JPH07161475A - Electroluminescence driving device - Google Patents

Electroluminescence driving device

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Publication number
JPH07161475A
JPH07161475A JP5309418A JP30941893A JPH07161475A JP H07161475 A JPH07161475 A JP H07161475A JP 5309418 A JP5309418 A JP 5309418A JP 30941893 A JP30941893 A JP 30941893A JP H07161475 A JPH07161475 A JP H07161475A
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JP
Japan
Prior art keywords
transistor
date
circuit
process proceeds
frequency
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5309418A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisaaki Ishimaru
寿明 石丸
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
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Publication of JPH07161475A publication Critical patent/JPH07161475A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain an efficient electroluminescence driving device using a small inductor without using a large transformer. CONSTITUTION:Transistors Tr1, Tr4 mutually repeat turn-on/off at a first frequency. A transistor Tr2 is turned on/off at a second frequency faster then the first frequency during the turn-o of the transistor Tr1. The energy stored in an inductor L1 during the turn-on of the transistor Tr2 works as the electromotive force at an instant when the transistor Tr2 is turned off, and an EL element is charged with positive voltage through a diode D2. Similarly, during the turn-on of the transistor Tr4, the transistor Tr3 is turned on/off at a third frequency faster than the first frequency, and the energy stored in an inductor L2 works as the electromotive force, and the EL element is charged with negative voltage through a diode D3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、カメラやポケ
ットコンピュータのメッセージ表示用のバックライト、
あるいは、ミシンにおける液晶式ディスプレイの表示用
バックライトなどに使用されるエレクトロルミネッセン
ス駆動装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to, for example, a backlight for displaying a message on a camera or a pocket computer,
Alternatively, the present invention relates to an electroluminescence drive device used for a display backlight of a liquid crystal display in a sewing machine.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のエレクトロルミネッセンス( E
lectroluminescence:EL、以下ELと略記する)駆動
装置として、従来より知られているものには、昇圧トラ
ンスや共振用のインダクタンスを用いて電圧を供給する
ものがある。
2. Description of the Related Art This type of electroluminescence (E
2. Description of the Related Art As a drive device known in the related art, there is a drive device that supplies a voltage by using a step-up transformer or an inductance for resonance.

【0003】これらは、昇圧トランスの2次側インダク
タンスや共振用のインダクタンスをEL素子の容量に適
合させて共振させるように構成されている。ところで、
EL素子は、約400〜3000Hz、100V程度の
低周波高電圧で駆動することが、EL素子の寿命、輝度
バランスの面から最も効率的である。
These are adapted to resonate by matching the secondary side inductance of the step-up transformer and the resonance inductance to the capacitance of the EL element. by the way,
Driving the EL element with a low frequency high voltage of about 400 to 3000 Hz and about 100 V is the most efficient in terms of the life of the EL element and the brightness balance.

【0004】しかし、上記昇圧トランスや共振用のイン
ダクタンスの用いる従来のEL駆動装置において、上記
のような効率的な共振を行わせるためには、低周波であ
るが故に大きなインダクタンス値を必要とし、その結
果、トランスやインダクタンスが大型化するという欠点
がある。
However, in the conventional EL drive device using the above step-up transformer and the resonance inductance, a large inductance value is required because of the low frequency in order to perform the above-mentioned efficient resonance. As a result, there is a drawback that the transformer and the inductance become large.

【0005】従来の技術としては、例えば、特開平5ー
36477号公報において、小さなインダクタンスのみ
で大型のトランスを不用とするEL駆動装置が以下のよ
うに開示されている。
As a conventional technique, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36477 discloses the following EL drive device which requires only a small inductance and does not require a large transformer.

【0006】図24は、従来の技術としての上記EL駆
動装置の概略構成図である。直流電源1とEL2に接続
される出力端子3との間に、上記出力端子3に第1の極
性で高電圧を誘起する昇圧チョッパ回路4、及び上記出
力端子3に第2の極性で高電圧を誘起する極性反転昇圧
チョッパ回路5が接続される。
FIG. 24 is a schematic configuration diagram of the above-mentioned EL drive device as a conventional technique. Between the DC power source 1 and the output terminal 3 connected to EL2, a boost chopper circuit 4 for inducing a high voltage with a first polarity at the output terminal 3, and a high voltage with a second polarity at the output terminal 3. A polarity reversal boost chopper circuit 5 for inducing is generated is connected.

【0007】さらに、上記出力端子3の出力電圧を検出
する検出回路6と、パルス信号を出力して上記両昇圧チ
ョッパ回路4、5のオン、オフを制御することにより、
出力端子3に一定周波数の交流出力を発生させるCPU
10内の周波数制御回路7と、上記検出回路6で検出さ
れた出力電圧を一定値に保つように、上記パルス信号を
制御して直流電源から両昇圧チョッパ回路4、5への給
電時間を制御するCPU10内の電圧制御回路8とを備
え、上記両昇圧チョッパ回路4、5は、上記直流電源1
から給電されるインダクタンス9を共有する。そして、
上記昇圧チョッパ回路4、5を高速にすることで、イン
ダクタンス9を小さくすることができる。
Further, the detection circuit 6 for detecting the output voltage of the output terminal 3 and the ON / OFF control of both boost chopper circuits 4 and 5 by outputting a pulse signal,
CPU that generates an AC output of a constant frequency at the output terminal 3
In order to keep the output voltage detected by the frequency control circuit 7 in 10 and the detection circuit 6 at a constant value, the pulse signal is controlled to control the power supply time from the DC power supply to both boost chopper circuits 4 and 5. And a voltage control circuit 8 in the CPU 10 for operating the DC power supply 1
It shares the inductance 9 fed from. And
The inductance 9 can be reduced by increasing the speed of the boost chopper circuits 4 and 5.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、両チョ
ッパ回路の昇圧経路中にバイポーラトランジスタ(以下
トランジスタと略記する)があるため、昇圧のエネルギ
ーの一部はこのトランジスタのベース電流として流れる
ので、その分昇圧の効率が落ちる。
However, since there is a bipolar transistor (hereinafter abbreviated as a transistor) in the boosting path of both chopper circuits, a part of boosting energy flows as a base current of this transistor, so that part of the energy is boosted. Boosting efficiency drops.

【0009】また、このトランジスタのコレクタ、エミ
ッタ間の寄生容量によっても効率が落ちる。一般的に、
電池を電源とする装置においては低消費電流である必要
があり、効率の劣る昇圧回路を使用するのは困難である
という課題があった。
Further, the efficiency is lowered due to the parasitic capacitance between the collector and the emitter of this transistor. Typically,
In a device using a battery as a power source, it is necessary to have a low current consumption, and there is a problem that it is difficult to use a booster circuit having poor efficiency.

【0010】本発明は上記課題に鑑みてなされたもの
で、大型のトランスを使用することなく、小さなインダ
クタを用いた効率の良いエレクトロルミネッセンス駆動
装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an efficient electroluminescence driving device using a small inductor without using a large transformer.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のエレクトロルミネッセンス駆動装置は第1
のコイルを含み、この第1のコイルへの通電を断続する
ことにより正の昇圧電圧を出力する第1の昇圧回路と、
第2のコイルを含み、この第2のコイルへの通電を断続
することにより負の昇圧電圧を出力する第2の昇圧回路
と、上記第1および第2の昇圧回路の出力点に接続され
たエレクトロルミネッセンス素子と、第1の所定時間の
間、上記第1の昇圧回路を作動させ、上記第1の所定時
間に続く第2の所定時間の間、上記第2の昇圧回路を作
動させるためのタイミング信号を出力するタイミング信
号生成手段とを具備し、上記第1の昇圧回路から出力さ
れる上記正の昇圧電圧と、上記第2の昇圧回路から出力
される上記負の昇圧電圧を上記エレクトロルミネッセン
ス素子に交互に印加するようにしたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the electroluminescence driving device of the present invention has a first structure.
A first step-up circuit that outputs a positive step-up voltage by intermittently energizing the first coil.
A second booster circuit including a second coil, which outputs a negative boosted voltage by intermittently energizing the second coil, and is connected to the output points of the first and second booster circuits. For operating the electroluminescent element and the first booster circuit for a first predetermined time, and for operating the second booster circuit for a second predetermined time following the first predetermined time. And a timing signal generating means for outputting a timing signal, wherein the positive boosted voltage output from the first booster circuit and the negative boosted voltage output from the second booster circuit are used for the electroluminescence. It is characterized in that the voltage is alternately applied to the elements.

