JPH07159789A - Method for orienting liquid crystal - Google Patents

Method for orienting liquid crystal

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JPH07159789A
JPH07159789A JP30796293A JP30796293A JPH07159789A JP H07159789 A JPH07159789 A JP H07159789A JP 30796293 A JP30796293 A JP 30796293A JP 30796293 A JP30796293 A JP 30796293A JP H07159789 A JPH07159789 A JP H07159789A
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JP
Japan
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liquid crystal
phase
substrates
alignment
substrate
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JP30796293A
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Japanese (ja)
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Katsuto Sakamoto
克仁 坂本
Kazuyuki Tada
一幸 多田
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Casio Computer Co Ltd
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide the method with which a liquid crystal can be oriented into such a good oriented state that the disorder of the orientation is hardly generated over the whole liquid crystal layer even when large ruggedness are present on the surface in contact with the liquid crystal of any of a pair of substrates of the liquid crystal element. CONSTITUTION:A ferroelectric liquid crystal in the active matrix liquid crystal element is heated to form the isotropic phase (Iso phase). Thereafter, the liquid crystal is cooled so that its temp. is lowered from the side of the counter- substrate, on the surface in contact with the liquid crystal of which smaller recessed and projecting parts are present, of the pair of substrates of the liquid crystal element to subject the liquid crystal to transition to the chiral smectic liquid crystal phase (SmC* phase).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶の配向方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal alignment method.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に液晶素子は、電極を形成しその上
に配向膜を設けた一対の基板間に液晶を挟持させて構成
されており、この種の液晶素子には、ネマティック液晶
を用いたTN型またはSTN型の液晶素子、強誘電性液
晶または反強誘電性液晶を用いた強誘電性または反強誘
電性液晶素子等がある。
2. Description of the Related Art Generally, a liquid crystal element is constructed by sandwiching a liquid crystal between a pair of substrates each having an electrode and an alignment film formed thereon. A nematic liquid crystal is used for this type of liquid crystal element. There are a TN type or STN type liquid crystal element, a ferroelectric or antiferroelectric liquid crystal element using a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal, and the like.

【0003】これらの液晶素子は、一般に、前記一対の
基板を枠状のシール材を介して接合し、この両基板間の
前記シール材で囲まれた領域に真空注入法により液晶を
充填する製法、あるいは、一方の基板上に適量の液晶を
供給した後に一対の基板を枠状シール材を介して接合す
る製法によって製造されている。
In general, these liquid crystal elements are manufactured by joining the pair of substrates through a frame-shaped sealing material and filling a liquid crystal between the two substrates by a vacuum injection method in a region surrounded by the sealing material. Alternatively, it is manufactured by a manufacturing method in which an appropriate amount of liquid crystal is supplied onto one of the substrates and then the pair of substrates is bonded via a frame-shaped sealing material.

【0004】ところで、上記液晶素子には、その液晶の
配向状態が表示領域全体にわたってほぼ均一であること
が要求されるが、基板間に液晶を挟持させただけでは液
晶が必ずしも良好に配向しないため、液晶の配向状態が
均一な液晶素子を得るには、液晶素子を組立てた後に、
その液晶の配向状態を整えてやる必要がある。
By the way, the above liquid crystal element is required to have a substantially uniform alignment state of the liquid crystal over the entire display area. However, the liquid crystal is not always well aligned only by sandwiching the liquid crystal between the substrates. To obtain a liquid crystal element in which the alignment state of the liquid crystal is uniform, after assembling the liquid crystal element,
It is necessary to arrange the alignment state of the liquid crystal.

【0005】この液晶の配向状態を整える処理は、一般
に再配向処理と呼ばれており、その配向処理は、従来、
組立てた液晶素子をオーブン等の加熱槽内に入れ、その
槽内温度を昇温させて前記液晶素子内の液晶を等方性液
体であるアイソトロピック相になるまで加熱した後、槽
内温度を徐々に降下させて、前記液晶を液晶素子の両方
の基板側から液晶相(ネマティック液晶ではネマティッ
ク相、強誘電性液晶ではカイラルスメクティックC相、
反強誘電性液晶ではカイラルスメクティックCA 相)に
転移させてやる方法で行なわれている。
The process for adjusting the alignment state of the liquid crystal is generally called a re-alignment process.
The assembled liquid crystal element is placed in a heating tank such as an oven, and the temperature in the tank is raised to heat the liquid crystal in the liquid crystal element to an isotropic phase which is an isotropic liquid. By gradually lowering, the liquid crystal is moved from both substrate sides of the liquid crystal element to a liquid crystal phase (nematic liquid crystal nematic phase, ferroelectric liquid crystal chiral smectic C phase,
In the antiferroelectric liquid crystal, a method of transitioning to a chiral smectic C A phase) is used.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の配
向方法は、液晶素子内の液晶をアイソトロピック相にな
るまで加熱した後、槽内温度の降下により前記液晶を液
晶素子の両方の基板側から液晶相に転移させていくもの
であるため、液晶素子の両基板のうちいずれかの基板の
液晶が接する面に大きな凹凸があると、この基板の凹凸
部付近において液晶の配向状態が乱れてしまうという問
題をもっている。
However, in the above-described conventional alignment method, the liquid crystal in the liquid crystal element is heated to an isotropic phase, and then the liquid crystal is dropped on both substrate sides of the liquid crystal element by the temperature drop in the bath. Therefore, if there is a large unevenness on the surface of one of the two substrates of the liquid crystal element that comes into contact with the liquid crystal, the alignment state of the liquid crystal will be disturbed near the uneven portion of this substrate. I have the problem of being lost.

【0007】すなわち、図19は従来の方法で液晶を配
向させた液晶素子の一部分の断面図であり、ここでは、
アクティブマトリックス方式の強誘電性液晶素子を示し
ている。
That is, FIG. 19 is a sectional view of a part of a liquid crystal element in which liquid crystal is aligned by a conventional method.
2 shows an active matrix type ferroelectric liquid crystal device.

【0008】この強誘電性液晶素子は、階調表示を可能
とするために、強誘電性液晶として、分子配列の螺旋ピ
ッチが一対の基板の間隔より短くかつ配向状態のメモリ
性を有さない液晶を用いたものである。なお、この強誘
電性液晶はDHF液晶と呼ばれている。
In order to enable gradation display, this ferroelectric liquid crystal element has, as the ferroelectric liquid crystal, a spiral pitch of molecular alignment shorter than a distance between a pair of substrates and has no memory property of an alignment state. It uses a liquid crystal. The ferroelectric liquid crystal is called DHF liquid crystal.

【0009】この強誘電性液晶素子では、前記DHF液
晶が螺旋構造をもった状態で基板間に封入されており、
このDHF液晶は、液晶層をはさんで対向する電極間に
印加される電圧に応じて、液晶分子が一方の方向にほぼ
配列した第1の配向状態と、液晶分子が他方の方向にほ
ぼ配列した第2の配向状態と、分子配列の螺旋構造の歪
みにより液晶分子の平均的な配列方向が前記第1の配向
状態と第2の配向状態との中間の任意の配向状態とにそ
れぞれ配向する。
In this ferroelectric liquid crystal device, the DHF liquid crystal is enclosed between the substrates in a spiral structure.
This DHF liquid crystal has a first alignment state in which liquid crystal molecules are substantially aligned in one direction and a liquid crystal molecule is generally aligned in the other direction according to a voltage applied between electrodes facing each other across a liquid crystal layer. And the average alignment direction of the liquid crystal molecules is aligned to any alignment state intermediate between the first alignment state and the second alignment state due to the distortion of the helical structure of the molecular alignment. .

【0010】そして、DHF液晶は、配向状態のメモリ
性はもっていないが、上述した中間の任意の配向状態を
とることができるので、液晶素子をTFTまたはMIM
等の非線形素子をアクティブ素子とするアクティブマト
リックス方式とし、非選択期間中も上記任意の配向状態
を維持する電圧を保持しておくようにすれば、階調表示
が可能であるといわれている。
Although the DHF liquid crystal does not have a memory property of the alignment state, it can have any of the intermediate alignment states described above.
It is said that gray scale display is possible by adopting an active matrix method in which a non-linear element such as the above is used as an active element and holding a voltage that maintains the above-mentioned arbitrary alignment state even during a non-selection period.

【0011】図19に示した液晶素子の構造を説明する
と、この液晶素子は、TFTをアクティブ素子としたも
のであり、ガラス等からなる一対の透明基板1,2のう
ち、図において下側の基板1には、透明な画素電極3と
アクティブ素子であるTFT4とが列方向および行方向
に配列形成されている。以下、この基板1をTFT基板
という。
The structure of the liquid crystal element shown in FIG. 19 will be described. This liquid crystal element uses a TFT as an active element and is one of a pair of transparent substrates 1 and 2 made of glass or the like, which is located on the lower side in the figure. On the substrate 1, transparent pixel electrodes 3 and TFTs 4 which are active elements are arranged and arranged in the column direction and the row direction. Hereinafter, this substrate 1 is referred to as a TFT substrate.

