JPH07202278A - Superconductive thin film - Google Patents
Superconductive thin filmInfo
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- JPH07202278A JPH07202278A JP5348977A JP34897793A JPH07202278A JP H07202278 A JPH07202278 A JP H07202278A JP 5348977 A JP5348977 A JP 5348977A JP 34897793 A JP34897793 A JP 34897793A JP H07202278 A JPH07202278 A JP H07202278A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、人体あるいは生物体か
ら発生する磁場の計測を行うための医療用診断装置、材
料の透磁率を測定するための物性測定装置、磁気的な信
号伝送のインターフェイスのための通信装置等に用いる
超伝導薄膜に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a medical diagnostic device for measuring a magnetic field generated from a human body or a living body, a physical property measuring device for measuring magnetic permeability of a material, and a magnetic signal transmission interface. The present invention relates to a superconducting thin film used for a communication device or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、人体あるいは生物体から発生する
磁場の計測を行うための医療用診断装置、材料の透磁率
を測定するための物性測定装置、磁気的な信号伝送のイ
ンターフェイスのための通信装置に用いるＳＱＵＩＤ磁
束計のピックアップコイルとＳＱＵＩＤチップの超伝導
接続（超伝導コンタクト）には、超伝導ワイヤボンディ
ング等が用いられていた。2. Description of the Related Art Conventionally, a medical diagnostic device for measuring a magnetic field generated from a human body or a living organism, a physical property measuring device for measuring magnetic permeability of a material, and communication for a magnetic signal transmission interface. Superconducting wire bonding or the like was used for the superconducting connection (superconducting contact) between the pickup coil of the SQUID magnetometer used in the device and the SQUID chip.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来は、ボン
ディング材料として、鉛・インジウム・金合金などの低
融点金属が使われており、これらの低融点金属は熱サイ
クル湿度変化に弱い、という欠点があった。また、ワイ
ヤボンディングを用いると、その引き回しの長さにより
寄生インダクタンスが生じ、磁束計としての特性を悪化
させる、という欠点もあった。また、従来の超伝導コン
タクトでは、低融点金属を用いるボンディングにおいて
も、ボンディングパッドと低融点金属ワイヤの接着強度
を確保するため、ボンディングパッド最上層に金などの
薄膜を設けて糊材の役目を果たさせる必要があった。ま
た、従来のＳＱＵＩＤ磁束計に使用されていたピックア
ップコイルは、ピックアップコイルが磁場を検出する方
式のＳＱＵＩＤ磁束計であっても、基板の上に薄膜で形
成する場合は、基板に垂直な方向の磁場しか感度がなか
った。また、磁場の３次元的なベクトルを検出したい場
合には、ピックアップコイル自体を３次元的な構造物と
しなければならなかった。したがって、この場合には、
薄膜フォトリソグラフィ技術などを利用することができ
ず、生産性が悪く、多チャンネル化したときに全体の大
きさが大きくなるという欠点があった。この事情は、Ｓ
ＱＵＩＤループが直接に磁場を検出する方式のＳＱＵＩ
Ｄ磁束計においても同様であった。本発明は、上記の問
題点を解決するためになされたものであり、簡易な構成
で超伝導接続可能で、基板に対し垂直でない磁場も検出
しうる超伝導薄膜を提供することを目的とする。However, conventionally, low-melting-point metals such as lead-indium-gold alloys have been used as bonding materials, and these low-melting-point metals are vulnerable to changes in heat cycle humidity. was there. Further, when wire bonding is used, there is a drawback that parasitic inductance is generated due to the length of the wiring and the characteristics of the magnetometer are deteriorated. Further, in the conventional superconducting contact, even in the bonding using a low melting point metal, a thin film such as gold is provided on the uppermost layer of the bonding pad in order to secure the bonding strength between the bonding pad and the low melting point metal wire, which serves as a paste material. I needed to get it done. Further, even if the pickup coil used in the conventional SQUID magnetometer is a SQUID magnetometer of a type in which the pickup coil detects a magnetic field, when it is formed as a thin film on the substrate, Only the magnetic field was sensitive. Further, in order to detect the three-dimensional vector of the magnetic field, the pickup coil itself had to be a three-dimensional structure. So in this case,
There is a drawback that the thin film photolithography technology cannot be used, the productivity is poor, and the total size becomes large when the number of channels is increased. This situation is S
SQUI of the method that the QUID loop directly detects the magnetic field
The same was true for the D magnetometer. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a superconducting thin film capable of superconducting connection with a simple structure and capable of detecting a magnetic field not perpendicular to the substrate. .
