JPH07202626A - Surface acoustic wave device and its manufacture - Google Patents

Surface acoustic wave device and its manufacture

Info

Publication number
JPH07202626A
JPH07202626A JP34903393A JP34903393A JPH07202626A JP H07202626 A JPH07202626 A JP H07202626A JP 34903393 A JP34903393 A JP 34903393A JP 34903393 A JP34903393 A JP 34903393A JP H07202626 A JPH07202626 A JP H07202626A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
nitride
acoustic wave
surface acoustic
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34903393A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takayuki Yabe
貴幸 矢辺
Yukio Okubo
幸夫 大久保
Takahiro Sato
隆裕 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Japan Energy Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Energy Corp filed Critical Japan Energy Corp
Priority to JP34903393A priority Critical patent/JPH07202626A/en
Publication of JPH07202626A publication Critical patent/JPH07202626A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To produce the surface acoustic wave device, which is provided with sufficient resistance against stress migration and composed of electrodes equipped with high power resistance, by composing the part of an interdigital electrode in contact with a piezoelectric substrate of a nitride layer composed of a transient metal nitride. CONSTITUTION:The surface of a nitride layer 40 is not exposed in the air and a metal film 42 composed of the Al-0.5wt%Co alloy of 80nm, for example, is continuously formed on the nitride layer 40 by a DC magnetron sputtering method. The sheet resistance value of an electrode layer, for which the metal layer 42 is laminated on this nitride layer 40, is low like 5muOMEGA.cm. Next, a regist layer 44 is applied onto the metal layer 42 and patterned into a shape for forming electrode structure sequences 20 and 30. The unwanted part of an ionized layer is removed by a dry etching method using the atmospheric gas of BCl3:Cl2=1:1. Finally, the regist layer 44 is removed, and the working of electrode structure sequences 20 and 30 is finished.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置のイン
タデジタル電極(以下、IDTという)の構成材料、ま
たは、形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a constituent material of an interdigital electrode (hereinafter referred to as IDT) of a surface acoustic wave device or a method of forming the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】弾性表面波装置は、圧電体、誘電体基板
上の圧電体膜などの圧電性基板上にIDT(すだれ状電
極、くし型電極ともいう)を設け、このIDTにより入
力した電気信号を圧電性基板表面を伝搬する弾性表面波
に変換し、この表面波を利用して、フィルタ、共振子、
遅延線などの機能を発揮するデバイスである。このよう
な弾性表面波装置の圧電性基板の表面は、入力した電気
信号に比例して機械的に振動しており、これによりID
Tも振動している。
2. Description of the Related Art In a surface acoustic wave device, an IDT (also called a comb-shaped electrode or a comb-shaped electrode) is provided on a piezoelectric substrate such as a piezoelectric body or a piezoelectric film on a dielectric substrate, and the electric power input by this IDT is provided. A signal is converted into a surface acoustic wave propagating on the surface of the piezoelectric substrate, and by using this surface wave, a filter, a resonator,
It is a device that exerts functions such as a delay line. The surface of the piezoelectric substrate of such a surface acoustic wave device mechanically oscillates in proportion to the input electric signal.
T is also vibrating.

