JPH071684B2 - Electron beam intensity measuring device - Google Patents

Electron beam intensity measuring device

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JPH071684B2
JPH071684B2 JP63075782A JP7578288A JPH071684B2 JP H071684 B2 JPH071684 B2 JP H071684B2 JP 63075782 A JP63075782 A JP 63075782A JP 7578288 A JP7578288 A JP 7578288A JP H071684 B2 JPH071684 B2 JP H071684B2
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electron beam
intensity
beam intensity
light
stimulable phosphor
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信文 森
哲夫 及川
嘉晏 原田
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Fujifilm Holdings Corp
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Jeol Ltd
Fuji Photo Film Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は2次元センサを使用して電子顕微鏡等の電子線
装置における電子線強度を測定する電子線強度測定装置
に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electron beam intensity measuring device for measuring electron beam intensity in an electron beam device such as an electron microscope using a two-dimensional sensor.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、試料の構造解析をその試料のX線又は電子線回折
像を取得することにより行うようにしている。この構造
解析においては、回折スポットの位置に関する情報にの
み注目されて来たが、近時、個々の回折スポットの強度
を測定し、この定量的な情報を得ることにより、試料の
結晶構造を構成している各元素が何であるかも知り得る
ようになって来た。そのための電子線強度の測定装置に
は、次の2通りの装置がある。
Conventionally, structural analysis of a sample is performed by acquiring an X-ray or electron beam diffraction image of the sample. In this structural analysis, attention has been focused only on the information on the position of the diffraction spot, but recently, by measuring the intensity of each diffraction spot and obtaining this quantitative information, the crystal structure of the sample was constructed. I have come to know what each element is doing. There are the following two types of electron beam intensity measuring devices for that purpose.

1つは写真フィルムを電子線強度記録材料として用い、
その黒化度から電子線強度を測定するようにした装置で
あり、他はシンチレータと光電子増倍管(PMT)、また
は電流計を用いて電子線強度を測定するようにした装置
である。
One uses photographic film as electron beam intensity recording material,
This is a device that measures the electron beam intensity from the degree of blackening, and the other is a device that measures the electron beam intensity using a scintillator and a photomultiplier tube (PMT), or an ammeter.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかしながら、写真フィルムを電子線強度記録材料とし
て用い、その黒化度から電子線強度を測定するようにし
た装置においては、写真フィルムの黒化度−電子線強度
の関係が第4図に示すような特性となり、リニアな関係
にあって利用できる範囲は、精々2×10-11〜2×10-10
(クーロン/cm2)と1桁程度しかなく、また現像液の
種類や、現像温度等のフィルム現像条件によっても図の
特性A、B、Cのように大きく変動し、さらにリニアと
いっても完全なものではないので、黒化度から電子線強
度を精度よく測定することは困難であった。そのため、
例えばX線回折の撮影の場合のように電子線回折像を得
ようとしても、電子線回折における電子線強度範囲が2.
5〜3桁程度にも及ぶためにフィルムではカバーできな
かった。
However, in an apparatus in which a photographic film is used as an electron beam intensity recording material and the electron beam intensity is measured from its blackening degree, the relationship between the blackening degree of the photographic film and the electron beam intensity is as shown in FIG. The characteristic range is linear and the usable range is at most 2 × 10 -11 to 2 × 10 -10.
(Coulomb / cm 2 ) is only about one digit, and it varies greatly depending on the type of developing solution and the film development conditions such as development temperature, as shown by characteristics A, B, and C, and even linear Since it is not perfect, it was difficult to measure the electron beam intensity accurately from the degree of blackening. for that reason,
For example, even when trying to obtain an electron beam diffraction image as in the case of X-ray diffraction imaging, the electron beam intensity range in electron beam diffraction is 2.
It couldn't be covered with film because it reached about 5 to 3 digits.

また、シンチレータと光電子増倍管(PMT)、または電
流計を用いて電子線強度を測定する装置においては、シ
ンチレータまたは電流計が電子線を蓄積することができ
ず、2次元分布をもつ電子顕微鏡の電子線強度分布の測
定には、電子顕微鏡像を走査する必要があり、その結果
同一時刻での電子線強度分布を測定することができなか
った。
In a device that measures the electron beam intensity using a scintillator and a photomultiplier tube (PMT) or an ammeter, the scintillator or ammeter cannot store the electron beam and the electron microscope has a two-dimensional distribution. It was necessary to scan an electron microscope image for the measurement of the electron beam intensity distribution of, and as a result, the electron beam intensity distribution at the same time could not be measured.

