JPH07201813A - Manufacture and manufacturing equipment for semiconductor device - Google Patents
Manufacture and manufacturing equipment for semiconductor deviceInfo
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- JPH07201813A JPH07201813A JP5334014A JP33401493A JPH07201813A JP H07201813 A JPH07201813 A JP H07201813A JP 5334014 A JP5334014 A JP 5334014A JP 33401493 A JP33401493 A JP 33401493A JP H07201813 A JPH07201813 A JP H07201813A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスにおけるレジストの剥離方法および剥離装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist stripping method and a stripping apparatus in a semiconductor device manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２は、従来技術による、酸素プラズマ
を用いるダウンフロー式レジストアッシング装置を示し
ている。マグネトロン１で発生したマイクロ波２が、導
波管３を伝わり、マイクロ波透過窓４Ａを透過してプラ
ズマ発生室５に導かれる。プラズマ発生室５には、O
2（酸素）ガス導入口６からO2ガスが導入されており、
ここで酸素プラズマ８が発生する。ここで解離した酸素
原子９は、シャワーヘッド１０を通ってダウンフロー室
１１へ流れ、試料台１２の上に載せられた半導体ウエハ
ー１３に到達する。一方、プラズマ８自体はシャワーヘ
ッド１０に遮られるので、半導体ウエハー１３に到達す
ることはない。従って、半導体ウエハー１３に悪影響を
及ぼす活性種は半導体ウエハー１３に到達せず、活性化
された酸素原子９のみによって、主に化学的反応によっ
てレジストがアッシングされる。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a conventional downflow type resist ashing apparatus using oxygen plasma. The microwave 2 generated by the magnetron 1 is transmitted through the waveguide 3, transmitted through the microwave transmission window 4A, and guided to the plasma generation chamber 5. O in the plasma generation chamber 5
O 2 gas is introduced from the 2 (oxygen) gas inlet 6,
Oxygen plasma 8 is generated here. The dissociated oxygen atoms 9 flow into the downflow chamber 11 through the showerhead 10 and reach the semiconductor wafer 13 mounted on the sample table 12. On the other hand, since the plasma 8 itself is blocked by the shower head 10, it does not reach the semiconductor wafer 13. Therefore, the active species that adversely affect the semiconductor wafer 13 do not reach the semiconductor wafer 13, and the activated oxygen atoms 9 alone ash the resist mainly by a chemical reaction.
【０００３】なお、チャンバー１４内は、排気口１５か
ら真空排気されている。従来、酸素プラズマを用いるレ
ジストアッシングでは、速いアッシングレートを得るた
め、プラズマ発生室５内に CF4（四弗化炭素）又はC2F6
（六弗化エタン）等のカーボンを含むフッ素系ガス、ま
たは NF3（三弗化窒素）等のカーボンを含まないフッ素
系ガスを添加している。アッシングレートが速くなる理
由は、酸素プラズマ中に CF4等を添加するとO2分子の解
離率が増加すること、及び CF4等自身も解離してアッシ
ング種であるフッ素原子１６を生成することによる。The inside of the chamber 14 is evacuated from the exhaust port 15. Conventionally, in resist ashing using oxygen plasma, in order to obtain a fast ashing rate, CF 4 (carbon tetrafluoride) or C 2 F 6 is placed in the plasma generation chamber 5.
A fluorine-based gas containing carbon such as (hexafluorofluoride) or a carbon-free fluorine-based gas such as NF 3 (nitrogen trifluoride) is added. The reason why the ashing rate becomes faster is that the dissociation rate of O 2 molecules increases when CF 4 or the like is added to oxygen plasma, and CF 4 or the like itself dissociates to generate fluorine atoms 16 which are ashing species. .
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、O2と CF4等
のカーボンを含むフッ素系ガスとが混合したガスをマイ
クロ波又は高周波でプラズマ化すると、アッシング種の
ほかに、CF4 等の解離によってカーボン系のデポ成分が
大量に生成する。これは、プラズマ発生室５内に堆積し
やすく、このデポ成分が大量に堆積すると、アッシング
種の生成を不安定にし、その結果アッシングレートまで
不安定にしてしまうという問題があった。By the way, when a gas in which O 2 and a fluorine-containing gas containing carbon such as CF 4 are mixed is turned into plasma by microwave or high frequency, in addition to ashing species, dissociation of CF 4 etc. This produces a large amount of carbon-based depot components. This is likely to be deposited in the plasma generation chamber 5, and if a large amount of this deposition component is deposited, the generation of ashing species becomes unstable, and as a result, the ashing rate becomes unstable.