【0003】この機械的振動により、IDTを構成する
電極指が、疲労劣化する現象(ストレスマイグレーショ
ン)が知られている。このストレスマイグレーションに
より、使用中に弾性表面波装置が劣化し、当初の特性を
発揮できなくなることがある。そのため、ストレスマイ
グレーションに対する耐性が充分な電極材料が種々と検
討されている。代表的な材料としては、シリコン、銅な
どを添加したアルミニウム合金がある。
It is known that the mechanical vibration causes fatigue deterioration of the electrode fingers forming the IDT (stress migration). Due to this stress migration, the surface acoustic wave device may deteriorate during use and the initial characteristics may not be exhibited. Therefore, various electrode materials having sufficient resistance to stress migration have been studied. As a typical material, there is an aluminum alloy to which silicon, copper, or the like is added.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ストレ
スマイグレーションは、比較的高い周波数(1GHz以
上)で用いられる電極指幅が狭い弾性表面波装置、また
は、数mW以上の比較的大きな電力を通過させる弾性表
面波装置において顕著となり、従来検討されている材料
では充分でないことがある。また、エッチング技術など
により微細加工が可能な材料である必要がある。
However, the stress migration is caused by a surface acoustic wave device having a narrow electrode finger width used at a relatively high frequency (1 GHz or more) or an elastic wave which allows a relatively large electric power of several mW or more to pass therethrough. It becomes remarkable in the surface wave device, and the materials studied conventionally may not be sufficient. Further, the material needs to be capable of fine processing by etching technology or the like.

【0005】本発明の目的は、ストレスマイグレーショ
ンに対する充分な耐性を有する電極構成材料を用いた弾
性表面波装置およびその製造方法を提供するものであ
る。
An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device using an electrode constituent material having sufficient resistance to stress migration and a method for manufacturing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、スト
レスマイグレーションが蒸着法、スパッタリング法によ
り形成された金属層が多結晶構造であり、その粒界拡散
がストレスマイグレーションに大きく影響していること
に着目してなされた。
According to the present invention, the metal layer formed by the evaporation method or the sputtering method has a polycrystalline structure, and the grain boundary diffusion thereof has a great influence on the stress migration. It was made paying attention to.

【0007】本発明は、圧電性基板上にインタデジタル
電極が形成された弾性表面波装置において、前記インタ
デジタル電極が、(a)金属層、および(b)該金属層
と前記圧電性基板との間に設けられ、該金属層の主な構
成元素の原子間距離と同程度の原子間距離を有する遷移
金属窒化物からなる窒化物層を含むこと、または、製造
方法において、(a)圧電性基板上に遷移金属窒化物か
らなる窒化物層を形成し、(b)前記窒化物層上にイン
タデジタル電極を構成する金属層を形成するものであ
る。
The present invention provides a surface acoustic wave device having an interdigital electrode formed on a piezoelectric substrate, wherein the interdigital electrode comprises (a) a metal layer, and (b) the metal layer and the piezoelectric substrate. Or a nitride layer made of a transition metal nitride having an interatomic distance similar to the interatomic distance of the main constituent elements of the metal layer, or (a) piezoelectric A nitride layer made of a transition metal nitride is formed on a crystalline substrate, and (b) a metal layer forming an interdigital electrode is formed on the nitride layer.

【0008】本発明によれば、インタデジタル電極の圧
電性基板に接する部分を遷移金属窒化物からなる窒化物
層により構成しており、この窒化物層は金属層よりも機
械的強度に優れ、また、原子間距離がほぼ等しいため配
向性の高い金属層が形成されるため、ストレスマイグレ
ーションに対する高い耐性を有する。
According to the present invention, the portion of the interdigital electrode which is in contact with the piezoelectric substrate is formed of a nitride layer made of a transition metal nitride, and the nitride layer is superior in mechanical strength to the metal layer. Further, since the interatomic distances are almost equal, a highly oriented metal layer is formed, and therefore, it has high resistance to stress migration.

