JPH07120306A - 赤外線検出装置およびその封止方法 - Google Patents
赤外線検出装置およびその封止方法Info
- Publication number
- JPH07120306A JPH07120306A JP5266480A JP26648093A JPH07120306A JP H07120306 A JPH07120306 A JP H07120306A JP 5266480 A JP5266480 A JP 5266480A JP 26648093 A JP26648093 A JP 26648093A JP H07120306 A JPH07120306 A JP H07120306A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- substrate
- infrared detection
- hollow portion
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に形成された中空部と外部空間との間に
圧力差を生じさせることなく、中空部内部を真空または
低熱伝導性ガスで置換することを可能とする。 【構成】 中空部１１を有する基板１２と、周辺が基板
１２に支持されると共に中空部１１を覆うように形成さ
れた熱絶縁膜１３と、熱絶縁膜１３上に形成された赤外
線検出体１４とを備えた赤外線検出素子１０を、気密性
パッケージ内に収容するとともに、そのパッケージの内
部を真空あるいは低熱伝導性ガスで満たしてなる赤外線
検出装置において、中空部１１とそれを除く外部空間と
の間を連通する手段２２を設けるとともに、その連通手
段２２に、赤外線検出素子１０を真空または低熱伝導性
ガスで置換してパッケージ内に気密封止するため、それ
らが収容された気密性容器４０を排気する際、排気中に
中空部１１と気密性容器４０の内部空間４１との間に圧
力差を生じさせないようなコンダクタンスを持たせたも
のである。
圧力差を生じさせることなく、中空部内部を真空または
低熱伝導性ガスで置換することを可能とする。 【構成】 中空部１１を有する基板１２と、周辺が基板
１２に支持されると共に中空部１１を覆うように形成さ
れた熱絶縁膜１３と、熱絶縁膜１３上に形成された赤外
線検出体１４とを備えた赤外線検出素子１０を、気密性
パッケージ内に収容するとともに、そのパッケージの内
部を真空あるいは低熱伝導性ガスで満たしてなる赤外線
検出装置において、中空部１１とそれを除く外部空間と
の間を連通する手段２２を設けるとともに、その連通手
段２２に、赤外線検出素子１０を真空または低熱伝導性
ガスで置換してパッケージ内に気密封止するため、それ
らが収容された気密性容器４０を排気する際、排気中に
中空部１１と気密性容器４０の内部空間４１との間に圧
力差を生じさせないようなコンダクタンスを持たせたも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、素子に入射した赤外線
を熱に変換し、その温度変化分を検出する、所謂、熱型
の赤外線検出素子を備えた赤外線検出装置およびその封
止方法に関するものである。
を熱に変換し、その温度変化分を検出する、所謂、熱型
の赤外線検出素子を備えた赤外線検出装置およびその封
止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイアフラム構造を有する熱型赤
外線検出素子を用いた赤外線検出装置においては、その
赤外線検出素子の感度を向上させるため、赤外線検出素
子を収容するパッケージ内部を真空にする、あるいはパ
ッケージ内に低熱伝導性ガスを封入する、といった手段
が提案されている。
外線検出素子を用いた赤外線検出装置においては、その
赤外線検出素子の感度を向上させるため、赤外線検出素
子を収容するパッケージ内部を真空にする、あるいはパ
ッケージ内に低熱伝導性ガスを封入する、といった手段
が提案されている。
【０００３】なお、この種の赤外線検出素子は、中空部
を有する基板上に、この中空部を覆って周辺が基板に支
持された熱絶縁膜を設け、この熱絶縁膜上に赤外線検出
体を形成して、検出感度を向上させている。赤外線検出
体としては、温度変化に伴って抵抗値が変化するサーミ
スタが用いられており、このサーミスタには、例えばア
モルファスシリコン薄膜が用いられている。
を有する基板上に、この中空部を覆って周辺が基板に支
持された熱絶縁膜を設け、この熱絶縁膜上に赤外線検出
体を形成して、検出感度を向上させている。赤外線検出
