JPH07109038B2 - Etching processing device - Google Patents

Etching processing device

Info

Publication number
JPH07109038B2
JPH07109038B2 JP13815287A JP13815287A JPH07109038B2 JP H07109038 B2 JPH07109038 B2 JP H07109038B2 JP 13815287 A JP13815287 A JP 13815287A JP 13815287 A JP13815287 A JP 13815287A JP H07109038 B2 JPH07109038 B2 JP H07109038B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
end point
unit
signal
fog
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP13815287A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63303086A (en
Inventor
智幸 神田
宣之 小坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP13815287A priority Critical patent/JPH07109038B2/en
Publication of JPS63303086A publication Critical patent/JPS63303086A/en
Publication of JPH07109038B2 publication Critical patent/JPH07109038B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、エッチング処理装置に関するものであり、
特に、グロー放電プラズマが利用されるドライ・エッチ
ング処理装置において、エッチング処理の進行や終了を
的確にモニタすることのできるエッチング処理装置に関
するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an etching processing apparatus,
In particular, the present invention relates to an etching processing apparatus capable of accurately monitoring progress or completion of etching processing in a dry etching processing apparatus using glow discharge plasma.

[従来の技術] 近年の半導体集積回路の超微細化の進展に伴い、関連の
ある材料について高精度かつ超微細に加工することがで
きるように、いわゆるドライ・エッチング処理技術が開
発され、一部の生産現場においては実用化されてきてい
る。
[Prior Art] With the recent progress in ultra-miniaturization of semiconductor integrated circuits, so-called dry etching processing technology has been developed so that related materials can be processed with high precision and ultra-fineness. Has been put to practical use at the production site of.

ところで、このドライ・エッチング処理技術を適用する
ときには、プラズマ化させるために選択されたガスの純
度を完全に制御することが困難であること、エッチング
処理が施される材料の表面温度が変動しやすいものであ
ること等の理由のために、エッチング処理の速度にバラ
ツキがあるものである。このことから、一般的には、何
等かの手法により、エッチング処理の進行およびその終
了を検出するためのモニタをすることが必要であるもの
とされている。そして、このようなモニタをするための
手段としては、例えば、プラズマ化されたガスの発光ス
ペクトルの中の或る特定の波長部分における強度をモニ
タするための手段、或る特定の質量数のイオン検出強度
を対応の質量スペクトルに基づいてモニタするための手
段等が知られている。なお、このことについては、雑誌
「金属表面技術」Vol.30,No.5,1979,p.262において、A
l、Al基合金,Si,SiO2等についてドライ・エッチング処
理を施す際の説明がなされている。
By the way, when this dry etching technique is applied, it is difficult to completely control the purity of the gas selected for plasma generation, and the surface temperature of the material to be subjected to the etching tends to fluctuate. Due to the fact that the etching process is performed, the speed of the etching process varies. Therefore, it is generally necessary to monitor the progress and end of the etching process by some method. As means for performing such monitoring, for example, means for monitoring the intensity at a specific wavelength portion in the emission spectrum of the plasmatized gas, ions of a specific mass number, etc. Means for monitoring the detected intensity based on the corresponding mass spectrum are known. This is described in the magazine “Metal surface technology” Vol. 30, No. 5, 1979, p.
l, Al-based alloys, Si, SiO 2 and the like have been described for performing dry etching.

