JPH07211573A - Manufacture of soft magnetic thin film - Google Patents

Manufacture of soft magnetic thin film

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JPH07211573A
JPH07211573A JP2209494A JP2209494A JPH07211573A JP H07211573 A JPH07211573 A JP H07211573A JP 2209494 A JP2209494 A JP 2209494A JP 2209494 A JP2209494 A JP 2209494A JP H07211573 A JPH07211573 A JP H07211573A
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JP
Japan
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gas
thin film
soft magnetic
substrate
film
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JP2209494A
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Japanese (ja)
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Nobuyoshi Yano
暢芳 矢野
Kazuki Oka
和貴 岡
Isamu Ogasawara
勇 小笠原
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Unitika Ltd
Original Assignee
Unitika Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/14Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
    • H01F10/147Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel with lattice under strain, e.g. expanded by interstitial nitrogen

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Abstract

PURPOSE:To stably obtain a good soft magnetic characteristic by a method wherein, when a soft magnetic thin film is formed on a substrate by sputtering a target in a gas atmosphere, an inert gas and an unsaturated hydrocarbon-based gas are used as gases. CONSTITUTION:An Fe-C thin film is manufactured under a gas atmosphere by argon gas and ethylene gas by using a DC magnetron sputtering apparatus. As an inert gas to be used, helium or neon is enumerated in addition to argon. In addition, as an unsaturated hydrocarbon-based gas, acethylene, allene, isobuthylene, 1,3 butadiene, 1 butene, propylene, methyl acethylene or the like is enumerated in addition to ethylene. Thereby, it is possible to stably obtain a thin film whose soft magnetic characteristic is good.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は軟磁性薄膜の製造方法に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a soft magnetic thin film.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、磁気ヘッドを中心とした軟磁
性薄膜材料としてパーマロイや非晶質合金が知られてい
る。薄膜材料としては、バルクと同様の組成はもちろん
のことであるが、バルク材料では作製が困難な種々のガ
ス元素を含む組成がさかんに検討されている。ガス元素
としては、窒素、酸素、炭素などが知られているが、特
にFeに炭素を含有させた薄膜の場合、比較的簡単に非晶
質化させることができ、良好な軟磁気特性を得ることが
できる。
2. Description of the Related Art Permalloy and amorphous alloys have been known as soft magnetic thin film materials mainly for magnetic heads. As the thin film material, of course, the same composition as that of the bulk material is used, but various compositions containing various gas elements, which are difficult to produce with the bulk material, have been extensively studied. Nitrogen, oxygen, carbon, etc. are known as gas elements, but especially in the case of a thin film containing carbon in Fe, it is possible to amorphize relatively easily and obtain good soft magnetic characteristics. be able to.