体としては、温度変化に伴って抵抗値が変化するサーミ
スタが用いられており、このサーミスタには、例えばア
モルファスシリコン薄膜が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
赤外線検出装置においては、以下に示すような問題点が
あることが判明した。
赤外線検出装置においては、以下に示すような問題点が
あることが判明した。
【０００５】 基板に形成された中空部も、気密性パ
ッケージ内と同様に、真空または低熱伝導性ガスで置換
しなければ、高感度化が図れない。
ッケージ内と同様に、真空または低熱伝導性ガスで置換
しなければ、高感度化が図れない。
【０００６】 赤外線検出素子を真空または低熱伝導
性ガスで置換してパッケージ内に気密封止するには、真
空排気系が接続された気密性容器内で行う必要がある
が、気密性容器を排気する際、中空部とそれを除く外部
空間との間に、熱絶縁膜の破壊圧力以上の圧力差が生じ
ると、熱絶縁膜が破壊する。
性ガスで置換してパッケージ内に気密封止するには、真
空排気系が接続された気密性容器内で行う必要がある
が、気密性容器を排気する際、中空部とそれを除く外部
空間との間に、熱絶縁膜の破壊圧力以上の圧力差が生じ
ると、熱絶縁膜が破壊する。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、その目的とするところは、中空部と外部
空間との間に圧力差を生じさせることなく、中空部内部
を真空または低熱伝導性ガスで置換することが可能な赤
外線検出装置を提供することにある。
されたもので、その目的とするところは、中空部と外部
空間との間に圧力差を生じさせることなく、中空部内部
を真空または低熱伝導性ガスで置換することが可能な赤
外線検出装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、中空部を有する基板と、周辺が前記基板に支
持されると共に前記中空部を覆うように形成された熱絶
縁膜と、その熱絶縁膜上に形成された赤外線検出体とを
備えた赤外線検出素子を、気密性パッケージ内に収容す
るとともに、そのパッケージの内部を真空あるいは低熱
伝導性ガスで満たしてなる赤外線検出装置において、前
記中空部とそれを除く外部空間との間を連通する手段を
設けるとともに、その連通手段に、赤外線検出素子を真
空または低熱伝導性ガスで置換してパッケージ内に気密
封止するため、それらが収容された気密性容器を排気す
る際、排気中に前記中空部と気密性容器の内部空間との
間に圧力差を生じさせないようなコンダクタンスを持た
せたことを特徴とするものである。
本発明は、中空部を有する基板と、周辺が前記基板に支
持されると共に前記中空部を覆うように形成された熱絶
縁膜と、その熱絶縁膜上に形成された赤外線検出体とを
備えた赤外線検出素子を、気密性パッケージ内に収容す
るとともに、そのパッケージの内部を真空あるいは低熱
伝導性ガスで満たしてなる赤外線検出装置において、前
記中空部とそれを除く外部空間との間を連通する手段を
設けるとともに、その連通手段に、赤外線検出素子を真
空または低熱伝導性ガスで置換してパッケージ内に気密
封止するため、それらが収容された気密性容器を排気す
る際、排気中に前記中空部と気密性容器の内部空間との
間に圧力差を生じさせないようなコンダクタンスを持た
せたことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、中空部とそれを除く外部空間
との間を連通する手段を設けたことにより、赤外線検出
素子を真空または低熱伝導性ガスで置換してパッケージ
内に気密封止するため、それらが収容された気密性容器
を排気する際、排気中に中空部と気密性容器の内部空間
との間に圧力差が生じなくなる。従って、赤外線検出素
子の熱絶縁膜を破壊することなく、中空部内を真空また
は低熱伝導性ガスで置換することが可能となる。
との間を連通する手段を設けたことにより、赤外線検出
素子を真空または低熱伝導性ガスで置換してパッケージ
内に気密封止するため、それらが収容された気密性容器
を排気する際、排気中に中空部と気密性容器の内部空間
との間に圧力差が生じなくなる。従って、赤外線検出素
子の熱絶縁膜を破壊することなく、中空部内を真空また
は低熱伝導性ガスで置換することが可能となる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に係る赤外線検出装置と真空排
