０と供給ボックス１９から電気系統とは独立に行われ、
真空容器１内構造は単純化し、且つメィンテナンス容易
となる。As described above, since the coaxial cable is used as the high frequency power supply method and the inductive coupling type electrode 20 is used as the high frequency electrode, the weight is reduced.
No members such as pipes for supporting are needed. Further, there is no need to consider the combined use with the gas supply box 19 as in the conventional case, and the reaction gas is supplied to the vacuum container 1 through the pipe 3
0 and supply box 19 from the electrical system independent,
The internal structure of the vacuum container 1 is simplified and maintenance is facilitated.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれば
高周波電力を同軸ケーブルを用いて誘導結合型の高周波
電極に供給するので、高効率となり、かつ装置が簡単に
なり、半導体デバイス、光センサなどの半導体関連薄膜
の形成のためのプラズマＣＶＤ装置や、スパッタリング
装置等の成膜装置あるいはエッチング装置等の真空装置
に用いられる高周波電力供給方法として非常に有用であ
る。As described above, according to the present invention, since high frequency power is supplied to the inductively coupled high frequency electrode using the coaxial cable, the efficiency is high and the apparatus is simple, and the semiconductor device, It is very useful as a high-frequency power supply method used in a plasma CVD apparatus for forming a semiconductor-related thin film such as an optical sensor, a film forming apparatus such as a sputtering apparatus, or a vacuum apparatus such as an etching apparatus.
【図１】本発明の一実施例の全体構成断面図である。FIG. 1 is a sectional view of the overall configuration of an embodiment of the present invention.
【図２】同実施例の電気回路図である。FIG. 2 is an electric circuit diagram of the embodiment.
【図３】同実施例の高周波電極の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a high frequency electrode of the same example.
【図４】従来例の真空容器部の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional vacuum container part.
１ 真空容器 ２ アースシールド板 ３ 高周波電極 ４ 基板ホルダー ５ 真空ポンプ ６ ヒータ ７ 基板 ８ 反応ガス ９ 導入パイプ １１ 基板ホルダー（加熱ヒータ） １２ 真空用同軸ケーブル １３ マッチングボックス １４ 同軸ケーブル １５ コネクター １６ 高周波電源 １７、１７ａ 同軸ケーブル １８ 真空導入用高周波用コネクター １９ ガス供給ボックス ２０ 誘導結合型電極 ２１ 給電端 ２２ アース ２３ フランジ ２４ ＥC ：チャンバーアース（真空容器） ２５ ＥB ：シャーシーアース ２６ Ｅ ：電源アース1 Vacuum Container 2 Earth Shield Plate 3 High Frequency Electrode 4 Substrate Holder 5 Vacuum Pump 6 Heater 7 Substrate 8 Reaction Gas 9 Introduction Pipe 11 Substrate Holder (Heating Heater) 12 Vacuum Coaxial Cable 13 Matching Box 14 Coaxial Cable 15 Connector 16 High Frequency Power Supply 17 , 17a coaxial cable 18 vacuum introducing high-frequency connector 19 gas supply box 20 inductively coupled electrode 21 feeding end 22 ground 23 flange 24 E C: chamber ground (vacuum container) 25 E B: chassis ground 26 E: power ground
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０５Ｂ 6/04 ３２１ // Ｃ３０Ｂ 25/02 Ｐ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 21/3065 H05B 6/04 321 // C30B 25/02 P
Claims (2)
と、同電極の放電によって薄膜を成長させるための基板
と、同基板を加熱するヒータと、真空容器内にガスを供
給するガス供給ボックスとを有する真空装置において、
高周波電源からマッチングボックスを介して供給される
高周波電力を、同軸ケーブルを用いて誘導結合型の上記
高周波電極に供給することを特徴とする真空装置への高
周波電力給電方法。1. A high-frequency electrode installed in a vacuum container, a substrate for growing a thin film by discharging the electrode, a heater for heating the substrate, and a gas supply box for supplying gas into the vacuum container. In a vacuum device having and
A high-frequency power supply method for a vacuum apparatus, characterized in that high-frequency power supplied from a high-frequency power supply via a matching box is supplied to the inductively coupled high-frequency electrode using a coaxial cable.
容器への反応ガスの供給を、高周波電力の供給とは独立
に行うことを特徴とする真空装置への高周波電力給電方
法。2. The high-frequency power supply method for a vacuum device according to claim 1, wherein the reaction gas is supplied to the vacuum container independently of the high-frequency power supply.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06005687A JP3100279B2 (en) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | High frequency power supply method to vacuum equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06005687A JP3100279B2 (en) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | High frequency power supply method to vacuum equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211649A true JPH07211649A (en) | 1995-08-11 |
| JP3100279B2 JP3100279B2 (en) | 2000-10-16 |
Family
ID=11618020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06005687A Expired - Lifetime JP3100279B2 (en) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | High frequency power supply method to vacuum equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3100279B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007080906A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus |
| JP2008124497A (en) * | 2008-01-17 | 2008-05-29 | Tokyo Electron Ltd | Method of mounting matching box in plasma treatment device |
-
1994
- 1994-01-24 JP JP06005687A patent/JP3100279B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007080906A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus |
| JP2008124497A (en) * | 2008-01-17 | 2008-05-29 | Tokyo Electron Ltd | Method of mounting matching box in plasma treatment device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3100279B2 (en) | 2000-10-16 |
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