【0012】上記TFT4は、基板1面に形成されたゲ
ート電極5と、このゲート電極5を覆うゲート絶縁膜6
と、このゲート絶縁膜6の上に前記ゲート電極5と対向
させて形成されたa−Si からなるi型半導体膜7と、
前記i型半導体膜7の両側部の上に不純物をドープした
a−Si (アモルファスシリコン)からなるn型半導体
膜8を介して形成されたソース電極9sおよびドレイン
電極9dとで構成されている。10は前記i型半導体膜
7のチャンネル領域を保護するブロッキング絶縁膜であ
る。
The TFT 4 has a gate electrode 5 formed on the surface of the substrate 1 and a gate insulating film 6 covering the gate electrode 5.
And an i-type semiconductor film 7 of a-Si formed on the gate insulating film 6 so as to face the gate electrode 5,
The source electrode 9s and the drain electrode 9d are formed on both sides of the i-type semiconductor film 7 with the n-type semiconductor film 8 made of a-Si (amorphous silicon) doped with impurities interposed therebetween. A blocking insulating film 10 protects the channel region of the i-type semiconductor film 7.

【0013】上記TFT4のゲート絶縁膜6は、Si N
(窒化シリコン)等からなる透明絶縁膜であり、このゲ
ート絶縁膜6は基板1のほぼ全面にわたって形成されて
いる。そして、画素電極3は、前記ゲート絶縁膜6の上
に形成されており、その一端部においてTFT4のソー
ス電極9sに接続されている。
The gate insulating film 6 of the TFT 4 is made of SiN
The gate insulating film 6 is a transparent insulating film made of (silicon nitride) or the like, and is formed over substantially the entire surface of the substrate 1. The pixel electrode 3 is formed on the gate insulating film 6, and one end of the pixel electrode 3 is connected to the source electrode 9s of the TFT 4.

【0014】なお、上記基板1上には、各行のTFT4
にゲート信号を供給するゲートライン(図示せず)と、
各列のTFT4にデータ信号を供給するデータライン1
2が配線されている。前記ゲートラインは基板1面にT
FT4のゲート電極5と一体に形成されており、データ
ライン12はTFT4を覆って形成した層間絶縁膜11
の上に配線され、前記層間絶縁膜11に設けたコンタク
ト孔においてTFT4のドレイン電極9dに接続されて
いる。また、上記TFT4およびデータライン12は保
護絶縁膜13によって覆われている。
On the substrate 1, the TFTs 4 in each row are
A gate line (not shown) for supplying a gate signal to
Data line 1 for supplying data signal to TFT 4 of each column
2 is wired. The gate line is T on the surface of the substrate 1.
The data line 12 is formed integrally with the gate electrode 5 of the FT 4, and the data line 12 is an interlayer insulating film 11 formed so as to cover the TFT 4.
And is connected to the drain electrode 9d of the TFT 4 through a contact hole provided in the interlayer insulating film 11. The TFT 4 and the data line 12 are covered with a protective insulating film 13.

【0015】一方、図19において上側の基板2には、
上記TFT基板1の全ての画素電極3と対向する1枚膜
状の透明な対向電極15が形成されている。以下、この
基板2を対向基板という。
On the other hand, in FIG.
A transparent counter electrode 15 in the form of a single film is formed to face all the pixel electrodes 3 of the TFT substrate 1. Hereinafter, this substrate 2 is referred to as a counter substrate.

【0016】また、上記TFT基板1と対向基板2の上
にはそれぞれポリイミド等からなる水平配向膜14,1
6が形成されており、これら配向膜14,16にはラビ
ングによる配向処理が施されている。
On the TFT substrate 1 and the counter substrate 2, horizontal alignment films 14 and 1 made of polyimide or the like are provided.
6 is formed, and the alignment films 14 and 16 are subjected to the alignment treatment by rubbing.

【0017】そして、上記TFT基板1と対向基板2と
は、その周縁部において図示しない枠状のシール材を介
して接合されており、この両基板1,2間に上述したD
HF液晶17が挟持されている。
The TFT substrate 1 and the counter substrate 2 are bonded to each other at their peripheral portions via a frame-shaped sealing material (not shown).
The HF liquid crystal 17 is sandwiched.

【0018】このDHF液晶17は、その螺旋構造の螺
旋ピッチが可視光帯域の波長(400nm〜700n
m)以下、例えば螺旋ピッチ300nm〜400nmの
強誘電性液晶組成物であり、その螺旋ピッチが基板1,
2の間隔(2〜3μm程度)より小さいため、螺旋構造
をもった状態で基板1,2間に挟持されている。
In the DHF liquid crystal 17, the spiral pitch of the spiral structure has a wavelength in the visible light band (400 nm to 700 n).
m) or less, for example, a ferroelectric liquid crystal composition having a spiral pitch of 300 nm to 400 nm, the spiral pitch of which is the substrate 1,
Since it is smaller than the interval of 2 (about 2 to 3 μm), it is sandwiched between the substrates 1 and 2 with a spiral structure.

【0019】このDHF液晶17は、そのスメクティッ
クC相が有する層構造の層の法線方向が両基板1,2の
配向処理を施した配向膜14,16によって規制される
方向に向いた層構造を形成しており、液晶層をはさんで
対向する画素電極3と対向電極15との間に所定の値を
越える電圧を印加されたときは、印加電圧の極性に応じ
て、液晶分子17aが一方の方向に配向する第1の配向
状態と、液晶分子17aが他方の方向に配向する第2の
配向状態とのいずれかの状態に配向し、上記電圧値の中
間の電圧のときは、DHF液晶17の螺旋構造が電圧に
応じて歪むことにより、液晶分子17aの平均的な配向
方向が前記第1と第2の配向状態における液晶分子配列
の中間の方向となる配向状態に配向する。この配向状態
における液晶分子17aの平均的な配列方向は、印加電
圧値に対応する。
The DHF liquid crystal 17 has a layer structure in which the normal direction of the layer having the layer structure of the smectic C phase is regulated by the alignment films 14 and 16 subjected to the alignment treatment of the substrates 1 and 2. When a voltage exceeding a predetermined value is applied between the pixel electrode 3 and the counter electrode 15 that face each other across the liquid crystal layer, the liquid crystal molecules 17a are changed depending on the polarity of the applied voltage. When the liquid crystal molecules 17a are aligned in either one of the first alignment state and the second alignment state in which the liquid crystal molecules 17a are aligned in the other direction, and the voltage is between the above voltage values, the DHF is generated. Since the helical structure of the liquid crystal 17 is distorted according to the voltage, the liquid crystal molecules 17a are aligned in an alignment state in which the average alignment direction is an intermediate direction between the liquid crystal molecule alignments in the first and second alignment states. The average alignment direction of the liquid crystal molecules 17a in this alignment state corresponds to the applied voltage value.

【0020】そして、この強誘電性液晶素子は、アクテ
ィブマトリックス方式のものであるため、非選択期間中
もDHF液晶17を前記中間の配向状態に維持する電圧
を保持しておくことができ、したがって、透過率を変化
させて階調のある表示を行なわせることが可能であると
されている。
Since this ferroelectric liquid crystal device is of the active matrix type, it is possible to hold the voltage for maintaining the DHF liquid crystal 17 in the intermediate alignment state even during the non-selection period, and It is said that it is possible to display with gradation by changing the transmittance.

【0021】しかし、上述した従来の配向方法で液晶を
配向させた強誘電性液晶素子は、液晶17の配向状態に
乱れがあり、そのため、表示むらがあるし、またコント
ラストも低い。
However, in the ferroelectric liquid crystal element in which the liquid crystal is aligned by the above-mentioned conventional alignment method, the alignment state of the liquid crystal 17 is disturbed, so that the display is uneven and the contrast is low.

【0022】これは、TFT基板1の液晶に接する配向
膜14面が、TFT4で突出した形状となっており、ま
た液晶分子17aの主鎖の長さ(分子の長軸)が1〜2
0nmであるのに対して前記凸部の高さは400〜60
0nmと大きいため、従来の配向方法のように、アイソ
トロピック相になるまで加熱した液晶17を両方の基板
1,2側から液晶相(カイラルスメクティックC相)に
転移させていくと、TFT基板1のTFT4により生じ
る配向膜14の凸部の立上り面や角面付近において液晶
17が図19のように乱れて配列する。
This is because the surface of the alignment film 14 in contact with the liquid crystal of the TFT substrate 1 is projected by the TFT 4, and the length of the main chain of the liquid crystal molecule 17a (long axis of the molecule) is 1 to 2.
While the height is 0 nm, the height of the convex portion is 400 to 60.
Since it is as large as 0 nm, when the liquid crystal 17 heated to the isotropic phase is transferred from both substrates 1 and 2 to the liquid crystal phase (chiral smectic C phase) like the conventional alignment method, the TFT substrate 1 In the vicinity of the rising surface and the corner surface of the convex portion of the alignment film 14 generated by the TFT 4, the liquid crystal 17 is disorderly arranged as shown in FIG.

【0023】そして、この凸部付近での配向の乱れは、
その周囲の液晶にも影響するため、その領域の液晶17
のスメクティック層構造に欠陥ができ、これが表示むら
やコントラスト低下の原因となる。
Then, the disorder of the orientation in the vicinity of the convex portion is
Since it also affects the liquid crystal around it, the liquid crystal 17 in that region
There is a defect in the smectic layer structure, which causes display unevenness and deterioration of contrast.