気系の構成を示す概略図で、図２は本発明の一実施例を
示すものであり、この実施例に係る赤外線検出装置は、
赤外線検出素子１０と、赤外線検出素子１０を実装する
ベース２０と、実装された赤外線検出素子１０をカバー
するキャップ３０とより成り、赤外線検出素子１０は、
中空部１１を有する基板１２と、中空部１１を覆うよう
に周辺が基板１２に支持された熱絶縁膜１３と、熱絶縁
膜１３上に形成された赤外線検出体１４とを備えてい
る。また、ベース２０の素子実装面２１には、ベース２
０の中心を通る溝状の通気孔２２が形成され、ベース２
０の周縁は素子実装面２１より一段低い段部２３が形成
されている。そして、ベース２０とキャップ３０とは、
ベース２０の段部２３にキャップ３０の鍔部３１を当接
し、電気的溶接等により接合することにより、気密パッ
ケージを構成する。
気系の構成を示す概略図で、図２は本発明の一実施例を
示すものであり、この実施例に係る赤外線検出装置は、
赤外線検出素子１０と、赤外線検出素子１０を実装する
ベース２０と、実装された赤外線検出素子１０をカバー
するキャップ３０とより成り、赤外線検出素子１０は、
中空部１１を有する基板１２と、中空部１１を覆うよう
に周辺が基板１２に支持された熱絶縁膜１３と、熱絶縁
膜１３上に形成された赤外線検出体１４とを備えてい
る。また、ベース２０の素子実装面２１には、ベース２
０の中心を通る溝状の通気孔２２が形成され、ベース２
０の周縁は素子実装面２１より一段低い段部２３が形成
されている。そして、ベース２０とキャップ３０とは、
ベース２０の段部２３にキャップ３０の鍔部３１を当接
し、電気的溶接等により接合することにより、気密パッ
ケージを構成する。
【００１１】ところで、赤外線検出素子１０を真空また
は低熱伝導性ガスで置換してパッケージ内に気密封止す
るため、図１に示すように、排気系（図示せず）が接続
された気密性容器４０の内部に、赤外線検出素子１０が
実装されたベース２０とキャップ３０とを収容し、気密
性容器４０内でベース２０とキャップ３０とを接合する
が、その際、上記通気孔２２を介して基板１２の中空部
１１と気密性容器４０の内部空間４１とが連通される。
連通される通気孔２２の大きさ（コンダクタンス）は、
気密性容器４０を排気する際、中空部１１と気密性容器
４０の内部空間４１との間に圧力差が生じないような値
に設定される。
は低熱伝導性ガスで置換してパッケージ内に気密封止す
るため、図１に示すように、排気系（図示せず）が接続
された気密性容器４０の内部に、赤外線検出素子１０が
実装されたベース２０とキャップ３０とを収容し、気密
性容器４０内でベース２０とキャップ３０とを接合する
が、その際、上記通気孔２２を介して基板１２の中空部
１１と気密性容器４０の内部空間４１とが連通される。
連通される通気孔２２の大きさ（コンダクタンス）は、
気密性容器４０を排気する際、中空部１１と気密性容器
４０の内部空間４１との間に圧力差が生じないような値
に設定される。
【００１２】中空部１１と内部空間４１との間に圧力差
を生じさせないようなコンダクタンスは、以下のように
して求められる。
を生じさせないようなコンダクタンスは、以下のように
して求められる。
【００１３】図１において、真空系の排気速度をＳ0 、
気体の流量をＱ0 とする。このとき基板１２の中空部１
１の容積をＶ1 、圧力をＰ1 とし、気密性容器４０の内
部の容積をＶ2 、圧力をＰ2 とすると共に、中空部１１
と内部空間４１との間の通気孔２２のコンダクタンスを
Ｃ、排気速度をＳ1 、気体の流量をＱ1 とすると、次の
関係が成立する。
気体の流量をＱ0 とする。このとき基板１２の中空部１
１の容積をＶ1 、圧力をＰ1 とし、気密性容器４０の内
部の容積をＶ2 、圧力をＰ2 とすると共に、中空部１１
と内部空間４１との間の通気孔２２のコンダクタンスを
Ｃ、排気速度をＳ1 、気体の流量をＱ1 とすると、次の
関係が成立する。
【００１４】Ｓ1 ・Ｐ1 ＝Ｑ1 ……… (1) Ｃ（Ｐ2 −Ｐ1 ）＝Ｑ1 ……… (2) また、気密性容器４０内の圧力Ｐ2 の変化は次のように
なる。
なる。
【００１５】 Ｖ2 （ｄＰ2 ／ｄｔ）＝−Ｓ0 ・Ｐ2 ＋Ｑ1 通常、Ｖ2 ≫Ｖ1 で、Ｓ0 ・Ｐ2 に対しＱ1 は無視でき
る程小さいとすると、 Ｖ2 （ｄＰ2 ／ｄｔ）＝−Ｓ0 ・Ｐ2 となり、これより Ｐ2 ＝Ｐ0 exp(−Ｓ0 ・ｔ／Ｖ2 ） となる（但し、Ｐ0 は気密性容器４０の内部空間４１の
初期圧力である）。また、中空部１１の圧力をＰ1 の変
化は次のようになる。