【0009】前記金属層が、アルミニウム(Al)を主
成分とすることが望ましく、電極の内部抵抗を低くする
ことができ、また、エッチングなどの微細加工が容易と
なる。また、前記遷移金属窒化物がチタン(Ti)、ジ
ルコニウム(Zr)および/またはハフニウム(Hf)
の窒化物を主成分とすることが望ましく、窒化物層が安
定な結晶方位に対して配向性が高いので、その上の金属
層の配向性をさらに高めることができ、かつ、これらの
遷移金属窒化物は導電性を有するので金属層が断線した
状態でも窒化物層により導電性を保てるため、完全な断
線を防ぐことができる。なお、前記遷移金属窒化物をタ
ングステン(W)、スカンジウム(Sc)および/また
はバナジウム(V)の窒化物を主成分とすることもでき
る。
It is desirable that the metal layer contains aluminum (Al) as a main component, so that the internal resistance of the electrode can be lowered, and fine processing such as etching becomes easy. The transition metal nitride may be titanium (Ti), zirconium (Zr) and / or hafnium (Hf).
It is desirable to use the nitride of the above as a main component, and since the nitride layer has a high orientation with respect to a stable crystal orientation, the orientation of the metal layer thereover can be further enhanced, and these transition metal Since nitride has conductivity, the nitride layer can maintain conductivity even when the metal layer is broken, so that complete disconnection can be prevented. The transition metal nitride may contain a nitride of tungsten (W), scandium (Sc) and / or vanadium (V) as a main component.

【0010】さらに、アルミニウム(Al)を主成分と
する前記金属層に、コバルト(Co)、ニッケル(N
i)および/またはモリブデン(Mo)が添加すること
により、ストレスマイグレーション耐性がさらに向上す
ると共に、エッチングなどの微細加工性にも優れる。
Further, cobalt (Co), nickel (N) are added to the metal layer containing aluminum (Al) as a main component.
By adding i) and / or molybdenum (Mo), the resistance to stress migration is further improved, and fine workability such as etching is also excellent.

【0011】[0011]

【実施例】本発明の一実施例による弾性表面波装置であ
る弾性表面波フィルタを図1を用いて説明する。圧電性
基板である36゜回転Y板−X伝搬LiTaO3基板1
0上に、7つのIDTと、一対の反射器により構成され
た2つの電極構造列20、30が形成されている。電極
構造列20、30は、Coを0.5wt%添加したアル
ミニウム合金からなる厚さ約80nmの金属層42と、
この金属層42とLiTaO3基板10の間の厚さ約2
0nmの窒化チタン(TiN、組成比=1:1)からな
る窒化物層40により形成されている。電極指の幅およ
びその間隔は、フィルタの通過中心周波数に対応した弾
性表面波波長の1/4に相当する約500nmである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A surface acoustic wave filter which is a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 36 ° rotation Y plate-X propagation LiTaO 3 substrate 1 which is a piezoelectric substrate
On the 0, seven IDTs and two electrode structure rows 20 and 30 constituted by a pair of reflectors are formed. The electrode structure rows 20 and 30 include a metal layer 42 having a thickness of about 80 nm and made of an aluminum alloy to which Co is added by 0.5 wt%.
The thickness between the metal layer 42 and the LiTaO 3 substrate 10 is about 2
The nitride layer 40 is made of 0 nm titanium nitride (TiN, composition ratio = 1: 1). The width of the electrode fingers and the distance between them are about 500 nm, which corresponds to ¼ of the surface acoustic wave wavelength corresponding to the pass center frequency of the filter.

【0012】電極構造列20では、3つの入力用IDT
21、22、23と4つの出力用IDT24、25、2
6、27が交互に配置され、これら入力用IDT21、
22、23と、出力用IDT24、25、26、27が
一対の反射器28、29により挟まれている。3つの入
力用IDT21、22、23は並列接続され、4つの出
力用IDT24、25、26、27も並列接続されてい
る。各IDT21〜27の開口長は30λであり、2
0.5対の電極指により構成され、反射器28、29は
120本の金属ストリップにより構成されている。ID
T21〜27及び反射器28、29は同一の周期構造で
あり、IDTとIDT間及び反射器とIDT間も同じ周
期で形成され、電極構造列20全体として同一の周期構
造をしている。
In the electrode structure column 20, three input IDTs are used.
21, 22, 23 and four output IDTs 24, 25, 2
6, 27 are alternately arranged, and these input IDTs 21,
22 and 23 and the output IDTs 24, 25, 26 and 27 are sandwiched by a pair of reflectors 28 and 29. The three input IDTs 21, 22, 23 are connected in parallel, and the four output IDTs 24, 25, 26, 27 are also connected in parallel. The aperture length of each IDT 21-27 is 30λ, and 2
It is composed of 0.5 pairs of electrode fingers, and the reflectors 28 and 29 are composed of 120 metal strips. ID
T21 to 27 and the reflectors 28 and 29 have the same periodic structure. The IDT and the IDT and the reflector and the IDT are also formed at the same period, and the electrode structure column 20 as a whole has the same periodic structure.

