JPH07192987A - Projection aligner - Google Patents

Projection aligner

Info

Publication number
JPH07192987A
JPH07192987A JP5331189A JP33118993A JPH07192987A JP H07192987 A JPH07192987 A JP H07192987A JP 5331189 A JP5331189 A JP 5331189A JP 33118993 A JP33118993 A JP 33118993A JP H07192987 A JPH07192987 A JP H07192987A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
optical system
projection optical
projection
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5331189A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3381740B2 (en
Inventor
Masanori Kato
正紀 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP33118993A priority Critical patent/JP3381740B2/en
Publication of JPH07192987A publication Critical patent/JPH07192987A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3381740B2 publication Critical patent/JP3381740B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Abstract

PURPOSE:To detect the focal position or the angle of inclination of a photosensitive substrate over a wide detection range without arranging a complicated optical system near the side of the photosensitive substrate in a projection optical system even when the projection optical system becomes large. CONSTITUTION:Detection light AL from a light-sending system 20 is applied to a measuring point Q on a glass substrate 102 via a projection optical system 100 and a mirror 9A, and a slit image is projected obliquely onto the measuring point Q. Reflected light from the slit image is guided to a light-receiving system 21 via a mirror 9B and the projection optical system 100, and the focal position of the galss substrate 102 is detected on the basis of the transverse deviation amount of the slit image which has been formed again inside the light-receiving system 21.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばフォトマスク又
はレチクルのパターンを投影光学系を介して感光基板上
に投影露光する投影露光装置に関し、特に感光基板の露
光面のフォーカス位置又は傾斜角を検出する機構を備え
ると共に液晶表示素子製造用に使用される投影露光装置
に適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus for projecting and exposing, for example, a pattern of a photomask or a reticle onto a photosensitive substrate via a projection optical system, and more particularly, to a focus position or an inclination angle of an exposure surface of the photosensitive substrate. It is suitable for application to a projection exposure apparatus that has a detection mechanism and is used for manufacturing a liquid crystal display element.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレ
チクル(以下、一例として「レチクル」を使用する)の
パターン像を投影光学系を介してフォトレジストが塗布
された基板(半導体ウエハ又はガラスプレート等)上の
各ショット領域に露光する投影露光装置が使用されてい
る。斯かる投影露光装置においては、基板上にレチクル
のパターン像を常に高い解像度で投影するため、投影光
学系の像面に対して基板の露光面の所定の計測点の高さ
(フォーカス位置)を合わせ込むためのオートフォーカ
ス機構、及びその露光面の傾斜角をその像面の傾斜角に
合わせ込むためのオートレベリング機構が備えられてい
る。これらオートフォーカス機構及びオートレベリング
機構には、それぞれ斜入射方式のフォーカス位置検出系
及び傾斜角検出系が備えられている。
2. Description of the Related Art When manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device or the like by a photolithography process, a pattern image of a photomask or reticle (hereinafter, "reticle" is used as an example) is used as a photoresist through a projection optical system. A projection exposure apparatus that exposes each shot area on a substrate (semiconductor wafer, glass plate, or the like) coated with is used. In such a projection exposure apparatus, since the pattern image of the reticle is always projected on the substrate with high resolution, the height (focus position) of a predetermined measurement point on the exposure surface of the substrate is set with respect to the image plane of the projection optical system. An autofocus mechanism for adjusting and an autoleveling mechanism for adjusting the tilt angle of the exposure surface to the tilt angle of the image surface are provided. The auto focus mechanism and the auto leveling mechanism are respectively provided with a focus position detection system and a tilt angle detection system of an oblique incidence type.

【0003】図8は、液晶表示素子製造用の投影露光装
置(液晶用露光装置)に備えられた斜入射方式のフォー
カス位置検出系を示し、この図8において、図示省略さ
れたレチクルのパターンの像が露光光のもとで、投影光
学系100を介してフォトレジストが塗布されたガラス
基板102上に投影露光される。投影光学系100の側
面部に配置されたフォーカス位置検出系において、発光
ダイオード(LED)等の光源1から射出された光がコ
ンデンサーレンズ2を介して送光スリット板3上に照射
され、送光スリット板3のスリット部を通過した光が送
光系対物レンズ7Aを介して、投影光学系100の光軸
に対して斜めにガラス基板102上に照射され、ガラス
基板102上にスリットパターン像が投影される。
FIG. 8 shows a grazing incidence type focus position detection system provided in a projection exposure apparatus (liquid crystal exposure apparatus) for manufacturing a liquid crystal display element. In FIG. 8, a reticle pattern not shown is shown. The image is projected and exposed under exposure light onto the glass substrate 102 coated with the photoresist through the projection optical system 100. In the focus position detection system arranged on the side surface of the projection optical system 100, the light emitted from the light source 1 such as a light emitting diode (LED) is radiated onto the light transmission slit plate 3 via the condenser lens 2 to transmit the light. The light that has passed through the slit portion of the slit plate 3 is irradiated onto the glass substrate 102 obliquely with respect to the optical axis of the projection optical system 100 via the light transmitting system objective lens 7A, and a slit pattern image is formed on the glass substrate 102. Projected.

【0004】そのガラス基板102からの反射光が、受
光系対物レンズ7Bを介してフォトダイオード等からな
る光電検出器13の受光面に集光され、光電検出器13
の受光面にスリットパターン像が再結像される。この場
合、投影光学系100の光軸に平行にZ軸を取り、ガラ
ス基板102がZ方向に変位すると、光電検出器13の
受光面に再結像されたスリットパターン像の位置が横方
向に変位する。光電検出器13の光電変換信号を処理す
ることにより、その横方向の変位に応じたフォーカス信
号が生成される。予めガラス基板102の表面が投影光
学系100の像面に合致する状態でそのフォーカス信号
が0になるようにキャリブレーションを行っておき、以
後はそのフォーカス信号が0になるようにガラス基板1
02のZ方向の位置調整を行うことにより、オートフォ
ーカスが行われる。
The reflected light from the glass substrate 102 is condensed on the light receiving surface of the photoelectric detector 13 including a photodiode through the light receiving system objective lens 7B, and the photoelectric detector 13 is formed.
The slit pattern image is re-formed on the light receiving surface of. In this case, when the Z axis is taken parallel to the optical axis of the projection optical system 100 and the glass substrate 102 is displaced in the Z direction, the position of the slit pattern image re-imaged on the light receiving surface of the photoelectric detector 13 is in the horizontal direction. Displace. By processing the photoelectric conversion signal of the photoelectric detector 13, a focus signal corresponding to the lateral displacement thereof is generated. Calibration is performed in advance so that the focus signal becomes 0 when the surface of the glass substrate 102 matches the image plane of the projection optical system 100, and thereafter, the glass substrate 1 is adjusted so that the focus signal becomes 0.
Autofocusing is performed by adjusting the position of 02 in the Z direction.

【0005】また、斜入射方式の傾斜角検出系は、図8
のようにガラス基板102上にスリットパターン像を投
影する代わりに平行光束を照射し、その反射光の集光点
の横ずれ量からガラス基板102の表面の傾斜角の変化
を検出するものである。
Further, the oblique incidence type tilt angle detection system is shown in FIG.
As described above, instead of projecting the slit pattern image on the glass substrate 102, a parallel light flux is irradiated and the change in the inclination angle of the surface of the glass substrate 102 is detected from the lateral shift amount of the condensing point of the reflected light.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】一般に、液晶用露光装
置では、半導体素子用の投影露光装置(半導体用露光装
置)に比べて要求される解像力が小さいため、投影光学
系としては等倍で口径の大きなものが使用されている。
しかも、近年液晶パネルの大型化に伴い、液晶用露光装
置では露光フィールドが更に拡大される傾向にあり、投
影光学系もより大型化する傾向にある。その一方で、露
光装置の高さ的な制約から、投影光学系とガラス基板と
の間の作動距離は長くできないため、液晶用露光装置で
は、投影光学系とガラス基板との間に斜入射方式のフォ
ーカス位置検出系(又はこの一部)を設置することが困
難になりつつある。
In general, an exposure apparatus for liquid crystal requires a smaller resolution than a projection exposure apparatus for semiconductor elements (exposure apparatus for semiconductors), and therefore, the projection optical system has a magnification of 1 ×. The big one is being used.
Moreover, with the recent increase in the size of the liquid crystal panel, the exposure field of the liquid crystal exposure apparatus tends to be further expanded, and the projection optical system also tends to become larger. On the other hand, the working distance between the projection optical system and the glass substrate cannot be increased due to the height limitation of the exposure apparatus. Therefore, in the exposure apparatus for liquid crystal, the oblique incidence method is used between the projection optical system and the glass substrate. It is becoming difficult to install the focus position detection system (or part thereof).