【０００５】例えば、従来は、O2ガス導入口６からO2＋
CF4 混合ガスを流し、下記の条件でアッシング処理を行
っている。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ CF4 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、当初１．４μｍ／ｍｉｎあったアッシングレ
ートが、ウエハー１３を１００００枚処理した頃から低
下しはじめ、２５０００枚目には０．７μｍ／ｍｉｎま
で低下してしまう。[0005] For example, conventionally, the O 2 gas introduction port 6 O 2 +
The CF 4 mixed gas is flowed and the ashing process is performed under the following conditions. Pressure (down flow chamber): 1.0 Torr O 2 gas flow rate: 900 sccm CF 4 gas flow rate: 100 sccm Stage temperature: 25 ° C. Microwave output: 1.5 kW In this case, the ashing rate that was 1.4 μm / min initially was applied to the wafer. It started to decrease from the time of processing 10000 sheets of No. 13, and decreased to 0.7 μm / min at the 25000th sheet.
【０００６】これを初期の状態に回復させるには、アッ
シング装置の内部を開いて、プラズマ発生室５内に堆積
したカーボンを取り除く作業、またはプラズマ発生室５
の部品を交換する作業が必要となり、これに半日程度の
時間が必要となる。そこで、本発明は、プラズマ発生室
５にカーボン系のデポ成分が生成せず、安定したアッシ
ングレートを得ることができるレジストの剥離方法を実
現することを第１の目的とする。In order to recover this to the initial state, the inside of the ashing device is opened to remove the carbon deposited in the plasma generation chamber 5, or the plasma generation chamber 5
It is necessary to replace the parts of the above, and it takes about half a day. Therefore, a first object of the present invention is to realize a resist stripping method that does not generate a carbon-based deposition component in the plasma generation chamber 5 and can obtain a stable ashing rate.
【０００７】更に、従来は、マイクロ波透過窓４Ａに、
マイクロ波の透過率の高い石英製のものを使うことがで
きないという問題点があった。プラズマ発生室５内でCF
4 等が解離して生じたフッ素原子が、石英を侵食してし
まうからである。従って、従来は、マイクロ波の透過率
が低いアルミナ製の透過窓４Ａを使わざるを得ず、ここ
で出力の損失が生じ、十分なアッシングレートを得るこ
とができなかった。Further, conventionally, in the microwave transmitting window 4A,
There is a problem in that it is not possible to use a quartz product having a high microwave transmittance. CF in the plasma generation chamber 5
This is because the fluorine atom generated by dissociation of 4 etc. erodes quartz. Therefore, conventionally, there was no choice but to use the transmission window 4A made of alumina, which has a low microwave transmission rate, and output loss occurs here, and a sufficient ashing rate cannot be obtained.
【０００８】そこで、本発明は、石英製のマイクロ波透
過窓を使用できるようにして、十分なアッシングレート
を得ることを第２の目的とする。Therefore, a second object of the present invention is to make it possible to use a microwave transmitting window made of quartz and obtain a sufficient ashing rate.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明では、プラズマ発
生室５には、フッ素系ガスを添加しない。ダウンフロー
室１１内のアッシング種のダウンフロー領域に、フッ素
系ガスを添加する。これにより、プラズマ発生室５内に
カーボン系のデポ成分が付着しないので、アッシングレ
ートの経時的な低下は起こらない。更に、プラズマ発生
室５内にフッ素原子が存在しないため、石英製のプラズ
マ透過窓４を使用でき、十分なアッシングレートを得る
ことができる。In the present invention, no fluorine-based gas is added to the plasma generation chamber 5. Fluorine-based gas is added to the downflow region of the ashing species in the downflow chamber 11. As a result, the carbon-based deposition component does not adhere to the inside of the plasma generation chamber 5, so that the ashing rate does not decrease with time. Furthermore, since there are no fluorine atoms in the plasma generation chamber 5, the plasma transmission window 4 made of quartz can be used, and a sufficient ashing rate can be obtained.