【0003】上記の炭素を含む薄膜の製造方法として
は、例えば、ジャーナル・アプライド・フィジックス61
(12) 、5480〜5483 (1987) の記載によれば、Feターゲ
ット上にカーボンチップを配置して複合ターゲットとす
ることによってスパッタリングを行う方法が示されてい
る。しかしながら、この方法では薄膜中の炭素濃度を調
整するためにカーボンチップの数で調整しなければなら
ず、しかもカーボンチップの配置状態によって膜特性に
バラツキが生じるという問題を有していた。また、特開
平4-139805号公報の記載によれば、炭素を含まないター
ゲットを用い、不活性ガス中にメタンガスを混合したガ
ス雰囲気中でスパッタリングを行う反応性スパッタリン
グ法が示されており、特にこの方法によると膜中の炭素
濃度の制御が容易であるため、所望の炭素濃度の薄膜を
得ることができるという長所を有している。
As a method of manufacturing the above-mentioned carbon-containing thin film, for example, Journal Applied Physics 61
(12), 5480 to 5483 (1987), a method of performing sputtering by disposing a carbon tip on a Fe target to form a composite target is shown. However, this method has a problem that the carbon concentration in the thin film must be adjusted by the number of carbon chips, and the film characteristics vary depending on the arrangement state of the carbon chips. Further, according to the description of JP-A-4-139805, using a target containing no carbon, a reactive sputtering method is shown in which sputtering is performed in a gas atmosphere in which methane gas is mixed in an inert gas, and in particular, According to this method, it is easy to control the carbon concentration in the film, and there is an advantage that a thin film having a desired carbon concentration can be obtained.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法において優れた軟磁気特性を得るためには、メタン
ガスを多量に導入しなければならず、このように多量に
メタンガスを導入した場合、ターゲット表面の汚染が速
く進むために良好な軟磁気特性を安定して得ることは困
難であった。つまり、薄膜中に炭素を含有させる製造方
法において、従来から用いられている飽和炭化水素系ガ
スにおいては、軟磁気特性が充分なものとは言えず、ま
た安定して薄膜を作製することが困難であった。本発明
は、良好な軟磁気特性を安定して得ることのできる軟磁
性薄膜の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
However, in order to obtain excellent soft magnetic characteristics in the above method, a large amount of methane gas must be introduced. When such a large amount of methane gas is introduced, the target surface Therefore, it was difficult to stably obtain good soft magnetic characteristics because the contamination of (1) progresses rapidly. In other words, in the production method in which carbon is contained in the thin film, the soft magnetic properties are not sufficient in the conventionally used saturated hydrocarbon gas, and it is difficult to stably produce the thin film. Met. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a soft magnetic thin film that can stably obtain good soft magnetic characteristics.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な課題を解決するために鋭意検討の結果、不活性ガスと
不飽和炭化水素系ガスとのガス雰囲気中で成膜を行なう
と、良好な軟磁気特性を安定して得ることができるとい
う事実を見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明
は、ガス雰囲気中でターゲットをスパッタすることによ
り基板上に軟磁性薄膜を形成するに際し、ガスとして不
活性ガスと不飽和炭化水素系ガスとを用いることを特徴
とする軟磁性薄膜の製造方法を要旨とするものである。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve such problems, the present inventors have found that film formation is carried out in a gas atmosphere of an inert gas and an unsaturated hydrocarbon-based gas. The inventors have found the fact that good soft magnetic characteristics can be stably obtained, and arrived at the present invention. That is, the present invention is characterized in that when forming a soft magnetic thin film on a substrate by sputtering a target in a gas atmosphere, an inert gas and an unsaturated hydrocarbon-based gas are used as gases. The manufacturing method is as a gist.

【0006】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
用いられる不活性ガスとしては、アルゴン、ヘリウム、
ネオンがあげられる。また、不飽和炭化水素系ガスとし
ては、通常市販されているガスを用いればよい。その具
体例としては、例えば、アセチレン、アレン、イソブチ
レン、エチレン、 1.3ブタジエン、1ブテン、プロピレ
ン、メチルアセチレンなどがあげられる。さらに、本発
明に用いられる上記の不飽和炭化水素系ガスにおいて、
水素が塩素、フッ素、ブロム等のハロゲン元素で置換さ
れたものであってもよい。本発明に用いられるターゲッ
トとしては、例えば、純FeあるいはFe-X (X=Si、B、P
のうち少なくとも一種からなる元素を10〜30原子% )、
Fe-Y (Y=Zr、Hf、V、Nb、Taのうち少なくとも一種から
なる元素を5〜30原子% )、 Co-Fe-X (X=Si、B、Pの
うち少なくとも一種からなる元素を10〜30原子%)の合
金組成よりなるものがあげられる。また、本発明に用い
られる基板としては、例えば、ガラス、有機高分子フィ
ルムなどがあげられ、特に、その有機高分子としては、
例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルホ
ン、ポリアリレート、ポリエーテルサルホン、ポリプロ
ピレン、液晶ポリマーなどがあげられる。
The present invention will be described in detail below. As the inert gas used in the present invention, argon, helium,
Neon is given. Further, as the unsaturated hydrocarbon-based gas, a gas which is usually commercially available may be used. Specific examples thereof include acetylene, allene, isobutylene, ethylene, 1.3 butadiene, 1-butene, propylene and methylacetylene. Furthermore, in the above unsaturated hydrocarbon-based gas used in the present invention,
It may be one in which hydrogen is replaced by a halogen element such as chlorine, fluorine or bromine. Examples of the target used in the present invention include pure Fe or Fe-X (X = Si, B, P).
10 to 30 atomic% of at least one element),
Fe-Y (Y = Zr, Hf, V, Nb, Ta consisting of at least one element of 5 to 30 atom%), Co-Fe-X (X = Si, at least one element of B, P) Of 10 to 30 atomic%). Further, the substrate used in the present invention includes, for example, glass, organic polymer film, and the like, and particularly, as the organic polymer,
Examples thereof include polyethylene terephthalate, polyamide, polyimide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyarylate, polyether sulfone, polypropylene and liquid crystal polymer.