【0007】また、仮に斜入射方式のフォーカス位置検
出系(又はこの一部)を設置できたとしても、そのフォ
ーカス位置検出系からの光のガラス基板に対する入射角
が大きくなり、フォーカス位置の検出範囲が狭くなり、
必要な検出範囲を確保できなくなるという不都合があ
る。また、通常、液晶用露光装置においては、露光され
るガラス基板の上部の投影光学系100の近傍には、パ
ターンの位置合わせのために用いるオフ・アクシス方式
のアライメント光学系が配置され、更に、ガラス基板の
搬送系等が投影光学系とガラス基板102との間の空間
に出入りすることになる。そのため、大型化した投影光
学系のガラス基板側の近傍に、更に搬送系等の空間を確
保し、アライメント光学系の配置を避けて斜入射方式の
フォーカス位置検出系を配置すると、装置全体が益々大
型化してしまうという不都合がある。
Even if a grazing incidence type focus position detection system (or part thereof) can be installed, the incident angle of light from the focus position detection system with respect to the glass substrate becomes large, and the focus position detection range is increased. Becomes narrower
There is an inconvenience that the necessary detection range cannot be secured. In addition, in an exposure apparatus for liquid crystals, an off-axis type alignment optical system used for pattern alignment is usually arranged near the projection optical system 100 above the glass substrate to be exposed, and further, A glass substrate transport system and the like move in and out of the space between the projection optical system and the glass substrate 102. Therefore, if a space such as a transport system is secured near the glass substrate side of the large-sized projection optical system and the oblique incidence type focus position detection system is arranged while avoiding the alignment optical system, the entire apparatus becomes more and more useful. There is an inconvenience that it becomes large.

【0008】同様に、斜入射方式の傾斜角検出系に関し
ても、投影光学系が大型化するのに伴い、配置するのが
困難になりつつある。本発明は斯かる点に鑑み、投影光
学系が大型化した場合でも、投影光学系の感光基板側の
近傍に複雑な光学系を配置することなく、その感光基板
の露光面のフォーカス位置又は傾斜角を広い検出範囲で
検出できる投影露光装置を提供することを目的とする。
Similarly, it is becoming difficult to arrange the oblique incidence type tilt angle detection system as the projection optical system becomes larger. In view of the above problems, the present invention does not arrange a complicated optical system in the vicinity of the photosensitive substrate side of the projection optical system even when the projection optical system becomes large in size, and the focus position or tilt of the exposure surface of the photosensitive substrate. An object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus that can detect an angle in a wide detection range.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、例えば図1に示すように、マスク(101)上に
形成された転写用のパターンの像を投影光学系(10
0)を介して感光基板(102)上に投影する際に、感
光基板(102)の露光面の面位置(フォーカス位置又
は傾斜角)を検出する投影露光装置において、投影光学
系(100)のそのマスク側の入射面に感光基板(10
2)に対して非感光性の変位検出用の光(AL)を入射
させる送光系(1〜8A)と、投影光学系(100)の
その感光基板側の射出面から射出される変位検出用の光
を偏向させて、変位検出用の光を投影光学系(100)
の光軸に対して斜めに感光基板(102)の露光面上に
照射する第1の光路偏向部材(9A)と、その感光基板
の露光面からの変位検出用の光の反射光を投影光学系
(100)の射出面に戻す第2の光路偏向部材(9B)
と、第2の光路偏向部材(9B)及び投影光学系(10
0)を介して投影光学系(100)の入射面に戻された
変位検出用の光を集光する受光系(8B〜12)と、こ
の受光系により集光された光の位置を検出する集光位置
検出系(13)と、を有し、この集光位置検出系により
検出された位置より感光基板(102)の露光面の面位
置を検出するようにしたものである。
A projection exposure apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 1, for example, projects an image of a transfer pattern formed on a mask (101) into a projection optical system (10).
In the projection exposure apparatus that detects the surface position (focus position or tilt angle) of the exposure surface of the photosensitive substrate (102) when projecting onto the photosensitive substrate (102) via the optical axis (0) of the projection optical system (100). The photosensitive substrate (10
2) A light-transmitting system (1-8A) for injecting non-photosensitive displacement detection light (AL), and displacement detection emitted from the exit surface of the projection optical system (100) on the photosensitive substrate side. Optical system (100) for deflecting light for displacement and projecting light for displacement detection
A first optical path deflecting member (9A) for irradiating the exposed surface of the photosensitive substrate (102) obliquely with respect to the optical axis of the optical axis, and projection light for reflected light of displacement detection light from the exposed surface of the photosensitive substrate. Second optical path deflecting member (9B) returning to the exit surface of the system (100)
A second optical path deflecting member (9B) and a projection optical system (10
0) through which the light for displacement detection returned to the incident surface of the projection optical system (100) is focused, and the position of the light focused by this light receiving system is detected. And a condensing position detection system (13), and the surface position of the exposure surface of the photosensitive substrate (102) is detected from the position detected by the condensing position detection system.

【0010】この場合、送光系(1〜8A)、投影光学
系(100)及び第1の光路偏向部材(9A)により、
感光基板(102)の露光面上に投影光学系(100)
の光軸に対して斜めに所定形状のパターンの像を投影
し、第2の光路偏向部材(9B)、投影光学系(10
0)及び受光系(8B〜12)によりその所定形状のパ
ターンの像を再結像し、集光位置検出系(13)により
検出された位置より感光基板(102)の露光面の投影
光学系(100)の光軸方向の位置(フォーカス位置)
検出を行うようにしてもよい。
In this case, by the light transmitting system (1-8A), the projection optical system (100) and the first optical path deflecting member (9A),
Projection optical system (100) on the exposed surface of the photosensitive substrate (102)
An image of a pattern having a predetermined shape is projected obliquely with respect to the optical axis of the second optical path deflecting member (9B) and the projection optical system (10).
0) and the light receiving system (8B to 12) to re-image the pattern of the predetermined shape, and the projection optical system of the exposure surface of the photosensitive substrate (102) from the position detected by the condensing position detection system (13). Position of (100) in the optical axis direction (focus position)
You may make it detect.

【0011】また、例えば図6に示すように、一般に投
影光学系(100)の有効投影フィールド201は円形
であり、実際にマスクパターン像が露光される露光領域
202は矩形であり、両者の間には所定の隙間があるた
め、その隙間の空間に第1及び第2の光路偏向部材(9
A,9B)を配置することが望ましい。このような配置
により、第1及び第2の光路偏向部材(9A,9B)に
より露光領域202が制限されることがなくなる。
Further, for example, as shown in FIG. 6, generally, the effective projection field 201 of the projection optical system (100) is circular, and the exposure area 202 on which the mask pattern image is actually exposed is rectangular, and between them. Since there is a predetermined gap between the first and second optical path deflecting members (9
It is desirable to arrange A, 9B). With such an arrangement, the exposure area 202 is not restricted by the first and second optical path deflecting members (9A, 9B).

【0012】[0012]

【作用】斯かる本発明によれば、送光系(1〜8A)、
投影光学系(100)及び第1の光路偏向部材(9A)
を介して、感光基板(102)上に例えば所定形状のパ
ターン像(例えばスリットパターン像)を投影し、第2
の光路偏向部材(9B)、投影光学系(100)、及び
受光系(8B〜12)を介してその所定形状のパターン
像を集光位置検出系(13)の受光面に再結像する。こ
の再結像された像の横ずれ量から、感光基板(102)
の露光面のフォーカス位置が検出される。
According to the present invention, the light transmitting system (1-8A),
Projection optical system (100) and first optical path deflecting member (9A)
A pattern image (for example, a slit pattern image) of a predetermined shape is projected onto the photosensitive substrate (102) via the
The pattern image of the predetermined shape is re-imaged on the light receiving surface of the condensing position detection system (13) via the optical path deflecting member (9B), the projection optical system (100), and the light receiving system (8B-12). Based on the lateral shift amount of the re-formed image, the photosensitive substrate (102)
The focus position of the exposure surface of is detected.

【0013】一方、所定形状のパターン像を投影する代
わりに、感光基板(102)の露光面に平行光束を照射
し、集光位置検出系(13)の受光面にその平行光束を
集光し、その集光点の横ずれ量を検出することにより、
感光基板(102)の露光面の傾斜角が検出される。但
し、このように平行光束を感光基板(102)上に照射
する方式以外に、多点のフォーカス位置を検出すること
によっても、感光基板(102)の表面の傾斜角を検出
できる。このように多点のフォーカス位置を検出するに
は、投影光学系(100)と感光基板(102)との間
に、例えば図7に示すように、第1の光路偏向部材(9
C,9J,9F,9G)及び第2の光路偏向部材(9
D,9I,9E,9H)を複数対配置し、各対の光路偏
向部材により対応する感光基板上の計測点のフォーカス
位置を検出すればよい。
On the other hand, instead of projecting a pattern image of a predetermined shape, the exposure surface of the photosensitive substrate (102) is irradiated with a parallel light flux, and the parallel light flux is focused on the light receiving surface of the focus position detection system (13). , By detecting the amount of lateral deviation of the focal point,
The tilt angle of the exposed surface of the photosensitive substrate (102) is detected. However, the tilt angle of the surface of the photosensitive substrate (102) can also be detected by detecting the focus positions at multiple points other than the method of irradiating the photosensitive substrate (102) with the parallel light flux as described above. In order to detect the focus positions at multiple points as described above, a first optical path deflecting member (9) is provided between the projection optical system (100) and the photosensitive substrate (102) as shown in FIG. 7, for example.
C, 9J, 9F, 9G) and the second optical path deflecting member (9
D, 9I, 9E, 9H) may be arranged in plural pairs, and the focus position of the corresponding measurement point on the photosensitive substrate may be detected by the optical path deflecting member of each pair.