【0012】[0012]

【作用】本発明のエレクトロルミネッセンス駆動装置に
おいては、第1のコイルを含み、この第1のコイルへの
通電を断続することにより正の昇圧電圧を出力する第1
の昇圧回路と、第2のコイルを含み、この第2のコイル
への通電を断続することにより負の昇圧電圧を出力する
第2の昇圧回路と、上記第1および第2の昇圧回路の出
力点に接続されたエレクトロルミネッセンス素子を有し
ている。第1の所定時間の間、上記第1のコイルへの通
電を断続して上記第1の昇圧回路を作動させた後、タイ
ミング信号生成手段から、上記第1の所定時間に続く第
2の所定時間の間、上記第2のコイルへの通電を断続し
て上記第2の昇圧回路を作動させるためのタイミング信
号が出力される。そして、上記第1の昇圧回路から出力
される上記正の昇圧電圧と、上記第2の昇圧回路から出
力される上記負の昇圧電圧が、上記エレクトロルミネッ
センス素子に交互に印加される。
In the electroluminescence driving device of the present invention, the first coil which includes the first coil and outputs the positive boosted voltage by intermittently energizing the first coil is provided.
Second booster circuit including a second booster circuit and a second coil, which outputs a negative boosted voltage by intermittently energizing the second coil, and outputs of the first and second booster circuits. It has an electroluminescent element connected to the point. After energizing the first coil for a first predetermined time to activate the first booster circuit, a second predetermined time following the first predetermined time from the timing signal generating means. During the time, the timing signal for operating the second booster circuit by intermittently energizing the second coil is output. Then, the positive boosted voltage output from the first booster circuit and the negative boosted voltage output from the second booster circuit are alternately applied to the electroluminescent element.

【0013】[0013]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図1(a)、(b)は、本発明のEL駆動装置の
第1実施例を示すものである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A and 1B show a first embodiment of an EL drive device of the present invention.

【0014】このEL駆動装置は、プラスの昇圧用イン
ダクタL1とマイナス側の昇圧用インダクタL2を有
し、上記インダクタL1の一方はトランジスタTr1を
介して、直流電源Eのプラス側に接続され、他方は、ダ
イオードD1のアノードとダイオードD2のアノードに
接続される。
This EL drive device has a positive boosting inductor L1 and a negative boosting inductor L2. One of the inductors L1 is connected to the plus side of a DC power source E via a transistor Tr1 and the other. Is connected to the anode of the diode D1 and the anode of the diode D2.

【0015】ダイオードD1のカソードは、トランジス
タTr2を介して直流電源Eのマイナス側に接続され、
ダイオードD2のカソードはEL素子の一方及びダイオ
ードD3のアノードに接続される。
The cathode of the diode D1 is connected to the negative side of the DC power source E via the transistor Tr2,
The cathode of the diode D2 is connected to one of the EL elements and the anode of the diode D3.

【0016】また、インダクタL2の一方は、トランジ
スタTr4を介して直流電源Eのマイナス側に接続さ
れ、他方はダイオードD4のカソードとダイオードD3
のカソードに接続される。
One of the inductors L2 is connected to the negative side of the DC power source E via the transistor Tr4, and the other is connected to the cathode of the diode D4 and the diode D3.
Connected to the cathode of.

【0017】ダイオードD4のアノードは、トランジス
タTr3を介して直流電源Eのプラス側に接続される。
また、EL素子の他方は、直流電源Eのマイナス側に接
続される。
The anode of the diode D4 is connected to the plus side of the DC power source E via the transistor Tr3.
The other side of the EL element is connected to the negative side of the DC power source E.

【0018】以上のように構成された、EL駆動装置の
動作について説明する。図2は、第1実施例でのEL素
子への充電の様子を示すタイムチャートである。
The operation of the EL drive device configured as described above will be described. FIG. 2 is a time chart showing how the EL element is charged in the first embodiment.

【0019】トランジスタTr1、Tr4は、交互に第
1の周波数でオン、オフを繰り返す。トランジスタTr
2は、少なくともトランジスタTr1がオンしていると
きに、第1の周波数より速い第2の周波数でオン、オフ
を行う。このトランジスタTr2がオンしている間にイ
ンダクタL1に蓄えられたエネルギが、次の瞬間、トラ
ンジスタTr2がオフとなったときに起電力となり、ダ
イオードD2を通してEL素子に正の電圧を充電する。
The transistors Tr1 and Tr4 are alternately turned on and off repeatedly at the first frequency. Transistor Tr
2 turns on and off at a second frequency higher than the first frequency at least when the transistor Tr1 is on. The energy stored in the inductor L1 while the transistor Tr2 is on becomes an electromotive force when the transistor Tr2 is turned off at the next moment, and charges the EL element with a positive voltage through the diode D2.

【0020】ここで、図1(b)に示したように、EL
素子は等価的にコンデンサと抵抗が並列に接続されたも
のと考えられ、この等価的なコンデンサに正の電荷が蓄
えられる。
Here, as shown in FIG.
It is considered that the element equivalently has a capacitor and a resistor connected in parallel, and a positive charge is stored in this equivalent capacitor.

【0021】同様に、トランジスタTr3は、少なくと
もトランジスタTr4がオンしているときに、第1の周
波数より速い第3の周波数でオン、オフを行う。このト
ランジスタTr3がオンしている間にインダクタL2に
蓄えられたエネルギーが、次の瞬間、トランジスタTr
3がオフとなったときに起電力となり、ダイオードD3
を通してEL素子に負の電圧を充電する。
Similarly, the transistor Tr3 turns on and off at a third frequency higher than the first frequency at least when the transistor Tr4 is on. The energy stored in the inductor L2 while the transistor Tr3 is on is changed to the transistor Tr2 at the next moment.
When 3 is turned off, an electromotive force is generated and diode D3
To charge the EL element with a negative voltage.

【0022】トランジスタTr2のオン、オフでEL素
子を正に昇圧しているときは、トランジスタTr4はオ
フになっており、またダイオードD2があることにより
トランジスタTr3には電流は流れない。
When the EL element is positively boosted by turning on and off the transistor Tr2, the transistor Tr4 is off and the diode D2 prevents the current from flowing through the transistor Tr3.

【0023】同様に、トランジスタTr3のオン、オフ
でEL素子を負に昇圧しているときは、トランジスタT
r1はオフになっており、またダイオードD2があるこ
とによりトランジスタTr2には電流は流れない。
Similarly, when the EL element is negatively boosted by turning on / off the transistor Tr3, the transistor T3 is turned on.
Since r1 is off and the diode D2 is present, no current flows through the transistor Tr2.

【0024】なお、ここでは、EL素子の他方は、直流
電源Eのマイナス側に接続されるが直流電源Eのプラス
側でもかまわない。図3は、本発明のEL駆動装置の第
2実施例を示すものである。
Although the other of the EL elements is connected to the negative side of the DC power source E here, it may be the positive side of the DC power source E. FIG. 3 shows a second embodiment of the EL drive device of the present invention.

【0025】また、図4は、第2実施例でのEL素子へ
の充電の様子を示すタイムチャートである。トランジス
タTr8は、EL駆動回路全体の電源の供給を行ってお
り、このトランジスタTr8はCPUのCEN端子信号
で制御される。
FIG. 4 is a time chart showing how the EL element is charged in the second embodiment. The transistor Tr8 supplies power to the entire EL drive circuit, and the transistor Tr8 is controlled by the CEN terminal signal of the CPU.

【0026】トランジスタTr1、及びトランジスタT
r4は、それぞれプラスの昇圧部、マイナスの昇圧部の
オン、オフ行う。トランジスタTr1はPNPトランジ
スタで、トランジスタTr4はNPNトランジスタであ
るため、CPUのCK1端子信号が“L”のときにトラ
ンジスタTr1はオン、“H”のときにトランジスタT
r4がオフとなり、数100Hz〜数KHzで発振を行
う。
Transistor Tr1 and transistor T
r4 turns on and off the positive booster and the negative booster, respectively. Since the transistor Tr1 is a PNP transistor and the transistor Tr4 is an NPN transistor, the transistor Tr1 is on when the CK1 terminal signal of the CPU is “L”, and the transistor T1 is “H”.
r4 is turned off, and oscillation is performed at several 100 Hz to several KHz.

【0027】抵抗R8及びトランジスタTr5のコレク
タがトランジスタTr2のベースに接続されており、ト
ランジスタTr5のベースが抵抗R7を介してCPUの
CK2端子に接続される。よって、トランジスタTr1
がオンのときCK2端子信号を“H”から“L”、また
は“L”から“H”と変化させるごとにトランジスタT
r2もオン、オフを繰り返す。
The resistor R8 and the collector of the transistor Tr5 are connected to the base of the transistor Tr2, and the base of the transistor Tr5 is connected to the CK2 terminal of the CPU via the resistor R7. Therefore, the transistor Tr1
Each time the CK2 terminal signal is changed from "H" to "L" or "L" to "H" when is on, the transistor T
r2 also turns on and off repeatedly.

【0028】トランジスタTr2がオンのとき、インダ
クタL1に電流が流れ、一方、トランジスタTr2がオ
フのときにはインダクタL1の起電力により、ダイオー
ドD2を介して、コンデンサC2及びEL素子に正の充
電が行われる。
When the transistor Tr2 is on, a current flows through the inductor L1, while when the transistor Tr2 is off, the electromotive force of the inductor L1 positively charges the capacitor C2 and the EL element via the diode D2. .

【0029】このとき、トランジスタTr4がオフして
おり、ダイオードD2、D4があるので、コンデンサC
2、及びEL素子に蓄えられた電圧は、ほぼEL素子自
身の持つ抵抗分のみにより低下する。
At this time, since the transistor Tr4 is off and the diodes D2 and D4 are present, the capacitor C
2 and the voltage stored in the EL element drops almost only by the resistance of the EL element itself.