【0013】電極構造列30では、4つの入力用IDT
31、32、33、34と3つの出力用IDT35、3
6、37が交互に配置され、これら入力用IDT31、
32、33、34と、出力用IDT35、36、37が
一対の反射器38、39により挟まれている。4つの入
力用IDT31、32、33、34は並列接続され、3
つの出力用IDT35、36、37も並列接続されてい
る。各IDT31〜37の開口長は30λであり、2
0.5対の電極指により構成され、反射器38、39は
120本の金属ストリップにより構成されている。ID
T31〜37及び反射器38、39は同一の周期構造で
あり、IDTとIDT間及び反射器とIDT間も同じ周
期で形成され、電極構造列30全体として同一の周期構
造をしている。
In the electrode structure column 30, four input IDTs are used.
31, 32, 33, 34 and three output IDTs 35, 3
6, 37 are alternately arranged, and these input IDTs 31,
32, 33, 34 and output IDTs 35, 36, 37 are sandwiched by a pair of reflectors 38, 39. The four input IDTs 31, 32, 33 and 34 are connected in parallel and
One output IDT 35, 36, 37 is also connected in parallel. The aperture length of each IDT 31 to 37 is 30λ, and 2
It is composed of 0.5 pairs of electrode fingers, and the reflectors 38, 39 are composed of 120 metal strips. ID
T31 to 37 and the reflectors 38 and 39 have the same periodic structure. The IDT and the IDT and the reflector and the IDT are also formed at the same period, and the electrode structure array 30 has the same periodic structure as a whole.

【0014】各電極構造列20、30は単独でも弾性表
面波装置を構成することが可能であるが、本実施例では
2つの電極構造列20と30を縦続接続して全体として
弾性表面波フィルタを実現している。
Although each of the electrode structure rows 20 and 30 can constitute a surface acoustic wave device by itself, in the present embodiment, two electrode structure rows 20 and 30 are connected in cascade to form a surface acoustic wave filter as a whole. Has been realized.

【0015】次に、本実施例の製造方法を図2を用いて
説明する。先ず、36゜回転Y板−X伝搬のLiTaO
3基板10(図2(a))上に、窒化物層40を形成す
る。窒化物層40として、岩塩(NaCl)型の結晶構
造を有する組成比1:1の窒化チタン(TiN)を用い
た。この窒化物層40は、窒化チタン焼結体ターゲット
を用いたRFマグネトロンスパッタにより、膜厚は20
nmに作製され、(111)面に配向する。窒化チタン
の(111)面での原子間距離が4.240Åであり、
面心立方構造のアルミニウム(Al)結晶の最も原子密
度の高く、安定な面である(111)面での原子間間隔
4.049Åとほぼ等しい。そのため、窒化物層上にA
lを形成した際、格子不整合による転移が少なく、Al
の(111)面の成長が比較的起きやすい。
Next, the manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG. First, 36 ° rotating Y plate-X propagation LiTaO
3 A nitride layer 40 is formed on the substrate 10 (FIG. 2A). As the nitride layer 40, titanium nitride (TiN) having a rock salt (NaCl) type crystal structure and a composition ratio of 1: 1 was used. The nitride layer 40 has a film thickness of 20 by RF magnetron sputtering using a titanium nitride sintered target.
nm, and is oriented in the (111) plane. The interatomic distance on the (111) plane of titanium nitride is 4.240Å,
This is almost equal to the interatomic spacing of 4.049Å on the (111) plane, which is the stablest and highest in atomic density of the face-centered cubic aluminum (Al) crystal. Therefore, A on the nitride layer
When 1 is formed, there are few dislocations due to lattice mismatch, and Al
(111) plane growth is relatively easy to occur.