【0007】本発明に用いられるスパッタリング装置と
しては、例えば、RF2極スパッタ、DCスパッタ、マグネ
トロンスパッタ、3極スパッタ、イオンビームスパッ
タ、対向ターゲット式スパッタなどの既存のものを使用
することができる。これらの中でもマグネトロンスパッ
タリング装置は、薄膜の堆積速度が向上し、基板の温度
上昇を比較的低く抑えることができるので、耐熱性の比
較的低い有機高分子フィルム等を用いる場合には有利で
ある。また、マグネトロンスパッタリング法はターゲッ
トにかける電界と直角方向に磁界を印加し、プラズマ中
の荷電粒子をサイクロトロン運動させることによりスパ
ッタ効率を向上させて、あらかじめ設置しておいた基板
上にスパッタ粒子を堆積する方法である。
As the sputtering apparatus used in the present invention, it is possible to use an existing one such as RF bipolar sputtering, DC sputtering, magnetron sputtering, tripolar sputtering, ion beam sputtering, and facing target type sputtering. Among these, the magnetron sputtering apparatus is advantageous when using an organic polymer film or the like having a relatively low heat resistance, because the deposition rate of the thin film is improved and the temperature rise of the substrate can be suppressed to a relatively low level. In the magnetron sputtering method, a magnetic field is applied in the direction perpendicular to the electric field applied to the target to improve the sputtering efficiency by moving the charged particles in the plasma by cyclotron motion and depositing the sputtered particles on the substrate installed in advance. Is the way to do it.

【0008】ここで、荷電粒子をサイクロトロン運動さ
せる磁界としては、ターゲット直下に配置された永久磁
石、電磁石の濡れ磁場を利用するか、あるいはこれらの
永久磁石、電磁石の磁極からヨークを用いてターゲット
面より上に磁束を直接誘導して濡れ磁界を大きくする方
法等があげられる。また、薄膜を連続的に作製するため
に、基板として有機高分子材料を用いる場合には、送り
ロールに巻かれた有機高分子フィルムをキャンの部分で
膜を堆積させるロール・トウ・ロール法を用いることが
できる。
As the magnetic field for the cyclotron motion of the charged particles, a wetting magnetic field of a permanent magnet or an electromagnet arranged directly under the target is used, or a yoke is used from these permanent magnets or magnetic poles of the electromagnet. Further, there is a method of directly inducing a magnetic flux to increase the wetting magnetic field. Further, when an organic polymer material is used as a substrate for continuously producing a thin film, a roll-to-roll method is used in which an organic polymer film wound on a feed roll is deposited at a can portion. Can be used.

【0009】上記の不活性ガスと不飽和炭化水素系ガス
とのガス雰囲気中で軟磁性薄膜を作製する際の作製条件
としては、チャンバーの大きさや真空ポンプの排気容量
によっても変化するが、薄膜作製時のチャンバー内の到
達圧力としては、例えば、5×10-6Torr以下であること
が好ましく、さらに、1×10-6Torr以下であることがよ
り好ましい。また、不活性ガスの流量としては、20〜20
0CCMが適当であり、40〜170CCMが好ましく、特に60〜15
0 CCM がより好ましい。さらに、不飽和炭化水素系ガス
の流量としては、0.5 〜30CCM が適当であり、2〜25CC
M が好ましく、特に5〜20CCM がより好ましい。
The production conditions for producing the soft magnetic thin film in the gas atmosphere of the above-mentioned inert gas and unsaturated hydrocarbon-based gas vary depending on the size of the chamber and the exhaust capacity of the vacuum pump. The ultimate pressure in the chamber during production is, for example, preferably 5 × 10 −6 Torr or less, and more preferably 1 × 10 −6 Torr or less. In addition, the flow rate of the inert gas is 20 to 20
0 CCM is suitable, 40-170 CCM is preferred, especially 60-15
0 CCM is more preferred. Further, the flow rate of the unsaturated hydrocarbon gas is preferably 0.5 to 30 CCM, and 2 to 25 CCCM.
M is preferable, and 5 to 20 CCM is particularly preferable.