【0030】EL素子を放置及び使用することでEL素
子は劣化し、抵抗成分が大きくなるが、コンデンサC2
の容量をEL素子の等価容量より大きくすることで、そ
の影響を小さくすることができる。
When the EL element is left and used, the EL element deteriorates and the resistance component increases, but the capacitor C2
The effect can be reduced by making the capacitance of 1 larger than the equivalent capacitance of the EL element.

【0031】CPUのCK2端子信号を数100KHZ
から数MHZにすることで、EL素子を100V前後に
昇圧するのに必要なインダクタンスを小さくすることが
できる。したがって、大きさが小型のインダクタが使用
できる。
The CK2 terminal signal of the CPU is set to several hundred KHZ.
Therefore, the inductance required to boost the voltage of the EL element to about 100 V can be reduced by setting it to several MHZ. Therefore, an inductor having a small size can be used.

【0032】なお、負の昇圧も同様であり、以下に説明
する。抵抗R13、及びトランジスタTr7のコレクタ
がトランジスタTr3のベースに接続されており、トラ
ンジスタTr7のベースが抵抗R10を介してCPUの
CK2端子に接続される。よって、トランジスタTr4
がオンのとき(Tr1がオフのとき)、CK2端子信号
を“H”から“L”、または“L”から“H”と変化さ
せるごとにトランジスタTr3もオン、オフを繰り返
す。
The same applies to negative boosting, which will be described below. The resistor R13 and the collector of the transistor Tr7 are connected to the base of the transistor Tr3, and the base of the transistor Tr7 is connected to the CK2 terminal of the CPU via the resistor R10. Therefore, the transistor Tr4
Is on (when Tr1 is off), the transistor Tr3 is repeatedly turned on and off each time the CK2 terminal signal is changed from "H" to "L" or "L" to "H".

【0033】トランジスタTr3がオンのとき、インダ
クタL2に電流が流れ、トランジスタTr3がオフのと
きには、インダクタL2の起電力により、ダイオードD
3を介してコンデンサC2、及びEL素子に負の充電が
行われる。
When the transistor Tr3 is on, a current flows in the inductor L2, and when the transistor Tr3 is off, the electromotive force of the inductor L2 causes a diode D2.
Negative charging is performed on the capacitor C2 and the EL element via the capacitor 3.

【0034】このとき、トランジスタTr1がオフして
おり、ダイオードD1、D3があるのでコンデンサC
2、及びEL素子に蓄えられた電圧は、ほぼEL素子自
身の持つ抵抗分のみにより低下する。
At this time, since the transistor Tr1 is off and the diodes D1 and D3 are present, the capacitor C
2 and the voltage stored in the EL element drops almost only by the resistance of the EL element itself.

【0035】なお、トランジスタTr2、Tr3の制御
をCK2端子信号のみで行っているが、インダクタL
1、L2の特性が異なる場合は、異なる周波数のパルス
で制御してもかまわない。
Although the transistors Tr2 and Tr3 are controlled only by the CK2 terminal signal, the inductor L
When the characteristics of 1 and L2 are different, control may be performed with pulses of different frequencies.

【0036】いずれにしても、昇圧は高い周波数で行え
るのでインダクタンス値の小さな小型のインダクタを使
用することができる。2つインダクタが必要だが、非常
に小さなインダクタを使えるので大型のトランスを1つ
使用するのに較べると、大幅な小型化が可能である。
In any case, since boosting can be performed at a high frequency, a small inductor having a small inductance value can be used. Two inductors are required, but since a very small inductor can be used, it is possible to make the size significantly smaller than using one large transformer.

【0037】なお、上記実施例では、EL駆動装置全体
の電源のオン、オフのスイッチングにトランジスタTr
8を用いたが、このトランジスタTr8の替わりに定電
圧源を用いてオン、オフのスイッチングを行うようにし
ても良いことは言うまでもない。
In the above embodiment, the transistor Tr is used for switching on and off the power supply of the entire EL drive device.
However, it is needless to say that a constant voltage source may be used instead of the transistor Tr8 to perform on / off switching.

【0038】図5は、EL素子の電圧、輝度特性を示す
グラフである。この図5に示すように、EL素子の印加
電圧が高くなるほど輝度は上がり、また、周波数が高く
なるほど輝度も上がる。
FIG. 5 is a graph showing the voltage and luminance characteristics of the EL element. As shown in FIG. 5, the higher the voltage applied to the EL element, the higher the brightness, and the higher the frequency, the higher the brightness.

【0039】図6は、EL素子の輝度特性の劣化する性
質を示すグラフである。図6に示すように、EL素子の
点灯による輝度の劣化は、温度が高くなるほど、また、
湿度が高くなるほど激しくなる。
FIG. 6 is a graph showing the deterioration characteristic of the luminance characteristic of the EL element. As shown in FIG. 6, the deterioration of the brightness due to the lighting of the EL element is
The higher the humidity, the more intense it becomes.

【0040】点灯せず放置した場合でも劣化するが、そ
の度合いは点灯した場合よりはるかに小さい。図7は、
EL素子の輝度の劣化への対策方法を示す図である。
Although it deteriorates even if it is left unlit, it is much smaller than when it is lit. Figure 7
It is a figure which shows the countermeasure method to the deterioration of the brightness of an EL element.

【0041】図7(a)は、劣化前のEL素子への充電
を示し、図7(b)は、劣化後のEL素子への充電を示
す。図7(a)に示すように劣化前においては、CK1
端子信号を2KHz、CK2端子信号を500KHzで
発振させてEL素子を昇圧している。
FIG. 7A shows charging of the EL element before deterioration, and FIG. 7B shows charging of the EL element after deterioration. As shown in FIG. 7A, before deterioration, CK1
The EL element is boosted by oscillating the terminal signal at 2 KHz and the CK2 terminal signal at 500 KHz.

【0042】図7(b)に示すように劣化後において
は、EL素子の等価容量、等価抵抗が増大するため、E
L素子は、2KHzままでは70Vまでしか昇圧しな
い。そこで、CK1端子信号の周波数を下げ、1回ごと
昇圧時間を伸ばすことにより100Vまで昇圧する。こ
れにより、周波数は低くなるが電圧が高くなるので、劣
化したEL素子でも劣化前の輝度と同程度の輝度を得る
ことができる。
As shown in FIG. 7B, after deterioration, the equivalent capacitance and equivalent resistance of the EL element increase, so E
The L element boosts up to 70 V at 2 KHz. Therefore, the frequency of the CK1 terminal signal is lowered and the boosting time is extended once to boost the voltage to 100V. As a result, the frequency becomes low but the voltage becomes high, so that even a deteriorated EL element can obtain a brightness similar to the brightness before the deterioration.

【0043】ここで、高周波のCK2端子信号を微調整
することは困難であるが、低周波のCK1端子信号の周
波数を変えることは容易である。また、図8は、上記劣
化への対策方法において、必要なエネルギーを減らす手
段を示す図である。
Here, it is difficult to finely adjust the high frequency CK2 terminal signal, but it is easy to change the frequency of the low frequency CK1 terminal signal. Further, FIG. 8 is a diagram showing a means for reducing the required energy in the above-mentioned method of coping with the deterioration.

【0044】図7におけるCK1端子信号、CK2端子
信号によるトランジスタTr1、Tr2の制御を図8に
示すように、昇圧後、一定時間オフしEL素子の高電圧
の期間を作るようにすれば、同じ輝度を出力するのに必
要なエネルギーを減らすことができる。
The control of the transistors Tr1 and Tr2 by the CK1 terminal signal and the CK2 terminal signal in FIG. 7 is the same as shown in FIG. The energy required to output the brightness can be reduced.

【0045】図9は、本発明のEL駆動装置の第3実施
例を示すものであり、第2実施例におけるバイポーラト
ランジスタのかわりに電界効果トランジスタ(Field Ef
fectTtansistor:FET)を用いたものである。
FIG. 9 shows a third embodiment of the EL drive device of the present invention. Instead of the bipolar transistor in the second embodiment, a field effect transistor (Field Ef) is used.
fect Ttansistor (FET).

【0046】動作については、第2実施例と同等であ
り、以下に、第2実施例との相違点だけを説明する。第
3実施例では、バイポーラトランジスタの替わりに電界
効果トランジスタを用い、電界効果トランジスタFET
1、FET2、FET3、FET4のゲートにゲート保
護用のツェナーダイオードZD1、ZD2、ZD3、Z
D4が接続される。
The operation is the same as in the second embodiment, and only the differences from the second embodiment will be described below. In the third embodiment, a field effect transistor is used instead of the bipolar transistor, and the field effect transistor FET is used.
Zener diodes ZD1, ZD2, ZD3 and Z for gate protection on the gates of FET1, FET2, FET3 and FET4
D4 is connected.

【0047】電界効果トランジスタFET1、FET3
は、Pチャネルのエンハンス形の電界効果トランジスタ
であり、電界効果トランジスタFET2、FET4はN
チャネルのエンハンス形の電界効果トランジスタであ
る。
Field effect transistors FET1 and FET3
Is a P-channel enhanced field effect transistor, and the field effect transistors FET2 and FET4 are N
It is a channel-enhanced field effect transistor.

