JPH07122802A - Ring laser gyro - Google Patents

Ring laser gyro

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JPH07122802A
JPH07122802A JP5264992A JP26499293A JPH07122802A JP H07122802 A JPH07122802 A JP H07122802A JP 5264992 A JP5264992 A JP 5264992A JP 26499293 A JP26499293 A JP 26499293A JP H07122802 A JPH07122802 A JP H07122802A
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JP
Japan
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film
target
ring laser
ion
laser gyro
Prior art date
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Application number
JP5264992A
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Japanese (ja)
Inventor
Izumi Kataoka
泉 潟岡
Kazuhiko Ito
和彦 伊藤
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Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Original Assignee
Japan Aviation Electronics Industry Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To manufacture a multilayer film reflection mirror which is smoother and has less loss than one manufactured by ion beam sputtering. CONSTITUTION:Ion 43 is generated by discharging gas between an anode 38 and a filament 35 by an ion source 25, and is accelerated by a grid 46 to make cations 43 incident on a neutralization processing part 48. A number of thermions are emitted into the processing part 48 from a filament 49, made neutral atoms by bonding with the cations 43. The atoms passes through an ion blocking grit 54, becomes an atomic beam 56 and is incident on a target 26, and a substance 58 which outs from the target is attached to a substrate and formed into a film.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はレーザブロック内に複
数の反射鏡にて閉光路を構成し、この閉光路を右回り及
び左回りするレーザを発振させ、これら右回り光と左回
り光とのレーザ発振周波数差を検出して、上記閉光路に
その軸心回りに入力された角速度を検出するリングレー
ザジャイロに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention constructs a closed optical path with a plurality of reflecting mirrors in a laser block, oscillates a laser rotating clockwise and counterclockwise in the closed optical path, and generates a clockwise light and a counterclockwise light. Of the ring laser gyro that detects the laser oscillation frequency difference and detects the angular velocity input to the closed optical path around its axis.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3にリングレーザジャイロの一般的構
成を示す。レーザブロック11は密封容器であり、レー
ザブロック11内に凹面反射鏡12と、平面反射鏡13
と、可動反射鏡14とが、正三角形の頂点位置に配さ
れ、かつ各反射面がそれぞれ互いにほゞ60度をなして
対向し、これら三つの反射鏡12,13,14で閉光路
15が構成されている。前記三角形の一辺の近くに陽極
16が、他の各辺の近くに陰極17,18がそれぞれ設
けられ、密封容器11内にHe,Neなどのガスが封入
され、閉光路15に右回り光、左回り光のレーザが発振
される。可動反射鏡14は圧電アクチュエータ19上に
取り付けられ、前後に移動されて閉光路15、つまりリ
ングレーザの光路長が一定に保持されるように、アクチ
ュエータ19が制御される。凹面反射鏡12から右回り
光、左回り光の各一部が透過され、その一方はコーナキ
ューブ21で凹面反射鏡12に戻され、その反射光と、
前記透過光の他方とが受光素子22に入射されて電気信
号に変換され、この電気信号は右回り光と左回り光との
レーザ発振周波数の差の検出に利用され、この検出差発
振周波数から閉光路15に、その軸心回りに入力された
角速度が検出される。不惑帯である両回り光がロックイ
ンする領域を避けてリングレーザを動作させるためのバ
イアスを加えるディーザ機構23が設けられている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows a general structure of a ring laser gyro. The laser block 11 is a hermetically sealed container, and includes a concave reflecting mirror 12 and a flat reflecting mirror 13 inside the laser block 11.
And the movable reflecting mirror 14 are arranged at the apex position of an equilateral triangle, and the reflecting surfaces face each other at an angle of about 60 degrees, and the closed optical path 15 is formed by these three reflecting mirrors 12, 13, 14. It is configured. An anode 16 is provided near one side of the triangle, and cathodes 17 and 18 are provided near each of the other sides, and a gas such as He or Ne is sealed in the sealed container 11, and a clockwise light is emitted to the closed optical path 15. A counterclockwise light laser is oscillated. The movable reflecting mirror 14 is mounted on the piezoelectric actuator 19 and is moved back and forth to control the actuator 19 so that the closed optical path 15, that is, the optical path length of the ring laser is held constant. A part of each of the clockwise light and the counterclockwise light is transmitted from the concave reflecting mirror 12, and one of them is returned to the concave reflecting mirror 12 by the corner cube 21, and the reflected light,
The other of the transmitted light is incident on the light receiving element 22 and converted into an electric signal, and this electric signal is used for detecting the difference in laser oscillation frequency between the clockwise light and the counterclockwise light. The angular velocity input to the closed optical path 15 around its axis is detected. A dither mechanism 23 is provided to apply a bias for operating the ring laser while avoiding a region where the both-direction light is locked in, which is an obnoxious zone.