【0024】なお、ここではDHF液晶を用いたアクテ
ィブマトリックス強誘電性液晶素子における液晶の配向
状態の乱れを例にとって説明したが、従来の配向方法に
よって液晶を配向させた場合の液晶の配向状態の乱れ
は、他の強誘電性液晶素子または反強誘電性液晶素子
や、ネマティック液晶を用いたTNまたはSTN型液晶
素子においても、またアクティブマトリックス方式に限
らず他の方式の液晶素子においても、その両基板のうち
いずれかの基板の液晶が接する面に大きな凹凸がある場
合、顕著に生じている。
Here, the disorder of the alignment state of the liquid crystal in the active matrix ferroelectric liquid crystal element using the DHF liquid crystal has been described as an example, but the alignment state of the liquid crystal when the liquid crystal is aligned by the conventional alignment method is described. Disturbance is caused not only in other ferroelectric liquid crystal elements or antiferroelectric liquid crystal elements, TN or STN type liquid crystal elements using nematic liquid crystal, or in liquid crystal elements of other types, not limited to the active matrix type. When there is a large unevenness on the surface of one of the two substrates that is in contact with the liquid crystal, the unevenness is remarkable.

【0025】本発明は、液晶素子の両基板のうちいずれ
かの基板の液晶が接する面に大きな凹部あるいは凸部が
あっても、液晶を液晶層全体にわたってほとんど乱れの
ない良好な配向状態に配向させることができる液晶の配
向方法を提供することを目的としたものである。
According to the present invention, even if there is a large concave portion or convex portion on the surface of one of the two substrates of the liquid crystal element, which comes into contact with the liquid crystal, the liquid crystal is aligned in a good alignment state with almost no disturbance throughout the liquid crystal layer. The purpose of the present invention is to provide a method for aligning liquid crystals that can be used.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】本発明の配向方法は、液
晶素子の一対の基板のうちアイソトロピック相状態の液
晶が接する面の凹凸が小さい基板側から温度を降下させ
て、この凹凸が小さい基板側から前記液晶を液晶相に相
転移させていくことを特徴とするものである。
In the alignment method of the present invention, the surface of the pair of substrates of the liquid crystal element in contact with the liquid crystal in the isotropic phase has small irregularities, and the temperature is lowered from the substrate side, and the irregularities are small. It is characterized in that the liquid crystal undergoes a phase transition to a liquid crystal phase from the substrate side.

【0027】本発明は、例えば、一方の基板に画素電極
とアクティブ素子を設け、他方の基板に対向電極を設け
たアクティブマトリックス液晶素子の液晶の配向に適用
されるもので、その場合は、アイソトロピック相になる
まで加熱した液晶を、前記対向電極を設けた基板側から
液晶相に相転移させていく。
The present invention is applied, for example, to the alignment of liquid crystals of an active matrix liquid crystal element in which a pixel electrode and an active element are provided on one substrate and a counter electrode is provided on the other substrate. The liquid crystal heated to a tropic phase is made to undergo a phase transition from the substrate side provided with the counter electrode to the liquid crystal phase.

【0028】なお、前記液晶は、カイラルスメクティッ
クC相またはカイラルスメクティックCA 相を有する強
誘電性液晶または反強誘電性液晶でも、常温でネマティ
ック相を示すネマティック液晶でもよい。
The liquid crystal may be a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal having a chiral smectic C phase or a chiral smectic C A phase, or a nematic liquid crystal exhibiting a nematic phase at room temperature.

【0029】[0029]

【作用】本発明の配向方法のように、アイソトロピック
相になるまで加熱した液晶を、液晶素子の一対の基板の
うち前記液晶が接する面の凹凸が小さい基板側から液晶
相に転移させていくと、液晶が前記基板側から他方の基
板側に向かって均一な配向状態に配向していく。
As in the alignment method of the present invention, the liquid crystal heated to the isotropic phase is transferred to the liquid crystal phase from the substrate side of the pair of substrates of the liquid crystal element, which has a small unevenness on the surface in contact with the liquid crystal. Then, the liquid crystal is aligned in a uniform alignment state from the substrate side to the other substrate side.

【0030】このため、前記他方の基板の液晶が接する
面に大きな凹凸があっても、液晶の配向状態の乱れは、
凹凸面との界面付近に生じるだけであり、したがって、
液晶を液晶層全体にわたってほとんど乱れのない良好な
配向状態に配向させることができる。
Therefore, even if there is a large unevenness on the surface of the other substrate in contact with the liquid crystal, the disorder of the alignment state of the liquid crystal is
It only occurs near the interface with the uneven surface, and therefore
The liquid crystal can be aligned over the entire liquid crystal layer in a good alignment state with almost no disturbance.

【0031】[0031]

【実施例】以下、本発明をアクティブマトリックス強誘
電性液晶素子の液晶の配向に適用した実施例を図面を参
照して説明する。図1〜図5は本発明の第1の実施例を
示しており、図1は強誘電性液晶をアイソトロピック相
から液晶相(カイラルスメクティックC相)に転移させ
ていくときの液晶素子の両基板の温度降下曲線を示す
図、図2は強誘電性液晶の各相における分子配列モデル
図、図3および図4は図1におけるt1 〜t7 の各時間
での強誘電性液晶の相転移状態を示す図、図5はアクテ
ィブマトリックス強誘電性液晶素子の配向終了状態にお
ける一部分の断面図である。ここで、基板1,2間の強
誘電性液晶層の厚さは10〜25μmである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments in which the present invention is applied to the alignment of liquid crystals of an active matrix ferroelectric liquid crystal device will be described below with reference to the drawings. 1 to 5 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows both of a liquid crystal element when a ferroelectric liquid crystal is changed from an isotropic phase to a liquid crystal phase (chiral smectic C phase). FIG. 2 is a diagram showing a temperature drop curve of a substrate, FIG. 2 is a molecular alignment model diagram in each phase of the ferroelectric liquid crystal, and FIGS. 3 and 4 are phases of the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 7 in FIG. FIG. 5 is a diagram showing a transition state, and FIG. 5 is a partial cross-sectional view of an active matrix ferroelectric liquid crystal device in a state where alignment is completed. Here, the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer between the substrates 1 and 2 is 10 to 25 μm.

【0032】なお、上記強誘電性液晶素子は、強誘電性
液晶として、分子配列の螺旋ピッチが一対の基板の間隔
より短くかつ配向状態のメモリ性を有さないDHF液晶
を用いるとともに、アクティブマトリックス方式とする
ことによって階調表示を可能としたものであり、その基
本的な構成は図19に示したものと同じであるから、重
複する説明は図に同符号を付して省略する。
In the above ferroelectric liquid crystal device, as the ferroelectric liquid crystal, a DHF liquid crystal having a spiral pitch of the molecular arrangement shorter than the distance between the pair of substrates and having no memory property of the alignment state is used, and the active matrix is used. This method enables gradation display, and since the basic configuration thereof is the same as that shown in FIG. 19, duplicated description will be assigned the same reference numerals in the figure and omitted.

【0033】上記強誘電性液晶素子の液晶の配向は次の
ようにして行なう。まず、強誘電性液晶の相転移につい
て説明すると、上記液晶素子に用いた強誘電性液晶(D
HF液晶)17は、温度により、本来の液晶相であるカ
イラルスメクティックC相(以下、Sm C* 相と記す)
と、スメクテイックA相(以下、Sm A相と記す)と、
カイラルネマティック相(以下、N* 相と記す)と、等
方性液体であるアイソトロピック相(以下、Iso相と記
す)とに相転移する物性をもったものである。
The liquid crystal of the ferroelectric liquid crystal element is aligned as follows. First, the phase transition of the ferroelectric liquid crystal will be described. The ferroelectric liquid crystal (D
The HF liquid crystal) 17 has a chiral smectic C phase (hereinafter referred to as Sm C * phase) which is an original liquid crystal phase depending on temperature.
And a smectic A phase (hereinafter referred to as Sm A phase),
It has a physical property of undergoing a phase transition between a chiral nematic phase (hereinafter referred to as N * phase) and an isotropic phase which is an isotropic liquid (hereinafter referred to as Iso phase).

【0034】図2において、(a)は上記強誘電性液晶
がSm C* 相をなしているときの液晶分子17aの配列
状態、(b)はSm A相をなしているときの液晶分子1
7aの配列状態、(c)はN* 相をなしているときの液
晶分子17aの配列状態、(d)はIso相をなしている
ときの液晶分子17aの配列状態を示しており、この強
誘電性液晶は、その温度を上げていくと、図2に実線矢
印で示すように、SmC* 相からSm A相とN* 相とを
経てIso相に転移し、その後温度を下げていくと、図2
に破線矢印で示すように、Iso相からN* 相とSm A相
とを経て元のSm C* 相に戻る。
In FIG. 2, (a) is the alignment state of the liquid crystal molecules 17a when the ferroelectric liquid crystal is in the Sm C * phase, and (b) is the liquid crystal molecule 1 when it is in the Sm A phase.
7a shows the alignment state, 7c shows the alignment state of the liquid crystal molecules 17a when in the N * phase, and FIG. 7d shows the alignment state of the liquid crystal molecules 17a when in the Iso phase. When the temperature of the dielectric liquid crystal is raised, as shown by the solid arrow in FIG. 2, the liquid crystal transitions from the SmC * phase to the Iso phase through the Sm A phase and the N * phase, and then the temperature is lowered. , Fig. 2
As indicated by the broken line arrow, the phase returns from the Iso phase to the original Sm C * phase through the N * phase and the Sm A phase.