【0048】第2実施例のバイポーラトランジスタの場
合は、ベース抵抗を介して電流が流れるので全体をオフ
するために、トランジスタTr8が必要であった。しか
し、この第3実施例の電界効果トランジスタの場合は、
ゲートを電流が流れず、また、CK1端子信号を
“H”、CK2端子信号を“L”にすると、電界効果ト
ランジスタFET2、FET3がオンするが、ダイオー
ドD2、D3により電流が流れない。
In the case of the bipolar transistor of the second embodiment, the transistor Tr8 is required to turn off the whole because the current flows through the base resistor. However, in the case of the field effect transistor of the third embodiment,
When no current flows through the gate, and when the CK1 terminal signal is set to "H" and the CK2 terminal signal is set to "L", the field effect transistors FET2 and FET3 are turned on, but no current flows due to the diodes D2 and D3.

【0049】これにより、昇圧回路の電流がオフできる
ため、トランジスタTr8のような全体のスイッチング
素子は不用となる。次に、本発明の第4実施例として、
EL駆動装置が適用されたカメラについて説明する。
As a result, the current of the booster circuit can be turned off, so that the entire switching element such as the transistor Tr8 becomes unnecessary. Next, as a fourth embodiment of the present invention,
A camera to which the EL drive device is applied will be described.

【0050】図10(a)、(b)は、本発明を適用し
たカメラの一例の外観を示すものである。図10(a)
は、上記カメラを上から見た図であり、中央に液晶表示
装置(以下LCDと略記する)があり、そのLCDのバ
ックライト用にEL素子が使われている。
10 (a) and 10 (b) show the appearance of an example of a camera to which the present invention is applied. Figure 10 (a)
FIG. 3 is a view of the camera viewed from above, in which a liquid crystal display device (hereinafter abbreviated as LCD) is provided in the center, and an EL element is used as a backlight of the LCD.

【0051】図10(b)は、上記カメラの正面図であ
り、上記カメラはバリア式である。図11は、本発明を
使用したカメラのブロック構成図である。CPU20に
レリーズ釦の1番目のスイッチ(R1SW)35、レリ
ーズ釦の2番目のスイッチ(R2SW)36、モードス
イッチ(モードSW)37、デート表示用スイッチ(時
計SW)38、バリアスイッチ(バリアSW)39及び
給送モータ駆動回路21、測光部22、レンズ・モータ
駆動回路23、シャッタ制御回路24、バッテリ・チェ
ック回路25、充電回路26、ストロボ発光制御回路2
7、測距部28、カメラのモードや駒数表示用のLCD
29、EL制御回路30が接続される。さらに、CPU
20には、日付け写し込み用の日付け用LCD31とそ
の点灯用のひつけ用EL制御回路32も接続される。
FIG. 10B is a front view of the camera, and the camera is a barrier type. FIG. 11 is a block diagram of a camera using the present invention. The CPU 20 includes a first release button switch (R1SW) 35, a second release button switch (R2SW) 36, a mode switch (mode SW) 37, a date display switch (clock SW) 38, and a barrier switch (barrier SW). 39 and feeding motor drive circuit 21, photometry unit 22, lens motor drive circuit 23, shutter control circuit 24, battery check circuit 25, charging circuit 26, strobe light emission control circuit 2
7. Distance measuring unit 28, LCD for displaying camera mode and number of frames
29, the EL control circuit 30 is connected. Furthermore, CPU
A date LCD 31 for imprinting the date and an EL control circuit 32 for lighting the date are also connected to 20.

【0052】また、このCPU20には、32KHzと
2MHzの2つの発振子33、34が接続されており、
32KHzのクロックから1秒ごとの割り込みを発生す
る1秒タイマが内部で接続され、2MHzのクロックに
より通常の命令が実行される。
Two oscillators 33 and 34 of 32 KHz and 2 MHz are connected to the CPU 20,
A one-second timer that generates an interrupt every one second from a clock of 32 KHz is internally connected, and a normal instruction is executed by a clock of 2 MHz.

【0053】なお、1秒ごとの割り込みは、日時の表
示、及び日付けの写し込み用であり、デートのない機種
では不用であるから、32KHzの発振子33は必要な
い。EL制御回路30は、本発明の第1実施例として説
明したEL駆動装置と同じものであり、オン、オフ用の
CEN端子と、昇圧の正負の切り換え信号を出力するC
K1端子と、高速の昇圧用クロック信号を出力するCK
2端子を有している。
The interrupt for every one second is for displaying the date and time and for imprinting the date, and is not necessary for a model without a date. Therefore, the 32 KHz oscillator 33 is not necessary. The EL control circuit 30 is the same as the EL drive device described as the first embodiment of the present invention, and has a CEN terminal for ON / OFF and a C for outputting a positive / negative switching signal for boosting.
K1 terminal and CK that outputs a high-speed boosting clock signal
It has two terminals.

【0054】図12、13は、上記本発明を適用したカ
メラのメインの処理を示すフローチャートである。ま
ず、電池が装填されると、ステップS1では、デートあ
りの機種か否かが判断され、デートなしの機種の場合は
ステップS6へ移行し、デートありの機種の場合はステ
ップS2へ移行する。なお、デートありの機種か否かの
判断は、ポートの状態を調べるか、またはCPU20内
にある不図示のEEPROMにデートの有無を記憶する
ようにすれば良い。
12 and 13 are flowcharts showing the main processing of the camera to which the present invention is applied. First, when the battery is loaded, it is determined in step S1 whether or not the model has a date. If the model has no date, the process proceeds to step S6. If the model has a date, the process proceeds to step S2. Whether or not the model has a date may be determined by checking the state of the port or by storing the presence or absence of the date in an EEPROM (not shown) in the CPU 20.

【0055】ステップS6では、時計タイマ割り込みを
禁止し、ステップS8へ移行する。一方、ステップS2
では、上記EEPROMから日付け用データDATE2
をリードする。
In step S6, the watch timer interrupt is prohibited, and the process proceeds to step S8. On the other hand, step S2
Then, from the above EEPROM, date data DATE2
To lead.

【0056】ステップS3では、上記DATE2とCP
U20内にある不図示のRAM上の日付けデータDAT
E1とを比較し、等しい場合はステップS7へ移行し、
等しくない場合はステップS4へ移行する。
In step S3, DATE2 and CP
Date data DAT on RAM (not shown) in U20
E1 is compared, and if they are equal, the process proceeds to step S7,
If they are not equal, the process proceeds to step S4.

【0057】ここで、DATE1とDATE2には、
年、月、週のデータが入っており、後述するが、週に1
回、DATE1を上記EEPROMにDATE2として
記憶するものとする。
Here, in DATE1 and DATE2,
It contains year, month, and week data, and will be described later, but once a week
It is assumed that DATE1 is stored in the EEPROM as DATE2.

【0058】また、DATE1とDATE2が等しいと
きは、CPU20内のRAMのデータが異常なわけでは
ない。すなわち、CPU20内のRAMが異常にならな
いぐらいの短い時間だけ電池が抜かれただけであり、そ
のときはDATE1をそのまま使う。
When DATE1 and DATE2 are equal, the data in the RAM in the CPU 20 is not abnormal. That is, the battery is simply removed for a short time so that the RAM in the CPU 20 does not become abnormal, and at that time, DATE1 is used as it is.

【0059】ステップS4では、年、月、週のデータで
ある所定値をDATE1に記憶し、さらに、そのDAT
E1をDATE2に記憶する。つづいてステップS5で
は、上記EEPROMにDATE2を記憶し、ステップ
S7へ移行する。
In step S4, a predetermined value, which is data of year, month, and week, is stored in DATE1, and the DAT is stored.
Store E1 in DATE2. Subsequently, in step S5, DATE2 is stored in the EEPROM, and the process proceeds to step S7.

【0060】ステップS7では、時計タイマ割り込みを
許可し、ステップS8へ移行する。ステップS8では、
サブルーチン“SNK”を実行する。ここで、サブルー
チン“SNK”はレンズが沈胴していなければ沈胴させ
る処理を行うものである。
In step S7, the watch timer interrupt is enabled, and the process proceeds to step S8. In step S8,
The subroutine "SNK" is executed. Here, the subroutine "SNK" is a process of retracting the lens if it is not retracted.

【0061】この後は、バリア変化による処理と同じに
なる。まず、ステップS9では、上記EEPROMから
EL素子の劣化量TELを読み出し、ステップS10で
は、温度を測定する。
After that, the processing is the same as the processing by changing the barrier. First, in step S9, the deterioration amount T EL of the EL element is read from the EEPROM, and in step S10, the temperature is measured.

【0062】ステップS11では、バリアが開いている
か否かを判断し、バリアが開いているときは、ステップ
S12へ移行し、閉じているときは、ステップS13に
移行する。
In step S11, it is determined whether or not the barrier is open. If the barrier is open, the process proceeds to step S12, and if it is closed, the process proceeds to step S13.