【0003】反射鏡12,13,14は、それぞれ異な
る光学屈折率の物質が交互に積層された多層膜が用いら
れている。従来光学用多層膜の形成には真空蒸着法、イ
オンアシスト真空蒸着法、RFスパッタ法、イオンビー
ムスパッタ法等が知られている。それぞれの手法には一
長一短があり、リングレーザジャイロに要求されるよう
な高品質の多層膜を形成するには、イオンアシスト真空
蒸着法あるいはイオンビームスパッタ法が適していると
されている。
The reflecting mirrors 12, 13 and 14 use a multilayer film in which substances having different optical refractive indexes are alternately laminated. Conventionally, a vacuum deposition method, an ion assisted vacuum deposition method, an RF sputtering method, an ion beam sputtering method and the like are known for forming an optical multilayer film. Each method has advantages and disadvantages, and it is said that the ion assisted vacuum deposition method or the ion beam sputtering method is suitable for forming a high quality multilayer film required for a ring laser gyro.

【0004】この発明に近いイオンビームスパッタ法に
よる多層膜の形成方法について説明する。イオンビーム
スパッタ法を実施するためには図4に示すように、大容
量のイオン源(通常カウフマンタイプ)25と、多層膜
を構成する物質でできたターゲット(通常2種類)2
6,27と、これらターゲットを保持するターゲットホ
ルダ28と、極めて平滑に研磨された基板29と、それ
を保持する基板ホルダ31と、それらをおさめる真空容
器32と、真空排気のためのポンプ類とより構成された
装置を用いる。特に酸化物等の膜を形成しようとする場
合で、基板29上に成長する膜の化学量論値を正しく制
御しようとする場合には、酸素ガスを真空容器32内に
導入する事がある。またターゲット26,27に酸化物
等の絶縁性の物質を用いる場合、イオンの突入によりタ
ーゲット26,27が帯電し、その後のイオンの入射が
不可能になったり、乱されたりする事を防ぐために電子
をターゲット26,27面に供給し、帯電を中和させる
目的でイオン源25の前方位置、つまり出射されたイオ
ンが通る個所に、通常熱フィラメント33よりなる電子
供給システムが付加される。
A method of forming a multilayer film by the ion beam sputtering method, which is close to the present invention, will be described. In order to carry out the ion beam sputtering method, as shown in FIG. 4, a large-capacity ion source (usually Kauffman type) 25 and a target (usually two kinds) 2 made of a material forming a multilayer film 2
6, 27, a target holder 28 for holding these targets, an extremely smooth substrate 29, a substrate holder 31 for holding it, a vacuum container 32 for containing them, and pumps for evacuation. A device composed of the above is used. In particular, when a film such as an oxide film is to be formed and the stoichiometric value of the film grown on the substrate 29 is to be controlled correctly, oxygen gas may be introduced into the vacuum container 32. When an insulating material such as an oxide is used for the targets 26 and 27, in order to prevent the targets 26 and 27 from being charged due to the rush of ions and being unable to enter or disturb the ions thereafter. For the purpose of neutralizing the charge by supplying electrons to the surfaces of the targets 26 and 27, an electron supply system usually composed of a hot filament 33 is added in front of the ion source 25, that is, at a position where the emitted ions pass.