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る超伝導薄膜は、基板上に成膜された
後、反りにより基板から浮上するように形成されて構成
される。上記において、前記反りは、内部応力を有する
超伝導薄膜内の応力を開放し機械的に変形させることに
より実現されてもよい。また、前記反りは、内部応力を
有する他の超伝導薄膜又は薄膜を前記超伝導薄膜上に積
層し当該他の超伝導薄膜又は薄膜の内部の応力を開放し
機械的に変形させることにより実現されてもよい。ま
た、前記応力の開放は、前記超伝導薄膜の形成前の下地
上に他の薄膜を成膜し当該他の薄膜を前記超伝導薄膜形
成後に除去することにより実現されてもよい。そして、
前記内部応力の発生は、前記超伝導薄膜をガス圧を制御
してスパッタ成膜することにより実現されてもよい。ま
た、上記において、前記内部応力の発生は、前記他の超
伝導薄膜又は薄膜をガス圧を制御してスパッタ成膜する
ことにより実現されてもよい。また、前記機械的に変形
した前記超伝導薄膜の弾性復元力により超伝導接続をと
る接続端子を構成してもよい。あるいは、前記機械的変
形により基板から３次元的に浮上するように形成された
ことにより超伝導磁気ピックアップコイルを構成しても
かまわない。また、前記機械的変形により基板から３次
元的に浮上するように形成されたことによりＳＱＵＩＤ
ループを構成してもよい。また、前記超伝導接続により
ジョセフソン接合を構成してもよい。あるいは、前記超
伝導磁気ピックアップコイルを磁場中に置き電気的また
は機械的に振動させ前記超伝導磁気ピックアップコイル
が前記磁場中を横切ることによって発生する電圧を測定
して前記磁場を検出する磁場計を構成してもよい。そし
て、前記反りを多数設けることにより、ボンディングワ
イヤとの接着力を増強したボンディングパッドを構成し
てもかまわない。In order to solve the above problems, a superconducting thin film according to the present invention is formed on a substrate and then formed so as to float above the substrate due to warpage. In the above, the warpage may be realized by releasing stress in the superconducting thin film having internal stress and mechanically deforming it. Further, the warp is realized by laminating another superconducting thin film or thin film having an internal stress on the superconducting thin film and releasing the internal stress of the other superconducting thin film or thin film to mechanically deform it. May be. Further, the release of the stress may be realized by forming another thin film on the lower surface before forming the superconducting thin film and removing the other thin film after forming the superconducting thin film. And
The generation of the internal stress may be realized by sputtering the superconducting thin film while controlling the gas pressure. Further, in the above, the generation of the internal stress may be realized by forming the other superconducting thin film or thin film by sputtering while controlling the gas pressure. Further, a connection terminal that establishes a superconducting connection may be configured by elastic restoring force of the mechanically deformed superconducting thin film. Alternatively, the superconducting magnetic pickup coil may be constructed by being formed so as to be three-dimensionally levitated from the substrate by the mechanical deformation. In addition, the SQUID is formed so as to float three-dimensionally from the substrate by the mechanical deformation.
You may comprise a loop. Moreover, you may comprise a Josephson junction by the said superconducting connection. Alternatively, a magnetic field meter that detects the magnetic field by placing the superconducting magnetic pickup coil in a magnetic field and electrically or mechanically oscillating the superconducting magnetic pickup coil to measure a voltage generated by crossing the magnetic field is detected. You may comprise. A plurality of warps may be provided to form a bonding pad having an increased adhesive force with the bonding wire.