第2図は、従来のエッチング終点検出機能を有するエッ
チング処理装置を示すブロック図である。この第2図に
おいて、(1)は真空チャンバであって、或る所定の被
加工物に対して適当なエッチング処理が施されるもので
ある。(2)はエッチング制御部であって、エッチング
処理装置の動作を全体的に制御するためのものである。
(3)はウインドウ部であって、真空チャンバ(1)の
適所に設けられており、当該真空チャンバ(1)の内部
状態をモニタするためのものである。(4)は光電交換
部であって、エッチング処理の進行に対応するスペクト
ル光を電気信号に変換するためのものである。(5)は
エッチング終了検出部であって、光電変換部(4)から
の電気信号に基づいてエッチング処理の終点を検出する
ためのものである。
FIG. 2 is a block diagram showing a conventional etching processing apparatus having an etching end point detecting function. In FIG. 2, (1) is a vacuum chamber in which an appropriate etching process is performed on a predetermined workpiece. (2) is an etching control unit for controlling the overall operation of the etching processing apparatus.
A window portion (3) is provided at an appropriate position of the vacuum chamber (1) and is for monitoring the internal state of the vacuum chamber (1). (4) is a photoelectric exchange unit for converting the spectrum light corresponding to the progress of the etching process into an electric signal. Reference numeral (5) is an etching end detection unit for detecting the end point of the etching process based on the electric signal from the photoelectric conversion unit (4).

次に、上記従来例の動作について説明する。まず、真空
チャンバ(1)内に対象の被加工物が収容され、この被
加工物に対する所要のエッチング処理が開始される。そ
して、このエッチング処理の進行に対応して真空チャン
バ(1)内で生じたスペクトル光は、ウインドウ部
(3)を通して光電変換部(4)に加えられ、対応の電
気信号に変換されてからエッチング終点検出部(5)に
印加される。そして、エッチング終点検出部(5)から
の出力はエッチング制御部(2)に印加されて、エッチ
ング処理装置の全体的な制御がなされることになる。
Next, the operation of the above conventional example will be described. First, a target work piece is housed in the vacuum chamber (1), and a required etching process for the work piece is started. Then, the spectral light generated in the vacuum chamber (1) corresponding to the progress of the etching process is applied to the photoelectric conversion section (4) through the window section (3) and converted into a corresponding electric signal, and then the etching is performed. It is applied to the end point detector (5). Then, the output from the etching end point detection unit (5) is applied to the etching control unit (2), and the overall control of the etching processing apparatus is performed.

いま、前述されたエッチング処理の過程において、真空
チャンバ(1)内に何等かの生成物が生じて、ウインド
ウ部(3)に曇りが発生したものとする。この結果とし
て、真空チャンバ(1)内で生じているスペクトル光の
見掛けの強度が変化してしまい、対応して出力される電
気信号も変化して、エッチング終点の検出に誤りが生じ
てしまうことがある。このようなときには、前記エッチ
ング処理装置の操作者がウインドウ部(3)の状態を目
視でモニタすることにより或る程度の対処をすることが
できるけれども、ウインドウ部(3)に曇りが生じたこ
とによる終点検出の誤りを的確に補正することは不可能
である。また、前記ウインドウ部(3)の曇りの状態が
甚だしいときには、光電変換部(4)からの電気信号の
検出自体が不可能になってしまうこともある。
Now, it is assumed that some product is generated in the vacuum chamber (1) in the process of the above-described etching process and the window portion (3) is fogged. As a result, the apparent intensity of the spectrum light generated in the vacuum chamber (1) changes, and the electric signal output correspondingly also changes, resulting in an error in detecting the etching end point. There is. In such a case, although the operator of the etching apparatus can take some measures by visually monitoring the state of the window portion (3), the window portion (3) is fogged. It is impossible to accurately correct the error in detecting the end point due to. Further, when the window portion (3) is extremely cloudy, it may be impossible to detect the electric signal from the photoelectric conversion portion (4).