【0063】ステップS12では、サブルーチン“WI
D”でレンズを初期位置にし、ステップS14へ移行す
る。また、ステップ13では、サブルーチン“SNK”
でレンズを沈胴する。
In step S12, the subroutine "WI"
The lens is set to the initial position in D ", and the process proceeds to step S14. In step 13, the subroutine" SNK "is set.
To retract the lens.

【0064】ここで、上記初期位置とは、レンズが繰り
出された位置であり、すでに初期位置にあるときにはサ
ブルーチン“WID”では何もしない。ステップS14
では、LCD29の表示時間4分とEL素子の点灯時間
30秒用のタイマをスタートし、ステップS15へ移行
する。
Here, the initial position is the position where the lens is extended, and when it is already at the initial position, nothing is done in the subroutine "WID". Step S14
Then, the timer for the display time of 4 minutes of the LCD 29 and the lighting time of the EL element of 30 seconds is started, and the process proceeds to step S15.

【0065】ステップS15では、バリアが開いている
か否かを判断し、開いていればステップS16へ移行
し、閉じていればステップS17へ移行する。ステップ
S16では、LCD29の表示時間である4分が経過し
たか否かを判断し、経過したときはステップS17へ移
行し、経過していないときはステップS22へ移行す
る。
In step S15, it is determined whether or not the barrier is open. If the barrier is open, the process proceeds to step S16, and if it is closed, the process proceeds to step S17. In step S16, it is determined whether or not 4 minutes, which is the display time of the LCD 29, has elapsed. When it has elapsed, the process proceeds to step S17, and when it has not elapsed, the process proceeds to step S22.

【0066】すなわち、バリアが開いており、かつ4分
経過していないときであるステップS22では、LCD
29の表示をオンし、次のステップS23で、タイマス
タート後30秒経過していなければステップS24へ移
行し、30秒経過していればステップS25へ移行す
る。
That is, in step S22 when the barrier is open and less than 4 minutes have passed, the LCD
The display of 29 is turned on, and in the next step S23, if 30 seconds have not elapsed since the timer was started, the process proceeds to step S24, and if 30 seconds have elapsed, the process proceeds to step S25.

【0067】ステップS24では、EL制御回路30を
オンし(すなわち、CEN端子信号を“L”にし、CK
1端子信号、CK2端子信号の発振を開始する)、ステ
ップS26へ移行する。
In step S24, the EL control circuit 30 is turned on (that is, the CEN terminal signal is set to "L", CK
The oscillation of the 1-terminal signal and the CK2 terminal signal is started), and the process proceeds to step S26.

【0068】ステップS25 は、EL制御回路30を
オフし(すなわち、CEN端子信号を“H”にし、CK
1端子信号、CK2端子信号の発振を止める)、ステッ
プS26へ移行する。
A step S25 turns off the EL control circuit 30 (that is, sets the CEN terminal signal to "H", and CK
The oscillation of the 1-terminal signal and the CK2 terminal signal is stopped), and the process proceeds to step S26.

【0069】またここで、EL素子の点灯時間を4分に
して、LCD29の表示中は常にEL素子が点灯するよ
うにしても良いし、また、特定のスイッチで点灯を開始
しても良い。
Further, the lighting time of the EL element may be set to 4 minutes so that the EL element is always turned on during the display on the LCD 29, or the lighting may be started by a specific switch.

【0070】ステップS26では、充電を行う。すで
に、充電されていれば何もしない。ステップS27で
は、後蓋が開いている状態から閉じられたか否かを判断
し、閉じられたときはステップS31へ移行し、閉じら
れてないときはステップS28へ移行する。
In step S26, charging is performed. If already charged, do nothing. In step S27, it is determined whether or not the rear cover is opened and then closed. If the rear cover is closed, the process proceeds to step S31, and if not closed, the process proceeds to step S28.

【0071】ステップS31では、レンズを沈胴し、ス
テップS32では、空送りをし、その後ステップS14
へ戻る。ステップS28では、後蓋が閉じている状態か
ら開かれたか否かを判断し、開かれたときはステップS
29へ移行し、開かれていないときはステップS33へ
移行する。
In step S31, the lens is retracted, and in step S32, the lens is fed in the idle state, and then in step S14.
Return to. In step S28, it is determined whether or not the rear lid is opened from the closed state, and when it is opened, the step S28 is performed.
29, and if not opened, the process proceeds to step S33.

【0072】ステップS29では、レンズを沈胴し、ス
テップS31では、RWEDFを“0”にし、ステップ
S14へ戻る。ここで、RWEDFはリワインド終了時
に“1”になるフラグである。
In step S29, the lens is retracted. In step S31, RWEDF is set to "0", and the process returns to step S14. Here, RWEDF is a flag that becomes "1" at the end of rewind.

【0073】ステップS33では、RWEDFが“1”
か否かを判断し、“1”のときはステップS46へ移行
し、“0”のときはステップS34へ移行する。すなわ
ち、RWEDFが“1”のときは、R1SW35、リワ
インドSW、モードSW37の判断を行わず、ステップ
S46へ飛ぶ。
In step S33, RWEDF is "1".
If it is "1", the process proceeds to step S46, and if it is "0", the process proceeds to step S34. That is, when RWEDF is "1", the determination of R1SW35, rewind SW, and mode SW37 is not performed, and the process jumps to step S46.

【0074】ステップS34では、R1SW35がオン
かオフかを判断し、オンのときはステップS35へ移行
し、オフのときはステップS37へ移行する。ステップ
S35では、サブルーチン“WID”をコールし、ステ
ップS36では、半押し中の処理であるサブルーチン
“R1”をコールし、ステップS38へ移行する。この
サブルーチン“R1”の中でレリーズ処理が行われる。
In step S34, it is determined whether the R1SW 35 is on or off. If it is on, the process proceeds to step S35, and if it is off, the process proceeds to step S37. In step S35, a subroutine "WID" is called, in step S36, a subroutine "R1" which is a half-pressed process is called, and the process proceeds to step S38. The release process is performed in this subroutine "R1".

【0075】ステップS38では、フィルム・エンドか
否かを判断し、フィルムが終了のときはステップS39
へ移行し、フィルムが終了でないときはステップS14
へ戻る。
In step S38, it is determined whether or not the film is over, and if the film is over, step S39.
If the film is not finished, the process proceeds to step S14.
Return to.

【0076】ステップS37では、リワインドSWがオ
フかオンかを判断し、オンのときはステップS39へ移
行し、オフのときはステップS42へ移行する。ステッ
プS39では、レンズを沈胴し、ステップS40ではリ
ワインドを行い、ステップS41ではRWEDFを
“1”にし、その後ステップS14へ戻る。
In step S37, it is determined whether the rewind SW is off or on. If it is on, the process proceeds to step S39, and if it is off, the process proceeds to step S42. In step S39, the lens is retracted, rewinding is performed in step S40, RWEDF is set to "1" in step S41, and then the process returns to step S14.

【0077】ステップS42では、モードSW37がオ
フかオンかを判断し、オンのときはステップS43へ移
行し、オフのときはステップS45へ移行する。ステッ
プS43では、モードを変更し、ステップS44ではサ
ブルーチン“WID”をコールし、その後ステップS1
4へ戻る。
In step S42, it is determined whether the mode SW 37 is off or on. If it is on, the process proceeds to step S43, and if it is off, the process proceeds to step S45. In step S43, the mode is changed, in step S44, the subroutine "WID" is called, and then in step S1.
Return to 4.

【0078】ステップS45では、時計SW38が操作
されたか否かを判断し、操作されたときはステップS4
6へ移行し、操作されなかったときはステップS49へ
移行する。
In step S45, it is determined whether or not the clock SW38 has been operated, and when it is operated, step S4 is performed.
6, the process proceeds to step S49 when no operation is performed.

【0079】ステップS46では、年、月、週、日、
時、分などの時刻を変更する。ステップS47では、
年、月、週のデータDATE1をDATE2として記憶
し、ステップS48では、それを上記EEPROMに記
憶し、ステップS49へ移行する。
In step S46, year, month, week, day,
Change the time, such as hours and minutes. In step S47,
The year, month, and week data DATE1 is stored as DATE2, which is stored in the EEPROM in step S48, and the process proceeds to step S49.

【0080】ここで、年、月、週が変更されなかったと
きは、上記EEPROMに書き込まなくても良い。ステ
ップS49では、1秒経過したか否かを判断し、1秒経
過したときは次のステップS50へ移行し、1秒経過し
ていないときはステップS15へ戻る。
Here, when the year, month and week are not changed, it is not necessary to write in the EEPROM. In step S49, it is determined whether or not 1 second has elapsed. When 1 second has elapsed, the process proceeds to the next step S50, and when 1 second has not elapsed, the process returns to step S15.

【0081】ステップS50では、EL制御回路30が
オンしているか否か判断し、オンしていたときはステッ
プS51へ移行し、オンしていないときはステップS1
5へ戻る。
In step S50, it is determined whether or not the EL control circuit 30 is turned on. If it is turned on, the process proceeds to step S51, and if it is not turned on, step S1 is performed.
Return to 5.

