JPH07151839A - Semiconductor testing apparatus - Google Patents

Semiconductor testing apparatus

Info

Publication number
JPH07151839A
JPH07151839A JP5326233A JP32623393A JPH07151839A JP H07151839 A JPH07151839 A JP H07151839A JP 5326233 A JP5326233 A JP 5326233A JP 32623393 A JP32623393 A JP 32623393A JP H07151839 A JPH07151839 A JP H07151839A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
clock
clock signal
circuit
cycle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5326233A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shunichiro Shibazaki
俊一郎 柴崎
Tadashi Oishi
正 大石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ando Electric Co Ltd filed Critical Ando Electric Co Ltd
Priority to JP5326233A priority Critical patent/JPH07151839A/en
Publication of JPH07151839A publication Critical patent/JPH07151839A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To prevent a malfunction by detecting that the cycle of a clock signal has exceeded a limit value. CONSTITUTION:The semiconductor testing apparatus is constituted of a clock generator 10, an address generator 11, a control-signal generator 12, a function measuring unit 13 and a clock-cycle monitoring circuit 15. The clock-cycle monitoring circuit 15 generates a delay signal in a prescribed pulse width on the basis of a clock signal 7A from the clock generator 10, and it generates a detection signal 15A when the cycle of the clock signal 7A is shorter than the pulse width of the delay signal. By the detection signal 15A, the address generator 11 and the clock generator 10 stop operating.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体試験装置につ
いてのものであり、特にクロック信号の周期に制限があ
る場合において、入力されたクロック信号の周期の変化
を検出するクロック周期監視手段を設けることで誤動作
などを防止するようにした半導体試験装置についてのも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test apparatus, and in particular, when a cycle of a clock signal is limited, a clock cycle monitoring means for detecting a change in the cycle of an input clock signal is provided. Thus, the present invention relates to a semiconductor test device that prevents malfunctions and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体試験装置は、被試験半導体の論理
試験をするために使用される。この種の半導体試験装置
として、図4に示したように、クロック発生器10、ア
ドレス発生器11、コントロール信号発生器12、ファ
ンクション測定ユニット13などから構成されるものが
知られている。この半導体試験装置において、コントロ
ール信号発生器12は、クロック発生器10から出力さ
れるクロック信号の周波数、つまりこの試験周波数の速
度で動作する。またファンクション測定ユニット13
は、コントロール信号発生器12によって制御され、被
試験半導体であるDUT14にテストベクタを印加し、
またDUT14から得られたベクタを期待値ベクタと比
較してこれらの一致・不一致を判定するなどの処理が行
われる。アドレス発生器11は、コントロール信号発生
器12からテストベクタのためのパターンを発生させる
際のアドレスを与える。
2. Description of the Related Art A semiconductor tester is used to perform a logic test on a semiconductor under test. As this type of semiconductor test device, as shown in FIG. 4, a device including a clock generator 10, an address generator 11, a control signal generator 12, a function measuring unit 13, and the like is known. In this semiconductor test apparatus, the control signal generator 12 operates at the frequency of the clock signal output from the clock generator 10, that is, at the test frequency. Also, the function measurement unit 13
Is controlled by the control signal generator 12 to apply a test vector to the DUT 14 which is the semiconductor under test,
In addition, the vector obtained from the DUT 14 is compared with the expected value vector to determine whether they match or not match. The address generator 11 gives an address for generating a pattern for a test vector from the control signal generator 12.