【0010】[0010]

【実施例】次に、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明する。実施例1、比較例1DCマグネトロンスパ
ッタリング装置(日電アネルバ社製)を用いてアルゴン
ガスとエチレンガス(製鉄化学社製)とのガス雰囲気下
でFe-C薄膜を作製した。そのときの作製条件を以下に示
す。 ターゲット:純Fe 基板:硼硅酸ガラス(基板は水冷) 到達圧力:8 ×10-7Torr アルゴンガス流量:100CCM エチレンガス流量:0 〜20CCM 膜厚:5000オングストローム 上記の作製条件で薄膜を作製したときの導入エチレンガ
ス流量と保磁力との関係を図1に示す。比較のために、
飽和炭化水素系ガスであるメタンガス及びエタンガスを
用いてFe-C薄膜を同様に作製した。作製条件としては、
エチレンガスの代わりにメタンガス及びエタンガスを用
いた以外は上記と同じ条件で行った。そのときの保磁力
と導入ガス流量との関係を図1に示す。
EXAMPLES Next, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. Example 1 and Comparative Example 1 A Fe-C thin film was prepared using a DC magnetron sputtering device (manufactured by Nichiden Anelva Co., Ltd.) under a gas atmosphere of argon gas and ethylene gas (manufactured by Steel Chemical Co., Ltd.). The manufacturing conditions at that time are shown below. Target: Pure Fe Substrate: Borosilicate glass (Substrate is water cooled) Ultimate pressure: 8 × 10 -7 Torr Argon gas flow rate: 100 CCM Ethylene gas flow rate: 0 to 20 CCM Film thickness: 5000 angstrom A thin film was prepared under the above manufacturing conditions The relationship between the flow rate of introduced ethylene gas and the coercive force at this time is shown in FIG. For comparison,
Fe-C thin films were similarly prepared using methane gas and ethane gas, which are saturated hydrocarbon gases. The manufacturing conditions are
The same conditions as above were used except that methane gas and ethane gas were used instead of ethylene gas. FIG. 1 shows the relationship between the coercive force and the flow rate of the introduced gas at that time.

【0011】図1は、縦軸に保磁力(Oe) を、横軸に導
入ガス流量(CCM)を示しており、この図からも明らかな
ごとく、本発明におけるエチレンガスを用いた場合に
は、軟磁気特性の向上に顕著な効果が現れ、さらに、エ
チレンのガス流量が広い範囲にわたって良好な軟磁気特
性を示している。これに対して、飽和炭化水素系ガスで
あるメタンガス及びエタンガスを用いた場合には、保磁
力が低下して軟磁気特性は向上しているものの、本発明
におけるエチレンガスを用いた場合ほど、軟磁気特性は
向上しなかった。
FIG. 1 shows the coercive force (Oe) on the vertical axis and the introduced gas flow rate (CCM) on the horizontal axis. As is clear from this figure, when ethylene gas in the present invention is used, In addition, a remarkable effect appears in improving the soft magnetic characteristics, and further, the soft magnetic characteristics are excellent over a wide range of ethylene gas flow rates. On the other hand, when methane gas and ethane gas, which are saturated hydrocarbon gases, are used, the coercive force is reduced and the soft magnetic properties are improved. The magnetic properties did not improve.

【0012】実施例2 DCマグネトロンスパッタリング装置(日電アネルバ社
製)を用いて、ヘリウムガスとメチルアセチレンガス
(製鉄化学社製)とのガス雰囲気中でFe-C薄膜を作製し
た。そのときの作製条件を以下に示す。 ターゲット:純Fe 基板:硼硅酸ガラス(基板は水冷) 到達圧力:9 ×10-7 Torr ヘリウムガス流量:80CCM メチルアセチレンガス流量:10CCM 膜厚:0.3 μm 上記の作成条件で得られた薄膜の保磁力は、0.4 Oeとな
っており、良好な軟磁気特性を示した。
Example 2 An Fe-C thin film was prepared in a gas atmosphere of helium gas and methylacetylene gas (manufactured by Iron Manufacturing Chemical Co., Ltd.) using a DC magnetron sputtering device (manufactured by Nichiden Anelva Co.). The manufacturing conditions at that time are shown below. Target: Pure Fe Substrate: Borosilicate glass (Substrate is water cooled) Ultimate pressure: 9 × 10 -7 Torr Helium gas flow rate: 80CCM Methylacetylene gas flow rate: 10CCM Film thickness: 0.3 μm Thin film obtained under the above conditions The coercive force was 0.4 Oe, indicating good soft magnetic properties.