【0016】次に、この窒化物層40の表面を大気中に
露呈することなく、(基板を大気中に取り出すことな
く)窒化物層40上に、80nmのAl−0.5wt%
Co合金からなる金属膜42を、DCマグネトロンスパ
ッタリング法によって、引き続き連続形成する。(図2
(b))窒化物層40上に金属層42が積層された電極
層のシート抵抗値は、5μΩ・cmであり、弾性表面波
装置に用いる電極の抵抗値として、十分に低い値であ
る。
Next, without exposing the surface of the nitride layer 40 to the atmosphere (without taking the substrate into the atmosphere), 80 nm Al-0.5 wt% of 80 nm is formed on the nitride layer 40.
The metal film 42 made of a Co alloy is continuously formed by the DC magnetron sputtering method. (Fig. 2
(B) The sheet resistance value of the electrode layer in which the metal layer 42 is laminated on the nitride layer 40 is 5 μΩ · cm, which is a sufficiently low value as the resistance value of the electrode used in the surface acoustic wave device.

【0017】金属層42上にレジスト層44を塗布し、
電極構造列20、30を形成するための形状にパターニ
ングする(図2(c))。次に、レジスト層44をマス
クとして、電極層の不用部分をBCl3:Cl2=1:1
の雰囲気ガスを用いたドライエッチング法によって除去
する。(図2(d))。最後に、レジスト層44を除去
して、電極構造列20、30の加工を終了する。(図2
(d))
A resist layer 44 is coated on the metal layer 42,
Patterning is performed in a shape for forming the electrode structure rows 20 and 30 (FIG. 2C). Next, using the resist layer 44 as a mask, the unnecessary portion of the electrode layer is covered with BCl 3 : Cl 2 = 1: 1.
It is removed by the dry etching method using the atmospheric gas. (FIG. 2 (d)). Finally, the resist layer 44 is removed, and the processing of the electrode structure rows 20 and 30 is completed. (Fig. 2
(D))

【0018】本実施例の弾性表面波装置の耐電力性につ
いて評価した。400mWの電力を弾性表面波装置に印
加し、弾性表面波装置の電気的特性が劣化するまでの時
間(MTF)を測定することにより評価した。本実施例
において、この時間は2500時間であった。比較例と
して、厚さ100nmのAl−0.5wt%Co合金か
らなる金属層のみにより電極構造列20、30を形成し
た弾性表面波装置について測定した。比較例の場合に
は、同一の400mWの印加電力に対して電気的特性が
劣化するまでの時間は2000時間であった。このよう
に本実施例によれば、耐電力性に関して、比較例に対し
て25%の改善がみられた。
The power resistance of the surface acoustic wave device of this example was evaluated. It was evaluated by applying a power of 400 mW to the surface acoustic wave device and measuring the time (MTF) until the electrical characteristics of the surface acoustic wave device were deteriorated. In this example, this time was 2500 hours. As a comparative example, a surface acoustic wave device in which the electrode structure rows 20 and 30 were formed only by a metal layer made of an Al-0.5 wt% Co alloy having a thickness of 100 nm was measured. In the case of the comparative example, it took 2000 hours until the electrical characteristics deteriorated with the same applied power of 400 mW. As described above, according to this example, the power durability was improved by 25% as compared with the comparative example.