[発明が解決しようとする問題点] 従来のエッチング処理装置は、上記のように構成され、
動作されるものであることから、真空チャンバの内部状
態をモニタするためのウインドウ部の内面が、当該真空
チャンバ内で発生した生成物のために曇りを生じたとき
には、検出される電気信号のレベルが低下して、エッチ
ング処理のために必要な判断に誤りを生じたり、前記電
気信号の検出自体が不可能になったりするといった事態
が生じることになる。このことから、エッチング処理装
置を動作させている操作員自体の判断でエッチング処理
装置の動作を停止したり、当該エッチング処理装置に対
するメンテナンス作業としてウインドウ部の曇りの除去
をしたりすることが必要となり、担当の操作員による適
切な判断が必要とされること、エッチング処理装置の全
体的な実働効率が低下すること等のような問題点があっ
た。
[Problems to be Solved by the Invention] A conventional etching apparatus is configured as described above,
Since it is operated, the level of the electric signal detected when the inner surface of the window part for monitoring the internal state of the vacuum chamber becomes cloudy due to the products generated in the vacuum chamber. Therefore, a situation may occur in which the judgment necessary for the etching process becomes erroneous, or the detection of the electric signal itself becomes impossible. For this reason, it is necessary to stop the operation of the etching processing apparatus at the discretion of the operator who is operating the etching processing apparatus, or to remove the fog on the window as a maintenance work for the etching processing apparatus. However, there are problems such as the need for proper judgment by the operator in charge, the reduction in the overall working efficiency of the etching processing apparatus, and the like.

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであって、ウインドウ部の曇りの状態をモニタ
すること、および、この曇りの状態のモニタ結果に応じ
てエッチング処理の進行を補正することが可能であり、
また、当該ウインドウ部に多少の曇りが生じたとして
も、エッチング処理の進行および終了に関するモニタを
的確に行うことが可能であるようにされた、ウインドウ
部の曇り検出機能およびエッチング処理の進行の補正機
能を備えたエッチング終点検出装置を有するエッチング
処理装置を得ることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and monitors the fog condition of the window portion, and the progress of the etching process according to the result of monitoring the fog condition. Can be corrected,
Further, even if some fogging occurs in the window part, it is possible to accurately monitor the progress and end of the etching process. The function of detecting the fogging of the window part and the correction of the progress of the etching process are performed. An object is to obtain an etching processing apparatus having an etching end point detecting device having a function.

[問題点を解決するための手段] 真空チャンバ内での被加工物に対するエッチング処理時
に発生するプラズマ励起光のスペクトル強度を、該真空
チャンバに設けられたウインドウ部を通してモニタして
エッチング処理の終点を検出するようにされたエッチン
グ処理装置において、上記ウインドウ部の曇りが所定範
囲内にある正常光のスペクトル強度に対応する信号を基
準信号として予め記憶した正常光記憶部と、上記ウイン
ドウ部からの実際の信号と上記正常光記憶部からの基準
信号とを対比した結果に応じた曇りの程度を示す出力を
生成する曇りモニタ部と、この曇りモニタ部の出力に基
づいて上記ウインドウ部からの実際の信号を補正してエ
ッチング処理の終点を検出するエッチング終点検出部と
からなるエッチング終点検出装置を備えたことを特徴と
するものである。
[Means for Solving Problems] The spectral intensity of plasma excitation light generated during etching processing on a workpiece in a vacuum chamber is monitored through a window portion provided in the vacuum chamber to determine the end point of the etching processing. In the etching processing apparatus, which is adapted to detect, a normal light storage unit in which a signal corresponding to the spectral intensity of normal light in which the fog of the window is within a predetermined range is stored in advance as a reference signal, and an actual condition from the window And a reference signal from the normal light storage unit to produce an output indicating the degree of fogging according to the result of comparison, and an actual output from the window unit based on the output of the fog monitoring unit. Equipped with an etching end point detection device including an etching end point detection unit that corrects the signal and detects the end point of the etching process It is characterized by that.

[作用] この発明においては、付設されたエッチング終点検出装
置内の曇りモニタ部は、真空チャンバに設けられたウイ
ンドウ部からの実際の信号と前記エッチング終点検出装
置内の正常光記憶部からの基準の信号とを対比し、この
対比の結果に依存して前記エッチング終点検出装置内の
エッチング終点検出部に所要の補正指令信号を加えるよ
うにされる。
[Operation] In the present invention, the fogging monitor section in the attached etching end point detecting device is provided with the reference from the actual signal from the window part provided in the vacuum chamber and the normal light storage section in the etching end point detecting device. The signal of the above is compared, and a required correction command signal is applied to the etching end point detecting section in the etching end point detecting device depending on the result of the comparison.

