JPH07111991B2 - Wafer prober - Google Patents

Wafer prober

Info

Publication number
JPH07111991B2
JPH07111991B2 JP63307616A JP30761688A JPH07111991B2 JP H07111991 B2 JPH07111991 B2 JP H07111991B2 JP 63307616 A JP63307616 A JP 63307616A JP 30761688 A JP30761688 A JP 30761688A JP H07111991 B2 JPH07111991 B2 JP H07111991B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
probe
semiconductor wafer
test head
probe card
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63307616A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH02263451A (en
Inventor
準一 井上
武敏 糸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP63307616A priority Critical patent/JPH07111991B2/en
Publication of JPH02263451A publication Critical patent/JPH02263451A/en
Publication of JPH07111991B2 publication Critical patent/JPH07111991B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウエハの特性試験を行うウエハプロー
バに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a wafer prober for performing a characteristic test of a semiconductor wafer.

(従来の技術) 周知の如く、半導体ウエハチップ(以下チップという)
は、半導体ウエハ(以下ウエハという)上に多数同時に
形成されるが、一般にウエハには結晶が壊れた部分が存
在し、この欠陥部分を含むチップは不良品となる。従っ
て、チップ形成工程終了後のウエハは、通常ウエハプロ
ーバと称される自動試験装置にかけられ、各チップ内の
回路が正常に作動するか否かについて試験がなされ、不
良チップにはマーキングがなされる。上記の試験は、テ
スタとウエハプローバとの接続で行われるのである。ウ
エハプローバの概略構造は、ウエハを水平にして保持す
る載置台と、該載置台を水平面内においてX−Y方向へ
移動するためのX−Y駆動装置と、該載置台を昇降自在
にさせるための昇降装置と、周方向に回動自在のθ回転
装置が配設されており該載置台はレールを介してウエハ
プローバの基台上に搭載している。第2図を用いて説明
すると、その基台から主柱(8)を立設し、その主柱
(8)に基づいて、載置台(6)を覆うようにヘッドプ
レート(9)を架設する。そのヘッドプレート(9)に
内設するように中間基板(20d)などの接続部が位置し
ている。一方、テスタの概略構造は高周波テストヘッド
(1k)に支柱(1a)を螺合せしめ、該支柱の溝部(1e)
に於いて接触部を保持する構造物もしくは基板(以下、
構造物・基板という)(1c)が水平方向に揺動可能に架
設せしめた構造である。
(Prior Art) As is well known, semiconductor wafer chips (hereinafter referred to as chips)
Are simultaneously formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). Generally, the wafer has a broken crystal part, and a chip including this defective part is a defective product. Therefore, the wafer after the chip forming process is normally subjected to an automatic tester called a wafer prober, a test is performed as to whether the circuits in each chip are normally operated, and a defective chip is marked. . The above test is performed by connecting the tester and the wafer prober. The schematic structure of the wafer prober includes a mounting table for holding the wafer horizontally, an XY driving device for moving the mounting table in the XY direction in a horizontal plane, and a lifting table for freely moving the mounting table. The elevating device and the θ-rotating device rotatable in the circumferential direction are provided, and the mounting table is mounted on the base of the wafer prober via rails. Explaining with reference to FIG. 2, a main pillar (8) is erected from the base, and a head plate (9) is erected so as to cover the mounting table (6) based on the main pillar (8). . A connecting portion such as the intermediate substrate (20d) is located so as to be internally provided in the head plate (9). On the other hand, the schematic structure of the tester is that the support (1a) is screwed onto the high frequency test head (1k), and the groove (1e) of the support is attached.
Structure or substrate (hereinafter,
This is a structure in which a structure / substrate (1c) is installed so that it can swing horizontally.