【0014】本発明によれば、投影光学系(100)と
感光基板(102)との間には、第1及び第2の光路偏
向部材(9A,9B)が配置されるのみで、検出用光学
系の殆どはスペース的に余裕のあるマスク(101)と
投影光学系(100)との間に配置される。従って、そ
の他の例えばアライメント光学系、又は感光基板(10
2)用の搬送系等との機械的な干渉を最小限にすること
ができる。また、投影光学系の有効投影フィールドにほ
ぼ内接する位置に設置される第1の光路偏向部材(9
A)により反射された光が、斜めに感光基板(102)
上に入射するため、その光の入射角は、従来例のように
投影光学系(100)と感光基板(102)との間に配
置された光学系から感光基板(102)上に光を照射す
る場合に比べて小さくできる。従って、フォーカス位置
又は傾斜角の検出範囲が広くなる。
According to the present invention, only the first and second optical path deflecting members (9A, 9B) are arranged between the projection optical system (100) and the photosensitive substrate (102) for detection. Most of the optical system is arranged between the mask (101) and the projection optical system (100), which have a sufficient space. Therefore, for example, other alignment optics or the photosensitive substrate (10
It is possible to minimize mechanical interference with the transportation system for 2). Further, a first optical path deflecting member (9) installed at a position almost inscribed in the effective projection field of the projection optical system.
The light reflected by A) is obliquely reflected by the photosensitive substrate (102).
Since the light is incident on the photosensitive substrate (102), the incident angle of the light is such that the optical system is arranged between the projection optical system (100) and the photosensitive substrate (102) as in the conventional example. It can be made smaller than when doing. Therefore, the detection range of the focus position or the tilt angle is widened.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
につき図面を参照して説明する。図1は本実施例の投影
露光装置の投影光学系付近の構成を示し、この図1にお
いて、図示省略された照明光学系から供給される露光光
ILのもとで、レチクル101上のパターンの像が投影
光学系100を介して、フォトレジストが塗布されたガ
ラス基板102上に投影露光される。投影光学系100
は少なくともガラス基板102側に(又は両側)テレセ
ントリックであり、投影倍率は例えば等倍である。ガラ
ス基板102は、基板ステージ103上に保持され、基
板ステージ103は、投影光学系100の光軸AXに平
行なZ方向にガラス基板102を位置決めするZステー
ジ、Z軸に垂直なXY平面内でガラス基板102の位置
決めを行うXYステージ、及びガラス基板102の傾斜
角を調整するレベリングステージ等から構成されてい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the configuration in the vicinity of the projection optical system of the projection exposure apparatus of this embodiment. In FIG. 1, the pattern on the reticle 101 is exposed under the exposure light IL supplied from an illumination optical system (not shown). The image is projected and exposed through the projection optical system 100 onto the glass substrate 102 coated with the photoresist. Projection optical system 100
Is at least telecentric to the glass substrate 102 side (or both sides), and the projection magnification is, for example, 1 ×. The glass substrate 102 is held on a substrate stage 103, and the substrate stage 103 positions the glass substrate 102 in the Z direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system 100, in the XY plane perpendicular to the Z axis. It is composed of an XY stage for positioning the glass substrate 102, a leveling stage for adjusting the inclination angle of the glass substrate 102, and the like.

【0016】本実施例の投影光学系100のレチクル1
01側の近傍には、フォーカス位置検出系の送光系20
及び受光系21が配置されている。先ず、送光系20に
おいて、ハロゲンランプよりなる光源1から射出された
検出光ALは、コンデンサーレンズ2によって送光スリ
ット板3上に集光される。検出光ALは、ガラス基板1
02上のフォトレジストに対して非感光性の波長帯の光
である。光源1としては発光ダイオード(LED)等も
使用できる。送光スリット板3のスリットを通過した検
出光ALは、平行平板ガラス(ハービング)4、シリン
ドリカルレンズ5A、光路折り曲げ用のミラー6A、及
び送光系対物レンズ7Aを介して、投影光学系100と
レチクル101との間に配置された光路折り曲げ用のミ
ラー8Aに入射する。
Reticle 1 of projection optical system 100 of the present embodiment
The light transmission system 20 of the focus position detection system is provided near the 01 side.
And a light receiving system 21 are arranged. First, in the light sending system 20, the detection light AL emitted from the light source 1 composed of a halogen lamp is condensed on the light sending slit plate 3 by the condenser lens 2. The detection light AL is emitted from the glass substrate 1
02 is light in a wavelength band that is non-photosensitive to the photoresist above. A light emitting diode (LED) or the like can also be used as the light source 1. The detection light AL that has passed through the slit of the light-sending slit plate 3 is transmitted to the projection optical system 100 via the parallel flat plate glass (harbing) 4, the cylindrical lens 5A, the optical path bending mirror 6A, and the light-sending system objective lens 7A. The light enters the mirror 8A for bending the optical path, which is arranged between the reticle 101 and the reticle 101.

【0017】ミラー8Aは、投影光学系100の光軸A
Xに平行な軸に対してほぼ45°傾斜して外側を向いて
固定され、ミラー8Aにより反射された検出光ALが投
影光学系100に入射する。送光系対物レンズ7Aによ
り、ミラー8Aと投影光学系100との間の中間結像点
P1に送光スリット板3のスリットの像が結像される。
この場合、本実施例の投影光学系100には、例えばこ
の投影光学系100を構成する一部のレンズを光軸AX
方向に移動させるか、又は投影光学系100を構成する
所定のレンズの間の空気室内の空気の圧力を調整するこ
とにより、投影光学系100の投影倍率を調整する結像
特性補正機構が備えられている。例えば大気圧が変動し
て投影光学系100の投影倍率が変動した場合には、そ
の結像特性補正機構を介して投影光学系100の投影倍
率を補正したり、また基板等の伸縮が生じた場合には、
結像特性補正機構を介して投影光学系100の投影倍率
を積極的に変化させて補正する。
The mirror 8A is an optical axis A of the projection optical system 100.
The detection light AL, which is inclined outward at an angle of about 45 ° with respect to the axis parallel to X and is fixed and is reflected by the mirror 8A, is incident on the projection optical system 100. The image of the slit of the light-sending slit plate 3 is formed at the intermediate image forming point P1 between the mirror 8A and the projection optical system 100 by the light-sending system objective lens 7A.
In this case, in the projection optical system 100 of the present embodiment, for example, a part of the lenses forming the projection optical system 100 is provided with the optical axis AX.
Is provided with an imaging characteristic correction mechanism that adjusts the projection magnification of the projection optical system 100 by moving in the direction or adjusting the pressure of the air in the air chamber between the predetermined lenses forming the projection optical system 100. ing. For example, when the atmospheric pressure fluctuates and the projection magnification of the projection optical system 100 fluctuates, the projection magnification of the projection optical system 100 is corrected via the imaging characteristic correction mechanism, or the substrate or the like expands or contracts. in case of,
The projection magnification of the projection optical system 100 is positively changed and corrected through the imaging characteristic correction mechanism.

【0018】ところが、投影光学系100は露光光IL
に関して結像特性が規定されており、検出光ALに関し
ては露光光ILに対する波長の違いにより倍率誤差が発
生する恐れがあり、結像特性補正機構により投影倍率を
補正すると、検出光ALの倍率が変化する恐れがある。
そこで、予め投影光学系100の投影倍率を補正した場
合の検出光ALに対する倍率の変化量を求めておき、平
行平板ガラス4の傾斜角を調整して、その倍率の変化量
の分だけ中間結像点P1の位置を横方向にずらすように
する。また、投影光学系100の投影倍率を積極的に変
化させる場合も、倍率が変化する前後で検出光ALが被
検出点に常に入射するように、平行平面ガラス4の傾斜
角を調整する。なお、シリンドリカルレンズ5Aは、投
影光学系100により検出光ALに対して発生する非点
収差を補正するためのものである。
However, the projection optical system 100 uses the exposure light IL.
The imaging characteristics are defined for the detection light AL, and a magnification error may occur in the detection light AL due to a difference in wavelength with respect to the exposure light IL. When the projection magnification is corrected by the imaging characteristics correction mechanism, the magnification of the detection light AL is May change.
Therefore, the variation amount of the magnification with respect to the detection light AL when the projection magnification of the projection optical system 100 is corrected is obtained in advance, the tilt angle of the parallel flat plate glass 4 is adjusted, and the intermediate result is adjusted by the variation amount of the magnification. The position of the image point P1 is shifted laterally. Further, even when the projection magnification of the projection optical system 100 is positively changed, the tilt angle of the parallel flat glass 4 is adjusted so that the detection light AL always enters the detected point before and after the magnification change. The cylindrical lens 5A is for correcting astigmatism generated by the projection optical system 100 with respect to the detection light AL.