【0019】本発明は、上記の実施例に限定されるもの
ではなく、以下のような態様も可能である。TiNの膜
厚hは、圧電性基板の表面を均一に覆うことができれば
良く、通常は、5nm以上あれば良い。図3に全体の厚
さを一定として、TiNの膜厚の割合を変化させた場合
の伝搬損失および電気機械結合係数を示す。特に、この
膜厚が、表面波波長の1.5%を超えると、電気機械結
合係数が減少し、弾性表面波装置の特性が劣化するので
好ましくない。また、通常、TiNなどの窒化物層は、
弾性表面波の伝搬損失が十分に低くなる(0.1dB/
λ以下となる)厚さとすることが望ましい。
The present invention is not limited to the above embodiment, but the following modes are also possible. The film thickness h of TiN should be such that it can uniformly cover the surface of the piezoelectric substrate, and it is usually 5 nm or more. FIG. 3 shows the propagation loss and the electromechanical coupling coefficient when the ratio of the TiN film thickness is changed while keeping the total thickness constant. In particular, if this film thickness exceeds 1.5% of the surface wave wavelength, the electromechanical coupling coefficient decreases and the characteristics of the surface acoustic wave device deteriorate, which is not preferable. Also, a nitride layer such as TiN is usually
The propagation loss of surface acoustic waves is sufficiently low (0.1 dB /
The thickness is preferably λ or less).

【0020】金属膜のアルミニウムに添加するCo、N
i、Mo等の量は、5.0wt%を超えると、電極指の
抵抗が上昇し、挿入損失の増大等が生じるため望ましく
ない。また、0.1wt%未満では、ストレスマイグレ
ーションに対する耐性を充分高めることができない。
Co, N added to aluminum of the metal film
If the amount of i, Mo, etc. exceeds 5.0 wt%, the resistance of the electrode fingers increases, and the insertion loss increases, which is not desirable. If it is less than 0.1 wt%, the resistance to stress migration cannot be sufficiently enhanced.

【0021】窒化物層及びAl、Al合金の金属膜をス
パッタリング法で形成したが、電極層の組成が同一であ
れば、蒸着法、CVD法等でも形成できるが、窒化物層
の結晶配向性を高くできるので、窒化物層の形成にはス
パッタリング法が望ましい。また、金属膜は、酸化され
ず、清浄な窒化物層の表面に連続的に形成することが、
金属膜の配向性を高めることができるので望ましい。
The nitride layer and the metal film of Al or Al alloy were formed by the sputtering method. If the electrode layers have the same composition, they can be formed by the vapor deposition method, the CVD method or the like, but the crystal orientation of the nitride layer. The sputtering method is desirable for forming the nitride layer because it can increase the film thickness. Further, the metal film is not oxidized and may be continuously formed on the surface of the clean nitride layer,
It is desirable because the orientation of the metal film can be enhanced.

【0022】また、上記実施例では、遷移金属窒化物と
してTiNをとりあげたが、ZrN、HfN等の他の遷
移金属窒化物を使用しても良く、金属層と窒化物層の原
子間隔は15%程度ずれていても良い。このような遷移
金属窒化物としては、タングステン、スカンジウム、バ
ナジウムなどの窒化物を用いることもできる。上記実施
例では、Al合金への添加元素としてCoをとりあげた
が、Ni、Moなどの他の金属でもよい。圧電性基板と
しては、水晶、LiNbO3、Li247などの単結
晶、ZnOなどの圧電薄膜を用いることもできる。
Although TiN is taken as the transition metal nitride in the above embodiments, other transition metal nitrides such as ZrN and HfN may be used, and the atomic spacing between the metal layer and the nitride layer is 15. It may be off by about%. A nitride of tungsten, scandium, vanadium, or the like can also be used as such a transition metal nitride. Although Co is taken as the additive element to the Al alloy in the above embodiment, other metals such as Ni and Mo may be used. As the piezoelectric substrate, a crystal, a single crystal such as LiNbO 3 , Li 2 B 4 O 7 or the like, or a piezoelectric thin film such as ZnO can also be used.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明は、圧電性基板上にインタデジタ
ル電極が形成された弾性表面波装置において、前記イン
タデジタル電極が、(a)金属層、および(b)該金属
層と前記圧電性基板との間に設けられ、該金属層の主な
構成元素の原子間距離と同程度の原子間距離を有する遷
移金属窒化物からなる窒化物層を含むこと、または、製
造方法において、(a)圧電性基板上に遷移金属窒化物
からなる窒化物層を形成し、(b)前記窒化物層上にイ
ンタデジタル電極を構成するた金属層を形成するもので
ある。
The present invention provides a surface acoustic wave device having an interdigital electrode formed on a piezoelectric substrate, wherein the interdigital electrode is (a) a metal layer, and (b) the metal layer and the piezoelectric layer. The method includes a nitride layer which is provided between the substrate and a transition metal nitride and has an interatomic distance that is approximately the same as the interatomic distance of the main constituent elements of the metal layer. ) A nitride layer made of a transition metal nitride is formed on a piezoelectric substrate, and (b) a metal layer forming an interdigital electrode is formed on the nitride layer.