【0013】実施例3 DCマグネトロンスパッタリング装置(日電アネルバ社
製)を用いて、アルゴンガスとエチレンガス(製鉄化学
社製)とのガス雰囲気中でポリエステルフィルム基板上
にロール・トウ・ロール法で、厚さが約0.6 μm のFe-S
i-B-C 薄膜を作製した。このロール・トウ・ロール法と
は、送りロールに巻かれたプラスチックフィルムなどの
有機高分子材料を円筒状キャンを経由して巻き取りロー
ルに巻き取られる間にキャンの部分で膜を堆積させる方
法であり、ここでは送りロールに巻かれたポリエステル
フィルムを直径40cm、幅60cmの円筒状キャンを経由し
て、0.25m/分の速度で巻き取りロールに巻き取りながら
連続して10m作製した。そのときの作製条件を以下に示
す。 ターゲット:Fe75Si10B15 (数字は原子%を示す。) 基板:厚さ125 μm 、幅300mm のポリエステルフィルム 到達圧力:8 ×10-7 Torr アルゴンガス流量:100CCM エチレンガス流量:15CCM
Example 3 Using a DC magnetron sputtering apparatus (manufactured by Nichiden Anelva Co.), a roll-to-roll method was applied on a polyester film substrate in a gas atmosphere of argon gas and ethylene gas (manufactured by Steel Chemical Co., Ltd.). Fe-S with a thickness of about 0.6 μm
An iBC thin film was prepared. The roll-to-roll method is a method in which an organic polymer material such as a plastic film wound on a feed roll is deposited on a can while it is wound on a take-up roll via a cylindrical can. In this case, the polyester film wound on the feed roll was continuously produced through a cylindrical can having a diameter of 40 cm and a width of 60 cm at a speed of 0.25 m / min while being wound on a take-up roll to continuously produce 10 m. The manufacturing conditions at that time are shown below. Target: Fe 75 Si 10 B 15 (Numbers indicate atomic%) Substrate: 125 μm thick, 300 mm wide polyester film Ultimate pressure: 8 × 10 -7 Torr Argon gas flow rate: 100 CCM Ethylene gas flow rate: 15 CCM

【0014】上記の条件で作製した薄膜の構造をX線デ
イフラクトメーター(理学電機社製)により調べたとこ
ろ、非晶質単相であり、保磁力は0.3 Oeと良好な軟磁気
特性を示した。さらに、フィルムの長さ方向、幅方向に
対しての保磁力の大きなばらつきは見られなかった。こ
こで言うところのフィルムの長さ方向とは、フィルム基
板を送り出し、巻取りをする方向のことであり、幅方向
とは、長さ方向に対して直角方向のことである。
When the structure of the thin film produced under the above conditions was examined by an X-ray diffractometer (manufactured by Rigaku Denki Co., Ltd.), it was an amorphous single phase and had a coercive force of 0.3 Oe and showed good soft magnetic characteristics. It was Furthermore, no great variation in coercive force was observed in the length direction and width direction of the film. Here, the length direction of the film means a direction in which the film substrate is fed out and wound up, and the width direction means a direction perpendicular to the length direction.