【００１０】そもそもダウンフロー式レジストアッシン
グとは、プラズマ発生領域５から積極的に被処理物１３
を離して配置することにより、電子等の荷電粒子による
物理的ダメージを該被処理物１３に与えることなく、主
に化学的反応によってアッシングする方式である。従っ
て、一般に、プラズマから遠く離れたダウンフロー領域
には、プラズマから漏れ出した電子等の荷電粒子は存在
しないといわれている。実際、この領域にフッ素系ガス
を添加しても解離しない。In the first place, the downflow type resist ashing means that the object 13 to be processed is positively activated from the plasma generation region 5.
This is a method of ashing mainly by a chemical reaction by arranging them away from each other without causing physical damage to the object to be processed 13 due to charged particles such as electrons. Therefore, it is generally said that charged particles such as electrons leaking from the plasma do not exist in the downflow region far from the plasma. In fact, even if a fluorine-based gas is added to this region, it will not dissociate.
【００１１】しかし、気圧が低い場合、プラズマ近傍の
ダウンフロー領域には荷電粒子が漏れ出していることが
知られている。我々は、この領域で、フッ素系ガスが解
離することを見出した。本発明は、この現象を利用し、
プラズマ近傍のダウンフロー領域にフッ素系ガスを添加
することを特徴とする。However, it is known that when the atmospheric pressure is low, charged particles leak to the downflow region near the plasma. We found that fluorine-based gas dissociates in this region. The present invention utilizes this phenomenon,
It is characterized in that a fluorine-based gas is added to the downflow region near the plasma.
【００１２】[0012]
【作用】プラズマ発生室５で生成された電子等の荷電粒
子は、そのエネルギー及び密度を減衰しながら、シャワ
ーヘッド１０を通ってダウンフロー室１１へ漏れ出して
くる。漏れ出した電子の電子温度分布の実測データを図
３に示す。シャワーヘッド１０からの距離が離れるにし
たがい、電子温度は急激に減衰している。The charged particles such as electrons generated in the plasma generation chamber 5 leak to the downflow chamber 11 through the shower head 10 while attenuating the energy and density of the charged particles. The measured data of the electron temperature distribution of the leaked electrons is shown in FIG. As the distance from the shower head 10 increases, the electron temperature sharply decreases.
【００１３】この分布における電子温度が比較的高い領
域にフッ素系ガスを導入すると、解離してフッ素原子１
６が生成され、アッシングレートの向上に寄与する。な
お、この場合においては、プラズマ発生室５の酸素プラ
ズマ８中にフッ素系ガスを導入した場合のような酸素原
子の解離率を増加させる効果は無く、何ら対策を施さな
ければ、アッシングレートは従来例より２割程度低くな
ってしまう。しかし、マイクロ波透過窓４の材質にマイ
クロ波の透過率が高い石英を使うことができるため、結
果的に、アッシングレートは従来より向上する。When a fluorine-based gas is introduced into a region where the electron temperature in this distribution is relatively high, it dissociates and a fluorine atom 1
6 is generated, which contributes to the improvement of the ashing rate. In this case, there is no effect of increasing the dissociation rate of oxygen atoms as in the case where a fluorine-based gas is introduced into the oxygen plasma 8 of the plasma generation chamber 5, and if no measures are taken, the ashing rate is the same as in the conventional case. It will be about 20% lower than the example. However, since quartz having a high microwave transmission rate can be used as the material of the microwave transmission window 4, as a result, the ashing rate is improved as compared with the conventional case.
【００１４】[0014]
【実施例】図１は、本発明の一実施例を表すダウンフロ
ー式レジストアッシング装置である。従来例に対して、
フッ素系ガス導入口７を新設し、マイクロ波透過窓４の
材質を石英に変更した構造となっている。O2ガス導入口
６からは、O2ガスのみを流し、フッ素系ガスは導入しな
い。フッ素系ガスは、フッ素系ガス導入口７のみから導
入する。1 is a downflow type resist ashing apparatus showing an embodiment of the present invention. Compared to the conventional example,
The structure is such that a fluorine-based gas introduction port 7 is newly provided and the material of the microwave transmission window 4 is changed to quartz. Only O 2 gas is allowed to flow from the O 2 gas inlet 6 and fluorine gas is not introduced. The fluorine-based gas is introduced only through the fluorine-based gas inlet 7.