【0024】本発明によれば、インタデジタル電極の圧
電性基板に接する部分を遷移金属窒化物からなる窒化物
層により構成しており、この窒化物層は金属層よりも機
械的強度に優れ、また、原子間距離がほぼ等しいため配
向性の高い金属層が形成されるため、ストレスマイグレ
ーションに対する高い耐性を有する。したがって、スト
レスマイグレーションに対する充分な耐性を有し、耐電
力性に優れた電極より成る弾性表面波装置が可能とな
る。
According to the present invention, the portion of the interdigital electrode in contact with the piezoelectric substrate is composed of a nitride layer made of a transition metal nitride, and the nitride layer has a mechanical strength superior to that of the metal layer. Further, since the interatomic distances are almost equal, a highly oriented metal layer is formed, and therefore, it has high resistance to stress migration. Therefore, it is possible to provide a surface acoustic wave device including electrodes having sufficient resistance to stress migration and excellent power resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の電極構成を説明するための概
念平面図である。
FIG. 1 is a conceptual plan view for explaining an electrode configuration of an example of the present invention.

【図2】本発明の実施例の電極製造工程を説明するため
の概念断面図である。
FIG. 2 is a conceptual cross-sectional view for explaining an electrode manufacturing process of an example of the present invention.

【図3】TiNの膜厚の割合を変化させた場合の伝搬損
失および電気機械結合係数を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a propagation loss and an electromechanical coupling coefficient when the ratio of the TiN film thickness is changed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板(圧電性基板) 20、30 電極構造列 21、22、23、31、32、33、34 入力用I
DT 24、25、26、27、35、36、37 出力用I
DT 28、29、38、39 反射器 40 窒化物層 42 金属層 44 レジスト層
10 Substrate (Piezoelectric Substrate) 20, 30 Electrode Structure Row 21, 22, 23, 31, 32, 33, 34 Input I
DT 24, 25, 26, 27, 35, 36, 37 Output I
DT 28, 29, 38, 39 Reflector 40 Nitride layer 42 Metal layer 44 Resist layer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】圧電性基板上にインタデジタル電極が形成
された弾性表面波装置において、 前記インタデジタル電極が、(a)金属層、および
(b)該金属層と前記圧電性基板との間に設けられ、該
金属層の主な構成元素の原子間距離と同程度の原子間距
離を有する遷移金属窒化物からなる窒化物層を含むこと
を特徴とする弾性表面波装置。
1. A surface acoustic wave device having an interdigital electrode formed on a piezoelectric substrate, wherein the interdigital electrode comprises: (a) a metal layer; and (b) a space between the metal layer and the piezoelectric substrate. And a nitride layer made of a transition metal nitride having an interatomic distance of about the same as the interatomic distance of the main constituent elements of the metal layer.
【請求項2】(a)圧電性基板上に遷移金属窒化物から
なる窒化物層を形成し、(b)前記窒化物層上にインタ
デジタル電極を構成する金属層を形成することを特徴と
する弾性表面波装置の製造方法。
2. A method comprising: (a) forming a nitride layer made of a transition metal nitride on a piezoelectric substrate; and (b) forming a metal layer forming an interdigital electrode on the nitride layer. Method of manufacturing surface acoustic wave device.
【請求項3】前記金属層が、アルミニウム(Al)を主
成分とする請求項1記載の弾性表面波装置。
3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the metal layer contains aluminum (Al) as a main component.
【請求項4】前記遷移金属窒化物がチタン(Ti)、ジ
ルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タングステ
ン(W)、スカンジウム(Sc)、バナジウム(V)の
少なくとも1種類の窒化物を主成分とする請求項1記載
の弾性表面波装置。