上記、ウエハプローバとテスタとの接続部(1s)につい
て説明すると、ウエハプローバ側の接続部のリングイン
サート(20b)はヘッドプレート(9)に内設して周回
動自在であり、且つ、該リングインサート(20b)あに
両面ポゴピン等の構造物もしくはソケット等の接続機構
(以下、接続機構という)(20c)を周設し、そして、
中間基板(20d)が該リングインサート(20b)に併設
し、螺合している。このようにして、ウエハに探針(40
b)が接触し、その信号はプローブカード(40)から接
続機構の圧接面(51、50、52)を導通して、テストヘッ
ド内に入出力される。なお1bはメジャリング、1dは接続
機構、1gは位置合わせ穴、20cはハウジングである。
The connection part (1s) between the wafer prober and the tester will be described. The ring insert (20b) of the connection part on the wafer prober side is provided in the head plate (9) and is rotatable about the circumference. The insert (20b) is provided with a structure such as a double-sided pogo pin or a connection mechanism (hereinafter referred to as a connection mechanism) (20c) such as a socket, and
The intermediate board (20d) is attached to the ring insert (20b) and screwed together. In this way, the probe (40
b) makes contact, and the signal is conducted from the probe card (40) to the pressure contact surfaces (51, 50, 52) of the connection mechanism and is input / output to / from the test head. Note that 1b is measuring, 1d is a connecting mechanism, 1g is a positioning hole, and 20c is a housing.

(発明が解決しようとする問題) しかしながら、上記に説明したテスタとウエハプローバ
の接続部には次のような欠点がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, the connection portion between the tester and the wafer prober described above has the following drawbacks.

テスタの接続部と、載置台上のウエハとの空間部内にリ
ングインサートが介在せしめられているため、テスタの
接続部が中間基板(20d)の介在によって、プローブカ
ード(40)に接触している。すなわち、テスタとウエハ
との間隔にリングインサートが介在せしめられているの
で、テスタとウエハとの間隔を狭めれない。よって、メ
ジャリングケーブル長を数cm以内にすることが、要求さ
れているのにもかかわらず、要求に応じられず、信頼性
の低い試験結果しか得られない欠点があった。
Since the ring insert is interposed in the space between the connection part of the tester and the wafer on the mounting table, the connection part of the tester is in contact with the probe card (40) by the interposition of the intermediate substrate (20d). . That is, since the ring insert is interposed in the space between the tester and the wafer, the space between the tester and the wafer cannot be narrowed. Therefore, although the length of the measuring cable is required to be several cm or less, there is a drawback that the request cannot be met and only a test result with low reliability can be obtained.

本発明は、上記の欠点を一掃し、信頼性の高い電気的特
性を実現させることを目的としたウエハプローバを提供
することにある。
An object of the present invention is to provide a wafer prober aiming to eliminate the above-mentioned drawbacks and realize highly reliable electric characteristics.

(問題点を解決するための手段) 試験される半導体ウエハをX、Y、Z方向及び周方向に
駆動可能な載置台に載置すると共に、電気信号を半導体
ウエハのチップに出力してチップからの電気信号を処理
するテストヘッドを前記半導体ウエハに対向配置し、前
記半導体ウエハに対向配置された交換可能なプローブカ
ードのプローブ探針と前記半導体ウエハ上のチップの電
極とを前記載置台の駆動により位置決めして接触させる
ことにより半導体ウエハの電気的試験を行うウエハプロ
ーバにおいて、 前記プローブカードを周方向に回転させて、前記プロー
ブ探針の周方向の角度調整を行うためにテストヘッドに
設けられた調整手段と、 この調整手段を介してテストヘッドに保持されると共に
前記テストヘッドの電気信号を伝えるソケットを備えた
基板と、を設け、 プローブカードに設けられたピンを前記ソケットに挿入
することにより前記プローブカードを前記基板に対して
着脱自在に保持させたことを特徴とするウエハプロー
バ。
(Means for Solving Problems) The semiconductor wafer to be tested is mounted on a mounting table that can be driven in the X, Y, Z directions and the circumferential direction, and an electric signal is output to the chip of the semiconductor wafer to output from the chip. A test head for processing the electric signal of the semiconductor wafer is arranged to face the semiconductor wafer, and the probe tip of the replaceable probe card and the electrode of the chip on the semiconductor wafer, which are arranged to face the semiconductor wafer, are driven. In a wafer prober that performs an electrical test on a semiconductor wafer by positioning and contacting the probe card with the test head, the probe card is rotated in the circumferential direction to adjust the angle of the probe probe in the circumferential direction. Adjusting means, and a socket which is held by the test head via the adjusting means and which transmits an electric signal of the test head. A substrate and provided, wafer prober, characterized in that freely is held removably the probe card with respect to the substrate by inserting a pin provided on a probe card in the socket.