【００１５】フッ素系ガス導入口７は、シャワーヘッド
１０の下方１０ｍｍの位置に設けられている。図３よ
り、ダウンフロー室１１内のこの位置における、プラズ
マ発生室から漏れ出した電子の電子温度は４ｅＶであ
る。また、半導体ウエハー１３は、シャワーヘッド１０
の下方６０ｍｍの位置に設置されている。フッ素系ガス
導入口７からフッ素系ガスをこの領域に導入すると、フ
ッ素系ガスが解離してフッ素原子１６が生成され、これ
がウエハー１３に到達してアッシングレートの向上に寄
与する。つまり、従来はプラズマ発生室５内で生成され
ていたフッ素原子が、本実施例ではダウンフロー室１１
内で生成されることになる。The fluorine-based gas introduction port 7 is provided 10 mm below the shower head 10. From FIG. 3, the electron temperature of the electrons leaked from the plasma generation chamber at this position in the downflow chamber 11 is 4 eV. Further, the semiconductor wafer 13 is the shower head 10
It is installed at a position of 60 mm below. When the fluorine-based gas is introduced into this region through the fluorine-based gas introduction port 7, the fluorine-based gas is dissociated to generate fluorine atoms 16, which reach the wafer 13 and contribute to the improvement of the ashing rate. That is, the fluorine atoms, which were conventionally generated in the plasma generation chamber 5, are changed to the downflow chamber 11 in this embodiment.
Will be generated in.
【００１６】先ず、下記のように従来例と同一の条件を
設定し、アッシング処理を行う。同一条件といっても、
マイクロ波透過窓４が石英製に変更され、O2ガス導入口
６にはO2ガスのみを流し、 CF4ガスはフッ素系ガス導入
口７から導入している点は、従来例と異なっている。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ CF4 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、１．５μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られ、半導体ウエハー１３を２５０００枚処理した後
も、アッシングレートは１．５μｍ／ｍｉｎのまま変動
しなかった。First, ashing processing is performed under the same conditions as in the conventional example as described below. Even under the same conditions,
Microwave transmitting window 4 is changed to quartz, the O 2 gas introduction port 6 flows only O 2 gas, that CF 4 gas is introduced from the fluorine gas inlet 7, unlike the conventional example There is. Pressure (down flow chamber): 1.0 Torr O 2 gas flow rate: 900 sccm CF 4 gas flow rate: 100 sccm Stage temperature: 25 ° C. Microwave output: 1.5 kW In this case, an ashing rate of 1.5 μm / min is obtained and the semiconductor The ashing rate remained at 1.5 μm / min even after processing 25,000 wafers 13.
【００１７】アッシングレートが経時的に低下しないの
は、プラズマ発生室５に CF4を導入していないため、カ
ーボン系のデポ成分がプラズマ発生室５内に付着せず、
従って、プラズマ状態が安定しているためである。アッ
シングレートが従来例よりも向上しているのは、マイク
ロ波透過窓４が、マイクロ波の透過率の高い石英製のも
のに変更されていることによる。従来例においては、プ
ラズマ発生室５に導入された CF4が解離して生じるフッ
素原子が石英を侵食してしまうため、石英製のものは使
えなかった。本実施例では、 CF4をプラズマ発生室５内
に導入しておらず、プラズマ発生室５内にフッ素原子が
存在しないため、石英製のものが使用できる。The reason why the ashing rate does not decrease with time is that CF 4 is not introduced into the plasma generation chamber 5, so that the carbon-based deposition component does not adhere to the plasma generation chamber 5 and
Therefore, the plasma state is stable. The reason why the ashing rate is higher than that of the conventional example is that the microwave transmission window 4 is made of quartz, which has a high microwave transmission rate. In the conventional example, since the fluorine atoms generated by the dissociation of CF 4 introduced into the plasma generation chamber 5 erode the quartz, the quartz one cannot be used. In this embodiment, since CF 4 is not introduced into the plasma generation chamber 5 and fluorine atoms are not present in the plasma generation chamber 5, a quartz product can be used.