る程小さいとすると、 Ｖ2 （ｄＰ2 ／ｄｔ）＝−Ｓ0 ・Ｐ2 となり、これより Ｐ2 ＝Ｐ0 exp(−Ｓ0 ・ｔ／Ｖ2 ） となる（但し、Ｐ0 は気密性容器４０の内部空間４１の
初期圧力である）。また、中空部１１の圧力をＰ1 の変
化は次のようになる。
【００１６】Ｖ1 （ｄＰ1 ／ｄｔ）＝−Ｓ1 ・Ｐ1 (1),(2) 式より Ｖ1 （ｄＰ1 ／ｄｔ）＝Ｃ（Ｐ2 −Ｐ1 ） となり、これより Ｐ1 ＝Ｐ2 ＋（Ｐ0 −Ｐ2 ）exp(−Ｃ・ｔ／Ｖ1 ） となる。従って、上式においてＰ1 とＰ2 がほぼ等しく
なるようにコンダクタンスＣを設定すればよい。なお、
圧力差の許容上限は、熱絶縁膜１３の破壊圧力で規定さ
れる。
なるようにコンダクタンスＣを設定すればよい。なお、
圧力差の許容上限は、熱絶縁膜１３の破壊圧力で規定さ
れる。
【００１７】更に、具体的な例をとって詳述するに、
今、Ｓ0 ＝１０cm3 ／Ｓ，Ｖ2 ＝１０cm3 ，Ｖ1 ＝１０
-3cm3 ／Ｓの条件の赤外線検出素子１０および真空排気
系を備えると共に、熱絶縁膜１３は厚さが１μｍの酸化
窒化シリコン膜で形成され、破壊が生じる圧力差が約３
００Torrとする。
今、Ｓ0 ＝１０cm3 ／Ｓ，Ｖ2 ＝１０cm3 ，Ｖ1 ＝１０
-3cm3 ／Ｓの条件の赤外線検出素子１０および真空排気
系を備えると共に、熱絶縁膜１３は厚さが１μｍの酸化
窒化シリコン膜で形成され、破壊が生じる圧力差が約３
００Torrとする。
【００１８】次に、具体的な例を用いて説明する。今、
Ｓ0 ＝１０cm3 ／Ｓ，Ｖ2 ＝１０cm3 ，Ｖ1 ＝１０-3cm
3 ／Ｓなる条件の赤外線検出素子１０および真空排気系
を備えると共に、熱絶縁膜１３は厚さが１μｍの酸化窒
化シリコン膜で形成され、破壊が生じる圧力差が約３０
０Torrとする。この系においてコンダクタンスＣが１０
-6cm3 ／Ｓ，１０-5cm3 ／Ｓ，１０ -4cm3 ／Ｓ，１０-3
cm3 ／Ｓのときの排気時間と中空部１１の圧力をＰ1 、
内部空間４１の圧力Ｐ2 の関係は、それぞれ図３〜図６
に示すようになる。
Ｓ0 ＝１０cm3 ／Ｓ，Ｖ2 ＝１０cm3 ，Ｖ1 ＝１０-3cm
3 ／Ｓなる条件の赤外線検出素子１０および真空排気系
を備えると共に、熱絶縁膜１３は厚さが１μｍの酸化窒
化シリコン膜で形成され、破壊が生じる圧力差が約３０
０Torrとする。この系においてコンダクタンスＣが１０
-6cm3 ／Ｓ，１０-5cm3 ／Ｓ，１０ -4cm3 ／Ｓ，１０-3
cm3 ／Ｓのときの排気時間と中空部１１の圧力をＰ1 、
内部空間４１の圧力Ｐ2 の関係は、それぞれ図３〜図６
に示すようになる。
【００１９】これより、コンダクタンスＣが１０-3cm3
／Ｓの時（図６参照）、Ｐ1 ，Ｐ2の圧力差が約３００T
orr以下で排気が可能であることがわかる。
／Ｓの時（図６参照）、Ｐ1 ，Ｐ2の圧力差が約３００T
orr以下で排気が可能であることがわかる。
【００２０】また、このコンダクタンスＣを得るための
通気孔２２の大きさは、次のようになる。即ち、円形導
管の粘性流を仮定すると、一般に次のようになる。
通気孔２２の大きさは、次のようになる。即ち、円形導
管の粘性流を仮定すると、一般に次のようになる。
【００２１】Ｄ4 ＝Ｃ・Ｌ／１８２ｐ ここで、Ｄは導管の直径、Ｌは導管の長さ、ｐは導管の
入口、出口の平均圧力であり、Ｃ＝１０-3cm3 ／Ｓ，Ｌ
＝0.05cm，ｐ＝３８０Torrのとき、導管の断面積は約１
００μｍ2 となる。従って、通気孔２２の設計に当たっ
ては、上記の導管の断面積（約１００μｍ2 ）以上の断
面積を持たせることが好ましい。
入口、出口の平均圧力であり、Ｃ＝１０-3cm3 ／Ｓ，Ｌ
＝0.05cm，ｐ＝３８０Torrのとき、導管の断面積は約１
００μｍ2 となる。従って、通気孔２２の設計に当たっ
ては、上記の導管の断面積（約１００μｍ2 ）以上の断
面積を持たせることが好ましい。
【００２２】次に、図７〜図９は、中空部１１と内部空
間４１との間を連通する手段の異なる実施例を示すもの
で、図７に示すものは、連通手段としての通気孔２２を
基板１２の下端に設けたものであり、この場合、通気孔
２２を中空部１１と同時に形成することが可能となる。
また、図８に示すものは、通気孔２２を熱絶縁膜１３に
設けけたもので、この場合、この通気孔２２を通して表
面から基板１２をエッチングして中空部１１を形成する
ことが可能となる。さらに、図９に示す実施例は、ベー
ス２０と基板１２との間にスペーサ２３を介在させて連
通手段としたもので、この場合、赤外線検出体１４とベ
