JPH07102087A - Production of high-birefringence polyimide film - Google Patents

Production of high-birefringence polyimide film

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JPH07102087A
JPH07102087A JP26943993A JP26943993A JPH07102087A JP H07102087 A JPH07102087 A JP H07102087A JP 26943993 A JP26943993 A JP 26943993A JP 26943993 A JP26943993 A JP 26943993A JP H07102087 A JPH07102087 A JP H07102087A
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JP
Japan
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substrate
bis
film
polyimide
trifluoromethyl
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Application number
JP26943993A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoko Maruo
容子 丸尾
Shigekuni Sasaki
重邦 佐々木
Shinji Ando
慎治 安藤
Takashi Sawada
孝 沢田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a film which exhibits birefringence higher than that of a spin-coat film by vapor-depositing and polymerizing monomers for a polyimide on a substrate of which the surface structure has anisotropy and two-fold symmetry. CONSTITUTION:A substrate of which the surface structure has anisotropy and two-fold symmetry [e.g. Si(111)] is suitable for preparing a film with a high birefringence in the plane direction; a substrate having a homogeneous and flat surface structure, for preparing a film with a high birefringence in the thickness direction. A high birefringence is obtd. by vapor-depositing and polymerizing monomers for a polyimide on the substrate in a vacuum of 1X10<-7>Torr or lower. The monomers are a tetracarboxylic acid or its deriv. and a diamine, and any of the monomers subliming in vacuum without decomposing may be used, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane being an example.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高複屈折ポリイミドフ
ィルムの製造方法に関し、更に詳細には基板上でポリイ
ミドの原料モノマーを蒸着、重合させる工程を含む高複
屈折ポリイミドフィルムの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a high birefringence polyimide film, and more particularly to a method for producing a high birefringence polyimide film including a step of depositing and polymerizing a raw material monomer of polyimide on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、面内方向に高複屈折を持つポリイ
ミドフィルムを製造する方法としては、例えば酸二無水
物とジアミンをN,N−ジメチルホルムアミドなどの極
性有機溶媒中で反応させ、ポリアミド酸溶液をつくり、
ポリアミド酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、
ポリアミド酸フィルムを得て、その後該フィルムを基板
からはく離し、加熱処理をしながら延伸を行い高複屈折
ポリイミドフィルムを得る方法が提案されている。市販
のポリイミドフィルムは延伸処理が施されており、面内
方向の複屈折は例えば20μm厚の、宇部興産(株)製
の商品名ユーピレックスフィルムでは0.016であ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method for producing a polyimide film having a high birefringence in the in-plane direction, for example, an acid dianhydride and a diamine are reacted in a polar organic solvent such as N, N-dimethylformamide to prepare a polyamide film. Make an acid solution,
Spin coating a polyamic acid solution on a silicon substrate,
A method has been proposed in which a polyamic acid film is obtained, and then the film is peeled from a substrate and stretched while being subjected to heat treatment to obtain a highly birefringent polyimide film. A commercially available polyimide film has been subjected to a stretching treatment, and the birefringence in the in-plane direction is 0.016 for a product name Upilex film manufactured by Ube Industries, Ltd. having a thickness of 20 μm.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記延伸
によるフィルムの製造方法では、はく離フィルムを使用
する必要があり簡易に形成できないという問題があっ
た。またポリイミドの種類によっては延伸処理の途中に
フィルムが破断しやすいという問題があった。また膜厚
方向に高複屈折のポリイミドフィルムを製造する方法と
しては、ポリイミド原料のうち剛直な分子構造を持つも
のでフィルムを製造する方法が提案されているが、一定
の分子式のポリイミドに対して膜厚方向の複屈折を大き
くする効果的な方法は提案されていない。そのため膜厚
方向の複屈折に関してはポリイミドの分子式が定まれば
複屈折の値もほぼ定まってしまうという問題があった。
ここで膜厚方向の複屈折とはポリイミドフィルム面に平
行な偏波光を入射したときの屈折率と垂直な偏波光を入
射したときの屈折率との差である。本発明はかかる問題
点を解消し、高複屈折のポリイミドフィルムの製造方法
を提供することを目的とする。
However, the above-mentioned method for producing a film by stretching has a problem that a release film needs to be used and cannot be easily formed. Further, depending on the type of polyimide, there is a problem that the film is easily broken during the stretching process. Further, as a method for producing a polyimide film with high birefringence in the film thickness direction, a method of producing a film with a rigid molecular structure of a polyimide raw material has been proposed, but for a polyimide of a certain molecular formula An effective method for increasing the birefringence in the film thickness direction has not been proposed. Therefore, with respect to the birefringence in the film thickness direction, if the molecular formula of polyimide is determined, the value of birefringence is also almost determined.
Here, the birefringence in the film thickness direction is the difference between the refractive index when polarized light parallel to the polyimide film surface is incident and the refractive index when vertically polarized light is incident. An object of the present invention is to solve the above problems and provide a method for producing a highly birefringent polyimide film.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、第
1の発明は高複屈折ポリイミドフィルムの製造方法に関
する発明であって、基板上でポリイミド原料モノマーを
重合させてポリイミドを合成するポリイミドフィルムの
製造方法において、前記基板を、表面の構造に異方性を
有する基板とし、前記ポリイミド原料モノマーを蒸着、
重合させることを特徴とする。本発明の第2の発明は、
高複屈折ポリイミドフィルムの他の製造方法に関する発
明であって、基板上でポリイミド原料モノマーを重合さ
せてポリイミドを合成するポリイミドフィルムの製造方
法において、前記基板を、アモルファス構造からなる基
板とし、前記ポリイミド原料モノマーを蒸着、重合させ
ることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention will be outlined. The first invention is an invention relating to a method for producing a high-birefringence polyimide film, wherein a polyimide raw material monomer is polymerized on a substrate to synthesize a polyimide. In the method for producing a film, the substrate is a substrate having anisotropy in the surface structure, and the polyimide raw material monomer is vapor-deposited,
It is characterized by being polymerized. The second invention of the present invention is
It is an invention relating to another method for producing a high birefringence polyimide film, wherein in the method for producing a polyimide film in which a polyimide raw material monomer is polymerized on a substrate to synthesize polyimide, the substrate is a substrate having an amorphous structure, and the polyimide It is characterized in that a raw material monomer is vapor-deposited and polymerized.