【0005】成膜のメカニズムは、イオン源25より1
KeV程度に加速されたアルゴン等の不活性ガスイオン
をターゲット26,27に突入させ、入射したアルゴン
イオンの運動エネルギーによりターゲット26,27の
物質を原子に分解飛散させ、つまりスパッタアウトし、
そのターゲット26,27より飛び出したターゲット構
成原子をターゲット26,(27)に対向させて配置し
た基板29上に再び膜状に堆積させることにより膜形成
を行う。このようにして形成された膜は通常の真空蒸着
により形成した膜に比べて密度が高く、滑らかで化学量
論値に近い組成を持つ膜として、特に滑らかな高品位の
反射膜が要求されるリングレーザジャイロ用の共振器の
構成には適しているとされてきた。よって、従来のリン
グレーザジャイロの反射鏡12,13,14としては、
インオンビームスパッタ法により形成された多層膜が主
として用いられていた。
The mechanism of film formation is 1 from the ion source 25.
Inert gas ions such as argon accelerated to about KeV are rushed into the targets 26 and 27, and the kinetic energy of the incident argon ions causes the substance of the targets 26 and 27 to decompose and scatter into atoms, that is, spatter out.
A film is formed by re-depositing the target constituent atoms jumping out of the targets 26, 27 in a film form on the substrate 29 arranged so as to face the targets 26, (27). The film thus formed has a higher density than a film formed by ordinary vacuum vapor deposition, and a smooth and high-quality reflective film is required as a film having a smooth composition close to the stoichiometric value. It has been considered suitable for the construction of a resonator for a ring laser gyro. Therefore, as the reflecting mirrors 12, 13, 14 of the conventional ring laser gyro,
A multilayer film formed by the in-on-beam sputtering method has been mainly used.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前項にも述べたよう
に、リングレーザジャイロには同レーザ共振器内に励起
された対向して伝播する2つのレーザビーム同士のロッ
クインしきい値を低下させるために、極めて光散乱の少
ない反射鏡を用いる必要があり、その光散乱を低下させ
るために、極めて滑らかな表面及び異面を持つ反射多層
膜を形成する必要がある。また良好なレーザ発振を行わ
せるために他の損失、例えば光の吸収損失等の少ないこ
とは当然レーザの基本特性として反射多層膜に要求され
ている。
As described in the previous section, the ring laser gyro lowers the lock-in threshold value between two laser beams excited in the same laser resonator and propagating in the same direction. Therefore, it is necessary to use a reflecting mirror having extremely small light scattering, and in order to reduce the light scattering, it is necessary to form a reflective multilayer film having an extremely smooth surface and a different surface. Further, it is naturally required for the reflective multilayer film as a basic characteristic of the laser that other loss, for example, light absorption loss, is small in order to perform favorable laser oscillation.

【0007】一方、膜形成の過程において、一般的に滑
らかな膜を得るためには膜形成を低温で行い、無定形で
等法的な組織を作る必要がある。また光の吸収損失等を
少なくするためには、膜の組成を正しい化学量論値にす
る必要があり、通常の真空蒸着等で膜を形成する場合、
基板の温度を高温に保ち、膜形成物質の化学的活性を高
めてやる必要がある。しかし、前記のように基板を高温
に保ちながら成膜を行うと、膜組織が結晶化し、通常多
結晶体となり、滑らかで等方的な組織を得にくい傾向が
ある。
On the other hand, in the process of film formation, generally, in order to obtain a smooth film, it is necessary to form the film at a low temperature to form an amorphous and isotropic structure. Further, in order to reduce the absorption loss of light, etc., it is necessary to make the composition of the film a correct stoichiometric value, and when forming the film by ordinary vacuum vapor deposition,
It is necessary to keep the temperature of the substrate high to enhance the chemical activity of the film forming substance. However, when the film is formed while the substrate is kept at a high temperature as described above, the film structure is crystallized and usually becomes a polycrystal, and it tends to be difficult to obtain a smooth and isotropic structure.