【0082】ステップS51では、1秒間の点灯による
EL素子の劣化量をΔTELにセットする。ステップS5
2では、総劣化量TELにΔTELを加えた新たな総劣化量
ELを求める。その後、ステップS15へ戻る。
In step S51, the deterioration amount of the EL element due to lighting for 1 second is set to ΔT EL . Step S5
In 2, we obtain a new total deterioration amount T EL plus [Delta] T EL total deterioration amount T EL. Then, it returns to step S15.

【0083】また、ステップS15でバリアが閉じてい
たか、またはステップS16で4分経過したと判断され
たときは、ステップS17へ移行する。このステップS
17ではレンズを沈胴し、ステップS18ではLCD2
9の表示をオフする。
If it is determined in step S15 that the barrier is closed or that 4 minutes have elapsed in step S16, the process proceeds to step S17. This step S
In 17 the lens is retracted, and in step S18 the LCD2
Turn off the display of 9.

【0084】ステップS19では、CPU20とEL制
御回路30から成るEL用発振回路をオフし、ステップ
S20では総劣化量TELをEEPROMに記憶し、ステ
ップS21ではHALT状態となる。
In step S19, the EL oscillation circuit including the CPU 20 and the EL control circuit 30 is turned off, the total deterioration amount T EL is stored in the EEPROM in step S20, and the HALT state is set in step S21.

【0085】その後、バリアの開閉、電池の装填、各種
SWの操作などでHALTが解除されると、ステップS
14へ戻る。ここで、HALTとは、2MHzのクロッ
クを止め、CPUの命令実行を止めた状態であるが、3
2KHzのクロックは動作する状態である。
After that, when the HALT is released by opening / closing the barrier, loading the battery, operating various SWs, etc., step S
Return to 14. Here, HALT is a state in which the 2 MHz clock is stopped and the instruction execution of the CPU is stopped.
The 2 KHz clock is operational.

【0086】もし、デートがなく、32KHzのクロッ
クのない機種の場合は、完全に止まった状態になる。図
14(a)は、レリーズ処理R1の処理を示すフローチ
ャートである。
If the model does not have a date and does not have a 32 KHz clock, it will be in a completely stopped state. FIG. 14A is a flowchart showing the processing of the release processing R1.

【0087】まず、ステップS54では、上記EL用発
振回路をオフし、次のステップS55では、測距、測光
を行う。ステップS56では、上記EL発振回路を再び
オンする。これは、上記EL発振回路の発振によるノイ
ズで測距や測光の精度が落ちるのを防ぐためである。
First, in step S54, the EL oscillation circuit is turned off, and in the next step S55, distance measurement and photometry are performed. In step S56, the EL oscillation circuit is turned on again. This is to prevent the accuracy of distance measurement and photometry from being deteriorated by noise caused by the oscillation of the EL oscillation circuit.

【0088】ステップS57では、繰り出し量を計算
し、次のステップS58では、露出計算を行う。ステッ
プS59、S64では、R2SW36がオンになるのを
待つ。
In step S57, the amount of extension is calculated, and in the next step S58, the exposure is calculated. In steps S59 and S64, it waits for the R2SW 36 to turn on.

【0089】その間にR1SW35がオフすると、リタ
ーンする。R2SW36がオンすると、ステップS60
ではレンズ繰り出しを行いピントをあわせ、次のステッ
プS61ではシャッタ制御を行い、続いてステップS6
2で日付け写し込みを行う。
If the R1SW 35 is turned off during that time, the process returns. When the R2SW 36 is turned on, step S60
In step S61, the lens is extended and the focus is adjusted. In step S61, shutter control is performed.
2. Imprint the date.

【0090】次のステップS63では1駒巻き上げを行
い、次のステップS64ではレンズ繰り込みを行う。以
上でレリーズシーケンスを終了する。図14(b)は、
日付け写し込みの処理を示すフローチャートである。
In the next step S63, one frame is wound up, and in the next step S64, the lens is retracted. This is the end of the release sequence. FIG. 14 (b) shows
It is a flowchart which shows the process of date imprinting.

【0091】まず、ステップS70では、デートありの
機種か否かを判断し、デートありの場合はステップS7
1へ移行し、デートなしの場合はリターンする。ステッ
プS71では、日付け用LCD31をオンし、続いてス
テップS72で日付け用EL制御回路32をオンする。
First, in step S70, it is determined whether or not the model has a date, and if it has a date, step S7.
Go to 1 and return if there is no date. In step S71, the date LCD 31 is turned on, and then in step S72, the date EL control circuit 32 is turned on.

【0092】次に、ステップS73では、フィルム感度
に応じた時間待ち、続いてステップS74で日付け用E
L制御回路32をオフし、ステップS75で日付け用L
CD31をオフする。その後、リターンする。
Next, in step S73, a time corresponding to the film sensitivity is waited, and then in step S74, the date E is set.
The L control circuit 32 is turned off, and the date L is set in step S75.
Turn off CD31. Then return.

【0093】なお、フィルム感度において、低ISOで
は長い時間、日付け用LCD31及び日付け用EL制御
回路32をオンし、高ISOでは短い時間、日付け用L
CD31及び日付け用EL制御回路32をオンすること
で適正な写し込みにする。
Regarding the film sensitivity, the LCD 31 for the date and the EL control circuit 32 for the date are turned on for a long time at a low ISO, and the L for the date is low for a short time at a high ISO.
By turning on the CD 31 and the EL control circuit 32 for date, proper printing is performed.

【0094】図15(a)、(b)は、日付け写し込み
を行う写し込み部の構成を示す外観図である。図15
(a)に示すように、フィルム40はフィルム押さえ4
1によって押さえることにより、平面性を保つ。フィル
ム押さえ41の一部に孔が形成されており、これによっ
てフィルム40に日付けを写し込む。具体的にはフィル
ム押さえへの固定部材42により、写し込み用のLCD
43と写し込み用のEL素子44とフレキシブルプリン
ト配線板45が固定される。
FIGS. 15A and 15B are external views showing the structure of the imprinting unit for imprinting the date. Figure 15
As shown in (a), the film 40 is a film retainer 4
Pressing with 1 keeps the flatness. A hole is formed in a part of the film retainer 41 so that the date is imprinted on the film 40. Specifically, an LCD for imprinting is provided by the fixing member 42 to the film retainer.
43, the EL element 44 for imprinting, and the flexible printed wiring board 45 are fixed.

【0095】例えば、図15(b)に示すような日付け
が写し込まれるが、LCD43はオフ時に全面非透過と
なり、オン時に文字や数字が透過になるLCDである。
LCD43は導電ゴム46によりフレキシブルプリント
配線板45に接続され、EL素子44はハンダ付け部4
7によりフレキシブルプリント配線板45に接続され
る。
For example, although the date as shown in FIG. 15 (b) is imprinted, the LCD 43 is a non-transparent LCD when it is off and a character and a number are transparent when it is on.
The LCD 43 is connected to the flexible printed wiring board 45 by the conductive rubber 46, and the EL element 44 is connected to the soldering portion 4
It is connected to the flexible printed wiring board 45 by 7.

【0096】図16は、1秒ごとの時計割り込み処理を
示すフローチャートである。まず、ステップS80で
は、年、月、週、日、時、分、秒などの時刻の更新を行
う。ここで、年、月、週のデータDATE1が更新され
る。
FIG. 16 is a flow chart showing the clock interrupt processing every one second. First, in step S80, the time such as year, month, week, day, hour, minute, second, etc. is updated. Here, the year, month, and week data DATE1 is updated.

【0097】ステップS81では、曜日が火曜から水曜
になったか判断し、水曜になったときはステップS82
へ移行し、水曜になっていないときはリターンする。ス
テップS82では、温度を測定し、次のステップS83
では1週間の放置のΔPを求める。
In step S81, it is determined whether the day of the week is Tuesday to Wednesday, and if it is Wednesday, step S82.
Move to and return if it is not Wednesday. In step S82, the temperature is measured and the next step S83
Then, the ΔP for one week is calculated.

【0098】ここでは、温度に応じてEL素子の劣化量
を求める。なお、劣化量は、温度と湿度で決まるが、本
例では温度のみで求める。ステップS84では、EEP
ROMから放置による劣化の総量Pを読み出す。
Here, the deterioration amount of the EL element is obtained according to the temperature. The amount of deterioration is determined by temperature and humidity, but in this example, it is calculated only by temperature. In step S84, EEP
The total amount P of deterioration due to leaving is read from the ROM.

【0099】次のステップS85では、この劣化の総量
Pに今週の分である劣化量ΔPを加え、ステップS86
でEEPROMに記憶する。その後、リターンする。ま
た、火曜から水曜になるときに1週間分の劣化量を求め
たのは、通常、カメラは同じ場所に保管されるので、1
週間ごとに劣化を求めれば良いという判断からである。
In the next step S85, the deterioration amount ΔP corresponding to this week is added to the total amount P of deterioration, and step S86
To store in EEPROM. Then return. The amount of deterioration for one week was calculated from Tuesday to Wednesday because the camera is usually stored in the same place.
This is because it is determined that deterioration should be obtained every week.