【0003】より詳しくは、DUT14のテストにおい
て、上記のパターンはファンクション測定ユニット13
によりDUT14のそれぞれの図示しないピンに分配さ
れる。また、ファンクション測定ユニット13において
は、上記パターン印加によりDUT14から戻ってきた
結果を期待値と比較し、これによりDUT14の試験の
成・否(パス・フェイル)が判定される。上記のような
パターン印加による試験は、例えばその周波数によって
高速、中速、低速の3つのモードに分けられる。またこ
のようなモードの違いによって例えば試験の際に要する
装置のメモリ容量に違いがあり、つまり高速では必要な
メモリ容量が小さく低速になるにつれて必要メモリ容量
が大きくなる。そしてこれらモードに応じて半導体試験
装置における動作速度の切り分けがなされ、クロック発
生器10のクロック周波数が高速になるにつれてファン
クション測定ユニットも高速に制御しなければならな
い。
More specifically, in the test of the DUT 14, the above pattern has the function measuring unit 13
Are distributed to the respective pins (not shown) of the DUT 14. Further, in the function measuring unit 13, the result returned from the DUT 14 due to the pattern application is compared with the expected value, and the success or failure (pass / fail) of the test of the DUT 14 is determined by this. The test by applying the pattern as described above is divided into three modes of high speed, medium speed, and low speed depending on the frequency, for example. Also, due to such a difference in mode, for example, there is a difference in the memory capacity of the device required for the test, that is, the required memory capacity is small at high speed and becomes large as the speed becomes low. The operation speed in the semiconductor test apparatus is divided according to these modes, and the function measuring unit must be controlled at high speed as the clock frequency of the clock generator 10 becomes high.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この半導体
試験装置ではその動作速度におのずと限界があり、また
上記のようにモードに応じてその動作速度が切り分け
る。そしてこのモードに制限された最高動作速度の範囲
内において上記のような試験を行う必要がある。ところ
が、例えば試験用のプログラムにおいて、記述ミスによ
ってこの制限された値を超えたクロック信号の周期でプ
ログラムが記述されている場合には、試験をした場合に
は、試験がパスしない、あるいは試験装置が正常に動か
ないなどの誤動作が発生する。
By the way, the operation speed of this semiconductor test apparatus is naturally limited, and the operation speed is divided according to the mode as described above. Then, it is necessary to perform the above test within the range of the maximum operating speed limited to this mode. However, for example, in a test program, if the program is written with a cycle of a clock signal that exceeds this limited value due to a description error, the test will not pass or the test device will fail. Malfunctions such as not working properly.

【0005】この発明は、クロック信号の周期に制限が
ある場合においてクロック信号の周期がこの制限された
値を超えたことを検出して誤動作を防止する半導体試験
装置を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a semiconductor test apparatus which detects that the cycle of a clock signal exceeds the limited value and prevents malfunction when the cycle of the clock signal is limited. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明では、クロック信号の周期が所定の遅延時
間よりも短くなると検出信号を出力する。すなわち、こ
の発明の半導体試験装置では、クロック信号を発生する
クロック発生手段と、前記クロック信号の周波数で動作
し、被試験半導体に所定のテストベクタを加え、またこ
の被試験半導体から得られたベクタを期待値ベクタと比
較して一致・不一致を判定する判定手段とを備えた半導
体試験装置において、前記クロック信号に基づいて所定
のパルス幅の遅延信号を発生し、前記クロック信号の周
期が前記遅延信号のパルス幅よりも短い場合に検出信号
を発生するクロック周期監視手段を設ける。
To achieve this object, the present invention outputs a detection signal when the cycle of the clock signal becomes shorter than a predetermined delay time. That is, in the semiconductor test apparatus of the present invention, a clock generating means for generating a clock signal and a clock signal operating at the frequency of the clock signal, a predetermined test vector are added to the semiconductor under test, and a vector obtained from the semiconductor under test. In a semiconductor test apparatus having a determination means for determining match / mismatch with an expected value vector, the delay signal having a predetermined pulse width is generated based on the clock signal, and the cycle of the clock signal is the delay. Clock cycle monitoring means is provided for generating a detection signal when the pulse width is shorter than the pulse width of the signal.