【0008】イオンビームスパッタ法は、この問題を解
決する手法の一つで、ターゲットより、入射イオンの運
動エネルギーによりスパッタアウトされた原子状の物質
が、通常の真空蒸着法で得られるものの、運動エネルギ
ーの数十倍程度の大きいエネルギーを持って、基板上に
入射することを利用し、基板を加熱しなくても化学量論
的に正しい組成で、かつ無定形等方的組織を得やすいこ
とを利用している。しかし、リングレーザジャイロに用
いられる酸化物等の多層膜を形成する場合、ターゲット
にも同様の酸化物を用いると、それが電気的に絶縁性で
あるために、ターゲット表面がスパッタリングにより正
に帯電し、イオン源より発生されたイオンの入射を妨げ
るように働き、うまくスパッタリングが持続できなくな
る。そのため、前述したように通常イオン源25とター
ゲット26,27との間に熱フィラメント33を設置
し、熱電子を空間に放出し、帯電に基づく電界により電
子を引きつけ、正の帯電を中和するという方法をとって
いる。
The ion beam sputtering method is one of the methods for solving this problem. Although the atomic substance sputtered out from the target by the kinetic energy of the incident ions can be obtained by a usual vacuum vapor deposition method, Uses energy that is several tens of times greater than the energy incident on the substrate, making it easy to obtain a stoichiometrically correct composition and an amorphous isotropic structure without heating the substrate. Are using. However, if a similar oxide is used for the target when forming a multilayer film such as an oxide used for a ring laser gyro, the target surface is positively charged by sputtering because it is electrically insulating. However, it works so as to prevent the incidence of ions generated from the ion source, and the sputtering cannot be maintained well. Therefore, as described above, the hot filament 33 is installed between the normal ion source 25 and the targets 26 and 27, thermal electrons are emitted into the space, and the electrons are attracted by the electric field based on the charge to neutralize the positive charge. The method is called.

【0009】しかし、これは本来の低温処理である効果
に逆行する加熱の効果が成膜過程の中に入り込んで来る
という矛盾をかかえている。特に超高精度反射鏡の場
合、基板29には石英や低熱膨張セラミックガラスが用
いられ、熱伝導率が著しく低いため、裏面より冷却して
も表面の温度を下げることは難しいという問題もある。
なお、イオンがターゲット26に入射する前に熱電子と
結合して中性な原子となるものもあるが、熱電子が空間
に散らばり、かつ正に帯電したターゲットに引かれるた
め、前記中性な原子は極めてわずかである。
However, this has a contradiction that the effect of heating, which goes against the effect of the original low temperature treatment, enters into the film forming process. Particularly in the case of an ultra-high precision reflecting mirror, since quartz or low thermal expansion ceramic glass is used for the substrate 29 and the thermal conductivity is remarkably low, there is a problem that it is difficult to lower the temperature of the front surface even if it is cooled from the back surface.
Although some ions combine with thermoelectrons to become neutral atoms before entering the target 26, the thermoelectrons are scattered in space and are attracted to the positively charged target, so that the neutral atom is generated. There are very few atoms.

【0010】この発明はその問題を取り除き、低温処理
の効果を生かした成膜機構により形成した反射鏡をリン
グレーザジャイロに用いることにより、リングレーザジ
ャイロの性能を向上させ良品率を向上させようとするも
のである。
In order to improve the performance of the ring laser gyro and improve the non-defective product rate, the present invention eliminates the problem and uses a reflecting mirror formed by a film forming mechanism making the most of the effect of low temperature treatment in the ring laser gyro. To do.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この発明によれば、リン
グレーザジャイロにおける閉光路を構成する各反射鏡
は、それぞれ研磨された基板上に、光学屈折率が異なる
物質が、原子ビームによるターゲット物質のスパッタに
て、交互に積層されたものであることを特徴とする。
According to the present invention, in each of the reflecting mirrors forming the closed optical path in the ring laser gyro, the substances having different optical refractive indexes on the polished substrate are the target substances by the atomic beam. It is characterized in that they are alternately laminated by sputtering.