【0100】ただし、デートのついていない機種におい
ては、時計の割り込みが発生しないので、放置による劣
化量Pは求められない。図17は、温度に対するEL素
子の1週間の放置による劣化量ΔP、及び1秒間の点灯
による劣化量ΔTELとの関係を示す図である。
However, in a model without a date, since the clock interrupt does not occur, the deterioration amount P due to being left alone cannot be obtained. FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the deterioration amount ΔP of the EL element after being left for one week and the deterioration amount ΔT EL due to lighting for one second with respect to the temperature.

【0101】各温度における平均的な湿度による劣化量
である。図18は、EL素子の総劣化量TEL+PからE
L素子の周波数を求めたものである。
It is the amount of deterioration due to average humidity at each temperature. FIG. 18 shows the total deterioration amount T EL + P of the EL element to E.
This is the frequency of the L element.

【0102】EL素子や回路のばらつきにより、初期状
態での輝度もばらつき、また電池電圧によってもばらつ
くので、4つのタイプに分類し、それぞれの周波数のテ
ーブルを持つ。
The luminance in the initial state also fluctuates due to variations in EL elements and circuits, and also fluctuates depending on the battery voltage. Therefore, it is classified into four types and each frequency has a table.

【0103】また、カメラの製造時に所定の周波数で駆
動し、輝度を測定することでEL回路が高輝度タイプ
か、低輝度タイプか判断し、それをEEPROMに記憶
する。さらに、図19は、EL素子のタイプと電池電圧
とで4つのタイプに分類したものである。ここで、電池
電圧は、図11に示したバッテリ・チェック回路25で
検出する。
When the camera is manufactured, the EL circuit is driven at a predetermined frequency and the brightness is measured to determine whether the EL circuit is of the high brightness type or the low brightness type, and the result is stored in the EEPROM. Further, FIG. 19 is classified into four types according to the type of EL element and the battery voltage. Here, the battery voltage is detected by the battery check circuit 25 shown in FIG.

【0104】図20は、本発明の第4実施例に使用し
た、EL制御回路とCPUとから成るEL用発振回路の
構成を示す図である。CPU50の内部では、500K
Hzのクロック51とCK2用ラッチ52がAND回路
53に接続され、その出力がEL制御回路54のCK2
端子に入力される。
FIG. 20 is a diagram showing the configuration of an EL oscillation circuit including an EL control circuit and a CPU used in the fourth embodiment of the present invention. 500K inside the CPU 50
The Hz clock 51 and the CK2 latch 52 are connected to the AND circuit 53, and the output thereof is CK2 of the EL control circuit 54.
Input to the terminal.

【0105】CK1用周波数に対応する比較データ55
とカウンタ56が一致するごとに、フリップフロップ5
7により反転する信号とCK1用ラッチ58がAND回
路59に接続され、その出力がEL制御回路54のCK
1端子に入力される。
Comparison data 55 corresponding to the frequency for CK1
And the counter 56 match, the flip-flop 5
The signal inverted by 7 and the CK1 latch 58 are connected to the AND circuit 59, and the output thereof is CK of the EL control circuit 54.
Input to one terminal.

【0106】EL制御回路54は、図3と同様でありC
PUからのCEN端子信号により、全体のオン・オフを
制御する。図21は、上記EL用発振回路をオンにする
ときの処理を示すフローチャートである。
The EL control circuit 54 is similar to that shown in FIG.
The CEN terminal signal from the PU controls the overall on / off. FIG. 21 is a flowchart showing a process when turning on the EL oscillation circuit.

【0107】まず、ステップS90では、500KHz
のクロックをオンし、次のステップS91では、CK2
用ラッチ信号を“H”にして、CK2端子からクロック
を出力する。
First, in step S90, 500 KHz
Is turned on, and in the next step S91, CK2
The latch signal for is set to "H", and the clock is output from the CK2 terminal.

【0108】ステップS92では、カウンタ36をスタ
ートし、次のステップS93では、CPU50内の不図
示のEEPROMからEL回路の輝度タイプを読み出
す。ステップS94では、電池電圧を測定し、次のステ
ップS95では、図15に応じてEL素子の4つのタイ
プのどれかを判断する。
In step S92, the counter 36 is started, and in the next step S93, the brightness type of the EL circuit is read from the EEPROM (not shown) in the CPU 50. In step S94, the battery voltage is measured, and in the next step S95, it is determined which of the four types of EL elements, according to FIG.

【0109】ステップS96では、図14に応じてCK
1用の周波数を選択してそれに応じた比較データをセッ
トし、次のステップS97では、CK1用ラッチ信号を
“H”にしてCK1端子からパルスを出力する。
In step S96, CK is generated according to FIG.
The frequency for 1 is selected and the corresponding comparison data is set, and in the next step S97, the CK1 latch signal is set to "H" and a pulse is output from the CK1 terminal.

【0110】ステップS98で、CEN端子信号を
“L”にして、ELの点灯が開始する。図22は、上記
EL用発振回路をオフにするときの処理を示すフローチ
ャートである。
In step S98, the CEN terminal signal is set to "L" to start lighting the EL. FIG. 22 is a flowchart showing a process when turning off the EL oscillation circuit.

【0111】まず、ステップS100は、CEN端子信
号を“H”にして、次のステップS101で、500K
Hzクロックをオフする。ステップS102では、CK
2用ラッチ信号を“L”にして、次のステップS103
で、カウンタを停止する。
First, in step S100, the CEN terminal signal is set to "H", and in the next step S101, 500K.
Turn off the Hz clock. In step S102, CK
The latch signal for 2 is set to "L", and the next step S103
Then, stop the counter.

【0112】ステップS104では、CK1用ラッチ信
号を“L”にして、EL制御回路54をオフする。以上
により、EL素子が劣化しても初期とほぼ同輝度でEL
を点灯することができ、暗い時でも操作性の良いカメラ
を実現できる。
In step S104, the CK1 latch signal is set to "L" to turn off the EL control circuit 54. From the above, even if the EL element deteriorates, the EL with the same brightness as in the initial stage
Can be turned on, and a camera with good operability can be realized even in the dark.

【0113】図23(a)〜(c)は、EL素子の実装
状態を示す図であり、図23(a)はその全体の構成
図、図23(b)は全体の構成図中の破線部の斜視図、
図23(c)は全体の構成図中の破線部の拡大図であ
る。
23 (a) to 23 (c) are views showing the mounting state of the EL element, FIG. 23 (a) is the overall configuration diagram, and FIG. 23 (b) is the broken line in the overall configuration diagram. Perspective view of the part,
FIG. 23C is an enlarged view of a broken line portion in the overall configuration diagram.

【0114】図23(a)に示すように、カメラの外装
60の一部に透明な透過部61があり、その下に半透過
形のLCD62、さらに、その下にEL素子63、フレ
キシブルプリント配線板64、固定用枠65の順に構成
される。
As shown in FIG. 23A, a transparent transmission part 61 is provided in a part of the exterior 60 of the camera, a transflective LCD 62 is provided under the transparent transmission part 61, an EL element 63 is provided under the LCD 62, and a flexible printed wiring is provided. The plate 64 and the fixing frame 65 are configured in this order.

【0115】LCD62は、導電ゴム66によりフレキ
シブルプリント配線板64のパターンに接続される。E
L素子63は、ナイロンフィルム70、導電層67、発
光層(誘電体+蛍光体)68、アルミ箔69により構成
される。ナイロンフィルム70及び導電層67は、図2
0(b)、(c)に示すように発光層68及びアルミ箔
69より長くし、固定用枠65によってフレキシブルプ
リント配線板64に圧着される。
The LCD 62 is connected to the pattern of the flexible printed wiring board 64 by the conductive rubber 66. E
The L element 63 includes a nylon film 70, a conductive layer 67, a light emitting layer (dielectric + phosphor) 68, and an aluminum foil 69. The nylon film 70 and the conductive layer 67 are shown in FIG.
As shown in FIGS. 0 (b) and (c), the length is made longer than the light emitting layer 68 and the aluminum foil 69, and the fixing frame 65 presses the flexible printed wiring board 64.

【0116】フレキシブルプリント配線板64の固定用
枠65でアルミ箔69と圧着される部分には、図3に示
した電池のマイナス側のランドをつくり、圧着すること
で導通させる。
At the portion where the fixing frame 65 of the flexible printed wiring board 64 is crimped to the aluminum foil 69, a land on the negative side of the battery shown in FIG. 3 is formed and crimped to conduct electricity.

【0117】同様に、フレキシブルプリント配線板64
の固定用枠65により導電層67と圧着される部分に
は、図3に示した点Aのランドをつくり、圧着すること
で導通させる。
Similarly, the flexible printed wiring board 64
A land at point A shown in FIG. 3 is formed in a portion crimped to the conductive layer 67 by the fixing frame 65, and is made to conduct by crimping.