【0019】中間結像点P1から発散する検出光AL
は、投影光学系100を経て、投影光学系100の底面
(ガラス基板102側の面)に近接して固定されたミラ
ー9Aに反射されて、ガラス基板102上の計測点Qに
光軸AXに対して斜めに集光される。これにより、計測
点Q上に送光スリット板3のスリットの像が再結像され
る。計測点Qは光軸AX上に設定されている。また、ミ
ラー9Aから計測点Qに集光される検出光ALの主光線
のガラス基板102の表面への正射影に平行な方向をR
方向とする。
Detection light AL diverging from the intermediate image formation point P1
Is reflected by a mirror 9A that is fixed in proximity to the bottom surface (the surface on the glass substrate 102 side) of the projection optical system 100 via the projection optical system 100, and the measurement point Q on the glass substrate 102 is aligned with the optical axis AX. On the other hand, the light is collected obliquely. As a result, the image of the slit of the light-sending slit plate 3 is re-formed on the measurement point Q. The measurement point Q is set on the optical axis AX. Further, the direction parallel to the orthogonal projection of the principal ray of the detection light AL focused on the measurement point Q from the mirror 9A onto the surface of the glass substrate 102 is R.
Direction.

【0020】この場合、投影光学系100の底面に近接
して光軸AXに関してミラー9Aと対称にミラー9Bが
固定され、投影光学系100とレチクル101との間に
光軸AXに関して対称に、受光系21側のミラー8Bが
固定されている。そして、計測点Qから反射された検出
光ALは、ミラー9Bを経て投影光学系100に戻り、
投影光学系100を透過した検出光ALにより、中間像
点P2にスリット像が再結像される。その中間像点P2
のスリット像から発散した検出光ALが、受光系21の
ミラー8Bに入射する。受光系21において、ミラー8
Bにより反射された検出光ALが、受光系対物レンズ7
B、ミラー6B、シリンドリカルレンズ5B、及び平行
平板ガラス(ハービング)10を経て、受光スリット板
11上にスリット像を再結像する。この受光スリット板
11上のスリットを通った検出光を集光レンズ12を介
して、フォトダイオード等からなる光電検出器13の受
光面に集光させている。
In this case, a mirror 9B is fixed near the bottom surface of the projection optical system 100 and symmetrical to the mirror 9A with respect to the optical axis AX, and the light is received between the projection optical system 100 and the reticle 101 symmetrically with respect to the optical axis AX. The mirror 8B on the system 21 side is fixed. Then, the detection light AL reflected from the measurement point Q returns to the projection optical system 100 via the mirror 9B,
The slit image is re-imaged at the intermediate image point P2 by the detection light AL transmitted through the projection optical system 100. The intermediate image point P2
The detection light AL diverged from the slit image of is incident on the mirror 8B of the light receiving system 21. In the light receiving system 21, the mirror 8
The detection light AL reflected by B is received by the light receiving system objective lens 7
A slit image is re-imaged on the light-receiving slit plate 11 through B, the mirror 6B, the cylindrical lens 5B, and the parallel flat plate glass (harbing) 10. The detection light that has passed through the slit on the light receiving slit plate 11 is condensed via a condenser lens 12 on the light receiving surface of a photoelectric detector 13 including a photodiode or the like.

【0021】受光系21にあるシリンドリカルレンズ5
Bは、送光系20内のシリンドリカルレンズ5Aと同様
に投影光学系100により検出光ALに対して発生する
非点収差を補正する役割を果たす。また、受光系21内
の平行平板ガラス10は、送光系20内の平行平板ガラ
ス4と同様に、投影光学系100による検出光ALに対
する倍率色収差を補正するものである。但し、平行平板
ガラス10単独で、倍率色収差の補正が完全にできる場
合には、送光系20側の平行平板ガラス4は省略しても
構わない。
Cylindrical lens 5 in light receiving system 21
B plays a role of correcting astigmatism generated with respect to the detection light AL by the projection optical system 100, similarly to the cylindrical lens 5A in the light transmitting system 20. Further, the parallel plate glass 10 in the light receiving system 21 corrects lateral chromatic aberration with respect to the detection light AL by the projection optical system 100, similarly to the parallel plate glass 4 in the light transmitting system 20. However, if the parallel plate glass 10 alone can completely correct the chromatic aberration of magnification, the parallel plate glass 4 on the side of the light transmitting system 20 may be omitted.

【0022】また、投影光学系100の瞳面(レチクル
101のパターン形成面に対するフーリエ変換面)に
は、開口絞り104が配置され、送光系20のミラー8
Aからミラー9Aに向かう検出光ALは、投影光学系1
00内の開口絞り104の中央部(光軸AXを含む部
分)を通過し、ミラー9Bから受光系21のミラー8B
に向かう検出光ALは、その開口絞り104の中央部を
通過する。即ち、送光系20からミラー9Aに向かう検
出光ALと、ミラー9Bから受光系21に向かう検出光
ALとは、投影光学系100の瞳面の光軸AX付近で交
差している。このように投影光学系100内を往復する
検出光ALが瞳面付近で交差するように、且つ光軸AX
に関してほぼ軸対称な光路を通るようにすることによ
り、例えば大気圧変動等に基づく投影光学系100の結
像特性の変動の影響がフォーカス位置検出系に及ばない
という利点がある。
An aperture stop 104 is arranged on the pupil plane of the projection optical system 100 (Fourier transform plane with respect to the pattern forming plane of the reticle 101), and the mirror 8 of the light transmitting system 20.
The detection light AL traveling from A to the mirror 9A is generated by the projection optical system 1
00 through the central portion of the aperture stop 104 (the portion including the optical axis AX), from the mirror 9B to the mirror 8B of the light receiving system 21.
The detection light AL heading for passes through the center of the aperture stop 104. That is, the detection light AL traveling from the light transmitting system 20 to the mirror 9A and the detection light AL traveling from the mirror 9B to the light receiving system 21 intersect near the optical axis AX of the pupil plane of the projection optical system 100. In this way, the detection light AL traveling back and forth in the projection optical system 100 intersects in the vicinity of the pupil plane, and the optical axis AX
By passing through an optical path that is substantially axisymmetric with respect to, there is an advantage that the influence of the fluctuation of the imaging characteristics of the projection optical system 100 due to the fluctuation of atmospheric pressure does not affect the focus position detection system.

【0023】本実施例では、送光スリット板3内のスリ
ットの像が、中間結像点P1、ガラス基板102上の計
測点Q、中間結像点P2、及び受光スリット板11上に
それぞれ結像されている。そして、ガラス基板102の
表面がZ方向に変位すると、受光スリット板11上に結
像されるスリット像の位置が横ずれする。また、予めガ
ラス基板102の表面が投影光学系100の像面に合致
している状態で、受光スリット板11のスリットとその
再結像されるスリット像とが重なるようにキャリブレー
ションが行われている。従って、例えば光電検出器13
から出力される光電変換信号が最大になるように、基板
ステージ103内のZステージを介してガラス基板10
2の表面のZ方向の位置(フォーカス位置)を調整する
ことにより、オートフォーカスが行われる。
In this embodiment, the images of the slits in the light-transmitting slit plate 3 are formed on the intermediate image forming point P1, the measuring point Q on the glass substrate 102, the intermediate image forming point P2, and the light receiving slit plate 11, respectively. Is imaged. When the surface of the glass substrate 102 is displaced in the Z direction, the position of the slit image formed on the light receiving slit plate 11 is laterally displaced. Further, in a state where the surface of the glass substrate 102 matches the image plane of the projection optical system 100 in advance, calibration is performed so that the slit of the light-receiving slit plate 11 and the re-formed slit image overlap each other. There is. Therefore, for example, the photoelectric detector 13
So as to maximize the photoelectric conversion signal output from the glass substrate 10 via the Z stage in the substrate stage 103.
Autofocusing is performed by adjusting the position (focus position) of the surface of 2 in the Z direction.