【0012】[0012]

【作用】前記のようにイオンビームスパッタ法の問題
は、ターゲットをスパッタする物質がイオン化している
ことが問題である。原子ビームはイオン源で加速され、
スパッタリングに適したエネルギーにしたイオンが中性
化され、中性な高速原子ビームとされたものである。こ
のためターゲットの帯電の有無にかかわらず、ターゲッ
ト物質をスパッタアウトすることができ、熱フィラメン
ト等の電子放出機構をイオン源とターゲットとの間に挿
入することが不要になり、低温処理の効果が失われるこ
となく、そのまま利用でき、滑らかでかつ正しい化学量
論値を持つ多層膜反射鏡が形成され、従って低散乱で低
損失の反射鏡であり、リングレーザジャイロのロックイ
ンしきい値を低下させることができ、リングレーザジャ
イロの性能が向上し、良品率が向上する。
As described above, the problem of the ion beam sputtering method is that the material for sputtering the target is ionized. The atomic beam is accelerated by the ion source,
Ions having an energy suitable for sputtering are neutralized to form a neutral fast atom beam. Therefore, the target material can be sputtered out regardless of whether or not the target is charged, and it becomes unnecessary to insert an electron emission mechanism such as a hot filament between the ion source and the target, and the effect of the low temperature treatment can be obtained. Lossless, ready-to-use, smooth, and correct stoichiometric multilayer mirrors are formed, thus providing low scattering and low loss mirrors, lowering the lock-in threshold of ring laser gyros. Therefore, the performance of the ring laser gyro is improved, and the yield rate is improved.

【0013】[0013]

【実施例】この発明では原子ビームによるターゲット物
質のスパッタにより形成された多層膜反射鏡が用いられ
るが、先ずこの高精度な反射多層膜を形成するための原
子ビームスパッタ法の原理を図1を参照して説明する。
イオン源25内でフィラメント35が交流電源36の出
力により加熱され、熱電子を放出する。流入口37から
放電用のガス(通常Ar)がイオン源25内に導入され、
アノード38とフィラメント35との間で放電が起こ
り、放電チャンバ39内にグロー放電が閉じ込められ
る。このとき良好な放電を起こすためにマグネット34
が配置されることがある。バイアス電源41,42は良
好な放電を維持するためにガス圧力等を考慮しながら適
切な値に調整される。放電チャンバ39内にはプラズマ
が発生し、正イオン43と負電荷である電子44とが発
生する。放電チャンバ39の正イオン43の放出側に電
子を反射するグリット45が設けられ、グリット45は
接地されている。このグリット45と、その外側のイオ
ンを加速するグリット46との間に負の高圧が高圧源4
7により印加され、プラズマに発生した正イオン43が
高速に加速されて中性化処理部48内に引き出される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, a multilayer film reflecting mirror formed by sputtering a target material by an atomic beam is used. First, the principle of the atomic beam sputtering method for forming this highly accurate reflective multilayer film is shown in FIG. It will be described with reference to FIG.
In the ion source 25, the filament 35 is heated by the output of the AC power supply 36 and emits thermoelectrons. A discharge gas (usually Ar) is introduced into the ion source 25 through the inlet 37,
A discharge occurs between the anode 38 and the filament 35, trapping the glow discharge in the discharge chamber 39. At this time, in order to generate a good discharge, the magnet 34
May be placed. The bias power sources 41 and 42 are adjusted to appropriate values in consideration of gas pressure and the like in order to maintain good discharge. Plasma is generated in the discharge chamber 39, and positive ions 43 and negative electrons 44 are generated. A grit 45 that reflects electrons is provided on the emission side of the positive ions 43 of the discharge chamber 39, and the grit 45 is grounded. A negative high voltage is generated between the grit 45 and the grit 46 that accelerates the ions outside the grit 45.
The positive ions 43 applied by the plasma generator 7 are accelerated at a high speed and extracted into the neutralization processing unit 48.