【0118】本発明では、EL素子63の片側は常に電
池のマイナス側と同電位であり(この場合アルミ箔)、
固定用枠65の下に電気回路があってもシールドの必要
がない。また、EL素子63は、全体を防湿用フィルム
で囲い、アルミ箔69の一部、及び導電層67の一部の
みを露出させる構成にしても良い。
In the present invention, one side of the EL element 63 is always at the same potential as the negative side of the battery (in this case, aluminum foil),
Even if there is an electric circuit under the fixing frame 65, there is no need for shielding. Further, the EL element 63 may be entirely surrounded by a moisture-proof film so that only part of the aluminum foil 69 and part of the conductive layer 67 are exposed.

【0119】[0119]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、大型
のトランスを使用することなく、小さなインダクタを用
いた効率の良いエレクトロルミネッセンス駆動装置が実
現できる。
As described above, according to the present invention, an efficient electroluminescence driving device using a small inductor can be realized without using a large transformer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のエレクトロルミネッセンス駆動装置の
第1実施例を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of an electroluminescence driving device of the present invention.

【図2】第1実施例でのエレクトロルミネッセンス素子
への充電の様子を示すタイムチャートである。
FIG. 2 is a time chart showing how the electroluminescence element is charged in the first embodiment.

【図3】本発明のエレクトロルミネッセンス駆動装置の
第2実施例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a second embodiment of the electroluminescence driving device of the present invention.

【図4】第2実施例でのエレクトロルミネッセンス素子
への充電の様子を示すタイムチャートである。
FIG. 4 is a time chart showing how an electroluminescent element is charged in a second example.

【図5】エレクトロルミネッセンス素子の電圧、輝度特
性を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing voltage and luminance characteristics of an electroluminescence element.

【図6】エレクトロルミネッセンス素子の輝度特性の劣
化する性質を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the property of deterioration of the luminance characteristic of the electroluminescent element.

【図7】エレクトロルミネッセンス素子の輝度の劣化へ
の対策方法を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a method of coping with deterioration of luminance of an electroluminescence element.

【図8】エレクトロルミネッセンス素子の輝度の劣化へ
の対策方法において、必要なエネルギーを減らす手段を
示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a means for reducing required energy in a method of coping with deterioration of luminance of an electroluminescence element.

【図9】本発明の第3実施例であり、第2実施例におけ
るバイポーラトランジスタのかわりに電界効果トランジ
スタFETを用いたエレクトロルミネッセンス駆動装置
を示す図である。
FIG. 9 is a third embodiment of the present invention and is a diagram showing an electroluminescence driving device using a field effect transistor FET in place of the bipolar transistor in the second embodiment.

【図10】(a)、(b)は、本発明の第4実施例とし
て、エレクトロルミネッセンス駆動装置を適用したカメ
ラの一例を示す外観図であり、(a)は、上記カメラを
上から見た図であり、(b)は、上記カメラの正面図で
ある。
10A and 10B are external views showing an example of a camera to which an electroluminescence driving device is applied as a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 10A is a top view of the camera. FIG. 4B is a front view of the camera.

【図11】本発明の第4実施例としてのカメラのブロッ
ク構成図である。
FIG. 11 is a block configuration diagram of a camera as a fourth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第4実施例としてのカメラのメイン
の処理を示すフローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart showing main processing of a camera as a fourth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第4実施例としてのカメラのメイン
の処理を示すフローチャートである。
FIG. 13 is a flowchart showing main processing of a camera as a fourth embodiment of the present invention.

【図14】(a)は、本発明の第4実施例としてのカメ
ラのメインの処理を示すフローチャート中、レリーズ処
理R1の処理を示すフローチャートである。(b)は、
日付け写し込みの処理を示すフローチャートである。
FIG. 14A is a flowchart showing a release processing R1 process in a flowchart showing a main process of a camera as a fourth embodiment of the present invention. (B) is
It is a flowchart which shows the process of date imprinting.

【図15】本発明の第4実施例としてのカメラの日付け
写し込みを行う写し込み部の構成を示す外観図である。
FIG. 15 is an external view showing a configuration of a date imprinting unit for imprinting a date on a camera as a fourth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第4実施例としてのカメラのメイン
の処理を示すフローチャート中、1秒ごとの時計割り込
み処理を示すフローチャートである。
FIG. 16 is a flowchart showing clock interrupt processing every 1 second in the flowchart showing main processing of the camera as the fourth embodiment of the present invention.

【図17】温度に対するエレクトロルミネッセンス素子
の1週間の放置による劣化量ΔP、及び1秒間の点灯に
よる劣化量ΔTELとの関係を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the deterioration amount ΔP of the electroluminescent element left for one week and the deterioration amount ΔT EL of one second of lighting with respect to temperature.

【図18】エレクトロルミネッセンス素子の総劣化量T
EL+Pからエレクトロルミネッセンス素子の周波数を求
めた図である。
FIG. 18: Total deterioration amount T of electroluminescent element
It is the figure which calculated | required the frequency of the electroluminescent element from EL + P.

【図19】エレクトロルミネッセンス素子をエレクトロ
ルミネッセンス素子のタイプと電池電圧とで4つのタイ
プに分類した図である。
FIG. 19 is a diagram in which electroluminescent elements are classified into four types according to the type of electroluminescent element and the battery voltage.

【図20】本発明の第4実施例に使用しているエレクト
ロルミネッセンス用発振回路の構成を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing a configuration of an electroluminescence oscillation circuit used in a fourth embodiment of the present invention.

【図21】図20のエレクトロルミネッセンス用発振回
路をオンにするときの処理を示すフローチャートであ
る。
FIG. 21 is a flowchart showing a process when turning on the electroluminescence oscillation circuit of FIG. 20.

【図22】図20のエレクトロルミネッセンス用発振回
路をオフにするときの処理を示すフローチャートであ
る。
22 is a flowchart showing a process when turning off the electroluminescence oscillation circuit of FIG. 20. FIG.

【図23】(a)〜(c)は、エレクトロルミネッセン
ス素子の実装状態を示す図であり、(a)はその全体の
構成図、図23(b)は全体の構成図中の破線部の斜視
図、図23(c)は全体の構成図中の破線部の拡大図で
ある。
23 (a) to 23 (c) are diagrams showing a mounting state of an electroluminescence element, FIG. 23 (a) is an overall configuration diagram, and FIG. 23 (b) is a dashed line portion in the overall configuration diagram. FIG. 23C is a perspective view showing an enlarged view of a broken line portion in the overall configuration diagram.

【図24】従来の技術としてのエレクトロルミネッセン
ス駆動装置の概略構成図である。
FIG. 24 is a schematic configuration diagram of an electroluminescence driving device as a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20…CPU、21…給送モータ駆動回路、22…測光
部、23…レンズ・モータ駆動回路、24…シャッタ制
御回路、25…バッテリ・チェック回路、26…充電回
路、27…ストロボ発光制御回路、28…測距部、29
…液晶表示装置(LCD)、30…エレクトロルミネッ
センス(EL)制御回路、31…日付け用液晶表示装置
(LCD)、32…日付け用エレクトロルミネッセンス
(EL)制御回路。
20 ... CPU, 21 ... Feed motor drive circuit, 22 ... Photometric unit, 23 ... Lens motor drive circuit, 24 ... Shutter control circuit, 25 ... Battery check circuit, 26 ... Charging circuit, 27 ... Strobe light emission control circuit, 28 ... Distance measuring unit, 29
Liquid crystal display device (LCD), 30 ... Electroluminescence (EL) control circuit, 31 ... Date liquid crystal display device (LCD), 32 ... Date electroluminescence (EL) control circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のコイルを含み、この第1のコイル
への通電を断続することにより正の昇圧電圧を出力する
第1の昇圧回路と、 第2のコイルを含み、この第2のコイルへの通電を断続
することにより負の昇圧電圧を出力する第2の昇圧回路
と、 上記第1および第2の昇圧回路の出力点に接続されたエ
レクトロルミネッセンス素子と、 第1の所定時間の間、上記第1の昇圧回路を作動させ、
上記第1の所定時間に続く第2の所定時間の間、上記第
2の昇圧回路を作動させるためのタイミング信号を出力
するタイミング信号生成手段とを具備し、 上記第1の昇圧回路から出力される上記正の昇圧電圧
と、上記第2の昇圧回路から出力される上記負の昇圧電
圧を上記エレクトロルミネッセンス素子に交互に印加す
るようにしたことを特徴とするエレクトロルミネッセン
ス駆動装置。
1. A first booster circuit including a first coil, which outputs a positive boosted voltage by intermittently energizing the first coil, and a second coil. A second booster circuit that outputs a negative boosted voltage by intermittently energizing the coil, an electroluminescent element connected to the output points of the first and second booster circuits, and a first predetermined time period. While operating the first booster circuit,
Timing signal generating means for outputting a timing signal for operating the second boosting circuit for a second predetermined time following the first predetermined time, and the timing signal generating means outputs the timing signal. The electroluminescent driving device, wherein the positive boosted voltage and the negative boosted voltage output from the second booster circuit are alternately applied to the electroluminescent element.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016041277A1 (en) * 2014-09-19 2016-03-24 深圳Tcl新技术有限公司 Led backlight boost drive circuit and liquid crystal display device
WO2024082830A1 (en) * 2022-10-18 2024-04-25 荣耀终端有限公司 Backlight power consumption reduction hardware circuit and apparatus

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