本発明は上記問題点を解決するためのもので、ダイナミ
ックレンジを広くとることができると共に、電子線強度
値を精度よく測定することができ、2次元の電子線像の
強度分布を同一時刻に検出することのできる電子線強度
測定装置を提供することを目的としている。
The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and it is possible to obtain a wide dynamic range, to accurately measure an electron beam intensity value, and to obtain an intensity distribution of a two-dimensional electron beam image at the same time. It is an object of the present invention to provide an electron beam intensity measuring device capable of detecting.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

そのために本発明は、電子線を2次元センサへ電子線を
照射する手段と、2次元センサ上を走査励起する手段
と、2次元センサからの発光光を検出する光検出手段
と、該検出手段よりの信号を予め記憶された発光光の各
検出強度と入射電子線強度との関係に基づき前記発光光
の検出強度に対応した入射電子線強度値を表す信号に変
換するための手段とを備えた電子線強度測定装置を特徴
としている。
To this end, the present invention provides means for irradiating a two-dimensional sensor with an electron beam, means for scanning and exciting the two-dimensional sensor, light detecting means for detecting light emitted from the two-dimensional sensor, and the detecting means. Means for converting the signal from the above into a signal representing an incident electron beam intensity value corresponding to the detected intensity of the emitted light based on the relationship between the detected intensity of the emitted light and the incident electron beam intensity stored in advance. It features an electron beam intensity measuring device.

〔作用〕[Action]

本発明は、電子線を2次元センサに照射してエネルギを
蓄積し、光照射等の励起により生ずるこの2次元センサ
からの発光光を検出し、予め記憶された発光光の各検出
強度値と入射電子線強度値との関係に基づき、その発光
光強度から入射電子線強度を測定することにより、直線
性に優れ、ダイナミックレンジの広い電子線強度測定が
可能になる。
The present invention irradiates a two-dimensional sensor with an electron beam to accumulate energy, detects the emitted light from the two-dimensional sensor generated by excitation such as light irradiation, and detects the detected intensity values of the emitted light stored in advance. By measuring the incident electron beam intensity from the emitted light intensity based on the relationship with the incident electron beam intensity value, it is possible to measure the electron beam intensity with excellent linearity and a wide dynamic range.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例を図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

近年、電子線を照射したときに、照射電子線エネルギを
蓄積し、次いで、光照射或いは加熱等により励起するこ
とにより蓄積されたエネルギを光として放出する蓄積性
蛍光体シート等からなる2次元センサが開発され、電子
顕微鏡に適用したものも提案されている(特開昭61-517
38号、特開昭61-93539号等)。この2次元センサは、電
子線露出を受けたときそのエネルギの少なくとも一部を
一時的に蓄積し、後に外部から励起すると蓄積している
エネルギの少なくとも一部を光、電気、音等の検出可能
な形態で放出する能力を持つ材料からなるものである。
この2次元センサとして具体的には、例えば特開昭55-1
2429号、同55-116340号、同55-163472号、同56-11395
号、同56-104645号公報等に示される蓄積性蛍光体シー
トが特に好適に用いられている。すなわち、ある種の蛍
光体に電子線等の放射線を照射するとこの放射線のエネ
ルギの一部がその蛍光体中に蓄積され、その後その蛍光
体に可視光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネル
ギに応じて蛍光体が蛍光(輝尽発光)を示す。このよう
な性質を示す蛍光体を蓄積性蛍光体と言う。蓄積性蛍光
体シートとは、上記蓄積性蛍光体からなるシート状の記
録体のことであり、一般に支持体とこの支持体上に積層
された蓄積性蛍光体層からなる。蓄積性蛍光体層は蓄積
性蛍光体を適当な結合剤中に分散させて形成したもので
あるが、この蓄積性蛍光体層が自己支持性である場合、
それ自体で蓄積性蛍光体シートとなりうる。なお、この
蓄積性蛍光体シートを形成するための輝尽性蛍光体の例
は、前記特開昭61-93539号に詳しく記載されている。
In recent years, a two-dimensional sensor composed of a stimulable phosphor sheet or the like that accumulates irradiation electron beam energy when irradiated with an electron beam and then emits the accumulated energy as light by being excited by light irradiation or heating. Was developed, and one applied to an electron microscope has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 61-517).
38, JP-A-61-93539, etc.). This two-dimensional sensor can temporarily store at least part of its energy when it is exposed to an electron beam, and can detect at least part of the accumulated energy by light, electricity, sound, etc. when it is excited from the outside. It consists of a material that has the ability to release in various forms.
Specifically, as this two-dimensional sensor, for example, JP-A-55-1 is used.
2429, 55-116340, 55-163472, 56-11395
No. 56-104645 and the like are particularly preferably used for the stimulable phosphor sheet. That is, when a certain kind of phosphor is irradiated with radiation such as an electron beam, a part of the energy of this radiation is accumulated in the phosphor, and then when the phosphor is irradiated with excitation light such as visible light, it is accumulated. The phosphor exhibits fluorescence (stimulated luminescence) according to energy. A phosphor having such a property is called a storage phosphor. The stimulable phosphor sheet is a sheet-shaped recording material made of the above stimulable phosphor, and generally comprises a support and a stimulable phosphor layer laminated on the support. The stimulable phosphor layer is formed by dispersing the stimulable phosphor in an appropriate binder. When the stimulable phosphor layer is self-supporting,
As such, it can serve as a stimulable phosphor sheet. An example of the stimulable phosphor for forming this stimulable phosphor sheet is described in detail in JP-A-61-93539.