【０００５】[0005]
【作用】上記構成を有する本発明に係る超伝導薄膜によ
れば、ニオブ（Ｎb ）等の高融点金属により超伝導接続
がとれるので、熱サイクル湿度変化に強く、薄膜フォト
リソグラフィ技術などにより非常に小さい寸法のものを
作成できるので、ワイヤー引き回しによる寄生インダク
タンスが発生しない超伝導接続が可能となる。また、本
発明に係る超伝導薄膜によれば、ボンディングパッド反
りを多数設けることにより表面の凹凸が増えボンディン
グワイヤの接着力も増強されるので、従来のボンディン
グパッド上層の金等の糊材は不要となる。さらに、本発
明に係る超伝導薄膜によれば、基板は２次元（平面）の
構造を保持しているが、超伝導薄膜は基板に垂直でない
構造を持つので、基板に垂直でない磁場に最大感度を有
する。したがって、３次元的なベクトル（磁場方向成
分）を検出したい場合でも、ピックアップコイルを３次
元的な構造物とする必要はなく、平面的な構造のままで
検出することができる。したがって、従来の薄膜フォト
リソグラフィ技術などを十分活用することができ、生産
性が良く、多チャンネル化したときに全体の大きさが大
きくなることもない。According to the superconducting thin film of the present invention having the above-mentioned constitution, since the superconducting connection can be established by the refractory metal such as niobium (Nb), it is resistant to the heat cycle humidity change, and can be remarkably used by the thin film photolithography technique. Since it is possible to create a small size, it is possible to make a superconducting connection in which parasitic inductance due to wire routing does not occur. Further, according to the superconducting thin film of the present invention, by providing a large number of bonding pad warps, surface irregularities are increased and the adhesive strength of the bonding wires is enhanced, so that a conventional paste material such as gold on the bonding pad is unnecessary. Become. Further, according to the superconducting thin film of the present invention, the substrate retains a two-dimensional (planar) structure, but since the superconducting thin film has a structure that is not perpendicular to the substrate, it has the maximum sensitivity to a magnetic field that is not perpendicular to the substrate. Have. Therefore, even when it is desired to detect a three-dimensional vector (magnetic field direction component), the pickup coil does not need to be a three-dimensional structure and can be detected with a planar structure. Therefore, the conventional thin film photolithography technology can be fully utilized, the productivity is good, and the total size does not become large when the number of channels is increased.
【０００６】[0006]
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面にもとづいて
説明する。図１は、本発明の一実施例である超伝導薄膜
の形成方法を示す図である。まず、図１（Ａ）に示すよ
うに、シリコン（Ｓi ）ウェハ等のシリコン基板１の上
にニオブ（Ｎb ）を薄膜状に成膜しＮb 薄膜２を形成す
る。次に、図１（Ｂ）に示すように、Ｎb 薄膜２上に、
アルミニウム（Ａl ）を薄膜状に成膜し、これをパター
ニングして先のＮb 薄膜２が露出するようにしてＡl 薄
膜３を形成するのである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a method of forming a superconducting thin film which is an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1A, niobium (Nb) is formed into a thin film on a silicon substrate 1 such as a silicon (Si) wafer to form an Nb thin film 2. Next, as shown in FIG. 1B, on the Nb thin film 2,
Aluminum (Al) is formed into a thin film, and this is patterned to form the Al thin film 3 so that the Nb thin film 2 is exposed.
【０００７】次に、図１（Ｃ）に示すように、上記のＡ
l 薄膜３上に、ニオブ（Ｎb ）を薄膜状にし、このＮb
薄膜表面の内部応力が引張応力となるようにしてＮb 薄
膜４を形成する。この場合、薄膜形成はスパッタ成膜法
によって行うが、その際、薄膜形成物質のガス圧を制御
することにより、薄膜形成物質の内部に引張応力を発生
させることができる。このことより、Ｎb 薄膜４の表面
の内部応力が引張応力となるように調節することができ
る。Next, as shown in FIG.
l Niobium (Nb) is formed into a thin film on the thin film 3 and
The Nb thin film 4 is formed so that the internal stress on the thin film surface becomes tensile stress. In this case, the thin film is formed by the sputter film forming method. At this time, by controlling the gas pressure of the thin film forming substance, tensile stress can be generated inside the thin film forming substance. As a result, the internal stress on the surface of the Nb thin film 4 can be adjusted to be a tensile stress.
【０００８】最後に、アルミニウムのみを溶かす薬液に
より上記のＡl 薄膜３を除去すると、Ｓi 基板１上にＮ
b 薄膜２および４により超伝導薄膜５が形成される。こ
の場合、Ｎb 薄膜４の上層表面の内部応力のみが引張応
力となっているので、Ｎb 薄膜４の上層表面のみが収縮
しようとするので、図１（Ｄ）に示すように、超伝導薄
膜５の上部が上方に反り返った形となり、超伝導薄膜５
の上部は一種のバネを構成するになる。この反りを多数
設けることにより、ボンディングワイヤとの接着力を増
強したボンディングパッドを構成することができる。Finally, when the Al thin film 3 is removed by a chemical solution that dissolves only aluminum, N is left on the Si substrate 1.
b The thin films 2 and 4 form a superconducting thin film 5. In this case, since only the internal stress of the upper layer surface of the Nb thin film 4 is the tensile stress, only the upper layer surface of the Nb thin film 4 tries to contract, and as shown in FIG. The upper part of the film is warped upward, and the superconducting thin film 5
The upper part of the will form a kind of spring. By providing a large number of such warps, it is possible to configure a bonding pad with an increased adhesive force with the bonding wire.