【0007】また、上記のクロック周期監視手段は、例
えば、所定のパルス幅を有するとともに前記クロック信
号のパルス幅だけ遅延した遅延信号を作る遅延信号発生
回路と、前記遅延信号と前記クロック信号との論理積を
とる論理積回路と、前記論理積回路の出力に基づいて前
記検出信号を発生する検出信号発生回路とから構成され
るものが用いられる。
Further, the clock cycle monitoring means includes, for example, a delay signal generating circuit which has a predetermined pulse width and produces a delay signal delayed by the pulse width of the clock signal, and the delay signal and the clock signal. A logical product circuit that takes a logical product and a detection signal generation circuit that generates the detection signal based on the output of the logical product circuit are used.

【0008】[0008]

【作用】クロック周期監視手段が発生する遅延信号のパ
ルス幅がクロック信号の周期の制限値に対応し、よって
上記のようにクロック信号の周期が遅延信号のパルス幅
よりも短くなった場合に検出信号を発生し、この検出信
号によって半導体試験装置の動作を停止ないし禁止する
ように構成すれば、上記のような誤動作を防止すること
ができる。
The pulse width of the delayed signal generated by the clock period monitoring means corresponds to the limit value of the period of the clock signal. Therefore, it is detected when the period of the clock signal becomes shorter than the pulse width of the delayed signal as described above. If a signal is generated and the operation of the semiconductor test device is stopped or prohibited by this detection signal, the above-mentioned malfunction can be prevented.

【0009】[0009]

【実施例】次に、この発明による半導体試験装置の実施
例を図1に示す。この実施例の半導体試験装置は、図4
に示した従来の構成に、クロック周期監視回路15を付
加したものである。クロック周期監視回路15には、ク
ロック発生器10からのクロック信号7Aが入力されて
いる。このクロック周期監視回路15は、クロック信号
7Aに基づいて、所定のパルス幅の遅延信号を発生する
とともに、クロック信号7Aの周期がこの遅延信号のパ
ルス幅よりも短い場合に検出信号15Aを発生する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, FIG. 1 shows an embodiment of a semiconductor test apparatus according to the present invention. The semiconductor test apparatus of this embodiment is shown in FIG.
The clock cycle monitoring circuit 15 is added to the conventional configuration shown in FIG. The clock signal 7A from the clock generator 10 is input to the clock cycle monitoring circuit 15. The clock cycle monitoring circuit 15 generates a delay signal having a predetermined pulse width based on the clock signal 7A and also generates a detection signal 15A when the cycle of the clock signal 7A is shorter than the pulse width of the delay signal. .

【0010】そしてこの検出信号15Aはアドレス発生
器11とクロック発生器10が入力されるとこれらは作
動停止し、これによりDUT14のテストが終了(異常
終了)する。こうしてクロック信号7Aがテストの所定
モードにおける最高周波数(判定基準の周波数)に対応
する周期を越えた場合、つまりクロック信号7Aが判定
基準の周波数を超えた場合には、検出信号15Aが出力
されてテストが強制的に終了するようにしている。
When the address generator 11 and the clock generator 10 are input to the detection signal 15A, the detection signal 15A is deactivated, whereby the test of the DUT 14 ends (abnormal end). Thus, when the clock signal 7A exceeds the cycle corresponding to the highest frequency (frequency of the judgment standard) in the predetermined test mode, that is, when the clock signal 7A exceeds the frequency of the judgment standard, the detection signal 15A is output. I'm trying to force the test to finish.

【0011】図2にクロック周期監視回路15の具体的
な構成を例示し、また図3にその各部における信号を示
した。クロック周期監視回路15は、図2のように、フ
リップフロップ回路(DFF)1・6、遅延回路2・
4、ゲート回路3、並びに論理積回路5から構成され
る。また図において7は入力端子、8はリセット端子、
9は出力端子である。
FIG. 2 exemplifies a concrete configuration of the clock cycle monitoring circuit 15, and FIG. 3 shows signals in respective parts thereof. As shown in FIG. 2, the clock cycle monitoring circuit 15 includes a flip-flop circuit (DFF) 1 · 6, a delay circuit 2 ·
4, a gate circuit 3, and an AND circuit 5. In the figure, 7 is an input terminal, 8 is a reset terminal,
9 is an output terminal.