【0024】なお、単に光電検出器13の光電変換信号
が最大になるように制御するのではなく、例えばミラー
6Bを所定周波数の駆動信号で振動させて、光電検出器
13の光電変換信号をその駆動信号で同期整流してフォ
ーカス信号を生成してもよい。このようにして得られる
フォーカス信号は、ガラス基板102の表面が投影光学
系100の像面に対して所定の範囲内で変位したとき
に、ほぼその変位に比例して変化する信号となり、その
フォーカス信号よりガラス基板102の表面のZ方向の
位置が分かる。
It should be noted that the photoelectric conversion signal of the photoelectric detector 13 is not controlled so as to be maximized, but the mirror 6B is vibrated by a drive signal of a predetermined frequency, and the photoelectric conversion signal of the photoelectric detector 13 is changed. The focus signal may be generated by synchronously rectifying the drive signal. The focus signal thus obtained becomes a signal which changes substantially in proportion to the displacement when the surface of the glass substrate 102 is displaced within a predetermined range with respect to the image plane of the projection optical system 100. The position of the surface of the glass substrate 102 in the Z direction can be known from the signal.

【0025】更に、受光スリット板11の位置に1次元
又は2次元のCCD(電荷結合型撮像デバイス)等から
なる1次元又は2次元の撮像素子を設置し、この撮像素
子によりスリット像の位置を直接計測するようにしても
よい。このようにして計測されたスリット像の位置か
ら、ガラス基板102の表面のZ方向の位置が求められ
る。
Further, a one-dimensional or two-dimensional image pickup device such as a one-dimensional or two-dimensional CCD (charge coupled image pickup device) is installed at the position of the light receiving slit plate 11, and the position of the slit image is determined by this image pickup device. You may make it measure directly. The position of the surface of the glass substrate 102 in the Z direction is obtained from the position of the slit image measured in this way.

【0026】なお、光源1が例えばハロゲンランプであ
り、検出光ALが所定の幅の波長帯域を有するときは、
平行平板ガラス4及び10を介して投影光学系100に
おける倍率補正を行う前に、先ず送光系対物レンズ7A
及び受光系対物レンズ7Bにより投影光学系100の光
軸方向の色収差(軸上色収差)を補正する事が望まし
い。また、光源1が所定の波長帯域を有している場合に
は、特開平4−223326号公報に開示されているよ
うに、その波長帯域内で投影光学系100によって生ず
る倍率の色収差を補正するために、受光系20及び送光
系21内に色補正プリズム等を入れる事が望ましい。
When the light source 1 is, for example, a halogen lamp and the detection light AL has a wavelength band of a predetermined width,
Before performing magnification correction in the projection optical system 100 via the parallel plate glasses 4 and 10, first, the objective lens 7A for the light transmitting system is first provided.
Also, it is desirable to correct chromatic aberration (axial chromatic aberration) in the optical axis direction of the projection optical system 100 by the light receiving system objective lens 7B. When the light source 1 has a predetermined wavelength band, the chromatic aberration of magnification caused by the projection optical system 100 within the wavelength band is corrected as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-223326. Therefore, it is desirable to include a color correction prism or the like in the light receiving system 20 and the light transmitting system 21.

【0027】ここで、図2及び図3を参照して、図1の
中間結像点P1,P2とガラス基板102の表面(被検
面)との関係につき説明する。中間結像点P1,P2の
位置はガラス基板102の表面への検出光ALの入射角
等により決定される。図2は、ガラス基板102側の配
置を示し、この図2において、投影光学系100から射
出された後、ミラー9Aにより反射されてガラス基板1
02上の計測点Qに集光される検出光ALを、ミラー9
Aに関して対称に折り返した光を破線の検出光AL1と
する。また、ミラー9Aを透過してガラス基板102の
表面上で集光する光を検出光AL2とする。そして、計
測点Qに集光される検出光ALの主光線のガラス基板1
02に対する入射角をθ、検出光AL1の主光線の計測
点Qからの間隔をxとすると、検出光AL1の集光点と
ガラス基板102の表面とのZ方向の位置ずれ量Δは次
のようになる。
Here, the relationship between the intermediate image formation points P1 and P2 of FIG. 1 and the surface (test surface) of the glass substrate 102 will be described with reference to FIGS. The positions of the intermediate image formation points P1 and P2 are determined by the angle of incidence of the detection light AL on the surface of the glass substrate 102 and the like. FIG. 2 shows the arrangement on the glass substrate 102 side. In FIG. 2, after being emitted from the projection optical system 100, the glass substrate 1 is reflected by the mirror 9A.
The detection light AL focused on the measurement point Q on 02 is reflected by the mirror 9
Light that is symmetrically folded back with respect to A is defined as detection light AL1 indicated by a broken line. Further, the light that passes through the mirror 9A and is condensed on the surface of the glass substrate 102 is referred to as detection light AL2. Then, the glass substrate 1 of the chief ray of the detection light AL focused on the measurement point Q
When the incident angle with respect to 02 is θ and the distance between the principal ray of the detection light AL1 and the measurement point Q is x, the positional deviation amount Δ in the Z direction between the condensing point of the detection light AL1 and the surface of the glass substrate 102 is as follows. Like

【0028】[0028]

【数1】Δ=x(1/sin θ−1/tan θ) また、図3は、投影光学系100付近の概念図であり、
この図3において、投影光学系100のレチクル101
からガラス基板102への投影倍率をβとして、投影光
学系100は両側テレセントリック光学系であるとす
る。この場合、ガラス基板102からΔだけ下方にずれ
た面22と、投影光学系100に関して共役な面23上
に図1の中間結像点P1,P2が形成され、レチクル1
01のパターン形成面からその面23までの位置ずれ量
はΔ/β2 である。実際には、露光光ILの波長(露光
波長)とは異なる波長の検出光ALを用いるために、そ
の中間結像点P1,P2が位置する面23の位置が光軸
AX方向に若干動くことになるが、概ね検出光ALがそ
の面23上にスリット像を結像するように、その検出光
ALを入射させればよい。
## EQU1 ## Δ = x (1 / sin θ-1 / tan θ) FIG. 3 is a conceptual diagram near the projection optical system 100.
In FIG. 3, the reticle 101 of the projection optical system 100 is shown.
The projection optical system 100 is a double-sided telecentric optical system, where β is the projection magnification from the substrate to the glass substrate 102. In this case, the intermediate image forming points P1 and P2 of FIG. 1 are formed on the surface 22 which is shifted downward from the glass substrate 102 by Δ and the surface 23 which is conjugate with respect to the projection optical system 100, and the reticle 1 is formed.
The amount of positional deviation from the pattern formation surface of No. 01 to the surface 23 is Δ / β 2 . Actually, since the detection light AL having a wavelength different from the wavelength of the exposure light IL (exposure wavelength) is used, the position of the surface 23 on which the intermediate image formation points P1 and P2 are located slightly moves in the optical axis AX direction. However, the detection light AL may be incident so that the detection light AL forms a slit image on the surface 23.

【0029】また、図1に戻り、露光波長と検出光AL
の波長とが違うために、投影光学系100からガラス基
板102側(被検面側)の検出光ALがテレセントリッ
クにならない場合は、被検面側がテレセントリックにな
るように、例えば図1のミラー8Aの設置角度を変えて
検出光ALの投影光学系100に対する入射角を調整す
れば良い。その他に、投影光学系100とミラー9Aと
の間に偏角プリズムを設け、この偏角プリズムにより検
出光ALの進行方向を調節するようにしても良い。
Returning to FIG. 1, the exposure wavelength and the detection light AL
If the detection light AL from the projection optical system 100 on the glass substrate 102 side (the surface to be inspected) does not become telecentric because of the difference in the wavelength of, the mirror 8A in FIG. The incident angle of the detection light AL with respect to the projection optical system 100 may be adjusted by changing the installation angle. Alternatively, a deviation prism may be provided between the projection optical system 100 and the mirror 9A, and the deviation prism may adjust the traveling direction of the detection light AL.

【0030】次に、図4は、実際にガラス基板102の
表面が投影光学系100の像面(ベストフォーカス面)
からΔZ1だけ低下した面(破線で示す面)に在るとき
の検出光ALの光路を示し、この図4において、ガラス
基板102の表面がベストフォーカス面に在るときの検
出光ALの反射光の主光線を実線の検出光14Aで示
し、その表面がΔZ1だけ低下した面に在るときの検出
光ALの反射光の主光線を破線の検出光14Bで示す。
図4に示すように、ガラス基板102の表面がΔZ1だ
け低下したときに、ミラー9Bにおいて、検出光14A
と検出光14BとはR方向にΔY1だけ横ずれしてい
る。
Next, in FIG. 4, the surface of the glass substrate 102 is actually the image plane (best focus plane) of the projection optical system 100.
4 shows the optical path of the detection light AL when it is on the surface (surface shown by the broken line) that is decreased by ΔZ1 from, and in FIG. 4, the reflected light of the detection light AL when the surface of the glass substrate 102 is on the best focus surface. The main light of the reflected light of the detection light AL when the surface thereof is on the surface lowered by ΔZ1 is shown by the broken detection light 14B.
As shown in FIG. 4, when the surface of the glass substrate 102 is lowered by ΔZ1, the detection light 14A is reflected by the mirror 9B.
And the detection light 14B are laterally offset by ΔY1 in the R direction.