【０００９】図２は、図１と同様な方法により形成され
たＳi 基板１１上のバネ状の超伝導薄膜１５を利用して
超伝導接続装置を構成した例を示している。図に示すよ
うに、非常に小さい寸法で超伝導コンタクトを実現して
いることがわかる。この超伝導コンタクトを利用してジ
ョセフソン接合を構成することができる。FIG. 2 shows an example in which a superconducting connecting device is constructed by using a spring-shaped superconducting thin film 15 on a Si substrate 11 formed by the same method as in FIG. As shown in the figure, it can be seen that the superconducting contact is realized with a very small size. A Josephson junction can be formed using this superconducting contact.
【００１０】図３は、図１と同様の方法により形成され
たＳi 基板３１上のコイル状の超伝導薄膜３５を利用し
てＳＱＵＩＤ磁束計等に用いる超伝導磁気ピックアップ
コイルを構成した例を示している。図に示されていない
が、このコイル状超伝導薄膜３５には切れ目が形成され
ており、この切れ目から端子を取り出すことができるよ
うになっている。FIG. 3 shows an example in which a superconducting magnetic pickup coil for use in an SQUID magnetometer is constructed by using a coil-shaped superconducting thin film 35 on a Si substrate 31 formed by the same method as in FIG. ing. Although not shown in the figure, a cut is formed in this coil-shaped superconducting thin film 35, and the terminal can be taken out from this cut.
【００１１】なお、図３に示す実施例は、超伝導磁気ピ
ックアップコイルを用いるＳＱＵＩＤ磁束計について説
明しているが、まったく同じ原理により、超伝導磁気ピ
ックアップコイルを用いずＳＱＵＩＤループに直接磁場
を結合させる形式のＳＱＵＩＤ磁束計についても応用可
能である。その場合には、図示はしないが、上記の図３
のループにジョセフソン接合を挿入形成してＳＱＵＩＤ
磁束計を構成すればよい。Although the embodiment shown in FIG. 3 describes the SQUID magnetometer using the superconducting magnetic pickup coil, the magnetic field is directly coupled to the SQUID loop without using the superconducting magnetic pickup coil according to the same principle. It is also applicable to the SQUID magnetometer of the type. In that case, although not shown in FIG.
Josephson junction is inserted and formed in the loop of SQUID
A magnetometer may be configured.
【００１２】また、上記した図３に示す例のようにして
構成した超伝導磁気ピックアップコイルを磁場中に置
き、この超伝導磁気ピックアップコイルを電気的または
機械的に振動させると、超伝導磁気ピックアップコイル
がこの磁場中を横切ることによってコイル中に電圧が発
生する。この電圧を測定すれば上記の磁場を検出するこ
とができ、上記の超伝導磁気ピックアップコイルにより
磁場計を構成するができる。Further, when the superconducting magnetic pickup coil constructed as in the example shown in FIG. 3 is placed in a magnetic field and the superconducting magnetic pickup coil is electrically or mechanically vibrated, the superconducting magnetic pickup coil is picked up. A voltage is generated in the coil as the coil traverses this magnetic field. The magnetic field can be detected by measuring this voltage, and a magnetic field meter can be constituted by the superconducting magnetic pickup coil.
【００１３】以上本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明は、上記実施例に限定されるものではない。
上記実施例は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に
記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同
様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても
本発明の技術的範囲に包含される。Although the present invention has been described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments.