【0012】フリップフロップ1のセット端子Sには、
入力端子7から入力されるクロック信号7Aが入力され
ている。このフリップフロップ1から出力される信号1
Aは、遅延回路2を介してゲート回路3に入力される。
ゲート回路3から出力される遅延信号3Aは、一方が遅
延回路4により遅延された信号4Aとしてフリップフロ
ップ1のクロック端子に入力される。また遅延信号3A
の他方は、論理積回路5の一方の入力端子に入力され
る。論理積回路5の他方の入力端子には、入力端子7か
らのクロック信号7Aが入力されている。フリップフロ
ップ6は、論理積回路5の出力を保持するもので、論理
積回路5から出力される信号5Aはフリップフロップ6
のセット端子Sに入力される。またフリップフロップ1
・6は、リセット端子8から入力されるリセット信号8
Aで初期値にセットされる。
At the set terminal S of the flip-flop 1,
The clock signal 7A input from the input terminal 7 is input. Signal 1 output from this flip-flop 1
A is input to the gate circuit 3 via the delay circuit 2.
The delay signal 3A output from the gate circuit 3 is input to the clock terminal of the flip-flop 1 as a signal 4A delayed by the delay circuit 4. Also, delay signal 3A
The other is input to one input terminal of the AND circuit 5. The clock signal 7A from the input terminal 7 is input to the other input terminal of the AND circuit 5. The flip-flop 6 holds the output of the AND circuit 5, and the signal 5A output from the AND circuit 5 is the flip-flop 6.
Is input to the set terminal S of. Also flip-flop 1
6 is a reset signal 8 input from the reset terminal 8
Set to the initial value with A.

【0013】図3において、(a)はリセット信号8A
の波形図であり、(b)はクロック信号7Aの波形図で
ある。また、(c)は信号1Aの波形図、(d)は遅延
信号3Aの波形図、(e)は信号4Aの波形図、(f)
は信号5Aの波形図、(g)は検出信号15Aの波形図
である。そして図3を参照して、上記構成のクロック周
期監視回路15で遅延回路4は、周期監視の判定基準と
なる周期を決めるためのものである。そして遅延回路4
の信号4Aにより、判定基準の周期である20nsのパ
ルス幅t1を備えた信号1Aのパルス後端が形成され
る。なお、信号1Aとクロック信号7Aとの図3の前半
部における間隔t3は12nsである。
In FIG. 3, (a) shows a reset signal 8A.
2B is a waveform diagram of the clock signal 7A. Further, (c) is a waveform diagram of the signal 1A, (d) is a waveform diagram of the delayed signal 3A, (e) is a waveform diagram of the signal 4A, (f).
Is a waveform diagram of the signal 5A, and (g) is a waveform diagram of the detection signal 15A. With reference to FIG. 3, the delay circuit 4 in the clock cycle monitoring circuit 15 having the above-described configuration is for determining a cycle serving as a determination reference for cycle monitoring. And delay circuit 4
Signal 4A forms a pulse trailing end of the signal 1A having a pulse width t1 of 20 ns, which is the determination reference period. The interval t3 between the signal 1A and the clock signal 7A in the first half of FIG. 3 is 12 ns.