【００１８】なお、本実施例においては、プラズマ発生
室５に CF4を導入していないので、従来例のような CF4
によってO2分子の解離率を増加させる効果はない。この
ような不利益にもかかわらず、アッシングレートが従来
よりも向上するのは、上述の石英製のマイクロ波透過窓
４の効果が、かかる不利益を相殺して余りあるものだか
らである。[0018] In the present embodiment, since not introduced the CF 4 plasma generating chamber 5, CF 4 as in the prior art
Has no effect of increasing the dissociation rate of O 2 molecules. In spite of such disadvantages, the ashing rate is improved as compared with the conventional one because the effect of the above-mentioned quartz microwave transmission window 4 is enough to offset such a disadvantage.
【００１９】次に、カーボンを含むフッ素系ガスとして
C2F6を使用し、以下の条件でアッシング処理を行った。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ C2F6ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、１．４μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られ、半導体ウエハー１３を２５０００枚処理した後
も、アッシングレートは１．４μｍ／ｍｉｎのまま変動
しなかった。Next, as a fluorine-based gas containing carbon
Ashing treatment was performed using C 2 F 6 under the following conditions. Pressure (down flow chamber): 1.0 Torr O 2 gas flow rate: 900 sccm C 2 F 6 gas flow rate: 100 sccm Stage temperature: 25 ° C. Microwave output: 1.5 kW In this case, an ashing rate of 1.4 μm / min is obtained. After processing 25,000 semiconductor wafers 13, the ashing rate remained unchanged at 1.4 μm / min.
【００２０】次に、カーボンを含まないフッ素系ガス N
F3を使用し、以下の条件でアッシング処理を行った。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ NF3 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、２．０μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られた。Next, a fluorine-based gas N containing no carbon
Ashing treatment was performed under the following conditions using F 3 . Pressure (down flow chamber): 1.0 Torr O 2 gas flow rate: 900 sccm NF 3 gas flow rate: 100 sccm Stage temperature: 25 ° C. Microwave output: 1.5 kW In this case, an ashing rate of 2.0 μm / min was obtained.
【００２１】これに対し、従来の方法でプラズマ発生室
５に NF3を導入する方法では、アッシングレートは１．
８μｍ／ｍｉｎであった。本実施例においても、プラズ
マ発生室５に NF3を導入していないので、従来例のよう
な NF3によってO2分子の解離率を増加させる効果はな
い。このような不利益にもかかわらず、アッシングレー
トが従来よりも向上するのは、石英製のマイクロ波透過
窓４を使用する効果が、かかる不利益を相殺して余りあ
るものだからである。On the other hand, in the method of introducing NF 3 into the plasma generating chamber 5 by the conventional method, the ashing rate is 1.
It was 8 μm / min. Also in this embodiment, since NF 3 is not introduced into the plasma generation chamber 5, there is no effect of increasing the dissociation rate of O 2 molecules by NF 3 as in the conventional example. In spite of such disadvantages, the ashing rate is improved as compared with the conventional one because the effect of using the microwave transmission window 4 made of quartz is more than offset by the disadvantages.
【００２２】ところで、以上の実施例においては、フッ
素系ガス導入口７が、シャワーヘッド１０の下方１０ｍ
ｍの位置に設けられており、従って、フッ素系ガスは、
ダウンフロー室１１内の、シャワーヘッド１０の下方１
０ｍｍの領域に導入されている。図３より、この領域に
おける、プラズマ発生室から漏れ出した電子の電子温度
は４ｅＶである。By the way, in the above embodiment, the fluorine-based gas inlet 7 is located 10 m below the shower head 10.
It is provided at the position m, and therefore the fluorine-based gas is
Below the showerhead 10 in the downflow chamber 11
It is introduced in the area of 0 mm. From FIG. 3, the electron temperature of the electrons leaked from the plasma generation chamber in this region is 4 eV.