【0035】この強誘電性液晶17の配向は、図3およ
び図4に示すように、液晶素子Aを上下一対の加熱プレ
ート31,32で挟持し、この加熱プレート31,32
の温度を制御して行なう。
As for the orientation of the ferroelectric liquid crystal 17, as shown in FIGS. 3 and 4, the liquid crystal element A is sandwiched by a pair of upper and lower heating plates 31, 32, and the heating plates 31, 32 are arranged.
Control the temperature of.

【0036】なお、上記液晶素子Aは、図5に示したT
FT基板1と対向基板2とを枠状のシール材18を介し
て接合し、この両基板1,2間の前記シール材18で囲
まれた領域に真空注入法により液晶17を充填する製
法、あるいは、一方の基板上に適量の液晶を供給した後
に一対の基板1,2を枠状シール材18を介して接合す
る製法によって製造する。
The liquid crystal element A has the T shown in FIG.
A manufacturing method in which the FT substrate 1 and the counter substrate 2 are bonded to each other via a frame-shaped sealing material 18 and a region between the two substrates 1 and 2 surrounded by the sealing material 18 is filled with a liquid crystal 17 by a vacuum injection method, Alternatively, it is manufactured by a manufacturing method in which an appropriate amount of liquid crystal is supplied onto one of the substrates and then the pair of substrates 1 and 2 are joined via the frame-shaped sealing material 18.

【0037】また、上記加熱プレート31,32は、そ
の構造は図示しないが、例えば、熱伝導性に優れた金属
板等からなるプレート本体に、その加熱手段と冷却手段
とを設けたものであり、その温度を任意に制御できるも
のである。
Although the structure of the heating plates 31 and 32 is not shown, for example, the heating means and the cooling means are provided in a plate body made of a metal plate or the like having excellent thermal conductivity. The temperature can be controlled arbitrarily.

【0038】上記強誘電性液晶17の配向方法を説明す
ると、この配向は、まず上記一対の加熱プレート31,
32を昇温させて液晶素子Aを両基板1,2側から加熱
することにより、液晶素子A内の液晶17をIso相にな
るまで加熱し、液晶17が十分にIso相になった後、前
記加熱プレート31,32の温度を液晶素子Aの両基板
1,2の温度をそれぞれ図1に示すような降下曲線で降
温させるように制御することにより、液晶素子Aの一対
の基板1,2のうち液晶17が接する配向膜14,15
面の凹凸が小さい基板側、つまり、液晶17が接する面
(配向膜面)がほとんど平坦面である対向基板2側から
温度を徐々に降下させて、この対向基板2側から液晶1
7をSm C* 相に転移させていくことによって行なう。
The method of orienting the ferroelectric liquid crystal 17 will be described. This orientation is as follows.
By heating 32 to heat the liquid crystal element A from both substrates 1 and 2, the liquid crystal 17 in the liquid crystal element A is heated to the Iso phase, and after the liquid crystal 17 is sufficiently in the Iso phase, By controlling the temperatures of the heating plates 31 and 32 so that the temperatures of the substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A are respectively lowered by the descending curves as shown in FIG. 1, the pair of substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is controlled. Of the alignment films 14 and 15 with which the liquid crystal 17 is in contact
The temperature is gradually decreased from the side of the substrate having small surface irregularities, that is, the side of the counter substrate 2 in which the liquid crystal 17 contacts (alignment film surface) is almost flat, and the liquid crystal 1 is moved from the side of the counter substrate 2.
It is carried out by transferring 7 to the Sm C * phase.

【0039】このように、液晶素子A内の強誘電性液晶
17をIso相になるまで加熱した後、その温度を対向基
板2側から徐々に降下させてやると、Iso相になるまで
加熱された液晶17が、対向基板2側からTFT基板1
側に向かって次のように相転移していく。
As described above, after the ferroelectric liquid crystal 17 in the liquid crystal element A is heated to the Iso phase, the temperature is gradually lowered from the counter substrate 2 side, and is heated to the Iso phase. The liquid crystal 17 is supplied from the side of the counter substrate 2 to the TFT substrate 1
The phase transitions toward the side as follows.

【0040】すなわち、図3の(a)は、図1における
1 の時間、つまり加熱プレート31,32の温度降下
を開始する直前の液晶17の状態を示しており、このと
きは、液晶素子A内の液晶17が液晶層全体にわってI
so相となっている。
[0040] That is, in (a) is 3, the time t 1 in FIG. 1, i.e. shows the state of the liquid crystal 17 immediately before the start of the temperature drop of the heating plate 31 and 32, this time, the liquid crystal element The liquid crystal 17 in A is I over the entire liquid crystal layer.
It is a so phase.

【0041】そして、この状態からまず対向基板2の温
度を降下させていくと、液晶17が対向基板2側からI
so相→N* 相→Sm A相→Sm C* 相に転移していく。
図3の(b)〜(d)は、図1におけるt2 〜t4 の各
時間での液晶17の相転移状態を示している。
Then, when the temperature of the counter substrate 2 is first lowered from this state, the liquid crystal 17 becomes I from the counter substrate 2 side.
The so phase → N * phase → Sm A phase → Sm C * phase transition.
3B to 3D show the phase transition states of the liquid crystal 17 at the times t 2 to t 4 in FIG.

【0042】なお、この実施例では、図1に示したよう
に、対向基板2の温度がSm C* 相転移温度になるまで
はTFT基板1の温度をIso相→N* 相転移温度より高
く保つように加熱プレート31,32の温度を制御して
おり、したがって、図1におけるt4 の時間のときの液
晶17の状態は、図3の(d)のように、対向基板2側
の液晶がSm C* 相まで転移し、TFT基板1側の液晶
はIso相のままであり、その間に、Sm A相まで転移し
た液晶とN* 相に転移した液晶とが層をなして存在して
いる状態にある。このように、より平坦な対向基板2側
から液晶相を形成すると、液晶17は乱れなく配向す
る。
In this embodiment, as shown in FIG. 1, the temperature of the TFT substrate 1 is higher than the Iso phase → N * phase transition temperature until the temperature of the counter substrate 2 reaches the Sm C * phase transition temperature. The temperatures of the heating plates 31 and 32 are controlled so as to maintain the temperature. Therefore, the state of the liquid crystal 17 at the time of t 4 in FIG. 1 is as shown in (d) of FIG. To the Sm C * phase, and the liquid crystal on the TFT substrate 1 side remains in the Iso phase, while a liquid crystal that has transitioned to the Sm A phase and a liquid crystal that has transitioned to the N * phase exist in layers. It is in a state of being. As described above, when the liquid crystal phase is formed from the flatter counter substrate 2 side, the liquid crystal 17 is aligned without disorder.

【0043】そして、TFT基板1の温度を降下させて
いくと、対向基板2側からの液晶17の相転移がさらに
進み、最終的に、液晶素子A内の液晶17が液晶層全体
にわたってSm C* 相になる。図4の(e)〜(g)
は、図1におけるt5 〜t7 の各時間での液晶17の相
転移状態を示している。
Then, when the temperature of the TFT substrate 1 is lowered, the phase transition of the liquid crystal 17 from the counter substrate 2 side further progresses, and finally the liquid crystal 17 in the liquid crystal element A spreads over the entire liquid crystal layer Sm C. * Be in phase. (E) to (g) of FIG.
Shows the phase transition state of the liquid crystal 17 at each time from t 5 to t 7 in FIG.

【0044】上記配向方法によれば、液晶素子A内の強
誘電性液晶17をIso相になるまで加熱し、その後、前
記液晶素子Aの一対の基板1,2のうち液晶17が接す
る面の凹凸が小さい対向基板2側から温度を降下させ
て、この対向基板2側から前記液晶17を強誘電性液晶
の液晶相であるSm C* 相に転移させていくため、液晶
17を液晶層全体にわたってほとんど乱れのない良好な
配向状態に配向させることができる。
According to the above-mentioned alignment method, the ferroelectric liquid crystal 17 in the liquid crystal element A is heated until it becomes the Iso phase, and then the surface of the pair of substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A which is in contact with the liquid crystal 17 is heated. Since the temperature is lowered from the counter substrate 2 side having a small unevenness and the liquid crystal 17 is transferred from the counter substrate 2 side to the Sm C * phase which is the liquid crystal phase of the ferroelectric liquid crystal, the liquid crystal 17 is entirely in the liquid crystal layer. It is possible to align in a good alignment state with almost no disturbance over the entire length.