【0014】また、この信号1Aを遅延回路2とゲート
回路3によりクロック信号7Aのパルス幅t2である4
ns分だけ遅延させることで、判定基準の周期信号とな
るパルス幅20nsの遅延信号3Aが形成される。そし
て、遅延信号3Aとクロック信号7Aを論理積回路5に
入力し、判定基準の周期である24nsよりも短い周期
でクロック信号7Aが入ってきた場合には論理積回路5
から信号5Aを出力し、これをフリップフロップ6に保
持して出力端子9から検出信号15Aを出力させるよう
にしている。図3の例では、クロック信号7Aの周期が
図3の前半部の32nsから後半部の12nsへの変化
が時刻T1において信号5Aにより検出されて、検出信
号15Aが出力される。
This signal 1A is delayed by the delay circuit 2 and the gate circuit 3 and has a pulse width t2 of the clock signal 7A.
By delaying by ns, a delayed signal 3A having a pulse width of 20 ns, which is a periodic signal of the determination standard, is formed. Then, the delay signal 3A and the clock signal 7A are input to the AND circuit 5, and when the clock signal 7A comes in at a cycle shorter than the determination reference cycle of 24 ns, the AND circuit 5
Is output from the output terminal 9 and the detection signal 15A is output from the output terminal 9. In the example of FIG. 3, a change in the cycle of the clock signal 7A from 32 ns in the first half of FIG. 3 to 12 ns in the second half is detected by the signal 5A at time T1, and the detection signal 15A is output.

【0015】[0015]

【発明の効果】この発明によれば、クロック信号の周期
が遅延信号のパルス幅よりも短くなった場合に検出信号
を発生して半導体試験装置の動作を停止ないし禁止する
ように構成しているので、半導体試験装置の誤動作を防
止することができる。またこのため、最高設定周波数よ
りも速いクロックが加えられた場合には検出信号を出力
して誤動作が防止でき、半導体試験装置の稼働率が上昇
する。さらに、検出出力によりクロック信号の試験周波
数が制限された値を超えたことが分かるため、テストプ
ログラムの記述における周期設定の誤りなどが判り、ま
たプログラムにおけるパタン発生コマンドの周波数設定
誤まりなども知ることができて、テストプログラム開発
に有効である。
According to the present invention, when the cycle of the clock signal becomes shorter than the pulse width of the delay signal, a detection signal is generated to stop or prohibit the operation of the semiconductor test apparatus. Therefore, the malfunction of the semiconductor test device can be prevented. Therefore, when a clock faster than the maximum set frequency is applied, a detection signal can be output to prevent a malfunction, and the operating rate of the semiconductor testing device is increased. Further, since it is found that the test frequency of the clock signal exceeds the limited value by the detection output, the cycle setting error in the description of the test program can be known, and the frequency setting error of the pattern generation command in the program can also be known. This is useful for developing test programs.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の半導体試験装置を示したブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor test apparatus of the present invention.

【図2】図1の半導体試験装置を構成するクロック周期
監視回路を示したブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a clock cycle monitoring circuit that constitutes the semiconductor test apparatus of FIG.

【図3】クロック周期監視回路における各部の信号を示
したタイミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart showing signals of respective parts in the clock cycle monitoring circuit.