また上記2次元センサとして、例えば特公昭55-47719
号、同55-47720号公報等に記載されている熱蛍光体シー
トを用いることもできる。この熱蛍光体シートは、主と
して熱の作用によって蓄積している放射線エネルギを、
熱蛍光体として放出する蛍光体(熱蛍光体)からなるシ
ート状の記録体である。
Further, as the above-mentioned two-dimensional sensor, for example, Japanese Examined Patent Publication No.
No. 55-47720 and the like can be used. This thermal phosphor sheet mainly absorbs radiation energy accumulated by the action of heat,
It is a sheet-shaped recording material made of a phosphor (thermophosphor) that emits as a thermophosphor.

このような2次元センサについて、入射電子線量と出力
信号強度との関係について調べたところ、第3図に示す
ような関係が得られ、10-15〜10-9(クーロン/cm2)程
度の広範囲にわたって直線性が保たれることが分かっ
た。
When the relation between the incident electron dose and the output signal intensity was investigated for such a two-dimensional sensor, the relation as shown in Fig. 3 was obtained, and the relation was about 10 -15 to 10 -9 (coulomb / cm 2 ). It was found that the linearity was maintained over a wide range.

本発明はこのように2次元センサを使用することにより
第3図に示すような特性が得られることに着目し、この
特性を利用して電子線強度を測定するようにしたもので
ある。
The present invention focuses on the fact that the characteristic as shown in FIG. 3 can be obtained by using the two-dimensional sensor in this way, and the electron beam intensity is measured by utilizing this characteristic.

第3図に示す特性から分かるように、6桁以上にわたっ
て入射電子線と出力信号強度の間に直線性が満たされる
ので、電子線露光によりエネルギ蓄積をした2次元セン
サを光照射、或いは加熱等により励起したときの発光強
度から照射電子線を正確に測定することが可能となる。
As can be seen from the characteristics shown in FIG. 3, since the linearity is satisfied between the incident electron beam and the output signal intensity for 6 digits or more, the two-dimensional sensor that has accumulated energy by electron beam exposure is irradiated with light or heated. It is possible to accurately measure the irradiation electron beam from the emission intensity when excited by.