[実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は、この発明の一実施例であるエッチング終点検出装
置が付設されたエッチング処理装置を示すブロック図で
ある。この第1図において、(1)は真空チャンバであ
って、或る所定の被加工物に対して適当なエッチング処
理が施されるものである。(2)はエッチング制御部で
あって、エッチング処理装置の動作を全体的に制御する
ためのものである。(3)はウインドウ部であって、真
空チャンバ(1)の適所に設けられており、当該真空チ
ャンバ(1)の内部状態をモニタするためのものであ
る。(4)は光電変換部であって、エッチング処理の進
行に対応するスペクトル光を電気信号に、すなわち、真
空チャンバ(1)内での被加工物に対するエッチング処
理時に発生するプラズマ励起光のスペクトル強度を電気
信号に変換するためのものである。(5)はエッチング
終点検出部であって、光電変換部(4)からの電気信号
について、後述される曇りモニタ部(7)からの出力信
号に基づいて上記ウインドウ部(3)からの実際の信号
を補正して、エッチング処理の終点を検出するためのも
のである。
[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First
FIG. 1 is a block diagram showing an etching processing apparatus provided with an etching end point detecting apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, (1) is a vacuum chamber in which an appropriate etching process is performed on a predetermined workpiece. (2) is an etching control unit for controlling the overall operation of the etching processing apparatus. A window portion (3) is provided at an appropriate position of the vacuum chamber (1) and is for monitoring the internal state of the vacuum chamber (1). Reference numeral (4) is a photoelectric conversion unit, and the spectral light corresponding to the progress of the etching process is converted into an electric signal, that is, the spectral intensity of the plasma excitation light generated during the etching process on the workpiece in the vacuum chamber (1). Is for converting into electric signals. Reference numeral (5) is an etching end point detection unit, which is an actual signal from the window unit (3) based on an output signal from a fog monitor unit (7) described later with respect to an electric signal from the photoelectric conversion unit (4). It is for correcting the signal and detecting the end point of the etching process.

(6)は正常光記憶部であって、ウインドウ部(3)の
曇りが或る所定の許容範囲内にあるときに光電変換部
(4)から出される電気信号を基準の信号として記憶し
ておくためのものである。(7)は曇りモニタ部であっ
て、光電変換部(4)からの実際の電気信号と正常光記
憶部(6)内の対応する記憶内容(即ち、基準の信号)
とを対比して、その結果に応じた曇りの程度を示す出力
を生成させるためのものである。ここに、エッチング終
点検出部(5)、正常光記憶部(6)および曇りモニタ
部(7)によってエッチング終点検出装置(8)が構成
されている。いま、上記された構成のエッチング処理装
置が所要の動作をしているときにウインドウ部(3)に
曇りが生じたものとする。そして、この曇りの程度が、
例えば、完全にクリアな状態に比べて60%程度になるよ
うなものであって、光電変換部(4)からエッチング終
点検出装置(8)側に加えられる電気信号のレベルが正
常時のレベルの40%程度も低下することがあっても、曇
りモニタ部(7)により光電変換部(4)からの実際の
電気信号と正常光記憶部(6)からの基準信号とを対比
した結果に応じ曇りの程度を示す出力を生成され、この
曇りモニタ部(7)の出力に基づいて上記光電変換部部
(4)からの実際の電気信号の補正がなされるように、
エッチング終点検出部(5)に対する補正がなされて、
エッチング処理の終点が的確に検出されるとともに、曇
りモニタ部(7)からエッチング制御部(2)に出力さ
れる信号に基づいて、前記ウインドウ部(3)の曇りの
程度を的確にモニタすることができる。
Reference numeral (6) is a normal light storage unit that stores an electric signal output from the photoelectric conversion unit (4) as a reference signal when the cloudiness of the window unit (3) is within a predetermined allowable range. It is for storing. (7) is a fog monitor section, which is an actual electric signal from the photoelectric conversion section (4) and corresponding stored contents in the normal light storage section (6) (ie, a reference signal).
For producing an output indicating the degree of fogging depending on the result. Here, an etching end point detecting device (8) is constituted by the etching end point detecting part (5), the normal light storage part (6) and the fog monitoring part (7). Now, it is assumed that the window portion (3) is fogged while the etching processing apparatus having the above-described configuration is performing a required operation. And the degree of this cloudiness
For example, it is about 60% compared to a completely clear state, and the level of the electric signal applied from the photoelectric conversion part (4) to the etching end point detection device (8) side is the level at the normal time. Depending on the result of comparing the actual electric signal from the photoelectric conversion unit (4) with the reference signal from the normal light storage unit (6) by the fogging monitor unit (7), it may decrease by as much as 40%. An output indicating the degree of fogging is generated, and the actual electric signal from the photoelectric conversion unit (4) is corrected based on the output of the fogging monitor unit (7).
The etching end point detector (5) is corrected,
The end point of the etching process is accurately detected, and the degree of fogging of the window section (3) is accurately monitored based on the signal output from the fogging monitor section (7) to the etching control section (2). You can