【0014】中性化処理部48にはフィラメント49が
あり、交流電源51の出力により加熱され、多量の熱電
子52が中性化処理部48内に発生する。フィラメント
49には負のバイアス電源53が取り付けられ、電子5
2を中性化処理部48内に効率良く送り出す。この中性
化処理部48を正イオン43が高速で通過するとき、多
量の電子52と結合し、中和され高速の中性な原子とな
り、中性化処理部48のグリット54を通過する。電子
52と結合しなかった正イオン43は、グリット54に
電源55により正の電圧が印加されているため、このグ
リット54で反射され再び中性化処理部48に戻され、
グリット54を通過することができるのは中性な高速原
子のみとなる。グリット54の開口率は例えば50〜6
0%とされる。グリット54の印加電圧はグリット46
の印加加速電圧とほゞ同一で逆極とされ、例えば1KV程
度である。グリット54を通過した高速の中性原子は原
子ビーム56となり、ターゲットホルダ28に保持され
たターゲット26に入射する。その入射する高速の原子
57と、この原子57によりスパッタアウトされたター
ゲット物資58とを示す。
The neutralization processing unit 48 has a filament 49, which is heated by the output of the AC power supply 51, and a large amount of thermoelectrons 52 are generated in the neutralization processing unit 48. A negative bias power source 53 is attached to the filament 49, and the electron 5
2 is efficiently sent into the neutralization processing unit 48. When the positive ions 43 pass through the neutralization processing unit 48 at high speed, they combine with a large amount of electrons 52 and are neutralized to become high-speed neutral atoms, which pass through the grit 54 of the neutralization processing unit 48. The positive ions 43 that have not been combined with the electrons 52 are reflected by the grit 54 and returned to the neutralization processing unit 48 because a positive voltage is applied to the grit 54 by the power supply 55.
Only neutral, fast atoms can pass through the grit 54. The opening ratio of the grit 54 is, for example, 50 to 6
It is set to 0%. The applied voltage of the grid 54 is the grid 46.
The applied acceleration voltage is almost the same as the applied acceleration voltage and has a reverse polarity, for example, about 1 KV. The high-speed neutral atoms that have passed through the grit 54 become an atomic beam 56 and enter the target 26 held by the target holder 28. The incident high-speed atom 57 and the target material 58 sputtered out by this atom 57 are shown.

【0015】図1に示した原子ビーム発生源61は、図
2Aに示すように真空容器32内で原子ビーム56が発
生され、ターゲット26に入射される。ターゲット26
からスパッタアウトされた原子状の物質58は通常ター
ゲット26に対向した位置におかれた基板29上に堆積
し、膜に成長する。ガス流入口37から導入された不活
性ガス(及び酸素等の膜を構成するガスを混合する場合
もある)が、原子ビーム発生源61で前記の手法で高速
な原子ビーム56となり、ターゲット26に入射し、同
物質をスパッタアウトする。このときターゲット26が
絶縁性であると帯電するが入射する原子が電気的に中性
であるため、スパッタリングを持続することができる。
スパッタアウトされたターゲット物質は基板29に堆積
し、膜となる。このとき熱フィラメント等が真空容器3
2の中に存在しないため、基板29の温度はイオンビー
ムスパッタ法より低く保つことができ、滑らかな膜面を
持つ成膜を行うことができる。膜が酸化物等である場
合、その構成物質をガスとしてガス供給口62から、あ
るいはラジカル(活性化された原子でイオン化していな
いもの)等として供給部63から供給することも可能で
ある。
In the atomic beam generation source 61 shown in FIG. 1, an atomic beam 56 is generated in the vacuum chamber 32 and is incident on the target 26 as shown in FIG. 2A. Target 26
The atomic substance 58 sputtered out from is usually deposited on the substrate 29 placed at a position facing the target 26 and grows into a film. The inert gas introduced from the gas inflow port 37 (and the gas forming the film such as oxygen may be mixed) becomes the high-speed atomic beam 56 by the above-mentioned method in the atomic beam generation source 61, and is applied to the target 26. When incident, the same substance is sputtered out. At this time, when the target 26 is insulative, the target 26 is charged, but the incident atoms are electrically neutral, so that the sputtering can be continued.
The target material sputtered out is deposited on the substrate 29 to form a film. At this time, the hot filament etc.
The temperature of the substrate 29 can be kept lower than that of the ion beam sputtering method because it is not present in the second step, and film formation with a smooth film surface can be performed. When the film is an oxide or the like, its constituent substance can be supplied as a gas from the gas supply port 62 or as a radical (which is not ionized by activated atoms) from the supply unit 63.