【0031】そのため、投影光学系100の上部のミラ
ー8Bにおいて、検出光14Bの位置は、検出光14A
に対して逆方向にΔY2だけ横ずれし、検出光ALのも
とでの投影光学系100のレチクル101からガラス基
板102への投影倍率の近似値βを用いて、ΔY2≒Δ
Y1/βが成立する。更に、ミラー8B上でΔY2だけ
横ずれした検出光14Bは、受光系対物レンズ7B等を
介して受光スリット板11上にはΔY3だけ横ずれして
入射する。即ち、本実施例によれば、ガラス基板102
の表面のZ方向への変位ΔZ1が、受光スリット板11
上でΔY3の横ずれ量に変換される。
Therefore, in the mirror 8B above the projection optical system 100, the position of the detection light 14B is the same as that of the detection light 14A.
With respect to the opposite direction, the image is laterally offset by ΔY2, and ΔY2≈Δ using the approximate value β of the projection magnification from the reticle 101 of the projection optical system 100 to the glass substrate 102 under the detection light AL.
Y1 / β holds. Further, the detection light 14B laterally displaced by ΔY2 on the mirror 8B is laterally displaced by ΔY3 on the light receiving slit plate 11 via the light receiving system objective lens 7B and the like. That is, according to this embodiment, the glass substrate 102
The displacement ΔZ1 in the Z direction of the surface of the light receiving slit plate 11
The above is converted into the lateral shift amount of ΔY3.

【0032】図5は、ガラス基板102付近の光路図で
あり、この図5において、ガラス基板102の計測点Q
からの検出光ALの反射光の主光線を検出光15Aで示
す。このとき、ガラス基板102がΔZだけ投影光学系
100の光軸方向に変位すると、ガラス基板102上の
計測点はQ’に横ずれし、計測点Q’からの反射光の主
光線を破線の検出光15Bで示すと、検出光15A及び
15Bはそれぞれミラー9Bにより反射されて投影光学
系100の光軸にほぼ平行になる。従って、検出光15
A及び15Bのガラス基板102からの反射角をθとす
ると、ミラー9Bで反射された後の検出光15Aと15
Bとの間隔ΔYは、ほぼ次式で表される。
FIG. 5 is an optical path diagram in the vicinity of the glass substrate 102. In FIG. 5, the measurement point Q of the glass substrate 102 is shown.
The chief ray of the reflected light of the detection light AL from is indicated by the detection light 15A. At this time, when the glass substrate 102 is displaced by ΔZ in the optical axis direction of the projection optical system 100, the measurement point on the glass substrate 102 is laterally displaced to Q ′, and the principal ray of the reflected light from the measurement point Q ′ is detected by a broken line. In terms of light 15B, the detection lights 15A and 15B are reflected by the mirror 9B and become substantially parallel to the optical axis of the projection optical system 100. Therefore, the detection light 15
Assuming that the angle of reflection from the glass substrate 102 of A and 15B is θ, the detection lights 15A and 15 after being reflected by the mirror 9B.
The distance ΔY from B is approximately expressed by the following equation.

【0033】[0033]

【数2】ΔY=2・ΔZ・sin θ 従って、反射角θ、即ちガラス基板102に対する検出
光ALの主光線の入射角が大きくなる程横ずれ量ΔYが
大きくなり、ガラス基板102のフォーカス位置のずれ
に対する検出感度が向上する。但し、反射角θが大きく
なると、フォーカス位置のずれに対する計測点Qの横ず
れ量も大きくなり、ガラス基板102上の所定の計測点
に関するフォーカス位置の検出範囲が狭くなる。その点
で、本実施例によれば、ミラー9A及び9Bの傾斜角を
調整するだけで、投影光学系100の口径に殆ど関係な
く、検出光ALの入射角を所望の値に設定でき、検出感
度と検出感度とのバランスを取ることができる。
ΔY = 2 · ΔZ · sin θ Therefore, the larger the reflection angle θ, that is, the incident angle of the principal ray of the detection light AL to the glass substrate 102, the larger the lateral deviation amount ΔY becomes, and the focus position of the glass substrate 102 becomes larger. The detection sensitivity to the deviation is improved. However, as the reflection angle θ increases, the lateral shift amount of the measurement point Q with respect to the shift of the focus position also increases, and the focus position detection range for a predetermined measurement point on the glass substrate 102 narrows. In this respect, according to the present embodiment, the incident angle of the detection light AL can be set to a desired value simply by adjusting the tilt angles of the mirrors 9A and 9B, regardless of the aperture of the projection optical system 100. The sensitivity and the detection sensitivity can be balanced.

【0034】特に、液晶表示素子製造時には、半導体素
子製造時に比べてフォーカス位置の検出精度は低くとも
よく、むしろ検出範囲を広くすることが望まれるため、
このような場合には、ミラー9Aの角度を調整してガラ
ス基板102に入射する検出光の入射角を小さくすれば
よい。これに対して、図8の従来例では、投影光学系1
00の口径が大きくなる程、検出光のガラス基板102
に対する入射角を大きくする必要があり、フォーカス位
置の検出範囲が狭くなってしまう。
In particular, when manufacturing a liquid crystal display element, the focus position detection accuracy may be lower than when manufacturing a semiconductor element, and it is rather desirable to widen the detection range.
In such a case, the angle of the mirror 9A may be adjusted to reduce the incident angle of the detection light incident on the glass substrate 102. On the other hand, in the conventional example of FIG.
The larger the diameter of 00, the glass substrate 102 for the detection light.
Since it is necessary to increase the incident angle with respect to, the detection range of the focus position becomes narrow.

【0035】次に、図6は、図1の投影光学系100の
底面からガラス基板102側を見た平面図であり、この
図6において、外側の円形の輪郭203が図1の投影光
学系100のガラス基板102側の口径に対応し、輪郭
203内で、破線の円形領域が投影光学系100の有効
投影フィールド201である。そして、この有効投影フ
ィールド201に内接する実線の矩形の領域が、実際に
レチクル101のパターンが投影される露光フィールド
202である。その露光フィールド202は、X方向及
びY方向にそれぞれ所定幅を有する矩形領域であり、送
光系からの検出光を反射するミラー9Aと、ガラス基板
102からの反射光を受光系に戻すためのミラー9Bと
は、それぞれ対向するように露光フィールド202の外
側で且つ有効投影フィールド201に内接する位置に固
定されている。
Next, FIG. 6 is a plan view of the projection optical system 100 of FIG. 1 as viewed from the bottom surface of the glass substrate 102 side. In FIG. 6, the outer circular contour 203 is the projection optical system of FIG. A circular area of broken line corresponding to the aperture of 100 on the glass substrate 102 side is the effective projection field 201 of the projection optical system 100 in the contour 203. The solid rectangular area inscribed in the effective projection field 201 is the exposure field 202 onto which the pattern of the reticle 101 is actually projected. The exposure field 202 is a rectangular area having a predetermined width in each of the X direction and the Y direction, and is used to return the reflected light from the glass substrate 102 to the mirror 9A that reflects the detection light from the light transmitting system and the light receiving system. The mirror 9B is fixed at a position outside the exposure field 202 and inscribed in the effective projection field 201 so as to face each other.

【0036】また、ミラー9Aとミラー9Bとを結ぶ直
線の方向は図1のR方向であり、R方向はX方向に対し
てほぼ45°で交差している。その露光フィールド20
2内の中央、即ちミラー9Aとミラー9Bとの中間の計
測点Q1(図1の計測点Qに対応する)に、ミラー9A
を介してスリット像が投影されている。従って、本実施
例では、その露光フィールド202内の中央の計測点Q
1でのフォーカス位置が検出される。しかも、露光フィ
ールド202に照射される露光光は、ミラー9A及び9
Bには遮光されないため、計測点Q1でのフォーカス位
置の検出と露光フィールド202に対するレチクル10
1のパターン像の露光とを同時に行うことができる。即
ち、ガラス基板102のオートフォーカスを行いなが
ら、ガラス基板102上にレチクル101のパターン像
を露光できる。
The direction of the straight line connecting the mirrors 9A and 9B is the R direction in FIG. 1, and the R direction intersects the X direction at an angle of about 45 °. The exposure field 20
The mirror 9A is located at the center of 2 inside, that is, at a measurement point Q1 (corresponding to the measurement point Q in FIG. 1) between the mirrors 9A and 9B.
The slit image is projected via. Therefore, in this embodiment, the central measurement point Q in the exposure field 202 is
The focus position at 1 is detected. Moreover, the exposure light applied to the exposure field 202 is reflected by the mirrors 9A and 9A.
Since the light is not shielded by B, the reticle 10 for detecting the focus position at the measurement point Q1 and the exposure field 202 is detected.
The exposure of one pattern image can be performed simultaneously. That is, the pattern image of the reticle 101 can be exposed on the glass substrate 102 while performing the autofocus of the glass substrate 102.