4. The main component of the transition metal nitride is at least one nitride of titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), tungsten (W), scandium (Sc), vanadium (V). The surface acoustic wave device according to claim 1.
【請求項5】前記金属層に、コバルト(Co)、ニッケ
ル(Ni)および/またはモリブデン(Mo)が添加さ
れている請求項3記載の弾性表面波装置。
5. The surface acoustic wave device according to claim 3, wherein cobalt (Co), nickel (Ni) and / or molybdenum (Mo) is added to the metal layer.
JP34903393A 1993-12-28 1993-12-28 Surface acoustic wave device and its manufacture Pending JPH07202626A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34903393A JPH07202626A (en) 1993-12-28 1993-12-28 Surface acoustic wave device and its manufacture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34903393A JPH07202626A (en) 1993-12-28 1993-12-28 Surface acoustic wave device and its manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07202626A true JPH07202626A (en) 1995-08-04

Family

ID=18401042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34903393A Pending JPH07202626A (en) 1993-12-28 1993-12-28 Surface acoustic wave device and its manufacture

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07202626A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005136801A (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Kyocera Kinseki Corp Electrode structure for piezoelectric vibrator
US7467447B2 (en) 2001-09-21 2008-12-23 Tdk Corporation Method of manufacturing a SAW device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7467447B2 (en) 2001-09-21 2008-12-23 Tdk Corporation Method of manufacturing a SAW device
JP2005136801A (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Kyocera Kinseki Corp Electrode structure for piezoelectric vibrator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI762832B (en) Surface acoustic wave device
US7888841B2 (en) Boundary acoustic wave device
JP3205976B2 (en) Surface acoustic wave device
US7535152B2 (en) Lamb wave device
JP4279271B2 (en) Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
JP3885824B2 (en) Surface acoustic wave device
JP3163606B2 (en) Surface acoustic wave device
CN113328723B (en) Elastic wave resonator and preparation method thereof
JPH1174751A (en) Surface acoustic wave device
WO2020204045A1 (en) High-order mode surface acoustic wave device
US20090085429A1 (en) Surface acoustic wave device
JP3735550B2 (en) Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
JP2006295976A (en) Surface acoustic wave device
US7705515B2 (en) Surface acoustic wave device
JP3106912B2 (en) Method of manufacturing edge reflection type surface acoustic wave device
JPH05335879A (en) Surface acoustic wave element
JPH07202626A (en) Surface acoustic wave device and its manufacture
JP3248258B2 (en) Surface acoustic wave device
JPH08316782A (en) Surface acoustic wave element
JP2001094382A (en) Surface acoustic wave device and its manufacturing method
JPH08148966A (en) Surface acoustic wave element electrode
JP2006229937A (en) Surface acoustic wave device
JP2004080408A (en) Ladder saw filter and manufacturing method thereof
JP2001094383A (en) Surface acoustic wave device and its manufacturing method
JPH06350382A (en) Surface acoustic wave device