The above-mentioned embodiment is an exemplification, has substantially the same configuration as the technical idea described in the scope of the claims of the present invention, and has any similar effect to the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
【００１４】例えば、上記実施例においては、シリコン
基板上にニオブによる超伝導薄膜を形成する例について
説明したが、超伝導薄膜の材料は、ニオブ以外の物質で
あってもよい。また、上記実施例においては、超伝導薄
膜の反りは、内部応力を有する超伝導薄膜（Ｎb 薄膜）
内の応力（引張応力）を開放することにより超伝導薄膜
自体を機械的に変形させて実現する例について説明した
が、これは、超伝導薄膜上に他の超伝導薄膜又は薄膜を
積層形成し、この他の超伝導薄膜又は薄膜に内部応力を
発生させておき、この他の超伝導薄膜又は薄膜の内部の
内部応力を開放し機械的に変形させることにより実現し
てもかまわない。For example, in the above embodiment, an example of forming a superconducting thin film of niobium on a silicon substrate has been described, but the material of the superconducting thin film may be a substance other than niobium. In the above embodiment, the warp of the superconducting thin film is a superconducting thin film (Nb thin film) having internal stress
The example has been explained in which the superconducting thin film itself is mechanically deformed by releasing the internal stress (tensile stress), but this is achieved by stacking another superconducting thin film or thin films on the superconducting thin film. Alternatively, the internal stress may be generated in the other superconducting thin film or thin film, and the internal stress inside the other superconducting thin film or thin film may be released and mechanically deformed.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上説明したように、上記構成を有する
本発明に係る超伝導薄膜によれば、ニオブ（Ｎb ）等の
高融点金属により超伝導接続がとれるので、熱サイクル
湿度変化に強く、薄膜フォトリソグラフィ技術などによ
り非常に小さい寸法のものを作成できるので、ワイヤー
引き回しによる寄生インダクタンスが発生しない超伝導
接続が可能となる。また、本発明に係る超伝導薄膜によ
れば、ボンディングパッド反りを多数設けることにより
表面の凹凸が増えボンディングワイヤの接着力も増強さ
れるので、従来のボンディングパッド上層の金等の糊材
は不要となる。さらに、本発明に係る超伝導薄膜によれ
ば、基板は２次元（平面）の構造を保持しているが、超
伝導薄膜は基板に垂直でない構造を持つので、基板に垂
直でない磁場に最大感度を有する。したがって、３次元
的なベクトル（磁場方向成分）を検出したい場合でも、
ピックアップコイルを３次元的な構造物とする必要はな
く、平面的な構造のままで検出することができる。した
がって、従来の薄膜フォトリソグラフィ技術などを十分
活用することができ、生産性が良く、多チャンネル化し
たときに全体の大きさが大きくなることもない、という
効果を有している。As described above, according to the superconducting thin film of the present invention having the above-mentioned constitution, since the superconducting connection can be established by the high melting point metal such as niobium (Nb), it is strong against the heat cycle humidity change, Since very small dimensions can be created by thin film photolithography technology, superconducting connection without parasitic inductance due to wire routing is possible. Further, according to the superconducting thin film of the present invention, by providing a large number of bonding pad warps, surface irregularities are increased and the adhesive strength of the bonding wires is enhanced, so that a conventional paste material such as gold on the bonding pad is unnecessary. Become. Further, according to the superconducting thin film of the present invention, the substrate retains a two-dimensional (planar) structure, but since the superconducting thin film has a structure that is not perpendicular to the substrate, it has the maximum sensitivity to a magnetic field that is not perpendicular to the substrate. Have. Therefore, even if you want to detect a three-dimensional vector (magnetic field direction component),
The pickup coil does not have to be a three-dimensional structure, and detection can be performed with a planar structure. Therefore, the conventional thin film photolithography technique can be fully utilized, the productivity is good, and the overall size does not increase when the number of channels is increased.
【図１】本発明の一実施例である超伝導薄膜の形成方法
を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a method of forming a superconducting thin film which is an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す形成方法により形成された超伝導薄
膜を用いた超伝導接続装置の一実施例の構成を示す断面
図である。2 is a cross-sectional view showing a configuration of an example of a superconducting connection device using a superconducting thin film formed by the forming method shown in FIG.
【図３】図１に示す形成方法により形成された超伝導薄
膜を用いた磁気ピックアップコイルの一実施例の構成を
示す斜視図である。3 is a perspective view showing a configuration of an embodiment of a magnetic pickup coil using a superconducting thin film formed by the forming method shown in FIG.