【0037】次に、本発明の他の実施例につき、図7を
参照して説明する。本実施例は、図1の実施例において
送光系20、ミラー9A,9B、及び受光系21からな
るフォーカス位置検出系を4組設け、オートフォーカス
のみならず、オートレベリングをも行えるようにしたも
のである。以下、図1の実施例に対応する部分には同一
符号を付して説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, four sets of focus position detection systems including the light sending system 20, the mirrors 9A and 9B, and the light receiving system 21 are provided in the embodiment of FIG. 1 so that not only autofocus but also auto leveling can be performed. It is a thing. In the following, parts corresponding to those in the embodiment of FIG.

【0038】図7は、本実施例の投影光学系の底面から
露光対象のガラス基板側を見た平面図であり、この図7
において、図1の投影光学系100の口径に対応する輪
郭203内で、投影光学系100の円形の有効投影フィ
ールド201に内接するように、矩形の露光フィールド
202が設定されている。本実施例では、フォーカス位
置検出系の送光系からの検出光を反射するための1対の
ミラー9A及び9Jと、別の1対のミラー9F及び9G
とが、それぞれ露光フィールド202のY方向の外側で
且つ有効投影フィールド201に内接する位置に固定さ
れ、ガラス基板からの反射光を受光系に戻すための1対
のミラー9D及び9Eと、別の1対のミラー9I及び9
Hとが、それぞれ露光フィールド202のX方向の外側
で且つ有効投影フィールド201に内接する位置に固定
されている。
FIG. 7 is a plan view of the glass substrate to be exposed as seen from the bottom of the projection optical system of this embodiment.
In FIG. 1, a rectangular exposure field 202 is set so as to be inscribed in the circular effective projection field 201 of the projection optical system 100 within the contour 203 corresponding to the aperture of the projection optical system 100 of FIG. In this embodiment, a pair of mirrors 9A and 9J for reflecting the detection light from the light transmitting system of the focus position detection system and another pair of mirrors 9F and 9G.
Are fixed in positions outside the exposure field 202 in the Y direction and inscribed in the effective projection field 201, and a pair of mirrors 9D and 9E for returning the reflected light from the glass substrate to the light receiving system, and another mirror A pair of mirrors 9I and 9
H and H are fixed to positions outside the exposure field 202 in the X direction and inscribed in the effective projection field 201, respectively.

【0039】そして、ミラー9C及び9Jで反射された
検出光により、それぞれ露光フィールド202内の計測
点Q2及びQ5にスリット像が投影され、そのスリット
像からの反射光がミラー9D及び9Iにより投影光学系
100に導かれ、ミラー9F及び9Gで反射された検出
光により、それぞれ露光フィールド202内の計測点Q
3及びQ4にスリット像が投影され、そのスリット像か
らの反射光がミラー9E及び9Hにより投影光学系10
0に導かれる。ミラー9C及び9Hとそれぞれミラー9
D及び9Gとを結ぶ直線の方向はR1方向であり、ミラ
ー9E及び9Jとそれぞれミラー9F及び9Iとを結ぶ
直線の方向はR2方向であり、R1方向及びR2方向は
それぞれX方向に対してほぼ±45°で交差している。
The detection light reflected by the mirrors 9C and 9J projects slit images at the measurement points Q2 and Q5 in the exposure field 202, and the reflected light from the slit images is projected by the mirrors 9D and 9I. The detection light guided to the system 100 and reflected by the mirrors 9F and 9G causes measurement points Q in the exposure field 202, respectively.
A slit image is projected on 3 and Q4, and reflected light from the slit image is projected onto the projection optical system 10 by the mirrors 9E and 9H.
Lead to zero. Mirrors 9C and 9H and mirror 9 respectively
The direction of the straight line connecting D and 9G is the R1 direction, and the direction of the straight line connecting the mirrors 9E and 9J and the mirrors 9F and 9I is the R2 direction, and the R1 direction and the R2 direction are approximately with respect to the X direction. They intersect at ± 45 °.

【0040】本実施例では、計測点Q2〜Q5は、露光
フィールド202内の4隅に配置され、それら4個の計
測点Q2〜Q5でのフォーカス位置が検出される。例え
ばこれら4個のフォーカス位置の平均値をその露光フィ
ールド202の平均的なフォーカス位置として、これら
4個のフォーカス位置で定まる平均的な面の傾斜角をそ
の露光フィールド202の傾斜角とすることにより、そ
の露光フィールド202のフォーカス位置及び傾斜角が
検出される。これらフォーカス位置及び傾斜角をベスト
フォーカス面に合わせることにより、フォーカス合わせ
及びレベリングが行われる。しかも、露光フィールド2
02に照射される露光光は、ミラー9C〜9Jには遮光
されないため、計測点Q2〜Q5でのフォーカス位置の
検出と露光フィールド202に対するレチクルのパター
ン像の露光とを同時に行うことができる。即ち、ガラス
基板のオートフォーカス及びオートレベリングを行いな
がら、ガラス基板上にレチクル101のパターン像を露
光できる。
In this embodiment, the measurement points Q2 to Q5 are arranged at four corners in the exposure field 202, and the focus positions at these four measurement points Q2 to Q5 are detected. For example, an average value of these four focus positions is set as an average focus position of the exposure field 202, and an average surface tilt angle determined by these four focus positions is set as the tilt angle of the exposure field 202. , The focus position and tilt angle of the exposure field 202 are detected. Focusing and leveling are performed by adjusting the focus position and the tilt angle to the best focus surface. Moreover, exposure field 2
Since the exposure light radiated on 02 is not shielded by the mirrors 9C to 9J, the focus position detection at the measurement points Q2 to Q5 and the exposure of the reticle pattern image on the exposure field 202 can be performed simultaneously. That is, the pattern image of the reticle 101 can be exposed on the glass substrate while performing the auto focus and the auto leveling of the glass substrate.

【0041】なお、上述実施例は、ガラス基板102上
にスリット像を投影しているため、その投影点(計測
点)でのフォーカス位置が検出されるが、ガラス基板1
02上に平行光束を斜めに照射して、受光系21ではそ
の平行光束の反射光の集光点の位置を検出するようにし
てもよい。これにより、その平行光束の照射領域の傾斜
角を検出できる。
In the above embodiment, since the slit image is projected on the glass substrate 102, the focus position at the projection point (measurement point) is detected.
It is also possible to irradiate a parallel light flux onto 02 at an angle and to detect the position of the focal point of the reflected light of the parallel light flux in the light receiving system 21. Thereby, the inclination angle of the irradiation area of the parallel light flux can be detected.

【0042】また、上述実施例は、液晶用露光装置に本
発明を適用したものであるが、例えば半導体用露光装置
であっても、露光フィールドが広い場合等には本発明の
ように投影光学系を介してウエハのフォーカス位置また
は傾斜角を検出することにより、ウエハに対する検出光
の入射角を小さくして検出範囲を広くすることができ
る。また、上述実施例では、送光系20及び受光系21
がレチクル101と投影光学系100との間に配置され
ているが、送光系20及び受光系21をレチクル101
の上方に配置するTTR(スルー・ザ・レチクル)方式
としてもよい。
Further, although the present invention is applied to the liquid crystal exposure apparatus in the above-mentioned embodiment, even if it is a semiconductor exposure apparatus, when the exposure field is wide, the projection optical system is used as in the present invention. By detecting the focus position or the tilt angle of the wafer via the system, the incident angle of the detection light with respect to the wafer can be reduced and the detection range can be widened. Further, in the above-described embodiment, the light transmitting system 20 and the light receiving system 21.
Is disposed between the reticle 101 and the projection optical system 100, but the light transmitting system 20 and the light receiving system 21 are connected to the reticle 101.
A TTR (through the reticle) system may be used in which the TTR is arranged above.

【0043】更に、本発明は、投影光学系が反射屈折系
であるような場合にも適用できるものである。このよう
に、本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
Further, the present invention can be applied to the case where the projection optical system is a catadioptric system. As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明によれば、フォーカス位置または
傾斜角の検出光を投影光学系を介して感光基板上に照射
しているため、被検面に対する検出光の入射角を、従来
のように投影光学系の外側の光学系から検出光を入射さ
せる場合よりも小さくでき、露光フィールド(投影光学
系)が拡大された場合でも検出範囲を大きく取れるとい
う利点がある。
According to the present invention, since the detection light at the focus position or the tilt angle is irradiated onto the photosensitive substrate through the projection optical system, the incident angle of the detection light with respect to the surface to be inspected is the same as in the conventional case. In addition, there is an advantage that the detection light can be made smaller than that when the detection light is incident from the optical system outside the projection optical system, and the detection range can be made large even when the exposure field (projection optical system) is enlarged.