【0016】図2Bにこの発明によるリングレーザジャ
イロを示し、図3と対応する部分に同一符号を付けてあ
る。この発明においては凹面反射鏡12,平面反射鏡1
3,可動反射鏡14は、それぞれ前述した原子ビームス
パッタ法により、光学屈折率が異なる二つの物質層が交
互に積層成膜されたもので、この多層膜反射鏡12,1
3,14は、それぞれ密封容器11の前記三角形の各頂
点部分に形成された穴を塞ぐようにその周辺部にて、例
えばオプチカルコンタクトにより取り付けられる。なお
可動反射鏡14はその中心部が前後に移動できるように
作られている。
FIG. 2B shows a ring laser gyro according to the present invention, and parts corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. In the present invention, the concave reflecting mirror 12 and the flat reflecting mirror 1
3. The movable reflecting mirror 14 is formed by alternately laminating two material layers having different optical refractive indexes by the above-described atomic beam sputtering method.
The reference numerals 3 and 14 are attached at their peripheral portions by, for example, optical contacts so as to close the holes formed at the apexes of the triangle of the sealed container 11. The movable reflecting mirror 14 is made so that its central portion can move back and forth.

【0017】[0017]

【発明の効果】この発明によれば、原子ビームスパッタ
法により多層膜反射鏡が形成され、この場合、スパッタ
リングを起こさせる高速粒子発生源とターゲットの間に
熱フィラメントを設けないために、真空容器内部の温度
を低く保つことができ、滑らかな面を持つ損失の少ない
反射膜が形成され、リングレーザジャイロのロックイン
しきい値が小さくなり、リングレーザジャイロの性能が
向上する。なお、原子ビームスパッタ法によれば、従来
のイオンビームスパッタ法と比較して、同一基板条件で
あれば、平滑度を2倍程よくすることができる。
According to the present invention, a multilayer film reflecting mirror is formed by an atomic beam sputtering method. In this case, since a hot filament is not provided between a high-speed particle generation source and a target which cause sputtering, a vacuum container is used. The internal temperature can be kept low, a reflective film having a smooth surface with little loss is formed, the lock-in threshold of the ring laser gyro is reduced, and the performance of the ring laser gyro is improved. It should be noted that the atomic beam sputtering method can improve the smoothness about twice as much as the conventional ion beam sputtering method under the same substrate conditions.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明のリングレーザジャイロの反射鏡を作
るための原子ビームスパッタ装置の原子ビーム発生源の
例を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing an example of an atomic beam generation source of an atomic beam sputtering apparatus for making a reflecting mirror of a ring laser gyro of the present invention.

【図2】Aは原子ビームスパッタ装置を示す図、Bはこ
の発明の実施例を示す図である。
2A is a diagram showing an atomic beam sputtering apparatus, and FIG. 2B is a diagram showing an embodiment of the present invention.

【図3】Aは従来のリングレーザジャイロを示す図、B
はイオンスパッタ装置を示す図である。
FIG. 3A is a diagram showing a conventional ring laser gyro, B
FIG. 3 is a diagram showing an ion sputtering apparatus.

【図4】イオンビームスパッタ装置を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an ion beam sputtering apparatus.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザブロック内に複数の反射鏡にて閉
光路が構成され、その閉光路を左回り及び右回りする各
レーザを発振させ、これら左回り光と右回り光とのレー
ザ発振周波数の差を検出するリングレーザジャイロにお
いて、 上記各反射鏡は、それぞれ研磨された基板上に、光学屈
折率が異なる物質が、原子ビームによるターゲット物質
のスパッタにて、交互に積層されたものであることを特
徴とするリングレーザジャイロ。
1. A plurality of reflecting mirrors form a closed optical path in a laser block, oscillate each of the lasers rotating counterclockwise and clockwise in the closed optical path, and generate laser oscillation frequencies of the counterclockwise light and the clockwise light. In the ring laser gyro that detects the difference between the reflection mirrors, each of the reflection mirrors is formed by alternately laminating substances having different optical refractive indices on the polished substrate by sputtering a target substance by an atomic beam. A ring laser gyro that is characterized.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62163001A (en) * 1985-12-27 1987-07-18 ハネウエル・インコ−ポレ−テツド Reflecting mirror assembly
JPS6370585A (en) * 1986-09-12 1988-03-30 Toshiba Corp Ring-laser-gyro
JPH0382757A (en) * 1989-08-25 1991-04-08 Terumo Corp Thin film forming device

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