第1図は第3図の特性を利用した電子線強度測定装置の
一実施例を示す図で、1は電子顕微鏡、2はカメラ室、
3は電子銃、4は電子線、5は収束レンズ、6は試料、
7は対物レンズ、8は拡大レンズ、9aは撮像中の蓄積性
蛍光体シート、9bは読出中の蓄積性蛍光体シート、10は
搬送機、11はレーザ光源、12はレーザ光、13はガルバノ
ミラー、14は消去用光源、15はPMT、16はアンプ、17は
プロセッサー、26はディスプレイ、27は操作卓である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of an electron beam intensity measuring apparatus utilizing the characteristics of FIG. 3, 1 is an electron microscope, 2 is a camera room,
3 is an electron gun, 4 is an electron beam, 5 is a converging lens, 6 is a sample,
7 is an objective lens, 8 is a magnifying lens, 9a is a stimulable phosphor sheet being imaged, 9b is a stimulable phosphor sheet being read, 10 is a carrier, 11 is a laser light source, 12 is a laser beam, and 13 is a galvanometer. A mirror, 14 is an erasing light source, 15 is a PMT, 16 is an amplifier, 17 is a processor, 26 is a display, and 27 is a console.

図において、電子顕微鏡1の下方に蓄積性蛍光体シート
9a、9b及びこれを搬送する搬送機10が設けられたカメラ
室2が取り付けられている。さらに、カメラ室2には読
取部が組込まれている。これは撮影が終了した2次元セ
ンサ9bから電子線強度を読出す部分で、レーザ光源11よ
り発生したレーザ光12をガルバノミラー13で2次元セン
サ9b上を走査照射し、2次元センサ9b上に蓄積した電子
線強度に比例して発生する光をPMT15で測光し、アンプ1
6を通してプロセッサ17へ送り、電気信号として検出す
るものである。プロセッサ17の内部(あるいは外部)に
はメモリが備えられており、このメモリには、予め行わ
れた測定に基づいて得られる、発光光の検出器の各出力
信号強度と蓄積性蛍光体シートに入射する電子線強度値
(電子線量)との第3図に示すような関係がテーブルと
して記録されている。プロセッサ17はPMT15よりの発光
光の強度を表す信号により前記テーブルのアドレスを指
定してその強度に対応するセンサ入射電子線強度値(電
子線量)を表す信号を読み出せるようになっている。
In the figure, a stimulable phosphor sheet is provided below the electron microscope 1.
A camera room 2 in which a transporting machine 10 for transporting 9a, 9b and 9a, 9b is installed is attached. Further, a reading unit is incorporated in the camera room 2. This is a part for reading out the electron beam intensity from the two-dimensional sensor 9b which has finished photographing, and the laser beam 12 generated from the laser light source 11 is scanned and irradiated by the galvano mirror 13 onto the two-dimensional sensor 9b. The light generated in proportion to the accumulated electron beam intensity is measured with the PMT15, and the amplifier 1
It is sent to the processor 17 through 6 and detected as an electric signal. A memory is provided inside (or outside) of the processor 17, and this memory stores the output signal intensity of the detector of the emitted light and the stimulable phosphor sheet, which are obtained based on the measurement performed in advance. The relationship with the incident electron beam intensity value (electron dose) as shown in FIG. 3 is recorded as a table. The processor 17 is capable of designating an address in the table by a signal representing the intensity of the emitted light from the PMT 15 and reading a signal representing the sensor incident electron beam intensity value (electron dose) corresponding to the address.