ース２０との間隔が広がるので、ベース２０への熱伝導
量を減じることが可能となり、より高感度化が図れる。
間４１との間を連通する手段の異なる実施例を示すもの
で、図７に示すものは、連通手段としての通気孔２２を
基板１２の下端に設けたものであり、この場合、通気孔
２２を中空部１１と同時に形成することが可能となる。
また、図８に示すものは、通気孔２２を熱絶縁膜１３に
設けけたもので、この場合、この通気孔２２を通して表
面から基板１２をエッチングして中空部１１を形成する
ことが可能となる。さらに、図９に示す実施例は、ベー
ス２０と基板１２との間にスペーサ２３を介在させて連
通手段としたもので、この場合、赤外線検出体１４とベ
ース２０との間隔が広がるので、ベース２０への熱伝導
量を減じることが可能となり、より高感度化が図れる。
【００２３】なお、これらいずれの実施例においても、
必要とする連通手段（通気孔）の大きさは、上記と同様
にして求めることができる。
必要とする連通手段（通気孔）の大きさは、上記と同様
にして求めることができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は上記のように、赤外線検出素子
を真空または低熱伝導性ガスで置換してパッケージ内に
気密封止するため、それらが収容された気密性容器を排
気する際、排気中に中空部と気密性容器の内部空間との
間に圧力差を生じさせないようなコンダクタンスを持つ
通気手段を設けたことにより、赤外線検出素子の熱絶縁
膜を破壊することなく、中空部内を真空または低熱伝導
性ガスで置換することが可能となり、高感度な赤外線検
出装置を提供できる。
を真空または低熱伝導性ガスで置換してパッケージ内に
気密封止するため、それらが収容された気密性容器を排
気する際、排気中に中空部と気密性容器の内部空間との
間に圧力差を生じさせないようなコンダクタンスを持つ
通気手段を設けたことにより、赤外線検出素子の熱絶縁
膜を破壊することなく、中空部内を真空または低熱伝導
性ガスで置換することが可能となり、高感度な赤外線検
出装置を提供できる。
【図１】本発明に係る赤外線検出装置と真空排気系の構
成を示す概略図である。
成を示す概略図である。
【図２】本発明に係る赤外線検出装置（キャップを除い
た状態）の一実施例を示すもので、（ａ）は一部断面の
側面図、（ｂ）はその平面図である。
た状態）の一実施例を示すもので、（ａ）は一部断面の
側面図、（ｂ）はその平面図である。
【図３】本発明に係る赤外線検出装置において、通気手
段のコンダクタンスＣが１０-6cm3 ／Ｓのときの排気時
間と中空部の圧力Ｐ1 および内部空間の圧力Ｐ2 の関係
を示すグラフである。
段のコンダクタンスＣが１０-6cm3 ／Ｓのときの排気時
間と中空部の圧力Ｐ1 および内部空間の圧力Ｐ2 の関係
を示すグラフである。
【図４】本発明に係る赤外線検出装置において、通気手
段のコンダクタンスＣが１０-5cm3 ／Ｓのときの排気時
間と中空部の圧力Ｐ1 および内部空間の圧力Ｐ2 の関係
を示すグラフである。
段のコンダクタンスＣが１０-5cm3 ／Ｓのときの排気時
間と中空部の圧力Ｐ1 および内部空間の圧力Ｐ2 の関係
を示すグラフである。
【図５】本発明に係る赤外線検出装置において、通気手
段のコンダクタンスＣが１０-4cm3 ／Ｓのときの排気時
間と中空部の圧力Ｐ1 および内部空間の圧力Ｐ2 の関係
を示すグラフである。
段のコンダクタンスＣが１０-4cm3 ／Ｓのときの排気時
間と中空部の圧力Ｐ1 および内部空間の圧力Ｐ2 の関係
を示すグラフである。
【図６】本発明に係る赤外線検出装置において、通気手
段のコンダクタンスＣが１０-3cm3 ／Ｓのときの排気時
間と中空部の圧力Ｐ1 および内部空間の圧力Ｐ2 の関係
を示すグラフである。
段のコンダクタンスＣが１０-3cm3 ／Ｓのときの排気時
間と中空部の圧力Ｐ1 および内部空間の圧力Ｐ2 の関係
を示すグラフである。
【図７】本発明に係る赤外線検出装置（キャップを除い
た状態）の異なる実施例を示す一部断面の側面図であ
る。
た状態）の異なる実施例を示す一部断面の側面図であ
る。
【図８】本発明に係る赤外線検出装置（キャップを除い
た状態）の異なる実施例を示す一部断面の側面図であ
る。
た状態）の異なる実施例を示す一部断面の側面図であ
る。
【図９】本発明に係る赤外線検出装置（キャップを除い
た状態）の異なる実施例を示す一部断面の側面図であ
る。
た状態）の異なる実施例を示す一部断面の側面図であ
る。