(作用) 載置台上にウエハを載置し、例えば載置台をX、Y、θ
方向に駆動してウエハをプリアライメントする。次いで
載置台をプローブカードの下方側に移動し、ウエハがプ
ローブカードのプローブ探針の付近に位置するように上
昇させ、ウエハのチップの電極パッドの所定の領域内に
プローブ探針が接触するように調整手段によるプローブ
カードの周方向の角度調整を行う。その調整後プローブ
探針と電極パッドとを接触させてテストヘッドからチッ
プに電気信号を出力し、チップからの電気信号を処理す
ることによりチップの電気的測定を行う。このような測
定を、載置台を駆動させて各チップに対して順次行い、
その良否を判定して自動的にメモリマップに記録する。
(Operation) A wafer is placed on the mounting table and, for example, the mounting table is set to X, Y, θ.
Drive the wafer to pre-align the wafer. Next, move the mounting table to the lower side of the probe card, raise the wafer so that it is located near the probe probe of the probe card, and bring the probe probe into contact with the predetermined area of the electrode pad of the chip of the wafer. Then, the angle of the probe card in the circumferential direction is adjusted by the adjusting means. After the adjustment, the probe tip and the electrode pad are brought into contact with each other, an electric signal is output from the test head to the chip, and the electric signal from the chip is processed to electrically measure the chip. Such a measurement is performed sequentially for each chip by driving the mounting table,
The quality is judged and automatically recorded in the memory map.

プローブカードは調整機構及び基板を介してテストヘッ
ドに保持されているので、プローブ探針とテストヘッド
の信号路が短くて済み、正確な測定が行える。またプロ
ーブカードは基板に対して着脱自在に取り付けられるの
でプローブカードの交換が容易である。
Since the probe card is held by the test head via the adjusting mechanism and the substrate, the signal path between the probe probe and the test head is short, and accurate measurement can be performed. Further, since the probe card is detachably attached to the substrate, it is easy to replace the probe card.

(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図に従って説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

符号(60)は、ウエハのチップを判定するテスタ全体で
あり、ウエハプローバに覆設した該テスタ(60)のテス
トヘッド(60b)の底面1jにはX−Y方向及び周方向に
調整可能な調整手段(60c)を付設し、該調整手段(60
c)に基板(60d)が架設担持されている。
Reference numeral (60) is an entire tester for judging a wafer chip, and the bottom surface 1j of the test head (60b) of the tester (60) covered with the wafer prober is adjustable in the XY direction and the circumferential direction. Adjusting means (60c) is attached and the adjusting means (60c)
A substrate (60d) is erected and carried on c).

符号(67)は、チップの電極パッドに接触するプローブ
探針60eを備えたプローブカードである。前記基板60dに
は、テストヘッド60bの電気信号をプローブカード67に
伝えるソケット71が設けられる一方、プローブカード67
には挿入ピン72が設けられており、ソケット71に挿入ピ
ン72を挿入することによりプローブカード67は基板60d
に対して着脱自在に取り付けられる。
Reference numeral (67) is a probe card having a probe probe 60e that comes into contact with the electrode pad of the chip. The board 60d is provided with a socket 71 for transmitting an electric signal of the test head 60b to the probe card 67, while the probe card 67 is provided.
Is provided with an insertion pin 72, and by inserting the insertion pin 72 into the socket 71, the probe card 67 becomes a board 60d.
It is detachably attached to.

符号(5)は、載置台(61)に吸着し、保持しているウ
エハである。
Reference numeral (5) is a wafer that is adsorbed and held on the mounting table (61).