[発明の効果] 以上説明されたように、この発明に係るエッチング処理
装置は、真空チャンバ内での被加工物に対するエッチン
グ処理時に発生するプラズマ励起光のスペクトル強度
を、該真空チャンバに設けられたウインドウ部を通して
モニタしてエッチング処理の終点を検出するようにされ
たエッチング処置装置において、上記ウインドウ部の曇
りが所定範囲内にある正常光のスペクトル強度に対応す
る信号を基準信号として予め記憶した正常光記憶部と、
上記ウインドウ部からの実際の信号と上記正常光記憶部
からの基準信号とを対比した結果に応じた曇りの程度を
示す出力を生成する曇りモニタ部と、この曇りモニタ部
の出力に基づいて上記ウインドウ部からの実際の信号を
補正してエッチング処理の終点を検出するエッチング終
点検出部とからなるエッチング終点検出装置を備えたこ
とにより、ウインドウ部に曇りが生じたことによってエ
ッチング終点検出装置側への電気信号のレベル低下が生
起したとしても、エッチング処理の終点を検出すること
が不可能になることはなく、しかも、エッチング処理の
終点を的確に検出することができるものであるから、エ
ッチング処置装置の全体的な実働効率を大幅に向上させ
るという効果が奏せられるものである。
[Effects of the Invention] As described above, in the etching processing apparatus according to the present invention, the spectral intensity of the plasma excitation light generated during the etching processing of the workpiece in the vacuum chamber is provided in the vacuum chamber. In an etching treatment apparatus which is designed to detect the end point of etching processing by monitoring through a window portion, a signal corresponding to the spectral intensity of normal light in which the fog in the window portion is within a predetermined range is stored in advance as a reference signal. An optical storage unit,
A fog monitor unit that generates an output indicating the degree of fog according to the result of comparing the actual signal from the window unit with the reference signal from the normal light storage unit, and based on the output of the fog monitor unit, Equipped with an etching end point detection device that consists of an etching end point detection part that corrects the actual signal from the window part to detect the end point of the etching process. Even if the level of the electrical signal of the etching process is lowered, it is not impossible to detect the end point of the etching process, and the end point of the etching process can be accurately detected. This has the effect of significantly improving the overall working efficiency of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、この発明の一実施例であるエッチング処理装
置を示すブロック図、第2図は、従来例を示すブロック
図である。 (1)は真空チャンバ、(2)はエッチング制御部、
(3)はウインドウ部、(4)は光電変換部、(5)は
エッチング終点検出部、(6)は正常光記憶部、(7)
は曇りモニタ部、(8)はエッチング終点検出装置。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示すも
のである。
FIG. 1 is a block diagram showing an etching processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a conventional example. (1) is a vacuum chamber, (2) is an etching control unit,
(3) is a window part, (4) is a photoelectric conversion part, (5) is an etching end point detection part, (6) is a normal light storage part, (7)
Is a fogging monitor, and (8) is an etching end point detection device. In each drawing, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】真空チャンバ内での被加工物に対するエッ
チング処理時に発生するプラズマ励起光のスペクトル強
度を、該真空チャンバに設けられたウインドウ部を通し
てモニタしてエッチング処理の終点を検出するようにさ
れたエッチング処理装置において、上記ウインドウ部の
曇りが所定範囲内にある正常光のスペクトル強度に対応
する信号を基準信号として予め記憶した正常光記憶部
と、上記ウインドウ部からの実際の信号と上記正常光記
憶部からの基準信号とを対比した結果に応じた曇りの程
度を示す出力を生成する曇りモニタ部と、この曇りモニ
タ部の出力に基づいて上記ウインドウ部からの実際の信
号を補正してエッチング処理の終点を検出するエッチン
グ終点検出部とからなるエッチング終点検出装置を備え
たことを特徴とするエッチング処理装置。
1. The end point of the etching process is detected by monitoring the spectral intensity of the plasma excitation light generated during the etching process on the workpiece in the vacuum chamber through a window provided in the vacuum chamber. In the etching processing apparatus, a normal light storage unit that stores in advance a signal corresponding to the spectral intensity of normal light whose fog is within a predetermined range as a reference signal, an actual signal from the window unit, and the normal signal A fog monitor unit that generates an output indicating the degree of fog according to the result of comparison with the reference signal from the optical storage unit, and corrects the actual signal from the window unit based on the output of the fog monitor unit. An etching end point detection device including an etching end point detection unit that detects the end point of the etching process is provided. Etching processing apparatus.
JP13815287A 1987-06-03 1987-06-03 Etching processing device Expired - Lifetime JPH07109038B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13815287A JPH07109038B2 (en) 1987-06-03 1987-06-03 Etching processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13815287A JPH07109038B2 (en) 1987-06-03 1987-06-03 Etching processing device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63303086A JPS63303086A (en) 1988-12-09
JPH07109038B2 true JPH07109038B2 (en) 1995-11-22