次に動作について説明すると、電子銃3からの電子線4
は収束レンズ5により収束されて試料6に照射され、対
物レンズ7により電子線像が形成される。この電子線像
は、拡大レンズ8により蓄積性蛍光体シート9a上に投影
されて撮影される。電子顕微鏡の像を撮影した蓄積性蛍
光体シートは搬送機10で読出部に搬送され、信号強度分
布を読出され、その信号はプロセッサ17で処理される。
即ち、プロセッサ17に発光光の各強度値を表す信号が送
られると、プロセッサ17はこの信号に基づいて前記メモ
リに記憶されている変換用テーブルのアドレスを指定
し、発光光の各強度値を表す信号を各強度値に対応した
蓄積性蛍光体シートの入射電子線強度値を表す信号に変
換する。その後、消去用光源14より強い光が照射され、
残像を消去された後、搬送機10で再度露光位置まで送ら
れ再露光される。こうして電子線強度が2次元的、定量
的に読み出され、読み出された値はディスプレイ26に表
示される。なお、この実施例では蓄積性蛍光体シートの
読出部をカメラ室2に内臓している型を示したが、蓄積
性蛍光体シートの読出部をカメラ室2から分離するよう
にしても良く、また蓄積性蛍光体シートに代わり熱蛍光
体シートを用いた場合には、光照射による励起手段に代
わり加熱方式の励起手段を用いれば良い。
Next, the operation will be described. The electron beam 4 from the electron gun 3
Is converged by the converging lens 5 and irradiated on the sample 6, and an electron beam image is formed by the objective lens 7. This electron beam image is projected on the stimulable phosphor sheet 9a by the magnifying lens 8 and photographed. The stimulable phosphor sheet on which the image of the electron microscope is taken is conveyed to the reading section by the conveying machine 10, the signal intensity distribution is read, and the signal is processed by the processor 17.
That is, when a signal representing each intensity value of the emitted light is sent to the processor 17, the processor 17 specifies the address of the conversion table stored in the memory on the basis of this signal to determine each intensity value of the emitted light. The signal represented is converted into a signal representing the incident electron beam intensity value of the stimulable phosphor sheet corresponding to each intensity value. After that, stronger light is emitted from the erasing light source 14,
After the afterimage is erased, the carrier machine 10 sends the image again to the exposure position for re-exposure. In this way, the electron beam intensity is two-dimensionally and quantitatively read, and the read value is displayed on the display 26. In this embodiment, the reading unit for the stimulable phosphor sheet is shown in the camera room 2, but the reading unit for the stimulable phosphor sheet may be separated from the camera chamber 2. When a thermal phosphor sheet is used instead of the stimulable phosphor sheet, a heating type excitation means may be used instead of the light irradiation excitation means.

又、上述した実施例においては、第3図に示す関係を変
換テーブルの形で記憶するようにしたが、変換式の形で
記憶させ、プロセッサにこの式を演算させることにより
センサ入射電子線強度値を算出させるようにしても良
い。
Further, in the above-described embodiment, the relation shown in FIG. 3 is stored in the form of a conversion table, but it is stored in the form of a conversion formula, and the processor calculates this formula to store the incident electron beam intensity of the sensor. You may make it calculate a value.

更に又、上述した実施例においては、センサ入射電子線
強度を求めることに止まっていたが、以下のようにセン
サ入射電流値を測定するようにしても良い。即ち、従
来、露出量を決定するために、電流計を使用していた
が、上記の蓄積性蛍光体を用いた高感度センサを使用す
る撮像のためには従来の電流計は感度が不足してしま
う。そこで、前述の実施例を発展させて第2図を用いて
説明するようにしても良い。尚、第2図においては、第
1図と同一の構成要素に対しては同一番号を付してい
る。
Furthermore, in the above-described embodiment, the intensity of the sensor incident electron beam has been limited to the calculation, but the sensor incident current value may be measured as follows. That is, conventionally, an ammeter was used to determine the exposure amount, but the conventional ammeter lacks sensitivity for imaging using the high-sensitivity sensor using the above-mentioned stimulable phosphor. Will end up. Therefore, the above-described embodiment may be developed and described with reference to FIG. Incidentally, in FIG. 2, the same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

第2図においては、18は電流値測定用の第2の蓄積性蛍
光体シートである。第2の蓄積性蛍光体シート18を軸19
の回りに回転させることにより、蓄積性蛍光体シート18
を電子線光軸上に挿脱できるようになっている。20は第
2のPMT、21は第2のアンプ、22は励起用光源、23は電
子線シャッター用偏向器、24はブランキング信号発生
器、25は第2の消去用光源である。
In FIG. 2, reference numeral 18 is a second stimulable phosphor sheet for measuring a current value. The second storage phosphor sheet 18 is attached to the shaft 19
By rotating around the stimulable phosphor sheet 18
Can be inserted and removed on the optical axis of the electron beam. Reference numeral 20 is a second PMT, 21 is a second amplifier, 22 is an excitation light source, 23 is an electron beam shutter deflector, 24 is a blanking signal generator, and 25 is a second erasing light source.