【0015】実施例4 DCマグネトロンスパッタリング装置(日電アネルバ社
製)を用いてアルゴンガスとアセチレンガス(製鉄化学
社製)とのガス雰囲気中で、実施例3と同様のロール・
トウ・ロール法により、0.5m/分の速度で、ポリエステ
ルフィルム基板を巻き取りながら、厚さが約0.3 μm の
Co-Fe-Si-B-C薄膜を連続して10m作製した。そのときの
作製条件を以下に示す。 ターゲット:Co70Fe5Si10B15 (数字は原子%を示
す。) 基板:厚さ100 μm 、幅500mm のポリエステルフィルム 到達圧力:9 ×10-7 Torr アルゴンガス流量:100 CCM エチレンガス流量:15 CCM 上記の条件で作製した薄膜の保磁力は、0.1 Oeと極めて
良好な軟磁気特性を示し、フィルムの長さ方向、幅方向
における保磁力のばらつきはほとんどなかった。
Example 4 Using a DC magnetron sputtering device (manufactured by Nichiden Anelva) in a gas atmosphere of argon gas and acetylene gas (manufactured by Iron and Steel Chemical Co., Ltd.), the same rolls as in Example 3 were used.
By the tow roll method, while winding the polyester film substrate at a speed of 0.5 m / min, the thickness of about 0.3 μm
A Co-Fe-Si-BC thin film was continuously formed for 10 m. The manufacturing conditions at that time are shown below. Target: Co 70 Fe 5 Si 10 B 15 (Numbers indicate atomic%.) Substrate: Polyester film with thickness of 100 μm and width of 500 mm Ultimate pressure: 9 × 10 -7 Torr Argon gas flow rate: 100 CCM Ethylene gas flow rate: 15 CCM The coercive force of the thin film produced under the above conditions was 0.1 Oe, which was a very good soft magnetic property, and there was almost no variation in the coercive force in the length and width directions of the film.

【0016】実施例5 DCマグネトロンスパッタリング装置(日電アネルバ社
製)を用いて、アルゴンガスとアレンガス(製鉄化学社
製)とのガス雰囲気中で、実施例3と同様のロール・ト
ウ・ロール法により、0.3m/分の速度で、ポリエステル
フィルム基板を巻き取りながら、厚さが約0.5 μm のCo
-Fe-Si-B-C薄膜を連続して10m作製した。そのときの作
製条件を以下に示す。 ターゲット:Co70Fe5Si10B15( 数字は原子%を示す。) 基板:厚さ75μm 、幅300mm のポリエステルフィルム 到達圧力:8 ×10-7 Torr アルゴンガス流量:100 CCM アレンガス流量:10 CCM 上記の条件で作製した薄膜の保磁力、0.2 Oeで極めて良
好な軟磁性特性を示しており、フィルムの長さ方向、幅
方向における保磁力のばらつきはほとんどなかった。
Example 5 Using a DC magnetron sputtering device (manufactured by Nichiden Anelva Co.) in a gas atmosphere of argon gas and allene gas (manufactured by Steel Manufacturing Co., Ltd.), the same roll-to-roll method as in Example 3 was used. , While winding the polyester film substrate at a speed of 0.3 m / min, Co with a thickness of about 0.5 μm
-Fe-Si-BC thin film was continuously produced for 10 m. The manufacturing conditions at that time are shown below. Target: Co 70 Fe 5 Si 10 B 15 (Numbers indicate atomic%) Substrate: Polyester film with thickness of 75 μm and width of 300 mm Ultimate pressure: 8 × 10 -7 Torr Argon gas flow rate: 100 CCM Allen gas flow rate: 10 CCM The coercive force of the thin film produced under the above conditions showed a very good soft magnetic property at 0.2 Oe, and there was almost no variation in the coercive force in the length direction and the width direction of the film.

【0017】実施例6 DCマグネトロンスパッタリング装置(日電アネルバ社
製)を用いて、アルゴンガスとプロピレンガス(日本酸
素社製)とのガス雰囲気中で、実施例3と同様のロール
・トウ・ロール法により、0.4m/分の速度で、ポリエス
テルフィルム基板を巻き取りながら、厚さが約0.5 μm
のFe-C薄膜を連続して50m作製した。そのときの作製条
件を以下に示す。 ターゲット:純Fe 基板:厚さ75μm 、幅300mm のポリエステルフィルム 到達圧力:7 ×10-7 Torr アルゴンガス流量:100 CCM プロピレンガス流量:10 CCM 上記の条件で作製した薄膜の保磁力を5mごとに10カ所
で調べたところ、すべての点において保磁力が0.2 〜0.
25 Oe の範囲に入っており、良好な軟磁気特性が安定し
て得られることが確認できた。
Example 6 A roll-to-roll method similar to that of Example 3 was performed in a gas atmosphere of argon gas and propylene gas (manufactured by Nippon Oxygen Co.) using a DC magnetron sputtering apparatus (manufactured by Nichiden Anelva Co.). The thickness is about 0.5 μm while winding the polyester film substrate at a speed of 0.4 m / min.
Fe-C thin film of 50 m was continuously produced. The manufacturing conditions at that time are shown below. Target: Pure Fe Substrate: Polyester film with a thickness of 75 μm and width of 300 mm Ultimate pressure: 7 × 10 -7 Torr Argon gas flow rate: 100 CCM Propylene gas flow rate: 10 CCM Coercive force of the thin film produced under the above conditions every 5 m When examined at 10 points, coercive force was 0.2 to 0 at all points.
It was within the range of 25 Oe, and it was confirmed that good soft magnetic characteristics were stably obtained.