符号(61a)は、載置台(61)に吸着、保持しているウ
エハ(5)を周回動方向に回動させ、ウエハのスクライ
ブラインを周方向に回動させる周回動装置である。
Reference numeral (61a) is a peripheral rotation device for rotating the wafer (5) sucked and held on the mounting table (61) in the peripheral rotation direction to rotate the scribe line of the wafer in the peripheral direction.

符号(61b)は、ウエハカセット(図示なし)から搬送
されたウエハ(5)が載置台(61)に吸着した後に、プ
ローブカード(67)のプローブ探針(61e)にウエハ
(5)が接触するまで、載置台(61)を上昇させ、ま
た、降下させるための昇降装置である。
Reference numeral (61b) indicates that the wafer (5) transferred from the wafer cassette (not shown) is attracted to the mounting table (61), and then the wafer (5) contacts the probe probe (61e) of the probe card (67). It is an elevating device for raising and lowering the mounting table (61).

符号(61c)は、ウエハを吸着した載置台をX−Y方向
に駆動させるX−Y駆動装置である。
Reference numeral (61c) is an XY drive device that drives the mounting table that has attracted the wafer in the XY directions.

符号(63)は、ウエハプローバ本体(62)にアーム64を
介してテスタ(60)を覆設する回動装置である。
Reference numeral (63) is a rotating device that covers the wafer prober main body (62) with the tester (60) via the arm 64.

前記、回動装置(63)でウエハプローバ本体(62)にテ
ストヘッド(60b)を覆設せしめた後、ウエハカセット
(図示なし)から搬送されたウエハ(5)が、載置台
(61)に吸着し前記載置台(61)を水平面内において、
X−Y方向へ移動するためのX−Y駆動装置(61c)
で、ウエハ位置合わせ装置(80)まで移動され、ウエハ
(5)のスクライブランンをX−Y方向に位置合わせを
行う。この位置合わせ装置(80)は、アライメントと呼
ばれており、従来のウエハプローバで行われている公知
技術である。その位置合わせ装置(80)で、ウエハ
(5)のスクライブラインを位置合わせした後に、再び
X−Y駆動装置(61c)でテストヘッド(60b)の真下に
移動させ、昇降装置(61b)により載置台(61)を上昇
させ、プローブ探針(60e)に接近するにつれ、上昇速
度を低下させる。そしてテストヘッド(60b)の上部に
垂設している顕微鏡もしくは、TVカメラなどの視覚装置
65でチップの電極パッドとプローブ探針(60e)との係
合を確認する。その確認の結果、チップの電極パッドに
プローブ探針(60e)がずれて係合している場合には、
調整手段(60c)のX−Y方向のずれ、周方向のずれ量
を適正に補正する。また、プローブ探針(60e)がウエ
ハ(5)と接触し、プローブ探針(60e)のたわみ量
は、載置台(61)上を上昇させることにより行う。以上
の工程を繰り返しながら、チップからチップへと歩進し
つつ、ウエハ(5)内のすべてのチップを試験する。
After the test head (60b) is covered on the wafer prober body (62) by the rotating device (63), the wafer (5) transferred from the wafer cassette (not shown) is placed on the mounting table (61). Adsorb and place the mounting table (61) in the horizontal plane,
XY drive device (61c) for moving in XY direction
Then, the wafer is moved to the wafer alignment device (80) and the scribe run of the wafer (5) is aligned in the XY directions. This alignment device (80) is called alignment, which is a known technique performed by a conventional wafer prober. After aligning the scribe line of the wafer (5) with the aligning device (80), the XY driving device (61c) again moves the scribe line to directly below the test head (60b), and the lifting device (61b) is used. As the stand (61) is raised and the probe probe (60e) is approached, the raising speed is reduced. And a visual device such as a microscope or a TV camera that is installed above the test head (60b).
At 65, confirm the engagement between the electrode pad of the chip and the probe probe (60e). As a result of the confirmation, when the probe tip (60e) is displaced and engaged with the electrode pad of the chip,
The deviation in the XY direction and the deviation in the circumferential direction of the adjusting means (60c) are properly corrected. Further, the probe probe (60e) comes into contact with the wafer (5), and the deflection amount of the probe probe (60e) is raised by raising it on the mounting table (61). All the chips in the wafer (5) are tested while stepping from chip to chip by repeating the above steps.