１ Ｓi 基板 ２ Ｎb 薄膜 ３ Ａl 薄膜 ４ Ｎb 薄膜 ５ 超伝導薄膜 １１ Ｓi 基板 １５ 超伝導薄膜 ２１ Ｓi 基板 ２２ Ｎb 薄膜 ３１ Ｓi 基板 ３５ 超伝導薄膜 1 Si substrate 2 Nb thin film 3 Al thin film 4 Nb thin film 5 Superconducting thin film 11 Si substrate 15 Superconducting thin film 21 Si substrate 22 Nb thin film 31 Si substrate 35 Superconducting thin film
Claims (12)
から浮上するように形成されたことを特徴とする超伝導
薄膜。1. A superconducting thin film, which is formed on a substrate and then formed so as to float above the substrate due to warpage.
膜内の応力を開放し機械的に変形させることにより実現
されたことを特徴とする請求項１に記載した超伝導薄
膜。2. The superconducting thin film according to claim 1, wherein the warpage is realized by releasing stress in the superconducting thin film having internal stress and mechanically deforming the stress.
導薄膜又は薄膜を前記超伝導薄膜上に積層し当該他の超
伝導薄膜又は薄膜の内部の応力を開放し機械的に変形さ
せることにより実現されたことを特徴とする請求項１に
記載した超伝導薄膜。3. The warpage is formed by laminating another superconducting thin film or thin film having an internal stress on the superconducting thin film, releasing the internal stress of the other superconducting thin film or thin film, and mechanically deforming it. The superconducting thin film according to claim 1, which is realized by
成前の下地上に他の薄膜を成膜し当該他の薄膜を前記超
伝導薄膜形成後に除去することにより実現されたことを
特徴とする請求項２または請求項３に記載した超伝導薄
膜。4. The release of the stress is realized by forming another thin film on the ground before forming the superconducting thin film and removing the other thin film after forming the superconducting thin film. The superconducting thin film according to claim 2 or 3.
をガス圧を制御してスパッタ成膜することにより実現さ
れたことを特徴とする請求項２に記載した超伝導薄膜。5. The superconducting thin film according to claim 2, wherein the generation of the internal stress is realized by forming the superconducting thin film by sputtering while controlling the gas pressure.
薄膜又は薄膜をガス圧を制御してスパッタ成膜すること
により実現されたことを特徴とする請求項３に記載した
超伝導薄膜。6. The superconducting thin film according to claim 3, wherein the generation of the internal stress is realized by forming the other superconducting thin film or thin film by sputtering while controlling the gas pressure. .
弾性復元力により超伝導接続をとる接続端子を構成した
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載した超
伝導薄膜。7. The superconducting thin film according to claim 2, wherein the superconducting thin film comprises a connection terminal for making a superconducting connection by elastic restoring force of the mechanically deformed superconducting thin film.
に浮上するように形成されたことにより超伝導磁気ピッ
クアップコイルを構成したことを特徴とする請求項２ま
たは請求項３に記載した超伝導薄膜。8. The superconducting magnetic pickup coil according to claim 2, wherein the superconducting magnetic pickup coil is formed by being three-dimensionally levitated from the substrate by the mechanical deformation. Thin film.
に浮上するように形成されたことによりＳＱＵＩＤルー
プを構成したことを特徴とする請求項２または請求項３
に記載した超伝導薄膜。9. The SQUID loop is formed by being formed so as to be three-dimensionally levitated from the substrate by the mechanical deformation.
The superconducting thin film described in 1.
合を構成したことを特徴とする請求項７に記載した超伝
導薄膜。10. The superconducting thin film according to claim 7, wherein a Josephson junction is formed by the superconducting connection.
磁場中に置き電気的または機械的に振動させ前記超伝導
磁気ピックアップコイルが前記磁場中を横切ることによ
って発生する電圧を測定して前記磁場を検出する磁場計
を構成したことを特徴とする請求項８に記載した超伝導
薄膜。11. The magnetic field is detected by placing the superconducting magnetic pickup coil in a magnetic field and oscillating electrically or mechanically to measure a voltage generated by the superconducting magnetic pickup coil traversing the magnetic field to detect the magnetic field. The superconducting thin film according to claim 8, which constitutes a magnetic field meter.
ンディングワイヤとの接着力を増強したボンディングパ
ッドを構成したことを特徴とする請求項２または請求項
３に記載した超伝導薄膜。12. The superconducting thin film according to claim 2, wherein a bonding pad having an increased adhesive force with a bonding wire is formed by providing a plurality of the warps.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348977A JPH07202278A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Superconductive thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348977A JPH07202278A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Superconductive thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202278A true JPH07202278A (en) | 1995-08-04 |
Family
ID=18400660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5348977A Pending JPH07202278A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Superconductive thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202278A (en) |
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