【００２３】図３に示されるように、電子温度はシャワ
ーヘッド１０からの距離が離れるに従って急激に減衰す
るため、フッ素系ガスを解離することができる領域を見
極めておくことが必要である。そこで、我々は、フッ素
系ガス導入口７をシャワーヘッド１０の下方２０ｍｍの
位置に設置し、ダウンフロー室１１内の、シャワーヘッ
ド１０の下方２０ｍｍの領域に、フッ素系ガスを導入す
るという比較実験を行った。他の条件は、下記の通り、
上述の実施例で最初に示したものに合わせた。As shown in FIG. 3, the electron temperature sharply attenuates as the distance from the showerhead 10 increases, so it is necessary to identify the region where the fluorine-based gas can be dissociated. Therefore, we installed a fluorine-based gas introduction port 7 at a position 20 mm below the showerhead 10 and introduced a fluorine-based gas into a region 20 mm below the showerhead 10 in the downflow chamber 11. I went. Other conditions are as follows:
It was matched to that initially shown in the above example.
【００２４】圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2流量：９００ｓｃｃｍ CF4 流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この結果は、０．１μｍ／ｍｉｎのアッシングレートし
か得られなかった。Pressure (down flow chamber): 1.0 Torr O 2 flow rate: 900 sccm CF 4 flow rate: 100 sccm Stage temperature: 25 ° C. Microwave output: 1.5 kW As a result, only an ashing rate of 0.1 μm / min is obtained. There wasn't.
【００２５】次に、他の条件は変更せずに、CF4 ガスを
ストップしてアッシング処理を行ったところ、アッシン
グレートは、０．１μｍ／ｍｉｎであった。この比較実
験より、シャワーヘッド１０の下方２０ｍｍ、即ち、電
子温度が３ｅＶの領域にフッ素系ガスを導入しても、導
入しない場合と同じアッシングレートしか得られないこ
とが判った。即ち、この領域においては、フッ素系ガス
は解離しないのである。Next, when the CF 4 gas was stopped and the ashing treatment was performed without changing other conditions, the ashing rate was 0.1 μm / min. From this comparative experiment, it was found that even if the fluorine-based gas was introduced into the area 20 mm below the shower head 10, that is, in the region where the electron temperature was 3 eV, only the same ashing rate as that obtained without the introduction was obtained. That is, the fluorine-based gas does not dissociate in this region.
【００２６】以上、この欄で述べた実施例および比較実
験から、従来以上のアッシングレートが得られ、かつそ
のレートが経時的に低下しないという本発明の効果を十
分に奏させるためには、フッ素系ガスを導入する領域の
電子温度が４ｅＶ以上あれば十分であり、３ｅＶでは足
りないと言える。As described above, from the examples and comparative experiments described in this section, in order to sufficiently obtain the effect of the present invention that the ashing rate higher than the conventional one is obtained and the rate does not decrease with time, fluorine is required. It is sufficient if the electron temperature in the region where the system gas is introduced is 4 eV or higher, and it can be said that 3 eV is not sufficient.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマ発生室５に CF4等のカーボンを含むフッ素系ガ
スを導入しないため、プラズマ発生室５にカーボン系の
デポ成分が堆積せず、アッシングレートの経時的な低下
が起こらない。更に、本発明によれば、プラズマ発生室
５にフッ素系ガスを導入しないため、石英製のマイクロ
波透過窓４を使用でき、アッシングレートを従来よりも
向上させることができる。As described above, according to the present invention,
Since a fluorine-based gas containing carbon such as CF 4 is not introduced into the plasma generation chamber 5, no carbon-based depot component is deposited in the plasma generation chamber 5 and the ashing rate does not decrease with time. Further, according to the present invention, since the fluorine-based gas is not introduced into the plasma generation chamber 5, the microwave transmission window 4 made of quartz can be used, and the ashing rate can be improved as compared with the conventional case.
【００２８】従って、集積回路等の半導体装置が完成す
るまでに幾度となく行われるアッシング処理工程のスル
ープットおよび設備稼働率を向上させ、半導体装置のコ
ストダウンに寄与するところが大きい。Therefore, the throughput of the ashing process and the equipment operating rate, which are frequently performed until the completion of the semiconductor device such as an integrated circuit, is improved, and the cost of the semiconductor device is greatly reduced.
【図１】本発明の実施例のダウンフロー式アッシング装
置の切断側面図である。FIG. 1 is a cut side view of a downflow type ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来のダウンフロー式アッシング装置の切断側
面図である。FIG. 2 is a cut side view of a conventional downflow ashing device.