【0045】すなわち、上記配向方法のように、Iso相
になるまで加熱した液晶17を、液晶17が接する面が
ほとんど平坦面である対向基板2側からSm C* 相に転
移させていくと、液晶17が前記対向基板2側からTF
T基板1側に向かって均一な配向状態に配向していくた
め、前記TFT基板1の液晶17が接する面がTFT4
部分が突出した大きな凹凸のある面であっても、液晶1
7の配向状態の乱れは、図5に示すように、TFT4に
対応する凸部の立上り面や角面との界面付近に極く僅か
に生じるだけである。
That is, when the liquid crystal 17 heated to the Iso phase as in the above alignment method is transferred from the counter substrate 2 side where the surface in contact with the liquid crystal 17 is a substantially flat surface to the Sm C * phase, The liquid crystal 17 is TF from the counter substrate 2 side.
Since it is aligned in a uniform alignment state toward the T substrate 1, the surface of the TFT substrate 1 in contact with the liquid crystal 17 is the TFT 4
Even if the surface has large projections and depressions, the liquid crystal 1
As shown in FIG. 5, the disturbance of the alignment state of No. 7 occurs only very slightly in the vicinity of the interface with the rising surface or the corner surface of the convex portion corresponding to the TFT 4.

【0046】したがって、この配向方法によって強誘電
性液晶17を配向させれば、前記液晶17を、液晶層全
体にわたってほとんど乱れのない良好な配向状態、つま
り液晶層全体にわたって均一なスメクティック層構造を
もつ状態に配向させることができるため、表示むらがな
く、しかもコントラストも良好なアクティブマトリック
ス強誘電性液晶素子を得ることができる。
Therefore, if the ferroelectric liquid crystal 17 is aligned by this alignment method, the liquid crystal 17 has a good alignment state with almost no disturbance over the entire liquid crystal layer, that is, has a uniform smectic layer structure over the entire liquid crystal layer. Since it can be oriented in a state, it is possible to obtain an active matrix ferroelectric liquid crystal element having no display unevenness and good contrast.

【0047】また、配向膜14,16は、その両方を所
定方向にラビング処理してもよいが、TFT基板1側の
配向膜14にラビング処理を施すと、そのラビング時に
生じる静電気によりTFT4が絶縁破壊してしまうおそ
れがあるし、さらに上記配向方法は対向基板2側から液
晶相を形成していくものであるため、TFT基板1側の
配向膜14にはラビング処理を施さなくてもよい。
Both of the alignment films 14 and 16 may be rubbed in a predetermined direction, but if the alignment film 14 on the TFT substrate 1 side is rubbed, the TFT 4 is insulated by static electricity generated during the rubbing. Since the liquid crystal phase is formed from the counter substrate 2 side in the above alignment method, the alignment film 14 on the TFT substrate 1 side may not be subjected to rubbing treatment.

【0048】なお、上記配向方法は、対向基板2に着色
表示を得るためのカラーフィルタや画素間の漏れ光をな
くすための遮光膜を設けている液晶素子にも適用するこ
とができる。
The above alignment method can also be applied to a liquid crystal element in which the counter substrate 2 is provided with a color filter for obtaining a colored display and a light shielding film for eliminating leaked light between pixels.

【0049】図6は、対向基板2に上記カラーフィルタ
と遮光膜を設けているアクティブマトリックス強誘電性
液晶素子の配向終了状態における一部分の断面図であ
り、この液晶素子では、対向基板2面に複数の色(例え
ば赤,緑,青の3色)のカラーフィルタ19をTFT基
板1の各画素電極3にそれぞれ対向させて交互に並べて
形成し、これらカラーフィルタ19の間に、Cr (クロ
ム)等の金属膜または黒色レジスト等(図では黒色レジ
スト)からなる遮光膜20を形成している。
FIG. 6 is a sectional view of a part of the active matrix ferroelectric liquid crystal device in which the color filter and the light-shielding film are provided on the counter substrate 2 in a state where the alignment is completed. Color filters 19 of a plurality of colors (for example, three colors of red, green, and blue) are alternately arranged to face each pixel electrode 3 of the TFT substrate 1, and Cr (chrome) is provided between these color filters 19. A light-shielding film 20 made of a metal film such as the above or a black resist or the like (black resist in the figure) is formed.

【0050】そして、この液晶素子では、上記カラーフ
ィルタ19と遮光膜20を透明な保護絶縁膜21で覆
い、この保護絶縁膜21の上に対向電極15を形成して
いる。なお、この液晶素子の他の部分の構成は図5に示
したものと同じである。
In this liquid crystal element, the color filter 19 and the light shielding film 20 are covered with a transparent protective insulating film 21, and the counter electrode 15 is formed on the protective insulating film 21. The structure of the other parts of this liquid crystal element is the same as that shown in FIG.

【0051】この液晶素子においては、上記カラーフィ
ルタ19と遮光膜20との間にそれぞれの膜厚の差に応
じた段差があるため、対向基板2の液晶17と接する配
向膜15面が前記段差に応じた凹凸をもっているが、こ
の対向基板2側の配向膜16面の凹凸は、TFT基板1
側のTFT4部分の突出による凹凸に比べれば極く小さ
いため、その基板強誘電性液晶17を上述した配向方法
によって対向基板2側から配向させれば、前記液晶17
を、液晶層全体にわたってほとんど乱れのない良好な配
向状態(液晶層全体にわたって均一なスメクティック層
構造をもつ状態)に配向させることができる。
In this liquid crystal element, since there is a step between the color filter 19 and the light-shielding film 20 depending on the difference in film thickness, the surface of the alignment film 15 in contact with the liquid crystal 17 of the counter substrate 2 has the step. The unevenness on the surface of the alignment film 16 on the counter substrate 2 side is
Since it is much smaller than the unevenness due to the protrusion of the TFT 4 portion on the side, if the substrate ferroelectric liquid crystal 17 is aligned from the counter substrate 2 side by the alignment method described above, the liquid crystal 17 is formed.
Can be oriented in a good alignment state in which there is almost no disturbance over the entire liquid crystal layer (a state in which a uniform smectic layer structure is formed over the entire liquid crystal layer).

【0052】また、上記実施例では、液晶素子A内の液
晶17をIso相になるまで加熱した後、液晶素子Aの両
基板1,2の温度をそれぞれ図1に示したような降下曲
線で降温させたが、前記両基板1,2の温度は、次のよ
うな降下曲線で降温させてもよい。
In the above embodiment, after the liquid crystal 17 in the liquid crystal element A is heated to the Iso phase, the temperatures of the substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A are respectively set to the descending curves as shown in FIG. Although the temperature is lowered, the temperature of both the substrates 1 and 2 may be lowered according to the following falling curve.

【0053】すなわち、図7の(a)〜(d)はそれぞ
れ、本発明の第2〜第5の実施例を示す強誘電性液晶を
Iso相から液晶相(Sm C* 相)に転移させていくとき
の液晶素子の両基板の温度降下曲線図であり、このよう
な降下曲線で液晶素子Aの両基板1,2の温度を降温さ
せても、Iso相になるまで加熱した強誘電性液晶17を
対向基板2側からSm C* 相に転移させていくことがで
きる。
That is, FIGS. 7 (a) to 7 (d) respectively show the ferroelectric liquid crystals showing the second to fifth embodiments of the present invention from the Iso phase to the liquid crystal phase (Sm C * phase). FIG. 7 is a temperature drop curve diagram of both substrates of the liquid crystal element when the liquid crystal element is lowered, and even if the temperature of both the substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered by such a lowering curve, the ferroelectric property of heating to the Iso phase is obtained. The liquid crystal 17 can be transferred from the counter substrate 2 side to the Sm C * phase.

【0054】図8は図7の(a)に示した降下曲線で液
晶素子Aの両基板1,2の温度を降温させたときのt1
〜t7 の各時間での強誘電性液晶の相転移状態、図9は
図7の(b)に示した降下曲線で液晶素子Aの両基板
1,2の温度を降温させたときのt1 〜t7 の各時間で
の強誘電性液晶の相転移状態、図10は図7の(c)に
示した降下曲線で液晶素子Aの両基板1,2の温度を降
温させたときのt1 〜t7 の各時間での強誘電性液晶の
相転移状態、図11は図7の(d)に示した降下曲線で
液晶素子Aの両基板1,2の温度を降温させたときのt
1 〜t7 の各時間での強誘電性液晶の相転移状態を示し
ている。
FIG. 8 is a drop curve shown in FIG. 7A, t 1 when the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered.
Ferroelectric phase transition state of the liquid crystal at each time ~t 7, 9 t when the temperature is lowered the temperature of the substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A in drop curve shown in FIG. 7 (b) The phase transition state of the ferroelectric liquid crystal at each time of 1 to t 7 , FIG. 10 shows the temperature drop of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A by the drop curve shown in FIG. The phase transition state of the ferroelectric liquid crystal at each time from t 1 to t 7 , when the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered by the descent curve shown in FIG. 7D. Of t
Shows a ferroelectric phase transition state of the liquid crystal at each time of 1 ~t 7.

【0055】なお、上述したようにIso相→N* 相→S
m A相→Sm C* 相の順に相転移する強誘電性液晶のS
m C* 相に転移したときの配向状態は、Sm C* 相に転
移する前のSm A相での配向状態に大きく依存するの
で、Sm A相での配向状態の制御が特に重要であり、S
m A相での配向状態に乱れがなければ、Sm C* 相に転
移したときの配向状態も乱れのない良好な配向状態にな
る。
As described above, Iso phase → N * phase → S
S of ferroelectric liquid crystal that undergoes phase transition in the order of m A phase → Sm C * phase
Since the orientation state upon transition to the m C * phase largely depends on the orientation state on the Sm A phase before transition to the Sm C * phase, control of the orientation state on the Sm A phase is particularly important, S
If there is no disorder in the orientation state in the mA phase, the orientation state at the time of transition to the Sm C * phase also becomes a good orientation state without any disturbance.