【図4】従来の半導体試験装置のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a conventional semiconductor test apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・6 フリップフロップ 2・4 遅延回路 3 ゲート回路 5 論理積回路 10 クロック発生器 11 アドレス発生器 12 コントロール信号発生器 13 ファンクション測定ユニット 14 DUT 15 クロック周期監視回路 1.6 flip-flop 2.4 delay circuit 3 gate circuit 5 AND circuit 10 clock generator 11 address generator 12 control signal generator 13 function measurement unit 14 DUT 15 clock cycle monitoring circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 クロック信号を発生するクロック発生手
段(10)と、前記クロック信号の周波数で動作し、被試験
半導体(14)に所定のテストベクタを加え、またこの被試
験半導体(14)から得られたベクタを期待値ベクタと比較
して一致・不一致を判定する判定手段(11,12,13)とを備
えた半導体試験装置において、 前記クロック信号に基づいて所定のパルス幅の遅延信号
を発生し、前記クロック信号の周期が前記遅延信号のパ
ルス幅よりも短い場合に検出信号を発生するクロック周
期監視手段(15)を設けることを特徴とする半導体試験装
置。
1. A clock generating means (10) for generating a clock signal, operating at a frequency of the clock signal, adding a predetermined test vector to a semiconductor under test (14), and from the semiconductor under test (14). In a semiconductor test apparatus comprising a determination means (11, 12, 13) for comparing the obtained vector with an expected value vector to determine whether they match or not, a delay signal having a predetermined pulse width is generated based on the clock signal. A semiconductor test apparatus comprising: a clock cycle monitoring means (15) for generating a detection signal when the cycle of the clock signal is shorter than the pulse width of the delay signal.
【請求項2】 監視手段(15)が、所定のパルス幅を有す
るとともに前記クロック信号のパルス幅だけ遅延した遅
延信号を作る遅延信号発生回路(1,2,3,4) と、前記遅延
信号と前記クロック信号との論理積をとる論理積回路
(5) と、論理積回路(5) の出力に基づいて前記検出信号
を発生する検出信号発生回路(6) とを備えることを特徴
とする請求項1記載の半導体試験装置。
2. A delay signal generating circuit (1, 2, 3, 4), wherein the monitoring means (15) has a predetermined pulse width and produces a delay signal delayed by the pulse width of the clock signal, and the delay signal. AND circuit for ANDing the clock signal with the clock signal
2. The semiconductor test apparatus according to claim 1, further comprising: (5) and a detection signal generation circuit (6) for generating the detection signal based on the output of the AND circuit (5).
JP5326233A 1993-11-30 1993-11-30 Semiconductor testing apparatus Pending JPH07151839A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5326233A JPH07151839A (en) 1993-11-30 1993-11-30 Semiconductor testing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5326233A JPH07151839A (en) 1993-11-30 1993-11-30 Semiconductor testing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07151839A true JPH07151839A (en) 1995-06-16

Family

ID=18185480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5326233A Pending JPH07151839A (en) 1993-11-30 1993-11-30 Semiconductor testing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07151839A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7714619B2 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Oki Semiconductor Co., Ltd. High-frequency clock detection circuit
JP2011205402A (en) * 2010-03-25 2011-10-13 Kyocera Mita Corp Oscillation abnormality detection circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7714619B2 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Oki Semiconductor Co., Ltd. High-frequency clock detection circuit
JP2011205402A (en) * 2010-03-25 2011-10-13 Kyocera Mita Corp Oscillation abnormality detection circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5822228A (en) Method for using built in self test to characterize input-to-output delay time of embedded cores and other integrated circuits
US5383195A (en) BIST circuit with halt signal
JPH0210278A (en) Apparatus and method for testing macroaccess time
US5870404A (en) Self-timed circuit having critical path timing detection
JP4782271B2 (en) Semiconductor device testing method and semiconductor device testing equipment
KR20010024360A (en) Format sensitive timing calibration for an integrated circuit tester
US7242232B2 (en) Internal signal replication device and method
JPH07151839A (en) Semiconductor testing apparatus
JP3968022B2 (en) Dynamic memory and method for testing dynamic memory
US7227810B2 (en) Semiconductor device and testing method for semiconductor device
JP2000090693A (en) Memory test device
KR100641953B1 (en) Internal signal test device and method thereof
JP3705759B2 (en) Synchronous semiconductor memory device
US6483771B2 (en) Semiconductor memory device and method of operation having delay pulse generation
JP2000097996A (en) Semiconductor tester
JP3002575B2 (en) Circuit abnormality detection device
US7551504B2 (en) Apparatus and method of detecting refresh cycle of semiconductor memory
KR100442965B1 (en) Circuit for generating internal precharge pulse signal in semiconductor memory device
KR100487488B1 (en) Semiconductor memory device with tras measurement apparatus and tras measurement method of the same
JP2829905B2 (en) Second half inversion circuit of expected pattern
JP4422223B2 (en) IC test equipment
JPS61286768A (en) Test apparatus
JP3506675B2 (en) Semiconductor storage device
JPH11202020A (en) Latch-up tester
KR100630747B1 (en) Semiconductor memory device and driving method thereof