【図３】ダウンフロー式アッシング装置内における電子
温度の分布を示す線図である。FIG. 3 is a diagram showing a distribution of electron temperature in a downflow ashing device.
１ マグネトロン ２ マイクロ波 ３ 導波管 ４Ａ マイクロ波透過窓（アルミナ製） ４ マイクロ波透過窓（石英製） ５ プラズマ発生室 ６ O2ガス導入口 ７ フッ素系ガス導入口 ８ 酸素プラズマ ９ 酸素原子 １０ シャワーヘッド １１ ダウンフロー室 １２ 試料台 １３ 半導体ウエハー １４ チャンバー １５ 排気口 １６ フッ素原子1 Magnetron 2 Microwave 3 Waveguide 4A Microwave Transmission Window (Alumina) 4 Microwave Transmission Window (Quartz) 5 Plasma Generation Chamber 6 O 2 Gas Inlet 7 Fluorine Gas Inlet 8 Oxygen Plasma 9 Oxygen Atom 10 Shower head 11 Downflow chamber 12 Sample stage 13 Semiconductor wafer 14 Chamber 15 Exhaust port 16 Fluorine atom
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｈ 1/46 Ａ 9014−2Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location // H05H 1/46 A 9014-2G H01L 21/302 F
Claims (7)
レジストアッシングを行う際に、ダウンフロー室(11)内
であって、フッ素系ガスを解離するに十分なエネルギー
を有する荷電粒子が存在する領域に、フッ素系ガスを導
入することを特徴とする、半導体装置の製造方法。1. When performing downflow type resist ashing using oxygen plasma, in a region in the downflow chamber (11) where charged particles having sufficient energy to dissociate a fluorine-based gas are present. A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises introducing a fluorine-based gas.
が４eV以上であることを特徴とする、請求項１の製造方
法。2. The manufacturing method according to claim 1, wherein the electron temperature of the region into which the fluorine-based gas is introduced is 4 eV or higher.
のいずれかであることを特徴とする、請求項１の製造方
法。3. The manufacturing method according to claim 1, wherein the fluorine-based gas is any one of CF 4 , C 2 F 6 and NF 3 .
用することを特徴とする、請求項１の製造方法。4. Method according to claim 1, characterized in that a microwave transmission window (4) made of quartz is used.
レジストアッシング装置のダウンフロー室(11)内であっ
て、フッ素系ガスを解離するに十分なエネルギーを有す
る荷電粒子が存在する領域に、フッ素系ガスを導入する
ように、フッ素系ガス導入口(7) が設けられていること
を特徴とする、半導体装置の製造装置。5. A fluorine system is provided in a downflow chamber (11) of a downflow type resist ashing apparatus using oxygen plasma in a region where charged particles having sufficient energy to dissociate the fluorine gas are present. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, characterized in that a fluorine-based gas introduction port (7) is provided so as to introduce a gas.
スを導入するように、導入口(7) が設けられていること
を特徴とする、請求項５の製造装置。6. The manufacturing apparatus according to claim 5, wherein an introduction port (7) is provided so as to introduce the fluorine-based gas into a region having an electron temperature of 4 eV or more.
ることを特徴とする、請求項５の製造装置。7. The manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the material of the microwave transmitting window (4) is quartz.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334014A JPH07201813A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Manufacture and manufacturing equipment for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334014A JPH07201813A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Manufacture and manufacturing equipment for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201813A true JPH07201813A (en) | 1995-08-04 |
Family
ID=18272537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5334014A Pending JPH07201813A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Manufacture and manufacturing equipment for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201813A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083802A (en) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Yac Co Ltd | Dry processing device such as etching device and ashing device |
| US8662010B2 (en) | 2002-06-19 | 2014-03-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus, plasma processing method, plasma film deposition apparatus, and plasma film deposition method |
| US9726940B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate manufacturing method, display apparatus manufacturing method, and display apparatus |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334014A patent/JPH07201813A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083802A (en) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Yac Co Ltd | Dry processing device such as etching device and ashing device |
| US8662010B2 (en) | 2002-06-19 | 2014-03-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus, plasma processing method, plasma film deposition apparatus, and plasma film deposition method |
| US9726940B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate manufacturing method, display apparatus manufacturing method, and display apparatus |
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| A02 | Decision of refusal |
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