１０ 赤外線検出素子 １１ 中空部 １２ 基板 １３ 熱絶縁膜 １４ 赤外線検出体 ２０ ベース ２１ 素子実装面 ２２ 連通手段（通気孔） ２３ 段部 ２４ スペーサ ３０ キャップ ３１ 鍔部 ４０ 気密性容器 ４１ 内部空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柿手 啓治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 中空部を有する基板と、周辺が前記基板
に支持されると共に前記中空部を覆うように形成された
熱絶縁膜と、その熱絶縁膜上に形成された赤外線検出体
とを備えた赤外線検出素子を、気密性パッケージ内に収
容するとともに、そのパッケージの内部を真空あるいは
低熱伝導性ガスで満たしてなる赤外線検出装置におい
て、前記中空部とそれを除く外部空間との間を連通する
手段を設けるとともに、その連通手段に、赤外線検出素
子を真空または低熱伝導性ガスで置換してパッケージ内
に気密封止するため、それらが収容された気密性容器を
排気する際、排気中に前記中空部と気密性容器の内部空
間との間に圧力差を生じさせないようなコンダクタンス
を持たせたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 【請求項２】 前記連通手段を、赤外線検出素子を実装
するベースの素子実面に設けたことを特徴とする赤外線
検出装置。 - 【請求項３】 前記連通手段を、前記基板の下端に設け
たことを特徴とする赤外線検出装置。 - 【請求項４】 前記連通手段を、前記熱絶縁膜に設けけ
たことを特徴とする赤外線検出装置。 - 【請求項５】 前記連通手段を、前記ベースと基板との
間にスペーサを介在させることにより形成したことを特
徴とする赤外線検出装置。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
の赤外線検出素子を気密パッケージするにあたり、ベー
スに実装された赤外線検出素子と、その赤外線検出素子
をカバーするキャップとを真空排気系が接続された気密
性容器内に収容し、気密性容器内を真空または低熱伝導
性ガスで置換した後、前記ベースとキャップとを気密封
止してなる赤外線検出装置の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5266480A JPH07120306A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 赤外線検出装置およびその封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5266480A JPH07120306A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 赤外線検出装置およびその封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120306A true JPH07120306A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17431521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5266480A Pending JPH07120306A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 赤外線検出装置およびその封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120306A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034369A (en) * | 1996-11-27 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Thermal infrared detecting device capable of detecting infrared rays without influence of operating temperature |