【0056】したがって、上記強誘電性液晶の相転移
が、TFT基板1に接する液晶がSmA相になるまで進
行した後は、TFT基板1側からもSm C* 相への相転
移を進行させるようにしてもよい。
Therefore, after the phase transition of the ferroelectric liquid crystal progresses until the liquid crystal in contact with the TFT substrate 1 becomes the SmA phase, the phase transition from the TFT substrate 1 side to the Sm C * phase is also promoted. You may

【0057】すなわち、例えば図8の(f)および図1
1の(f)のように対向基板2側の液晶がSm C* 相に
なりTFT基板1側の液晶がSm A相になった後は、T
FT基板1の温度を対向基板2と同温度まで降下させ
て、このTFT基板1側からも液晶をSm C* 相に転移
させてもよく、また、図9の(e)および図10の
(e)のように液晶層全体がSm A相になった後は、T
FT基板1側から先に降温させ、このTFT基板1側か
ら対向基板2側に向かってSm C* 相への相転移を進行
させてもよい。
That is, for example, FIG. 8 (f) and FIG.
After the liquid crystal on the counter substrate 2 side is in the Sm C * phase and the liquid crystal on the TFT substrate 1 side is in the Sm A phase as in (f) of 1,
The temperature of the FT substrate 1 may be lowered to the same temperature as that of the counter substrate 2, and the liquid crystal may be transferred to the Sm C * phase from this TFT substrate 1 side, and (e) in FIG. After the entire liquid crystal layer becomes the Sm A phase as in e), T
The temperature may be lowered first from the FT substrate 1 side, and the phase transition to the Sm C * phase may proceed from the TFT substrate 1 side toward the counter substrate 2 side.

【0058】また、強誘電性液晶には、上述したように
温度によってSm C* 相,Sm A相,N* 相,Iso相に
転移するもの以外に、N* 相を経ずに相転移するもの
や、Sm A相を経ずに相転移するものあるが、本発明は
このような相転移を示す強誘電性液晶の配向にも適用す
ることができる。
Further, the ferroelectric liquid crystal undergoes phase transition without passing through the N * phase, in addition to the transition to the Sm C * phase, Sm A phase, N * phase and Iso phase depending on the temperature as described above. However, the present invention can also be applied to the alignment of ferroelectric liquid crystals exhibiting such a phase transition.

【0059】図12の(a)および(b)はそれぞれ、
本発明の第6および第7の実施例を示す強誘電性液晶を
Iso相から液晶相(Sm C* 相)に転移させていくとき
の液晶素子の両基板の温度降下曲線図である。
12A and 12B respectively show
FIG. 9 is a temperature drop curve diagram of both substrates of a liquid crystal element when a ferroelectric liquid crystal showing sixth and seventh embodiments of the present invention is transitioned from an Iso phase to a liquid crystal phase (Sm C * phase).

【0060】この第6および第7の実施例は、強誘電性
液晶がN* 相を経ずに相転移するものである場合の例で
あり、強誘電性液晶をIso相になるまで加熱した後、液
晶素子Aの両基板1,2の温度を図12の(a)または
(b)のような降下曲線で降温させてやれば、強誘電性
液晶を対向基板2側からSm C* 相に相転移させていく
ことができる。なお、この場合も、TFT基板1の温度
は、このTFT基板1に接している液晶の温度より基板
温度が低くならないように制御しながら降下させる。
The sixth and seventh embodiments are examples in which the ferroelectric liquid crystal undergoes a phase transition without passing through the N * phase, and the ferroelectric liquid crystal is heated until it becomes the Iso phase. After that, if the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered according to the descending curve as shown in FIG. 12A or 12B, the ferroelectric liquid crystal is transferred from the counter substrate 2 side to the Sm C * phase. The phase can be changed to. In this case as well, the temperature of the TFT substrate 1 is controlled and lowered so that the substrate temperature does not become lower than the temperature of the liquid crystal in contact with the TFT substrate 1.

【0061】図13は図12の(a)に示した降下曲線
で液晶素子Aの両基板1,2の温度を降温させたときの
1 〜t5 の各時間での強誘電性液晶の相転移状態、図
14は図12の(b)に示した降下曲線で液晶素子Aの
両基板1,2の温度を降温させたときのt1 〜t5 の各
時間での強誘電性液晶の相転移状態を示しており、いず
れの例でも、Iso相になるまで加熱された強誘電性液晶
17が、対向基板2側から、Iso相→Sm A相→Sm C
* 相の順に転移していく。
FIG. 13 is a drop curve shown in FIG. 12A, showing the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 5 when the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered. A phase transition state, FIG. 14 is a drop curve shown in FIG. 12B, and the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 5 when the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered. In any of the examples, the ferroelectric liquid crystal 17 heated to the Iso phase is, from the counter substrate 2 side, Iso phase → Sm A phase → Sm C
* Transition in the order of phases.

【0062】なお、ここでは、強誘電性液晶がN* 相を
経ずに相転移するものである例を上げたが、強誘電性液
晶がSm A相を経ずに相転移するものである場合は、I
so相になるまで加熱された強誘電性液晶が、対向基板2
側から、Iso相→N* 相→Sm C* 相の順に転移してい
く。
Here, an example is given in which the ferroelectric liquid crystal undergoes a phase transition without passing through the N * phase, but the ferroelectric liquid crystal undergoes a phase transition without passing through the Sm A phase. If I
Ferroelectric liquid crystal heated to the so phase is the opposite substrate 2
From the side, the transition proceeds in the order of Iso phase → N * phase → Sm C * phase.

【0063】また、本発明は、分子配列の螺旋ピッチが
一対の基板の間隔より短くかつ配向状態のメモリ性を有
さない強誘電性液晶(DHF液晶)に限らず、例えば分
子配列の螺旋ピッチが一対の基板の間隔より短くかつ配
向状態のメモリ性を有さない強誘電性液晶等、他の強誘
電性液晶の配向にも適用できるし、また反強誘電性液晶
の配向にも適用できる。
Further, the present invention is not limited to the ferroelectric liquid crystal (DHF liquid crystal) in which the spiral pitch of the molecular arrangement is shorter than the distance between the pair of substrates and does not have the memory property of the alignment state. Can be applied to the alignment of other ferroelectric liquid crystals, such as ferroelectric liquid crystals that have a shorter distance than the distance between a pair of substrates and do not have the memory property of the alignment state, and can also be applied to the alignment of antiferroelectric liquid crystals. .

【0064】なお、反強誘電性液晶の液晶相はカイラル
スメクティックCA 相(以下、SmCA 相と記す)であ
り、Iso相になるまで加熱された反強誘電性液晶は、次
の (1)〜(2) のいずれかの順に相転移してSm CA *
になる。
The liquid crystal phase of the antiferroelectric liquid crystal is the chiral smectic C A phase (hereinafter referred to as the SmC A phase), and the antiferroelectric liquid crystal heated to the Iso phase has the following (1 ) made in the Sm C a * phase by phase transition in either order to (2).

【0065】 (1) Iso相→Sm A相→Sm CA * 相 (2) Iso相→Sm A相→Sm C* 相→Sm CA * 相 (3) Iso相→Sm CA * 相 (4) Iso相→N* 相→Sm CA * 相 (5) Iso相→N* 相→Sm C* 相→Sm CA * 相 (6) Iso相→N* 相→Sm A相→Sm CA * 相 (7) Iso相→N* 相→Sm A相→Sm C* 相→Sm CA
* 相 上記分子配列の螺旋ピッチが一対の基板の間隔より短く
かつ配向状態のメモリ性を有さない強誘電性液晶を用い
る液晶素子および、反強誘電性液晶を用いる液晶素子の
基板間の液晶層の厚さは、上述したDHF液晶を用いる
液晶素子の液晶層厚より厚いため、両基板間の液晶の温
度制御が容易であり、したがって液晶の層構造の形成制
御が容易である。
(1) Iso phase → Sm A phase → Sm C A * phase (2) Iso phase → Sm A phase → Sm C * phase → Sm C A * phase (3) Iso phase → Sm C A * phase ( 4) Iso phase → N * phase → Sm C A * phase (5) Iso phase → N * phase → Sm C * phase → Sm CA A * phase (6) Iso phase → N * phase → Sm A phase → Sm C A * phase (7) Iso phase → N * phase → Sm A phase → Sm C * phase → Sm C A
* Phase The liquid crystal between the substrates of the liquid crystal element using the ferroelectric liquid crystal and the liquid crystal element using the antiferroelectric liquid crystal in which the helical pitch of the above molecular arrangement is shorter than the distance between the pair of substrates and does not have the memory property of the alignment state. Since the layer thickness is thicker than the liquid crystal layer thickness of the liquid crystal element using the DHF liquid crystal described above, it is easy to control the temperature of the liquid crystal between the two substrates, and thus to easily control the formation of the liquid crystal layer structure.

【0066】さらに、本発明は、強誘電性または反強誘
電性液晶素子に限らず、ネマティック液晶を用いたTN
型またはSTN型液晶素子の液晶の配向にも適用するこ
とができる。
Furthermore, the present invention is not limited to a ferroelectric or antiferroelectric liquid crystal element, but a TN using a nematic liquid crystal.
The present invention can also be applied to the alignment of liquid crystals of the STN type or STN type liquid crystal element.