[発明の効果] 本発明によれば、ウエハプローバ本体側に保持され周回
転されていたプローブカードを、テストヘッド側に保持
して周回転可能に構成したことで、リングインサートを
用いてプローブカードとテストヘッドとを接続していた
接続機構を簡略化でき、一つには両者の電気的接続の距
離を短くでき、また一つには例えばコンタクトピンと基
板上の電極とによる接点数を減少させて電気信号の抵抗
を少なくすることができ、電気信号が減衰しにくい構成
としたので、高速な試験を高周波を用いて行う際に精度
の高い測定を行うことができる。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, the probe card that is held on the wafer prober main body side and is rotated around is configured to be held and rotated on the test head side. The connection mechanism connecting the test head and the test head can be simplified. First, the distance of the electrical connection between the two can be shortened, and first, the number of contacts by, for example, the contact pin and the electrode on the substrate can be reduced. Since the resistance of the electric signal can be reduced and the electric signal is less likely to be attenuated, highly accurate measurement can be performed when a high-speed test is performed using a high frequency.

そしてプローブカードは、調整手段により回動自在な基
板に着脱自在に取り付けるようにしているため、プロー
ブカードを変換する場合、例えばチップの種類に応じて
別の種類のプローブカードに変換する場合、調整手段と
協動する部分例えば周方向に間隔をおいて並ぶフランジ
部などを各プローブカードに設けなくて済み、従って各
プロープカードの構造が複雑にならなくて済む上、プロ
ーブカードの着脱も簡単に行うことができる。
Since the probe card is detachably attached to the rotatable substrate by the adjusting means, adjustment is required when converting the probe card, for example, when converting to another type of probe card depending on the type of chip. It is not necessary to provide each probe card with a portion that cooperates with the means, for example, flanges arranged at intervals in the circumferential direction, so that the structure of each probe card does not become complicated and the probe card can be easily attached and detached. It can be carried out.

またプローブカードを周方向に回転させることができる
ので、例えばプローブカードを取り付けたときにプロー
ブ針を視覚装置の視野に入るように調整できるなど便利
である。
Further, since the probe card can be rotated in the circumferential direction, it is convenient, for example, to adjust the probe needle so as to be within the visual field of the visual device when the probe card is attached.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明のウエハプローバの全体構成を示す
側、断面図である。 第2図は、従来のウエハプローバの側、断面図である。 1a……支柱 1b……メジャリング 1c……接続部を保有する構造物もしくは基板 1d……接続機構 1e……支柱の溝部 1g……位置合わせ穴 1j……テストヘッド底面 1s……接続部 8……主柱 9……ヘッドプレート 20b……リングインサート 20c……両面ポゴピンを周設したハウジング 20d……中間基板 20e……接続機構 40b……探針 50……圧接面 51……圧接面 52……圧接面 65……視覚装置
FIG. 1 is a side view and a sectional view showing the overall structure of a wafer prober of the present invention. FIG. 2 is a side sectional view of a conventional wafer prober. 1a …… Post 1b …… Measuring 1c …… Structure or substrate that holds the connection 1d …… Connection mechanism 1e …… Post groove 1g …… Alignment hole 1j …… Test head bottom 1s …… Connection 8 …… Main pillar 9 …… Head plate 20b …… Ring insert 20c …… Housing with pogo pins on both sides 20d …… Intermediate board 20e …… Connecting mechanism 40b …… Probe 50 …… Pressure contact surface 51 …… Pressure contact surface 52 …… Pressure contact surface 65 …… Visual device