【0005】本発明者らは高複屈折ポリイミドフィルム
の製造方法について鋭意検討を行った結果、真空蒸着重
合を行うことにより、ポリイミドの複屈折を増大させ得
ることを見いだし、本発明を完成するに至った。
As a result of intensive studies on the method for producing a highly birefringent polyimide film, the present inventors have found that the birefringence of polyimide can be increased by carrying out vacuum vapor deposition polymerization, and the present invention was completed. I arrived.

【0006】蒸着に用いる基板の種類の選定は重要で、
面内方向に大きい複屈折を持ったフィルムの作製には表
面構造に異方性、更には2回対称性のあるものが好適で
あり、膜厚方向に大きい複屈折を持ったフィルムの作製
には表面構造が均一で平坦なものが好適である。また目
的とする複屈折の値やポリイミドフィルムと基板との接
着性等を考え、適宜条件に合ったものを選定することが
望ましい。
It is important to select the type of substrate used for vapor deposition,
For the production of a film having a large birefringence in the in-plane direction, one having an anisotropic surface structure and further having 2-fold symmetry is suitable, and for producing a film having a large birefringence in the film thickness direction. Is preferably flat and has a uniform surface structure. In addition, it is desirable to consider the target value of birefringence and the adhesiveness between the polyimide film and the substrate, etc., and to select one that meets the appropriate conditions.

【0007】また作製条件は目的とする複屈折の値に応
じて変化させれば良いが、大きな複屈折を得るためには
前記モノマーを蒸発させて基板上で重合させる際の真空
度としては1×10-7Torr以下の真空度が望ましい。ま
た成長速度はなるべく遅いほうが望ましく、高真空下で
低速の条件でフィルムを作製することが望ましい。
The production conditions may be changed according to the desired birefringence value, but in order to obtain a large birefringence, the degree of vacuum when evaporating the monomer and polymerizing it on the substrate is 1 A vacuum degree of not more than × 10 -7 Torr is desirable. Further, it is desirable that the growth rate is as slow as possible, and it is desirable to produce a film under high vacuum and low speed conditions.

【0008】本発明に用いるポリイミドの原料モノマー
としてはテトラカルボン酸又はその誘導体及びジアミン
で、真空中で分解することなしに昇華するものであれば
どの様なものでもよい。
The raw material monomer of the polyimide used in the present invention may be any tetracarboxylic acid or its derivative and diamine, as long as it can be sublimated without decomposition in vacuum.

【0009】テトラカルボン酸としては例えば次のもの
が挙げられる。(トリフルオロメチル)ピロメリット
酸、ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、ジ(ヘ
プタフルオロプロピル)ピロメリット酸、ペンタフルオ
ロエチルピロメリット酸、ビス{3,5−ジ(トリフル
オロメチル)フェノキシ}ピロメリット酸、2,3,
3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3′,
4,4′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2,
3′,3,4′−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、
1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,6−テトラカルボキシナフタレン、3,3′,
4,4′−テトラカルボキシジフェニルメタン、3,
3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、5,5′−ビス(トリフ
ルオロメチル)−3,3′,4,4′−テトラカルボキ
シビフェニル、2,2′,5,5′−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3′,4,4′−テトラカルボ
キシビフェニル、5,5′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−3,3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、5,5′−ビス(トリフルオロメチル)−
3,3′,4,4′−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノ
キシ}ベンゼン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカル
ボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン、
ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシ
フェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン、
2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキ
シ)フェニル}プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、2,2−ビス{4−
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカ
ルボキシフェノキシ}ビフェニル、ビス{(トリフルオ
ロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオ
ロメチル)ビフェニル、ビス{(トリフルオロメチル)
ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル、ビス
(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチ
ル)ビフェニル、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ジメチルシラン、1,3−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ)オクタフルオロビフェニルなどである。
Examples of the tetracarboxylic acid include the following. (Trifluoromethyl) pyromellitic acid, di (trifluoromethyl) pyromellitic acid, di (heptafluoropropyl) pyromellitic acid, pentafluoroethylpyromellitic acid, bis {3,5-di (trifluoromethyl) phenoxy} Pyromellitic acid, 2, 3,
3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3',
4,4'-tetracarboxydiphenyl ether, 2,
3 ', 3,4'-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid, 2,3,6,7-tetracarboxynaphthalene,
1,4,5,7-tetracarboxynaphthalene, 1,
4,5,6-tetracarboxynaphthalene, 3,3 ',
4,4'-tetracarboxydiphenylmethane, 3,
3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl sulfone, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 5,5 ′ -Bis (trifluoromethyl) -3,3 ′, 4,4′-tetracarboxybiphenyl, 2,2 ′, 5,5′-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3 ′, 4,4′- Tetracarboxybiphenyl, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl ether, 5,5'-bis (trifluoromethyl)-
3,3 ′, 4,4′-tetracarboxybenzophenone, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} benzene, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} (trifluoromethyl) benzene,
Bis (dicarboxyphenoxy) (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 3,4,9,10-tetra Carboxyperylene,
2,2-bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} propane, butanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, 2,2-bis {4-
(3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} biphenyl, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis {( Trifluoromethyl)
Dicarboxyphenoxy} diphenyl ether, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetramethyldi Siloxane, difluoropyromellitic acid, 1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene,
1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) octafluorobiphenyl and the like.

【0010】ジアミンとしては、例えば次のものが挙げ
られる。m−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノト
ルエン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノ
デュレン、4−(1H,1H,11H−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−
(1H,1H−パーフルオロ−1−ブタノキシ)−1,
3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H−パーフルオ
ロ−1−ヘプタノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
4−(1H,1H−パーフルオロ−1−オクタノキシ)
−1,3−ジアミノベンゼン、4−ペンタフルオロフェ
ノキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−(2,3,
5,6−テトラフルオロフェノキシ)−1,3−ジアミ
ノベンゼン、4−(4−フルオロフェノキシ)−1,3
−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−
パーフルオロ−1−ヘキサノキシ)−1,3−ジアミノ
ベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−パーフルオ
ロ−1−ドデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、
2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミ
ン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
(トリフルオロメチル)フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペ
ンタフルオロエチル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロヘキシル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロブチル)ベンゼン、ベンジジン、2,2′−
ジメチルベンジジン、3,3′−ジメチルベンジジン、
3,3′−ジメトキシベンジジン、2,2′−ジメトキ
シベンジジン、3,3′,5,5′−テトラメチルベン
ジジン、3,3′−ジアセチルベンジジン、2,2′−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフ
ェニル、オクタフルオロベンジジン、3,3′−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフェニ
ル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′
−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)
プロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、1,2−ビス(アニリノ)エ
タン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、1,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオ
ロプロパン、1,4−ビス(アニリノ)オクタフルオロ
ブタン、1,5−ビス(アニリノ)デカフルオロペンタ
ン、1,7−ビス(アニリノ)テトラデカフルオロヘプ
タン、2,2′−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3′,5,5′−テトラキス(トリフ
ルオロメチル)−4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−ビス(トリフルオロメチル)−4,4′
−ジアミノベンゾフェノン、4,4′−ジアミノ−p−
テルフェニル、1,4−ビス(p−アミノフェニル)ベ
ンゼン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチ
ルフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)ビ
ス(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノフェ
ノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼン、
4,4″′−ジアミノ−p−クオーターフェニル、4,
4′−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,
2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェニル}プ
ロパン、4,4′−ビス(3−アミノフェノキシフェニ
ル)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス{4−(3−アミノフェノキシ)フェニ
ル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(2
−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−
3,5−ジメチルフェニルヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−3,5
−ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキサフルオロプロ
パン、4,4′−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロ
メチルフェノキシ)ビフェニル、4,4′−ビス(4−
アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニ
ル、4,4′−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメ
チルフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4′−ビス
(3−アミノ−5−トリフルオロメチルフェノキシ)ジ
フェニルスルホン、2,2−ビス{4−(4−アミノ−
3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)アミ
ノフェノキシ}ビフェニル、ビス〔{(トリフルオロメ
チル)アミノフェノキシ}フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、ジアミノアントラキノン、1,5−ジアミノナ
フタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ビス{2−
〔(アミノフェノキシ)フェニル〕}ヘキサフルオロイ
ソプロピルベンゼン、ビス{(2,3,5,6)−テト
ラフルオロ−4−アミノフェニル}スルフィド、1,3
−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリ
ル)ベンゼン、ビス(4−アミノフェニル)ジエチルシ
ラン、1,3−ジアミノテトラフルオロベンゼン、1,
4−ジアミノテトラフルオロベンゼン、4,4′−ビス
(テトラフルオロアミノフェノキシ)オクタフルオロビ
フェニル等がある。
Examples of the diamine include the following. m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,4-diaminoxylene, 2,4-diaminodurene, 4- (1H, 1H, 11H-eicosafluoroundecanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4-
(1H, 1H-perfluoro-1-butanoxy) -1,
3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H-perfluoro-1-heptanoxy) -1,3-diaminobenzene,
4- (1H, 1H-perfluoro-1-octanoxy)
-1,3-diaminobenzene, 4-pentafluorophenoxy-1,3-diaminobenzene, 4- (2,3,
5,6-Tetrafluorophenoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (4-fluorophenoxy) -1,3
-Diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-
Perfluoro-1-hexanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-perfluoro-1-dodecanoxy) -1,3-diaminobenzene,
p-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene,
2,3,5,6-Tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,5-diaminobenzotrifluoride, bis (trifluoromethyl) phenylenediamine, diaminotetra (trifluoromethyl) benzene, diamino (pentafluoroethyl) benzene 2,5-diamino (perfluorohexyl) benzene, 2,5-diamino (perfluorobutyl) benzene, benzidine, 2,2'-
Dimethylbenzidine, 3,3'-dimethylbenzidine,
3,3'-dimethoxybenzidine, 2,2'-dimethoxybenzidine, 3,3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, 3,3'-diacetylbenzidine, 2,2'-
Bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, octafluorobenzidine, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4 ′
-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 2,2-bis (p-aminophenyl)
Propane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 1,2-bis (anilino) ethane, 2,2-bis (p- Aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (anilino) hexafluoropropane, 1,4-bis (anilino) octafluorobutane, 1,5-bis (anilino) decafluoropentane, 1,7-bis (anilino) ) Tetradecafluoroheptane, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,
4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether , 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4 '
-Diaminobenzophenone, 4,4'-diamino-p-
Terphenyl, 1,4-bis (p-aminophenyl) benzene, p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, bis (aminophenoxy) bis (trifluoromethyl) benzene, bis (aminophenoxy) ) Tetrakis (trifluoromethyl) benzene,
4,4 "'-diamino-p-quarterphenyl, 4,
4'-bis (p-aminophenoxy) biphenyl, 2,
2-bis {4- (p-aminophenoxy) phenyl} propane, 4,4'-bis (3-aminophenoxyphenyl) diphenyl sulfone, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoro propane,
2,2-bis {4- (3-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (2
-Aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy)-
3,5-dimethylphenylhexafluoropropane,
2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) -3,5
-Ditrifluoromethylphenyl} hexafluoropropane, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-
Amino-3-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) diphenyl sulfone, 4,4'-bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) Diphenyl sulfone, 2,2-bis {4- (4-amino-
3-trifluoromethylphenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {(trifluoromethyl) aminophenoxy} biphenyl, bis [{(trifluoromethyl) aminophenoxy} phenyl] hexafluoropropane, diaminoanthraquinone, 1,5-diamino Naphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, bis {2-
[(Aminophenoxy) phenyl]} hexafluoroisopropylbenzene, bis {(2,3,5,6) -tetrafluoro-4-aminophenyl} sulfide, 1,3
-Bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminophenyl) diethylsilane, 1,3-diaminotetrafluorobenzene, 1,
4-diaminotetrafluorobenzene, 4,4'-bis (tetrafluoroaminophenoxy) octafluorobiphenyl and the like.

【0011】図1は本発明の高複屈折ポリイミドフィル
ムを製造する装置の断面図の一例を示すもので符号1は
成長室を示し、該成長室1内を外部の真空ポンプの真空
排気系2に接続すると共に、該成長室1内にポリイミド
樹脂の蒸着膜を形成させるための基板3を基板ホルダ4
上に保持し、該基板3を該基板ホルダ4の背面に設けら
れたヒータ5によって所望温度に加熱できるようにし、
かつ基板3の近傍に設置された膜厚モニター6によって
基板3上に形成される膜厚を測定するようにした。また
該成長室1内下部に該基板3に対向させてポリイミド樹
脂の原料モノマーを蒸発させるためのエヒュージョンセ
ル7、8を設けた。また該エヒュージョンセル近傍に設
置された膜厚モニター9、10によって各モノマーから
の蒸発速度を測定し、エヒュージョンセルのるつぼ温度
にフィードバックがかかるようにした。図中11、12
は各るつぼ前面のシャッターを示し、この開閉によって
るつぼ内の物質の基板への蒸着をオン、オフする。13
は基板前面のシャッターを示す。14は液体窒素シュラ
ウドで成長室内壁からのモノマーの再蒸発を防いでい
る。
FIG. 1 shows an example of a sectional view of an apparatus for producing a highly birefringent polyimide film of the present invention. Reference numeral 1 denotes a growth chamber, and the inside of the growth chamber 1 is a vacuum exhaust system 2 of an external vacuum pump. And a substrate holder 4 for forming a vapor deposition film of a polyimide resin in the growth chamber 1
So that the substrate 3 can be heated to a desired temperature by a heater 5 provided on the back surface of the substrate holder 4,
Further, the film thickness formed on the substrate 3 is measured by the film thickness monitor 6 installed near the substrate 3. Further, effusion cells 7 and 8 are provided below the inside of the growth chamber 1 so as to face the substrate 3 and evaporate the raw material monomer of the polyimide resin. Further, the evaporation rate from each monomer was measured by the film thickness monitors 9 and 10 installed near the effusion cell, and the crucible temperature of the effusion cell was fed back. 11 and 12 in the figure
Indicates a shutter in front of each crucible, and by opening and closing this, vapor deposition of the substance in the crucible on the substrate is turned on and off. Thirteen
Indicates a shutter on the front surface of the substrate. A liquid nitrogen shroud 14 prevents the re-evaporation of the monomer from the inner wall of the growth chamber.

【0012】[0012]

【実施例】以下、実施例を説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
EXAMPLES Examples will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

【0013】実施例1 まず基板として、異方性のある基板で2回対称性を有す
るSi(111)基板3を基板ホルダ4に装着し、エヒ
ュージョンセルの一方に2,2−ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物
(a)と他方に2,2′−ビス(トリフルオロメチル)
−4,4′−ジアミノビフェニル(b)を充てんし、シ
ャッター11、12、13を閉じた状態で成長室1内雰
囲気ガスの全圧を排気系2を用いて1×10-8Torrまで
真空引きを行う。更に液体窒素シュラウド14に液体窒
素を充てんし真空度を5×10-9Torr以下にする。次い
で膜厚モニター6、9、10でエヒュージョンセルから
の各原料モノマーa、bの蒸発速度を測定しながらaを
120℃±0.5℃に、またbを65℃±0.5℃に加
熱する。次いで原料モノマーa、bが目標温度に達して
所要の蒸発速度が得られた後にシャッター11、12、
13を開け、基板3上に該原料モノマーa、bを6nm/
min の成長速度で厚さ1μmに堆積させた。その後シャ
ッター11、12、13を閉じて該基板3をヒータ5で
温度350℃に加熱しながら所定時間保持して該基板3
上でポリイミドの重合反応を起こさせて該基板3上にポ
リイミドフィルムを形成させ、屈折率を調べた。その結
果フィルムに平行方向の屈折率で最大屈折率と最小屈折
率の差は0.002であった。またフィルムは2インチ
φの面積で平坦かつ均一のフィルムが得られた。
Example 1 First, as a substrate, a Si (111) substrate 3 which is an anisotropic substrate and has two-fold symmetry is mounted on a substrate holder 4, and one of the effusion cells is provided with 2,2-bis (3). , 4-Dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (a) and on the other hand 2,2'-bis (trifluoromethyl)
It is filled with -4,4'-diaminobiphenyl (b), and the total pressure of the atmosphere gas in the growth chamber 1 is evacuated to 1 × 10 -8 Torr using the exhaust system 2 with the shutters 11, 12, and 13 closed. Pull. Further, the liquid nitrogen shroud 14 is filled with liquid nitrogen so that the degree of vacuum is 5 × 10 −9 Torr or less. Then, while measuring the evaporation rates of the respective raw material monomers a and b from the effusion cell with the film thickness monitors 6, 9 and 10, a is set to 120 ° C. ± 0.5 ° C. and b is set to 65 ° C. ± 0.5 ° C. To heat. Next, after the raw material monomers a and b reach the target temperature and the required evaporation rate is obtained, the shutters 11 and 12,
13 is opened, and the raw material monomers a and b are set to 6 nm / on the substrate 3.
It was deposited to a thickness of 1 μm at a growth rate of min. After that, the shutters 11, 12, and 13 are closed, and the substrate 3 is heated to a temperature of 350 ° C. by the heater 5 and held for a predetermined time to hold the substrate 3
A polyimide polymerization reaction was caused to form a polyimide film on the substrate 3, and the refractive index was examined. As a result, the difference between the maximum refractive index and the minimum refractive index in the direction parallel to the film was 0.002. In addition, a flat and uniform film having an area of 2 inches φ was obtained.

【0014】比較例1 前記実施例1と比較するために、実施例1と同様の基
板、モノマーを用いてスピンコート法によりポリイミド
フィルムを作製した。膜厚は1μmである。そのフィル
ムについて屈折率を測定した結果フィルムに平行方向の
屈折率で最大屈折率と最小屈折率の差は0.000であ
った。
Comparative Example 1 In order to compare with Example 1 described above, a polyimide film was prepared by the spin coating method using the same substrate and monomer as in Example 1. The film thickness is 1 μm. As a result of measuring the refractive index of the film, the difference between the maximum refractive index and the minimum refractive index in the direction parallel to the film was 0.000.

【0015】実施例2 まず基板として、アモルファス構造を有する酸化膜付き
シリコン基板3を基板ホルダ4に装着し、エヒュージョ
ンセルの一方に2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(a)と他方
に4,4′−オキシジアニリン(b)を充てんし、シャ
ッター11、12、13を閉じた状態で成長室1内雰囲
気ガスの全圧を排気系2を用いて1×10-8Torrまで真
空引きを行う。更に液体窒素シュラウド14に液体窒素
を充てんし真空度を5×10-9Torr以下にする。次いで
膜厚モニター6、9、10でエヒュージョンセルからの
各原料モノマーa、bの蒸発速度を測定しながらaを1
20℃±0.5℃に、またbを80℃±0.5℃に加熱
する。次いで原料モノマーa、bが目標温度に達して所
要の蒸発速度が得られた後にシャッター11、12、1
3を開け、基板3上に該原料モノマーa、bを6nm/mi
n の成長速度で厚さ1.5μmに堆積させた。その後シ
ャッター11、12、13を閉じて該基板3をヒータ5
で温度350℃に加熱しながら所定時間保持して該基板
3上でポリイミドの重合反応を起こさせて該基板3上に
膜厚1.5μmのポリイミドフィルムを形成させ、63
3nmでの屈折率を調べた。その結果フィルム面に平行方
向と垂直方向の屈折率差は0.0187であった。また
フィルムは2インチφの面積で平坦かつ均一のフィルム
が得られた。
Example 2 First, a silicon substrate 3 with an oxide film having an amorphous structure was mounted on a substrate holder 4 as a substrate, and 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoro was added to one of the effusion cells. Propane dianhydride (a) and the other side were filled with 4,4'-oxydianiline (b), and while the shutters 11, 12, and 13 were closed, the total pressure of the atmosphere gas in the growth chamber 1 was adjusted to the exhaust system 2. Vacuum is applied to 1 × 10 −8 Torr. Further, the liquid nitrogen shroud 14 is filled with liquid nitrogen so that the degree of vacuum is 5 × 10 −9 Torr or less. Then, while measuring the evaporation rate of each raw material monomer a, b from the effusion cell with the film thickness monitors 6, 9, 10
Heat to 20 ° C ± 0.5 ° C and b to 80 ° C ± 0.5 ° C. Then, after the raw material monomers a and b reach the target temperature and the required evaporation rate is obtained, the shutters 11, 12, and 1 are released.
3 is opened, and the raw material monomers a and b are 6 nm / mi on the substrate 3.
It was deposited to a thickness of 1.5 μm at a growth rate of n 2. After that, the shutters 11, 12, and 13 are closed and the substrate 3 is heated by the heater 5
While maintaining the temperature at 350 ° C. for a predetermined time, a polyimide polymerization reaction is caused on the substrate 3 to form a polyimide film having a thickness of 1.5 μm on the substrate 3.
The refractive index at 3 nm was investigated. As a result, the difference in refractive index between the direction parallel to the film surface and the direction perpendicular to the film surface was 0.0187. In addition, a flat and uniform film having an area of 2 inches φ was obtained.

【0016】比較例2 前記実施例2と比較するために、実施例2と同様の基
板、モノマーを用いてスピンコート法によりポリイミド
フィルムを作製した。膜厚は1.5μmである。そのフ
ィルムについて屈折率を測定した結果、フィルム面に平
行方向と垂直方向の屈折率差は0.0078であった。
Comparative Example 2 For comparison with Example 2, a polyimide film was prepared by the spin coating method using the same substrate and monomer as in Example 2. The film thickness is 1.5 μm. As a result of measuring the refractive index of the film, the difference in refractive index between the direction parallel to the film surface and the direction perpendicular to the film surface was 0.0078.