このような構成において、まず、プロセッサ17の制御に
基づいてブランキング信号発生器24より偏向器23にブラ
ンキング信号を送り、試料に電子線が照射されない形態
にしておく。そして、蓄積性蛍光体シート9aは光軸外に
配置しておく。そこで、蓄積性蛍光体シート18を図中実
線で示すように立てた状態で消去用光源25よりの光を蓄
積性蛍光体シート18に照射し、蓄積性蛍光体シート18に
おける残像を消去する。次に、蓄積性蛍光体シート18を
図中点線で示すように光軸上に配置した後、ブランキン
グ信号発生器27よりのブランキング信号の送出を一定時
間tだけ停止し、蓄積性蛍光体シート18上に一定時間t
だけ試料像を担った電子線を照射する。その後、電子線
をブランキングし、蓄積性蛍光体シート18を再び立てた
位置に配置する。そこで、励起用光源22を発光させ、こ
の光源22よりの光をPMT20で検出する。PTM20よりの信号
はアンプ21を介してプロセッサ17に送られ、この信号は
第1図に示した実施例の場合と同様にプロセッサ17によ
り発光光の強度に対応した電子線強度を表す信号Vに変
換される。プロセッサ17は更に前記露光時間tを表す信
号を用いてV/tを算出する。この値は蓄積性蛍光体シー
ト18に投射される電子線電流値の平均値を表しており、
この値はプロセッサ17の制御に基づいてディスプレイ27
に表示される。オペレータはこの表示値を見ることによ
り、極めて微弱な本撮影時における電子線電流値の平均
値を正確に知ることができ、それにより蓄積性蛍光体シ
ート9aを光軸直下に配置して本撮影する場合の露光時間
を適切に設定できる。
In such a configuration, first, a blanking signal generator 24 sends a blanking signal to the deflector 23 under the control of the processor 17 so that the sample is not irradiated with the electron beam. Then, the stimulable phosphor sheet 9a is arranged outside the optical axis. Therefore, light from the erasing light source 25 is applied to the stimulable phosphor sheet 18 in a state where the stimulable phosphor sheet 18 is erected as shown by the solid line in the figure to erase the afterimage on the stimulable phosphor sheet 18. Next, after arranging the stimulable phosphor sheet 18 on the optical axis as shown by the dotted line in the figure, the blanking signal generator 27 stops the sending of the blanking signal for a predetermined time t to store the stimulable phosphor sheet. Seat 18 for a certain time t
Only the electron beam carrying the sample image is irradiated. Then, the electron beam is blanked, and the stimulable phosphor sheet 18 is placed again in the upright position. Therefore, the excitation light source 22 is caused to emit light, and the light from this light source 22 is detected by the PMT 20. The signal from the PTM20 is sent to the processor 17 via the amplifier 21, and this signal is converted into a signal V representing the electron beam intensity corresponding to the intensity of the emitted light by the processor 17 as in the case of the embodiment shown in FIG. To be converted. The processor 17 further calculates V / t using the signal representing the exposure time t. This value represents the average value of the electron beam current value projected on the stimulable phosphor sheet 18,
This value is displayed by the display 27 under the control of the processor 17.
Is displayed in. By looking at this displayed value, the operator can accurately know the average value of the electron beam current value at the time of the extremely weak main shooting, and by doing so, the stimulable phosphor sheet 9a is placed directly below the optical axis to perform the main shooting. In this case, the exposure time can be set appropriately.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように本発明は、2次元センサの電子線像読出時
の発光強度と露光電子線強度が極めて広範囲にわたって
すぐれた直線関係(比例関係)にあることに着目し、こ
の特性を利用して2次元センサの発光強度から露光時の
電子線強度を測定することを可能にしたものであり、ダ
イナミックレンジが広く、精度のよい測定が可能とな
る。したがって、従来写真フィルムでは不可能であった
電子線回折像や、電子線を材料に照射したときの吸収ス
ペクトルのような電子線強度範囲が広い場合でも、2次
元センサを用いて記録し、定量的に、精度良く読みだす
ことが可能となり、構造解析等に適用した場合極めて有
効である。また、2次元センサは蓄積型検出器であるた
め2次元の電子線像を同一時刻おける電子線強度を測定
することが可能となる。
As described above, the present invention pays attention to the fact that the emission intensity and the exposure electron beam intensity at the time of reading the electron beam image of the two-dimensional sensor have an excellent linear relationship (proportional relationship) over an extremely wide range, and utilize this characteristic. This makes it possible to measure the electron beam intensity at the time of exposure from the emission intensity of the two-dimensional sensor, which has a wide dynamic range and enables accurate measurement. Therefore, even if the electron beam diffraction range and the electron beam intensity range such as the absorption spectrum when the material is irradiated with the electron beam are wide, which were not possible with the conventional photographic film, the two-dimensional sensor is used for recording and quantitative determination. Therefore, it is possible to read out with high accuracy, and it is extremely effective when applied to structural analysis and the like. Further, since the two-dimensional sensor is a storage type detector, it becomes possible to measure the electron beam intensity at the same time in a two-dimensional electron beam image.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明による電子線強度測定装置の一実施例を
説明するための図、第2図は本発明の他の実施例を説明
するための図、第3図は蓄積性蛍光体シートの入射電子
線量と出力信号強度との関係を示す図、第4図は写真フ
ィルムにおける入射電子線量と黒化度との関係を示す図
である。 1……電子顕微鏡、2……カメラ室、3……電子銃、4
……電子線、5……収束レンズ、6……試料、7……対
物レンズ、8……拡大レンズ、9a……撮像中の蓄積性蛍
光体シート、9b……読出中の蓄積性蛍光体シート、10…
…搬送機、11……レーザ光源、12……レーザ光、13……
ガルバノミラー、14、25……消去用光源、15、20……PM
T、16、21……アンプ、17……プロセッサー、22……励
起用光源、23……ブランキング用偏向器、4……ブラン
キング信号発生器、26……ディスプレイ、27……操作
卓。
FIG. 1 is a diagram for explaining one embodiment of an electron beam intensity measuring device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram for explaining another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a stimulable phosphor sheet. Showing the relationship between the incident electron dose and the output signal intensity, and FIG. 4 is a view showing the relationship between the incident electron dose and the degree of blackening in the photographic film. 1 ... Electron microscope, 2 ... Camera room, 3 ... Electron gun, 4
...... Electron beam, 5 ...... Convergent lens, 6 …… Sample, 7 …… Objective lens, 8 …… Magnifying lens, 9 a …… Storing phosphor sheet during imaging, 9 b …… Storing phosphor during reading Sheet, 10 ...
… Conveyor, 11 …… Laser light source, 12 …… Laser light, 13 ……
Galvanometer mirror, 14, 25 …… Erase light source, 15, 20 …… PM
T, 16, 21 ... Amplifier, 17 ... Processor, 22 ... Excitation light source, 23 ... Blanking deflector, 4 ... Blanking signal generator, 26 ... Display, 27 ... Operating console.