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】試験される半導体ウエハをX、Y、Z方向
及び周方向に駆動可能な載置台に載置すると共に、電気
信号を前記半導体ウエハのチップに出力してチップから
の電気信号を処理するテストヘッドを前記半導体ウエハ
に対向配置し、前記半導体ウエハに対向配置された交換
可能なプローブカードのプローブ探針と前記半導体ウエ
ハ上のチップの電極とを前記載置台の駆動により位置決
めして接触させることにより前記半導体ウエハの電気的
試験を行うウエハプローバにおいて、 前記プローブカードを周方向に回転させて、前記プロー
ブ探針の周方向の角度調整を行うためにテストヘッドに
設けられた調整手段と、 この調整手段を介してテストヘッドに保持されると共に
前記テストヘッドの電気信号を伝えるソケットを備えた
基板と、を設け、 プローブカードに設けられた挿入ピンを前記ソケットに
挿入することにより前記プローブカードを前記基板に対
して着脱自在に保持させたことを特徴とするウエハプロ
ーバ。
1. A semiconductor wafer to be tested is mounted on a mounting table which can be driven in X, Y, Z directions and a circumferential direction, and an electric signal is output to a chip of the semiconductor wafer to output an electric signal from the chip. A test head to be processed is arranged facing the semiconductor wafer, and a probe tip of a replaceable probe card and a chip electrode on the semiconductor wafer arranged facing the semiconductor wafer are positioned by driving the mounting table. In a wafer prober that performs an electrical test on the semiconductor wafer by bringing them into contact with each other, an adjusting unit provided in a test head for rotating the probe card in the circumferential direction to adjust the circumferential angle of the probe probe. A substrate provided with a socket which is held by the test head through the adjusting means and which transmits an electric signal of the test head; Provided, wafer prober, characterized in that freely is held removably the probe card with respect to the substrate by inserting the insertion pin provided on a probe card in the socket.
【請求項2】テストヘッドは、ウエハプローバに設けら
れた回動装置により、半導体ウエハを載置する載置台に
並行な軸のまわりに回転可能に設けられ、載置台上の半
導体ウエハに対向配置されることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のウエハプローバ。
2. A test head is rotatably provided around an axis parallel to a mounting table on which a semiconductor wafer is mounted by a rotating device provided on a wafer prober, and the test head is arranged to face the semiconductor wafer on the mounting table. The wafer prober according to claim 1, wherein:
JP63307616A 1988-12-05 1988-12-05 Wafer prober Expired - Lifetime JPH07111991B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63307616A JPH07111991B2 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Wafer prober

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63307616A JPH07111991B2 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Wafer prober

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02263451A JPH02263451A (en) 1990-10-26
JPH07111991B2 true JPH07111991B2 (en) 1995-11-29

Family

ID=17971176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63307616A Expired - Lifetime JPH07111991B2 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Wafer prober

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07111991B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2573534B2 (en) * 1991-11-13 1997-01-22 株式会社日本マイクロニクス Liquid crystal display panel inspection equipment

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58210631A (en) * 1982-05-31 1983-12-07 Toshiba Corp Ic tester utilizing electron beam
JPS612333A (en) * 1984-06-15 1986-01-08 Hitachi Ltd Inspection device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02263451A (en) 1990-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100187559B1 (en) Electrical characteristics measurement method and measurment apparatus therein
JP3219844B2 (en) Probe device
JP2978720B2 (en) Probe device
US5172053A (en) Prober apparatus
JPH0661318A (en) Semiconductor test device
JP3715160B2 (en) Probing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JPH03209737A (en) Probe equipment
JPS6362245A (en) Wafer prober
JPH08335614A (en) Probe system
JPH09330960A (en) Inspection device
JPH07111991B2 (en) Wafer prober
JP3201132B2 (en) Testing equipment for semiconductor chips
US5561386A (en) Chip tester with improvements in handling efficiency and measurement precision
JP2000097985A (en) Scanning tester for test location with tight space
JPH07122601A (en) Probe unit and maintenance jig therefor
JP3169900B2 (en) Prober
JPH09326426A (en) Apparatus and method for testing wafers
JP3115112B2 (en) Semiconductor inspection equipment
JP2655188B2 (en) Inspection device
JPH0362938A (en) Inspection apparatus
JPS63244855A (en) Wafer detection using probe device
JPH07199141A (en) Inspection method for liquid crystal substrate
JPS59147277A (en) Apparatus for measuring semiconductor integrated circuit
JPH03290940A (en) Wafer table of probing machine
JPH0758168A (en) Probing device