【0045】また、検出系を比較的スペースに余裕のあ
るマスク側に配置でき、他のアライメント系等の配置に
制約を受けずに検出系を配置できるという利点もある。
その上、従来例では投影光学系を介していないため、投
影光学系の倍率補正制御の影響やその他の発熱等の影響
を受けるため、その影響を補正する機構が必要となる。
しかしながら、本発明によれば、投影光学系を介してい
るため、仮に投影光学系自身で何らかの倍率変動、フォ
ーカス位置変動等があっても、特に補正を行うことなく
その変動に追従してフォーカス位置又は傾斜角を検出で
きるという利点もある。
There is also an advantage that the detection system can be arranged on the side of the mask having a relatively large space, and the detection system can be arranged without being restricted by the arrangement of other alignment systems and the like.
In addition, in the conventional example, since the projection optical system is not used, it is affected by the magnification correction control of the projection optical system and other heat generation. Therefore, a mechanism for correcting the influence is required.
However, according to the present invention, since the projection optical system is used, even if the projection optical system itself has some magnification variation, focus position variation, etc., the focus position is tracked without any particular correction. Alternatively, there is an advantage that the tilt angle can be detected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による投影露光装置の一実施例の要部を
示す光学系配置図である。
FIG. 1 is an optical system layout diagram showing a main part of an embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention.

【図2】図1のガラス基板102付近の結像関係を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing an image formation relationship near the glass substrate 102 in FIG.

【図3】図1の中間結像点の位置の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a position of an intermediate image forming point in FIG.

【図4】図1の実施例において、実際にガラス基板10
2の表面(被検面)がZ方向にずれたときの検出光の光
路のずれを示す光路図である。
FIG. 4 is a view showing an actual glass substrate 10 in the embodiment of FIG.
FIG. 6 is an optical path diagram showing a deviation of an optical path of detection light when the surface of 2 (the surface to be inspected) is displaced in the Z direction.

【図5】図4のガラス基板102付近の光路を示す図で
ある。
5 is a diagram showing an optical path in the vicinity of the glass substrate 102 of FIG.

【図6】図1において、投影光学系100からガラス基
板102を見た平面図である。
FIG. 6 is a plan view of the glass substrate 102 seen from the projection optical system 100 in FIG.

【図7】本発明の他の実施例において、投影光学系から
ガラス基板を見た平面図である。
FIG. 7 is a plan view of a glass substrate seen from a projection optical system in another embodiment of the present invention.

【図8】従来の斜入射方式のフォーカス位置検出系の要
部を示す構成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram showing a main part of a conventional oblique incidence type focus position detection system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光源 2 コンデンサーレンズ 3 送光スリット板 4,10 平行平板ガラス(ハービング) 7A 送光系対物レンズ 7B 受光系対物レンズ 8A,8B ミラー 9A,9B ミラー 12 集光レンズ 13 光電検出器 100 投影光学系 101 レチクル 102 ガラス基板 201 有効投影フィールド 202 露光フィールド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 light source 2 condenser lens 3 light-transmitting slit plate 4, 10 parallel plate glass (harbing) 7A light-transmitting system objective lens 7B light-receiving system objective lens 8A, 8B mirror 9A, 9B mirror 12 condenser lens 13 photoelectric detector 100 projection optical system 101 reticle 102 glass substrate 201 effective projection field 202 exposure field

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マスク上に形成された転写用のパターン
の像を投影光学系を介して感光基板上に投影する際に、
前記感光基板の露光面の面位置を検出する投影露光装置
において、 前記投影光学系の前記マスク側の入射面に前記感光基板
に対して非感光性の変位検出用の光を入射させる送光系
と、 前記投影光学系の前記感光基板側の射出面から射出され
る前記変位検出用の光を偏向させて、前記変位検出用の
光を前記投影光学系の光軸に対して斜めに前記感光基板
の露光面上に照射する第1の光路偏向部材と、 前記感光基板の露光面からの前記変位検出用の光の反射
光を前記投影光学系の前記射出面に戻す第2の光路偏向
部材と、 該第2の光路偏向部材及び前記投影光学系を介して前記
投影光学系の前記入射面に戻された前記変位検出用の光
を集光する受光系と、 該受光系により集光された光の位置を検出する集光位置
検出系と、を有し、 該集光位置検出系により検出された位置より前記感光基
板の露光面の面位置を検出するようにしたことを特徴と
する投影露光装置。
1. When projecting an image of a transfer pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system,
In a projection exposure apparatus for detecting the surface position of the exposure surface of the photosensitive substrate, a light transmission system for making non-photosensitive displacement detection light incident on the photosensitive substrate on the mask-side incident surface of the projection optical system. And deflecting the displacement detection light emitted from the exit surface of the projection optical system on the side of the photosensitive substrate so that the displacement detection light is obliquely exposed to the optical axis of the projection optical system. A first optical path deflecting member that irradiates the exposed surface of the substrate, and a second optical path deflecting member that returns the reflected light of the displacement detection light from the exposed surface of the photosensitive substrate to the exit surface of the projection optical system. A light receiving system for collecting the displacement detecting light returned to the incident surface of the projection optical system via the second optical path deflecting member and the projection optical system, and a light receiving system for collecting the light for collecting the displacement. And a condensing position detection system for detecting the position of the emitted light. Out projection exposure apparatus being characterized in that to detect the surface position of the exposure surface of the photosensitive substrate from the detected position by the system.
【請求項2】 前記送光系、前記投影光学系及び前記第
1の光路偏向部材により、前記感光基板の露光面上に前
記投影光学系の光軸に対して斜めに所定形状のパターン
の像を投影し、 前記第2の光路偏向部材、前記投影光学系及び前記受光
系により前記所定形状のパターンの像を再結像し、前記
集光位置検出系により検出された位置より前記感光基板
の露光面の前記投影光学系の光軸方向の位置検出を行う
ことを特徴とする請求項1記載の投影露光装置。
2. An image of a pattern having a predetermined shape, which is oblique to the optical axis of the projection optical system, on the exposure surface of the photosensitive substrate by the light sending system, the projection optical system, and the first optical path deflecting member. The second optical path deflecting member, the projection optical system and the light receiving system to re-image an image of the pattern of the predetermined shape, and the photosensitive substrate from the position detected by the condensing position detection system. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the position of the exposure surface in the optical axis direction of the projection optical system is detected.
JP33118993A 1993-12-27 1993-12-27 Exposure method and projection exposure apparatus Expired - Fee Related JP3381740B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33118993A JP3381740B2 (en) 1993-12-27 1993-12-27 Exposure method and projection exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33118993A JP3381740B2 (en) 1993-12-27 1993-12-27 Exposure method and projection exposure apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07192987A true JPH07192987A (en) 1995-07-28
JP3381740B2 JP3381740B2 (en) 2003-03-04

Family

ID=18240885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33118993A Expired - Fee Related JP3381740B2 (en) 1993-12-27 1993-12-27 Exposure method and projection exposure apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3381740B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007058123A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Olympus Imaging Corp Digital camera system and intermediate adaptor
KR100971322B1 (en) * 2008-08-21 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 Exposure apparatus for use in fabricating semiconductor device
US8947632B2 (en) 2009-12-23 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007058123A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Olympus Imaging Corp Digital camera system and intermediate adaptor
KR100971322B1 (en) * 2008-08-21 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 Exposure apparatus for use in fabricating semiconductor device
US8947632B2 (en) 2009-12-23 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP3381740B2 (en) 2003-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6654097B1 (en) Projection exposure apparatus
US9594316B2 (en) Surface positioning detecting apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US4705940A (en) Focus detection in a projection optical system
US6977728B2 (en) Projection exposure apparatus and aberration measurement method
US5801816A (en) Projection exposure apparatus
US6034780A (en) Surface position detection apparatus and method
KR20010091971A (en) Alignment apparatus, alignment method, exposure apparatus, and exposure method
JPH1082611A (en) Apparatus for detecting position of face
JP3360321B2 (en) Surface position detecting apparatus and method, and exposure apparatus and method
JP3381740B2 (en) Exposure method and projection exposure apparatus
JP2000012445A (en) Position detecting method and apparatus, and aligner equipped with the apparatus
JPH08288192A (en) Projection aligner
JP3531227B2 (en) Exposure method and exposure apparatus
US4723846A (en) Optical path length compensating optical system in an alignment apparatus
JPH06188173A (en) Surface position detector
JPH07142346A (en) Projection aligner
JP2771136B2 (en) Projection exposure equipment
JP2003035511A (en) Position detector and aligner equipped with it
JPH06349708A (en) Projection exposure device
KR100414575B1 (en) Projection exposure equipment
JP3271720B2 (en) Surface position detection method and device
JP2771138B2 (en) Projection exposure equipment
JPH10289871A (en) Projection exposure device
JPH1050593A (en) Projection aligner and manufacture of semiconductor device using the same
JPH10261576A (en) Projection aligner

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20021120

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees