JPH07104632B2 - Image recording system - Google Patents

Image recording system

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JPH07104632B2
JPH07104632B2 JP61141019A JP14101986A JPH07104632B2 JP H07104632 B2 JPH07104632 B2 JP H07104632B2 JP 61141019 A JP61141019 A JP 61141019A JP 14101986 A JP14101986 A JP 14101986A JP H07104632 B2 JPH07104632 B2 JP H07104632B2
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image
recording
film
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storage body
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善郎 宇田川
良 藤本
勉 豊野
修三 金子
達夫 竹内
文隆 簡
明彦 東條
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は原稿あるいは風景等の被写体による光学像を記
録する画像記録システムにかかわり、特に上記光学像を
軽量簡易に記録しさらにこれを電気信号として記録また
は出力する画像記録システムに関する。
The present invention relates to an image recording system for recording an optical image of an object such as a document or a landscape, and more particularly, to record the optical image in a lightweight and simple manner, and further to record it as an electric signal. The present invention relates to an image recording system for recording or outputting as.

〔従来技術〕[Prior art]

画像を記録する手段としては従来より電子写真により原
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録後液
式あるいは乾式のトナー(インク)により、顕画像と
し、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画
像をCCD(チヤージカツプリングデバイス)等を用いた
デジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信号
に変換して出力する方式等多種ある。
Conventionally, as a means for recording an image, an original is recorded by electrophotography as an electrostatic latent image on a copying medium through an optical system, and then a visualized image is formed by liquid or dry toner (ink), which is recorded on paper or the like. There are various methods such as a method of transferring to a medium or a method of reading an image by a digital photoelectric conversion element using a CCD (Charge Coupling Device) or the like and converting this to an electric signal for output.

〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが前者の電子写真によれば高密度の画像が多階調
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が大がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。とりわけ、カラー画像の顕画化に
際しては、潜像形成媒体を複数必要とするため特にこの
欠点が顕著であり、また、複数種のトナーを必要とする
ため、装置の保守やコスト等の点でも不利である。
[Problems to be Solved by the Invention] However, according to the former electrophotography, while a high-density image is clearly recorded in multiple gradations, usually, a toner is directly applied to a copy medium to make it visible. In order to obtain a recorded image of a desired size, the size of the apparatus becomes large, and the weight and size of the apparatus increase. In particular, when visualizing a color image, a plurality of latent image forming media are required, so this drawback is particularly remarkable. Further, since a plurality of types of toner are required, the maintenance and cost of the apparatus are also reduced. It is a disadvantage.

一方後者のCCD等のデジタル光電変換素子で画像を読み
取る場合、これが一次元的に配列した素子であれば原稿
をメカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に
形成すると高密度の画像を鮮明に読み取るために、相応
に素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招
く。さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有して
いなければならないなど難点があった。また、カラー画
像の読み取りにおいては、カラーフイルターをCCD表面
に分散配置しなければならず、素子の微細加工によるコ
スト高がさらに顕著である。
On the other hand, when reading an image with the latter digital photoelectric conversion element such as CCD, if this is a one-dimensionally arrayed element, the document is mechanically scanned, or if it is formed into a two-dimensional arrayed element, a high-density image becomes clear. In order to read, a large number of elements must be finely processed correspondingly, resulting in high cost. Further, when storing images, there is a problem that an external memory must be provided. Further, in reading a color image, the color filters have to be dispersedly arranged on the CCD surface, and the cost increase due to the fine processing of the device is more remarkable.

一方イメージオルシコンやビジコンに代表される真空管
方式により画像を電気信号に変換する場合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ(たとえばビデオテー
プ等)が必要である。したがって、携帯用の記録装置を
構成する場合において上記メモリ手段あるいは真空管駆
動用電源によりある程度の大きさが必要となるため、携
帯用として最適とは言えない。
On the other hand, when an image is converted into an electric signal by a vacuum tube system typified by an image orthicon or vidicon, it is possible to read an image at a very high speed and at a high density without fine processing.
Also, an external memory (for example, video tape or the like) for storing this is required. Therefore, when a portable recording device is constructed, the memory means or the power source for driving the vacuum tube requires a certain size, which is not optimal for portable use.

さらに一方銀塩写真は高密度記録が可能であり、またフ
イルムでの画像の保存が効くため、カメラ部および現像
を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため非
常に便利である反面フイルムを繰り返し使用できないこ
とや、現像において化学薬品を使用しなければならない
ために、この処理が煩雑になる欠点があった。
On the other hand, silver salt photographs are capable of high-density recording, and because image storage on the film is effective, the camera section and development are separated and independent, and it is very convenient because only the camera needs to be carried. This process has the drawback that it cannot be used repeatedly and that chemicals must be used in the development, making this process complicated.

本発明は上記欠点に鑑み、携帯に便利な装置により、高
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得る画像記録システ
ムを提供すること等を目的としている。
In view of the above-mentioned drawbacks, the present invention records an image using a medium that can be carried repeatedly and is capable of holding a high-density image, and outputs the held image as an electric signal. The purpose is to provide an image recording system that can be restored.

また、本発明は、高解像度のカラー画像を記録あるいは
保存し得る画像記録システムを提供することを他の目的
としている。
Another object of the present invention is to provide an image recording system capable of recording or storing a high resolution color image.

〔問題点を解決する為の手段〕[Means for solving problems]

このような問題点を解決する為に本発明では、光学像を
電気的画像情報に変換する光電変換部材をデイスク状の
ベース部材に対して薄膜形状として設け、前記光電変換
部材を回転させることにより光電変換部材の複数の異な
る部分に光学像を順次入射させると共に、前記光電変換
部材の各回転位置において半径方向に沿って複数の光学
像を入射させるよう構成した。
In order to solve such a problem, in the present invention, a photoelectric conversion member for converting an optical image into electrical image information is provided as a thin film shape on a disk-shaped base member, and the photoelectric conversion member is rotated. An optical image is sequentially incident on a plurality of different portions of the photoelectric conversion member, and a plurality of optical images are incident along the radial direction at each rotation position of the photoelectric conversion member.

〔作用〕[Action]

デイスク状のベース部材に光電変換部材を薄膜状に設
け、上記部材を回転させることにより複数の部分に光学
像を蓄積し、更に各回転位置においても半径方向に沿っ
て複数の画像を蓄積するようにしたので、限られた面積
の画像蓄積体を有効に用いて比較的コンパクトな構成で
多量の画像情報を蓄積でき、不要な帯電もなく、カラー
化も容易に実現できる。
A photoelectric conversion member is provided in the form of a thin film on a disk-shaped base member, and by rotating the member, optical images are accumulated in a plurality of portions, and further, a plurality of images are accumulated in the radial direction at each rotation position. Therefore, a large amount of image information can be stored with a relatively compact structure by effectively using an image storage body having a limited area, and unnecessary charging and colorization can be easily realized.

〔実施例〕〔Example〕

第1図および第2図は本発明の画像記録システムの代表
的構成例を示す図であり、第1図は上側透視図、第2図
は正面透視図である。
1 and 2 are diagrams showing a typical configuration example of the image recording system of the present invention. FIG. 1 is an upper perspective view, and FIG. 2 is a front perspective view.

本実施例の画像記録システムの基本構成は画像を電子的
に蓄積するフイルム状の画像蓄積体4、該画像蓄積体4
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部1、蓄積体4に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体4を電子ビームで走査する
画像読出部2および該読出部2を駆動するための外部電
源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に接続す
る入力端子、外部メモリ等に出力するための出力端子か
ら成るコネクタ部3等から成る。
The basic configuration of the image recording system of the present embodiment is a film-shaped image accumulating body 4 for electronically accumulating images, and the image accumulating body 4
An image recording unit 1 including an optical system exposure member for exposing a document image for recording an image on a document, and an image reading unit for scanning the image accumulation unit 4 with an electron beam for reading the image accumulated in the accumulation unit 4. 2 and an external power source for driving the reading unit 2, an input terminal connected to an external drive circuit for inputting a focusing deflection signal, a connector unit 3 including an output terminal for outputting to an external memory or the like.

さらに詳述すると、記録部1内には光学系11、絞りシヤ
ツタ等を含む露出部材EMが内蔵されており、光学系11に
よる光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構成され
ている。
More specifically, the recording unit 1 includes an optical system 11 and an exposure member EM including a diaphragm shutter, etc., and is configured to control the amount and time of passage of an optical image by the optical system 11.

102は保持容器であって画像蓄積体4が巻取り軸41,42に
巻付けられた状態で張設されている。この巻取り軸41,4
2の一端にはローターマグネツト501,502が固設されてお
り、上記軸41,42はステージ101の不図示の軸受けにより
マグネツト501,502と共に回転可能に取り付けられてい
る。
Reference numeral 102 denotes a holding container in which the image storage body 4 is stretched around the winding shafts 41 and 42. This winding shaft 41,4
Rotor magnets 501 and 502 are fixed to one end of the shaft 2, and the shafts 41 and 42 are rotatably attached together with the magnets 501 and 502 by bearings (not shown) of the stage 101.

また、第1図ではステージ101は省略されているが、こ
のステージ101上にビーム走査部21が固定されている。
このビーム走査部は電界または磁界を形成し、しかもこ
れを変化させることにより電子銃23から射出される電子
ビームを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子ビームで
走査する。
Although the stage 101 is omitted in FIG. 1, the beam scanning unit 21 is fixed on the stage 101.
The beam scanning unit forms an electric field or a magnetic field, and by changing the electric field, the electron beam emitted from the electron gun 23 is deflected to scan a predetermined screen of the storage body with the electron beam.

23は電子銃で該電子銃から射出されたビームはビーム走
査部21により集束偏向された後メツシユ電極200を介し
て蓄積体4に照射され、この蓄積体から放出される2次
電子をメツシユ電極200で検出するよう構成されてい
る。メツシユ電極200からは不図示のリード線が保持容
器102内の壁面を伝わりコネクタ3の出力端子に接続さ
れているものである。
Reference numeral 23 denotes an electron gun. The beam emitted from the electron gun is focused and deflected by the beam scanning unit 21 and then irradiated on the storage body 4 through the mesh electrode 200, and secondary electrons emitted from this storage body are used as mesh electrodes. It is configured to detect at 200. A lead wire (not shown) is transmitted from the mesh electrode 200 through the wall surface of the holding container 102 and is connected to the output terminal of the connector 3.

また、このメツシユ電極には上記リード線を介して所定
の正のバイアス電圧を印加することが好ましい。
Further, it is preferable to apply a predetermined positive bias voltage to the mesh electrode via the lead wire.

以上の巻取り軸41,42、マグネツト501,502、ステージ10
1、ビーム走査部21、電子銃23等は保持容器102内に収容
されており、容器102内は真空に保たれている。
The above winding shafts 41, 42, magnets 501, 502, stage 10
1, the beam scanning unit 21, the electron gun 23 and the like are housed in a holding container 102, and the inside of the container 102 is kept in a vacuum.

電子銃23、ビーム走査部21の電源端子、信号入力端子、
出力端子はコネクタ3に設けられており、このコネクタ
3はカメラ100外に露出可能になっており、通常は蓋201
により覆われている。202は記録再生装置204からケーブ
ル203を介してカメラ100に対して電源ビーム集束偏向信
号を供給すると共に、カメラ100から出力される画像信
号を入力する為のコネクタで、このコネクタ202とコネ
クタ203は蓋201を開いた状態で接続可能となる。207は
外部電源入力端子でコネクタ3に設けられており、この
コネクタ3にコネクタ202を接続したとき記録再生装置2
04からの電源がこの端子207にも供給されるよう構成さ
れている。この端子はスイツチ205の一端に接続されて
いる。スイツチ205のもう一端にはバツテリーパツク5
からの内部電源が接続されており、この2種類の電源は
選択的にコイル503及び504やその他の電気回路をドライ
ブする為のドライブ回路208に供給される。また、206は
システムコントローラであり、シヤツタスイツチ13、蓋
201の開閉信号等が入力されており、蓋201が開くとスイ
ツチ205を端子207側に接続する。また、蓋201が閉じて
いるとバツテリーパツク5側に接続するよう切換える。
The electron gun 23, the power supply terminal of the beam scanning unit 21, the signal input terminal,
The output terminal is provided on the connector 3, and this connector 3 can be exposed to the outside of the camera 100.
Are covered by. Reference numeral 202 denotes a connector for supplying a power beam focusing / deflecting signal from the recording / reproducing apparatus 204 to the camera 100 via the cable 203, and for inputting an image signal output from the camera 100. The connector 202 and the connector 203 are Connection is possible with the lid 201 open. An external power input terminal 207 is provided on the connector 3, and when the connector 202 is connected to the connector 3, the recording / reproducing device 2
The power from 04 is also supplied to this terminal 207. This terminal is connected to one end of the switch 205. At the other end of switch 205 is a battery pack 5.
Is connected to the internal power source, and these two types of power sources are selectively supplied to the drive circuit 208 for driving the coils 503 and 504 and other electric circuits. Further, 206 is a system controller, which includes a shutter switch 13, a lid.
An open / close signal of 201 is input, and when the lid 201 is opened, the switch 205 is connected to the terminal 207 side. If the lid 201 is closed, the battery pack is switched to the battery pack 5 side.

尚、210,211は発光ダイオード(LED)で蓄積体4に対し
後述する如く光を照射する為のものである。14はフアイ
ンダである。
Reference numerals 210 and 211 are light emitting diodes (LEDs) for irradiating the storage body 4 with light as described later. 14 is a finder.

このように構成されているのでカメラ100による画像記
録時はカメラ内のバツテリーパツクによりドライブ回路
208に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体4の間
欠的移動が行なわれ1画面ずつ蓄積体に光学像を潜像と
して記録することができる。
With this configuration, when the image is recorded by the camera 100, the drive circuit is set by the battery pack inside the camera.
Electric power is supplied to 208, and the accumulator 4 is intermittently moved at a predetermined timing to record an optical image as a latent image on the accumulator one screen at a time.

また、読み出し時にはカメラ100のコネクタ3に記録再
生装置204のコネクタ202を接続すると、これに先立つ蓋
201の開成に伴って電源ラインがスイツチ205により切換
わり、記録再生装置204からの電源の供給が可能とな
る。
When the connector 202 of the recording / reproducing apparatus 204 is connected to the connector 3 of the camera 100 at the time of reading, the lid prior to this is connected.
With the opening of 201, the power supply line is switched by the switch 205, and the recording / reproducing device 204 can supply power.

従ってカメラ携帯時は電源がコンパクトとなるのでカメ
ラを小型化できる。
Therefore, when the camera is carried, the power source becomes compact and the camera can be miniaturized.

また、コネクタ3とコネクタ202の接続動作に関連して
内部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積体か
ら読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗すること
がない。
Further, since the internal power source and the external power source are switched in connection with the connection operation of the connector 3 and the connector 202, the limited power source in the camera is not consumed when reading an image from the storage body.

また、実施例では画像蓄積体4を真空室内に封入すると
共にこれを外部より移動可能としているので高解像度の
画像情報を多量に蓄積することができる。
Further, in the embodiment, since the image storage body 4 is enclosed in the vacuum chamber and can be moved from the outside, a large amount of high resolution image information can be stored.

しかも読み取りもワンタツチででき従来の様に特別な大
型の読み出し装置を必要としない。
Moreover, reading can be done in one touch, and a special large-scale reading device unlike the conventional case is not required.

また、蓄積体4を移動させる為の駆動軸を真空の保持容
器外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モータ
ーを保持容器内に封入する場合に較べて真空度を保ち易
い。
Further, since the drive shaft for moving the accumulating member 4 can be driven by the electromagnetic force from outside the vacuum holding container, the degree of vacuum can be maintained more easily than when the motor is enclosed in the holding container.

尚、本発明において画像蓄積体4に記録するものは電子
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ツプの分布による潜像で良い。
In the present invention, what is recorded in the image storage body 4 may be an electronic latent image pattern, for example, an electrostatic latent image or a latent image based on an electronic trap distribution.

上記の様な潜像パターンを電子ビームで走査すると、潜
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これにより上記潜像を電気信号に変換して
読出すことができる。尚、蓄積体4をテープ状とせずガ
ラスを基板とする回転デイスクの上にこの蓄積体を設け
ても良い。こうすれば蓄積体の平面性を安定に出すこと
ができる。
When the latent image pattern as described above is scanned with an electron beam, the contrast of the image recorded in the accumulator is detected depending on the amount of secondary electrons emitted from the image carrier corresponding to the latent image. Thus, the latent image can be converted into an electric signal and read. The accumulator 4 may be provided on a rotating disk having a glass substrate instead of the accumulator 4. By doing so, the planarity of the storage body can be stably obtained.

尚、上記実施例ではメツシユ電極で2次電子を検出した
が後述の如く電子ビームの反射による戻りビームを検出
するようにしても良い。
Incidentally, in the above-mentioned embodiment, the secondary electron is detected by the mesh electrode, but the return beam due to the reflection of the electron beam may be detected as described later.

以下、本発明画像記録装置各部について順次詳細説明す
る。
Hereinafter, each part of the image recording apparatus of the present invention will be sequentially described in detail.

先ず本実施例の画像蓄積体と画像記録方法について詳述
する。
First, the image storage body and the image recording method of this embodiment will be described in detail.

第3図は第1,2図実施例に用いる画像蓄積体4の縦断面
図であって、全体はフイルム形状をなしており、56の透
明な基体フイルム上にバリア層50、透明導電層51、N型
光導電体層52、透明絶縁層53、半導電層55を積層したも
のである。以下各層について述べると、基体56は、十分
な屈曲性と透光性があり、かつフイルムローデイング時
の張力によって切断することない材質からなる。たとえ
ばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の高分子
フイルムが好ましい。また、上記特性を満足させる為フ
イルムの厚みは、ポリエチレンテレフタレートの場合10
〜50μmが望ましく、ポリイミドフイルムでは5〜50μ
mが望ましい。透明導電層51は、酸化スズあるいは酸化
インジウムまたはこれに若干の酸化スズを含むものが用
いられる。この層は公知のスパツタ等の方法により成膜
されたものであり、透光性及び十分な導電性が得られる
厚みで数10〜数100nmが望ましい。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of the image storage body 4 used in the embodiment of FIGS. 1 and 2, which has a film shape as a whole, and a barrier layer 50 and a transparent conductive layer 51 on a transparent substrate film 56. , An N-type photoconductor layer 52, a transparent insulating layer 53, and a semiconductive layer 55 are laminated. The layers 56 will be described below. The substrate 56 is made of a material that has sufficient flexibility and translucency and is not cut by the tension during film loading. For example, polymer films such as polyethylene terephthalate and polyimide are preferable. In order to satisfy the above characteristics, the film thickness is 10% for polyethylene terephthalate.
~ 50μm is desirable, 5 ~ 50μm for polyimide film
m is desirable. As the transparent conductive layer 51, tin oxide, indium oxide, or a material containing a small amount of tin oxide is used. This layer is formed by a known method such as sputtering, and preferably has a thickness of several tens to several hundreds nm in terms of a thickness capable of obtaining translucency and sufficient conductivity.

N型光導電体層52は、CdS,CdSe,ZnO等のNタイプの光導
電体を蒸着あるいはスパツタによって形成したものであ
って光の受容により十分な電子・正孔ペアを発生し、か
つ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡散が無視できる
程度の厚さに成膜されている。例えば100nm〜数μmの
範囲が望ましい。次に絶縁層53は、SiO2,Mgo等の高絶縁
性の薄膜で、スパツタ等の方法により成膜される。膜の
厚みは十分な絶縁性を持たせる為に、数百nm〜数10μm
が望ましい。次に、半導電性膜55は、ビームから導電層
を保護する為にガラス等の膜あるいは、KCl(塩化カリ
ウム)等の多孔質膜で壁面方向の抵抗が膜厚方向よりも
高く十分な絶縁性を示すのもあり、膜の厚さが記録画像
の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、たとえば1000本
/mmの解像度の画像とする為に膜厚を数100pm〜数百nmに
することが望ましい。また、光導電層52と透明導電層51
の間に設けたバリア層50は暗減衰並びに暗部における負
電荷の注入を防止する為の層でありCdSO3,CdSeO3等をス
パツタにより成膜したものである。この膜厚は2〜数10
nmが望ましい。
The N-type photoconductor layer 52 is formed by vapor-depositing or sputtering an N-type photoconductor such as CdS, CdSe, ZnO, etc., and generates sufficient electron-hole pairs by receiving light, and has a dark portion. Is ensured, and the film is formed to a thickness such that the internal diffusion of light can be ignored. For example, the range of 100 nm to several μm is desirable. Next, the insulating layer 53 is a highly insulating thin film such as SiO 2 or Mgo, and is formed by a method such as sputtering. The thickness of the film is several hundred nm to several tens of μm in order to provide sufficient insulation.
Is desirable. Next, the semiconductive film 55 is a film such as glass or a porous film such as KCl (potassium chloride) for protecting the conductive layer from the beam, and the resistance in the wall surface direction is higher than that in the film thickness direction and sufficient insulation is achieved. In some cases, the film thickness is sufficiently thinner than the resolution width of the recorded image, for example 1000
In order to obtain an image with a resolution of / mm, it is desirable to set the film thickness to several 100 pm to several hundred nm. In addition, the photoconductive layer 52 and the transparent conductive layer 51
The barrier layer 50 provided between the layers is a layer for preventing dark attenuation and injection of negative charges in the dark part, and is formed by depositing CdSO 3 , CdSeO 3 or the like by a spatter. This film thickness is 2 to several 10
nm is preferred.

次に上記画像蓄積体への光記録について第4図(a)〜
(c)を用いて述べる。
Next, FIG. 4 (a)-
This will be described using (c).

暗所において透明導電層51をアースまたは負として半導
電層55に例えば導電性ブラシまたはロール57,57′等を
用いて正電荷を第4図(a)のように付与する。この付
与された正電荷はただちに半導電層55を通して注入され
る。次に第1図の露出部材EMが開き画像露光が行なわ
れ、光Lの当った部分は光導電層52の抵抗が下がり透明
導電層51から負電荷がバリア層を抜け光導電層52へ注入
され第4図(b)の状態となる。次に露出部材EMが閉じ
た後透明導電層51をアースに落とし、このアースと短絡
された導電性ブラシまたはロール59,59′にて半導電層5
5を通して暗部の正電荷と透明導電層51の負電荷を短絡
して消去するとともに、明部の表面電位が0になるよう
に第4図(c)の如く正電荷を、半導電層55と透明導電
層51へ分布させる。次に透明導電層51をアースとしてお
き、画像蓄積体4を前述のLED210,211で全面露光する
と、光導電層52の電気抵抗が下がり、この層の両端の正
負電荷が消去され、絶縁層53をはさむ電荷のみが第4図
(d)の如く残ることとなり、表面を正電位とする記録
が行われる。
In a dark place, the transparent conductive layer 51 is grounded or negative, and a positive charge is applied to the semiconductive layer 55 by using, for example, a conductive brush or rolls 57 and 57 'as shown in FIG. 4 (a). This imparted positive charge is immediately injected through the semiconductive layer 55. Next, the exposure member EM of FIG. 1 is opened and image exposure is performed, and the resistance of the photoconductive layer 52 decreases at the portion exposed to the light L and negative charges from the transparent conductive layer 51 pass through the barrier layer and are injected into the photoconductive layer 52. Then, the state shown in FIG. 4 (b) is obtained. Next, after the exposed member EM is closed, the transparent conductive layer 51 is dropped to the ground, and the conductive brush or roll 59, 59 'shorted to this ground is used to make the semiconductive layer 5
The positive charge in the dark part and the negative charge in the transparent conductive layer 51 are short-circuited and erased through 5, and the positive charge is applied to the semi-conductive layer 55 as shown in FIG. It is distributed to the transparent conductive layer 51. Next, when the transparent conductive layer 51 is set as ground and the image storage body 4 is entirely exposed by the above-mentioned LEDs 210 and 211, the electric resistance of the photoconductive layer 52 is lowered, and the positive and negative charges on both ends of this layer are erased, and the insulating layer 53 is formed. As shown in FIG. 4 (d), only the electric charges sandwiching the mark are left, and recording is performed with the surface at a positive potential.

前記、画像蓄積体と、記録方法によれば、画像蓄積体を
スパツター法を用いて一括作成する為、蓄積体を非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体(光導電
体)を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成でき
る。さらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に
比べ10倍以上引き上げられることになった。
According to the image accumulation body and the recording method, since the image accumulation body is collectively formed by using the sputter method, it is possible to form the accumulation body very uniformly, and unevenness occurs in the accumulated image. Factors have decreased. Further, since a thin-layered photoconductor (photoconductor) is used, the light absorption rate is high and high sensitivity can be achieved. Further, the thinning of the photoconductor can increase the image resolution by 10 times or more as compared with the conventional one.

第5図および第6図は上記記録方法を適用した実施例の
構成における記録部1の詳細を示しこの動作1例につい
て第1図、第2図を用いて述べる。
FIGS. 5 and 6 show details of the recording unit 1 in the configuration of the embodiment to which the above-mentioned recording method is applied, and an example of this operation will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

被写体を決め、第2図におけるシヤツタスイツチ13をハ
ーフスイツチングの状態にすることにより第5図、第6
図における帯電ブラシローラ57と接地ブラシ57′との間
で電圧印加するとともに駆動コイル503,504を作動しフ
イルムを図示矢印60方向に送る。
By determining the subject and setting the shutter switch 13 in FIG.
A voltage is applied between the charging brush roller 57 and the ground brush 57 'in the figure, and the drive coils 503 and 504 are operated to feed the film in the direction of arrow 60 in the figure.

これにより、まず画像蓄積体4上を一様に帯電する。As a result, first, the image storage body 4 is uniformly charged.

次にシヤツタスイツチ13をフルスイツチングの状態にす
ることにより露出部材EMを作動し、光学系11を通して画
像蓄積体4を必要光量露光し、第4図(b)の状態で画
像を記録する。
Next, the exposure switch EM is operated by setting the shutter switch 13 to the full switching state, exposing the image accumulator 4 through the optical system 11 in the required amount of light, and recording the image in the state of FIG. 4 (b).

次にシヤツタスイツチ13を解除すると、再度駆動コイル
503,504が作動し、フイルムを矢示60方向に1画面分移
動するとともに接地ブラシ59,59′により全面除電を行
ない第4図(c)の状態で画像が保持蓄積状態となる。
この後矢示60と反対方向にフイルムを1画面分戻すこと
により、次画面の画像記録の上記一様帯電のプロセスに
都合の良い位置に保持する。
Next, when the shutter switch 13 is released, the drive coil
503 and 504 are actuated, the film is moved in the direction of the arrow 60 by one screen, and the entire surface is discharged by the ground brushes 59 and 59 ', and the image is held and accumulated in the state of FIG.
After that, the film is returned by one screen in the direction opposite to the direction indicated by the arrow 60, so that the film is held at a position convenient for the above uniform charging process of image recording of the next screen.

尚第1図、第5図において保持容器102はガラス等によ
り形成するが該保持容器102は少なくとも画像記録部1
においては充分に透明でありしかも画像露光の光路とな
る部分においては像光にひずみ干渉等の悪影響を及ぼさ
ない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行であること
が望ましい。
1 and 5, the holding container 102 is formed of glass or the like, but the holding container 102 is at least the image recording unit 1.
In (1), it is desirable that it is sufficiently transparent, and that it is a flat surface that does not adversely affect the image light, such as distortion interference, in the portion that becomes the optical path for image exposure, and that it is parallel to the image storage body surface.

または上記保持容器102の光路部分を直接レンズとして
加工することも可能である。
Alternatively, the optical path portion of the holding container 102 can be directly processed as a lens.

尚、第5図、第6図においてブラシローラ57,57′,59,5
9′は前記した電圧印加を行なうとともに画像蓄積体4
に対し軽いテンシヨンをかけるように為されており、画
像露光あるいは後述の電子ビーム走査に対して常に一定
角、好ましくは光路の軸に対して直角に保つようにす
る。このようにすることで画像記録、読出しに対しての
解像度が良好に保てる。
The brush rollers 57, 57 ', 59, 5 in FIGS.
9'is the above-mentioned voltage application and the image storage 4
However, a light tension is applied to it, and it is always maintained at a constant angle with respect to image exposure or electron beam scanning described later, preferably at a right angle to the axis of the optical path. By doing so, the resolution for image recording and reading can be kept good.

尚、このように蓄積体4に対する帯電、除電の為のロー
ラまたはブラシを蓄積体4の記録部1の平面性を出す為
のテンションローラと兼用することにより、構成を簡略
化することができる。
In this way, by using the roller or brush for charging and discharging the accumulator 4 as the tension roller for providing the flatness of the recording unit 1 of the accumulator 4, the structure can be simplified.

また、第6図(a)のように帯電または除電の為のロー
ラまたはブラシの内の接地された一方のローラまたはブ
ラシを有効画面EF(電子ビームによる走査画面範囲)の
外側、かつフイルム状蓄積体4の巾方向の端部に設け、
また、これに対応してフイルム状の蓄積体4の層の構造
を第6図(b)の如くしたので構成がより簡略化される
効果を有する。
Further, as shown in FIG. 6 (a), one of the rollers or brushes for charging or discharging, which is grounded, is connected to the outside of the effective screen EF (scanning screen range by electron beam) and film-like accumulation. Provided at the widthwise end of the body 4,
Correspondingly, the structure of the layer of the film-shaped accumulating member 4 is as shown in FIG. 6 (b), so that the structure is further simplified.

尚、ここで前記画像蓄積体4での記録画像の保持は前記
第4図(c)のプロセス終了状態での保存が望ましい。
前記第4図(c)に示す様に画像蓄積体4の表面を外部
に電界が生じない(接地)電位にしておくことで、画像
蓄積体4をフイルムにして保存する為に巻取るとき、他
の重なりあった画像と互いに影響を及ぼさず、良好な画
像の保持がなされるからである。特に後述するように、
基体56および導電層51を合わせた導電基体を使用する場
合にはこの良好な保持効果が大きい。
Here, it is desirable to retain the recorded image in the image accumulating body 4 in the process end state of FIG. 4 (c).
As shown in FIG. 4 (c), when the surface of the image accumulating body 4 is kept at a potential (ground) at which no electric field is generated outside, the image accumulating body 4 is made into a film and wound for storage. This is because it does not affect each other and the overlapped images, and good images are retained. As we will see later,
This good holding effect is great when a conductive substrate including the substrate 56 and the conductive layer 51 is used.

もちろん第4図(d)に示す状態での保持も可能であ
る。
Of course, the holding in the state shown in FIG. 4 (d) is also possible.

上記においては、画像蓄積体表面を一様帯電させて画像
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。
In the above description, the example in which the image is formed by uniformly charging the surface of the image accumulating member has been described, but it goes without saying that other recording methods may be used.

また、以上述べて来た画像蓄積体4の記録方法におい
て、該蓄積体4の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用
いていたが、別途手段として本発明の画像記録システム
に内蔵する電子銃23を用いることもできる。この場合の
帯電方法を第3図を用いて述べる。
Further, in the recording method of the image accumulating body 4 described above, the conductive brush and the roll are used for removing and charging the accumulating body 4, but an electron gun incorporated in the image recording system of the present invention as a separate means. 23 can also be used. The charging method in this case will be described with reference to FIG.

電子銃23を用いた場合は、導電層51を背面電極とするこ
とになり加速電圧により画像蓄積体4の半導電層55に付
与される電荷の極性が変化する。すなわち帯電時に画像
蓄積体4付近にあらかじめコレクタ電極を設けるか、ま
たは除帯電時のみコレクタ電極を設け、この電極の電圧
を十分高くすると共に、電子ビームを低速電子ビームと
すれば、初期に該半導電膜55の表面が0Vとすると、ある
電圧VA以下の加速電圧迄は電子銃から半導電層55に向う
1次電子の量が、衝突によって発生する2次電子の量よ
りも多いため、半導電層を負に帯電することとなる。ま
た、加速電圧がVAの場合、1次電子と2次電子の量がほ
ぼ拮抗しており、該半導電層の表面は0Vの状態となる。
さらに加速電圧を上でVAより大きくなると、入力1次電
子よりも2次電子の方が多く放出するため、該半導電層
の表面は正に帯電することになる。このVAの値は材料に
よって異なるが該半導電層の下部が絶縁層53からなるた
め約20〜50Vの値である。また、上記方法はあくまでも
コレクタ電圧が正で十分高いことにより2次電子がほと
んど捕集される為に可能な方法である。
When the electron gun 23 is used, the conductive layer 51 is used as the back electrode, and the polarity of the charge applied to the semiconductive layer 55 of the image storage body 4 changes due to the acceleration voltage. That is, if a collector electrode is provided in the vicinity of the image storage body 4 at the time of charging, or a collector electrode is provided only at the time of decharging, and the voltage of this electrode is made sufficiently high and the electron beam is a low-speed electron beam, the If the surface of the conductive film 55 is 0 V, the amount of primary electrons from the electron gun toward the semi-conductive layer 55 is larger than the amount of secondary electrons generated by collision until the acceleration voltage of a certain voltage V A or less. The semiconductive layer will be negatively charged. When the accelerating voltage is V A , the amounts of primary electrons and secondary electrons are almost equal to each other, and the surface of the semiconductive layer becomes 0V.
Further, when the accelerating voltage is higher than V A above, more secondary electrons are emitted than the input primary electrons, so that the surface of the semiconductive layer is positively charged. Although the value of V A varies depending on the material, it is about 20 to 50 V because the lower part of the semiconductive layer is composed of the insulating layer 53. In addition, the above method is possible only because the collector voltage is positive and is sufficiently high and most of the secondary electrons are collected.

また、画像蓄積体4への帯電が負である場合は、前述の
如く電子銃を用いるだけでなく内部にタンスグテンフイ
ラメントを別途に設置し、このフイラメントからの熱電
子放出を利用することも可能である。
Further, when the image storage body 4 is negatively charged, not only the electron gun is used as described above, but also a Tungsten filament is separately installed inside and the thermoelectron emission from this filament can be used. It is possible.

上記帯電方法において、帯電電位をコントロールするに
は、2次電子放出が1次電子注入を上まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略0Vとして、これを
+VCボルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の陰極
に−(VA+α)の電圧を印加し、さらにコレクタ電極に
所望の帯電電圧+VCを印加しておく、さらに該画像蓄積
体の導電層51をアースに落しておく。このように電圧を
設定することにより、該画像蓄積体上の半導電層55に1
次電子ビームが入射すると上記設定では2次電子放出が
1次電子入力よりも多く、かつ、放出した2次電子がコ
レクター電極に全て取り込まれる為、半導電層は徐々に
正帯電されて行く。帯電が進み表面電位がコレクター電
位を越えると2次電子はコレクター電極へ移動できなく
なり、半導電層に戻り、一次電子の入力分だけ電位が下
がり一定の表面電位VCが保たれることとなる。
In the above charging method, the charging potential can be controlled by controlling the collector voltage in the region where the secondary electron emission exceeds the primary electron injection. When the surface potential of the semiconductive layer of the image storage body is set to approximately 0 V and charged to + V C volt, a voltage of − (V A + α) is applied to the cathode of the acceleration voltage on the electron gun side, and further the collector electrode A desired charging voltage + V C is applied to, and the conductive layer 51 of the image storage body is grounded. By setting the voltage in this way, the semiconductive layer 55 on the image storage member is
When the secondary electron beam is incident, in the above setting, the secondary electron emission is larger than the primary electron input, and the emitted secondary electrons are all taken into the collector electrode, so that the semiconductive layer is gradually positively charged. When the charge advances and the surface potential exceeds the collector potential, secondary electrons cannot move to the collector electrode, return to the semiconductive layer, and the potential decreases by the amount of primary electron input, and the constant surface potential V C is maintained. .

次に、半導電層55を負に帯電する場合について述べる。
この場合帯電電位を−VCボルトとすると、陰極電位は−
(VA+VC+α)ボルトに設定する。但し、半導電層55の
表面電位は概略0Vであるとする。この場合、放出される
2次電子は全て半導電層に戻る為1次電子の入力分だけ
半導電層は負に帯電していく。そして−VCボルトよりも
低い電位になると、コレクター電極の電位が半導電層の
表面電位に対し相対的に正になる為、2次電子が捕集さ
れ、正に半導電層が帯電されることとなる。よって−VC
ボルトに安定帯電される。
Next, a case where the semiconductive layer 55 is negatively charged will be described.
In this case, if the charging potential is -V C volt, the cathode potential is-
Set to (V A + V C + α) volts. However, the surface potential of the semiconductive layer 55 is assumed to be approximately 0V. In this case, since all the emitted secondary electrons return to the semiconductive layer, the semiconductive layer is negatively charged by the input of the primary electrons. When the potential becomes lower than −V C volt, the potential of the collector electrode becomes positive relative to the surface potential of the semiconductive layer, so secondary electrons are collected and the semiconductive layer is positively charged. It will be. Therefore −V C
It is stably charged by the bolt.

以上のように電子銃を用いて帯電を行なうと、ブラシ、
ロール等に比べより均一な帯電が可能になると共に、帯
電時間も短く、また帯電位の制御も容易になる。
When charging is performed using the electron gun as described above, a brush,
As compared with a roll or the like, more uniform charging is possible, the charging time is shorter, and the control of the charging position is easier.

次に除電方法について述べる。上述したようにコレクタ
ー電極の電位によって帯電が制御できることから、コレ
クター電位を0Vに設定すれば除電は可能となる。また、
半導電層が正に帯電している場合のみコレクター電位を
十分高くして放出2次電子が全て捕集されるようにし、
半導電層の帯電電位を+VSとし、陰極の電位をVKとする
と(VS−VK)<VAとなる条件で電子ビームの照射を行な
いVSを徐々に0Vに近づけることにより除電することも可
能である。但しVS<VAの場合はVK=0として十分な除電
が可能である。当然上記除電において導電層51はアース
に落されている。
Next, the static elimination method will be described. As described above, since the charging can be controlled by the potential of the collector electrode, if the collector potential is set to 0V, the charge can be removed. Also,
Only when the semiconductive layer is positively charged, the collector potential is made sufficiently high so that all the emitted secondary electrons are collected,
If the charged potential of the semi-conductive layer is + V S and the potential of the cathode is V K , electron beam irradiation is performed under the condition that (V S −V K ) <V A, and V S is gradually approached to 0 V to eliminate the charge. It is also possible to do so. However, when V S <V A , sufficient static elimination is possible with V K = 0. Naturally, the conductive layer 51 is grounded in the above static elimination.

このように本実施例の除帯電方法によればブラシ、ロー
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる、他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果のメカニカルな手段を使
わずに除帯電できるので構成が簡単となる。
As described above, according to the decharging method of the present embodiment, more uniform decharging is possible as compared with a brush, a roll, etc., and decharging is performed without using any mechanical means such as variably controlling the charging potential. The structure is simple because it can be charged.

除帯電時の電流が少なく低電圧で行うことが可能な為電
源が小型になるなどの効果も有る。
There is also an effect that the power source becomes small because the current for destaticizing is small and it can be performed at a low voltage.

尚、画像蓄積体4の画像消去は、前述のように全面露光
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシまたはロールを半導電層55に接触さ
せて移動するか、前述除電手段を用いることで行なわれ
る。他の画像蓄積体についても、それぞれの画像蓄積体
の有する半導電層を除電用ブラシまたはロールあるいは
電子ビームで0Vとし透明導電層を0Vとして光を全面照射
することで可能となる。
To erase the image of the image storage body 4, the transparent conductive layer is grounded while the entire surface is exposed as described above, and the conductive brush or roll dropped to the ground is brought into contact with the semiconductive layer 55 to move. This is performed by using the above-mentioned static elimination means. It is possible to irradiate the other image accumulating members with light, with the semiconductive layer of each image accumulating member set to 0 V by the brush or roll for eliminating static electricity or the electron beam and the transparent conductive layer set to 0 V.

次に本発明記録装置における画像読出し部2について説
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭54-29915号に
その1例の詳細が記述されているのでここでは簡単に説
明する。
Next, the image reading section 2 in the recording apparatus of the present invention will be described. Details of one example are described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-29915 previously filed by the applicant of the present invention for scanning and reading an electrostatic latent image with an electron beam, and therefore, a brief description will be given here.

第1図においてコネクタ3に外部より読み出し部駆動電
源および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケ
ーブル203が接続されると、画像読み出しが可能とな
る。なおビーム偏向を制御する為の読出部駆動制御回路
は本実施例の如く記録再生装置に設けてあっても良い
し、カメラ100内に設ける様にしても良い。
In FIG. 1, when a cable 203 from a recording / reproducing apparatus having a reading section driving power source and an external memory section is connected to the connector 3 from the outside, image reading can be performed. The read unit drive control circuit for controlling the beam deflection may be provided in the recording / reproducing apparatus as in the present embodiment, or may be provided in the camera 100.

読み出し動作について簡単に説明すると電子ビームが画
像蓄積体4に入射すると2次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々0.1μ以
内の深さの領域で発生したものである。ところが、その
外部に放出する2次電子は画像蓄積体の表面電位に影響
される。即ち、表面電位が正であれば前記2次電子はそ
れにより引きつけられるため放出され難く、また、電位
がマイナスであれば逆に反発され2次電子量は増加す
る。従って、画像担持体に電子ビーム5を入射する時、
前記感光板近傍に2次電子集束用のメツシユ電極200を
設ければ電極200の出力は電子ビームの当っている個所
の表面電位に対応したものとなる。即ち、この出力は画
像蓄積体に記録された画像情報を時系列電気信号に変換
したものとなる。電子ビームを読み出し手段に使用する
ことは、ビームの走査が電子レンズにより純電気的に行
なわれること、ビーム径が数μ以下に容易に絞れること
から高分解能である事など多数の利点を有する。
The read operation will be briefly described. When an electron beam enters the image storage body 4, secondary electrons are generated, but secondary electrons are emitted to the outside of the image storage body in a region within a depth of 0.1 μ at most. It is a thing. However, the secondary electrons emitted to the outside are affected by the surface potential of the image storage body. That is, if the surface potential is positive, the secondary electrons are attracted by it and thus are difficult to be emitted, and if the potential is negative, the secondary electrons are repelled and the amount of secondary electrons increases. Therefore, when the electron beam 5 is incident on the image carrier,
If a mesh electrode 200 for focusing secondary electrons is provided in the vicinity of the photosensitive plate, the output of the electrode 200 corresponds to the surface potential of the spot where the electron beam is hit. That is, this output is obtained by converting the image information recorded in the image storage body into a time series electric signal. The use of the electron beam as the reading means has a number of advantages such that the beam scanning is performed purely electrically by the electron lens and the beam diameter is easily narrowed down to several μ or less so that the resolution is high.

また、電子ビーム強度を弱くすることで画像蓄積体上の
潜像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能で
ある。
Further, by weakening the electron beam intensity, it is possible to read the latent image on the image storage body with almost no destruction.

第7図は別の読み出し方法を本発明装置に適用した構成
例である。第7図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であ
り、簡単に説明する。電子銃301から電子ビーム5が出
ると図示の集束用コイル302、集束電極303によって集束
され、偏向用コイル304により偏向され、画像蓄積体4
上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷像にあた
るとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち正電荷を
中和し、残りの電子が戻りビーム5′となり、電子銃の
方へ戻る。したがってこの戻りビーム5′は電荷像に対
応して強弱のコントラストをもっているため、これをダ
イノード305で受けることによりここから発生する二次
電子を多段で増巾した後、コレクタ306から電気信号と
して取り出すことが出来る。
FIG. 7 is an example of a configuration in which another reading method is applied to the device of the present invention. The application example of FIG. 7 is particularly similar to the electrostatic charge reading method represented by the image orthicon in the related art, and will be briefly described. When the electron beam 5 is emitted from the electron gun 301, it is focused by the focusing coil 302 and the focusing electrode 303 shown in the figure, and is deflected by the deflection coil 304, so that the image accumulator 4 is obtained.
The upper charge image is scanned, but when the electron beam hits the charge image, a part of the beam neutralizes the positive charges in the charge image, and the remaining electrons become a return beam 5'to the electron gun. Return. Therefore, this return beam 5'has a strong and weak contrast corresponding to the charge image, so that the secondary beam generated from the return beam 5'is received by the dynode 305 in multiple stages and then taken out as an electric signal from the collector 306. You can

本発明に適用しうる電子ビームにより潜像を読出す方法
はその他にも考え得るが説明の便宜上、以上に留どめ
る。
Other methods of reading a latent image by an electron beam applicable to the present invention are conceivable, but for the sake of convenience of explanation, they are limited to the above.

次に前記の第3図、第4図で説明した画像記録方法を本
発明に適用した場合の読取り部2の動作について第1図
〜第4図を用いて説明する。
Next, the operation of the reading section 2 when the image recording method described with reference to FIGS. 3 and 4 is applied to the present invention will be described with reference to FIGS.

前記記録部1の動作説明で述べた様に、ここでは画像蓄
積体4は、第4図(c)に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。
As described in the description of the operation of the recording unit 1, here, the image storage body 4 is arranged after the recording process shown in FIG.
It shall be wound up and held.

ここで記録再生装置204への接続がコネクタ3、202によ
りなされ不図示のスイツチにより読出し動作を開始す
る。
Here, the connection to the recording / reproducing device 204 is made by the connectors 3 and 202, and the reading operation is started by a switch (not shown).

これにより上記の状態で保持されたフイルムの画像は、
長時間の保存により、第4図(d)に示す全面露光がな
くとも、感光層の暗減衰により第4図(d)に示す潜像
の状態になっていることもありうるが、本実施例では、
画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出す画像
面をLED210,211一定時間全面露光し、より良好な表面電
位パターン(第4図(d))としての静電潜像にする。
As a result, the image of the film held in the above state is
It is possible that the latent image shown in FIG. 4 (d) is brought into the latent image state due to dark decay of the photosensitive layer even if the entire surface exposure shown in FIG. 4 (d) is not carried out due to long-term storage. In the example,
Prior to the electron beam scanning for image reading, the image surface to be read is entirely exposed for a certain period of time with the LEDs 210 and 211 to form an electrostatic latent image as a better surface potential pattern (FIG. 4 (d)).

次に電子ビーム主走査をなすことにより、前述の二次電
子あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が
前記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信
号として出力あるいは再保存される。
Next, by performing main scanning of the electron beam, the image is sent in time series to the recording / reproducing device having the external memory and is output or restored as an electric signal by detecting the secondary electron or the returning beam. .

したがって画像をCRTで確認したり、またはプリンタで
出力することが可能となる。
Therefore, it is possible to check the image on the CRT or output it on the printer.

なお読み出し時において、画像蓄積体から放出される二
次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す場
合、前記で示した像形成方法において、光導電層はP型
あるいは両極性のものを用いても良く、また第4図
(a)における表面全面帯電を負帯電としても良い。
When the image is read by detecting the secondary electrons or the return beam emitted from the image storage body at the time of reading, in the above-described image forming method, the photoconductive layer is P type or bipolar type. Alternatively, the entire surface charging in FIG. 4 (a) may be negatively charged.

第8図は記録再生装置204の構成例を示す図で、400はAC
コード、401はAC/DCコンバータ、402は電源回路、403は
集束、偏向回路404は同期信号発生回路、405はプロセス
処理回路、406は変調回路、407は記録再生切換スイツ
チ、408は記録再生ヘツド、409はデイスクモーター、41
0は復調回路、411はエンコーダー、412は出力端子、413
はデイスク状記録媒体である。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of the recording / reproducing apparatus 204, and 400 is AC.
A code, 401 is an AC / DC converter, 402 is a power supply circuit, 403 is a focusing circuit, 403 is a synchronizing signal generating circuit, 405 is a process processing circuit, 406 is a modulation circuit, 407 is a recording / reproducing switching switch, and 408 is a recording / reproducing head. , 409 is a disk motor, 41
0 is a demodulation circuit, 411 is an encoder, 412 is an output terminal, 413
Is a disk-shaped recording medium.

コード400より供給されるAC電源はAC/DCコンバータで直
流に変換された後さらに電源回路402で適当な電圧に変
換されて各回路に供給される。
The AC power supplied from the cord 400 is converted into DC by the AC / DC converter, and then converted into an appropriate voltage by the power supply circuit 402 and supplied to each circuit.

また、ケーブル203を介してコネクタ202にも電源を導い
ている。集束偏向回路403は同期信号発生装置404からの
水平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用の鋸波を形成
し、これをやはりケーブル203を介してコネクタ202に導
く。
Further, the power is also led to the connector 202 via the cable 203. The focusing / deflecting circuit 403 forms a sawtooth wave for beam deflection based on the horizontal and vertical synchronizing signals from the synchronizing signal generator 404, and also guides this to the connector 202 via the cable 203.

コネクタ202よりケーブルを介して得られた画像信号は
プロセス処理回路405でα補正、アパーチヤ補正、黒レ
ベルクランプ、ホワイトクリツプ等の各種補正を加えた
のち変調回路406において記録に適した変調を加えスイ
ツチ407、ヘツド408を介して媒体413に1トラツクに1
フイールド分記録される。再生時はヘツド408から読み
出された信号は復調回路で再び元の信号に戻された後、
エンコーダで標準テレビジヨン信号(例えばNTSC信号)
に変換した後出力端子412に導かれる。
The image signal obtained from the connector 202 via the cable is subjected to various corrections such as α correction, aperture correction, black level clamp, white clip, etc. in the process processing circuit 405, and then the modulation circuit 406 applies modulation suitable for recording to the switch. 407 via head 408 to medium 413 to 1 track
The field amount is recorded. At the time of reproduction, the signal read from the head 408 is returned to the original signal again by the demodulation circuit,
Encoder standard television signal (eg NTSC signal)
It is led to the output terminal 412 after being converted to.

従ってこのNTSC出力端子412にTV受像機を接続すること
により画像を1フイールドずつモニターできる。
Therefore, by connecting a TV receiver to the NTSC output terminal 412, the image can be monitored one field at a time.

勿論デイクス状媒体に2フイールドずつ記録しておけば
これをフレーム画像として読み出しモニターすることも
できる。
Of course, if two fields are recorded on the disk-shaped medium, this can be read as a frame image and monitored.

尚、ここでエンコーダーはPALやSECAM方式に対応したも
のであっても良いことは言うまでもない。
Needless to say, the encoder here may be compatible with the PAL or SECAM system.

第9図、第10図は、本発明の実施例の構成変形例であ
り、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画
像記録体4の同一側の面としたものである。図示する構
成は画像蓄積体4が潜像パターンを記憶出来、かつ容器
102内に複数画像分の蓄積部を有していることと相俟っ
て大きな効果を出すものである。
9 and 10 show a modified example of the embodiment of the present invention in which the image exposure surface for image recording and the electron beam scanning surface are on the same side of the image recording body 4. In the configuration shown in the figure, the image accumulator 4 can store the latent image pattern, and the container
This has a great effect in combination with the fact that the storage portion for a plurality of images is provided in the 102.

第9図は、前記第5図に示した画像記録方法を適用した
もので、画像記録のための像露光面を前記の電子ビーム
走査面と同一としたために第3図における基体56、導電
層51を透明にする必要がなく、たとえば基体56および導
電層51を合わせて金属薄体等の導電基体で形成すること
が出来るので摩擦帯電を防止できる。また、走査読み取
り部を横に持ってこれるのでカメラの光軸方向の構成を
コンパクトにすることができる。尚この場合前記像露光
時にフレアや干渉が越えられない様に導電基体上にブラ
ストや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望ましい。
また、図においてアースをとる為のブラシ、ローラー5
9′、57′はどちらか一方でも良い。
FIG. 9 is a view to which the image recording method shown in FIG. 5 is applied. Since the image exposure surface for image recording is the same as the electron beam scanning surface, the substrate 56 and the conductive layer in FIG. Since it is not necessary to make 51 transparent, for example, the base 56 and the conductive layer 51 can be combined and formed of a conductive base such as a metal thin body, so that triboelectrification can be prevented. Further, since the scanning and reading unit is horizontally held, the structure of the camera in the optical axis direction can be made compact. In this case, it is desirable to subject the conductive substrate to a treatment such as blasting or vapor deposition of an antireflection film so that flare or interference cannot be exceeded during the image exposure.
In addition, brush and roller 5 for grounding in the figure
Either 9'or 57 'may be used.

第10図は、第9図に示した構成の更なる変形例であり、
記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメラ
の撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄積
体の構造を簡単化することがでる。
FIG. 10 is a further modified example of the configuration shown in FIG.
The description of the recording unit is omitted. In the case of this embodiment, the thickness of the camera in the photographing optical axis direction is not reduced, but the structure of the accumulator as described above can be simplified.

第9図(b)は前記した様な電子ビーム走査による潜像
に応じた2次電子を検出する例として挙げ、2次電子を
検出するコレクターCEDをメツシユ電極の代わりに設け
た例を示した。
FIG. 9B shows an example in which a secondary electron is detected in accordance with a latent image by electron beam scanning as described above, and a collector CED for detecting the secondary electron is provided in place of the mesh electrode. .

また記録部においては画像蓄積体に電圧を印加するため
に透明電極600および接地電極57′の一構成例を示し
た。尚、700は交換レンズである。
Further, in the recording section, a configuration example of the transparent electrode 600 and the ground electrode 57 'for applying a voltage to the image storage body is shown. Incidentally, 700 is an interchangeable lens.

第11図はフイルムローデイング手段の他の実施例を示
す。第11図例では第2図に示したローデイング手段にお
けるマグネツト501,502と駆動コイル503,504の取りつけ
位置を逆にしたもので、真空容器102内に駆動コイル601
を容器102外の支持フレーム605にマグネツト602を設け
たものである。駆動コイル601は第11図に示す通電ブラ
シ603により電流が供給される。第2図及び第11図に示
す構成は通常のDCモータ構成と同様であり、公知の方法
で駆動することが出来る。
FIG. 11 shows another embodiment of the film loading means. In the example of FIG. 11, the mounting positions of the magnets 501 and 502 and the drive coils 503 and 504 in the loading means shown in FIG.
A magnet 602 is provided on a support frame 605 outside the container 102. Electric current is supplied to the drive coil 601 by the energizing brush 603 shown in FIG. The structure shown in FIGS. 2 and 11 is the same as the normal DC motor structure and can be driven by a known method.

ここで第11図実施例に対してさらに以下の様にすること
で本発明画像記録システムに改良を与えることができ
る。すなわち前記マグネツト602を画像読取り時には、
容器102より離間し得る構成にするものである。この様
にすることで読取り時に走査する電子ビームにマグネツ
ト602が磁気的に影響を与えない様にすることができ
る。
Here, the image recording system of the present invention can be improved by further performing the following procedure with respect to the embodiment shown in FIG. That is, when reading the image of the magnet 602,
The configuration is such that it can be separated from the container 102. By doing so, it is possible to prevent the magnet 602 from magnetically affecting the electron beam scanned during reading.

第12図は上記マグネツト602を離間させるための手段の
一例を示す。第12図例では、マグネツト602を取りつけ
た支持フレーム605をコネクター3の蓋201′と兼ねた構
成にしたものである。画像担持体4への画像記録終了
後、読出し時においてコネクター3に外部からのコネク
ター202を接地する為に前記蓋201′を開けるがこのと
き、第12図に矢示するように支持フレーム605全体を装
置外装に対して下にスライドすることにより、前記マグ
ネツト602も同時に容器102より離間する様にするもので
ある。また、支持フレーム605はマグネツトの離間時紛
失しないように例えば紐などで本体につないでおくこと
が望ましい。
FIG. 12 shows an example of means for separating the magnets 602. In the example shown in FIG. 12, the support frame 605 to which the magnet 602 is attached also serves as the lid 201 ′ of the connector 3. After the image recording on the image carrier 4 is completed, the lid 201 'is opened in order to ground the connector 202 from the outside to the connector 3 at the time of reading. At this time, as shown by the arrow in FIG. The magnet 602 is also separated from the container 102 at the same time by sliding the magnet downward with respect to the exterior of the device. Further, it is desirable that the supporting frame 605 be connected to the main body with, for example, a string so as not to be lost when the magnets are separated.

第20図はフイルム巻き取りを手動にした1例を示す。図
示例においては巻き上げレバー700によりマグネツト701
を回転させ、これにともない画像蓄積体4の巻き取り軸
702に固定したマグネツト702を回転させる様にしたもの
である。
FIG. 20 shows an example in which the film winding is manual. In the illustrated example, the winding lever 700 is used to move the magnet 701.
And the take-up shaft of the image accumulator 4 with this.
The magnet 702 fixed to 702 is rotated.

本例の様に手動巻き上げレバー700を設けたことにより
第1、第2図の例で示した記録部の動作のうち、たとえ
ば前述ハーフスイツチング状態における動作を手動巻き
上げレバーに連動させて行えば良く、シヤツタスイツチ
と分離することで誤動作等を少なくすることも出来る。
By providing the manual hoisting lever 700 as in this example, among the operations of the recording unit shown in the examples of FIGS. 1 and 2, for example, the operation in the half-switching state described above can be performed by interlocking with the manual hoisting lever. Well, by separating from the shutter switch, malfunctions can be reduced.

尚、実施例では磁気シールド板704をマグネツト701、70
3と少なくともビーム走査部21の間に設けているのでビ
ーム走査に障害を与えることがない。勿論容器102外に
設けても良い。
In the embodiment, the magnetic shield plate 704 is replaced with the magnets 701, 70.
Since it is provided between the beam scanning unit 3 and at least the beam scanning unit 21, it does not interfere with beam scanning. Of course, it may be provided outside the container 102.

第20図においては読取り時においては巻き上げレバー全
体を上に引き上げる様にすることでマグネツト701を前
記と同様、容器102より離間することが出来る。
In FIG. 20, the magnet 701 can be separated from the container 102 in the same manner as described above by pulling up the entire winding lever at the time of reading.

第21図は本発明においてさらにカメラ100と読取部2000
とを取り外し可能としたもので、両者を夫々の接合部材
1001,1002を用いて合体可能としたものである。ここで
カメラ100および読取部2000の合体は交換レンズ部1010
を取り外して行なう。
FIG. 21 shows a camera 100 and a reading unit 2000 according to the present invention.
The parts that can be removed are used as the joining members.
It is possible to combine using 1001 and 1002. Here, the combination of the camera 100 and the reading unit 2000 is the interchangeable lens unit 1010.
To remove.

このようにすることで記録部(カメラ)のもち運びはさ
らに便利になる。カメラ(記録部)100には前述までの
記録方法に示したような必要な帯電手段、フイルム駆動
手段、その他の手段を有する。また読取部2000とフイル
ム面との密着を行ない、かつ平面性を保つ為に押え板10
05を設けた。カメラ100により画像記録後、読取時には
レンズ部1010を取り外し、代わりに読取部2000と結合す
るが、このときフイルムと、読取部2000の多列ピン電極
1020を有する接合プレート1021と密着させる。弾性部材
1030はこの密着を確実とするために設けたものである。
多列ピン電極1020はそれぞれのピン同志が互いに横方向
に接触せずに、高密度に配列され、それぞれ独立して接
合プレート1021の表裏で電気的導通をとるもので、これ
により前記フイルム上の潜像を、前記電子ビームで読取
ることが出来る。
By doing so, the carrying of the recording unit (camera) becomes more convenient. The camera (recording unit) 100 has necessary charging means, film driving means, and other means as shown in the recording method described above. Also, in order to keep the reading section 2000 in close contact with the film surface and to maintain flatness, a holding plate 10
05 was set up. After the image is recorded by the camera 100, the lens unit 1010 is detached at the time of reading and is joined to the reading unit 2000 instead. At this time, the film and the multi-row pin electrodes of the reading unit 2000 are connected.
It is brought into close contact with the joining plate 1021 having 1020. Elastic member
1030 is provided to ensure this close contact.
The multi-row pin electrodes 1020 are arranged in high density without their respective pins contacting each other in the lateral direction, and are electrically connected to the front and back of the bonding plate 1021 independently of each other. The latent image can be read with the electron beam.

この実施例の如く、本発明は記録部と読取り部とが切り
離し可能なものも含む。このように本発明の実施例では
記録部と読取り部とは互いにそれぞれの状態を変化させ
ることなく独立に駆動可能とした点に最大の特徴を有し
ている。
As in this embodiment, the present invention includes a recording unit and a reading unit which can be separated from each other. As described above, the embodiment of the present invention has the greatest feature in that the recording unit and the reading unit can be independently driven without changing their respective states.

すなわち、記録部において記録された蓄積体をカメラ10
0から取り出して読取り部の容器102内に何らかの方法で
封入し真空状態としてから読み出すような方法ではカメ
ラとしての記録再生が極めて複雑化し商品として成り立
ちにくいが、本発明によれば記録部における記録動作と
読み出し部における読み出し動作とを夫々独立させ、か
つ、夫々の動作を夫々記録部、読み出し部の状態を変え
ることなくそのまま(第1図示実施例のように初めから
容器内に入っているものも含む)蓄積体の記録情報を読
み出せるようにしたので記録と読み出しを夫々即時にで
きる。
That is, the camera 10 stores the accumulation body recorded in the recording unit.
In a method of taking out from 0 and enclosing it in the container 102 of the reading section by some method and reading it in a vacuum state, the recording and reproduction as a camera becomes extremely complicated and it is difficult to be a commercial product, but according to the present invention, the recording operation in the recording section And the reading operation in the reading section are independent of each other, and each operation is performed as it is without changing the states of the recording section and the reading section. Since the recording information of the accumulator can be read out, recording and reading can be performed immediately.

次に本発明に用い得る画像蓄積体と画像記録方法の他の
例について詳述する。
Next, another example of the image storage body and the image recording method that can be used in the present invention will be described in detail.

第13図は本発明に用いる画像蓄積体4の縦断面図であっ
て、全体はフイルム形状をなしており、56の透明な基体
フイルム上に透明導電層51、N型光導電体層52、透明絶
縁層53、P型光導電体層54、半導電層55を積層したもの
である。以下各層について述べると、基体56は十分な屈
曲性と透光性があり、かつフイルムローデイング時の張
力によって切断することない材質からなる。たとえばポ
リエチレンテレフタレート、ポリイミド等の高分子フイ
ルムが好ましい。また、上記特性を満足させる為フイル
ムの厚みはポリエチレンテレフタレートの場合10〜50μ
mが望ましく、ポリイミドフイルムでは5〜50μmが望
ましい。透明導電層51は酸化スズあるいは酸化インジウ
ムまたはこれに若干の酸化スズを含むものが用いられ
る。この層は公知のスパツタ等の方法により成膜された
ものであり、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで
数10〜数100nmが望ましい。
FIG. 13 is a vertical cross-sectional view of the image accumulating member 4 used in the present invention, which has a film shape as a whole, and a transparent conductive film 51, an N-type photoconductive material layer 52, and 56 on a transparent base film. The transparent insulating layer 53, the P-type photoconductor layer 54, and the semiconductive layer 55 are laminated. Each layer will be described below. The base 56 is made of a material that has sufficient flexibility and translucency and is not cut by the tension during film loading. For example, polymer films such as polyethylene terephthalate and polyimide are preferable. The thickness of the film is 10 to 50 μm for polyethylene terephthalate to satisfy the above characteristics.
m is desirable, and 5 to 50 μm is desirable for polyimide film. As the transparent conductive layer 51, tin oxide, indium oxide, or those containing a small amount of tin oxide is used. This layer is formed by a known method such as sputtering, and preferably has a thickness of several tens to several hundreds nm in terms of a thickness capable of obtaining translucency and sufficient conductivity.

N型光導電体層52は、CdS,CdSe,ZnO等のNタイプの光導
電体を蒸着あるいはスパツタによって形成したものであ
って光の受容により十分な電子・正孔ペアを発生し、か
つ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡散が無視できる
厚さに成膜されている。例えば100nm〜数μmの範囲が
望ましい。次に絶縁層53はSiO2,MgO等の高絶縁性の薄膜
で、スパツタ等の方法により成膜される。膜の厚みは十
分な絶縁性を持たせる為に、数μm〜数100μmが望ま
しい。次に、P型光導電体層54は無定形Se、同SeTe無定
形Si等のNタイプの光導電体を蒸着あるいはスパツタに
よって形成したものであり、成膜条件等はN型光導電体
52のそれに準じる。
The N-type photoconductor layer 52 is formed by vapor-depositing or sputtering an N-type photoconductor such as CdS, CdSe, ZnO, etc., and generates sufficient electron-hole pairs by receiving light, and has a dark portion. The insulating property is ensured, and the film is formed to a thickness where the internal diffusion of light can be ignored. For example, the range of 100 nm to several μm is desirable. Next, the insulating layer 53 is a highly insulating thin film such as SiO 2 or MgO, and is formed by a method such as sputtering. The thickness of the film is preferably several μm to several 100 μm in order to provide sufficient insulation. Next, the P-type photoconductor layer 54 is formed by vapor-depositing or sputtering an N-type photoconductor such as amorphous Se or SeTe amorphous Si. The film forming conditions are N-type photoconductor.
According to that of 52.

次に、光導電性膜55は、ガラス等の膜あるいは、KCl
(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚
方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚
さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く。た
とえば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚を数100pm
〜数10nmにすることが望ましい。
Next, the photoconductive film 55 is a film such as glass or KCl.
A porous film of (potassium chloride) or the like, which has a resistance in the film surface direction higher than that in the film thickness direction and exhibits sufficient insulation, and the film thickness is preferably sufficiently thinner than the resolution width of the recorded image. For example, if the image has a resolution of 1000 lines / mm, the film thickness is several hundred pm.
~ It is desirable to be several tens of nm.

次に上記画像蓄積体への光記録について第14図(a)〜
(c)を用いて述べる。
Next, FIG. 14 (a)-
This will be described using (c).

暗所において透明導電層51をアースまたは負として半導
電層55に導電性ブラシまたはロール257を用いて正電荷
を第14図(a)のように付与する。この付与された正電
荷はただちに半導電層55を通して注入され第14図(b)
の様になる。次に第1図示装置の露出部材EMによる所定
量の画像露光が行なわれ、光Lの当った部分は光導電層
52,54の抵抗が下がり透明導電層51から負電荷が光導電
層52へ注入され、さらに正電荷が光導電層54へ注入され
て、第14図(c)の状態となる。次に露出部材EMにより
遮光をし、さらに透明導電層51をアースに落とし、これ
と短絡された導電性ブラシまたはロール259にて半導電
層55を通して暗部の半導電層55の正電荷と透明導電層51
の負電荷を消去すると共に、明部の表面電荷が0になる
様に第14図(d)の如く正負電荷を半導電層55と透明導
電層51へ注入する。次に透明導電層51をアースとしてお
き、画像蓄積体4をLED210,211で全面露光すると、光導
電層52,54の電気抵抗が下がり、この層の両端の正負電
荷が消去され、絶縁層53をはさむ電荷のみが第14図
(e)の如く残ることとなり、表面を正電位とする記録
が行われる。
In the dark place, the transparent conductive layer 51 is grounded or negative, and a positive charge is applied to the semiconductive layer 55 by using a conductive brush or roll 257 as shown in FIG. 14 (a). This imparted positive charge is immediately injected through the semiconducting layer 55 and FIG. 14 (b).
It becomes like. Next, a predetermined amount of image exposure is performed by the exposure member EM of the first illustrated apparatus, and the portion exposed to the light L is the photoconductive layer.
The resistances of 52 and 54 are lowered, negative charges are injected from the transparent conductive layer 51 to the photoconductive layer 52, and positive charges are further injected to the photoconductive layer 54, and the state shown in FIG. 14C is obtained. Next, the exposed member EM is used to shield light, the transparent conductive layer 51 is further dropped to the ground, and the conductive brush or roll 259 short-circuited to the transparent conductive layer 51 passes through the semiconductive layer 55 and the positive charge and the transparent conductivity of the semiconductive layer 55 in the dark area. Layer 51
The negative charges are erased and positive and negative charges are injected into the semiconductive layer 55 and the transparent conductive layer 51 as shown in FIG. Next, when the transparent conductive layer 51 is set as ground and the image storage body 4 is entirely exposed by the LEDs 210 and 211, the electric resistance of the photoconductive layers 52 and 54 is reduced, and the positive and negative charges at both ends of this layer are erased, and the insulating layer 53 is removed. As shown in FIG. 14 (e), only the electric charges sandwiching the mark are left, and recording is performed with the surface at a positive potential.

この記録方法によれば蓄積された電荷像が、第14図
(e)に示される様に、画像蓄積体内部に保持されるた
め暗所で放置する限り、その保存性が向上される。
According to this recording method, as shown in FIG. 14 (e), the accumulated charge image is retained inside the image accumulator, so that the storability is improved as long as it is left in the dark.

次に第15図を用いて第13図にて説明した画像蓄積体4の
変形例と記録方法について説明を加える。第15図に示す
画像蓄積体4は第13図示の画像蓄積体4のうち、半導電
層55の代りにP型光導電体層54に接する面を導電層とし
た電極プレート59に置き変えたものであり、他の構成は
画像蓄積体32と同じものである。電極プレート59はガラ
ス等の基板に酸化スズ、酸化インジウム、あるいはこれ
らの混合体をスパツタ等により成膜した導電層を持つも
のである。
Next, a modified example of the image storage body 4 and the recording method described with reference to FIG. 13 will be described with reference to FIG. The image storage body 4 shown in FIG. 15 is replaced with an electrode plate 59 having a surface in contact with the P-type photoconductor layer 54 as a conductive layer instead of the semiconductive layer 55 in the image storage body 4 shown in FIG. The other configuration is the same as that of the image storage body 32. The electrode plate 59 has a conductive layer formed by depositing tin oxide, indium oxide, or a mixture thereof on a substrate made of glass or the like by a spatter or the like.

この場合の記録法について第15図(a)〜(d)を用い
て説明する。
The recording method in this case will be described with reference to FIGS. 15 (a) to 15 (d).

透明導電層51の負、電極プレート59を正としてパルス状
の電圧を印加し同時に露出部材EMによる画像露光を行な
うと、第15図(a)のように、光Lの当った部分は光導
電体52、54の抵抗が下がり、透明導電層51から負電荷が
光導電層52へ注入され、さらに正電荷が光導電層54へ注
入される。次いで露出部材EMによる露光を停止してから
パルス電圧を除去すると第15図(b)に示すように画像
蓄積体4の外部への電位が0になるように露光部に当る
各導電層の各々逆電荷が注入される。次にこの画像蓄積
体4に接触している電極プレート59を該蓄積体4から剥
離され第15図(c)のような状態になる。この状態でも
十分画像蓄積体として保存が可能であるが、さらに該蓄
積体4をLED210,211で全面露光し第15図(d)のように
絶縁層の両端にのみ電荷を保持する状態にして保存する
ことも可能である。
When a pulsed voltage is applied with the transparent conductive layer 51 being negative and the electrode plate 59 being positive, and image exposure is carried out by the exposing member EM at the same time, as shown in FIG. The resistance of the bodies 52 and 54 decreases, and negative charges are injected from the transparent conductive layer 51 into the photoconductive layer 52, and further positive charges are injected into the photoconductive layer 54. Next, when the pulse voltage is removed after the exposure by the exposure member EM is stopped, each of the conductive layers contacting the exposed portion is adjusted so that the potential to the outside of the image storage body 4 becomes 0 as shown in FIG. 15 (b). Reverse charge is injected. Next, the electrode plate 59 which is in contact with the image storage body 4 is peeled off from the storage body 4, and the state shown in FIG. Even in this state, it can be sufficiently stored as an image storage body, but further the storage body 4 is entirely exposed by the LEDs 210 and 211 so that the electric charge is held only at both ends of the insulating layer as shown in FIG. 15 (d). It is also possible to save.

この記録方法によれば帯電及び除電時にブラシ、ロール
等を用いる為フイルムのローデイング時のムダな動きが
なく、機械的構成がシンプルになるという効果が得られ
る。
According to this recording method, since a brush, a roll or the like is used at the time of charging and discharging, there is no wasteful movement at the time of loading the film, and the mechanical structure can be simplified.

前述実施例では外部から電荷を付与するタイプについて
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。
In the above-described embodiment, the type in which the charge is applied from the outside has been described, but the type in which the internally generated charge is used for recording will be described in detail below.

第16図は電荷発生層として圧電材料を用いた画像蓄積体
4である。記録体の層構成は、透明基体フイルム67上に
これも透明な導電層61、次に透明絶縁膜62、P型光導電
体63、圧電体層68、N型光導電体64、透明絶縁膜65、半
導電層66の各層を積層したものである。透明基体フイル
ム67は前述の基体フイルム56と同じものであって、十分
な透光性と強度・屈曲性を有しており、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド等の高分子フイルム等が好ま
しい。透明導電層61は厚さ数10〜数100nmの酸化インジ
ウム、あるいはこれに若干の酸化スズが含まれた層であ
り、十分な透光性を有する。次に透明絶縁膜62、65はSi
O2、MgO等の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパツタリン
グ等により薄層に形成したものである。この絶縁膜の厚
みは十分な透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜調
整される。望ましくは数100〜数1000Åである。
FIG. 16 shows an image storage body 4 using a piezoelectric material as a charge generation layer. The layer structure of the recording medium is such that a transparent conductive film 61, which is also transparent on the transparent base film 67, a transparent insulating film 62, a P-type photoconductor 63, a piezoelectric layer 68, an N-type photoconductor 64, and a transparent insulating film. 65 and a semiconductive layer 66 are laminated. The transparent base film 67 is the same as the above-mentioned base film 56, has sufficient translucency and strength / flexibility, and is preferably a polymer film such as polyethylene terephthalate or polyimide. The transparent conductive layer 61 is a layer containing indium oxide having a thickness of several tens to several hundreds of nm, or a small amount of tin oxide contained therein, and has sufficient translucency. Next, the transparent insulating films 62 and 65 are made of Si.
A high resistance material such as O 2 or MgO is formed into a thin layer by vapor deposition or sputtering. The thickness of this insulating film is appropriately adjusted within a range in which sufficient translucency and insulation are maintained. Desirably, it is several hundred to several thousand Å.

次に、半導電性膜66は、ガラス等の膜、あるいはKCl
(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚
方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚
さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、た
とえば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚を数100pm
〜数10nmにすることが望ましい。
Next, the semiconductive film 66 is a film such as glass or KCl.
A porous film of (potassium chloride) or the like, which has a resistance in the film surface direction higher than that in the film thickness direction and exhibits sufficient insulation, and the film thickness is preferably sufficiently thinner than the resolution width of the recorded image, For example, if the image has a resolution of 1000 lines / mm, the film thickness is several hundred pm.
~ It is desirable to be several tens of nm.

次に圧電体層68はPb(Zr,Ti)O3セラミツクスあるいはB
aTiO3セラミツクスの薄層であり、それぞれ10μm以下
の厚みであれば十分な透光性を有する。また、十分な圧
電性を保障する為5000Å以上の厚みがあれば良い。ま
た、この圧電体層は成膜後電荷発生方向を考慮して十分
ポーリングされている。P型光導電層63は無定形SeTe合
金、あるいは無定形Si等からなるポジタイプの光導電体
でN型光導電層64は、CdS,CdSe,ZnO等からなるネガタイ
プの光導電体で、ともに蒸着法によって成膜される。ま
た、膜厚は十分な透光性と光電子が発生する厚さであれ
ば良く、望ましくは1000Å〜数μmの範囲で適宜調整さ
れている。次に記録方法について以下に詳述する。簡単
のため基体フイルム67を除いたもので第17図(a)〜
(d)を用いて説明する。まず第17図(a)に示すよう
に矢印Aの方向に記録体4全体に張力Fを加えるか、ま
たは記録体4の積層方向に圧力Fを加える。この時、加
えられる力Fによって圧電体層68にあらかじめポーリン
グしておいた方向に正負の電荷が図のように発生する。
次に、暗所において透明導電層61をアースまたは負と
し、半導電層66は導電性ブラシまたはロール57を用いて
導電層61が負、半導電層66が正になるようにバイアス電
圧をかけた後に像露光58を行う。この時、圧電体層68の
両端の正負電荷は光の当った部分の光導電体の抵抗が下
がり、バイアス電圧により同図(b)に示すごとく、各
々の光導電体層と絶縁層の界面迄移動する。次にこの記
録体にかかっている圧力を除去すると非露光部の圧電体
層にのこっている電荷がなくなり露光部には逆電荷が発
生し同図(c)に示す状態となる。次の導電層61と66を
半導電層側は導電ブラシまたはロール57′を用いて短絡
してアースに落とすことで前述の光が当った部分のみ電
荷が保持され記録材上に同図(d)に示す静電像が保存
されしかも表面電位はゼロボルトとすることができる。
Next, the piezoelectric layer 68 is formed of Pb (Zr, Ti) O 3 ceramics or B
It is a thin layer of aTiO 3 ceramics, and has a sufficient light-transmitting property if the thickness is 10 μm or less. Also, in order to ensure sufficient piezoelectricity, it is sufficient if the thickness is 5000 Å or more. In addition, this piezoelectric layer is sufficiently poled in consideration of the charge generation direction after film formation. The P-type photoconductive layer 63 is a positive type photoconductor made of amorphous SeTe alloy or amorphous Si, and the N-type photoconductive layer 64 is a negative type photoconductor made of CdS, CdSe, ZnO, etc., both of which are vapor-deposited. The film is formed by the method. Further, the film thickness may be any thickness as long as it has sufficient translucency and photoelectrons are generated, and is preferably adjusted appropriately in the range of 1000 Å to several μm. Next, the recording method will be described in detail below. For the sake of simplicity, the base film 67 is omitted, and the base film 67 is shown in FIG.
An explanation will be given using (d). First, as shown in FIG. 17A, tension F is applied to the entire recording body 4 in the direction of arrow A, or pressure F is applied in the stacking direction of the recording bodies 4. At this time, the applied force F generates positive and negative charges in the direction pre-poled in the piezoelectric layer 68 as shown in the figure.
Next, in a dark place, the transparent conductive layer 61 is grounded or negative, and the semiconductive layer 66 is applied with a bias voltage by using a conductive brush or roll 57 so that the conductive layer 61 is negative and the semiconductive layer 66 is positive. After that, image exposure 58 is performed. At this time, the positive and negative charges on both ends of the piezoelectric layer 68 lower the resistance of the photoconductor in the portion exposed to the light, and the bias voltage causes an interface between each photoconductor layer and the insulating layer as shown in FIG. Move up to. Next, when the pressure applied to the recording medium is removed, the electric charge remaining on the piezoelectric layer of the non-exposed portion disappears, and the reverse electric charge is generated in the exposed portion, resulting in the state shown in FIG. The next conductive layers 61 and 66 are short-circuited to the ground by using a conductive brush or roll 57 'on the semi-conductive layer side, and the electric charges are held only in the above-mentioned light-exposed portions, and the same figure (d) is shown on the recording material. The electrostatic image shown in () is preserved, and the surface potential can be zero volt.

以上のように内部発生電荷により記録を行なう為蓄積体
の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他のタイプ
に比べ表面電位が高くとれる。さらに感光体が電極と触
れない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともできる。
As described above, since recording is performed by the internally generated charges, the recording potential is applied to the entire film thickness of the storage body, and the surface potential can be made higher than that of other types. Further, since the photoconductor does not touch the electrodes, it is possible to prevent problems due to contact resistance and the like.

次に、他の実施例として画像蓄積体が圧電体よりなる場
合の他の例について詳述する。CdS,CdSe,ZnO,ZnTe等の
光導電体は通常バインダーと混合して、光導電体として
用いることが多いが、スパツタ等の方法により結晶性を
高めて成膜し、ポーリングを行うかまたは結晶性が悪い
場合でも強電界により強くポーリングさせておくことに
より圧電性光半導体として用いるとが可能となる。第18
図にこの圧電性光導電体を用いた画像蓄積体4の縦断面
図を示す。画像蓄積体4の構成は、透明基体フイルム75
上に透明導電層74、N型の圧電性光導電層73、絶縁層7
2、半導電層71を積層したものである。以下各層につい
て述べると、基体73は十分な屈曲性と透光性があり、か
つフイルムローデイング時の張力によって切断すること
ない材質からなる。たとえばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリイミド等の高分子フイルムが好ましい。また、
上記特性を満足させるためフイルムの厚みはポリエチレ
ンテレフタレートの場合10〜50μmが望ましく、ポリイ
ミドフイルムでは5〜50μmが望ましい。透明導電層74
は酸化スズあるいは酸化インジウムまたはこれに若干の
酸化スズを含むものが用いられる。この層は公知のスパ
ツタ等の方法により成膜されたものであり、透光性およ
び十分な導電性が得られる厚みで数10〜数100nmが望ま
しい。
Next, as another embodiment, another example in which the image storage body is made of a piezoelectric material will be described in detail. Photoconductors such as CdS, CdSe, ZnO, and ZnTe are usually mixed with a binder and often used as a photoconductor. Even if the property is poor, it can be used as a piezoelectric optical semiconductor by poling strongly by a strong electric field. 18th
The figure shows a vertical sectional view of an image storage body 4 using this piezoelectric photoconductor. The structure of the image storage body 4 is a transparent base film 75.
Transparent conductive layer 74, N-type piezoelectric photoconductive layer 73, insulating layer 7 on top
2. A semiconductive layer 71 is laminated. Each layer will be described below. The base 73 is made of a material that has sufficient flexibility and translucency and is not cut by the tension during film loading. For example, polymer films such as polyethylene terephthalate and polyimide are preferable. Also,
In order to satisfy the above characteristics, the thickness of the film is preferably 10 to 50 μm for polyethylene terephthalate, and 5 to 50 μm for the polyimide film. Transparent conductive layer 74
Is tin oxide, indium oxide, or a material containing a small amount of tin oxide. This layer is formed by a known method such as sputtering, and preferably has a thickness of several tens to several hundreds of nm with a thickness that allows light transmission and sufficient conductivity.

圧電性N型光導電体層73は、CdS,CdSe,ZnO等のNタイプ
の光導電体をスパツタ等の例えばuSP4,363,711に示され
る公知の方法によって形成したものである。MHzオーダ
ーの周波数の外場中で上記のCdS等の単分子層をRFスパ
ツタによって積層したものである。さらにこの成膜した
感光層は成膜後強い直流電場中において所望する向きに
第1圧電性を示す様にポーリングされる。また光の受容
により十分な電子・正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁
性が確保され、光の内部拡散を無視できる程度の厚さに
成膜されている。例えば100〜数μmの範囲が望まし
い。次に絶縁層72は、SiO2、MgO等の高絶縁性の薄膜
で、スパッタ等の方法により成膜される。膜の厚みは十
分な絶縁性を有する為に、数μm〜数10μmが望まし
い。次に、半導電性膜71は、ガラス等の膜あるいは、KC
l(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜
厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の
厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、
例えば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚を数100pm
〜数10nmにすることが望ましい。
The piezoelectric N-type photoconductor layer 73 is an N-type photoconductor such as CdS, CdSe, or ZnO formed by a known method such as a sputtering method shown in uSP4,363,711. The above monolayers of CdS and the like are laminated by RF sputtering in an external field of a frequency on the order of MHz. Further, the formed photosensitive layer is poled after the film formation so as to exhibit the first piezoelectricity in a desired direction in a strong DC electric field. In addition, the film is formed to a thickness such that a sufficient electron-hole pair is generated by receiving light, the insulation of the dark part is secured, and the internal diffusion of light can be ignored. For example, the range of 100 to several μm is desirable. Next, the insulating layer 72 is a highly insulating thin film such as SiO 2 or MgO and is formed by a method such as sputtering. The thickness of the film is preferably several μm to several tens μm in order to have sufficient insulation. Next, the semiconductive film 71 is a film such as glass or KC.
A porous film such as l (potassium chloride) that has a higher resistance in the film surface direction than the film thickness direction and exhibits sufficient insulation, and the film thickness is preferably sufficiently thinner than the resolution width of the recorded image. ,
For example, if the image has a resolution of 1000 lines / mm, the film thickness is several hundred pm
~ It is desirable to be several tens of nm.

次に画像蓄積体36への記録方法について第19図(a)〜
(d)を用いて述べる。記録に際しては、第19図(c)
に示す、ガラス基板77上に、酸化スズ等の導電体を蒸着
した補助電極80が用いられる。記録はまず同図(a)に
示すように画像蓄積体4を矢印の方向に力Fを引っ張り
ながらLED210,211で前面に光を与えてその後光を遮断し
圧力をなくす。これにより同図(b)に示すようにあら
かじめポーリングされた方向に圧電性の正負電荷が発生
する。次に第19図(c)に示すように補助電極80を半導
電層71に導電層76が接するように接触させ、導電層76と
74を短絡しアースに落とし、第1図示装置の露出部材EM
により所定量の露出を行なう。この露光により光の当っ
た部分の圧電性光導電層73の抵抗が下がり、この部分の
蓄積電荷が消去される。光の当たらなかった部分は
(C)図に示すように、該蓄積体4の表面電位が0にな
るように各導電層76、74に正負電荷が注入される。そし
て導電層76に注入された正電荷は、ただちに半導電層71
に注入される。この状態で導電層74をアースとして補助
電極80を除去し、次に該蓄積体を再びLED210,211で全面
露光すると同図(d)に示す記録保持状態となる。
Next, FIG. 19 (a) -about the recording method to the image storage body 36.
This will be described using (d). For recording, see Fig. 19 (c)
An auxiliary electrode 80, which is formed by depositing a conductor such as tin oxide on a glass substrate 77, is used as shown in FIG. For recording, first, as shown in FIG. 7A, while pulling a force F on the image storage body 4 in the direction of the arrow, light is applied to the front surface by the LEDs 210 and 211, and then the light is blocked to eliminate the pressure. As a result, piezoelectric positive and negative charges are generated in the pre-poled direction as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 19 (c), the auxiliary electrode 80 is brought into contact with the semiconductive layer 71 so that the conductive layer 76 is in contact with the conductive layer 76.
74 is short-circuited and dropped to the ground, and the exposed member EM of the first illustrated device
To expose a predetermined amount. This exposure lowers the resistance of the piezoelectric photoconductive layer 73 in the light-exposed portion and erases the accumulated charge in this portion. As shown in FIG. 6C, positive and negative charges are injected into the conductive layers 76 and 74 so that the surface potential of the accumulator 4 becomes zero in the portion not exposed to the light. Then, the positive charges injected into the conductive layer 76 are immediately transferred to the semiconductive layer 71.
Is injected into. In this state, the conductive layer 74 is grounded, the auxiliary electrode 80 is removed, and then the entire surface of the accumulator is again exposed by the LEDs 210 and 211, whereby the record holding state shown in FIG.

この実施例によれば感光体自体が電荷を発生させるタイ
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。
According to this embodiment, since the photosensitive member itself is of a type that generates electric charges, it is not necessary to have an external charging means, and the mechanism and process can be simplified.

次に第22図および第23図は、本発明の画像蓄積体4にカ
ラー画像等を蓄積し得るようにした実施例を詳細に示し
たものであり、第1〜第21図の構成と組み合わされる。
Next, FIGS. 22 and 23 show in detail an embodiment in which a color image or the like can be stored in the image storage body 4 of the present invention, and are combined with the configuration of FIGS. Be done.

第22図(a)は斜視図、同図(b)は同図(a)中に示
した直線X−Yと例えば3本の光軸1101〜1103とを含む
平面で切断した時の切り口を示す図である。同図(b)
には、あわせて、光学系と電子銃の位置を概念的に示し
てある。
Fig. 22 (a) is a perspective view, and Fig. 22 (b) shows a cut end when cut by a plane including the straight line XY shown in Fig. 22 (a) and, for example, three optical axes 1101 to 1103. FIG. The same figure (b)
Also conceptually shows the positions of the optical system and the electron gun.

同図に示した画像蓄積体4は、フイルムの巻取り方向60
(すなわち、フイルムの長尺方向)に複数の画像が配列
されていくだけでなく、それとは垂直の方向すなわちX
−Y方向にも複数の画像が配列されていくことを特徴と
する。これは、本発明が、後述する如く、きわめて高密
度の画像蓄積を可能にしていることに因っている。すな
わち、たとえば1000本/mmの解像度の画像を蓄積してい
く場合、一辺が4〜6mm程度の正方形ないし長方形の領
域を一画面とすれば、たとえば銀塩写真のネガフイルム
に匹敵ないしそれを越える解像度を得ることができる。
したがって、フイルム巻き取り方向60にのみ画像蓄積を
行うならば、本発明の画像蓄積体4はフイルム状という
よりはむしろより細いテープ状になる。画像蓄積体4が
テープ状であることにそれほどの不都合はないが、この
蓄積体4の幅を、複数画像を配列できる様に広くとるな
らば、より大容量の蓄積が可能となり、上記の構成によ
り簡単な構成で高画質の画像記録システムが実現でき
る。あるいは、同じ容量であっても、長尺方向の長さを
減じることができ、巻取り軸41,42への巻き数を少なく
できる。これにより、巻取り軸における半径方向の積層
による帯電等の事故の発生を抑制することができる。ま
た、巻数を減少することにより巻き取り軸の軸径を太く
することができその場合でも全体のコンパクト性は失わ
れず、しかも最内周のフイルムの曲率半径が大きくな
り、画像蓄積体の部材にかかる応力を軽減できる、等メ
リツトが多い。
The image accumulator 4 shown in FIG.
Not only are multiple images lined up (ie, in the lengthwise direction of the film), but also in the direction perpendicular to that, that is, X
It is characterized in that a plurality of images are arranged also in the −Y direction. This is because the present invention enables very high density image storage, as will be described later. That is, for example, when accumulating images with a resolution of 1000 lines / mm, if a square or rectangular area with a side of 4 to 6 mm is set as one screen, it will be comparable to or exceed the negative film of silver halide photographs, for example. The resolution can be obtained.
Therefore, if the image is accumulated only in the film winding direction 60, the image accumulator 4 of the present invention has a thinner tape shape rather than a film shape. There is not much inconvenience that the image storage body 4 is in the form of a tape, but if the width of the storage body 4 is made wide so that a plurality of images can be arranged, a larger capacity of storage can be achieved, and the above-mentioned configuration is achieved. Thus, a high quality image recording system can be realized with a simple configuration. Alternatively, even with the same capacity, the length in the lengthwise direction can be reduced, and the number of windings on the winding shafts 41, 42 can be reduced. As a result, it is possible to suppress the occurrence of accidents such as charging due to radial stacking on the winding shaft. Also, by reducing the number of windings, the shaft diameter of the winding shaft can be increased, and even in that case the overall compactness is not lost, and the radius of curvature of the innermost film is increased, and it becomes a member of the image storage member. There are many advantages such as the ability to reduce such stress.

このような効果が期待できる前記フイルム上への画像の
蓄積は、第22図(b)に示す如く画像4001,4001′,400
1″に対応して光学系11の位置を変えることによって実
現できる。
As shown in FIG. 22 (b), images 4001, 4001 ', 400 can be accumulated on the film for which such effects can be expected.
This can be achieved by changing the position of the optical system 11 corresponding to 1 ″.

即ち例えば光学系11を、直線X−Yと平行に(すなわち
22図(a),(b)で上下方向に)移動させることであ
る。これは、図示の駆動機構、ステツプモーターMTと、
この軸に設けられたピニオンG1と、これに噛合するラツ
クG2とを設け、このラツクG2の延長部に前記レンズを固
定することにより構成されている。
That is, for example, the optical system 11 is parallel to the straight line XY (that is,
It is to move in the vertical direction in FIGS. 22 (a) and 22 (b). This is the illustrated drive mechanism, step motor MT,
A pinion G1 provided on this shaft and a rack G2 that meshes with the pinion G1 are provided, and the lens is fixed to an extension of the rack G2.

他の方法としては第22図(c)に示す如く光学系11の光
軸を基準軸1102に対して揺動させる構成を採用しても良
い。この実施例では光軸1101,1103に対応する画像4001,
4001″に収差が生じないよう、フイルム面をわん曲させ
て保持しているので、光学系11を単に例えばバイモルフ
BM1,BM2で互いに逆方向に変位させてやるだけの構成で
済む。
As another method, a configuration may be adopted in which the optical axis of the optical system 11 is swung with respect to the reference axis 1102, as shown in FIG. In this embodiment, an image 4001, which corresponds to the optical axes 1101 and 1103
Since the film surface is curved and held so that 4001 ″ does not cause aberration, the optical system 11 is simply
BM1 and BM2 need only be configured so that they are displaced in opposite directions.

尚、このようにフイルムをわん曲させて保持する為には
例えば画像蓄積体を挟持するフレームを露光部近傍の両
側に設けてやれば良い。
In order to bend and hold the film in this way, for example, a frame for sandwiching the image storage body may be provided on both sides in the vicinity of the exposure section.

第23図は、第22図とは別の実施例を示している。本実施
例においては、画像4001,4001′,4001″に対応してそれ
ぞれ独立の光学系111,112および113を設けたものであ
る。第22図の構成では光学系を平行移動させたり揺動さ
せたりして光軸を移動させる必要があった。本図の構成
では、光学系111〜113に対応して露出部材EMは1つだけ
で済ませることができる。光学系を3組要することなど
は、第22図の構成よりは不利であるが、各々の光学系の
光軸が固定されているので信頼性が向上する。又、第22
図(c)の実施例に比べ、フイルム面をわん曲させて保
持する必要がない。
FIG. 23 shows an embodiment different from that of FIG. In this embodiment, independent optical systems 111, 112 and 113 are provided corresponding to the images 4001, 4001 ′ and 4001 ″. In the configuration of FIG. 22, the optical systems can be translated or swung. In the configuration shown in the figure, only one exposure member EM is required for the optical systems 111 to 113. Three optical systems are required. Although it is more disadvantageous than the configuration of Fig. 22, reliability is improved because the optical axis of each optical system is fixed.
It is not necessary to bend and hold the film surface as compared with the embodiment of FIG.

以上第22図、第23図の構成によって形成された画像4001
〜4001″の読み出しには、1本の電子銃23からなる走査
手段で充分であることはいうまでもない。
An image 4001 formed by the configuration shown in FIGS. 22 and 23 above
It goes without saying that a scanning means composed of one electron gun 23 is sufficient for reading out .about.4001 ".

第24図は、第23図の構成をカラー画像の蓄積に応用した
場合の図である。
FIG. 24 is a diagram when the configuration of FIG. 23 is applied to the storage of color images.

光学系を複数、特に3組備えていることが前記第23図の
構成と同じであるが、それに加えて各光学系に互いに分
光特性の異なる色フイルターF1〜F3を備えていることが
特徴である。この場合、用いる色フイルターの組み合わ
せとしては、R,G,Bを用いれば充分であれが、他の組み
合わせを用いてもよい。その組み合わせは、公知の色信
号処理方法にもとづいて決めることができるため、ここ
では説明を省略する。
The configuration shown in FIG. 23 is the same as that shown in FIG. 23 in that a plurality of optical systems, especially three sets, are provided, but in addition to that, each optical system is provided with color filters F1 to F3 having different spectral characteristics. is there. In this case, it is sufficient to use R, G, B as the combination of color filters to be used, but other combinations may be used. Since the combination can be determined based on a known color signal processing method, the description thereof will be omitted here.

色フイルターを備えた複数の光学系を用いて上記の如く
同時に記録蓄積された画像は、3本の電子銃231,232,23
3を用いて同時に読み出すことが可能であり、本図の構
成もそれを示している。しかし、読み出し時間が少し長
くなっても構わなければ、第23図と同様1本の電子銃を
用いて順次読み出すこともできる。
The images simultaneously recorded and accumulated as described above by using a plurality of optical systems equipped with color filters have three electron guns 231, 232, 23.
It is possible to read out simultaneously using 3 and this is also shown in the configuration of this figure. However, if the read time may be a little longer, it is possible to sequentially read using one electron gun as in FIG.

このように画像蓄積体4の移動方向と直交する方向に同
時又は順次に複数の画像を入射し得るようにしているの
でカラー化を図る場合に高解像度のカラー画像を得るこ
とが容易にできる。
In this way, a plurality of images can be made incident simultaneously or sequentially in the direction orthogonal to the moving direction of the image storage body 4, so that a high-resolution color image can be easily obtained when colorization is intended.

尚、第24図の実施例では3つの光学系にフイルターF1〜
F3を夫々組み合わせているが、例えばダイクロイツクミ
ラーとカラーフイルタの組み合わせにより3色を分離し
ても良い。
In the embodiment shown in FIG. 24, filters F1 to
Although F3 is combined with each other, the three colors may be separated, for example, by combining a dichroic mirror and a color filter.

又、第22図、第23図示の如く、カラー化しない場合には
画像蓄積体の巻取り軸に対する巻数を減少することがで
き、装置をコンパクトにすることができる。又、巻数を
減少できる代わりに軸の巻径を太くでき画像蓄積体に対
する応力を小さくすることができる。
Further, as shown in FIGS. 22 and 23, when the color is not formed, the number of windings around the winding shaft of the image storage body can be reduced, and the apparatus can be made compact. In addition, the number of turns can be reduced, but the diameter of the shaft can be increased to reduce the stress on the image storage body.

次に第24図(a)〜(c)、第25図(a),(b)は画
像蓄積体4をデイスク形状とした実施例を示すもので例
えばガラス円板GDをベースとしその表面に画像蓄積体4
を蓄層形成する。
Next, FIGS. 24 (a) to 24 (c) and FIGS. 25 (a) and 25 (b) show an embodiment in which the image accumulating member 4 is formed into a disk shape. Image storage 4
To form a storage layer.

又、このデイスク状の画像蓄積体4はモーターMMにより
軸MM′を中心に回転駆動される。モーターMMは真空容器
102内に電子銃23等と共に密封されており不図示のリー
ド線によりコネクタ3に接続されている。尚、ビーム偏
向手段等は図示を省略してある。又、このデイスクの回
転移動によりデイスク上の異なる回転位置に複数の画像
を蓄積することができる。
Further, the disk-shaped image storage body 4 is rotationally driven about the axis MM 'by the motor MM. Motor MM is a vacuum container
It is hermetically sealed together with the electron gun 23 and the like in 102 and is connected to the connector 3 by a lead wire (not shown). The beam deflecting means and the like are not shown. Also, a plurality of images can be stored at different rotational positions on the disk by the rotational movement of the disk.

更に又、本実施例では上記回転移動方向と直交する方向
即ち半径方向に沿って複数の画像4001,4001′,4001″を
記録できるように構成している。各画像4001,4001′,40
01″は互いに異なる光軸1101,1102,1103により蓄積体4
上に入射する。
Furthermore, in this embodiment, a plurality of images 4001, 4001 ', 4001 "can be recorded along the direction orthogonal to the rotational movement direction, that is, the radial direction. Each image 4001, 4001', 40
01 ″ is the accumulator 4 due to the different optical axes 1101, 1102, 1103.
Incident on.

又、各光軸1101〜1103は第24図(b)の如く、第22図
(b)の実施例と同様光学系をシフトすることにより順
次形成されるものであっても良いし、第24図(c)の如
く、予め固定的に3つの光学系111〜113を別々に設ける
ことにより形成するものであっても良い。
Further, as shown in FIG. 24 (b), the optical axes 1101 to 1103 may be sequentially formed by shifting the optical system as in the embodiment of FIG. 22 (b). As shown in FIG. 6C, it may be formed by fixedly providing three optical systems 111 to 113 separately in advance.

又、第25図(a),(b)は第24図示構成を利用してカ
ラー化を実現したものである。
Further, FIGS. 25 (a) and 25 (b) realize colorization by utilizing the configuration shown in FIG.

第25図(a)は第24図(b)の構成に更にカラーフイル
ターF1〜F3を入射光路中に設けたものでここではF1〜F3
は夫々R,G,Bフイルターであるが他の色フイルターの組
み合わせであっても良い。尚、フイルターF1〜F3の周辺
は遮光マスクOBが設けられている。
FIG. 25 (a) shows the structure of FIG. 24 (b) in which color filters F1 to F3 are further provided in the incident optical path.
Are R, G, and B filters respectively, but may be a combination of filters of other colors. A light shielding mask OB is provided around the filters F1 to F3.

第24図(b)は電子ビームによる読み出しまで含めた構
成模式図で、本実施例では3つの電子銃231〜233により
夫々R〜B画像を4001〜4003を同時に読み出すようにし
ているが、1つの電子銃が順次画像4001〜4003を読み出
すようにしても良い事は言うまでもない。
FIG. 24 (b) is a schematic configuration diagram including the reading by the electron beam. In the present embodiment, three electron guns 231 to 233 read RB images 4001 to 4003 at the same time. It goes without saying that one electron gun may sequentially read the images 4001 to 4003.

このように画像蓄積体4をデイスク形状とした場合には
蓄積体を巻取ったりする必要がないので摩擦帯電による
蓄積体そのものの破壊や、蓄積体内の電気信号の欠落等
を防ぐことができ、しかも平面性を出し易いという特徴
を有している。尚、第24,第25図示の実施例は第1〜第2
1図のどの構成にも適用可能であることは言うまでもな
い。
As described above, when the image accumulator 4 has a disk shape, it is not necessary to wind the accumulator, so that the accumulator itself can be prevented from being broken due to frictional electrification, and the electric signal in the accumulator can be prevented from being lost. Moreover, it has the feature that it is easy to obtain flatness. The twenty-fourth and twenty-fifth embodiments shown in FIGS.
It goes without saying that it is applicable to any of the configurations shown in FIG.

〔効果〕〔effect〕

本発明によれば、画像記録と画像読取りを独立しかつ状
態を変えることなく行うことが出来るため、高密度の画
像を携帯に便利な装置により記録することが可能とな
り、これまでの画像記録システムを大きく改善すること
ができた。
According to the present invention, since image recording and image reading can be performed independently and without changing the state, it becomes possible to record a high-density image with a device which is convenient for carrying, and the image recording system used so far. Could be greatly improved.

しかも本発明によれば、限られた面積の画像蓄積体を有
効に用いて比較的コンパクトな構成で多量の画像情報を
蓄積でき、不要な帯電もなく、カラー化も容易に実現で
きる。
Moreover, according to the present invention, a large amount of image information can be stored with a relatively compact structure by effectively using an image storage body having a limited area, and unnecessary charging and colorization can be easily realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第1実施例の上側透視図、 第2図は本発明の第1実施例の正面透視図、 第3図は蓄積体の構成の第1実施例図、 第4図(a)〜(d)は第3図示蓄積体への記録方法の
説明図、 第5図は第3、第4図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例の上部より見た図、 第6図(a)は第5図を正面側から見た図、 第6図(b)は第6図(a)の側面から見た要部説明
図、 第7図は本発明の第2実施例図、 第8図は記録再生装置の構成例図、 第9図(a)は記録部の他の実施例図、 第9図(b)は第9図(a)の実施例のさらに他の実施
例図、 第10図は記録部のさらに他の異なる実施例図、 第11図は蓄積体の駆動構成例を示す図、 第12図は第11図示の構成の側面図、 第13図は蓄積体の第2の例を示す図、 第14図(a)〜(e)は第13図示例の記録方法を説明す
る図、 第15図(a)〜(d)は蓄積体の第3の実施例の記録方
法を示す図、 第16図は蓄積体の第4実施例の構成例図、 第17図(a)〜(d)は第16図示実施例の記録方法を示
す図、 第18図は蓄積体の第5実施例図、 第19図は第5実施例の記録方法を説明する図、 第20図は蓄積体の駆動構成の実施例を示す図、 第21図は本発明の画像記録システムの他の構成例を示す
図、 第22図(a)は本発明の画像記録システムの他の構成例
を示す図、 第22図(b)〜(d)はそれぞれ第22図(a)の構成を
それぞれ詳細に示す異なる実施例図、 第23図はカラー化を実現するための構成例図、 第24図(a)〜(c)は本発明の他の実施例図、 第25図(a),(b)はさらに他の実施例図である。 100……カメラ、1……画像記録部、2……画像読取り
部、3……コネクタ、4……蓄積体。
1 is a top perspective view of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front perspective view of the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a first embodiment view of the structure of the accumulator, FIG. (A)-(d) is an explanatory view of the recording method to the accumulating body shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a view seen from the upper part of the configuration example of the recording part when the embodiments shown in FIGS. 3 and 4 are used. FIG. 6 (a) is a view of FIG. 5 seen from the front side, FIG. 6 (b) is an explanatory view of main parts seen from the side of FIG. 6 (a), and FIG. Second Embodiment FIG. 8 is a structural example of a recording / reproducing apparatus, FIG. 9 (a) is another embodiment of the recording section, and FIG. 9 (b) is an embodiment of FIG. 9 (a). FIG. 10 is a view showing still another embodiment of the recording unit, FIG. 11 is a view showing an example of the driving structure of the accumulator, FIG. 12 is a side view of the structure shown in FIG. FIG. 13 is a diagram showing a second example of the accumulator, and FIGS. 14 (a) to 14 (e). FIG. 15 is a diagram for explaining the recording method of the 13th illustrated example, FIGS. 15A to 15D are diagrams showing the recording method of the third embodiment of the accumulator, and FIG. 16 is a diagram of the fourth embodiment of the accumulator. 17A to 17D are diagrams showing the recording method of the embodiment shown in FIG. 16, FIG. 18 is the fifth embodiment of the accumulator, and FIG. 19 is the recording of the fifth embodiment. FIG. 20 is a diagram for explaining the method, FIG. 20 is a diagram showing an embodiment of the driving configuration of the accumulator, FIG. 21 is a diagram showing another configuration example of the image recording system of the present invention, and FIG. 22 (a) is the present invention FIG. 22 (b) to FIG. 22 (d) are views showing another example of the detailed configuration of the image recording system of FIG. FIG. 24 (a) to FIG. 24 (c) are diagrams of another embodiment of the present invention, and FIGS. 25 (a) and 25 (b) are diagrams of still another embodiment. 100 ... Camera, 1 ... Image recording part, 2 ... Image reading part, 3 ... Connector, 4 ... Accumulator.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊野 勉 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金子 修三 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 竹内 達夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 簡 文隆 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 東條 明彦 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−193570(JP,A) 特開 昭54−29915(JP,A) 特開 昭58−187974(JP,A) 特開 昭54−124925(JP,A) 特開 昭58−129432(JP,A) 特開 昭58−137373(JP,A) 特開 昭59−14841(JP,A) 特開 昭59−226569(JP,A) 特開 昭61−228373(JP,A) 特開 昭60−29953(JP,A) 特開 昭60−4952(JP,A) 特開 昭58−70134(JP,A) 特開 昭49−69265(JP,A) 特開 昭62−153989(JP,A) 特開 昭62−241476(JP,A) 特開 昭62−263762(JP,A) 特開 昭62−291846(JP,A) 特開 昭62−291845(JP,A) 実開 昭50−124925(JP,U) 実開 昭58−192613(JP,U) 実開 昭54−34738(JP,U) 特公 昭51−5297(JP,B2) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tsutomu Toyono 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Shuzo Kaneko 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Incorporated (72) Inventor Tatsuo Takeuchi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Kanbun Takashi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. ( 72) Inventor Akihiko Tojo 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) References JP-A-58-193570 (JP, A) JP-A-54-29915 (JP, A) Special JP-A-58-187974 (JP, A) JP-A-54-124925 (JP, A) JP-A-58-129432 (JP, A) JP-A-58-137373 (JP, A) JP-A-59-14841 ( JP, A) JP-A-59-226569 (JP, A) JP-A-61-228373 (JP, A) JP-A-60-29953 (JP, A) JP-A-60-4952 (JP, A) JP-A-58-70134 (JP , A) JP 49-69265 (JP, A) JP 62-153989 (JP, A) JP 62-241476 (JP, A) JP 62-263762 (JP, A) JP 62-291846 (JP, A) JP-A-62-291845 (JP, A) Actually opened 50-124925 (JP, U) Actually opened 58-192613 (JP, U) Actually opened 54-34738 (JP, U) Japanese Patent Publication Sho 51-5297 (JP, B2)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】真空容器内に密封され、所定のベース部材
に対して薄膜形状として設けられると共に所定方向に回
転可能とされ、光学像を電気的画像信号に変換する光電
変換部材と、 前記光電変換部材を前記真空容器内で前記所定方向に回
転させる光電変換部材駆動手段と、 該光電変換部材の前記回転の半径方向に沿った複数の異
なる部分に同一の被写体からの分光特性の異なる複数の
光学像を入射させて複数の電気的画像信号を形成させる
光学手段と、 前記真空容器内に設けられ、前記複数の電気的画像信号
を電子ビームで走査することによりカラー画像信号を読
取る為の走査手段と、 を有することを特徴とする画像記録システム。
1. A photoelectric conversion member which is hermetically sealed in a vacuum container, is provided in a thin film shape with respect to a predetermined base member, and is rotatable in a predetermined direction, and which converts an optical image into an electric image signal. A photoelectric conversion member driving means for rotating the conversion member in the vacuum container in the predetermined direction, and a plurality of different portions along the radial direction of the rotation of the photoelectric conversion member having a plurality of different spectral characteristics from the same subject. Optical means for making an optical image incident to form a plurality of electrical image signals, and scanning for reading a color image signal by scanning the plurality of electrical image signals with an electron beam, the scanning being provided in the vacuum container. An image recording system comprising:
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