【0017】[0017]

【発明の効果】このように本発明によると、真空中でポ
リイミドの原料モノマーを蒸着、重合させてポリイミド
フィルムを形成させる方法でポリイミドフィルムを製造
すると、同一の分子式を持つポリイミドではあるがスピ
ンコート膜より大きな複屈折を持ったフィルムを作製で
きるという効果を有する。また作製時にフィルムをはく
離する必要がないため破断の問題なくフィルムを作製で
きるという効果を有する。
As described above, according to the present invention, when a polyimide film is manufactured by a method of forming a polyimide film by depositing and polymerizing a polyimide raw material monomer in a vacuum, a polyimide film having the same molecular formula is spin-coated. It has an effect that a film having a birefringence larger than that of the film can be produced. Further, since there is no need to peel off the film at the time of manufacturing, there is an effect that the film can be manufactured without a problem of breakage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の高複屈折ポリイミドフィルムを製造す
る装置の1例の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of an example of an apparatus for producing a high birefringence polyimide film of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:成長室、2:真空排気系、3:基板、4:基板ホル
ダ、5:ヒータ、6:基板側膜厚モニター、7及び8:
エヒュージョンセル、9及び10:エヒュージョンセル
側膜厚モニター、11及び12:エヒュージョンセル側
シャッター、13:基板側シャッター、14:液体窒素
シュラウド
1: growth chamber, 2: vacuum exhaust system, 3: substrate, 4: substrate holder, 5: heater, 6: substrate-side film thickness monitor, 7 and 8:
Efusion cell, 9 and 10: film thickness monitor on effusion cell, 11 and 12: shutter on effusion cell, 13: shutter on substrate, 14: liquid nitrogen shroud

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢田 孝 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takashi Sawada 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上でポリイミド原料モノマーを重合
させてポリイミドを合成するポリイミドフィルムの製造
方法において、前記基板を、表面の構造に異方性を有す
る基板とし、前記ポリイミド原料モノマーを蒸着、重合
させることを特徴とする高複屈折ポリイミドフィルムの
製造方法。
1. A method for producing a polyimide film, comprising synthesizing polyimide by polymerizing a polyimide raw material monomer on a substrate, wherein the substrate is a substrate having an anisotropic surface structure, and the polyimide raw material monomer is deposited and polymerized. A method for producing a high birefringence polyimide film, comprising:
【請求項2】 前記基板を、2回対称性を有する基板と
したことを特徴とする請求項1に記載の高複屈折ポリイ
ミドフィルムの製造方法。
2. The method for producing a high birefringence polyimide film according to claim 1, wherein the substrate is a substrate having a two-fold symmetry.
【請求項3】 基板上でポリイミド原料モノマーを重合
させてポリイミドを合成するポリイミドフィルムの製造
方法において、前記基板を、アモルファス構造からなる
基板とし、前記ポリイミド原料モノマーを蒸着、重合さ
せることを特徴とする高複屈折ポリイミドフィルムの製
造方法。
3. A method for producing a polyimide film, in which a polyimide raw material monomer is polymerized on a substrate to synthesize polyimide, wherein the substrate is a substrate having an amorphous structure, and the polyimide raw material monomer is vapor-deposited and polymerized. Highly birefringent polyimide film manufacturing method.
JP26943993A 1993-10-04 1993-10-04 Production of high-birefringence polyimide film Pending JPH07102087A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006025263A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Jsr Corporation Optical film, polarization plate and liquid crystal display
JP2006091310A (en) * 2004-09-22 2006-04-06 Jsr Corp Optical film, polarizing plate, and liquid crystal display
JP2008084566A (en) * 2006-09-26 2008-04-10 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of organic functional element

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JP2006091310A (en) * 2004-09-22 2006-04-06 Jsr Corp Optical film, polarizing plate, and liquid crystal display
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