Family

ID=15215232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13815287A Expired - Lifetime JPH07109038B2 (en) 1987-06-03 1987-06-03 Etching processing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07109038B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5118378A (en) * 1989-10-10 1992-06-02 Hitachi, Ltd. Apparatus for detecting an end point of etching
WO2004032177A2 (en) * 2002-09-30 2004-04-15 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for use of optical system with plasma proc essing system

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63303086A (en) 1988-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4289188A (en) Method and apparatus for monitoring etching
US6207008B1 (en) Dry etching endpoint detection system
US6297064B1 (en) End point detecting method for semiconductor plasma processing
US4936967A (en) Method of detecting an end point of plasma treatment
KR20020000102A (en) Method for measuring film thickness of workpiece using emission spectroscopy, and workpiece processing method using the same
JP2007234666A (en) Plasma treatment device
JP2002081917A (en) Film thickness measuring method and device for processed material by light emission spectroscopy, and processing method and device for processed material using the same
JP2007234859A (en) Plasma treating apparatus
JPH07109038B2 (en) Etching processing device
US20020162822A1 (en) Method for detecting end point in plasma etching by impedance change
JPS63312986A (en) Etching device
JP2001044171A (en) Method and apparatus for detecting etching end point
JPS5925227A (en) Device for plasma etching
JP3195695B2 (en) Plasma processing method
JPH0455329B2 (en)
JP3137810B2 (en) Microwave plasma discharge stop detection method, microwave plasma processing method, and microwave plasma processing apparatus
JP2656869B2 (en) End point detection method in dry etching
JP2972678B2 (en) Sputtering apparatus and leak detection method
JPS6393115A (en) End point criterion
JPS6223113A (en) Detection for end point
US7561258B2 (en) Wafer tilt detection apparatus and method
JPH06264239A (en) Reactive sputtering device
JPS62159431A (en) Method for determinating end point of etching
JP2002246320A (en) Plasma cleaning method for plasma processor
JP2001244252A (en) Method of judging end of etching and device therefor