【0067】図15は本発明の第8の実施例を示す液晶
をIso相から液晶相に転移させていくときの液晶素子の
両基板の温度降下曲線図であり、この実施例は、アクテ
ィブマトリックス方式のTN型液晶素子におけるネマテ
ィック液晶の配向に本発明を適用した例である。
FIG. 15 is a temperature drop curve diagram of both substrates of the liquid crystal element when the liquid crystal showing the eighth embodiment of the present invention is transitioned from the Iso phase to the liquid crystal phase. 2 is an example in which the present invention is applied to the alignment of nematic liquid crystal in a TN type liquid crystal device of the system.

【0068】この実施例は、ネマティック液晶をIso相
になるまで加熱した後、液晶素子Aの両基板1,2の温
度を図15のような降下曲線で降温させるものであり、
この実施例によれば、ネマティック液晶を対向基板2側
からネマティック相(以下、N相と記す)に転移させて
いくことができる。
In this embodiment, after heating the nematic liquid crystal until it becomes the Iso phase, the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered by a descending curve as shown in FIG.
According to this embodiment, the nematic liquid crystal can be transferred from the counter substrate 2 side to the nematic phase (hereinafter referred to as N phase).

【0069】図16は図15に示した降下曲線で液晶素
子Aの両基板1,2の温度を降温させたときのt1 〜t
3 の各時間でのネマテイック液晶の相転移状態を示して
おり、Iso相になるまで加熱されたネマティック液晶2
2は、対向基板2側からN相に転移していくため、TF
T基板1の液晶22が接する面がTFT4部分が突出し
た大きな凹凸のある面であっても、前記液晶22を、液
晶層全体にわたってほとんど乱れのない良好な配向状
態、つまり液晶層全体にわたって均一なツイスト配向状
態に配向させることができる。
FIG. 16 shows the descent curve shown in FIG. 15 from t 1 to t when the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered.
3 shows the phase transition state of the nematic liquid crystal at each time of 3 and the nematic liquid crystal heated to the Iso phase 2
2 shifts from the counter substrate 2 side to the N phase, so TF
Even if the surface of the T substrate 1 in contact with the liquid crystal 22 is a surface having large projections and depressions of the TFT 4 portion, the liquid crystal 22 has a good alignment state with almost no disturbance over the entire liquid crystal layer, that is, uniform over the entire liquid crystal layer. It can be oriented in a twist orientation state.

【0070】なお、前記ネマティック液晶22には左旋
性または右旋性の旋向剤(例えばカイラル液晶)が添加
されており、ネマティック液晶22は、前記旋向剤の旋
向性により左回りまたは右回りにツイスト配向する。そ
のツイスト角は、TN液晶モードの場合で80〜120
°(好ましくは85〜110°)であり、STN液晶モ
ードの場合で180〜300°(好ましくは220〜2
60°)である。
A left-handed or right-handed turning agent (for example, a chiral liquid crystal) is added to the nematic liquid crystal 22, and the nematic liquid crystal 22 rotates counterclockwise or right depending on the turning property of the turning agent. Twisted around. The twist angle is 80 to 120 in the TN liquid crystal mode.
(Preferably 85 to 110 °), and 180 to 300 ° (preferably 220 to 2) in the STN liquid crystal mode.
60 °).

【0071】また、上述した実施例は、いずれも、対向
基板2側からの液晶17,22の相転移を、液晶相の層
厚方向に進行させていくものであるが、この液晶の相転
移は、液晶相の層厚方向に対して斜めに進行させてもよ
い。
In each of the above-mentioned embodiments, the phase transition of the liquid crystals 17 and 22 from the counter substrate 2 side is advanced in the layer thickness direction of the liquid crystal phase. May be obliquely advanced with respect to the layer thickness direction of the liquid crystal phase.

【0072】図17および図18は本発明の第9の実施
例を示している。この実施例は、図1に示した降下曲線
で液晶素子Aの両基板1,2の温度を降温させて強誘電
性液晶を配向する際の液晶素子Aの両基板1,2の降温
を、基板の一端(図において右端)から他端(図におい
て左端)に向かって低温となる温度勾配をもつように制
御して行なう例であり、図17は図1のt1 〜t4 の各
時間での強誘電性液晶17の相転移状態、図18は図1
のt5 〜t7 の各時間での強誘電性液晶17の相転移状
態を示している。
17 and 18 show a ninth embodiment of the present invention. In this embodiment, the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A is lowered according to the drop curve shown in FIG. 1 to lower the temperature of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A when the ferroelectric liquid crystal is aligned. This is an example in which the temperature is controlled so as to have a low temperature from one end (right end in the figure) to the other end (left end in the figure) of the substrate. FIG. 17 shows each time from t 1 to t 4 in FIG. 18 shows the phase transition state of the ferroelectric liquid crystal 17 in FIG.
4 shows the phase transition state of the ferroelectric liquid crystal 17 at each time from t 5 to t 7 .

【0073】すなわち、この実施例は、液晶素子Aの両
基板1,2の温度をそれぞれ上記のような温度勾配をも
たせて降温させることにより、対向基板2側からの液晶
17の相転移を、液晶相の層厚方向に対して斜めに進行
させていくものであり、この実施例によっても、液晶
を、液晶層全体にわたってほとんど乱れのない良好な配
向状態に配向させることができる。
That is, in this embodiment, the temperatures of both substrates 1 and 2 of the liquid crystal element A are lowered with the above temperature gradients, respectively, to cause the phase transition of the liquid crystal 17 from the counter substrate 2 side. The liquid crystal phase is allowed to proceed obliquely with respect to the layer thickness direction, and in this embodiment as well, the liquid crystal can be aligned in a good alignment state with almost no disturbance throughout the liquid crystal layer.

【0074】また、本発明は、アクティブマトリックス
方式に限らず他の方式の液晶素子の液晶の配向にも適用
できるものであり、特に、液晶素子の両基板のうちいず
れかの基板の液晶が接する面に大きな凹凸がある場合に
は、従来の配向方法に比べて、はるかに良好な配向状態
に液晶を配向させることができる。
Further, the present invention can be applied not only to the active matrix system but also to the alignment of the liquid crystal of the liquid crystal device of other system, and in particular, the liquid crystal of one of the substrates of the liquid crystal device is in contact with the liquid crystal device. When the surface has large unevenness, the liquid crystal can be aligned in a much better alignment state than in the conventional alignment method.

【0075】[0075]

【発明の効果】本発明の配向方法は、アイソトロピック
相状態の液晶を一対の基板間に挟持した液晶素子の前記
一対の基板のうち前記液晶が接する面の凹凸が小さい基
板側から液晶の温度を降下させて、この凹凸が小さい基
板側から前記液晶を液晶相に転移させていくものである
から、前記液晶素子の両基板のうちいずれかの基板の液
晶が接する面に大きな凹凸があっても、液晶を液晶層全
体にわたってほとんど乱れのない良好な配向状態に配向
させることができる。
According to the alignment method of the present invention, the temperature of the liquid crystal is adjusted from the side of the pair of substrates of the liquid crystal element in which the liquid crystal in the isotropic phase state is sandwiched between the pair of substrates, in which the unevenness of the surface in contact with the liquid crystal is small Since the liquid crystal is transferred to the liquid crystal phase from the side of the substrate having the smaller unevenness, there is a large unevenness on the surface of one of the two substrates of the liquid crystal element where the liquid crystal is in contact. Also, the liquid crystal can be aligned in a good alignment state with almost no disturbance over the entire liquid crystal layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す、強誘電性液晶を
Iso相からSm S* 相に転移させていくときの液晶素子
の両基板の温度降下曲線図。
FIG. 1 is a temperature drop curve diagram of both substrates of a liquid crystal element when a ferroelectric liquid crystal is transitioned from an Iso phase to an Sm S * phase, showing a first embodiment of the present invention.

【図2】強誘電性液晶の各相における分子配列モデル
図。
FIG. 2 is a model diagram of a molecular alignment in each phase of the ferroelectric liquid crystal.

【図3】図1におけるt1 〜t4 の各時間での強誘電性
液晶の相転移状態を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a phase transition state of a ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 4 in FIG.

【図4】図1におけるt5 〜t7 の各時間での強誘電性
液晶の相転移状態を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a phase transition state of a ferroelectric liquid crystal at each time of t 5 to t 7 in FIG.

【図5】アクティブマトリックス強誘電性液晶素子の配
向終了状態における一部分の断面図。
FIG. 5 is a partial cross-sectional view of an active matrix ferroelectric liquid crystal device in a state where alignment is completed.

【図6】対向基板にカラーフィルタを設けたアクティブ
マトリックス強誘電性液晶素子の配向終了状態における
一部分の断面図。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of an active matrix ferroelectric liquid crystal device in which a color filter is provided on a counter substrate in a state where alignment is completed.

【図7】本発明の第2〜第5の実施例を示す、強誘電性
液晶をIso相からSm C* 相に転移させていくときの液
晶素子の両基板の温度降下曲線図。
FIG. 7 is a temperature drop curve diagram of both substrates of the liquid crystal element when the ferroelectric liquid crystal is transited from the Iso phase to the Sm C * phase, showing the second to fifth embodiments of the present invention.