フロントページの続き (72)発明者 原田 嘉晏 東京都昭島市武蔵野3丁目1番2号 日本 電子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−138443(JP,A)Front page continuation (72) Inventor Yoshiaki Harada 3-1-2 Musashino, Akishima-shi, Tokyo JEOL Ltd. (56) Reference JP-A-61-138443 (JP, A)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】2次元センサへ電子線を照射する手段と、
2次元センサ上を走査励起する手段と、2次元センサか
らの発光光を検出する光検出手段と、該検出手段よりの
信号を予め記憶された発光光の各検出強度と入射電子線
強度との関係に基づき前記発光光の検出強度に対応した
入射電子線強度値を表す信号に変換するための手段とを
備えた電子線強度測定装置。
1. A means for irradiating a two-dimensional sensor with an electron beam,
The means for scanning and exciting the two-dimensional sensor, the light detecting means for detecting the light emitted from the two-dimensional sensor, and the detection intensity of the emitted light and the incident electron beam intensity in which the signal from the detecting means is stored in advance. An electron beam intensity measuring device comprising means for converting into a signal representing an incident electron beam intensity value corresponding to the detected intensity of the emitted light based on the relationship.
【請求項2】前記2次元センサは、励起による発光後、
消去用光源からの光照射により残像が消去される請求項
1記載の電子線強度測定装置。
2. The two-dimensional sensor, after emitting light by excitation,
The electron beam intensity measuring device according to claim 1, wherein the afterimage is erased by irradiation with light from an erasing light source.
JP63075782A 1988-03-29 1988-03-29 Electron beam intensity measuring device Expired - Fee Related JPH071684B2 (en)

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