| US7095064B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-08-22 | Denso Corporation | Semiconductor sensor with pressure difference adjusting means |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP5266480A patent/JPH07120306A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034369A (en) * | 1996-11-27 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Thermal infrared detecting device capable of detecting infrared rays without influence of operating temperature |
| US7095064B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-08-22 | Denso Corporation | Semiconductor sensor with pressure difference adjusting means |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2179052C (en) | Integrated silicon vacuum micropackage for infrared devices | |
| US5837562A (en) | Process for bonding a shell to a substrate for packaging a semiconductor | |
| JPH064286Y2 (ja) | 赤外線検出器 | |
| US5388443A (en) | Atmosphere sensor and method for manufacturing the sensor | |
| JP3824964B2 (ja) | 絶対圧型圧力センサ | |
| JPH09250963A (ja) | コンデンサ形圧力センサ | |
| US7279682B2 (en) | Device for maintaining an object under vacuum and methods for making same, use in non-cooled infrared sensors | |
| JP3565153B2 (ja) | ゲッタ装置およびセンサ | |
| US4125390A (en) | Method of vacuum-sealing vacuum articles | |
| GB2245415A (en) | Infrared detector with a getter | |
| JPH07120306A (ja) | 赤外線検出装置およびその封止方法 | |
| US5929515A (en) | Gettering enclosure for a semiconductor device | |
| JPH0665974B2 (ja) | 圧力センサユニツトの製造方法 | |
| JP2507259B2 (ja) | 高真空基板エンクロ―ジャ | |
| JPH06196260A (ja) | 電界発光灯の製造方法 | |
| JPS63263426A (ja) | センサ素子 | |
| JPS58160832A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JPH11281509A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP3882645B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| JPH0674820A (ja) | 赤外線センサ | |
| JP3463418B2 (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JP4483112B2 (ja) | パッケージの真空封止方法 | |
| JPH0674818A (ja) | 赤外線検出装置 | |
| JPH04366093A (ja) | 粉末真空断熱体 | |
| JP3100811B2 (ja) | キャンパッケージの真空封止方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001010 |