【図8】図7の(a)に示した降下曲線で液晶素子の両
基板の温度を降温させたときのt1 〜t7 の各時間での
強誘電性液晶の相転移状態を示す図。
FIG. 8 is a diagram showing a phase transition state of the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 7 when the temperature of both substrates of the liquid crystal element is lowered by the drop curve shown in FIG. 7A. .

【図9】図7の(b)に示した降下曲線で液晶素子の両
基板の温度を降温させたときのt1 〜t7 の各時間での
強誘電性液晶の相転移状態を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing a phase transition state of the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 7 when the temperature of both substrates of the liquid crystal element is lowered by the drop curve shown in FIG. 7B. .

【図10】図7の(c)に示した降下曲線で液晶素子の
両基板の温度を降温させたときのt1 〜t7 の各時間で
の強誘電性液晶の相転移状態を示す図。
FIG. 10 is a diagram showing a phase transition state of the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 7 when the temperature of both substrates of the liquid crystal element is lowered by the drop curve shown in FIG. 7C. .

【図11】図7の(d)に示した降下曲線で液晶素子A
の両基板1,2の温度を降温させたときのt1 〜t7
各時間での強誘電性液晶の相転移状態を示す図。
FIG. 11 shows the liquid crystal element A with the descent curve shown in FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a phase transition state of the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 7 when the temperature of both substrates 1 and 2 is lowered.

【図12】本発明の第6および第7の実施例を示す強誘
電性液晶をIso相からSm C* 相に転移させていくとき
の液晶素子の両基板の温度降下曲線図。
FIG. 12 is a temperature drop curve diagram of both substrates of the liquid crystal element when the ferroelectric liquid crystal showing the sixth and seventh embodiments of the present invention is transitioned from the Iso phase to the Sm C * phase.

【図13】図12の(a)に示した降下曲線で液晶素子
の両基板の温度を降温させたときのt1 〜t5 の各時間
での強誘電性液晶の相転移状態を示す図。
FIG. 13 is a diagram showing a phase transition state of the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 5 when the temperature of both substrates of the liquid crystal element is lowered by the drop curve shown in FIG. .

【図14】図12の(b)に示した降下曲線で液晶素子
の両基板の温度を降温させたときのt1 〜t5 の各時間
での強誘電性液晶の相転移状態を示す図。
FIG. 14 is a diagram showing the phase transition state of the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 5 when the temperature of both substrates of the liquid crystal element is lowered by the drop curve shown in FIG. .

【図15】本発明の第8の実施例を示すネマティック液
晶をIso相からN相に転移させていくときの液晶素子の
両基板の温度降下曲線図。
FIG. 15 is a temperature drop curve diagram of both substrates of a liquid crystal element when a nematic liquid crystal showing an eighth embodiment of the present invention is transitioned from Iso phase to N phase.

【図16】図15に示した降下曲線で液晶素子の両基板
の温度を降温させたときのt1 〜t3 の各時間でのネマ
テイック液晶の相転移状態を示す図。
16 is a diagram showing a phase transition state of the nematic liquid crystal at each time of t 1 to t 3 when the temperature of both substrates of the liquid crystal element is lowered by the drop curve shown in FIG.

【図17】本発明の第9の実施例を示す、図1に示した
降下曲線で液晶素子の両基板の温度を降温させたときの
1 〜t4 の各時間での強誘電性液晶の相転移状態図。
FIG. 17 shows a ninth embodiment of the present invention, and the ferroelectric liquid crystal at each time of t 1 to t 4 when the temperature of both substrates of the liquid crystal element is lowered by the falling curve shown in FIG. Phase transition state diagram of.

【図18】同じく本発明の第9の実施例を示す、図1に
示した降下曲線で液晶素子の両基板の温度を降温させた
ときのt5 〜t7 の各時間での強誘電性液晶の相転移状
態図。
FIG. 18 also shows the ninth embodiment of the present invention, and the ferroelectricity at each time of t 5 to t 7 when the temperature of both substrates of the liquid crystal element is lowered by the drop curve shown in FIG. Phase transition phase diagram of liquid crystal.

【図19】従来の配向方法で液晶を配向させたアクティ
ブマトリックス強誘電性液晶素子の一部分の断面図。
FIG. 19 is a partial cross-sectional view of an active matrix ferroelectric liquid crystal device in which liquid crystal is aligned by a conventional alignment method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…TFT基板 2…対向基板 3…画素電極 4…TFT 15…対向電極 14,16…配向膜 17…強誘電性液晶 19…カラーフィルタ 20…遮光膜 21…保護絶縁膜 22…ネマティック液晶 31,32…加熱プレート DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TFT substrate 2 ... Counter substrate 3 ... Pixel electrode 4 ... TFT 15 ... Counter electrodes 14,16 ... Alignment film 17 ... Ferroelectric liquid crystal 19 ... Color filter 20 ... Light-shielding film 21 ... Protective insulating film 22 ... Nematic liquid crystal 31. 32 ... Heating plate

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】アイソトロピック相状態の液晶を一対の基
板間に挟持した液晶素子の前記一対の基板のうち前記液
晶が接する面の凹凸が小さい基板側から前記液晶の温度
を降下させて、この凹凸が小さい基板側から前記液晶を
液晶相に相転移させていくことを特徴とする液晶の配向
方法。
1. The temperature of the liquid crystal is lowered from the side of the pair of substrates of a liquid crystal element in which the liquid crystal in the isotropic phase state is sandwiched between the pair of substrates, in which the unevenness of the surface in contact with the liquid crystal is small, A method for aligning a liquid crystal, characterized in that the liquid crystal undergoes a phase transition to a liquid crystal phase from the side of a substrate having a small unevenness.
【請求項2】液晶素子は、一方の基板に画素電極とアク
ティブ素子を設け、他方の基板に対向電極を設けたアク
ティブマトリックス液晶素子であり、アイソトロピック
相になるまで加熱した液晶を、前記対向電極を設けた基
板側から液晶相に転移させていくことを特徴とする請求
項1に記載の液晶の配向方法。
2. A liquid crystal element is an active matrix liquid crystal element in which a pixel electrode and an active element are provided on one substrate and a counter electrode is provided on the other substrate, and the liquid crystal heated to an isotropic phase is used as the counter electrode. The method for aligning liquid crystal according to claim 1, wherein a transition is made to a liquid crystal phase from the side of the substrate provided with the electrodes.
【請求項3】液晶は強誘電性液晶または反強誘電性液晶
であり、液晶相はカイラルスメクティックC相またはカ
イラルスメクティックCA 相であることを特徴とする請
求項1または請求項2に記載の液晶の配向方法。
3. The liquid crystal phase is a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal, and the liquid crystal phase is a chiral smectic C phase or a chiral smectic C A phase. Liquid crystal alignment method.
【請求項4】アイソトロピック相になるまで加熱された
液晶は、カイラルネマティック相を経てカイラルスメク
ティックC相またはカイラルスメクティックCA 相に転
移することを特徴とする請求項3に記載の液晶の配向方
法。
4. The liquid crystal alignment method according to claim 3, wherein the liquid crystal heated to an isotropic phase transitions to a chiral smectic C phase or a chiral smectic C A phase through a chiral nematic phase. .
【請求項5】アイソトロピック相になるまで加熱された
液晶は、スメクテイックA相を経てカイラルスメクティ
ックC相またはカイラルスメクティックCA 相に転移す
ることを特徴とする請求項3に記載の液晶の配向方法。
5. The liquid crystal alignment method according to claim 3, wherein the liquid crystal heated to an isotropic phase transitions to a chiral smectic C phase or a chiral smectic C A phase through a smectic A phase. .
【請求項6】アイソトロピック相になるまで加熱された
液晶は、カイラルネマティック相とスメクテイックA相
を経てカイラルスメクティックC相またはカイラルスメ
クティックCA 相に転移することを特徴とする請求項3
に記載の液晶の配向方法。
6. The liquid crystal heated to an isotropic phase transitions to a chiral smectic C phase or a chiral smectic C A phase through a chiral nematic phase and a smectic A phase.
The method for aligning a liquid crystal according to.
【請求項7】液晶は強誘電性液晶であり、この強誘電性
液晶は、分子配列の螺旋ピッチが一対の基板の間隔より
短くかつ配向状態のメモリ性を有さない液晶であること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶の配
向方法。
7. The liquid crystal is a ferroelectric liquid crystal, and the ferroelectric liquid crystal is a liquid crystal having a helical pitch of molecular alignment shorter than a distance between a pair of substrates and having no memory property of an alignment state. The method for aligning a liquid crystal according to claim 1 or 2.
【請求項8】液晶素子はTN液晶モードあるいはSTN
液晶モードであり、液晶相はネマティック相であること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶の配
向方法。
8. A liquid crystal element is a TN liquid crystal mode or STN
The liquid crystal alignment method according to claim 1 or 2, wherein the liquid crystal mode is a liquid crystal mode, and the liquid crystal phase is a nematic phase.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009251444A (en) * 2008-04-09 2009-10-29 Dainippon Printing Co Ltd Method of manufacturing liquid crystal display

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009251444A (en) * 2008-04-09 2009-10-29 Dainippon Printing Co Ltd Method of manufacturing liquid crystal display

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