【0018】実施例7 DCマグネトロンスパッタリング装置(日電アネルバ社
製)を用いて、アルゴンガスと1.3 ブタジエンガス(製
鉄化学社製)とのガス雰囲気中で、実施例3と同様のロ
ール・トウ・ロール法により、0.3m/分の速度で、ポリ
エステルフィルム基板を巻き取りながら、厚さが約0.4
μm のFe-Si-B-C 薄膜を連続して50m作製した。そのと
きの作製条件を以下に示す。 ターゲット:Fe75Si1015(数字は原子%を示す。) 基板:厚さ75μm :幅300mm のポリエステルフィルム 到達圧力:8 ×10-7 Torr アルゴンガス流量:90 CCM 1.3 ブタジエンガス:7 CCM 上記の条件で作製した薄膜の保磁力を5mごとに10カ所
で調べたところ、すべての点において保磁力が0.3 〜0.
4 Oeの範囲に入っており、良好な軟磁気特性が安定して
得られることが確認できた。
Example 7 Using a DC magnetron sputtering apparatus (manufactured by Nichiden Anelva), in a gas atmosphere of argon gas and 1.3 butadiene gas (manufactured by Iron and Steel Chemical Co., Ltd.), the same roll-to-roll method as in Example 3 was used. According to the method, the thickness is about 0.4 while winding the polyester film substrate at a speed of 0.3 m / min.
A 50 μm Fe-Si-BC thin film was continuously formed. The manufacturing conditions at that time are shown below. Target: Fe 75 Si 10 B 15 (Numbers indicate atomic%.) Substrate: Thickness 75 μm: Polyester film with width 300 mm Ultimate pressure: 8 × 10 -7 Torr Argon gas flow rate: 90 CCM 1.3 Butadiene gas: 7 CCM Above When the coercive force of the thin film prepared under the condition of was examined at 10 locations every 5 m, the coercive force was 0.3 to 0 at all points.
It was within the range of 4 Oe, and it was confirmed that good soft magnetic characteristics could be stably obtained.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明によれば、不活性ガスと不飽和炭
化水素系ガスとを用いてスパッタリングを行なうことに
よって、良好な軟磁気特性を有する薄膜を安定して得る
ことができる。このようにして得られた軟磁性薄膜は、
磁気シールド、盗難防止用の標識、磁気センサ、回転セ
ンサなどに用いることができる。
According to the present invention, a thin film having good soft magnetic characteristics can be stably obtained by performing sputtering using an inert gas and an unsaturated hydrocarbon gas. The soft magnetic thin film thus obtained is
It can be used for magnetic shields, anti-theft signs, magnetic sensors, rotation sensors, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明である実施例1と従来の技術である比較
例1とにおける導入ガス流量と保磁力との関係を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing a relationship between a flow rate of an introduced gas and a coercive force in Example 1 which is the present invention and Comparative Example 1 which is a conventional technique.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガス雰囲気中でターゲットをスパッタす
ることにより基板上に軟磁性薄膜を形成するに際し、ガ
スとして不活性ガスと不飽和炭化水素系ガスとを用いる
ことを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。
1. When forming a soft magnetic thin film on a substrate by sputtering a target in a gas atmosphere, an inert gas and an unsaturated hydrocarbon-based gas are used as the gas. Production method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367138A (en) * 2001-06-07 2002-12-20 Fujitsu Ltd Magnetic information recording medium

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